JP2017532597A - リソグラフィツール用のコンポーネント、リソグラフィ装置、検査ツール、及びデバイス製造の方法 - Google Patents

リソグラフィツール用のコンポーネント、リソグラフィ装置、検査ツール、及びデバイス製造の方法 Download PDF

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Abstract

リソグラフィツール用のコンポーネントを提供する。コンポーネントは、１次表面（５３）を有する部材（５０）と、部材内に定義され圧力下で流体を受け取るように構成されたコンジット（５１）と、部材内にありコンジットと１次表面との間に配置された圧縮可能領域（５２ａ、５２ｂ）と、圧縮可能領域とコンジットとの間の変形可能領域（５５）と、を備え、圧縮可能領域及び変形可能領域は、流体の圧力から結果的に生じる部材の局所的変形に適応するように構成される。【選択図】図４Ｂ

Description

関連出願の相互参照
[0001] 本願は、２０１４年１０月２８日出願の、欧州出願第１４１９０５９９．２号の利益を主張するものであり、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
[0002] 本発明は、リソグラフィツール用のコンポーネント、リソグラフィ装置、検査ツール、及び、リソグラフィ装置を使用するデバイスデバイス製造の方法に関する。
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に、適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。
[0004] 半導体業界では、基板上に形成可能な集積回路において、デバイス、例えばトランジスタの密度を上げることに対して強い圧力がかけられている。密度の上昇を達成するためには、リソグラフィ装置及びプロセスの確度及び精度を向上させなければならない。例えば、デバイスを形成するために、通常は、非常に高い配置確度でいくつかのパターンを連続して基板に印加する必要がある。パターン間の配置誤差はオーバーレイと呼ばれ、最大許容オーバーレイは、特に複数のパターニングステップを用いて形成しなければならない層の場合、わずか数ナノメータに過ぎないことがあり得る。
[0005] リソグラフィ装置内には様々なコンポーネントが存在し、その物理的なサイズ又は形状が、コンポーネントによって形成されるデバイスの確度に直接的又は間接的に影響を与える。その例には、パターンが印加される基板を保持する基板テーブル、及び投影システム内のリフレクタが含まれる。これら及び他のコンポーネントをそれらの公称のサイズ及び／又は形状で維持するために、コンポーネントを特定温度で維持するための温度制御システムを提供することが一般的である。また、１つのコンポーネント、例えば基板テーブルを、それ自体には温度制御システムを提供することができない別のコンポーネント、例えば基板の温度に影響を与えるために、一定の温度で維持することができる。しかしながら、この点における改良が望ましい。
[0006] リソグラフィ装置における温度制御システムは、熱伝達流体、例えば水を、温度が制御されるべきコンポーネントの近く又は内部にあるコンジットを介して循環させることによって、動作可能である。熱伝達流体の温度は、例えばヒーター又はクーラーを含む、温度制御デバイスによって正確に制御される。コンポーネントと熱伝達流体との間の熱伝達の効率を最大化するために、コンポーネント部材の本体内にコンジットを埋め込むことができる。例えばコンジットは、部材本体の材料によって直接形成することができる。
[0007] コンポーネントのコンジット内の流体、例えば熱伝達流体の圧力は、結果としてそのコンポーネントの望ましくない変形を生じさせ得ることがわかってきている。したがって、コンポーネントの変形を回避又は低減させるリソグラフィ装置のコンポーネントの温度を制御するための構成を提供することが望ましい。
[0008] 本発明の態様に従い、
１次表面を有する部材と、
部材内に定義され圧力下で流体を受け取るように構成されたコンジットと、
部材内にありコンジットと１次表面との間に配置された圧縮可能領域と、
圧縮可能領域とコンジットとの間の変形可能領域と、を備え、
圧縮可能領域及び変形可能領域は、流体の圧力から結果的に生じる部材の局所的変形に適応するように構成される、
コンポーネントを有する、リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法が提供される。
[0009] 本発明の態様に従い、リソグラフィツールのためのコンポーネントが提供され、コンポーネントは、
１次表面を有する部材と、
部材内に定義され圧力下で流体を受け取るように構成されたコンジットと、
部材内にありコンジットと１次表面との間に配置された圧縮可能領域と、
圧縮可能領域とコンジットとの間の変形可能領域と、を備え、
圧縮可能領域及び変形可能領域は、流体の圧力から結果的に生じる部材の局所的変形に適応するように構成される。
[0010] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
[0011]リソグラフィ装置を概略的に示す図である。 [0012]リソグラフィ装置内で使用するための液体閉じ込め構造を概略的に示す図である。 [0013]実施形態に従ったさらなる液体供給システムを概略的に示す、垂直断面図である。 [0014]部材内の従来のコンジットを概略的に示す図である。 [0014]本開示の教示が適用されたコンジットを概略的に示す図である。 [0015]本発明の教示が適用されたコンジットの近くに生じる力を概略的に示す図である。 [0016]変形可能壁内に生じる力を概略的に示す図である。 [0017]実施形態に従った基板テーブルを概略的に示す図である。 [0018]実施形態に従ったリフレクタを概略的に示す図である。 [0019]従来のコンジットを有するコンポーネントと、本開示の教示が適用されたコンジットを有するコンポーネントと、を比較するシミュレーション結果を示す図である。 [0019]従来のコンジットを有するコンポーネントと、本開示の教示が適用されたコンジットを有するコンポーネントと、を比較するシミュレーション結果を示す図である。 [0019]従来のコンジットを有するコンポーネントと、本開示の教示が適用されたコンジットを有するコンポーネントと、を比較するシミュレーション結果を示す図である。 [0019]従来のコンジットを有するコンポーネントと、本開示の教示が適用されたコンジットを有するコンポーネントと、を比較するシミュレーション結果を示す図である。 [0019]従来のコンジットを有するコンポーネントと、本開示の教示が適用されたコンジットを有するコンポーネントと、を比較するシミュレーション結果を示す図である。 [0019]従来のコンジットを有するコンポーネントと、本開示の教示が適用されたコンジットを有するコンポーネントと、を比較するシミュレーション結果を示す図である。 [0019]従来のコンジットを有するコンポーネントと、本開示の教示が適用されたコンジットを有するコンポーネントと、を比較するシミュレーション結果を示す図である。 [0019]従来のコンジットを有するコンポーネントと、本開示の教示が適用されたコンジットを有するコンポーネントと、を比較するシミュレーション結果を示す図である。 [0019]従来のコンジットを有するコンポーネントと、本開示の教示が適用されたコンジットを有するコンポーネントと、を比較するシミュレーション結果を示す図である。 [0019]従来のコンジットを有するコンポーネントと、本開示の教示が適用されたコンジットを有するコンポーネントと、を比較するシミュレーション結果を示す図である。
[0020] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又は任意の他の適切な放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に配置するように構成された第１の位置決めデバイスＰＭに接続された支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、を含む。この装置は、また、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、一定のパラメータに従って基板Ｗを正確に配置するように構成された第２の位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴ又は「基板支持体」を含む。この装置はさらに、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上にパターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢへ付与されたパターンを投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳを含む。
[0021] 照明システムＩＬは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型コンポーネント、反射型コンポーネント、磁気型コンポーネント、電磁型コンポーネント、静電型コンポーネント、又はその他のタイプの光学コンポーネント、或いはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
[0022] 支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを支持、すなわちその重量を支えている。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
[0023] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームＢに付与されるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板Ｗのターゲット部分Ｃにおける所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームＢに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
[0024] パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフトマスク、ハーフトーン型（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
[0025] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
[0026] 本明細書で示すように、本装置は、（例えば透過マスクを使用する）透過タイプである。或いは、装置は、（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）反射タイプでもよい。
[0027] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上のステージ又はテーブルを有するタイプであってもよい。少なくとも１つのテーブルは、基板を保持することができる基板支持体を有する。少なくとも１つのテーブルは、基板を保持するように構成されていない測定テーブルであってもよい。一実施形態では、２つ以上のテーブルのそれぞれが基板支持体を有する。リソグラフィ装置は、２つ以上のパターニングデバイステーブル又は「マスク支持体」を有してもよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ以上の他のテーブルを露光に使用している間に１つ以上のテーブルで予備工程を実行することができる。
[0028] リソグラフィ装置は、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の液浸空間を充填するように、基板Ｗの少なくとも一部が、相対的に高い屈折率を有する液体、例えば超純水（ＵＰＷ）などの水によって覆われ得るタイプである。液浸液は、リソグラフィ装置内の他の空間、例えばパターニングデバイスＭＡと投影システムＰＳとの間などにも印加可能である。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために使用することができる。本明細書で使用する「浸漬」という用語は、基板Ｗのような構造物を液体中に沈めなければならないことを意味するものではなく、むしろ「液浸」とは、露光中に液体が投影システムＰＳと基板Ｗとの間に位置することのみを意味する。投影システムＰＳから基板Ｗへのパターニングされた放射ビームの経路は、完全に液体を通る。例示の実施形態として液浸タイプのリソグラフィ装置が説明されているが、本発明は非液浸のリソグラフィ装置にも適用される。
[0029] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプの場合は、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
[0030] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するように設定されたアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータＩＬは着脱式であり、（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）別に提供されてもよい。
[0031] 放射ビームＢは、支持構造ＭＴ（例えば、マスクテーブル）上に保持されたパターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク）に入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡによってパターン形成された投影ビームＢは、パターン形成されたビームと呼ぶことができる。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２の位置決めデバイスＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。
[0032] 一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１の位置決めデバイスＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」の移動は、第２の位置決めデバイスＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。
[0033] パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして周知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
[0034] リソグラフィ装置は、説明する様々なアクチュエータ及びセンサのすべての移動及び測定を制御する、リソグラフィ装置制御ユニット５００をさらに含む。リソグラフィ装置制御ユニット５００は、リソグラフィ装置の動作に関連する望ましい計算を実施するための信号処理及びデータ処理機能も含む。実際には、リソグラフィ装置制御ユニット５００は、各々が、リソグラフィ装置内のサブシステム又はコンポーネントのリアルタイムデータの獲得、処理、及び制御を取り扱う、多くのサブユニットのシステムとして実現されることになる。例えば１つの処理サブシステムを、第２の位置決めデバイスＰＷのサーボ制御専用とすることができる。別々のユニットが、異なるアクチュエータ又は異なる軸を取り扱うことができる。別のサブユニットを、位置センサＩＦの読み取り専用とすることができる。リソグラフィ装置の全体制御を、中央処理ユニットによって制御することができる。中央処理ユニットは、サブユニットと、オペレータと、及び、リソグラフィ製造プロセスに関与する他の装置と、通信することができる。
[0035] 投影システムＰＳの最終光学要素と基板Ｗとの間に液体を提供するための構成を、３つの一般的なカテゴリに分類することができる。これらは、バスタイプ構成、いわゆる局所液浸システム、及びオールウェット液浸システムである。本発明の実施形態は、特に局所液浸システムに関する。
[0036] 局所液浸システムに対して提案された構成において、液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終光学要素ＦＥと、投影システムＰＳに対向するステージ又はテーブルの対向面と、の間の液浸空間１０の境界の少なくとも一部に沿って延在する。テーブルの対向面がそのように呼ばれるのは、テーブルが使用中に移動され、まれに固定されるためである。一般に、テーブルの対向面は、基板Ｗ、基板Ｗを取り囲む基板テーブルＷＴ、又はその両方の表面である。こうした構成が図２に示されている。図２に示され以下で説明する構成は、上記で説明し図１に示されるリソグラフィ装置に適用可能である。
[0037] 図２は、液体閉じ込め構造１２を概略的に示す。液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終光学要素ＦＥと、基板テーブルＷＴ又は基板Ｗと、の間の液浸空間１０の境界の少なくとも一部に沿って延在する。実施形態において、液体閉じ込め構造１２と基板Ｗ／基板テーブルＷＴの表面との間にシールが形成される。シールは、気体シール１６（気体シールを備えるこうしたシステムは、欧州特許出願公開第ＥＰ−Ａ−１，４２０，２９８号に開示される）又は液体シールなどの、非接触シールであり得る。
[0038] 液体閉じ込め構造１２は、液浸液を液浸空間１０に供給し、閉じ込めるように構成される。液浸液は、液体開口１３のうちの１つ、例えば開口１３ａを介して液浸空間１０に運ばれる。液浸液は、液体開口１３のうちの１つ、例えば開口１３ｂを介して除去され得る。液浸液は、少なくとも２つの液体開口１３、例えば開口１３ａ及び開口１３ｂを介して液浸空間１０内に運ばれ得る。液浸液を供給するためにどちらの液体開口１３が使用されるか、及び、任意選択で液浸液を除去するためにどちらが使用されるかは、基板テーブルＷＴの動きの方向に依存し得る。
[0039] 液浸液は、使用中、液体閉じ込め構造１２の底部とテーブルの対向面（すなわち、基板Ｗの表面及び／又は基板テーブルＷＴの表面）との間に形成される気体シール１６によって、液浸空間１０内に包含され得る。気体シール１６内の気体は、加圧下で、気体注入口１５を介して、液体閉じ込め構造１２と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴとの間のギャップに提供される。気体は、気体排出口１４に関連付けられたチャネルを介して抽出される。気体注入口１５への過圧、気体排出口１４の真空レベル、及びギャップのジオメトリは、液体を閉じ込める内向きの高速気体フローが存在するように構成される。液体閉じ込め構造１２と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴとの間の液体にかかる気体の力が、液体を液浸空間１０内に包含する。メニスカス１７が液浸液の境界を形成する。こうしたシステムは、米国特許出願公開第ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。本発明の実施形態とともに他の液体閉じ込め構造１２が使用可能である。
[0040] 図３は、実施形態に従ったさらなる液体供給システム又は流体ハンドリングシステムを示す、垂直断面図である。図３に示され以下で説明する構成は、上記で説明し図１に示されるリソグラフィ装置ＬＡに適用可能である。液体供給システムには、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する、液体閉じ込め構造１２が提供される。（以下の文における基板Ｗの表面への言及は、特に明確に示されていない限り、追加又は代替として基板テーブルＷＴの表面も指している。）
[0041] 液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴ及び／又は基板Ｗとの間の液浸空間１０内に、少なくとも部分的に液体を包含する。空間１０は、投影システムＰＳの最終要素の下でこれを取り囲んで位置決めされた液体閉じ込め構造１２によって、少なくとも部分的に形成される。実施形態において、液体閉じ込め構造１２は主本体部材６３及び多孔質部材８３を備える。多孔質部材８３は板状であり、複数のホール８４（すなわち、開口又は細孔）を有する。実施形態において、多孔質部材８３は、多数の小さいホール８４がメッシュ内に形成されたメッシュ板である。こうしたシステムが、米国特許出願公開第ＵＳ２０１０／００４５９４９Ａ１に開示されている。
[0042] 主本体部材６３は、液浸空間１０に液体を供給することが可能な１つ以上の供給ポート７２と、液浸空間１０から液体を回収することが可能な回収ポート７３と、を備える。１つ以上の供給ポート７２は、通路７４を介して液体供給装置７５に接続される。液体供給装置７５は、１つ以上の供給ポート７２に液体を供給することができる。液体供給装置７５からフィードされた液体は、対応する通路７４を介して１つ以上の供給ポート７２に供給される。１つ以上の供給ポート７２は、光路に面した主本体部材６３のそれぞれの既定の位置で光路の近くに配設される。回収ポート７３は、液浸空間１０から液体を回収することができる。回収ポート７３は、通路７９を介して液体回収装置８０に接続される。液体回収装置８０は真空システムを備え、回収ポート７３を介して吸い上げることによって液体を回収することができる。液体回収装置８０は、通路７９を通り回収ポート７３を介して回収された液体を回収する。多孔質部材８３は回収ポート７３内に配設される。
[0043] 実施形態において、投影システムＰＳと、一方の側の液体閉じ込め構造１２及び他方の側の基板Ｗと、の間に液体を伴う液浸空間１０を形成するために、１つ以上の供給ポート７２から液浸空間１０へと液体が供給され、液体閉じ込め構造１２の回収チャンバ８１内の圧力は、多孔質部材８３のホール８４（すなわち、回収ポート７３）を介して液体を回収するように、負圧に調整される。１つ以上の供給ポート７２を使用する液体供給動作及び多孔質部材８３を使用する液体回収動作を実行することで、投影システムＰＳと、液体閉じ込め構造１２及び基板Ｗと、の間に液浸空間１０を形成する。
[0044] リソグラフィ装置において、いくつかのコンポーネントの精密な寸法及び／又は形状が、基板にパターンを付与するプロセスに影響を与える。例えば、基板支持体（基板ホルダと呼ばれる場合もある）の外部寸法及び表面輪郭（平坦性）は、イメージングステップの位置確度に影響を与える。基板ホルダの寸法における任意の不正確さ又は変化が、オーバーレイエラーを生じさせる可能性がある。基板ホルダの平坦性における任意の不正確さ又は変化が、局所的フォーカスエラーを生じさせる可能性がある。寸法及び／又は形状がクリティカルなコンポーネントの別の例が、反射又は反射屈折投影システムにおけるリフレクタである。リフレクタの配向又はリフレクタの表面の局所角度における任意のエラー又は変化が、基板上の像を誤配置又は歪曲させる結果となる可能性がある。精密な形状及び／又は寸法が重要なリソグラフィ装置のコンポーネントの他の例に、基準フレーム、光学支持体システム、又はレチクル支持体が含まれる。
[0045] リソグラフィ装置のコンポーネント並びに投影ビームの経路の、非常に精密な温度制御を提供することが知られている。寸法及び／又は形状がクリティカルであるコンポーネントの熱膨張又は収縮を防ぐため、並びに、露光される基板の温度変動を最小限にするか又は削減するために、温度制御が提供される。リソグラフィ装置内の気体（例えば、極端にクリーンな乾燥した空気）の温度制御と同様の、温度制御のための既知の手法は、リソグラフィ装置の様々なコンポーネント内のコンジットを介して、熱伝達流体（例えば水）を循環させることである。熱伝達流体の循環は、隣接するコンポーネントの温度を制御することが可能であり、同様に、コンジットが提供されたコンポーネントの温度も制御する。非常に厳密な温度仕様を満たすために、熱伝達流体はしばしば高いフローレートで循環される。コンポーネント内に提供されるコンジットは、熱伝達流体がコンポーネントのすべての関連部分の近くを流れることを保証するために、しばしば波状セクションを含む複雑な経路を有し得る。したがって、望ましいフローレートを達成するために、熱伝達流体はしばしば、例えば大気圧よりも約２バール上の上昇した圧力で提供される。
[0046] リソグラフィ装置のコンポーネントのコンジット内の流体、例えば熱伝達流体の圧力が、コンポーネントの寸法及び／又は形状に変化を生じさせる可能性があることがわかってきている。コンポーネントの寸法及び／又は形状の変化は、流体の圧力の変動に起因して経時的に変動する可能性がある。流体の圧力の変化は、温度制御に必要な流体のフローレートの変化によって、及び／又はコンポーネントの移動によって、生じ得る。コンポーネントが複数のコンジット又は波状コンジットを含む場合、各コンジット又はコンジットのセクションによって生じる寸法及び／又は形状の変化は累積される可能性がある。寸法及び／又は形状がクリティカルなリソグラフィ装置のコンポーネントは、非常に堅い材料で形成され得る。コンポーネントの寸法及び／又は形状における圧力誘起による変化は、リソグラフィプロセスで必要な高水準の精度で有意であり得る。圧力誘起による変化の影響は、以下で考察するように、特定のコンポーネントに依存する。
[0047] 図４Ａは、従来型のコンジット５１を有する部材５０を有するコンポーネントを示す。コンジット内の圧力Ｐは、圧力Ｐ、コンジット高さ、及びコンジット長さの積に等しい水平膨張力ＦＨＥを与える。コンジット５１は、製造し易い形状である角丸のほぼ正方形として示されているが、コンジットは任意の断面形状であってよく、水平膨張力はコンジットの断面形状ではなく、コンジットの高さ及び長さのみに依存することに留意されたい。定常状態において、コンジット５１内の流体の圧力によって生じる水平膨張力ＦＨＥは、コンジットの上及び下の部材５０の材料内の水平張力ＦＨＴによる抵抗を受ける。この文脈における水平、上、及び下という用語は、図面内の構成のみを説明するものであり、コンポーネントはその機能に適した配向で構成できることに留意されたい。水平膨張力ＦＨＴは、コンポーネント５０が形成される材料の弾性特性から生じるものであり、したがって、コンポーネントが水平に膨張した後でのみ生じる。コンジット５１内の圧力Ｐは垂直膨張力ＦＶＥも与え、これが部材をコンジット５１の上及び下に偏向させることになり、部材５０の表面に外部から検出可能な変形を生じさせる場合がある。
[0048] もちろん、コンジット５１内の圧力Ｐに起因する部材５０の膨張及び表面変形は、部材５０をより堅い材料で作ること、又はより厚くすることによって低減させることができる。しかしながら、低い熱膨張係数及び高い熱伝導性を有することなどの、部材５０に関する他の要件は、材料の選択を制限する。コンジット５１の上及び下の部材５０の厚みを増大させることで、部材５０の質量が増加し、例えば、コンポーネントを位置決めするためにより強力なモーターを提供することが必要になり得る。また、部材５０の厚みを増大させることで、温度制御構成の有効性に悪影響を及ぼし、これによって熱伝達流体のフローレート及び圧力を増加させることが必要になり得る。
[0049] 図４Ｂに示されるように、コンジット５１に近い部材５０内に１つ以上の圧縮可能領域５２ａ、５２ｂを提供することによって、圧力誘起による部材５０の変形を制御、例えば低減又は消去することができる。第１の圧縮可能領域５２ａは、コンジット５１と部材５０の上面５３との間の部材５０本体内に提供される。第２の圧縮可能領域５２ｂは、コンジット５１と部材５０の下面５４との間の部材５０本体内に提供される。圧縮可能領域５２ａ、５２ｂは、部材５０の本体内で空隙又はスリットの形を取ることが可能であるか、又は部材５０の主本体とは異なる材料で形成され得る。異なる材料は、部材５０の本体が構築される材料の体積弾性率よりも低い、例えば１０分の１未満の体積弾性率を有し得る。異なる材料は、例えばポリマーであってよい。間隙は、例えば１０ｋＰａ未満の圧力まで吸引するか、又は、間隙の有効弾性率を低下させ、部材の機械的挙動を予測可能にするために、外部大気と流体連絡することができる。
[0050] コンジット５１と圧縮可能領域５２ａ、５２ｂとの間に、変形可能領域、例えばコンジット壁５５が形成される。コンジット壁５５は、部材５０の本体と同じ材料で、又は同様の剛性又はより堅い異なる材料で、形成可能である。変形可能領域は、低剛性材料で作られていることが原因ではなく、その寸法、特にその厚みによって変形可能である。変形可能領域に好適な寸法は、とりわけ、部材５０の材料、変形可能領域の材料（異なる場合）、及びコンジット５１内の期待圧力に依存することになる。例として、変形可能領域は、その最も狭い地点で０．２ｍｍから１．０ｍｍの範囲内の厚みを有し得る。圧縮可能領域５２ａ、５２ｂの効果は、コンジット５１内の圧力が、コンジット壁５５を圧縮可能領域５２ａ、５２ｂ内に変形させることである。これは、部材５０の寸法及び／又は形状における圧力誘起による変化に対抗する２つの効果を有する。
[0051] 第１に、コンジット壁５５が変形すると、その弾性特性は、コンジット５１内の圧力Ｐによって生じる水平膨張力ＦＨＥに抵抗するために内部に水平張力ＦＨＴを生成する。したがってコンジット壁５５内の水平張力ＦＨＴは、部材５０が膨張するのを防ぐ。水平膨張力はコンジット壁５５内の水平張力ＦＨＴによって妨げられるため、圧縮可能領域５２ａの上及び圧縮可能領域５２ｂの下の部材５０の部分には張力がかからず、したがって膨張しない。
[0052] 第２に、コンジット壁５５の垂直変形は圧縮可能領域５２ａ、５２ｂによって調整されるため、部材５０の上面５３及び下面５４にまで変形が伝達されない。
[0053] コンジット５１の近くの圧縮可能領域及び変形可能領域の効果は、図５及び図６を参照することで理解できよう。図５は、幅Ｗ１、高さＨ１、及び長さＬ１を有するコンジット５１の部分断面を示す。コンジット５１は、その長さＬ１に垂直な矩形の断面を有する。圧縮可能領域５２がコンジット５１の近くに提供され、幅Ｗ２、高さＨ２、及び長さＬ２を有する。実施形態において、圧縮可能領域５２の幅Ｗ２はコンジット５１の幅Ｗ１に等しい。しかしながら、Ｗ２はＷ１よりも大きいか又は小さくてもよい。圧縮可能領域５２の幅Ｗ２がコンジット５１の幅Ｗ１よりも大幅に小さい場合、本発明は、部材５０の変形を防ぐのに十分に効果的でない可能性はあるが、依然として変形を有用に低減し得る。圧縮可能領域５２の幅Ｗ２がコンジット５１の幅Ｗ１よりも大きい場合、本発明は依然として効果的であるが、部材５０の不必要な弱体化、及び／又は、部材５０の表面とコンジット５１内の流体との間の熱伝導の不必要な低減が存在し得る。実施形態において、幅Ｗ２は幅Ｗ１の１２０％未満、望ましくは１１０％未満である。実施形態において、幅Ｗ２は幅Ｗ１の８０％以上、望ましくは９０％以上である。
[0054] 同様に、圧縮可能領域５２の長さＬ２は、望ましくはコンジット５１の長さＬ１に等しい。しかしながら、部材５０の変形がクリティカルでないか又は圧縮可能領域よりもクリティカルでない、部材５０の部分が存在する場合、これらの部分は省略可能である。コンジット５１と圧縮可能領域５２との間の距離Ｈ３は、実施形態において前述のように決定される。距離Ｈ３は、実際上、変形可能領域の厚みである。変形可能領域の厚みは、その幅全体にわたって一定である必要はない。例えば、変形可能領域は縁部よりも中央の方が薄い場合がある。
[0055] 前述のように、コンジット５１内の圧力Ｐは、以下の式によって得られる水平膨張力ＦＨＥを発生させる。
ＦＨＥ＝Ｐ・Ｌ１・Ｈ１
[0056] 同様に、以下の式によって得られる垂直膨張力が生成される。
ＦＶＥ＝Ｐ・Ｌ１・Ｗ１
[0057] 簡潔にするために、２本のロッド５５１がピボット５５２によって一方の端部で接合され、他方の端部５５３がコンジット５１のいずれかの側で部材５０に固定されるように、コンジット壁５５をモデル化することができる。この構成は図６に示されている。垂直膨張力ＦＶＥがピボット５５２に印加されると想定すると、ピボットは固定ポイント５５３を結ぶ直線から離れて移動することになり、ロッド５５１を伸長させ、ロッド５５１内に水平張力ＦＨＴを生じさせる。以下のように、ロッド５５１が角度θまで偏向された時に、定常状態が発生することになる。
ＦＶＥ＝ＦＨＴ・ｓｉｎθ
[0058] 水平張力ＦＨＴは、コンジット壁５５の材料の剛性及びその寸法に関する比例定数で、ｃｏｓθに反比例する。したがって、コンジット壁５５が、例えばＳｉＳｉＣ又は他のセラミクスなどの適度に高い剛性を有する材料で作られている場合、コンジット壁５５の厚みＨ３は非常に薄いが、依然としてコンジット壁５５の偏向が小さいことによって大きな水平張力ＦＨＴを生成させることが可能である。明らかに、本教示の実際の実施形態は、図６によってモデル化される挙動よりも複雑な挙動を示すことになるが、有限要素分析法などの方法を用いて、圧縮可能領域５２及び変形可能領域（すなわち、コンジット壁５５）にとって好適な寸法を容易に決定することができる。
[0059] 図７は、本発明の実施形態に従った基板ホルダＷＨの断面を示す。基板ホルダＷＨはリソグラフィ装置内で基板Ｗを支持し、それ自体は基板テーブルＷＴによって支持される。基板ホルダＷＨは、複数のバール１０２が突出する上面１０１を有する主本体１００を備える。主本体１００は部材５０の一例である。バール１０２の遠位端は、基板Ｗを平坦な状態で支持するように、平坦面に非常に正確に一致する。例えば、基板Ｗと基板ホルダＷＨとの間の空間内への気体のフローを制御するための周囲壁１０３を含む、基板ホルダＷＨの上面１０１からの他の突起が存在する。基板ホルダＷＨ内には、例えば、基板ホルダへの基板Ｗのロード及びアンロードのプロセスで使用されるｅピンを収容するため、並びに、基板Ｗをクランプするために基板Ｗと基板ホルダＷＨとの間の空間の吸引に使用するための、図示されていない様々なアパーチャが提供可能である。真空による基板Ｗのクランピングの代わりに、基板ホルダＷＨには静電クランプを形成するための電極が提供可能である。基板ホルダＷＨには、上面１０１上に、例えば抵抗ヒーター又は温度センサなどの電子コンポーネントを提供することもできる。基板ホルダＷＨは、基板テーブルＷＴの凹部から間隔を空けて基板ホルダＷＨの主本体１００を配置するように複数のバール１０５も提供される、下面１０４を有することができる。
[0060] 基板ホルダＷＨの形状及び寸法は、基板Ｗの適切なパターニングにとってクリティカルである。上面１０１が変形すると、その変形が基板Ｗに転移され、基板Ｗの不適切なパターニングにつながる可能性がある。したがって上面１０１は、基板ホルダＷＨの１次表面であるべきとみなし得る。例えば、基板ホルダＷＨがＸＹ面の方向（すなわち、露光中の投影ビームの光軸に対して直角）に膨張する場合、この膨張はバール１０２を介して基板Ｗに転移され、結果として基板上のパターンの不正確な配置、すなわち、オーバーレイエラーを生じさせることになる。同様に、基板ホルダＷＨの上面１０１の局所的歪曲は、バール１０２を介して基板Ｗに転移され、結果として基板の局所的非平坦性を生じさせることになる。この局所的非平坦性は、フォーカススポットと呼ばれることのある、局在フォーカスエラーにつながる可能性がある。
[0061] 基板ホルダＷＨを使用中、一定温度で維持し、それによって基板Ｗの温度も制御するために、基板ホルダＷＨの主本体１００内に１つ以上のコンジット５１が提供される。実施形態において、主本体１００のすべての部分がコンジット５１の望ましい範囲内にあるように、複数のコンジット５１、又は複雑な経路を備える単一のコンジットが存在する。したがって、所与の断面は、主本体１００を介して複数のコンジット５１又は同じコンジット５１と数回交差することができる。熱伝達流体は、基板ホルダＷＨの温度制御を有効にするために、温度制御システムＴＣＳによってコンジット５１を介して循環される。熱伝達流体は、例えば水であり得、所望の範囲内、例えばプラスマイナス１０−４Ｋの範囲内の所望の温度で維持される。コンジット５１を介した所望のフローレートを達成するために、熱伝達流体は、大気より例えば約１又は２バール高い圧力で、コンジット５１に供給される。コンジット５１内の熱伝達流体の圧力は、いくつかの理由で変動する場合がある。例えば、温度制御を向上させるために熱伝達流体のフローレートを変更させることが必要な場合がある。さらに、基板テーブルＷＴの移動に起因して、熱伝達流体の圧力が変動する場合がある。
[0062] コンジット５１内の熱伝達流体の圧力及び／又はその変動、基板ホルダＷＨの変形を防ぐために、本開示の教示に従って、コンジット５１の上及び下に圧縮可能領域５２ａ、５２ｂが提供される。圧縮可能領域５２ａ、５２ｂは、コンジット５１と同じ幅を有し、その全体長さに沿って延在する、スリットの形を取ることができる。圧縮可能領域５２ａ、５２ｂは、それらの長さに沿った１つ以上のポイントで通気口５６を介して、基板ホルダＷＨの上又は下の空間と、流体連絡することができる。変形可能領域５５ａ、５５ｂは、圧縮可能領域５２ａ、５２ｂとコンジット５１との間に形成される。
[0063] 従来の内部コンジットを備える基板ホルダは、主本体の中央線に沿って共に接着される２つの部分で主本体１００を形成することによって製造可能である。各部分において、コンジット５１の半分又は各々は、材料を成形すること又は除去することによって形成される。本開示の教示に従った追加のスリットを有する基板ホルダＷＨは、図７に示される点線に沿って互いに接着される、４つの部分１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、及び１００ｄ内に主本体１００を形成することによって製造可能である。代替として、実施形態に従った基板ホルダＷＨが、追加の製造技法によって製造可能である。
[0064] 基板ホルダＷＨの上面１０１は、その変形が、基板ホルダＷＨ上で保持される基板Ｗのパターニングに影響を与えることから、基板ホルダＷＨの１次表面と見なされる。下面１０４も、その変形が同じく基板Ｗのパターニングに影響を与えることから、基板ホルダＷＨの１次表面と見なすことができる。この場合、下面１０４内のいずれの変形も、基板Ｗに影響を与える前に基板ホルダＷＨを介して伝達されることがないため、下面１０４内の変形の影響は、上面１０１内の変形の影響よりも直接的ではない。したがって、コンジット５１と上面１０１との間にある圧縮可能領域５２ａ及び変形可能領域５５ａのみが提供され、コンジット５１の下の圧縮可能領域５２ｂは省略される場合、依然として実質的な利点が得られる。圧縮可能領域５２ｂを省略することで簡略化が可能であり、したがって、基板ホルダＷＨの製造コストを削減することができる。
[0065] 図８は、リソグラフィ装置の反射又は反射屈折光学システム、例えば投影システムＰＳ内で使用可能な、本発明の実施形態に従ったリフレクタの部分断面が示される。投影ビームＢのためにＥＵＶ放射を採用するリソグラフィ装置内では、反射光学システムが有用である。リフレクタ２００は、高い剛性と低い熱膨張係数を有する材料、例えばＺｅｒｏｄｕｒ（商標）又はＵＬＥ（商標）で形成される、リフレクタ基板２０１を備える。多層コーティング２０２がリフレクタ基板２０１上に提供され、近垂直入射ＥＵＶ放射を反射するために、分散型Ｂｒａｇｇリフレクタの形を取る。反射面２０３の変形が基板Ｗ上に投影されるパターンに影響を与えるため、多層コーティング２０２の反射面２０３はリフレクタ２００の１次表面を形成する。特に、反射面２０３の全体配向における変化は、基板上に投影されるパターンの位置を変更することになる。反射面２０３の角度における局所的変動は、基板Ｗ上に投影されるパターンを歪曲させることになる。リフレクタ基板２０１の小さな膨張又は収縮は、結果として反射面２０３の配向又は表面輪郭に対する変化を生じさせない限り、投影されるパターン上に大きな影響を与えない可能性がある。リフレクタ２００は、反射面２０３の望ましい配向を維持するように制御される、アクティブマウント２０４上に取り付けることができる。
[0066] 多層コーティング２０２の使用にもかかわらず、ＥＵＶリフレクタの反射性は約７０％に過ぎない。したがって、ＥＵＶリフレクタは使用中、大幅な熱負荷を経験し、そのアクティブクーリングが望ましい。図７の基板ホルダと同様に、熱伝達流体のための１つ以上のコンジット５１がリフレクタ基板２０１内に提供される。コンジット５１は、リフレクタ２００のすべての部分が適切に冷却されることを保証するために、リフレクタ基板２０１内に複雑な経路を有し得る。複数のコンジット５１も提供され得る。圧縮可能領域５２がコンジット５１と反射面２０３との間に提供されるため、変形可能領域５５がコンジット５１と圧縮可能領域５２との間に形成されることになる。後面２０５の局所的変形及びリフレクタ基板２０１の全体成長が投影パターンに影響を与えないため、コンジット５１と後面２０５との間に圧縮可能領域を提供する必要がない場合がある。しかしながら、コンジット５１と反射面２０３との間に単一の圧縮可能領域５２のみが伴う場合、リフレクタ基板２０１内に非対称負荷が生じる可能性がある。こうした非対称負荷は、リフレクタ２００の湾曲につながる可能性がある。こうした湾曲が受け入れ不可能な程度まで発生する場合、非対称負荷を防ぐために１つ以上の追加の圧縮可能領域を提供することができる。
[0067] 図７の基板ホルダＷＨと同様に、追加の製造技法によって、或いは、コンジット５１及び圧縮可能領域５２を形成するために機械加工又は成形されるいくつかの層を共に接着することによって、リフレクタ基板２０１を形成することができる。圧縮可能領域５２及び変形可能領域５５にとって適切な寸法は、有限要素分析法などの技法によって決定可能である。ＥＵＶリソグラフィ装置内のリフレクタ２００が経験する高い熱負荷に起因して、熱伝達流体のフローレート並びに熱伝達流体の圧力は、基板ホルダＷＨよりも高い場合がある。
[0068] 本開示の教示の利益を検証するために、簡略化された例のシミュレーションを実施した。結果は図９から図１８に示されている。シミュレートされた基準例が図９に示されており、その中央を介して水平に延在するコンジット５１を有する部材５０と等価のＳｉＳｉＣの固形体からなる。図１０は、コンジット５１内の圧力１バールのシミュレートされた適用例から結果として生じる水平変形を示す。図面内の異なるスタイルのハッチングは、目盛りで示されるように異なる量の変形を示す。本体の形状の変化は、図面内では見やすいようにかなり誇張されている。ピーク変形は１ｎｍより大きいことが予測される。図１１は、シミュレートされた垂直変形を示す。ここでも、異なるスタイルのハッチングは、目盛りで示されるように異なる量の変形を示し、形状の変化は例示のために大幅に誇張されている。ここでも、約１ｎｍの表面での変形が予測される。図１２は、再度異なるスタイルのハッチングによって、パスカル単位の等価の（ミーゼスの）応力を示す。
[0069] 図１３は、本教示が適用される例を示し、スリットの形の圧縮可能領域５２が、コンジット５１と上面及び下面との間のＳｉＳｉＣの固形体内に提供される。スリットは、中央で０．２ｍｍの厚みを有する変形可能領域５５を画定する。場合によっては、モデルは図９の例と同一である。図１４は図１０に対応し、コンジット５１内のシミュレートされた１バール圧力によって生じる、すなわち基準例と同じ、水平変形を示す。水平変形は、本体の表面で大幅に低減され、実際には約０．０１ｎｍの変形が予測され、基準例（図１０を参照）に比べて１００分の１に低減される。図１５は図１１に対応し、図１６で拡大されるコンジット５１を取り囲む領域を伴う、垂直変形を示す。表面の垂直変形は、約０．４ｎｍであると予測され、基準例（図１１を参照）に比べて６０％削減される。図１６では、コンジット５１と圧縮可能領域５２との間に変形可能領域５５の大幅な変形が存在することが明らかにわかる。最大変形は約８０ｎｍである。図１７は図１２に対応し、図１８で拡大されるコンジット５１の近くに、本発明の例における等価の（ミーゼスの）応力を示す。変形可能領域内のピーク応力は、基準例（図１２を参照）内のピーク応力よりも大幅に高いが、受け入れ可能レベル内で依然として良好であることがわかるであろう。
[0070] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
[0071] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
[0072] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組み合わせを指すことができる。
[0073] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
関連出願の相互参照
[0001] 本願は、２０１４年１０月２８日出願の、欧州出願第１４１９０５９９．２号の利益を主張するものであり、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
[0002] 本発明は、リソグラフィツール用のコンポーネント、リソグラフィ装置、検査ツール、及び、リソグラフィ装置を使用するデバイスデバイス製造の方法に関する。
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に、適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。
[0004] 半導体業界では、基板上に形成可能な集積回路において、デバイス、例えばトランジスタの密度を上げることに対して強い圧力がかけられている。密度の上昇を達成するためには、リソグラフィ装置及びプロセスの確度及び精度を向上させなければならない。例えば、デバイスを形成するために、通常は、非常に高い配置確度でいくつかのパターンを連続して基板に印加する必要がある。パターン間の配置誤差はオーバーレイと呼ばれ、最大許容オーバーレイは、特に複数のパターニングステップを用いて形成しなければならない層の場合、わずか数ナノメータに過ぎないことがあり得る。
[0005] リソグラフィ装置内には様々なコンポーネントが存在し、その物理的なサイズ又は形状が、コンポーネントによって形成されるデバイスの確度に直接的又は間接的に影響を与える。その例には、パターンが印加される基板を保持する基板テーブル、及び投影システム内のリフレクタが含まれる。これら及び他のコンポーネントをそれらの公称のサイズ及び／又は形状で維持するために、コンポーネントを特定温度で維持するための温度制御システムを提供することが一般的である。また、１つのコンポーネント、例えば基板テーブルを、それ自体には温度制御システムを提供することができない別のコンポーネント、例えば基板の温度に影響を与えるために、一定の温度で維持することができる。しかしながら、この点における改良が望ましい。
[0006] リソグラフィ装置における温度制御システムは、熱伝達流体、例えば水を、温度が制御されるべきコンポーネントの近く又は内部にあるコンジットを介して循環させることによって、動作可能である。熱伝達流体の温度は、例えばヒーター又はクーラーを含む、温度制御デバイスによって正確に制御される。コンポーネントと熱伝達流体との間の熱伝達の効率を最大化するために、コンポーネント部材の本体内にコンジットを埋め込むことができる。例えばコンジットは、部材本体の材料によって直接形成することができる。
[0007] コンポーネントのコンジット内の流体、例えば熱伝達流体の圧力は、結果としてそのコンポーネントの望ましくない変形を生じさせ得ることがわかってきている。したがって、コンポーネントの変形を回避又は低減させるリソグラフィ装置のコンポーネントの温度を制御するための構成を提供することが望ましい。
[0008] 本発明の態様に従い、
１次表面を有する部材と、
部材内に定義され圧力下で流体を受け取るように構成されたコンジットと、
部材内にありコンジットと１次表面との間に配置された圧縮可能領域と、
圧縮可能領域とコンジットとの間の変形可能領域と、を備え、
圧縮可能領域及び変形可能領域は、流体の圧力から結果的に生じる部材の局所的変形に適応するように構成される、
基板テーブルを有する、リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法が提供される。
[0009] 本発明の態様に従い、パターンが印加される基板を保持する基板テーブルが提供され、基板テーブルは、
１次表面を有する部材と、
部材内に定義され圧力下で流体を受け取るように構成されたコンジットと、
部材内にありコンジットと１次表面との間に配置された圧縮可能領域と、
圧縮可能領域とコンジットとの間の変形可能領域と、を備え、
圧縮可能領域及び変形可能領域は、流体の圧力から結果的に生じる部材の局所的変形に適応するように構成される。
[0010] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
[0011]リソグラフィ装置を概略的に示す図である。 [0012]リソグラフィ装置内で使用するための液体閉じ込め構造を概略的に示す図である。 [0013]実施形態に従ったさらなる液体供給システムを概略的に示す、垂直断面図である。 [0014]部材内の従来のコンジットを概略的に示す図である。 [0014]本開示の教示が適用されたコンジットを概略的に示す図である。 [0015]本発明の教示が適用されたコンジットの近くに生じる力を概略的に示す図である。 [0016]変形可能壁内に生じる力を概略的に示す図である。 [0017]実施形態に従った基板テーブルを概略的に示す図である。 [0018]実施形態に従ったリフレクタを概略的に示す図である。 [0019]従来のコンジットを有するコンポーネントと、本開示の教示が適用されたコンジットを有するコンポーネントと、を比較するシミュレーション結果を示す図である。 [0019]従来のコンジットを有するコンポーネントと、本開示の教示が適用されたコンジットを有するコンポーネントと、を比較するシミュレーション結果を示す図である。 [0019]従来のコンジットを有するコンポーネントと、本開示の教示が適用されたコンジットを有するコンポーネントと、を比較するシミュレーション結果を示す図である。 [0019]従来のコンジットを有するコンポーネントと、本開示の教示が適用されたコンジットを有するコンポーネントと、を比較するシミュレーション結果を示す図である。 [0019]従来のコンジットを有するコンポーネントと、本開示の教示が適用されたコンジットを有するコンポーネントと、を比較するシミュレーション結果を示す図である。 [0019]従来のコンジットを有するコンポーネントと、本開示の教示が適用されたコンジットを有するコンポーネントと、を比較するシミュレーション結果を示す図である。 [0019]従来のコンジットを有するコンポーネントと、本開示の教示が適用されたコンジットを有するコンポーネントと、を比較するシミュレーション結果を示す図である。 [0019]従来のコンジットを有するコンポーネントと、本開示の教示が適用されたコンジットを有するコンポーネントと、を比較するシミュレーション結果を示す図である。 [0019]従来のコンジットを有するコンポーネントと、本開示の教示が適用されたコンジットを有するコンポーネントと、を比較するシミュレーション結果を示す図である。 [0019]従来のコンジットを有するコンポーネントと、本開示の教示が適用されたコンジットを有するコンポーネントと、を比較するシミュレーション結果を示す図である。
[0020] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又は任意の他の適切な放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に配置するように構成された第１の位置決めデバイスＰＭに接続された支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、を含む。この装置は、また、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、一定のパラメータに従って基板Ｗを正確に配置するように構成された第２の位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴ又は「基板支持体」を含む。この装置はさらに、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上にパターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢへ付与されたパターンを投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳを含む。
[0021] 照明システムＩＬは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型コンポーネント、反射型コンポーネント、磁気型コンポーネント、電磁型コンポーネント、静電型コンポーネント、又はその他のタイプの光学コンポーネント、或いはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
[0022] 支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを支持、すなわちその重量を支えている。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
[0023] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームＢに付与されるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板Ｗのターゲット部分Ｃにおける所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームＢに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
[0024] パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフトマスク、ハーフトーン型（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
[0025] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
[0026] 本明細書で示すように、本装置は、（例えば透過マスクを使用する）透過タイプである。或いは、装置は、（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）反射タイプでもよい。
[0027] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上のステージ又はテーブルを有するタイプであってもよい。少なくとも１つのテーブルは、基板を保持することができる基板支持体を有する。少なくとも１つのテーブルは、基板を保持するように構成されていない測定テーブルであってもよい。一実施形態では、２つ以上のテーブルのそれぞれが基板支持体を有する。リソグラフィ装置は、２つ以上のパターニングデバイステーブル又は「マスク支持体」を有してもよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ以上の他のテーブルを露光に使用している間に１つ以上のテーブルで予備工程を実行することができる。
[0028] リソグラフィ装置は、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の液浸空間を充填するように、基板Ｗの少なくとも一部が、相対的に高い屈折率を有する液体、例えば超純水（ＵＰＷ）などの水によって覆われ得るタイプである。液浸液は、リソグラフィ装置内の他の空間、例えばパターニングデバイスＭＡと投影システムＰＳとの間などにも印加可能である。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために使用することができる。本明細書で使用する「浸漬」という用語は、基板Ｗのような構造物を液体中に沈めなければならないことを意味するものではなく、むしろ「液浸」とは、露光中に液体が投影システムＰＳと基板Ｗとの間に位置することのみを意味する。投影システムＰＳから基板Ｗへのパターニングされた放射ビームの経路は、完全に液体を通る。例示の実施形態として液浸タイプのリソグラフィ装置が説明されているが、本発明は非液浸のリソグラフィ装置にも適用される。
[0029] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプの場合は、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
[0030] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するように設定されたアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータＩＬは着脱式であり、（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）別に提供されてもよい。
[0031] 放射ビームＢは、支持構造ＭＴ（例えば、マスクテーブル）上に保持されたパターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク）に入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡによってパターン形成された投影ビームＢは、パターン形成されたビームと呼ぶことができる。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２の位置決めデバイスＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。
[0032] 一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１の位置決めデバイスＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」の移動は、第２の位置決めデバイスＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。
[0033] パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして周知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
[0034] リソグラフィ装置は、説明する様々なアクチュエータ及びセンサのすべての移動及び測定を制御する、リソグラフィ装置制御ユニット５００をさらに含む。リソグラフィ装置制御ユニット５００は、リソグラフィ装置の動作に関連する望ましい計算を実施するための信号処理及びデータ処理機能も含む。実際には、リソグラフィ装置制御ユニット５００は、各々が、リソグラフィ装置内のサブシステム又はコンポーネントのリアルタイムデータの獲得、処理、及び制御を取り扱う、多くのサブユニットのシステムとして実現されることになる。例えば１つの処理サブシステムを、第２の位置決めデバイスＰＷのサーボ制御専用とすることができる。別々のユニットが、異なるアクチュエータ又は異なる軸を取り扱うことができる。別のサブユニットを、位置センサＩＦの読み取り専用とすることができる。リソグラフィ装置の全体制御を、中央処理ユニットによって制御することができる。中央処理ユニットは、サブユニットと、オペレータと、及び、リソグラフィ製造プロセスに関与する他の装置と、通信することができる。
[0035] 投影システムＰＳの最終光学要素と基板Ｗとの間に液体を提供するための構成を、３つの一般的なカテゴリに分類することができる。これらは、バスタイプ構成、いわゆる局所液浸システム、及びオールウェット液浸システムである。本発明の実施形態は、特に局所液浸システムに関する。
[0036] 局所液浸システムに対して提案された構成において、液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終光学要素ＦＥと、投影システムＰＳに対向するステージ又はテーブルの対向面と、の間の液浸空間１０の境界の少なくとも一部に沿って延在する。テーブルの対向面がそのように呼ばれるのは、テーブルが使用中に移動され、まれに固定されるためである。一般に、テーブルの対向面は、基板Ｗ、基板Ｗを取り囲む基板テーブルＷＴ、又はその両方の表面である。こうした構成が図２に示されている。図２に示され以下で説明する構成は、上記で説明し図１に示されるリソグラフィ装置に適用可能である。
[0037] 図２は、液体閉じ込め構造１２を概略的に示す。液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終光学要素ＦＥと、基板テーブルＷＴ又は基板Ｗと、の間の液浸空間１０の境界の少なくとも一部に沿って延在する。実施形態において、液体閉じ込め構造１２と基板Ｗ／基板テーブルＷＴの表面との間にシールが形成される。シールは、気体シール１６（気体シールを備えるこうしたシステムは、欧州特許出願公開第ＥＰ−Ａ−１，４２０，２９８号に開示される）又は液体シールなどの、非接触シールであり得る。
[0038] 液体閉じ込め構造１２は、液浸液を液浸空間１０に供給し、閉じ込めるように構成される。液浸液は、液体開口１３のうちの１つ、例えば開口１３ａを介して液浸空間１０に運ばれる。液浸液は、液体開口１３のうちの１つ、例えば開口１３ｂを介して除去され得る。液浸液は、少なくとも２つの液体開口１３、例えば開口１３ａ及び開口１３ｂを介して液浸空間１０内に運ばれ得る。液浸液を供給するためにどちらの液体開口１３が使用されるか、及び、任意選択で液浸液を除去するためにどちらが使用されるかは、基板テーブルＷＴの動きの方向に依存し得る。
[0039] 液浸液は、使用中、液体閉じ込め構造１２の底部とテーブルの対向面（すなわち、基板Ｗの表面及び／又は基板テーブルＷＴの表面）との間に形成される気体シール１６によって、液浸空間１０内に包含され得る。気体シール１６内の気体は、加圧下で、気体注入口１５を介して、液体閉じ込め構造１２と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴとの間のギャップに提供される。気体は、気体排出口１４に関連付けられたチャネルを介して抽出される。気体注入口１５への過圧、気体排出口１４の真空レベル、及びギャップのジオメトリは、液体を閉じ込める内向きの高速気体フローが存在するように構成される。液体閉じ込め構造１２と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴとの間の液体にかかる気体の力が、液体を液浸空間１０内に包含する。メニスカス１７が液浸液の境界を形成する。こうしたシステムは、米国特許出願公開第ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。本発明の実施形態とともに他の液体閉じ込め構造１２が使用可能である。
[0040] 図３は、実施形態に従ったさらなる液体供給システム又は流体ハンドリングシステムを示す、垂直断面図である。図３に示され以下で説明する構成は、上記で説明し図１に示されるリソグラフィ装置ＬＡに適用可能である。液体供給システムには、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する、液体閉じ込め構造１２が提供される。（以下の文における基板Ｗの表面への言及は、特に明確に示されていない限り、追加又は代替として基板テーブルＷＴの表面も指している。）
[0041] 液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴ及び／又は基板Ｗとの間の液浸空間１０内に、少なくとも部分的に液体を包含する。空間１０は、投影システムＰＳの最終要素の下でこれを取り囲んで位置決めされた液体閉じ込め構造１２によって、少なくとも部分的に形成される。実施形態において、液体閉じ込め構造１２は主本体部材６３及び多孔質部材８３を備える。多孔質部材８３は板状であり、複数のホール８４（すなわち、開口又は細孔）を有する。実施形態において、多孔質部材８３は、多数の小さいホール８４がメッシュ内に形成されたメッシュ板である。こうしたシステムが、米国特許出願公開第ＵＳ２０１０／００４５９４９Ａ１に開示されている。
[0042] 主本体部材６３は、液浸空間１０に液体を供給することが可能な１つ以上の供給ポート７２と、液浸空間１０から液体を回収することが可能な回収ポート７３と、を備える。１つ以上の供給ポート７２は、通路７４を介して液体供給装置７５に接続される。液体供給装置７５は、１つ以上の供給ポート７２に液体を供給することができる。液体供給装置７５からフィードされた液体は、対応する通路７４を介して１つ以上の供給ポート７２に供給される。１つ以上の供給ポート７２は、光路に面した主本体部材６３のそれぞれの既定の位置で光路の近くに配設される。回収ポート７３は、液浸空間１０から液体を回収することができる。回収ポート７３は、通路７９を介して液体回収装置８０に接続される。液体回収装置８０は真空システムを備え、回収ポート７３を介して吸い上げることによって液体を回収することができる。液体回収装置８０は、通路７９を通り回収ポート７３を介して回収された液体を回収する。多孔質部材８３は回収ポート７３内に配設される。
[0043] 実施形態において、投影システムＰＳと、一方の側の液体閉じ込め構造１２及び他方の側の基板Ｗと、の間に液体を伴う液浸空間１０を形成するために、１つ以上の供給ポート７２から液浸空間１０へと液体が供給され、液体閉じ込め構造１２の回収チャンバ８１内の圧力は、多孔質部材８３のホール８４（すなわち、回収ポート７３）を介して液体を回収するように、負圧に調整される。１つ以上の供給ポート７２を使用する液体供給動作及び多孔質部材８３を使用する液体回収動作を実行することで、投影システムＰＳと、液体閉じ込め構造１２及び基板Ｗと、の間に液浸空間１０を形成する。
[0044] リソグラフィ装置において、いくつかのコンポーネントの精密な寸法及び／又は形状が、基板にパターンを付与するプロセスに影響を与える。例えば、基板支持体（基板ホルダと呼ばれる場合もある）の外部寸法及び表面輪郭（平坦性）は、イメージングステップの位置確度に影響を与える。基板ホルダの寸法における任意の不正確さ又は変化が、オーバーレイエラーを生じさせる可能性がある。基板ホルダの平坦性における任意の不正確さ又は変化が、局所的フォーカスエラーを生じさせる可能性がある。寸法及び／又は形状がクリティカルなコンポーネントの別の例が、反射又は反射屈折投影システムにおけるリフレクタである。リフレクタの配向又はリフレクタの表面の局所角度における任意のエラー又は変化が、基板上の像を誤配置又は歪曲させる結果となる可能性がある。精密な形状及び／又は寸法が重要なリソグラフィ装置のコンポーネントの他の例に、基準フレーム、光学支持体システム、又はレチクル支持体が含まれる。
[0045] リソグラフィ装置のコンポーネント並びに投影ビームの経路の、非常に精密な温度制御を提供することが知られている。寸法及び／又は形状がクリティカルであるコンポーネントの熱膨張又は収縮を防ぐため、並びに、露光される基板の温度変動を最小限にするか又は削減するために、温度制御が提供される。リソグラフィ装置内の気体（例えば、極端にクリーンな乾燥した空気）の温度制御と同様の、温度制御のための既知の手法は、リソグラフィ装置の様々なコンポーネント内のコンジットを介して、熱伝達流体（例えば水）を循環させることである。熱伝達流体の循環は、隣接するコンポーネントの温度を制御することが可能であり、同様に、コンジットが提供されたコンポーネントの温度も制御する。非常に厳密な温度仕様を満たすために、熱伝達流体はしばしば高いフローレートで循環される。コンポーネント内に提供されるコンジットは、熱伝達流体がコンポーネントのすべての関連部分の近くを流れることを保証するために、しばしば波状セクションを含む複雑な経路を有し得る。したがって、望ましいフローレートを達成するために、熱伝達流体はしばしば、例えば大気圧よりも約２バール上の上昇した圧力で提供される。
[0046] リソグラフィ装置のコンポーネントのコンジット内の流体、例えば熱伝達流体の圧力が、コンポーネントの寸法及び／又は形状に変化を生じさせる可能性があることがわかってきている。コンポーネントの寸法及び／又は形状の変化は、流体の圧力の変動に起因して経時的に変動する可能性がある。流体の圧力の変化は、温度制御に必要な流体のフローレートの変化によって、及び／又はコンポーネントの移動によって、生じ得る。コンポーネントが複数のコンジット又は波状コンジットを含む場合、各コンジット又はコンジットのセクションによって生じる寸法及び／又は形状の変化は累積される可能性がある。寸法及び／又は形状がクリティカルなリソグラフィ装置のコンポーネントは、非常に堅い材料で形成され得る。コンポーネントの寸法及び／又は形状における圧力誘起による変化は、リソグラフィプロセスで必要な高水準の精度で有意であり得る。圧力誘起による変化の影響は、以下で考察するように、特定のコンポーネントに依存する。
[0047] 図４Ａは、従来型のコンジット５１を有する部材５０を有するコンポーネントを示す。コンジット内の圧力Ｐは、圧力Ｐ、コンジット高さ、及びコンジット長さの積に等しい水平膨張力ＦＨＥを与える。コンジット５１は、製造し易い形状である角丸のほぼ正方形として示されているが、コンジットは任意の断面形状であってよく、水平膨張力はコンジットの断面形状ではなく、コンジットの高さ及び長さのみに依存することに留意されたい。定常状態において、コンジット５１内の流体の圧力によって生じる水平膨張力ＦＨＥは、コンジットの上及び下の部材５０の材料内の水平張力ＦＨＴによる抵抗を受ける。この文脈における水平、上、及び下という用語は、図面内の構成のみを説明するものであり、コンポーネントはその機能に適した配向で構成できることに留意されたい。水平膨張力ＦＨＴは、コンポーネント５０が形成される材料の弾性特性から生じるものであり、したがって、コンポーネントが水平に膨張した後でのみ生じる。コンジット５１内の圧力Ｐは垂直膨張力ＦＶＥも与え、これが部材をコンジット５１の上及び下に偏向させることになり、部材５０の表面に外部から検出可能な変形を生じさせる場合がある。
[0048] もちろん、コンジット５１内の圧力Ｐに起因する部材５０の膨張及び表面変形は、部材５０をより堅い材料で作ること、又はより厚くすることによって低減させることができる。しかしながら、低い熱膨張係数及び高い熱伝導性を有することなどの、部材５０に関する他の要件は、材料の選択を制限する。コンジット５１の上及び下の部材５０の厚みを増大させることで、部材５０の質量が増加し、例えば、コンポーネントを位置決めするためにより強力なモーターを提供することが必要になり得る。また、部材５０の厚みを増大させることで、温度制御構成の有効性に悪影響を及ぼし、これによって熱伝達流体のフローレート及び圧力を増加させることが必要になり得る。
[0049] 図４Ｂに示されるように、コンジット５１に近い部材５０内に１つ以上の圧縮可能領域５２ａ、５２ｂを提供することによって、圧力誘起による部材５０の変形を制御、例えば低減又は消去することができる。第１の圧縮可能領域５２ａは、コンジット５１と部材５０の上面５３との間の部材５０本体内に提供される。第２の圧縮可能領域５２ｂは、コンジット５１と部材５０の下面５４との間の部材５０本体内に提供される。圧縮可能領域５２ａ、５２ｂは、部材５０の本体内で空隙又はスリットの形を取ることが可能であるか、又は部材５０の主本体とは異なる材料で形成され得る。異なる材料は、部材５０の本体が構築される材料の体積弾性率よりも低い、例えば１０分の１未満の体積弾性率を有し得る。異なる材料は、例えばポリマーであってよい。間隙は、例えば１０ｋＰａ未満の圧力まで吸引するか、又は、間隙の有効弾性率を低下させ、部材の機械的挙動を予測可能にするために、外部大気と流体連絡することができる。
[0050] コンジット５１と圧縮可能領域５２ａ、５２ｂとの間に、変形可能領域、例えばコンジット壁５５が形成される。コンジット壁５５は、部材５０の本体と同じ材料で、又は同様の剛性又はより堅い異なる材料で、形成可能である。変形可能領域は、低剛性材料で作られていることが原因ではなく、その寸法、特にその厚みによって変形可能である。変形可能領域に好適な寸法は、とりわけ、部材５０の材料、変形可能領域の材料（異なる場合）、及びコンジット５１内の期待圧力に依存することになる。例として、変形可能領域は、その最も狭い地点で０．２ｍｍから１．０ｍｍの範囲内の厚みを有し得る。圧縮可能領域５２ａ、５２ｂの効果は、コンジット５１内の圧力が、コンジット壁５５を圧縮可能領域５２ａ、５２ｂ内に変形させることである。これは、部材５０の寸法及び／又は形状における圧力誘起による変化に対抗する２つの効果を有する。
[0051] 第１に、コンジット壁５５が変形すると、その弾性特性は、コンジット５１内の圧力Ｐによって生じる水平膨張力ＦＨＥに抵抗するために内部に水平張力ＦＨＴを生成する。したがってコンジット壁５５内の水平張力ＦＨＴは、部材５０が膨張するのを防ぐ。水平膨張力はコンジット壁５５内の水平張力ＦＨＴによって妨げられるため、圧縮可能領域５２ａの上及び圧縮可能領域５２ｂの下の部材５０の部分には張力がかからず、したがって膨張しない。
[0052] 第２に、コンジット壁５５の垂直変形は圧縮可能領域５２ａ、５２ｂによって調整されるため、部材５０の上面５３及び下面５４にまで変形が伝達されない。
[0053] コンジット５１の近くの圧縮可能領域及び変形可能領域の効果は、図５及び図６を参照することで理解できよう。図５は、幅Ｗ１、高さＨ１、及び長さＬ１を有するコンジット５１の部分断面を示す。コンジット５１は、その長さＬ１に垂直な矩形の断面を有する。圧縮可能領域５２がコンジット５１の近くに提供され、幅Ｗ２、高さＨ２、及び長さＬ２を有する。実施形態において、圧縮可能領域５２の幅Ｗ２はコンジット５１の幅Ｗ１に等しい。しかしながら、Ｗ２はＷ１よりも大きいか又は小さくてもよい。圧縮可能領域５２の幅Ｗ２がコンジット５１の幅Ｗ１よりも大幅に小さい場合、本発明は、部材５０の変形を防ぐのに十分に効果的でない可能性はあるが、依然として変形を有用に低減し得る。圧縮可能領域５２の幅Ｗ２がコンジット５１の幅Ｗ１よりも大きい場合、本発明は依然として効果的であるが、部材５０の不必要な弱体化、及び／又は、部材５０の表面とコンジット５１内の流体との間の熱伝導の不必要な低減が存在し得る。実施形態において、幅Ｗ２は幅Ｗ１の１２０％未満、望ましくは１１０％未満である。実施形態において、幅Ｗ２は幅Ｗ１の８０％以上、望ましくは９０％以上である。
[0054] 同様に、圧縮可能領域５２の長さＬ２は、望ましくはコンジット５１の長さＬ１に等しい。しかしながら、部材５０の変形がクリティカルでないか又は圧縮可能領域よりもクリティカルでない、部材５０の部分が存在する場合、これらの部分は省略可能である。コンジット５１と圧縮可能領域５２との間の距離Ｈ３は、実施形態において前述のように決定される。距離Ｈ３は、実際上、変形可能領域の厚みである。変形可能領域の厚みは、その幅全体にわたって一定である必要はない。例えば、変形可能領域は縁部よりも中央の方が薄い場合がある。
[0055] 前述のように、コンジット５１内の圧力Ｐは、以下の式によって得られる水平膨張力ＦＨＥを発生させる。
ＦＨＥ＝Ｐ・Ｌ１・Ｈ１
[0056] 同様に、以下の式によって得られる垂直膨張力が生成される。
ＦＶＥ＝Ｐ・Ｌ１・Ｗ１
[0057] 簡潔にするために、２本のロッド５５１がピボット５５２によって一方の端部で接合され、他方の端部５５３がコンジット５１のいずれかの側で部材５０に固定されるように、コンジット壁５５をモデル化することができる。この構成は図６に示されている。垂直膨張力ＦＶＥがピボット５５２に印加されると想定すると、ピボットは固定ポイント５５３を結ぶ直線から離れて移動することになり、ロッド５５１を伸長させ、ロッド５５１内に水平張力ＦＨＴを生じさせる。以下のように、ロッド５５１が角度θまで偏向された時に、定常状態が発生することになる。
ＦＶＥ＝ＦＨＴ・ｓｉｎθ
[0058] 水平張力ＦＨＴは、コンジット壁５５の材料の剛性及びその寸法に関する比例定数で、ｃｏｓθに反比例する。したがって、コンジット壁５５が、例えばＳｉＳｉＣ又は他のセラミクスなどの適度に高い剛性を有する材料で作られている場合、コンジット壁５５の厚みＨ３は非常に薄いが、依然としてコンジット壁５５の偏向が小さいことによって大きな水平張力ＦＨＴを生成させることが可能である。明らかに、本教示の実際の実施形態は、図６によってモデル化される挙動よりも複雑な挙動を示すことになるが、有限要素分析法などの方法を用いて、圧縮可能領域５２及び変形可能領域（すなわち、コンジット壁５５）にとって好適な寸法を容易に決定することができる。
[0059] 図７は、本発明の実施形態に従った基板ホルダＷＨの断面を示す。基板ホルダＷＨはリソグラフィ装置内で基板Ｗを支持し、それ自体は基板テーブルＷＴによって支持される。基板ホルダＷＨは、複数のバール１０２が突出する上面１０１を有する主本体１００を備える。主本体１００は部材５０の一例である。バール１０２の遠位端は、基板Ｗを平坦な状態で支持するように、平坦面に非常に正確に一致する。例えば、基板Ｗと基板ホルダＷＨとの間の空間内への気体のフローを制御するための周囲壁１０３を含む、基板ホルダＷＨの上面１０１からの他の突起が存在する。基板ホルダＷＨ内には、例えば、基板ホルダへの基板Ｗのロード及びアンロードのプロセスで使用されるｅピンを収容するため、並びに、基板Ｗをクランプするために基板Ｗと基板ホルダＷＨとの間の空間の吸引に使用するための、図示されていない様々なアパーチャが提供可能である。真空による基板Ｗのクランピングの代わりに、基板ホルダＷＨには静電クランプを形成するための電極が提供可能である。基板ホルダＷＨには、上面１０１上に、例えば抵抗ヒーター又は温度センサなどの電子コンポーネントを提供することもできる。基板ホルダＷＨは、基板テーブルＷＴの凹部から間隔を空けて基板ホルダＷＨの主本体１００を配置するように複数のバール１０５も提供される、下面１０４を有することができる。
[0060] 基板ホルダＷＨの形状及び寸法は、基板Ｗの適切なパターニングにとってクリティカルである。上面１０１が変形すると、その変形が基板Ｗに転移され、基板Ｗの不適切なパターニングにつながる可能性がある。したがって上面１０１は、基板ホルダＷＨの１次表面であるべきとみなし得る。例えば、基板ホルダＷＨがＸＹ面の方向（すなわち、露光中の投影ビームの光軸に対して直角）に膨張する場合、この膨張はバール１０２を介して基板Ｗに転移され、結果として基板上のパターンの不正確な配置、すなわち、オーバーレイエラーを生じさせることになる。同様に、基板ホルダＷＨの上面１０１の局所的歪曲は、バール１０２を介して基板Ｗに転移され、結果として基板の局所的非平坦性を生じさせることになる。この局所的非平坦性は、フォーカススポットと呼ばれることのある、局在フォーカスエラーにつながる可能性がある。
[0061] 基板ホルダＷＨを使用中、一定温度で維持し、それによって基板Ｗの温度も制御するために、基板ホルダＷＨの主本体１００内に１つ以上のコンジット５１が提供される。実施形態において、主本体１００のすべての部分がコンジット５１の望ましい範囲内にあるように、複数のコンジット５１、又は複雑な経路を備える単一のコンジットが存在する。したがって、所与の断面は、主本体１００を介して複数のコンジット５１又は同じコンジット５１と数回交差することができる。熱伝達流体は、基板ホルダＷＨの温度制御を有効にするために、温度制御システムＴＣＳによってコンジット５１を介して循環される。熱伝達流体は、例えば水であり得、所望の範囲内、例えばプラスマイナス１０−４Ｋの範囲内の所望の温度で維持される。コンジット５１を介した所望のフローレートを達成するために、熱伝達流体は、大気より例えば約１又は２バール高い圧力で、コンジット５１に供給される。コンジット５１内の熱伝達流体の圧力は、いくつかの理由で変動する場合がある。例えば、温度制御を向上させるために熱伝達流体のフローレートを変更させることが必要な場合がある。さらに、基板テーブルＷＴの移動に起因して、熱伝達流体の圧力が変動する場合がある。
[0062] コンジット５１内の熱伝達流体の圧力及び／又はその変動、基板ホルダＷＨの変形を防ぐために、本開示の教示に従って、コンジット５１の上及び下に圧縮可能領域５２ａ、５２ｂが提供される。圧縮可能領域５２ａ、５２ｂは、コンジット５１と同じ幅を有し、その全体長さに沿って延在する、スリットの形を取ることができる。圧縮可能領域５２ａ、５２ｂは、それらの長さに沿った１つ以上のポイントで通気口５６を介して、基板ホルダＷＨの上又は下の空間と、流体連絡することができる。変形可能領域５５ａ、５５ｂは、圧縮可能領域５２ａ、５２ｂとコンジット５１との間に形成される。
[0063] 従来の内部コンジットを備える基板ホルダは、主本体の中央線に沿って共に接着される２つの部分で主本体１００を形成することによって製造可能である。各部分において、コンジット５１の半分又は各々は、材料を成形すること又は除去することによって形成される。本開示の教示に従った追加のスリットを有する基板ホルダＷＨは、図７に示される点線に沿って互いに接着される、４つの部分１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、及び１００ｄ内に主本体１００を形成することによって製造可能である。代替として、実施形態に従った基板ホルダＷＨが、追加の製造技法によって製造可能である。
[0064] 基板ホルダＷＨの上面１０１は、その変形が、基板ホルダＷＨ上で保持される基板Ｗのパターニングに影響を与えることから、基板ホルダＷＨの１次表面と見なされる。下面１０４も、その変形が同じく基板Ｗのパターニングに影響を与えることから、基板ホルダＷＨの１次表面と見なすことができる。この場合、下面１０４内のいずれの変形も、基板Ｗに影響を与える前に基板ホルダＷＨを介して伝達されることがないため、下面１０４内の変形の影響は、上面１０１内の変形の影響よりも直接的ではない。したがって、コンジット５１と上面１０１との間にある圧縮可能領域５２ａ及び変形可能領域５５ａのみが提供され、コンジット５１の下の圧縮可能領域５２ｂは省略される場合、依然として実質的な利点が得られる。圧縮可能領域５２ｂを省略することで簡略化が可能であり、したがって、基板ホルダＷＨの製造コストを削減することができる。
[0065] 図８は、リソグラフィ装置の反射又は反射屈折光学システム、例えば投影システムＰＳ内で使用可能な、本発明の実施形態に従ったリフレクタの部分断面が示される。投影ビームＢのためにＥＵＶ放射を採用するリソグラフィ装置内では、反射光学システムが有用である。リフレクタ２００は、高い剛性と低い熱膨張係数を有する材料、例えばＺｅｒｏｄｕｒ（商標）又はＵＬＥ（商標）で形成される、リフレクタ基板２０１を備える。多層コーティング２０２がリフレクタ基板２０１上に提供され、近垂直入射ＥＵＶ放射を反射するために、分散型Ｂｒａｇｇリフレクタの形を取る。反射面２０３の変形が基板Ｗ上に投影されるパターンに影響を与えるため、多層コーティング２０２の反射面２０３はリフレクタ２００の１次表面を形成する。特に、反射面２０３の全体配向における変化は、基板上に投影されるパターンの位置を変更することになる。反射面２０３の角度における局所的変動は、基板Ｗ上に投影されるパターンを歪曲させることになる。リフレクタ基板２０１の小さな膨張又は収縮は、結果として反射面２０３の配向又は表面輪郭に対する変化を生じさせない限り、投影されるパターン上に大きな影響を与えない可能性がある。リフレクタ２００は、反射面２０３の望ましい配向を維持するように制御される、アクティブマウント２０４上に取り付けることができる。
[0066] 多層コーティング２０２の使用にもかかわらず、ＥＵＶリフレクタの反射性は約７０％に過ぎない。したがって、ＥＵＶリフレクタは使用中、大幅な熱負荷を経験し、そのアクティブクーリングが望ましい。図７の基板ホルダと同様に、熱伝達流体のための１つ以上のコンジット５１がリフレクタ基板２０１内に提供される。コンジット５１は、リフレクタ２００のすべての部分が適切に冷却されることを保証するために、リフレクタ基板２０１内に複雑な経路を有し得る。複数のコンジット５１も提供され得る。圧縮可能領域５２がコンジット５１と反射面２０３との間に提供されるため、変形可能領域５５がコンジット５１と圧縮可能領域５２との間に形成されることになる。後面２０５の局所的変形及びリフレクタ基板２０１の全体成長が投影パターンに影響を与えないため、コンジット５１と後面２０５との間に圧縮可能領域を提供する必要がない場合がある。しかしながら、コンジット５１と反射面２０３との間に単一の圧縮可能領域５２のみが伴う場合、リフレクタ基板２０１内に非対称負荷が生じる可能性がある。こうした非対称負荷は、リフレクタ２００の湾曲につながる可能性がある。こうした湾曲が受け入れ不可能な程度まで発生する場合、非対称負荷を防ぐために１つ以上の追加の圧縮可能領域を提供することができる。
[0067] 図７の基板ホルダＷＨと同様に、追加の製造技法によって、或いは、コンジット５１及び圧縮可能領域５２を形成するために機械加工又は成形されるいくつかの層を共に接着することによって、リフレクタ基板２０１を形成することができる。圧縮可能領域５２及び変形可能領域５５にとって適切な寸法は、有限要素分析法などの技法によって決定可能である。ＥＵＶリソグラフィ装置内のリフレクタ２００が経験する高い熱負荷に起因して、熱伝達流体のフローレート並びに熱伝達流体の圧力は、基板ホルダＷＨよりも高い場合がある。
[0068] 本開示の教示の利益を検証するために、簡略化された例のシミュレーションを実施した。結果は図９から図１８に示されている。シミュレートされた基準例が図９に示されており、その中央を介して水平に延在するコンジット５１を有する部材５０と等価のＳｉＳｉＣの固形体からなる。図１０は、コンジット５１内の圧力１バールのシミュレートされた適用例から結果として生じる水平変形を示す。図面内の異なるスタイルのハッチングは、目盛りで示されるように異なる量の変形を示す。本体の形状の変化は、図面内では見やすいようにかなり誇張されている。ピーク変形は１ｎｍより大きいことが予測される。図１１は、シミュレートされた垂直変形を示す。ここでも、異なるスタイルのハッチングは、目盛りで示されるように異なる量の変形を示し、形状の変化は例示のために大幅に誇張されている。ここでも、約１ｎｍの表面での変形が予測される。図１２は、再度異なるスタイルのハッチングによって、パスカル単位の等価の（ミーゼスの）応力を示す。
[0069] 図１３は、本教示が適用される例を示し、スリットの形の圧縮可能領域５２が、コンジット５１と上面及び下面との間のＳｉＳｉＣの固形体内に提供される。スリットは、中央で０．２ｍｍの厚みを有する変形可能領域５５を画定する。場合によっては、モデルは図９の例と同一である。図１４は図１０に対応し、コンジット５１内のシミュレートされた１バール圧力によって生じる、すなわち基準例と同じ、水平変形を示す。水平変形は、本体の表面で大幅に低減され、実際には約０．０１ｎｍの変形が予測され、基準例（図１０を参照）に比べて１００分の１に低減される。図１５は図１１に対応し、図１６で拡大されるコンジット５１を取り囲む領域を伴う、垂直変形を示す。表面の垂直変形は、約０．４ｎｍであると予測され、基準例（図１１を参照）に比べて６０％削減される。図１６では、コンジット５１と圧縮可能領域５２との間に変形可能領域５５の大幅な変形が存在することが明らかにわかる。最大変形は約８０ｎｍである。図１７は図１２に対応し、図１８で拡大されるコンジット５１の近くに、本発明の例における等価の（ミーゼスの）応力を示す。変形可能領域内のピーク応力は、基準例（図１２を参照）内のピーク応力よりも大幅に高いが、受け入れ可能レベル内で依然として良好であることがわかるであろう。
[0070] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
[0071] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
[0072] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組み合わせを指すことができる。
[0073] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (15)

  1. リソグラフィツール用のコンポーネントであって、
    １次表面を有する部材と、
    前記部材内に定義され圧力下で流体を受け取るように構成されたコンジットと、
    前記部材内にあり前記コンジットと前記１次表面との間に配置された圧縮可能領域と、
    前記圧縮可能領域と前記コンジットとの間の変形可能領域と、を備え、
    前記圧縮可能領域及び前記変形可能領域は、前記流体の前記圧力から結果的に生じる前記部材の局所的変形に適応するように構成される、コンポーネント。
  2. 前記変形可能領域は、前記コンジットと前記圧縮可能領域との間にコンジット壁の形成を有し、
    前記コンジット壁は、前記流体の前記圧力の下で偏向するように構成される、請求項１に記載のコンポーネント。
  3. 前記コンジット壁は、前記流体の前記圧力によって与えられる力に対抗するために、前記部材内に力を与えるように構成される、請求項２に記載のコンポーネント。
  4. 前記圧縮可能領域及び前記コンジット壁は、前記流体の前記圧力によって誘起される前記コンジット壁の偏向に適応するように構成される、及び／又は、
    前記圧縮可能領域及び前記コンジット壁は、前記流体の前記圧力によって誘起される前記１次表面に平行な方向における前記コンポーネントの外部寸法の変化を低減するように構成される、請求項２又は３に記載のコンポーネント。
  5. 前記圧縮可能領域及び前記変形可能領域は、前記流体の前記圧力によって誘起される前記１次表面の輪郭における変化を防ぐように構成される、請求項４に記載のコンポーネント。
  6. 第２の圧縮可能領域をさらに備え、
    前記コンジットは、前記圧縮可能領域と前記第２の圧縮可能領域との間にある、請求項１から５のいずれか一項に記載のコンポーネント。
  7. 前記部材は、第１の材料で作られ、
    前記圧縮可能領域は、第２の材料で作られ、
    前記第２の材料の体積弾性率は、前記第１の材料の体積弾性率の１／１０未満である、請求項１から６のいずれか一項に記載のコンポーネント。
  8. 前記圧縮可能領域は、間隙である、請求項１から６のいずれか一項に記載のコンポーネント。
  9. 前記間隙は、前記コンポーネントの外側の大気と流体連絡している、請求項８に記載のコンポーネント。
  10. 前記間隙は、１０ｋＰａ絶対値よりも低い圧力まで吸引される、請求項９に記載のコンポーネント。
  11. 前記コンジットを介して前記流体として熱伝達流体を循環させるように構成される、温度制御システムをさらに備える、請求項１から１０のいずれか一項に記載のコンポーネント。
  12. 前記コンポーネントは、基板テーブル、リフレクタ、基準フレーム、光学支持体システム、又はレチクル支持体のうちの１つである、請求項１から１１のいずれか一項に記載のコンポーネント。
  13. 請求項１から１２のいずれか一項に記載のコンポーネントを備える、リソグラフィ装置。
  14. 請求項１から１２のいずれか一項に記載のコンポーネントを備える、検査ツール。
  15. コンポーネントを有するリソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、
    前記コンポーネントは、
    １次表面を有する部材と、
    前記部材内に定義され圧力下で流体を受け取るように構成されたコンジットと、
    前記部材内にあり前記コンジットと前記１次表面との間に配置された圧縮可能領域と、
    前記圧縮可能領域と前記コンジットとの間の変形可能領域と、を備え、
    前記圧縮可能領域及び前記変形可能領域は、前記流体の前記圧力から結果的に生じる前記部材の局所的変形に適応するように構成される、方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022145719A (ja) * 2017-11-20 2022-10-04 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 基板ホルダ、基板支持部、基板をクランプシステムにクランプする方法、およびリソグラフィ装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11156921B2 (en) * 2017-12-15 2021-10-26 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus, and method of using a fluid handling structure
WO2022073610A1 (de) * 2020-10-08 2022-04-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Herstellungsverfahren und messverfahren

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59117128A (ja) * 1982-12-24 1984-07-06 Hitachi Ltd 温度制御装置を備えたウエハ搭載台
EP0484179A2 (en) * 1990-11-01 1992-05-06 Canon Kabushiki Kaisha Wafer holding device in an exposure apparatus
JPH04356921A (ja) * 1991-06-03 1992-12-10 Fujitsu Ltd ドライエッチング装置のウェハ保持盤
JP2004246030A (ja) * 2003-02-13 2004-09-02 Canon Inc 光学素子、光学素子保持装置、温度調節装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2005004145A (ja) * 2002-06-20 2005-01-06 Nikon Corp 反射鏡の熱変形防止方法及び熱的変形の少ないｅｕｖ用反射鏡
JP2007081279A (ja) * 2005-09-16 2007-03-29 Nikon Corp ステージ装置および露光装置
JP2010114397A (ja) * 2008-11-10 2010-05-20 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP2010220403A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Kyocera Chemical Corp 板状冷却管
WO2013171013A1 (en) * 2012-05-17 2013-11-21 Asml Netherlands B.V. Thermal conditioning unit, lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2014017661A1 (ja) * 2012-07-27 2014-01-30 京セラ株式会社 流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1420298B1 (en) 2002-11-12 2013-02-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
SG2010050110A (en) 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005175187A (ja) * 2003-12-11 2005-06-30 Canon Inc 光学部材、冷却方法、冷却装置、露光装置、デバイス製造方法、及びデバイス
JP2006216784A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Nikon Corp 波面収差測定装置用光源装置、波面収差測定装置及び極端紫外線露光装置
US7956982B2 (en) * 2005-11-18 2011-06-07 Asml Netherlands B.V. Apparatus for cooling
US8831170B2 (en) * 2006-11-03 2014-09-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror with a mirror carrier and projection exposure apparatus
US8068208B2 (en) * 2006-12-01 2011-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for improving immersion scanner overlay performance
EP2131242A1 (en) * 2008-06-02 2009-12-09 ASML Netherlands B.V. Substrate table, lithographic apparatus and device manufacturing method
TW201009895A (en) 2008-08-11 2010-03-01 Nikon Corp Exposure apparatus, maintaining method and device fabricating method

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59117128A (ja) * 1982-12-24 1984-07-06 Hitachi Ltd 温度制御装置を備えたウエハ搭載台
EP0484179A2 (en) * 1990-11-01 1992-05-06 Canon Kabushiki Kaisha Wafer holding device in an exposure apparatus
JPH04356921A (ja) * 1991-06-03 1992-12-10 Fujitsu Ltd ドライエッチング装置のウェハ保持盤
JP2005004145A (ja) * 2002-06-20 2005-01-06 Nikon Corp 反射鏡の熱変形防止方法及び熱的変形の少ないｅｕｖ用反射鏡
JP2004246030A (ja) * 2003-02-13 2004-09-02 Canon Inc 光学素子、光学素子保持装置、温度調節装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2007081279A (ja) * 2005-09-16 2007-03-29 Nikon Corp ステージ装置および露光装置
JP2010114397A (ja) * 2008-11-10 2010-05-20 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP2010220403A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Kyocera Chemical Corp 板状冷却管
WO2013171013A1 (en) * 2012-05-17 2013-11-21 Asml Netherlands B.V. Thermal conditioning unit, lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2014017661A1 (ja) * 2012-07-27 2014-01-30 京セラ株式会社 流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022145719A (ja) * 2017-11-20 2022-10-04 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 基板ホルダ、基板支持部、基板をクランプシステムにクランプする方法、およびリソグラフィ装置

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