WO2013149849A1 - Vorrichtung zum abscheiden einer schicht auf einer halbleiterscheibe mittels gasphasenabscheidung - Google Patents

Vorrichtung zum abscheiden einer schicht auf einer halbleiterscheibe mittels gasphasenabscheidung Download PDF

Info

Publication number
WO2013149849A1
WO2013149849A1 PCT/EP2013/056011 EP2013056011W WO2013149849A1 WO 2013149849 A1 WO2013149849 A1 WO 2013149849A1 EP 2013056011 W EP2013056011 W EP 2013056011W WO 2013149849 A1 WO2013149849 A1 WO 2013149849A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
susceptor
semiconductor wafer
shaft
gas
distributor head
Prior art date
Application number
PCT/EP2013/056011
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Georg Brenninger
Original Assignee
Siltronic Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siltronic Ag filed Critical Siltronic Ag
Priority to US14/389,944 priority Critical patent/US9153472B2/en
Priority to CN201380016687.1A priority patent/CN104254638B/zh
Priority to SG11201406275QA priority patent/SG11201406275QA/en
Priority to JP2015500940A priority patent/JP5921754B2/ja
Priority to KR1020147024782A priority patent/KR101603031B1/ko
Publication of WO2013149849A1 publication Critical patent/WO2013149849A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C23C16/463—Cooling of the substrate
    • C23C16/466—Cooling of the substrate using thermal contact gas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Definitions

  • the invention relates to an apparatus for depositing a layer on a semiconductor wafer by means of gas phase deposition ⁇ and a method using this apparatus
  • a device of this kind is for example in the
  • US2004 / 0144323 AI shown. It includes upper and lower transparent material lids and a sidewall defining a reactor space.
  • the reactor space is divided by a susceptor into an upper reactor space and into a lower reactor space.
  • the susceptor carries a wafer to be coated and rests even on arms of a support frame, which forms the upper end of a shaft rotating the susceptor and the wafer.
  • Upper and lower lamp banks heat the susceptor and the semiconductor wafer.
  • a deposition gas is directed parallel to the surface of the semiconductor ⁇ slice through the upper reactor space and thereby thermally cleaved to form cleavage products are deposited to form a uniformly as possible thick layer on the surface of the front side of the semiconductor wafer.
  • a purge gas is passed through the lower reactor space in order to prevent deposition gas or fission products thereof from reaching the rear side of the susceptor and the rear side of the semiconductor wafer.
  • semiconductor wafer presents problems. Even after one Optimization of critical process parameters such as the electric power of the lamp banks and the volume flow of deposition gas and purge gas, it is found after analyzing a ⁇ coated wafer that the layer thickness in the center of the semiconductor wafer is slightly larger than in the edge ⁇ area of the semiconductor wafer.
  • the object of the present invention is to achieve a more uniform layer thickness.
  • the inventors of the present invention has found that found in the center of the coated semiconductor wafer increased layer thickness due to a temperature increase in the Zen ⁇ trums Scheme of the susceptor and that this local temperature increase can not be avoided by means of the optimization of said process parameters.
  • an apparatus for depositing a layer on a semiconductor wafer by means of gas phase deposition comprising a susceptor having a front side and a rear side;
  • a shaft for rotating the susceptor having upper and lower ends and being provided with a channel extending from the lower end to the upper end;
  • a gas distributor head fixed to the upper end of the shaft and cooling a region of the back of the susceptor by means of a cooling gas, the cooled region of
  • the invention also relates to a method in which this device is used.
  • cooling a region of the back side of the susceptor that extends radially outward from the center of the susceptor also causes a decrease in temperature on the surface of the semiconductor wafer to be coated in the center of the front of the semiconductor wafer and in a radially around the center Area of the surface of the front side of the semiconductor wafer.
  • the rate of deposition of the layer is lowered, so that the targeted cooling measure a radially uniform film thickness distribution can be achieved.
  • the cooling means includes the use of a gas distributor head which directs and limits the action of the cooling gas to a region of the backside of the susceptor that extends radially outward from the center of the susceptor.
  • Diameter of the region is smaller than the diameter of the semiconductor wafer to be coated, and the ratio of the diameter ⁇ d / D is preferably not less than 0.1 and not more than 0.4, where d is the diameter of the cooled area of the backside of the susceptor and D denotes the diameter of a semiconductor wafer to be coated deposited on the susceptor.
  • the diameter of the cooled area must not be too large, because otherwise areas of the semiconductor wafer are cooled, which should not be cooled. But it must not be too small, because otherwise areas of the semiconductor wafer are not cooled, which should be cooled.
  • the gas distributor head can be designed differently.
  • a gas distributor head which fanned the flow of effluent cooling gas directed against the back of the susceptor.
  • the cooled area of the back side of the susceptor ⁇ is the area that is taken directly from the gas stream ⁇ leaving the gas distribution head.
  • the gas distributor head preferably has a certain distance from the Rear side of the susceptor and a certain opening angle for fanning the gas flow.
  • a device preferably comprises a mass flow controller or mass flow limiter which adjusts a volume flow of the cooling gas which cools the area of the rear side of the susceptor such that it is not less than 1 slm and not more than 20 slm. At a flow rate greater than 20 slm there is a danger that the effect of the cooling gas exceeds the desired effect and, ultimately, less material in the center of the surface of the semiconductor wafer is deposited, as is beabsich ⁇ Untitled.
  • the cooling gas is preferably water ⁇ material, nitrogen or a noble gas or any
  • the semiconductor wafer preferably consists of monocrystalline silicon.
  • the deposited layer is preferably one
  • the diameter of the semiconductor wafer to be coated is preferably ⁇ not less than 300 mm, more preferably 300 mm or 450 mm.
  • Fig.l is a vertical sectional drawing of an inventive apparatus, some features may not Darge ⁇ provides are that not contribute to the understanding of the invention in ⁇ .
  • 2 shows, also in vertical section, the relative position of a preferably designed gas distributor head to a susceptor and an overlying semiconductor wafer.
  • 3 shows the radial distribution of the layer thickness h am
  • the apparatus according to Fig.l comprises a susceptor 3, which carries a semiconductor wafer to be coated 5 and even rests on the arms of a support frame 1.
  • the support frame is seated together with a gas distributor head 9 on the upper end of a rotating shaft 7.
  • the shaft is surrounded by a tube 6, which is widened at an upper end to a support ring 2, on the lifting pins 4 for lifting and Lowering the semiconductor wafer 5 put on the susceptor 3.
  • the lower end of the shaft is connected via a line to a source 10 in communication, which provides the cooling gas ⁇ .
  • a mass flow controller or mass flow limiter 8 is preferably integrated, which controls or limits the volume flow of the cooling gas.
  • the device comprises a further source 11 of a gas, another Lei ⁇ tion and another mass flow controller or mass flow limiter 12 for supplying the other gas.
  • the additional gas which may have the composition of the cooling gas or another composition, is used as purge gas. which keeps the exit region of the further gas at the upper end of the tube free of reactive gases.
  • the gas distributor head 9 preferably has the shape of a conically widened rotating body, as shown in Figure 2, and it fans out the gas flow leaving it.
  • a ratio of the diameters d / D 0.1
  • the diameter dl of the area of the back side of the susceptor to be cooled is 38 mm long when a semiconductor wafer with a diameter D of 300 mm is intended to be coated.
  • the distance AI, the gas distributor head to the back of the susceptor has to be about 11 mm and the gas distributor head fanned out the gas flow leaving it with an opening angle Wl of about 20 °.
  • the diameter d2 of the area to be cooled of the back side of the susceptor is 152 mm long when a semiconductor wafer having a diameter D of 300 mm is intended to be coated.
  • the distance A2 which the gas distributor head has to the rear side of the susceptor must be about 81 mm and the gas distributor head fan out the gas flow leaving it at an opening angle W2 of about 37 °.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe mittels Gasphasenabscheidung Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe mittels Gasphasenabscheidung, umfassend einen Suszeptor mit einer Vorderseite und einer Rückseite; eine Welle zum Drehen des Suszeptors, wobei die Welle ein oberes und ein unteres Ende hat und mit einem Kanal versehen ist, der sich vom unteren bis zum oberen Ende erstreckt; einen Gasverteiler-Kopf, der am oberen Ende der Welle befestigt ist und ein Gebiet der Rückseite des Suszeptors mittels eines kühlenden Gases kühlt, wobei sich das gekühlte Gebiet vom Zentrum des Suszeptors aus radial nach außen erstreckt; und eine Leitung zum Zuführen des kühlenden Gases von einer Quelle zum unteren Ende der Welle, von wo aus das kühlende Gas durch den Kanal zum oberen Ende der Welle und in den Verteilerkopf gelangt und zur Rückseite des Suszeptors gelenkt wird.

Description

Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einer
Halbleiterscheibe mittels Gasphasenabscheidung
Gegenstand der Erfindung ist eine Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe mittels Gasphasen¬ abscheidung und ein Verfahren, das diese Vorrichtung verwendet
Eine Vorrichtung dieser Art ist beispielsweise in der
US2004/0144323 AI gezeigt. Sie umfasst einen oberen und einen unteren Deckel aus transparentem Material und eine Seitenwand, die einen Reaktorraum definieren. Der Reaktorraum wird durch einen Suszeptor in einen oberen Reaktorraum und in einen unteren Reaktorraum aufgeteilt. Der Suszeptor trägt eine zu beschichtende Halbleiterscheibe und ruht selbst auf Armen eines Traggestells, welches das obere Ende einer den Suszeptor und die Halbleiterscheibe drehenden Welle bildet. Obere und untere Lampenbänke erhitzen den Suszeptor und die Halbleiterscheibe. Ein Abscheidegas wird parallel zur Oberfläche der Halbleiter¬ scheibe durch den oberen Reaktorraum geleitet und dabei ther- misch gespalten, wobei Spaltprodukte sich unter Bildung einer möglichst gleichmäßig dicken Schicht auf der Oberfläche der Vorderseite der Halbleiterscheibe ablagern. Gleichzeitig wird ein Spülgas durch den unteren Reaktorraum geleitet, um zu verhindern, dass Abscheidegas oder Spaltprodukte davon zur Rück- seite des Suszeptors und zur Rückseite der Halbleiterscheibe gelangen .
Aus der US4 821 674 ist bekannt, dass Spülgas durch die Welle und durch einen Spalt, der zwischen der Welle und einem sie umgebenden Rohr besteht, geleitet werden kann, um Abscheidegas daran zu hindern, in den Bereich unter dem Suszeptor zu
gelangen .
Das Abscheiden einer gleichmäßig dicken Schicht auf einer
Halbleiterscheibe bereitet jedoch Probleme. Selbst nach einer Optimierung von entscheidenden Prozessparametern wie der elektrischen Leistung der Lampenbänke und des Volumenstroms von Abscheidegas und Spülgas, stellt man nach der Analyse einer be¬ schichteten Halbleiterscheibe fest, dass die Schichtdicke im Zentrum der Halbleiterscheibe etwas größer ist, als im Rand¬ bereich der Halbleiterscheibe.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine gleichmäßigere Schichtdicke zu erreichen.
Der Erfinder der vorliegenden Erfindung hat herausgefunden, dass eine im Zentrum der beschichteten Halbleiterscheibe gefundene erhöhte Schichtdicke auf eine Temperaturerhöhung im Zen¬ trumsbereich des Suszeptors zurückzuführen ist, und dass diese lokale Temperaturerhöhung mit den Mitteln der Optimierung der genannten Prozessparameter nicht zu vermeiden ist.
Zur Lösung der Aufgabe wird daher eine Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe mittels Gaspha- senabscheidung vorgeschlagen, umfassend einen Suszeptor mit einer Vorderseite und einer Rückseite;
eine Welle zum Drehen des Suszeptors, wobei die Welle ein oberes und ein unteres Ende hat und mit einem Kanal versehen ist, der sich vom unteren bis zum oberen Ende erstreckt;
einen Gasverteiler-Kopf, der am oberen Ende der Welle befestigt ist und ein Gebiet der Rückseite des Suszeptors mittels eines kühlenden Gases kühlt, wobei sich das gekühlte Gebiet vom
Zentrum des Suszeptors aus radial nach außen erstreckt; und eine Leitung zum Zuführen des kühlenden Gases von einer Quelle zum unteren Ende der Welle, von wo aus das kühlende Gas durch den Kanal zum oberen Ende der Welle und in den Verteilerkopf gelangt und zur Rückseite des Suszeptors gelenkt wird.
Gegenstand der Erfindung ist auch ein Verfahren, bei dem diese Vorrichtung verwendet wird. Das Kühlen eines Gebiets der Rückseite des Suszeptors, das sich vom Zentrum des Suszeptors radial nach außen erstreckt, bewirkt letztlich auch eine Verringerung der Temperatur auf der zu beschichtenden Oberfläche der Halbleiterscheibe im Zentrum der Vorderseite der Halbleiterscheibe und in einem radial um das Zentrum herum sich erstreckenden Bereich der Oberfläche der Vorderseite der Halbleiterscheibe. Mit der niedrigeren Tempera¬ tur sinkt wiederum die Geschwindigkeit der Abscheidung der Schicht, so dass durch die gezielte Kühlmaßnahme eine radial gleichmäßigere Schichtdickenverteilung zu erreichen ist.
Die Kühlmaßnahme umfasst die Verwendung eines Gasverteiler- Kopfes, der die Wirkung des kühlenden Gases auf ein Gebiet der Rückseite des Suszeptors lenkt und beschränkt, das sich vom Zentrum des Suszeptors aus radial nach außen erstreckt. Der
Durchmesser des Gebiets ist kleiner als der Durchmesser der zu beschichtenden Halbleiterscheibe, und das Verhältnis der Durch¬ messer d/D beträgt vorzugsweise nicht weniger als 0,1 und nicht mehr als 0,4, wobei d den Durchmesser des gekühlten Gebiets der Rückseite des Suszeptors bezeichnet und D den Durchmesser einer auf dem Suszeptor abgelegten, zu beschichtenden Halbleiterscheibe. Der Durchmesser des gekühlten Gebiets darf nicht zu groß werden, weil sonst auch Bereiche der Halbleiterscheibe gekühlt werden, die nicht gekühlt werden sollten. Er darf aber auch nicht zu klein sein, weil sonst Bereiche der Halbleiterscheibe nicht gekühlt werden, die gekühlt werden sollten.
Je nach Anwendung kann der Gasverteiler-Kopf unterschiedlich ausgeführt sein. Bevorzugt ist ein Gasverteiler-Kopf, der den Strom des ausströmenden kühlenden Gases aufgefächert gegen die Rückseite des Suszeptors lenkt. Das gekühlte Gebiet der Rück¬ seite des Suszeptors ist das Gebiet, das unmittelbar vom Gas¬ strom getroffen wird, der den Gasverteiler-Kopf verlässt. Der Gasverteiler-Kopf hat vorzugsweise einen bestimmten Abstand zur Rückseite des Suszeptors und einen bestimmten Öffnungswinkel zum Auffächern des Gasstroms.
Eine erfindungsgemäße Vorrichtung umfasst vorzugsweise einen Massendurchfluss-Regler oder Massendurchfluss-Begrenzer, der einen Volumenstrom des kühlenden Gases, der das Gebiet der Rückseite des Suszeptors kühlt, derart einstellt, dass er nicht weniger als 1 slm und nicht mehr als 20 slm beträgt. Bei einem Volumenstrom von mehr als 20 slm besteht die Gefahr, dass die Wirkung des kühlenden Gases die beabsichtigte Wirkung übertrifft und letztendlich weniger Material im Zentrum der Oberfläche der Halbleiterscheibe abgeschieden wird, als beabsich¬ tigt ist. Bei dem kühlenden Gas handelt es sich vorzugsweise um Wasser¬ stoff, Stickstoff oder ein Edelgas oder um eine beliebige
Mischung der genannten Gase.
Die Halbleiterscheibe besteht vorzugsweise aus einkristallinem Silizium. Die abgeschiedene Schicht ist vorzugsweise eine
Schicht aus epitaktisch abgeschiedenem Silizium, das mit einem elektrisch aktiven Dotierstoff dotiert sein kann. Der Durchmesser der zu beschichtenden Halbleiterscheibe beträgt vorzugs¬ weise nicht weniger als 300 mm, besonders bevorzugt 300 mm oder 450 mm.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf Zeichnungen weiter erläutert. Fig.l zeigt eine Vertikalschnitt-Zeichnung durch eine erfindungsgemäße Vorrichtung, wobei einige Merkmale nicht darge¬ stellt sind, die zum Verständnis der Erfindung nichts bei¬ tragen . Fig.2 zeigt, ebenfalls im Vertikalschnitt, die relative Lage eines bevorzugt ausgebildeten Gasverteiler-Kopfes zu einem Suszeptor und einer darüberliegenden Halbleiterscheibe. Fig.3 zeigt die radiale Verteilung der Schichtdicke h am
Beispiel einer Halbleiterscheibe aus Silizium, die auf erfin¬ dungsgemäße Weise mit einer Schicht aus Silizium epitaktisch beschichtet wurde. Fig.4 zeigt zum Vergleich die radiale Verteilung der Schichtdicke h am Beispiel einer Halbleiterscheibe aus Silizium, die auf sonst gleichartige Weise beschichtet wurde, wobei während der Beschichtung auf eine Kühlung der Rückseite des Suszeptors mit einem kühlenden Gas verzichtet wurde.
Die Vorrichtung gemäß Fig.l umfasst einen Suszeptor 3, der eine zu beschichtende Halbleiterscheibe 5 trägt und selbst auf Armen eines Traggestells 1 ruht. Das Traggestell sitzt gemeinsam mit einem Gasverteiler-Kopf 9 auf dem oberen Ende einer sich dreh- enden Welle 7. Die Welle ist umgeben von einem Rohr 6, das an einem oberen Ende zu einem Tragring 2 erweitert ist, auf dem Hebestifte 4 zum Anheben und Absenken der Halbleiterscheibe 5 auf dem Suszeptor 3 aufsetzen. Zwischen dem Rohr 6 und der Welle 7 besteht ein Spalt, der sich nach oben bis zum Tragring erstreckt. Das untere Ende der Welle steht über eine Leitung mit einer Quelle 10 in Verbindung, die das kühlende Gas bereit¬ stellt. In diese Leitung ist vorzugsweise ein Massendurchfluss- Regler oder Massendurchfluss-Begrenzer 8 integriert, der den Volumenstrom des kühlenden Gases regelt oder begrenzt. Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung umfasst die Vorrichtung eine weitere Quelle 11 eines Gases, eine weitere Lei¬ tung und einen weiteren Massendurchfluss-Regler oder Massendurchfluss-Begrenzer 12 zum Zuführen des weiteren Gases. Das weitere Gas, das die Zusammensetzung des kühlenden Gases oder eine andere Zusammensetzung haben kann, wird als Spülgas ver- wendet, das den Austrittsbereich des weiteren Gases am oberen Ende des Rohrs frei von reaktiven Gasen hält.
Der Gasverteiler-Kopf 9 hat vorzugsweise die Form eines konisch erweiterten Rotations-Körpers, wie sie Fig.2 zeigt, und er fächert den ihn verlassenden Gasstrom auf. Bei einem Verhältnis der Durchmesser d/D = 0,1 ist der Durchmesser dl des zu kühlenden Gebiets der Rückseite des Suszeptors 38 mm lang, wenn eine Halbleiterscheibe mit einem Durchmesser D von 300 mm zu be- schichten beabsichtigt ist. Dazu muss der Abstand AI, den der Gasverteiler-Kopf zur Rückseite des Suszeptors hat, etwa 11 mm betragen und der Gasverteiler-Kopf den ihn verlassenden Gasstrom mit einem Öffnungswinkel Wl von etwa 20° auffächern. Bei einem Verhältnis der Durchmesser d/D = 0,4 ist der Durchmesser d2 des zu kühlenden Gebiets der Rückseite des Suszeptors 152 mm lang, wenn eine Halbleiterscheibe mit einem Durchmesser D von 300 mm zu beschichten beabsichtigt ist. Dazu muss der Abstand A2, den der Gasverteiler-Kopf zur Rückseite des Suszeptors hat, etwa 81 mm betragen und der Gasverteiler-Kopf den ihn verlas- senden Gasstrom mit einem Öffnungswinkel W2 von etwa 37° auffächern .
Beispiel : Wie der Vergleich von Fig.3 und Fig.4 zeigt, ist die radiale
Verteilung der Schichtdicke h deutlich gleichmäßiger, wenn die erfindungsgemäße Vorrichtung verwendet wird.

Claims

Patentansprüche
1. Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einer
Halbleiterscheibe mittels Gasphasenabscheidung, umfassend einen Suszeptor mit einer Vorderseite und einer Rückseite;
eine Welle zum Drehen des Suszeptors, wobei die Welle ein oberes und ein unteres Ende hat und mit einem Kanal versehen ist, der sich vom unteren bis zum oberen Ende erstreckt;
einen Gasverteiler-Kopf, der am oberen Ende der Welle befestigt ist und ein Gebiet der Rückseite des Suszeptors mittels eines kühlenden Gases kühlt, wobei sich das gekühlte Gebiet vom
Zentrum des Suszeptors aus radial nach außen erstreckt; und eine Leitung zum Zuführen des kühlenden Gases von einer Quelle zum unteren Ende der Welle, von wo aus das kühlende Gas durch den Kanal zum oberen Ende der Welle und in den Verteilerkopf gelangt und zur Rückseite des Suszeptors gelenkt wird.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, umfassend einen Massendurch- fluss-Regler oder Massendurchfluss-Begrenzer, der einen
Volumenstrom des kühlenden Gases, das den Gasverteiler-Kopf verlässt, derart regelt oder begrenzt, dass er nicht weniger als 1 slm und nicht mehr als 20 slm beträgt.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei der
Gasverteiler-Kopf derart ausgebildet ist, dass ein Verhältnis d/D nicht weniger als 0,1 und nicht mehr als 0,4 beträgt, wobei d den Durchmesser des gekühlten Gebiets der Rückseite des
Suszeptors bezeichnet und D den Durchmesser einer auf dem
Suszeptor abgelegten, zu beschichtenden Halbleiterscheibe.
4. Verfahren zum Abscheiden einer Schicht auf einer
Halbleiterscheibe mittels Gasphasenabscheidung unter Verwendung einer Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3.
PCT/EP2013/056011 2012-04-04 2013-03-22 Vorrichtung zum abscheiden einer schicht auf einer halbleiterscheibe mittels gasphasenabscheidung WO2013149849A1 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/389,944 US9153472B2 (en) 2012-04-04 2013-03-22 Device for depositing a layer on a semiconductor wafer by means of vapour deposition
CN201380016687.1A CN104254638B (zh) 2012-04-04 2013-03-22 通过汽相沉积在半导体晶片上沉积层的设备
SG11201406275QA SG11201406275QA (en) 2012-04-04 2013-03-22 Device for depositing a layer on a semiconductor wafer by means of vapour deposition
JP2015500940A JP5921754B2 (ja) 2012-04-04 2013-03-22 蒸着法によって半導体ウエハ上に層を堆積させる装置
KR1020147024782A KR101603031B1 (ko) 2012-04-04 2013-03-22 증착에 의한 반도체 웨이퍼 상의 층 퇴적 장치

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012205616.5 2012-04-04
DE102012205616.5A DE102012205616B4 (de) 2012-04-04 2012-04-04 Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe mittels Gasphasenabscheidung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013149849A1 true WO2013149849A1 (de) 2013-10-10

Family

ID=47997451

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2013/056011 WO2013149849A1 (de) 2012-04-04 2013-03-22 Vorrichtung zum abscheiden einer schicht auf einer halbleiterscheibe mittels gasphasenabscheidung

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9153472B2 (de)
JP (1) JP5921754B2 (de)
KR (1) KR101603031B1 (de)
CN (1) CN104254638B (de)
DE (1) DE102012205616B4 (de)
SG (1) SG11201406275QA (de)
WO (1) WO2013149849A1 (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9738975B2 (en) 2015-05-12 2017-08-22 Lam Research Corporation Substrate pedestal module including backside gas delivery tube and method of making
DE102016211614A1 (de) * 2016-06-28 2017-12-28 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von beschichteten Halbleiterscheiben
CN109306467B (zh) * 2017-07-26 2020-10-16 上海新昇半导体科技有限公司 气相生长装置及气相生长方法
CN109306468B (zh) * 2017-07-26 2020-10-16 上海新昇半导体科技有限公司 衬托器、气相生长装置及气相生长方法
CN108866514B (zh) * 2018-07-01 2023-12-12 航天科工(长沙)新材料研究院有限公司 一种改进的mpcvd设备基板台冷却结构
US11981998B2 (en) 2019-11-04 2024-05-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for substrate support temperature control
WO2024158681A1 (en) * 2023-01-26 2024-08-02 Applied Materials, Inc. Purge system to clean wafer backside for ring susceptor

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4821674A (en) 1987-03-31 1989-04-18 Deboer Wiebe B Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment
US20020139307A1 (en) * 2000-12-04 2002-10-03 Applied Materials, Inc. Cooling gas delivery system for a rotatable semiconductor substrate support assembly
US20040144323A1 (en) 2002-07-29 2004-07-29 Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha Epitaxial wafer production apparatus and susceptor structure
US20110020545A1 (en) * 2009-07-22 2011-01-27 Asm Genitech Korea Ltd. Lateral-flow deposition apparatus and method of depositing film by using the apparatus

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5062386A (en) * 1987-07-27 1991-11-05 Epitaxy Systems, Inc. Induction heated pancake epitaxial reactor
JPH05166736A (ja) * 1991-12-18 1993-07-02 Nissin Electric Co Ltd 薄膜気相成長装置
JP3084881B2 (ja) * 1992-02-05 2000-09-04 住友電気工業株式会社 有機金属気相成長装置
US6544379B2 (en) * 1993-09-16 2003-04-08 Hitachi, Ltd. Method of holding substrate and substrate holding system
US6113702A (en) * 1995-09-01 2000-09-05 Asm America, Inc. Wafer support system
US6053982A (en) * 1995-09-01 2000-04-25 Asm America, Inc. Wafer support system
US6616767B2 (en) * 1997-02-12 2003-09-09 Applied Materials, Inc. High temperature ceramic heater assembly with RF capability
US5997649A (en) * 1998-04-09 1999-12-07 Tokyo Electron Limited Stacked showerhead assembly for delivering gases and RF power to a reaction chamber
JP2001210596A (ja) * 2000-01-28 2001-08-03 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置の温度制御方法、半導体製造装置、および半導体デバイスの製造方法
US7037797B1 (en) * 2000-03-17 2006-05-02 Mattson Technology, Inc. Localized heating and cooling of substrates
US20040011468A1 (en) * 2000-05-30 2004-01-22 Jun Hirose Gas introduction system for temperature adjustment of object to be processed
JP2002134466A (ja) * 2000-10-25 2002-05-10 Sony Corp 半導体装置の製造方法
US6795292B2 (en) * 2001-05-15 2004-09-21 Dennis Grimard Apparatus for regulating temperature of a process kit in a semiconductor wafer-processing chamber
US6677167B2 (en) * 2002-03-04 2004-01-13 Hitachi High-Technologies Corporation Wafer processing apparatus and a wafer stage and a wafer processing method
JP3868324B2 (ja) * 2002-04-15 2007-01-17 三菱電機株式会社 シリコン窒化膜の成膜方法、成膜装置、及び半導体装置の製造方法
US6783630B2 (en) * 2002-08-27 2004-08-31 Axcelis Technologies, Inc. Segmented cold plate for rapid thermal processing (RTP) tool for conduction cooling
US7033443B2 (en) * 2003-03-28 2006-04-25 Axcelis Technologies, Inc. Gas-cooled clamp for RTP
US20040261946A1 (en) * 2003-04-24 2004-12-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor
JP4179041B2 (ja) * 2003-04-30 2008-11-12 株式会社島津製作所 有機ｅｌ用保護膜の成膜装置、製造方法および有機ｅｌ素子
KR20060037822A (ko) * 2004-10-28 2006-05-03 주식회사 하이닉스반도체 고밀도플라즈마 화학기상증착 장치 및 그를 이용한반도체소자의 제조 방법
US7964511B2 (en) * 2005-09-09 2011-06-21 Tokyo Electron Limited Plasma ashing method
US20070210037A1 (en) * 2006-02-24 2007-09-13 Toshifumi Ishida Cooling block forming electrode
JP4674177B2 (ja) * 2006-03-15 2011-04-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US7312579B2 (en) * 2006-04-18 2007-12-25 Colorado Advanced Technology Llc Hall-current ion source for ion beams of low and high energy for technological applications
US7727780B2 (en) * 2007-01-26 2010-06-01 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing method and semiconductor manufacturing apparatus
JP4870604B2 (ja) * 2007-03-29 2012-02-08 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置
US20080311294A1 (en) * 2007-06-15 2008-12-18 Hideki Ito Vapor-phase growth apparatus and vapor-phase growth method
JP2011500961A (ja) * 2007-10-11 2011-01-06 バレンス プロセス イクウィップメント，インコーポレイテッド 化学気相成長反応器
JP4533925B2 (ja) * 2007-12-17 2010-09-01 財団法人高知県産業振興センター 成膜装置及び成膜方法
JP5039076B2 (ja) * 2008-03-24 2012-10-03 株式会社東芝 エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法
FR2929446B1 (fr) * 2008-03-28 2011-08-05 Soitec Silicon On Insulator Implantation a temperature controlee
US8673081B2 (en) * 2009-02-25 2014-03-18 Crystal Solar, Inc. High throughput multi-wafer epitaxial reactor
US20140318442A1 (en) * 2009-02-25 2014-10-30 Crystal Solar Incorporated High throughput epitaxial deposition system for single crystal solar devices
CN201406469Y (zh) * 2009-04-10 2010-02-17 广东昭信半导体装备制造有限公司 气相沉积设备反应腔的加热装置
US20120171377A1 (en) * 2010-12-30 2012-07-05 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with selective control of emissivity
US20130068320A1 (en) * 2011-06-17 2013-03-21 Son Nguyen Protective material for gas delivery in a processing system
JP5897834B2 (ja) * 2011-07-19 2016-03-30 昭和電工株式会社 ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法
DE102011083245B4 (de) * 2011-09-22 2019-04-25 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht aus Silizium auf einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium durch Gasphasenabscheidung in einer Prozesskammer
JP5878091B2 (ja) * 2012-07-20 2016-03-08 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4821674A (en) 1987-03-31 1989-04-18 Deboer Wiebe B Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment
US20020139307A1 (en) * 2000-12-04 2002-10-03 Applied Materials, Inc. Cooling gas delivery system for a rotatable semiconductor substrate support assembly
US20040144323A1 (en) 2002-07-29 2004-07-29 Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha Epitaxial wafer production apparatus and susceptor structure
US20110020545A1 (en) * 2009-07-22 2011-01-27 Asm Genitech Korea Ltd. Lateral-flow deposition apparatus and method of depositing film by using the apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
CN104254638A (zh) 2014-12-31
JP5921754B2 (ja) 2016-05-24
CN104254638B (zh) 2016-08-24
JP2015517204A (ja) 2015-06-18
US9153472B2 (en) 2015-10-06
KR101603031B1 (ko) 2016-03-11
DE102012205616A1 (de) 2013-10-10
KR20140119190A (ko) 2014-10-08
SG11201406275QA (en) 2014-11-27
US20150056787A1 (en) 2015-02-26
DE102012205616B4 (de) 2016-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2013149849A1 (de) Vorrichtung zum abscheiden einer schicht auf einer halbleiterscheibe mittels gasphasenabscheidung
DE4404110A1 (de) Substrathalter für MOCVD und MOCVD-Vorrichtung
DE69927003T2 (de) Vakuumbehandlungsvorrichtung
EP0811703B1 (de) Vorrichtung zum Behandeln eines Substrats
DE102011007632B3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer von Prozessgas stammenden Materialschicht auf einer Substratscheibe
DE112005000715B4 (de) Halbleitereinkristall-Herstellungsvorrichtung
DE60133092T2 (de) Örtliche erwärmung und kühlung von substraten
DE3633386A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum behandeln von substraten im vakuum
DE102010026987B4 (de) Herstellvorrichtung und -verfahren für Halbleiterbauelement
DE60302214T2 (de) Pumpenanschlusstück für prozesskammer für einzelne halbleiterscheiben frei von emissivitätsänderungen
DE112017007122B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Silizium-Monokristall, Strömungsausrichtungselement und Monokristall-Ziehvorrichtung
DE102005024118A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Reduktion von Partikeln bei der thermischen Behandlung rotierender Substrate
DE112012000726T5 (de) Suszeptor und Verfahren zum Herstellen eines Epitaxialwafers unter Verwendung desselben
DE102011053498A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Ermittlung der Verformung eines Substrates
DE112011102504T5 (de) Verbesserter Reaktor zur chemischen Gasphasenabscheidung
DE112009001431B4 (de) Einkristall-Herstellungsvorrichtung und Einkristall-Herstellungsverfahren
WO2022171529A1 (de) Cvd-reaktor mit einem in einer vorlaufzone ansteigenden prozesskammerboden
DE102013203113A1 (de) GIEßVORRICHTUNG UND GIEßVERFAHREN
US9675001B2 (en) Seed distributor for even dispersion at varying flow rates
WO2018001720A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von beschichteten halbleiterscheiben
CN206033876U (zh) 一种喷淋头及其等离子体处理装置
DE102014209466B4 (de) Trockenätzungsvorrichtung und Elektrode davon
EP0811702A2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen einer Schicht durch CVD
DE102013204730A1 (de) Verfahren zur Abscheidung von polykristallinem Silicium
WO2021115904A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines einkristalls aus silizium, der mit dotierstoff vom n-typ dotiert ist

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13711884

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20147024782

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2015500940

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14389944

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13711884

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1