WO2014054500A1 - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2014054500A1
WO2014054500A1 PCT/JP2013/076088 JP2013076088W WO2014054500A1 WO 2014054500 A1 WO2014054500 A1 WO 2014054500A1 JP 2013076088 W JP2013076088 W JP 2013076088W WO 2014054500 A1 WO2014054500 A1 WO 2014054500A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electrode
liquid crystal
pixel
display device
crystal display
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/076088
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
由紀 川島
海瀬 泰佳
Original Assignee
シャープ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
Priority to US14/428,694 priority Critical patent/US9632380B2/en
Publication of WO2014054500A1 publication Critical patent/WO2014054500A1/ja

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345Insulating layers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512Light shielding layers, e.g. black matrix
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134372Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/13606Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit having means for reducing parasitic capacitance

Definitions

  • the present invention relates to a liquid crystal display device.
  • This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2012-221529 filed in Japan on October 3, 2012, the contents of which are incorporated herein by reference.
  • a horizontal electric field method is conventionally known as a method for applying an electric field to a liquid crystal layer.
  • a horizontal electric field type liquid crystal display device a common electrode and a pixel electrode are provided on one of a pair of substrates sandwiching a liquid crystal layer, and substantially in a horizontal direction (a direction substantially parallel to the substrate) with respect to the liquid crystal layer. The electric field of is applied.
  • the horizontal electric field type liquid crystal display device includes an IPS (In-Plane Switching) type liquid crystal display device and an FFS (Fringe Field Switching) type liquid crystal display device depending on the electrode configuration.
  • An FFS mode liquid crystal display device generally includes a lower layer electrode formed in substantially the entire region of a pixel, and an upper layer electrode having a plurality of linear electrodes arranged with an insulating film sandwiched between the lower layer electrodes.
  • a lower electrode as a common electrode and an upper electrode as a pixel electrode
  • a lower electrode as a pixel electrode and an upper electrode as a common electrode.
  • the pixel electrode and the common electrode are planarly overlapped with an insulating film interposed therebetween, and a pixel capacitor is formed at this overlapping portion.
  • TFT Thin Film Transistor
  • the method of adding a light shielding film on the back surface of the TFT has a problem that the number of man-hours is increased and the load on the bus line is increased.
  • As one method for increasing the pixel capacitance it is conceivable to reduce the thickness of the insulating film between the pixel electrode and the common electrode.
  • a problem such as an increase in leakage current occurs. Therefore, there is a limit to reducing the thickness of the insulating film. From the above, it is effective to increase the area of the overlapping portion between the pixel electrode and the common electrode in order to increase the pixel capacitance.
  • the liquid crystal display device of Patent Document 1 includes a lens member for collecting light from the backlight.
  • the pixel capacitance is increased by increasing the area of the electrode in the non-condensing region of the lens member, that is, the region that does not substantially contribute to display.
  • increasing the electrode area in a region that does not substantially contribute to display leads to a decrease in aperture ratio. Therefore, a bright display cannot be obtained in a general liquid crystal display device having no lens member.
  • the width of the linear electrode is increased as a whole, there is a possibility that display characteristics such as transmittance may be affected.
  • the width of the linear electrode becomes wide and the distance between the pixel electrodes of adjacent pixels becomes closer than the allowable range, there is a possibility that color mixing occurs in the adjacent pixels.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and suppresses the occurrence of problems such as a decrease in light transmittance and color mixing, and suppresses flicker and the like by increasing the pixel capacity, thereby improving display quality.
  • An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of increasing the brightness.
  • a liquid crystal display device of one embodiment of the present invention includes a first substrate, a second substrate, a liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate, A first electrode provided on the liquid crystal layer side of the first substrate; an insulating film covering the first electrode; and a second electrode provided on the insulating film, the second electrode comprising: A plurality of linear electrodes arranged at a predetermined interval; and a first connecting portion that connects first ends of the plurality of linear electrodes, each of the plurality of linear electrodes being A main line part, and a first bent part provided between the main line part and the first connecting part and bent in a direction different from the extending direction of the main line part, and the second electrode A capacity adding portion is provided integrally with the first connecting portion in a region along the arrangement direction of the plurality of first bent portions.
  • the second electrode includes a plurality of linear electrodes, the first connecting portion, and a second end opposite to the first end of the plurality of linear electrodes.
  • a second connecting portion that connects the end portions, and each of the plurality of linear electrodes is between the trunk portion, the first bent portion, and the trunk portion and the second connecting portion.
  • a second bent portion that is bent in a direction different from the extending direction of the main line portion, and the capacitance adding portion includes a plurality of regions in addition to a region along the arrangement direction of the plurality of first bent portions. It is provided in the area
  • the liquid crystal display device is characterized in that a length of the capacitance adding portion is equal to a length of the first bent portion or a length of the second bent portion.
  • the liquid crystal display device is characterized in that the capacitance adding portion is disposed in a light shielding region.
  • the extending direction of the linear electrode of the first pixel and the extending of the linear electrode of the second pixel is inclined in the opposite direction with respect to the longitudinal direction of the first pixel and the second pixel.
  • a liquid crystal display device with high display quality can be realized by suppressing flicker and the like by increasing pixel capacity while suppressing occurrence of problems such as a decrease in light transmittance and color mixing. it can.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 2.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line B-B ′ of FIG. 2.
  • the liquid crystal display device of this embodiment includes a first electrode and a second electrode on one of a pair of substrates sandwiching a liquid crystal layer, and the liquid crystal is generated by an electric field applied between the first electrode and the second electrode. It is a liquid crystal display device of a lateral electric field system to be driven, particularly an FSS system.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view showing a schematic configuration of the liquid crystal display device of the present embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view showing two adjacent pixels of the liquid crystal display device of the present embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG.
  • the scale of the size may be different depending on the component.
  • the liquid crystal display device 1 of the present embodiment includes a backlight 2, a polarizing plate 3, a liquid crystal cell 4, and a polarizing plate 5 from the back as viewed from the observer.
  • the liquid crystal display device 1 of this embodiment is a transmissive liquid crystal display device.
  • the liquid crystal display device 1 performs display by controlling the transmittance of light emitted from the backlight 2 by the liquid crystal cell 4.
  • the liquid crystal cell 4 includes a TFT array substrate 6 and a counter substrate 7 which are disposed to face each other.
  • the liquid crystal layer 8 is sandwiched between the TFT array substrate 6 and the counter substrate 7.
  • a positive type liquid crystal material is used for the liquid crystal layer 8
  • a negative type liquid crystal material may be used.
  • the TFT array substrate 6 has a plurality of pixels 10 arranged in a matrix on a substrate 9, and a display region (screen) is configured by these pixels 10.
  • the counter substrate 7 includes a color filter 12 on a substrate body 11.
  • the TFT array substrate 6 of this embodiment corresponds to a first substrate in the claims.
  • the counter substrate 7 of the present embodiment corresponds to a second substrate in the claims.
  • the display area includes a plurality of source bus lines (signal lines) arranged in parallel to each other and a plurality of gate bus lines (scanning lines) arranged in parallel to each other. ing.
  • the plurality of source bus lines and the plurality of gate bus lines are arranged to cross each other.
  • the display area is partitioned in a lattice pattern by a plurality of source bus lines and a plurality of gate bus lines, and the partitioned substantially rectangular area is the pixel 10.
  • a TFT 15 is provided in the vicinity of the intersection where the source bus line 13 and the gate bus line 14 intersect.
  • the TFT 15 of the present embodiment includes a gate electrode 16 that is a part of the gate bus line 14, a semiconductor layer 17 that is arranged to intersect the gate bus line, and a drain electrode 18.
  • the semiconductor layer 17 is made of, for example, amorphous silicon, polycrystalline silicon, an oxide semiconductor, or the like.
  • IGZO Indium (In) and zinc (Zn)
  • ZTO zinc
  • a Zn—Ti—O-based oxide semiconductor or the like can be used.
  • One end of the semiconductor layer 17 is electrically connected to the source bus line 13 through the source contact hole 19.
  • the other end of the semiconductor layer 17 is electrically connected to the drain electrode 18 through the drain contact hole 20.
  • the pixel electrode 21 is electrically connected to the drain electrode 18 through the pixel contact hole 22.
  • reference numeral 23 denotes a through hole
  • reference numeral 24 denotes a common electrode extraction pattern.
  • the pixel electrode 21 has a plurality of (two in this embodiment) linear electrodes 26, a first connecting portion 27, and a second connecting portion 28.
  • the plurality of linear electrodes 26 are arranged at a predetermined interval.
  • the width L of the linear electrode 26 and the interval S between the adjacent linear electrodes 26 are both about 2 to 5 ⁇ m.
  • the first connecting portion 27 is a substantially rectangular portion that connects the first ends of the plurality of linear electrodes 26 on the side close to the TFT 15.
  • the second connecting portion 28 is a substantially rectangular portion that connects the second ends of the plurality of linear electrodes 26 on the side far from the TFT 15.
  • the pixel electrode 21 has two linear electrodes 26, but the number of the linear electrodes 26 is not limited to two and can be set as appropriate.
  • the linear electrode 26 has a main line portion 29, a first bent portion 30, and a second bent portion 31.
  • the trunk line part 29, the 1st bending part 30, and the 2nd bending part 31 are described separately for convenience, they are integral electrodes.
  • the extending direction of the main line portion 29 is inclined with respect to the longitudinal direction of the pixel. Specifically, the first end portion (lower end portion in FIG. 2) of the main line portion 29 is shifted to the left with respect to the longitudinal direction of the pixel 10, and the second end portion (upper end portion in FIG. 2) of the main line portion 29 is the pixel. 10 is shifted to the right with respect to the longitudinal direction.
  • the longitudinal direction of the pixel 10 is defined as a direction perpendicular to the extending direction of the gate bus line 14.
  • the trunk portion of the pixel (upper and lower pixels) adjacent to the pixel 10 shown in FIG. 2 in the extending direction of the source bus line 13 is opposite to the trunk portion of this pixel. Tilted. That is, the main line portion of the pixels (upper and lower pixels) adjacent to the pixel 10 in FIG. 2 has the first end portion (lower end portion in FIG. 2) of the main line portion shifted to the right with respect to the longitudinal direction of the pixel, The second end (upper end in FIG. 2) is shifted to the left with respect to the longitudinal direction of the pixel.
  • a portion in the vicinity of the TFT 15 is disposed so as to be substantially orthogonal to the gate bus line 14.
  • a portion along the linear electrode 26 is disposed substantially parallel to the linear electrode 26 adjacent to the source bus line 13. Therefore, when the source bus line 13 is viewed in the extending direction, the source bus line 13 is bent in a zigzag shape.
  • the linear electrodes 26 are formed in the two pixels 10 adjacent to each other along the source bus line 13 so as to be inclined in opposite directions.
  • the direction of the director of the liquid crystal molecules when a voltage is applied is symmetrical between the adjacent upper and lower pixels.
  • a structure in which two domains having different alignment directions of liquid crystal molecules are formed in one pixel, that is, a so-called dual domain structure is already known.
  • a dual domain structure is adopted with two pixels 10 adjacent along the source bus line 13 as one unit instead of one pixel. Thereby, the wide viewing angle of the liquid crystal display device 1 can be achieved.
  • the first bent portion 30 is a portion between the main line portion 29 and the first connecting portion 27 and is bent in a direction inclined from the extending direction of the main line portion 29.
  • the second bent portion 31 is a portion between the main line portion 29 and the second connecting portion 28 and is bent in a direction inclined from the extending direction of the main line portion 29.
  • the 1st bending part 30 and the 2nd bending part 31 are substantially arrange
  • An edge of the light shielding region G (black matrix) is indicated by a broken line.
  • the illustration is omitted, but a black matrix is provided in a region overlapping with the source bus line 13 to be a light shielding region.
  • the first bent portion 30 and the second bent portion 31 are provided, so that the connecting portion between the linear electrode 26 and the first connecting portion 27 and the linear electrode 26 and the second connecting portion 28 are connected.
  • the connecting portion has an acute triangular shape. This shape exhibits a function of suppressing the occurrence of liquid crystal alignment anomaly when a pressing force is applied to the liquid crystal display device 1 from the outside.
  • connection portion between the linear electrode and the connection portion regions where the twist directions of the liquid crystal molecules are opposite to each other may occur alternately.
  • a region where the liquid crystal molecules are not twisted is generated in the middle of the region where the liquid crystal molecules exhibit the opposite twist direction.
  • This portion becomes a dark line and causes a decrease in transmittance.
  • connection part of the linear electrode 26 and the 1st connection part 27 and the 2nd connection part 28 is acute triangle shape like this embodiment, the twisted state of a liquid crystal molecule is fixed, and a dark line However, the dark line does not move even when a pressing force is applied to the liquid crystal display device 1 from the outside. Thereby, it becomes difficult for a user to visually recognize display unevenness.
  • the capacity adding portion 32 is provided integrally with the first connecting portion 27 in a region along the arrangement direction of the plurality of first bent portions 30.
  • the planar shape of the capacity addition portion 32 is a substantially right triangle.
  • the tip (a triangular apex) of the capacity adding portion 32 substantially coincides with the position of the upper end of the first bent portion 30. Therefore, similarly to the first bent portion 30, the capacitance adding portion 32 is also disposed in the light shielding region G.
  • the capacity adding portion 33 is provided integrally with the second connecting portion 28 in a region along the arrangement direction of the plurality of second bent portions 31.
  • the characteristics of the capacity addition section 33 on the second connection section 28 side are the same as the characteristics of the capacity addition section 32 on the first connection section 27 side.
  • the planar shape of the capacitance adding portion 33 is a substantially right triangle.
  • the opposing sides of the capacitance adding portion 33 and the linear electrode 26 are substantially parallel to each other.
  • the interval S ′ between the capacitance adding portion 33 and the linear electrode 26 is substantially equal to the interval S between two adjacent linear electrodes 26.
  • the tip of the capacitor addition part 33 (the apex of the triangle) substantially coincides with the position of the lower end of the second bent part 31, and the capacitor addition part 33 is arranged in the light shielding region G.
  • the common electrode is formed on the entire surface of the substrate except for the inside of the extraction pattern 24. Therefore, the external shape of the common electrode is not shown in FIG. A common potential is supplied to the common electrode from both the left and right sides of the peripheral edge of the liquid crystal cell 4.
  • the liquid crystal display device 1 includes a TFT array substrate 6, a counter substrate 7, and a liquid crystal layer 8 sandwiched between the TFT array substrate 6 and the counter substrate 7.
  • the liquid crystal display device 1 is provided with a sealing material (not shown) along the peripheral edge of the opposing surface of the TFT array substrate 6 and the opposing substrate 7, and is surrounded by the sealing material, the TFT array substrate 6, and the opposing substrate 7.
  • a liquid crystal layer 8 is sealed in the remaining space.
  • the TFT array substrate 6 has a substrate body 35 made of a translucent material such as glass, quartz, or plastic.
  • a base insulating film 36 (base coat) is formed on one surface of the substrate body 35.
  • the patterned semiconductor layer 17 is formed on the base insulating film 36.
  • a gate insulating film 37 is formed on the entire surface of the base insulating film 36 so as to cover the semiconductor layer 17.
  • the gate electrode 16 is formed on a part of the upper surface of the gate insulating film 37. As described above, the gate electrode 16 includes the gate bus line 14.
  • a first interlayer insulating film 38 is formed on the entire surface of the gate insulating film 37 so as to cover the gate electrode 16.
  • the drain electrode 18 is formed on the upper surface of the first interlayer insulating film 38.
  • the drain electrode 18 is connected to the semiconductor layer 17 through the drain contact hole 20 that penetrates the first interlayer insulating film 38 and the gate insulating film 37.
  • An organic insulating film 39 is formed on the entire surface of the first interlayer insulating film 38 so as to cover the drain electrode 18.
  • the organic insulating film 39 is formed with a through hole 23 that penetrates the organic insulating film 39 and reaches the drain electrode 18.
  • the through hole 23 is a portion where the organic insulating film 39 is removed in order to form a contact between the pixel electrode 21 and the drain electrode 18.
  • the common electrode 40 is formed on the upper surface of the organic insulating film 39.
  • a second interlayer insulating film 41 is formed on the organic insulating film 39 so as to cover the common electrode 40.
  • the pixel electrode 21 is formed on the upper surface of the second interlayer insulating film 41.
  • the pixel electrode 21 is connected to the drain electrode 18 through the pixel contact hole 22 penetrating the second interlayer insulating film 41 inside the through hole 23.
  • a pattern 24 is provided.
  • the alignment film 42 is provided so as to cover the pixel electrode 21 on the second interlayer insulating film 41.
  • the alignment film 42 is subjected to an alignment treatment for regulating the alignment of the liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer 8.
  • the counter substrate 7 includes a substrate body 11 made of a translucent material such as glass, quartz, and plastic, and a black matrix 44, a color filter 45, and an alignment film 46 that are sequentially stacked on one surface of the substrate body 11.
  • the black matrix 44 is made of a highly light-shielding material such as a metal such as chromium or a black resin.
  • the color filter 45 contains color materials of different colors such as red (R), green (G), and blue (B) corresponding to the pixels 10.
  • the alignment direction of the alignment film 46 is restricted to the same direction as the alignment direction of the alignment film 42.
  • the source bus line 13 is formed on the first interlayer insulating film 38.
  • the source bus line 13 is the same layer as the drain electrode 18 and is made of the same conductive material.
  • the common electrode 40 is formed on the upper surface of the organic insulating film 39.
  • a pixel electrode 21 is formed above the common electrode 40 with a second interlayer insulating film 41 interposed therebetween.
  • 3 is a cross-sectional view taken along a cutting line passing through the second bent portion 31 and the capacitance adding portion 33 of the linear electrode 26. In FIG. Cross sections of the electrode 26 (second bent portion 31) and the capacitance adding portion 33 appear.
  • the common electrode 40 and the pixel electrode 21 are opposed to each other with the second interlayer insulating film 41 interposed therebetween, so that the pixel capacitor C is formed.
  • the common electrode 40 of the present embodiment corresponds to the first electrode in the claims.
  • the pixel electrode 21 of the present embodiment corresponds to the second electrode in the claims.
  • the second interlayer insulating film 41 of the present embodiment corresponds to an insulating film in the claims.
  • the first connecting portion 127 and the second connecting portion 128, which are connecting portions of the linear electrodes 126 are both designed to be a simple rectangle. Easy to think. Based on this shape, the designer adjusts the width L2 of the main line portion 129 and the main line among the linear electrodes 126 having the main line portion 129 and the bent portions 130 and 131, for example, in accordance with various parameters that affect display characteristics. A design for optimizing conditions such as a ratio L2 / S2 with the interval S2 between the portions 129 is performed.
  • each of the above two methods has major drawbacks.
  • (1) since the ratio L2 / S2 between the width L2 of the main line portion 129 and the interval S2 between the main line portions 129 deviates from the optimum value, characteristics such as light transmittance may be deteriorated.
  • the distance between the linear electrodes 126 between adjacent pixels becomes closer than the allowable range, color mixing may occur.
  • (2) since the portion other than the linear electrode 126 that substantially contributes to the display is increased, the aperture ratio decreases and the light transmittance decreases. Further, in both cases (1) and (2), it is necessary to reexamine the design once optimized, and the work efficiency of the design is poor.
  • capacity addition units 32 and 33 are added.
  • C ′ increases.
  • the shape and size of the gap between the capacitance addition portions 32 and 33 and the linear electrode 26 can be changed to the shape of the gap between the two linear electrodes 26 and It is approximately the same as the dimensions. That is, the opposite sides of the capacitor addition portions 32 and 33 and the linear electrode 26 are substantially parallel to each other, and the interval S ′ between the capacitance addition portions 32 and 33 and the linear electrode 26 is two adjacent lines. It is substantially equal to the distance S between the electrode electrodes 26.
  • the present inventors actually measured samples by comparing the pattern of the pixel electrode 21 of this embodiment (FIG. 2) and the pattern of the pixel electrode 121 of the comparative example (FIG. 5), and compared various characteristics. The results are shown in [Table 1] below.
  • the area of the overlapping portion between the pixel electrode 21 and the common electrode 40 increased, and the pixel capacitance increased compared to the comparative example.
  • the flicker rate decreased with respect to the comparative example.
  • the present inventors set specific conditions for the dimensions, film thickness, etc. of each part, and according to actual measurement results, the pixel capacity increases by about 10 to 15%, and the flicker rate relatively decreases by about 10%. It was confirmed.
  • the flicker rate is an index indicating the degree of flicker.
  • FIG. 6 is a plan view showing two adjacent pixels of the liquid crystal display device of the first modification. In FIG. 6, the same components as those in FIG.
  • a rectangular capacitance adding portion 51 is provided in a region along the arrangement direction of the plurality of first bent portions 30.
  • a rectangular capacity addition portion 52 is provided in a region along the arrangement direction of the plurality of second bent portions 31.
  • the capacity addition portions 51 and 52 are disposed in the light shielding region G together with the first bent portion 30 and the second bent portion 31.
  • the shape and size of the gap between the capacitance adding portions 51 and 52 and the adjacent linear electrode 26 are the same as the two adjacent linear electrodes 26. Does not match the shape and dimensions of the gap. As a result, there is a possibility that some liquid crystal alignment disorder may occur in the vicinity of the capacitance adding portions 51 and 52. However, since the capacitance adding portions 51 and 52 are arranged in the light shielding region G, the display quality is not greatly impaired even if a slight alignment disorder of the liquid crystal occurs.
  • FIG. 7 is a plan view showing two adjacent pixels of the liquid crystal display device of the second modified example. In FIG. 7, the same components as those in FIG.
  • a substantially triangular capacitor addition portion 56 is provided in a region along the arrangement direction of the plurality of first bent portions 30.
  • the side close to the first connecting portion 27 is disposed in the light shielding region G, and the side farther from the first connecting portion 27 (the tip side of the triangle) protrudes outside the light shielding region G.
  • a substantially triangular capacity addition portion 57 is provided in a region along the arrangement direction of the plurality of second bent portions 31.
  • the side close to the second connecting portion 28 is disposed in the light shielding region G, and the side farther from the second connecting portion 28 (the tip side of the triangle) protrudes outside the light shielding region G. .
  • the designer may optimize the shape, size, etc. of the capacity adding portion while considering the balance between the two.
  • the apex of the triangle that is the outer shape of the capacity addition portion does not necessarily have to be sharp, and the corner may be dropped or rounded.
  • FIG. 8 is a plan view showing two adjacent pixels of the liquid crystal display device of the present embodiment.
  • the same components as those in FIG. 8 are identical to those in FIG. 8.
  • the source bus line 60 extends linearly, and the shape of the pixel 61 surrounded by the source bus line 60 and the gate bus line 14 is rectangular.
  • the trunk portion 64 of the linear electrode 63 that constitutes a part of the pixel electrode 62 is disposed in parallel with the source bus line 60. Therefore, in the present embodiment, in all the pixels 61, the main line portion 64 of the linear electrode 63 is along the longitudinal direction of the pixel 61 and does not have an alignment division structure.
  • a substantially triangular capacity addition portion 67 is provided in a region along the arrangement direction of the plurality of first bent portions 65.
  • the capacitance adding portion 67 is disposed in the light shielding region G.
  • the opposite sides of the capacitance adding portion 67 and the linear electrode 63 are substantially parallel, and the interval S ′ between the capacitance adding portion 67 and the linear electrode 63 is the interval between two adjacent linear electrodes 63. It is approximately equal to S.
  • a substantially triangular capacity addition portion 68 is provided in a region along the arrangement direction of the plurality of second bent portions 66.
  • the capacitance adding unit 68 is disposed in the light shielding region G.
  • the opposite sides of the capacitance adding portion 68 and the linear electrode 63 are substantially parallel to each other, and the interval S ′ between the capacitance adding portion 68 and the linear electrode 63 is the interval between two adjacent linear electrodes 63. It is approximately equal to S.
  • a liquid crystal display device with high display quality can be realized by suppressing flicker and the like by increasing the pixel capacity while suppressing the occurrence of problems such as a decrease in light transmittance and color mixing.
  • the same effect as the form can be obtained.
  • the present invention can be used for an FFS liquid crystal display device.
  • SYMBOLS 1 Liquid crystal display device, 6 ... TFT array board

Abstract

 この液晶表示装置は、TFTアレイ基板(第1基板)と、対向基板(第2基板)と、液晶層と、TFTアレイ基板に設けられた共通電極(第1電極)と絶縁膜と画素電極21(第2電極)と、を備えている。画素電極21は、複数の線状電極26と第1連結部27とを有している。線状電極26は、幹線部29と第1屈曲部30とを有している。容量付加部32は、複数の第1屈曲部30の配列方向に沿う領域に第1連結部27と一体に設けられている。

Description

液晶表示装置
 本発明は、液晶表示装置に関する。
 本願は、2012年10月3日に、日本に出願された特願2012-221529号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
 液晶表示装置において、液晶層に電界を印加する方式として横電界方式が従来から知られている。横電界方式の液晶表示装置では、液晶層を挟持する一対の基板のうち、一方の基板上に共通電極と画素電極とを設け、液晶層に対して概ね横方向(概ね基板に平行な方向)の電界を印加する。この場合、液晶分子のダイレクタが基板に対して垂直方向に立ち上がらないため、視野角が広くなるという利点が得られる。横電界方式の液晶表示装置には、電極構成の違いによって、IPS(In-Plane Switching)方式の液晶表示装置と、FFS(Fringe Field Switching)方式の液晶表示装置と、がある。
 FFS方式の液晶表示装置は、画素内の略全領域に形成された下層電極と、下層電極上に絶縁膜を挟んで配置した複数の線状電極を有する上層電極と、を備えたものが一般的である(例えば下記の特許文献1)。FFS方式の液晶表示装置には、下層電極を共通電極とし、上層電極を画素電極とするタイプと、下層電極を画素電極とし、上層電極を共通電極とするタイプと、がある。いずれにしても、画素電極と共通電極とが絶縁膜を挟んで平面的に重なる形態となり、この重なり部分で画素容量が形成されている。
 近年、液晶表示装置の高精細化が進んでおり、画素のサイズが微細化する傾向にある。
上述したように、FFS方式の液晶表示装置の場合、画素電極と共通電極との重なり部分で画素容量を形成しているため、画素の微細化に伴って画素容量が小さくなる。画素容量が小さくなると、フリッカやクロストークが発生し易くなり、表示品位が低下する原因となる。
特開2010-101946号公報
 フリッカやクロストーク等を抑制する手段として、液晶表示装置を構成する薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor, 以下、TFTと略記する)の裏面に遮光膜を追加する方法、画素容量を増加する方法などが挙げられる。このうち、TFTの裏面に遮光膜を追加する方法は、工数の増加やバスラインへの負荷が大きくなる、という問題がある。画素容量を大きくする方法の一つとして、画素電極と共通電極との間の絶縁膜を薄膜化することが考えられる。しかしながら、絶縁膜を薄くすると、例えばリーク電流が増大するなどの不具合が生じる。そのため、絶縁膜の薄膜化には限界がある。以上のことから、画素容量の増大には、画素電極と共通電極との重なり部分の面積を大きくすることが有効である。
 上記特許文献1の液晶表示装置は、バックライトからの光を集光するためのレンズ部材を備えている。この液晶表示装置の場合、レンズ部材の非集光領域、すなわち、表示に実質的に寄与しない領域の電極の面積を大きくすることで画素容量を増加させている。ところが、表示に実質的に寄与しない領域の電極面積を大きくすることは開口率の低下につながる。そのため、レンズ部材を持たない一般の液晶表示装置では、明るい表示が得られない。また、線状電極の幅を全体的に広くすると、透過率等の表示特性に影響が生じる可能性がある。さらに、線状電極の幅が広くなり、隣り合う画素の画素電極間の距離が許容範囲を超えて近くなると、隣り合う画素で混色が発生するおそれがある。
 本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、光透過率の低下、混色等の問題の発生を抑えつつ、画素容量を大きくすることでフリッカ等を抑制し、表示品位を高めることのできる液晶表示装置の提供を目的とする。
 上記の目的を達成するために、本発明の一態様の液晶表示装置は、第1基板と、第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に挟持された液晶層と、前記第1基板の前記液晶層側に設けられた第1電極と、前記第1電極を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第2電極と、を備え、前記第2電極が、所定の間隔をおいて配置された複数の線状電極と、前記複数の線状電極の第1端部同士を連結する第1連結部と、を有し、前記複数の線状電極の各々が、幹線部と、前記幹線部と前記第1連結部との間に設けられ、前記幹線部の延在方向と異なる方向に屈曲した第1屈曲部と、を有し、前記第2電極には、複数の前記第1屈曲部の配列方向に沿う領域に、容量付加部が前記第1連結部と一体に設けられていることを特徴とする。
 本発明の一態様の液晶表示装置は、前記第2電極が、前記複数の線状電極と、前記第1連結部と、前記複数の線状電極の前記第1端部と反対側の第2端部同士を連結する第2連結部と、を有し、前記複数の線状電極の各々が、前記幹線部と、前記第1屈曲部と、前記幹線部と前記第2連結部との間に設けられ、前記幹線部の延在方向と異なる方向に屈曲した第2屈曲部と、を有し、前記容量付加部が、複数の前記第1屈曲部の配列方向に沿う領域に加え、複数の前記第2屈曲部の配列方向に沿う領域に設けられていることを特徴とする。
 本発明の一態様の液晶表示装置は、前記容量付加部と、前記容量付加部に隣り合う前記線状電極と、において、互いに対向する辺同士が略平行であり、前記容量付加部と前記線状電極との間の間隔が、隣り合う2つの前記線状電極間の間隔と略等しいことを特徴とする。
 本発明の一態様の液晶表示装置は、前記容量付加部の長さが、前記第1屈曲部の長さもしくは前記第2屈曲部の長さと等しいことを特徴とする。
 本発明の一態様の液晶表示装置は、前記容量付加部が遮光領域内に配置されていることを特徴とする。
 本発明の一態様の液晶表示装置は、互いに隣り合う第1画素と第2画素とにおいて、前記第1画素の前記線状電極の延在方向と前記第2画素の前記線状電極の延在方向とが、前記第1画素および前記第2画素の長手方向に対して逆方向に傾いていることを特徴とする。
 本発明の一態様によれば、光透過率の低下、混色等の問題の発生を抑えつつ、画素容量を大きくすることでフリッカ等を抑制し、表示品位の高い液晶表示装置を実現することができる。
第1実施形態の液晶表示装置の概略構成を示す分解斜視図である。 本実施形態の液晶表示装置の2つの画素を示す平面図である。 図2のA-A’線に沿う断面図である。 図2のB-B’線に沿う断面図である。 比較例の液晶表示装置の2つの画素を示す平面図である。 第1変形例の液晶表示装置の2つの画素を示す平面図である。 第2変形例の液晶表示装置の2つの画素を示す平面図である。 第2実施形態の液晶表示装置の2つの画素を示す平面図である。
[第1実施形態]
 以下、本発明の第1実施形態について、図1~図5を用いて説明する。
 本実施形態の液晶表示装置は、液晶層を挟持する一対の基板のうち、一方の基板上に第1電極および第2電極を備え、第1電極-第2電極間に印加する電界により液晶を駆動する横電界方式、特にFSS方式の液晶表示装置である。
 図1は、本実施形態の液晶表示装置の概略構成を示す分解斜視図である。図2は、本実施形態の液晶表示装置の隣り合う2つの画素を示す平面図である。図3は、図2のA-A’線に沿う断面図である。図4は、図2のB-B’線に沿う断面図である。
 以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
 本実施形態の液晶表示装置1は、図1に示すように、観察者から見て奥側から、バックライト2と、偏光板3と、液晶セル4と、偏光板5と、を備えている。このように、本実施形態の液晶表示装置1は、透過型の液晶表示装置である。液晶表示装置1は、バックライト2から射出される光の透過率を液晶セル4により制御して表示を行う。
 液晶セル4は、対向配置されたTFTアレイ基板6と対向基板7とを有している。液晶層8は、TFTアレイ基板6と対向基板7との間に挟持されている。液晶層8にはポジ型の液晶材料を用いるのが一般的であるが、ネガ型の液晶材料を用いても良い。TFTアレイ基板6は、基板9上にマトリクス状に配列された複数の画素10を有し、これらの画素10により表示領域(画面)が構成されている。対向基板7には、基板本体11上にカラーフィルター12が備えられている。
 本実施形態のTFTアレイ基板6は、特許請求の範囲の第1基板に相当する。本実施形態の対向基板7は、特許請求の範囲の第2基板に相当する。
 図1では図示は省略するが、表示領域は、互いに平行に配置された複数のソースバスライン(信号線)と、互いに平行に配置された複数のゲートバスライン(走査線)と、を有している。複数のソースバスラインと複数のゲートバスラインとは交差して配置されている。表示領域は、複数のソースバスラインと複数のゲートバスラインとによって格子状に区画されており、区画された略矩形状の領域が画素10となる。
 画素10においては、図2に示すように、ソースバスライン13とゲートバスライン14とが交差する交差部の近傍にTFT15が備えられている。本実施形態のTFT15は、ゲートバスライン14との一部からなるゲート電極16と、ゲートバスラインと交差して配置された半導体層17と、ドレイン電極18と、を備えている。半導体層17は、例えば非結晶シリコン、多結晶シリコン、酸化物半導体などで構成されている。半導体層17の形成材料としては、非結晶シリコン、多結晶シリコンの他、酸化物半導体として、例えばIGZOと呼ばれるインジウム(In)、ガリウム(Ga)、および亜鉛(Zn)で構成された酸化物半導体(InGaZnO)を用いることができる。また、IGZOの他にも、例えばIZOと呼ばれるインジウム(In)および亜鉛(Zn)から構成されたIn-Zn-O系酸化物半導体、ZTOと呼ばれる亜鉛(Zn)およびチタン(Ti)から構成されたZn-Ti-O系酸化物半導体などを用いることができる。半導体層17の一方の端部は、ソースコンタクトホール19を介してソースバスライン13に電気的に接続されている。半導体層17の他方の端部は、ドレインコンタクトホール20を介してドレイン電極18に電気的に接続されている。画素電極21は、画素コンタクトホール22を介してドレイン電極18に電気的に接続されている。図2において、符号23はスルーホールであり、符号24は共通電極の抜きパターンである。これらについては後で説明する。
 図2に示すように、画素電極21は、複数本(本実施形態では2本)の線状電極26と、第1連結部27と、第2連結部28と、を有している。複数の線状電極26は、所定の間隔をおいて配置されている。本実施形態の場合、線状電極26の幅L、隣り合う線状電極26の間隔Sは、ともに2~5μm程度である。第1連結部27は、複数本の線状電極26のTFT15に近い側の第1端部同士を連結する略矩形の部分である。第2連結部28は、複数本の線状電極26のTFT15から遠い側の第2端部同士を連結する略矩形の部分である。本実施形態では、画素電極21は2本の線状電極26を有しているが、線状電極26の数は2本に限ることなく、適宜設定が可能である。
 線状電極26は、幹線部29と、第1屈曲部30と、第2屈曲部31と、を有している。幹線部29と第1屈曲部30と第2屈曲部31とは、便宜上分けて記載するが、一体の電極である。本実施形態の場合、幹線部29の延在方向は画素の長手方向に対して傾いている。具体的には、幹線部29の第1端部(図2の下端部)が画素10の長手方向に対して左側にずれ、幹線部29の第2端部(図2の上端部)が画素10の長手方向に対して右側にずれている。
 なお、画素10の長手方向は、ゲートバスライン14の延在方向に対して垂直な方向と定義する。
 これに対して、図示を省略したが、ソースバスライン13の延在方向で図2に示す画素10に隣り合う画素(上下の画素)の幹線部は、この画素の幹線部とは逆向きに傾いている。すなわち、図2の画素10に隣り合う画素(上下の画素)の幹線部は、幹線部の第1端部(図2の下端部)が画素の長手方向に対して右側にずれ、幹線部の第2端部(図2の上端部)が画素の長手方向に対して左側にずれている。
 ソースバスライン13のうち、TFT15の近傍の部分は、ゲートバスライン14に略直交するように配置されている。線状電極26に沿う部分は、そのソースバスライン13に隣り合う線状電極26に対して略平行に配置されている。したがって、ソースバスライン13を延在方向に見ると、ソースバスライン13はジグザグ状に屈曲している。
 本実施形態の場合、上記のように、ソースバスライン13に沿って隣り合う2つの画素10で線状電極26が互いに逆向きに傾いて形成されている。この電極構成により、これら2つの画素10において、電圧印加時の液晶分子のダイレクタの向きは、隣接する上下画素において左右対称になる。1つの画素内で液晶分子の配向方向が異なる2つのドメインを形成する構造、いわゆるデュアルドメイン構造は既に知られている。本実施形態の場合、1つの画素ではなく、ソースバスライン13に沿って隣り合う2つの画素10を1つの単位としてデュアルドメイン構造を採った形となる。これにより、液晶表示装置1の広視野角化を図ることができる。
 第1屈曲部30は、幹線部29と第1連結部27との間の部分であり、幹線部29の延在方向から傾いた方向に屈曲している。同様に、第2屈曲部31は、幹線部29と第2連結部28との間の部分であり、幹線部29の延在方向から傾いた方向に屈曲している。第1屈曲部30および第2屈曲部31は、ブラックマトリクスに覆われた遮光領域G内にほぼ配置されている。遮光領域G(ブラックマトリクス)の縁を破線で示す。さらに、図面が見にくくなるため、図示を省略するが、ソースバスライン13と重なる領域にブラックマトリクスが設けられ、遮光領域となっている。
 このように、第1屈曲部30および第2屈曲部31が設けられたことにより、線状電極26と第1連結部27との連結部分、および線状電極26と第2連結部28との連結部分は、鋭角の三角形状の形状を呈する。この形状は、液晶表示装置1に外部から押圧力が加わったときに、液晶の配向異常の発生を抑制する機能を発揮する。
 すなわち、線状電極と連結部との連結部分では、液晶分子の捩れ方向が互いに逆向きの領域が交互に発生する場合がある。このとき、液晶分子が逆向きの捩れ方向を呈する領域の中間では、液晶分子がいずれにも捩れていない領域が生じる。この部分は、暗線となって透過率低下の原因となる。液晶表示装置に外部から押圧力が加わったとき、押圧力に応じて暗線は遮光領域を越えて移動する。そのため、使用者には暗線の移動が表示ムラとなって視認される。これに対して、本実施形態のように、線状電極26と第1連結部27、第2連結部28との連結部分が鋭角三角形状であると、液晶分子の捩れ状態が固定され、暗線は生じるものの、液晶表示装置1に外部から押圧力が加わったときにも暗線は移動しない。これにより、使用者に表示ムラが視認されにくくなる。
 容量付加部32は、複数の第1屈曲部30の配列方向に沿う領域において第1連結部27と一体に設けられている。本実施形態の場合、容量付加部32の平面形状は略直角三角形状である。容量付加部32とこの容量付加部32に隣り合う線状電極26とに着目すると、容量付加部32と線状電極26との互いに対向する辺同士、すなわち、容量付加部32の輪郭である三角形の斜辺と第1屈曲部30の斜辺とが略平行である。また、容量付加部32と線状電極26との間の間隔S’は、隣り合う2本の線状電極26間の間隔と略等しい。また、容量付加部32の先端(三角形の頂点)は、第1屈曲部30の上端の位置と略一致している。したがって、第1屈曲部30と同様、容量付加部32も遮光領域G内に配置される。
 容量付加部33は、複数の第2屈曲部31の配列方向に沿う領域において第2連結部28と一体に設けられている。第2連結部28の側の容量付加部33の特徴は、第1連結部27の側の容量付加部32の特徴と同一である。すなわち、容量付加部33の平面形状は略直角三角形状である。容量付加部33とこの容量付加部33に隣り合う線状電極26とにおいて、容量付加部33と線状電極26との互いに対向する辺同士は略平行である。容量付加部33と線状電極26との間の間隔S’は、隣り合う2本の線状電極26間の間隔Sと略等しい。容量付加部33の先端(三角形の頂点)は第2屈曲部31の下端の位置と略一致し、容量付加部33は遮光領域G内に配置されている。
 一方、共通電極は、抜きパターン24の内部を除いて、基板全面に形成されている。したがって、図2には共通電極の外形は示されない。共通電極には、液晶セル4の周縁部の左右両側から共通電位が供給される構成となっている。
 次に、液晶表示装置1の断面構造について説明する。
 ここでは特に、図3を用いて本実施形態の特徴である画素電極21の構成を説明し、図4を用いてTFT15の構成を説明する。
 液晶表示装置1は、図3、図4に示すように、TFTアレイ基板6と、対向基板7と、TFTアレイ基板6と対向基板7とに挟持された液晶層8と、を備えている。液晶表示装置1には、TFTアレイ基板6と対向基板7との対向面の周縁に沿ってシール材(図示略)が設けられており、シール材とTFTアレイ基板6と対向基板7によって囲まれた空間内に液晶層8が封入されている。
 TFTアレイ基板6は、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料からなる基板本体35を有している。基板本体35の一面には、下地絶縁膜36(ベースコート)が形成されている。TFT15の部分においては、図4に示すように、パターニングされた半導体層17が、下地絶縁膜36上に形成されている。ゲート絶縁膜37が、半導体層17を覆って下地絶縁膜36上の全面に形成されている。ゲート電極16が、ゲート絶縁膜37の上面の一部に形成されている。上述したように、ゲート電極16はゲートバスライン14で構成されている。第1層間絶縁膜38が、ゲート電極16を覆ってゲート絶縁膜37上の全面に形成されている。
 ドレイン電極18は、第1層間絶縁膜38の上面に形成されている。ドレイン電極18は、第1層間絶縁膜38およびゲート絶縁膜37を貫通するドレインコンタクトホール20を介して半導体層17に接続されている。有機絶縁膜39が、ドレイン電極18を覆って第1層間絶縁膜38上の全面に形成されている。有機絶縁膜39には、有機絶縁膜39を貫通してドレイン電極18に達するスルーホール23が形成されている。スルーホール23は、画素電極21とドレイン電極18とのコンタクトを形成するために有機絶縁膜39を抜いた部分である。
 共通電極40は、有機絶縁膜39の上面に形成されている。第2層間絶縁膜41が、共通電極40を覆って有機絶縁膜39上に形成されている。画素電極21は、第2層間絶縁膜41の上面に形成されている。画素電極21は、スルーホール23の内部において第2層間絶縁膜41を貫通する画素コンタクトホール22を介してドレイン電極18に接続されている。このように、共通電極40と画素電極21のうち、上層側に位置する画素電極21がドレイン電極18に接続されているため、共通電極40には、画素電極21との接触を避けるための抜きパターン24が設けられている。配向膜42は、第2層間絶縁膜41上の画素電極21を覆うように設けられている。配向膜42には、液晶層8を構成する液晶分子を配向規制するための配向処理が施されている。
 一方、対向基板7は、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料で構成された基板本体11と、基板本体11の一面に順に積層されたブラックマトリクス44、カラーフィルター45、配向膜46を備えている。ブラックマトリクス44は、クロム等の金属や黒色樹脂等の遮光性の高い材料で形成されている。カラーフィルター45は、画素10に対応して赤(R)、緑(G)、青(B)等の異なる色の色材を含有している。配向膜46は、その配向方向が配向膜42の配向方向と同じ方向に規制されている。
 図3においては、ソースバスライン13が、第1層間絶縁膜38上に形成されている。
ソースバスライン13は、ドレイン電極18と同じ層であり、同じ導電性材料で構成されている。共通電極40は、有機絶縁膜39の上面に形成されている。共通電極40の上方には、第2層間絶縁膜41を介して画素電極21が形成されている。図3は、線状電極26の第2屈曲部31および容量付加部33を通る切断線で切断した断面図であるから、図3には、第2層間絶縁膜41の上面に2つの線状電極26(第2屈曲部31)および容量付加部33の断面が現れている。このように、共通電極40と画素電極21とが第2層間絶縁膜41を介して対向していることにより、画素容量Cが形成されている。
 本実施形態の共通電極40は、特許請求の範囲の第1電極に相当する。本実施形態の画素電極21は、特許請求の範囲の第2電極に相当する。本実施形態の第2層間絶縁膜41は、特許請求の範囲の絶縁膜に相当する。
 従来、この種の画素電極の設計を行う場合、図5に示すように、線状電極126の連結部である第1連結部127、第2連結部128は、ともに単なる矩形に設計することが容易に考えられる。この形状を基本として、設計者は、表示特性を左右する種々のパラメータに合わせて、例えば幹線部129と屈曲部130,131とを有する線状電極126のうち、幹線部129の幅L2と幹線部129間の間隔S2との比L2/S2等の条件を最適化する設計を行う。
 ここで、例えばフリッカ等の問題の対策として、画素容量を増やす必要に迫られる場合がある。上述したように、画素電極と共通電極との間の層間絶縁膜を薄膜化するのは困難であるため、画素電極と共通電極との重なり部分の面積、すなわち、画素電極121の面積を増やすことになる。その場合、例えば(1)幹線部129の幅L2を広くする、(2)第1連結部127もしくは第2連結部128の形状を矩形としたまま、画素の長手方向(図5の上下方向)の寸法Yを大きくする、等の手法が考えられる。
 ところが、上記2つの手法には、それぞれ大きな欠点がある。
 (1)の場合、幹線部129の幅L2と幹線部129間の間隔S2との比L2/S2が最適値から外れるため、光透過率等の特性が低下するおそれがある。また、隣り合う画素間での線状電極126間の距離が許容範囲を超えて近くなると、混色のおそれが生じる。
(2)の場合、表示に実質的に寄与する線状電極126以外の部分を増やすことになるため、開口率が低下し、光透過率が低下する。さらに、(1)、(2)の場合ともに、一旦最適化した設計を大きく見直す必要が生じ、設計の作業効率が悪い。
 これに対して、本実施形態の場合、図2に示すように、画素電極21の第1連結部27、ゲートバスライン14に沿う方向に伸長した第2連結部28の各々から外側に張り出すように容量付加部32,33が追加されている。これにより、容量付加部を付加しない場合に比べて、図3に示すように、共通電極40-第2層間絶縁膜41-容量付加部33(32)の積層体によって形成される分の画素容量C’が増大する。その結果、線状電極26の幅Lと線状電極26間の間隔Sとの比L/S、第1連結部27、第2連結部28の矩形部分の寸法等を変更する必要がない。そのため、光透過率の低下、混色等の上記の問題を回避することができる。
 また、三角形状の容量付加部32,33を追加したことで、容量付加部32,33と線状電極26との間隙の形状および寸法を、2本の線状電極26間の間隙の形状および寸法と略一致させている。すなわち、容量付加部32,33と線状電極26の互いに対向する辺同士が略平行であり、容量付加部32,33と線状電極26との間の間隔S’は隣り合う2本の線状電極26間の間隔Sと略等しい。これにより、液晶表示装置1に外部から押圧力が加わったとき、使用者に表示ムラが視認されにくいという効果も得られる。さらに、容量付加部32,33が遮光領域G内に配置されているため、表示ムラはより視認されにくい。
 本発明者らは、本実施形態の画素電極21のパターン(図2)と、比較例の画素電極121のパターン(図5)とでサンプルの実測を行い、各種特性の比較を行った。その結果を下記の[表1]に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 
[表1]において、「◎」、「○」は実施例と比較例との相対的な比較結果を示している。
 [表1]に示すように、本実施形態の場合、画素電極21と共通電極40との重なり部分の面積が増え、画素容量が比較例に対して増加した。これに伴い、フリッカ率が比較例に対して減少した。本発明者らが、各部の寸法、膜厚等について特定の条件を設定し、実測した結果によれば、画素容量が10~15%程度増加し、フリッカ率は相対的に10%程度減少することを確認した。
 なお、フリッカ率とは、ちらつきの度合いを示す指標である。
 本実施形態の場合、液晶表示装置1に押圧力を加えたときに発生する表示ムラは略発生せず、比較例と同等の良好な結果が得られた。混色の発生状況については、容量付加部32,33を追加したことで、隣接する画素10での一部の画素電極間の距離が短くなった結果、厳密に見ると、比較例に対して僅かに悪化している。しかしながら、使用には全く問題ないレベルである。光透過率は比較例と同等であり、十分に明るい表示が得られた。
[画素電極の第1変形例]
 上記実施形態では、三角形状の容量付加部32,33を設けたが、容量付加部の形状は必ずしも三角形状である必要はない。
 図6は、第1変形例の液晶表示装置の隣接する2つの画素を示す平面図である。
 図6において、図2と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
 本変形例の画素電極50の場合、複数の第1屈曲部30の配列方向に沿う領域に、矩形状の容量付加部51が設けられている。同様に、複数の第2屈曲部31の配列方向に沿う領域に、矩形状の容量付加部52が設けられている。容量付加部51,52は、第1屈曲部30および第2屈曲部31とともに、遮光領域G内に配置されている。
 本変形例の電極形状では、上記実施形態の電極形状と異なり、容量付加部51,52とこれに隣り合う線状電極26との間隙の形状および寸法が、隣り合う2本の線状電極26との間隙の形状および寸法と一致していない。これにより、容量付加部51,52の近傍で若干の液晶の配向乱れが発生するおそれがある。しかしながら、容量付加部51,52が遮光領域G内に配置されているため、若干の液晶の配向乱れが発生したとしても、表示品位を大きく損ねることはない。
[画素電極の第2変形例]
 上記実施形態では、容量付加部32,33の全体が遮光領域G内に配置されていたが、容量付加部は必ずしも全体が遮光領域内に配置されていなくてもよい。
 図7は、第2変形例の液晶表示装置の隣接する2つの画素を示す平面図である。
 図7において、図2と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
 本変形例の画素電極55の場合、複数の第1屈曲部30の配列方向に沿う領域に、略三角形状の容量付加部56が設けられている。容量付加部56のうち、第1連結部27に近い側は遮光領域G内に配置されており、第1連結部27から遠い側(三角形の先端側)は遮光領域Gの外側にはみ出している。同様に、複数の第2屈曲部31の配列方向に沿う領域に、略三角形状の容量付加部57が設けられている。容量付加部57のうち、第2連結部28に近い側は遮光領域G内に配置されており、第2連結部28から遠い側(三角形の先端側)は遮光領域Gの外側にはみ出している。
 本変形例の場合、容量付加部56,57の一部が遮光領域Gからはみ出しているため、容量付加部56,57の追加に伴う液晶の配向乱れ、もしくは混色等の影響が表示に若干影響するおそれがある。その反面、遮光領域Gに制限されることなく、容量付加部56,57の面積を大きく取れるため、画素容量を大きく増加させたいときに好適である。
 このように、容量付加部の追加による画素容量の増大効果と光透過率の低下、混色等の問題とはトレードオフの関係にある。したがって、設計者は、両者のバランスを考慮しつつ、容量付加部の形状、寸法等を最適化すればよい。また、容量付加部の外形である三角形の頂点は必ずしも尖っている必要はなく、角を落としてもよいし、丸みを付けてもよい。
[第2実施形態]
 以下、本発明の第2実施形態について、図8を用いて説明する。
 図8は、本実施形態の液晶表示装置の隣り合う2つの画素を示す平面図である。
 図8において、図2と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明は省略する。
 第1実施形態では、隣り合う2つの画素を1つの単位としたデュアルドメイン構造の液晶表示装置に本発明を適用した例を示した。本実施形態では、デュアルドメイン構造を持たない液晶表示装置に本発明を適用した例を示す。
 本実施形態においては、図8に示すように、ソースバスライン60が直線状に延在し、ソースバスライン60とゲートバスライン14とにより囲まれた画素61の形状は長方形状となる。画素電極62の一部を構成する線状電極63の幹線部64は、ソースバスライン60と平行に配置されている。したがって、本実施形態の場合、全ての画素61において、線状電極63の幹線部64は画素61の長手方向に沿っており、配向分割構造は採っていない。
 複数の第1屈曲部65の配列方向に沿う領域に、略三角形状の容量付加部67が設けられている。容量付加部67は遮光領域G内に配置されている。容量付加部67と線状電極63の互いに対向する辺同士が略平行であり、容量付加部67と線状電極63との間の間隔S’は隣り合う2本の線状電極63間の間隔Sと略等しい。同様に、複数の第2屈曲部66の配列方向に沿う領域に、略三角形状の容量付加部68が設けられている。容量付加部68は遮光領域G内に配置されている。容量付加部68と線状電極63の互いに対向する辺同士が略平行であり、容量付加部68と線状電極63との間の間隔S’は隣り合う2本の線状電極63間の間隔Sと略等しい。
 本実施形態においても、光透過率の低下、混色等の問題の発生を抑えつつ、画素容量を大きくすることでフリッカ等を抑制し、表示品位の高い液晶表示装置を実現できる、という第1実施形態と同様の効果が得られる。
 なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
 例えば上記実施形態では、第1連結部側、第2連結部側の双方に容量付加部を追加した例を示したが、一方の容量付加部のみで画素容量の増加分を確保できる場合は、第1連結部側、第2連結部側のいずれか一方のみに容量付加部を追加してもよい。
 その他、ソースバスライン、ゲートバスラインを含む各種配線、TFT等の具体的な構成については、上記実施形態に限ることなく、適宜変更が可能である。
 本発明は、FFS方式の液晶表示装置に利用が可能である。
 1…液晶表示装置、6…TFTアレイ基板(第1基板)、7…対向基板(第2基板)、10,61…画素、21,50,55,62…画素電極(第2電極)、26,63…線状電極、27…第1連結部、28…第2連結部、29,64…幹線部、30,65…第1屈曲部、31,66…第2屈曲部、32,33,51,52,56,57,67,68…容量付加部、40…共通電極(第1電極)41…第2層間絶縁膜(絶縁膜)。

Claims (6)

  1.  第1基板と、
     第2基板と、
     前記第1基板と前記第2基板との間に挟持された液晶層と、
     前記第1基板の前記液晶層側に設けられた第1電極と、
     前記第1電極を覆う絶縁膜と、
     前記絶縁膜上に設けられた第2電極と、を備え、
     前記第2電極が、所定の間隔をおいて配置された複数の線状電極と、前記複数の線状電極の第1端部同士を連結する第1連結部と、を有し、
     前記複数の線状電極の各々が、幹線部と、前記幹線部と前記第1連結部との間に設けられ、前記幹線部の延在方向と異なる方向に屈曲した第1屈曲部と、を有し、
     前記第2電極には、複数の前記第1屈曲部の配列方向に沿う領域に、容量付加部が前記第1連結部と一体に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
  2.  前記第2電極が、前記複数の線状電極と、前記第1連結部と、前記複数の線状電極の前記第1端部と反対側の第2端部同士を連結する第2連結部と、を有し、
     前記複数の線状電極の各々が、前記幹線部と、前記第1屈曲部と、前記幹線部と前記第2連結部との間に設けられ、前記幹線部の延在方向と異なる方向に屈曲した第2屈曲部と、を有し、
     前記容量付加部が、複数の前記第1屈曲部の配列方向に沿う領域に加え、複数の前記第2屈曲部の配列方向に沿う領域に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  3.  前記容量付加部と、前記容量付加部に隣り合う前記線状電極と、において、互いに対向する辺同士が略平行であり、
     前記容量付加部と前記線状電極との間の間隔が、隣り合う2つの前記線状電極間の間隔と略等しいことを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置。
  4.  前記容量付加部の長さが、前記第1屈曲部の長さもしくは前記第2屈曲部の長さと等しいことを特徴とする請求項1から3までのいずれか一項に記載の液晶表示装置。
  5.  前記容量付加部が遮光領域内に配置されていることを特徴とする請求項1から4までのいずれか一項に記載の液晶表示装置。
  6.  互いに隣り合う第1画素と第2画素とにおいて、前記第1画素の前記線状電極の延在方向と前記第2画素の前記線状電極の延在方向とが、前記第1画素および前記第2画素の長手方向に対して逆方向に傾いていることを特徴とする請求項1から5までのいずれか一項に記載の液晶表示装置。
PCT/JP2013/076088 2012-10-03 2013-09-26 液晶表示装置 WO2014054500A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/428,694 US9632380B2 (en) 2012-10-03 2013-09-26 Liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-221529 2012-10-03
JP2012221529 2012-10-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014054500A1 true WO2014054500A1 (ja) 2014-04-10

Family

ID=50434828

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/076088 WO2014054500A1 (ja) 2012-10-03 2013-09-26 液晶表示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9632380B2 (ja)
WO (1) WO2014054500A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104503161A (zh) * 2014-12-24 2015-04-08 厦门天马微电子有限公司 像素电极、阵列基板、显示面板
KR101778364B1 (ko) * 2015-01-21 2017-09-13 이노럭스 코포레이션 디스플레이 디바이스
CN110112145A (zh) * 2015-01-21 2019-08-09 群创光电股份有限公司 显示装置
CN110361899A (zh) * 2019-06-27 2019-10-22 厦门天马微电子有限公司 一种显示装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103913908A (zh) * 2013-12-25 2014-07-09 厦门天马微电子有限公司 电极结构、显示面板和显示装置
CN104765205B (zh) * 2014-12-30 2018-07-20 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN105425481B (zh) * 2015-12-31 2019-06-11 厦门天马微电子有限公司 一种用于液晶显示面板的像素电极、阵列基板及显示面板
JP2019020653A (ja) * 2017-07-20 2019-02-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11352512A (ja) * 1998-06-05 1999-12-24 Nec Corp 広視野角液晶表示装置
US20080068549A1 (en) * 2006-09-19 2008-03-20 Hannstar Display Corp. Liquid crystal display devices
US20100207853A1 (en) * 2009-02-13 2010-08-19 Apple Inc. Electrodes for use in displays
JP2010271487A (ja) * 2009-05-20 2010-12-02 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JP2012113305A (ja) * 2010-11-24 2012-06-14 Samsung Mobile Display Co Ltd 表示基板、表示パネル、及び表示装置
US20120169983A1 (en) * 2010-12-31 2012-07-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and exposure mask for manufacturing liquid crystal display
JP2012141579A (ja) * 2011-01-03 2012-07-26 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6459464B1 (en) * 2000-08-14 2002-10-01 Kabushiki Kaisha Advanced Display Liquid crystal display device with reduced weighting trace defects
JP5339277B2 (ja) 2008-10-21 2013-11-13 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
JP4911793B2 (ja) * 2009-11-09 2012-04-04 東芝モバイルディスプレイ株式会社 液晶表示装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11352512A (ja) * 1998-06-05 1999-12-24 Nec Corp 広視野角液晶表示装置
US20080068549A1 (en) * 2006-09-19 2008-03-20 Hannstar Display Corp. Liquid crystal display devices
US20100207853A1 (en) * 2009-02-13 2010-08-19 Apple Inc. Electrodes for use in displays
JP2010271487A (ja) * 2009-05-20 2010-12-02 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JP2012113305A (ja) * 2010-11-24 2012-06-14 Samsung Mobile Display Co Ltd 表示基板、表示パネル、及び表示装置
US20120169983A1 (en) * 2010-12-31 2012-07-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and exposure mask for manufacturing liquid crystal display
JP2012141579A (ja) * 2011-01-03 2012-07-26 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104503161A (zh) * 2014-12-24 2015-04-08 厦门天马微电子有限公司 像素电极、阵列基板、显示面板
US9804460B2 (en) 2014-12-24 2017-10-31 Xiamen Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. Pixel electrode, array substrate and display panel
CN104503161B (zh) * 2014-12-24 2017-11-10 厦门天马微电子有限公司 像素电极、阵列基板、显示面板
DE102015117543B4 (de) 2014-12-24 2021-12-02 Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. Bildschirmpanel
KR101778364B1 (ko) * 2015-01-21 2017-09-13 이노럭스 코포레이션 디스플레이 디바이스
CN110112145A (zh) * 2015-01-21 2019-08-09 群创光电股份有限公司 显示装置
CN110112145B (zh) * 2015-01-21 2023-08-29 群创光电股份有限公司 显示装置
CN110361899A (zh) * 2019-06-27 2019-10-22 厦门天马微电子有限公司 一种显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20150219973A1 (en) 2015-08-06
US9632380B2 (en) 2017-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2014054500A1 (ja) 液晶表示装置
US9151994B2 (en) Display panel
US10613400B2 (en) Display panel
US9329440B2 (en) Pixel structure
JP5127485B2 (ja) 液晶表示装置
US8599349B2 (en) Display panel
JP2009186869A (ja) 液晶表示装置
US10120245B2 (en) Liquid crystal display device
US20130321752A1 (en) Liquid crystal display device
TWI518422B (zh) 顯示面板
US20180120653A1 (en) Liquid crystal display device
JP2012242602A (ja) 液晶表示装置
US8610856B2 (en) Liquid crystal display device
US10281776B2 (en) Liquid crystal display device
US9304365B2 (en) Lateral electric field type liquid crystal display device
US8619226B2 (en) Pixel structure of fringe field switching mode LCD
WO2012165617A1 (ja) 液晶表示装置
US9791742B2 (en) Liquid crystal display device
JP5143583B2 (ja) 液晶表示パネル
US9651833B2 (en) Liquid crystal display device
JP2015052730A (ja) 液晶表示装置
US9389461B2 (en) Liquid crystal display apparatus
JP5677923B2 (ja) 液晶表示装置
JP5197873B2 (ja) 液晶表示装置
JP2015227981A (ja) 表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13843107

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14428694

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13843107

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP