WO2013164348A1 - Verfahren zum herstellen keramischer leiterplatten aus keramiksubstraten mit metallgefüllten vias - Google Patents

Verfahren zum herstellen keramischer leiterplatten aus keramiksubstraten mit metallgefüllten vias Download PDF

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Definitions

  • the invention relates to a method for producing ceramic circuit boards of ceramic substrates with metal-filled vias.
  • Ceramic circuit boards with completely metal-filled vias can be prepared in the prior art by repeatedly filling the vias in the ceramic substrate with templates and structure of a surface metallization by a first screen printing, baking and galvanic amplification to over 100 ⁇ . Through a single filling process (Viafilivorgang) you can not completely fill vias with copper pastes.
  • the invention has for its object to improve a method according to the preamble of claim 1 so that the vias can be filled with a single filling.
  • a voltage can be applied. It should be noted that the Kupfernetallmaschine or the copper foil covering the vias unilaterally.
  • a voltage is applied to the copper metallization or to the copper foil in the copper bath and the vias are filled from the ceramic side.
  • ceramic side is meant the side opposite to the side of the copper metallization or the copper foil.
  • the copper metallization is partially covered by a galvano resist and then the vias are filled by the electrogalvanic process in a copper bath and at the same time the exposed (not under the Galvano Resist) games to layer thicknesses of 50- Reinforced 100 ⁇ and then the electroplating Resist again chemically removed and provided with screen printed thinner unreinforced parts that were previously under the Galvano Resist dissolved. It can be made as any metallization with any thicknesses.
  • the vias are completely filled with copper.
  • a possibly protruding copper ridge is mechanically by z.
  • brushing, lapping or grinding removed and then the ceramic substrates in the DCB / DBC process are completed. Even with these process steps, any metallization can be made with any thicknesses.
  • the vias are completely filled with copper.
  • the areas provided with screen printing are dissolved with a mixture of HCl + FeCl 3 .
  • the vias preferably have a diameter of 50 to 5000 ⁇ and are preferably introduced by lasers.
  • the ceramic substrate is rotated in the copper bath with the ceramic side to the anode mounted in the electroplating process in the electroplating process and rinsed with electrolyte. This greatly improves the filling of the vias. Through the use of vibration and / or ultrasound in the electroplating tank mass transfer can be improved.
  • a copper metallization is thus applied by screen printing on the ceramic substrate, with the vias previously introduced, for example by lasers, on one side, but at the same time it is pressed uncontrollably into the vias.
  • the coating thickness is usually after the firing at 6-12 ⁇ , the vias are border metallized, but not hermetically closed.
  • the copper metallization is partially covered by a Galvano Resist.
  • Galvao Resist is meant materials that are applied to the metallization or copper foil to prevent electrodeposition where it covers the surface.
  • the ceramic substrate After application of the Galvano Resist, the ceramic substrate is immersed in a copper bath. There, the vias are grown by an electrogalvanic process by deposition of copper and the exposed (not under the Galvano Resist) games are amplified to layer thicknesses of 50-100 ⁇ . Then the Galvano Resist is chemically removed (dissolved) again.
  • the thin screen-printed sections are made with, for example, a mixture HCI + FeCl 3 dissolved. The thicker parts of the metallization are thinned only slightly. For higher quality products, the galvanized layout can be protected by tinning or photoresist before stripping the resist.
  • the second Möglickeit or inventive variant is to laser in the ceramic substrates of any type and thickness vias and coated on one side with copper foil of 100 -300 ⁇ in the DCB / DBC process.
  • the vias (diameter 50-5000 ⁇ ) can then be filled with the previously described method.
  • the supernatant copper burr is mechanically broken, e.g. removed by brushing, lapping or sanding.
  • the thus treated semi-substrates can then be completed in the DCB / DBC process and have a reliable via.
  • the ceramic substrate is turned in the copper bath with the ceramic side towards the anode mounted in the galvanic basin and rinsed with electrolyte.
  • the vias are therefore filled from the ceramic side.
  • Through the use of vibration and / or ultrasound is a further improvement of the mass transfer possible. Due to the more intensive mass transfer the vias grow especially fast with copper.

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen keramischer Leiterplatten aus Keramiksubstraten mit metallgefüllten Vias. Damit die Vias mit einem einzigen Füllvorgang gefüllt werden können, wird vorgeschlagen, dass auf dem Keramiksubstrat mit Vias entweder einseitig mit Siebdruck eine flächige Kupfermetallisierung aufgebracht wird oder einseitig eine Kupferfolie von 100 - 300 μm im DCB/DBC-Verfahren aufgebondet wird und dass die Vias von der Keramikseite her durch einen elektrogalvanischen Prozess in einem Kupferbad durch Abscheidung von Kupfer gefüllt werden.

Description

Verfahren zum Herstellen keramischer Leiterplatten aus Keramiksubstraten mit metallgefüllten Vias
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen keramischer Leiterplatten aus Keramiksubstraten mit metallgefüllten Vias.
Keramische Leiterplatten mit vollständig metallgefüllten Vias (Durchmesser etwa 100-300 μιτι) können nach dem Stand der Technik durch wiederholtes Füllen der Vias im Keramiksubstrat mit Schablonen und Aufbau einer Flächenmetallisierung durch einen ersten Siebdruck, Einbrennen und galvanische Weiterverstärkung bis über 100 μιτι hergestellt werden. Durch einen einzigen Füllvorgang (Viafilivorgang) kann man Vias mit Kupferpasten nicht komplett füllen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 so zu verbessern, dass mit einem einzigen Füllvorgang die Vias gefüllt werden können.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst,
- dass auf dem Keramiksubstrat mit Vias entweder einseitig mit Siebdruck eine flächige Kupfermetallisierung aufgebracht wird oder einseitig eine Kupferfolie von 100 - 300 μηη im DCB/DBC-Verfahren aufgebondet wird, und
- dass die Vias von der Keramikseite her durch einen elektrogalvanischen Prozess in einem Kupferbad durch Abscheidung von Kupfer gefüllt werden.
Durch das Aufbringen der Kupfermetallisierung oder der Kupferfolie kann eine Spannung angelegt werden. Es ist hierbei zu beachten, dass die Kupfernnetallisierung oder die Kupferfolie die Vias einseitig abdeckt. Beim anschließenden elektrogalvanischen Prozess wird an die Kupfermetallisierung oder an die Kupferfolie im Kupferbad eine Spannung angelegt und die Vias von der Keramikseite her gefüllt. Mit Keramikseite ist die Seite gegenüber der Seite mit der Kupfermetallisierung oder der Kupferfolie gemeint. Mit diesem Verfahren können die Vias mit einem einzigen Füllvorgang gefüllt werden
Nachfolgend werden zwei erfinderische Varianten des Verfahrens beschrieben.
In einer ersten Variante wird nach dem Aufbringen der Kupfermetallisierung mit Siebdruck die Kupfermetallisierung durch einen Galvano Resist partiell abgedeckt und anschließend die Vias durch den elektrogalvanischen Prozess in einem Kupferbad gefüllt und gleichzeitig die freiliegenden (nicht unter dem Galvano Resist liegenden) Partien auf Schichtstärken von 50-100 μιτι verstärkt und anschließend der Galvano Resist wieder chemisch entfernt und die mit Siebdruck versehenen dünneren nicht verstärkten Partien, die vorher unter dem Galvano Resist waren, aufgelöst. Es können so beliebige Metallisierungen mit beliebigen Dicken hergestellt werden. Die Vias sind vollständig mit Kupfer gefüllt.
In einer zweiten Variante wird nach dem Aufbonden der Kupferfolie und Füllen der Vias ein eventuell überstehender Kupfergrat mechanisch durch z. B. Bürsten, Läppen oder Schleifen entfernt und anschließend werden die Keramiksubstrate im DCB/DBC-Verfahren fertig gestellt. Auch mit diesen Verfahrensschritten können beliebige Metallisierungen mit beliebigen Dicken hergestellt werden. Die Vias sind vollständig mit Kupfer gefüllt.
Bevorzugt werden in der ersten Variante die mit Siebdruck versehenen Partien mit einer Mischung aus HCI+FeCI3 aufgelöst. Die Vias weisen bevorzugt einen Durchmesser von 50 bis 5.000 μιτι auf und werden bevorzugt durch Lasern eingebracht In einer Weiterbildung der Erfindung wird beim elektrogalvanischen Prozess das Keramiksubstrat im Kupferbad mit der Keramikseite zur im Galvanikbecken angebrachten Anode hin gedreht und mit Elektrolyt angespült. Dies verbessert die Füllung der Vias enorm. Durch den Einsatz von Vibration und / oder Ultraschall kann im Galvanikbecken der Stoffaustausch verbessert werden.
In der ersten Variante der Erfindung wird also mit Siebdruck auf das Keramiksubstrat, mit den vorher zum Beispiel durch Lasern eingebrachten Vias, einseitig eine Kupfermetallisierung aufgebracht, die gleichzeitig aber unkontrolliert in die Vias eingedrückt wird. Die Beschichtungsstärke liegt nach dem Einbrennen üblicherweise bei 6-12 μιτι, die Vias sind randmetallisiert, aber nicht hermetisch geschlossen. Anschließend wird die Kupfermetallisierung durch einen Galvano Resist partiell abgedeckt. Unter Galvao Resist werden Materialien verstanden, die auf der Metallisierung oder der Kupferfolie aufgebracht werden, um an den Stellen, wo sie die Oberfläche bedecken, eine galvanische Abscheidung zu verhindern.
Nach dem Aufbringen des Galvano Resist wird das Keramiksubstrat in ein Kupferbad getaucht. Dort lässt man durch einen elektrogalvanischen Prozess durch Abscheidung von Kupfer die Vias zuwachsen und die freiliegenden (nicht unter dem Galvano Resist liegenden) Partien werden auf Schichtstärken von 50-100 μιτι verstärkt. Dann wird der Galvano Resist wieder chemisch entfernt (aufgelöst). Die dünnen gesiebdruckten Partien werden mit beispielsweise einer Mischung aus HCI+FeCI3 aufgelöst. Die dickeren Partien der Metallisierung werden nur wenig gedünnt. Handelt es sich um höherwertige Produkte, kann das aufgalvanisierte Layout vor dem Strippen des Resistes durch Verzinnen oder durch Photoresist geschützt werden.
Die zweite Möglickeit bzw. erfinderische Variante besteht darin, in die Keramiksubstrate jeder Art und Dicke Vias zu lasern und einseitig mit Kupferfolie von 100 -300 μιτι im DCB/DBC-Verfahren zu beschichten. Die Vias (Durchmesser 50 - 5.000 μιτι) können dann mit dem vorher beschriebenen Verfahren gefüllt werden. Nach dem Füllen wird der überstehende Kupfergrat mechanisch z.B. durch Bürsten, Läppen oder Schleifen entfernt. Die so behandelten Halbsubstrate können dann im DCB/DBC-Verfahren fertig gestellt werden und weisen eine zuverlässige Durchkontaktierung auf.
Zur kathodischen Füllung der Vias und der Schichtverstärkung wird das Keramiksubstrat im Kupferbad mit der Keramikseite zur im Galvanikbecken angebrachten Anode hin gedreht und mit Elektrolyt angespült. Die Vias werden also von der Keramikseite her gefüllt. Durch den Einsatz von Vibration und /oder Ultraschall ist ist eine weitere Verbesserung des Stoffaustausches möglich. Durch den intensiveren Stoffaustausch wachsen die Vias besonders schnell mit Kupfer zu.

Claims

Ansprüche
Verfahren zum Herstellen keramischer Leiterplatten aus Keramiksubstraten mit metallgefüllten Vias, dadurch gekennzeichnet,
- dass auf dem Keramiksubstrat mit Vias entweder einseitig mit Siebdruck eine flächige Kupfermetallisierung aufgebracht wird oder einseitig eine Kupferfolie von 100 - 300 μιτι im DCB/DBC-Verfahren aufgebondet wird, und
- dass die Vias von der Keramikseite her durch einen elektrogalvanischen Prozess in einem Kupferbad durch Abscheidung von Kupfer gefüllt werden.
Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Aufbringen der Kupfermetallisierung mit Siebdruck
- die Kupfermetallisierung durch einen Galvano Resist partiell abgedeckt wird,
- anschließend die Vias durch den elektrogalvanischen Prozess in einem Kupferbad gefüllt werden und gleichzeitig die freiliegenden (nicht unter dem Galvano Resist liegenden) Partien auf Schichtstärken von 50-100 μιτι verstärkt werden und
- anschließend der Galvano Resist wieder chemisch entfernt und die mit Siebdruck versehenen dünneren nicht verstärkten Partien, die vorher unter dem Galvano Resist waren, aufgelöst werden.
Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Aufbonden der Kupferfolie und Füllen der Vias ein eventuell überstehender Kupfergrat mechanisch durch z.B. Bürsten, Läppen oder Schleifen entfernt wird und anschließend die Keramiksubstrate im DCB/DBC-Verfahren fertig gestellt werden. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die mit Siebdruck versehenen Partien mit einer Mischung aus HCI+FeCI3 aufgelöst werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Vias einen Durchmesser von 50 bis 5.000 μιτι aufweisen.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Vias durch Lasern eingebracht werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass beim elektrogalvanischen Prozess das Keramiksubstrat in einem Kupferbad mit der Keramikseite zur im Galvanikbecken angebrachten Anode hin gedreht und mit Elektrolyt angespült wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass durch den Einsatz von Vibration und / oder Ultraschall im Galvanikbecken der Stoffaustausch verbessert wird.
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