WO2014038125A1

WO2014038125A1 - 配線基板およびその製造方法

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Publication number: WO2014038125A1
Application number: PCT/JP2013/004588
Authority: WO
Inventors: 貴広林; 聖二森; 伊藤　達也
Original assignee: 日本特殊陶業株式会社
Priority date: 2012-09-07
Filing date: 2013-07-29
Publication date: 2014-03-13
Also published as: CN104604341A; EP2894951B1; US10123415B2; KR101622895B1; KR20150052212A; EP2894951A4; US20150189752A1; TW201424481A; EP2894951A1; TWI492678B; JPWO2014038125A1; JP5513694B1; CN104604341B

Abstract

　配線基板は、電気絶縁性を有する表層と、導電性を有し表層から突出した接続端子とを備える。接続端子は、基部と、被覆部と、充填部とを含む。接続端子の基部は、導電性を有する第１金属からなり、表層に隣接しつつ表層を貫通すると共に、表層から突出する。接続端子の被覆部は、導電性を有し第１金属よりも融点が低い第２金属からなり、基部を被覆する。接続端子の充填部は、第１金属および第２金属を含有する合金と、第２金属との少なくとも一方からなり、基部の空洞に充填されている。

Description

配線基板およびその製造方法

　本発明は、配線基板およびその製造方法に関する。

　配線基板には、半導体チップを実装可能に構成されたものが知られている（例えば、特許文献１，２を参照）。このような配線基板には、半導体チップと接続可能に構成された接続端子が形成されている。

　特許文献１には、メッキ材料による接続端子間の電気的な短絡を防止するために、複数の接続端子を露出させる開口を有する絶縁層を形成し、その開口における複数の接続端子の間に絶縁物を形成した後、複数の接続端子にメッキを施すことが記載されている。特許文献２には、ハンダによる接続端子間の電気的な短絡を防止するために、接続端子間に形成した絶縁層を接続端子の厚み以下になるまで薄くすることが記載されている。

特開２００７－１０３６４８号公報特開２０１１－１９２６９２号公報

　特許文献１，２の技術では、配線基板の製造過程における接続端子の損傷について十分に考慮されていなかった。そのため、配線基板の製造過程において接続端子が損傷を受けることによって、接続端子の機械特性や電気特性が劣化し、半導体チップに対する接続端子の接続信頼性が低下してしまう場合があった。このような接続端子の損傷としては、製造設備および他の配線基板など他の物体との接触を接続端子が受けることによる損傷の他、エッチング、洗浄およびメッキなどの各種処理によって接続端子が過剰に浸食されることによる損傷などが考えられる。例えば、接続端子に対して置換メッキを施す場合、置換メッキに用いられるメッキ処理液によって接続端子が過剰に浸食され、接続端子に空洞が形成されてしまう場合があった。

　本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。

（１）本発明の一形態によれば、配線基板が提供される。この配線基板は、電気絶縁性を有する表層と；導電性を有し前記表層から突出した接続端子とを備える配線基板であって、前記接続端子は、導電性を有する第１金属からなり、前記表層に隣接しつつ前記表層を貫通すると共に、前記表層から突出した基部と；導電性を有し前記第１金属よりも融点が低い第２金属からなり、前記基部を被覆する被覆部と；前記第１金属および前記第２金属を含有する合金と、前記第２金属との少なくとも一方からなり、前記基部の空洞に充填された充填部とを含む。この形態の配線基板によれば、空洞によって劣化した基部の機械特性や電気特性を充填部によって修復し、接続端子の接続信頼性を向上させることができる。

（２）上記形態の配線基板において、前記第１金属は銅（Ｃｕ）であり、前記第２金属は錫（Ｓｎ）であってもよい。この形態の配線基板によれば、銅製の基部と錫製の被覆部とを含む接続端子の接続信頼性を向上させることができる。

（３）本発明の一形態によれば、配線基板の製造方法が提供される。この配線基板の製造方法は、導電性を有する第１金属からなる基部に、導電性を有し前記第１金属よりも融点が低い第２金属からなる被覆部を被覆した接続端子を、電気絶縁性の表層から突出した状態で形成してなる配線基板の製造方法であって、前記第２金属の融点以上に前記接続端子を加熱して前記基部および前記被覆部のうち少なくとも前記被覆部を溶融させた溶融金属を、前記基部の空洞に充填する。この形態の配線基板の製造方法によれば、空洞によって劣化した基部の機械特性や電気特性を充填部によって修復し、接続端子の接続信頼性を向上させることができる。

（４）上記形態の配線基板の製造方法において、前記被覆部を置換メッキによって形成する際に、前記基部に前記空洞を形成してもよい。この形態の配線基板の製造方法によれば、置換メッキによって劣化した基部を修復することができる。

（５）本発明の一形態によれば、配線基板が提供される。この配線基板は、電気絶縁性を有する表層と；導電性を有し前記表層から突出した接続端子とを備える配線基板であって、前記接続端子は、導電性を有する第１金属からなり、前記表層に隣接する基部と；導電性を有し前記第１金属よりも融点が低い第２金属からなり、前記基部を被覆する被覆部と；前記第１金属および前記第２金属を含有する合金と、前記第２金属との少なくとも一方からなり、前記基部の空洞に充填された充填部とを含む。この形態の配線基板によれば、空洞によって劣化した基部の機械特性や電気特性を充填部によって修復し、接続端子の接続信頼性を向上させることができる。この配線基板において、前記第１金属は銅（Ｃｕ）であり、前記第２金属は錫（Ｓｎ）であってもよい。

　本発明は、配線基板以外の種々の形態で実現することも可能である。例えば、配線基板を備える装置、配線基板の製造装置などの形態で実現することができる。

配線基板の構成を示す上面図である。配線基板の構成を模式的に示す部分断面図である。半導体チップを実装した配線基板の構成を模式的に示す部分断面図である。配線基板における接続端子の詳細構成を模式的に示す拡大断面図である。配線基板の製造方法を示す工程図である。製造途中にある配線基板における接続端子の詳細構成を模式的に示す拡大断面図である。製造途中にある配線基板における接続端子の詳細構成を模式的に示す拡大断面図である。変形例における配線基板の構成を示す上面図である。変形例の配線基板における接続端子の詳細構成を模式的に示す拡大断面図である。

Ａ．実施形態：
　図１は、配線基板１０の構成を示す上面図である。図２は、配線基板１０の構成を模式的に示す部分断面図である。図３は、半導体チップ２０を実装した配線基板１０の構成を模式的に示す部分断面図である。図２には、図１の矢視Ｆ２－Ｆ２で切断した配線基板１０の断面を図示した。図３には、半導体チップ２０を実装した配線基板１０を、図１の矢視Ｆ２－Ｆ２に対応する位置で切断した断面を図示した。

　配線基板１０は、有機材料を用いて形成され、有機基板（オーガニック基板）とも呼ばれる板状の部材である。本実施形態では、配線基板１０は、図３に示すように、半導体チップ２０を実装可能に構成されたフリップチップ実装基板である。

　配線基板１０は、図２および図３に示すように、基層１２０と、接続端子１３０と、表層１４０とを備える。本実施形態では、配線基板１０の基層１２０には、接続端子１３０が形成されていると共に、接続端子１３０を露出させた状態で表層１４０が形成されている。他の実施形態では、配線基板１０は、基層１２０上に複数の導体層と複数の絶縁層とを交互に積層した多層構造を有するとしてもよいし、このような多層構造を基層１２０の両面にそれぞれ有するとしてもよい。

　図１には、相互に直交するＸＹＺ軸を図示した。図１のＸＹＺ軸は、他の図におけるＸＹＺ軸に対応する。図１のＸＹＺ軸のうち、基層１２０に対する表層１４０の積層方向に沿った軸をＺ軸とする。Ｚ軸に沿ったＺ軸方向のうち、基層１２０から表層１４０に向かって＋Ｚ軸方向とし、＋Ｚ軸方向の反対方向を－Ｚ軸方向とする。図１のＸＹＺ軸のうち、Ｚ軸に直交する層面方向に沿った２つの軸をＸ軸およびＹ軸とする。Ｘ軸に沿ったＸ軸方向のうち、図１の紙面左から紙面右に向かって＋Ｘ軸方向とし、＋Ｘ軸方向の反対方向を－Ｘ軸方向とする。Ｙ軸に沿ったＹ軸方向のうち、図１の紙面下方から紙面上方に向かって＋Ｙ軸方向とし、＋Ｙ軸方向の反対方向を－Ｙ軸方向とする。

　配線基板１０の基層１２０は、絶縁性材料からなる板状の部材である。本実施形態では、基層１２０の絶縁性材料は、熱硬化性樹脂、例えば、ビスマレイミドトリアジン樹脂（Bismaleimide-Triazine Resin、ＢＴ）やエポキシ樹脂である。他の実施形態では、基層１２０の絶縁性材料は、繊維強化樹脂（例えば、ガラス繊維強化エポキシ樹脂）であってもよい。図１～図３には図示しないが、基層１２０の内部に、スルーホール、スルーホール導体などを形成して、接続端子１３０に接続する配線の一部を構成してもよい。

　配線基板１０の表層１４０は、ソルダレジストとも呼ばれる絶縁性材料からなる層である。表層１４０は、第１表面１４１と、第２表面１４２と、壁面１４８とを有する。

　表層１４０の第１表面１４１は、開口部１５０が形成された表層１４０の表面である。本実施形態では、第１表面１４１は、Ｘ軸およびＹ軸に沿って＋Ｚ軸方向側を向いた面であり、表層１４０の＋Ｚ軸方向側の表面を構成する。

　表層１４０の第２表面１４２は、開口部１５０の内側において第１表面１４１に対して基層１２０側に窪んだ表層１４０の表面である。本実施形態では、第２表面１４２は、Ｘ軸およびＹ軸に沿って＋Ｚ軸方向側を向いた面であり、開口部１５０の内側において表層１４０の＋Ｚ軸方向側の表面を構成する。図１および図２に示すように、第２表面１４２からは、接続端子１３０が露出している。

　表層１４０の壁面１４８は、積層方向（Ｚ軸方向）に沿って第１表面１４１と第２表面１４２との間を繋ぐ面であり、開口部１５０を画定する。本実施形態では、壁面１４８は、図２に示すように、角張った形状で第１表面１４１および第２表面１４２に繋がる。他の実施形態では、壁面１４８は、第１表面１４１および第２表面１４２の少なくとも一方に対して曲面を介して繋がっていてもよい。

　配線基板１０の接続端子１３０は、基層１２０上に形成された導電性材料からなる導体パターンである。本実施形態では、接続端子１３０の導体パターンは、基層１２０の表面上に形成された銅メッキ層を所望の形状にエッチングすることによって形成される。

　接続端子１３０は、表層１４０から露出しており、本実施形態では、表層１４０の第２表面１４２から露出している。図２に示すように、本実施形態では、接続端子１３０は、第２表面１４２から＋Ｚ軸方向側に突出している。

　接続端子１３０は、図３に示すように、ハンダＳＤを介して半導体チップ２０の接続端子２３２と接続可能に構成されている。配線基板１０に対する半導体チップ２０の実装時には、複数の接続端子１３０が半導体チップ２０の接続端子２３２に対してハンダ付けされると共に、開口部１５０における配線基板１０と半導体チップ２０との隙間には、アンダーフィル材３０が充填される。

　本実施形態では、配線基板１０には、複数の接続端子１３０が設けられている。複数の接続端子１３０は、図１に示すように、Ｘ軸およびＹ軸にそれぞれ沿って行列状に配置されている。本実施形態では、複数の接続端子１３０の行列は、５行５列であるが、これに限るものではなく、ｎ行ｍ列（ｎおよびｍは１以上の自然数、ｎ＝ｍ＝１を除く）を満たす態様であればよい。他の実施形態では、複数の接続端子１３０は、隣り合う接続端子１３０同士を交互にずらして千鳥状に配置されていてもよい。

　図４は、配線基板１０における接続端子１３０の詳細構成を模式的に示す拡大断面図である。図４には、図２に対応する接続端子１３０の１つを拡大して図示した。接続端子１３０は、基部１３２と、被覆部１３４と、充填部１３８とを備える。

　接続端子１３０の基部１３２は、表層１４０に隣接しつつ表層１４０を貫通すると共に、表層１４０から突出した部位である。本実施形態では、基部１３２は、基層１２０から＋Ｚ軸方向に向けて表層１４０に隣接しつつ表層１４０を貫通し、表層１４０の第２表面１４２から＋Ｚ軸方向に向けて突出している。基部１３２は、導電性を有する第１金属からなる。本実施形態では、基部１３２を形成する第１金属は、銅（Ｃｕ）であるが、他の実施形態では、導電性を有する他の材料であってもよい。

　本実施形態では、基部１３２は、側部１３２ａと、側部１３２ｂと、端部１３２ｃとを有する。基部１３２の側部１３２ａは、第２表面１４２よりも－Ｚ軸方向側に位置し、表層１４０の内部に隣接する。基部１３２の側部１３２ｂは、第２表面１４２よりも＋Ｚ軸方向側に位置し、端部１３２ｃに繋がる。基部１３２の端部１３２ｃは、基部１３２における＋Ｚ軸方向側の端を構成する。側部１３２ｂおよび端部１３２ｃは、被覆部１３４によって被覆されている。

　接続端子１３０の被覆部１３４は、基部１３２を被覆する部位である。本実施形態では、被覆部１３４は、基部１３２の側部１３２ｂおよび端部１３２ｃを被覆している。本実施形態では、被覆部１３４は、導電性を有する第２金属からなる。本実施形態では、被覆部１３４を形成する第２金属は、基部１３２を形成する第１金属よりも融点が低い。本実施形態では、被覆部１３４を形成する第２金属は、錫（Ｓｎ）であるが、他の実施形態では、導電性を有する他の材料であってもよい。

　接続端子１３０の充填部１３８は、基部１３２の空洞１３６に充填された部位である。基部１３２の空洞１３６は、基部１３２における側部１３２ａと側部１３２ｂとの間に、基部１３２の外側から内側に向けて形成されている。本実施形態では、充填部１３８は、主に、被覆部１３４を形成する第２金属からなり、部分的に、第１金属および第２金属を含有する合金からなる。充填部１３８は、第１金属および第２金属を含有する合金と、第２金属との少なくとも一方からなるように形成可能である。

　図５は、配線基板１０の製造方法を示す工程図である。配線基板１０を製造する際には、配線基板１０における基層１２０および表層１４０などの各層を形成すると共に、接続端子１３０の基部１３２を形成する（工程Ｐ１１０）。本実施形態では、基層１２０の表面上に銅メッキ層を形成した後、この銅メッキ層を所望の形状にエッチングすることによって、接続端子１３０の基部１３２を形成する。

　本実施形態では、接続端子１３０の基部１３２が形成された基層１２０上に光硬化型絶縁性樹脂を塗布した後、露光、現像を経て、表層１４０を形成する。表層１４０の開口部１５０は、露光時にマスクされた部分に相当し、現像時に未硬化部分を洗い流すことによって、表層１４０における第２表面１４２および壁面１４８を形成する。このように、本実施形態では、表層１４０における第１表面１４１、第２表面１４２および壁面１４８は、単一の層を構成する部位として一体的に形成される。他の実施形態では、表層１４０の開口部１５０を基部１３２に至るまで一旦、形成した後、この開口部１５０に光硬化型絶縁性樹脂を再度、充填することによって、表層１４０の第２表面１４２を形成してもよい。

　図６は、製造途中にある配線基板１０における接続端子１３０の詳細構成を模式的に示す拡大断面図である。図６には、工程Ｐ１１０を終えた段階にある配線基板１０を図示した。

　工程Ｐ１１０を終えた段階では、接続端子１３０の基部１３２は、表層１４０に隣接しつつ表層１４０を貫通すると共に、突出した状態で表層１４０から露出する。工程Ｐ１１０を終えた段階では、接続端子１３０の基部１３２は、側部１３２ａと、側部１３２ｄと、端部１３２ｅとを有する。基部１３２の側部１３２ａは、第２表面１４２よりも－Ｚ軸方向側に位置し、表層１４０の内部に隣接する。基部１３２の側部１３２ｄは、第２表面１４２よりも＋Ｚ軸方向側に位置し、側部１３２ａに対して一連に繋がっている。基部１３２の端部１３２ｅは、基部１３２における＋Ｚ軸方向側の端を構成し、側部１３２ｄに繋がる。側部１３２ａおよび側部１３２ｄは、表層１４０から露出した状態にある。

　工程Ｐ１１０を終えた後、メッキ処理によって、接続端子１３０の被覆部１３４を形成する（工程Ｐ１５０）。本実施形態では、無電解メッキである置換錫メッキによって、接続端子１３０の被覆部１３４を形成する。他の実施形態では、導電性を有する他の材料を用いて被覆部１３４を形成してもよいし、電気メッキおよび化学メッキなどの他のメッキ処理によって被覆部１３４を形成してもよい。

　図７は、製造途中にある配線基板１０における接続端子１３０の詳細構成を模式的に示す拡大断面図である。図７には、工程Ｐ１５０を終えた段階にある配線基板１０を図示した。

　工程Ｐ１５０では、置換錫メッキによって、接続端子１３０の基部１３２における側部１３２ｄおよび端部１３２ｅを形成する第１金属である銅（Ｃｕ）は、第２金属である錫（Ｓｎ）に置換される。工程Ｐ１５０を終えた段階では、図７に示すように、側部１３２ｄおよび端部１３２ｅであった部位に被覆部１３４が形成されると共に、基部１３２は退縮し、基部１３２には、側部１３２ｄおよび端部１３２ｅに代えて、側部１３２ｂおよび端部１３２ｃが形成される。

　工程Ｐ１５０では、図７に示すように、置換錫メッキに用いられるメッキ処理液による過剰な浸食によって、基部１３２における側部１３２ａと側部１３２ｂとの間に、空洞１３６が形成される。基部１３２の空洞１３６は、置換錫メッキによって形成される可能性の他、製造設備および他の配線基板など他の物体との接触によって形成される可能性があり、エッチングおよび洗浄などの各種処理によって形成される可能性もある。

　工程Ｐ１５０を終えた後、配線基板１０を加熱することによって、接続端子１３０の充填部１３８を形成する（工程Ｐ１７０）。本実施形態では、第２金属である錫（Ｓｎ）の融点以上に接続端子１３０を加熱して、基部１３２および被覆部１３４のうち少なくとも被覆部１３４を溶融させた溶融金属を、基部１３２の空洞１３６に充填することによって、充填部１３８を形成する。これによって、接続端子１３０は、図４に示した構成となる。接続端子１３０の加熱温度を、第２金属の融点以上、第１金属の融点未満とし、第１金属からなる基部１３２の溶融を避けることが好ましいが、接続端子１３０の加熱温度を、第１金属の融点以上とし、接続端子１３０としての機能を維持可能な範囲において基部１３２の溶融を許容してもよい。他の実施形態では、半導体チップ２０と接続端子１３０とを接続するハンダＳＤを形成するリフロ(reflow)に併せて、充填部１３８を形成してもよい。

　工程Ｐ１７０を終えた後、配線基板１０を洗浄する（工程Ｐ１８０）。これによって、配線基板１０が完成する。

　以上説明した実施形態によれば、空洞１３６によって劣化した基部１３２の機械特性や電気特性を充填部１３８によって修復し、接続端子１３０の接続信頼性を向上させることができる。

　Ｂ．変形例：
　図８は、変形例における配線基板１０ｂの構成を示す上面図である。配線基板１０ｂの説明において、上述した実施形態の配線基板１０と同様の構成については同一符号を付すと共に説明を省略する。本変形例は、本明細書で説明する他の実施形態や他の変形例に適用することが可能である。変形例の配線基板１０ｂは、第１表面１４１、第２表面１４２、接続端子１３０および開口部１５０の形状がそれぞれ異なる点を除き、上述した実施形態の配線基板１０と同様である。

　配線基板１０ｂの第１表面１４１には、４つの開口部１５０が形成されている。４つの開口部１５０の各々は、＋Ｚ軸方向からみて長方形をなし、中央に矩形を取り囲むように配置されている。本変形例では、４つの開口部１５０の各々は、配線基板１０ｂの外縁に沿ってそれぞれ配置されている。

　図８では、接続端子１３０にはハッチングが施されている。変形例における開口部１５０の内側には、複数の第２表面１４２および複数の接続端子１３０が形成されている。複数の接続端子１３０の各々は、長方形をなす開口部１５０における短辺方向に沿って開口部１５０の一端から他端に向けて帯状に形成され、接続端子１３０同士の間に第２表面１４２が形成されている。変形例の接続端子１３０は、上述した実施形態と同様に、基部１３２と、被覆部１３４と、充填部１３８とを備える。

　以上説明した変形例によれば、上述した実施形態と同様に、空洞１３６によって劣化した基部１３２の機械特性や電気特性を充填部１３８によって修復し、接続端子１３０の接続信頼性を向上させることができる。

Ｃ．変形例：
　図９は、変形例の配線基板１０ｃにおける接続端子１３０ｃの詳細構成を模式的に示す拡大断面図である。配線基板１０ｃの説明において、上述した実施形態の配線基板１０と同様の構成については同一符号を付すと共に説明を省略する。本変形例は、本明細書で説明する他の実施形態や他の変形例に適用することが可能である。

　変形例の配線基板１０ｃは、接続端子１３０ｃを備える点を除き、上述した実施形態の配線基板１０と同様である。変形例の接続端子１３０ｃは、基部１３２の端部１３２ｃが表層１４０の第２表面１４２よりも－Ｚ軸方向側に位置することに起因して各部の構造が異なる点を除き、上述した実施形態の接続端子１３０と同様である。

　接続端子１３０ｃの基部１３２は、表層１４０に隣接する部位である。本変形例では、基部１３２の側部１３２ａは、第２表面１４２よりも－Ｚ軸方向側に位置し、表層１４０の内部に隣接する。本変形例では、基部１３２の側部１３２ｂおよび端部１３２ｃは、表層１４０の第２表面１４２よりも－Ｚ軸方向側に位置するとともに、被覆部１３４によって被覆されている。本変形例では、被覆部１３４は、表層１４０の第２表面１４２よりも＋Ｚ軸方向側に達する。本変形例では、充填部１３８は、表層１４０の第２表面１４２よりも－Ｚ軸方向側に位置する。

　配線基板１０ｃの製造方法は、基部１３２の端部１３２ｃが表層１４０の第２表面１４２よりも－Ｚ軸方向側に位置するように、基部１３２および表層１４０を形成する点を除き、上述した実施形態の製造方法と同様である。

Ｄ．他の実施形態：
　本発明は、上述の実施形態や実施例、変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部または全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部または全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。

　　１０，１０ｂ，１０ｃ…配線基板
　　２０…半導体チップ
　　３０…アンダーフィル材
　　１２０…基層
　　１３０，１３０ｃ…接続端子
　　１３２…基部
　　１３２ａ…側部
　　１３２ｂ…側部
　　１３２ｃ…端部
　　１３２ｄ…側部
　　１３２ｅ…端部
　　１３４…被覆部
　　１３６…空洞
　　１３８…充填部
　　１４０…表層
　　１４１…第１表面
　　１４２…第２表面
　　１４８…壁面
　　１５０…開口部
　　２３２…接続端子
　　ＳＤ…ハンダ

Claims

　電気絶縁性を有する表層と、
　導電性を有し前記表層から突出した接続端子と
　を備える配線基板であって、
　前記接続端子は、
　　導電性を有する第１金属からなり、前記表層に隣接しつつ前記表層を貫通すると共に、前記表層から突出した基部と、
　　導電性を有し前記第１金属よりも融点が低い第２金属からなり、前記基部を被覆する被覆部と、
　　前記第１金属および前記第２金属を含有する合金と、前記第２金属との少なくとも一方からなり、前記基部の空洞に充填された充填部と
　を含むことを特徴とする配線基板。
　前記第１金属は銅（Ｃｕ）であり、前記第２金属は錫（Ｓｎ）であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
　導電性を有する第１金属からなる基部に、導電性を有し前記第１金属よりも融点が低い第２金属からなる被覆部を被覆した接続端子を、電気絶縁性の表層から突出した状態で形成してなる配線基板の製造方法であって、
　前記第２金属の融点以上に前記接続端子を加熱して前記基部および前記被覆部のうち少なくとも前記被覆部を溶融させた溶融金属を、前記基部の空洞に充填することを特徴とする配線基板の製造方法。
　前記被覆部を置換メッキによって形成する際に、前記基部に前記空洞を形成することを特徴とする請求項３に記載の配線基板の製造方法。
　電気絶縁性を有する表層と、
　導電性を有し前記表層から突出した接続端子と
　を備える配線基板であって、
　前記接続端子は、
　　導電性を有する第１金属からなり、前記表層に隣接する基部と、
　　導電性を有し前記第１金属よりも融点が低い第２金属からなり、前記基部を被覆する被覆部と、
　　前記第１金属および前記第２金属を含有する合金と、前記第２金属との少なくとも一方からなり、前記基部の空洞に充填された充填部と
　を含むことを特徴とする配線基板。
　前記第１金属は銅（Ｃｕ）であり、前記第２金属は錫（Ｓｎ）であることを特徴とする請求項５に記載の配線基板。