WO2013187577A1 - 광경화 조성물, 이를 포함하는 장벽층 및 이를 포함하는 봉지화된 장치 - Google Patents

광경화 조성물, 이를 포함하는 장벽층 및 이를 포함하는 봉지화된 장치 Download PDF

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WO2013187577A1
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carbon atoms
substituted
barrier layer
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최승집
권지혜
이연수
하경진
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Definitions

  • the present invention relates to a photocurable composition, a barrier layer comprising the same, a barrier stack comprising the same, an encapsulated device comprising the same, and a method of encapsulating the device using the same.
  • An organic light emitting diode is a structure in which a functional organic layer is inserted between an anode and a cathode, and generates high energy excitons by recombination of holes injected into the anode and electrons injected into the cathode. To form. The excitons formed move to the ground state and generate light of a specific wavelength.
  • the organic light emitting unit has advantages of self light emission, high speed response, wide viewing angle, ultra-thin, high definition, and durability.
  • the organic material and / or the electrode material may be oxidized by moisture or oxygen introduced from the outside or by outgas generated from the outside or the inside, thereby degrading performance and lifespan.
  • a method of applying a photocurable sealing agent, attaching a transparent or opaque absorbent, or forming a frit to a substrate on which an organic light emitting unit is formed has been proposed.
  • An object of the present invention is to provide a photocurable composition capable of realizing a layer having a significantly low moisture permeability and outgas generation after curing.
  • Another object of the present invention is to provide a photocurable composition which can realize a layer having a high photocurability and thus preventing a shift due to curing shrinkage stress after curing.
  • Another object of the present invention is to provide a device comprising a layer formed of the photocurable composition.
  • the photocurable composition according to one aspect of the present invention may include (A) a photocurable monomer and (B) a silicon-containing monomer, and the (B) silicon-containing monomer may have a structure of Formula 1 below:
  • X 1 , X 2 and X 3 are the same or different, O, S, NH or NR ', R' is an unsubstituted or substituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms,
  • R One , R 2 , And R 3 Is the same or different and is unsubstituted or substituted 1 carbon number To 30 alkyl groups, unsubstituted or substituted C1-C30 alkylether groups, unsubstituted or substituted C1-C30 monoalkylamine groups or dialkylamine groups, unsubstituted or substituted C1-C30 monoalkyl Sulfide or dialkylsulphide groups, unsubstituted or substituted C6-C30 aryl groups, unsubstituted or substituted C6-C30 arylalkyl groups, unsubstituted or substituted C1-C30 alkoxy groups, non- Ring or substituted arylalkoxy group having 7 to 30 carbon atoms
  • Z 1 , Z 2 , and Z 3 are the same or different and are independently hydrogen, unsubstituted or substituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, unsubstituted or substituted alkyl ether group having 1 to 30 carbon atoms, unsubstituted or substituted C1-C30 monoalkylamine group or dialkylamine group, unsubstituted or substituted C1-C30 monoalkyl sulfide group or dialkyl sulfide group, unsubstituted or substituted C6-C30 aryl group, Unsubstituted or substituted arylalkyl group having 7 to 30 carbon atoms, unsubstituted or substituted alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, unsubstituted or substituted arylalkoxy group having 7 to 30 carbon atoms, or
  • R 4 is hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms
  • R 5 is a substituted or unsubstituted alkylene group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylalkylene group having 7 to 30 carbon atoms or a substituted or unsubstituted carbon number 1 To 30 alkyleneoxy group)
  • n is an integer from 1 to 30,
  • At least one of Z 1 , Z 2 , and Z 3 is Formula 2).
  • the barrier layer may include a cured product of the photocurable composition.
  • Another aspect of the invention is an encapsulated device comprising a substrate, a device element formed on the substrate, and a barrier stack formed on the device element, the barrier stack comprising an inorganic barrier layer and an organic barrier layer, wherein the organic barrier The layer may have an outgassing amount of about 1000 ppm or less.
  • Another aspect of the invention is an encapsulated device comprising a substrate, a device element formed on the substrate, and a barrier stack formed on the device element, the barrier stack comprising an inorganic barrier layer and an organic barrier layer, wherein the organic barrier
  • the layer may have a water vapor transmission rate of about 4.5 g / m 2 ⁇ 24hr or less measured at 37.8 ° C., 100% relative humidity, and 24 hours with respect to the coating film thickness of 5 ⁇ m in the thickness direction of the organic barrier layer.
  • the present invention provides a photocurable composition capable of realizing a layer having a significantly low moisture permeability and an outgas generation after curing to prevent a performance degradation of the device during sealing and to extend a lifespan.
  • the present invention provides a photocurable composition that can implement a layer having a high photocuring rate does not occur when the device is sealed.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of an encapsulated device of one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of an encapsulated device of another embodiment of the present invention.
  • 'hetero' means that the carbon atom is substituted with any one atom selected from the group consisting of N, O, S and P.
  • '*' may mean a connection site of the element.
  • the photocurable composition of one aspect of the present invention may include (A) a photocurable monomer and (B) a silicon-containing monomer.
  • the photocurable monomer may be a non-silicone-based non-silicone based monomer having a photocurable functional group (eg, a (meth) acrylate group, a vinyl group, etc.).
  • a photocurable functional group eg, a (meth) acrylate group, a vinyl group, etc.
  • the photocurable monomer may include a monofunctional monomer, a polyfunctional monomer, or a mixture thereof.
  • the photocurable monomer is about 1 to 30, preferably about 1 to 20, more preferably about 1 to 6 substituted or unsubstituted vinyl, acrylate or methacrylate groups. It may include a monomer having.
  • the photocurable monomer may include a mixture of a monofunctional monomer and a polyfunctional monomer.
  • the monofunctional monomer to multifunctional monomer in the mixture may be included in a weight ratio of about 1: 0.1 to 1:10 and in a weight ratio of about 1: 2 to 1: 3.75.
  • the photocurable monomer may include an aromatic compound having 6 to 20 carbon atoms having a substituted or unsubstituted vinyl group; Unsaturated carboxylic acid esters having an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, an aromatic group having 6 to 20 carbon atoms, or a hydroxy group and an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; Unsaturated carboxylic esters having an amino alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; Vinyl esters of saturated or unsaturated carboxylic acids having 1 to 20 carbon atoms; Unsaturated carboxylic acid glycidyl esters having 1 to 20 carbon atoms; Vinyl cyanide compounds; Unsaturated amide compounds; Mono- or polyfunctional (meth) acrylates of mono alcohols or polyhydric alcohols.
  • the photocurable monomer may include an aromatic compound having 6 to 20 carbon atoms having an alkenyl group including a vinyl group such as styrene, ⁇ -methyl styrene, vinyl toluene, vinyl benzyl ether, and vinyl benzyl methyl ether; Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, Octyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decanyl (meth) acrylate, undecanyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, benzyl (meth) Unsaturated carboxylic acid esters such as acrylate
  • the photocurable monomer is a (meth) acrylate having an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a di (meth) acrylate having a diol having 2 to 20 carbon atoms, and a tri (meth) acryl having a triol having 3 to 20 carbon atoms And one or more of tetra (meth) acrylates of tetraols of 4 to 20 carbon atoms.
  • the photocurable monomer may be included in about 1 to 99 parts by weight of 100 parts by weight of (A) + (B) in the photocurable composition.
  • the photocurable composition is highly resistant to plasma, thereby reducing or preventing outgassing and moisture permeability deterioration that may be generated from plasma generated during thin film encapsulation layer manufacturing.
  • the silicon-containing monomer may be a silicone-based monomer including silicon, and may be a photocurable monomer having a photocurable functional group (for example, a (meth) acrylate group, a vinyl group, etc.).
  • the silicon-containing monomer may be a monomer having the structure of Formula 1:
  • X 1 , X 2 and X 3 are the same or different, O, S, NH or NR ', R' is an unsubstituted or substituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms,
  • R 1 , R 2 , and R 3 are the same or different and are unsubstituted or substituted alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms, unsubstituted or substituted alkyl ether groups having 1 to 30 carbon atoms, unsubstituted or substituted carbon atoms 1 to 30 Monoalkylamine groups or dialkylamine groups, unsubstituted or substituted monoalkylsulphide groups or dialkylsulphide groups having 1 to 30 carbon atoms, unsubstituted or substituted aryl groups having 6 to 30 carbon atoms, unsubstituted or substituted An arylalkyl group having 7 to 30 carbon atoms, an unsubstituted or substituted alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an unsubstituted or substituted arylalkoxy group having 7 to 30 carbon atoms,
  • Z 1 , Z 2 , and Z 3 are the same or different and are independently hydrogen, unsubstituted or substituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, unsubstituted or substituted alkyl ether group having 1 to 30 carbon atoms, unsubstituted or substituted C1-C30 monoalkylamine group or dialkylamine group, unsubstituted or substituted C1-C30 monoalkyl sulfide group or dialkyl sulfide group, unsubstituted or substituted C6-C30 aryl group, Unsubstituted or substituted arylalkyl group having 7 to 30 carbon atoms, unsubstituted or substituted alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, unsubstituted or substituted arylalkoxy group having 7 to 30 carbon atoms, or
  • R 4 is hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms
  • R 5 is a substituted or unsubstituted alkylene group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted arylalkylene group having 7 to 30 carbon atoms or a substituted or unsubstituted carbon number 1 To 30 alkyleneoxy group)
  • n is an integer from 1 to 30,
  • At least one of Z 1 , Z 2 , and Z 3 is Formula 2).
  • n can be an integer from about 1 to 30. In the above range, the moisture permeability and the outgas generation amount after curing may be low, and the photocuring rate may be high.
  • n may be an integer from about 1 to 10, more preferably an integer from about 1 to 5.
  • R 1 , R 2 , and R 3 may preferably be alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms.
  • Z 1 , Z 2 , and Z 3 may be Formula 2 wherein R 4 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
  • Z 1 , Z 2 , and Z 3 may be represented by Formula 2 wherein R 5 is an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms.
  • n may preferably be an integer from about 1 to 5, more preferably an integer from about 1 to 3.
  • the silicon-containing monomer may be synthesized by a conventional synthetic method or may be used by purchasing a commercially available product.
  • the silicon-containing monomer may be included in the photocurable composition together with the photocurable monomer to realize a layer having a significantly low moisture permeability and outgas generation after curing, and increase photocurability.
  • the silicon-containing monomer may minimize the damage to the device from the plasma used in the deposition of the inorganic barrier layer when included in the organic barrier layer in the encapsulation structure in which the conventional inorganic barrier layer and the organic barrier layer is deposited by the silicon. .
  • the silicone-containing monomer may be included in about 1 to 99 parts by weight of (A) + (B) 100 parts by weight of the photocurable composition.
  • the photocurable composition has a strong resistance to plasma, thereby reducing or preventing outgassing and moisture permeability deterioration that may be generated from plasma generated during thin film encapsulation layer manufacturing.
  • composition may further comprise an initiator.
  • the initiator may include, without limitation, conventional photopolymerization initiators capable of carrying out the photocurable reaction.
  • the photopolymerization initiator may include triazine, acetophenone, benzophenone, thioxanthone, benzoin, phosphorus, oxime or mixtures thereof.
  • Triazines include 2,4,6-trichloro-s-triazine, 2-phenyl-4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (3 ', 4'-dimethoxy sty Reyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4'-methoxy naphthyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- ( p-methoxy phenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (p-tolyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2-r Phenyl-4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, bis (trichloromethyl) -6-styryl-s-triazine, 2- (naphtho-1-yl) -4,
  • acetophenone system 2,2'- diethoxy acetophenone, 2,2'- dibutoxy acetophenone, 2-hydroxy-2-methyl propiophenone, pt-butyl trichloro acetophenone, pt-butyl dichloro Acetophenone, 4-chloro acetophenone, 2,2'-dichloro-4-phenoxy acetophenone, 2-methyl-1- (4- (methylthio) phenyl) -2-morpholino propane-1-one, 2-benzyl-2-dimethyl amino-1- (4-morpholino phenyl) -butan-1-one, or mixtures thereof.
  • benzophenones include benzophenone, benzoyl benzoic acid, benzoyl benzoic acid methyl, 4-phenyl benzophenone, hydroxy benzophenone, acrylated benzophenone, 4,4'-bis (dimethyl amino) benzophenone, and 4,4'-dichloro benzo Phenone, 3,3'-dimethyl-2-methoxy benzophenone or mixtures thereof.
  • Thioxanthones include thioxanthone, 2-methyl thioxanthone, isopropyl thioxanthone, 2,4-diethyl thioxanthone, 2,4-diisopropyl thioxanthone, 2-chloro thioxanthone or Mixtures thereof.
  • the benzoin system may be benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzyl dimethyl ketal or mixtures thereof.
  • Phosphorus-based may be bisbenzoylphenyl phosphine oxide, benzoyldiphenyl phosphine oxide or mixtures thereof.
  • oximes examples include 2- (o-benzoyloxime) -1- [4- (phenylthio) phenyl] -1,2-octanedione and 1- (o-acetyloxime) -1- [9-ethyl-6- ( 2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] ethanone, or mixtures thereof.
  • the initiator may be included in about 0.1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of (A) + (B) in the photocurable composition. Within this range, photopolymerization can sufficiently occur during exposure, and the transmittance can be prevented from being lowered due to the unreacted initiator remaining after the photopolymerization. Preferably about 0.5 to 10 parts by weight, more preferably about 1 to 8 parts by weight.
  • the composition may include about 0.1 to 95% by weight of (A), about 0.1 to 95% by weight of (B), and about 0.1 to 10% by weight of (C).
  • A about 0.1 to 95% by weight of (A)
  • B about 0.1 to 95% by weight of (B)
  • C about 0.1 to 10% by weight of (C).
  • C 1% to about 5% by weight of (C).
  • the photocurable composition may have a photocurability of about 90% or more.
  • the curing shrinkage stress after curing is low to implement a layer that does not generate a shift can be used for sealing the device.
  • Photocuring rate can be measured by a conventional method.
  • the photocurable composition is applied onto a glass substrate and cured for 100 mW / cm 2 and 10 seconds. Aliquot the cured film and measure photocurability using FT-IR. Photocuring rate is calculated
  • device members in particular display device members, are decomposed or defective due to permeation of gases or liquids in the surrounding environment, such as oxygen and / or moisture in the atmosphere and / or water vapor and chemicals used in processing electronics. Can be.
  • the display apparatus needs to be encapsulated or encapsulated.
  • OLEDs organic light emitting diodes
  • lighting devices flexible organic light emitting diode displays
  • metal sensor pads metal sensor pads
  • microdisk lasers electrochromic devices
  • photochromic devices photochromic devices
  • microelectromechanical systems solar cells
  • integrated circuits integrated circuits.
  • Charge coupling devices light emitting polymers, light emitting diodes, and the like, but is not limited thereto.
  • the photocurable composition of the present invention satisfies all of the above-described adhesion to the inorganic barrier layer, photocurability, and transmittance, thereby forming an organic barrier layer used for encapsulation or encapsulation of the device, in particular, a flexible display device. .
  • An organic barrier layer which is another aspect of the present invention, may be formed from the composition.
  • the organic barrier layer can be formed by photocuring the photocurable composition described above.
  • the photocurable composition may be coated to a thickness of about 0.1 ⁇ m to 20 ⁇ m, and cured by irradiation at about 10 to 500 mW / cm 2 for about 1 to 50 seconds.
  • the organic barrier layer has the physical properties of the photocurable composition after curing. Therefore, the barrier stack can be formed together with the inorganic barrier layer to be described below, and used for encapsulation of the device.
  • a barrier stack which is another aspect of the present invention, may include the organic barrier layer and the inorganic barrier layer.
  • the inorganic barrier layer may be formed of an inorganic layer different from the organic barrier layer, thereby supplementing the effect of the organic barrier layer.
  • the inorganic barrier layer is not particularly limited as long as the inorganic barrier layer is excellent in light transmittance and excellent in moisture and / or oxygen barrier property.
  • the metal is silicon (Si), aluminum (Al), selenium (Se), zinc (Zn), antimony (Sb), indium (In), germanium (Ge), tin (Sn), bismuth (Bi), transition metal , Lanthanide metals, and the like, but is not limited thereto.
  • the inorganic barrier layer may be silicon oxide, silicon nitride, silicon oxygen nitride, ZnSe, ZnO, Sb 2 O 3 , Al 2 O 3 , In 2 O 3 , SnO 2 .
  • the inorganic barrier layer and the organic barrier layer may be deposited in a vacuum process, such as sputtering, chemical vapor deposition, plasma chemical vapor deposition, evaporation, sublimation, electron cyclotron resonance-plasma vapor deposition, and combinations thereof.
  • the organic barrier layer secures the above-described physical properties. As a result, when the organic barrier layer is deposited alternately with the inorganic barrier layer, it is possible to secure the smoothing characteristics of the inorganic barrier layer. In addition, the organic barrier layer can prevent the defect of the inorganic barrier layer from propagating to another inorganic barrier layer.
  • the organic barrier layer has a small amount of outgas generation, thereby minimizing the outgas effect on the device, thereby preventing the device from being decomposed or deteriorated.
  • the organic barrier layer may have an outgas generation amount of about 1000 ppm or less. Within this range, there is a slight effect when applied to the device, it can be effective to lengthen the life of the device. Preferably about 10 to 1000 ppm, more preferably about 200 to 750 ppm.
  • the outgas generation amount can be measured by a conventional method. For example, a photocurable composition is applied onto a glass substrate and irradiated for 100 mW / cm 2 , 10 seconds for UV curing to obtain an organic barrier layer of 20 cm x 20 cm x 3 ⁇ m (width x length x thickness). The specimens were obtained under the conditions described in the following experimental examples.
  • the organic barrier layer has a low moisture permeability (water permeability) can minimize the influence of moisture on the device.
  • the water vapor transmission rate may be about 4.5 g / m 2 ⁇ 24hr or less with respect to the thickness direction of the organic barrier layer. In the above range, it can be used for sealing the device, preferably about 1.0 to 4.5 g / m 2 ⁇ 24hr, more preferably about 2.1 to 4.1 g / m 2 ⁇ 24hr.
  • Moisture permeability can be measured by a conventional method. For example, moisture permeability is measured using a moisture permeability measuring instrument (PERMATRAN-W 3/33, MOCON). The photocurable composition was applied onto the Al sample holder and irradiated at 100 mW / cm 2 for 10 seconds to UV cured to form a cured specimen having a coating thickness of 5 ⁇ m. Moisture permeability is measured for 24 hours at 37.8 ° C. and 100% relative humidity conditions for a coating thickness of 5 ⁇ m.
  • PERMATRAN-W 3/33, MOCON moisture permeability measuring instrument
  • the barrier stack includes the organic barrier layer and the inorganic barrier layer, but the number of barrier stacks is not limited.
  • the combination of barrier stacks may vary depending on the level of permeation resistance to oxygen and / or moisture and / or water vapor and / or chemicals.
  • the organic barrier layer and the inorganic barrier layer may be deposited alternately. This is due to the effect on the organic barrier layer produced due to the physical properties of the above-described composition. As a result, the organic barrier layer and the inorganic barrier layer can complement or enhance the sealing effect on the device.
  • the organic barrier layer and the inorganic barrier layer are each about 2 or more layers alternately up to about 10 times (eg about 2 to 10 times), preferably about 7 times or less (eg about 2 to 7 times) Can be deposited.
  • the thickness of one organic barrier layer is about 0.1 ⁇ m to 20 ⁇ m, preferably about 1 ⁇ m to 10 ⁇ m, and the thickness of one inorganic barrier layer is about 5 nm to 500 nm, more preferably about 5 nm to 200 nm. Can be.
  • the barrier stack is a thin film encapsulant and may have a thickness of about 5 ⁇ m or less, preferably about 1.5 ⁇ m to 5 ⁇ m.
  • An encapsulated device which is another aspect of the present invention, may include a device member and the barrier layer or barrier stack.
  • the device is not limited so long as it includes the device member, and may include, for example, a display device.
  • the encapsulated device comprises a member for the device; And a barrier stack formed on the device member and including an inorganic barrier layer and an organic barrier layer.
  • FIG. 1 and 2 are cross-sectional views of an encapsulated device of one embodiment of the present invention.
  • the encapsulated device 100 includes a substrate 10; A device member (eg, an organic light emitting device) 20 formed on the substrate 10; And a barrier stack 30 formed on the device member 20 and composed of an inorganic barrier layer 31 and an organic barrier layer 32.
  • a device member eg, an organic light emitting device
  • a barrier stack 30 formed on the device member 20 and composed of an inorganic barrier layer 31 and an organic barrier layer 32.
  • the encapsulated device 200 includes a substrate 10; A device member (eg, an organic light emitting device) 20 formed on the substrate 10; And a barrier stack 30 formed on the device member 20 and composed of an inorganic barrier layer 31 and an organic barrier layer 32.
  • a device member eg, an organic light emitting device
  • a barrier stack 30 formed on the device member 20 and composed of an inorganic barrier layer 31 and an organic barrier layer 32.
  • FIG. 1 is an embodiment in which the device member 20 and the inorganic barrier layer 31 are in contact with each other
  • FIG. 2 is an embodiment in which an empty space 40 is formed between the device member 20 and the inorganic barrier layer 31. to be.
  • the contents for the device member, the organic barrier layer, the inorganic barrier layer, and the barrier stack are as described above.
  • the substrate is not particularly limited as long as it is a substrate on which device members can be laminated.
  • it may be made of a material such as transparent glass, plastic sheet, silicon or metal substrate.
  • substrate may not be included.
  • the encapsulated device can be manufactured by conventional methods.
  • a device member is formed on the substrate and an inorganic barrier layer is formed.
  • the photocurable composition may be applied using a method such as spin coating or slit coating and irradiated with light to form an organic barrier layer. The process of forming the inorganic barrier layer and the organic barrier layer can be repeated.
  • the method of forming the inorganic barrier layer and the organic barrier layer is not limited, but may include deposition.
  • a method for encapsulating a device member may comprise the following steps:
  • Forming at least one barrier stack comprising at least one inorganic barrier layer and an organic barrier layer and adjacent to the device component.
  • the substrate, the device member, the inorganic barrier layer, the organic barrier layer, and the barrier stack are as described above.
  • the device member is laminated on a substrate. This can be carried out in the same manner as the inorganic barrier layer and the organic barrier layer forming method, but is not limited thereto.
  • the inorganic barrier layer and the organic barrier layer may be formed by a vacuum process such as sputtering, chemical vapor deposition, plasma chemical vapor deposition, evaporation, sublimation, electron cyclotron resonance-plasma vapor deposition, and combinations thereof.
  • a 500 ml flask equipped with a cooling tube and a stirrer was filled with 200 ml of 1,2-dichloroethane, 63 g of allyl methacrylate (Aldrich), 27 g of 1,3,5, -trimethylcyclotrisiloxane, and platinum-1,3-divinyl. 0.01 g of -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex solution (Aldrich) was added thereto and stirred at 40 ° C. for 8 hours. After completion of the reaction, 1,2-dichloroethane was removed by distillation under reduced pressure, and 45 g of the compound of Chemical Formula 3 was obtained through a silica gel column. HPLC purity of the obtained compound was 98%.
  • Photocurable monomer (A1) hexyl acrylate, (A2) hexanediol diacrylate, (A3) pentaerythritol tetraacrylate (above, Aldrich)
  • Water vapor permeability Use a moisture permeability meter (PERMATRAN-W 3/33, MOCON). The photocurable composition was sprayed onto the Al sample holder and irradiated at 100 mW / cm 2 for 10 seconds to UV cured to form a cured specimen having a coating thickness of 5 ⁇ m. The moisture permeability is measured for 24 hours at 37.8 ° C. and 100% relative humidity using a moisture permeability meter (PERMATRAN-W 3/33, MOCON) for a coating thickness of 5 ⁇ m.
  • PERMATRAN-W 3/33, MOCON moisture permeability meter
  • the split ratio is 20: 1, the temperature conditions are maintained for 3 minutes at 40 °C, then heated up at a rate of 10 °C / min and maintained at 320 °C 6 minutes.
  • Out size is glass size 20cm x 20cm
  • collection container is Tedlar bag
  • collection temperature is 90 °C
  • collection time is 30 minutes
  • N 2 purge flow rate is 300mL / min
  • adsorbent is Tenax GR (5% phenylmethylpolysiloxane) Capture using.
  • a calibration curve is prepared with 150 ppm, 400 ppm, and 800 ppm of toluene solution in n-hexane, and an R2 value of 0.9987 is obtained.
  • Table 1 summarized in Table 1 below.
  • A is the ratio of the intensity of the absorption peak in the vicinity of 1635 cm ⁇ 1 to the intensity of the absorption peak in the vicinity of 1720 cm ⁇ 1 for the cured film
  • B is the ratio of the intensity of the absorption peak in the vicinity of 1635 cm ⁇ 1 to the intensity of the absorption peak in the vicinity of 1720 cm ⁇ 1 for the photocurable composition).
  • the coating film formed of the photocurable compositions of the present invention had a low moisture permeability, and the outgas evaluation amount was significantly lower than the comparative example when evaluating the outgas. Moreover, the photocuring composition of this invention was remarkably high compared with the comparative example.
  • the coating film formed of the photocurable composition of Comparative Examples 1-3 containing no silicone-containing monomer of the present invention had high moisture permeability, high outgas generation rate when evaluating outgas, and relatively low photocuring rate. Can not implement the effect.

Abstract

본 발명은 (A)광경화성 모노머 및 (B)실리콘 포함 모노머를 포함하고, 상기 (B)실리콘 포함 모노머는 화학식 1의 구조를 갖는 광경화 조성물, 이를 포함하는 장벽층, 및 이를 포함하는 봉지화된 장치에 관한 것이다.

Description

광경화 조성물, 이를 포함하는 장벽층 및 이를 포함하는 봉지화된 장치
본 발명은 광경화 조성물, 이를 포함하는 장벽층(barrier layer), 이를 포함하는 장벽 스택(barrier stack), 이를 포함하는 봉지화된 장치, 및 이를 이용하는 장치의 봉지 방법에 관한 것이다.
유기전계발광부(OLED, organic light emitting diode)는 양극과 음극 사이에 기능성 유기물 층이 삽입된 구조로서, 양극에 주입된 정공과 음극에 주입된 전자의 재결합에 의해 에너지가 높은 여기자(exciton)를 형성하게 된다. 형성된 여기자가 기저 상태(ground state)로 이동하면서 특정 파장의 빛을 발생하게 된다. 유기전계발광부는 자체 발광, 고속 응답, 광 시야각, 초박형, 고화질, 내구성의 장점을 갖고 있다.
그러나, 유기전계발광부는 밀봉하더라도 외부에서 유입되는 수분 또는 산소나, 외부 또는 내부에서 발생되는 아웃가스에 의해 유기 재료 및/또는 전극 재료의 산화가 일어나 성능과 수명이 저하되는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 극복하기 위하여, 유기전계발광부가 형성된 기판에 광경화형 실링제를 도포하거나, 투명 또는 불투명 흡습제를 부착시키거나, 프릿(frit)을 형성하는 방법이 제안되고 있다.
일 예로 한국공개특허 제2006-0084978호에 따르면, 실리콘 화합물과 고분자 수지 중 어느 하나의 수분 침투 억제 물질로 형성되는 밀봉용 보호막을 사용한 유기발광다이오드 소자의 봉지 구조를 제안하고 있다.
본 발명의 목적은 경화 후 투습도 및 아웃가스 발생량이 현저하게 낮은 층을 구현할 수 있는 광경화 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 광경화율이 높아 경화 후 경화 수축 응력으로 인한 쉬프트(shift)가 발생되지 않는 층을 구현할 수 있는 광경화 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 소자 밀봉 시에 소자의 수명을 연장시킬 수 있는 층을 구현할 수 있는 광경화 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 광경화 조성물로 형성된 층을 포함하는 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 관점인 광경화 조성물은 (A)광경화성 모노머 및 (B)실리콘 포함 모노머를 포함하고, 상기 (B)실리콘 포함 모노머는 하기 화학식 1의 구조를 가질 수 있다:
<화학식 1>
Figure PCTKR2013001423-appb-I000001
(상기에서, X1,X2 및 X3은 동일하거나 다르고, O, S, NH 또는 NR' 이고, R'는 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기이고,
R1, R2, 및 R3은 동일하거나 또는 다르고, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬에테르기, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 모노알킬아민기 또는 디알킬아민기, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 모노알킬술파이드기 또는 디알킬술파이드기, 비치환 또는 치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 비치환 또는 치환된 탄소수 7 내지 30의 아릴알킬기, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 비치환 또는 치환된 탄소수 7 내지 30의 아릴알콕시기이고
Z1, Z2, 및 Z3은 동일하거나 또는 다르고, 독립적으로 수소, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬에테르기, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 모노알킬아민기 또는 디알킬아민기, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 모노알킬술파이드기 또는 디알킬술파이드기, 비치환 또는 치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 비치환 또는 치환된 탄소수 7 내지 30의 아릴알킬기, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 비치환 또는 치환된 탄소수 7 내지 30의 아릴알콕시기, 또는 하기 화학식 2이고,
<화학식 2>
Figure PCTKR2013001423-appb-I000002
(상기에서, *는 상기 화학식 1의 Si에 대한 연결부위이고,
R4는 수소, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기이고,
R5는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 아릴알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬렌옥시기이다)
n은 1 내지 30의 정수이고,
Z1, Z2, 및 Z3 중 적어도 하나 이상은 상기 화학식 2이다).
본 발명의 다른 관점인 장벽층은 상기 광경화 조성물의 경화물을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 관점인 봉지화된 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성된 장치용 부재, 및 상기 장치용 부재 위에 형성되고, 무기 장벽층과 유기 장벽층을 포함하는 장벽 스택을 포함하고, 상기 유기 장벽층은 아웃가스 발생량이 약 1000ppm 이하가 될 수 있다.
본 발명의 또 다른 관점인 봉지화된 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성된 장치용 부재, 및 상기 장치용 부재 위에 형성되고, 무기 장벽층과 유기 장벽층을 포함하는 장벽 스택을 포함하고, 상기 유기 장벽층은 상기 유기 장벽층의 두께 방향으로 도막 두께 5㎛에 대하여 37.8℃, 100% 상대 습도, 및 24시간 조건에서 측정된 투습도가 약 4.5g/m2·24hr 이하가 될 수 있다.
본 발명은 경화 후 투습도 및 아웃가스 발생량이 현저하게 낮은 층을 구현하여 소자 밀봉 시에 소자의 성능 저하를 막고 수명을 연장시킬 수 있는 층을 구현할 수 있는 광경화 조성물을 제공하였다. 또한 본 발명은 광경화율이 높아 소자 밀봉 시에 쉬프트가 발생되지 않는 층을 구현할 수 있는 광경화 조성물을 제공하였다.
도 1은 본 발명 일 구체예의 봉지화된 장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명 다른 구체예의 봉지화된 장치의 단면도이다.
본 명세서에서 '치환된'은 별도의 정의가 없는 한, 본 발명의 작용기 중 하나 이상의 수소 원자가 할로겐(F, Cl, Br 또는 I), 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 이미노기(=NH, =NR, R은 탄소수 1-10의 알킬기이다), 아미노기(-NH2, -NH(R'), -N(R")(R"'), R',R",R"'은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다), 아미디노기, 히드라진 또는 히드라존기, 카르복시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로시클로알킬기로 치환되는 것을 의미할 수 있다.
본 명세서에서 '헤테로'는 탄소 원자가 N, O, S 및 P로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 원자로 치환된 것을 의미한다.
본 명세서에서 '*'는 원소의 연결 부위를 의미할 수 있다.
본 발명의 일 관점인 광경화 조성물은 (A)광경화성 모노머 및 (B)실리콘 포함 모노머를 포함할 수 있다.
(A)광경화성 모노머
상기 광경화성 모노머는 실리콘을 포함하지 않는 비-실리콘계이고, 광경화성 작용기(예를 들면 (메타)아크릴레이트기, 비닐기 등)를 갖는 모노머를 의미할 수 있다.
상기 광경화성 모노머는 단관능 모노머, 다관능 모노머, 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 광경화성 모노머는 치환 또는 비치환된 비닐기, 아크릴레이트기, 또는 메타아크릴레이트기를 약 1 내지 30개, 바람직하게는 약 1 내지 20개, 더 바람직하게는 약 1 내지 6개 갖는 모노머를 포함할 수 있다.
상기 광경화성 모노머는 단관능 모노머와 다관능 모노머의 혼합물을 포함할 수 있다. 혼합물에서 단관능 모노머 : 다관능 모노머는 약 1:0.1 내지 1:10의 중량비, 약 1:2 내지 1:3.75의 중량비로 포함될 수 있다.
구체예에서, 상기 광경화성 모노머는 치환 또는 비치환된 비닐기를 갖는 탄소수 6 내지 20의 방향족 화합물; 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 탄소수 6 내지 20의 방향족기, 또는 히드록시기 및 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 갖는 불포화 카르본산 에스테르; 탄소수 1 내지 20의 아미노 알킬기를 갖는 불포화 카르본산 에스테르; 탄소수 1 내지 20의 포화 또는 불포화 카르본산의 비닐 에스테르; 탄소수 1 내지 20의 불포화 카르본산 글리시딜 에스테르; 시안화 비닐 화합물; 불포화 아미드 화합물; 모노 알코올 또는 다가 알코올의 단관능 또는 다관능 (메타)아크릴레이트 등이 될 수 있다.
구체예에서, 상기 광경화성 모노머는 스티렌, α-메틸 스티렌, 비닐 톨루엔, 비닐 벤질 에테르, 비닐 벤질 메틸 에테르 등의 비닐기를 포함하는 알케닐기를 갖는 탄소수 6 내지 20의 방향족 화합물; 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 부틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시부틸 (메타)아크릴레이트, 헥실 (메타)아크릴레이트, 옥틸 (메타)아크릴레이트, 노닐 (메타)아크릴레이트, 데카닐 (메타)아크릴레이트, 운데카닐 (메타)아크릴레이트, 도데실 (메타)아크릴레이트, 시클로헥실 (메타)아크릴레이트, 벤질 (메타)아크릴레이트, 페닐 (메타)아크릴레이트 등의 불포화 카르본산 에스테르; 2-아미노에틸 (메타)아크릴레이트, 2-디메틸아미노에틸 (메타)아크릴레이트 등의 불포화 카르본산 아미노 알킬 에스테르; 비닐 아세테이트, 비닐 벤조에이트 등의 포화 또는 불포화 카르본산 비닐 에스테르; 글리시딜 (메타)아크릴레이트 등의 탄소수 1 내지 20의 불포화 카르본산 글리시딜 에스테르; (메타)아크릴로니트릴 등의 시안화 비닐 화합물; (메타)아크릴아미드 등의 불포화 아미드 화합물; 에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트, 옥틸디올 디(메타)아크릴레이트, 노닐디올 디(메타)아크릴레이트, 데카닐디올 디(메타)아크릴레이트, 운데카닐디올 디(메타)아크릴레이트, 도데실디올 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 디(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 비스페놀 A 디(메타)아크릴레이트, 노볼락에폭시 (메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리(프로필렌글리콜) 디(메타)아크릴레이트, 폴리(프로필렌글리콜) 디(메타)아크릴레이트 등을 포함하는 모노 알코올 또는 다가 알코올의 단관능 또는 다관능 (메타)아크릴레이트 등이 될 수 있고, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 '다가 알코올'은 수산기를 약 2개 이상 갖는 알코올로서, 약 2 내지 20개, 바람직하게는 약 2 내지 10개, 더 바람직하게는 약 2 내지 6개 갖는 알코올을 의미할 수 있다.
바람직하게는, 상기 광경화성 모노머는 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 갖는 (메타)아크릴레이트, 탄소수 2 내지 20의 디올의 디(메타)아크릴레이트, 탄소수 3 내지 20의 트리올의 트리(메타)아크릴레이트, 탄소수 4 내지 20의 테트라올의 테트라(메타)아크릴레이트 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 광경화성 모노머는 광경화 조성물에서 (A) + (B) 100중량부 중 약 1 내지 99중량부로 포함될 수 있다. 바람직하게는, 약 20 내지 95중량부이며, 더 바람직하게는 약 30 내지 95중량부, 가장 바람직하게는 약 60 내지 95중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서, 광경화 조성물은 플라즈마에 대한 내성이 강하여, 박막봉지층 제조 시에 발생하는 플라즈마로부터 발생될 수 있는 아웃가스 및 투습도 저하를 낮추거나 방지할 수 있다.
(B)실리콘 포함 모노머
상기 실리콘 포함 모노머는 실리콘을 포함하는 실리콘계 모노머이고, 광경화성 작용기(예를 들면 (메타)아크릴레이트기, 비닐기 등)를 갖는 광경화성 모노머일 수 있다. 구체예에서, 상기 실리콘 포함 모노머는 하기 화학식 1의 구조를 갖는 모노머일 수 있다:
<화학식 1>
Figure PCTKR2013001423-appb-I000003
(상기에서, X1,X2 및 X3은 동일하거나 다르고, O, S, NH 또는 NR' 이고, R'는 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기이고,
R1,R2, 및 R3은 동일하거나 또는 다르고, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬에테르기, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 모노알킬아민기 또는 디알킬아민기, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 모노알킬술파이드기 또는 디알킬술파이드기, 비치환 또는 치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 비치환 또는 치환된 탄소수 7 내지 30의 아릴알킬기, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 비치환 또는 치환된 탄소수 7 내지 30의 아릴알콕시기이고
Z1,Z2, 및 Z3은 동일하거나 또는 다르고, 독립적으로 수소, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬에테르기, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 모노알킬아민기 또는 디알킬아민기, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 모노알킬술파이드기 또는 디알킬술파이드기, 비치환 또는 치환된 탄소수 6-30의 아릴기, 비치환 또는 치환된 탄소수 7 내지 30의 아릴알킬기, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 비치환 또는 치환된 탄소수 7 내지 30의 아릴알콕시기, 또는 하기 화학식 2이고,
<화학식 2>
Figure PCTKR2013001423-appb-I000004
(상기에서, *는 상기 화학식 1의 Si에 대한 연결부위이고,
R4는 수소, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기이고,
R5는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 아릴알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬렌옥시기이다)
n은 1 내지 30의 정수이고,
Z1,Z2, 및 Z3 중 적어도 하나 이상은 상기 화학식 2이다).
n은 약 1 내지 30의 정수가 될 수 있다. 상기 범위에서, 경화 후 투습도 및 아웃가스 발생량이 낮아질 수 있고, 광경화율이 높을 수 있다.
바람직하게는 n은 약 1 내지 10의 정수, 더 바람직하게는 약 1 내지 5의 정수 될 수 있다.
R1,R2, 및 R3은 바람직하게는 탄소수 1 내지 10, 더 바람직하게는 탄소수 1 내지 6의 알킬기가 될 수 있다.
Z1,Z2, 및 Z3은 R4가 수소 또는 탄소수 1 내지 5의 알킬기인 화학식 2가 될 수 있다.
Z1,Z2, 및 Z3은 R5가 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, 더 바람직하게는 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기인 화학식 2가 될 수 있다.
n은 바람직하게는 약 1 내지 5의 정수, 더 바람직하게는 약 1 내지 3의 정수가 될 수 있다.
상기 실리콘 포함 모노머는 통상의 합성 방법으로 합성하여 사용하거나 상업적으로 판매되는 제품을 구입하여 사용할 수 있다.
상기 실리콘 포함 모노머는 상기 광경화성 모노머와 함께 광경화 조성물에 포함되어, 경화 후 투습도와 아웃가스 발생량이 현저하게 낮은 층을 구현할 수 있고, 광경화율을 높일 수 있다. 또한, 실리콘 포함 모노머는 실리콘을 포함함으로써 기존의 무기 장벽층과 유기 장벽층이 증착되는 봉지 구조에서 유기 장벽층에 포함시 무기 장벽층의 증착시 사용되는 플라즈마로부터 소자가 받는 손상을 최소화할 수 있다.
상기 실리콘 포함 모노머는 광경화 조성물에서 (A) + (B) 100중량부 중 약 1 내지 99중량부로 포함될 수 있다. 바람직하게는, 약 5 내지 80중량부이며, 더 바람직하게는 약 5 내지 70중량부, 가장 바람직하게는 약 5 내지 40중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서, 광경화 조성물은 플라즈마에 대한 내성이 강하여, 박막봉지층 제조 시에 발생하는 플라즈마로부터 발생될 수 있는 아웃가스 및 투습도 저하를 낮추거나 방지 할 수 있다.
상기 조성물은 개시제를 더 포함할 수 있다.
(C) 개시제
개시제는 광경화성 반응을 수행할 수 있는 통상의 광중합 개시제를 제한없이 포함할 수 있다. 예를 들면, 광중합 개시제는 트리아진계, 아세토페논계, 벤조페논계, 티오크산톤계, 벤조인계, 인계, 옥심계 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.
트리아진계로는 2,4,6-트리클로로-s-트리아진, 2-페닐-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2-(3',4'-디메톡시 스티릴)-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2-(4'-메톡시 나프틸)-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2-(p-메톡시 페닐)-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2-(p-톨릴)-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2-비페닐-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 비스(트리클로로 메틸)-6-스티릴-s-트리아진, 2-(나프토-1-일)-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시 나프토-1-일)-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2,4-트리클로로 메틸(피페로닐)-6-트리아진, 2,4-(트리클로로 메틸(4'-메톡시 스티릴)-6-트리아진 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
아세토페논계로는, 2,2'-디에톡시 아세토페논, 2,2'-디부톡시 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸 프로피오페논, p-t-부틸 트리클로로 아세토페논, p-t-부틸 디클로로 아세토페논, 4-클로로 아세토페논, 2,2'-디클로로-4-페녹시 아세토페논, 2-메틸-1-(4-(메틸티오)페닐)-2-모폴리노 프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸 아미노-1-(4-모폴리노 페닐)-부탄-1-온, 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
벤조페논계로는 벤조페논, 벤조일 안식향산, 벤조일 안식향산 메틸, 4-페닐 벤조페논, 히드록시 벤조페논, 아크릴화 벤조페논, 4,4'-비스(디메틸 아미노)벤조페논, 4,4'-디클로로 벤조페논, 3,3'-디메틸-2-메톡시 벤조페논 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
티오크산톤계로는 티오크산톤, 2-메틸 티오크산톤, 이소프로필 티오크산톤, 2,4-디에틸 티오크산톤, 2,4-디이소프로필 티오크산톤, 2-클로로 티오크산톤 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
벤조인계로는 벤조인, 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 이소프로필 에테르, 벤조인 이소부틸 에테르, 벤질 디메틸 케탈 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
인계로는 비스벤조일페닐 포스핀옥시드, 벤조일디페닐 포스핀옥시드 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
옥심계로는 2-(o-벤조일옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온 및 1-(o-아세틸옥심)-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]에탄온, 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
상기 개시제는 광경화 조성물 중 (A) + (B) 100중량부에 대하여 약 0.1 내지 20중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서, 노광시 광중합이 충분히 일어날 수 있고, 광중합 후 남은 미반응 개시제로 인하여 투과율이 저하되는 것을 막을 수 있다. 바람직하게는 약 0.5 내지 10중량부, 더욱 바람직하게는 약 1 내지 8중량부로 포함될 수 있다.
상기 조성물은 고형분 기준으로 상기 (A) 약 0.1 내지 95중량%, 상기 (B) 약 0.1 내지 95중량%, 상기 (C) 약 0.1 내지 10중량%를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 (A) 약 55 내지 95중량%, 상기 (B) 약 4 내지 40중량%, 상기 (C) 약 1 내지 5중량%를 포함할 수 있다.
광경화 조성물은 광경화율이 약 90% 이상이 될 수 있다. 상기 범위 내에서, 경화 후 경화 수축 응력이 낮아 쉬프트가 발생되지 않은 층을 구현하여 소자의 밀봉 용도로 사용할 수 있다. 바람직하게는 약 90 내지 99% 더 바람직하게는 약 93 내지 96%가 될 수 있다.
광경화율은 통상의 방법으로 측정할 수 있다. 예를 들면, 광경화 조성물을 유리 기판 위에 도포하고 100mW/cm2 및 10초 동안 경화시킨다. 경화된 필름을 분취하고 FT-IR을 사용하여 광경화율을 측정한다. 광경화율은 하기 실험예에서 기술한 조건으로 구한다.
한편, 장치용 부재 특히 디스플레이 장치용 부재는 주변 환경의 기체 또는 액체, 예를 들면 대기 중의 산소 및/또는 수분 및/또는 수증기와 전자제품으로 가공시 사용된 화학물질의 투과에 의해 분해되거나 불량이 될 수 있다. 이를 위해 디스플레이장치는 봉지 또는 캡슐화될 필요가 있다.
이러한 장치용 부재는 유기발광소자(OLED), 조명 장치, 플렉시블(flexible) 유기발광소자 디스플레이, 금속 센서 패드, 마이크로디스크 레이저, 전기변색 장치, 광변색장치, 마이크로전자기계 시스템, 태양전지, 집적 회로, 전하 결합 장치, 발광 중합체, 발광 다이오드 등이 될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
본 발명의 광경화 조성물은 상술한 무기 장벽층에 대한 부착력, 광경화율, 투과율 모두를 만족함으로써, 상기 장치 특히 플렉시블(flexible) 디스플레이 장치의 봉지 또는 캡슐화 용도로 사용되는 유기 장벽층을 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 관점인 유기 장벽층은 상기 조성물로 형성될 수 있다.
유기 장벽층은 상술한 광경화 조성물을 광 경화시켜 형성할 수 있다. 제한되지 않지만, 광경화 조성물을 약 0.1㎛ 내지 20㎛ 두께로 코팅하고, 약 10 내지 500mW/cm2에서 약 1 내지 50초동안 조사하여 경화시킬 수 있다.
유기 장벽층은 상술한 경화 후 광경화 조성물의 물성을 갖는다. 따라서, 하기에서 상술될 무기 장벽층과 함께 장벽 스택을 형성하여 장치의 봉지 용도로 사용될 수 있다.
본 발명의 또 다른 관점인 장벽 스택은 상기 유기 장벽층과 무기 장벽층을 포함할 수 있다.
무기 장벽층은 상기 유기 장벽층과 상이한 무기층으로 형성하여, 유기 장벽층의 효과를 보완할 수 있다.
무기 장벽층은 광투과성이 우수하고, 수분 및/또는 산소 차단성이 우수한 무기층이라면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 금속, 금속간 화합물 또는 합금, 금속 또는 혼합 금속의 산화물, 금속 또는 혼합 금속의 불화물, 금속 또는 혼합 금속의 질화물, 금속 탄화물, 금속 또는 혼합 금속의 산소질화물, 금속 또는 혼합 금속의 붕소화물, 금속 또는 혼합 금속의 산소붕소화물, 금속 또는 혼합 금속의 실리사이드 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다. 상기 금속은 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 셀레늄(Se), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 인듐(In), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 비스무트(Bi), 전이금속, 란탄족 금속, 등이 될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 구체적으로, 무기 장벽층은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산소 질화물, ZnSe, ZnO, Sb2O3, Al2O3, In2O3, SnO2가 될 수 있다.
무기 장벽층과 유기 장벽층은 진공 공정, 예를 들면 스퍼터링, 화학기상증착, 플라즈마화학기상증착, 증발, 승화, 전자사이클로트론공명-플라즈마증기증착 및 이의 조합으로 증착될 수 있다.
유기 장벽층은 상술한 물성을 확보한다. 그 결과, 유기 장벽층은 무기 장벽층과 교대로 증착시, 무기 장벽층의 평활화 특성을 확보할 수 있다. 또한, 유기 장벽층은 무기 장벽층의 결함이 또 다른 무기 장벽층으로 전파되는 것을 막을 수 있다.
유기 장벽층은 아웃가스 발생량이 적어 소자에 대한 아웃가스 영향을 최소화함으로써 소자가 아웃가스에 대해 분해되거나 성능이 저하되는 것을 막을 수 있다. 구체적으로, 유기 장벽층은 아웃가스 발생량이 약 1000ppm 이하가 될 수 있다. 상기 범위 내에서, 소자에 적용 시 영향이 미미하고, 소자의 수명을 길게 할 수 있는 효과가 있을 수 있다. 바람직하게는 약 10 내지 1000ppm, 더 바람직하게는 약 200 내지 750ppm이 될 수 있다.
아웃가스 발생량은 통상의 방법으로 측정할 수 있다. 예를 들면, 유리 기판 위에 광경화 조성물을 도포하고 100mW/cm2, 10초 동안 조사하여 UV 경화시켜, 20cm x 20cm x 3㎛(가로 x 세로 x 두께)의 유기 장벽층을 얻는다. 시편에 대하여, 하기 실험예에서 기술한 조건으로 구한다.
또한, 유기 장벽층은 투습도(수분투과도)가 낮아 소자에 대해 수분의 영향을 최소화할 수 있다. 투습도는 유기 장벽층의 두께 방향에 대하여 약 4.5g/m2·24hr 이하가 될 수 있다. 상기 범위에서, 소자의 밀봉용으로 사용가능하고, 바람직하게는, 약 1.0 내지 4.5g/m2·24hr, 더 바람직하게는 약 2.1 내지 4.1g/m2·24hr가 될 수 있다.
투습도는 통상의 방법으로 측정할 수 있다. 예를 들면, 투습도 측정기(PERMATRAN-W 3/33, MOCON사)를 이용하여 투습도를 측정한다. Al 샘플 홀더 위에 광경화형 조성물을 도포하고 100mW/cm2으로 10초동안 조사하여 UV 경화시켜 도막 두께 5㎛의 경화된 시편을 형성한다. 도막 두께 5㎛에 대해 37.8℃ 및 100% 상대 습도 조건에서 24시간 동안 투습도를 측정한다.
장벽 스택은 상기 유기 장벽층과 무기 장벽층을 포함하되, 장벽 스택의 수는 제한되지 않는다. 장벽 스택의 조합의 산소 및/또는 수분 및/또는 수증기 및/또는 화학 물질에 대한 투과 저항성의 수준에 따라 변경할 수 있다.
장벽 스택에서 유기 장벽층과 무기 장벽층은 교대로 증착될 수 있다. 이는 상술한 조성물이 갖는 물성으로 인해 생성된 유기 장벽층에 대한 효과 때문이다. 이로 인해, 유기 장벽층과 무기 장벽층은 장치에 대한 봉지 효과를 보완 또는 강화할 수 있다.
바람직하게는, 유기 장벽층과 무기 장벽층은 각각 약 2층 이상 교대로 약 10회 이하(예:약 2 내지 10회), 바람직하게는 약 7회 이하(예:약 2 내지 7회)로 증착될 수 있다.
장벽 스택에서, 유기 장벽층 하나의 두께는 약 0.1㎛ 내지 20㎛, 바람직하게는 약 1㎛ 내지 10㎛, 무기 장벽층 하나의 두께는 약 5nm 내지 500nm, 더 바람직하게는 약 5nm 내지 200nm가 될 수 있다.
장벽 스택은 박막 봉지제로서, 두께는 약 5㎛ 이하, 바람직하게는 약 1.5㎛ 내지 5㎛가 될 수 있다.
본 발명의 또 다른 관점인 봉지화된 장치는 장치용 부재, 및 상기 장벽층 또는 장벽 스택을 포함할 수 있다. 상기 장치는 상기 장치용 부재를 포함하는 것이라면 제한되지 않고, 예를 들면, 디스플레이 장치를 포함할 수 있다.
봉지화된 장치는 장치용 부재; 및 상기 장치용 부재 위에 형성되고, 무기 장벽층과 유기 장벽층을 포함하는 장벽 스택을 포함할 수 있다.
도 1과 도 2는 본 발명 일 구체예의 봉지화된 장치의 단면도이다.
도 1에 따르면, 봉지화된 장치(100)는 기판(10); 상기 기판(10) 위에 형성된 장치용 부재(예:유기발광소자)(20); 및 상기 장치용 부재(20) 위에 형성되고, 무기 장벽층(31)과 유기 장벽층(32)으로 구성되는 장벽 스택(30)을 포함할 수 있다.
도 2에 따르면, 봉지화된 장치(200)는 기판(10); 상기 기판(10) 위에 형성된 장치용 부재(예:유기발광소자)(20); 및 상기 장치용 부재(20) 위에 형성되고, 무기 장벽층(31)과 유기 장벽층(32)으로 구성되는 장벽 스택(30)을 포함할 수 있다.
도 1은 장치용 부재(20)와 무기 장벽층(31)이 서로 접촉하는 구체예이고, 도 2는 장치용 부재(20)와 무기 장벽층(31) 간에 빈 공간(40)이 형성된 구체예이다.
상기 장치용 부재, 유기 장벽층, 무기 장벽층, 장벽 스택에 대한 내용은 상기에서 상술한 바와 같다.
기판은 장치용 부재가 적층될 수 있는 기판이라면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 투명 유리, 플라스틱 시트, 실리콘 또는 금속 기판 등과 같은 물질로 이루어질 수 있다.
장치용 부재의 종류에 따라서는 기판이 포함되지 않을 수도 있다.
봉지화된 장치는 통상의 방법으로 제조될 수 있다. 기판 위에 장치용 부재를 형성하고 무기 장벽층을 형성한다. 광경화 조성물을 스핀 도포, 슬릿 도포 등의 방법을 사용하여 도포하고 광을 조사하여 유기 장벽층을 형성할 수 있다. 무기 장벽층과 유기 장벽층의 형성 과정은 반복될 수 있다.
무기 장벽층과 유기 장벽층의 형성 방법은 제한되지 않지만, 증착을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 관점인 장치용 부재의 봉지 방법은 하기의 단계를 포함할 수 있다:
기판에 하나 이상의 장치용 부재를 적층하는 단계; 및
하나 이상의 무기 장벽층과 유기 장벽층을 포함하고, 상기 장치용 부재에 인접하는 하나 이상의 장벽 스택을 형성하는 단계.
기판, 장치용 부재, 무기 장벽층, 유기 장벽층, 장벽 스택에 대한 상세 내용은 상기에서 상술한 바와 같다.
기판에 장치용 부재를 적층한다. 이는 하기 무기 장벽층과 유기 장벽층 형성 방법과 동일한 방법으로 수행될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
무기 장벽층과 유기 장벽층은 진공 공정, 예를 들면 스퍼터링, 화학기상증착, 플라즈마화학기상증착, 증발, 승화, 전자사이클로트론공명-플라즈마증기증착 및 이의 조합으로 형성될 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
제조예1 :실리콘 포함 모노머 1(화학식 3)의 제조
냉각관과 교반기를 구비한 500ml 플라스크에 1,2-디클로로에탄 200ml을 채우고 알릴메타크릴레이트(Aldrich社) 63g과 1,3,5,-트리메틸시클로트리실록산 27g과 플라티늄-1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸이실록산 콤플렉스 용액(Aldrich社) 0.01g을 넣고 40℃에서 8시간 동안 질소를 넣으며 교반하였다. 반응 종료 후 1,2-디클로로에탄을 감압 증류하여 제거한 후 실리카겔 칼럼을 통해 하기 화학식 3의 화합물을 45g 얻을 수 있었다. 얻어진 화합물의 HPLC 순도는 98%였다.
<화학식 3>
Figure PCTKR2013001423-appb-I000005
제조예2 :실리콘 포함 모노머 2(화학식 4)의 제조
제조예 1과 동일하며 1,3,5,-트리메틸시클로트리실록산 대신 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산을 사용한다.
<화학식 4>
Figure PCTKR2013001423-appb-I000006
하기 실시예와 비교예에서 사용한 성분의 구체적인 사양은 다음과 같다.
(A)광경화성 모노머: (A1)헥실 아크릴레이트, (A2)헥산디올 디아크릴레이트, (A3)펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트(이상, Aldrich사)
(B)실리콘 포함 모노머:(B1)화학식 3의 모노머, (B2)화학식 4의 모노머,
(C)개시제:Darocur TPO(BASF사)
실시예와 비교예
(A)광경화성 모노머, (B)실리콘 포함 모노머 및 (C)개시제를 하기 표 2에 기재된 함량(단위:중량부)으로 125ml 갈색 폴리프로필렌병에 넣고, 쉐이커를 이용하여 3시간 동안 혼합하여 조성물을 제조하였다.
상기 실시예와 비교예에서 제조한 조성물에 대해 하기의 물성을 평가하고 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
물성 평가 방법
1.투습도: 투습도 측정기(PERMATRAN-W 3/33, MOCON사)를 이용한다. Al 샘플 홀더(sample holder)위에 광경화 조성물을 스프레이로 도포하고 100mW/cm2으로 10초동안 조사하여 UV 경화시켜 도막 두께 5㎛의 경화된 시편을 형성한다. 도막 두께 5㎛에 대해 투습도 측정기(PERMATRAN-W 3/33, MOCON사)를 이용하고, 37.8℃ 및 100% 상대 습도 조건에서 24시간 동안 투습도를 측정한다.
2.유기 장벽층의 아웃가스 발생량:유리 기판 위에 광경화 조성물을 스프레이로 도포하고 100mW/cm2으로 10초동안 조사하여 UV 경화시켜, 20cm x 20cm x 3㎛(가로 x 세로 x 두께)의 유기 장벽층 시편을 얻는다. 시편에 대하여, GC/MS 기기(Perkin Elmer Clarus 600)을 이용한다. GC/MS는 칼럼으로 DB-5MS 칼럼(길이:30m, 지름:0.25mm, 고정상 두께:0.25㎛)을 사용하고, 이동상으로 헬륨 가스(플로우 레이트:1.0mL/min, average velocity = 32 cm/s)를 이용하고, split ratio는 20:1, 온도 조건은 40℃에서 3분 유지하고, 그 다음에 10℃/분의 속도로 승온한 후 320℃에서 6분 유지한다. 아웃 가스는 glass size 20cm x 20cm, 포집 용기는 Tedlar bag, 포집 온도는 90℃, 포집 시간은 30분, N2 퍼지(purge) 유량은 300mL/분, 흡착제는 Tenax GR(5% 페닐메틸폴리실록산)을 이용하여 포집한다. 표준 용액으로 n-헥산 중 톨루엔 용액 150ppm, 400ppm, 800ppm으로 검량선을 작성하고 R2값을 0.9987로 얻는다. 이상의 조건을 요약하면 하기 표 1과 같다.
표 1
구분 세부사항
포집 조건 Glass size : 20cm x 20cm
포집 용기 : Tedlar bag
포집 온도 : 90℃
포집 시간 : 30min
N2 purge 유량 : 300 mL/min
흡착제 : Tenax GR
검량선 작성 조건 표준 용액 : Toluene in n-Hexane
농도 범위 : 150ppm, 400ppm, 800ppm
R2 : 0.9987
GC/MS 조건 GC/MS Column DB-5MS → 30m x 0.25mm x 0.25㎛(5% phenylmethylpolysiloxane)
GC/MS 이동상 He
GC/MS Flow 1.0 mL/min (average velocity = 32 cm/s)
GC/MS Split Split ratio = 20:1
GC/MS Method 40℃(3 min) 에서 10℃/min으로 320℃(6 min)
3.광경화율:광경화 조성물에 대하여 FT-IR(NICOLET 4700, Thermo사)을 사용하여 1635cm-1 부근(C=C), 1720cm-1 부근(C=O)에서의 흡수 피크의 강도를 측정한다. 유리 기판 위에 광경화 조성물을 스프레이로 도포하고 100mW/cm2으로 10초동안 조사하여 UV 경화시켜, 20cm x 20cm x 3㎛(가로 x 세로 x 두께)의 시편을 얻는다. 경화된 필름을 분취하고, FT-IR(NICOLET 4700, Thermo사)를 이용하여 1635cm-1 부근(C=C), 1720cm-1 부근(C=O)에서의 흡수 피크의 강도를 측정한다. 광경화율은 하기 식 1에 따라 계산한다.
<식 1>
광경화율(%)= |1-(A/B)| x 100
(상기에서, A는 경화된 필름에 대해 1720cm-1 부근에서의 흡수 피크의 강도에 대한 1635cm-1 부근에서의 흡수 피크의 강도의 비이고,
B는 광경화 조성물에 대해 1720cm-1 부근에서의 흡수 피크의 강도에 대한 1635cm-1 부근에서의 흡수 피크의 강도의 비이다).
표 2
실시예 비교예
1 2 3 4 5 6 7 8 1 2 3
A A1 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20
A2 40 60 70 70 40 60 70 70 40 60 70
A3 - - - 5 - - - 5 40 20 10
B B1 40 20 10 5 - - - - - - -
B2 - - - - 40 20 10 5 - - -
C 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5
투습도(g/m2·24hr) 2.1 2.3 3.2 4.1 2.6 2.8 3.1 3.9 6.9 7.5 9.9
아웃가스발생량(ppm) 210 280 430 740 190 180 240 320 1290 1540 2980
광경화율(%) 94.3 95.6 96 93 96.3 96.6 96.3 96.5 82 88 89
상기 표 2에서 나타난 바와 같이, 본 발명의 광경화 조성물들로 형성되는 도막은 투습도가 낮았고, 아웃가스 평가시 아웃가스 평가량이 비교예에 비해 현저하게 낮았다. 또한, 본 발명의 광경화 조성물은 비교예에 비해 광경화율이 현저하게 높았다.
반면에, 본 발명의 실리콘 포함 모노머를 포함하지 않는 비교예 1-3의 광경화 조성물로 형성된 도막은 투습도가 높았고, 아웃가스 평가시 아웃가스 발생량이 높았으며, 광경화율도 상대적으로 낮아, 본 발명의 효과를 구현할 수 없다.
본 발명은 상기 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태가 될 수 있고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예와 도면은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야 한다.

Claims (17)

  1. (A)광경화성 모노머 및 (B)실리콘 포함 모노머를 포함하고,
    상기 (B)실리콘 포함 모노머는 하기 화학식 1로 표시되는 광경화 조성물:
    <화학식 1>
    Figure PCTKR2013001423-appb-I000007
    (상기에서, X1,X2 및 X3은 동일하거나 다르고, O, S, NH 또는 NR' 이고, R'는 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기이고,
    R1,R2, 및 R3은 동일하거나 또는 다르고, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬에테르기, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 모노알킬아민기 또는 디알킬아민기, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬술파이드기, 비치환 또는 치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 비치환 또는 치환된 탄소수 7 내지 30의 아릴알킬기, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 비치환 또는 치환된 탄소수 7 내지 30의 아릴알콕시기이고
    Z1,Z2, 및 Z3은 동일하거나 또는 다르고, 독립적으로 수소, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬에테르기, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 모노알킬아민기 또는 디알킬아민기, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 모노알킬술파이드기 또는 디알킬술파이드기, 비치환 또는 치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 비치환 또는 치환된 탄소수 7 내지 30의 아릴알킬기, 비치환 또는 치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 비치환 또는 치환된 탄소수 7 내지 30의 아릴알콕시기, 또는 하기 화학식 2이고,
    <화학식 2>
    Figure PCTKR2013001423-appb-I000008
    (상기에서, *는 상기 화학식 1의 Si에 대한 연결부위이고,
    R4는 수소, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기이고,
    R5는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 아릴알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬렌옥시기이다)
    n은 1 내지 30의 정수이고,
    Z1,Z2, 및 Z3 중 적어도 하나 이상은 상기 화학식 2이다).
  2. 제1항에 있어서, 상기 (B)실리콘 포함 모노머는 하기 화학식 3의 모노머, 하기 화학식 4의 모노머 또는 이들의 혼합물인 광경화 조성물:
    <화학식 3>
    Figure PCTKR2013001423-appb-I000009
    <화학식 4>
    Figure PCTKR2013001423-appb-I000010
    .
  3. 제1항에 있어서, 상기 광경화성 모노머는 치환 또는 비치환된 비닐기, 아크릴레이트기, 또는 메타아크릴레이트기를 약 1 내지 30개 갖는 모노머를 포함하는 광경화 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 광경화성 모노머는 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 갖는 (메타)아크릴레이트, 탄소수 2 내지 20의 디올의 디(메타)아크릴레이트, 탄소수 3 내지 20의 트리올의 트리(메타)아크릴레이트, 탄소수 4 내지 20의 테트라올의 테트라(메타)아크릴레이트 중 하나 이상을 포함하는 광경화 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 광경화 조성물은 상기 (A) + (B) 100중량부 중 (A) 약 1 내지 99중량부와 (B) 약 1 내지 99중량부를 포함하는 광경화 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 조성물은 (C) 개시제를 더 포함하는 광경화 조성물.
  7. 제6항에 있어서, 상기 개시제는 광중합 개시제를 포함하는 광경화 조성물.
  8. 제6항에 있어서, 상기 조성물은 상기 (A) + (B) 100중량부 중 (A) 약 1 내지 99중량부와 (B) 약 1 내지 99중량부를 포함하고, 상기 (A) + (B) 100중량부에 대하여 상기 (C) 약 0.1 내지 20중량부를 포함하는 광경화 조성물.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 광경화 조성물을 사용하여 밀봉된 장치용 부재.
  10. 장치용 부재; 및 상기 장치용 부재 위에 형성되고, 무기 장벽층과 유기 장벽층을 포함하는 장벽 스택을 포함하고,
    상기 유기 장벽층은 아웃가스 발생량이 약 1000ppm 이하인 봉지화된 장치.
  11. 장치용 부재; 및 상기 장치용 부재 위에 형성되고, 무기 장벽층과 유기 장벽층을 포함하는 장벽 스택을 포함하고,
    상기 유기 장벽층은 상기 유기 장벽층의 두께 방향으로 도막 두께 5㎛에 대하여 37.8℃, 100% 상대 습도, 및 24시간 조건에서 측정된 투습도가 약 4.5g/m2·24hr 이하인 봉지화된 장치.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 무기 장벽층과 유기 장벽층은 교대로 적층되는 봉지화된 장치.
  13. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 무기 장벽층과 유기 장벽층은 전체 약 10층 이하로 포함되는 봉지화된 장치.
  14. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 유기 장벽층 하나의 두께는 약 0.1㎛ 내지 20㎛, 상기 무기 장벽층 하나의 두께는 약 5nm 내지 500nm인 봉지화된 장치.
  15. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 무기 장벽층은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물, 금속 산소질화물, 금속 산소붕소화물, 또는 이들의 혼합물을 포함하고, 상기 금속은 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 셀레늄(Se), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 인듐(In), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 비스무트(Bi), 전이금속, 란탄족 금속 중 하나 이상을 포함하는 봉지화된 장치.
  16. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 유기 장벽층은 제1항의 광경화 조성물의 경화물을 포함하는 봉지화된 장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 (B)실리콘 포함 모노머는 하기 화학식 3의 모노머, 하기 화학식 4의 모노머 또는 이들의 혼합물을 포함하는 봉지화된 장치:
    <화학식 3>
    Figure PCTKR2013001423-appb-I000011
    <화학식 4>
    Figure PCTKR2013001423-appb-I000012
    .
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