WO2013021510A1 - 信号伝送装置、受信回路、及び、電子機器 - Google Patents

信号伝送装置、受信回路、及び、電子機器 Download PDF

Info

Publication number
WO2013021510A1
WO2013021510A1 PCT/JP2011/070005 JP2011070005W WO2013021510A1 WO 2013021510 A1 WO2013021510 A1 WO 2013021510A1 JP 2011070005 W JP2011070005 W JP 2011070005W WO 2013021510 A1 WO2013021510 A1 WO 2013021510A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
channel
gain
unit
frequency
signal
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/070005
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
日野 康史
Original Assignee
ソニー株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ソニー株式会社 filed Critical ソニー株式会社
Priority to US14/236,242 priority Critical patent/US9793992B2/en
Priority to EP11870732.2A priority patent/EP2744127A1/en
Priority to CN201180072660.5A priority patent/CN103718480B/zh
Publication of WO2013021510A1 publication Critical patent/WO2013021510A1/ja

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/25Arrangements specific to fibre transmission
    • H04B10/2589Bidirectional transmission
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04JMULTIPLEX COMMUNICATION
    • H04J1/00Frequency-division multiplex systems
    • H04J1/02Details
    • H04J1/12Arrangements for reducing cross-talk between channels
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06Receivers
    • H04B1/10Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference
    • H04B1/1027Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference assessing signal quality or detecting noise/interference for the received signal
    • H04B1/1036Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference assessing signal quality or detecting noise/interference for the received signal with automatic suppression of narrow band noise or interference, e.g. by using tuneable notch filters
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B3/00Line transmission systems
    • H04B3/52Systems for transmission between fixed stations via waveguides
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04JMULTIPLEX COMMUNICATION
    • H04J1/00Frequency-division multiplex systems
    • H04J1/02Details
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04LTRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L5/00Arrangements affording multiple use of the transmission path
    • H04L5/14Two-way operation using the same type of signal, i.e. duplex
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04LTRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L5/00Arrangements affording multiple use of the transmission path
    • H04L5/14Two-way operation using the same type of signal, i.e. duplex
    • H04L5/16Half-duplex systems; Simplex/duplex switching; Transmission of break signals non-automatically inverting the direction of transmission
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04LTRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L25/00Baseband systems
    • H04L25/02Details ; arrangements for supplying electrical power along data transmission lines
    • H04L25/03Shaping networks in transmitter or receiver, e.g. adaptive shaping networks
    • H04L25/03006Arrangements for removing intersymbol interference
    • H04L2025/0335Arrangements for removing intersymbol interference characterised by the type of transmission
    • H04L2025/03426Arrangements for removing intersymbol interference characterised by the type of transmission transmission using multiple-input and multiple-output channels

Definitions

  • the technology disclosed in this specification relates to a signal transmission device, a reception circuit, and an electronic device. More particularly, the present invention relates to a countermeasure technique for mutual interference when performing multi-channel transmission.
  • LVDS Low Voltage Differential Signaling
  • video signals including imaging signals
  • computer images are transmitted at high speed (in real time) within the device.
  • a technique for transmitting signals in the millimeter wave band using plastic as a waveguide is, for example, “A 12.5 + 12.5Gb / s Full-Duplex Plastic Waveguide Interconnect ”(see ISSCC 2011 conference presentation: Preliminary report and presentation slides).
  • a method of separating the frequency difference from other channels to a certain level or more may be employed.
  • the more the separation is performed that is, the greater the frequency difference between channels
  • the frequency band required as a whole increases.
  • a communication device and a communication semiconductor device (chip) but also a waveguide has a drawback that a broadband characteristic is required.
  • an object of the present disclosure is to provide a technique that can alleviate the interference problem with other channels without adopting a method of increasing the frequency difference with other channels.
  • the signal transmission device includes a reception processing unit for each channel so that multi-channel transmission can be performed by dividing a frequency band, and the total number of channels is 3 or more. And for any of the combinations of any two channels to which full duplex bidirectional communication is applied, any of the reception processing units has a signal suppression unit that suppresses signal components of other channels other than the own channel. Have.
  • Each signal transmission device described in the dependent claims of the signal transmission device according to the first aspect of the present disclosure defines a further advantageous specific example of the signal transmission device according to the first aspect of the present disclosure.
  • the reception processing unit has a frequency selectivity with respect to its own channel and has an amplification unit that amplifies the received signal, and the signal suppression unit is configured by a gain suppression unit provided in the amplification unit.
  • the gain suppression unit is a channel other than the own channel, and the attenuation degree of the gain frequency characteristic is insufficient. The gain for the other channel is suppressed.
  • the gain suppression unit is either the lower adjacent channel or the upper adjacent channel, and the gain frequency characteristic attenuation degree is It is preferable to suppress the gain for the deficient channel.
  • the signal transmission device includes a reception processing unit for each channel so that multi-channel transmission can be performed by dividing a frequency band, and the total number of channels is two or more. Then, for any one of the combinations of two channels to which unidirectional duplex communication is applied, any of the reception processing units has a signal suppression unit that suppresses signal components of other channels other than the own channel. .
  • the receiving circuit according to the third aspect of the present disclosure is configured so that a full-duplex bidirectional communication is applied to any one of combinations of two channels when the total number of channels is 3 or more. And a signal suppression circuit that suppresses signal components of other channels.
  • the reception circuit according to the fourth aspect of the present disclosure is a signal suppression that suppresses signal components of other channels other than the own channel in a combination of any two channels to which unidirectional duplex communication is applied. It has a circuit.
  • the electronic device includes a reception processing unit for each channel so that multi-channel transmission can be performed by dividing a frequency band, and the total number of channels is three or more. And for any of the combinations of any two channels to which full duplex bidirectional communication is applied, any of the reception processing units has a signal suppression unit that suppresses signal components of other channels other than the own channel. Have.
  • the electronic device includes a reception processing unit for each channel so that multi-channel transmission can be performed by dividing a frequency band, and the total number of channels is two or more. Then, for any one of the combinations of two channels to which unidirectional duplex communication is applied, any of the reception processing units has a signal suppression unit that suppresses signal components of other channels other than the own channel. .
  • the signal transmission device according to the second aspect of the present disclosure, the receiving circuit according to the third and fourth aspects of the present disclosure, and the electronic apparatus according to the fifth and sixth aspects of the present disclosure are also disclosed.
  • Various techniques and methods applied to each signal transmission device described in the dependent claims of the signal transmission device according to the first aspect (however, in the receiving circuit according to the fourth aspect and the electronic device according to the sixth aspect) Is applicable to the signal transmission device according to the second aspect of the present disclosure, the third and the second of the present disclosure, and the like. Further advantageous specific examples of the receiving circuit according to the fourth aspect and the electronic device according to the fifth and sixth aspects of the present disclosure are defined.
  • the reception processing unit has a frequency selectivity with respect to its own channel and has an amplification unit that amplifies the received signal, and the signal suppression unit is configured by a gain suppression unit provided in the amplification unit.
  • the gain suppression unit is a channel other than its own channel, and the gain frequency characteristic is not sufficiently attenuated. Suppresses the gain for the other channels.
  • the gain suppression unit is either the lower adjacent channel or the upper adjacent channel, and the gain frequency characteristic attenuation degree is It is preferable to suppress the gain for the deficient channel.
  • the reception processing unit regardless of the number of channels when performing multi-channel transmission, regardless of whether full duplex bidirectional communication or unidirectional duplex communication is applied.
  • a signal suppression unit that suppresses signal components of channels other than its own channel is provided at the front stage or the rear stage of the amplification unit or the amplification circuit.
  • the signal suppression unit includes a gain suppression unit provided in the amplification unit.
  • a gain suppression unit that suppresses the gain is provided in the amplification unit or the amplification circuit for a channel other than the own channel that is not sufficient for the degree of attenuation of the gain frequency characteristic. .
  • the gain suppression unit is either the lower adjacent channel or the upper adjacent channel, and the gain frequency characteristic is not sufficiently attenuated.
  • a gain suppression unit that suppresses the gain is provided in the amplification unit or the amplification circuit for the channel to be performed.
  • the gain suppression unit is amplifying unit according to the above-mentioned condition only with respect to what it is applied (preferably with respect to the relationship between adjacent channels). Or an amplifier circuit.
  • the total number of channels is “3”. That's it.
  • a signal suppression unit and a gain suppression unit are provided according to the above-mentioned conditions only for those to which it is applied (preferably, for those having an adjacent channel relationship). Just do it.
  • the receiving circuit according to the fourth aspect of the present disclosure, and the electronic device according to the sixth aspect of the present disclosure the total number of channels is “2”. That's it. Where both full duplex bidirectional communication and unidirectional duplex communication apply, only in terms of what they apply (preferably also in relation to adjacent channels) A signal suppression unit and a gain suppression unit may be provided.
  • a signal suppression unit that suppresses signal components of channels other than the own channel is provided in any of the reception processing units (for example, inside the amplification unit or the amplification circuit, or in the preceding stage or the subsequent stage).
  • a gain suppression unit is provided in “any” reception processing unit instead of all of the plurality of reception processing units to suppress mutual interference. Therefore, the configuration can be simplified compared to the case where a signal suppression unit that suppresses signal components of other channels is provided for all of the plurality of reception processing units.
  • a gain is suppressed with respect to “one of the lower adjacent channel and the upper adjacent channel and the gain frequency characteristic is insufficiently attenuated”.
  • a gain suppression unit is provided in the reception processing unit.
  • a gain suppression unit is provided in the amplification unit or the amplification circuit or in the preceding stage or the subsequent stage, particularly preferably in the amplification unit or the amplification circuit.
  • the gain frequency characteristic of the amplifying unit or the amplifying circuit when the gain suppressing unit is not provided (hereinafter sometimes referred to as “bare”) is the desired channel.
  • a gain frequency characteristic of “asymmetric” means that the gain attenuation level is sufficient for one of the lower side (low frequency side) and the upper side (high frequency side), but the gain attenuation level is insufficient for the other side.
  • the combination of any two channels is in the relationship of adjacent channels to each other, and the gain attenuation is sufficient for one of the upper adjacent channel and the lower adjacent channel, but for the other It means that the degree of attenuation of gain is insufficient.
  • the interference from the channel with the insufficient gain attenuation degree in particular, it is also referred to as the adjacent interference when there is a relationship between adjacent channels) becomes a problem.
  • the gain suppression unit is provided only for one of the channels on the band side (specifically, the channel whose gain frequency characteristic is insufficiently attenuated).
  • a gain suppression unit is provided only on one of the upper adjacent channel and the lower adjacent channel (specifically, the gain frequency characteristic is insufficiently attenuated).
  • the bare gain frequency characteristics of the amplification unit and the amplification circuit are asymmetrical between the lower side and the upper side of the desired channel, interference from other channels is prevented.
  • a gain suppression unit is provided only for the direction where the degree of attenuation is insufficient, thereby suppressing mutual interference. Therefore, the configuration is simplified compared to the case where the gain suppression unit is provided for both the lower (low frequency side) channel and the upper (high frequency side) channel (typically both the upper adjacent channel and the lower adjacent channel). Can be.
  • a gain suppression unit it is possible to suppress the influence of interference waves, so that interference with other channels can be avoided even if the frequency interval with other channels (typically adjacent channels) is not excessive. The frequency can be relaxed and the frequency can be effectively used.
  • the receiving circuits according to the third and fourth aspects, and the electronic device according to the fifth and sixth aspects of the present disclosure with a simple configuration, Interference problems with other channels can be alleviated without adopting a method for increasing the frequency difference with other channels.
  • FIG. 1A to FIG. 1B are diagrams illustrating an overview of a signal transmission device or an electronic device.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a specific example of a signal transmission device or an electronic device.
  • FIG. 3A is a functional block diagram of the signal transmission device.
  • FIG. 3B is a functional block diagram of the signal transmission device.
  • 4A to 4C are diagrams for explaining the cause of mutual interference.
  • FIGS. 5A to 5B are diagrams (part 1) for explaining the principle of countermeasures of the present embodiment against mutual interference.
  • FIGS. 6A to 6D are diagrams (part 2) for explaining the principle of countermeasures of the present embodiment against mutual interference.
  • FIGS. 7A to 7B are diagrams illustrating a first example of a low noise amplifier including a trap circuit.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating a second example of a low noise amplifier provided with a trap circuit.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating a third example of a low noise amplifier including a trap circuit.
  • FIGS. 10A to 10B are diagrams illustrating a low-noise amplifier that does not include a trap circuit.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating a transmission / reception system according to the first embodiment to which full-duplex bidirectional communication is applied.
  • FIG. 12A to FIG. 12C are diagrams for explaining a specific method for dealing with mutual interference in the first embodiment.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating a transmission / reception system according to the second embodiment to which unidirectional duplex communication is applied.
  • FIG. 14 is a diagram for explaining a specific method for dealing with mutual interference in the second embodiment.
  • FIG. 15 is a diagram illustrating a modification example of the second embodiment.
  • FIGS. 16A to 16C are diagrams illustrating an example of gain characteristics of the low noise amplifier used in the third embodiment in which full duplex bidirectional communication and unidirectional duplex communication are used in combination.
  • FIG. 17A to FIG. 17C are diagrams for explaining the transmission / reception system of the third embodiment.
  • FIG. 18A to FIG. 18B are diagrams for explaining a modification to the third embodiment.
  • FIGS. 19A to 19C are diagrams illustrating a transmission / reception system according to the fourth embodiment in which full duplex bidirectional communication and unidirectional duplex communication are used in combination.
  • FIGS. 21A to 21C are diagrams for explaining the transmission / reception system of the fifth embodiment (first to third examples).
  • FIGS. 22A to 22C are diagrams for explaining the transmission / reception system of the fifth embodiment (fourth to sixth examples).
  • FIG. 23A to FIG. 23C are diagrams for explaining the transmission / reception system of the sixth embodiment (first to third examples).
  • FIGS. 24A to 24C are diagrams for explaining the transmission / reception system of the sixth embodiment (fourth to sixth examples).
  • FIG. 25A to FIG. 25B are diagrams for explaining an example of the gain characteristic of the low noise amplifier used in the seventh embodiment.
  • FIG. 26 is a diagram illustrating a transmission / reception system according to the seventh embodiment.
  • Transmission processing system (basic): device configuration, detailed functional block configuration example Mutual interference and its countermeasure principle: Cause of occurrence, countermeasure method 4.
  • Configuration example of amplifying unit first to fourth examples Specific Application Example Example 1: First Example of Countermeasure Method, 2CH & Full Duplex Bidirectional Example 2: First Example of Countermeasure Method, 2CH & Unidirectional Duplex Example 3: First Example of Countermeasure Method, 3CH Above & full-duplex bi-directional and uni-directional duplex (ignoring leakage path of uni-directional duplex communication system)
  • Example 4 First example of countermeasure technique 3CH or more & full duplex bidirectional and unidirectional duplex combined (considering leakage path of unidirectional duplex communication system)
  • Example 5 Second example of countermeasure method, response other than amplifier circuit (uses the asymmetry of the naked gain frequency characteristic of the amplifier circuit)
  • Example 6 Third example of countermeasure technique (not utilizing the asymmetry of the naked gain frequency characteristic of the amplifier circuit)
  • Example 7 Countermeasures against interference
  • a reception circuit includes a plurality of reception processing units that receive transmission signals.
  • a plurality of transmission processing units are provided to correspond to the plurality of reception processing units.
  • a reception processing unit is provided for each channel so that multi-channel transmission can be performed by dividing a frequency band.
  • a transmission processing unit is provided for each channel so as to correspond to the reception processing unit for each channel.
  • Any of the reception processing units includes a signal suppression unit that suppresses signal components of channels other than the own channel. Compared with the case where signal suppression units are provided in all reception processing units, the problem of interference with other channels can be alleviated with a simple configuration.
  • the reception processing unit has an amplifying unit (amplifying circuit) that has frequency selectivity for the own channel and amplifies the received signal.
  • the bare gain frequency characteristic of the amplifying unit is asymmetric between the lower side (low frequency side) and the upper side (high frequency side) of the desired channel (own channel).
  • any of the plurality of reception processing units uses the asymmetry to suppress the gain with respect to the interference wave. It is assumed that the gain suppression unit is included in the amplification unit (amplification circuit). That is, the signal suppression unit is configured by a gain suppression unit provided in the amplification unit.
  • the influence of the disturbing channel is indicated as a gain suppression unit. It suppresses by.
  • the influence from adjacent channels is suppressed. For example, for any of the combinations of any two channels that are in the relationship of adjacent channels, either the lower adjacent channel or the upper adjacent channel and the gain frequency characteristic attenuation level is insufficient A gain suppression unit that suppresses all gains is provided in the amplification unit.
  • a trap circuit or the like for the adjacent channel on the side where the gain attenuation degree is insufficient is used.
  • a gain suppression unit is provided.
  • the first state in which the low frequency side has a lower gain attenuation than the high frequency side around the own channel, and the own channel is the center.
  • the second state where gain attenuation is insufficient on the high frequency side than on the low frequency side can be taken.
  • the wavelength selectivity for the lower adjacent channel is inferior
  • the wavelength selectivity for the upper adjacent channel is inferior.
  • the bare gain frequency characteristic of the amplification unit for one channel and the bare gain frequency characteristic of the amplification unit for the other channel are the same when the asymmetry is the same. Not limited to this, it can happen when they are mixed.
  • the gain frequency characteristic is in the first state, and the bare gain frequency characteristic of the amplification unit for the other channel can take a total of four combinations, the fourth case in the second state.
  • the gain suppression unit when the gain suppression unit is provided in the amplification unit, for each of the four combinations described above, A gain suppression unit is provided in the amplification unit for a required channel so that the gain of the channel can be suppressed.
  • the carrier frequency of one channel is lower than the carrier frequency of the other channel among the two channels in the relationship of adjacent channels.
  • one channel (low frequency side) having a low carrier frequency is referred to as a low frequency channel
  • the other channel (high frequency side) having a high carrier frequency is referred to as a high frequency channel.
  • the bare gain frequency characteristics of the amplification units of both channels are in the first state where the gain attenuation is insufficient on the low frequency side than on the high frequency side with respect to the own channel.
  • a gain suppression unit may be provided only in the channel amplification unit, and the gain suppression unit only needs to suppress the gain with respect to the low-frequency channel that is the lower adjacent channel.
  • a gain suppression unit may be provided only in the channel amplification unit, and the gain suppression unit only needs to suppress the gain with respect to the high frequency channel that is the upper adjacent channel. It is not necessary to provide a gain suppression unit in the high frequency channel amplification unit.
  • the naked gain frequency characteristics of the amplifying units of both channels exhibit the same state of asymmetry, only the amplifying unit for one of the channels is used with respect to the other channel. What is necessary is just to provide the gain suppression part which suppresses a gain.
  • the bare gain frequency characteristic of the amplifying unit for the low-frequency channel is in the second state where the high-frequency side centering on the own channel is less in gain attenuation than the low-frequency side
  • the bare gain frequency characteristic of the amplification unit for the band channel is in a first state in which the gain attenuation is insufficient on the low band side than the high band side with respect to the own channel. Therefore, a gain suppression unit that suppresses gain with respect to the upper adjacent channel is provided in the amplification unit for the low frequency channel, and a gain is suppressed with respect to the lower adjacent channel in the amplification unit for the high frequency channel.
  • a gain suppression unit is provided.
  • the gain with respect to the partner channel is set for any channel. It is necessary to provide a gain suppression unit for suppression.
  • the bare gain frequency characteristic of the amplifying unit for the low-frequency channel is in a first state where the low-frequency side centering on the own channel is less in gain attenuation than the high-frequency side,
  • the bare gain frequency characteristic of the amplification unit for the band channel is in the second state where the gain attenuation is insufficient on the high band side around the own channel than on the low band side.
  • the amplifying unit for the low frequency channel has a sufficient degree of gain attenuation with respect to the high frequency channel that is the upper adjacent channel without providing the gain suppressing unit, and the amplifying unit for the high frequency channel is Even if the gain suppression unit is not provided, the degree of gain attenuation with respect to the low-frequency channel which is the lower adjacent channel is sufficient.
  • the gain attenuation degree with respect to the partner channel is not insufficient (the attenuation degree is sufficient) in any channel. There is no need to provide a gain suppression unit that suppresses.
  • any combination of other channels is taken, and each of the combinations of two channels has a relationship with an adjacent channel. Based on whether it is applicable, it may be determined whether or not a gain suppression unit is necessary, and if a gain suppression unit is provided, for which channel the gain should be suppressed.
  • full-duplex bidirectional communication when performing full-channel bidirectional transmission using full-duplex bidirectional communication, full-duplex bidirectional communication is applied and the relationship between adjacent channels is related.
  • a gain suppression unit is provided in the amplifying unit according to the above-described method only for certain items.
  • a gain suppression unit is provided in the amplifying unit according to the above-described method only for certain items.
  • the reception circuit, and the electronic device disclosed in this specification when both full duplex bidirectional communication and unidirectional duplex communication are applied, preferably full duplex bidirectional communication is performed. And the above-described methods for one-way duplex communication are used in combination. In addition, when both full duplex bidirectional communication and unidirectional duplex communication are applied, it is not essential to use the above-described method for unidirectional duplex communication. This is due to the following.
  • a high-frequency signal is transmitted from the transmission processing unit of one communication device to the reception processing unit of the other communication device via a waveguide.
  • a leakage path through which a high frequency signal leaks not only to the processing unit but also to the reception processing unit for other channels is formed.
  • the received energy is a leakage path from its own transmission processing unit to the reception processing unit formed when full duplex bidirectional communication is applied. It is small compared to the energy at. This is because the energy on the receiving side is reduced due to the transmission loss of the waveguide connecting the one communication device and the other communication device. Therefore, in some cases, it may not be necessary to apply the above-described method for one-way duplex communication.
  • the provision of the above-described gain suppression unit in the amplification unit applies in principle full duplex bidirectional communication or unidirectional duplex communication. Regardless of whether or not is applied, it is applicable from the case of 2 channels, and the minimum value of the total number of channels is “2”.
  • full duplex bidirectional communication when the total number of channels is set to “3” or more, when full duplex bidirectional communication is applied without applying unidirectional duplex communication, full duplex bidirectional within a combination of any two channels. For those to which communication is applied, the method described above for full duplex bidirectional communication is applied. Typically, any of the combinations of any two channels that are in the relationship of adjacent channels and to which full-duplex bi-directional communication is applied is applied to the above-described method for full-duplex bi-directional communication. Apply.
  • any of the combinations of any two channels that are in the relationship of adjacent channels and to which full-duplex bi-directional communication is applied is applied to the above-described method for full-duplex bi-directional communication.
  • the above-described method for one-way duplex communication is applied to a combination of any two channels that is in the relationship of adjacent channels and to which one-way duplex communication is applied.
  • the bare gain frequency characteristic of the amplification unit often exhibits an asymmetry in which the high frequency side with respect to the own channel is inferior in gain attenuation than the low frequency side.
  • the combination of the two channels to be processed is the second case described above. Therefore, as a preferable aspect in the signal transmission device, the reception circuit, and the electronic device disclosed in this specification, by using this characteristic, the amplification unit only needs to have a gain suppression unit only for the upper adjacent channel. .
  • the high frequency side of the own channel has an asymmetry with lower gain attenuation than the low frequency side, and the total number of channels is 3, it is higher than the carrier frequency of the first channel.
  • the carrier frequency of the two channels is set higher and the carrier frequency of the third channel is set higher than the carrier frequency of the second channel, full duplex bidirectional communication is performed.
  • the following three modes can be taken.
  • the three modes are the first channel transmission processing unit and the second channel transmission processing unit when performing multi-channel transmission between the first communication device and the second communication device coupled by the waveguide.
  • the first communication device has a transmission processing unit for the first channel, a reception processing unit for the second channel, and a transmission processing unit for the third channel
  • the second communication device includes a reception processing unit, a transmission processing unit for the second channel, and a reception processing unit for the third channel.
  • full-duplex bidirectional communication is applied to the combination of the second channel and the first channel and the combination of the second channel and the third channel.
  • a leakage path to the reception processing unit for a channel may cause an interference problem between adjacent channels.
  • a gain suppression unit that suppresses the gain for the second channel is provided in the amplification unit of the reception processing unit for the first channel.
  • the amplification unit of the channel reception processing unit is provided with a gain suppressing unit that suppresses the gain for the third channel.
  • the first communication apparatus has a transmission processing unit for the first channel, a transmission processing unit for the second channel, and a reception processing unit for the third channel, and the reception processing for the first channel
  • the second communication apparatus includes a reception processing unit for the second channel, a transmission processing unit for the second channel, and a transmission processing unit for the third channel.
  • full-duplex bidirectional communication is applied to the combination of the third channel and the first channel and the combination of the third channel and the second channel.
  • a leakage path from the transmission processing unit for the third channel to the reception processing unit for the second channel on the second communication device side may cause an interference problem between adjacent channels.
  • a gain suppression unit that suppresses the gain for the third channel is provided in the amplification unit of the reception processing unit for the second channel.
  • the first communication device has a transmission processing unit for the first channel, a transmission processing unit for the second channel, and a reception processing unit for the third channel, and the reception processing for the first channel
  • the second communication apparatus includes a reception processing unit for the second channel, a transmission processing unit for the second channel, and a transmission processing unit for the third channel.
  • full-duplex bidirectional communication is applied to the combination of the first channel and the second channel and the combination of the first channel and the third channel.
  • the leakage path from the transmission processing unit for the second channel to the reception processing unit for the first channel on the first communication device side may cause an interference problem between adjacent channels.
  • the amplification unit of the reception processing unit for the first channel is provided with a gain suppression unit that suppresses the gain for the second channel.
  • one-way duplex communication can be used together.
  • one-way duplex communication can be applied by a combination of the first channel and the third channel, and the first communication device and the second communication device are interposed via the waveguide along with the one-way duplex communication.
  • a leakage path between transmission and reception is formed between
  • unidirectional duplex communication is used together in the first mode, from the transmission processing unit for the third channel on the first communication device side to the reception processing unit for the first channel on the second communication device side.
  • both channels forming a leakage path are not in the relationship of adjacent channels, there is no possibility of interference between adjacent channels. Therefore, it is not necessary to further provide a gain suppression unit that suppresses the gain with respect to the adjacent channel in any one of the amplification units in conjunction with the one-way duplex communication. That is, even when unidirectional duplex communication is used in combination, the first mode regarding full duplex bidirectional communication may remain as it is.
  • unidirectional duplex communication when unidirectional duplex communication is used in the second mode, unidirectional duplex communication can be applied in combination with the first channel and the second channel.
  • the gain suppression for suppressing the gain for the second channel is performed in the amplification unit of the reception processing unit for the first channel in conjunction with the one-way duplex communication.
  • the second communication device receives the reception for the second channel.
  • the amplification unit of the processing unit is provided with a gain suppression unit that suppresses the gain for the third channel.
  • the one-way duplex communication can be applied by combining the second channel and the third channel, and accordingly, the first communication device. Leakage path from the third channel transmission processing unit on the side to the second channel reception processing unit on the second communication device side, and the second channel transmission processing unit on the first communication device side to the second communication device A leakage path to the reception processing unit for the third channel on the side is formed. Since both channels forming the leakage path are in the relationship of adjacent channels, interference problems between adjacent channels can occur. As a countermeasure, in the second communication apparatus, the gain suppression for suppressing the gain for the third channel is performed in the amplification unit of the reception processing unit for the second channel in conjunction with the one-way duplex communication.
  • the first communication device receives the first channel.
  • the amplification unit of the processing unit is provided with a gain suppression unit that suppresses the gain for the second channel.
  • the signal suppression unit may be any unit that suppresses signal components of channels other than the own channel, and the gain suppression unit is Any other circuit may be used as long as it can suppress the gain with respect to the other channels, and any of various circuit configurations such as a trap circuit can be adopted. This is applicable regardless of whether full duplex bidirectional communication is applied or unidirectional duplex communication is applied.
  • the trap circuit a circuit constituted by a series resonance circuit of an inductor and a capacitor, a parallel resonance circuit, or a series-parallel resonance circuit according to any combination thereof can be used. Which one can be used depends on the configuration of the amplifying unit to which the gain suppression unit is added, but a series resonant circuit or a parallel resonant circuit is the simplest configuration.
  • the gain suppression unit has an asymmetric characteristic in which either one of the high frequency side and the low frequency side has a higher gain than the other, with the gain frequency characteristic of the amplification unit centered on the own channel.
  • Any circuit may be used as long as it compensates for the shortage of attenuation due to the asymmetry of the gain frequency characteristic, and various circuit configurations can be employed.
  • the preferred embodiment of the gain suppression unit has a simple configuration that exhibits attenuation only for an adjacent channel that is an interference wave (undesired wave) component without exhibiting attenuation for the desired wave component. For example, it may be configured by a trap circuit.
  • the inductor and capacitor forming the trap circuit may be formed as a lumped constant circuit by patterning in a coil shape regardless of whether it is a single layer or a plurality of layers, but is not limited to this, for example, a microstrip line or the like
  • the pattern may be formed as described above to form a distributed constant circuit.
  • the capacitor component uses the distributed capacitance when the inductor is patterned.
  • the amplifying unit includes two transistors connected in cascade, and a constant is set so that the channel has frequency selectivity.
  • An amplification stage having an inductor as a load may be provided. This is applicable regardless of whether full duplex bidirectional communication is applied or unidirectional duplex communication is applied.
  • the gain suppression unit is preferably connected between the cascade connection point of the two transistors and the reference potential point. When a trap circuit is used as the gain suppression unit, a series resonance circuit is preferable.
  • the amplifying unit has a cascade amplifier configuration, and a trap circuit composed of a series resonance circuit is provided between the cascade connection point and the reference potential point.
  • a trap circuit composed of a series resonance circuit is provided between the cascade connection point and the reference potential point.
  • a dual gate MOSFET structure In order to realize such a cascade amplifier configuration with a semiconductor integrated circuit such as a CMOS, it is preferable to use a dual gate MOSFET structure.
  • the inductor of the amplification stage may be designed so as to increase the gain.
  • the amplifying part may be formed in a complementary metal oxide semiconductor.
  • the amplification unit has a plurality of amplification stages. That is, when the amplification unit has a cascade amplifier configuration, the number of stages of the cascade amplifier is preferably a plurality of stages. In this case, it is possible to employ a configuration in which a gain suppression unit is provided in the first amplification stage with an emphasis on linearity (linearity), and gain is provided to at least one amplification stage other than the first stage with emphasis on noise performance. It can also be set as the structure provided with a suppression part.
  • a gain suppression unit in the first amplification stage and also provide a gain suppression unit in at least one amplification stage other than the first stage.
  • at least one of the gain suppression unit provided in the first amplification stage and the gain suppression unit provided in at least one amplification stage other than the first stage is selectively connected to the gain suppression unit.
  • a switch that enables use may be provided. By doing so, it is possible to selectively use the one provided with the switches of the first-stage gain suppression section and the gain suppression sections other than the first-stage.
  • the first-stage gain suppression unit and the gain suppression units other than the first stage can be used properly.
  • the transmission processing unit and the reception processing unit may be coupled by a waveguide made of a dielectric material. That is, the transmission processing unit or the reception processing unit for each channel is arranged in either the first communication device or the second communication device so that multi-channel transmission can be performed, and between the first communication device and the second communication device. They are coupled by a waveguide.
  • the waveguide can be made of a dielectric material such as a magnetic material or plastic. Particularly, a material made of a dielectric material is flexible, inexpensive, easy to obtain, and easy to manufacture. Is preferred. This is applicable regardless of whether full duplex bidirectional communication is applied or unidirectional duplex communication is applied.
  • a waveguide made of a dielectric or a magnetic material is arranged in a housing, and communication is performed.
  • communication is performed.
  • communication of a high-frequency signal transmitted through the waveguide is established.
  • intra-device communication or inter-device communication is realized by reducing high-speed data transmission, multipath, transmission degradation, unnecessary radiation, and the like. This is applicable regardless of whether full duplex bidirectional communication is applied or unidirectional duplex communication is applied.
  • the arrangement of the waveguide and the transmission line coupling part (also referred to as a transmission structure having a high-frequency signal transmission function, also called a coupler) specifies the pin arrangement and the contact position like a connector of electric wiring.
  • a considerable degree of error can be tolerated. Since the loss of electromagnetic waves can be reduced compared to a wireless connection, the power of the transmitter can be reduced, the configuration on the receiving side can be simplified, and radio wave interference from outside the device, and conversely, radiation outside the device can be avoided. It can also be suppressed.
  • the transmission target signal is converted into a high-frequency signal such as a millimeter wave band and transmitted, high-speed transmission is possible, and by using a waveguide, coupling is good and power consumption is small because loss is small.
  • a readily available dielectric such as plastic can be used as the waveguide, and the signal transmission device and the electronic device can be configured at low cost. Since the high-frequency signal is confined in the waveguide, the influence of multipath is small and the problem of EMC is small.
  • signal transmission uses high-frequency signals in the frequency band of radio waves without using electrical wiring or light, wireless communication technology can be applied, and the difficulties in using electrical wiring can be eliminated, and light is used.
  • a signal interface can be constructed with a simpler and less expensive configuration than the case. This is more advantageous than using light in terms of size and cost.
  • signal transmission mainly uses a carrier frequency in the millimeter wave band (wavelength is 1 to 10 millimeters).
  • the millimeter wave band not only in the millimeter wave band, but in the vicinity of the millimeter wave band such as a sub-millimeter wave band (wavelength is 0.1 to 1 millimeter) or a longer wavelength centimeter wave band (wavelength is 1 to 10 centimeters).
  • the present invention can also be applied to the case where the carrier frequency is used.
  • submillimeter wave band to millimeter wave band, millimeter wave band to centimeter wave band, or submillimeter wave band to millimeter wave band to centimeter wave band may be used. If the millimeter wave band or the vicinity thereof is used for signal transmission, it is not necessary to interfere with other electric wiring, and it is necessary to take EMC measures as when electric wiring (for example, flexible printed wiring) is used for signal transmission.
  • millimeter-wave band or the vicinity thereof allows a higher data rate than when using electrical wiring (for example, flexible printed wiring). Therefore, high-speed image signals such as high-definition and high-speed frame rate can be used. -Can easily handle high data rate transmission.
  • FIG. 1 to FIG. 3B are diagrams for explaining the signal interface of the signal transmission device and the electronic apparatus according to the present embodiment from the functional configuration side.
  • FIG. 1 shows an overall outline of a signal transmission device or electronic device
  • FIG. 2 shows a specific example of the signal transmission device or electronic device
  • FIGS. 3A and 3B show functional blocks of the signal transmission device.
  • FIG. 1 shows an overall outline of a signal transmission device or electronic device
  • FIG. 2 shows a specific example of the signal transmission device or electronic device
  • FIGS. 3A and 3B show functional blocks of the signal transmission device.
  • the signal transmission device 1 includes two electronic devices 8 (first electronic device 8_1 and second electronic device 8_2) and a high-frequency signal waveguide 308_31. Intra-device communication and inter-device communication via 308 are possible.
  • a substrate 102_2 is provided.
  • both one-way communication via the high-frequency signal waveguide 308_11 and one-way communication via the high-frequency signal waveguide 308_12 are combined between the semiconductor chip 103_1 and the semiconductor chip 103_2. Communication is possible.
  • one-way communication is possible between the semiconductor chip 103_1 and the semiconductor chip 103_3 via the high-frequency signal waveguide 308_13, and the semiconductor chip 103_2 and the semiconductor chip 103_4 are connected to each other.
  • Unidirectional communication via the high-frequency signal waveguide 308_14.
  • the second electronic device 8_2 includes a substrate 202_1 on which two semiconductor chips 203 (semiconductor chip 203_1 and semiconductor chip 203_2) are mounted, and a substrate 202_2 on which two semiconductor chips 203 (semiconductor chip 203_3 and semiconductor chip 203_4) are mounted. And are provided.
  • both one-way communication via the high-frequency signal waveguide 308_21 and one-way communication via the high-frequency signal waveguide 308_22 are combined between the semiconductor chip 203_1 and the semiconductor chip 203_2. Communication is possible.
  • one-way communication is possible between the semiconductor chip 203_1 and the semiconductor chip 203_3 via the high-frequency signal waveguide 308_23, and the semiconductor chip 203_2 and the semiconductor chip 203_4 are connected to each other.
  • Unidirectional communication via the high-frequency signal waveguide 308_24 is possible.
  • bidirectional communication is possible between the semiconductor chip 103_2 and the semiconductor chip 203_2 via the high-frequency signal waveguide 308_31.
  • the first electronic device 8_1 and the second electronic device 8_2 can be collectively accommodated in one housing and configured as one electronic device 8_3 to perform in-device communication.
  • FIG. 1B shows functional blocks when communication is performed between the first communication device 100 and the second communication device 200 via the high-frequency signal waveguide 308.
  • a system that performs full-duplex bidirectional communication (Full-duplex) between the semiconductor chip 103_2 and the semiconductor chip 203_2 via the high-frequency signal waveguide 308_31 is shown.
  • the first communication device 100 (semiconductor chip 103_2) and the second communication device 200 (semiconductor chip 203_2) are provided with, for example, a data transmission / reception unit, a signal conversion unit, and a high-frequency signal input / output unit.
  • the signal transmission device 1 including the high-frequency signal waveguide 308 and a plurality of communication devices electromagnetically coupled to the high-frequency signal waveguide 308, a plurality of transmission paths (communication channels) are provided in the high-frequency signal waveguide 308 between the communication devices. And bidirectional multiple transmission between communication devices.
  • one transmission path may be provided in one high-frequency signal waveguide 308, that is, another high-frequency signal waveguide 308 may be used for each communication channel.
  • FIG. 2B described later a configuration in which one-way duplex communication (Simplex) is performed between communication devices may be employed. For example, in FIG.
  • FIG. 2 shows an outline of the signal transmission device 1 when a video camera is used as the first electronic device 8_1 and a display device having a display device such as a liquid crystal or an organic EL is used as the second electronic device 8_2.
  • the first communication device 100 is shown detached from the video camera
  • the second communication device 200 is shown detached from the display device.
  • Image information of a subject imaged by the video camera (electronic device 8_1) is converted into a millimeter-wave band high-frequency signal by the first communication device 100, and the first information on the display device (electronic device 8_2) side through the high-frequency signal waveguide 308_31. 2 is transmitted to the communication device 200.
  • the second communication device 200 demodulates the received millimeter-wave band high-frequency signal, reproduces the image information of the subject, and supplies the image information to the display device. Thereby, the image of the subject imaged by the video camera is displayed on the display device.
  • FIG. 3A and 3B show details of a functional block diagram of the signal transmission device 1.
  • FIG. 3A shows a configuration example in the case of full duplex bidirectional communication
  • FIG. 3B shows a configuration example in the case of unidirectional duplex communication.
  • the transmission system is shown in detail in the first communication device 100
  • the reception system is shown in detail in the second communication device 200.
  • the signal transmission device 1 includes a first communication device 100 that is an example of a first wireless device and a second communication device 200 that is an example of a second wireless device via a signal transmission path 9 (for example, a high-frequency signal waveguide 308).
  • a signal transmission path 9 for example, a high-frequency signal waveguide 308.
  • a high-frequency signal for example, a millimeter wave band
  • the first communication device 100 is provided with a semiconductor chip 103 that supports transmission / reception in the millimeter wave band
  • the second communication device 200 is provided with a semiconductor chip 203 that supports transmission / reception in the millimeter wave band.
  • the signals to be communicated in the millimeter wave band are only signals that require high speed and large capacity, and other signals that can be regarded as direct current, such as a power source that is sufficient at low speed and small capacity, and a power source. Not converted to millimeter wave signal. Signals (including power supplies) that are not converted into millimeter wave signals are connected in the same manner as before.
  • the original electrical signals to be transmitted before being converted into millimeter waves are collectively referred to as baseband signals.
  • Each signal generation unit to be described later is an example of a millimeter wave signal generation unit or an electric signal conversion unit.
  • the semiconductor chip 103 includes an LSI function unit 104, which is an example of a pre-stage signal processing unit, a signal generation unit 107_1 for transmission processing (an example of a transmission processing unit TX that performs transmission processing by converting a transmission target signal into a high-frequency signal), and reception.
  • This is an LSI (Large Scale Integrated Circuit) integrated with a processing signal generation unit 207_1 (an example of a reception processing unit RX that performs reception processing for converting a received high-frequency signal into a transmission target signal).
  • the LSI function unit 104 is responsible for main application control of the first communication device 100 and includes, for example, a circuit that processes various signals desired to be transmitted to the other party and a circuit that processes various signals received from the other party. .
  • the LSI function unit 104, the signal generation unit 107_1, and the signal generation unit 207_1 may have different configurations, or any two of them may be integrated.
  • the semiconductor chip 103 is connected to the transmission line coupling unit 108.
  • a configuration in which the transmission line coupling unit 108 is built in the semiconductor chip 103 can also be adopted.
  • a location where the transmission path coupling unit 108 and the signal transmission path 9 are coupled (that is, a portion where a radio signal is transmitted) is a transmission location or a reception location, and typically an antenna corresponds to these.
  • a semiconductor chip 203 and a transmission path coupling unit 208 that support transmission / reception in the millimeter wave band are mounted on a substrate 202.
  • the semiconductor chip 203 is connected to the transmission line coupling unit 208.
  • a configuration in which the transmission line coupling unit 208 is built in the semiconductor chip 203 can also be adopted.
  • the transmission line coupling unit 208 is the same as the transmission line coupling unit 108.
  • the semiconductor chip 203 is an LSI in which an LSI function unit 204, which is an example of a post-stage signal processing unit, a signal processing unit 207_2 for reception processing, and a signal generation unit 107_2 for transmission processing are integrated.
  • the LSI function unit 204, the signal generation unit 107_2, and the signal generation unit 207_2 may have different configurations, or any two of them may be integrated.
  • the transmission path coupling unit 108 and the transmission path coupling unit 208 electromagnetically couple a high frequency signal (millimeter wave band electrical signal) to the signal transmission path 9.
  • a high frequency signal millimeter wave band electrical signal
  • an antenna structure including an antenna coupling unit, an antenna terminal, an antenna, and the like. Applies.
  • a transmission line itself such as a microstrip line, a strip line, a coplanar line, or a slot line may be used.
  • the signal generation unit 107_1 has a transmission side signal generation unit 110 for converting a signal from the LSI function unit 104 into a millimeter wave signal and performing signal transmission control via the signal transmission path 9.
  • the signal generation unit 207_1 includes a reception-side signal generation unit 220 for performing signal reception control via the signal transmission path 9.
  • the signal generation unit 107_2 includes a transmission-side signal generation unit 110 that converts a signal from the LSI function unit 204 into a millimeter wave signal and performs signal transmission control via the signal transmission path 9.
  • the signal generation unit 207_2 includes a reception-side signal generation unit 220 for performing signal reception control via the signal transmission path 9.
  • the transmission side signal generation unit 110 and the transmission path coupling unit 108 constitute a transmission system (transmission unit: transmission side communication unit).
  • the reception side signal generation unit 220 and the transmission path coupling unit 208 constitute a reception system (reception unit: reception side communication unit).
  • the transmission-side signal generation unit 110 performs signal processing on the input signal to generate a millimeter wave signal, a multiplexing processing unit 113, a parallel-serial conversion unit 114 (PS conversion unit), a modulation function unit (modulation unit 115, Frequency converter 116) and amplifier 117.
  • the amplifying unit 117 is an example of an amplitude adjusting unit that adjusts and outputs the magnitude of an input signal.
  • the modulation unit 115 and the frequency conversion unit 116 may be combined into a so-called direct conversion system. By using the direct conversion method, wide bandwidth transmission (Wide bandwidth) can be achieved and the circuit configuration is small and simple (Small and simple circuits).
  • the multiplexing processing unit 113 performs time division multiplexing, frequency division multiplexing, code processing, when there are a plurality of types (N1) of signals to be communicated in the millimeter wave band among the signals from the LSI function unit 104.
  • multiplexing processing such as division multiplexing, a plurality of types of signals are combined into one system signal. For example, a plurality of types of signals that are required to be high speed and large capacity are collected into one system of signals as targets of transmission using millimeter waves.
  • the parallel-serial conversion unit 114 converts a parallel signal into a serial data signal and supplies it to the modulation unit 115.
  • the modulation unit 115 modulates the transmission target signal and supplies it to the frequency conversion unit 116.
  • the parallel-serial conversion unit 114 is provided in the case of the parallel interface specification using a plurality of signals for parallel transmission when this configuration example is not applied, and is not required in the case of the serial interface specification.
  • the modulation unit 115 may basically be any unit that modulates at least one of amplitude, frequency, and phase with a transmission target signal, and any combination of these may be employed.
  • analog modulation methods include amplitude modulation (AM) and vector modulation, for example.
  • vector modulation frequency modulation (FM) and phase modulation (PM) Modulation).
  • AM amplitude modulation
  • FM frequency modulation
  • PM phase modulation
  • ASK Amplitude shift keying
  • FSK frequency shift keying
  • PSK phase shift keying
  • APSK amplitude phase modulation
  • QAM Quadrature amplitude modulation
  • a method that can adopt the synchronous detection method on the receiving side is adopted.
  • the frequency conversion unit 116 converts the frequency of the transmission target signal after being modulated by the modulation unit 115 to generate a millimeter-wave electrical signal (high frequency signal) and supplies the generated signal to the amplification unit 117.
  • a millimeter-wave electrical signal refers to an electrical signal having a frequency in the range of approximately 30 GHz to 300 GHz.
  • the term “substantially” may be a frequency at which the effect of millimeter wave communication can be obtained, and the lower limit is not limited to 30 GHz, and the upper limit is not limited to 300 GHz.
  • the frequency conversion unit 116 for example, a configuration including a frequency mixing circuit (mixer circuit) and a local oscillation circuit may be employed.
  • the local oscillation circuit generates a carrier wave (carrier signal, reference carrier wave) used for modulation.
  • the frequency mixing circuit multiplies (modulates) the millimeter-wave band carrier wave generated by the local oscillation circuit with the signal from the parallel-serial conversion unit 114 to generate a millimeter-wave band transmission signal and supplies it to the amplification unit 117.
  • the amplifying unit 117 amplifies the millimeter-wave electrical signal after frequency conversion and supplies the amplified signal to the transmission line coupling unit 108.
  • the amplifying unit 117 is connected to the bidirectional transmission path coupling unit 108 via an antenna terminal (not shown), for example.
  • the transmission line coupling unit 108 transmits the millimeter-wave high-frequency signal generated by the transmission-side signal generation unit 110 to the signal transmission line 9.
  • the transmission path coupling unit 108 is configured by an antenna coupling unit, for example.
  • the antenna coupling unit constitutes an example or a part of the transmission path coupling unit 108 (signal coupling unit).
  • the antenna coupling part means a part for coupling an electronic circuit in a semiconductor chip and an antenna arranged inside or outside the chip in a narrow sense, and in a broad sense, a signal coupling between the semiconductor chip and the signal transmission path 9.
  • the antenna coupling unit includes at least an antenna structure.
  • the antenna structure refers to a structure at an electromagnetic (electromagnetic field) coupling portion with the signal transmission path 9, as long as it can couple an electric signal in the millimeter wave band to the signal transmission path 9, and means only the antenna itself. Not what you want.
  • the reception-side signal generation unit 220 performs signal processing on the millimeter-wave electrical signal received by the transmission path coupling unit 208 to generate an output signal, so as to generate an amplification unit 224, a demodulation function unit (frequency conversion unit 225, demodulation unit 226). ), A serial / parallel conversion unit 227 (SP conversion unit), and a unification processing unit 228.
  • the amplifying unit 224 is an example of an amplitude adjusting unit that adjusts and outputs the magnitude of an input signal.
  • the frequency conversion unit 225 and the demodulation unit 226 may be combined into a so-called direct conversion system.
  • the demodulation carrier signal may be generated by applying an injection locking method.
  • a reception-side signal generation unit 220 is connected to the transmission line coupling unit 208.
  • the receiving-side amplifying unit 224 is connected to the transmission line coupling unit 208, amplifies the millimeter-wave electrical signal received by the antenna, and supplies the amplified signal to the frequency converting unit 225.
  • the frequency converter 225 performs frequency conversion on the amplified millimeter-wave electrical signal and supplies the frequency-converted signal to the demodulator 226.
  • the demodulator 226 demodulates the frequency-converted signal, acquires a baseband signal, and supplies the baseband signal to the serial-parallel converter 227.
  • the serial / parallel conversion unit 227 converts serial reception data into parallel output data and supplies the parallel output data to the unification processing unit 228. Similar to the parallel-serial conversion unit 114, the serial-parallel conversion unit 227 is provided in the case of a parallel interface specification using a plurality of signals for parallel transmission when this configuration example is not applied. When the original signal transmission between the first communication device 100 and the second communication device 200 is in a serial format, the parallel / serial conversion unit 114 and the serial / parallel conversion unit 227 may not be provided.
  • the input signal is parallel-serial converted and transmitted to the semiconductor chip 203 side, and received from the semiconductor chip 203 side.
  • the number of signals subject to millimeter wave conversion is reduced by serial-parallel conversion of the signals.
  • the unification processing unit 228 corresponds to the multiplexing processing unit 113, and separates signals collected in one system into a plurality of types of signals_n (n is 1 to N). For example, a plurality of data signals collected in one system of signals are separated and supplied to the LSI function unit 204.
  • the LSI function unit 204 is responsible for main application control of the second communication device 200, and includes, for example, a circuit for processing various signals received from the other party.
  • the LSI function unit 104 to the parallel / serial conversion unit 114 of the signal generation unit 107 and the LSI function unit 204 to the serial / parallel conversion unit 227 correspond to the data transmission / reception unit.
  • the modulation unit 115 to the amplification unit 117 or the amplification unit 224 to the demodulation unit 226 corresponds to the high frequency signal conversion unit.
  • the transmission path coupling unit 108 and the transmission path coupling unit 208 correspond to the high frequency signal input / output unit.
  • the signal transmission device 1 of the present embodiment may further include a parameter setting function.
  • the first communication device 100 includes a first set value processing unit 7100
  • the second communication device 200 includes a second set value processing unit 7200. It is assumed that the transmission characteristics between transmission and reception are known.
  • each signal processing unit (in this example, the signal generation unit 107 and the signal generation unit 207) performs predetermined signal processing based on the set value.
  • the set value processing unit inputs a predetermined set value for signal processing to the signal processing unit.
  • the set value is not limited to the set value corresponding to the transmission characteristics and the signal transmission within the apparatus or between the apparatuses, and includes, for example, the parameter setting for correcting the variation of the circuit elements.
  • the setting value processing unit preferably has a predetermined setting value for signal processing corresponding to the transmission characteristics between the transmission unit and the reception unit. Is preferably input to the signal processing unit.
  • a setting value that defines the operation of the signal processing unit in an environment where transmission conditions between transmission and reception do not substantially change that is, is fixed). Can be operated without any inconvenience even if is treated as a fixed value, that is, even if the parameter setting is fixed.
  • the setting value for signal processing is set to a predetermined value (that is, a fixed value), it is not necessary to dynamically change the parameter setting, so that the parameter calculation circuit can be reduced and the power consumption can be reduced. .
  • the communication environment is fixed, so various circuit parameters that depend on the communication environment can be determined in advance, and in environments where transmission conditions are fixed.
  • the setting value that defines the operation of the signal processing unit is treated as a fixed value, that is, even if the parameter setting is fixed, the signal processing unit can be operated without any inconvenience. For example, by obtaining optimum parameters at the time of factory shipment and holding the parameters inside the apparatus, it is possible to reduce the parameter calculation circuit and power consumption.
  • signal processing parameter settings there are various signal processing parameter settings. For example, there is gain setting (signal amplitude setting) of a signal amplifying unit (amplitude adjusting unit).
  • the signal amplification unit is used, for example, for transmission power setting, reception level setting input to the demodulation function unit, automatic gain control (AGC), and the like.
  • the signal processing unit includes an amplitude adjustment unit that performs signal processing for adjusting the magnitude of the input signal and outputting the adjusted signal, and the set value processing unit adjusts the magnitude of the input signal. Is input to the amplitude adjustment unit.
  • Another example of signal processing parameter setting is setting of a phase adjustment amount. For example, in a system in which a carrier signal and a clock are separately sent, the phase is adjusted according to the delay amount of the transmission signal.
  • the signal processing unit has a phase adjustment unit that performs signal processing to adjust the phase of the input signal and output the adjusted signal
  • the set value processing unit is for adjusting the phase of the input signal. Input the set value to the phase adjuster.
  • This phase adjustment amount setting may be combined with the above gain setting.
  • Other examples of signal processing parameter settings include the setting of frequency characteristics when the amplitude of the low-frequency component and high-frequency component is previously emphasized on the transmission side, and the setting of the echo cancellation amount when performing bidirectional communication.
  • there is a setting of the amount of cancellation of crosstalk when the transmission unit and the reception unit each have a plurality of antennas and spatial multiplexing communication is performed between transmission and reception.
  • signal processing parameter setting for demodulation in synchronization with a modulation carrier signal (modulated carrier signal) generated by a carrier signal generator on the transmission side by an injection locking method based on a received signal Setting of the amplitude value (injection amount) and phase shift amount of the injection signal when generating the carrier signal (demodulation carrier signal), or the correction amount of the phase difference between the received signal and the demodulation carrier signal input to the demodulation function unit is there.
  • the signal transmission path 9 that is a millimeter wave propagation path may be configured as a free space transmission path, for example, to propagate the space in the housing or between the electronic devices, but in this embodiment, preferably, a waveguide,
  • a high-frequency signal waveguide 308 having a characteristic of efficiently transmitting an electromagnetic wave in a millimeter wave band is configured by a waveguide structure such as a transmission line, a dielectric line, or a dielectric, and is confined in the transmission line.
  • a dielectric waveguide including a dielectric material having a specific dielectric constant in a certain range and a dielectric loss tangent in a certain range may be used.
  • the dielectric waveguide may be, for example, the circuit board itself, may be disposed on the board, or may be embedded in the board.
  • polystyrene and other plastics having a predetermined length and a predetermined width can be used as the dielectric material, and the dielectric waveguide can be configured at low cost.
  • the signal transmission path 9 (high-frequency signal waveguide 308) can be made of a magnetic material instead of the dielectric material.
  • the shielding member, reflecting member, or absorbing member for the surroundings of the signal transmission path 9 except the transmitting and receiving points (for example, the upper surface, the lower surface, and the side surfaces, except for the portions corresponding to the transmitting points and receiving points).
  • the transmitting and receiving points for example, the upper surface, the lower surface, and the side surfaces, except for the portions corresponding to the transmitting points and receiving points.
  • it may be surrounded by a shielding material (for example, using a metal member including metal plating) so as not to be affected by unnecessary electromagnetic waves from the outside or from leaking millimeter waves from the inside.
  • a metal member When a metal member is used as a shielding material, it also functions as a reflecting material. Therefore, by using a reflection component, it is expected that the reflected wave can be used for transmission / reception and the sensitivity is improved.
  • the periphery of the signal transmission line 9 other than the transmission / reception part may be left open, or an absorption member (radio wave absorber) that absorbs millimeter waves may be disposed.
  • the radio wave absorber When the radio wave absorber is used, the reflected wave cannot be used for transmission / reception, but the radio wave leaking from the side surface can be absorbed, so that leakage to the outside can be prevented, and the signal transmission path 9 Multiple reflection levels can be lowered.
  • the signal transmission path 9 that is a millimeter-wave transmission channel is one-line bidirectional transmission (one-core).
  • TDD time division duplex
  • FDD frequency division duplex
  • FDM frequency division multiplexing
  • 3A applies full duplex bidirectional communication by frequency division duplex (FDD) in which the frequency band used for communication is divided in half and communication is performed using different frequencies for transmission and reception. It becomes the composition to do.
  • FDD frequency division duplex
  • the signal generator 107_1 and the signal generator 207_1 are paired or the signal generator 107_2 and the signal generator 207_2 are paired, as shown in FIG. The corresponding configuration.
  • the signal generation unit 107 and the signal generation unit 207 used in the present embodiment are higher in frequency than the frequency used by complicated transmitters and receivers generally used in broadcasting and wireless communication. Since the wavelength ⁇ is short and the wavelength ⁇ is short, the frequency can be easily reused, and the one suitable for communication between many devices arranged in the vicinity is used.
  • the first communication device 100 and the second communication device 200 may be used for low-speed and small-capacity signals.
  • an interface (connection by a terminal / connector) using a conventional electric wiring is provided in part.
  • the signal generation unit 107 is an example of a signal processing unit that performs predetermined signal processing based on setting values (parameters).
  • the signal generation unit 107 performs signal processing on an input signal input from the LSI function unit 104 and performs millimeter processing. Generate a wave signal.
  • the signal generation unit 107 and the signal generation unit 207 are connected to the transmission line coupling unit 108 through transmission lines such as a microstrip line, a strip line, a coplanar line, and a slot line, and the generated millimeter wave signal is coupled to the transmission line.
  • the signal is supplied to the signal transmission line 9 via the unit 108.
  • the transmission path coupling unit 108 has an antenna structure, for example, and has a function of converting a transmitted millimeter wave signal into an electromagnetic wave and transmitting the electromagnetic wave.
  • the transmission path coupling unit 108 is electromagnetically coupled to the signal transmission path 9, and an electromagnetic wave converted by the transmission path coupling unit 108 is supplied to one end of the signal transmission path 9.
  • the other end of the signal transmission path 9 is coupled to the transmission path coupling unit 208 on the second communication device 200 side.
  • the transmission path coupling unit 208 receives the electromagnetic wave transmitted to the other end of the signal transmission path 9, converts it to a millimeter wave signal, and supplies it to the signal generation unit 207 (baseband signal generation unit).
  • the signal generation unit 207 is an example of a signal processing unit that performs predetermined signal processing based on a set value (parameter).
  • the converted millimeter wave signal is subjected to signal processing and an output signal (base Band signal) is generated and supplied to the LSI function unit 204.
  • base Band signal base Band signal
  • FIG. 4 is a diagram for explaining the cause of mutual interference.
  • FIG. 4A shows ideal gain characteristics of the amplifier (amplifier circuit), and FIGS. 4B and 4C show realistic gain characteristics.
  • the horizontal axis represents the frequency expressed in gigahertz (GHz), and the vertical axis represents the gain expressed in decibels (dB) (the same applies to the gain characteristic diagram).
  • the amplification unit is configured to amplify the signal of the desired channel (frequency band of the desired wave) with resonance, and gain characteristics (gain frequency of the amplification unit when tuned to the desired wave (carrier frequency F C ) Characteristic), in other words, the characteristic diagram showing the frequency selection characteristic is ideally symmetrical between the low frequency side and the high frequency side with respect to the peak point, as shown in FIG. Gain attenuation is vertically symmetrical.
  • the characteristic that the low frequency side is higher in gain than the high frequency side, that is, the low frequency side is more gain attenuation than the high frequency side.
  • FIG. 4B the characteristic that the low frequency side is higher in gain than the high frequency side, that is, the low frequency side is more gain attenuation than the high frequency side.
  • the high frequency side is higher in gain than the low frequency side, that is, the high frequency side is lower than the low frequency side. May have asymmetry so that the gain attenuation is inferior.
  • the adjacent channel component carrier frequency F D
  • the adjacent channel component carrier frequency F U
  • the adjacent channel component is demodulated, which causes so-called mutual interference. For example, when the transmission level and the reception level of each channel are the same, the adjacent channel component is demodulated with the gain characteristics shown in FIGS. 4B and 4C.
  • the gain frequency characteristic (gain characteristic) of the amplifying unit is substantially symmetric so that the attenuation degree of the gain frequency characteristic is not insufficient with respect to any of the lower adjacent channel and the upper adjacent channel.
  • the high frequency side has a higher gain characteristic than the low frequency side, that is, the high frequency side has a gain attenuation characteristic than the low frequency side.
  • the low frequency side has a higher gain characteristic than the high frequency side, that is, the low frequency side has a lower gain attenuation than the high frequency side. May be indicated.
  • the Q factor (Quality factor) is used when the amplifier has tuning characteristics (frequency selectivity for its own channel). : Resonance performance) is due to having frequency characteristics, and in many cases, the degree of decrease in the Q value on the high frequency side is increased. For example, as the Q value decreases, the peak gain decreases, the bandwidth increases, the overall gain attenuation becomes moderate, and when the Q value decrease is strong on the high frequency side, The gain attenuation on the side becomes gentler than that on the low frequency side (see low-noise amplifier 400_1 described later).
  • FIG. 5A is a diagram for explaining a countermeasure method in the case where there is an asymmetry in which the high frequency side has higher gain than the low frequency side
  • FIG. It is a figure explaining the countermeasure method in the case of the asymmetry which becomes a higher gain feeling than the high region side
  • FIG. 6 is a diagram for explaining a method for determining the necessity of the gain suppression unit and the gain suppression unit for suppressing the gain for which channel when the total number of channels is 2.
  • the mutual interference countermeasure method of the first example of the present embodiment is based on the assumption that the naked gain characteristic of the amplifying unit has an asymmetry.
  • a gain suppression unit gain suppression circuit, interference wave removal circuit
  • the gain suppression unit is an asymmetry of the gain frequency characteristic of the adjacent channel when the amplification unit has an asymmetric characteristic in which either the high band side or the low band side has a higher gain than the other centering on the own channel. The gain for the one located on the higher gain side is suppressed.
  • the bare gain frequency characteristic is such that either the high band side or the low band side centered on its own channel is gain attenuation than the other.
  • the gain suppression unit suppresses the gain of the adjacent channel located on the side where the asymmetric gain attenuation is inferior. Since it is possible to take advantage of the asymmetrical gain characteristics of the amplifying unit, the configuration of the device and the circuit can be simplified as compared with the case where the gain suppressing unit is provided for both the lower adjacent channel and the upper adjacent channel.
  • the countermeasure method of the first example “use the gain characteristic asymmetry (effectively)” means to compensate for the deficiency of the desired wave in order to compensate for the shortage of attenuation due to the asymmetry of the bare gain frequency characteristic.
  • the gain suppression unit is mounted on the amplification unit for only one of the interference channels on the low frequency side and the high frequency side.
  • a signal suppression unit is used instead of the suppression unit, and is characterized in that "amplification unit compensates for the deficiency in attenuation due to the asymmetry of the gain characteristic of the amplification unit", and the signal suppression unit is arranged outside the amplification unit. The method is not adopted. A method of arranging the signal suppression unit outside the amplification unit will be described in the countermeasure method of the second example.
  • the desired channel signal (carrier frequency F C )
  • an attenuation frequency also referred to as a trap position
  • the side adjacent channel signal carrier frequency F D
  • the lower adjacent channel signal can be attenuated.
  • the lower adjacent channel component can be reduced below the reception limit level, and the lower adjacent channel component is not demodulated, thereby preventing mutual interference.
  • the upper side of the desired channel signal (carrier frequency F C )
  • the upper adjacent channel signal can be attenuated.
  • the upper adjacent channel component can be reduced below the reception limit level, and the upper adjacent channel component is not demodulated, thereby preventing mutual interference.
  • the trap position may be slightly shifted as long as the shortage of the gain attenuation degree of the bare gain characteristic of the amplification unit can be compensated.
  • the “gain suppression unit” an element that does not ideally exhibit attenuation for a desired wave component but ideally exhibits large attenuation for an interference wave (undesired wave) component.
  • the impedance is zero for the desired wave component and does not exhibit attenuation, but ideally an infinite impedance for the disturbing wave component
  • a large and large damping material is preferable.
  • the desired wave component is ideally infinite and exhibits attenuation. Rather, it is ideal that the impedance is zero and exhibits a great attenuation with respect to the interference wave component.
  • the “trap circuit” a circuit constituted by a series resonance circuit or parallel resonance circuit of an inductor (inductive element) and a capacitor (capacitance element), or a circuit related to any combination thereof (series-parallel resonance circuit) can be used. Which one can be used depends on the configuration of the amplification unit to which the gain suppression unit is added.
  • the circuit constant is set so as to attenuate the interference wave component by matching the trap position with the interference wave component such as the adjacent channel signal with respect to the desired channel signal.
  • a series resonant circuit or a parallel resonant circuit has a simple configuration, but because the Q value of the trap circuit is set by the balance between the inductor and the capacitor, the width of the trap band cannot be made too narrow, and the constant variation, etc. In some cases, it is difficult to attenuate only the adjacent channel signal located in the vicinity of the desired wave channel signal.
  • the trap characteristic is sufficient to compensate for the insufficient attenuation of the gain characteristic of the amplification section, and a simple series resonance circuit or parallel resonance circuit is sufficient for the attenuation amount. .
  • FIG. 6 it is assumed that the total number of channels is 2, and the relationship between the combinations of FIGS. 5A, 5B, and the combinations of FIGS. 5A and 5B.
  • a method for determining whether or not a gain suppression unit (for example, a trap circuit) is necessary and which channel is to be used as a gain suppression unit for suppressing the gain is shown.
  • the low-frequency side channel having a low carrier frequency is defined as a low-frequency channel (carrier frequency F C1 )
  • the high-frequency channel having a high carrier frequency is defined as a high-frequency channel (carrier frequency F C2 ).
  • the first example shown in FIG. 6A is a diagram for explaining the first case described in the overall outline.
  • the gain gain characteristic of the amplifying unit is less in the gain attenuation degree on the low frequency side than on the high frequency side with respect to the own channel. Therefore, it is necessary to provide a gain suppression unit that suppresses gain with respect to the low frequency channel in the amplification unit for the high frequency channel.
  • the total number of channels is 2, it is not necessary to provide a gain suppressing unit for suppressing the gain for the lower adjacent channel (carrier frequency F D ) in the amplifying unit for the low frequency channel.
  • the amplification unit for the high frequency channel has a sufficient degree of gain attenuation with respect to the upper adjacent channel (carrier frequency F U ), and there is no need to provide a gain suppression unit therefor.
  • the second example shown in FIG. 6B is a diagram for explaining the second case described in the overall outline.
  • the gain gain characteristic of the amplifying unit is less in the gain attenuation degree on the high frequency side than on the low frequency side with respect to the own channel. Therefore, it is necessary to provide a gain suppression unit that suppresses the gain of the high frequency channel in the low frequency channel amplification unit.
  • the total number of channels is 2, it is not necessary to provide a gain suppression unit that suppresses gain for the upper adjacent channel (carrier frequency F U ) in the high-frequency channel amplification unit.
  • the amplifying unit for the low-frequency channel has a sufficient degree of gain attenuation with respect to the lower adjacent channel (carrier frequency F D ), and there is no need to provide a gain suppressing unit therefor.
  • the third example shown in FIG. 6C is a diagram for explaining the third case described in the overall outline.
  • the bare gain frequency characteristic of the amplification unit for the low-frequency channel is such that the high-frequency side centering on the own channel has a lower degree of gain attenuation than the low-frequency side.
  • the low-frequency side centering on its own channel has a lower gain attenuation than the high-frequency side.
  • the amplifying unit for the high frequency channel has a sufficient attenuation degree of gain with respect to the upper adjacent channel (carrier frequency F U ), and there is no need to provide a gain suppressing unit therefor.
  • the amplification unit has a sufficient gain attenuation degree with respect to the lower adjacent channel (carrier frequency F D ), and it is not necessary to provide a gain suppression unit therefor.
  • the fourth example shown in FIG. 6D is a diagram for explaining the fourth case described in the overall outline.
  • the gain frequency characteristic of the amplifying unit for the low-frequency channel is such that the low-frequency side centering on the own channel has a lower degree of gain attenuation than the high-frequency side.
  • the gain attenuation degree is insufficient on the high frequency side with respect to the own channel as compared with the low frequency side.
  • the amplifying unit for the low-frequency channel has sufficient gain attenuation with respect to the high-frequency channel without providing the gain suppression unit, and the amplifying unit for the high-frequency channel.
  • the gain suppression unit Even if the gain suppression unit is not provided, the degree of gain attenuation with respect to the low-frequency channel that is the lower adjacent channel is sufficient.
  • the total number of channels is 2, it is not necessary to provide a gain suppression unit for suppressing the gain with respect to the lower adjacent channel (carrier frequency F D ) in the amplifying unit for the low frequency channel. It is not necessary to provide the gain amplifying unit for suppressing the gain with respect to the upper adjacent channel (carrier frequency F U ).
  • the total number of channels is 2
  • the gain suppression unit (only the lower adjacent channel or the upper adjacent channel is used only by using the asymmetry of the naked gain characteristic of the amplification unit.
  • the gain suppression unit By providing a trap circuit or the like, interference problems can be suppressed (prevented) in multi-channel transmission to which frequency division multiplexing is applied. Since the influence of the interference wave can be suppressed, it is not necessary to set a frequency interval with the adjacent channel more than necessary, and the frequency can be effectively used.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a first example of a low noise amplification unit (corresponding to the amplification unit 224, which is referred to as a low noise amplifier 400 (LNA)) provided with a trap circuit as an example of a gain suppression unit.
  • LNA low noise amplifier 400
  • FIG. 7A shows a circuit configuration example of the low noise amplifier 400_1 of the first example
  • FIG. 7B shows an example of gain characteristics of the low noise amplifier 400_1 shown in FIG.
  • the low noise amplifier 400_1 of the first example has two N-channel transistors (specifically, MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) connected in cascade (cascode, cascade) and frequency selectivity to its own channel.
  • MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
  • cascade cascade
  • frequency selectivity to its own channel.
  • cascade connection means that one of the main electrode ends (drain end) of the input side transistor is directly connected to one of the main electrode ends (source end) of the output (load) side transistor. It means that.
  • the low noise amplifier 400 (including not only the low noise amplifier 400_1 but also other configuration examples described later) is, for example, a CMOS (Complementary It is realized as a silicon integrated circuit such as a metal-oxide semiconductor (complementary metal oxide semiconductor).
  • an input side transistor Q11 and a load side transistor Q12 are cascade-connected.
  • the other of the main electrode ends (source end) of the transistor Q11 is connected to a reference potential point (for example, ground).
  • the other of the main electrode ends (drain end) of the transistor Q12 is connected to the power source Vdd via the inductor L11.
  • a control input terminal (gate terminal, control gate) of the transistor Q11 is supplied with a predetermined bias voltage BIAS via an inductor L12, and is connected to an input terminal IN of the low noise amplifier 400_1 via a coupling capacitor C12.
  • the control input terminal (gate terminal, screen gate) of the transistor Q12 is connected to the power supply Vdd (AC grounded).
  • the second and third stages are almost the same as the first stage.
  • an input-side transistor Q21 and a load-side transistor Q22 are cascade-connected.
  • the other of the main electrode ends (source end) of the transistor Q21 is connected to a reference potential point (ground).
  • the other of the main electrode ends (drain end) of the transistor Q22 is connected to the power source Vdd via the inductor L21.
  • the control input terminal (gate terminal) of the transistor Q21 is supplied with a predetermined bias voltage BIAS via the resistance element R22, and is connected to the main electrode terminal of the transistor Q12 of the first stage amplifying unit 410 via the coupling capacitor C22. Connected to the other (drain end), the output signal of the first stage amplification section 410 is supplied.
  • the control input terminal (gate terminal) of the transistor Q22 is connected to the power supply Vdd.
  • an input side transistor Q31 and a load side transistor Q32 are cascade-connected.
  • the other of the main electrode ends (source end) of the transistor Q31 is connected to a reference potential point (ground).
  • the other (drain end) of the main electrode end of the transistor Q32 is connected to the power supply Vdd via the inductor L31, and the connection point between the other end (drain end) of the main electrode end of the transistor Q32 and the inductor L31 is the low noise amplifier 400_1. Is connected to the output terminal OUT.
  • the control input terminal (gate terminal) of the transistor Q31 is supplied with a predetermined bias voltage BIAS via the resistance element R32, and is connected to the main electrode terminal of the transistor Q22 of the second stage amplification unit 420 via the coupling capacitor C32. Connected to the other (drain end), the output signal of the second stage amplification section 420 is supplied.
  • the control input terminal (gate terminal) of the transistor Q32 is connected to the power supply Vdd.
  • the first-stage bias inductor L12 can be replaced with the resistor element R12 in the same manner as the second and third stages. However, when the inductor L12 is used, a peaking function (shunt peaking) that emphasizes a high frequency can be activated on the input side.
  • the amplification unit 4 in each stage includes the source ground circuit formed by the source end, the gate end, and the drain end of the input side transistor, and the source end, gate end, and drain of the output side transistor.
  • a cascade circuit is formed by vertically connecting a gate ground circuit formed at the end.
  • the amplification factors are ⁇ 1 and ⁇ 2
  • the mutual conductances are g m1 and g m2
  • the drain resistances are r d1 and r d2.
  • the ratio is ⁇ 1 ⁇ ⁇ 2
  • the output resistance is increased to ⁇ 1 times the drain resistance r d2 on the output side
  • the mutual conductance is g m2
  • the feedback capacitance is 1 / ⁇ 2 .
  • a MOSFET has a capacitance C dg between its drain and gate, and this value is generally relatively large.
  • a signal is fed back from the drain output side to the gate input side through the capacitance C dg , and parasitic oscillation is likely to occur at high frequencies.
  • the input capacitance increases equivalently due to the effect, which is not preferable.
  • a cascade circuit if a cascade circuit is used, these problems can be suppressed.
  • the output-side transistor is interposed between the gate (the gate end of the input-side transistor) and the drain (the drain end of the output-side transistor) of the cascade circuit.
  • the feedback capacity can be reduced to 1 / ⁇ 2 times.
  • the inductor L12 that applies a DC bias to the input-side transistor Q11 in the first stage is preferably configured to increase the gain. It is better to design a pattern. For example, it may be possible to pattern each inductor L with one wiring layer (for example, the first layer), but a plurality of wiring layers (for example, the first and second layers, the first to third layers, etc.) It is preferable to reduce the series resistance component of the inductor L as a whole by patterning and connecting the inductors L of each layer together (in parallel in electrical circuit).
  • the Q value of the inductor L becomes larger than that by only one wiring layer (metal layer), and the low noise amplifier 400 improves the gain at the desired frequency, that is, gain enhancement is achieved ( (See low-noise amplifier 400_4 described later).
  • the bandwidth may be narrowed by increasing the Q value, a necessary and sufficient bandwidth can be maintained.
  • the technique for increasing the gain by reducing the series resistance component of the inductor L to the low-noise amplifier 400 on the high frequency side.
  • the degree of Q value decrease on the high frequency side is strong. This is based on the fact that the gain reduction is observed in the high frequency compared to the low frequency. For example, if the signal transmission device 1 is configured to support full duplex bidirectional communication in 57 GHz band and 80 GHz band, it is not applied to the low noise amplifier 400 for 57 GHz band, but for 80 GHz band. This is applied only to the low noise amplifier 400.
  • the low noise amplifier 400_1 of the first example is characterized in that a trap circuit 601 is provided at the cascade connection point of the first stage amplification unit 410.
  • the low noise amplifier 400_1 is configured by a series resonance circuit of an inductor L13 and a capacitor C13 between a cascade connection point (denoted as a node ND1) between the transistor Q11 and the transistor Q12 and a reference potential point (ground).
  • the trap circuit 601 is provided.
  • Patterns of the inductor L13 and the capacitor C13 are set so that the constants of the inductor L13 and the capacitor C13 are set so that the resonance frequency of the series resonance circuit formed by the inductor L13 and the capacitor C13 matches the carrier frequency of the adjacent channel that becomes an interference wave. Do the design.
  • the pattern of the inductor L13 for example, it may be formed of one wiring layer (for example, the first layer), but it is formed of a plurality of wiring layers and the inductors L of the respective layers are connected together ( By connecting them in parallel, the series resistance component of the inductor L may be reduced so that the Q value becomes larger than that of only one wiring layer (metal layer).
  • the trap circuit 601 may be formed as a lumped constant circuit by forming a pattern in a coil shape regardless of whether it is a single layer or a plurality of layers, but is not limited to this, for example, a microstrip line or the like Thus, a pattern may be formed to form a distributed constant circuit. In any case, it is preferable that the capacitor C component uses the distributed capacitance when the inductor L is patterned.
  • FIG. 7B shows an example of the gain characteristic of the low noise amplifier 400_1 shown in FIG.
  • This example shows a gain characteristic example (by simulation) of the low noise amplifier 400_1 corresponding to the 57 GHz band (frequency band of the desired wave), and the case where the trap circuit 601 is not provided is indicated by a broken line, and the trap circuit 601 The case where is provided is shown by a solid line.
  • the gain characteristic in the case where the trap circuit 601 is not provided showed a characteristic that the high frequency side is higher than the low frequency side at the peak point (near 57 GHz). Has asymmetry.
  • the adjacent channel frequency on the high frequency side is not sufficiently trapped, and the frequency selectivity with respect to the adjacent channel component on the high frequency side (for example, 80 GHz band).
  • the adjacent channel component 80 GHz band
  • mutual interference the adjacent channel component (80 GHz band) is demodulated, causing so-called mutual interference.
  • the gain can be attenuated (decreased) by about 15 decibels (dB) in the illustrated example. Interference for signals leaked from the transmission system of the band to the reception system of the 57 GHz band can be reduced.
  • the first stage is most strongly affected by linearity and NF (Noise Figure).
  • providing the gain suppression unit (trap circuit 601) in the first-stage amplifying unit 410 is advantageous in terms of linearity compared to a second example described later. This is because the interference wave removal function (trap function) is activated at a stage where the signal amplitude is small.
  • the gain suppression unit (trap circuit 601) can be a noise source, and since the impedance at the desired frequency of the trap circuit 601 is not infinite, the peak gain is slightly reduced, which is disadvantageous in terms of NF.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating a circuit configuration example of a second example of the low noise amplifier 400 including the trap circuit as an example of the gain suppressing unit.
  • the low noise amplifier 400_2 of the second example is characterized in that a gain suppression unit (trap circuit) is provided in the amplification unit 4 other than the first stage.
  • the low noise amplifier 400_2 of the second example shown in the figure is provided with a trap circuit 602 at the cascade connection point of the amplification unit 420 at the second stage.
  • the low noise amplifier 400_2 includes a series resonance circuit of an inductor L23 and a capacitor C23 between a cascade connection point (denoted as a node ND2) between the transistor Q21 and the transistor Q22 and a reference potential point (ground).
  • the trap circuit 602 is provided. The rest is the same as the first example except that the trap circuit 601 is not provided.
  • the gain suppression unit (trap circuit 601) is provided in the amplification unit 4 other than the first stage, which is disadvantageous in terms of linearity compared to the first example. This is because the interference wave elimination function (trap function) is activated at a stage with a large signal amplitude.
  • the interference wave removal function (trap function) is activated except for the first stage where the degree of influence on NF is low, even if the impedance at the desired frequency of the trap circuit 602 is not infinite and the peak gain is slightly reduced, the first It is more advantageous in terms of NF than the example. Therefore, in the second example, the noise performance can be improved as compared with the first example.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating a circuit configuration example of a third example of the low noise amplifier 400 including the trap circuit as an example of the gain suppressing unit.
  • the low noise amplifier 400_3 of the third example is configured such that the low noise amplifier 400_1 of the first example and the low noise amplifier 400_2 of the second example are combined, and the operation of the gain suppression unit (trap circuit) can be switched.
  • the low-noise amplifier 400_3 of the third example uses the low-noise amplifier 400_1 of the first example and the low-noise amplifier 400_2 of the second example separately by using a switch that enables the selective use of the gain suppression unit. Is made possible.
  • the low noise amplifier 400_3 includes a transistor Q13 that functions as a changeover switch on the side opposite to the node ND1 of the trap circuit 601 and a node ND2 of the trap circuit 602 to enable / disable the trap circuit operation.
  • a transistor Q23 which functions as a changeover switch on the opposite side.
  • the transistors Q13 and Q23 are N-channel transistors (specifically, MOSFETs).
  • the transistor Q13 has one main electrode end (drain end) connected to the capacitor C13, the other main electrode end (source end) connected to a reference potential point (ground), and a switch connected to the control input end (gate end). Is supplied with a control signal CNT1 for ON / OFF control.
  • one of the main electrode ends is connected to the capacitor C23, the other of the main electrode ends (source end) is connected to a reference potential point (ground), and a switch is connected to the control input end (gate end). Is supplied with a control signal CNT2 for ON / OFF control.
  • the trap circuit 601 functions effectively because the transistor Q13 as a switch is turned on when the control signal CNT1 is at a high level, while the trap circuit 601 is provided because the transistor Q13 as a switch is turned off when the control signal CNT1 is at a low level. It will be the same as if not.
  • the control signal CNT2 is at a high level, the transistor Q23 as a switch is turned on, so that the trap circuit 602 functions effectively.
  • the control signal CNT2 is at a low level, the transistor Q23 as a switch is turned off, so a trap circuit 602 is provided. It will be the same as if not.
  • the low noise amplifier 400_3 of the third example As described above, the low noise amplifier 400_1 of the first example and the low noise amplifier 400_2 of the second example according to the usage and required specifications (whether importance on linearity or noise performance) Can be used properly. Also, by turning on both the transistor Q13 and the transistor Q23 and effectively functioning both the trap circuit 601 and the trap circuit 602, the attenuation can be made larger than when only one of them is functioning. In this case, it is possible to cope with the shortage of trap amount.
  • the first example and the second example are not simply combined, but the installation position of the trap circuit can be selectively used.
  • the first example and the second example are combined. In, this is not essential.
  • the trap circuit 601 and the trap circuit 602 may be always used based on the low noise amplifier 400_3 of the third example.
  • either the trap circuit 601 or the trap circuit 602 is always used, and only the other is provided with a switch (transistor Q13 or transistor Q23) for selective use. You may comprise.
  • the trap circuit 601 is always used as a basic configuration and the trap circuit 602 is configured to be selectively usable, it is possible to take measures against interference of adjacent channels while placing importance on linearity during normal times. In addition, the trap circuit 602 can function to cope with a shortage of traps.
  • the trap circuit 601 is used as a basic configuration in which the trap circuit 602 is always used, and the trap circuit 601 can be selectively used, the countermeasure for interference between adjacent channels is usually taken while placing importance on noise performance. In addition, it is possible to cope with a shortage of traps by causing the trap circuit 601 to function.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating a normal low noise amplifier 400_4 that does not include a trap circuit as an example of the gain suppression unit.
  • FIG. 10A illustrates a circuit configuration example of the low noise amplifier 400_4
  • FIG. 10B illustrates an example of gain characteristics of the low noise amplifier 400_4 illustrated in FIG.
  • the low noise amplifier 400_4 has a configuration including three stages of amplification units 4 in which two transistors are cascade-connected, like the low noise amplifier 400_1 having the trap circuit described above.
  • the point that the trap circuit 601 is not provided and the amplification unit 410 at the first stage is changed to the amplification unit 460 (the reference member of the constituent member is changed from the 10th to the 60th).
  • the second stage amplification section 420 is changed to the amplification section 470 (the reference of the component member is changed from the 20th to the 70th order), and the third stage amplification section 430 is changed to the amplification section 480 (the component member
  • the difference is that the reference is changed from 30 to 80.
  • FIG. 10B shows an example of the gain characteristic of the low noise amplifier 400_4 shown in FIG.
  • This example shows a gain characteristic example (by simulation) of the low noise amplifier 400_4 corresponding to the 80 GHz band (frequency band of the desired wave), and each inductor L is formed by one wiring layer (for example, the first layer). The case where this is done is shown by a broken line, and the case where each inductor L is formed of a plurality of layers (in this example, the first layer and the second layer) to reduce the series resistance component is shown by a solid line.
  • the peak point (when the series resistance component is reduced by forming each inductor L by a plurality of layers) It can be seen that the gain in the vicinity of 80 gigahertz) is large and the gain is enhanced. In addition, since the Q value is increased by reducing the series resistance component of the inductor L, the bandwidth is slightly narrowed, but it is also understood that the necessary and sufficient bandwidth is maintained.
  • a first example of a countermeasure against mutual interference by using a gain suppression unit (a trap circuit 601 or a trap circuit 602) for only one of the interference channels on the low frequency side and the high frequency side with respect to the desired wave.
  • a gain suppression unit a trap circuit 601 or a trap circuit 602
  • the gain frequency characteristics of the amplifying unit without the gain suppressing unit are lower in gain attenuation in the high band side than the low band side, centering on the own channel.
  • a gain suppression unit especially a trap circuit
  • the gain frequency characteristic of the amplification unit without the gain suppression unit is lower in gain on the low frequency side than the high frequency side, centering on the own channel, and desired. It can also be modified to use a gain suppression unit (especially a trap circuit) for only the interference channel on the low frequency side of the wave. Furthermore, even when these are mixed, the same method can be applied.
  • Example 1 is an application example to a countermeasure against mutual interference in a configuration corresponding to full duplex bidirectional communication.
  • FIG. 11 is a diagram for explaining the transmission / reception system of the first embodiment, and focuses on the signal transmission function from the modulation function unit to the demodulation function unit via the high-frequency signal waveguide 308 (signal transmission path 9).
  • 3 is a functional block diagram of Example 1.
  • the figure shows the low frequency side (for example, 57 GHz (GHz) band, 12.5 gigabits per second (Gb / s)) and the high frequency side (for example, 80 gigahertz (GHz) band, 12.5 gigabits per second (Gb / s)) This is shown in a configuration corresponding to full duplex bidirectional communication.
  • GHz 57 GHz
  • Gb / s 12.5 gigabits per second
  • Gb / s 80 gigahertz
  • the first communication device 100 uses the high frequency side (80 GHz band) carrier frequency for the transmission processing unit (TX) and the low frequency side (RX) for the reception processing unit (RX).
  • (57 GHz band) carrier frequency is used. That is, the first communication device 100 includes an 80 GHz transmission processing unit and a 57 GHz reception processing unit.
  • the second communication device 200 uses a carrier frequency on the low frequency side (57 GHz band) for the transmission processing unit (TX) and a carrier frequency on the high frequency side (80 GHz band) for the reception processing unit (RX). It is a configuration to use. That is, the second communication device 200 includes a 57 GHz transmission processing unit and an 80 GHz reception processing unit.
  • the first communication device 100 and the second communication device 200 have substantially the same configuration for both the low-frequency side (57 GHz band) and the high-frequency side (80 GHz band), and transmission / reception processing.
  • the unit a circuit formed by a combination of the amplifying unit 4 and the low-noise amplifier 400 and its peripheral circuit
  • a signal to be transmitted (input baseband signal BB_IN: for example, a 12-bit image signal) is converted into a high-speed serial data sequence by a parallel-serial conversion unit (not shown) and converted into a differential signal as a modulation function unit 8300.
  • the modulation function unit 8300 uses the signal from the parallel-serial conversion unit as a modulation signal, and modulates the signal into a millimeter-wave band signal according to a predetermined modulation method.
  • the modulation function unit 8300 can have various circuit configurations depending on the modulation method. For example, if the method modulates amplitude, a two-input type frequency mixing unit 8302 (mixer circuit) is used for each differential signal system.
  • a multiplier and a transmission side local oscillation unit 8304 may be employed.
  • Transmission-side local oscillation unit 8304 (first carrier signal generation unit) generates a carrier signal (modulated carrier signal) used for modulation.
  • the frequency mixing unit 8302 (first frequency conversion unit) multiplies (modulates) the millimeter wave band carrier wave generated by the transmission side local oscillation unit 8304 with the signal from the parallel serial conversion unit, and transmits the millimeter wave band transmission signal ( (Modulated signal) is generated and supplied to the amplifying unit 8117 (AMP: corresponding to the amplifying unit 117).
  • the transmission signal is amplified by the amplifying unit 8117 and radiated from the antenna 8136.
  • a configuration corresponding to the modulation system of the transmission system is adopted.
  • the method modulates the amplitude
  • use a square detection circuit that obtains a detection output proportional to the square of the received high-frequency signal (envelope) amplitude, or a simple envelope detection circuit that does not have a square characteristic. Can do.
  • a direct conversion method using a synchronous detection circuit is adopted, and an injection locking (injection lock) method is adopted to generate a demodulation carrier signal.
  • the millimeter wave reception signal received by the antenna 8236 is input to the variable gain type and low noise type amplifying unit 8224 (corresponding to the LNA and the amplifying unit 224), and after amplitude adjustment, is supplied to the demodulation function unit 8400.
  • the demodulation function unit 8400 includes a two-input type frequency mixing unit 8402 (mixer circuit), a reception-side local oscillation unit 8404, and a baseband amplification unit 8412, and receives an injection signal via an injection path.
  • the frequency mixing unit 8402 multiplies (synchronously detects) a synchronous carrier signal (demodulated carrier signal: referred to as a reproduction carrier signal) based on the received signal and the output signal of the reception-side local oscillator 8404 to perform synchronous detection. Get the signal.
  • the frequency mixing unit 8402 obtains advantages such as excellent bit error rate characteristics by applying frequency conversion (down-conversion / demodulation) by synchronous detection, and applying phase modulation and frequency modulation by developing to quadrature detection.
  • a high-frequency component is removed by a filter processing unit (not shown) to obtain an input signal waveform (output input baseband signal BB_OUT: for example, a 12-bit image signal) sent from the transmission side.
  • the filter processing unit may be provided between the reception-side local oscillation unit 8404 and the baseband amplification unit 8412 or after the baseband amplification unit 8412.
  • the demodulation function unit 8400 is provided with a phase amplitude adjustment unit 8406 that has not only the function of the phase adjustment circuit but also the function of adjusting the injection amplitude.
  • the reception side local oscillation unit 8404 and the phase amplitude adjustment unit 8406 constitute a demodulation side (second) carrier signal generation unit that generates a demodulation carrier signal synchronized with the modulation carrier signal and supplies the demodulation carrier signal to the frequency mixing unit 8402.
  • the phase amplitude adjustment unit 8406 may be provided for either the injection signal to the reception-side local oscillation unit 8404 or the output signal of the reception-side local oscillation unit 8404, or may be applied to both.
  • the figure shows an example in which a phase amplitude adjustment unit 8406 is provided between the amplification unit 8224 and the reception-side local oscillation unit 8404.
  • the injection locking method When the injection locking method is adopted, not only the phase (injection phase) and amplitude (injection voltage) of the injection signal is controlled (adjusted) but also the free-running oscillation frequency Fo of the reception-side local oscillation unit 8404 is controlled. It is also important to control (adjust) the lock range. In other words, it is important to adjust the injection phase, injection voltage, and free-running oscillation frequency Fo so that injection locking can be achieved. For this reason, although not shown, an injection locking control unit is provided after the frequency mixing unit 8402, the injection locking state is determined based on the synchronous detection signal (baseband signal) acquired by the frequency mixing unit 8402, and the determination result Based on the above, a configuration is adopted in which each part to be adjusted is controlled so as to achieve injection locking.
  • the method using the square detection circuit has the following problems. Although it is necessary to arrange a band pass filter for frequency selection on the reception side in the previous stage of the square detection circuit, it is not easy to realize a steep band pass filter in a small size. In addition, when a steep bandpass filter is used, the required specifications for the stability of the carrier frequency on the transmission side become strict. On the other hand, if injection locking is applied, when combined with synchronous detection, multi-channel or full-duplex bi-directional operation is performed without using a band-pass filter for wavelength selection on the receiving side. Thus, even when a plurality of transmission / reception pairs simultaneously perform independent transmission, it is difficult to be affected by the interference problem.
  • the differential baseband signal BB_IN input to the first communication device 100 is up-converted to a signal of 80 GHz band by the modulation function unit 8300 and amplified by the amplification unit 8117.
  • the high frequency signal waveguide 308 is coupled via the antenna 8136.
  • the 80 GHz band signal is transmitted through the high-frequency signal waveguide 308 and received by the antenna 8236 on the second communication device 200 side.
  • This received signal is amplified by the amplifying unit 8224 (low noise amplifier 400), supplied to the frequency mixing unit 8402, and also supplied to the reception-side local oscillation unit 8404 via the phase amplitude adjustment unit 8406 of the injection path. .
  • the receiving side local oscillating unit 8404 generates a demodulating 80 gigahertz carrier signal synchronized with the modulating 80 gigahertz carrier signal at the receiving side local oscillating unit 8404.
  • the demodulated carrier signal is supplied to frequency mixing section 8402, whereby the received 80 GHz band signal is down-converted to baseband signal BB_IN.
  • the differential baseband signal BB_IN input to the first communication device 100 is up-converted to a 57 GHz band signal by the modulation function unit 8300, amplified by the amplification unit 8117, and then a high-frequency signal via the antenna 8136. Coupled to waveguide 308.
  • the 57 GHz band signal is transmitted through the high-frequency signal waveguide 308 and received by the antenna 8236 on the second communication device 100 side.
  • This received signal is amplified by the amplifying unit 8224 (low noise amplifier 400), supplied to the frequency mixing unit 8402, and also supplied to the reception-side local oscillation unit 8404 via the phase amplitude adjustment unit 8406 of the injection path. .
  • the reception side local oscillation unit 8404 generates a 57 GHz carrier signal for demodulation synchronized with the 57 GHz carrier signal for modulation at the reception side local oscillation unit 8404.
  • the demodulated carrier signal is supplied to frequency mixing section 8402, whereby the received 57 GHz band signal is down-converted to baseband signal BB_IN.
  • a leakage path (broken line b in the figure) is formed in which a low-frequency channel (57 GHz band) signal is supplied from the antenna 8136 arranged close to the antenna 8236.
  • the signal energy of this leakage path is less lost by the high frequency signal waveguide 308 because the antenna 8136 and the antenna 8236 are closer than the normal path from the antenna 8136 to the antenna 8236 via the high frequency signal waveguide 308.
  • the wavelength selection characteristic on the receiving side for example, the amplifying unit 8224
  • the adjacent channel component is demodulated, “interference problem between adjacent channels”.
  • FIG. 12 is a diagram for explaining a specific coping method for mutual interference countermeasures in the first embodiment (configuration corresponding to the full duplex bidirectional communication shown in FIG. 11).
  • FIG. 12A is a simplified functional block diagram focusing on the signal transmission function from the amplifying unit for transmission to the amplifying unit for reception (low noise amplifier 400) via the high-frequency signal waveguide 308. is there.
  • FIG. 12B shows an example of the gain characteristic of the low-frequency side low-noise amplifier 400 (same as the characteristic shown in FIG. 7B), and
  • FIG. 12C shows the low-frequency side low-noise amplifier 400.
  • An example of the gain characteristic is shown (same as the characteristic shown in FIG. 10B).
  • “High” indicates a high frequency channel (80 GHz band)
  • “Low” indicates a low frequency channel (57 GHz band).
  • the desired channel is a “Low” channel
  • the upper adjacent channel is a high frequency channel
  • the desired channel is “High”
  • the lower adjacent channel is a low frequency channel.
  • “TX” indicates a transmission processing unit
  • “RX” indicates a reception processing unit.
  • TXANT is a transmission-side antenna 8136 (transmission antenna)
  • “RXANT” is a reception-side antenna 8236 (reception antenna)
  • AMP is a transmission amplifying unit (amplifying unit 117 or amplifying unit 8117).
  • LNA low noise amplifier 400 (amplifying unit 224 or amplifying unit 8224).
  • TP is a gain suppression unit (trap circuit) that suppresses an interference wave (adjacent channel component) with respect to a desired channel component, and an attenuation frequency (trap position) by its reference (“_H” or “_L”). Indicates which of the adjacent channels on the high frequency side or the low frequency side is to be matched.
  • the low-frequency channel low-noise amplifier 400 is provided with a “trap circuit TP_H”, and the attenuation frequency is adjusted to the 80 GHz band that is the upper adjacent channel (the gain characteristic shown in FIG. 12B). reference).
  • the high-frequency channel low-noise amplifier 400 is not provided with a gain suppression unit (trap circuit) that suppresses the gain of the lower adjacent channel (see gain characteristics shown in FIG. 12C).
  • the high frequency signal in the 80 GHz band (High) emitted from the amplification unit (AMP) of the first communication device 100 is coupled to the high frequency signal waveguide 308 by the transmission antenna TXANT, and the second communication is performed via the high frequency signal waveguide 308. Is transmitted to the device 200.
  • a high frequency signal of 80 GHz band (High) is received by the receiving antenna RXANT and supplied to the low noise amplifier 400 for 80 GHz band.
  • a high frequency signal of 80 GHz band (High) emitted from the transmission antenna TXANT jumps into its own reception antenna RXANT via a leakage path (broken line a in the figure).
  • the low-frequency channel low-noise amplifier 400 is provided with a trap circuit TP_H whose attenuation frequency is set in the 80 GHz band. Therefore, as shown in FIG. It is sufficiently attenuated by the function of TP_H. For this reason, in the first communication device 100, the demodulation function unit 8400 (not shown) does not demodulate the 80 GHz band, and the high frequency leaked from the transmission processing unit TX in the 80 GHz band to the reception processing unit RX in the 57 GHz band. Interference due to signals can be prevented.
  • the 57 GHz band (Low) high-frequency signal emitted from the amplification unit (AMP) of the second communication device 200 is coupled to the high-frequency signal waveguide 308 by the transmission antenna TXANT, and the first communication is performed via the high-frequency signal waveguide 308. Is transmitted to the device 100.
  • a 57 GHz band high frequency signal is received by the receiving antenna RXANT and supplied to the low noise amplifier 400 for the low frequency channel.
  • a 57 GHz band high-frequency signal emitted from the transmitting antenna TXANT jumps into its own receiving antenna RXANT via a leakage path (broken line b in the figure). Is supplied to the low noise amplifier 400.
  • the high-frequency channel low noise amplifier 400 is not provided with a gain suppression unit, but as shown in FIG. 12C, the gain in the vicinity of 57 GHz is sufficiently attenuated. Therefore, in the second communication device 100, even if the gain suppression unit is not used, the demodulation function unit 8400 (not shown) does not demodulate the 57 GHz band, and the transmission processing unit TX of the 57 GHz band transmits the 80 GHz band. Interference due to the high-frequency signal leaked to the reception processing unit RX can be prevented.
  • FIG. 13 is a diagram for explaining a transmission / reception system according to the second embodiment, focusing on the signal transmission function from the modulation function unit to the demodulation function unit via the high-frequency signal waveguide 308 (signal transmission path 9).
  • 10 is a functional block diagram of Example 2.
  • FIG. The figure shows the low frequency side (for example, 57 GHz (GHz) band, 12.5 gigabits per second (Gb / s)) and the high frequency side (for example, 80 gigahertz (GHz) band, 12.5 gigabits per second (Gb / s)) It shows a configuration corresponding to one-way duplex communication.
  • the transmission processing unit the circuit including the two amplifying units 4 and the peripheral circuit thereof
  • the reception processing unit the circuit including the two low noise amplifiers 400 and the peripheral circuit thereof
  • Example 2 is an example of application to countermeasures against mutual interference in a configuration corresponding to one-way duplex communication.
  • the signal transmission device 1B_1 according to the second embodiment is one of the first communication device 100 and the second communication device 200 (in this example, the first communication device) in comparison with the signal transmission device 1A according to the first embodiment illustrated in FIG.
  • the device 100) is provided with transmission processing units TX for the low frequency side (57 GHz band) and the high frequency side (80 GHz band), respectively, and the low frequency side (57 in the second communication device 200 in this example)
  • the difference is that a reception processing unit TX for the gigahertz band and the high frequency side (80 gigahertz band) is provided.
  • a transmission rate of 25.0 gigabits per second (Gb / s) can be substantially secured.
  • the low-frequency side (57 GHz band) and the high-frequency band are transmitted from the transmitting-side antenna 8136 to the receiving-side antenna 8236 via the high-frequency signal waveguide 308.
  • Two-channel signals on the side (80 GHz band) are transmitted to the other party.
  • a leakage path (broken line a in the figure) in which a signal of a high frequency channel (80 GHz band) is supplied to the antenna 8236 for the low frequency side is formed.
  • a leakage path (broken line b in the figure) through which a signal of a low-frequency channel (57 GHz band) is supplied to the antenna 8236 for the region is also formed.
  • the transmission power can be made the same, and the signal energy of the leakage path is about the same as that of the normal path.
  • the transmission characteristic frequency characteristic
  • the characteristic is not limited to the low frequency side or the high frequency side. have.
  • gain characteristic asymmetry is used (effectively)” and gain is obtained only with respect to one of the interference channels on the low frequency side and the high frequency side with respect to the desired wave. It may be preferable to apply a technique that uses a suppression unit.
  • FIG. 14 is a diagram for explaining a specific coping method for countermeasures against mutual interference in the second embodiment (configuration corresponding to the one-way duplex communication shown in FIG. 13).
  • FIG. 14 is a simplified functional block diagram focusing on the signal transmission function from the transmission amplification unit to the reception amplification unit (low noise amplifier 400) via the high-frequency signal waveguide 308.
  • the gain characteristic of the low noise amplifier 400 for the low frequency channel (57 GHz band) is the same as that in FIG. 14B, and the gain characteristic of the low noise amplifier 400 for the high frequency channel (80 GHz band) is as shown in FIG. The same. Since the peak gain of the low-frequency channel low-noise amplifier 400 is smaller than the peak gain of the low-frequency channel low-noise amplifier 400, it is assumed that the transmission loss of the high-frequency signal waveguide 308 is the same regardless of the frequency band. The transmission power is increased on the high frequency side than on the low frequency side. In the signal transmission device 1B_1, on the second communication device 200 side, the low-frequency channel low-noise amplifier 400 includes a trap circuit TP_H in which an attenuation frequency is set in the 80 GHz band.
  • the low-frequency channel low-noise amplifier 400 is provided with a trap circuit TP_H whose attenuation frequency is set in the 80 GHz band. Therefore, as shown in FIG. It is sufficiently attenuated by the function of TP_H.
  • the demodulation function unit 8400 for the 57 GHz band in the subsequent stage does not demodulate the 80 GHz band, and the transmission processing unit TX in the 80 GHz band receives the reception processing unit RX in the 57 GHz band. It is possible to prevent interference due to the high-frequency signal leaked to the outside.
  • the reception antenna RXANT for the high frequency channel also receives a high frequency signal of 57 GHz band (Low) having a power smaller than that of the 80 GHz band via the leakage path (broken line b in the figure).
  • the low noise amplifier 400 is supplied.
  • the high-frequency channel low-noise amplifier 400 is not provided with a gain suppression unit.
  • the high-frequency signal in the 57 GHz band has lower power than the 80 GHz band, which is the desired wave, and as shown in FIG. The gain in the vicinity of 57 GHz is sufficiently attenuated.
  • the 57 GHz band transmission processing unit is not demodulated in the demodulation function unit 8400 for the subsequent 80 GHz band (not shown) without using the gain suppression unit. Interference due to a high frequency signal leaked from TX to the reception processing unit RX in the 80 GHz band can be prevented.
  • FIG. 15 is a diagram for explaining a modification to the second embodiment, and is a diagram for explaining a specific countermeasure technique for countermeasures against mutual interference in a configuration corresponding to one-way multiplex communication.
  • FIG. 15 is a simplified functional block diagram focusing on the signal transmission function from the transmission amplification unit to the reception amplification unit (low noise amplifier 400) via the high-frequency signal waveguide 308.
  • FIG. 15 is a simplified functional block diagram focusing on the signal transmission function from the transmission amplification unit to the reception amplification unit (low noise amplifier 400) via the high-frequency signal waveguide 308.
  • the signal transmission device 1B_2 in the second communication device 200, F X (X is 1 ⁇ n-1, F X ⁇ F X + 1) F in the low-noise amplifier 400 for GHz band X + 1 It has a trap circuit TP_X + 1 whose attenuation frequency is set in the gigahertz band.
  • the high frequency signal in the F X + 1 gigahertz band jumps into the F X gigahertz band receiving antenna RXANT via the leakage path (broken line ⁇ in the figure) and is supplied to the low noise amplifier 400. .
  • F X trap the low-noise amplifier 400 for the GHz band is set the attenuation frequency F X + 1 GHz band circuit TP_X + 1 is provided, F X + 1 of the GHz band high frequency signal trap circuit TP_X It is sufficiently attenuated by the +1 function. Therefore, in the second communication device 200, F X + 1 GHz band in the demodulation functional unit 8400 of the F X GHz for band later stage (not shown) is not demodulated, F from the transmission processing unit TX of F X + 1 GHz band It is possible to prevent interference due to a high frequency signal leaked to the reception processing unit RX in the X gigahertz band.
  • the demodulation function unit 8400 does not demodulate the interference wave, and the leakage component depends on the leakage component. Interference can be prevented.
  • Example 3 is an application example to measures against mutual interference in a configuration in which full duplex bidirectional communication and unidirectional duplex communication are used together.
  • the difference from Example 4 to be described later is a configuration based on the premise that measures for mutual interference (that is, the method of Example 2) are not necessary between the transmitting sides and the receiving sides in the one-way duplex communication.
  • the first embodiment is applied to any combination of two channels that is in the relationship of adjacent channels and to which full duplex bidirectional communication is applied. Ignore the leakage path of the one-way duplex communication system.
  • “Low” indicates a low frequency channel (57 GHz band)
  • “Mid” indicates a mid frequency channel (80 GHz band)
  • “High” indicates a high frequency channel (103 GHz).
  • the desired channel is a low frequency channel
  • the upper adjacent channel is a mid frequency channel.
  • the lower adjacent channel is a low band channel and the upper adjacent channel is a high band channel.
  • the desired channel is a high frequency channel
  • the lower adjacent channel is a mid frequency channel.
  • FIG. 16 to FIG. 17 are diagrams for explaining a specific countermeasure method for the mutual interference countermeasure in the third embodiment using both full duplex bidirectional communication and unidirectional duplex communication.
  • FIG. 16 is a diagram illustrating an example of gain characteristics of the low-noise amplifier 400 used in the third embodiment.
  • FIG. 16A shows an example of the gain characteristic of the low-noise amplifier 400 for the low-frequency channel (57 GHz band) (same as FIG. 7B), and FIG. An example of the gain characteristic of the low noise amplifier 400 for the high frequency channel (80 GHz band) is shown
  • FIG. 16C shows an example of the gain characteristic of the low noise amplifier 400 for the high frequency channel (103 GHz band).
  • FIG. 17 is a diagram for explaining a transmission / reception system according to the third embodiment.
  • the signal transmission function from the transmission amplification unit to the reception amplification unit (low noise amplifier 400) via the high-frequency signal waveguide 308 is illustrated. It is the simplified functional block diagram which paid its attention, and has shown three kinds of composition which can be taken as a combination of the frequency band of a transmission processing part and a reception processing part.
  • the transmission / reception processing unit (a circuit formed by a combination of the amplification unit 4 and the low noise amplifier 400 and its peripheral circuit) preferably has a one-chip configuration.
  • the first embodiment is applied to a combination of any two channels that has a relationship with an adjacent channel.
  • the combination of the upper adjacent channel being the transmission processing unit TX is transmitted to the low noise amplifier 400.
  • a gain suppression unit (trap circuit) is provided, and no gain suppression unit (trap circuit) is provided for other combinations.
  • the three configurations will be specifically described.
  • the first communication device 100 includes a transmission processing unit TX for a high-frequency channel (103 GHz band), and a signal for a mid-frequency channel (80 GHz band).
  • a reception processing unit RX and a transmission processing unit TX for a low frequency channel (57 GHz band) are provided.
  • the second communication device 200 includes a high frequency channel reception processing unit RX, a mid frequency channel transmission processing unit TX, and a low frequency channel reception processing unit RX.
  • full duplex bidirectional communication can be applied by the high frequency channel and the mid frequency channel, or by the low frequency channel and the mid frequency channel, and the one way duplex by the high frequency channel and the low frequency channel. Communication is applicable.
  • the low-noise amplifier 400 for the mid-band channel Is provided with a gain suppression unit (trap circuit) for suppressing the gain of the high frequency channel.
  • the second communication device 200 when attention is paid to the reception processing unit RX for the low frequency channel, since the middle frequency channel that is the upper adjacent channel is a combination of the transmission processing unit TX, the low noise for the low frequency channel
  • the amplifier 400 is provided with a gain suppression unit (trap circuit) that suppresses the gain of the mid-band channel. For combinations other than these, no gain suppression unit (trap circuit) is provided.
  • the low-frequency amplifier 400 for the mid-band channel is provided with the “trap circuit TP_H”, and the attenuation frequency is adjusted to the 103 gigahertz band of the high-band channel (FIG. 16B).
  • the low-frequency channel low-noise amplifier 400 is not provided with a gain suppression unit (trap circuit) (see the broken line gain characteristics shown in FIG. 16A), and the high-frequency channel low-noise amplifier 400 also suppresses gain.
  • the section (trap circuit) is not provided (see the gain characteristic shown in FIG. 16C).
  • the low-frequency channel low-noise amplifier 400 is provided with the “trap circuit TP_M”, and the attenuation frequency is adjusted to the 80 GHz band of the mid-range channel (shown in FIG. 16A). (See the solid gain characteristics).
  • the low-frequency amplifier 400 for the mid-band channel is not provided with a gain suppression unit (trap circuit) (see the broken line gain characteristics shown in FIG. 16B), and the low-noise amplifier 400 for the high-band channel also has a gain suppression.
  • the section (trap circuit) is not provided (see the gain characteristic shown in FIG. 16C).
  • a 103 GHz high-frequency signal is coupled to the high-frequency signal waveguide 308 by the transmission antenna TXANT and transmitted to the second communication device 200, but at this time, a leakage path (in the drawing) Then, the signal enters the receiving antenna RXANT and is supplied to the low-noise amplifier 400 for the mid-band channel.
  • the low-frequency channel low-noise amplifier 400 is provided with a trap circuit TP_H whose attenuation frequency is set in the 103 GHz band. Therefore, as shown in FIG. 16B, the high frequency signal in the 103 GHz band is a trap circuit. It is sufficiently attenuated by the function of TP_H.
  • the demodulation function unit 8400 for the 80 GHz band in the subsequent stage does not demodulate the 103 GHz band, and the transmission processing unit TX in the 103 GHz band receives the reception processing unit RX in the 80 GHz band. It is possible to prevent interference due to the high-frequency signal leaked to the outside. Further, a high frequency signal of 57 GHz band (Low) is coupled to the high frequency signal waveguide 308 by the transmitting antenna TXANT and transmitted to the second communication device 200 side, but at this time, via a leakage path (broken line b in the figure).
  • the low-noise amplifier 400 for the mid-band channel is not provided with a gain suppression unit that suppresses the 57 GHz band gain, but as shown in FIG. 16B, the gain in the vicinity of 57 GHz is sufficiently attenuated. .
  • the 57 GHz band transmission processing unit is not demodulated in the demodulation function unit 8400 for the subsequent 80 GHz band (not shown) without using the gain suppression unit. Interference due to a high frequency signal leaked from TX to the reception processing unit RX in the 80 GHz band can be prevented.
  • a high frequency signal in the 80 GHz band (Mid) is coupled to the high frequency signal waveguide 308 by the transmission antenna TXANT and transmitted to the first communication device 100 side. It jumps into its own receiving antenna RXANT via the broken line c) in the figure and is supplied to the low-noise amplifier 400 for the low-frequency channel.
  • the low-frequency channel low-noise amplifier 400 is provided with a trap circuit TP_M in which an attenuation frequency is set in the 80 GHz band. Therefore, as shown in FIG. It is sufficiently attenuated by the function of TP_M.
  • the demodulation function unit 8400 for the 57 GHz band in the subsequent stage does not demodulate the 80 GHz band, and the transmission processing unit TX in the 80 GHz band receives the reception processing unit RX in the 57 GHz band. It is possible to prevent interference due to the high-frequency signal leaked to the outside.
  • a high frequency signal in the 103 GHz band (Low) is coupled to the high frequency signal waveguide 308 by the transmitting antenna TXANT and transmitted to the first communication device 100 side, but at this time, via a leakage path (broken line d in the figure). Then, it jumps into its own receiving antenna RXANT and is supplied to the low noise amplifier 400 for the high frequency channel.
  • the low-noise amplifier 400 for the high frequency channel is not provided with a gain suppression unit that suppresses the gain in the 80 GHz band, but as shown in FIG. 16C, the gain in the vicinity of 80 GHz is sufficiently attenuated. .
  • the 80 GHz band transmission processing unit is not demodulated in the subsequent 103 GHz demodulation function unit 8400 (not shown) without using a gain suppression unit. Interference due to a high frequency signal leaked from the TX to the 103 GHz reception processing unit RX can be prevented.
  • the first communication device 100 includes a reception processing unit RX for a high frequency channel (103 GHz band), and a signal for a mid frequency channel (80 GHz band).
  • a transmission processing unit TX and a transmission processing unit TX for a low frequency channel (57 GHz band) are provided.
  • the second communication device 200 includes a high frequency channel transmission processing unit TX, a mid frequency channel reception processing unit RX, and a low frequency channel reception processing unit RX.
  • full duplex bidirectional communication can be applied by the high frequency channel and the mid frequency channel or by the high frequency channel and the low frequency channel, and the unidirectional duplex by the mid frequency channel and the low frequency channel. Communication is applicable.
  • the high-frequency channel that is the upper adjacent channel is a combination that is the transmission processing unit TX, so the low-noise amplifier for the mid-band channel 400 is provided with a gain suppression unit (trap circuit) that suppresses the gain of the high-frequency channel.
  • a gain suppression unit trap circuit
  • no gain suppression unit trap circuit
  • the second example is characterized in that the first communication device 100 does not need to be provided with a gain suppression unit.
  • a 103 GHz high frequency signal is coupled to the high frequency signal waveguide 308 by the transmitting antenna TXANT and transmitted to the first communication device 100 side.
  • a leakage path (in the drawing)
  • the signal enters the receiving antenna RXANT and is supplied to the low-noise amplifier 400 for the mid-band channel.
  • the low-noise amplifier 400 for the mid-band channel is provided with the trap circuit TP_H in which the attenuation frequency is set in the 103 GHz band, as shown in FIG. 16B, the high frequency signal in the 103 GHz band is the trap circuit. It is sufficiently attenuated by the function of TP_H.
  • the demodulation function unit 8400 for the 80 GHz band in the subsequent stage does not demodulate the 103 GHz band, and the transmission processing unit TX in the 103 GHz band receives the reception processing unit RX in the 80 GHz band. It is possible to prevent interference due to the high-frequency signal leaked to the outside. Although detailed description is omitted, for other leakage paths (broken lines b, c, d in the figure), even if the gain suppression unit is not used, the demodulation function unit 8400 does not demodulate the interference wave, and the leakage component. Can prevent interference.
  • the first communication device 100 includes a transmission processing unit TX for a high-frequency channel (103 GHz band) and a signal for a mid-frequency channel (80 GHz band).
  • a transmission processing unit TX and a reception processing unit RX for a low frequency channel (57 GHz band) are provided.
  • the second communication device 200 includes a high frequency channel reception processing unit RX, a mid frequency channel reception processing unit RX, and a low frequency channel transmission processing unit TX.
  • full-duplex bidirectional communication can be applied by the high-frequency channel and the low-frequency channel, or by the mid-frequency channel and the low-frequency channel, and the one-way duplex by the high-frequency channel and the mid-frequency channel. Communication is applicable.
  • the middle frequency channel that is the upper adjacent channel is a combination that is the transmission processing unit TX. Therefore, the low noise amplifier for the low frequency channel 400 is provided with a gain suppression unit (trap circuit) that suppresses the gain of the mid-band channel. For combinations other than these, no gain suppression unit (trap circuit) is provided.
  • the third example is characterized in that the second communication device 200 does not need to be provided with a gain suppression unit.
  • a high frequency signal in the 80 GHz band (Mid) is coupled to the high frequency signal waveguide 308 by the transmission antenna TXANT and transmitted to the second communication device 200 side. Then, it jumps into its own receiving antenna RXANT via the broken line a) and is supplied to the low-noise amplifier 400 for the low-frequency channel.
  • the low-frequency channel low-noise amplifier 400 is provided with a trap circuit TP_M in which an attenuation frequency is set in the 80 GHz band. Therefore, as shown in FIG. It is sufficiently attenuated by the function of TP_M.
  • the demodulation function unit 8400 for the 57 GHz band in the subsequent stage does not demodulate the 80 GHz band, and the transmission processing unit TX in the 80 GHz band receives the reception processing unit RX in the 57 GHz band. It is possible to prevent interference due to the high-frequency signal leaked to the outside. Although detailed description is omitted, for other leakage paths (broken lines b, c, d in the figure), even if the gain suppression unit is not used, the demodulation function unit 8400 does not demodulate the interference wave, and the leakage component. Can prevent interference.
  • FIG. 18 is a diagram for explaining a modification example of the third embodiment.
  • the method of the third embodiment described in the case of 3 channels is applied to the case of 4 channels or more.
  • the case of 3 channels which is the most basic when full duplex bidirectional communication and unidirectional duplex communication are used together, has been described, but the same applies to the case of 4 channels or more.
  • the third embodiment is applied to any combination of two channels that is in the relationship of adjacent channels.
  • the first channel F 1 gigahertz band
  • the second channel F 2 gigahertz band
  • the third channel F 3 gigahertz band
  • the fourth channel F 4 gigahertz band
  • the fifth channel F 5 gigahertz band
  • Band 6th channel (F 6 GHz band), and 7th channel (F 7 GHz band) in total 7 channels (carrier frequency F Y (Y is 1 to 7, F Y ⁇ F Y + 1 ))
  • F Y carrier frequency
  • the figure simply shows the arrangement of the carrier frequency of each channel and the transmission processing unit TX and reception processing unit RX for each channel provided in the first communication device 100 and the second communication device 200.
  • an upward thick arrow in a certain channel on the frequency axis indicates the transmission processing unit TX of that channel
  • a downward thick arrow indicates the reception processing unit RX of that channel.
  • a solid line between the first communication device 100 and the second communication device 200 indicates a normal path
  • broken lines in the first communication device 100 and the second communication device 200 indicate a leakage path.
  • the first communication device 100 includes a transmission processing unit TX for F 1 GHz band, a reception processing unit RX for F 2 GHz band, and transmission processing for F 3 GHz band.
  • TX, F 4 GHz band reception processing unit RX, F 5 GHz band transmission processing unit TX, F 6 GHz band transmission processing unit TX, F 7 GHz band reception processing unit RX are provided.
  • the second communication device 200 includes an F 1 gigahertz band reception processing unit RX, an F 2 gigahertz band transmission processing unit TX, an F 3 gigahertz band reception processing unit RX, and an F 4 gigahertz band transmission processing unit.
  • TX, the reception processing unit RX for F 5 GHz band reception processing unit RX for F 6 GHz band, the transmission processing unit TX for F 7 GHz band is provided.
  • the Y channel low noise amplifier 400 suppresses the gain of the Y + 1 channel (the attenuation frequency in the Y + 1 channel band). Is provided).
  • Trap circuit TP_Y + 1 is provided.
  • the first communication device 100 is provided with a trap circuit TP_3 that suppresses the gain with respect to the third channel in the low-noise amplifier 400 for the second channel, and the low-noise amplifier 400 for the fourth channel with respect to the fifth channel.
  • a trap circuit TP_5 is provided to suppress all gains.
  • the second communication device 200 is provided with a trap circuit TP_2 for suppressing the gain with respect to the second channel in the first channel low noise amplifier 400, and the third channel low noise amplifier 400 with respect to the fourth channel.
  • a trap circuit TP_4 for suppressing the gain is provided, and a trap circuit TP_7 for suppressing the gain for the seventh channel is provided in the low-noise amplifier 400 for the sixth channel.
  • the first communication device 100 includes a transmission processing unit TX for the F 1 gigahertz band, a reception processing unit RX for the F 2 gigahertz band, and a reception processing for the F 3 gigahertz band. part RX, and transmission processing unit TX for F 4 GHz band, the transmission processing unit TX for F 5 GHz band reception processing unit RX for F 6 GHz band, the transmission processing unit TX for F 7 GHz band provided Yes.
  • the second communication device 200 includes a reception processing unit RX for the F 1 gigahertz band, a transmission processing unit TX for the F 2 gigahertz band, a transmission processing unit TX for the F 3 gigahertz band, and a reception processing unit for the F 4 gigahertz band.
  • a reception processing unit RX for the RX and F 5 GHz bands, a transmission processing unit TX for the F 6 GHz band, and a reception processing unit RX for the F 7 GHz band are provided.
  • the first communication device 100 is provided with a trap circuit TP_4 for suppressing the gain for the fourth channel in the third channel low noise amplifier 400, and the sixth channel low noise amplifier 400 for the seventh channel.
  • a trap circuit TP_7 for suppressing the gain is provided.
  • the second communication device 200 is provided with a trap circuit TP_2 for suppressing the gain for the second channel in the first channel low noise amplifier 400, and the fifth channel low noise amplifier 400 for the sixth channel.
  • a trap circuit TP_6 for suppressing the gain is provided.
  • the Y channel low noise amplifier 400 has Y + 1 for the combination of adjacent channels that perform full-duplex bidirectional communication between the first communication device 100 and the second communication device 200.
  • the trap circuit TP_Y + 1 in which the attenuation frequency is set in the channel band, interference due to the high-frequency signal leaked from the transmission processing unit TX in the Y + 1 channel band to the reception processing unit RX in the Y channel via the leakage path Can be prevented.
  • Embodiment 4 is an example of application to countermeasures against mutual interference in a configuration in which full duplex bidirectional communication and unidirectional duplex communication are used together.
  • the difference from the above-described third embodiment is that, in one-way duplex communication, a countermeasure against mutual interference (that is, the technique of the second embodiment) is not required between the transmitting sides, but a countermeasure against mutual interference (that is, the second embodiment) is performed between the receiving sides.
  • This method is based on the premise that the above method is necessary. That is, in addition to the third embodiment, the second embodiment is applied to any combination of two channels that is in the relationship of adjacent channels and to which one-way duplex communication is applied. Unlike the third embodiment, the leakage path of the one-way duplex communication system is also considered.
  • FIG. 19 is a diagram for explaining the transmission / reception system of the fourth embodiment that uses both full-duplex bidirectional communication and unidirectional duplex communication.
  • the transmission / reception system passes through the high-frequency signal waveguide 308 from the amplifier for transmission. It is the simplified functional block diagram which paid its attention to the signal transmission function to the amplification part (low noise amplifier 400) for reception.
  • three possible configurations are shown as combinations of frequency bands of the transmission processing unit and the reception processing unit.
  • the transmission / reception processing unit (a circuit formed by a combination of the amplification unit 4 and the low noise amplifier 400 and its peripheral circuit) preferably has a one-chip configuration.
  • the signal transmission device 1D when attention is paid to the reception processing unit RX in a certain frequency band in the one-way duplex communication between the first communication device 100 and the second communication device 200, the upper adjacent channel is For combinations that are transmission processing units TX, the low noise amplifier 400 is provided with a gain suppression unit (trap circuit), and for other combinations, no gain suppression unit (trap circuit) is provided.
  • the three configurations will be described in detail with a focus on differences from the third embodiment.
  • a signal transmission device 1D_1 of the first example shown in FIG. 19A is a modification of the configuration of the first example of the third embodiment, and unidirectional duplex communication is applicable to the high frequency channel and the low frequency channel. Yes, a leakage path (broken line e and broken line f in the figure) is formed. However, since both channels are not related to each other, there is no room (necessity) to apply the second embodiment.
  • a signal transmission device 1D_2 of the second example shown in FIG. 19B is a modification of the configuration of the second example of the third embodiment, and unidirectional duplex communication can be applied to the midband channel and the lowband channel.
  • a leakage path (broken line e and broken line f in the figure) is formed. Since both channels are in the relationship of adjacent channels, there is room for application of the second embodiment.
  • the low-frequency channel low noise amplifier 400 is provided with a trap circuit TP_M in which an attenuation frequency is set in the 80 GHz band, that is, compared to the second example of the third embodiment. Further, a trap circuit TP_M is added.
  • a high-frequency signal in the 80 GHz band (Mid) having higher power than the 57 GHz band (Low) jumps into the receiving antenna RXANT via the leakage path (broken line e in the figure).
  • This is supplied to the low noise amplifier 400 for the channel.
  • the low-frequency channel low-noise amplifier 400 is provided with a trap circuit TP_M in which an attenuation frequency is set in the 80 GHz band. Therefore, as shown in FIG. It is sufficiently attenuated by the function of TP_M.
  • the 80 GHz band demodulation function unit 8400 (not shown) in the subsequent stage does not demodulate the 80 GHz band, and the 57 GHz band transmission processing unit TX passes through the leakage path e. Interference due to high frequency signals leaked to the reception processing unit RX in the gigahertz band can be prevented.
  • a signal transmission device 1D_3 of the third example shown in FIG. 19C is a modification of the configuration of the third example of the third embodiment, and unidirectional duplex communication is applicable to the high frequency channel and the mid frequency channel.
  • a leakage path (broken line e and broken line f in the figure) is formed. Since both channels are in the relationship of adjacent channels, there is room for application of the second embodiment.
  • a trap circuit TP_H having an attenuation frequency set in the 103 GHz band is provided in the low-noise amplifier 400 for the mid-band channel, that is, compared to the third example of the third embodiment. Further, a trap circuit TP_H is added.
  • a high-frequency signal of 103 GHz band (High) having higher power than 80 GHz band (Low) jumps into the receiving antenna RXANT via a leakage path (broken line e in the figure).
  • This is supplied to the low noise amplifier 400 for the channel.
  • the low-noise amplifier 400 for the high frequency channel is provided with a trap circuit TP_H whose attenuation frequency is set in the 103 GHz band, as shown in FIG. 16B, the high frequency signal in the 103 GHz band is a trap circuit. It is sufficiently attenuated by the function of TP_H.
  • the demodulation function unit 8400 for the 80 GHz band in the subsequent stage does not demodulate the 103 GHz band, and the 80 GHz transmission processing unit TX of the 103 GHz band passes through the leakage path e. Interference due to high frequency signals leaked to the reception processing unit RX in the gigahertz band can be prevented.
  • FIG. 20 is a diagram for explaining a modification example of the fourth embodiment.
  • the method of the fourth embodiment described in the case of 3 channels is applied to the case of 4 channels or more.
  • the case of the three most basic channels has been described, but the same applies to the case of four or more channels.
  • a modification of the third embodiment shown in FIG. 18 will be described as a base.
  • a channel combination to which the one-sided duplex communication in which the upper adjacent channel is the transmission processing unit TX is applied (a combination enclosed in an ellipse in the figure) is for the Y channel.
  • the low noise amplifier 400 is provided with a trap circuit TP_Y + 1 that suppresses the gain for the Y + 1 channel (the attenuation frequency is set in the Y + 1 channel band).
  • the first communication device 100 is provided with a trap circuit TP_6 that suppresses the gain for the sixth channel in the low-noise amplifier 400 for the fifth channel.
  • the adjacent second and third channels are used.
  • a combination of the fourth channel and the fifth channel adjacent to each other can be considered to apply unidirectional duplex communication. Therefore, the first communication device 100 is provided with a trap circuit TP_3 that suppresses the gain with respect to the third channel in the low-noise amplifier 400 for the second channel, and the second communication device 200 has the low-noise for the fourth channel.
  • the amplifier 400 is provided with a trap circuit TP_5 that suppresses the gain for the fifth channel.
  • the Y channel low noise amplifier 400 has Y + 1 channels for the combination of adjacent channels that perform one-way duplex communication between the first communication device 100 and the second communication device 200.
  • a trap circuit TP_Y + 1 in which the attenuation frequency is set in the band, interference due to the high-frequency signal leaked from the transmission processing unit TX in the Y + 1 channel band to the reception processing unit RX in the Y channel via the leakage path Can be prevented.
  • the mutual interference countermeasure method of the second example uses the asymmetry of the bare gain frequency characteristic of the amplifier circuit, and “attenuation due to the asymmetry of the gain characteristic of the amplification section” It is characterized by "compensating for the shortage".
  • a signal suppressing unit that suppresses signal components of channels other than the own channel is arranged outside the amplification unit (but before demodulation processing).
  • a trap circuit is employed as the signal suppression unit.
  • FIG. 21 and 22 are diagrams for explaining the transmission / reception system of the fifth embodiment.
  • FIG. 21 shows a first example to a third example
  • FIG. 22 shows a fourth example to a sixth example. Both are shown as modifications to the fourth embodiment, but the same applies to the first to third embodiments.
  • a first example to a third example shown in FIGS. 21A to 21C are modifications to the first example to the third example of the fourth embodiment, respectively, and a signal suppression unit (trap circuit 601). And the trap circuit 602) are not provided in the low noise amplifier 400, but are provided in front of the low noise amplifier 400.
  • the first to third examples shown in FIGS. 22 (A) to 22 (C) are modifications to the first to third examples of the fourth embodiment, respectively.
  • the circuit 601 and the trap circuit 602) are not provided in the low noise amplifier 400, but are provided in the subsequent stage of the low noise amplifier 400 (the previous stage of the demodulation function unit 8400).
  • the signal level of the disturbing channel is attenuated by the function of the signal suppression unit (trap circuit 601 or trap circuit 602).
  • the demodulation function unit 8400 (not shown) provided in the subsequent stage, the interference channel component is not demodulated, and mutual interference can be prevented. Since the asymmetry of the bare gain frequency characteristic of the amplifier circuit is used, the signal suppression unit may have an attenuation characteristic that can compensate for the shortage of attenuation due to the asymmetry of the gain frequency characteristic. For example, a trap circuit may have a small amount of trapping and can be realized with a simple configuration.
  • the mutual interference countermeasure method of the third example is characterized in that it does not use the asymmetry of the bare gain frequency characteristic of the amplifier circuit, unlike the mutual interference countermeasure methods of the first and second examples. In other words, it can be applied regardless of whether the bare gain frequency characteristic of the amplifier circuit is symmetric or asymmetric.
  • the present invention can be applied even when the amplifier circuit is a broadband amplifier circuit having no frequency (wavelength) selectivity. Even in this case, the gain suppression unit is not provided in the reception processing units of all channels, but a gain suppression unit that suppresses the gain for other channels than the own channel is provided in any of the reception processing units. Thereby, at least interference from the channel provided with the gain suppression unit can be prevented.
  • FIG. 23 and 24 are diagrams for explaining the transmission / reception system of the sixth embodiment.
  • FIG. 23 shows the first to third examples
  • FIG. 24 shows the fourth to sixth examples.
  • FIG. 23 shows a modification to the fourth embodiment
  • FIG. 24 shows a modification to the fifth embodiment, but the present invention can be similarly applied to other embodiments.
  • the gain suppression unit (the trap circuit 601 and the trap circuit 602) is provided in the low noise amplifier 400, respectively.
  • FIG. 24A to FIG. 24C are modified examples of the example to the third example.
  • the fourth to sixth examples shown in FIGS. 24A to 24C each have a gain suppression unit (the trap circuit 601 and the trap circuit 602). This is a modification of the first to third examples of the fifth embodiment provided in the previous stage of the low noise amplifier 400.
  • the low noise amplifier 400 does not have a clear asymmetry in the bare gain frequency characteristic, for example, has no frequency selectivity, and a flat amplifier with a substantially flat gain over the entire channel band (some undulations). Is allowed). Since the bare gain frequency characteristic asymmetry of the low noise amplifier 400 is not used, the gain suppression unit (trap circuit 601 or trap circuit 602) needs to have a large attenuation characteristic.
  • the signal of the interference channel is obtained by the function of the gain suppression unit (trap circuit 601 or trap circuit 602). Since the level is attenuated, in the demodulation function unit 8400 (not shown) provided at the subsequent stage of the low noise amplifier 400, the interference channel component is not demodulated, and interference can be prevented. Since the asymmetry of the bare gain frequency characteristic of the amplifier circuit is not used, the gain suppression unit has an attenuation characteristic that provides a large attenuation at the target channel position as compared with the fourth and fifth embodiments. For example, if a trap circuit is used, a trap circuit having a large amount of traps is used.
  • FIGS. 25 to 26 are diagrams for explaining the seventh embodiment.
  • FIG. 25 is a diagram illustrating an example of frequency characteristics of the low noise amplifier 400 used in the seventh embodiment.
  • FIG. 26 is a diagram illustrating a transmission / reception system according to the seventh embodiment.
  • FIG. 25 shows an example of frequency characteristics of the low noise amplifier 400 used in the seventh embodiment.
  • FIG. 4 (C) and FIG. 5 (B) in which the gain suppression unit is applied to the high frequency side are shown as modifications, but FIGS. 4 (B) and 5 (B) in which the gain suppression unit is applied to the low frequency side.
  • the bare frequency characteristic of the low noise amplifier 400 has frequency selectivity for the desired channel signal (carrier frequency F C ), that is, the own channel, and the lower adjacent channel signal (carrier). Both the frequency F D ) and the upper adjacent channel signal (carrier frequency F U1 ) are sufficiently attenuated.
  • this channel signal component (carrier frequency) is applied by applying a gain suppression unit that matches this channel signal (carrier frequency F U2 ) with an attenuation frequency (trap position).
  • F U2 can be attenuated.
  • the channel signal component (carrier frequency F U2 ) can be reduced below the reception limit level, the channel signal component (carrier frequency F U2 ) is not demodulated, and mutual interference can be prevented.
  • FIG. 26 shows a transmission / reception system of the seventh embodiment to which this technique is applied.
  • the figure shows a modification of the third example of the third embodiment shown in FIG.
  • the low-frequency channel low-noise amplifier 400 is provided with a gain suppression unit (trap circuit) that suppresses the high-frequency channel gain.
  • a gain suppression unit trap circuit
  • no gain suppression unit trap circuit
  • a 103 GHz high-frequency signal is coupled to the high-frequency signal waveguide 308 by the transmission antenna TXANT and transmitted to the second communication device 200, but at this time, a leakage path (in the drawing) Then, it jumps into its own receiving antenna RXANT via the broken line b) and is supplied to the low-noise amplifier 400 for the low-frequency channel.
  • the low-frequency channel low-noise amplifier 400 is provided with a trap circuit TP_H whose attenuation frequency is set in the 103 GHz band. Therefore, as shown in FIG. 25B, the high frequency signal in the 103 GHz band is a trap circuit. It is sufficiently attenuated by the function of TP_H.
  • the demodulation function unit 8400 for the 57 GHz band in the subsequent stage does not demodulate the 103 GHz band, and the transmission processing unit TX in the 103 GHz band receives the reception processing unit RX in the 57 GHz band. It is possible to prevent interference due to the high-frequency signal leaked to the outside. Although detailed description is omitted, for other leakage paths (broken lines a, c, and d in the figure), even if the gain suppression unit is not used, the demodulation function unit 8400 does not demodulate the interference wave, and the leakage component. Can prevent interference.
  • the reception processing unit has a frequency selectivity for its own channel, and has an amplification unit that amplifies the received signal
  • the signal suppression unit includes a gain suppression unit provided in the amplification unit, Among the combinations of any two channels, for which full duplex bidirectional communication is applied,
  • the gain suppression unit is the signal transmission apparatus according to appendix A1, which suppresses a gain for a channel other than the own channel, which is a channel whose gain frequency characteristic is insufficiently attenuated.
  • a first communication device and a second communication device coupled by a waveguide The first communication device includes a transmission processing unit for the first channel, a reception processing unit for the second channel, and a transmission processing unit for the third channel
  • the second communication device includes a reception processing unit for the first channel, a transmission processing unit for the second channel, and a reception processing unit for the third channel
  • the carrier frequency of the second channel is set higher than the carrier frequency of the first channel
  • the carrier frequency of the third channel is set higher than the carrier frequency of the second channel
  • Full-duplex bidirectional communication is applicable in the combination of the second channel and the first channel and the combination of the second channel and the third channel
  • the amplification unit of the reception processing unit for the first channel has a gain suppression unit that suppresses the gain for the second channel
  • the signal transmission device according to attachment A4 wherein the amplification unit of the reception processing unit for the second channel includes a gain suppression unit that suppresses a gain with respect to the third channel.
  • a first communication device and a second communication device coupled by a waveguide includes a transmission processing unit for the first channel, a transmission processing unit for the second channel, and a reception processing unit for the third channel
  • the second communication device includes a reception processing unit for the first channel, a reception processing unit for the second channel, and a transmission processing unit for the third channel
  • the carrier frequency of the second channel is set higher than the carrier frequency of the first channel
  • the carrier frequency of the third channel is set higher than the carrier frequency of the second channel
  • Full-duplex bidirectional communication is applicable in the combination of the third channel and the first channel and the combination of the third channel and the second channel
  • the signal transmission device according to attachment A4 wherein the amplification unit of the reception processing unit for the second channel includes a gain suppression unit that suppresses a gain with respect to the third channel.
  • a first communication device and a second communication device coupled by a waveguide The first communication device has a reception processing unit for the first channel, a transmission processing unit for the second channel, and a transmission processing unit for the third channel
  • the second communication device includes a transmission processing unit for the first channel, a reception processing unit for the second channel, and a reception processing unit for the third channel
  • the carrier frequency of the second channel is set higher than the carrier frequency of the first channel
  • the carrier frequency of the third channel is set higher than the carrier frequency of the second channel
  • Full-duplex bidirectional communication is applicable in the combination of the first channel and the second channel and the combination of the first channel and the third channel
  • the signal transmission device according to attachment A4 wherein the amplification unit of the reception processing unit for the first channel includes a gain suppression unit that suppresses a gain with respect to the second channel.
  • any one of the combinations of two channels to which unidirectional duplex communication is applied The signal transmission according to any one of supplementary notes A2 to A7, wherein the gain suppression unit suppresses the gain for a channel other than the own channel and having a gain frequency characteristic whose attenuation degree is insufficient. apparatus.
  • the combination of the two channels is in the relationship of adjacent channels to each other, The signal transmission apparatus according to attachment A8, wherein the gain suppression unit suppresses the gain with respect to a channel that is one of the lower adjacent channel and the upper adjacent channel and whose gain frequency characteristic is insufficiently attenuated.
  • a first communication device and a second communication device coupled by a waveguide The first communication device includes a transmission processing unit for the first channel, a transmission processing unit for the second channel, and a reception processing unit for the third channel
  • the second communication device includes a reception processing unit for the first channel, a reception processing unit for the second channel, and a transmission processing unit for the third channel
  • the carrier frequency of the second channel is set higher than the carrier frequency of the first channel
  • the carrier frequency of the third channel is set higher than the carrier frequency of the second channel
  • Full-duplex bidirectional communication is applicable in the combination of the third channel and the first channel and the combination of the third channel and the second channel
  • One-way duplex communication is applicable in combination with the first channel and the second channel
  • the amplification unit of the reception processing unit for the first channel has a gain suppression unit that suppresses the gain for the second channel
  • the signal transmission device according to attachment A6, wherein the amplification unit of the reception processing unit for the second channel includes a gain suppression unit that suppresses a gain
  • the first communication device has a reception processing unit for the first channel, a transmission processing unit for the second channel, and a transmission processing unit for the third channel
  • the second communication device includes a transmission processing unit for the first channel, a reception processing unit for the second channel, and a reception processing unit for the third channel
  • the carrier frequency of the second channel is set higher than the carrier frequency of the first channel
  • the carrier frequency of the third channel is set higher than the carrier frequency of the second channel
  • Full-duplex bidirectional communication is applicable in the combination of the first channel and the second channel and the combination of the first channel and the third channel
  • One-way duplex communication is applicable by combining the second channel and the third channel
  • the amplification unit of the reception processing unit for the first channel has a gain suppression unit that suppresses the gain for the second channel
  • the signal transmission device according to attachment A7 wherein the amplification unit of the reception processing unit for the second channel includes a gain suppression unit that suppresses a
  • any of the reception processing units is a signal transmission device having a gain suppression unit that suppresses a gain for a channel other than the own channel.
  • the reception processing unit has a frequency selectivity for its own channel, and has an amplification unit that amplifies the received signal
  • the signal suppression unit includes a gain suppression unit provided in the amplification unit, Among the combinations of any two channels, for which one-way duplex communication is applied,
  • the gain suppressing unit is the signal transmission device according to attachment A12, which suppresses the gain for a channel other than the own channel and having a gain frequency characteristic whose attenuation degree is insufficient.
  • [Appendix A14] The combination of the two channels is in the relationship of adjacent channels to each other, The signal transmission apparatus according to attachment A13, wherein the gain suppression unit suppresses the gain with respect to a channel that is one of the lower adjacent channel and the upper adjacent channel and whose gain frequency characteristic is insufficiently attenuated.
  • the gain suppression unit includes a trap circuit.
  • the trap circuit is configured by a series resonance circuit of an inductor and a capacitor.
  • any of the reception processing units is an electronic device having a signal suppression unit that suppresses signal components of channels other than the own channel.
  • the total number of channels is 2 or more, Among the combinations of any two channels, for which one-way duplex communication is applied, Any of the reception processing units is an electronic device having a signal suppression unit that suppresses signal components of channels other than the own channel.
  • the reception processing unit has a frequency selectivity for its own channel, and has an amplification unit that amplifies the received signal,
  • the signal suppression unit includes a gain suppression unit provided in the amplification unit,
  • the signal transmission apparatus according to appendix B1, wherein the gain suppression unit is configured to suppress a gain for a channel other than the own channel, which is a channel whose gain frequency characteristic is insufficiently attenuated.
  • the gain suppression unit is in any one of the lower adjacent channel and the upper adjacent channel among the combinations of any two channels, and the gain frequency characteristic is not sufficiently attenuated.
  • the signal transmission device according to attachment B2 which suppresses a gain with respect to the other side.
  • the gain frequency characteristic of the amplification unit without the gain suppression unit is inferior to the low frequency side in terms of gain attenuation on the high frequency side with respect to its own channel, The signal transmission device according to attachment B3, wherein the gain suppression unit suppresses the gain with respect to the upper adjacent channel.
  • the amplification unit includes a gain suppression unit that is in the relationship of adjacent channels among the combinations of any two channels and to which full duplex bidirectional communication is applied.
  • the first communication device includes a transmission processing unit for the first channel, a reception processing unit for the second channel, and a transmission processing unit for the third channel
  • the second communication device includes a reception processing unit for the first channel, a transmission processing unit for the second channel, and a reception processing unit for the third channel,
  • the carrier frequency of the second channel is set higher than the carrier frequency of the first channel
  • the carrier frequency of the third channel is set higher than the carrier frequency of the second channel
  • Full-duplex bidirectional communication is applicable in the combination of the second channel and
  • a first communication device and a second communication device coupled by a waveguide includes a transmission processing unit for the first channel, a transmission processing unit for the second channel, and a reception processing unit for the third channel
  • the second communication device includes a reception processing unit for the first channel, a reception processing unit for the second channel, and a transmission processing unit for the third channel
  • the carrier frequency of the second channel is set higher than the carrier frequency of the first channel
  • the carrier frequency of the third channel is set higher than the carrier frequency of the second channel
  • Full-duplex bidirectional communication is applicable in the combination of the third channel and the first channel and the combination of the third channel and the second channel
  • the gain frequency characteristic of the amplification unit without the gain suppression unit is inferior to the low frequency side in terms of gain attenuation on the high frequency side with respect to its own channel
  • the signal transmission device according to attachment B5 wherein the amplification unit of the reception processing unit for the second channel includes a gain suppression unit that suppresses a gain with respect to the third channel.
  • a first communication device and a second communication device coupled by a waveguide The first communication device has a reception processing unit for the first channel, a transmission processing unit for the second channel, and a transmission processing unit for the third channel
  • the second communication device includes a transmission processing unit for the first channel, a reception processing unit for the second channel, and a reception processing unit for the third channel
  • the carrier frequency of the second channel is set higher than the carrier frequency of the first channel
  • the carrier frequency of the third channel is set higher than the carrier frequency of the second channel
  • Full-duplex bidirectional communication is applicable in the combination of the first channel and the second channel and the combination of the first channel and the third channel
  • the gain frequency characteristic of the amplification unit without the gain suppression unit is inferior to the low frequency side in terms of gain attenuation on the high frequency side with respect to its own channel
  • the signal transmission device according to attachment B5 wherein the amplification unit of the reception processing unit for the first channel includes a gain suppression unit that suppresses a gain with respect to the second channel.
  • the total number of channels is 3 or more, Furthermore, the signal transmission device according to appendix B5, in which the amplification unit has a gain suppression unit for any of the combinations of two channels that are in the relationship of adjacent channels and to which one-way duplex communication is applied. .
  • the gain frequency characteristic of the amplification unit without the gain suppression unit is inferior to the low frequency side in terms of gain attenuation on the high frequency side with respect to its own channel, The signal transmission apparatus according to attachment B9, wherein the gain suppression unit suppresses the gain with respect to the upper adjacent channel.
  • a first communication device and a second communication device coupled by a waveguide includes a transmission processing unit for the first channel, a transmission processing unit for the second channel, and a reception processing unit for the third channel
  • the second communication device includes a reception processing unit for the first channel, a reception processing unit for the second channel, and a transmission processing unit for the third channel
  • the carrier frequency of the second channel is set higher than the carrier frequency of the first channel
  • the carrier frequency of the third channel is set higher than the carrier frequency of the second channel
  • Full-duplex bidirectional communication is applicable in the combination of the third channel and the first channel and the combination of the third channel and the second channel
  • One-way duplex communication is applicable in combination with the first channel and the second channel
  • the amplification unit of the reception processing unit for the first channel has a gain suppression unit that suppresses the gain for the second channel
  • the signal transmission device according to attachment B10, wherein the amplification unit of the reception processing unit for the second channel includes a gain suppression unit that suppresses a
  • the first communication device has a reception processing unit for the first channel, a transmission processing unit for the second channel, and a transmission processing unit for the third channel
  • the second communication device includes a transmission processing unit for the first channel, a reception processing unit for the second channel, and a reception processing unit for the third channel
  • the carrier frequency of the second channel is set higher than the carrier frequency of the first channel
  • the carrier frequency of the third channel is set higher than the carrier frequency of the second channel
  • Full-duplex bidirectional communication is applicable in the combination of the first channel and the second channel and the combination of the first channel and the third channel
  • One-way duplex communication is applicable by combining the second channel and the third channel
  • the amplification unit of the reception processing unit for the first channel has a gain suppression unit that suppresses the gain for the second channel
  • the signal transmission device according to attachment B10, wherein the amplification unit of the reception processing unit for the second channel includes a gain suppression unit that suppresses
  • [Appendix B13] The signal transmission device according to attachment B3, wherein the amplification unit includes a gain suppression unit that is in the relationship of adjacent channels in the combination of any two channels and to which one-way duplex communication is applied.
  • the gain suppressing unit is the signal transmission device according to attachment B2, which is configured by a trap circuit.
  • the trap circuit includes a series resonance circuit of an inductor and a capacitor.
  • the amplifying unit includes two transistors connected in cascade, and an amplifying stage having an inductor whose constant is set so as to have frequency selectivity in its own channel as a load, The signal transmission device according to appendix B14, wherein the trap circuit is connected between a cascade connection point of two transistors and a reference potential point.
  • the amplification unit has a plurality of amplification stages, The trap circuit is the signal transmission device according to attachment B16, which is provided in the first amplification stage.
  • the amplification unit has a plurality of amplification stages, The signal transmission device according to attachment B16, wherein the trap circuit is provided in at least one amplification stage other than the first stage.
  • the amplifying circuit is a receiving circuit having a gain suppression circuit that suppresses a gain for a channel other than its own channel.
  • Each channel has a reception processing unit that receives transmission signals.
  • the reception processing unit has a frequency selectivity for its own channel, and has an amplification unit that amplifies the received signal,
  • the amplifying unit is an electronic device having a gain suppressing unit that suppresses a gain with respect to a channel other than the own channel.
  • the total number of channels is 2, and it is possible to perform full-duplex bidirectional communication by dividing the frequency band, with a reception processing unit for each channel,
  • the reception processing unit is a signal transmission device including a signal suppression unit that suppresses a signal component of an adjacent channel.
  • the reception processing unit has a frequency selectivity for its own channel, and has an amplification unit that amplifies the received signal,
  • the signal suppression unit includes a gain suppression unit provided in the amplification unit,
  • the signal transmission apparatus according to appendix C1, wherein the gain suppression unit suppresses the gain with respect to the one of the lower adjacent channel and the upper adjacent channel, and the gain frequency characteristic is insufficiently attenuated.
  • the gain frequency characteristic of the amplification unit without the gain suppression unit is inferior to the low frequency side in terms of gain attenuation on the high frequency side with respect to its own channel,
  • the signal transmission device according to attachment C2 wherein the gain suppression unit provided in the amplification unit for the lower adjacent channel suppresses the gain for the upper adjacent channel.
  • the gain suppressing unit is the signal transmission device according to attachment C1, which is configured by a trap circuit.
  • the signal transmission device according to appendix C4 wherein the trap circuit includes a series resonance circuit of an inductor and a capacitor.
  • the amplifying unit includes two transistors connected in cascade, and an amplifying stage having an inductor whose constant is set so as to have frequency selectivity in its own channel as a load, The signal transmission device according to appendix C4, wherein the trap circuit is connected between a cascade connection point of two transistors and a reference potential point.
  • the amplification unit has a plurality of amplification stages, The signal transmission device according to attachment C8, wherein the trap circuit is provided in the first amplification stage.
  • the amplification unit has a plurality of amplification stages, The signal transmission device according to attachment C8, wherein the trap circuit is provided in at least one amplification stage other than the first stage.
  • the amplification unit has a plurality of amplification stages, The signal transmission device according to attachment C8, wherein the trap circuit is provided in each of the first amplification stage and at least one amplification stage other than the first stage.
  • a trap circuit can be selectively used in at least one of the gain suppression unit provided in the first amplification stage and the trap circuit provided in at least one amplification stage other than the first stage.
  • the amplification unit is formed in a complementary metal oxide film semiconductor.
  • Appendix C15 The signal transmission device according to attachment C2, wherein the transmission processing unit and the reception processing unit are coupled by a waveguide.
  • the total number of channels is 2, and it is possible to perform full-duplex bidirectional communication by dividing the frequency band, with a reception processing unit for each channel,
  • the reception processing unit is an electronic device having a signal suppression unit that suppresses a signal component of an adjacent channel.
  • the reception processing unit has a frequency selectivity for its own channel, and has an amplification unit that amplifies the received signal
  • the signal suppression unit includes a gain suppression unit provided in the amplification unit
  • the gain frequency characteristic of the amplification unit without the gain suppression unit is inferior to the low frequency side in terms of gain attenuation on the high frequency side with respect to its own channel
  • the gain suppressing unit provided in the amplifying unit for the lower adjacent channel is the electronic device according to appendix C19, which suppresses the gain for the upper adjacent channel.
  • SYMBOLS 1 Signal transmission apparatus, 100 ... 1st communication apparatus, 103 ... Semiconductor chip, 200 ... 2nd communication apparatus, 203 ... Semiconductor chip, 400 ... Low noise amplifier, 601 ... Trap circuit, 60 2 ... Trap circuit, 603 ... Trap circuit, 604 ... Trap circuit, 8 ... Electronic equipment 8, 3 08: High-frequency signal waveguide, TX: Transmission processing unit (transmission circuit), RX: Reception processing unit (reception circuit)

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

 周波数帯を分けてマルチチャネル伝送を行なうことを可能に、送信処理部と受信処理部とをチャネルごとに備える。チャネルの総数は3以上である。何れか2つのチャネルの組合せの内で、全二重双方向通信が適用されるものについて、受信処理部の何れかは、自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を有する。好適な態様としては、受信処理部は、自チャネルに対しての周波数選択性を持ち、且つ、受信した信号を増幅する増幅部を有する。隣接チャネルの関係にあり、且つ、全二重双方向通信が適用されるものについて、増幅部は、下側隣接チャネルと上側隣接チャネルの何れか一方であって、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方に対しての利得を抑制する利得抑制部を有する。

Description

信号伝送装置、受信回路、及び、電子機器
 本明細書で開示する技術は、信号伝送装置、受信回路、及び、電子機器に関する。より詳細には、マルチチャネル伝送を行なう際の相互干渉の対策技術に関する。
 今日、電子機器内や電子機器間の信号伝送において、大容量のデータを扱うことができる技術或いは高速(例えばリアルタイム)に伝送することができる技術が求められている。従前、典型的には、電気配線で接続して信号伝送を行なっていた。高速信号伝送を実現する手法として、例えばLVDS(Low Voltage Differential Signaling)が知られている。しかしながら、最近のさらなる伝送データの大容量高速化に伴い、消費電力の増加、反射等による信号歪みの影響の増加、不要輻射の増加、等が問題となる。例えば、映像信号(撮像信号を含む)やコンピュータ画像等の信号を機器内で高速(リアルタイム)に伝送する場合にLVDSでは限界に達してきている。
 伝送データの高速化の問題に対応するため、配線数を増やして、信号の並列化により一信号線当たりの伝送速度を落とす手法がある。しかしながら、この対処では、入出力端子の増大に繋がってしまう。その結果、プリント基板やケーブル配線の複雑化や半導体チップサイズの拡大等が求められる。又、高速・大容量のデータを配線で引き回すことによりいわゆる電磁界障害が問題となる。
 LVDSや配線数を増やす手法における問題は、何れも、電気配線により信号を伝送することに起因している。そこで、電気配線により信号を伝送することに起因する問題を解決する手法として、プラスチックを導波路(Waveguide)に使用してミリ波帯で信号伝送を行なう技術が、例えば“A
12.5+12.5Gb/s Full-Duplex Plastic Waveguide Interconnect”(ISSCC 2011学会発表:その予稿集、発表スライドを参照)に開示されている。
Satoshi Fukuda, et al.、"A 12.5+12.5Gb/s Full-Duplex Plastic Waveguide Interconnect"、2011 IEEE International Solid-State Circuits Conference ISSCC 2011 /SESSION 8 / ARCHITECTURES & CIRCUITS FOR NEXT GENERATION WIRELINETRANSCEIVERS / 8.5、平成23年2月、p.150-152 Satoshi Fukuda, et al.、"A 12.5+12.5Gb/s Full-Duplex Plastic Waveguide Interconnect"、2011 IEEE International Solid-State Circuits Conference ISSCC 2011 /SESSION 8 / 、平成23年2月、発表スライドp.1-29
 ところで、1つの導波路で周波数帯を分けて通信を行なういわゆる周波数分割多重(FDM:Frequency Division Multiplexing)を適用する場合、他方のチャネル(チャンネルと称されることもある、以下では「CH」と表記することもある)が妨害波となり通信に悪影響を与えることが問題となる。一般的に「相互干渉」や「チャネル間の混信問題」と称される。典型的には、相互に隣接する2つのチャネルに関しての「隣接チャネル間の混信問題」である。
 この問題を解消するため、例えば他チャネルとの間の周波数差を一定以上に分離する方法が採られることがあるが、分離を行なえば行なうほど(つまりチャネル間の周波数差を大きくするほど)、全体として必要となる周波数帯域は増加する。この場合、通信装置や通信用半導体装置(チップ)だけではなく、導波路についても、広帯域特性が必要となる難点がある。
 従って、本開示の目的は、他チャネルとの間の周波数差を大きくする手法を採らなくても他チャネルとの間の混信問題を緩和することのできる技術を提供することにある。
 本開示の第1の態様に係る信号伝送装置は、周波数帯を分けてマルチチャネル伝送を行なうことを可能に、受信処理部をチャネルごとに備え、チャネルの総数は3以上である。そして、何れか2つのチャネルの組合せの内で、全二重双方向通信が適用されるものについて、受信処理部の何れかは、自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を有する。本開示の第1の態様に係る信号伝送装置の従属項に記載された各信号伝送装置は、本開示の第1の態様に係る信号伝送装置のさらなる有利な具体例を規定する。例えば、受信処理部は、自チャネルに対しての周波数選択性を持ち、且つ、受信した信号を増幅する増幅部を有し、信号抑制部は、増幅部に設けられた利得抑制部から成る構成を採ることができる。そして、何れか2つのチャネルの組合せの内で、全二重双方向通信が適用されるものについて、利得抑制部は、自チャネル以外の他チャネルであって、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方のチャネルに対しての利得を抑制する。更には、2つのチャネルの組合せが相互に隣接チャネルの関係にある場合であれば、利得抑制部は、下側隣接チャネルと上側隣接チャネルの何れか一方であって、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方のチャネルに対しての利得を抑制するとよい。
 本開示の第2の態様に係る信号伝送装置は、周波数帯を分けてマルチチャネル伝送を行なうことを可能に、受信処理部をチャネルごとに備え、チャネルの総数は2以上である。そして、何れか2つのチャネルの組合せの内で、片方向二重通信が適用されるものについて、受信処理部の何れかは、自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を有する。
 本開示の第3の態様に係る受信回路は、チャネルの総数は3以上である場合において、何れか2つのチャネルの組合せの内で、全二重双方向通信が適用されるものについて、自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制回路を有する。
 本開示の第4の態様に係る受信回路は、何れか2つのチャネルの組合せの内で、片方向二重通信が適用されるものについて、自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制回路を有する。
 本開示の第5の態様に係る電子機器は、周波数帯を分けてマルチチャネル伝送を行なうことを可能に、受信処理部をチャネルごとに備え、チャネルの総数は3以上である。そして、何れか2つのチャネルの組合せの内で、全二重双方向通信が適用されるものについて、受信処理部の何れかは、自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を有する。
 本開示の第6の態様に係る電子機器は、周波数帯を分けてマルチチャネル伝送を行なうことを可能に、受信処理部をチャネルごとに備え、チャネルの総数は2以上である。そして、何れか2つのチャネルの組合せの内で、片方向二重通信が適用されるものについて、受信処理部の何れかは、自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を有する。
 本開示の第2の態様に係る信号伝送装置、本開示の第3及び第4の態様に係る受信回路、並びに、本開示の第5及び第6の態様に係る電子機器においても、本開示の第1の態様に係る信号伝送装置の従属項に記載された各信号伝送装置に適用される各種の技術・手法(但し、第4の態様に係る受信回路と第6の態様に係る電子機器においては全二重双方向通信に特有の事項を除く)が同様に適用可能であり、それが適用された構成は、本開示の第2の態様に係る信号伝送装置、本開示の第3及び第4の態様に係る受信回路、並びに、本開示の第5及び第6の態様に係る電子機器のさらなる有利な具体例を規定する。例えば、受信処理部は、自チャネルに対しての周波数選択性を持ち、且つ、受信した信号を増幅する増幅部を有し、信号抑制部は、増幅部に設けられた利得抑制部から成る構成を採ることができる。そして、何れか2つのチャネルの組合せの内で、片方向二重通信が適用されるものについて、利得抑制部は、自チャネル以外の他チャネルであって、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方のチャネルに対しての利得を抑制する。更には、2つのチャネルの組合せが相互に隣接チャネルの関係にある場合であれば、利得抑制部は、下側隣接チャネルと上側隣接チャネルの何れか一方であって、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方のチャネルに対しての利得を抑制するとよい。
 本明細書で開示する技術では、マルチチャネル伝送を行なう際のチャネル数を問わず、又、全二重双方向通信と片方向二重通信の何れが適用されるのかを問わず、受信処理部の何れかは、自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を増幅部や増幅回路の前段或いは後段に設ける点に特徴がある。好適には、信号抑制部は、増幅部に設けられた利得抑制部から成る構成とする。何れか2つのチャネルの組合せに関して、自チャネル以外の他チャネルであって、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方のチャネルに対して、利得を抑制する利得抑制部を増幅部や増幅回路に設ける。例えば、2つのチャネルの組合せが相互に隣接チャネルの関係にある場合であれば、利得抑制部は、下側隣接チャネルと上側隣接チャネルの何れか一方であって、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方のチャネルに対して、利得を抑制する利得抑制部を増幅部や増幅回路に設ける。そして、全二重双方向通信が適用される場合には、それが適用されるものに関して(好適には、更に、隣接チャネルの関係にあるものに関して)のみ前記の条件に従って利得抑制部を増幅部や増幅回路に設ければよい。
 因みに、本開示の第1の態様に係る信号伝送装置、本開示の第3の態様に係る受信回路、及び、本開示の第5の態様に係る電子機器においては、チャネルの総数を「3」以上とする。片方向二重通信が適用される場合には、それが適用されるものに関して(好適には、更に、隣接チャネルの関係にあるものに関して)のみ前記の条件に従って信号抑制部や利得抑制部を設ければよい。因みに、本開示の第2の態様に係る信号伝送装置、本開示の第4の態様に係る受信回路、及び、本開示の第6の態様に係る電子機器においては、チャネルの総数を「2」以上とする。全二重双方向通信と片方向二重通信の双方が適用される場合には、それらが適用されるものに関して(好適には、更に、隣接チャネルの関係にあるものに関して)のみ前記の条件に従って信号抑制部や利得抑制部を設ければよい。
 つまり、本明細書で開示する技術では、自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を受信処理部(例えば、増幅部や増幅回路の内部或いはその前段や後段)の何れかに設ける。複数の受信処理部の全てではなく、「何れか」の受信処理部に利得抑制部を設けて、相互の干渉を抑制する。したがって、複数の受信処理部の全てについて他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を設ける場合と比べて構成を簡易にできる。信号抑制部を設けることにより妨害波の影響を抑制することができるので、他チャネルとの周波数間隔を必要以上にとらなくても他チャネルとの間の混信問題を緩和でき、周波数の有効利用が可能となる。
 本明細書で開示する技術の好適な態様においては、「下側隣接チャネルと上側隣接チャネルの何れか一方であって、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方」に対しての利得を抑制する利得抑制部を受信処理部に設ける。例えば、増幅部や増幅回路の内部或いはその前段や後段、特に好ましくは、増幅部や増幅回路の内部に利得抑制部を設ける。本明細書で開示する技術の好適な態様においては、利得抑制部が設けられていない場合の(以下では「裸の」と記すこともある)増幅部や増幅回路の利得周波数特性が、希望チャネル(自チャネル)の下側(低域側)と上側(高域側)とで非対称であることを前提とする。利得周波数特性が「非対称」とは、下側(低域側)と上側(高域側)の一方については利得の減衰度合いが十分であるが、他方については利得の減衰度合いが不十分であることを意味する。典型的には、何れか2つのチャネルの組合せが相互に隣接チャネルの関係にある場合であり、上側隣接チャネルと下側隣接チャネルの一方については利得の減衰度合いが十分であるが、他方については利得の減衰度合いが不十分であることを意味する。これらの場合、そのままでは、利得の減衰度合いが不十分な方のチャネルからの妨害(相互に隣接チャネルの関係にある場合には、特に隣接妨害とも称する)が問題となる。
 そこで、本明細書で開示する技術の好適な態様においては、増幅部や増幅回路の裸の利得周波数特性が非対称であることを利用して、下側(低域側)のチャネルと上側(高域側)のチャネルの一方(詳しくは、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方のチャネル)についてのみ利得抑制部を設ける。相互に隣接チャネルの関係にある典型的な例では、上側隣接チャネルと下側隣接チャネルの片方(詳しくは、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方)にのみ利得抑制部を設ける。要するに、本明細書で開示する技術の好適な態様においては、増幅部や増幅回路の裸の利得周波数特性が、希望チャネルの下側と上側とで非対称である場合に、他チャネルからの妨害に対しての減衰度合いが不足する方についてのみ利得抑制部を設けて、相互の干渉を抑制する。したがって、下側(低域側)のチャネルと上側(高域側)のチャネルの双方(典型例では上側隣接チャネルと下側隣接チャネルの双方)について利得抑制部を設ける場合と比べて構成を簡易にできる。利得抑制部を設けることにより妨害波の影響を抑制することができるので、他チャネル(典型的には隣接チャネル)との周波数間隔を必要以上にとらなくても他チャネルとの間の混信問題を緩和でき、周波数の有効利用が可能となる。
 本開示の第1及び第2の信号伝送装置、第3及び第4の態様に係る受信回路、並びに、本開示の第5及び第6の態様に係る電子機器によれば、簡易な構成により、他チャネルとの間の周波数差を大きくする手法を採らなくても他チャネルとの間の混信問題を緩和することができる。
図1(A)~図1(B)は、信号伝送装置或いは電子機器の全体概要を示す図である。 図2は、信号伝送装置或いは電子機器の具体的な事例を示す図である。 図3Aは、信号伝送装置の機能ブロック図である。 図3Bは、信号伝送装置の機能ブロック図である。 図4(A)~図4(C)は、相互干渉の発生原因を説明する図である。 図5(A)~図5(B)は、相互干渉に対する本実施形態の対策原理を説明する図(その1)である。 図6(A)~図6(D)は、相互干渉に対する本実施形態の対策原理を説明する図(その2)である。 図7(A)~図7(B)は、トラップ回路を備えたローノイズアンプの第1例を説明する図である。 図8は、トラップ回路を備えたローノイズアンプの第2例を説明する図である。 図9は、トラップ回路を備えたローノイズアンプの第3例を説明する図である。 図10(A)~図10(B)は、トラップ回路を備えていないローノイズアンプを説明する図である。 図11は、全二重双方向通信を適用した実施例1の送受信系統を説明する図である。 図12(A)~図12(C)は、実施例1における相互干渉対策の具体的な対処手法を説明する図である。 図13は、片方向二重通信を適用した実施例2の送受信系統を説明する図である。 図14は、実施例2における相互干渉対策の具体的な対処手法を説明する図である。 図15は、実施例2に対する変形例を説明する図である。 図16(A)~図16(C)は、全二重双方向通信と片方向二重通信とを併用した実施例3で使用されるローノイズアンプのゲイン特性の一例を示す図である。 図17(A)~図17(C)は、実施例3の送受信系統を説明する図である。 図18(A)~図18(B)は、実施例3に対する変形例を説明する図である。 図19(A)~図19(C)は、全二重双方向通信と片方向二重通信とを併用した実施例4の送受信系統を説明する図である。 図20(A)~図20(B)は、実施例4に対する変形例を説明する図である。 図21(A)~図21(C)は、実施例5の送受信系統を説明する図である(第1例~第3例)。 図22(A)~図22(C)は、実施例5の送受信系統を説明する図である(第4例~第6例)。 図23(A)~図23(C)は、実施例6の送受信系統を説明する図である(第1例~第3例)。 図24(A)~図24(C)は、実施例6の送受信系統を説明する図である(第4例~第6例)。 図25(A)~図25(B)は、実施例7で使用されるローノイズアンプのゲイン特性の一例を説明する図である。 図26は、実施例7の送受信系統を説明する図である。
 以下、図面を参照して、本明細書で開示する技術の実施形態について詳細に説明する。各機能要素について形態別に区別する際にはアルファベット或いは“_n”(nは数字)或いはこれらの組合せの参照子を付して記載し、特に区別しないで説明する際にはこの参照子を割愛して記載する。図面においても同様である。
 説明は以下の順序で行なう。
 1.全体概要
 2.伝送処理系統(基本):機器構成、機能ブロック詳細構成例
 3.相互干渉とその対策原理:発生原因、対策手法
 4.増幅部の構成例:第1例~第4例
 5.具体的な適用例
    実施例1:対策手法の第1例、2CH&全二重双方向
    実施例2:対策手法の第1例、2CH&片方向二重
    実施例3:対策手法の第1例、3CH以上&全二重双方向と片方向二重の併用
           (片方向二重通信系の漏洩パスを無視)
    実施例4:対策手法の第1例、3CH以上&全二重双方向と片方向二重の併用
           (片方向二重通信系の漏洩パスも考慮)
    実施例5:対策手法の第2例、増幅回路以外での対応
           (増幅回路の裸の利得周波数特性の非対称性を利用)
    実施例6:対策手法の第3例
           (増幅回路の裸の利得周波数特性の非対称性を利用しない)
    実施例7:隣接チャネル以外の他チャネルの干渉対策
 <全体概要>
 先ず、基本的な事項について以下に説明する。本明細書で開示する信号伝送装置や電子機器においては、伝送信号を受信する複数の受信処理部を受信回路に備える。複数の受信処理部と対応するように、複数の送信処理部を備える。例えば、周波数帯を分けてマルチチャネル伝送を行なうことを可能に、受信処理部をチャネルごとに備える。チャネルごとの受信処理部と対応するように、送信処理部をチャネルごとに備える。受信処理部の何れかは、自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を有する。全ての受信処理部に信号抑制部を設ける場合と比べて、簡易な構成で、他チャネルとの間の混信問題を緩和することができる。
 好ましい形態としては、受信処理部は、自チャネルに対しての周波数選択性を持ち、且つ、受信した信号を増幅する増幅部(増幅回路)を有する。増幅部の裸の利得周波数特性は、希望チャネル(自チャネル)の下側(低域側)と上側(高域側)とで非対称である。この場合に、本明細書で開示する信号伝送装置や電子機器において好ましい形態としては、その非対称性を利用して、複数の受信処理部の何れかは、妨害波に対しての利得を抑制する利得抑制部を増幅部(増幅回路)内に有するものとする。つまり、信号抑制部が、増幅部に設けられた利得抑制部から成る構成である。自チャネル以外のチャネル(両隣りの関係にある隣接チャネルに限らず、より離れた他チャネルでもよい:纏めて妨害チャネルとも記す)からの影響がある場合に、その妨害チャネルの影響を利得抑制部により抑制する。典型的には、隣接チャネルからの影響を抑制する。例えば、何れか2つのチャネルの組合せの内で、隣接チャネルの関係にあるものについて、下側隣接チャネルと上側隣接チャネルの何れか一方であって、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方に対しての利得を抑制する利得抑制部を増幅部に設ける。つまり、利得抑制部が設けられていない場合の増幅部の裸の利得周波数特性が非対称であることを積極的に利用して、利得の減衰度合いの不足する側の隣接チャネル用にトラップ回路等の利得抑制部を設ける。
 ここで、増幅部の裸の利得周波数特性が非対称を呈する場合、自チャネルを中心に低域側の方が高域側よりも利得減衰性が不足する第1の状態と、自チャネルを中心に高域側の方が低域側よりも利得減衰性が不足する第2の状態とをとり得る。第1の状態では下側隣接チャネルに対しての波長選択性が劣り、第2の状態では上側隣接チャネルに対しての波長選択性が劣る。対象となる2つのチャネルの組合せにおいて、一方のチャネル用の増幅部の裸の利得周波数特性と他方のチャネル用の増幅部の裸の利得周波数特性とは、その非対称性が同じ状態である場合に限らず、混在する場合も起こり得る。つまり、一方のチャネル用の増幅部の裸の利得周波数特性が第1の状態であり、他方のチャネル用の増幅部の裸の利得周波数特性も第1の状態である第1のケース、一方のチャネル用の増幅部の裸の利得周波数特性が第2の状態であり、他方のチャネル用の増幅部の裸の利得周波数特性も第2の状態である第2のケース、一方のチャネル用の増幅部の裸の利得周波数特性が第2の状態であり、他方のチャネル用の増幅部の裸の利得周波数特性は第1の状態である第3のケース、一方のチャネル用の増幅部の裸の利得周波数特性が第1の状態であり、他方のチャネル用の増幅部の裸の利得周波数特性は第2の状態である第4のケース、の計4つの組合せをとり得る。よって、本実施形態の信号伝送装置や受信回路や電子機器において、増幅部に利得抑制部を設ける場合、前述の4つの組合せのそれぞれについて、「利得周波数特性の減衰度合いが不足する方に対しての利得を抑制する」ことができるように所要のチャネル用の増幅部に利得抑制部を設ける。
 例えば、チャネルの総数が2であるとし、隣接チャネルの関係にある2つのチャネルの内、一方のチャネルの搬送周波数の方が他方のチャネルの搬送周波数よりも低いとする。便宜的に、搬送周波数の低い一方(低域側)のチャネルを低域チャネルと称し、搬送周波数の高い他方(高域側)のチャネルを高域チャネルと称する。第1のケースでは、両チャネルの増幅部の裸の利得周波数特性は自チャネルを中心に低域側の方が高域側よりも利得減衰性が不足する第1の状態にあるので、高域チャネル用の増幅部にのみ利得抑制部を設ければよく、その利得抑制部は、下側隣接チャネルである低域チャネルに対して利得を抑制するものであればよい。低域チャネル用の増幅部には、利得抑制部を設ける必要はない。第2のケースでは、両チャネルの増幅部の裸の利得周波数特性は自チャネルを中心に高域側の方が低域側よりも利得減衰性が不足する第2の状態にあるので、低域チャネル用の増幅部にのみ利得抑制部を設ければよく、その利得抑制部は、上側隣接チャネルである高域チャネルに対して利得を抑制するものであればよい。高域チャネル用の増幅部には、利得抑制部を設ける必要はない。このように、両チャネルの増幅部の裸の利得周波数特性が同じ状態の非対称性を呈する第1のケースや第2のケースでは、何れか一方のチャネル用の増幅部にのみ、他方のチャネルに対する利得を抑制する利得抑制部を設ければよい。
 第3のケースでは、低域チャネル用の増幅部の裸の利得周波数特性は自チャネルを中心に高域側の方が低域側よりも利得減衰性が不足する第2の状態にあり、高域チャネル用の増幅部の裸の利得周波数特性は自チャネルを中心に低域側の方が高域側よりも利得減衰性が不足する第1の状態にある。したがって、低域チャネル用の増幅部には上側隣接チャネルに対して利得を抑制する利得抑制部を設け、又、高域チャネル用の増幅部には、下側隣接チャネルに対して利得を抑制する利得抑制部を設ける。このように、第3のケースでは、何れのチャネルについても、相手チャネルに対する利得の減衰度合いが不足する(減衰度合いが不十分な)状態であるから、何れのチャネルについても、相手チャネルに対する利得を抑制する利得抑制部を設ける必要がある。
 第4のケースでは、低域チャネル用の増幅部の裸の利得周波数特性は自チャネルを中心に低域側の方が高域側よりも利得減衰性が不足する第1の状態にあり、高域チャネル用の増幅部の裸の利得周波数特性は自チャネルを中心に高域側の方が低域側よりも利得減衰性が不足する第2の状態にある。低域チャネル用の増幅部は、利得抑制部を設けなくても、上側隣接チャネルである高域チャネルに対しての利得の減衰度合いは十分であり、又、高域チャネル用の増幅部は、利得抑制部を設けなくても、下側隣接チャネルである低域チャネルに対しての利得の減衰度合いは十分である。このように、第4のケースでは、何れのチャネルについても、相手チャネルに対する利得の減衰度合いが不足していない(減衰度合いが十分な)状態であるから、何れのチャネルについても、相手チャネルに対する利得を抑制する利得抑制部を設ける必要はない。
 チャネルの総数が3以上の場合には、更に、他のチャネルとの組合せをとり、それぞれ2つのチャネルでなる各組合せの内で隣接チャネルの関係にあるものに関して、前述の4つのケースの何れに該当するのかに基づいて、利得抑制部の要否や、利得抑制部を設ける場合には何れのチャネルに対する利得を抑制するものとするのか等を決定すればよい。
 本明細書で開示する信号伝送装置や受信回路や電子機器においては、全二重双方向通信を適用してマルチチャネル伝送を行なう場合、全二重双方向通信が適用され且つ隣接チャネルの関係にあるものに関してのみ前記手法に従って利得抑制部を増幅部に設ける。
 或いは、本明細書で開示する信号伝送装置や受信回路や電子機器においては、片方向二重通信を適用してマルチチャネル伝送を行なう場合、片方向二重通信が適用され且つ隣接チャネルの関係にあるものに関してのみ前記手法に従って利得抑制部を増幅部に設ける。
 或いは、本明細書で開示する信号伝送装置や受信回路や電子機器においては、全二重双方向通信と片方向二重通信の双方が適用される場合は、好ましくは、全二重双方向通信と片方向二重通信についての前述の各手法を併用する。尚、全二重双方向通信と片方向二重通信の双方が適用される場合に、片方向二重通信に関しての前述の手法を併用することは必須でない。これは、以下のことに起因する。
 先ず、全二重双方向通信を適用する場合、一方の通信装置(第1通信装置)側或いは他方の通信装置(第2通信装置)側の何れか一方或いは双方そのものにおいて、自身の送信処理部から受信処理部へほぼ直接に高周波信号が漏れ込む漏洩パスができ、そのエネルギは導波路を介して相手側の通信装置の受信処理部へ漏れ込む漏洩パスでのエネルギに比べると大きい。送信処理部と受信処理部との間に介在する導波路の伝送損失が影響するか否かの相違があるからである。したがって、全二重双方向通信を適用する場合に、一方の通信装置(第1通信装置)側或いは他方の通信装置(第2通信装置)側の何れか一方或いは双方そのものにおいて、自身の送信処理部から受信処理部へほぼ直接に高周波信号が漏れ込む漏洩パスが、2つのチャネルの組合せ(典型的には隣接チャネルの組合せ)にて形成される場合には、全二重双方向通信についての前述の手法を適用するのが好ましい。
 一方、片方向二重通信を適用する場合、一方の通信装置の送信処理部から他方の通信装置の受信処理部へ導波路を介して高周波信号が伝送されるが、このとき自チャネル用の受信処理部だけでなく他チャネル用の受信処理部へ高周波信号が漏れ込む漏洩パスができる。しかしながら、導波路を介して他方の通信装置に伝送されるので、受信されるエネルギは、全二重双方向通信を適用する場合に形成される自身の送信処理部から受信処理部への漏洩パスでのエネルギに比べると小さい。一方の通信装置と他方の通信装置とを結合する導波路の伝送損失により受信側のエネルギが低下するからである。したがって、場合によっては、片方向二重通信についての前述の手法を適用することが不要となることもある。
 本明細書で開示する信号伝送装置や受信回路や電子機器において、前述の利得抑制部を増幅部に設けることは、原理的には、全二重双方向通信を適用するのか片方向二重通信を適用するのかを問わず、2チャネルの場合から適用可能であり、チャネル総数の最少値は「2」となる。
 例えば、チャネル総数を「3」以上とする場合に、片方向二重通信は適用せず全二重双方向通信を適用する場合、何れか2つのチャネルの組合せの内で、全二重双方向通信が適用されるものについて、全二重双方向通信についての前述の手法を適用する。典型的には、何れか2つのチャネルの組合せの内で、隣接チャネルの関係にあり、且つ、全二重双方向通信が適用されるものについて、全二重双方向通信についての前述の手法を適用する。
 全二重双方向通信と片方向二重通信の双方が適用される場合には、全二重双方向通信と片方向二重通信についての前述の各手法を併用する。全二重双方向通信と片方向二重通信とを併用する場合のチャネル総数の最少値は「3」となる。この場合、何れか2つのチャネルの組合せの内で、全二重双方向通信が適用されるものについて、全二重双方向通信についての前述の手法を適用するとともに、何れか2つのチャネルの組合せの内で、片方向二重通信が適用されるものについて、片方向二重通信についての前述の手法を適用する。典型的には、何れか2つのチャネルの組合せの内で、隣接チャネルの関係にあり、且つ、全二重双方向通信が適用されるものについて、全二重双方向通信についての前述の手法を適用するとともに、何れか2つのチャネルの組合せの内で、隣接チャネルの関係にあり、且つ、片方向二重通信が適用されるものについて、片方向二重通信についての前述の手法を適用する。
 利得抑制部を設けない場合の増幅部の裸の利得周波数特性は、多くの場合、自チャネルを中心に高域側の方が低域側よりも利得減衰性が劣る非対称性を呈する。対象となる2つのチャネルの組合せに関しては前述の第2のケースとなる。したがって、本明細書で開示する信号伝送装置や受信回路や電子機器において好適な態様としては、この特質を利用することにより、増幅部は上側隣接チャネルについてのみ利得抑制部を有するものであればよい。
 例えば、自チャネルを中心に高域側の方が低域側よりも利得減衰性が劣る非対称性を呈する場合であって、チャネルの総数が3の場合に、第1チャネルの搬送周波数よりも第2チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、且つ、第2チャネルの搬送周波数よりも第3チャネルの搬送周波数の方が高く設定されているとした場合に、全二重双方向通信を適用する場合には、次の3通りの態様をとり得る。3通りの態様は、導波路で結合されている第1通信装置と第2通信装置との間でマルチチャネル伝送を行なうに当たり、第1チャネル用の送信処理部、第2チャネル用の送信処理部、第3チャネル用の送信処理部、第1チャネル用の受信処理部、第2チャネル用の受信処理部、第3チャネル用の受信処理部のそれぞれを、第1通信装置と第2通信装置の何れに配置するかによって決まる。
 例えば、第1の態様は、第1チャネル用の送信処理部、第2チャネル用の受信処理部、及び、第3チャネル用の送信処理部を第1通信装置が有し、第1チャネル用の受信処理部、第2チャネル用の送信処理部、及び、第3チャネル用の受信処理部を第2通信装置が有する構成である。この場合、第2チャネルと第1チャネルとの組合せ及び第2チャネルと第3チャネルの組合せにて全二重双方向通信が適用されると見なすことができる。そしてこの場合、第2通信装置側における第2チャネル用の送信処理部から第1チャネル用の受信処理部への漏洩パスと、第1通信装置側における第3チャネル用の送信処理部から第2チャネル用の受信処理部への漏洩パスとが、隣接チャネル間の混信問題を起こし得る。その対策として、第2通信装置においては、第1チャネル用の受信処理部の増幅部には第2チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を設け、第1通信装置においては、第2チャネル用の受信処理部の増幅部には第3チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を設ける。
 第2の態様は、第1チャネル用の送信処理部、第2チャネル用の送信処理部、及び、第3チャネル用の受信処理部を第1通信装置が有し、第1チャネル用の受信処理部、第2チャネル用の受信処理部、及び、第3チャネル用の送信処理部を第2通信装置が有する構成である。この場合、第3チャネルと第1チャネルとの組合せ及び第3チャネルと第2チャネルの組合せにて全二重双方向通信が適用されると見なすことができる。そしてこの場合、第2通信装置側における第3チャネル用の送信処理部から第2チャネル用の受信処理部への漏洩パスが、隣接チャネル間の混信問題を起こし得る。その対策として、第2通信装置においては、第2チャネル用の受信処理部の増幅部には第3チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を設ける。
 第3の態様は、第1チャネル用の送信処理部、第2チャネル用の送信処理部、及び、第3チャネル用の受信処理部を第1通信装置が有し、第1チャネル用の受信処理部、第2チャネル用の受信処理部、及び、第3チャネル用の送信処理部を第2通信装置が有する構成である。この場合、第1チャネルと第2チャネルとの組合せ及び第1チャネルと第3チャネルの組合せにて全二重双方向通信が適用されると見なすことができる。そしてこの場合、第1通信装置側における第2チャネル用の送信処理部から第1チャネル用の受信処理部への漏洩パスが、隣接チャネル間の混信問題を起こし得る。その対策として、第1通信装置においては、第1チャネル用の受信処理部の増幅部は第2チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を設ける。
 又、これらの3つの態様において更に片方向二重通信を併用することもできる。この場合、第1チャネルと第3チャネルとの組合せにて片方向二重通信が適用可能であり、片方向二重通信に伴って、導波路を介在して第1通信装置と第2通信装置との間に送受信間の漏洩パスが形成される。ここで、第1の態様において片方向二重通信を併用する場合には、第1通信装置側における第3チャネル用の送信処理部から第2通信装置側における第1チャネル用の受信処理部への漏洩パスと、第1通信装置側における第1チャネル用の送信処理部から第2通信装置側における第3チャネル用の受信処理部への漏洩パスとが形成される。漏洩パスを形成する両チャネルは隣接チャネルの関係にはならないので、隣接チャネル間の混信問題は起こり得ない。よって、片方向二重通信を併用することに伴って、隣接チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を更に何れかの増幅部に設けるという必要はない。つまり、片方向二重通信を併用する場合であっても、全二重双方向通信に関しての第1の態様のままでよい。
 これに対して、第2の態様において片方向二重通信を併用する場合には、第1チャネルと第2チャネルとの組合せにて片方向二重通信が適用可能であり、それに伴って、第1通信装置側における第2チャネル用の送信処理部から第2通信装置側における第1チャネル用の受信処理部への漏洩パスと、第1通信装置側における第1チャネル用の送信処理部から第2通信装置側における第2チャネル用の受信処理部への漏洩パスとが形成される。漏洩パスを形成する両チャネルは隣接チャネルの関係にあるので、隣接チャネル間の混信問題を起こし得る。その対策として、片方向二重通信を併用することに伴って、第2通信装置においては、第1チャネル用の受信処理部の増幅部には第2チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を設ける(追加する)。因みに、前述のように、第2の態様においては、全二重双方向通信を適用する場合における隣接チャネル間の混信問題を抑制するために、第2通信装置においては、第2チャネル用の受信処理部の増幅部には第3チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部が設けられている。
 又、第3の態様において片方向二重通信を併用する場合には、第2チャネルと第3チャネルとの組合せにて片方向二重通信が適用可能であり、それに伴って、第1通信装置側における第3チャネル用の送信処理部から第2通信装置側における第2チャネル用の受信処理部への漏洩パスと、第1通信装置側における第2チャネル用の送信処理部から第2通信装置側における第3チャネル用の受信処理部への漏洩パスとが形成される。漏洩パスを形成する両チャネルは隣接チャネルの関係にあるので、隣接チャネル間の混信問題を起こし得る。その対策として、片方向二重通信を併用することに伴って、第2通信装置においては、第2チャネル用の受信処理部の増幅部には第3チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を設ける(追加する)。因みに、前述のように、第3の態様においては、全二重双方向通信を適用する場合における隣接チャネル間の混信問題を抑制するために、第1通信装置においては、第1チャネル用の受信処理部の増幅部には第2チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部が設けられている。
 本明細書で開示する信号伝送装置や受信回路や電子機器においては、信号抑制部は、自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制するものであればよく、又、利得抑制部は、自チャネル以外の他チャネルに対しての利得を抑制するものであればよく、何れも、トラップ回路等様々な回路構成のものを採用できる。このことは、全二重双方向通信を適用するのか片方向二重通信を適用するのかを問わず適用可能である。トラップ回路としては、インダクタとコンデンサとの直列共振回路又は並列共振回路或いはその任意の組合せに係る直並列共振回路で構成したものを使用できる。何れを使用し得るかは、利得抑制部が付加される増幅部の構成に依存するが、直列共振回路や並列共振回路が最も簡易な構成である。
 好適な態様としては、利得抑制部は、増幅部の利得周波数特性が、自チャネルを中心に高域側と低域側の何れか一方が他方よりも高利得となる非対称特性を持つ場合に、利得周波数特性の非対称性による減衰性の不足分を補うものであればよく、様々な回路構成のものを採用できる。つまり、好適な態様の利得抑制部としては、希望波成分に対しては減衰性を呈さずに妨害波(非希望波)成分となる隣接チャネルに対してのみ減衰性を呈する簡易な構成であるのがよく、例えば、トラップ回路で構成されているとよい。
 トラップ回路を成すインダクタやコンデンサは、1層によるのか複数層によるのかに拘わらず、コイル状にパターン形成することにより集中定数回路として形成してもよいが、これに限らず、例えばマイクロストリップライン等のようにパターン形成して分布定数回路状にしてもよい。何れの場合も、パターン領域を少なくする上では、コンデンサ成分はインダクタをパターン形成する際の分布容量を利用するのが好ましい。
 [その他]
 本明細書で開示する信号伝送装置や受信回路や電子機器において、好ましくは、増幅部は、カスケード接続された2つのトランジスタを有するとともに、自チャネルに周波数選択性を持つように定数が設定されたインダクタを負荷に有する増幅段を具備しているとよい。このことは、全二重双方向通信を適用するのか片方向二重通信を適用するのかを問わず適用可能である。この場合、利得抑制部は、2つのトランジスタのカスケード接続点と基準電位点との間に接続されているとよく、利得抑制部としてトラップ回路を使用する場合には直列共振回路にするとよい。つまり、増幅部をカスケードアンプ構成にし、そのカスケード接続点と基準電位点との間に直列共振回路で構成されたトラップ回路を設けるのが好適である。このようなカスケードアンプ構成をCMOS等の半導体集積回路にて実現するには、デュアルゲートMOSFET構造を利用するのが好適である。
 好ましくは、増幅段のインダクタは、ゲインアップが図られるようにパターン設計をするとよく、例えば、複数の配線層にてパターン形成し、各層のインダクタを電気回路的に並列接続することにより、インダクタの直列抵抗成分を減らすとよい。或いは又、増幅部は、相補型金属酸化膜半導体に形成されているとよい。
 ここで、増幅部は、増幅段を複数段有しているのが好適である。つまり、増幅部をカスケードアンプ構成にする場合、カスケードアンプの段数は、好ましくは複数段であるのがよい。この場合、線形性(リニアリティ)を重視して1段目の増幅段に利得抑制部を備える構成とすることもできるし、ノイズ性能を重視して1段目以外の少なくとも1つの増幅段に利得抑制部を備える構成とすることもできる。
 更には、これらを併用して、1段目の増幅段に利得抑制部を備えつつ、1段目以外の少なくとも1つの増幅段にも利得抑制部を備える構成とすることもできる。この場合、1段目の増幅段に設けられている利得抑制部と、1段目以外の少なくとも1つの増幅段に設けられている利得抑制部の少なくとも一方には、利得抑制部の選択的な使用を可能にするスイッチが設けられているとよい。こうすることで、1段目の利得抑制部と1段目以外の利得抑制部のスイッチが設けられている方を使い分けることができる。特に、双方にスイッチが設けらた構成では、1段目の利得抑制部と1段目以外の利得抑制部とを任意に使い分けることができる。
 本明細書で開示する信号伝送装置や受信回路や電子機器においては、送信処理部と受信処理部との間は誘電体素材で成る導波路で結合されているとよい。つまり、各チャネル用の送信処理部或いは受信処理部を、マルチチャネル伝送を行ない得るように、第1通信装置と第2通信装置の何れか配置し、第1通信装置と第2通信装置との間を導波路で結合する。そして、この導波路としては、磁性体或いはプラスチック等の誘電体で成るものを使用し得るが、特に誘電体で成るものが、可撓性、価格、入手容易性、製造容易性等の面で好適である。このことは、全二重双方向通信を適用するのか片方向二重通信を適用するのかを問わず適用可能である。
 本明細書で開示する信号伝送装置、信号伝送装置と組み合わせて使用可能な受信回路や電子機器においては、例えば、誘電体或いは磁性体で構成された導波路を筺体内に配置しておき、通信装置間を導波路で結合させることにより、導波路を伝わる高周波信号の通信を確立する。こうすることで、高速のデータ伝送を、マルチパス、伝送劣化、不要輻射等を少なくして機器内通信或いは機器間通信を実現する。このことは、全二重双方向通信を適用するのか片方向二重通信を適用するのかを問わず適用可能である。
 電気配線の接続に対して、導波路と伝送路結合部(高周波信号の伝達機能を持つ伝達構造体、カップラとも称する)の配置は、電気配線のコネクタのようにピン配置や接触位置を特定するのもではなく、相当程度(数ミリメートル~数センチメートル)の誤差を許容できる。無線接続に対して、電磁波の損失を低くできるので、送信器の電力を低くでき、受信側の構成を簡略化できるし、機器外からの電波の干渉や、逆に、機器外への放射を抑圧することもできる。
 伝送対象信号をミリ波帯等の高周波信号に変換して伝送するので、高速伝送が可能となるし、導波路を使用することで、カップリングが良く、ロスが小さいため消費電力が小さい。導波路として、入手の容易なプラスチック等の誘電体を使用することもでき信号伝送装置及び電子機器を安価に構成できる。導波路に高周波信号が閉じ込められるため、マルチパスの影響が小さいしEMCの問題も小さい。
 信号伝送にミリ波帯等の電波の周波数帯の高周波信号を使用すれば、電気配線や光を使用する場合の問題は起きない。即ち、信号伝送を、電気配線や光によらずに電波の周波数帯の高周波信号を利用すれば、無線通信技術を適用でき、電気配線を使用する場合の難点を解消できるし、光を利用する場合よりも簡単かつ安価な構成で信号インタフェースを構築できる。サイズ・コストの面で、光を利用する場合よりも有利である。好ましくは、本実施形態においては、信号伝送は、ミリ波帯(波長が1~10ミリメートル)の搬送周波数を主に使用するのが好適である。但し、ミリ波帯に限らず、より波長の短い例えばサブミリ波帯(波長が0.1~1ミリメートル)やより波長の長いセンチ波帯(波長が1~10センチメートル)等、ミリ波帯近傍の搬送周波数を使用する場合にも適用可能である。例えば、サブミリ波帯~ミリ波帯、ミリ波帯~センチ波帯、或いはサブミリ波帯~ミリ波帯~センチ波帯を使用してよい。信号伝送にミリ波帯或いはその近傍を使用すれば、他の電気配線に対して妨害を与えずに済み、電気配線(例えばフレキシブルプリント配線)を信号伝送に使ったときのようなEMC対策の必要性が低くなる。ミリ波帯或いはその近傍を使用すれば、電気配線(例えばフレキシブルプリント配線)を使ったときよりもデータレートを大きくとれるので、高精細化やフレームレートの高速化による画像信号の高速化等、高速・高データレートの伝送にも簡単に対応できる。
 <伝送処理系統(基本)>
 図1~図3Bは、本実施形態の信号伝送装置及び電子機器の信号インタフェースを機能構成面から説明する図である。換言すると、本実施形態の信号伝送装置及び電子機器における通信処理に着目した機能ブロック図の基本を示す図である。ここで、図1は、信号伝送装置或いは電子機器の全体概要を示し、図2は、信号伝送装置或いは電子機器の具体的な事例を示し、図3A、図3Bは、信号伝送装置の機能ブロック図である。
 [機器構成]
 図1(A)に示すように、信号伝送装置1は、2つの電子機器8(第1電子機器8_1、第2電子機器8_2)と高周波信号導波路308_31とを備えており、高周波信号導波路308を介しての機器内通信や機器間通信が可能に構成されている。高周波信号導波路308としては例えば誘電体導波路を使用するのが好適である。
 例えば、第1電子機器8_1には、2つの半導体チップ103(半導体チップ103_1、半導体チップ103_2)が搭載された基板102_1と、2つの半導体チップ103(導体チップ103_3、半導体チップ103_4)が搭載された基板102_2とが設けられている。第1電子機器8_1内においては、半導体チップ103_1と半導体チップ103_2との間で高周波信号導波路308_11を介した片方向の通信と高周波信号導波路308_12を介した片方向の通信とを組み合わせて双方向の通信が可能になっている。又、第1電子機器8_1内においては、半導体チップ103_1と半導体チップ103_3との間で高周波信号導波路308_13を介した片方向の通信が可能になっているし、半導体チップ103_2と半導体チップ103_4との間で高周波信号導波路308_14を介した片方向の通信が可能になっている。
 第2電子機器8_2には、2つの半導体チップ203(半導体チップ203_1、半導体チップ203_2)が搭載された基板202_1と、2つの半導体チップ203(半導体チップ203_3、半導体チップ203_4)が搭載された基板202_2とが設けられている。第2電子機器8_2内においては、半導体チップ203_1と半導体チップ203_2との間で高周波信号導波路308_21を介した片方向の通信と高周波信号導波路308_22を介した片方向の通信とを組み合わせて双方向の通信が可能になっている。又、第2電子機器8_2内においては、半導体チップ203_1と半導体チップ203_3との間で高周波信号導波路308_23を介した片方向の通信が可能になっているし、半導体チップ203_2と半導体チップ203_4との間で高周波信号導波路308_24を介した片方向の通信が可能になっている。
 第1電子機器8_1と第2電子機器8_2との間の機器間通信に関しては、半導体チップ103_2と半導体チップ203_2との間で高周波信号導波路308_31を介した双方向の通信が可能になっている。第1電子機器8_1と第2電子機器8_2とを纏めて1つの筐体内に収容して1つの電子機器8_3として構成し、機器内通信を行なうようにすることもできる。
 図1(B)には、第1通信装置100と第2通信装置200との間で、高周波信号導波路308を介して通信を行なう場合の機能ブロックが示されている。ここでは、一例として、半導体チップ103_2と半導体チップ203_2との間で高周波信号導波路308_31を介して全二重双方向通信(Full-duplex)を行なう系統に着目して示している。第1通信装置100(半導体チップ103_2)と第2通信装置200(半導体チップ203_2)とには、例えば、データ送受信部、信号変換部、高周波信号入出力部が設けられる。高周波信号導波路308及び高周波信号導波路308と電磁結合される複数の通信装置とから構成される信号伝送装置1において、通信装置間の高周波信号導波路308に複数の伝送パス(通信チャネル)を形成し、通信装置間で双方向のマルチプル伝送を行なう。図示しないが、1つの高周波信号導波路308に1つの伝送パス(通信チャネル)を設ける、つまり、通信チャネルごとに各別の高周波信号導波路308を使用する構成にしてもよい。又、後述の図2(B)で示すように、通信装置間で片方向二重通信(Simplex)を行なう構成にしてもよい。例えば、図2(A)において、半導体チップ103_1と半導体チプ103_2との間の高周波信号導波路308_11を介した通信及び高周波信号導波路308_12を介した通信、半導体チップ103_1と半導体チップ103_3との間の高周波信号導波路308_13を介した通信、半導体チップ103_2と半導体チップ103_4との間の高周波信号導波路308_14を介した通信が該当する。
 図2には、ビデオカメラを第1電子機器8_1として使用し、液晶や有機EL等の表示デバイスを具備した表示装置を第2電子機器8_2として使用した場合の信号伝送装置1の概要が示されている。尚、理解し易いように、第1通信装置100をビデオカメラをから取り外し、又、第2通信装置200を表示装置から取り外した状態で示している。ビデオカメラ(電子機器8_1)で撮像された被写体の画像情報は第1通信装置100によりミリ波帯の高周波信号に変換され、高周波信号導波路308_31を介して表示装置(電子機器8_2)側の第2通信装置200に伝送される。第2通信装置200は、受信したミリ波帯の高周波信号を復調して被写体の画像情報を再現し、表示装置に供給する。これにより、ビデオカメラで撮像された被写体の画像が表示装置に表示される。
 [機能ブロック詳細構成例]
 図3A、図3Bには、信号伝送装置1の機能ブロック図の詳細が示されている。図3Aは全二重双方向通信の場合の構成例を示し、図3Bは片方向二重通信の場合の構成例を示す。図3Aにおいては、第1通信装置100において送信系統を詳細に示しており、第2通信装置200において受信系統を詳細に示している。信号伝送装置1は、第1の無線機器の一例である第1通信装置100と第2の無線機器の一例である第2通信装置200が信号伝送路9(例えば高周波信号導波路308)を介して結合され高周波信号(例えばミリ波帯)で信号伝送を行なうようになっている。
 第1通信装置100にはミリ波帯での送受信に対応した半導体チップ103が設けられ、第2通信装置200にはミリ波帯での送受信に対応した半導体チップ203が設けられている。本実施形態では、ミリ波帯での通信の対象となる信号を、高速性や大容量性が求められる信号のみとし、その他の低速・小容量で十分なものや電源等直流と見なせる信号に関してはミリ波信号への変換対象としない。これらミリ波信号への変換対象としない信号(電源を含む)については、従前と同様の手法で信号の接続をとる。ミリ波に変換する前の元の伝送対象の電気信号を纏めてベースバンド信号と称する。後述する各信号生成部はミリ波信号生成部或いは電気信号変換部の一例である。
 第1通信装置100は、基板102上に、ミリ波帯での送受信に対応した半導体チップ103と伝送路結合部108が搭載されている。半導体チップ103は、前段信号処理部の一例であるLSI機能部104と送信処理用の信号生成部107_1(伝送対象信号を高周波信号に変換して送信処理を行なう送信処理部TXの一例)及び受信処理用の信号生成部207_1(受信した高周波信号を伝送対象信号に変換する受信処理を行なう受信処理部RXの一例)を一体化したLSI(Large Scale Integrated Circuit)である。LSI機能部104は、第1通信装置100の主要なアプリケーション制御を司るもので、例えば、相手方に送信したい各種の信号を処理する回路や、相手方から受信した種々の信号を処理する回路が含まれる。図示しないが、LSI機能部104、信号生成部107_1、信号生成部207_1はそれぞれ各別の構成でもよいし、何れか2つが一体化された構成にしてもよい。
 半導体チップ103は伝送路結合部108と接続される。因みに、半導体チップ103内に伝送路結合部108を内蔵した構成にすることもできる。伝送路結合部108と信号伝送路9とが結合する箇所(つまり無線信号を送信する部分)が送信箇所或いは受信箇所であり、典型的にはアンテナがこれらに該当する。
 第2通信装置200は、基板202上に、ミリ波帯での送受信に対応した半導体チップ203と伝送路結合部208が搭載されている。半導体チップ203は伝送路結合部208と接続される。因みに、半導体チップ203内に伝送路結合部208を内蔵した構成にすることもできる。伝送路結合部208は、伝送路結合部108と同様のものが採用される。半導体チップ203は、後段信号処理部の一例であるLSI機能部204と受信処理用の信号生成部207_2及び送信処理用の信号生成部107_2を一体化したLSIである。図示しないが、LSI機能部204、信号生成部107_2、信号生成部207_2はそれぞれ各別の構成でもよいし、何れか2つが一体化された構成にしてもよい。
 伝送路結合部108及び伝送路結合部208は、高周波信号(ミリ波帯の電気信号)を信号伝送路9に電磁結合させるもので例えば、アンテナ結合部やアンテナ端子やアンテナ等を具備するアンテナ構造が適用される。或いは、マイクロストリップライン、ストリップライン、コプレーナライン、スロットライン等の伝送線路そのものでもよい。
 信号生成部107_1は、LSI機能部104からの信号をミリ波信号に変換し、信号伝送路9を介した信号送信制御を行なうための送信側信号生成部110を有する。信号生成部207_1は、信号伝送路9を介した信号受信制御を行なうための受信側信号生成部220を有する。信号生成部107_2は、LSI機能部204からの信号をミリ波信号に変換し、信号伝送路9を介した信号送信制御を行なうための送信側信号生成部110を有する。信号生成部207_2は、信号伝送路9を介した信号受信制御を行なうための受信側信号生成部220を有する。送信側信号生成部110と伝送路結合部108で送信系統(送信部:送信側の通信部)が構成される。受信側信号生成部220と伝送路結合部208で受信系統(受信部:受信側の通信部)が構成される。
 送信側信号生成部110は、入力信号を信号処理してミリ波の信号を生成するために、多重化処理部113、パラレルシリアル変換部114(PS変換部)、変調機能部(変調部115、周波数変換部116)、増幅部117を有する。増幅部117は、入力信号の大きさを調整して出力する振幅調整部の一例である。なお、変調部115と周波数変換部116は纏めていわゆるダイレクトコンバーション方式のものにしてもよい。ダイレクトコンバーション方式にすることで、広帯域伝送(Wide bandwidth)にできるし、回路構成が小型で簡易になる利点(Small
and simple circuits)が得られる。
 多重化処理部113は、LSI機能部104からの信号の内で、ミリ波帯での通信の対象となる信号が複数種(N1とする)ある場合に、時分割多重、周波数分割多重、符号分割多重等の多重化処理を行なうことにより、複数種の信号を1系統の信号に纏める。例えば、高速性や大容量性が求められる複数種の信号をミリ波での伝送の対象として、1系統の信号に纏める。
 パラレルシリアル変換部114は、パラレルの信号をシリアルのデータ信号に変換して変調部115に供給する。変調部115は、伝送対象信号を変調して周波数変換部116に供給する。パラレルシリアル変換部114は、本構成例を適用しない場合に、パラレル伝送用の複数の信号を使用するパラレルインタフェース仕様の場合に備えられ、シリアルインタフェース仕様の場合は不要である。
 変調部115としては、基本的には、振幅・周波数・位相の少なくとも1つを伝送対象信号で変調するものであればよく、これらの任意の組合せの方式も採用し得る。例えば、アナログ変調方式であれば、例えば、振幅変調(AM:Amplitude Modulation)とベクトル変調がある。ベクトル変調として、周波数変調(FM:Frequency Modulation)と位相変調(PM:Phase
Modulation)がある。デジタル変調方式であれば、例えば、振幅遷移変調(ASK:Amplitude
shift keying)、周波数遷移変調(FSK:Frequency Shift Keying)、位相遷移変調(PSK:Phase Shift Keying)、振幅と位相を変調する振幅位相変調(APSK:Amplitude
Phase Shift Keying)がある。振幅位相変調としては直交振幅変調(QAM:Quadrature
Amplitude Modulation)が代表的である。本実施形態では、特に、受信側で同期検波方式を採用し得る方式を採る。
 周波数変換部116は、変調部115により変調された後の伝送対象信号を周波数変換してミリ波の電気信号(高周波信号)を生成して増幅部117に供給する。ミリ波の電気信号とは、概ね30ギガヘルツ~300ギガヘルツの範囲のある周波数の電気信号をいう。「概ね」と称したのはミリ波通信による効果が得られる程度の周波数であればよく、下限は30ギガヘルツに限定されず上限は300ギガヘルツに限定されないことに基づく。
 周波数変換部116としては様々な回路構成をとり得るが、例えば、周波数混合回路(ミキサー回路)と局部発振回路とを備えた構成を採用すればよい。局部発振回路は、変調に用いる搬送波(キャリア信号、基準搬送波)を生成する。周波数混合回路は、パラレルシリアル変換部114からの信号で局部発振回路が発生するミリ波帯の搬送波と乗算(変調)してミリ波帯の伝送信号を生成して増幅部117に供給する。
 増幅部117は、周波数変換後のミリ波の電気信号を増幅して伝送路結合部108に供給する。増幅部117には例えば図示しないアンテナ端子を介して双方向の伝送路結合部108に接続される。伝送路結合部108は、送信側信号生成部110によって生成されたミリ波の高周波信号を信号伝送路9に送信する。伝送路結合部108は、例えばアンテナ結合部で構成される。アンテナ結合部は伝送路結合部108(信号結合部)の一例やその一部を構成する。アンテナ結合部とは、狭義的には半導体チップ内の電子回路と、チップ内又はチップ外に配置されるアンテナを結合する部分をいい、広義的には、半導体チップと信号伝送路9を信号結合する部分をいう。例えば、アンテナ結合部は、少なくともアンテナ構造を備える。アンテナ構造は、信号伝送路9との電磁的な(電磁界による)結合部における構造をいい、ミリ波帯の電気信号を信号伝送路9に結合させるものであればよく、アンテナそのもののみを意味するものではない。
 受信側信号生成部220は、伝送路結合部208によって受信したミリ波の電気信号を信号処理して出力信号を生成するために、増幅部224、復調機能部(周波数変換部225、復調部226)、シリアルパラレル変換部227(SP変換部)、単一化処理部228を有する。増幅部224は、入力信号の大きさを調整して出力する振幅調整部の一例である。変調機能部と同様に、周波数変換部225と復調部226は纏めていわゆるダイレクトコンバーション方式のものにしてもよい。又、注入同期(インジェクションロック)方式を適用して復調搬送信号を生成してもよい。伝送路結合部208には受信側信号生成部220が接続される。受信側の増幅部224は、伝送路結合部208に接続され、アンテナによって受信された後のミリ波の電気信号を増幅して周波数変換部225に供給する。周波数変換部225は、増幅後のミリ波の電気信号を周波数変換して周波数変換後の信号を復調部226に供給する。復調部226は、周波数変換後の信号を復調してベースバンドの信号を取得しシリアルパラレル変換部227に供給する。
 シリアルパラレル変換部227は、シリアルの受信データをパラレルの出力データに変換して単一化処理部228に供給する。シリアルパラレル変換部227は、パラレルシリアル変換部114と同様に、本構成例を適用しない場合に、パラレル伝送用の複数の信号を使用するパラレルインタフェース仕様の場合に備えられる。第1通信装置100と第2通信装置200の間の元々の信号伝送がシリアル形式の場合は、パラレルシリアル変換部114とシリアルパラレル変換部227を設けなくてもよい。
 第1通信装置100と第2通信装置200の間の元々の信号伝送がパラレル形式の場合には、入力信号をパラレルシリアル変換して半導体チップ203側へ伝送し、又半導体チップ203側からの受信信号をシリアルパラレル変換することにより、ミリ波変換対象の信号数が削減される。
 単一化処理部228は、多重化処理部113と対応するもので、1系統に纏められている信号を複数種の信号_n(nは1~N)に分離する。例えば、1系統の信号に纏められている複数本のデータ信号を各別に分離してLSI機能部204に供給する。
 LSI機能部204は、第2通信装置200の主要なアプリケーション制御を司るもので、例えば、相手方から受信した種々の信号を処理する回路が含まれる。
 図1との関係では、例えば、LSI機能部104から信号生成部107のパラレルシリアル変換部114まで、又、LSI機能部204からシリアルパラレル変換部227までがデータ送受信部に対応する。変調部115から増幅部117まで或いは増幅部224から復調部226までが高周波信号変換部に対応する。伝送路結合部108や伝送路結合部208が高周波信号入出力部に対応する。
 〔パラメータ設定〕
 本実施形態の信号伝送装置1においては、更に、パラメータ設定機能を備える構成にしてもよい。例えば、図3Bに示すように、第1通信装置100は第1設定値処理部7100を備え、第2通信装置200は第2設定値処理部7200を備える。送受信間の伝送特性は既知であるものとする。例えば、1つの筐体内の送信部と受信部の配置位置が変化しない場合(機器内通信の場合)や、送信部と受信部のそれぞれが各別の筐体内に配置される場合でも使用状態のときの送信部と受信部の配置位置が予め定められた状態となる場合(比較的近距離の機器間の信号伝送の場合)のように、送受信間の伝送条件が実質的に変化しない(つまり固定である)環境下においては、送信部と受信部との間の伝送特性を予め知ることができる。各信号処理部(この例では信号生成部107や信号生成部207)は、設定値に基づいて、予め定められた信号処理を行なう。設定値処理部は、予め定められた信号処理用の設定値を信号処理部に入力する。
 設定値としては、伝送特性に対応した設定値や機器内や機器間の信号伝送には限るものではなく、例えば、回路素子のバラツキ補正のためのパラメータ設定も含む。例えば、回路素子のバラツキ補正のためのパラメータ設定も含むが、好ましくは、設定値処理部は、送信部と受信部との間の伝送特性に対応して予め定められた信号処理用の設定値を信号処理部に入力するのがよい。本実施形態の構成では、野外通信との比較における大きな相違点として、送受信間の伝送条件が実質的に変化しない(つまり固定である)環境下においては、信号処理部の動作を規定する設定値を固定値として扱っても、つまり、パラメータ設定を固定にしても、信号処理部を不都合なく動作させることができる。信号処理用の設定値を予め定められた値(つまり固定値)にすることによりパラメータ設定を動的に変化させずに済むので、パラメータ演算回路を削減できるし、消費電力を削減することもできる。機器内や比較的近距離の機器間の信号伝送においては通信環境が固定されるため、通信環境に依存する各種回路パラメータを予め決定することができるし、伝送条件が固定である環境下においては、信号処理部の動作を規定する設定値を固定値として扱っても、つまり、パラメータ設定を固定にしても、信号処理部を不都合なく動作させることができる。例えば、工場出荷時に最適なパラメータを求めておき、そのパラメータを装置内部に保持しておくことにより、パラメータ演算回路の削減や消費電力の削減を行なうことができる。
 信号処理のパラメータ設定としては種々のものがある。例えば、信号増幅部(振幅調整部)のゲイン設定(信号振幅設定)がある。信号増幅部は、例えば、送信電力設定や復調機能部に入力される受信レベル設定や自動利得制御(AGC:Automatic Gain Control)等に利用される。これらの場合、信号処理部は、入力信号の大きさを調整し調整済みの信号を出力する信号処理を行なう振幅調整部を有するものとし、設定値処理部は、入力信号の大きさを調整するための設定値を振幅調整部に入力する。信号処理のパラメータ設定の他の例としては、位相調整量の設定がある。例えば、搬送信号やクロックを別送する系で、送信信号の遅延量に合わせて位相を調整する場合である。これらの場合、信号処理部は、入力信号の位相を調整し調整済みの信号を出力する信号処理を行なう位相調整部を有するものとし、設定値処理部は、入力信号の位相を調整するための設定値を位相調整部に入力する。この位相調整量の設定を前述のゲイン設定と組み合わせた態様とすることもできる。信号処理のパラメータ設定の他の例としては、送信側で予め低域周波数成分や高域周波数成分の振幅を強調する場合での周波数特性の設定、双方向通信を行なう場合のエコーキャンセル量の設定、送信部と受信部がそれぞれ複数のアンテナを有し、送受信間で空間多重通信を行なう場合のクロストークのキャンセル量の設定等もある。更に、信号処理のパラメータ設定の他の例としては、受信した信号に基づく注入同期方式により送信側の搬送信号生成部で生成された変調用の搬送信号(変調搬送信号)と同期した復調用の搬送信号(復調搬送信号)を生成する場合の注入信号の振幅値(注入量)や位相シフト量、あるいは復調機能部に入力される受信信号と復調搬送信号の位相差の補正量等の設定がある。
 〔信号伝送路〕
 ミリ波の伝搬路である信号伝送路9は、自由空間伝送路として、例えば筐体内や電子機器間の空間を伝搬する構成にしてもよいが、本実施形態では、好ましくは、導波管、伝送線路、誘電体線路、誘電体内等の導波構造で構成し、ミリ波帯域の電磁波を伝送路に閉じ込める構成にして、効率よく伝送させる特性を有する高周波信号導波路308とする。例えば、一定範囲の比誘電率と一定範囲の誘電正接を持つ誘電体素材を含んで構成された誘電体導波路にするとよい。誘電体導波路は、例えば、回路基板そのものでもよいし、基板上に配設されていてもよいし、基板に埋め込まれていてもよい。例えば、所定厚さと所定幅を持つ所定長さのポリスチレンその他のプラスチックを誘電体素材として使用することもでき、誘電体導波路を安価に構成できる。尚、信号伝送路9(高周波信号導波路308)は誘電体素材に代えて磁性体素材を使用することもできる。
 信号伝送路9の送受信箇所を除く周囲(例えば上面、下面、側面:但し送信箇所や受信箇所と対応する部分は除く)は、必要に応じて、遮蔽部材、反射部材、或いは、吸収部材を使用してもよい。例えば、外部からの不要な電磁波の影響を受けないように、或いは、内部からミリ波が漏れ出さないように、遮蔽材(例えば金属メッキを含む金属部材を使用する)で囲むとよい。金属部材を遮蔽材として使用すると、反射材としても機能するので、反射成分を利用することで、それによる反射波も送受信に利用でき感度が向上することが期待される。但し、信号伝送路9内の多重反射により不要な定在波が信号伝送路9内に発生することが問題となり得る。これを避けるには、信号伝送路9の送受信箇所を除く周囲は、開放としたままとしてもよいし、ミリ波を吸収する吸収部材(電波吸収体)を配置してもよい。電波吸収体を用いた場合は、反射波を送受信に利用することはできないが、側面から漏れる電波を吸収することができるので、外部への漏れを防ぐことができるし、信号伝送路9内の多重反射レベルを下げることができる。
 〔片方向通信への対応〕
 図3Aに示した構成の「双方向通信」は、ミリ波の伝送チャネルである信号伝送路9が1系統(一芯)の一芯双方向伝送となる。この実現には、時分割複信(TDD:Time Division Duplex)を適用する半二重方式と、周波数分割複信(FDD:Frequency Division Duplex)等を適用する全二重方式がある。本実施形態では、周波数分割複信を採用する。更に、図3Aでは、複数の回線を束ねて1つの回線を共用する多重化技術として、周波数分割多重(FDM:Frequency Division Multiplexing)を採用している。図3Aに示した例は、通信に用いる周波数帯を半分に分割して、送信と受信に別々の周波数を使用して通信を行なう周波数分割複信(FDD)による全二重双方向通信を適用する構成となる。これに対して、信号生成部107_1と信号生成部207_1の対、或いは、信号生成部107_2と信号生成部207_2の対にすれば、図3Bに示すように、片方向二重通信(Simplex)に対応した構成になる。
 〔接続と動作〕
 入力信号を周波数変換して信号伝送するという手法は、放送や無線通信で一般的に用いられている。これらの用途では、どこまで通信できるか(熱雑音に対してのS/Nの問題)、反射やマルチパスにどう対応するか、妨害や他チャンネルとの干渉をどう抑えるか等の問題に対応できるような比較的複雑な送信機や受信機等が用いられている。
 これに対して、本実施形態で使用する信号生成部107と信号生成部207は、放送や無線通信で一般的に用いられる複雑な送信機や受信機等の使用周波数に比べて、より高い周波数帯のミリ波帯で使用され、波長λが短いため、周波数の再利用がし易く、近傍に配置された多くのデバイス間での通信をするのに適したものが使用される。
 本実施形態では、従来の電気配線を利用した信号インタフェースとは異なり、前述のようにミリ波帯で信号伝送を行なうことにより高速性と大容量に柔軟に対応できるようにしている。例えば、高速性や大容量性が求められる信号のみをミリ波帯での通信の対象としており、装置構成によっては、第1通信装置100と第2通信装置200は、低速・小容量の信号用や電源供給用に、従前の電気配線によるインタフェース(端子・コネクタによる接続)を一部に備えることになる。
 信号生成部107は、設定値(パラメータ)に基づいて予め定められた信号処理を行なう信号処理部の一例であり、この例では、LSI機能部104から入力された入力信号を信号処理してミリ波の信号を生成する。信号生成部107及び信号生成部207は、例えば、マイクロストリップライン、ストリップライン、コプレーナライン、スロットライン等の伝送線路で伝送路結合部108に接続され、生成されたミリ波の信号が伝送路結合部108を介して信号伝送路9に供給される。
 伝送路結合部108は、例えばアンテナ構造を有し、伝送されたミリ波の信号を電磁波に変換し、電磁波を送出する機能を有する。伝送路結合部108は信号伝送路9と電磁結合され、信号伝送路9の一方の端部に伝送路結合部108で変換された電磁波が供給される。信号伝送路9の他端には第2通信装置200側の伝送路結合部208が結合されている。信号伝送路9を第1通信装置100側の伝送路結合部108と第2通信装置200側の伝送路結合部208の間に設けることにより、信号伝送路9にはミリ波帯の電磁波が伝搬する。伝送路結合部208は、信号伝送路9の他端に伝送された電磁波を受信し、ミリ波の信号に変換して信号生成部207(ベースバンド信号生成部)に供給する。信号生成部207は、設定値(パラメータ)に基づいて予め定められた信号処理を行なう信号処理部の一例であり、この例では、変換されたミリ波の信号を信号処理して出力信号(ベースバンド信号)を生成しLSI機能部204へ供給する。ここまでは第1通信装置100から第2通信装置200への信号伝送の場合で説明したが、第2通信装置200のLSI機能部204からの信号を第1通信装置100へ伝送する場合も同様に考えればよく双方向にミリ波の信号を伝送できる。
 <相互干渉とその対策原理>
 [相互干渉の発生原因]
 図4は、相互干渉の発生原因を説明する図である。増幅部(増幅回路)の理想的なゲイン特性を図4(A)に示し、現実的なゲイン特性を図4(B)及び図4(C)に示す。横軸はギガヘルツ(GHz)で表した周波数、縦軸はデシベル(dB)で表した利得(Gain)である(ゲイン特性図に関して以下同様)。
 増幅部は希望チャネル(希望波の周波数帯)の信号に対して共振性を持って増幅する構成であり、希望波(搬送周波数FC)にチューニングしたときの増幅部のゲイン特性(利得の周波数特性)、換言すると周波数選択特性を示す特性図は、理想的には、図4(A)に示すように、ピーク点を境に、低域側と高域側とで対称となる、つまり、利得減衰性が上下対称である。しかしながら、実際には、図4(B)に示すように、低域側の方が高域側よりも高ゲイン気味となる特性、つまり、低域側の方が高域側よりも利得減衰性が劣る特性を示したり、逆に、図4(C)に示すように、高域側の方が低域側よりも高ゲイン気味となる特性、つまり、高域側の方が低域側よりも利得減衰性が劣る特性を示したりするように、非対称性を持つことがある。増幅部のゲイン特性が非対称性を持つ場合には、希望チャネルに対して下側に位置する(低域側の)隣接チャネル成分(搬送周波数FD)又は上側に位置する(高域側の)隣接チャネル成分(搬送周波数FU)が十分に減衰された状態とはならないことがある。隣接チャネル成分が受信限界レベルを超える場合、その隣接チャネル成分が復調されてしまい、いわゆる相互干渉を引き起こす。例えば、各チャネルの送信レベルと受信レベルとが同じであるとした場合、図4(B)や図4(C)に示すゲイン特性では、隣接チャネル成分が復調される。
 相互干渉を避けるには例えば、増幅部の利得周波数特性(ゲイン特性)が、下側隣接チャネルと上側隣接チャネルの何れに対しても利得周波数特性の減衰度合いが不足しないように概ね対称となるようにすればよいのであるが、回路特性のため、単純にはそうならない。多くの場合は、図4(C)に示すように、高域側の方が低域側よりも高ゲイン気味となる特性、つまり、高域側の方が低域側よりも利得減衰性が劣る特性を示す。希に、図4(B)に示すように、低域側の方が高域側よりも高ゲイン気味となる特性、つまり、低域側の方が高域側よりも利得減衰性が劣る特性を示すこともある。高域側の方が低域側よりも高ゲイン気味となる特性の方が多いのは、増幅部にチューニング性(自チャネルに対しての周波数選択性)を持たせる場合、Q値(Quality factor:共振性能)が周波数特性を有することに起因しており、多くの場合、高周波数側でのQ値の低下度合いが強くなることによる。例えば、Q値が小さくなると、ピークゲインが低下するし、帯域幅が広がり、全体的な利得の減衰度合いも緩やかになるし、Q値の低下度合いが高域側で強い場合には、高域側での利得の減衰度合いが低域側よりも緩やかになる(後述のローノイズアンプ400_1を参照)。
 [相互干渉の対策手法:第1例]
 図5~図6は、相互干渉に対する本実施形態の第1例の対策手法の原理を説明する図である。ここで、図5(A)は高域側の方が低域側よりも高ゲイン気味となる非対称性を持つ場合における対策手法を説明する図であり、図5(B)は低域側の方が高域側よりも高ゲイン気味となる非対称性を持つ場合における対策手法を説明する図である。図6は、チャネルの総数が2であるとした場合における、利得抑制部の要否や、何れのチャネルに対する利得を抑制する利得抑制部とするのかを決定する手法を説明する図である。
 本実施形態の第1例の相互干渉対策手法では、増幅部の裸のゲイン特性が非対称性を持つと云うことを前提に、その非対称性を有効に利用して、下側隣接チャネルと上側隣接チャネルの何れか一方についてのみの利得抑制部(利得抑制回路、妨害波除去回路)を増幅部内に設けることにより、隣接チャネルからの妨害を排除する。利得抑制部は、増幅部が自チャネルを中心に高域側と低域側の何れか一方が他方よりも高利得となる非対称特性を持つ場合に、隣接チャネルのうちの、利得周波数特性の非対称の高利得側に位置する方に対しての利得を抑制する。換言すると、増幅部が周波数選択性を持ち、利得抑制部を備えない場合の裸の利得周波数特性が、自チャネルを中心に高域側と低域側の何れか一方が他方よりも利得減衰性が劣る非対称特性を持つ場合に、利得抑制部は、隣接チャネルのうちの、その非対称の利得減衰性が劣る側に位置する方に対しての利得を抑制する。増幅部の裸のゲイン特性が非対称性であることを利用できるので、下側隣接チャネルと上側隣接チャネルの双方について利得抑制部を設ける場合よりも、装置や回路の構成を簡易にできる。
 つまり、第1例の対策手法において、「ゲイン特性の非対称性を(有効に)利用」とは、裸の利得周波数特性の非対称性による減衰性の不足分を補うべく、希望波に対しての低域側と高域側の何れか一方の妨害チャネルのみに関して利得抑制部を増幅部に実装することを意味する。自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を増幅部の入力側又は増幅部の出力側に配置する手法もとり得るが、第1例の対策手法は、増幅部に設けられた利得抑制部から信号抑制部が成る構成を採り、「増幅部のゲイン特性の非対称性による減衰性の不足分を増幅部において補う」という点に特徴があり、増幅部外に信号抑制部を配置する方法は採用しない。増幅部外に信号抑制部を配置する方法に関しては、第2例の対策手法において説明する。
 例えば、図5(A)に示すように、低域側の方が高域側よりも高ゲイン気味となる非対称性を持つ場合には、希望チャネル信号(搬送周波数FC)に対して、下側隣接チャネル信号(搬送周波数FD)に減衰周波数(トラップ位置とも称する)を合わせることにより、下側隣接チャネル信号を減衰させることができる。下側隣接チャネル成分を受信限界レベル以下にすることができ、その下側隣接チャネル成分が復調されることはなく、相互干渉を防止できる。一方、図5(B)に示すように、高域側の方が低域側よりも高ゲイン気味となる非対称性を持つ場合には、希望チャネル信号(搬送周波数FC)に対して、上側隣接チャネル信号(搬送周波数FU)にトラップ位置を合わせることにより、上側隣接チャネル信号を減衰させることができる。上側隣接チャネル成分を受信限界レベル以下にすることができ、その上側隣接チャネル成分が復調されることはなく、相互干渉を防止できる。増幅部の裸のゲイン特性が持つ利得の減衰度合いの不足分を補うことができればよく、トラップ位置が多少ずれてもよい。
 「利得抑制部」としては、希望波成分に対しては、理想的には減衰性を呈さずに、妨害波(非希望波)成分に対して、理想的には大きな減衰性を呈するものがよい。例えば、増幅回路の負荷を利用する場合には、希望波成分に対しては、理想的にはインピーダンスがゼロで減衰性を呈さずに、妨害波成分に対して、理想的にはインピーダンスが無限大で大きな減衰性を呈するものがよい。又、負荷以外の形態としては、典型的にはトラップ回路で構成するのが好適であり、この場合には、希望波成分に対しては、理想的にはインピーダンスが無限大で減衰性を呈さずに、妨害波成分に対して、理想的にはインピーダンスがゼロで大きな減衰性を呈するものがよい。「トラップ回路」としては、インダクタ(誘導素子)とコンデンサ(容量素子)との直列共振回路又は並列共振回路、或いはその任意の組合せに係る回路(直並列共振回路)で構成したものを使用できる。何れを使用し得るかは、利得抑制部が付加される増幅部の構成に依存する。トラップ回路は、希望チャネル信号に対しての隣接チャネル信号等の妨害波成分にトラップ位置を合わせることにより、妨害波成分を減衰させるように回路定数が設定される。
 原理的には、直列共振回路又は並列共振回路は簡易な構成であるが、インダクタとコンデンサのバランスによってトラップ回路のQ値を設定するためトラップ帯域の幅を余り狭くできないし、定数ばらつき等のために希望波チャネル信号の近傍に位置する隣接チャネル信号のみを減衰させることが困難な場合がある。第1例の相互干渉対策手法においては、増幅部のゲイン特性が持つ減衰性の不足分を補う程度のトラップ特性であればよく、減衰量は単純な直列共振回路又は並列共振回路でも十分である。
 図6には、チャネルの総数が2であるとし、図5(A)同士の組合せや図5(B)同士の組合せや図5(A)と図5(B)との組合せとの関係における、利得抑制部(例えばトラップ回路)の要否や、何れのチャネルに対する利得を抑制する利得抑制部とするのかを決定する手法が示されている。隣接チャネルの関係にある2つのチャネルの内、搬送周波数の低い低域側のチャネルを低域チャネル(搬送周波数FC1)とし、搬送周波数の高い高域側のチャネルを高域チャネル(搬送周波数FC2)とする。
 図6(A)に示す第1例は、全体概要において述べた第1のケースを説明する図である。この場合、低域チャネルと高域チャネルの何れも、増幅部の裸の利得周波数特性は自チャネルを中心に低域側の方が高域側よりも利得の減衰度合いが不足している。そのため、高域チャネル用の増幅部には、低域チャネルに対して利得を抑制する利得抑制部を設ける必要がある。但し、チャネルの総数が2であるため、低域チャネル用の増幅部には、下側隣接チャネル(搬送周波数FD)に対して利得を抑制する利得抑制部を設ける必要はない。又、高域チャネル用の増幅部は、上側隣接チャネル(搬送周波数FU)に対しての利得の減衰度合いは十分であり、それ用の利得抑制部を設けなくてもよい。
 図6(B)に示す第2例は、全体概要において述べた第2のケースを説明する図である。この場合、低域チャネルと高域チャネルの何れも、増幅部の裸の利得周波数特性は自チャネルを中心に高域側の方が低域側よりも利得の減衰度合いが不足している。そのため、低域チャネル用の増幅部には、高域チャネルに対して利得を抑制する利得抑制部を設ける必要がある。但し、チャネルの総数が2であるため、高域チャネル用の増幅部には、上側隣接チャネル(搬送周波数FU)に対して利得を抑制する利得抑制部を設ける必要はない。又、低域チャネル用の増幅部は、下側隣接チャネル(搬送周波数FD)に対しての利得の減衰度合いは十分であり、それ用の利得抑制部を設けなくてもよい。
 図6(C)に示す第3例は、全体概要において述べた第3のケースを説明する図である。この場合、低域チャネル用の増幅部の裸の利得周波数特性は自チャネルを中心に高域側の方が低域側よりも利得の減衰度合いが不足しており、高域チャネル用の増幅部の裸の利得周波数特性は自チャネルを中心に低域側の方が高域側よりも利得の減衰度合いが不足している。そのため、高域チャネル用の増幅部には、低域チャネルに対して利得を抑制する利得抑制部を設ける必要があるし、低域チャネル用の増幅部には、高域チャネルに対して利得を抑制する利得抑制部を設ける必要がある。高域チャネル用の増幅部は、上側隣接チャネル(搬送周波数FU)に対しての利得の減衰度合いは十分であり、それ用の利得抑制部を設けなくてもよいし、低域チャネル用の増幅部は、下側隣接チャネル(搬送周波数FD)に対しての利得の減衰度合いは十分であり、それ用の利得抑制部を設けなくてもよい。
 図6(D)に示す第4例は、全体概要において述べた第4のケースを説明する図である。この場合、低域チャネル用の増幅部の裸の利得周波数特性は自チャネルを中心に低域側の方が高域側よりも利得の減衰度合いが不足しており、高域チャネル用の増幅部の裸の利得周波数特性は自チャネルを中心に高域側の方が低域側よりも利得の減衰度合いが不足している。図から明らかなように、低域チャネル用の増幅部は、利得抑制部を設けなくても、高域チャネルに対しての利得の減衰度合いは十分であり、又、高域チャネル用の増幅部は、利得抑制部を設けなくても、下側隣接チャネルである低域チャネルに対しての利得の減衰度合いは十分である。又、チャネルの総数が2であるため、低域チャネル用の増幅部には、下側隣接チャネル(搬送周波数FD)に対して利得を抑制する利得抑制部を設ける必要はないし、高域チャネル用の増幅部には、上側隣接チャネル(搬送周波数FU)に対して利得を抑制する利得抑制部を設ける必要はない。このように、チャネルの総数が2である場合の第4のケースでは、何れのチャネルについても、下側隣接チャネルや上側隣接チャネルに対する利得を抑制する利得抑制部を設ける必要はない。
 以上のように、第1例の相互干渉対策手法においては、増幅部の裸のゲイン特性の非対称性を有効に用いて、下側隣接チャネル或いは上側隣接チャネルの何れか一方についてのみ利得抑制部(トラップ回路等)を設けることにより、周波数分割多重を適用したマルチチャネル伝送において干渉問題を抑制(防止)することができる。妨害波の影響を抑制することができるため、隣接チャネルとの周波数間隔を必要以上にとる必要がなく、周波数の有効利用が可能となる。
 同様にして、3チャネル以上といった多チャネル化も可能となるし、双方向通信だけでなく片方向通信においても同様に適用できる。因みに、チャネルの総数が3以上の場合には、他の隣接チャネルの組合せに関して、前述の4つのケースの何れに該当するのかに基づいて、利得抑制部の要否や、利得抑制部を設ける場合には何れのチャネルに対する利得を抑制するものとするのか等を決定する。
 <増幅部の構成例>
 [トラップありローノイズアンプ:第1例]
 図7は、利得抑制部の一例としてのトラップ回路を備えた低雑音増幅部(ローノイズアンプ400(LNA:Low Noise AMP)と記す、増幅部224に対応)の第1例を説明する図である。ここで、図7(A)は第1例のローノイズアンプ400_1の回路構成例を示し、図7(B)は図7(A)に示したローノイズアンプ400_1のゲイン特性の一例を示す。
 第1例のローノイズアンプ400_1は、カスケード(カスコード、縦続)接続された2つのNチャネル型のトランジスタ(具体的にはMOSFET:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)及び自チャネルに周波数選択性を持つように定数が設定された負荷インダクタを有する増幅段(増幅部)を3段備えた構成である。ここでの「カスケード接続」とは、入力側のトランジスタの主電極端の一方(ドレイン端)と出力(負荷)側のトランジスタの主電極端の一方(ソース端)とが直接に接続されていることを意味している。即ち、入力側のトランジスタのソース接地回路と、出力側のトランジスタのゲート接地回路とを縦統接統したカスケード回路を構成することを意味する。各段は、直流バイアスの設定が容易なように、コンデンサを介して交流結合する構成を採用するが、交流結合に限らず、バイアス回路を工夫して直流結合の構成にしてもよい。ローノイズアンプ400(ローノイズアンプ400_1に限らず後述の他の構成例も含む)は、例えばCMOS(Complementary
Metal-oxide Semiconductor、相補型金属酸化膜半導体)等のシリコン集積回路として実現する。
 例えば、1段目の増幅部410は、入力側のトランジスタQ11と負荷側のトランジスタQ12とがカスケード接続されている。トランジスタQ11の主電極端の他方(ソース端)は基準電位点(例えば接地)に接続されている。トランジスタQ12の主電極端の他方(ドレイン端)は、インダクタL11を介して電源Vddに接続されている。トランジスタQ11の制御入力端(ゲート端、コントロールゲート)は、インダクタL12を介して所定のバイアス電圧BIASが供給されるとともに、結合コンデンサC12を介してローノイズアンプ400_1の入力端INと接続されている。トランジスタQ12の制御入力端(ゲート端、スクリーンゲート)は、電源Vddに接続(交流的に接地)されている。
 2段目及び3段目も、概ね1段目と同じ構成となっている。例えば、2段目の増幅部420は、入力側のトランジスタQ21と負荷側のトランジスタQ22とがカスケード接続されている。トランジスタQ21の主電極端の他方(ソース端)は基準電位点(接地)に接続されている。トランジスタQ22の主電極端の他方(ドレイン端)は、インダクタL21を介して電源Vddに接続されている。トランジスタQ21の制御入力端(ゲート端)は、抵抗素子R22を介して所定のバイアス電圧BIASが供給されるとともに、結合コンデンサC22を介して1段目の増幅部410のトランジスタQ12の主電極端の他方(ドレイン端)と接続されており1段目の増幅部410の出力信号が供給されるようになっている。トランジスタQ22の制御入力端(ゲート端)は、電源Vddに接続されている。
 3段目の増幅部430は、入力側のトランジスタQ31と負荷側のトランジスタQ32とがカスケード接続されている。トランジスタQ31の主電極端の他方(ソース端)は基準電位点(接地)に接続されている。トランジスタQ32の主電極端の他方(ドレイン端)は、インダクタL31を介して電源Vddに接続されており、トランジスタQ32の主電極端の他方(ドレイン端)とインダクタL31との接続点がローノイズアンプ400_1の出力端OUTと接続されている。トランジスタQ31の制御入力端(ゲート端)は、抵抗素子R32を介して所定のバイアス電圧BIASが供給されるとともに、結合コンデンサC32を介して2段目の増幅部420のトランジスタQ22の主電極端の他方(ドレイン端)と接続されており2段目の増幅部420の出力信号が供給されるようになっている。トランジスタQ32の制御入力端(ゲート端)は、電源Vddに接続されている。
 1段目のバイアス用のインダクタL12を2段目や3段目と同じように抵抗素子R12に置き換えることもできる。但し、インダクタL12を使用すると、入力側において高域を強調するピーキング機能(シャントピーキング)を働かせることができる。
 このように、各段の増幅部4は、入力側のトランジスタのソース端、ゲート端、及び、ドレイン端で形成されるソース接地回路と、出力側のトランジスタのソース端、ゲート端、及び、ドレイン端で形成されるゲート接地回路とを縦統接統したカスケード回路を構成している。入力側のトランジスタと出力側のトランジスタのそれぞれについて、増幅率をμ1、μ2、相互コンダクタンスをgm1、gm2、ドレイン抵抗をrd1、rd2とすると、カスケード回路全体としては、総合増幅率はμ1・μ2となり、出力抵抗は出力側のドレイン抵抗rd2のμ1倍に増加し、相互コンダクタンスはgm2であり、帰還容量は1/μ2になる。
 MOSFETはドレイン・ゲート間に容量Cdgがあり、一般にはこの値は比佼的大きく、容量Cdgを通して信号がドレイン出力側からゲート入力側に帰還し、高周波では寄生発振を起こし易いし、ミラー効果により等価的に入力容量が増加し好ましくない。これに対してカスケード回路にすれば、これらの問題を抑制することができる。因みに、このようなカスケード回路にするには、デュアルゲートMOSFETとして半導体集積回路に作り込むとよい。カスケード回路のゲート(入力側のトランジスタのゲート端)とドレイン(出力側のトランジスタのドレイン端)との間に出力側のトランジスタが介在することにより、ゲート・ドレイン間の静電遮蔽をすることができ、帰還容量を1/μ2倍に小さくすることができる。
 〔インダクタの構成例〕
 ローノイズアンプ400_1は、希望波の周波数に関して周波数選択性(共振特性)を持つように、各段の負荷となるコイル(インダクタL11、インダクタL21、及び、インダクタL31)の定数が設定される。コイルのインダクタ成分と配線やトランジスタ等の寄生容量成分とで、並列共振回路が構成される。これにより、各段の増幅部は、周波数選択性を持った増幅機能が働く。
 又、各段の負荷となるインダクタL11、インダクタL21、及び、インダクタL31に加えて、1段目の入力側のトランジスタQ11に直流バイアスを与えるインダクタL12は、好ましくは、ゲインアップが図られるようにパターン設計をするとよい。例えば、各インダクタLを1つの配線層(例えば1層目)にてパターン形成することも考えられるが、複数の配線層(例えば1層目及び2層目、1層目~3層目等)にてパターン形成し、各層のインダクタLをともに接続する(電気回路的に並列接続する)ことにより、全体としてのインダクタLの直列抵抗成分を減らすとよい。こうすることにより、インダクタLのQ値が、1つの配線層(金属層)だけによるものと比較して大きくなり、ローノイズアンプ400は、希望周波数におけるゲインが向上する、つまり利得強化が図られる(後述のローノイズアンプ400_4を参照)。因みに、Q値が大きくなることにより、帯域幅が狭くなる可能性があるが、必要十分な帯域幅は維持可能である。
 インダクタLの直列抵抗成分を減らすことにより利得強化を図る手法は、高域側のローノイズアンプ400になるほど適用することが好ましい。先に述べた「Q値の周波数特性」から類推されるように、増幅部にチューニング性(周波数選択性)を持たせる場合に、多くの場合、高周波数側でのQ値の低下度合いが強く低周波数用に比べると高周波数用の方がゲイン低下が見られることに基づく。例えば、信号伝送装置1を57ギガヘルツ帯と80ギガヘルツ帯による全二重双方向通信に対応した構成とする場合であれば、57ギガヘルツ帯用のローノイズアンプ400には適用せずに80ギガヘルツ帯用のローノイズアンプ400にのみ適用する。
 〔トラップ回路〕
 第1例のローノイズアンプ400_1は、1段目の増幅部410のカスケード接続点にトラップ回路601を有する点に特徴がある。具体的には、ローノイズアンプ400_1は、トランジスタQ11とトランジスタQ12とのカスケード接続点(ノードND1と記す)と基準電位点(接地)との間に、インダクタL13とコンデンサC13との直列共振回路で構成されたトラップ回路601を有する。インダクタL13とコンデンサC13とが成す直列共振回路の共振周波数が妨害波となる隣接チャネルの搬送周波数と一致するように、インダクタL13とコンデンサC13の各定数を設定するべく、インダクタL13とコンデンサC13のパターン設計を行なう。
 インダクタL13をパターン形成する際には、例えば、1つの配線層(例えば1層目)にて形成することも考えられるが、複数の配線層にて形成し、各層のインダクタLをともに接続する(並列接続する)ことにより、インダクタLの直列抵抗成分を減らして、1つの配線層(金属層)だけによるものよりもQ値が大きくなるようにしてもよい。
 更には、トラップ回路601は、1層によるのか複数層によるのかに拘わらず、コイル状にパターン形成することにより集中定数回路として形成してもよいが、これに限らず、例えばマイクロストリップライン等のようにパターン形成して分布定数回路状にしてもよい。何れの場合も、コンデンサC成分はインダクタLをパターン形成する際の分布容量を利用するのが好ましい。
 図7(B)には、図7(A)に示したローノイズアンプ400_1のゲイン特性の一例が示されている。この例は、57ギガヘルツ帯(希望波の周波数帯)に対応したローノイズアンプ400_1のゲイン特性例(シミュレーションによる)を示しており、トラップ回路601を設けていない場合が破線で示され、トラップ回路601を設けている場合が実線で示されている。図示のように、トラップ回路601を設けていない場合のゲイン特性は、ピーク点(57ギガヘルツ近傍)を境に、高域側の方が低域側よりも高ゲイン気味となる特性を示した、非対称性を持つ。よって、低域側と比べるとお、高域側の隣接チャネル周波数が十分にトラップされた状態とはなっておらず、高域側の隣接チャネル成分(例えば80ギガヘルツ帯)に対しての周波数選択性が劣り、このままでは、隣接チャネル成分(80ギガヘルツ帯)が復調されてしまい、いわゆる相互干渉を引き起こす。
 これに対して、80ギガヘルツ帯に共振周波数を設定したトラップ回路601を設けた場合には、図示の例ではおおよそ15デシベル(dB)程度ゲインを減衰(低下)させることができており、80ギガヘルツ帯の送信系統から57ギガヘルツ帯の受信系統に漏らされた信号のための干渉を減らすことができる。
 因みに、線形性(リニアリティ)やNF(Noise Figure:雑音指数)は1段目が最も強く影響される。ここで、利得抑制部(トラップ回路601)を1段目の増幅部410に設けることは、後述の第2例と比べると、線形性の面で有利である。信号振幅の小さな段において妨害波除去機能(トラップ機能)を働かせるからである。但し、利得抑制部(トラップ回路601)はノイズ源となり得るし、トラップ回路601の希望周波数におけるインピーダンスは無限大ではないのでピークゲインが少し低下するため、NFの面では不利である。
 [トラップありローノイズアンプ:第2例]
 図8は、利得抑制部の一例としてのトラップ回路を備えたローノイズアンプ400の第2例の回路構成例を示す図である。第2例のローノイズアンプ400_2は、利得抑制部(トラップ回路)を1段目以外の増幅部4に備える点に特徴がある。図示する第2例のローノイズアンプ400_2は、2段目の増幅部420のカスケード接続点にトラップ回路602を設けている。具体的には、ローノイズアンプ400_2は、トランジスタQ21とトランジスタQ22とのカスケード接続点(ノードND2と記す)と基準電位点(接地)との間に、インダクタL23とコンデンサC23との直列共振回路で構成されたトラップ回路602を有する。その他は、トラップ回路601を備えていない点を除いて第1例と同様である。第2例の構成では、利得抑制部(トラップ回路601)を1段目以外の増幅部4に設けるので、第1例と比べると、線形性の面では不利である。信号振幅の大きな段において妨害波除去機能(トラップ機能)を働かせるからである。但し、NFへの影響度合いの低い1段目以外において妨害波除去機能(トラップ機能)を働かせるので、トラップ回路602の希望周波数におけるインピーダンスが無限大ではなくピークゲインが少し低下したとしても、第1例よりはNFの面で有利である。よって、第2例では、前述の第1例に比べてノイズ性能を改善することができる。
 [トラップありローノイズアンプ:第3例]
 図9は、利得抑制部の一例としてのトラップ回路を備えたローノイズアンプ400の第3例の回路構成例を示す図である。第3例のローノイズアンプ400_3は、第1例のローノイズアンプ400_1と第2例のローノイズアンプ400_2とを組み合わせるとともに、利得抑制部(トラップ回路)の動作の有効/無効を切替え可能に構成した点に特徴がある。換言すると、第3例のローノイズアンプ400_3は、利得抑制部の選択的な使用を可能にするスイッチを使用することにより、第1例のローノイズアンプ400_1と第2例のローノイズアンプ400_2とを使い分けることを可能にしたものである。
 トラップ回路の動作の有効/無効を切替え可能にするべく、ローノイズアンプ400_3は、トラップ回路601のノードND1とは反対側に切替スイッチの機能をなすトランジスタQ13を有するとともに、トラップ回路602のノードND2とは反対側に切替スイッチの機能をなすトランジスタQ23を有する。トランジスタQ13及びトランジスタQ23はNチャネル型のトランジスタ(具体的にはMOSFET)である。トランジスタQ13は、主電極端の一方(ドレイン端)がコンデンサC13と接続され、主電極端の他方(ソース端)が基準電位点(接地)に接続され、制御入力端(ゲート端)に、スイッチをオン/オフ制御する制御信号CNT1が供給されるようになっている。トランジスタQ23は、主電極端の一方(ドレイン端)がコンデンサC23に接続され、主電極端の他方(ソース端)が基準電位点(接地)に接続され、制御入力端(ゲート端)に、スイッチをオン/オフ制御する制御信号CNT2が供給されるようになっている。
 制御信号CNT1がハイレベルのときにはスイッチとしてのトランジスタQ13がオンするのでトラップ回路601が有効に機能する一方、制御信号CNT1がローレベルのときにはスイッチとしてのトランジスタQ13がオフするのでトラップ回路601が設けられていない場合と同様になる。制御信号CNT2がハイレベルのときにはスイッチとしてのトランジスタQ23がオンするのでトラップ回路602が有効に機能する一方、制御信号CNT2がローレベルのときにはスイッチとしてのトランジスタQ23がオフするのでトラップ回路602が設けられていない場合と同様になる。
 このような第3例のローノイズアンプ400_3によれば、使用用途や要求される仕様(リニアリティ重視かノイズ性能重視か)に応じて、第1例のローノイズアンプ400_1と第2例のローノイズアンプ400_2とを使い分けることができる。又、トランジスタQ13とトランジスタQ23の双方をオンさせてトラップ回路601及びトラップ回路602の両方を有効に機能させることにより、片方だけを機能させる場合よりも減衰量をより大きくすることができ、片方だけの場合のトラップ量の不足への対処が可能である。
 〔変形例〕
 前述の第3例は、第1例と第2例とを単純に組み合わせるのではなく、トラップ回路の設置位置の使い分けを可能にしたものであるが、第1例と第2例とを組み合わせる点においては、このことは必須でない。例えば、図示しないが、第3例のローノイズアンプ400_3をベースにして、トラップ回路601とトラップ回路602の双方を常時使用する構成としてもよい。或いは、第3例のローノイズアンプ400_3をベースにして、トラップ回路601とトラップ回路602の何れか一方は常時使用する構成とし、他方のみにスイッチ(トランジスタQ13又はトランジスタQ23)を設けて選択的に使用可能に構成してもよい。例えば、トラップ回路601を常時使用する第1例を基本構成として、トラップ回路602を選択的に使用可能な構成にすれば、通常時は線形性を重視しつつ隣接チャネルの干渉対策を図ることができるし、トラップ回路602を機能させることによりトラップ量の不足時への対処も可能である。逆に、トラップ回路602を常時使用する第2例を基本構成として、トラップ回路601を選択的に使用可能な構成にすれば、通常時はノイズ性能を重視しつつ隣接チャネルの干渉対策を図ることができるし、トラップ回路601を機能させることによりトラップ量の不足時への対処も可能である。
 [トラップなしローノイズアンプ]
 図10は、利得抑制部の一例としてのトラップ回路を備えていない通常のローノイズアンプ400_4を説明する図である。ここで、図10(A)はローノイズアンプ400_4の回路構成例を示し、図10(B)は図10(A)に示したローノイズアンプ400_4のゲイン特性の一例を示す。
 ローノイズアンプ400_4は、前述のトラップ回路を備えているローノイズアンプ400_1等と同様に、2つのトランジスタがカスケード接続された増幅部4を3段備えた構成である。例えば、第1例との対比では、トラップ回路601を備えていない点と、1段目の増幅部410を増幅部460に変更(その構成部材の参照子を10番台から60番台に変更)し、2段目の増幅部420を増幅部470に変更(その構成部材の参照子を20番台から70番台に変更)し、3段目の増幅部430を増幅部480に変更(その構成部材の参照子を30番台から80番台に変更)している点が異なる。参照番号の相違があるが、基本的には第1例において説明した通りであるので、ここでは詳細説明は割愛する。
 図10(B)には、図10(A)に示したローノイズアンプ400_4のゲイン特性の一例が示されている。この例は、80ギガヘルツ帯(希望波の周波数帯)に対応したローノイズアンプ400_4のゲイン特性例(シミュレーションによる)を示しており、各インダクタLを1つの配線層(例えば1層目)にて形成した場合が破線で示され、各インダクタLを複数層(この例では1層目と2層目)にて形成して直列抵抗成分を低減する場合が実線で示されている。図示のように、各インダクタLを1つの配線層にて形成した場合のゲイン特性に比べると、各インダクタLを複数層にて形成して直列抵抗成分を低減する場合の方が、ピーク点(80ギガヘルツ近傍)のゲインが大きくなっており、利得強化が図られていることが分かる。尚、インダクタLの直列抵抗成分が低減されることによりQ値が大きくなるため、帯域幅が少し狭くなるが、必要十分な帯域幅が維持されていることも分かる。
 以下に、希望波に対して低域側と高域側の何れか一方の妨害チャネルのみに関して利得抑制部(トラップ回路601やトラップ回路602)を使用することにより相互干渉対策を図る第1例の対策手法の具体的な適用例について説明する。尚、以下では、代表的に、利得抑制部を有さない場合の増幅部の利得周波数特性が自チャネルを中心に高域側の方が低域側よりも利得減衰性が劣っており、希望波に対して高域側の妨害チャネルのみに関して利得抑制部(特にトラップ回路)を使用する場合で説明する。但し、これは代表例であり、利得抑制部を有さない場合の増幅部の利得周波数特性が自チャネルを中心に低域側の方が高域側よりも利得減衰性が劣っており、希望波に対して低域側の妨害チャネルのみに関して利得抑制部(特にトラップ回路)を使用するように変形することもできる。更には、これらが混在する場合でも同様の手法を適用できる。
 [ミリ波帯の信号伝送機能の詳細]
 実施例1は、全二重双方向通信に対応した構成における相互干渉対策への適用事例である。図11は、実施例1の送受信系統を説明する図であって、変調機能部から高周波信号導波路308(信号伝送路9)を経由しての復調機能部までの信号伝送機能に着目した実施例1の機能ブロック図である。図は、低域側(例えば57ギガヘルツ(GHz)帯、12.5ギガビット毎秒(Gb/s))と高域側(例えば80ギガヘルツ(GHz)帯、12.5ギガビット毎秒(Gb/s))の全二重双方向通信に対応した構成で示している。
 実施例1の信号伝送装置1Aにおいて、第1通信装置100は、送信処理部(TX)に高域側(80ギガヘルツ帯)の搬送周波数を使用し、受信処理部(RX)に低域側(57ギガヘルツ帯)の搬送周波数を使用する構成となっている。即ち、第1通信装置100は、80ギガヘルツの送信処理部と57ギガヘルツの受信処理部とを有する。一方、第2通信装置200は、送信処理部(TX)に低域側(57ギガヘルツ帯)の搬送周波数を使用し、受信処理部(RX)に高域側(80ギガヘルツ帯)の搬送周波数を使用する構成となっている。即ち、第2通信装置200は、57ギガヘルツの送信処理部と80ギガヘルツの受信処理部とを有する。そして、第1通信装置100及び第2通信装置200は、低域側(57ギガヘルツ帯)及び高域側(80ギガヘルツ帯)の2チャネルの何れについても概ね同様の構成であり、又、送受信処理部(増幅部4とローノイズアンプ400の組合せで成る回路及びその周辺回路)は1チップ構成であるのが好適である。
 例えば、送信側においては、伝送対象の信号(入力ベースバンド信号BB_IN:例えば12ビットの画像信号)は図示しないパラレルシリアル変換部により高速なシリアル・データ系列に変換され差動信号として変調機能部8300に供給される。変調機能部8300は、パラレルシリアル変換部からの信号を変調信号として、予め定められた変調方式に従ってミリ波帯の信号に変調する。変調機能部8300としては、変調方式に応じて様々な回路構成をとり得るが、例えば、振幅を変調する方式であれば、差動信号の系統ごとに2入力型の周波数混合部8302(ミキサー回路、乗算器)と送信側局部発振部8304とを備えたダイレクトコンバーション方式の構成を採用すればよい。送信側局部発振部8304(第1の搬送信号生成部)は、変調に用いる搬送信号(変調搬送信号)を生成する。周波数混合部8302(第1の周波数変換部)は、パラレルシリアル変換部からの信号で送信側局部発振部8304が発生するミリ波帯の搬送波と乗算(変調)してミリ波帯の伝送信号(被変調信号)を生成して増幅部8117(AMP:増幅部117と対応)に供給する。伝送信号は増幅部8117で増幅されアンテナ8136から放射される。
 受信系においては、送信系の変調方式と対応した構成が採用される。例えば、振幅を変調する方式であれば、受信した高周波信号(の包絡線)振幅の二乗に比例した検波出力を得る自乗検波回路や、自乗特性を有しない単純な包絡線検波回路を使用することができる。更には、復調用の搬送信号を生成し、この搬送信号により受信した高周波信号を同期検波する回路(同期検波回路)を用いることもでき、当該同期検波回路は位相や周波数を変調する方式にも利用できる。
 ここで、本実施形態の受信系においては、同期検波回路を用いたダイレクトコンバーション方式を採用し、且つ、注入同期(インジェクションロック)方式を採用して復調用の搬送信号を生成する構成にしている。アンテナ8236で受信されたミリ波受信信号は可変ゲイン型且つ低ノイズ型の増幅部8224(LNA、増幅部224と対応)に入力され振幅調整が行なわれた後に復調機能部8400に供給される。復調機能部8400は、2入力型の周波数混合部8402(ミキサー回路)と受信側局部発振部8404とベースバンド増幅部8412とを備え、インジェクションパス(Injection path)を経由して注入信号を受信側局部発振部8404に供給することにより、送信側で変調に使用した搬送信号に対応した出力信号を取得する。典型的には受信側局部発振部8404は送信側で使用した搬送信号に同期した発振出力信号を取得する。そして、受信した信号と受信側局部発振部8404の出力信号に基づく復調用の搬送信号(復調搬送信号:再生搬送信号と称する)を周波数混合部8402で乗算する(同期検波する)ことにより同期検波信号を取得する。周波数混合部8402は、同期検波により周波数変換(ダウンコンバート・復調)を行なうことにより、例えばビット誤り率特性が優れる、直交検波に発展させることにより位相変調や周波数変調を適用できる等の利点が得られる。同期検波信号は図示しないフィルタ処理部で高域成分の除去が行なわれることにより送信側から送られてきた入力信号の波形(出力入力ベースバンド信号BB_OUT:例えば12ビットの画像信号)が得られる。フィルタ処理部は受信側局部発振部8404とベースバンド増幅部8412の間やベースバンド増幅部8412の後段に設ければよい。
 受信側局部発振部8404の出力信号に基づく再生搬送信号を周波数混合部8402に供給して復調するに当たっては、位相ズレを考慮する必要があり、同期検波系において位相調整回路を設けることが肝要となる。本実施形態では、位相調整回路の機能だけでなく注入振幅を調整する機能も持つ位相振幅調整部8406を復調機能部8400に設けている。受信側局部発振部8404と位相振幅調整部8406で、変調搬送信号と同期した復調搬送信号を生成して周波数混合部8402に供給する復調側(第2)の搬送信号生成部が構成される。位相振幅調整部8406は、受信側局部発振部8404への注入信号、受信側局部発振部8404の出力信号の何れに対して設けてもよく、その両方に適用してもよい。図は、増幅部8224と受信側局部発振部8404との間に位相振幅調整部8406を設ける例で示している。
 尚、注入同期方式を採用する場合には、注入信号の位相(注入位相)や振幅(注入電圧)を制御(調整)するだけでなく、受信側局部発振部8404の自走発振周波数Foを制御することも、ロックレンジを制御(調整)する上で肝要である。換言すると、注入同期がとれるように、注入位相や注入電圧や自走発振周波数Foを調整することが肝要となる。このため、図示しないが、周波数混合部8402の後段に注入同期制御部を設け、周波数混合部8402で取得された同期検波信号(ベースバンド信号)に基づき注入同期の状態を判定し、その判定結果に基づいて、注入同期がとれるように、調整対象の各部を制御する構成を採る。
 周波数分割多重方式により多チャンネル化を実現する場合に、自乗検波回路を用いる方式では、次のような難点がある。受信側の周波数選択のためのバンドパスフィルタを自乗検波回路の前段に配置する必要があるが、急峻なバンドパスフィルタを小型に実現するのは容易ではない。また、急峻なバンドパスフィルタを用いた場合は送信側の搬送周波数の安定度についても要求仕様が厳しくなる。これに対して、注入同期を適用すれば、同期検波との併用により、波長選択用のバンドパスフィルタを受信側で使用しなくても、多チャンネル化や全二重の双方向化を行なう場合等のように複数の送受信ペアが同時に独立な伝送をする場合でも干渉の問題の影響を受け難くなる。
 このような構成の信号伝送装置1においては、第1通信装置100に入力された差動のベースバンド信号BB_INが変調機能部8300によって80ギガヘルツ帯の信号にアップコンバートされ、増幅部8117により増幅されて、アンテナ8136を介して高周波信号導波路308に結合する。80ギガヘルツ帯の信号は高周波信号導波路308を伝送し第2通信装置200側のアンテナ8236に受信される。この受信信号は、増幅部8224(ローノイズアンプ400)により増幅され、周波数混合部8402に供給されるとともに、インジェクションパスの位相振幅調整部8406を経由して受信側局部発振部8404にも供給される。受信側局部発振部8404にて変調用の80ギガヘルツの搬送信号と同期した復調用の80ギガヘルツの搬送信号が受信側局部発振部8404にて生成される。復調機能部8400では、復調用の搬送信号が周波数混合部8402に供給されることにより、受信された80ギガヘルツ帯の信号がベースバンド信号BB_INにダウンコンバートされる。
 同様に、第1通信装置100に入力された差動のベースバンド信号BB_INが変調機能部8300によって57ギガヘルツ帯の信号にアップコンバートされ、増幅部8117により増幅されて、アンテナ8136を介して高周波信号導波路308に結合する。57ギガヘルツ帯の信号は高周波信号導波路308を伝送し第2通1装置100側のアンテナ8236に受信される。この受信信号は、増幅部8224(ローノイズアンプ400)により増幅され、周波数混合部8402に供給されるとともに、インジェクションパスの位相振幅調整部8406を経由して受信側局部発振部8404にも供給される。受信側局部発振部8404にて変調用の57ギガヘルツの搬送信号と同期した復調用の57ギガヘルツの搬送信号が受信側局部発振部8404にて生成される。復調機能部8400では、復調用の搬送信号が周波数混合部8402に供給されることにより、受信された57ギガヘルツ帯の信号がベースバンド信号BB_INにダウンコンバートされる。
 ところで、図11に示す全二重双方向通信に対応した構成では、送信側のアンテナ8136から高周波信号導波路308(伝送損失を例えば15~20デシベル、全域平坦とする)を経由して受信側のアンテナ8236へ低域チャネル(57ギガヘルツ帯)及び高域チャネル(80ギガヘルツ帯)の2チャネル分の高周波信号がそれぞれ相手方に伝送される。このとき、第1通信装置100側においは近接して配置されたアンテナ8136からアンテナ8236へ高域チャネル(80ギガヘルツ帯)の信号が供給される漏洩パス(図中の破線a)が形成されるし、第2通信装置200側においては近接して配置されたアンテナ8136からアンテナ8236へ低域チャネル(57ギガヘルツ帯)の信号が供給される漏洩パス(図中の破線b)が形成される。この漏洩パスの信号エネルギは、高周波信号導波路308を介してのアンテナ8136からアンテナ8236への通常パスに比べると、アンテナ8136とアンテナ8236とが近接しているため高周波信号導波路308による損失が殆どなくかなり大きい。したがって、例え注入同期方式を採用していたとしても、受信側(例えば増幅部8224)の波長選択特性が不十分な場合には、隣接チャネル成分が復調されてしまう「隣接チャネル間の混信問題」の発生が懸念される。この対策として、「ゲイン特性の非対称性を(有効に)利用」して、希望波に対して低域側と高域側の何れか一方の妨害チャネルのみに関して利得抑制部を使用する手法を適用する。
 [相互干渉対策]
 図12は、実施例1(図11に示した全二重双方向通信に対応した構成)における相互干渉対策の具体的な対処手法を説明する図である。ここで、図12(A)は、送信用の増幅部から高周波信号導波路308を経由しての受信用の増幅部(ローノイズアンプ400)までの信号伝送機能に着目した簡略した機能ブロック図である。図12(B)は、低域側用のローノイズアンプ400のゲイン特性の一例を示し(図7(B)に示す特性と同じ)、図12(C)は、高域側用のローノイズアンプ400のゲイン特性の一例を示す(図10(B)に示す特性と同じ)。
 図中において、「High」は高域チャネル(80ギガヘルツ帯)を示し、「Low」は低域チャネル(57ギガヘルツ帯)を示す。希望チャネルを「Low」チャネルとしたとき、上側隣接チャネルは高域チャネルであり、希望チャネルを「High」としたとき、下側隣接チャネルは低域チャネルである。「TX」は送信処理部を示し、「RX」は受信処理部を示す。「TXANT」は送信側のアンテナ8136(送信アンテナ)であり、「RXANT」は受信側のアンテナ8236(受信アンテナ)であり、「AMP」は送信用の増幅部(増幅部117や増幅部8117)であり、「LNA」はローノイズアンプ400(増幅部224や増幅部8224)である。「TP」は希望チャネル成分に対しての妨害波(隣接チャネル成分)を抑制する利得抑制部(トラップ回路)であり、その参照子(「_H」や「_L」)により減衰周波数(トラップ位置)を高域側と低域側の何れの隣接チャネルに合わせるのかを示す。
 この例では、低域チャネル用のローノイズアンプ400に「トラップ回路TP_H」が設けられており、上側隣接チャネルである80ギガヘルツ帯に減衰周波数を合わせている(図12(B)に示すゲイン特性を参照)。高域チャネル用のローノイズアンプ400には下側隣接チャネルの利得を抑制する利得抑制部(トラップ回路)は設けられていない(図12(C)に示すゲイン特性を参照)。
 第1通信装置100の増幅部(AMP)から発せられた80ギガヘルツ帯(High)の高周波信号は送信アンテナTXANTにより高周波信号導波路308に結合され、高周波信号導波路308を経由して第2通信装置200に伝送される。第2通信装置200においては、80ギガヘルツ帯(High)の高周波信号が受信アンテナRXANTにより受信され80ギガヘルツ帯用のローノイズアンプ400に供給される。このとき、第1通信装置100側においては、送信アンテナTXANTから発せられた80ギガヘルツ帯(High)の高周波信号が漏洩パス(図中の破線a)を経由して自身の受信アンテナRXANTに飛び込み低域チャネル用のローノイズアンプ400に供給される。低域チャネル用のローノイズアンプ400には80ギガヘルツ帯に減衰周波数が設定されているトラップ回路TP_Hが設けられているので、図12(B)に示すように、80ギガヘルツ帯の高周波信号はトラップ回路TP_Hの機能により十分に減衰される。このため、第1通信装置100においては、図示しない後段の復調機能部8400では80ギガヘルツ帯は復調されず、80ギガヘルツ帯の送信処理部TXから57ギガヘルツ帯の受信処理部RXに漏洩された高周波信号による干渉を防止することができる。
 第2通信装置200の増幅部(AMP)から発せられた57ギガヘルツ帯(Low)の高周波信号は送信アンテナTXANTにより高周波信号導波路308に結合され、高周波信号導波路308を経由して第1通信装置100に伝送される。第1通信装置100においては、57ギガヘルツ帯の高周波信号が受信アンテナRXANTにより受信され低域チャネル用のローノイズアンプ400に供給される。このとき、第2通信装置200側においては、送信アンテナTXANTから発せられた57ギガヘルツ帯の高周波信号が漏洩パス(図中の破線b)を経由して自身の受信アンテナRXANTに飛び込み高域チャネル用のローノイズアンプ400に供給される。高域チャネル用のローノイズアンプ400には利得抑制部が設けられていないが、図12(C)に示すように、57ギガヘルツ近傍のゲインは十分に減衰されている。このため、第2通信装置100においては、利得抑制部を使用しなくても、図示しない後段の復調機能部8400では57ギガヘルツ帯は復調されず、57ギガヘルツ帯の送信処理部TXから80ギガヘルツ帯の受信処理部RXに漏洩された高周波信号による干渉を防止することができる。
 [ミリ波帯の信号伝送機能の詳細]
 図13は、実施例2の送受信系統を説明する図であって、変調機能部から高周波信号導波路308(信号伝送路9)を経由しての復調機能部までの信号伝送機能に着目した実施例2の機能ブロック図である。図は、低域側(例えば57ギガヘルツ(GHz)帯、12.5ギガビット毎秒(Gb/s))及び高域側(例えば80ギガヘルツ(GHz)帯、12.5ギガビット毎秒(Gb/s))の片方向二重通信に対応した構成で示している。尚、送信処理部(2つの増幅部4で成る回路及びその周辺回路)や受信処理部(2つのローノイズアンプ400で成る回路及びその周辺回路)は1チップ構成であるのが好適である。
 実施例2は、片方向二重通信に対応した構成における相互干渉の対策への適用事例である。実施例2の信号伝送装置1B_1は、図11に示した実施例1の信号伝送装置1Aとの対比では、第1通信装置100と第2通信装置200の何れか一方(この例では第1通信装置100)に低域側(57ギガヘルツ帯)用及び高域側(80ギガヘルツ帯)用の送信処理部TXをそれぞれ設け、反対側(この例では第2通信装置200)に低域側(57ギガヘルツ帯)用及び高域側(80ギガヘルツ帯)用の受信処理部TXをそれぞれ設けている点が異なる。このような片方向二重通信の適用により、実質的には、25.0ギガビット毎秒(Gb/s)の伝送レートを確保できる。
 ここで、図13に示す片方向二重通信に対応した構成では、送信側のアンテナ8136から高周波信号導波路308を経由して受信側のアンテナ8236へ低域側(57ギガヘルツ帯)及び高域側(80ギガヘルツ帯)の2チャネルの信号がそれぞれ相手方に伝送される。このとき、第2通信装置200側においは低域側用のアンテナ8236へも高域チャネル(80ギガヘルツ帯)の信号が供給される漏洩パス(図中の破線a)が形成されるし、高域側用のアンテナ8236へも低域チャネル(57ギガヘルツ帯)の信号が供給される漏洩パス(図中の破線b)が形成される。
 周波数帯に関わらず高周波信号導波路308の伝送損失が同じであるとした場合は送信電力を同じにでき、漏洩パスの信号エネルギは通常パスと同程度となる。しかしながら、実際には、高周波信号導波路308の伝送特性(周波数特性)は、マルチチャネル伝送の全伝送帯域に亘って平坦とすることは難しく、少なからず低域側或いは高域側に片寄った特性を持つ。又、受信側のローノイズアンプ400のピークゲインも周波数帯に関わらず同じとすることは難しい。これらを踏まえた場合、送信電力は、低域側或いは高域側の何れかを大きくすることになる。したがって、例え注入同期方式を採用していたとしても、受信側(例えば増幅部8224)の波長選択特性が不十分な場合には、隣接チャネル成分が復調されてしまう「隣接チャネル間の混信問題」の発生が懸念される。更には、この例ではチャネル間隔を「80-57=23ギガヘルツ」としているが、チャネル間隔をより狭くする場合には、ローノイズアンプ400のゲイン特性例から推測されるように、隣接チャネル成分が復調されてしまう「隣接チャネル間の混信問題」の発生の可能性が高まる。このように、片方向二重通信においても、「ゲイン特性の非対称性を(有効に)利用」して、希望波に対して低域側と高域側の何れか一方の妨害チャネルのみに関して利得抑制部を使用する手法を適用することが好ましい場合がある。
 [相互干渉対策]
 図14は、実施例2(図13に示した片方向二重通信に対応した構成)における相互干渉対策の具体的な対処手法を説明する図である。ここで、図14は、送信用の増幅部から高周波信号導波路308を経由しての受信用の増幅部(ローノイズアンプ400)までの信号伝送機能に着目した簡略した機能ブロック図である。
 低域チャネル(57ギガヘルツ帯)用のローノイズアンプ400のゲイン特性は図14(B)と同じであり、高域チャネル(80ギガヘルツ帯)用のローノイズアンプ400のゲイン特性は図12(C)と同じである。高域チャネル用のローノイズアンプ400のピークゲインは、低域チャネル用のローノイズアンプ400のピークゲインよりも小さいので、仮に周波数帯に関わらず高周波信号導波路308の伝送損失が同じであるとした場合、送信電力は、低域側よりも高域側の方を大きくする。信号伝送装置1B_1は、第2通信装置200側において、低域チャネル用のローノイズアンプ400は80ギガヘルツ帯に減衰周波数が設定されているトラップ回路TP_Hを有する。
 このため、第2通信装置200側においては、57ギガヘルツ帯(Low)よりも電力の大きな80ギガヘルツ帯(High)の高周波信号が漏洩パス(図中の破線a)を経由して受信アンテナRXANTに飛び込み低域チャネル用のローノイズアンプ400に供給される。低域チャネル用のローノイズアンプ400には80ギガヘルツ帯に減衰周波数が設定されているトラップ回路TP_Hが設けられているので、図12(B)に示すように、80ギガヘルツ帯の高周波信号はトラップ回路TP_Hの機能により十分に減衰される。このため、第2通信装置200においては、図示しない後段の57ギガヘルツ帯用の復調機能部8400では80ギガヘルツ帯は復調されず、80ギガヘルツ帯の送信処理部TXから57ギガヘルツ帯の受信処理部RXに漏洩された高周波信号による干渉を防止することができる。
 一方、高域チャネル用の受信アンテナRXANTには、80ギガヘルツ帯よりも電力の小さな57ギガヘルツ帯(Low)の高周波信号も漏洩パス(図中の破線b)を経由して飛び込み高域チャネル用のローノイズアンプ400に供給される。高域チャネル用のローノイズアンプ400には利得抑制部が設けられていないが、57ギガヘルツ帯の高周波信号は希望波である80ギガヘルツ帯よりも電力が小さいし、図12(C)に示すように、57ギガヘルツ近傍のゲインは十分に減衰されている。このため、第2通信装置100においては、利得抑制部を使用しなくても、図示しない後段の80ギガヘルツ帯用の復調機能部8400では57ギガヘルツ帯は復調されず、57ギガヘルツ帯の送信処理部TXから80ギガヘルツ帯の受信処理部RXに漏洩された高周波信号による干渉を防止することができる。
 〔変形例〕
 図15は、実施例2に対する変形例を説明する図であって、片方向多重通信に対応した構成における相互干渉対策の具体的な対処手法を説明する図である。ここで、図15は、送信用の増幅部から高周波信号導波路308を経由しての受信用の増幅部(ローノイズアンプ400)までの信号伝送機能に着目した簡略した機能ブロック図である。前述の実施例2は、2チャネルでの片方向通信において、「ゲイン特性の非対称性を(有効に)利用」して、希望波に対して低域側と高域側の何れか一方の妨害チャネルのみに関して利得抑制部を使用する手法を適用することについて説明したが、この変形例は、チャネル数を3以上に一般展開したものである。この変形例では、何れかの2チャネルの組合せの内で隣接チャネルの関係にあって且つ片方向多重通信が適用されるものについて実施例2を適用する。
 図示のように、信号伝送装置1B_2は、第2通信装置200側において、FX(Xは1~n-1、FX<FX+1)ギガヘルツ帯用のローノイズアンプ400にFX+1ギガヘルツ帯に減衰周波数が設定されているトラップ回路TP_X+1を有する。第2通信装置200側においては、FX+1ギガヘルツ帯の高周波信号が漏洩パス(図中の破線α)を経由してFXギガヘルツ帯用の受信アンテナRXANTに飛び込みローノイズアンプ400に供給される。FXギガヘルツ帯用のローノイズアンプ400にはFX+1ギガヘルツ帯に減衰周波数が設定されているトラップ回路TP_X+1が設けられているので、FX+1ギガヘルツ帯の高周波信号はトラップ回路TP_X+1の機能により十分に減衰される。このため、第2通信装置200においては、図示しない後段のFXギガヘルツ帯用の復調機能部8400ではFX+1ギガヘルツ帯は復調されず、FX+1ギガヘルツ帯の送信処理部TXからFXギガヘルツ帯の受信処理部RXに漏洩された高周波信号による干渉を防止することができる。詳細説明は割愛するが、これ以外の漏洩パス(図中の破線αを除く破線)については、利得抑制部を使用しなくても、復調機能部8400では妨害波は復調されず、漏洩成分による干渉を防止することができる。
 実施例3は、全二重双方向通信と片方向二重通信とを併用した構成における相互干渉の対策への適用事例である。ここでは、最も基本となる3チャネルの場合で説明する。後述の実施例4との相違は、片方向二重通信においては、送信側同士及び受信側同士では相互干渉対策(つまり実施例2の手法)は不要であるとの前提に立った構成である。つまり、何れかの2チャネルの組合せの内で隣接チャネルの関係にあって且つ全二重双方向通信が適用されるものについて実施例1を適用する。片方向二重通信系の漏洩パスについては無視する。
 以下においては、3チャネルの関係において、「Low」は低域チャネル(57ギガヘルツ帯)を示し、「Mid」は中域チャネル(80ギガヘルツ帯)を示し、「High」は高域チャネル(103ギガヘルツ帯)を示す。希望チャネルを低域チャネルとしたとき、上側隣接チャネルは中域チャネルである。希望チャネルを中域チャネルとしたとき、下側隣接チャネルは低域チャネルであり、上側隣接チャネルは高域チャネルである。希望チャネルを高域チャネルとしたとき、下側隣接チャネルは中域チャネルである。
 図16~図17は、全二重双方向通信と片方向二重通信とを併用した実施例3における相互干渉対策の具体的な対処手法を説明する図である。ここで、図16は実施例3で使用されるローノイズアンプ400のゲイン特性の一例を示す図である。具体的には、図16(A)は、低域チャネル(57ギガヘルツ帯)用のローノイズアンプ400のゲイン特性の一例を示し(図7(B)と同じ)、図16(B)は、中域チャネル(80ギガヘルツ帯)用のローノイズアンプ400のゲイン特性の一例を示し、図16(C)は、高域チャネル(103ギガヘルツ帯)用のローノイズアンプ400のゲイン特性の一例を示す。
 図17は、実施例3の送受信系統を説明する図であって、送信用の増幅部から高周波信号導波路308を経由しての受信用の増幅部(ローノイズアンプ400)までの信号伝送機能に着目した簡略した機能ブロック図であり、送信処理部と受信処理部の周波数帯の組合せとしてとり得る3通りの構成を示している。送受信処理部(増幅部4とローノイズアンプ400の組合せで成る回路及びその周辺回路)は1チップ構成であるのが好適である。
 実施例3の信号伝送装置1Cでは、何れかの2チャネルの組合せの内で隣接チャネルの関係にあるものについて実施例1を適用する。具体的には、第1通信装置100自身或いは第2通信装置200自身において、ある周波数帯の受信処理部RXに着目したときに、上側隣接チャネルが送信処理部TXである組合せについてローノイズアンプ400に利得抑制部(トラップ回路)を設け、これ以外の組合せについては利得抑制部(トラップ回路)を設けない。以下、3通りの構成について具体的に説明する。
 [第1例]
 図17(A)に示す第1例の信号伝送装置1C_1では、第1通信装置100には、高域チャネル(103ギガヘルツ帯)用の送信処理部TX、中域チャネル(80ギガヘルツ帯)用の受信処理部RX、及び、低域チャネル(57ギガヘルツ帯)用の送信処理部TXが設けられている。第2通信装置200には、高域チャネル用の受信処理部RX、中域チャネル用の送信処理部TX、及び、低域チャネル用の受信処理部RXが設けられている。このような構成では、高域チャネと中域チャネルとにより或いは低域チャネルと中域チャネルとにより全二重双方向通信が適用可能であり、高域チャネルと低域チャネルとにより片方向二重通信が適用可能である。
 第1通信装置100自身において、中域チャネル用の受信処理部RXに着目したとき、上側隣接チャネルである高域チャネルが送信処理部TXである組合せとなるので、中域チャネル用のローノイズアンプ400に高域チャネルの利得を抑制する利得抑制部(トラップ回路)を設ける。又、第2通信装置200自身において、低域チャネル用の受信処理部RXに着目したとき、上側隣接チャネルである中域チャネルが送信処理部TXである組合せとなるので、低域チャネル用のローノイズアンプ400に中域チャネルの利得を抑制する利得抑制部(トラップ回路)を設ける。これら以外の組合せについては利得抑制部(トラップ回路)を設けない。
 即ち、第1通信装置100においては、中域チャネル用のローノイズアンプ400に「トラップ回路TP_H」が設けられており、高域チャネルの103ギガヘルツ帯に減衰周波数を合わせている(図16(B)に示す実線のゲイン特性を参照)。低域チャネル用のローノイズアンプ400には利得抑制部(トラップ回路)は設けられていないし(図16(A)に示す破線のゲイン特性を参照)、高域チャネル用のローノイズアンプ400にも利得抑制部(トラップ回路)は設けられていない(図16(C)に示すゲイン特性を参照)。第2通信装置200においては、低域チャネル用のローノイズアンプ400に「トラップ回路TP_M」が設けられており、中域チャネルの80ギガヘルツ帯に減衰周波数を合わせている(図16(A)に示す実線のゲイン特性を参照)。中域チャネル用のローノイズアンプ400には利得抑制部(トラップ回路)は設けられていないし(図16(B)に示す破線のゲイン特性を参照)、高域チャネル用のローノイズアンプ400にも利得抑制部(トラップ回路)は設けられていない(図16(C)に示すゲイン特性を参照)。
 第1通信装置100においては、103ギガヘルツ帯(High)の高周波信号は送信アンテナTXANTにより高周波信号導波路308に結合され第2通信装置200側へ伝送されるが、このとき、漏洩パス(図中の破線a)を経由して自身の受信アンテナRXANTに飛び込み中域チャネル用のローノイズアンプ400に供給される。低域チャネル用のローノイズアンプ400には103ギガヘルツ帯に減衰周波数が設定されているトラップ回路TP_Hが設けられているので、図16(B)に示すように、103ギガヘルツ帯の高周波信号はトラップ回路TP_Hの機能により十分に減衰される。このため、第1通信装置100においては、図示しない後段の80ギガヘルツ帯用の復調機能部8400では103ギガヘルツ帯は復調されず、103ギガヘルツ帯の送信処理部TXから80ギガヘルツ帯の受信処理部RXに漏洩された高周波信号による干渉を防止することができる。又、57ギガヘルツ帯(Low)の高周波信号は送信アンテナTXANTにより高周波信号導波路308に結合され第2通信装置200側へ伝送されるが、このとき、漏洩パス(図中の破線b)を経由して自身の受信アンテナRXANTに飛び込み中域チャネル用のローノイズアンプ400に供給される。中域チャネル用のローノイズアンプ400には57ギガヘルツ帯の利得を抑制する利得抑制部が設けられていないが、図16(B)に示すように、57ギガヘルツ近傍のゲインは十分に減衰されている。このため、第2通信装置100においては、利得抑制部を使用しなくても、図示しない後段の80ギガヘルツ帯用の復調機能部8400では57ギガヘルツ帯は復調されず、57ギガヘルツ帯の送信処理部TXから80ギガヘルツ帯の受信処理部RXに漏洩された高周波信号による干渉を防止することができる。
 一方、第2通信装置200においては、80ギガヘルツ帯(Mid)の高周波信号は送信アンテナTXANTにより高周波信号導波路308に結合され第1通信装置100側へ伝送されるが、このとき、漏洩パス(図中の破線c)を経由して自身の受信アンテナRXANTに飛び込み低域チャネル用のローノイズアンプ400に供給される。低域チャネル用のローノイズアンプ400には80ギガヘルツ帯に減衰周波数が設定されているトラップ回路TP_Mが設けられているので、図16(A)に示すように、80ギガヘルツ帯の高周波信号はトラップ回路TP_Mの機能により十分に減衰される。このため、第2通信装置200においては、図示しない後段の57ギガヘルツ帯用の復調機能部8400では80ギガヘルツ帯は復調されず、80ギガヘルツ帯の送信処理部TXから57ギガヘルツ帯の受信処理部RXに漏洩された高周波信号による干渉を防止することができる。又、103ギガヘルツ帯(Low)の高周波信号は送信アンテナTXANTにより高周波信号導波路308に結合され第1通信装置100側へ伝送されるが、このとき、漏洩パス(図中の破線d)を経由して自身の受信アンテナRXANTに飛び込み高域チャネル用のローノイズアンプ400に供給される。高域チャネル用のローノイズアンプ400には80ギガヘルツ帯の利得を抑制する利得抑制部が設けられていないが、図16(C)に示すように、80ギガヘルツ近傍のゲインは十分に減衰されている。このため、第2通信装置100においては、利得抑制部を使用しなくても、図示しない後段の103ギガヘルツ帯用の復調機能部8400では80ギガヘルツ帯は復調されず、80ギガヘルツ帯の送信処理部TXから103ギガヘルツ帯の受信処理部RXに漏洩された高周波信号による干渉を防止することができる。
 [第2例]
 図17(B)に示す第2例の信号伝送装置1C_2では、第1通信装置100には、高域チャネル(103ギガヘルツ帯)用の受信処理部RX、中域チャネル(80ギガヘルツ帯)用の送信処理部TX、及び、低域チャネル(57ギガヘルツ帯)用の送信処理部TXが設けられている。第2通信装置200には、高域チャネル用の送信処理部TX、中域チャネル用の受信処理部RX、及び、低域チャネル用の受信処理部RXが設けられている。このような構成では、高域チャネルと中域チャネルとにより或いは高域チャネルと低域チャネルとにより全二重双方向通信が適用可能であり、中域チャネルと低域チャネルとにより片方向二重通信が適用可能である。
 第2通信装置200自身において、中域チャネル用の受信処理部RXに着目したときに、上側隣接チャネルである高域チャネルが送信処理部TXである組合せとなるので、中域チャネル用のローノイズアンプ400に高域チャネルの利得を抑制する利得抑制部(トラップ回路)を設ける。これら以外の組合せについては利得抑制部(トラップ回路)を設けない。第2例は、第1例との対比では、第1通信装置100には利得抑制部を設ける必要がない点に特徴がある。
 第2通信装置200においては、103ギガヘルツ帯(High)の高周波信号は送信アンテナTXANTにより高周波信号導波路308に結合され第1通信装置100側へ伝送されるが、このとき、漏洩パス(図中の破線a)を経由して自身の受信アンテナRXANTに飛び込み中域チャネル用のローノイズアンプ400に供給される。中域チャネル用のローノイズアンプ400には103ギガヘルツ帯に減衰周波数が設定されているトラップ回路TP_Hが設けられているので、図16(B)に示すように、103ギガヘルツ帯の高周波信号はトラップ回路TP_Hの機能により十分に減衰される。このため、第2通信装置200においては、図示しない後段の80ギガヘルツ帯用の復調機能部8400では103ギガヘルツ帯は復調されず、103ギガヘルツ帯の送信処理部TXから80ギガヘルツ帯の受信処理部RXに漏洩された高周波信号による干渉を防止することができる。詳細説明は割愛するが、これ以外の漏洩パス(図中の破線b,c,d)については、利得抑制部を使用しなくても、復調機能部8400では妨害波は復調されず、漏洩成分による干渉を防止することができる。
 [第3例]
 図17(C)に示す第3例の信号伝送装置1C_3では、第1通信装置100には、高域チャネル(103ギガヘルツ帯)用の送信処理部TX、中域チャネル(80ギガヘルツ帯)用の送信処理部TX、及び、低域チャネル(57ギガヘルツ帯)用の受信処理部RXが設けられている。第2通信装置200には、高域チャネル用の受信処理部RX、中域チャネル用の受信処理部RX、及び、低域チャネル用の送信処理部TXが設けられている。このような構成では、高域チャネルと低域チャネルとにより或いは中域チャネルと低域チャネルとにより全二重双方向通信が適用可能であり、高域チャネルと中域チャネルとにより片方向二重通信が適用可能である。
 第1通信装置100自身において、低域チャネル用の受信処理部RXに着目したときに、上側隣接チャネルである中域チャネルが送信処理部TXである組合せとなるので、低域チャネル用のローノイズアンプ400に中域チャネルの利得を抑制する利得抑制部(トラップ回路)を設ける。これら以外の組合せについては利得抑制部(トラップ回路)を設けない。第3例は、第1例との対比では、第2通信装置200には利得抑制部を設ける必要がない点に特徴がある。
 第1通信装置100においては、80ギガヘルツ帯(Mid)の高周波信号は送信アンテナTXANTにより高周波信号導波路308に結合され第2通信装置200側へ伝送されるが、このとき、漏洩パス(図中の破線a)を経由して自身の受信アンテナRXANTに飛び込み低域チャネル用のローノイズアンプ400に供給される。低域チャネル用のローノイズアンプ400には80ギガヘルツ帯に減衰周波数が設定されているトラップ回路TP_Mが設けられているので、図16(A)に示すように、80ギガヘルツ帯の高周波信号はトラップ回路TP_Mの機能により十分に減衰される。このため、第1通信装置100においては、図示しない後段の57ギガヘルツ帯用の復調機能部8400では80ギガヘルツ帯は復調されず、80ギガヘルツ帯の送信処理部TXから57ギガヘルツ帯の受信処理部RXに漏洩された高周波信号による干渉を防止することができる。詳細説明は割愛するが、これ以外の漏洩パス(図中の破線b,c,d)については、利得抑制部を使用しなくても、復調機能部8400では妨害波は復調されず、漏洩成分による干渉を防止することができる。
 〔変形例〕
 図18は、実施例3に対する変形例を説明する図である。この変形例は、3チャネルの場合で説明した実施例3の手法を、4チャネル以上の場合に適用するものである。実施例3では、全二重双方向通信と片方向二重通信とを併用する場合に最も基本となる3チャネルの場合で説明したが、4チャネル以上の場合でも同様に考えればよい。何れかの2チャネルの組合せの内で隣接チャネルの関係にあるものについて実施例3を適用する。一例として、第1チャネル(F1ギガヘルツ帯)、第2チャネル(F2ギガヘルツ帯)、第3チャネル(F3ギガヘルツ帯)、第4チャネル(F4ギガヘルツ帯)、第5チャネル(F5ギガヘルツ帯)、第6チャネル(F6ギガヘルツ帯)、及び、第7チャネル(F7ギガヘルツ帯)の計7つのチャネル(搬送周波数FY(Yは1~7、FY<FY+1))の場合の幾つかの例について説明する。
 図は、各チャネルの搬送周波数の配置と、第1通信装置100及び第2通信装置200に設けられる各チャネル用の送信処理部TX及び受信処理部RXを簡略的に表している。図中において、周波数軸上のあるチャネルでの上向きの太い矢印はそのチャネルの送信処理部TXであることを示し、下向きの太い矢印はそのチャネルの受信処理部RXであることを示す。第1通信装置100と第2通信装置200との間の実線は通常パスを示し、第1通信装置100内や第2通信装置200内の破線は漏洩パスを示す。
 図18(A)に示す第1例では、第1通信装置100には、F1ギガヘルツ帯用の送信処理部TX、F2ギガヘルツ帯用の受信処理部RX、F3ギガヘルツ帯用の送信処理部TX、F4ギガヘルツ帯用の受信処理部RX、F5ギガヘルツ帯用の送信処理部TX、F6ギガヘルツ帯用の送信処理部TX、F7ギガヘルツ帯用の受信処理部RXが設けられている。第2通信装置200には、F1ギガヘルツ帯用の受信処理部RX、F2ギガヘルツ帯用の送信処理部TX、F3ギガヘルツ帯用の受信処理部RX、F4ギガヘルツ帯用の送信処理部TX、F5ギガヘルツ帯用の受信処理部RX、F6ギガヘルツ帯用の受信処理部RX、F7ギガヘルツ帯用の送信処理部TXが設けられている。
 隣接した第1チャネルと第2チャネルの組合せ、隣接した第2チャネルと第3チャネルとの組合せ、隣接した第3チャネルと第4チャネルとの組合せ、隣接した第4チャネルと第5チャネルとの組合せ、隣接した第6チャネルと第7チャネルとの組合せ、のそれぞれにおいて全二重双方向通信が適用されると見なすことができる。
 この場合において、実施例3の手法を適用して、上側隣接チャネルが送信処理部TXである組合せについて、Yチャネル用のローノイズアンプ400にはY+1チャネルの利得を抑制する(Y+1チャネル帯に減衰周波数が設定されている)トラップ回路TP_Y+1を設ける。例えば、第1通信装置100には、第2チャネル用のローノイズアンプ400に第3チャネルに対しての利得を抑制するトラップ回路TP_3を設け、第4チャネル用のローノイズアンプ400に第5チャネルに対しての利得を抑制するトラップ回路TP_5を設ける。第2通信装置200には、第1チャネル用のローノイズアンプ400に第2チャネルに対しての利得を抑制するトラップ回路TP_2を設け、第3チャネル用のローノイズアンプ400に第4チャネルに対しての利得を抑制するトラップ回路TP_4を設け、第6チャネル用のローノイズアンプ400に第7チャネルに対しての利得を抑制するトラップ回路TP_7を設ける。
 図18(B)に示す第2例では、第1通信装置100には、F1ギガヘルツ帯用の送信処理部TX、F2ギガヘルツ帯用の受信処理部RX、F3ギガヘルツ帯用の受信処理部RX、F4ギガヘルツ帯用の送信処理部TX、F5ギガヘルツ帯用の送信処理部TX、F6ギガヘルツ帯用の受信処理部RX、F7ギガヘルツ帯用の送信処理部TXが設けられている。第2通信装置200には、F1ギガヘルツ帯用の受信処理部RX、F2ギガヘルツ帯用の送信処理部TX、F3ギガヘルツ帯用の送信処理部TX、F4ギガヘルツ帯用の受信処理部RX、F5ギガヘルツ帯用の受信処理部RX、F6ギガヘルツ帯用の送信処理部TX、F7ギガヘルツ帯用の受信処理部RXが設けられている。
 隣接した第1チャネルと第2チャネルの組合せ、隣接した第3チャネルと第4チャネルとの組合せ、隣接した第5チャネルと第6チャネルとの組合せ、隣接した第6チャネルと第7チャネルとの組合せ、のそれぞれにおいて全二重双方向通信が適用されると見なすことができる。第1通信装置100には、第3チャネル用のローノイズアンプ400に第4チャネルに対しての利得を抑制するトラップ回路TP_4を設け、第6チャネル用のローノイズアンプ400に第7チャネルに対しての利得を抑制するトラップ回路TP_7を設ける。第2通信装置200には、第1チャネル用のローノイズアンプ400に第2チャネルに対しての利得を抑制するトラップ回路TP_2を設け、第5チャネル用のローノイズアンプ400に第6チャネルに対しての利得を抑制するトラップ回路TP_6を設ける。
 このように、4チャネル以上の場合でも、第1通信装置100と第2通信装置200との間で全二重双方向通信を行なう隣接チャネルの組合せについて、Yチャネル用のローノイズアンプ400にはY+1チャネル帯に減衰周波数が設定されているトラップ回路TP_Y+1を設けることにより、Y+1チャネル帯の送信処理部TXから漏洩パスを経由してYチャネルの受信処理部RXに漏洩された高周波信号による干渉を防止することができる。
 実施例4は、全二重双方向通信と片方向二重通信とを併用した構成における相互干渉の対策への適用事例である。前述の実施例3との相違は、片方向二重通信においては、送信側同士では相互干渉対策(つまり実施例2の手法)は不要であるが受信側同士では相互干渉対策(つまり実施例2の手法)が必要であるとの前提に立った構成である。つまり、実施例3に加えて、何れかの2チャネルの組合せの内で隣接チャネルの関係にあって且つ片方向二重通信が適用されるものについて実施例2を適用する。実施例3とは異なり、片方向二重通信系の漏洩パスについても考慮する。
 図19は、全二重双方向通信と片方向二重通信とを併用した実施例4の送受信系統を説明する図であって、送信用の増幅部から高周波信号導波路308を経由しての受信用の増幅部(ローノイズアンプ400)までの信号伝送機能に着目した簡略した機能ブロック図である。ここでは、送信処理部と受信処理部の周波数帯の組合せとしてとり得る3通りの構成を示している。尚、送受信処理部(増幅部4とローノイズアンプ400の組合せで成る回路及びその周辺回路)は1チップ構成であるのが好適である。
 実施例4の信号伝送装置1Dでは、第1通信装置100と第2通信装置200との間の片方向二重通信において、ある周波数帯の受信処理部RXに着目したときに、上側隣接チャネルが送信処理部TXである組合せについてローノイズアンプ400に利得抑制部(トラップ回路)を設け、これ以外の組合せについては利得抑制部(トラップ回路)を設けない。以下、実施例3との相違点に着目して、3通りの構成について具体的に説明する。
 [第1例]
 図19(A)に示す第1例の信号伝送装置1D_1は、実施例3の第1例の構成に対する変形例であり、高域チャネルと低域チャネルとにより片方向二重通信が適用可能であり、漏洩パス(図中の破線e及び破線f)が形成される。しかしながら、両チャネルは隣接チャネルの関係にないので、実施例2の適用の余地(必要性)はない。
 [第2例]
 図19(B)に示す第2例の信号伝送装置1D_2は、実施例3の第2例の構成に対する変形例であり、中域チャネルと低域チャネルとにより片方向二重通信が適用可能であり、漏洩パス(図中の破線e及び破線f)が形成される。両チャネルは隣接チャネルの関係にあるので、実施例2の適用の余地がある。具体的には、第2通信装置200側において、低域チャネル用のローノイズアンプ400に80ギガヘルツ帯に減衰周波数が設定されているトラップ回路TP_Mを設ける、つまり、実施例3の第2例に対して更にトラップ回路TP_Mを追加する。
 第2通信装置200側においては、57ギガヘルツ帯(Low)よりも電力の大きな80ギガヘルツ帯(Mid)の高周波信号が漏洩パス(図中の破線e)を経由して受信アンテナRXANTに飛び込み低域チャネル用のローノイズアンプ400に供給される。低域チャネル用のローノイズアンプ400には80ギガヘルツ帯に減衰周波数が設定されているトラップ回路TP_Mが設けられているので、図16(A)に示すように、80ギガヘルツ帯の高周波信号はトラップ回路TP_Mの機能により十分に減衰される。このため、第2通信装置200においては、図示しない後段の57ギガヘルツ帯用の復調機能部8400では80ギガヘルツ帯は復調されず、80ギガヘルツ帯の送信処理部TXから漏洩パスeを経由して57ギガヘルツ帯の受信処理部RXに漏洩された高周波信号による干渉を防止することができる。
 [第3例]
 図19(C)に示す第3例の信号伝送装置1D_3は、実施例3の第3例の構成に対する変形例であり、高域チャネルと中域チャネルとにより片方向二重通信が適用可能であり、漏洩パス(図中の破線e及び破線f)が形成される。両チャネルは隣接チャネルの関係にあるので、実施例2の適用の余地がある。具体的には、第2通信装置200側において、中域チャネル用のローノイズアンプ400に103ギガヘルツ帯に減衰周波数が設定されているトラップ回路TP_Hを設ける、つまり、実施例3の第3例に対して更にトラップ回路TP_Hを追加する。
 第2通信装置200側においては、80ギガヘルツ帯(Low)よりも電力の大きな103ギガヘルツ帯(High)の高周波信号が漏洩パス(図中の破線e)を経由して受信アンテナRXANTに飛び込み中域チャネル用のローノイズアンプ400に供給される。高域チャネル用のローノイズアンプ400には103ギガヘルツ帯に減衰周波数が設定されているトラップ回路TP_Hが設けられているので、図16(B)に示すように、103ギガヘルツ帯の高周波信号はトラップ回路TP_Hの機能により十分に減衰される。このため、第2通信装置200においては、図示しない後段の80ギガヘルツ帯用の復調機能部8400では103ギガヘルツ帯は復調されず、103ギガヘルツ帯の送信処理部TXから漏洩パスeを経由して80ギガヘルツ帯の受信処理部RXに漏洩された高周波信号による干渉を防止することができる。
 〔変形例〕
 図20は、実施例4に対する変形例を説明する図である。この変形例は、3チャネルの場合で説明した実施例4の手法を、4チャネル以上の場合に適用するものである。実施例4では、最も基本となる3チャネルの場合で説明したが、4チャネル以上の場合でも同様に考えればよい。一例として、図18に示した実施例3の変形例をベースに説明する。
 実施例4の手法を適用して、上側隣接チャネルが送信処理部TXである片方向二重通信が適用されるチャネルの組合せ(図中に楕円で括った組合せのもの)について、Yチャネル用のローノイズアンプ400にはY+1チャネルに対しての利得を抑制する(Y+1チャネル帯に減衰周波数が設定されている)トラップ回路TP_Y+1を設ける。
 例えば、図20(A)に示す第1例では、実施例3の変形例(第1例)で説明した隣接チャネルの組合せにおける全二重双方向通信に加えて、隣接した第5チャネルと第6チャネルとの組合せにおいて片方向二重通信が適用されると見なすことができる。そこで、第1通信装置100には、第5チャネル用のローノイズアンプ400に第6チャネルに対しての利得を抑制するトラップ回路TP_6を設ける。
 図20(B)に示す第2例では、実施例3の変形例(第2例)で説明した隣接チャネルの組合せにおける全二重双方向通信に加えて、隣接した第2チャネルと第3チャネルとの組合せ、及び、隣接した第4チャネルと第5チャネルとの組合せ、のそれぞれにおいて片方向二重通信が適用されると見なすことができる。そこで、第1通信装置100には、第2チャネル用のローノイズアンプ400に第3チャネルに対しての利得を抑制するトラップ回路TP_3を設け、第2通信装置200には、第4チャネル用のローノイズアンプ400に第5チャネルに対しての利得を抑制するトラップ回路TP_5を設ける。
 このように、4チャネル以上の場合でも、第1通信装置100と第2通信装置200との間で片方向二重通信を行なう隣接チャネルの組合せについて、Yチャネル用のローノイズアンプ400にはY+1チャネル帯に減衰周波数が設定されているトラップ回路TP_Y+1を設けることにより、Y+1チャネル帯の送信処理部TXから漏洩パスを経由してYチャネルの受信処理部RXに漏洩された高周波信号による干渉を防止することができる。
 [相互干渉の対策手法:第2例]
 次に、第2例の相互干渉対策手法及びその具体的な適用例について説明する。第2例の相互干渉対策手法は、第1例の相互干渉対策手法と同様に、増幅回路の裸の利得周波数特性の非対称性を利用して、「増幅部のゲイン特性の非対称性による減衰性の不足分を補う」という点に特徴がある。但し、その実現のため、増幅部外(但し、復調処理以前である)に自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を配置する方法を採用する点が異なる。信号抑制部としては、例えばトラップ回路を採用する。
 図21及び図22は、実施例5の送受信系統を説明する図である。ここで、図21は、第1例~第3例を示し、図22は、第4例~第6例を示す。何れも、実施例4に対しての変形例で示すが、実施例1~実施例3に対しても、同様に適用できる。
 図21(A)~図21(C)に示す第1例~第3例はそれぞれ、実施例4の第1例~第3例に対しての変形例であり、信号抑制部(トラップ回路601やトラップ回路602)を、ローノイズアンプ400内に設けるのではなく、ローノイズアンプ400の前段に設けた形態である。一方、図22(A)~図22(C)に示す第1例~第3例はそれぞれ、実施例4の第1例~第3例に対しての変形例であり、信号抑制部(トラップ回路601やトラップ回路602)を、ローノイズアンプ400内に設けるのではなく、ローノイズアンプ400の後段(復調機能部8400の前段)に設けた形態である。
 このような第2例の相互干渉対策手法を適用した形態であっても、信号抑制部(トラップ回路601やトラップ回路602)の機能により妨害チャネルの信号レベルが減衰されるため、ローノイズアンプ400の後段に設けられる図示しない復調機能部8400では、妨害チャネル成分は復調されず、相互干渉を防止することができる。増幅回路の裸の利得周波数特性の非対称性を利用するので、信号抑制部は、利得周波数特性の非対称性による減衰性の不足分を補う程度の減衰特性を持つものであればよい。対象のチャネル位置で小さな減衰度となる減衰特性を持つものでよく、例えばトラップ回路であれば、トラップ量は少なくてもよく、簡易な構成で実現できる。
 [相互干渉の対策手法:第3例]
 次に、第3例の相互干渉対策手法及びその具体的な適用例について説明する。第3例の相互干渉対策手法は、第1例や第2例の相互干渉対策手法とは異なり、増幅回路の裸の利得周波数特性の非対称性を利用しない点に特徴がある。換言すると、増幅回路の裸の利得周波数特性が対称であるのか非対称であるのかを問わず適用可能な形態である。例えば、増幅回路が、周波数(波長)選択性を持たない広帯域の増幅回路である場合でも適用できる形態である。この場合においても、全てのチャネルの受信処理部に利得抑制部を設けるのではなく、受信処理部の何れかに、自チャネル以外の他チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を設ける。これにより、少なくとも利得抑制部を設けたチャネルからの妨害を防止することができる。
 図23及び図24は、実施例6の送受信系統を説明する図である。ここで、図23は、第1例~第3例を示し、図24は、第4例~第6例を示す。図23は、実施例4に対しての変形例で示し、図24は、実施例5に対しての変形例で示すが、その他の実施例に対しても、同様に適用できる。
 図23(A)~図23(C)に示す第1例~第3例はそれぞれ、利得抑制部(トラップ回路601やトラップ回路602)をローノイズアンプ400内に設けている実施例4の第1例~第3例に対しての変形例であり、図24(A)~図24(C)に示す第4例~第6例はそれぞれ、利得抑制部(トラップ回路601やトラップ回路602)をローノイズアンプ400の前段に設けている実施例5の第1例~第3例に対しての変形例である。
 何れも、ローノイズアンプ400は、裸の利得周波数特性は明確な非対称性を持たず、例えば、周波数選択性を持たず、全チャネル帯域分に亘って利得がほぼ平坦なフラットアンプ(多少のうねりは許容する)であるとする。ローノイズアンプ400の裸の利得周波数特性の非対称性を利用するものではないので、利得抑制部(トラップ回路601やトラップ回路602)は、大きな減衰特性を持つものが必要となる。
 このような第3例の相互干渉対策手法を適用した形態であっても、少なくとも利得抑制部を設けた系統に関しては、利得抑制部(トラップ回路601やトラップ回路602)の機能により妨害チャネルの信号レベルが減衰されるため、ローノイズアンプ400の後段に設けられる図示しない復調機能部8400では、妨害チャネル成分は復調されず、干渉を防止することができる。増幅回路の裸の利得周波数特性の非対称性を利用するものではないので、実施例4や実施例5等と比べると、利得抑制部は、対象のチャネル位置で大きな減衰度となる減衰特性を持つものが必要であり、例えばトラップ回路であれば、トラップ量の多いものを使用する。
 図25~図26は、実施例7を説明する図である。ここで、図25は、実施例7で使用するローノイズアンプ400の周波数特性例を示す図である。図26は、実施例7の送受信系統を説明する図である。
 前述の各実施例では、典型的な例として、両隣りの関係にある隣接チャネルからの妨害(相互干渉)をトラップ回路等を利用した利得抑制部により抑制することについて具体的に説明したが、本明細書で開示する技術は、これには限らない。本明細書で開示する技術は、隣接チャネルに限らず、より離れたチャネルを含む自チャネル以外の他チャネルから妨害波としての影響がある場合に、自チャネル以外の他チャネル(妨害チャネル)の影響をトラップ回路等を利用した利得抑制部により抑制するものであればよい。例えば、隣接チャネルのもう1つ隣りのチャネルからの影響も防止することができる。
 例えば、図25には、実施例7で使用するローノイズアンプ400の周波数特性例が示されている。一例として、高域側に利得抑制部を適用する図4(C)及び図5(B)に対する変形例で示すが、低域側に利得抑制部を適用する図4(B)及び図5(A)に対しても同様の思想を適用できる。図25(A)に示すように、ローノイズアンプ400の裸の周波数特性は、希望チャネル信号(搬送周波数FC)つまり自チャネルに周波数選択性を持っており、且つ、下側隣接チャネル信号(搬送周波数FD)及び上側隣接チャネル信号(搬送周波数FU1)の何れについても十分に減衰している。但し、上側隣接チャネル(搬送周波数FU1)よりも更に高域側の周波数では跳ね上がり現象が存在し、もう1つ上側のチャネル信号(搬送周波数FU2)に対しての利得減衰度が不足した特性を持っている。つまり、自チャネルに対して2チャネル分上側(隣接チャネルのもう1つ高域側のチャネル)であるチャネル(搬送周波数FU2)では、利得減衰度が不足している。
 このような場合、図25(B)に示すように、このチャネル信号(搬送周波数FU2)に減衰周波数(トラップ位置)を合わせた利得抑制部を適用することにより、このチャネル信号成分(搬送周波数FU2)を減衰させることができる。チャネル信号成分(搬送周波数FU2)を受信限界レベル以下にすることができ、そのチャネル信号成分(搬送周波数FU2)が復調されることはなく、相互干渉を防止できる。
 図26には、この手法を適用した実施例7の送受信系統が示されている。図は、図17(C)に示した実施例3の第3例に対する変形例で示している。第1通信装置100自身において、低域チャネル用の受信処理部RXに着目したときに、2チャネル分上側(隣接チャネルのもう1つ高域側のチャネル)である高域チャネルが送信処理部TXである組合せとなるので、低域チャネル用のローノイズアンプ400に高域チャネルの利得を抑制する利得抑制部(トラップ回路)を設ける。これら以外の組合せについては利得抑制部(トラップ回路)を設けない。因みに、図17(A)に示した実施例3の第1例や図17(B)に示した実施例3の第2例に対しては適用の余地(必要性)がない。
 第1通信装置100においては、103ギガヘルツ帯(High)の高周波信号は送信アンテナTXANTにより高周波信号導波路308に結合され第2通信装置200側へ伝送されるが、このとき、漏洩パス(図中の破線b)を経由して自身の受信アンテナRXANTに飛び込み低域チャネル用のローノイズアンプ400に供給される。低域チャネル用のローノイズアンプ400には103ギガヘルツ帯に減衰周波数が設定されているトラップ回路TP_Hが設けられているので、図25(B)に示すように、103ギガヘルツ帯の高周波信号はトラップ回路TP_Hの機能により十分に減衰される。このため、第1通信装置100においては、図示しない後段の57ギガヘルツ帯用の復調機能部8400では103ギガヘルツ帯は復調されず、103ギガヘルツ帯の送信処理部TXから57ギガヘルツ帯の受信処理部RXに漏洩された高周波信号による干渉を防止することができる。詳細説明は割愛するが、これ以外の漏洩パス(図中の破線a,c,d)については、利得抑制部を使用しなくても、復調機能部8400では妨害波は復調されず、漏洩成分による干渉を防止することができる。
 以上、本明細書で開示する技術について実施形態を用いて説明したが、請求項の記載内容の技術的範囲は前記実施形態に記載の範囲には限定されない。本明細書で開示する技術の要旨を逸脱しない範囲で前記実施形態に多様な変更または改良を加えることができ、そのような変更または改良を加えた形態も本明細書で開示する技術の技術的範囲に含まれる。前記の実施形態は、請求項に係る技術を限定するものではなく、実施形態の中で説明されている特徴の組合せの全てが、本明細書で開示する技術が対象とする課題の解決手段に必須であるとは限らない。前述した実施形態には種々の段階の技術が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜の組合せにより種々の技術を抽出できる。実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、本明細書で開示する技術が対象とする課題と対応した効果が得られる限りにおいて、この幾つかの構成要件が削除された構成も、本明細書で開示する技術として抽出され得る。
 前記実施形態の記載を踏まえれば、請求の範囲に記載の請求項に係る技術は一例であり、例えば、以下の技術が抽出される。以下列記する。
[付記A1]
 周波数帯を分けてマルチチャネル伝送を行なうことを可能に、受信処理部をチャネルごとに備え、
 チャネルの総数は3以上であり、
 何れか2つのチャネルの組合せの内で、全二重双方向通信が適用されるものについて、
 受信処理部の何れかは、自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を有する信号伝送装置。
[付記A2]
 受信処理部は、自チャネルに対しての周波数選択性を持ち、且つ、受信した信号を増幅する増幅部を有し、
 信号抑制部は、増幅部に設けられた利得抑制部から成り、
 何れか2つのチャネルの組合せの内で、全二重双方向通信が適用されるものについて、
 利得抑制部は、自チャネル以外の他チャネルであって、利得周波数特性の減衰度合いが
不足する方のチャネルに対しての利得を抑制する付記A1に記載の信号伝送装置。
[付記A3]
 2つのチャネルの組合せは、相互に隣接チャネルの関係にあり、
 利得抑制部は、下側隣接チャネルと上側隣接チャネルの何れか一方であって、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方のチャネルに対しての利得を抑制する付記A2に記載の信号伝送装置。
[付記A4]
 利得抑制部を有さない場合の増幅部の利得周波数特性は、自チャネルを中心に高域側の方が低域側よりも利得減衰性が劣っており、
 下側隣接チャネル用の増幅部に設けられる利得抑制部は、上側隣接チャネルに対しての利得を抑制する付記A3に記載の信号伝送装置。
[付記A5]
 導波路で結合されている第1通信装置と第2通信装置とを備え、
 第1通信装置は、第1チャネル用の送信処理部、第2チャネル用の受信処理部、及び、第3チャネル用の送信処理部を有し、
 第2通信装置は、第1チャネル用の受信処理部、第2チャネル用の送信処理部、及び、第3チャネル用の受信処理部を有し、
 第1チャネルの搬送周波数よりも第2チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、且つ、第2チャネルの搬送周波数よりも第3チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、
 第2チャネルと第1チャネルとの組合せ及び第2チャネルと第3チャネルの組合せにて全二重双方向通信が適用可能であり、
 第1チャネル用の受信処理部の増幅部は、第2チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を有し、
 第2チャネル用の受信処理部の増幅部は、第3チャネルに対しての利得を抑制する利得
抑制部を有する付記A4に記載の信号伝送装置。
[付記A6]
 導波路で結合されている第1通信装置と第2通信装置とを備え、
 第1通信装置は、第1チャネル用の送信処理部、第2チャネル用の送信処理部、及び、第3チャネル用の受信処理部を有し、
 第2通信装置は、第1チャネル用の受信処理部、第2チャネル用の受信処理部、及び、第3チャネル用の送信処理部を有し、
 第1チャネルの搬送周波数よりも第2チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、且つ、第2チャネルの搬送周波数よりも第3チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、
 第3チャネルと第1チャネルとの組合せ及び第3チャネルと第2チャネルの組合せにて全二重双方向通信が適用可能であり、
 第2チャネル用の受信処理部の増幅部は、第3チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を有する付記A4に記載の信号伝送装置。
[付記A7]
 導波路で結合されている第1通信装置と第2通信装置とを備え、
 第1通信装置は、第1チャネル用の受信処理部、第2チャネル用の送信処理部、及び、第3チャネル用の送信処理部を有し、
 第2通信装置は、第1チャネル用の送信処理部、第2チャネル用の受信処理部、及び、第3チャネル用の受信処理部を有し、
 第1チャネルの搬送周波数よりも第2チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、且つ、第2チャネルの搬送周波数よりも第3チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、
 第1チャネルと第2チャネルとの組合せ及び第1チャネルと第3チャネルの組合せにて全二重双方向通信が適用可能であり、
 第1チャネル用の受信処理部の増幅部は、第2チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を有する付記A4に記載の信号伝送装置。
[付記A8]
 更に、何れか2つのチャネルの組合せの内で、片方向二重通信が適用されるものについて、
 利得抑制部は、自チャネル以外の他チャネルであって、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方のチャネルに対しての利得を抑制する付記A2乃至付記A7の何れか1項に記載の信号伝送装置。
[付記A9]
 2つのチャネルの組合せは、相互に隣接チャネルの関係にあり、
 利得抑制部は、下側隣接チャネルと上側隣接チャネルの何れか一方であって、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方のチャネルに対しての利得を抑制する付記A8に記載の信号伝送装置。
[付記A10]
 導波路で結合されている第1通信装置と第2通信装置とを備え、
 第1通信装置は、第1チャネル用の送信処理部、第2チャネル用の送信処理部、及び、第3チャネル用の受信処理部を有し、
 第2通信装置は、第1チャネル用の受信処理部、第2チャネル用の受信処理部、及び、第3チャネル用の送信処理部を有し、
 第1チャネルの搬送周波数よりも第2チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、且つ、第2チャネルの搬送周波数よりも第3チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、
 第3チャネルと第1チャネルとの組合せ及び第3チャネルと第2チャネルの組合せにて全二重双方向通信が適用可能であり、
 第1チャネルと第2チャネルとの組合せにて片方向二重通信が適用可能であり、
 第1チャネル用の受信処理部の増幅部は、第2チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を有し、
 第2チャネル用の受信処理部の増幅部は、第3チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を有する付記A6に記載の信号伝送装置。
[付記A11]
 導波路で結合されている第1通信装置と第2通信装置とを備え、
 第1通信装置は、第1チャネル用の受信処理部、第2チャネル用の送信処理部、及び、第3チャネル用の送信処理部を有し、
 第2通信装置は、第1チャネル用の送信処理部、第2チャネル用の受信処理部、及び、第3チャネル用の受信処理部を有し、
 第1チャネルの搬送周波数よりも第2チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、且つ、第2チャネルの搬送周波数よりも第3チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、
 第1チャネルと第2チャネルとの組合せ及び第1チャネルと第3チャネルの組合せにて全二重双方向通信が適用可能であり、
 第2チャネルと第3チャネルとの組合せにて片方向二重通信が適用可能であり、
 第1チャネル用の受信処理部の増幅部は、第2チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を有し、
 第2チャネル用の受信処理部の増幅部は、第3チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を有する付記A7に記載の信号伝送装置。
[付記A12]
 周波数帯を分けてマルチチャネル伝送を行なうことを可能に、受信処理部をチャネルごとに備え、
 チャネルの総数は2以上であり、
 何れか2つのチャネルの組合せの内で、片方向二重通信が適用されるものについて、
 受信処理部の何れかは、自チャネル以外の他チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を有する信号伝送装置。
[付記A13]
 受信処理部は、自チャネルに対しての周波数選択性を持ち、且つ、受信した信号を増幅する増幅部を有し、
 信号抑制部は、増幅部に設けられた利得抑制部から成り、
 何れか2つのチャネルの組合せの内で、片方向二重通信が適用されるものについて、
 利得抑制部は、自チャネル以外の他チャネルであって、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方のチャネルに対しての利得を抑制する付記A12に記載の信号伝送装置。
[付記A14]
 2つのチャネルの組合せは、相互に隣接チャネルの関係にあり、
 利得抑制部は、下側隣接チャネルと上側隣接チャネルの何れか一方であって、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方のチャネルに対しての利得を抑制する付記A13に記載の信号伝送装置。
[付記A15]
 利得抑制部は、トラップ回路で構成されている付記A1乃至付記A15の何れか1項に記載の信号伝送装置。
[付記A16]
 トラップ回路は、インダクタとコンデンサとの直列共振回路で構成されている付記A15に記載の信号伝送装置。
[付記A17]
 チャネルの総数は3以上である場合において、何れか2つのチャネルの組合せの内で、全二重双方向通信が適用されるものについて、
 自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を有する受信回路。
[付記A18]
 何れか2つのチャネルの組合せの内で、片方向二重通信が適用されるものについて、
 自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を有する受信回路。
[付記A19]
 周波数帯を分けてマルチチャネル伝送を行なうことを可能に、受信処理部をチャネルごとに備え、
 チャネルの総数は3以上であり、
 何れか2つのチャネルの組合せの内で、全二重双方向通信が適用されるものについて、
 受信処理部の何れかは、自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を有する電子機器。
[付記A20]
 周波数帯を分けてマルチチャネル伝送を行なうことを可能に、受信処理部をチャネルごとに備え、
 チャネルの総数は2以上であり、
 何れか2つのチャネルの組合せの内で、片方向二重通信が適用されるものについて、
 受信処理部の何れかは、自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を有する電子機器。
[付記B1]
 伝送信号を受信する複数の受信処理部を備え、
 複数の受信処理部の何れかは、自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を有する信号伝送装置。
[付記B2]
 受信処理部は、自チャネルに対しての周波数選択性を持ち、且つ、受信した信号を増幅する増幅部を有し、
 信号抑制部は、増幅部に設けられた利得抑制部から成り、
 利得抑制部は、自チャネル以外の他チャネルであって、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方のチャネルに対しての利得を抑制する付記B1に記載の信号伝送装置。
[付記B3]
 利得抑制部は、何れか2つのチャネルの組合せの内で、隣接チャネルの関係にあるものについて、下側隣接チャネルと上側隣接チャネルの何れか一方であって、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方に対しての利得を抑制する付記B2に記載の信号伝送装置。
[付記B4]
 利得抑制部を有さない場合の増幅部の利得周波数特性は、自チャネルを中心に高域側の方が低域側よりも利得減衰性が劣っており、
 利得抑制部は、上側隣接チャネルに対しての利得を抑制する付記B3に記載の信号伝送装置。
[付記B5]
 何れか2つのチャネルの組合せの内で、隣接チャネルの関係にあり、且つ、全二重双方向通信が適用されるものについて、増幅部は利得抑制部を有する付記B3に記載の信号伝送装置。
[付記B6]
 導波路で結合されている第1通信装置と第2通信装置とを備え、
 第1通信装置は、第1チャネル用の送信処理部、第2チャネル用の受信処理部、及び、第3チャネル用の送信処理部を有し、
 第2通信装置は、第1チャネル用の受信処理部、第2チャネル用の送信処理部、及び、第3チャネル用の受信処理部を有し、
 第1チャネルの搬送周波数よりも第2チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、且つ、第2チャネルの搬送周波数よりも第3チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、
 第2チャネルと第1チャネルとの組合せ及び第2チャネルと第3チャネルの組合せにて全二重双方向通信が適用可能であり、
 利得抑制部を有さない場合の増幅部の利得周波数特性は、自チャネルを中心に高域側の方が低域側よりも利得減衰性が劣っており、
 第1チャネル用の受信処理部の増幅部は、第2チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を有し、
 第2チャネル用の受信処理部の増幅部は、第3チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を有する付記B5に記載の信号伝送装置。
[付記B7]
 導波路で結合されている第1通信装置と第2通信装置とを備え、
 第1通信装置は、第1チャネル用の送信処理部、第2チャネル用の送信処理部、及び、第3チャネル用の受信処理部を有し、
 第2通信装置は、第1チャネル用の受信処理部、第2チャネル用の受信処理部、及び、第3チャネル用の送信処理部を有し、
 第1チャネルの搬送周波数よりも第2チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、且つ、第2チャネルの搬送周波数よりも第3チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、
 第3チャネルと第1チャネルとの組合せ及び第3チャネルと第2チャネルの組合せにて全二重双方向通信が適用可能であり、
 利得抑制部を有さない場合の増幅部の利得周波数特性は、自チャネルを中心に高域側の方が低域側よりも利得減衰性が劣っており、
 第2チャネル用の受信処理部の増幅部は、第3チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を有する付記B5に記載の信号伝送装置。
[付記B8]
 導波路で結合されている第1通信装置と第2通信装置とを備え、
 第1通信装置は、第1チャネル用の受信処理部、第2チャネル用の送信処理部、及び、第3チャネル用の送信処理部を有し、
 第2通信装置は、第1チャネル用の送信処理部、第2チャネル用の受信処理部、及び、第3チャネル用の受信処理部を有し、
 第1チャネルの搬送周波数よりも第2チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、且つ、第2チャネルの搬送周波数よりも第3チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、
 第1チャネルと第2チャネルとの組合せ及び第1チャネルと第3チャネルの組合せにて全二重双方向通信が適用可能であり、
 利得抑制部を有さない場合の増幅部の利得周波数特性は、自チャネルを中心に高域側の方が低域側よりも利得減衰性が劣っており、
 第1チャネル用の受信処理部の増幅部は、第2チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を有する付記B5に記載の信号伝送装置。
[付記B9]
 チャネルの総数は3以上であり、
 更に、何れか2つのチャネルの組合せの内で、隣接チャネルの関係にあり、且つ、片方向二重通信が適用されるものについて、増幅部は利得抑制部を有する付記B5に記載の信号伝送装置。
[付記B10]
 利得抑制部を有さない場合の増幅部の利得周波数特性は、自チャネルを中心に高域側の方が低域側よりも利得減衰性が劣っており、
 利得抑制部は、上側隣接チャネルに対しての利得を抑制する付記B9に記載の信号伝送装置。
[付記B11]
 導波路で結合されている第1通信装置と第2通信装置とを備え、
 第1通信装置は、第1チャネル用の送信処理部、第2チャネル用の送信処理部、及び、第3チャネル用の受信処理部を有し、
 第2通信装置は、第1チャネル用の受信処理部、第2チャネル用の受信処理部、及び、第3チャネル用の送信処理部を有し、
 第1チャネルの搬送周波数よりも第2チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、且つ、第2チャネルの搬送周波数よりも第3チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、
 第3チャネルと第1チャネルとの組合せ及び第3チャネルと第2チャネルの組合せにて全二重双方向通信が適用可能であり、
 第1チャネルと第2チャネルとの組合せにて片方向二重通信が適用可能であり、
 第1チャネル用の受信処理部の増幅部は、第2チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を有し、
 第2チャネル用の受信処理部の増幅部は、第3チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を有する付記B10に記載の信号伝送装置。
[付記B12]
 導波路で結合されている第1通信装置と第2通信装置とを備え、
 第1通信装置は、第1チャネル用の受信処理部、第2チャネル用の送信処理部、及び、第3チャネル用の送信処理部を有し、
 第2通信装置は、第1チャネル用の送信処理部、第2チャネル用の受信処理部、及び、第3チャネル用の受信処理部を有し、
 第1チャネルの搬送周波数よりも第2チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、且つ、第2チャネルの搬送周波数よりも第3チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、
 第1チャネルと第2チャネルとの組合せ及び第1チャネルと第3チャネルの組合せにて全二重双方向通信が適用可能であり、
 第2チャネルと第3チャネルとの組合せにて片方向二重通信が適用可能であり、
 第1チャネル用の受信処理部の増幅部は、第2チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を有し、
 第2チャネル用の受信処理部の増幅部は、第3チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を有する付記B10に記載の信号伝送装置。
[付記B13]
 何れか2つのチャネルの組合せの内で、隣接チャネルの関係にあり、且つ、片方向二重通信が適用されるものについて、増幅部は利得抑制部を有する付記B3に記載の信号伝送装置。
[付記B14]
 利得抑制部は、トラップ回路で構成されている付記B2に記載の信号伝送装置。
[付記B15]
 トラップ回路は、インダクタとコンデンサとの直列共振回路で構成されている付記B14に記載の信号伝送装置。
[付記B16]
 増幅部は、カスケード接続された2つのトランジスタを有するとともに、自チャネルに周波数選択性を持つように定数が設定されたインダクタを負荷に有する増幅段を具備し、
 トラップ回路は、2つのトランジスタのカスケード接続点と基準電位点との間に接続されている付記B14に記載の信号伝送装置。
[付記B17]
 増幅部は、増幅段を複数段有しており、
 トラップ回路は、1段目の増幅段に設けられている付記B16に記載の信号伝送装置。
[付記B18]
 増幅部は、増幅段を複数段有しており、
 トラップ回路は、1段目以外の少なくとも1つの増幅段に設けられている付記B16に記載の信号伝送装置。
[付記B19]
 自チャネルに対しての周波数選択性を持ち、且つ、受信した信号を増幅する増幅回路を
有し、
 増幅回路は、自チャネル以外の他チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制回路を有する受信回路。
[付記B20]
 伝送信号を受信する受信処理部をチャネルごとに備え、
 受信処理部は、自チャネルに対しての周波数選択性を持ち、且つ、受信した信号を増幅する増幅部を有し、
 増幅部は、自チャネル以外の他チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を有する電子機器。
[付記C1]
 チャネルの総数が2であって、周波数帯を分けて全二重双方向通信を行なうことを可能に、受信処理部をチャネルごとに備え、
 受信処理部は、隣接チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を有する信号伝送装置。
[付記C2]
 受信処理部は、自チャネルに対しての周波数選択性を持ち、且つ、受信した信号を増幅する増幅部を有し、
 信号抑制部は、増幅部に設けられた利得抑制部から成り、
 利得抑制部は、下側隣接チャネルと上側隣接チャネルの何れか一方であって、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方に対しての利得を抑制する付記C1に記載の信号伝送装置。
[付記C3]
 利得抑制部を有さない場合の増幅部の利得周波数特性は、自チャネルを中心に高域側の方が低域側よりも利得減衰性が劣っており、
 下側隣接チャネル用の増幅部に設けられる利得抑制部は、上側隣接チャネルに対しての利得を抑制する付記C2に記載の信号伝送装置。
[付記C4]
 利得抑制部は、トラップ回路で構成されている付記C1に記載の信号伝送装置。
[付記C5]
 トラップ回路は、インダクタとコンデンサとの直列共振回路で構成されている付記C4に記載の信号伝送装置。
[付記C6]
 インダクタは、複数の配線層にてパターン形成されるとともに、各層のインダクタを電気回路的に並列接続することにより形成されている付記C5に記載の信号伝送装置。
[付記C7]
 コンデンサは、インダクタをパターン形成する際の分布容量を利用したものである付記C5に記載の信号伝送装置。
[付記C8]
 増幅部は、カスケード接続された2つのトランジスタを有するとともに、自チャネルに周波数選択性を持つように定数が設定されたインダクタを負荷に有する増幅段を具備し、
 トラップ回路は、2つのトランジスタのカスケード接続点と基準電位点との間に接続されている付記C4に記載の信号伝送装置。
[付記C9]
 増幅部は、増幅段を複数段有しており、
 トラップ回路は、1段目の増幅段に設けられている付記C8に記載の信号伝送装置。
[付記C10]
 増幅部は、増幅段を複数段有しており、
 トラップ回路は、1段目以外の少なくとも1つの増幅段に設けられている付記C8に記載の信号伝送装置。
[付記C11]
 増幅部は、増幅段を複数有しており、
 トラップ回路は、1段目の増幅段と、1段目以外の少なくとも1つの増幅段のそれぞれに設けられている付記C8に記載の信号伝送装置。
[付記C12]
 1段目の増幅段に設けられている利得抑制部と、1段目以外の少なくとも1つの増幅段に設けられているトラップ回路の少なくとも一方には、トラップ回路の選択的な使用を可能にするスイッチが設けられている付記C11に記載の信号伝送装置。
[付記C13]
 インダクタは、複数の配線層にてパターン形成されるとともに、各層のインダクタを電気回路的に並列接続することにより形成されている付記C8に記載の信号伝送装置。
[付記C14]
 増幅部は、相補型金属酸化膜半導体に形成されている付記C2に記載の信号伝送装置。
[付記C15]
 送信処理部と受信処理部との間は導波路で結合されている付記C2に記載の信号伝送装置。
[付記C16]
 導波路は、誘電体素材で成る付記C15に記載の信号伝送装置。
[付記C17]
 自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を有する、チャネルの総数が2であって周波数帯を分けて全二重双方向通信を行なう受信回路。
[付記C18]
 チャネルの総数が2であって、周波数帯を分けて全二重双方向通信を行なうことを可能に、受信処理部をチャネルごとに備え、
 受信処理部は、隣接チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を有する電子機器。
[付記C19]
 受信処理部は、自チャネルに対しての周波数選択性を持ち、且つ、受信した信号を増幅する増幅部を有し、
 信号抑制部は、増幅部に設けられた利得抑制部から成り、
 利得抑制部は、下側隣接チャネルと上側隣接チャネルの何れか一方であって、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方に対しての利得を抑制する付記C18に記載の電子機器。
[付記C20]
 利得抑制部を有さない場合の増幅部の利得周波数特性は、自チャネルを中心に高域側の方が低域側よりも利得減衰性が劣っており、
 下側隣接チャネル用の増幅部に設けられる利得抑制部は、上側隣接チャネルに対しての利得を抑制する付記C19に記載の電子機器。
 1…信号伝送装置、100…第1通信装置、103…半導体チップ、200…第2通信
装置、203…半導体チップ、400…ローノイズアンプ、601…トラップ回路、60
2…トラップ回路、603…トラップ回路、604…トラップ回路、8…電子機器8、3
08…高周波信号導波路、TX…送信処理部(送信回路)、RX…受信処理部(受信回路

 

Claims (20)

  1.  周波数帯を分けてマルチチャネル伝送を行なうことを可能に、受信処理部をチャネルごとに備え、
     チャネルの総数は3以上であり、
     何れか2つのチャネルの組合せの内で、全二重双方向通信が適用されるものについて、
     受信処理部の何れかは、自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を有する信号伝送装置。
  2.  受信処理部は、自チャネルに対しての周波数選択性を持ち、且つ、受信した信号を増幅する増幅部を有し、
     信号抑制部は、増幅部に設けられた利得抑制部から成り、
     何れか2つのチャネルの組合せの内で、全二重双方向通信が適用されるものについて、
     利得抑制部は、自チャネル以外の他チャネルであって、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方のチャネルに対しての利得を抑制する請求項1に記載の信号伝送装置。
  3.  2つのチャネルの組合せは、相互に隣接チャネルの関係にあり、
     利得抑制部は、下側隣接チャネルと上側隣接チャネルの何れか一方であって、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方のチャネルに対しての利得を抑制する請求項2に記載の信号伝送装置。
  4.  利得抑制部を有さない場合の増幅部の利得周波数特性は、自チャネルを中心に高域側の方が低域側よりも利得減衰性が劣っており、
     下側隣接チャネル用の増幅部に設けられる利得抑制部は、上側隣接チャネルに対しての利得を抑制する請求項3に記載の信号伝送装置。
  5.  導波路で結合されている第1通信装置と第2通信装置とを備え、
     第1通信装置は、第1チャネル用の送信処理部、第2チャネル用の受信処理部、及び、第3チャネル用の送信処理部を有し、
     第2通信装置は、第1チャネル用の受信処理部、第2チャネル用の送信処理部、及び、第3チャネル用の受信処理部を有し、
     第1チャネルの搬送周波数よりも第2チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、且つ、第2チャネルの搬送周波数よりも第3チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、
     第2チャネルと第1チャネルとの組合せ及び第2チャネルと第3チャネルの組合せにて全二重双方向通信が適用可能であり、
     第1チャネル用の受信処理部の増幅部は、第2チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を有し、
     第2チャネル用の受信処理部の増幅部は、第3チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を有する請求項4に記載の信号伝送装置。
  6.  導波路で結合されている第1通信装置と第2通信装置とを備え、
     第1通信装置は、第1チャネル用の送信処理部、第2チャネル用の送信処理部、及び、第3チャネル用の受信処理部を有し、
     第2通信装置は、第1チャネル用の受信処理部、第2チャネル用の受信処理部、及び、第3チャネル用の送信処理部を有し、
     第1チャネルの搬送周波数よりも第2チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、且つ、第2チャネルの搬送周波数よりも第3チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、
     第3チャネルと第1チャネルとの組合せ及び第3チャネルと第2チャネルの組合せにて全二重双方向通信が適用可能であり、
     第2チャネル用の受信処理部の増幅部は、第3チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を有する請求項4に記載の信号伝送装置。
  7.  導波路で結合されている第1通信装置と第2通信装置とを備え、
     第1通信装置は、第1チャネル用の受信処理部、第2チャネル用の送信処理部、及び、第3チャネル用の送信処理部を有し、
     第2通信装置は、第1チャネル用の送信処理部、第2チャネル用の受信処理部、及び、第3チャネル用の受信処理部を有し、
     第1チャネルの搬送周波数よりも第2チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、且つ、第2チャネルの搬送周波数よりも第3チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、
     第1チャネルと第2チャネルとの組合せ及び第1チャネルと第3チャネルの組合せにて全二重双方向通信が適用可能であり、
     第1チャネル用の受信処理部の増幅部は、第2チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を有する請求項4に記載の信号伝送装置。
  8.  更に、何れか2つのチャネルの組合せの内で、片方向二重通信が適用されるものについ
    て、
     利得抑制部は、自チャネル以外の他チャネルであって、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方のチャネルに対しての利得を抑制する請求項2に記載の信号伝送装置。
  9.  2つのチャネルの組合せは、相互に隣接チャネルの関係にあり、
     利得抑制部は、下側隣接チャネルと上側隣接チャネルの何れか一方であって、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方のチャネルに対しての利得を抑制する請求項8に記載の信号伝送装置。
  10.  利得抑制部を有さない場合の増幅部の利得周波数特性は、自チャネルを中心に高域側の方が低域側よりも利得減衰性が劣っており、
     下側隣接チャネル用の増幅部に設けられる利得抑制部は、上側隣接チャネルに対しての利得を抑制する請求項9に記載の信号伝送装置。
  11.  導波路で結合されている第1通信装置と第2通信装置とを備え、
     第1通信装置は、第1チャネル用の送信処理部、第2チャネル用の送信処理部、及び、第3チャネル用の受信処理部を有し、
     第2通信装置は、第1チャネル用の受信処理部、第2チャネル用の受信処理部、及び、第3チャネル用の送信処理部を有し、
     第1チャネルの搬送周波数よりも第2チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、且つ、第2チャネルの搬送周波数よりも第3チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、
     第3チャネルと第1チャネルとの組合せ及び第3チャネルと第2チャネルの組合せにて全二重双方向通信が適用可能であり、
     第1チャネルと第2チャネルとの組合せにて片方向二重通信が適用可能であり、
     第1チャネル用の受信処理部の増幅部は、第2チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を有し、
     第2チャネル用の受信処理部の増幅部は、第3チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を有する請求項10に記載の信号伝送装置。
  12.  導波路で結合されている第1通信装置と第2通信装置とを備え、
     第1通信装置は、第1チャネル用の受信処理部、第2チャネル用の送信処理部、及び、第3チャネル用の送信処理部を有し、
     第2通信装置は、第1チャネル用の送信処理部、第2チャネル用の受信処理部、及び、第3チャネル用の受信処理部を有し、
     第1チャネルの搬送周波数よりも第2チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、且つ、第2チャネルの搬送周波数よりも第3チャネルの搬送周波数の方が高く設定されており、
     第1チャネルと第2チャネルとの組合せ及び第1チャネルと第3チャネルの組合せにて全二重双方向通信が適用可能であり、
     第2チャネルと第3チャネルとの組合せにて片方向二重通信が適用可能であり、
     第1チャネル用の受信処理部の増幅部は、第2チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を有し、
     第2チャネル用の受信処理部の増幅部は、第3チャネルに対しての利得を抑制する利得抑制部を有する請求項10に記載の信号伝送装置。
  13.  周波数帯を分けてマルチチャネル伝送を行なうことを可能に、受信処理部をチャネルごとに備え、
     チャネルの総数は2以上であり、
     何れか2つのチャネルの組合せの内で、片方向二重通信が適用されるものについて、
     受信処理部の何れかは、自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を有する信号伝送装置。
  14.  受信処理部は、自チャネルに対しての周波数選択性を持ち、且つ、受信した信号を増幅する増幅部を有し、
     信号抑制部は、増幅部に設けられた利得抑制部から成り、
     何れか2つのチャネルの組合せの内で、片方向二重通信が適用されるものについて、
     利得抑制部は、自チャネル以外の他チャネルであって、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方のチャネルに対しての利得を抑制する請求項13に記載の信号伝送装置。
  15.  2つのチャネルの組合せは、相互に隣接チャネルの関係にあり、
     利得抑制部は、下側隣接チャネルと上側隣接チャネルの何れか一方であって、利得周波数特性の減衰度合いが不足する方のチャネルに対しての利得を抑制する請求項14に記載の信号伝送装置。
  16.  利得抑制部は、トラップ回路で構成されている請求項1に記載の信号伝送装置。
  17.  チャネルの総数は3以上である場合において、何れか2つのチャネルの組合せの内で、全二重双方向通信が適用されるものについて、
     自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を有する受信回路。
  18.  何れか2つのチャネルの組合せの内で、片方向二重通信が適用されるものについて、
     自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を有する受信回路。
  19.  周波数帯を分けてマルチチャネル伝送を行なうことを可能に、受信処理部をチャネルごとに備え、
     チャネルの総数は3以上であり、
     何れか2つのチャネルの組合せの内で、全二重双方向通信が適用されるものについて、
     受信処理部の何れかは、自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を有する電子機器。
  20.  周波数帯を分けてマルチチャネル伝送を行なうことを可能に、受信処理部をチャネルごとに備え、
     チャネルの総数は2以上であり、
     何れか2つのチャネルの組合せの内で、片方向二重通信が適用されるものについて、
     受信処理部の何れかは、自チャネル以外の他チャネルの信号成分を抑制する信号抑制部を有する電子機器。
     
PCT/JP2011/070005 2011-08-09 2011-09-02 信号伝送装置、受信回路、及び、電子機器 WO2013021510A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/236,242 US9793992B2 (en) 2011-08-09 2011-09-02 Signal transmission device, receiving circuit, and electronic apparatus
EP11870732.2A EP2744127A1 (en) 2011-08-09 2011-09-02 Signal transmission device, reception circuit, and electronic device
CN201180072660.5A CN103718480B (zh) 2011-08-09 2011-09-02 信号传输装置、接收电路以及电子设备

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011174068A JP2013038646A (ja) 2011-08-09 2011-08-09 信号伝送装置、受信回路、及び、電子機器
JP2011-174068 2011-08-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013021510A1 true WO2013021510A1 (ja) 2013-02-14

Family

ID=47668055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/070005 WO2013021510A1 (ja) 2011-08-09 2011-09-02 信号伝送装置、受信回路、及び、電子機器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9793992B2 (ja)
EP (1) EP2744127A1 (ja)
JP (1) JP2013038646A (ja)
CN (1) CN103718480B (ja)
WO (1) WO2013021510A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104902485A (zh) * 2014-03-04 2015-09-09 北京三星通信技术研究有限公司 全双工协作传输中同类节点间的干扰抑制方法和设备

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9397751B2 (en) * 2014-04-14 2016-07-19 Cosemi Technologies, Inc. Bidirectional data communications cable
US9780834B2 (en) * 2014-10-21 2017-10-03 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for transmitting electromagnetic waves
JP2016189240A (ja) * 2015-03-30 2016-11-04 富士ゼロックス株式会社 フレキシブルフラットケーブル、画像読取装置及び画像形成装置
JP6500571B2 (ja) * 2015-04-14 2019-04-17 船井電機株式会社 信号伝送装置及び信号伝送方法
US9603155B2 (en) * 2015-07-31 2017-03-21 Corning Optical Communications Wireless Ltd Reducing leaked downlink interference signals in a remote unit uplink path(s) in a distributed antenna system (DAS)
EP3387764B1 (en) 2015-12-13 2021-11-24 Genxcomm, Inc. Interference cancellation methods and apparatus
TWI707168B (zh) * 2016-01-29 2020-10-11 台灣積體電路製造股份有限公司 整合式晶片及形成整合式介電質波導的方法
US10257746B2 (en) * 2016-07-16 2019-04-09 GenXComm, Inc. Interference cancellation methods and apparatus
US9894612B1 (en) 2016-11-03 2018-02-13 Corning Optical Communications Wireless Ltd Reducing power consumption in a remote unit of a wireless distribution system (WDS) for intermodulation product suppression
JP6273336B1 (ja) * 2016-11-30 2018-01-31 禾企電子股▲分▼有限公司 1本の同軸ケーブルを介し4個の混合信号を伝送する監視制御システム
US11150409B2 (en) 2018-12-27 2021-10-19 GenXComm, Inc. Saw assisted facet etch dicing
JP7344650B2 (ja) * 2019-02-25 2023-09-14 オリンパス株式会社 撮像装置、撮像装置を含む内視鏡装置、および撮像装置を含む移動体
US10727945B1 (en) 2019-07-15 2020-07-28 GenXComm, Inc. Efficiently combining multiple taps of an optical filter
US11215755B2 (en) 2019-09-19 2022-01-04 GenXComm, Inc. Low loss, polarization-independent, large bandwidth mode converter for edge coupling
TWI730465B (zh) * 2019-10-22 2021-06-11 新唐科技股份有限公司 串聯式雙向通訊電路及其方法
US11539394B2 (en) 2019-10-29 2022-12-27 GenXComm, Inc. Self-interference mitigation in in-band full-duplex communication systems
US20210273773A1 (en) * 2020-03-02 2021-09-02 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus for in-band full-duplex transceiver with bi-directional frequency converter
US11796737B2 (en) 2020-08-10 2023-10-24 GenXComm, Inc. Co-manufacturing of silicon-on-insulator waveguides and silicon nitride waveguides for hybrid photonic integrated circuits
US12001065B1 (en) 2020-11-12 2024-06-04 ORCA Computing Limited Photonics package with tunable liquid crystal lens
WO2023075850A1 (en) 2021-10-25 2023-05-04 GenXComm, Inc. Hybrid photonic integrated circuits for ultra-low phase noise signal generators

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05122549A (ja) * 1991-10-28 1993-05-18 Dx Antenna Co Ltd テレビジヨン受信機用前置増幅器
JPH07264571A (ja) * 1994-03-17 1995-10-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Catvコンバータ
JP2001144661A (ja) * 1999-11-17 2001-05-25 Sony Corp データ送信装置およびデータ受信装置
JP2009055379A (ja) * 2007-08-27 2009-03-12 National Institute Of Information & Communication Technology 通信装置およびそれを用いた2次元通信システム
JP2010178144A (ja) * 2009-01-30 2010-08-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電界通信システム及び電界通信方法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5530722A (en) * 1992-10-27 1996-06-25 Ericsson Ge Mobile Communications Inc. Quadrature modulator with integrated distributed RC filters
US7092352B2 (en) * 1993-07-23 2006-08-15 Aquity, Llc Cancellation systems for multicarrier transceiver arrays
US6169912B1 (en) * 1999-03-31 2001-01-02 Pericom Semiconductor Corp. RF front-end with signal cancellation using receiver signal to eliminate duplexer for a cordless phone
US6493131B1 (en) * 2000-12-20 2002-12-10 Kestrel Solutions, Inc. Wavelength-locking of optical sources
US20020146996A1 (en) * 2001-03-06 2002-10-10 Bachman Thomas A. Scanning receiver for use in power amplifier linearization
AU2003293542A1 (en) * 2002-12-11 2004-06-30 R.F. Magic, Inc. Nxm crosspoint switch with band translation
KR101031692B1 (ko) * 2002-12-18 2011-04-29 파나소닉 주식회사 무선 통신 장치, 무선 통신 방법, 안테나 장치 및 제 1듀플렉서
US7343059B2 (en) * 2003-10-11 2008-03-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Photonic interconnect system
EP1969388A1 (en) * 2005-09-23 2008-09-17 California Institute Of Technology A mm-WAVE FULLY INTEGRATED PHASED ARRAY RECEIVER AND TRANSMITTER WITH ON CHIP ANTENNAS
US7356213B1 (en) * 2006-03-28 2008-04-08 Sun Microsystems, Inc. Transparent switch using optical and electrical proximity communication
US7373033B2 (en) * 2006-06-13 2008-05-13 Intel Corporation Chip-to-chip optical interconnect
WO2008052117A2 (en) * 2006-10-25 2008-05-02 Georgia Tech Research Corporation Analog signal processor in a multi-gigabit receiver system
JP2009088618A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Sanyo Electric Co Ltd 受信装置
CN101981482B (zh) * 2008-03-28 2013-03-13 惠普发展公司,有限责任合伙企业 柔性光学互连件
EP2315310A3 (en) * 2008-04-15 2012-05-23 Huber+Suhner AG Surface-mountable antenna with waveguide connector function, communication system, adaptor and arrangement comprising the antenna device
US8139674B2 (en) * 2008-07-15 2012-03-20 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Spaceflight high data rate radiation hard Ka-band modulator
JP5526659B2 (ja) * 2008-09-25 2014-06-18 ソニー株式会社 ミリ波誘電体内伝送装置
WO2012083213A2 (en) * 2010-12-17 2012-06-21 The Regents Of The University Of California Periodic near field directors (pnfd) for short range milli-meter-wave-wireless-interconnect (m2w2-interconnect)
US8364042B2 (en) * 2009-06-12 2013-01-29 Kalpendu Shastri Optical interconnection arrangement for high speed, high density communication systems
JP5278210B2 (ja) * 2009-07-13 2013-09-04 ソニー株式会社 無線伝送システム、電子機器
JP5446552B2 (ja) * 2009-07-30 2014-03-19 ソニー株式会社 無線通信装置、回転構造体、電子機器
JP5316305B2 (ja) * 2009-08-13 2013-10-16 ソニー株式会社 無線伝送システム、無線伝送方法
JP2011039340A (ja) * 2009-08-13 2011-02-24 Sony Corp 撮像装置
US8098602B2 (en) * 2009-08-21 2012-01-17 Maxim Integrated Products, Inc. System and method for transferring data over full-duplex differential serial link
KR20120073205A (ko) * 2009-08-31 2012-07-04 소니 주식회사 신호 전송 장치, 전자기기, 및, 신호 전송 방법
JP5585092B2 (ja) * 2009-10-22 2014-09-10 ソニー株式会社 無線伝送システム、無線通信装置
US8831073B2 (en) * 2009-08-31 2014-09-09 Sony Corporation Wireless transmission system, wireless communication device, and wireless communication method
US8391512B2 (en) * 2009-09-25 2013-03-05 Onkyo Corporation Broadcast wave receiving system
JP5446671B2 (ja) * 2009-09-29 2014-03-19 ソニー株式会社 無線伝送システム及び無線通信方法
JP5446718B2 (ja) * 2009-10-22 2014-03-19 ソニー株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法、無線伝送システム
SG172511A1 (en) * 2010-01-04 2011-07-28 Sony Corp A waveguide
JP2011166459A (ja) * 2010-02-10 2011-08-25 Sony Corp 信号伝送システム、送信装置、受信装置、電子機器、信号伝送方法
US8472437B2 (en) * 2010-02-15 2013-06-25 Texas Instruments Incorporated Wireless chip-to-chip switching
US9054078B2 (en) * 2012-02-08 2015-06-09 Sony Corporation Signal processing device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05122549A (ja) * 1991-10-28 1993-05-18 Dx Antenna Co Ltd テレビジヨン受信機用前置増幅器
JPH07264571A (ja) * 1994-03-17 1995-10-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Catvコンバータ
JP2001144661A (ja) * 1999-11-17 2001-05-25 Sony Corp データ送信装置およびデータ受信装置
JP2009055379A (ja) * 2007-08-27 2009-03-12 National Institute Of Information & Communication Technology 通信装置およびそれを用いた2次元通信システム
JP2010178144A (ja) * 2009-01-30 2010-08-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電界通信システム及び電界通信方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SATOSHI FUKUDA ET AL.: "A 12.5+12. 5Gb/s Full-Duplex Plastic Waveguide Interconnect", 2011 IEEE INTERNATIONAL SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE ISSCC 2011 / SESSION 8 / ARCHITECTURES & CIRCUITS FOR NEXT GENERATION WIRELINE TRANSCEIVERS, 23 February 2011 (2011-02-23), pages 150 - 152
SATOSHI FUKUDA ET AL.: "A 12.5+12. 5Gb/s Full-Duplex Plastic Waveguide Interconnect", 2011 IEEE INTERNATIONAL SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE ISSCC 2011, 8 February 2011 (2011-02-08), pages 1 - 29
SATOSHI FUKUDA ET AL.: "A 12.5+12.5Gb/s full-duplex plastic waveguide interconnect", SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE DIGEST OF TECHNICAL PAPERS, 24 February 2011 (2011-02-24), pages 150 - 152, XP011379217 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104902485A (zh) * 2014-03-04 2015-09-09 北京三星通信技术研究有限公司 全双工协作传输中同类节点间的干扰抑制方法和设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN103718480B (zh) 2015-11-25
JP2013038646A (ja) 2013-02-21
CN103718480A (zh) 2014-04-09
US9793992B2 (en) 2017-10-17
US20140178064A1 (en) 2014-06-26
EP2744127A1 (en) 2014-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2013021510A1 (ja) 信号伝送装置、受信回路、及び、電子機器
US8688153B2 (en) Signal transmission apparatus, electronic device, and signal transmission method
JP5272948B2 (ja) 増幅回路、半導体集積回路、無線伝送システム、通信装置
US8339216B2 (en) Duplexer and method for separating a transmit signal and a receive signal
US8824529B2 (en) Signal transmission system, transmitting device, receiving device, electronic device, and signal transmission method
US8913951B2 (en) Method and system for 60 GHz distributed communication utilizing a mesh network of repeaters
US8942645B2 (en) Method and system for communication via subbands in a 60 GHZ distributed communication system
JP2010103982A (ja) ミリ波伝送装置、ミリ波伝送方法、ミリ波伝送システム
US9252983B2 (en) Method and system for reducing radiated emissions from a communications channel
JP2016517249A (ja) 広帯域の同調可能なノッチ除去
Takahashi et al. 10-Gbit/s quadrature phase-shift-keying modulator and demodulator for 120-GHz-band wireless links
Takahashi et al. 10-Gbit/s BPSK modulator and demodulator for a 120-GHz-band wireless link
JP7202398B2 (ja) ミリ波5g通信用ブロードバンドmimo受信機のための送信/受信(t/r)スイッチ及び受信機フロントエンドのワイドバンドマッチング共設計法
US20190190546A1 (en) Communication unit
US8212727B2 (en) Antenna and wireless transceiver using the same
US8952732B2 (en) Signal processor with frequency converters and P/S converters and signal processing method using same
Nakasha et al. $ W $-band transmitter and receiver for 10-Gb/s impulse radio with an optical-fiber interface
US11201397B2 (en) Circuit and wireless device
US10075207B2 (en) GAAS/SIGE-BICMOS-based transceiver system-in-package for E-band frequency applications
JP6359878B2 (ja) 電力増幅装置
US11128338B2 (en) Switchable electromagnetic ring
Dens et al. Design of a Noncoherent 100-Gb/s 3-m Dual-Band PAM-4 Dielectric Waveguide Link in 28-nm CMOS
JP6233353B2 (ja) 信号処理装置、及び、信号処理方法
CN105577219A (zh) 一种应用于有线同轴以太网的宽带收发器
US9825655B2 (en) Method and apparatus for an antenna

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11870732

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2011870732

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14236242

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE