WO2013051555A1 - 炭化ケイ素単結晶基板および研磨液 - Google Patents

炭化ケイ素単結晶基板および研磨液 Download PDF

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WO2013051555A1
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polishing
silicon carbide
atomic step
atomic
single crystal
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伊織 吉田
竹宮　聡
浩之 朝長
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旭硝子株式会社
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
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    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
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    • H01L21/0201—Specific process step
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    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
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    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/1608—Silicon carbide
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    • Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]

Definitions

  • the present invention relates to a silicon carbide single crystal substrate and a polishing liquid, and more specifically, a silicon carbide single crystal substrate suitable for forming a high-quality semiconductor layer by epitaxial growth, and polishing for obtaining such a substrate. Regarding liquids.
  • Silicon carbide (SiC) semiconductors have a higher breakdown electric field, electron saturation drift velocity, and thermal conductivity than silicon semiconductors, so silicon carbide semiconductors can be operated at higher temperatures and higher temperatures than conventional silicon devices.
  • Research and development to realize power devices has been conducted.
  • the development of a highly efficient switching element used as a power source for driving a motor of an electric motorcycle, an electric vehicle, a hybrid car or the like has attracted attention.
  • a silicon carbide single crystal substrate having a smooth surface for forming a high quality silicon carbide semiconductor layer by epitaxial growth is required.
  • Such a light-emitting element is manufactured using a gallium nitride (GaN) semiconductor, and a silicon carbide single crystal substrate is used as a substrate for forming a high-quality gallium nitride semiconductor layer.
  • GaN gallium nitride
  • the silicon carbide single crystal substrate used for such applications is required to have high processing accuracy in terms of substrate flatness, substrate surface smoothness, etc., and also has high cleaning properties for residues such as abrasive grains derived from abrasives. Required.
  • the silicon carbide single crystal has extremely high hardness and excellent corrosion resistance, the processability when producing the substrate is poor, and a silicon carbide single crystal substrate with high smoothness can be obtained while maintaining a high polishing rate. Is difficult.
  • silicon carbide single crystal is excellent in corrosion resistance, it is possible to remove abrasive grains by lift-off using a chemical solution such as hydrofluoric acid, which is used for cleaning silicon substrates, even when removing the abrasive grains. It is difficult to apply this method. Therefore, it is difficult to obtain a substrate surface with a high degree of cleaning.
  • a smooth surface of a semiconductor single crystal substrate is formed by polishing.
  • the surface is mechanically polished by using abrasive grains such as diamond harder than silicon carbide as a polishing material to form a flat surface, but the silicon carbide single crystal substrate polished with diamond abrasive grains A minute scratch corresponding to the grain size of the diamond abrasive grains is introduced on the surface of the. Further, since a work-affected layer having mechanical strain is generated on the surface, the smoothness of the substrate surface is not sufficient as it is.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • Formation of a silicon carbide semiconductor layer by epitaxial growth on a silicon carbide single crystal substrate is performed by using a thermal CVD method to form silicon atoms and carbon atoms on an extremely smooth surface at an atomic level where an atomic step / terrace structure is generated by the CMP. It is done by depositing.
  • the front end line portion of the atomic step becomes the starting point of epitaxial growth, in order to obtain a high-quality silicon carbide semiconductor layer having no crystal defects, the surface structure required for the silicon carbide single crystal substrate is the crystal structure. Not only the original atomic step / terrace structure is generated, but also high processing accuracy is required for the shape of the generated atomic step.
  • the “atomic step / terrace structure” means a plurality of flat “terrace” arranged in parallel to each other through a step along the main surface of the single crystal substrate, and each terrace.
  • a linear portion where the upper end portion of the atomic step is in contact with the terrace is referred to as “front end line portion of the atomic step”.
  • the “terrace”, “atomic step”, and “front end line portion of the atomic step” will be further described later.
  • Patent Document 1 Although the generation of the atomic step / terrace structure derived from the crystal structure is considered, no consideration is given to the influence of the end shape of the atomic step and the crystal defect on the epitaxial growth of the crystal. . Further, merely suppressing crystal defects in the silicon carbide semiconductor layer by etching is insufficient to obtain a high-quality semiconductor layer. Furthermore, from a cost viewpoint, it is required to realize a higher polishing rate.
  • silica abrasive grains As abrasives for smoothly polishing the surface of a silicon carbide single crystal substrate at a high polishing rate, silica abrasive grains, an oxidizing agent (oxygen donor) such as hydrogen peroxide, and vanadate.
  • oxygen donor oxygen donor
  • vanadate oxygen donor
  • the polishing composition of Patent Document 2 has a problem that the polishing rate for the silicon carbide single crystal substrate is low and the time required for polishing becomes very long.
  • an atomic step / terrace structure is generated on the polished surface, the front end line portion of the atomic step becomes chipped or chipped due to mechanical damage during polishing, and crystal defects occur. There was a problem. Further, there is a problem that silica abrasive grains that cannot be removed by cleaning remain on the substrate, and this abrasive grain residue causes crystal defects in the semiconductor layer epitaxially grown on the polished substrate surface.
  • a silicon carbide single crystal substrate suitable for epitaxially growing a high-quality semiconductor layer free from crystal defects, and such a silicon carbide single crystal substrate are provided.
  • An object is to provide a polishing liquid to be obtained by CMP.
  • the silicon carbide single crystal substrate of the present invention includes a main surface having an atomic step / terrace structure including atomic steps and terraces derived from a crystal structure, and in the atomic step / terrace structure, a front end line portion of the atomic steps is provided.
  • the average line roughness is a ratio of 20% or less with respect to the height of the atomic step.
  • the main surface is preferably a surface on which a crystal is epitaxially grown to form a silicon carbide semiconductor layer or a gallium nitride semiconductor layer.
  • the polishing liquid of the present invention has an atomic step / terrace structure comprising an atomic step and a terrace derived from a crystal structure on a principal surface in a predetermined plane direction of a silicon carbide single crystal substrate, and the atomic step / terrace structure
  • a polishing liquid for chemically and mechanically polishing so that the average line roughness of the front end line portion of the atomic step is 20% or less with respect to the height of the atomic step, It contains an oxidizing agent containing a transition metal having a redox potential of 0.5 V or higher and water, and does not contain abrasive grains.
  • the oxidizing agent is preferably permanganate ions. Moreover, it is preferable that content of the said permanganate ion is 0.05 to 5 mass% with respect to the abrasive
  • the silicon carbide single crystal substrate of the present invention has an atomic step / terrace structure derived from a crystal structure, and the average linear roughness (R) of the front end line portion of the atomic step with respect to the height (h) of the atomic step.
  • the ratio is 20% or less, and the crystal defects and the like at the front end line portion that is the starting point of epitaxial crystal growth by the step flow method are suppressed.By epitaxially growing the main surface of this silicon carbide single crystal substrate, A high quality silicon carbide semiconductor layer or gallium nitride semiconductor layer can be obtained.
  • the polishing liquid of the present invention contains an oxidizing agent containing a transition metal having an oxidation-reduction potential of 0.5 V or more and water, and does not contain abrasive grains. Therefore, a predetermined plane direction of a silicon carbide single crystal substrate is obtained using this polishing liquid.
  • an oxidizing agent containing a transition metal having an oxidation-reduction potential of 0.5 V or more and water and does not contain abrasive grains. Therefore, a predetermined plane direction of a silicon carbide single crystal substrate is obtained using this polishing liquid.
  • By chemically and mechanically polishing the main surface of the substrate it has an atomic step / terrace structure derived from the crystal structure, and there is no crystal defect due to mechanical damage during polishing at the front end line portion of the atomic step. High quality surface can be obtained. Further, according to this polishing liquid, no abrasive residue is generated on the cleaned silicon carbide single crystal substrate.
  • FIG. 1A and 1B schematically show an atomic step / terrace structure generated on a main surface of a silicon carbide single crystal substrate according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 1A is a plan view.
  • FIG. 2 is an enlarged perspective view.
  • FIG. 2 is a diagram showing a crystal structure of a 4H—SiC single crystal.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a polishing apparatus that can be used for polishing using the polishing liquid according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 schematically shows an atomic step / terrace structure generated on the main surface of a silicon carbide single crystal substrate polished using a conventional abrasive liquid, (a) is a plan view, b) is an enlarged perspective view.
  • FIG. 5 is a diagram schematically showing epitaxial growth by a step flow method on a silicon carbide single crystal substrate.
  • FIG. 6 is a diagram showing measurement positions of the line roughness of the front end line portion of the atomic step / terrace structure generated after CMP polishing in Examples 1 to 6.
  • the silicon carbide single crystal substrate of the embodiment of the present invention has a flat terrace 1 region derived from the crystal structure and an atomic step 2 which is a step region.
  • an atomic step 2 which is a step region.
  • the front end line portion 2a in which the upper end portion of the atomic step 2 is in contact with the terrace 1 has a straight shape, and is not curved, chipped or chipped.
  • the width of the terrace 1 is substantially the same on all the terraces, and each part is substantially uniform on each terrace.
  • the C-axis shown in FIG. 1B is a direction perpendicular to the paper surface in FIG.
  • the ratio of the average line roughness (R) of the front end line portion 2a of the atomic step 2 to the height (h) of the atomic step 2 is 20% or less. Yes. That is, (R / h) ⁇ 100 ⁇ 20. R / h can be regarded as an index representing the degree of mechanical damage to the front end line portion 2a in the atomic step / terrace structure.
  • the main surface having the atomic step / terrace structure is a main surface in a predetermined plane direction and is a main surface having a predetermined off angle with respect to the C axis.
  • the average line roughness (R) of the front end line portion 2a is the center line arithmetic average roughness (Ra) of the cross-sectional roughness curve of the front end line portion 2a, and is measured by, for example, the following method. Can do. That is, a predetermined range (for example, a range of 2 ⁇ m wide ⁇ 1 ⁇ m long) of the main surface of the silicon carbide single crystal substrate is observed with an AFM (atomic force microscope), and the obtained AFM image shows a plurality of ranges within the above range. The arithmetic average surface roughness (Ra) is measured for each of the front end line portions 2a, and R is obtained as the average value.
  • the height (h) of the atomic step is about 0.25 nm for the silicon carbide single crystal substrate.
  • a 4H—SiC substrate has the crystal structure shown in FIG. 2, and 1 ⁇ 4 of C0 (1.008 nm), which is the crystal lattice spacing (lattice constant) in the C-axis direction, is the height (h) of the atomic step. It becomes. That is, in the 4H—SiC substrate, the height (h) of the atomic step is a value (about 0.25 nm) calculated by 1.008 nm / 4.
  • the height (h) of the atomic step in the 6H—SiC substrate is about 0.25 nm as in the 4H—SiC substrate.
  • the lattice constant C0 in the C-axis direction is 1.542 nm, and 1/6 of this value is the height (h) of the atomic step, so the height (h) of the atomic step is It becomes about 0.25 nm.
  • the 4H—SiC substrate and the 6H—SiC substrate will be described in the section of the object to be polished.
  • the principal surface in a predetermined plane direction has an atomic step / terrace structure derived from the crystal structure, and has high smoothness, and average line roughness of the front end line portion 2a. Since the ratio of (R) to the height (h) of atomic step 2 is 20% or less, the crystal defects and the like of front end line portion 2a that are the starting points of epitaxial crystal growth by the step flow method are suppressed. Yes. Therefore, a high quality silicon carbide semiconductor layer or gallium nitride semiconductor layer can be obtained by epitaxially growing a crystal on the main surface of the silicon carbide single crystal substrate.
  • the step flow method will be described in detail in the section of epitaxial growth described later.
  • the main surface of the silicon carbide single crystal substrate which is excellent in the shape of the front end line portion 2a and in which the crystal defects in the portion are suppressed, has a high oxidation power including a transition metal having a redox potential of 0.5 V or more. It can be obtained by performing CMP using the polishing liquid of the present invention containing an agent and substantially free of abrasive grains.
  • a polishing liquid according to an embodiment of the present invention is a polishing liquid for chemically and mechanically polishing a principal surface in a predetermined plane direction of a silicon carbide single crystal substrate.
  • a transition metal having an oxidation-reduction potential of 0.5 V or more is used. It contains an oxidizing agent and water, and does not contain abrasive grains.
  • the ratio of the average line roughness (R) of the front end line portion to the height (h) of the atomic step is 20% or less (( R / h) ⁇ 100 ⁇ 20) can be obtained as a polished main surface (hereinafter sometimes referred to as a polished main surface).
  • a substrate having high hardness and high chemical stability such as a silicon carbide single crystal substrate can be polished at a sufficiently high polishing rate.
  • this polishing liquid since no abrasive grains remain on the cleaned silicon carbide single crystal substrate, it is possible to prevent the occurrence of crystal defects due to the abrasive grain residues.
  • the oxidizing agent contained in the polishing liquid of the embodiment of the present invention permanganate ions are preferable, and the content thereof is preferably 0.05% by mass or more and 5% by mass or less.
  • the pH of the polishing liquid is preferably 11 or less, and more preferably 5 or less.
  • a pH adjuster can be added to the polishing liquid. When the pH of the polishing liquid is 11 or less, the oxidizing agent acts effectively, so the polishing rate is high and the polishing characteristics are good. Below, it describes about each component and pH of the polishing liquid of this invention.
  • the oxidizing agent containing a transition metal having a redox potential of 0.5 V or more which is contained in the polishing liquid according to the embodiment of the present invention, forms an oxide layer on the surface to be polished of a silicon carbide single crystal substrate that is an object to be polished. Is. By removing this oxide layer from the surface to be polished by mechanical force, polishing of the object to be polished is promoted. That is, a silicon carbide single crystal that is a non-oxide is a difficult-to-polish material, but an oxide layer can be formed on the surface by an oxidizing agent containing a transition metal having a redox potential of 0.5 V or higher in the polishing liquid.
  • the oxidized layer has a lower hardness than the object to be polished and is easily polished, it can be removed by contact with a polishing pad that does not contain abrasive grains. Therefore, a sufficiently high polishing rate can be obtained.
  • a redox potential measurement method a commercially available redox potential meter can be used.
  • the reference electrode include a silver / silver chloride electrode using a saturated potassium chloride aqueous solution as an internal solution, and a metal electrode such as platinum can be used as the working electrode.
  • the temperature and pH of the aqueous solution at the time of measurement it can be measured at room temperature around 25 ° C., and a pH-adjusted sample can be prepared and measured.
  • the “surface to be polished” is a surface to be polished of an object to be polished, such as a surface.
  • Examples of the oxidizing agent containing a transition metal having a redox potential of 0.5 V or more contained in the polishing liquid include permanganate ions, vanadate ions, dichromate ions, cerium ammonium nitrate, and iron (III) nitrate. Examples thereof include nonahydrate, silver nitrate, phosphotungstic acid, silicotungstic acid, phosphomolybdic acid, phosphotungstomolybdic acid, and phosphovanadomolybdic acid.
  • Permanganate ions are particularly preferred.
  • permanganate such as potassium permanganate and sodium permanganate is preferable.
  • permanganate ions are particularly preferable as an oxidizing agent in polishing a silicon carbide single crystal substrate.
  • Permanganate ions have a strong oxidizing power for oxidizing silicon carbide single crystals. If the oxidizing power of the oxidizing agent is too weak, the reaction with the polished surface of the silicon carbide single crystal substrate becomes insufficient, and as a result, a sufficiently smooth surface cannot be obtained.
  • An oxidation-reduction potential is used as an index of the oxidizing power with which an oxidizing agent oxidizes a substance.
  • the redox potential of permanganate ions is 1.70 V, and potassium perchlorate (KClO 4 ) (redox potential 1.20 V) or sodium hypochlorite (NaClO) (redox potential) generally used as an oxidizing agent. Compared with 1.63 V), the redox potential is high.
  • K Permanganate ions have a high reaction rate. Since permanganate ions have a higher rate of oxidation reaction than hydrogen peroxide (oxidation-reduction potential: 1.76 V), which is known as an oxidizing agent with strong oxidizing power, the oxidizing power is exerted quickly. it can.
  • Permanganate ions are safe and low in toxicity to the human body.
  • the content (concentration) of permanganate ions in the polishing liquid is preferably 0.05% by mass or more and 5% by mass or less. If it is less than 0.05% by mass, the effect as an oxidizing agent cannot be expected, and it may take a very long time to form a smooth surface by polishing, or scratches may occur on the surface to be polished.
  • the content of permanganate ions contained in the polishing liquid is more preferably 0.1% by mass or more and 4% by mass or less, and particularly preferably 0.2% by mass or more and 3.5% by mass or less.
  • the polishing liquid according to the embodiment of the present invention includes polishing abrasive grains such as silicon oxide (silica) particles, cerium oxide (ceria) particles, aluminum oxide (alumina) particles, zirconium oxide (zirconia) particles, and titanium oxide (titania) particles. , which is substantially not contained. Since the polishing liquid does not contain abrasive grains, and no residue of abrasive grains is produced after cleaning as described above, it is possible to prevent the occurrence of crystal defects due to abrasive grain residues. Further, the polishing liquid can be used without paying attention to the dispersibility of the abrasive grains, and there is an advantage that mechanical damage to the surface to be polished is suppressed because the abrasive grains are not substantially aggregated.
  • abrasive grains such as silicon oxide (silica) particles, cerium oxide (ceria) particles, aluminum oxide (alumina) particles, zirconium oxide (zirconia) particles, and titanium oxide (titania) particles.
  • the pH of the polishing liquid according to the embodiment of the present invention is preferably 11 or less, more preferably 5 or less, and particularly preferably 3 or less from the viewpoint of polishing characteristics.
  • the pH is more than 11, not only a sufficient polishing rate cannot be obtained, but also the smoothness of the surface to be polished may be deteriorated.
  • the pH of the polishing liquid can be adjusted by adding or blending an acid or basic compound that is a pH adjusting agent.
  • acids include inorganic acids such as nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid and hydrochloric acid, saturated carboxylic acids such as formic acid, acetic acid, propionic acid and butyric acid, hydroxy acids such as lactic acid, malic acid and citric acid, phthalic acid and salicylic acid.
  • Organic acids such as aromatic carboxylic acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, fumaric acid, maleic acid and other dicarboxylic acids, amino acids, and heterocyclic carboxylic acids can be used.
  • nitric acid and phosphoric acid is preferred, and the use of nitric acid is particularly preferred.
  • basic compound quaternary ammonium compounds such as ammonia, lithium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydroxide and tetramethylammonium, and organic amines such as monoethanolamine, ethylethanolamine, diethanolamine and propylenediamine can be used.
  • potassium hydroxide and sodium hydroxide is preferable, and potassium hydroxide is particularly preferable.
  • the content ratio (concentration) of these acids or basic compounds is an amount that adjusts the pH of the polishing liquid to a predetermined range (pH 11 or less, more preferably 5 or less, more preferably 3 or less).
  • water In the polishing liquid of the embodiment of the present invention, water is contained as a dispersion medium. Water is a medium for dispersing / dissolving the oxidant and optional components added as necessary. Although there is no restriction
  • the polishing liquid according to the embodiment of the present invention is prepared and used so that each component described above is contained in the predetermined ratio and is uniformly dissolved.
  • a stirring and mixing method using a stirring blade usually used in the production of a polishing liquid can be employed.
  • the polishing liquid does not necessarily have to be supplied to the polishing site as a mixture of all constituent polishing components.
  • the polishing components may be mixed to form a polishing liquid composition.
  • a lubricant In the polishing liquid of the embodiment of the present invention, a lubricant, a chelating agent, a reducing agent, a viscosity imparting agent, a viscosity modifier, a rust preventive agent, and the like are appropriately contained as necessary unless contrary to the gist of the present invention. Can be made. However, when these additives have the function of an oxidizing agent, an acid, or a basic compound, they are handled as an oxidizing agent, an acid, or a basic compound.
  • anionic, cationic, nonionic, amphoteric surfactants polysaccharides, water-soluble polymers and the like can be used.
  • the surfactant there are an aliphatic hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group as a hydrophobic group, and a linking group such as an ester, ether, amide, etc., an acyl group, an alkoxyl group, etc. is included in the hydrophobic group.
  • One having one or more introduced groups and one having a carboxylic acid, a sulfonic acid, a sulfate ester, a phosphoric acid, a phosphate ester or an amino acid can be used as the hydrophilic group.
  • polysaccharides examples include alginic acid, pectin, carboxymethylcellulose, curdlan, pullulan, xanthan gum, carrageenan, gellan gum, locust bean gum, gum arabic, tamarind, and psyllium.
  • water-soluble polymer polyacrylic acid, polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, polymethacrylic acid, polyacrylamide, polyaspartic acid, polyglutamic acid, polyethyleneimine, polyallylamine, polystyrene sulfonic acid and the like can be used.
  • polishing liquid In order to perform polishing using the polishing liquid according to the embodiment of the present invention, a known polishing pad that does not include abrasive grains is used, and the above-described polishing liquid is supplied to the polishing pad while carbonization that is an object to be polished.
  • the surface to be polished of the silicon single crystal substrate is brought into contact with the polishing pad, and polishing is performed by relative movement between the two. The polishing object will be described later.
  • FIG. 3 shows an example of a usable polishing apparatus.
  • a polishing surface plate 11 is provided in a state of being rotatably supported around its vertical axis C 1, and this polishing surface plate 11 is driven by a surface plate driving motor 12. , And is driven to rotate in the direction indicated by the arrow in the figure.
  • a known polishing pad 13 that does not contain abrasive grains is attached to the upper surface of the polishing surface plate 11.
  • a substrate holding member (carrier) 15 for holding the polishing object 14 on the lower surface by suction or using a holding frame or the like is provided around the axis C2. And is supported so as to be movable in the direction of the axis C2.
  • the substrate holding member 15 is configured to be rotated in a direction indicated by an arrow by a carrier drive motor (not shown) or by a rotational moment received from the polishing surface plate 11.
  • a carrier drive motor not shown
  • a silicon carbide single crystal substrate that is the polishing object 14 is held. The polishing object 14 is pressed against the polishing pad 13 with a predetermined load.
  • a dropping nozzle 16 or a spray nozzle (not shown) is provided in the vicinity of the substrate holding member 15, and the above-described polishing liquid 17 sent from a tank (not shown) is supplied onto the polishing surface plate 11. It has become so.
  • the substrate holding member 15 may perform a linear motion as well as a rotational motion. Also, the polishing surface plate 11 and the polishing pad 13 do not have to perform rotational movement, and may move in one direction, for example, by a belt type.
  • the polishing pad 13 a known pad made of a nonwoven resin, a porous resin such as foamed polyurethane or the like and containing no abrasive grains can be used. Further, in order to promote the supply of the polishing liquid 17 to the polishing pad 13 or to collect a certain amount of the polishing liquid 17 on the polishing pad 13, the surface of the polishing pad 13 has a lattice shape, a concentric circle shape, a spiral shape, or the like. Groove processing may be performed. Further, if necessary, the pad conditioner may be brought into contact with the surface of the polishing pad 13 to perform polishing while conditioning the surface of the polishing pad 13.
  • the polishing conditions by the polishing apparatus 10 are not particularly limited, but it is possible to increase the polishing pressure and improve the polishing speed by applying a load to the substrate holding member 15 and pressing it against the polishing pad 13.
  • the polishing pressure is preferably about 5 to 80 kPa, and more preferably about 10 to 50 kPa from the viewpoint of uniformity of polishing rate in the surface to be polished, flatness, and prevention of polishing defects such as scratches.
  • the number of rotations of the polishing surface plate 11 and the substrate holding member 15 is preferably about 50 to 500 rpm, but is not limited thereto.
  • the supply amount of the polishing liquid 17 is appropriately adjusted and selected depending on the composition of the polishing liquid, the polishing conditions described above, and the like.
  • the polishing object to be polished using the polishing liquid according to the embodiment of the present invention is a silicon carbide single crystal substrate or a gallium nitride single crystal substrate that is a non-oxide single crystal, and more preferably a silicon carbide single crystal substrate. . More specifically, a silicon carbide single crystal substrate having a crystal structure of 3C—SiC, 4H—SiC, or 6H—SiC can be given. The 3C-, 4H-, and 6H- represent silicon carbide crystal polymorphs determined by the stacking order of Si-C pairs.
  • CMP polishing liquid of the embodiment of the present invention
  • a conventional polishing slurry containing hydrogen peroxide as an oxidizing agent and colloidal silica abrasive grains is used.
  • a polished main surface having an atomic step / terrace structure in which flat terrace 1 regions and step regions which are step regions are alternately derived, which are derived from the crystal structure, can be obtained.
  • the C-axis shown in FIG. 4B is a direction perpendicular to the paper surface in FIG.
  • the front end line portion 2a of the atomic step 2 has a chipped shape or a chipped shape due to mechanical damage during polishing, and crystal defects are generated.
  • excessive polishing of the front end line portion 2a by abrasive grains having a strong mechanical action can be considered.
  • the polishing liquid according to the embodiment of the present invention substantially does not contain abrasive grains, the mechanically added to the front end line portion 2a of the atomic step in the atomic step / terrace structure generated on the polished main surface. Damage has been significantly reduced. Accordingly, as shown in FIGS. 1A and 1B, the front end line portion 2a free from chipping, chipping, and crystal defects can be formed, and the smoothness is high and the front end line portion 2a is excellent. Machining accuracy at the atomic level while maintaining a precise shape.
  • the polishing liquid according to the embodiment when used, a machine using a polishing pad having a hardness lower than that of the abrasive grains even though there is no mechanical action due to the abrasive grains due to the action of the oxidant having strong oxidizing power.
  • the work-affected layer due to diamond polishing can be quickly removed at a high polishing rate only by the effective action. And the processing precision with the high atomic level which suppressed the damage to the to-be-polished surface of a silicon carbide single crystal substrate is possible.
  • silicon atoms and carbon atoms are formed on the polished main surface on which the atomic step / terrace structure of the silicon carbide single crystal substrate is formed by a thermal CVD method. And crystal growth.
  • Each atom attached to the terrace 1 of the atomic step / terrace structure reaches the front end line portion 2a and is bonded to an atom having an unbonded hand in the front end line portion 2a, and the surface of the terrace 1 is laterally (
  • a film is formed by growing a crystal in a direction orthogonal to the front end line portion 2a (indicated by an arrow in FIG. 5). That is, the front end line portion 2a of the atomic step 2 functions as a starting point for crystal growth in epitaxial growth.
  • the crystal quality of a semiconductor layer formed on a silicon carbide single crystal substrate is strongly influenced by crystal defects and surface conditions of the substrate.
  • the crystal defect of the silicon carbide single crystal substrate include a micropipe defect, a screw dislocation defect, and an edge dislocation defect.
  • the surface state include adhesion of foreign matter such as scratches due to polishing and abrasive grains derived from the abrasive to the surface of the terrace 1, surface oxides of the terrace 1, and the like.
  • the front end line portion 2a of the atomic step 2 which is the starting point of the epitaxial growth, the propagation of defects existing in this portion can be considered. Therefore, in order to form a higher quality semiconductor layer, an atomic step terrace structure is used. It is necessary to have an atomic level processing accuracy that takes into consideration the shape and crystal defects of the front end line portion 2a of the atomic step 2 instead of the polishing processing considering only the generation of.
  • the terrace 1 since the polished main surface of the silicon carbide single crystal substrate obtained by using the above-described conventional polishing slurry is smoothed by generating an atomic step / terrace structure, the terrace 1 Although crystal defects in the semiconductor layer due to surface scratches and the like can be suppressed, the front end line portion 2a, which is the starting point of crystal growth, has a shape in which crystal defects are unavoidable due to chipping and chipping. A high-quality silicon carbide semiconductor layer or gallium nitride semiconductor layer cannot be formed by epitaxial growth.
  • the CMP processing using the polishing liquid according to the embodiment of the present invention has an atomic step / terrace structure, and in this atomic step / terrace structure, a machine for the front end line portion 2a of the atomic step 2 is provided. Since a highly smooth main surface with suppressed damage can be obtained, crystal growth of a higher quality semiconductor layer becomes possible.
  • the polishing liquid of the embodiment of the present invention does not contain abrasive grains, the abrasive grains do not remain on the surface of the silicon carbide single crystal substrate even after cleaning, and the semiconductor originates from abrasive residue derived from the abrasive. Crystal defects in the layer can be prevented.
  • Examples 1 to 4 are examples of the present invention, and examples 5 and 6 are comparative examples.
  • polishing liquid and abrasive liquid (1-1)
  • Each polishing liquid of Examples 1 to 4 was prepared as follows. First, pure water was added to potassium permanganate, which is an oxidizing agent shown in Table 1, and the mixture was stirred for 10 minutes using a stirring blade. Subsequently, nitric acid in Examples 1 to 3 and potassium hydroxide in Example 4 were gradually added to this liquid while stirring to adjust to the predetermined pH shown in Table 1 to obtain a polishing liquid. It was.
  • Table 1 shows the content (concentration: mass%) of potassium permanganate, which is the oxidizing agent used in each example, with respect to the entire polishing liquid.
  • the oxidizing agent concentration in Table 1 is not the concentration of permanganate ions but the concentration of potassium permanganate.
  • Example 5 The abrasive liquids of Examples 5 and 6 were prepared as shown below.
  • pure water was added to a colloidal silica dispersion having a primary particle size of 40 nm and a secondary particle size of about 70 nm and a silica solid content of about 40% by mass, and the mixture was stirred for 10 minutes using a stirring blade.
  • ammonium vanadate as a metal salt was added to this solution while stirring, and finally hydrogen peroxide solution was added and stirred for 30 minutes to obtain an abrasive solution adjusted to each component concentration shown in Table 1. .
  • Example 6 pure water was added to a colloidal silica dispersion having a primary particle size of 80 nm and a secondary particle size of about 110 nm and a silica solid content of about 40% by mass, and the mixture was stirred for 10 minutes. Next, potassium permanganate as an oxidizing agent was added to this solution while stirring, and then nitric acid was gradually added to adjust the pH shown in Table 1 to obtain an abrasive solution. Table 1 shows the content ratio (concentration: mass%) of each component used in Examples 5 and 6 with respect to the entire abrasive.
  • the oxidizing agent concentration in Table 1 is not the concentration of permanganate ions but the concentration of potassium permanganate.
  • the primary particle size of the silica particles blended in Examples 5 and 6 is obtained by conversion from the specific surface area obtained by the BET method, and the secondary particle size is determined by a dynamic light scattering particle size distribution measuring device. Measured using a Microtrack UPA (manufactured by Nikkiso Co., Ltd.).
  • polishing characteristics of the polishing liquids obtained in Examples 1 to 4 and the polishing liquids obtained in Examples 5 and 6 were evaluated by the following method.
  • polishing machine a small single-side polishing machine manufactured by MAT was used.
  • polishing pad SUBA800-XY-groove (manufactured by Nitta Haas) was used, and the polishing pad was conditioned using a diamond disk and a brush before polishing. Polishing was performed for 30 minutes with a polishing liquid or abrasive liquid supply rate of 25 cm 3 / min, a polishing platen rotation speed of 68 rpm, a substrate holder rotation speed of 68 rpm, and a polishing pressure of 5 psi (34.5 kPa). .
  • (3-2) To-be-polished material As a to-be-polished object, a 4H—SiC substrate having a diameter of 3 inches that had been pre-polished using diamond abrasive grains was prepared. Then, an SiC single crystal substrate (On-axis substrate) having an off angle within 0 ° + 0.25 ° with respect to the C axis of the main surface (0001) was used, and the Si surface side was polished and evaluated.
  • polishing rate was evaluated by the amount of change in thickness (nm / hr) per unit time of the SiC single crystal substrate. Specifically, the mass of an unpolished substrate with a known thickness and the substrate mass after polishing each time were measured, and the mass change was determined from the difference. And the change per time of the thickness of the board
  • the polishing liquids of Examples 1 to 4 were used. As compared with, the polishing rate was remarkably low.
  • the average line roughness of the front end line portion of the atomic step with respect to the theoretical value of the atomic step height (h) is 24%, which is larger than Examples 1 to 4 and the surface roughness is deteriorated. Due to mechanical damage due to polishing, chipping or scooping occurs at the front end line portion of the atomic step. I found out.
  • the abrasive grain residue considered to be colloidal silica was observed on the polished main surface.
  • polishing was performed as compared with the case where the polishing liquids of Examples 1 to 4 were used. The speed has dropped significantly. Further, although the generation of the atomic step / terrace structure was confirmed from the AFM image of the main surface after polishing, the average line roughness of the front end line portion of the atomic step with respect to the theoretical value of the height (h) of the atomic step ( The ratio of R) is 28%, which is larger than Examples 1 to 4 and the surface roughness is deteriorated. Due to mechanical damage due to polishing, chipping or scooping occurs at the front end line portion of the atomic step. I found out. Moreover, the abrasive grain residue considered to be colloidal silica was observed on the polished main surface.
  • the polishing liquid of the present invention it is possible to polish a silicon carbide single crystal substrate having high hardness and high chemical stability at a high polishing rate, excellent in flatness and smoothness without scratches, and an atomic step terrace structure is generated.

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Abstract

　本発明は、結晶構造に由来する原子ステップとテラスとからなる原子ステップ・テラス構造を有する主面を備え、前記原子ステップ・テラス構造において、前記原子ステップのフロント端線部の平均線粗さが、前記原子ステップの高さに対して２０％以下の割合である、炭化ケイ素単結晶基板に関する。

Description

炭化ケイ素単結晶基板および研磨液
　本発明は、炭化ケイ素単結晶基板および研磨液に係り、より詳しくは、高品質な半導体層をエピタキシャル成長させて形成するために適した炭化ケイ素単結晶基板、およびそのような基板を得るための研磨液に関する。
　炭化ケイ素（ＳｉＣ）半導体は、シリコン半導体よりも絶縁破壊電界、電子の飽和ドリフト速度および熱伝導率が大きいため、炭化ケイ素半導体を用いて、従来のシリコンデバイスよりも高温で、高速動作が可能なパワーデバイスを実現する研究・開発がなされている。なかでも、電動二輪車、電気自動車やハイブリッドカー等のモータを駆動するための電源に使用する高効率なスイッチング素子の開発が注目されている。このようなパワーデバイスを実現するには、エピタキシャル成長により高い品質の炭化ケイ素半導体層を形成するための、表面が平滑な炭化ケイ素単結晶基板が必要である。
　また、高密度で情報を記録するための光源として、青色レーザーダイオードが注目されており、さらに、蛍光灯や電球に代わる光源としての白色ダイオードへのニーズが高まっている。このような発光素子は窒化ガリウム（ＧａＮ）半導体を用いて作製されており、高品質の窒化ガリウム半導体層を形成するための基板として、炭化ケイ素単結晶基板が使用されている。
　このような用途に用いる炭化ケイ素単結晶基板には、基板の平坦度、基板表面の平滑性等において高い加工精度が要求され、また、研磨剤由来の砥粒等の残渣についても高い洗浄性が要求される。しかし、炭化ケイ素単結晶は硬度が極めて高く、かつ耐腐食性に優れるため、基板を作製する場合の加工性が悪く、高い研磨速度を維持しながら平滑性の高い炭化ケイ素単結晶基板を得ることは難しい。また、炭化ケイ素単結晶は耐腐食性に優れるため、前記砥粒等の除去においても、シリコン基板の洗浄で用いられるような、フッ酸等の薬液を使用してリフトオフにより砥粒の残渣を除去する方法の適用が難しい。そのため、高い洗浄度の基板表面を得ることが難しい。
　一般に、半導体単結晶基板の平滑な面は、研磨によって形成される。炭化ケイ素単結晶を研磨する場合、炭化ケイ素よりも硬いダイヤモンド等の砥粒を研磨材として、表面を機械的に研磨し平坦な面を形成するが、ダイヤモンド砥粒で研磨した炭化ケイ素単結晶基板の表面には、ダイヤモンド砥粒の粒径に応じた微小なスクラッチが導入される。また、機械的な歪みを有する加工変質層が表面に生じるため、そのままでは基板表面の平滑性が十分ではない。
　半導体単結晶基板の製造では、機械研磨後の半導体基板の表面を平滑にする方法として、化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：以下、ＣＭＰということがある。）技術が用いられる。ＣＭＰは、酸化等の化学反応を利用して被加工物の表面を酸化物等に変え、生成した酸化物を、被加工物よりも硬度の低い砥粒を用いて除去することにより表面を研磨する方法である。この方法は、被加工物の表面に歪みを生じさせることなく、結晶構造由来の原子ステップとテラスとからなる原子ステップ・テラス構造を生成し、原子レベルで極めて平滑な面を形成できるという利点を有する。
　炭化ケイ素単結晶基板へのエピタキシャル成長による炭化ケイ素半導体層の形成は、前記ＣＭＰにより原子ステップ・テラス構造が生成された、原子レベルで極めて平滑な面に対して、熱ＣＶＤ法によりケイ素原子および炭素原子を堆積して行われる。その際、原子ステップのフロント端線部がエピタキシャル成長の起点になることから、結晶欠陥のない高い品質の炭化ケイ素半導体層を得るためには、炭化ケイ素単結晶基板に求められる表面性状として、結晶構造由来の原子ステップ・テラス構造が生成されているだけでなく、生成された原子ステップの形状についても高い加工精度が求められる。特に、原子ステップのフロント端線部においては、研磨による機械的ダメージに由来する結晶欠陥が抑制されていることが必要である。
　なお、本明細書において、「原子ステップ・テラス構造」とは、単結晶基板の主面に沿って段差を介して互いに並列するように配設された平坦な複数の「テラス」と、各テラス間をつなぐ段差部である「原子ステップ」とからなるミクロな階段状構造をいう。そして、原子ステップの上端部がテラスと接する線状の部位を、「原子ステップのフロント端線部」という。「テラス」、「原子ステップ」、「原子ステップのフロント端線部」については、後でさらに説明する。
　高品質の炭化ケイ素半導体層を形成させるために、ダイヤモンド研磨後に、コロイダルシリカスラリーまたは酸化剤を含有したコロイダルシリカスラリーによりＣＭＰを行い、結晶構造由来の原子ステップ・テラス構造を有する平滑性の高い表面を生成し、さらに気相法によりエッチングを行う方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。そして、特許文献１では、エッチング処理を行わずに炭化ケイ素半導体層を製膜した場合は、ＣＭＰ後に基板表面の極近傍に生成する酸化物により、ステップバンチングが発生するが、エッチング処理することで、ＣＭＰ後の基板表面の高い平滑性を維持しつつ、ＣＭＰにより発生する表面酸化物層のみを除去でき、ステップバンチング等の結晶欠陥を抑制できるとしている。
　しかしながら、特許文献１においては、結晶構造由来の原子ステップ・テラス構造の生成については考慮されているものの、結晶のエピタキシャル成長に対する原子ステップの端部形状や結晶欠陥の影響については、何ら考慮されていない。また、エッチングにより炭化ケイ素半導体層の結晶欠陥を抑制するだけでは、高品質の半導体層を得るには不十分である。さらに、コスト的観点から、より高い研磨速度を実現することが求められる。
　また、従来から、炭化ケイ素単結晶基板の表面を、高い研磨速度でかつ平滑に研磨するための研磨剤として、シリカ砥粒と過酸化水素のような酸化剤（酸素供与剤）とバナジン酸塩とを含む研磨用組成物が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
　しかしながら、特許文献２の研磨用組成物では、炭化ケイ素単結晶基板に対する研磨速度が低く、研磨に要する時間が非常に長くなるという問題があった。また、研磨後の表面に、原子ステップ・テラス構造は生成されるものの、研磨の際の機械的ダメージにより、原子ステップのフロント端線部は欠けやえぐれのある形状となり、結晶欠陥が発生するという問題があった。さらに、洗浄により除去できなかったシリカ砥粒が基板上に残り、この砥粒残渣が、研磨後の基板表面にエピタキシャル成長される半導体層の結晶欠陥の原因になるという問題もあった。
国際公開２０１０－０９００２４号 日本国特開２００８－１７９６５５号公報
　本発明は、このような問題を解決するためになされたもので、結晶欠陥がない高品質の半導体層をエピタキシャル成長させるために適した炭化ケイ素単結晶基板と、そのような炭化ケイ素単結晶基板をＣＭＰにより得るための研磨液の提供を目的とする。
　本発明の炭化ケイ素単結晶基板は、結晶構造に由来する原子ステップとテラスとからなる原子ステップ・テラス構造を有する主面を備え、前記原子ステップ・テラス構造において、前記原子ステップのフロント端線部の平均線粗さが、前記原子ステップの高さに対して２０％以下の割合であることを特徴とする。
　本発明の炭化ケイ素単結晶基板において、前記主面は、結晶をエピタキシャル成長させて炭化ケイ素半導体層または窒化ガリウム半導体層を形成する面であることが好ましい。
　本発明の研磨液は、炭化ケイ素単結晶基板の所定の面方向の主面を、結晶構造に由来する原子ステップとテラスとからなる原子ステップ・テラス構造を有し、かつ該原子ステップ・テラス構造において、前記原子ステップのフロント端線部の平均線粗さが、前記原子ステップの高さに対して２０％以下の割合となるように、化学的機械的に研磨するための研磨液であり、酸化還元電位０．５Ｖ以上の遷移金属を含む酸化剤と水とを含み、砥粒を含まないことを特徴とする。
　本発明の研磨液において、前記酸化剤は過マンガン酸イオンであることが好ましい。また、前記過マンガン酸イオンの含有量は研磨剤全量に対して０．０５質量％以上５質量％以下であることが好ましい。さらに、本発明の研磨液は、ｐＨが１１以下であることが好ましく、５以下であることがより好ましい。
　本発明の炭化ケイ素単結晶基板は、結晶構造に由来する原子ステップ・テラス構造を有し、かつ原子ステップのフロント端線部の平均線粗さ（Ｒ）の原子ステップの高さ（ｈ）に対する割合が２０％以下であり、ステップフロー方式によるエピタキシャルな結晶成長の起点となるフロント端線部の結晶欠陥等が抑制されているので、この炭化ケイ素単結晶基板の主面にエピタキシャル成長させることで、高い品質の炭化ケイ素半導体層または窒化ガリウム半導体層を得ることができる。
　本発明の研磨液は、酸化還元電位０．５Ｖ以上の遷移金属を含む酸化剤と水とを含み、砥粒を含有しないので、この研磨液を用いて炭化ケイ素単結晶基板の所定の面方向の主面を化学的機械的に研磨することによって、結晶構造由来の原子ステップ・テラス構造を有し、かつ原子ステップのフロント端線部に研磨の際の機械的ダメージによる結晶欠陥がない、平滑性の高い面が得られる。また、この研磨液によれば、洗浄後の炭化ケイ素単結晶基板に砥粒の残渣を発生させない。
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施形態の炭化ケイ素単結晶基板において、主面に生成された原子ステップ・テラス構造を模式的に示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は拡大斜視図である。 図２は、４Ｈ－ＳｉＣ単結晶の結晶構造を示す図である。 図３は、本発明の実施形態の研磨液を用いる研磨に使用可能な研磨装置の一例を示す図である。 図４は、従来の研磨剤液を使用して研磨された炭化ケイ素単結晶基板において、主面に生成された原子ステップ・テラス構造を模式的に示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は拡大斜視図である。 図５は、炭化ケイ素単結晶基板上でのステップフロー方式によるエピタキシャル成長を模式的に示す図である。 図６は、例１～６において、ＣＭＰ研磨後に生成する原子ステップ・テラス構造のフロント端線部の線粗さの測定位置を示す図である。
　以下、本発明の実施の形態について説明する。
＜炭化ケイ素単結晶基板＞
　本発明の実施形態の炭化ケイ素単結晶基板は、図１（ａ）および図１（ｂ）に模式的に示すように、結晶構造に由来する平坦なテラス１領域と段差領域である原子ステップ２とが、交互に連続する原子ステップ・テラス構造を持つ、平滑性の高い主面を有する。この原子ステップ・テラス構造において、原子ステップ２の上端部がテラス１と接するフロント端線部２ａは、直線状を呈し、湾曲や欠け、えぐれがない。また、テラス１の幅は、全テラスで略同一であり、かつ各テラスで各部略均一となっている。なお、図１（ｂ）に示すＣ軸は、図１（ａ）において紙面に垂直な方向である。
　さらに、このような原子ステップ・テラス構造において、原子ステップ２のフロント端線部２ａの平均線粗さ（Ｒ）の、原子ステップ２の高さ（ｈ）に対する割合は、２０％以下となっている。すなわち、（Ｒ／ｈ）×１００≦２０となっている。Ｒ／ｈは、原子ステップ・テラス構造におけるフロント端線部２ａへの機械的ダメージの程度を表す指標ということができる。
　ここで、原子ステップ・テラス構造を有する主面は、所定の面方向の主面であり、Ｃ軸に対して所定のオフ角をなす主面である。また、フロント端線部２ａの平均線粗さ（Ｒ）は、フロント端線部２ａの断面粗さ曲線の中心線算術平均粗さ（Ｒａ）であり、例えば、以下に示す方法により測定することができる。すなわち、炭化ケイ素単結晶基板の主面の所定の範囲（例えば、横２μｍ×縦１μｍの範囲）を、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）により観察し、得られたＡＦＭ像から、前記範囲にある複数のフロント端線部２ａのそれぞれについて算術平均面粗さ（Ｒａ）を測定し、その平均値としてＲを求める。
　原子ステップの高さ（ｈ）は、炭化ケイ素単結晶基板では約０．２５ｎｍである。
　例えば、４Ｈ－ＳｉＣ基板は、図２に示す結晶構造を有し、Ｃ軸方向の結晶格子間隔（格子定数）であるＣ０（１．００８ｎｍ）の１／４が原子ステップの高さ（ｈ）となる。すなわち、４Ｈ－ＳｉＣ基板では、原子ステップの高さ（ｈ）は１．００８ｎｍ／４により算出される値（約０．２５ｎｍ）になる。
　６Ｈ－ＳｉＣ基板における原子ステップの高さ（ｈ）も、４Ｈ－ＳｉＣ基板と同様に約０．２５ｎｍになる。すなわち、６Ｈ－ＳｉＣ基板において、Ｃ軸方向の格子定数Ｃ０は１．５４２ｎｍであり、この値の１／６が原子ステップの高さ（ｈ）であるので、原子ステップの高さ（ｈ）は約０．２５ｎｍになる。
　なお、前記４Ｈ－ＳｉＣ基板、６Ｈ－ＳｉＣ基板については、研磨対象物の項で説明する。
　実施形態の炭化ケイ素単結晶基板においては、所定の面方向の主面が結晶構造に由来する原子ステップ・テラス構造を有し、平滑性が高いうえに、フロント端線部２ａの平均線粗さ（Ｒ）の原子ステップ２の高さ（ｈ）に対する割合が２０％以下となっているので、ステップフロー方式によるエピタキシャルな結晶成長の起点となるフロント端線部２ａの結晶欠陥等が抑制されている。したがって、この炭化ケイ素単結晶基板の主面に結晶をエピタキシャル成長させることで、高い品質の炭化ケイ素半導体層または窒化ガリウム半導体層を得ることができる。なお、ステップフロー方式については、後述するエピタキシャル成長の項で詳細に説明する。
　フロント端線部２ａの平均線粗さ（Ｒ）の原子ステップ２の高さ（ｈ）に対する割合が２０％を超えると、原子ステップ・テラス構造におけるフロント端線部１ａの機械的ダメージに由来する結晶欠陥等が大きくなり、高品質の炭化ケイ素半導体層または窒化ガリウム半導体層をエピタキシャル成長により形成できない。
　このようなフロント端線部２ａの形状に優れ、該部の結晶欠陥が抑制された炭化ケイ素単結晶基板の主面は、酸化還元電位が０．５Ｖ以上の遷移金属を含む酸化力の大きい酸化剤を含有し、実質的に砥粒を含有しない本発明の研磨液を用いてＣＭＰを行うことにより得ることができる。
＜研磨液＞
　本発明の実施形態の研磨液は、炭化ケイ素単結晶基板の所定の面方向の主面を、化学的機械的に研磨するための研磨液であり、酸化還元電位０．５Ｖ以上の遷移金属を含む酸化剤と水とを含み、砥粒を含有しないことを特徴とする。
　この研磨液を使用して炭化ケイ素単結晶基板の前記主面のＣＭＰを行うことで、研磨の際の機械的ダメージによる、表面へのスクラッチや原子ステップのフロント端線部の結晶欠陥を抑制できる。そして、前記したように、結晶構造由来の原子ステップ・テラス構造を有し、かつフロント端線部の平均線粗さ（Ｒ）の原子ステップの高さ（ｈ）に対する割合が２０％以下（（Ｒ／ｈ）×１００≦２０）である研磨された主面（以下、研磨済み主面と示すことがある。）を得ることができる。
　また、このような原子レベルでの加工に酸化力の強い酸化剤を用いることで、炭化ケイ素単結晶基板のような硬度が高く化学的安定性が高い基板を、十分に高い研磨速度で研磨できる。さらに、この研磨液を使用した場合は、洗浄後の炭化ケイ素単結晶基板に砥粒が残留しないので、砥粒残渣に起因する結晶欠陥の発生も防止できる。
　なお、本発明の実施形態の研磨液に含有される酸化剤としては、過マンガン酸イオンが好ましく、その含有量は０．０５質量％以上５質量％以下が好ましい。さらに、研磨液のｐＨは１１以下とすることが好ましく、ｐＨ５以下がさらに好ましい。ｐＨを１１以下に調整するために、研磨液にはｐＨ調整剤を添加できる。研磨液のｐＨを１１以下とした場合には、前記酸化剤が効果的に作用するため、研磨速度が高く研磨特性が良好である。
　以下に、本発明の研磨液の各成分、およびｐＨについて記載する。
（酸化剤）
　本発明の実施形態の研磨液に含有される、酸化還元電位が０．５Ｖ以上の遷移金属を含む酸化剤は、研磨対象物である炭化ケイ素単結晶基板の被研磨面に酸化層を形成するものである。この酸化層を機械的な力で被研磨面から除去することにより、研磨対象物の研磨が促進される。すなわち、非酸化物である炭化ケイ素単結晶は、難研磨材料であるが、研磨液中の酸化還元電位が０．５Ｖ以上の遷移金属を含む酸化剤により、表面に酸化層を形成でき、形成された酸化層は、研磨対象物に比べて硬度が低く研磨されやすいので、砥粒を内包しない研磨パッドとの接触によっても除去できる。したがって、十分に高い研磨速度を得ることができる。酸化還元電位測定法としては、一般的に市販されている酸化還元電位計を使用できる。参照電極としては、飽和塩化カリウム水溶液を内部液に用いた銀／塩化銀電極が挙げられ、作用電極としては、白金等の金属電極が使用できる。測定時の水溶液は温度及びｐＨについては、２５度付近の室温で行い、ｐＨは適宜調整した試料を準備して測定できる。
　なお、本発明において、「被研磨面」とは研磨対象物の研磨される面であり、例えば表面を意味する。
　研磨液に含有される、酸化還元電位が０．５Ｖ以上の遷移金属を含む酸化剤としては、例えば、過マンガン酸イオン、バナジン酸イオン、二クロム酸イオン、硝酸セリウムアンモニウム、硝酸鉄（III）九水和物、硝酸銀、リンタングステン酸、ケイタングステン酸、リンモリブデン酸、リンタングストモリブデン酸、リンバナドモリブデン酸等を挙げることができ、特に過マンガン酸イオンが好ましい。過マンガン酸イオンの供給源としては、過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウム等の過マンガン酸塩が好ましい。
　炭化ケイ素単結晶基板の研磨における酸化剤として、過マンガン酸イオンが特に好ましい理由を以下に示す。
（１）過マンガン酸イオンは、炭化ケイ素単結晶を酸化する酸化力が強い。
　酸化剤の酸化力が弱すぎると、炭化ケイ素単結晶基板の被研磨面との反応が不十分となり、その結果十分に平滑な表面を得ることができない。酸化剤が物質を酸化する酸化力の指標として、酸化還元電位が用いられる。過マンガン酸イオンの酸化還元電位は１．７０Ｖであり、酸化剤として一般に用いられる過塩素酸カリウム（ＫＣｌＯ４）（酸化還元電位１．２０Ｖ）や次亜塩素酸ナトリウム（ＮａＣｌＯ）（酸化還元電位１．６３Ｖ）に比べて、酸化還元電位が高い。
（２）過マンガン酸イオンは反応速度が大きい。
　過マンガン酸イオンは、酸化力の強い酸化剤として知られている過酸化水素（酸化還元電位１．７６Ｖ）に比べて、酸化反応の反応速度が大きいので、酸化力の強さを速やかに発揮できる。
（３）過マンガン酸イオンは、人体に対して毒性が低く安全である。
（４）過マンガン酸塩は、後述する分散媒である水に、溶解度曲線から得られる水温に依存した溶解濃度以下であれば完全に溶解する。したがって、溶解残渣が基板の平滑性に悪影響を与えることがない。
　高い研磨速度を得るために、研磨液中の過マンガン酸イオンの含有割合（濃度）は、０．０５質量％以上５質量％以下が好ましい。０．０５質量％未満では、酸化剤としての効果が期待できず、研磨により平滑な面を形成するのに非常に長時間を要したり、あるいは被研磨面にスクラッチが発生するおそれがある。過マンガン酸イオンの含有割合が５質量％を超えると、研磨液の温度によっては、過マンガン酸塩が完全に溶解しきれずに析出し、固体の過マンガン酸塩が被研磨面と接触することにより、スクラッチが発生するおそれがある。研磨液に含まれる過マンガン酸イオンの含有割合は、０．１質量％以上４質量％以下がさらに好ましく、０．２質量％以上３．５質量％以下が特に好ましい。
（砥粒）
　本発明の実施形態の研磨液は、酸化ケイ素（シリカ）粒子、酸化セリウム（セリア）粒子、酸化アルミニウム（アルミナ）粒子、酸化ジルコニウム（ジルコニア）粒子、酸化チタン（チタニア）粒子等の研磨砥粒を、実質的に含有していないことを特徴とする。研磨液が砥粒を含有せず、前記したように洗浄後に砥粒の残渣が生じないので、砥粒残渣に起因する結晶欠陥の発生を防止できる。また、砥粒の分散性に留意することなく研磨液を使用できる、実質的に砥粒の凝集が発生しないため、被研磨面への機械的ダメージが抑制される、という利点がある。
（ｐＨおよびｐＨ調整剤）
　本発明の実施形態の研磨液のｐＨは、研磨特性の点から、１１以下が好ましく、５以下がより好ましく、３以下が特に好ましい。ｐＨが１１超では、十分な研磨速度が得られないばかりでなく、被研磨面の平滑性が悪化するおそれがある。
　研磨液のｐＨは、ｐＨ調整剤である酸または塩基性化合物の添加・配合により調整できる。酸としては、硝酸、硫酸、リン酸、塩酸のような無機酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸等の飽和カルボン酸、乳酸、リンゴ酸、クエン酸等のヒドロキシ酸、フタル酸、サリチル酸等の芳香族カルボン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸等のジカルボン酸、アミノ酸、複素環系のカルボン酸のような有機酸を使用できる。硝酸およびリン酸の使用が好ましく、中でも硝酸の使用が特に好ましい。塩基性化合物としては、アンモニア、水酸化リチウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、テトラメチルアンモニウム等の４級アンモニウム化合物、モノエタノールアミン、エチルエタノールアミン、ジエタノールアミン、プロピレンジアミン等の有機アミンを使用できる。水酸化カリウム、水酸化ナトリウムの使用が好ましく、中でも水酸化カリウムが特に好ましい。
　これらの酸または塩基性化合物の含有割合（濃度）は、研磨液のｐＨを所定の範囲（ｐＨ１１以下、より好ましくは５以下、さらに好ましくは３以下）に調整する量とする。
（水）
　本発明の実施形態の研磨液においては、分散媒として水が含有される。水は、前記酸化剤および必要に応じて添加される後述する任意成分を分散・溶解するための媒体である。水については、特に制限はないが、配合成分に対する影響、不純物の混入、ｐＨ等への影響の観点から、純水、超純水、およびイオン交換水（脱イオン水）が好ましい。
（研磨液の調製および任意成分）
　本発明の実施形態の研磨液は、前記した各成分が前記所定の割合で含有され、均一に溶解した混合状態になるように調製されて、使用される。混合には、研磨液の製造に通常用いられる撹拌翼による撹拌混合方法を採ることができる。研磨液は、必ずしも、構成する研磨成分を予めすべて混合したものとして、研磨の場に供給する必要はない。研磨の場に供給される際に、研磨成分が混合されて、研磨液の組成になってもよい。
　本発明の実施形態の研磨液には、本発明の趣旨に反しない限り、潤滑剤、キレート化剤、還元剤、粘性付与剤、粘度調節剤、防錆剤等を、必要に応じて適宜含有させることができる。ただし、これらの添加剤が、酸化剤、酸または塩基性化合物の機能を有する場合は、酸化剤、酸または塩基性化合物として扱うものとする。
　潤滑剤としては、アニオン性、カチオン性、ノニオン性、両性の界面活性剤、多糖類、水溶性高分子等を使用できる。界面活性剤としては、疎水基として脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基を有し、またそれら疎水基内にエステル、エーテル、アミド等の結合基、アシル基、アルコキシル基等の連結基を１つ以上導入したもの、親水基として、カルボン酸、スルホン酸、硫酸エステル、リン酸、リン酸エステル、アミノ酸からなるものを使用できる。多糖類としては、アルギン酸、ペクチン、カルボキシメチルセルロース、カードラン、プルラン、キサンタンガム、カラギナン、ジェランガム、ローカストビーンガム、アラビアガム、タマリンド、サイリウム等を使用できる。水溶性高分子としては、ポリアクリル酸、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリメタクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアスパラギン酸、ポリグルタミン酸、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、ポリスチレンスルホン酸等を使用できる。
＜研磨方法＞
　本発明の実施形態の研磨液を使用して研磨を行うには、砥粒を内包しない公知の研磨パッドを使用し、この研磨パッドに前記した研磨液を供給しながら、研磨対象物である炭化ケイ素単結晶基板の被研磨面と研磨パッドとを接触させ、両者間の相対運動により研磨を行う。研磨対象物については、後述する。
　この研磨方法において、研磨装置としては従来公知の研磨装置を使用できる。図３に、使用可能な研磨装置の一例を示す。
　図３に示す研磨装置１０においては、研磨定盤１１がその垂直な軸心Ｃ1の回りに回転可能に支持された状態で設けられており、この研磨定盤１１は、定盤駆動モータ１２により、図に矢印で示す方向に回転駆動されるようになっている。この研磨定盤１１の上面には、砥粒を内包しない公知の研磨パッド１３が貼り着けられている。
　一方、研磨定盤１１上の軸心Ｃ1から偏心した位置には、下面において研磨対象物１４を吸着または保持枠等を用いて保持する基板保持部材（キャリヤ）１５が、その軸心Ｃ2の回りに回転可能でかつ軸心Ｃ2方向に移動可能に支持されている。この基板保持部材１５は、図示しないキャリヤ駆動モータにより、あるいは上記研磨定盤１１から受ける回転モーメントにより、矢印で示す方向に回転されるように構成されている。基板保持部材１５の下面、すなわち上記研磨パッド１３と対向する面には、研磨対象物１４である炭化ケイ素単結晶基板が保持されている。研磨対象物１４は、所定の荷重で研磨パッド１３に押圧されている。
　また、基板保持部材１５の近傍には、滴下ノズル１６またはスプレーノズル（図示を省略。）が設けられており、図示しないタンクから送出された前記した研磨液１７が研磨定盤１１上に供給されるようになっている。
　このような研磨装置１０による研磨に際しては、研磨定盤１１およびそれに貼り着けられた研磨パッド１３と、基板保持部材１５およびその下面に保持された研磨対象物１４とが、定盤駆動モータ１２およびキャリヤ駆動モータによりそれぞれの軸心の回りに回転駆動された状態で、滴下ノズル１６等から研磨液１７が研磨パッド１３の表面に供給されつつ、基板保持部材１５に保持された研磨対象物１４がその研磨パッド１３に押し付けられる。それにより、研磨対象物１４の被研磨面、すなわち研磨パッド１３に対向する面が化学的機械的に研磨される。
　基板保持部材１５は、回転運動だけでなく直線運動をしてもよい。また、研磨定盤１１および研磨パッド１３も回転運動を行うものでなくてもよく、例えばベルト式で一方向に移動するものであってもよい。
　研磨パッド１３としては、不織布、発泡ポリウレタン等の多孔質樹脂等からなり、砥粒を含有しない公知のものを使用できる。また、研磨パッド１３への研磨液１７の供給を促進し、あるいは研磨パッド１３に研磨液１７が一定量溜まるようにするために、研磨パッド１３の表面に格子状、同心円状、らせん状などの溝加工が施されていてもよい。さらに、必要により、パッドコンディショナーを研磨パッド１３の表面に接触させて、研磨パッド１３表面のコンディショニングを行いながら研磨してもよい。
　このような研磨装置１０による研磨条件には特に制限はないが、基板保持部材１５に荷重をかけて研磨パッド１３に押し付けることでより研磨圧力を高め、研磨速度を向上させることが可能である。研磨圧力は５～８０ｋＰａ程度が好ましく、被研磨面内における研磨速度の均一性、平坦性、スクラッチ等の研磨欠陥防止の観点から、１０～５０ｋＰａ程度がより好ましい。研磨定盤１１および基板保持部材１５の回転数は、５０～５００ｒｐｍ程度が好ましいがこれに限定されない。また、研磨液１７の供給量については、研磨液の組成や上記した研磨条件等により適宜調整され選択される。
＜研磨対象物＞
　本発明の実施形態の研磨液を用いて研磨する研磨対象物は、非酸化物単結晶である炭化ケイ素単結晶基板や窒化ガリウム単結晶基板であり、より好適には炭化ケイ素単結晶基板である。より具体的には、３Ｃ－ＳｉＣ、４Ｈ－ＳｉＣ、あるいは６Ｈ－ＳｉＣの結晶構造を有する炭化ケイ素単結晶基板が挙げられる。なお、前記３Ｃ－、４Ｈ－、および６Ｈ－は、Ｓｉ－Ｃ対の積層順序により決まる炭化ケイ素の結晶多形を表す。実施形態の研磨液を使用することで、高い研磨速度を得ることができる。また、以下に示す表面性状の主面（研磨済み主面）を得ることができる。
　次に、図面を参照しながら、本発明の実施形態の研磨液を使用した場合と、酸化剤である過酸化水素とコロイダルシリカ砥粒を含む従来の研磨スラリーを使用した場合のそれぞれにおいて、ＣＭＰにより得られる炭化ケイ素単結晶基板の主面の表面性状、および研磨済み主面へのエピタキシャル成長による半導体層の形成について説明する。
＜研磨済み主面の表面性状＞
　ＣＭＰ工程の前工程であるダイヤモンド研磨後の炭化ケイ素単結晶基板の主面には、ダイヤモンド研磨による機械的ダメージが生じており、表面にスクラッチが形成されているだけでなく、内部まで結晶歪等の欠陥が生じた加工変質層が生成されている。前記した従来の研磨スラリーによるＣＭＰでも、相当長時間の研磨を行うことで、ダイヤモンド研磨により生じた加工変質層を除去することは可能であり、図４（ａ）および図４（ｂ）に模式的に示すように、結晶構造に由来する、平坦なテラス１領域と段差領域である原子ステップ２とが交互に連続する原子ステップ・テラス構造を有する研磨済み主面を得ることができる。なお、図４（ｂ）に示すＣ軸は、図４（ａ）において紙面に垂直な方向である。
　しかし、前記した従来の研磨スラリーによるＣＭＰでは、原子ステップ２のフロント端線部２ａは、研磨の際の機械的ダメージにより、欠けやえぐれのある形状となり、結晶欠陥が発生する。この原因としては、機械的作用の強い砥粒によるフロント端線部２ａの過剰研磨が考えられる。
　一方、本発明の実施形態の研磨液は、実質的に砥粒を含有しないため、研磨済み主面に生成された原子ステップ・テラス構造において、原子ステップのフロント端線部２ａに加えられる機械的ダメージが著しく低減されている。したがって、図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、欠けやえぐれ、結晶欠陥のないフロント端線部２ａを形成することができ、平滑性が高くかつフロント端線部２ａが優れた形状を維持した、原子レベルの加工精度を実現できる。さらに、実施形態の研磨液を使用した場合は、含有される酸化力の強い酸化剤の作用によって、砥粒による機械的作用がないにもかかわらず、砥粒よりも硬度の低い研磨パッドによる機械的作用だけで、ダイヤモンド研磨による加工変質層を高い研磨速度で速やかに除去できる。そして、炭化ケイ素単結晶基板の被研磨面へのダメージを抑制した、原子レベルの高い加工精度が可能である。
＜エピタキシャル成長＞
　ステップフロー方式による炭化ケイ素単結晶基板上への半導体層のエピタキシャル成長のメカニズムと、原子ステップのフロント端線部の役割について、図５に基づいて説明する。
　炭化ケイ素単結晶基板に、例えば炭化ケイ素半導体層をエピタキシャル成長させるには、前記炭化ケイ素単結晶基板の原子ステップ・テラス構造が形成された研磨済み主面に、熱ＣＶＤ法によりケイ素原子と炭素原子とを堆積させ、結晶成長させる。原子ステップ・テラス構造のテラス１に付着した各原子は、フロント端線部２ａに到達し、フロント端線部２ａの未結合手を持った原子と結合して、テラス１の表面を横方向（フロント端線部２ａに直交する方向、図５中に矢印で示す）に結晶が成長することで、製膜される。すなわち、原子ステップ２のフロント端線部２ａは、エピタキシャル成長において結晶成長の起点として機能する。
　そして、炭化ケイ素単結晶基板上に製膜された半導体層の結晶品質は、基板の結晶欠陥や表面状態により強く影響を受けることが知られている。炭化ケイ素単結晶基板の結晶欠陥としては、マイクロパイプ欠陥、螺旋転位欠陥、刃状転位欠陥等が挙げられる。表面状態については、研磨によるスクラッチや研磨剤由来の砥粒等の異物のテラス１表面への付着、テラス１の表面酸化物等が挙げられる。エピタキシャル成長の起点である原子ステップ２のフロント端線部２ａについても、この部分に存在する欠陥の伝搬が考えられることから、より高品質の半導体層を製膜するためには、原子ステップ・テラス構造の生成のみを考慮した研磨加工ではなく、原子ステップ２のフロント端線部２ａの形状や結晶欠陥も考慮した原子レベルの加工精度が必要である。
　このような点から考察すると、前記した従来の研磨スラリーを用いて得られた炭化ケイ素単結晶基板の研磨済み主面は、原子ステップ・テラス構造が生成されて平滑化されているので、テラス１表面のスクラッチ等に起因する半導体層の結晶欠陥は抑制できるが、結晶成長の起点であるフロント端線部２ａは、欠けやえぐれ等があり結晶欠陥が避けられない形状となっているので、その上に高品質の炭化ケイ素半導体層や窒化ガリウム半導体層をエピタキシャル成長により形成できない。
　これに対して、本発明の実施形態の研磨液を用いたＣＭＰ加工では、原子ステップ・テラス構造を有し、かつこの原子ステップ・テラス構造において、原子ステップ２のフロント端線部２ａへの機械的ダメージが抑制された高平滑な主面を得ることができるので、より高品質の半導体層の結晶成長が可能になる。また、本発明の実施形態の研磨液は、砥粒を含まないので、洗浄後も炭化ケイ素単結晶基板の表面に砥粒が残留することがなく、研磨剤由来の砥粒残渣に起因する半導体層の結晶欠陥を防止可能である。
　以下、本発明を実施例および比較例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。例１～４は本発明の実施例であり、例５、６は比較例である。
（１）研磨液および研磨剤液の調製
（１－１）
　例１～４の各研磨液を、以下に示すようにして調製した。まず、表１に示す酸化剤である過マンガン酸カリウムに純水を加え、撹拌翼を用いて１０分間撹拌した。次いで、この液に、ｐＨ調整剤として、例１～３では硝酸を、例４では水酸化カリウムを撹拌しながら徐々に添加して、表１に示す所定のｐＨに調整し、研磨液を得た。各例において使用した酸化剤である過マンガン酸カリウムの研磨液全体に対する含有割合（濃度；質量％）を、表１に示す。なお、表１における酸化剤濃度は、過マンガン酸イオンの濃度ではなく、過マンガン酸カリウムの濃度である。
（１－２）
　例５および例６の研磨剤液を、以下に示すようにして調製した。例５においては、1次粒子径が４０ｎｍ、２次粒子径が約７０ｎｍのシリカ固形分が約４０質量％のコロイダルシリカ分散液に、純水を加え、撹拌翼を用いて１０分間撹拌した。次いで、この液に、金属塩としてバナジン酸アンモニウムを撹拌しながら加え、最後に過酸化水素水を添加して３０分間撹拌し、表１に示す各成分濃度に調整された研磨剤液を得た。
　例６においては、1次粒子径が８０ｎｍ、２次粒子径が約１１０ｎｍのシリカ固形分が約４０質量％のコロイダルシリカ分散液に、純水を加えて１０分間撹拌した。次いで、この液に、酸化剤として過マンガン酸カリウムを撹拌しながら加えた後、硝酸を徐々に添加して表１に示すｐＨに調整し、研磨剤液を得た。例５および例６で使用した各成分の研磨剤全体に対する含有割合（濃度；質量％）を、表１に示す。
　なお、表１における酸化剤濃度は、過マンガン酸イオンの濃度ではなく、過マンガン酸カリウムの濃度である。また、例５、６で配合されたシリカ粒子の１次粒子径については、ＢＥＴ法で得られた比表面積から換算して求め、２次粒子径については、動的光散乱式粒度分布測定装置であるマイクロトラックＵＰＡ（日機装社製）を用いて測定した。
（２）ｐＨの測定
　例１～４で得られた各研磨液および例５，６で得られた各研磨剤液のｐＨを、横河電機社製のｐＨ８１－１１を使用し２５℃で測定した。測定結果を表１に示す。
（３）研磨特性の評価
　例１～４で得られた各研磨液および例５，６で得られた各研磨剤液について、以下の方法で研磨特性の評価を行った。
（３－１）研磨条件
　研磨機としては、ＭＡＴ社製小型片面研磨装置を使用した。研磨パッドとしては、ＳＵＢＡ８００－ＸＹ－ｇｒｏｏｖｅ（ニッタハース社製）を使用し、研磨前にダイヤディスクおよびブラシを用いて、研磨パッドのコンディショニングを行った。
　研磨液または研磨剤液の供給速度を２５ｃｍ３／分、研磨定盤の回転数を６８ｒｐｍ、基板保持部の回転数を６８ｒｐｍ、研磨圧を５ｐｓｉ（３４．５ｋＰａ）として、３０分間研磨を行った。
（３－２）被研磨物
　被研磨物として、ダイヤモンド砥粒を用いて予備研磨処理を行った３インチ径の４Ｈ－ＳｉＣ基板を準備した。そして、主面（０００１）のＣ軸に対するオフ角が０°＋０．２５°以内のＳｉＣ単結晶基板（Ｏｎ－ａｘｉｓ基板）を使用し、Ｓｉ面側を研磨し評価した。
（３－３）研磨速度の測定
　研磨速度は、前記ＳｉＣ単結晶基板の単位時間当たりの厚さの変化量（ｎｍ／ｈｒ）で評価した。具体的には、厚さが既知の未研磨基板の質量と各時間研磨した後の基板質量とを測定し、その差から質量変化を求めた。そして、この質量変化から求めた基板の厚さの時間当たりの変化を、下記の式を用いて算出した。研磨速度の算出結果を表１に示す。
（研磨速度（Ｖ）の計算式）
Δｍ＝ｍ０－ｍ１
Ｖ＝Δｍ／ｍ０　×　Ｔ０　×　６０／ｔ
（式中、Δｍ（ｇ）は研磨前後の質量変化、ｍ０（ｇ）は未研磨基板の初期質量、ｍ１（ｇ）は研磨後基板の質量、Ｖは研磨速度（ｎｍ／ｈｒ）、Ｔ０は未研磨基板の厚さ（ｎｍ）、ｔは研磨時間（ｍｉｎ）を表す。）
（３－４）原子ステップのフロント端線部の平均線粗さ（Ｒ）の測定
　例１～４の各研磨液および例５，６の各研磨剤液で研磨したＯｎ－ａｘｉｓ基板の研磨後の主面を、横２μｍ×縦１μｍの範囲で、ＡＦＭにより観察したところ、いずれも原子ステップ・テラス構造の生成が確認された。次いで、得られたＡＦＭ像から、前記範囲にある複数のフロント端線部のそれぞれについて平均線粗さ（Ｒａ）を測定し、その平均値としてＲを求めた。なお、ＡＦＭとしては、Ｄ３１００（Ｖｅｅｃｏ社製）を使用した。
　図６に、フロント端線部２ａの平均線粗さ（Ｒａ）の測定位置を破線で示す。この図において、符号１は、原子ステップ・テラス構造におけるテラスを示す。
　次いで、前記（３－４）で求められたフロント端線部の平均線粗さ（Ｒ）から、下記式を用いて、原子ステップの高さ（ｈ）に対する平均線粗さ（Ｒ）の割合（Ａ）を算出した。結果を表１に示す。
Ａ（％）＝（Ｒ（ｎｍ）／ｈ（ｎｍ））×１００
　なお、ケイ素と炭素対からなるバイレーヤー原子ステップの高さ（ｈ）は、前記したように１．００８ｎｍ／４により計算され、約０．２５ｎｍになる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１からわかるように、例１～４の研磨液を使用した場合は、ＳｉＣ単結晶のＯｎ－ａｘｉｓ基板に対して、高い研磨速度が得られており、高速研磨が可能であった。また、研磨後の主面のＡＦＭ像から、原子ステップ・テラス構造の生成が確認され、高平滑な研磨済み主面が得られた。また、原子ステップ・テラス構造において、原子ステップのフロント端線部の平均線粗さ（Ｒ）の原子ステップの高さ（ｈ）の理論値に対する割合（Ａ）は、２０％以下であり、研磨による機械的ダメージを抑制した原子レベルの高い加工精度が得られた。さらに、研磨液が砥粒を含まないので、砥粒残渣のない清浄度の高い研磨済み主面が得られた。
　これに対して、砥粒であるコロイダルシリカと酸化剤である過酸化水素、およびバナジン酸アンモニウムを含有する例５の研磨剤液を使用した場合は、例１～４の研磨液を使用した場合に比べて、研磨速度が著しく低い値となった。また、研磨後の主面のＡＦＭ像から、原子ステップ・テラス構造の生成が確認されるものの、原子ステップの高さ（ｈ）の理論値に対する原子ステップのフロント端線部の平均線粗さ（Ｒ）の割合は、２４％と例１～４に比べて大きくなって表面粗さが悪化しており、研磨による機械的ダメージによって、原子ステップのフロント端線部に欠けやえぐれが発生していることがわかった。また、研磨済み主面に、コロイダルシリカと思われる砥粒残渣が観察された。
　また、酸化剤として過マンガン酸カリウムを含有し、さらに砥粒としてコロイダルシリカを含有する例６の研磨剤液を使用した場合も、例１～４の研磨液を使用した場合に比べて、研磨速度が大幅に低下した。さらに、研磨後の主面のＡＦＭ像から、原子ステップ・テラス構造の生成が確認されたものの、原子ステップの高さ（ｈ）の理論値に対する原子ステップのフロント端線部の平均線粗さ（Ｒ）の割合は、２８％と例１～４に比べて大きくなって表面粗さが悪化しており、研磨による機械的ダメージによって、原子ステップのフロント端線部に欠けやえぐれが発生していることがわかった。また、研磨済み主面に、コロイダルシリカと思われる砥粒残渣が観察された。
　本発明の研磨液によれば、硬度が高く化学的安定性の高い炭化ケイ素単結晶基板を高い研磨速度で研磨でき、キズがなく平坦性および平滑性に優れ、原子ステップ・テラス構造が生成され、かつ、ステップフロー方式によるエピタキシャル成長において結晶成長の起点となる原子ステップフロント端線部の機械的ダメージが抑制された、原子レベルで加工精度の高い主面を得ることができる。したがって、炭化ケイ素単結晶基板上への高品質な半導体層の製膜が可能となり、そのように製膜された半導体層を有する炭化ケイ素単結晶基板を用いた電子デバイス等の生産性の向上に寄与できる。
　本発明を詳細に、また特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく、様々な変更や修正を加えることができることは、当業者にとって明らかである。
　本出願は、２０１１年１０月７日出願の日本特許出願２０１１－２２２７８２に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
　１…テラス、２…原子ステップ、２ａ…フロント端線部、１０…研磨装置、１１…研磨定盤、１２…定盤駆動モータ、１３…研磨パッド、１４…研磨対象物、１５…基板保持部材、１６…滴下ノズル、１７…研磨液

Claims (7)

  1. 　結晶構造に由来する原子ステップとテラスとからなる原子ステップ・テラス構造を有する主面を備え、前記原子ステップ・テラス構造において、前記原子ステップのフロント端線部の平均線粗さが、前記原子ステップの高さに対して２０％以下の割合である、炭化ケイ素単結晶基板。
  2. 　前記主面は、結晶をエピタキシャル成長させて炭化ケイ素半導体層または窒化ガリウム半導体層を形成する面である、請求項１に記載の炭化ケイ素単結晶基板。
  3. 　炭化ケイ素単結晶基板の所定の面方向の主面を、結晶構造に由来する原子ステップとテラスとからなる原子ステップ・テラス構造を有し、かつ該原子ステップ・テラス構造において、前記原子ステップのフロント端線部の平均線粗さが、前記原子ステップの高さに対して２０％以下の割合となるように、化学的機械的に研磨するための研磨液であり、
    　酸化還元電位０．５Ｖ以上の遷移金属を含む酸化剤と水とを含み、砥粒を含まない、研磨液。
  4. 　前記酸化剤は過マンガン酸イオンである、請求項３に記載の研磨液。
  5. 　前記過マンガン酸イオンの含有量は研磨剤全量に対して０．０５質量％以上５質量％以下である、請求項４に記載の研磨液。
  6. 　ｐＨが１１以下である、請求項３～５のいずれか１項に記載の研磨液。
  7. 　ｐＨが５以下である、請求項６に記載の研磨液。
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