WO2014017661A1 - 流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置 - Google Patents

流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置 Download PDF

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敬一 関口
和彦 藤尾
石峯　裕作
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京セラ株式会社
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    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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    • Y10T137/8593—Systems
    • Y10T137/87153—Plural noncommunicating flow paths

Definitions

  • the present invention relates to a flow path member, a heat exchanger using the same, and a semiconductor manufacturing apparatus.
  • a flow path member having a flow path inside can exchange heat with other members in contact with the flow path member by flowing a fluid through the flow path, whereby the temperature of the other members in contact with the flow path member can be adjusted. Can be adjusted.
  • Patent Document 1 includes at least one semiconductor element and a pair of lead frames sandwiching the semiconductor element, and a semiconductor component molded with resin by exposing an outer surface of the lead frame, and a pair of lead frames.
  • a semiconductor device is disclosed that includes a ceramic tube having a coolant passage that is bonded to the outer surface of each lead frame with a bonding metal.
  • an object of the present invention is to provide a flow path member with improved reliability, a heat exchanger using the same, and a semiconductor manufacturing apparatus.
  • the flow path member of the present invention includes a first wall portion, a second wall portion, and a third wall portion provided between the first wall portion and the second wall portion, and the first wall portion.
  • the inside constituted by the part, the second wall part and the third wall part becomes a flow path through which a fluid flows, and the cut surface when cut from the first wall part to the second wall part has the A plurality of flow path openings are provided side by side in one direction, and one of the adjacent flow path openings is shifted from the other to the first wall section side or the second wall section side. It is characterized by.
  • the heat exchanger of the present invention is characterized in that a metal member is provided on at least one surface or inside of the first wall portion and the second wall portion of the flow path member having the above-described configuration.
  • the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention includes a heat exchanger in which a metal member is provided in at least one of the first wall portion and the second wall portion of the flow path member having the above-described configuration,
  • the metal member is an electrode for adsorbing a wafer.
  • the stress concentration between the corners of the adjacent flow path ports is reduced on the cut surface when cutting from the first wall portion to the second wall portion, and the flow path is damaged. Since it can suppress, reliability improves.
  • thermoelectric cooler of the present invention a heat exchanger having high heat exchange efficiency and improved reliability can be obtained.
  • a semiconductor manufacturing apparatus capable of manufacturing a highly reliable semiconductor element can be obtained.
  • (B) is an example in which the flow path is gradually shifted toward the second wall as it goes from the both ends toward the center. It is an external appearance perspective view which shows typically the state cut
  • the flow path member of the present embodiment it is a cross-sectional view showing a horizontal cross section with respect to the first wall portion and the second wall portion, (a) is a meandering flow path, (b) is It is a spiral channel.
  • (a) is a meandering flow path
  • (b) is It is a spiral channel.
  • FIG. 1 is an external perspective view schematically showing a state cut from a first wall portion to a second wall portion as an example of the flow path member of the present embodiment.
  • the same components are described using the same reference numerals.
  • the flow path member 10 of the present embodiment shown in FIG. 1 includes a first wall 1, a second wall 2, and a third wall provided between the first wall 1 and the second wall 2. 3, and the inside constituted by the first wall portion 1, the second wall portion 2, and the third wall portion 3 is a flow path through which the fluid flows, and extends from the first wall portion 1 to the second wall portion 2.
  • a plurality of flow path ports 4 of the flow path are provided side by side in one direction on a cut surface (hereinafter simply referred to as a cut surface) when cut.
  • the cross-sectional shape of the channel port 4 is preferably a polygonal shape, particularly a rectangular shape.
  • one of the channel ports 4a and 4b adjacent to each other is displaced toward the first wall portion 1 side or the second wall portion 2 side with respect to the other channel port 4b. are arranged.
  • the distance between the corners of the adjacent flow path ports 4 becomes longer, and stress concentration generated between the corners of the adjacent flow paths can be alleviated. Can be suppressed. Thereby, the reliability of the flow path member 10 is improved.
  • the flow path in the flow path member 10 of the present embodiment may be a plurality of flow paths, or may be configured as a single flow path as a whole. It is only necessary that a plurality of the channel openings 4 of the channel are provided side by side in one direction. Therefore, in the following, unless otherwise specified, in the description of the adjacent flow path ports 4 on the cut surface, there are cases where they are referred to as adjacent flow paths.
  • the difference from the other channel ports 4 may be measured using the second channel port 4 from the left closest to the main surface 2 a side as a reference.
  • each flow path port 4 a vertical line is formed between the main surface 2 a and the center in the width direction of the line connecting the corners on the second wall portion 2 side and the main surface 2 a, and this distance in each flow path port 4 The difference is the amount of deviation.
  • the shift amount can be measured by using a known optical microscope, a microscope, or the like on the cut surface of the flow path member 10.
  • the shift of the flow path means a shift in the direction of the first wall portion 1 side or the second wall portion 2 side in FIG. 1, and the same applies to the subsequent drawings. .
  • the flow path member 10 has excellent durability and corrosion resistance on the assumption that a highly corrosive gas or liquid flows in the flow path, so that the flow path member 10 has excellent insulation. It is preferable to produce with ceramics. Note that alumina, zirconia, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, cordierite, boron carbide, mullite, or a composite thereof can be used as the ceramic material.
  • the flow path member 10 of the present embodiment is preferably made of a silicon carbide sintered body mainly composed of silicon carbide.
  • a main component means the component which occupies in the ratio of 80 mass% or more among 100 mass% of all the components which comprise a sintered compact.
  • the flow path member 10 of the present embodiment is made of a silicon carbide sintered body containing silicon carbide as a main component, since heat conductivity is high in addition to excellent durability and corrosion resistance, the heat exchange efficiency is high. improves. Further, since the silicon carbide sintered body has a lower specific gravity than other ceramics such as alumina, the weight can be reduced when a large flow path member 10 is required.
  • each component which comprises the flow-path member 10 can cut out the sample of a predetermined magnitude
  • the content can be confirmed by performing energy dispersive X-ray (EDS) analysis using a scanning electron microscope (SEM).
  • the content can also be confirmed by ICP emission spectroscopy or fluorescent X-ray analysis.
  • FIG. 2 is an external perspective view schematically showing a state cut from the first wall portion to the second wall portion as another example of the flow path member of the present embodiment.
  • one of the adjacent flow path ports 4 is on the first wall portion 1 side or the second wall portion 2 than the other. It is shifted to the side. That is, in the channel member 20 shown in FIG. 2, when the channel ports 4a and 4b are viewed, the channel port 4b is shifted to the first wall 1 side, and when the channel ports 4b and 4c are viewed.
  • the flow path port 4c is shifted to the first wall 1 side, and when the flow path ports 4c and 4d are viewed, the flow path port 4d is shifted to the first wall 1 side, and the flow path ports 4d and 4e Is seen, the flow path port 4e is shifted to the first wall 1 side.
  • FIG. 3 is an external perspective view schematically showing a state cut from the first wall portion to the second wall portion as still another example of the flow path member of the present embodiment.
  • the flow path member 30 of the present embodiment shown in FIG. 3 has a central portion of at least one of the first wall portion 1 and the second wall portion 2 constituting the flow path curved toward the flow path side.
  • 3 shows an example in which the central portions of both the first wall member 1 and the second wall member 2 are curved toward the flow path side.
  • the surface area of the flow path can be increased.
  • the efficiency of heat exchange between the member to be heat exchange and the fluid can be improved.
  • the angle ⁇ of the corner portion formed by the first wall member 1 and the third wall member 3 in the flow path is an acute angle. Therefore, compared with the case where the central part of the first wall part 1 or the second wall part 2 constituting the flow path is not curved toward the flow path side, the direction of the stress generated in the corner is set at the corner of the adjacent flow path. Without being directed toward the first wall 1 side. Therefore, stress concentration occurring between corners of adjacent flow paths is alleviated and damage to the flow paths can be suppressed, so that the reliability of the flow path member 30 is improved.
  • the center part points out the center part when the width dimension of the flow-path opening 4 is equally divided into 3 parts in a cut surface.
  • the degree of curvature of the first wall portion 1 or the second wall portion 2 toward the flow channel side connects the corners of the flow channel port 4 on the first wall portion 1 side, for example, as in the portion A shown in FIG. It is expressed by the distance between the ellipse and the perpendicular of the portion that is curved to the most flow path side.
  • the degree of curvature can be measured using a known optical microscope, a microscope, or the like on the cut surface of the flow path member 30. In order to direct the direction of stress toward the first wall portion 1 or the second wall portion 2, the degree of curvature is preferably 0.01 mm or more.
  • each channel port 4 has a height of the channel port 4 (in the single channel port 4, the center in the width direction of the line connecting the corners on the first wall portion 1 side and the corner on the second wall portion 2 side). It is preferable that the distance is within a range of 80% or more and 99.8% or less with respect to the dimension).
  • FIG. 4 is an external perspective view showing a state cut from the first wall portion to the second wall portion as still another example of the flow channel member of the present embodiment, and (a) shows the flow channel from both ends. It is an example which is gradually shifted to the first wall portion side as it goes to the center, and (b) is an example in which the flow path is gradually shifted to the second wall portion side as it goes to the center from both ends.
  • the flow path port 4 When the flow path member 40 of this embodiment shown in FIG. 4 sees all of the plurality of flow path ports 4 on the cut surface, the flow path port 4 gradually becomes closer to the first wall 1 side or the second side as it goes to the center from both ends. It is shifted to the wall 2 side. With such a configuration, stress concentration occurring between corners of adjacent flow paths can be alleviated in all flow paths, damage to the flow paths can be further suppressed, and heat exchange target members When the temperature distribution is different, the temperature distribution can be made closer to uniform.
  • the flow path ports 4a to 4c are preferably arranged so as to be gradually shifted toward the first wall 1 side from both ends toward the center, and in this case, by flowing a low-temperature fluid through the flow path, The temperature distribution of the member can be made closer to uniform.
  • the flow path ports 4a to 4c on the surface are preferably arranged so as to gradually shift toward the second wall 2 side from both ends toward the center, and in this case, by flowing a low-temperature fluid through the flow path, The temperature on the part side can be lowered, and the temperature distribution of the member can be made closer to uniform.
  • FIG. 5 is an external perspective view schematically showing a state cut from the first wall portion to the second wall portion as still another example of the flow path member of the present embodiment.
  • every other flow path opening 4a, 4b has the first wall 1 side or the second wall. It is shifted and arranged toward the part 2 side.
  • stress concentration generated between the corners of all adjacent flow paths can be reduced.
  • the reliability of the flow path member 50 can be improved.
  • the physical impact from the main surface 1a of the 1st wall part 1 of the flow path member 50 or the main surface 2a of the 2nd wall part 2 can be disperse
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a horizontal cross section with respect to the first wall portion and the second wall portion as still another example of the flow channel member of the present embodiment, (a) is a meandering flow channel, (B) is a spiral channel.
  • a plurality of flow paths that are provided on the cut surface and arranged in one direction are connected in the flow path member 60 and formed as a single flow path. .
  • the inlet when the inlet is provided at one place and is distributed to a plurality of flow paths, the fluid tends to flow through the flow path where the pressure related to the fluid is low, and heat exchange may be uneven.
  • the fluid if they are connected in the flow path member 60 and formed as a single flow path, the fluid can efficiently flow through the entire flow path. Therefore, the efficiency of heat exchange between the member to be heat exchanged and the fluid can be improved. Further, by forming the meandering channel 5 shown in FIG. 6A and the spiral channel 6 shown in FIG. 6B, the fluid stays long inside the channel member 60. Therefore, heat exchange can be performed efficiently.
  • heat exchange is performed.
  • FIG. 7 is a schematic diagram illustrating an example of a semiconductor manufacturing apparatus including the heat exchanger according to the present embodiment.
  • This semiconductor manufacturing apparatus 200 is a plasma processing apparatus for a wafer W, and the wafer W has a metal member 11 inside the first wall portion 1 of the flow path members 10, 20, 30, 40, 50, 60 of this embodiment.
  • the heat exchanger 100 is provided on the heat exchanger 100.
  • the flow path member 10, 20, 30, 40, 50, 60 has a supply tube 64 connected to the inflow port 62 and a discharge tube 65 connected to the outflow port 63, and a fluid such as a high-temperature or low-temperature gas or liquid,
  • the wafer W is heated or cooled by circulating the flow path inside the flow path members 10, 20, 30, 40, 50, 60.
  • an upper electrode 12 for generating plasma is provided above the wafer W, and the inside of the first wall portion 1 of the flow path members 10, 20, 30, 40, 50, 60 constituting the heat exchanger 100.
  • the metal member 11 is used as a lower electrode for generating plasma, and a voltage is applied between the lower electrode metal member 11 and the upper electrode 12, whereby the lower electrode metal member 11 and Plasma generated between the upper electrode 12 and the wafer W can be applied to the wafer W.
  • the heat exchanger 100 is provided with the flow path members 10, 20, 30, 40, 50, 60 of this embodiment, the metal member 11 as the lower electrode that becomes high temperature during plasma processing is stabilized. Can be maintained at temperature. Further, since the temperature of the wafer W is also controlled, processing with high dimensional accuracy can be performed. Further, the metal member 11 of the semiconductor manufacturing apparatus 200 may be divided into a plurality of bipolar electrodes composed of one electrode and the other electrode.
  • FIG. 7 shows an example in which the metal member 11 is used as a lower electrode for plasma generation, if the metal member 11 is heated by passing an electric current, the temperature of the fluid can be adjusted.
  • the metal member 11 is used as an electrode for electrostatic adsorption, and a voltage is applied to the metal member 11, a clone generated between the wafer W and the dielectric layer.
  • the wafer W can also be attracted and held by electrostatic attracting force such as force or Johnson-Rahbek force.
  • the heat exchanger 100 includes the first wall portion 1 and the second wall portion 2 of the highly reliable flow path members 10, 20, 30, 40, 50, and 60 according to the present embodiment. Since the metal member 11 is provided in at least one of the insides, the heat exchanger 100 having high heat exchange efficiency and high reliability that can withstand long-term use can be obtained.
  • the flow path members 10, 20, 30, 40, 50, 60 of this embodiment are excellent in durability and corrosion resistance, have high reliability and high heat exchange efficiency.
  • the semiconductor manufacturing apparatus 200 of the present embodiment that is provided can be a suitable semiconductor manufacturing apparatus that hardly interferes with the manufacture and inspection of semiconductor elements. Further, as the semiconductor manufacturing apparatus 200 of the present embodiment, there are a sputtering apparatus, a resist coating apparatus, a CVD apparatus, an etching processing apparatus, etc. in addition to the plasma processing apparatus of FIG. By including the flow path members 10, 20, 30, 40, 50, 60 of the form, the above-described effects can be obtained.
  • a base having a concave portion in which the first wall 1 and the other second wall 2 and the third wall 3 are integrally formed (hereinafter also simply referred to as a base). ) And a step of obtaining a molded body to be a flow path member by bonding the first wall portion 1 and the base body using a bonding agent.
  • a ceramic raw material with a purity of 90% or more and an average particle diameter of about 1 ⁇ m, and add a predetermined amount of sintering aid, binder, solvent, dispersant, etc. to this and mix the slurry, then spray granulation method (spray Spray-dried by a dry method) and granulated to be a primary raw material.
  • spray granulation method spray Spray-dried by a dry method
  • the spray-dried and granulated primary raw material is put into a rubber mold of a predetermined shape and molded by an isostatic press molding method (rubber press method), and then the molded body is removed from the rubber mold and cut. Apply.
  • the recesses forming the outer shape and the flow path are processed into desired shapes, and the fluid inlet and outlet are formed.
  • the compact which becomes the first wall portion 1 of the flow path member is formed by a roll compaction molding method after granulating a doctor blade method or a slurry which is a general ceramic molding method using an isostatic pressing method or slurry. What is necessary is just to prepare the green sheet produced by (1). In addition, it cuts so that it may fit with the molded object used as a base
  • a bonding agent used for bonding a ceramic raw material, a sintering aid, a binder, a dispersant, and a solvent used for the production of the molded body to be the first wall portion 1 and the molded body to be the base were weighed and mixed in predetermined amounts.
  • a bonding agent made of a slurry can be used. Then, by applying and bonding this bonding agent to at least one joint of the molded body that becomes the first wall 1 and the molded body that becomes the base, the molded body that becomes the first wall 1 and the molded body that becomes the base Is obtained. And the flow-path member of this embodiment can be obtained by baking this joining molded object in the atmosphere according to a ceramic raw material.
  • the first wall 1 and the sintered body of the base body are fired in an atmosphere corresponding to the ceramic raw material. Get. Thereafter, using a bonding agent made of glass, the bonding agent is applied to and integrated with at least one of the first wall portion 1 and the sintered body of the substrate, and heat treatment is performed. A member can be obtained.
  • a flow path member having a plurality of inlets and outlets is prepared by preparing a mold that has a desired shape, obtaining a molded body that becomes a flow path member by a known extrusion molding method, and then firing the molded body. It can be.
  • a green sheet is formed by a roll compaction molding method after granulating a slurry using a slurry, which is a general ceramic molding method, and a mold. It is also possible to use a molded body punched into a desired shape.
  • silicon carbide powder having an average particle size of 0.5 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less, and boron carbide and carboxylate powder as a sintering aid are prepared.
  • Each powder is weighed so that, for example, 100% by mass of silicon carbide powder is 0.12% by mass to 1.4% by mass of boron carbide powder and 1% by mass to 3.4% by mass of carboxylate powder. And mix.
  • a binder such as polyvinyl alcohol, polyethylene glycol, acrylic resin or butyral resin, water, and a dispersing agent are mixed in a ball mill, a rotating mill, a vibration mill, or a bead mill.
  • the amount of the binder added is such that the strength and flexibility of the molded body are good, and it is sufficient that the molding binder is not sufficiently degreased during firing. May be used.
  • a green sheet is prepared by a doctor blade method, or after the slurry is granulated, a green sheet is prepared by a roll compaction method.
  • a plurality of green sheets may be stacked so as to form a desired flow path.
  • a slurry similar to that used for producing the green sheet is applied as a bonding agent to the bonding surface of each green sheet, and after the green sheets are laminated, a flat plate-like pressurizing tool is used. A pressure of about 0.5 MPa is applied, followed by drying at room temperature of about 50-70 ° C. for about 10-15 hours.
  • the laminated green sheets to be the flow path members are fired in, for example, a known pusher type or roller type continuous tunnel furnace or batch furnace.
  • the firing temperature varies depending on the material, for example, if silicon carbide is the main material, after holding in an inert gas atmosphere or vacuum atmosphere at a temperature range of 1800-2200 ° C for 10 minutes to 10 hours And firing in the temperature range of 2200 to 2350 ° C. for 10 minutes to 20 hours.
  • the molded body obtained by any one of the above manufacturing methods is placed on a shelf board having an arcuate inclination when firing, or a weight having an arcuate inclination is used. Is fired in a state in which the molded body is warped, and the first wall portion 1 side and the second wall portion 2 side are ground or polished, thereby placing the flow path member on the molded body. You may change the position shift of the flow path with respect to the main surfaces 1a and 3a.
  • aluminum or copper is formed by a known printing method or a vapor deposition method. Or by joining an aluminum plate or a copper plate using an active metal method or a brazing method, or forming a hole in the first lid 1 and filling the hole with aluminum or copper. By forming in this way, the heat exchanger 100 can be obtained.
  • the flow path member of the present embodiment obtained as described above has a flow path in which adjacent flow paths are arranged to be shifted toward the first wall portion 1 or the second wall portion 2. Since the stress concentration between the corners of the adjacent flow paths is alleviated and the flow paths are not easily damaged, a flow path member with improved reliability can be obtained. In particular, since the semiconductor manufacturing apparatus 200 includes the heat exchanger 100 having the flow path member of the present embodiment, highly reliable semiconductor elements can be manufactured and inspected.
  • 1st wall part 1a Main surface of 1st wall part 2: 2nd wall part 2a: Main surface of 2nd wall part 3: 3rd wall part 4, 4a, 4b, 4c, 4d, 4e: Flow path opening 5, 6: Channel 10, 20, 30, 40, 50, 60: Channel member 61: Wafer 62: Inlet 63: Outlet 64: Supply tube 65: Discharge tube 100: Heat exchanger 200: Semiconductor manufacturing equipment

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Abstract

　【課題】　信頼性が向上した流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置を提供する。　【解決手段】　第１壁部１と、第２壁部２と、第１壁部１と第２壁部２との間に設けられた第３壁部３とを備え、第１壁部１と第２壁部２と第３壁部３とで構成された内部が、流体が流れる流路としてなり、第１壁部１から第２壁部２にわたって切断したときの切断面に、流路の流路口４が一方方向に並んで複数設けられており隣り合う流路口４のうち一方が他方よりも第１壁部１側または第２壁部２側にずれて配置されていることから、隣接する流路口のコーナー間での応力集中を緩和でき、流路が破損しにくく、信頼性の向上した流路部材10とすることができる。

Description

流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置
　本発明は、流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置に関する。
　内部に流路を有する流路部材は、流路に流体を流すことによって流路部材に接する他の部材と熱交換を行なうことができ、それにより、流路部材に接する他の部材の温度を調節することができる。
　例えば、特許文献１には、少なくとも１つの半導体素子と、該半導体素子を挟む一対のリードフレームとを有し、該リードフレームの外側表面を露出して、樹脂によりモールドされた半導体コンポーネントと、一対のリードフレームの外側表面にそれぞれ接合用金属で接合された、冷媒通路を有するセラミックチューブとを備える半導体装置が開示されている。
特開2008－103623号公報
　しかしながら、特許文献１の半導体装置においては、半導体素子が発する熱と冷媒通路を流れる冷媒である流体との熱交換効率を上げるために、流体の圧力を高めに設定した場合、特に隣接する冷媒通路のコーナー間で応力集中が生じ、冷媒通路が破損しやすいという問題があった。
　それゆえ本発明は、信頼性を向上した流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置を提供することを目的とするものである。
　本発明の流路部材は、第１壁部と、第２壁部と、前記第１壁部と前記第２壁部との間に設けられた第３壁部とを備え、前記第１壁部と前記第２壁部と前記第３壁部とで構成された内部が、流体が流れる流路としてなり、前記第１壁部から前記第２壁部にわたって切断したときの切断面に、前記流路の流路口が一方方向に並んで複数設けられており、隣り合う前記流路口のうち一方が他方よりも前記第１壁部側または前記第２壁部側にずれて配置されていることを特徴とする。
　また、本発明の熱交換器は、上記構成の流路部材の前記第１壁部および前記第２壁部のうち少なくとも一方の表面または内部に金属部材が設けられていることを特徴とする。
　また、本発明の半導体製造装置は、上記構成の流路部材の前記第１壁部および前記第２壁部のうち少なくとも一方の内部に金属部材が設けられている熱交換器を備えるとともに、前記金属部材がウェハを吸着するための電極であることを特徴とする。
　本発明の流路部材によれば、第１の壁部から第２の壁部にわたって切断したときの切断面において、隣り合う流路口のコーナー間での応力集中が緩和され、流路の破損を抑制できるため、信頼性が向上する。
　また、本発明の熱交換器によれば、高い熱交換効率とともに信頼性の向上した熱交換器とすることができる。
　また、本発明の半導体製造装置によれば、信頼性の高い半導体素子を製造可能な半導体製造装置とすることができる。
本実施形態の流路部材の一例として、第１壁部から第２壁部にわたって切断した状態を模式的に示す外観斜視図である。 本実施形態の流路部材の他の例として、第１壁部から第２壁部にわたって切断した状態を模式的に示す外観斜視図である。 本実施形態の流路部材のさらに他の例として、第１壁部から第２壁部にわたって切断した状態を模式的に示す外観斜視図である。 本実施形態の流路部材のさらに他の例として、第１壁部から第２壁部にわたって切断した状態を模式的に示す外観斜視図であり、（ａ）は、流路が、両端より中央に向かうにつれて漸次第１壁部側にずれている例であり、（ｂ）は、流路が、両端より中央に向うにつれて漸次第２壁部側にずれている例である。 本実施形態の流路部材のさらに他の例として、第１壁部から第２壁部にわたって切断した状態を模式的に示す外観斜視図である。 本実施形態の流路部材のさらに他の例として、第１壁部および第２壁部に対して水平な断面を示す断面図であり、（ａ）は蛇行状の流路、（ｂ）はスパイラル状の流路である。 本実施形態の熱交換器を備える半導体製造装置の一例を示す概略図である。
　以下、本発明の流路部材の実施の形態の例を説明する。
　図１は、本実施形態の流路部材の一例として、第１壁部から第２壁部にわたって切断した状態を模式的に示す外観斜視図である。なお、以降の図において同一の構成は、同一の符号を用いて説明する。
　図１に示す本実施形態の流路部材10は、第１壁部１と、第２壁部２と、第１壁部１と第２壁部２との間に設けられた第３壁部３とを備え、第１壁部１と第２壁部２と第３壁部３とで構成された内部が、流体が流れる流路としてなり、第１壁部１から第２壁部２にわたって切断したときの切断面（以下、単に切断面という。）に、流路の流路口４が一方方向に並んで複数設けられている。ここで、流路口４の断面形状は、多角形状、特に方形状のものが好ましい。
　そして、本実施形態の流路部材10においては、隣り合う流路口４ａ，４ｂのうち一方の流路口４ａが他方の流路口４ｂよりも第１壁部１側または第２壁部２側にずれて配置されている。
　それにより、隣り合う流路口４（言い換えれば、切断面における隣り合う流路）のコーナー間の距離が長くなり、隣り合う流路のコーナー間で生じる応力集中を緩和できるため、流路の破損を抑制することができる。これにより、流路部材10の信頼性が向上する。なお本実施形態の流路部材10における流路としては複数の流路であってもよく、さらには全体として１つの流路で構成されているものであってもよく、任意の切断面において、流路の流路口４が一方向に並んで複数設けられていればよい。それゆえ、以下において、特に断らない限り、切断面における隣り合う流路口４の説明において、隣り合う流路という場合がある。
　ここで、各流路口４同士のずれ量の測定方法について、図１に示す断面形状であるときを例に挙げて説明する。まず、第１壁部１の主面１ａまたは第２壁部２の主面２ａに最も近い流路口４を基準として、その他の流路口４とのずれ量を測定すればよい。詳細には、図１によれば、主面２ａ側に一番近い左から２番目の流路口４を基準として、その他の流路口４との差を測定すればよい。ここで、各流路口４において、主面２ａから、第２壁部２側のコーナーを結んだ線の幅方向の中心と、主面２ａとの垂線を取り、各流路口４におけるこの距離の差をずれ量とする。なお、ずれ量は、流路部材10の切断面を公知の光学顕微鏡やマイクロスコープなどを用いて測定することができる。但し、隣り合う流路口４のコーナー間における応力集中を緩和するには、ずれ量として0.01ｍｍ以上確保することが好ましい。また、図１に示す流路部材10において、流路のずれとは図１において第１壁部１側または第２壁部２側の方向におけるずれを意味し、以降の図においても同様である。
　ここで、流路部材10は、流路に腐食性の高いガスや液体を流すことを想定して、優れた耐久性や耐食性を有し、絶縁性に優れた流路部材10とするためにセラミックスで作製することが好ましい。なお、セラミックスの材質としては、アルミナ、ジルコニア、窒化珪素、窒化アルミニウム、炭化珪素、コージェライト、炭化硼素、ムライトまたはこれらの複合物を用いることができる。
　特に、本実施形態の流路部材10は、炭化珪素を主成分とする炭化珪素質焼結体からなることが好ましい。ここで、主成分とは、焼結体を構成する全成分100質量％のうち80質量％以上の割合で占める成分のことを言う。そして、本実施形態の流路部材10が、炭化珪素を主成分とする炭化珪素質焼結体からなるときには、優れた耐久性や耐食性に加えて熱伝導率が高いことから、熱交換効率が向上する。また、炭化珪素質焼結体は、他のセラミックス、例えばアルミナと比べて比重が小さいことから、大型の流路部材10が必要な場合に軽量化を図ることもできる。
　なお、流路部材10を構成する各成分は、流路部材10から所定の大きさの試料を切り出し、Ｘ線回折法によって確認することができる。また、含有量については、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によるエネルギー分散型Ｘ線（ＥＤＳ）分析を行なうことによって確認することができる。また、ＩＣＰ発光分光分析法または蛍光Ｘ線分析法によっても含有量を確認することができる。
　図２は、本実施形態の流路部材の他の例として、第１壁部から第２壁部にわたって切断した状態を模式的に示す外観斜視図である。
　図２に示す本実施形態の流路部材20は、切断面における複数の流路口４の全てにおいて、隣り合う流路口４のうち一方が他方よりも第１壁部１側または第２壁部２側にずれて配置されている。つまり、図２に示す流路部材20においては、流路口４ａと４ｂとを見たときに、流路口４ｂが第１壁部１側にずれており、流路口４ｂと４ｃとを見たときに、流路口４ｃが第１壁部１側にずれており、流路口４ｃと４ｄとを見たときに、流路口４ｄが第１壁部１側にずれており、流路口４ｄと４ｅとを見たときに、流路口４ｅが第１壁部１側にずれている。
　このような構成とすれば、切断面において、全ての隣り合う流路のコーナー間に生じる応力集中をより緩和することができる。それにより、流路の破損をより抑制できるので、流路部材20の信頼性をさらに向上することができる。
　図３は、本実施形態の流路部材のさらに他の例として、第１壁部から第２壁部にわたって切断した状態を模式的に示す外観斜視図である。
　図３に示す本実施形態の流路部材30は、流路を構成する第１壁部１および第２壁部２のうち少なくとも一方の中央部が、流路側に向けて湾曲しており、図３においては第１壁部材１および第２壁部材２の両方の中央部が流路側に向けて湾曲している例を示している。
　このような構成とすれば、流路の表面積を広くすることができる。それにより、熱交換の対象となる部材と流体との熱交換の効率を向上することができる。さらに、例えば、図３において、流路における第１壁部材１と第３壁部材３とで構成されるコーナー部の角度θが鋭角となる。そのため、流路を構成する第１壁部１または第２壁部２の中央部が流路側に向けて湾曲していない場合と比べて、コーナーに生じる応力の向きを隣接する流路のコーナーではなく第１壁部１側へと向けることができる。それゆえ、隣接する流路のコーナー間で生じる応力集中が緩和され、流路の破損を抑制できることから、流路部材30の信頼性が向上する。
　なお、ここで言う中央部とは、切断面において、流路口４の幅寸法を均等に３等分したときの中央部分のことを指す。また、第１壁部１または第２壁部２の流路側への湾曲度合は、例えば、図３に示すＡの部分のように、第１壁部１側の流路口４のコーナー同士を結んだ線と、最も流路側に湾曲している部分の垂線の距離で表されるものである。なお、湾曲度合は、流路部材30の切断面を公知の光学顕微鏡やマイクロスコープなどを用いて測定することができる。なお、応力の向きを第１壁部１または第２壁部２の方へ向けるためには湾曲度合は0.01ｍｍ以上であることが好ましい。
　また、各流路口４は、流路口４の高さ（単一の流路口４において、第１壁部１側のコーナーを結んだ線の幅方向の中心と、第２壁部２側のコーナーを結んだ線の幅方向の中心との距離）寸法に対して80％以上99.8％以下の範囲内であることが好ましい。
　図４は、本実施形態の流路部材のさらに他の例として、第１壁部から第２壁部にわたって切断した状態を示す外観斜視図であり、（ａ）は、流路が、両端より中央に向かうにつれて漸次第１壁部側にずれている例であり、（ｂ）は、流路が、両端より中央に向かうにつれて漸次第２壁部側にずれている例である。
　図４に示す本実施形態の流路部材40は、切断面における複数の流路口４を全て見たときに、流路口４は、両端より中央に向かうにつれて漸次第１壁部１側または第２壁部２側にずれて配置されている。このような構成とすれば、全ての流路において、隣り合う流路のコーナー間に生じる応力集中が緩和でき、流路の破損をより抑制することができるとともに、熱交換の対象となる部材の温度分布が異なるものであるときには、温度分布を均一に近づけることができる。
　例えば、熱交換の対象となる部材が、第１壁部１上に設けられ、その部材の温度が周辺部よりも中央部側で高い場合、図４（ａ）に示すように、切断面における流路口４ａ～４ｃが、両端より中央に向かうにつれて漸次第１壁部１側にずれて配置されていることがよく、この場合、低温の流体を流路に流すことによって上記部材の中央部側の温度を低下させることができ、上記部材の温度分布を均一に近づけることができる。
　一方、例えば、熱交換の対象となる部材が第１壁部１上に設けられ、その部材の温度が中央部よりも周辺部で温度が高い場合、図４（ｂ）に示すように、切断面における流路口４ａ～４ｃが、両端より中央に向かうにつれて漸次第２壁部２側にずれて配置されていることがよく、この場合、低温の流体を流路に流すことによって上記部材の周辺部側の温度を低下させることができ、上記部材の温度分布を均一に近づけることができる。
　図５は、本実施形態の流路部材のさらに他の例として、第１壁部から第２壁部にわたって切断した状態を模式的に示す外観斜視図である。
　図５に示す本実施形態の流路部材50は、切断面における複数の流路口の全てを見たときに、流路口４ａ，４ｂは、１つおきに第１壁部１側または第２壁部２側に向けてずれて配置されている。このような構成とすれば、全ての隣り合う流路のコーナー間に生じる応力集中を緩和することができる。それにより、流路の破損を抑制できるので、流路部材50の信頼性を向上することができる。さらに、流路部材50の第１壁部１の主面１ａまたは第２壁部２の主面２ａからの物理的衝撃を分散させることができる。それにより、外部からの応力集中が少なくなり流路の破損を抑制できるので、流路部材50の信頼性が向上できる。
　図６は、本実施形態の流路部材のさらに他の例として、第１壁部および第２壁部に対して水平な断面を示す断面図であり、（ａ）は蛇行状の流路、（ｂ）はスパイラル状の流路である。
　図６に示す本実施形態の流路部材60は、切断面に、一方方向に並んで複数設けられている流路は、流路部材60中で連結されて一つの流路として形成されている。
　例えば、流入口が１箇所であり複数の流路に分配されるときには、流体が、流体に係る圧力が低い流路に流れやすい傾向があり、熱交換にムラを生じるおそれがある。これに対し、図６に示すように、流路部材60中で連結して一本の流路として形成されていれば、流体を流路の全体に効率よく流すことができる。それゆえ、熱交換の対象となる部材と流体との熱交換の効率を向上することができる。また、流路を図６（ａ）に示す蛇行状の流路５や、図６（ｂ）に示すスパイラル状の流路６を形成することによって、流路部材60の内部に流体を長く留まらせることができるので、熱交換を効率よく行なうことができる。
　また、本実施形態の流路部材10，20，30，40，50，60の第１壁部１および第２壁部２のうち少なくとも一方の表面または内部に金属部材を設けることにより、熱交換器とすることができる。
　このような熱交換器において、金属部材を設けた側の主面１ａまたは主面２ａに発熱部材を配置したときには、発熱部材により生じた熱が、金属部材に効率良く伝達され、その伝達された熱がさらに各壁部に伝達される。それにより、流路を流れる流体と効率よく熱交換することができ、本実施形態の流路部材10，20，30，40，50，60が、信頼性の高いものであることから、熱交換器についても信頼性の高いものとなる。なお、本実施形態の熱交換器においては、発熱部材としてＬＥＤ素子やパワー半導体などの発熱を有する電子部品を配置する場合に、特に有効である。
　図７は、本実施形態の熱交換器を備える半導体製造装置の一例を示す概略図である。
　この半導体製造装置200は、ウェハＷのプラズマ処理装置であり、ウェハＷが、本実施形態の流路部材10，20，30，40，50，60の第１壁部１の内部に金属部材11が設けられてなる熱交換器100に載置されている例を示している。そして、流路部材10，20，30，40，50，60は、流入口62に供給チューブ64が、流出口63に排出チューブ65が接続され、高温もしくは低温の気体または液体等の流体を、流路部材10，20，30，40，50，60の内部に有する流路を循環させることによってウェハＷの加熱または冷却を行なうものである。
　また、ウェハＷの上方にはプラズマを発生させるための上部電極12を備えるとともに、熱交換器100を構成する流路部材10，20，30，40，50，60の第１壁部１の内部にある金属部材11を、プラズマを発生させるための下部電極として利用し、この下部電極である金属部材11と上部電極12との間に電圧を印加することにより、下部電極である金属部材11と上部電極12と間に生じさせたプラズマをウェハＷに当てることができるようになっている。そして、熱交換器100が本実施形態の流路部材10，20，30，40，50，60を備えていることから、プラズマ処理する際に高温となる下部電極としての金属部材11を安定した温度に維持することができる。また、ウェハＷの温度も制御されることから、寸法精度の高い加工ができる。また、半導体製造装置200の金属部材11を複数に分割し、一方の電極と他方の電極からなる双極型の電極としても構わない。
　また、図７では金属部材11をプラズマ発生用の下部電極として用いた例を示したが、金属部材11に電流を流すことによって加熱すれば、流体の温度調整を行なうこともできる。
　さらに、第１壁部１を誘電体材料により形成し、金属部材11を静電吸着用の電極として用い、金属部材11に電圧を印加すれば、ウェハＷと誘電体層との間に生じるクローン力やジョンソン・ラーベック力などの静電吸着力によってウェハＷを吸着・保持することもできる。
　このように、本実施形態の熱交換器100は、信頼性の高い本実施形態の流路部材10，20，30，40，50，60の第１壁部１および第２壁部２のうち少なくとも一方の内部に金属部材11が設けられていることから、熱交換効率が高く、長期間の使用に耐え得る信頼性の高い熱交換器100とすることができる。
　そして、本実施形態の流路部材10，20，30，40，50，60は、上述したように、耐久性および耐食性に優れ信頼性が高く熱交換効率の高いものであることから、これを備える本実施形態の半導体製造装置200は、半導体素子の製造や検査に支障をきたすことの少ない好適な半導体製造装置とすることができる。また、本実施形態の半導体製造装置200としては、その一例を示す図７のプラズマ処理装置の他にスパッタ装置、レジスト塗布装置、ＣＶＤ装置やエッチング処理装置等があり、これらの装置においても本実施形態の流路部材10，20，30，40，50，60を備えることにより、上述した効果を得ることができる。
　以下、本実施形態の流路部材の製造方法の一例について示す。なお、以降の説明においては、図１～図６に示す形状に特化した場合を除き、流路部材には符号を付さず説明する。
　まず、流路部材の作製にあたって、第１壁部１と、それ以外の第２壁部２と第３壁部３とが一体に形成された凹部を有する基体（以下、単に基体とも記載する。）との成形体を得た後、接合剤を用いて第１壁部１と基体とを接合することによって流路部材となる成形体を得る工程について説明する。
　純度が90％以上であり平均粒径が１μｍ程度のセラミック原料を用意し、これに焼結助剤、バインダ、溶媒および分散剤等を所定量添加して混合したスラリーを噴霧造粒法（スプレードライ法）により噴霧乾燥して造粒し、１次原料とする。次に、噴霧乾燥して造粒した１次原料を所定形状のゴム型内へ投入し、静水圧プレス成形法（ラバープレス法）により成形し、その後、成形体をゴム型から取り外し、切削加工を施す。
　なお、この切削加工において、基体となる成形体については、外形や流路を構成する凹部を所望の形状に加工するとともに、流体の流入口および流出口を形成する。次に、流路部材の第１壁部１となる成形体は、静水圧プレス法やスラリーを用いてセラミックスの一般的な成形法であるドクターブレード法やスラリーを造粒した後にロールコンパクション成形法によって作製したグリーンシートを準備すればよい。なお、基体となる成形体と嵌合して流路を設けることができるように切削加工を施す。
　次に、第１壁部１となる成形体および基体となる成形体を接合する工程について説明する。接合に用いる接合剤としては、第１壁部１となる成形体および基体となる成形体の作製に用いたセラミック原料、焼結助剤、バインダ、分散剤および溶媒を所定量秤量して混合したスラリーからなる接合剤を用いることができる。そして、第１壁部１となる成形体および基体となる成形体の少なくとも一方の接合部にこの接合剤を塗布して合わせることにより、第１壁部１となる成形体と基体となる成形体とが一体化した接合成形体を得る。そして、この接合成形体をセラミック原料に応じた雰囲気中において焼成することにより、本実施形態の流路部材を得ることができる。
　また、製造方法の他の例としては、第１壁部１となる成形体および基体となる成形体をセラミック原料に応じた雰囲気中において焼成して、第１壁部１および基体の焼結体を得る。その後、ガラスからなる接合剤を用いて、第１壁部１および基体の焼結体の少なくとも一方の接合部にこの接合剤を塗布して一体化させ、熱処理することにより本実施形態の流路部材を得ることができる。
　次に、押出し成形法によって流路部材を作製する方法について説明する。
　所望の形状になるような金型を準備し、公知の押出し成形法によって流路部材となる成形体を得た後、焼成することによって、複数の流入口と流出口とを備えた流路部材とすることができる。
　また、成形体を得る工程の他の例としては、スラリーを用いてセラミックスの一般的な成形法であるドクターブレード法やスラリーを造粒した後にロールコンパクション成形法によりグリーンシートを形成し、金型により所望形状に打ち抜いた成形体を用いて積層するものであってもよい。
　例えば、その一例として、スラリーの作製方法としては、まず平均粒径が0.5μｍ以上２μｍ以下である炭化珪素粉末と、焼結助剤として炭化硼素およびカルボン酸塩の粉末とを準備する。そして、各粉末を、例えば、炭化珪素粉末100質量％に対して、炭化硼素粉末を0.12質量％以上1.4質量％以下、カルボン酸塩の粉末を１質量％以上3.4質量％以下となるように秤量して混合する。
　次に、この混合粉末とともに、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、アクリル樹脂またはブチラール樹脂等のバインダと、水と、分散剤とを、ボールミル、回転ミル、振動ミルまたはビーズミル等に入れて混合する。ここで、バインダの添加量としては、成形体の強度や可撓性が良好で、また、焼成時に成形用バインダの脱脂が不十分とならないようにすればよく、このようにして作製されたスラリーを用いればよい。
　このようにして作製したスラリーを用いてドクターブレード法でグリーンシートを作製するか、スラリーを造粒した後にロールコンパクション法でグリーンシートを作製すれば良い。そして、グリーンシートを所望の流路となるように複数積層すればよい。
　また、それぞれのグリーンシートの接合面には、グリーンシートを作製するときに用いたものと同様のスラリーを接合剤として塗布し、グリーンシートを積層したあとに、平板状の加圧具を介して約0.5ＭＰａ程度の圧力を加え、そのあとに、約50～70℃の室温で約10～15時間乾燥させる。
　次に、流路部材となる積層したグリーンシートを、例えば公知のプッシャー方式やローラー方式の連続トンネル炉、バッチ炉で焼成する。それぞれの材質により焼成温度は異なるが、例えば、炭化珪素が主成分の材料であれば、不活性ガスの雰囲気中または真空雰囲気中、1800～2200℃の温度範囲で10分～10時間保持した後、2200～2350℃の温度範囲で10分～20時間にて焼成すればよい。
　また、別な方法として、例えば上記のいずれかの製造方法で得られた成形体を焼成の際に弓形状の傾斜が存在する棚板の上に載置するか、弓形状の傾斜がある重りを成形体の上に載せることによって、成形体に反りを生じさせた状態で焼成し、第１壁部１側および第２壁部２側を研削加工または研磨加工することによって、流路部材の主面１ａ，３ａに対する流路の位置ずれを変化させてもよい。
　ここで、例えば、流路部材の第１壁部１および第２壁部２のうち少なくとも一方に金属部材11を形成するためには、アルミニウムや銅を公知の印刷法で形成するか、蒸着法で形成するか、アルミニウム板や銅板を活性金属法やロウ付け法を用いて接合するか、第１蓋部１に孔を形成してこの孔部にアルミニウムや銅を充填すればよい。このように形成することによって熱交換器100を得ることができる。
　以上のようにして得られた本実施形態の流路部材は、隣接する流路同士が第１壁部１または第２壁部２に向けてずれて配置されている流路を有することにより、隣接する流路のコーナー間での応力集中が緩和され、流路が破損しにくいため、信頼性が向上した流路部材とすることができる。また、特に半導体製造装置200が本実施形態の流路部材を有する熱交換器100を備えることにより、信頼性の高い半導体素子の製造や検査を行なうことができる。
　１：第１壁部
　１ａ：第１壁部の主面
　２：第２壁部
　２ａ：第２壁部の主面
　３：第３壁部
　４，４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ：流路口
　５，６：流路
　10，20，30，40，50，60：流路部材
　61：ウェハ
　62：流入口
　63：流出口
　64：供給チューブ
　65：排出チューブ
　100：熱交換器
　200：半導体製造装置

Claims (7)

  1. 　第１壁部と、第２壁部と、前記第１壁部と前記第２壁部との間に設けられた第３壁部とを備え、
    前記第１壁部と前記第２壁部と前記第３壁部とで構成された内部が、流体が流れる流路としてなり、前記第１壁部から前記第２壁部にわたって切断したときの切断面に、前記流路の流路口が一方方向に並んで複数設けられており、
    隣り合う前記流路口のうち一方が他方よりも前記第１壁部側または前記第２壁部側にずれて配置されていることを特徴とする流路部材。
  2. 　前記切断面における前記複数の流路口の全てにおいて、隣り合う流路口のうち一方が他方よりも前記第１壁部側または前記第２壁部側にずれて配置されていることを特徴とする請求項１に記載の流路部材。
  3. 　前記流路を構成する前記第１壁部および前記第２壁部のうち少なくとも一方の中央部が、流路側に向けて湾曲していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の流路部材。
  4. 　前記切断面における前記複数の流路口の全てを見たときに、前記流路口は、両端より中央に向かうにつれて漸次前記第１壁部側または前記２壁部側にずれて配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３に記載の流路部材。
  5. 　前記切断面における前記複数の流路口の全てを見たときに、前記流路口は、１つおきに前記第１壁部側または前記第２壁部側にずれて配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３に記載の流路部材。
  6. 　請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の流路部材の前記第１壁部および前記第２壁部のうち少なくとも一方の表面または内部に金属部材が設けられていることを特徴とする熱交換器。
  7. 　請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の流路部材の前記第１壁部および前記第２壁部のうち少なくとも一方の内部に金属部材が設けられている熱交換器を備えるとともに、前記金属部材がウェハを吸着するための電極であることを特徴とする半導体製造装置。
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