CN104204950B - 光固化组合物、包含其的阻挡层和包含其的封装装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种光固化组合物，涉及一种包含其的阻挡层，并且涉及包含其的封装装置，其中，所述组合物包含光固化单体(A)和含硅单体(B)，其中，所述含硅单体(B)具有根据式1的结构。

Description

光固化组合物、包含其的阻挡层和包含其的封装装置
技术领域
本发明涉及光固化组合物、包含其的阻挡层、包含其的阻挡叠层、包含其的封装装置和使用其用于封装所述装置的方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)是指其中功能性有机材料层插入在阳极和阴极之间的结构，其中，可以通过注入至阴极的空穴(hole)和注入至阳极的电子的再结合产生具有高能的激子(激发子，exciton)。已产生的激子可以以基态移动，因此在特定的波长段内发光。所述有机发光二极管具有各种优点，如自发光、快速响应、宽视角、超薄、高清晰度和耐久性。
然而，有机发光二极管具有的问题在于，尽管密封，由于从外部流入的水分或氧气或在所述发光二极管的内部或外部产生的脱气，从而有机材料和/或电极材料可以被氧化，导致它们的性能和寿命退化。为了克服这个问题，已经提出一些方法，如用光固化密封剂涂覆、附着透明或不透明的吸湿剂，或向在其上形成有机发光二极管的基板供应玻璃料(frit)。
例如，韩国公开号2006-0084978A已经公开了有机发光二极管装置的封装结构，其包括由硅酮化合物和聚合物树脂中的水渗透抑制材料的任一种形成的用于密封的保护性构件。
发明内容
[技术问题]
本发明的一个方面是提供实现层的光固化组合物，其水蒸气透过率和脱气生成量在该组合物固化之后显著降低。
本发明的另一个方面是提供具有高光固化率的光固化组合物，从而在固化之后固化收缩应力低，因此实现不产生任何移位(shift)的层。
本发明的进一步方面是提供实现层的光固化组合物，当应用于封装用于装置的构件时，确保用于所述装置的构件的非常长的寿命。
本发明的又一个方面是提供包括使用光固化组合物形成的层的装置。
[技术方案]
根据本发明的一个方面，光固化组合物可以包含：(A)光固化单体和(B)含硅单体，其中，(B)含硅单体可以通过式1表示：
<式1>
其中，X1、X2和X3相同或不同并且是O、S、NH或NR'，R'是未取代的或取代的C1-C20烷基，
R1、R2和R3相同或不同并且是未取代的或取代的C1-C30烷基、未取代的或取代的C1-C30烷基醚基、未取代的或取代的C1-C30单烷基胺基或二烷基胺基、未取代的或取代的C1-C30单烷基硫基(alkylsulfide group)或二烷基硫基、未取代的或取代的C6-C30芳基、未取代的或取代的C7-C30芳烷基、未取代的或取代的C1-C30烷氧基、或未取代的或取代的C7-C30芳基烷氧基，
Z1、Z2和Z3相同或不同并且独立地是氢、未取代的或取代的C1-C30烷基、未取代的或取代的C1-C30烷基醚基、未取代的或取代的C1-C30单烷基胺基或二烷基胺基、未取代的或取代的C1-C30单烷基硫基或二烷基硫基、未取代的或取代的C6-C30芳基、未取代的或取代的C7-C30芳烷基、未取代的或取代的C1-C30烷氧基、未取代的或取代的C7-C30芳基烷氧基、或通过以下式2表示的基团，
<式2>
其中，*表示式1中的Si的结合位点，
R4是氢、或取代的或未取代的C1-C30烷基，
R5是取代的或未取代的C1-C30烯基、取代的或未取代的C6-C30亚芳基、取代的或未取代的C7-C30芳基亚烷基或取代的或未取代的C1-C30亚烷基氧基，
n是从1至30的整数，以及
Z1、Z2和Z3中的至少一个是通过式2表示的基团。
根据本发明的另一个方面，阻挡层可以包括由光固化组合物制备的固化产品。
根据本发明的进一步方面，封装装置可以包括基板、形成于基板上的用于装置的构件、和形成于用于装置的构件上并且包括无机阻挡层和有机阻挡层的阻挡叠层，其中，所述有机阻挡层具有约1000ppm或更少的脱气生成量(outgas generation amount)。
根据本发明的又一个方面，封装装置可以包括基板、形成于基板上的用于装置的构件、和形成于用于装置的构件上并且包括无机阻挡层和有机阻挡层的阻挡叠层，其中在有机阻挡层为5μm的层厚度下，如在37.8℃和100％相对湿度下持续24小时测定的，有机阻挡层具有约4.5g/m2·24hr或更低的水蒸气透过率。
[有益效果]
本发明提供了实现层的光固化组合物，该光固化组合物的水蒸气透过率和脱气生成量在所述组合物固化之后显著降低，并且当应用于封装用于装置的构件时，实现确保用于装置的构件的非常长的寿命的层。本发明提供了具有高光固化率的光固化组合物，从而在固化之后固化收缩应力低，因此实现不产生任何移位的层。
附图说明
图1是根据本发明的一个实施方式的封装装置的截面图。
图2是根据本发明的另一个实施方式的封装装置的截面图。
具体实施方式
除非另有说明，否则如本文中使用的术语“取代的”意味着本发明的官能团中的至少一个氢原子被卤素(F、Cl、Br或I)、羟基、硝基、氰基、亚氨基(＝NH、＝NR，其中，R是C1-C10烷基)、氨基[-NH2、-NH(R')、-N(R")(R"')，其中，R'，R"和R"'是各自独立的C1-C10烷基]、脒基、肼或腙基、羧基、取代的或未取代的C1-C20烷基、取代的或未取代的C6-C30芳基、取代的或未取代的C3-C30环烷基、取代的或未取代的C3-C30杂芳基或者取代的或未取代的C2-C30杂环烷基取代。
如本文中使用的术语“杂”意味着碳原子被选自由N、O、S和P组成的组中的原子取代。
如本文中使用的“*”是元素(要素，element)的结合位点。
本发明的一个方面涉及包含(A)光固化单体和(B)含硅单体的光固化组合物。
(A)光固化单体
光固化单体是指非硅型光固化单体，其不含有硅并且具有一个或多个光固化官能团(如(甲基)丙烯酸酯基、乙烯基等)。
该光固化单体可以包括单官能单体、多官能单体和它们的混合物。该光固化单体可以包括具有约1至30，优选地约1至20，更优选地约1至6个如取代的或未取代的乙烯基、丙烯酸酯基或甲基丙烯酸酯基的光固化官能团的单体。
该光固化单体可以包括单官能单体和多官能单体的混合物。在该混合物中，单官能单体:多官能单体可以以约1:0.1至1:10，优选地约1:2至1:3.75的重量比存在。
该光固化单体的实例可以包括具有取代的或未取代的乙烯基的C6-C20芳香族化合物；具有C1-C20烷基、C3-C20环烷基、C6-C20芳族基、或羟基和C1-C20烷基的不饱和羧酸酯；具有C1-C20氨基烷基的不饱和羧酸酯；C1-C20饱和或不饱和羧酸的乙烯基酯；C1-C20不饱和羧酸缩水甘油酯；乙烯基氰化合物；不饱和酰胺化合物；一元醇或多元醇的单官能或多官能(甲基)丙烯酸酯等。
该光固化单体的实例可以包括具有包括如苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、乙烯基苄基醚、乙烯基苄基甲基醚等的乙烯基的烯基的C6-C20芳香族化合物；不饱和羧酸酯，如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、2-羟乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羟丁基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸己基酯、(甲基)丙烯酸辛基酯、(甲基)丙烯酸壬基酯、(甲基)丙烯酸癸基酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸环己基酯、(甲基)丙烯酸苄基酯、(甲基)丙烯酸苯基酯等；不饱和羧酸氨基烷基酯，如(甲基)丙烯酸2-氨乙基酯、2-二甲基氨乙基(甲基)丙烯酸酯等；饱和或不饱和羧酸乙烯基酯，如乙酸乙烯酯、苯甲酸乙烯酯等；C1-C20不饱和羧酸缩水甘油酯，例如缩水甘油基(甲基)丙烯酸酯等；乙烯基氰化合物，如(甲基)丙烯腈等；不饱和酰胺化合物，如(甲基)丙烯酰胺等；一元醇或多元醇的单官能或多官能(甲基)丙烯酸酯，如乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、辛二醇二(甲基)丙烯酸酯、壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、十一烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、十二烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、双酚A二(甲基)丙烯酸酯、酚醛环氧(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三(丙二醇)二(甲基)丙烯酸酯、聚(丙二醇)二(甲基)丙烯酸酯等，但并不限于此。‘多元醇’可以指具有两个或多个，约2至20，优选地约2至10，更优选地约2至6个羟基的醇。
优选地，该光固化单体可以包括具有C1-C20烷基的(甲基)丙烯酸酯、C2-C20二醇的二(甲基)丙烯酸酯、C3-C20三醇的三(甲基)丙烯酸酯和C4-C20四醇的四(甲基)丙烯酸酯中的至少一种。
基于100重量份的(A)+(B)，该光固化单体在光固化组合物中可以以约1至99重量份的量存在。优选地，该光固化单体可以以约20至95重量份，更优选地约30至95重量份，还更优选地约60至95重量份的量存在。在这个范围内，该光固化组合物可以显示强的耐等离子体性，因此降低或防止等离子体脱气生成或在制造薄封装层中的水蒸气透过率。
(B)含硅单体
该含硅单体可以是硅型光固化单体，其含有硅并且具有一个或多个光固化官能团(如(甲基)丙烯酸酯基、乙烯基等)。在一个实施方式中，含硅单体可以由式1表示：
<式1>
其中，X1、X2和X3相同或不同并且是O、S、NH或NR'，R'是未取代的或取代的C1-C20烷基，
R1、R2和R3相同或不同并且是未取代的或取代的C1-C30烷基、未取代的或取代的C1-C30烷基醚基、未取代的或取代的C1-C30单烷基胺基或二烷基胺基、未取代的或取代的C1-C30单烷基硫基或二烷基硫基、未取代的或取代的C6-C30芳基、未取代的或取代的C7-C30芳烷基、未取代的或取代的C1-C30烷氧基、或未取代的或取代的C7-C30芳基烷氧基，
Z1、Z2和Z3相同或不同并且独立地是氢、未取代的或取代的C1-C30烷基、未取代的或取代的C1-C30烷基醚基、未取代的或取代的C1-C30单烷基胺基或二烷基胺基、未取代的或取代的C1-C30单烷基硫基或二烷基硫基、未取代的或取代的C6-C30芳基、未取代的或取代的C7-C30芳烷基、未取代的或取代的C1-C30烷氧基、未取代的或取代的C7-C30芳基烷氧基或通过式2表示的基团：
<式2>
(其中，*表示式1中的Si的结合位点，
R4是氢或取代的或未取代的C1-C30烷基，
R5是取代的或未取代的C1-C30烯基、取代的或未取代的C6-C30亚芳基、取代的或未取代的C7-C30芳基亚烷基或取代的或未取代的C1-C30亚烷基氧基；
n是从1至30的整数；以及
Z1、Z2和Z3中的至少一个是通过式2表示的基团)。
n可以是从1至30的整数。在这个范围内，在组合物固化之后水蒸气透过率和脱气生成量可以降低并且组合物的光固化率可升高。
优选地，n可以是从约1至10，更优选地从约1至5的整数。
R1、R2和R3优选地是C1-C10烷基，更优选地C1-C6烷基。
Z1、Z2和Z3是由式2表示的基团，其中R4是氢或C1-C5烷基。
Z1、Z2和Z3是由式2表示的基团，其中R5是C1-C10亚烷基，更优选地C1-C5亚烷基。
优选地，n可以是从约1至5，更优选地从约1至3的整数。
该含硅单体可以是商业可获得的或通过典型的方法合成的。
包含在光固化组合物中的含硅单体和光固化单体一起可以实现层，该层的水蒸气透过率和脱气生成量在组合物固化之后显著降低，因此光固化率提高。此外，由于硅的存在，包含在有机阻挡层中的含硅单体可以使由于用于在封装结构中沉积无机阻挡层的等离子体的装置损坏最小化，其中，无机阻挡层和有机阻挡层沉积在封装结构中。
基于100重量份的(A)+(B)的光固化组合物，含硅单体可以以约1至99重量份的量存在。优选地，该含硅单体可以以约5至80重量份，更优选地约5至70重量份，还更优选地约5至40重量份的量存在。在这个范围内，该光固化组合物可以显示强的耐等离子体性，因此降低或防止等离子体脱气发生或在制备薄封装层中水蒸气透过率。
该组合物可以进一步包含引发剂。
(C)引发剂
作为引发剂，只要该引发剂允许光固化反应，可以没有限制地使用任何常规的光引发剂。例如，光引发剂可以包括三嗪、苯乙酮、二苯甲酮、噻吨酮、安息香(苯偶姻，benzoin)、磷、肟引发剂和它们的混合物。
三嗪引发剂的实例可以包括2,4,6-三氯-s-三嗪、2-苯基-4,6-双(三氯甲基)-s-三嗪、2-(3',4'-二甲氧基苯乙烯基)-4,6-双(三氯甲基)-s-三嗪、2-(4'-甲氧基萘基)-4,6-双(三氯甲基)-s-三嗪、2-(对甲氧基苯基)-4,6-双(三氯甲基)-s-三嗪、2-(对甲苯基)-4,6-双(三氯甲基)-s-三嗪、2-联苯基-4,6-双(三氯甲基)-s-三嗪、双(三氯甲基)-6-苯乙烯基-s-三嗪、2-(萘-1-基)-4,6-双(三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-甲氧基萘-1-基)-4,6-双(三氯甲基)-s-三嗪、2,4-三氯甲基(胡椒基)-6-s-三嗪、2,4-(三氯甲基-(4'-甲氧基苯乙烯基)-6-三嗪和它们的混合物。
苯乙酮引发剂的实例可以包括2,2'-二乙氧基苯乙酮、2,2'-二丁氧基苯乙酮、2-羟基-2-甲基苯丙酮、对叔丁基三氯苯乙酮、对叔丁基二氯苯乙酮、4-氯苯乙酮、2,2'-二氯-4-苯氧基苯乙酮、2-甲基-1-(4-(甲硫基)苯基)-2-吗啉代丙-1-酮、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉苯基)-丁-1-酮和它们的混合物。
二苯甲酮引发剂的实例可以包括二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸、苯甲酰苯甲酸甲基、4-苯基二苯甲酮、羟基二苯甲酮、丙烯酸化二苯甲酮、4,4'-双(二甲基氨基)二苯甲酮、4,4'-二氯二苯甲酮、3,3'-二甲基-2-甲氧基二苯甲酮和它们的混合物。
噻吨酮引发剂的实例可以包括噻吨酮、2-甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮、2-氯噻吨酮和它们的混合物。
安息香引发剂实例可以包括安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香异丙基醚、安息香异丁基醚、苄基二甲基缩酮和它们的混合物。
磷引发剂的实例可以包括二苯甲酰苯基氧化膦、苯甲酰基二苯基氧化膦和它们的混合物。
肟引发剂的实例可以包括2-(邻-苯甲酰基肟)-1-[4-(苯基硫基)苯基]-1,2-辛二酮、1-(邻-乙酰基肟)-1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]乙酮和它们的混合物。
基于100重量份的(A)+(B)，该引发剂在光固化组合物中可以以约0.1至20重量份的量存在。在这个范围内，在曝光下可以充分地进行光聚合反应，并且可以防止由于在光聚合反应后剩余的未反应的引发剂的透过性的降低。优选地，该引发剂可以以约0.5至10重量份，更优选地约1至8重量份的量存在。
该光固化组合物可以包含以固体含量计约0.1wt％至约95wt％的(A)光固化单体、约0.1wt％至约95wt％的(B)含硅单体和约0.1wt％至约10wt％的(C)引发剂。优选地，(A)光固化单体可以以约55wt％至约95wt％的量存在，(B)含硅单体可以以约4wt％至约40wt％的量存在，以及(C)引发剂可以以约1wt％至约5wt％的量存在。
光固化组合物可以显示约90％或更高的光固化率。在这个范围内，固化之后的固化收缩应力低，从而实现不产生任何移位并且确保在密封应用中使用的层。优选地，光固化率可以是约90％至99％，例如约93％至96％。
可以通过常规的方法测定光固化率。例如，将光固化组合物涂覆到玻璃基板上，然后使其在100mW/cm2下经受固化10秒。将已固化的膜切成试样并且通过FT-IR(傅里叶变换红外光谱法)测定每个试样的光固化率。在以下实验实施例中公开的条件下计算光固化率。
用于装置的构件，尤其是用于显示装置的构件通过周围环境中的气体或液体(例如，大气中的氧气和/或水和/或蒸气)以及通过用于处理电子产品的化工材料的渗透可以发生质量上的降解或劣化。为了防止这个问题，必须密封或封装用于显示装置的构件，
这种用于装置的构件可以包括有机发光二极管(OLED)、照明设备、柔性有机发光二极管显示器、金属感应垫、微盘激光器、电致变色器件、光致变色器件、微机电系统、太阳能电池、集成电路、电荷耦合器件、发光聚合物、发光二极管等，但不限于此。
由于光固化组合物对无机阻挡层具有充分的附着性、光固化率和透过率，从而可将光固化组合物用于形成在密封和封装用于装置(尤其是柔性显示器)的构件中使用的有机阻挡层。
本发明的另一个方面涉及由组合物形成的有机阻挡层。
可以通过光固化该光固化组合物形成有机阻挡层。可将光固化组合物涂覆至约0.1μm至20μm的厚度，然后通过在约10至500mW/cm2下照射约1秒至约50秒使其固化，但不限于此。
有机阻挡层可以具有光固化组合物在固化之后的物理性质。因此，可以将有机阻挡层和无机阻挡层一起使用以形成阻挡叠层，其可用于封装装置的构件。
本发明的又一个方面涉及包括有机阻挡层和无机阻挡层的阻挡叠层。
无机阻挡层不同于有机阻挡层，并且可以补充有机阻挡层的作用。
只要阻挡层显示良好的透光率和良好的水蒸气和/或氧阻隔阻挡性质，则无机阻挡层不特别受限制。例如，无机阻挡层可以由金属、金属间化合物或合金、金属或混合金属的氧化物、金属或混合金属的氟化物、金属或混合金属的氮化物、金属碳化物、金属或混合金属的氧氮化物(oxygen nitride)、金属或混合金属的硼化物、金属或混合金属的氧硼化物(oxygen boride)、金属或混合金属的硅化物和它们的混合物。该金属可以包括硅(Si)、铝(Al)、硒(Se)、锌(Zn)、锑(Sb)、铟(In)、锗(Ge)、锡(Sn)、铋(Bi)、过渡金属、镧系金属等，但并不限于此。具体地，该无机阻挡层可以包含氧化硅、氮化硅、硅氧氮化物、ZnSe、ZnO、Sb2O3、Al2O3、In2O3或SnO2。
可以通过真空法沉积无机阻挡层和有机阻挡层，例如通过喷涂、化学气相沉积、等离子化学气相沉积、蒸发、升华、电子回旋共振等离子气相沉积或它们的组合。
有机阻挡层可以具有上述的性质。因此，当有机阻挡层和无机阻挡层交替沉积时，能够确保无机阻挡层的平滑性质。此外，有机阻挡层能够防止无机阻挡层扩散到其他无机阻挡层的缺陷。
有机阻挡层可以显示低脱气生成量，因此使得用于装置的构件的脱气最小化，其进而防止用于装置的构件的性能由于脱气而退化和降低。具体地，有机阻挡层可以具有约1000ppm或更少的脱气生成量。在这个范围内，有机阻挡层可以具有当应用于装置的构件时不显著的作用，并且确保用于装置的构件的非常长的寿命。例如，脱气生成量可以是约10ppm至约1000ppm，例如约200ppm至约750ppm。
可通过典型的方法测定有机阻挡层的脱气生成量。例如，将光固化组合物涂覆在玻璃基板上，然后在100mW/cm2下通过UV照射使其经受UV固化10秒以制造具有20cm x 20cmx 3μm(宽x长x厚)尺寸的有机阻挡层试样。通过使用该试样，在以下实验性实施例中规定的条件下测定有机阻挡层的脱气生成量。
此外，该有机阻挡层可以具有低水蒸气透过率，因此水蒸汽对设备的影响可以被最小化。该有机阻挡层在有机阻挡层的厚度方向上可以具有约4.5g/m2·24hr或更低的水蒸气透过率。在这个范围内，可将该有机阻挡层用于封装装置。例如，该有机阻挡层具有约1.0至4.5g/m2·24hr，例如约2.1至4.1g/m2·24hr的水蒸气透过率。
可以通过任何典型的方法测定水蒸气透过率。例如，应用水蒸气透过率测试仪(PERMATRAN-W 3/33，由MOCON制造)。将该光固化组合物涂覆在Al样品支架上并且在100mW/cm2下通过UV照射使其经受UV固化10秒以制造具有5μm厚的层的已固化试样。以5μm的层厚度，在37.8℃和100％相对湿度下持续24小时，测定水蒸气透过率。
阻挡叠层可以包括有机阻挡层和无机阻挡层。此处，阻挡叠层的数量没有被特别地限定。可以根据耐氧和/或水蒸气和/或蒸气和/或化学材料透过的程度改变阻挡叠层的组合。
在阻挡叠层中，有机阻挡层和无机阻挡层可以交替沉积。这是因为由于组合物的物理性质，这样沉积提供对有机阻挡层有利的作用。出于这个原因，有机阻挡层和无机阻挡层可以补充或增强对装置的封装作用。
优选地，总共10层或更少(例如，约2至10层)，更优选地7层或更少(例如，约2至7层)的有机阻挡层和无机阻挡层交替沉积。
在阻挡叠层中，每个有机阻挡层可以具有约0.1μm至20μm，优选地约1μm至10μm的厚度。每个无机阻挡层可以具有约5nm至500nm，优选地约5nm至200nm的厚度。
该有机阻挡叠层是薄膜封装材料并且具有约5μm或更小，优选地约1.5μm至5μm的厚度。
本发明的又一个方面涉及包括用于装置的构件和阻挡层或阻挡叠层的封装装置。只要该装置包括用于装置的构件，例如显示器，则该装置不受限制。
该封装装置可以包括用于装置的构件和形成于用于装置的构件上并且包括无机阻挡层和有机阻挡层的阻挡叠层。
图1和图2是根据本发明的实施方式的封装装置的截面图。
参照图1，封装装置100包括基板10，形成于基板10上的用于装置的构件20(例如，有机发光二极管)，和形成于构件20上并且包括无机阻挡层31和有机阻挡层32的阻挡叠层30。
参照图2，封装装置200包括基板10，形成于基板10上的用于装置的构件20(例如，有机发光二极管)，和形成于构件20上并且包括无机阻挡层31和有机阻挡层32的阻挡叠层30。
图1示出了其中用于装置的构件20和无机阻挡层31接触的一个实施方式。图2示出了其中在用于装置的构件20和无机阻挡层31之间形成空置空间(vacant space)40的一个实施方式。
已经在以上给出了用于装置的构件、有机阻挡层、无机阻挡层和阻挡叠层的详细描述。
只要允许用于装置的构件在其上堆叠，该基板没有被特别地限定。基板的实例可以包括透明玻璃、塑料板、硅或金属基板等。
可以根据用于装置的构件的种类省略该基板。
可以通过任何典型的方法制造封装装置。将用于装置的构件沉积在基板上，然后无机阻挡层在其上形成。通过旋涂、狭缝式涂覆等涂覆该光固化组合物，并且将光照射其上以形成有机阻挡层。可以重复形成无机阻挡层和有机阻挡层的步骤。
用于形成无机阻挡层和有机阻挡层的方法没有被特别地限定，并且可以包括沉积步骤。
本发明的又一个方面涉及封装用于装置的构件的方法。该方法包括：将至少一个用于装置的构件堆叠在基板上；以及形成至少一个包括至少一个无机阻挡层和一个有机阻挡层的阻挡叠层，其中，该阻挡叠层邻接用于装置的构件。
已经在以上给出了基板、用于装置的构件、无机阻挡层、有机阻挡层和阻挡叠层的详细描述。
可将用于装置的构件堆叠在基板上。可以以和用于形成以下无机阻挡层和有机阻挡层的一样的方法进行堆叠，但不限于此。
可以通过真空法形成无机阻挡层和有机阻挡层，例如通过喷涂、化学气相沉积、等离子化学气相沉积、蒸发、升华、电子回旋共振等离子气相沉积或它们的组合。
[发明模式]
接下来，将参考一些实施例更详细地说明本发明。提供的这些实施例仅是为了说明，并且不以任何方式解释为限制本发明。
制备实施例1：制备含硅单体1(式3)
将200ml的1,2-二氯乙烷添加至配备有冷凝管和搅拌器的500ml烧瓶中，然后引入63g的甲基丙烯酸丙酯(Aldrich)、27g的1,3,5-三甲基环三硅氧烷和0.01g的铂-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷的复合溶液(Aldrich)。在40℃下搅拌的同时用氮气吹扫烧瓶8小时。反应之后，在减压下蒸馏出1,2-二氯乙烷，然后通过硅胶柱层析得到45g由式3表示的化合物。如通过HPLC测得的，得到的化合物的纯度是98％。
<式3>
制备实施例2：制备含硅单体2(式4)
除了使用1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷代替1,3,5-三甲基环三硅氧烷，通过以和制备实施例1相同的方法进行反应制备含硅单体2。
<式4>
在实施例和比较例中使用的组分的详细描述如下：
(A)光固化单体：(A1)丙烯酸己酯，(A2)己二醇二丙烯酸酯，(A3)季戊四醇四丙烯酸酯(Aldrich)，
(B)含硅单体：(B1)式3的单体，(B2)式4的单体，
(C)引发剂：Darocur TPO(BASF)。
实施例和比较例
将(A)光固化单体、(B)含硅单体和(C)引发剂以表2中列出的量(单位：重量份)放置在125ml棕色聚丙烯瓶中，随后使用振动器混合3小时以制备组合物。
评估实施例和比较例中制备的组合物的物理性质。结果在表2中示出。
物理性质的评估
1.水蒸气透过率：应用水蒸气透过率测试仪(PERMATRAN-W 3/33，由MOCON制造)。将该光固化组合物喷涂在Al样品支架上并且在100mW/cm2下通过UV照射使其经受UV固化10秒以制造具有5μm厚的层的固化试样。使用水蒸气透过率测试仪(PERMATRAN-W 3/33,由MOCON制造)，在37.8℃和100％相对湿度下持续24小时，以5μm的层厚度，测定水蒸气透过率。
2.有机阻挡层的脱气生成量：将光固化组合物喷涂在玻璃基板上，然后在100mW/cm2下通过UV照射使其经受UV固化10秒以制造具有20cm x 20cm x 3μm(宽x长x厚)尺寸的有机阻挡层试样。使用GC/MS测试仪(Clarus 600,Perkin Elmer)测定脱气生成。GC/MS使用DB-5MS柱(长：30m，直径：0.25mm，固定相厚度：0.25μm)，和作为流动相的氦气(流速：1.0mL/min，平均速度＝32cm/s)。此外，分光比是20:1并且设定温度使得温度保持在40℃下3分钟，以10℃/min的速率温热，然后在320℃下保持6分钟。在20cm x 20cm的玻璃尺寸下采集脱气，采集容器是泰德拉袋(Tedlar bag)，采集温度是90℃，采集时间是30分钟，在300mL/分钟的流速下进行N2吹扫并且吸附剂是Tenax GR(5％苯甲基聚硅氧烷)。以150ppm、400ppm和800ppm的浓度使用正己烷中的甲苯溶液作为标准溶液绘制校准曲线，其中得到的R2值是0.9987。上述的条件汇总在表1中。
表1
3.光固化率：使用FT-IR(NICOLET 4700,Thermo)在1635cm-1(C＝C)和1720cm-1(C＝O)附近测定光固化组合物的吸收峰强度。首先，将光固化组合物喷涂在玻璃基板上，然后在100mW/cm2下通过UV照射使其经受UV固化10秒以制造具有20cm x 20cm x 3μm(宽x长x厚)尺寸的试样。将已固化的膜切成试样，进而使用FT-IR(NICOLET 4700,通过Thermo)将其用于测定在1635cm-1(C＝C)和1720cm-1(C＝O)的吸收峰强度。由等式1计算光固化率：
<等式1>
光固化率(％)＝|1-(A/B)|x 100，
其中，A是已固化膜在1635cm-1附近的吸收峰强度与在1720cm-1附近的吸收峰强度的比值，以及B是光固化组合物在1635cm-1附近的吸收峰强度与在1720cm-1附近的吸收峰强度的比值。
表2
如表2中所示，与比较例相比，由本发明的光固化性组合物制备的层显示出低水蒸汽透过率和显著降低的脱气。此外，与比较例相比，本发明的光固化组合物显示出显著高的光固化率。
同时，由比较例1-3的光固化组合物制造的不含有含硅单体的层显示出高水蒸气透过率、高脱气和相对低的光固化率，因此抑制层达到本发明的效果。
本领域的技术人员应理解，本发明不限制于上述实施方式和附图，并且在没有背离本发明的精神与范围的情况下，可以做出各种修改、改变、变更。因此，提供这些实施例仅是为了说明，并且不以任何方式解释为限制本发明。

Claims (10)

1.一种封装装置，包括用于所述装置的构件和阻挡叠层，所述阻挡叠层形成于用于所述装置的所述构件上并且包括无机阻挡层和有机阻挡层，其中，所述有机阻挡层包含用于封装有机发光二极管的光固化组合物的固化产品，其中，所述有机阻挡层具有1000ppm或更少的脱气生成量，所述用于封装有机发光二极管的光固化组合物包含：(A)光固化单体和(B)含硅单体，其中，所述(B)含硅单体由以下式1表示：
<式1>
其中，X1、X2和X3相同或不同并且是O、S、NH或NR'，R'是未取代的或取代的C1-C20烷基；
R1、R2和R3相同或不同并且是未取代的或取代的C1-C30烷基、未取代的或取代的C1-C30烷基醚基、未取代的或取代的C1-C30单烷基胺基或二烷基胺基、未取代的或取代的C1-C30单烷基硫基或二烷基硫基、未取代的或取代的C6-C30芳基、未取代的或取代的C7-C30芳烷基、未取代的或取代的C1-C30烷氧基或者未取代的或取代的C7-C30芳基烷氧基；
Z1、Z2和Z3相同或不同并且独立地是氢、未取代的或取代的C1-C30烷基、未取代的或取代的C1-C30烷基醚基、未取代的或取代的C1-C30单烷基胺基或二烷基胺基、未取代的或取代的C1-C30单烷基硫基或二烷基硫基、未取代的或取代的C6-C30芳基、未取代的或取代的C7-C30芳烷基、未取代的或取代的C1-C30烷氧基、未取代的或取代的C7-C30芳基烷氧基或由以下式2表示的基团：
<式2>
其中，*表示式1中的Si的结合位点；R4是氢或者取代的或未取代的C1-C30烷基，R5是取代的或未取代的C1-C30烯基、取代的或未取代的C6-C30亚芳基、取代的或未取代的C7-C30芳基亚烷基或者取代的或未取代的C1-C30亚烷基氧基；
n是1至30的整数；
Z1、Z2和Z3中的至少一个是由式2表示的基团，
基于100重量份的(A)+(B)，包括60至95重量份的所述(A)光固化单体和5至40重量份的所述(B)含硅单体，
所述(A)光固化单体包括单官能单体和多官能单体的混合物，所述单官能单体:所述多官能单体以1:2至1:10的重量比存在于所述混合物中，
所述单官能单体是具有C1-C20烷基的(甲基)丙烯酸酯，所述多官能单体包括C2-C20二醇的二(甲基)丙烯酸酯，
其中，所述具有C1-C20烷基的(甲基)丙烯酸酯是(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸己基酯、(甲基)丙烯酸辛基酯、(甲基)丙烯酸壬基酯、(甲基)丙烯酸癸基酯或(甲基)丙烯酸十一烷基酯。
2.一种封装装置，包括用于所述装置的构件和形成于用于所述装置的所述构件上的阻挡叠层，所述阻挡叠层包括无机阻挡层和有机阻挡层，其中，所述有机阻挡层包含用于封装有机发光二极管的光固化组合物的固化产品，并且其中，在厚度方向上的5μm层厚度，如在37.8℃和100％相对湿度持续24小时测定的，所述有机阻挡层具有4.5g/m2·24hr或更低的水蒸气透过率，所述用于封装有机发光二极管的光固化组合物包含：(A)光固化单体和(B)含硅单体，其中，所述(B)含硅单体由以下式1表示：
<式1>
其中，X1、X2和X3相同或不同并且是O、S、NH或NR'，R'是未取代的或取代的C1-C20烷基；
R1、R2和R3相同或不同并且是未取代的或取代的C1-C30烷基、未取代的或取代的C1-C30烷基醚基、未取代的或取代的C1-C30单烷基胺基或二烷基胺基、未取代的或取代的C1-C30单烷基硫基或二烷基硫基、未取代的或取代的C6-C30芳基、未取代的或取代的C7-C30芳烷基、未取代的或取代的C1-C30烷氧基或者未取代的或取代的C7-C30芳基烷氧基；
Z1、Z2和Z3相同或不同并且独立地是氢、未取代的或取代的C1-C30烷基、未取代的或取代的C1-C30烷基醚基、未取代的或取代的C1-C30单烷基胺基或二烷基胺基、未取代的或取代的C1-C30单烷基硫基或二烷基硫基、未取代的或取代的C6-C30芳基、未取代的或取代的C7-C30芳烷基、未取代的或取代的C1-C30烷氧基、未取代的或取代的C7-C30芳基烷氧基或由以下式2表示的基团：
<式2>
其中，*表示式1中的Si的结合位点；R4是氢或者取代的或未取代的C1-C30烷基，R5是取代的或未取代的C1-C30烯基、取代的或未取代的C6-C30亚芳基、取代的或未取代的C7-C30芳基亚烷基或者取代的或未取代的C1-C30亚烷基氧基；
n是1至30的整数；
Z1、Z2和Z3中的至少一个是由式2表示的基团，
基于100重量份的(A)+(B)，包括60至95重量份的所述(A)光固化单体和5至40重量份的所述(B)含硅单体，
所述(A)光固化单体包括单官能单体和多官能单体的混合物，所述单官能单体:所述多官能单体以1:2至1:10的重量比存在于所述混合物中，
所述单官能单体是具有C1-C20烷基的(甲基)丙烯酸酯，所述多官能单体包括C2-C20二醇的二(甲基)丙烯酸酯，
其中，所述具有C1-C20烷基的(甲基)丙烯酸酯是(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸己基酯、(甲基)丙烯酸辛基酯、(甲基)丙烯酸壬基酯、(甲基)丙烯酸癸基酯或(甲基)丙烯酸十一烷基酯。
3.根据权利要求1或2所述的封装装置，其中，所述有机阻挡层和所述无机阻挡层交替沉积在所述阻挡叠层中。
4.根据权利要求1或2所述的封装装置，其中，所述有机阻挡层和所述无机阻挡层在所述阻挡叠层中沉积总计10层或更少。
5.根据权利要求1或2所述的封装装置，其中，所述有机阻挡层具有0.1μm至20μm的厚度并且所述无机阻挡层具有5nm至500nm的厚度。
6.根据权利要求1或2所述的封装装置，其中，所述无机阻挡层包含选自金属、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氧氮化物、金属氧硼化物和它们的混合物中的至少一种，并且其中，所述金属是硅Si、铝Al、硒Se、锌Zn、锑Sb、铟In、锗Ge、锡Sn、铋Bi、过渡金属和镧系金属中的至少一种。
7.根据权利要求1或2所述的封装装置，其中，所述(B)含硅单体包括以下式3、式4或它们的混合物：
<式3>
<式4>
8.根据权利要求1或2所述的封装装置，其中，所述光固化组合物进一步包含：(C)引发剂。
9.根据权利要求8所述的封装装置，其中，所述(C)引发剂包括光引发剂。
10.根据权利要求8所述的封装装置，其中，基于100重量份的(A)+(B)，所述光固化组合物包含0.1重量份至20重量份的所述(C)引发剂。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130236681A1 (en) * 2012-03-06 2013-09-12 Chang Min Lee Photocurable composition, barrier layer including the same, and encapsulated apparatus including the same
WO2014179240A1 (en) 2013-04-29 2014-11-06 Skyworks Solutions, Inc. Devices and methods related to low loss impedance transformers for radio-frequency applications
KR101402355B1 (ko) * 2014-01-16 2014-06-02 (주)휴넷플러스 유기 전자 소자 및 이의 제조방법
EP2924085B1 (en) 2014-03-28 2019-05-08 Samsung SDI Co., Ltd. Composition for encapsulation of organic light emitting diode and organic light emitting diode display manufactured using the same
KR101861893B1 (ko) 2014-04-23 2018-05-29 삼성에스디아이 주식회사 유기발광소자 봉지용 조성물 및 이로부터 제조된 유기발광소자 표시장치
CN111234773B (zh) * 2020-03-10 2021-09-17 烟台德邦科技股份有限公司 一种具有高度环境适应性的硅酮密封胶
CN111933823B (zh) * 2020-08-21 2022-10-18 西安思摩威新材料有限公司 一种光电子器件封装用组成物、封装结构及光电子器件
CN113402539B (zh) * 2021-06-18 2022-12-02 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种用于封装薄膜的化合物、包含其的组合物及封装薄膜的制备方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19860364C2 (de) 1998-12-24 2001-12-13 3M Espe Ag Polymerisierbare Dentalmassen auf der Basis von zur Aushärtung befähigten Siloxanverbindungen, deren Verwendung und Herstellung
US7297460B2 (en) 2003-02-26 2007-11-20 Agfa-Gevaert Radiation curable ink compositions suitable for ink-jet printing
EP1681309A1 (en) 2003-11-04 2006-07-19 Kaneka Corporation Polyolefin graft copolymer, composition and method for producing same
KR20060084978A (ko) 2005-01-21 2006-07-26 에스케이씨 주식회사 유기발광 다이오드 소자의 자외선 차단 봉지 구조 및 방법
JP5213303B2 (ja) * 2006-01-17 2013-06-19 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 光硬化性吸湿性組成物及び有機ｅｌ素子
US8501893B2 (en) 2008-01-25 2013-08-06 National Science And Technology Development Agency Synthetic method for preparing dual curable silicone compositions
JP5213547B2 (ja) * 2008-06-27 2013-06-19 昭和電工株式会社 エポキシ基含有エステル化合物を含む硬化性組成物、該組成物の製造方法およびエポキシ基含有エステル化合物
US8329290B2 (en) * 2008-12-22 2012-12-11 Nitto Denko Corporation Silicone resin composition
KR20110001884A (ko) * 2009-06-29 2011-01-06 주식회사 동진쎄미켐 광소자 봉지용 광경화성 수지 조성물
KR101092601B1 (ko) * 2009-12-23 2011-12-13 한국화학연구원 광경화성 단량체 화합물과 이를 포함하는 광경화성 코팅조성물
JP5611812B2 (ja) * 2009-12-31 2014-10-22 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． バリア・フィルム複合体、これを含む表示装置及び表示装置の製造方法
JP2011200780A (ja) 2010-03-25 2011-10-13 Fujifilm Corp バリア性積層体とその製造方法、ガスバリアフィルム及びデバイス
KR101391696B1 (ko) * 2011-11-23 2014-05-07 제일모직주식회사 이방 전도성 조성물 및 필름

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