WO2013018134A1 - センサ装置 - Google Patents

センサ装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2013018134A1
WO2013018134A1 PCT/JP2011/004377 JP2011004377W WO2013018134A1 WO 2013018134 A1 WO2013018134 A1 WO 2013018134A1 JP 2011004377 W JP2011004377 W JP 2011004377W WO 2013018134 A1 WO2013018134 A1 WO 2013018134A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
sensor device
electrode
protection circuit
flow sensor
conductive electrode
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/004377
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
哲 浅野
松本　昌大
中野　洋
半沢　恵二
Original Assignee
日立オートモティブシステムズ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日立オートモティブシステムズ株式会社 filed Critical 日立オートモティブシステムズ株式会社
Priority to US14/235,933 priority Critical patent/US20140167781A1/en
Priority to DE112011105495.5T priority patent/DE112011105495T5/de
Priority to PCT/JP2011/004377 priority patent/WO2013018134A1/ja
Priority to CN201180072589.0A priority patent/CN103703555A/zh
Publication of WO2013018134A1 publication Critical patent/WO2013018134A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/18—Screening arrangements against electric or magnetic fields, e.g. against earth's field
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
    • B81B3/0086—Electrical characteristics, e.g. reducing driving voltage, improving resistance to peak voltage
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D7/00—Indicating measured values

Definitions

  • the present invention relates to a sensor device that detects a physical quantity, and more particularly, to a sensor device that detects a physical quantity, such as a flow sensor, a pressure sensor, an acceleration sensor, an angular velocity sensor, and the like for vehicle use.
  • protection circuits such as low-pass filters and feedthrough capacitors made up of lead parts and surface mount parts have been used so far.
  • the cost of parts and assembly costs for constructing protection circuits has increased. An increase was incurred.
  • protection circuits have been integrated on a semiconductor substrate to take measures against noise.
  • the integrated protection circuit has a problem that parasitic components such as resistance and capacitance are easily generated in the wiring and elements, and the expected noise cutoff characteristic cannot be obtained.
  • FIG. 13 shows an example of a layout diagram of the protection circuit before application of the present invention
  • FIG. 14 shows an equivalent circuit of the protection circuit shown in FIG.
  • the protection circuit shown in FIG. 13 has a protection circuit 5 including a resistance element 6 and a capacitance element 7 provided between the external terminal 2 and the internal circuit 4, and a ground terminal 3.
  • the equivalent circuit shown in FIG. 14 includes, in addition to the resistive element 6 (Rf) and the capacitive element 7 (Cf), parasitic resistances R1 to R7 and parasitic inductances L1 to L7 due to wiring.
  • the element constants of the resistance element 6 (Rf) and the capacitance element 7 (Cf) of the protection circuit shown in FIG. 14 and the values used for the parasitic components R1 to R7 and L1 to L7 are as shown below.
  • the value of the parasitic component is determined by the shape and physical properties of the wiring and elements, and is not limited to the values shown below. However, in this report, the value is a constant value for easy explanation.
  • R1 to R7 1 ⁇ each
  • L1 to L7 100 pH each
  • an external terminal 2 is used as an input, and a Bode diagram when an intermediate point between the parasitic inductance L6 and the internal circuit 4 is used as an output is shown in FIG.
  • a Bode diagram in an ideal protection circuit is shown in FIG.
  • the ideal protection circuit having no parasitic component is a protection circuit having the following element constants in FIG. Resistance element 6 (Rf): 40 ⁇ , Capacitance element 7 (Cf): 400 pF, R1 to R7: 0 ⁇ each, L1 to L7: 0H each
  • the protection circuit shown in FIG. 14 exhibits different frequency characteristics from the ideal protection circuit. Specifically, a characteristic difference from an ideal protection circuit becomes obvious in a band of about 20 MHz or more, and only a noise attenuation effect of about ⁇ 17 dB is obtained even in the vicinity of 1 GHz where the most noise attenuation effect can be obtained.
  • the main factor of the frequency characteristic difference between the protection circuit shown in FIG. 14 and the ideal protection circuit is harmful impedance 201 composed of parasitic components R3 to R5 and L3 to L5. .
  • the harmful impedance 201 is treated as a generic term for parasitic resistance and parasitic inductance that becomes an obstacle when noise passes to the ground terminal 3, and the time constant of the protection circuit 5 determined by the resistance element 6 and the capacitance element 7 is defined as the protection impedance 200. It shall be treated as a general term for the parasitic resistance and parasitic inductance to be increased.
  • the impedance Zcf between the point A and the ground terminal 3 is Zcf.
  • fc [Hz] 1 ⁇ (2 ⁇ ⁇ ⁇ ((L3 + L4 + L5) [H] ⁇ Cf [F]) 0.5).
  • Patent Document 1 discloses a technique for substantially reducing the harmful impedance 201 and improving the noise cutoff characteristics of the protection circuit.
  • a low-pass filter including a resistor and a capacitor is provided between a power supply pad and an internal circuit in the integrated circuit, and the power supply pad and the capacitor are connected.
  • Parasitic impedance Za caused by parasitic resistance component Ra and parasitic inductance component La of the wiring, parasitic resistance component Rk of wiring connecting the capacitor and the ground pad, parasitic impedance Zk caused by the parasitic inductance component Lk, and capacitance component of the capacitor
  • the length and width of the wiring are selected so that the impedance Zc to satisfy always satisfies the relational expression [Za + Zk ⁇ Zc] in the frequency band of the electromagnetic noise to be cut.
  • Za and Zk a calculation formula for calculating a parasitic inductance from dimensional information such as a wiring length, a wiring width, and a wiring thickness is disclosed.
  • the impedance parasitic to the wiring connecting the power supply pad and the capacitor and the wiring connecting the ground pad and the capacitor so as not to affect the impedance of the capacitor. It is possible to reduce both the parasitic impedance and improve the effect of releasing noise to the ground.
  • An object of the present invention is to provide a sensor device with improved detection accuracy.
  • an external terminal to which an external device is connected a ground terminal grounded to the ground, an internal circuit for generating a sensor output signal, and provided between the external terminal and the internal circuit
  • the capacitance element is composed of electrode pairs having different conductivities, and has a lower conductivity than one of the electrode pairs.
  • a sensor device with improved detection accuracy can be provided.
  • FIG. 2 is a layout diagram and a cross-sectional view along line AA ′ of a protection circuit in the first embodiment.
  • the layout diagram of the protection circuit in the 2nd example The layout diagram of the protection circuit in a 3rd Example.
  • the AA 'sectional view of the protection circuit in the 4th example The layout diagram of the protection circuit in a 5th Example.
  • the layout diagram of the protection circuit in a 9th Example The layout diagram of the protection circuit in the tenth embodiment.
  • the layout diagram of the protection circuit in the 12th embodiment The layout diagram of the protection circuit before application of this invention.
  • the equivalent circuit of the protection circuit before application of this invention The equivalent circuit of the protection circuit before application of this invention.
  • the equivalent circuit of the protection circuit in a 1st Example. 1 is a Bode diagram of a protection circuit before application of the first embodiment and the present invention.
  • FIG. The output waveform of the protection circuit before 1st Example and this invention application.
  • the cause of the frequency characteristic difference between the protection circuit shown in FIG. 14 and the ideal protection circuit is not only the parasitic components R3 to R5 and L3 to L5, but also each electrode of the capacitive element 7 (Cf). It was found that the parasitic resistance was included.
  • modes for carrying out the present invention will be described.
  • the present invention is applied to an in-vehicle flow sensor device.
  • the present invention is not limited to the in-vehicle flow sensor device, and other physical quantities such as other pressure sensors, acceleration sensors, angular velocity sensors, etc.
  • the present invention can be widely applied to a sensor device that detects the above.
  • the flow sensor device 1 includes an LSI 20, a sensor element 21, and a temperature sensor 22.
  • the LSI 20 is connected to an external device through a power supply terminal 2a, a sensor output terminal 2b, and a ground terminal 3. Further, the LSI 20 processes the signals acquired from the sensor element 21 and the temperature sensor 22 to generate a sensor output signal, and a protection circuit 5 (5a to 5d) that protects the internal circuit 4 from noise entering from outside.
  • a protective circuit 5a between the power supply terminal 2a and the internal circuit 4, a protective circuit 5b between the sensor output terminal 2b and the internal circuit 4, and a protective circuit between the bonding pad 30c and the internal circuit 4. 5c and 5d are respectively arranged.
  • the sensor element 21 includes a detection unit 23 and a bonding pad 30b, and is electrically connected by connecting the bonding pad 30b to the bonding pad 30a of the LSI 20 via the bonding wire 31.
  • the temperature sensor 22 has a thermistor 24 and a bonding pad 30d, and is electrically connected by connecting the bonding pad 30d to the bonding pad 30c of the LSI 20 via the bonding wire 31.
  • the protection circuit 5 is formed on the insulating film 103 provided on the semiconductor substrate 100.
  • the protection circuit 5 includes a resistance element 6 and a capacitance element 7, and the capacitance element 7 includes a low conductivity electrode 7 a and a high conductivity electrode 7 b having different conductivity.
  • the low conductivity electrode 7a having low conductivity is formed using, for example, polycrystalline silicon (Si) having a sheet resistance of 100 ⁇ / ⁇
  • the high conductivity electrode 7b having high conductivity is, for example, a sheet resistance of 10 ⁇ /
  • the metal silicide is formed using ⁇ .
  • the low conductive electrode 7a is electrically connected to the power supply terminal 2a, the sensor output terminal 2b, the external terminal 2 such as the bonding pad 30c and the internal circuit 4, and the high conductive electrode 7b having high conductivity is electrically connected to the ground terminal 3. Connect.
  • the low-conductivity electrode 7a has a first connection region 8a and a second connection region 8b that are spaced apart from each other.
  • the low-conductivity electrode 7a is electrically connected to the external terminal 2 in the first connection region 8a and the internal circuit 4 in the second connection region 8b. Conducted with.
  • the resistance element 6 is formed using, for example, metal silicide, and the wiring 10 that electrically connects each element is formed using, for example, aluminum (Al).
  • the wiring 10 that electrically connects each element is formed using, for example, aluminum (Al).
  • a plurality of contacts 11 are provided at the connection portion between the wiring 10 and the resistor element 6 and the capacitor element 7 to ensure electrical connection.
  • the equivalent circuit of the protection circuit 5 in the flow sensor device according to the first embodiment is the circuit shown in FIG.
  • the element constants of the resistive element 6 (Rf) and the capacitive element 7 (Cf) and the parasitic components R1 to R8 and L1 to L8 in the equivalent circuit are as follows.
  • Rcf1 to Rcf8 are the resistances of the electrodes of the capacitive element 7 (Cf)
  • Cf1 to Cf5 are the capacitances of the capacitive element 7 (Cf).
  • the value of the parasitic component is determined by the shape and physical properties of the wiring and elements, and is not limited to the values shown below. In this report, the following constant values are used for ease of explanation. Yes. Resistive element 6 (Rf): 40 ⁇ , capacitive element 7 (Cf): 400 pF, R1 to R8: 1 ⁇ each, L1 to L8: 100 pH each, Rcf1 to Rcf4: 25 ⁇ each, Rcf5 to Rcf8: 2.5 ⁇ each, Cf1 to Cf5: 80pF each
  • the first effect is that the low conductive electrode 7a secures conduction with the external terminal 2 in the first connection region 8a, and conduction with the internal circuit 4 in the second connection region 8b.
  • R2 to R3 and L2 to L3 behave as protective impedances 200. That is, the time constant determined from the protection impedance 200 and the capacitive element 7 (Cf) is increased, and the protection circuit 5 can further attenuate the noise.
  • the second action is an action in which Rcf1 to Rcf4 behave as the protective impedance 200 by providing the first connection region 8a and the second connection region 8b apart from each other. Accordingly, the time constant determined from the protection impedance 200 and the capacitive element 7 (Cf) is increased, and the protection circuit 5 can further attenuate the noise.
  • the third action is an action in which the harmful impedance 201 caused by Rcf5 to Rcf8 is reduced by electrically connecting the high conductive electrode 7b to the ground terminal 3. That is, there is an effect of reducing an obstacle when noise is passed to the ground terminal 3, and the protection circuit 5 can further attenuate the noise.
  • the fourth action is an action in which Rcf1 to Rcf4 have a larger value and the protective impedance 200 is increased by electrically connecting the low conductive electrode 7a to the external terminal 2 and the internal circuit 4. Accordingly, the time constant determined from the protection impedance 200 and the capacitive element 7 (Cf) is increased, and the protection circuit 5 can further attenuate the noise.
  • FIG. 16C is a Bode diagram in the case where the external terminal 2 in FIG. 15 is an input and an intermediate point between L6 and the internal circuit is an output.
  • FIG. 16C shows that the protection circuit 5 in the first embodiment has characteristics superior to those of the conventional protection circuit 5 in a frequency band of about 2 MHz or more. Further, according to FIG. 16 (d), the protection circuit 5 in the reference example has characteristics superior to those of the conventional protection circuit 5 characteristics in a frequency band of about 20 MHz or more, and in particular, a band of 2 MHz to 1 GHz. Then, it turns out that there is no improvement effect like the protection circuit 5 in 1st Example.
  • FIG. 17 shows an output waveform when a similar sine wave signal (60 MHz, amplitude ⁇ 1 V) simulating high frequency noise is applied to the protection circuit 5 in the first embodiment and the conventional protection circuit 5.
  • FIG. 17 shows that the protection circuit 5 in the first embodiment further attenuates the noise.
  • the first advantage is that the low-conductivity electrode 7a is electrically connected to the external terminal 2 and the internal circuit 4, and the high-conductivity electrode 7b is electrically connected to the ground terminal 3, whereby the high-frequency characteristics of the protection circuit 5 are obtained. It is a point that can secure a large room for improvement.
  • the room here corresponds to, for example, the difference between FIGS. 16A and 16C in the flow sensor device according to the first embodiment.
  • the second advantage is that the protection circuit 5 can further attenuate noise due to the first action.
  • the third advantage is that the protection circuit 5 can further attenuate noise by the second action.
  • the fourth advantage is that the protection circuit 5 can further attenuate the noise by the third action.
  • the fifth advantage is that the protection circuit 5 can further attenuate the noise by the fourth action.
  • the sixth advantage is that the filter characteristics can be improved while avoiding an increase in the design process because the calculation as disclosed in Patent Document 1 is not required.
  • the physical arrangement of the protection circuit 5 is not particularly limited between the external terminal 2 and the internal circuit 4, and the signal What is necessary is just to take the structure which reaches
  • the electrode material used for the low conductive electrode 7a and the high conductive electrode 7b may be the same, and the electrical conductivity of the low conductive electrode 7a is relatively lower than the electrical conductivity of the high conductive electrode 7b. If it is done.
  • the resistance element 6 does not have to be a material different from the material for forming the wiring 10 and the capacitor element 7.
  • the resistance element 6 in FIG. 1 may be realized by forming the wiring 10 narrowly.
  • the wiring 10 may be designed to be long and the parasitic resistance component of the wiring 10 may be used as the resistance element 6.
  • the capacitive element 7 does not have to be a material different from the material forming the wiring 10 and the resistance element 6.
  • the capacitive element 7 in FIG. 1 may be realized by forming the wiring 10 wide, Two-layer wiring may be opposed to each other, and the capacitance between the wirings may be used as the capacitor element 7.
  • FIG. 2 is a layout diagram of the protection circuit 5 in the flow sensor device according to the second embodiment.
  • the same components as those in the previous embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
  • the first connection region 8a and the second connection region 8b extend toward the other region.
  • the extending portion 9 is provided.
  • the first to third actions are the same as the first, third, and fourth actions in the first embodiment.
  • the fourth effect is that the first connection region 8a and the second connection region 8b have the extending portion 9 extending toward the other region, so that the low conductive electrode 7a and the high conductive electrode can be used even in the high frequency band. This is an operation in which a substantially uniform electric field is formed between 7b and 7b.
  • the first to fifth advantages are the same as the first, second, fourth, fifth and sixth advantages in the first embodiment.
  • the sixth advantage is that the circuit operation of the protection circuit 5 can be brought close to the operation of the lumped constant circuit by the fourth action. That is, the advantages 1 to 5 can be enjoyed in a wider band.
  • FIG. 3 is a layout diagram of the protection circuit 5 in the flow sensor device according to the third embodiment.
  • the same components as those in the previous embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
  • the flow sensor device according to the third embodiment of the present invention is formed in the same layer as the low-conductive electrode 7a in place of the resistance element of the flow sensor device according to the first embodiment, and communicates with the low-conductive electrode 7a. It has the resistance element 6 formed in this way.
  • the first to fourth actions are the same as those in the first embodiment.
  • the fifth effect is that the resistive element 6 is formed in the same layer as the low conductive electrode 7a and is connected to the low conductive electrode 7a, so that the heat dissipation area and the heat capacity of the resistive element 6 are increased.
  • the allowable loss of the resistance element 6 can be improved.
  • a seventh advantage is that the fusing of the resistance element 6 due to Joule heat can be suppressed by the fifth action, so that the reliability of the protection circuit 5 can be enhanced.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of the protection circuit 5 in the flow sensor device according to the fourth embodiment.
  • the same components as those in the previous embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
  • the resistance element 6 of the flow sensor device according to the third embodiment is formed on the field oxide film 101, and part or all of the capacitive element 7 is formed on the gate insulating film 102. It is arranged above.
  • the first to fifth actions are the same as the actions in the third embodiment.
  • the sixth effect is that since the resistance element 6 is formed on the field oxide film 101, the insulation film breakdown between the resistance element 6 and the semiconductor substrate 100 can be suppressed.
  • the seventh effect is that a part or the whole of the capacitive element 7 is disposed on the gate insulating film 102, so that the capacitance between the low conductive electrode 7a and the semiconductor substrate 100 is increased, and the low conductive electrode 7a. There is an effect that the effective capacitance between the voltage and the ground potential is increased. Accordingly, the time constant determined from the protection impedance 200 and the capacitive element 7 (Cf) is increased, and the protection circuit 5 can further attenuate the noise.
  • the eighth advantage is that the sixth action can suppress breakdown of the insulating film between the resistance element 6 and the semiconductor substrate 100 and improve the reliability of the protection circuit 5.
  • a ninth advantage is that the protection circuit 5 can further attenuate noise by the seventh action.
  • FIG. 5 is a layout diagram of the protection circuit 5 in the flow sensor device according to the fifth embodiment.
  • the same components as those in the previous embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
  • the flow sensor device according to the fifth embodiment of the present invention is characterized in that a clamp element 12 is provided between the resistance element 6 and the capacitive element 7 of the flow sensor device according to the third embodiment.
  • the first to fifth actions are the same as the actions in the third embodiment.
  • the sixth effect is that the allowable loss of the resistance element 6 is improved by the fifth action, so that the current can be limited using the resistance element 6 even when an overvoltage such as electrostatic discharge or surge pulse is applied. Therefore, the clamp element 12 provided between the resistance element 6 and the capacitive element 7 can be reduced in size.
  • the eighth advantage is that the clamp element 12 can be reduced in size by the sixth action, which contributes to a reduction in the chip area of the integrated circuit.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of the protection circuit 5 in the flow sensor device according to the sixth embodiment.
  • the same components as those in the previous embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
  • the flow sensor device according to the sixth embodiment of the present invention is characterized in that the low conductive electrode 7a of the flow sensor device according to the first embodiment is formed in the impurity diffusion region 13 formed in the semiconductor substrate 100.
  • the first to fourth actions are the same as those in the first embodiment.
  • the fifth effect is that by forming the low conductive electrode 7a in the impurity diffusion region 13, the resistances Rcf1 to Rcf4 of the low conductive electrode 7a can be further increased. Accordingly, the time constant determined from the protection impedance 200 and the capacitive element 7 (Cf) is increased, and the protection circuit 5 can further attenuate the noise.
  • the seventh advantage is that the protection circuit 5 can further attenuate the noise by the fifth action.
  • FIG. 7 is an AA ′ sectional view of the protection circuit 5 in the flow sensor device according to the seventh embodiment.
  • the same components as those in the previous embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
  • the flow sensor device according to the seventh embodiment of the present invention is characterized in that the low conductive electrode 7a of the flow sensor device according to the third embodiment is formed on the semiconductor substrate 100 side from the high conductive electrode 7b.
  • the first to fifth actions are the same as the actions in the third embodiment.
  • the sixth effect is that the low conductive electrode 7a is formed on the side of the semiconductor substrate 100 from the high conductive electrode 7b, so that the low conductive electrode 7a is sandwiched between electromagnetic shields composed of the high conductive electrode 7b and the semiconductor substrate 100. Therefore, the influence of noise from the low conductive electrode 7a to the peripheral circuit is suppressed.
  • the eighth advantage is that a signal line or the like can be provided immediately above the capacitive element 7 because the influence of noise from the low conductive electrode 7a can be suppressed by the sixth action.
  • FIG. 8 is a layout diagram of the protection circuit 5 in the flow sensor device according to the eighth embodiment.
  • the same components as those in the previous embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
  • the flow sensor device according to the eighth embodiment of the present invention is characterized in that a spiral conductor is formed as the resistance element 6 in the flow sensor device according to the first embodiment.
  • the first to fourth actions are the same as those in the first embodiment.
  • the fifth effect is that since a spiral conductor is used for the resistance element 6, the self-inductance of the resistance element 6 itself increases, so that the time constant determined from the protective impedance 200 and the capacitive element 7 (Cf) increases.
  • the protection circuit 5 can further attenuate the noise.
  • the seventh advantage is that the protection circuit 5 can further attenuate the noise by the fifth action.
  • FIG. 9 is a layout diagram of the protection circuit 5 in the flow sensor device according to the ninth embodiment.
  • the same components as those in the previous embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
  • the flow sensor device is characterized in that comb-shaped electrode pairs are formed so as to face each other as the capacitive element 7 in the flow sensor device according to the first embodiment.
  • the low conductive electrode 7a and the high conductive electrode 7b are both formed of an aluminum wiring material.
  • the wiring width of the low conductive electrode 7a is narrower than the wiring width of the high conductive electrode 7b, and the conductivity is relatively low.
  • the first to fourth actions are the same as those in the first embodiment.
  • the fifth function is that the distance between the low conductive electrode 7a and the high conductive electrode 7b does not depend on the correlation insulating film thickness. Therefore, the capacity of the capacitive element 7 can be controlled according to the distance between the low conductive electrode 7a and the high conductive electrode 7b, and the capacity of the capacitive element 7 can be increased. Accordingly, the time constant determined from the protection impedance 200 and the capacitive element 7 (Cf) is increased, and the protection circuit 5 can further attenuate the noise.
  • the sixth effect is that both the low-conductivity electrode 7a and the high-conductivity electrode 7b are formed of an aluminum wiring material, so that the resistance of the capacitive element 7 among the parasitic components between the capacitive element 7 and the ground terminal 3 is Parasitic resistance due to Rcf1 to Rcf8 is reduced.
  • the protection circuit 5 can further attenuate the noise.
  • the seventh advantage is that the protection circuit 5 can further attenuate noise by the fifth action.
  • the eighth advantage is that the protection circuit 5 can further attenuate noise by the sixth action.
  • FIG. 10 is a layout diagram of the protection circuit 5 in the flow sensor device according to the tenth embodiment.
  • the same components as those in the previous embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
  • the flow sensor device includes a meander-shaped low conductive electrode 7a instead of the comb-shaped low conductive electrode 7a in the capacitive element 7 of the flow sensor device according to the ninth embodiment.
  • the tooth electrodes 15 of the high conductivity electrode 7b having a comb shape are arranged between the lines of the formed low mean conductivity electrodes 7a.
  • both the low conductive electrode 7a and the high conductive electrode 7b are formed of an aluminum wiring material.
  • the wiring width of the low conductive electrode 7a is narrower than the wiring width of the electrode base 14 of the high conductive electrode 7b, and the conductivity is relatively low.
  • the first to sixth actions are the same as those in the ninth embodiment.
  • the seventh function is that the resistances Rcf1 to Rcf4 of the low conductive electrode 7a can be increased by forming the meander-shaped low conductive electrode 7a. That is, the time constant determined from the protective impedance 200 and the capacitive element 7 (Cf) increases, and the protective circuit 5 can further attenuate the noise.
  • the ninth advantage is that the protection circuit 5 can further attenuate noise by the seventh action.
  • FIG. 11 is a layout diagram of the protection circuit 5 in the flow sensor device according to the eleventh embodiment.
  • the same components as those in the previous embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
  • the flow sensor device according to the eleventh embodiment of the present invention is configured such that each tip portion of the tooth electrode 15 of the highly conductive electrode 7b having a comb shape of the flow sensor device according to the tenth embodiment is different from the electrode base portion 14. It is characterized by electrical connection.
  • the first to seventh actions are the same as those in the tenth embodiment.
  • the eighth effect is that the tips of the tooth electrodes 15 of the highly conductive electrode 7b having a comb shape are electrically connected through a path different from that of the electrode base 14, thereby causing the resistances Rcf5 to Rcf5 of the highly conductive electrode 7b. Rcf8 can be further reduced. That is, since the parasitic component that becomes an obstacle when noise passes through the ground terminal 3 is reduced, the protection circuit 5 can further attenuate the noise.
  • the tenth advantage is that the protection circuit 5 can further attenuate noise by the eighth action.
  • FIG. 12 is a layout diagram of the protection circuit 5 in the flow sensor device according to the twelfth embodiment.
  • the same components as those in the previous embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
  • the flow sensor device includes, in addition to the configuration of the flow sensor device according to the third embodiment, a rectifying element 16 and a protective resistor 17 provided between the external terminal 2 and the ground terminal 3, and a capacitance.
  • a switch element 18 for controlling the connection state between the element 7 and the internal circuit 4 is provided.
  • the switch element 18 is connected to the capacitive element 7 and the internal circuit 4 based on the potential at the end of the protective resistor 17 on the rectifying element 16 side. It is characterized by controlling.
  • the first to fifth actions are the same as the actions in the third embodiment.
  • the sixth effect is that when an overvoltage higher than the breakdown voltage of the rectifying element 16 is applied to the external terminal 2, the switch element 18 disconnects the connection between the capacitive element 7 and the internal circuit 4, and thus the internal circuit 4 is destroyed by the overvoltage. Can be prevented.
  • the eighth advantage is that the reliability of the flow sensor device can be improved because the destruction of the internal circuit 4 due to overvoltage can be prevented by the sixth action.
  • the performance of the protection circuit 5 can be improved while avoiding an increase in the design process.
  • the protective circuit 5 integrated on the semiconductor substrate exhibits an excellent effect.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

　本発明の目的は、検出精度を向上したセンサ装置を提供すること。　外部の装置が接続される外部端子２と、グラウンドと接地される接地端子３と、センサ出力信号を生成する内部回路４と、前記外部端子と前記内部回路との間に設けた抵抗素子６および容量素子７とからなる保護回路５と、を有するセンサ装置において、前記容量素子は、互いに異なる導電率を有する電極対から構成されており、前記電極対のうち一方よりも低い導電率を有する低導電性電極７ａを前記外部端子および前記内部回路に接続した。

Description

センサ装置
　本発明は物理量を検出するセンサ装置に係り、特に、車載用途のフローセンサや圧力センサ，加速度センサ，角速度センサ等の物理量を検出するセンサ装置に関する。
　近年、自動車の燃費改善や安全性の向上のため、フローセンサや圧力センサ，加速度センサ，角速度センサなどの様々なセンサ装置が利用されている。これらのセンサ装置には優れた検出精度と高い動作信頼性が求められる。一方、周辺装置のエレクトロニクス化が進んでおりセンサ装置の電磁ノイズ環境は年々厳しいものとなっている。
　電磁ノイズ対策としては、これまでリード部品や面実装部品などで構成したローパスフィルタや貫通コンデンサなどの保護回路を利用していたが、保護回路を構成するための部品費・組立費用が増加しコスト増加を招いていた。
　そのため近年では、保護回路を半導体基板上に集積化してノイズ対策を行っていた。
　しかしながら、集積化された保護回路は配線や素子に抵抗や容量などの寄生成分が生じやすく、期待したノイズ遮断特性が得られないという課題があった。
　以下に課題の一例を示す。
　図１３は本発明適用以前の保護回路のレイアウト図の一例を示し、図１４は図１３に示す保護回路の等価回路を示す。
　図１３に示す保護回路は、外部端子２と内部回路４との間に設けた抵抗素子６と容量素子７からなる保護回路５と接地端子３とを有している。
　図１４に示す等価回路は抵抗素子６（Ｒｆ）と容量素子７（Ｃｆ）に加え、配線による寄生抵抗Ｒ１～Ｒ７および寄生インダクタンスＬ１～Ｌ７を含む。図１４に示す保護回路の抵抗素子６（Ｒｆ）および容量素子７（Ｃｆ）の素子定数、また寄生成分Ｒ１～Ｒ７，Ｌ１～Ｌ７に用いた値は以下に示す通りである。尚、寄生成分の値は配線および素子の形状や物性等から決まる値をとるため、下記に示す値に限定されるものではないが、本報では説明を容易にするため一定の値としている。
　
抵抗素子６（Ｒｆ）：４０Ω、容量素子７（Ｃｆ）：４００ｐＦ、Ｒ１～Ｒ７：各１Ω、Ｌ１～Ｌ７：各１００ｐＨ
　
　図１４に示す保護回路において外部端子２を入力とし、寄生インダクタンスＬ６と内部回路４との中間点を出力とした場合のＢｏｄｅ線図を図１６（ａ）に示し、比較のため寄生成分がない理想的な保護回路におけるＢｏｄｅ線図を図１６（ｂ）に示す。寄生成分がない理想的な保護回路とは、具体的には、図１４において以下の素子定数を有する保護回路である。
　
抵抗素子６（Ｒｆ）：４０Ω、容量素子７（Ｃｆ）：４００ｐＦ、Ｒ１～Ｒ７：各０Ω、Ｌ１～Ｌ７：各０Ｈ
　
　図１６（ａ）及び（ｂ）によれば、図１４に示す保護回路は理想的な保護回路とは異なる周波数特性を示す。具体的には、およそ２０ＭＨｚ以上の帯域で理想的な保護回路との特性差が顕在化し、最もノイズ減衰効果を得られる１ＧＨｚ付近でも約－１７ｄＢ程度のノイズ減衰効果しか得られていない。
　これまでの検討によれば、図１４に示す保護回路と理想的な保護回路との周波数特性差の主要因は寄生成分Ｒ３～Ｒ５およびＬ３～Ｌ５からなる有害インピーダンス２０１である事が分かっている。
　尚、以下では有害インピーダンス２０１をノイズが接地端子３に抜ける際の障害となる寄生抵抗および寄生インダクタンスの総称として扱い、保護インピーダンス２００を抵抗素子６および容量素子７から定まる保護回路５の時定数を大きくする寄生抵抗および寄生インダクタンスの総称として扱う事とする。
　有害インピーダンス２０１のない理想的な保護回路の場合、図１４におけるＡ点～接地端子３間には容量素子７（Ｃｆ）のみ存在するので、Ａ点～接地端子３間のインピーダンスＺｃｆはＺｃｆ［Ω］＝１÷（２×π×ｆ［Ｈｚ］×Ｃｆ［Ｆ］）で与えられ、周波数ｆ［Ｈｚ］に反比例する。従って、高周波となるほどＺｃｆは小さくなりノイズが接地端子３に抜けやすくなる。
　しかし、有害インピーダンス２０１がある場合、図１４におけるＡ点～接地端子３間には容量素子７（Ｃｆ）に加え、有害インピーダンス２０１が存在するので、Ａ点～接地端子３間のインピーダンスＺｃｆはＺｃｆ［Ω］＝１÷（２×π×ｆ［Ｈｚ］×Ｃｆ［Ｆ］）＋（２×π×ｆ［Ｈｚ］×（Ｌ３＋Ｌ４＋Ｌ５）［Ｈ］）＋（Ｒ３＋Ｒ４＋Ｒ５）で与えられる。即ち、周波数ｆ［Ｈｚ］に反比例する項と比例する項と相関のない項があり、周波数ｆｃ以上では第２項が支配的となるため高周波になるほどＺｃｆは大きくなり、ノイズが接地端子３に抜けにくくなる。
　尚、ここで周波数ｆｃはｆｃ［Ｈｚ］＝１÷（２×π×（（Ｌ３＋Ｌ４＋Ｌ５）［Ｈ］×Ｃｆ［Ｆ］）０.５）で与えられる。
　これに鑑みて、上記有害インピーダンス２０１を実質的に低減し保護回路のノイズ遮断特性を改善する技術が特許文献１に開示されている。
　特許文献１に開示される技術は、特許文献１における語句を引用すると、集積回路内の電源パッドと内部回路との間に抵抗とキャパシタからなるローパスフィルタを設け、電源パッドとキャパシタとを接続する配線の寄生抵抗成分Ｒａと寄生インダクタンス成分Ｌａに起因する寄生インピーダンスＺａ、キャパシタと接地パッドを接続する配線の寄生抵抗成分Ｒｋと寄生インダクタンス成分Ｌｋに起因する寄生インピーダンスＺｋ、およびキャパシタの容量成分に起因するインピーダンスＺｃが、カットするべき電磁ノイズの周波数帯において常に、［Ｚａ＋Ｚｋ＜Ｚｃ］の関係式を満たす様に配線の長さと幅を選択する事を特徴としている。また、Ｚａ，Ｚｋを求める手段として、配線長や配線幅，配線厚み等の寸法情報から寄生インダクタンスを算出するための算出式が開示されている。
　そして、この特許文献１に開示される技術によれば、キャパシタのインピーダンスに影響を与えないように、電源パッドとキャパシタとを接続する配線に寄生するインピーダンスと、接地パッドとキャパシタとを接続する配線に寄生するインピーダンスをともに低減させ、ノイズをグランドに逃がす効果を改善できるとある。
特開２００６－３１０６５８号公報
　しかしながら、集積化された回路における配線の寄生インダクタンスは配線の寸法以外に配線のレイアウトにも影響を受けるため、特許文献１に開示された算出式から正確な寄生インダクタンスを求めることは困難であり、回路修正の度に寄生成分を算出して配線の寸法やレイアウトを調整すると設計工程の増大を招くため迅速な設計ができないという課題がある。また、特許文献１においては容量素子の各電極に寄生する抵抗に関する考慮はなされていない。
　本発明の目的は、検出精度を向上したセンサ装置を提供することにある。
　上記課題を解決するために、外部の装置が接続される外部端子と、グラウンドと接地される接地端子と、センサ出力信号を生成する内部回路と、前記外部端子と前記内部回路との間に設けた抵抗素子および容量素子とからなる保護回路と、を有するセンサ装置において、前記容量素子は、互いに異なる導電率を有する電極対から構成されており、前記電極対のうち一方よりも低い導電率を有する低導電性電極を前記外部端子および前記内部回路に接続した。
　本発明によれば、検出精度を向上したセンサ装置を提供できる。
第１の実施例における保護回路のレイアウト図及びＡ－Ａ′断面図。 第２の実施例における保護回路のレイアウト図。 第３の実施例における保護回路のレイアウト図。 第４の実施例における保護回路のＡ－Ａ′断面図。 第５の実施例における保護回路のレイアウト図。 第６の実施例における保護回路のＡ－Ａ′断面図。 第７の実施例における保護回路のＡ－Ａ′断面図。 第８の実施例における保護回路のレイアウト図。 第９の実施例における保護回路のレイアウト図。 第１０の実施例における保護回路のレイアウト図。 第１１の実施例における保護回路のレイアウト図。 第１２の実施例における保護回路のレイアウト図。 本発明適用以前の保護回路のレイアウト図。 本発明適用以前の保護回路の等価回路。 第１の実施例における保護回路の等価回路。 第１の実施例および本発明適用以前の保護回路のボード線図。 第１の実施例および本発明適用以前の保護回路の出力波形。 フローセンサ装置の構成概略図。
　発明者の検討によれば、図１４に示す保護回路と理想的な保護回路との周波数特性差の要因は寄生成分Ｒ３～Ｒ５およびＬ３～Ｌ５に加えて、容量素子７（Ｃｆ）の各電極に寄生する抵抗も含まれる事を見出した。以下、本発明を実施するための形態について説明する。尚、以下では本発明を車載向けフローセンサ装置に適用した例により説明するが、本発明は車載向けフローセンサ装置に限定されるものではなく、他の圧力センサ，加速度センサ，角速度センサ等の物理量を検出するセンサ装置に広く一般的に適用できるものである。
〔第１実施例〕
　本発明の第１実施例をなすフローセンサ装置を、図１及び図１４～図１８を用いて説明する。
　まず、第１実施例をなすフローセンサ装置の構成について図１８を用いて説明する。
　本発明の第１実施例をなすフローセンサ装置１は、ＬＳＩ２０とセンサ素子２１と温度センサ２２とにより構成する。ＬＳＩ２０は電源端子２ａとセンサ出力端子２ｂと接地端子３により外部の装置と接続する。また、ＬＳＩ２０はセンサ素子２１および温度センサ２２から取得した信号を処理しセンサ出力信号を生成する内部回路４と、外部から侵入するノイズから内部回路４を保護する保護回路５（５ａ～５ｄ）とを有し、電源端子２ａと内部回路４との間に保護回路５ａを、センサ出力端子２ｂと内部回路４との間に保護回路５ｂを、ボンディングパッド３０ｃと内部回路４との間に保護回路５ｃ，５ｄをそれぞれ配置する。
　センサ素子２１は検出部２３とボンディングパッド３０ｂとを有し、ボンディングパッド３０ｂからボンディングワイヤ３１を介してＬＳＩ２０のボンディングパッド３０ａに接続することで電気的に接続される。
　温度センサ２２はサーミスタ２４とボンディングパッド３０ｄとを有し、ボンディングパッド３０ｄからボンディングワイヤ３１を介してＬＳＩ２０のボンディングパッド３０ｃに接続することで電気的に接続される。
　続いて、第１実施例をなすフローセンサ装置の保護回路５の構成について図１を用いて説明する。
　保護回路５は半導体基板１００上に設けた絶縁膜１０３上に形成する。
　保護回路５は抵抗素子６と容量素子７とを有し、容量素子７は互いに異なる導電性を有する低導電性電極７ａおよび高導電性電極７ｂにより構成する。
　低い導電性を有する低導電性電極７ａは、例えばシート抵抗が１００Ω／□の多結晶シリコン（Ｓｉ）を用いて形成し、高い導電性を有する高導電性電極７ｂは、例えばシート抵抗が１０Ω／□の金属シリサイドを用いて形成する。
　低導電性電極７ａは電源端子２ａまたはセンサ出力端子２ｂまたはボンディングパッド３０ｃ等の外部端子２ならびに内部回路４と電気的に接続し、高い導電性を有する高導電性電極７ｂは接地端子３と電気的に接続する。
　また、低導電性電極７ａは互いに離隔した第１接続領域８ａおよび第２接続領域８ｂを有しており、第１接続領域８ａにおいて外部端子２と導通し、第２接続領域８ｂにおいて内部回路４と導通する。
　抵抗素子６は例えば金属シリサイドを用いて形成し、各素子を電気的に接続する配線１０は例えばアルミニウム（Ａｌ）を用いて形成する。また、配線１０と抵抗素子６および容量素子７との接続部においては複数のコンタクト１１を設けて電気的な接続を確保する。
　以上に述べた構成をとることにより、第１実施例をなすフローセンサ装置における保護回路５の等価回路は図１５に示す回路となる。
　等価回路における抵抗素子６（Ｒｆ）および容量素子７（Ｃｆ）の素子定数、また寄生成分Ｒ１～Ｒ８，Ｌ１～Ｌ８は以下の通りとなる。尚、Ｒｃｆ１～Ｒｃｆ８は容量素子７（Ｃｆ）の電極の抵抗であり、Ｃｆ１～Ｃｆ５は容量素子７（Ｃｆ）の容量を示す。
　尚、寄生成分の値は配線および素子の形状や物性等から決まる値をとるため、下記に示す値に限定されるものではないが、本報では説明を容易にするため下記の一定の値としている。
　
抵抗素子６（Ｒｆ）：４０Ω、容量素子７（Ｃｆ）：４００ｐＦ、Ｒ１～Ｒ８：各１Ω、Ｌ１～Ｌ８：各１００ｐＨ、Ｒｃｆ１～Ｒｃｆ４：各２５Ω、Ｒｃｆ５～Ｒｃｆ８：各２.５Ω、Ｃｆ１～Ｃｆ５：各８０ｐＦ
　
　次に、第１実施例をなすフローセンサ装置の作用について説明する。
　第１の作用は、図１（ａ）に示されるように低導電性電極７ａが第１接続領域８ａにおいて外部端子２との導通を確保し、第２接続領域８ｂにおいて内部回路４との導通を確保することで、Ｒ２～Ｒ３およびＬ２～Ｌ３が保護インピーダンス２００として振る舞う作用である。すなわち、保護インピーダンス２００および容量素子７（Ｃｆ）から定まる時定数が大きくなり、保護回路５はノイズをより一層減衰できる様になる。
　第２の作用は、第１接続領域８ａと第２接続領域８ｂとを離隔して設けることにより、Ｒｃｆ１～Ｒｃｆ４が保護インピーダンス２００として振る舞う作用である。従って、保護インピーダンス２００および容量素子７（Ｃｆ）から定まる時定数が大きくなり、保護回路５はノイズをより一層減衰できる様になる。
　第３の作用は、高導電性電極７ｂを接地端子３と電気的に接続することにより、Ｒｃｆ５～Ｒｃｆ８に起因する有害インピーダンス２０１が低減する作用である。即ち、ノイズが接地端子３に抜ける際の障害を低減する効果があり保護回路５はノイズをより一層減衰できる様になる。
　第４の作用は、低導電性電極７ａを外部端子２および内部回路４と電気的に接続することにより、Ｒｃｆ１～Ｒｃｆ４がより大きい値になり、保護インピーダンス２００が増加する作用である。従って、保護インピーダンス２００および容量素子７（Ｃｆ）から定まる時定数が大きくなり、保護回路５はノイズをより一層減衰できる様になる。
　第１実施例をなすフローセンサ装置は上記第１～第４の作用により図１６（ｃ）に示す周波数特性を示す。尚、図１６（ｃ）は図１５における外部端子２を入力とし、Ｌ６と内部回路との中間点を出力とした場合のＢｏｄｅ線図である。
　また、比較のため図１５において低導電性電極７ａと高導電性電極７ｂの導電率が逆である場合に、外部端子を入力とし、寄生インダクタンスＬ６と内部回路との中間点を出力とした場合のＢｏｄｅ線図を図１６（ｄ）に示す。具体的には、Ｒｃｆ１～Ｒｃｆ４：各２.５Ω、Ｒｃｆ５～Ｒｃｆ８：各２５Ωの場合である。
　図１６（ｃ）によれば、第１実施例における保護回路５は約２ＭＨｚ以上の周波数帯において、従来の保護回路５特性より優れた特性を有していることが分かる。また、図１６（ｄ）によれば、参考例における保護回路５は、約２０ＭＨｚ以上の周波数帯において、従来の保護回路５特性より優れた特性を有しているが、特に２ＭＨｚ～１ＧＨｚの帯域では第１実施例における保護回路５ほどの改善効果がないことが分かる。
　図１７には第１実施例における保護回路５と従来の保護回路５に対し、高周波ノイズを模擬した同様の正弦波信号（６０ＭＨｚ，振幅±１Ｖ）を与えた際の出力波形を示す。
　図１７によれば、第１実施例における保護回路５の方がより一層ノイズを減衰していることが分かる。
　以上を踏まえ、第１実施例をなすフローセンサ装置の利点について説明する。
　第１の利点は、低導電性電極７ａを外部端子２および内部回路４と電気的に接続し、高導電性電極７ｂを接地端子３と電気的に接続することにより、保護回路５の高周波特性の改善余地をより大きく確保できる点である。ここでの余地とは、例えば第１実施例をなすフローセンサ装置において、図１６（ａ）と（ｃ）との差に相当する。
　第２の利点は、前記第１の作用により、保護回路５がノイズをより一層減衰できる点である。
　第３の利点は、前記第２の作用により、保護回路５がノイズをより一層減衰できる点である。
　第４の利点は、前記第３の作用により、保護回路５がノイズをより一層減衰できる点である。
　第５の利点は、前記第４の作用により、保護回路５がノイズをより一層減衰できる点である。
　第６の利点は、特許文献１に開示される様な計算を必要としないため、設計工程の増大を避けつつフィルタ特性を改善できる点である。
　尚、第１実施例に代表される本発明技術を適用したフローセンサ装置においては、保護回路５の物理的配置は特に外部端子２と内部回路４との間に限定されるものではなく、信号経路として外部端子２から保護回路５を介して内部回路４に到達する構成をとっていれば良い。
　また、低導電性電極７ａおよび高導電性電極７ｂに用いる電極材料は同一でも良く、低導電性電極７ａの電気伝導率が高導電性電極７ｂの電気伝導率よりも相対的に低いことが満足される場合であれば良い。
　また、抵抗素子６は配線１０や容量素子７を形成する材料と異なる素材である必要はなく、例えば、図１における抵抗素子６は配線１０を幅狭に造形することで実現しても良いし、配線１０を長く設計して配線１０の寄生抵抗成分を抵抗素子６として利用しても良い。
　また、容量素子７は配線１０や抵抗素子６を形成する材料と異なる素材である必要はなく、例えば、図１における容量素子７は配線１０を幅広に造形することで実現しても良いし、２層の配線を対向させて配線間容量を容量素子７として利用しても良い。
〔第２実施例〕
　次に、本発明の第２実施例をなすフローセンサ装置を、図２を用いて説明する。図２は第２の実施例をなすフローセンサ装置における保護回路５のレイアウト図である。先の実施例と同様の構成については符号を同じくして説明を省略する。
　本発明の第２実施例をなすフローセンサ装置は、第１実施例をなすフローセンサ装置の構成に加えて、第１接続領域８ａおよび第２接続領域８ｂが他方の領域に向かって領域を延伸した延伸部９を設けたことを特徴とする。
　次に、第２実施例をなすフローセンサ装置の作用について説明する。
　第１～３の作用は、第１実施例における第１，３，４の作用と同様である。
　第４の作用は、第１接続領域８ａおよび第２接続領域８ｂが他方の領域に向かって領域を延伸した延伸部９を有することにより、高周波帯においても低導電性電極７ａと高導電性電極７ｂとの間にほぼ均等な電界が形成される作用である。
　次に、第２実施例をなすフローセンサ装置の利点について説明する。
　第１～５の利点は、第１実施例における第１，２，４，５，６の利点と同様である。
　第６の利点は、前記第４の作用により、保護回路５の回路動作を集中定数回路の動作に近づけることができる点である。即ち、より広い帯域で上記第１～５の利点を享受できる。
〔第３実施例〕
　次に、本発明の第３実施例をなすフローセンサ装置を、図３を用いて説明する。図３は第３の実施例をなすフローセンサ装置における保護回路５のレイアウト図である。先の実施例と同様の構成については符号を同じくして説明を省略する。
　本発明の第３実施例をなすフローセンサ装置は、第１実施例をなすフローセンサ装置の抵抗素子に代えて、低導電性電極７ａと同一層に形成され、低導電性電極７ａと連通して形成した抵抗素子６を有することを特徴とする。
　次に、第３実施例をなすフローセンサ装置の作用について説明する。
　第１～４の作用は、第１実施例における作用と同様である。
　第５の作用は、抵抗素子６を低導電性電極７ａと同一層に形成し、且つ低導電性電極７ａと連通して形成しているため、抵抗素子６の放熱面積および熱容量が増大し、抵抗素子６の許容損失を向上することができる。
　次に、第３実施例をなすフローセンサ装置の利点について説明する。
　第１～６の利点は、第１実施例における利点と同様である。
　第７の利点は、前記第５の作用により、ジュール熱による抵抗素子６の溶断を抑制できるため、保護回路５の信頼性を強化できる点である。
〔第４実施例〕
　次に、本発明の第４実施例をなすフローセンサ装置を、図４を用いて説明する。図４は第４の実施例をなすフローセンサ装置における保護回路５のＡ－Ａ′断面図である。先の実施例と同様の構成については符号を同じくして説明を省略する。
　本発明の第４実施例をなすフローセンサ装置は、第３実施例をなすフローセンサ装置の抵抗素子６をフィールド酸化膜１０１上に形成し、容量素子７の一部もしくは全体をゲート絶縁膜１０２上に配置したことを特徴とする。
　次に、第４実施例をなすフローセンサ装置の作用について説明する。
　第１～５の作用は、第３実施例における作用と同様である。
　第６の作用は、抵抗素子６をフィールド酸化膜１０１上に形成しているため、抵抗素子６と半導体基板１００の間の絶縁膜破壊を抑制することができる。
　第７の作用は、容量素子７の一部もしくは全体をゲート絶縁膜１０２上に配置しているため、低導電性電極７ａと半導体基板１００との間の容量を増大させ、低導電性電極７ａと接地電位との実効的な静電容量をより大きい値とする作用がある。従って、保護インピーダンス２００および容量素子７（Ｃｆ）から定まる時定数が大きくなり、保護回路５はノイズをより一層減衰できる様になる。
　次に、第４実施例をなすフローセンサ装置の利点について説明する。
　第１～７の利点は、第３実施例における利点と同様である。
　第８の利点は、前記第６の作用により、抵抗素子６と半導体基板１００の間の絶縁膜破壊を抑制することができ、保護回路５の信頼性を向上できる点である。
　第９の利点は、前記第７の作用により、保護回路５がノイズをより一層減衰できる点である。
〔第５実施例〕
　次に、本発明の第５実施例をなすフローセンサ装置を、図５を用いて説明する。図５は第５の実施例をなすフローセンサ装置における保護回路５のレイアウト図である。先の実施例と同様の構成については符号を同じくして説明を省略する。
　本発明の第５実施例をなすフローセンサ装置は、第３実施例をなすフローセンサ装置の抵抗素子６と容量素子７の間にクランプ素子１２を設けたことを特徴とする。
　次に、第５実施例をなすフローセンサ装置の作用について説明する。
　第１～５の作用は、第３実施例における作用と同様である。
　第６の作用は、前記第５の作用により抵抗素子６の許容損失が向上するため、静電気放電やサージパルス等の過電圧印加された際にも抵抗素子６を用いて電流を制限できる様になるため、抵抗素子６と容量素子７との間に設けたクランプ素子１２を小型化できる。
　次に、第５実施例をなすフローセンサ装置の利点について説明する。
　第１～７の利点は、第３実施例における利点と同様である。
　第８の利点は、前記第６の作用により、クランプ素子１２を小型化でき、集積化回路のチップ面積削減に寄与する点である。
〔第６実施例〕
　次に、本発明の第６実施例をなすフローセンサ装置を、図６を用いて説明する。図６は第６の実施例をなすフローセンサ装置における保護回路５のＡ－Ａ′断面図である。先の実施例と同様の構成については符号を同じくして説明を省略する。
　本発明の第６実施例をなすフローセンサ装置は、第１実施例をなすフローセンサ装置の低導電性電極７ａを半導体基板１００に形成した不純物拡散領域１３に形成したことを特徴とする。
　次に、第６実施例をなすフローセンサ装置の作用について説明する。
　第１～４の作用は、第１実施例における作用と同様である。
　第５の作用は、低導電性電極７ａを不純物拡散領域１３に形成することにより、低導電性電極７ａの抵抗Ｒｃｆ１～Ｒｃｆ４をより一層大きい値にできる。従って、保護インピーダンス２００および容量素子７（Ｃｆ）から定まる時定数が大きくなり、保護回路５はノイズをより一層減衰できる様になる。
　次に、第６実施例をなすフローセンサ装置の利点について説明する。
　第１～６の利点は、第１実施例における利点と同様である。
　第７の利点は、前記第５の作用により、保護回路５がノイズをより一層減衰できる点である。
〔第７実施例〕
　次に、本発明の第７実施例をなすフローセンサ装置を、図７を用いて説明する。図７は第７の実施例をなすフローセンサ装置における保護回路５のＡ－Ａ′断面図である。先の実施例と同様の構成については符号を同じくして説明を省略する。
　本発明の第７実施例をなすフローセンサ装置は、第３実施例をなすフローセンサ装置の低導電性電極７ａを高導電性電極７ｂより半導体基板１００側に形成したことを特徴とする。
　次に、第７実施例をなすフローセンサ装置の作用について説明する。
　第１～５の作用は、第３実施例における作用と同様である。
　第６の作用は、低導電性電極７ａを高導電性電極７ｂより半導体基板１００側に形成することにより、低導電性電極７ａが高導電性電極７ｂおよび半導体基板１００からなる電磁シールドに挟まれるため、低導電性電極７ａから周辺回路へのノイズ影響が抑制される。
　次に、第７実施例をなすフローセンサ装置の利点について説明する。
　第１～７の利点は、第３実施例における利点と同様である。
　第８の利点は、前記第６の作用により、低導電性電極７ａからのノイズ影響を抑制できるため、容量素子７直上に信号線等を設けることができる点である。
〔第８実施例〕
　次に、本発明の第８実施例をなすフローセンサ装置を、図８を用いて説明する。図８は第８の実施例をなすフローセンサ装置における保護回路５のレイアウト図である。先の実施例と同様の構成については符号を同じくして説明を省略する。
　本発明の第８実施例をなすフローセンサ装置は、第１実施例をなすフローセンサ装置における抵抗素子６としてスパイラル形状の導体を形成したことを特徴とする。
　次に、第８実施例をなすフローセンサ装置の作用について説明する。
　第１～４の作用は、第１実施例における作用と同様である。
　第５の作用は、抵抗素子６にスパイラル形状の導体を用いているため、抵抗素子６自体の自己インダクタンスが増大するため、保護インピーダンス２００および容量素子７（Ｃｆ）から定まる時定数が大きくなり、保護回路５はノイズをより一層減衰できる様になる。
　次に、第８実施例をなすフローセンサ装置の利点について説明する。
　第１～６の利点は、第１実施例における利点と同様である。
　第７の利点は、前記第５の作用により、保護回路５がノイズをより一層減衰できる点である。
　尚、スパイラル形状の代わりにソレノイド形状，トロイダル形状、または螺旋形状の導体を用いても同様の効果を得ることができる。
〔第９実施例〕
　次に、本発明の第９実施例をなすフローセンサ装置を、図９を用いて説明する。図９は第９の実施例をなすフローセンサ装置における保護回路５のレイアウト図である。先の実施例と同様の構成については符号を同じくして説明を省略する。
　本発明の第９実施例をなすフローセンサ装置は、第１実施例をなすフローセンサ装置における容量素子７として櫛歯形状の電極対を互いに噛み合う様に対向して形成したことを特徴とする。尚、本実施例において、低導電性電極７ａおよび高導電性電極７ｂは共にアルミニウム配線材にて形成している。但し、低導電性電極７ａの配線幅は高導電性電極７ｂの配線幅よりも細く、相対的に導電率が低い。
　次に、第９実施例をなすフローセンサ装置の作用について説明する。
　第１～４の作用は、第１実施例における作用と同様である。
　第５の作用は、低導電性電極７ａおよび高導電性電極７ｂの電極間距離が相関絶縁膜厚に依存しなくなる点である。そのため、低導電性電極７ａおよび高導電性電極７ｂ間の距離に応じて容量素子７の容量を制御することが可能となり、容量素子７の大容量化が可能となる。従って、保護インピーダンス２００および容量素子７（Ｃｆ）から定まる時定数が大きくなり、保護回路５はノイズをより一層減衰できる様になる。
　第６の作用は、低導電性電極７ａおよび高導電性電極７ｂを共にアルミニウム配線材で形成しているため、容量素子７と接地端子３との間の寄生成分の内、容量素子７の抵抗Ｒｃｆ１～Ｒｃｆ８に起因する寄生抵抗が低減される。即ち、ノイズが接地端子３に抜ける際の障害となる有害インピーダンス２０１が低減する為、保護回路５はノイズをより一層減衰できる。
　次に、第９実施例をなすフローセンサ装置の利点について説明する。
　第１～６の利点は、第１実施例における利点と同様である。
　第７の利点は、前記第５の作用により、保護回路５がノイズをより一層減衰できる様になる点である。
　第８の利点は、前記第６の作用により、保護回路５がノイズをより一層減衰できる点である。
〔第１０実施例〕
　次に、本発明の第１０実施例をなすフローセンサ装置を、図１０を用いて説明する。図１０は第１０の実施例をなすフローセンサ装置における保護回路５のレイアウト図である。先の実施例と同様の構成については符号を同じくして説明を省略する。
　本発明の第１０実施例をなすフローセンサ装置は、第９実施例をなすフローセンサ装置の容量素子７において櫛歯形状の低導電性電極７ａに代えて、メアンダ状の低導電性電極７ａを形成し、メアンダ状の低導電性電極７ａの線間に櫛歯形状からなる高導電性電極７ｂの歯電極１５を各々配置したことを特徴とする。
　尚、本実施例において、低導電性電極７ａおよび高導電性電極７ｂは共にアルミニウム配線材にて形成している。但し、低導電性電極７ａの配線幅は高導電性電極７ｂの電極基部１４の配線幅よりも細く、相対的に導電率が低い。
　次に、第１０実施例をなすフローセンサ装置の作用について説明する。
　第１～６の作用は、第９実施例における作用と同様である。
　第７の作用は、メアンダ状の低導電性電極７ａを形成することにより、低導電性電極７ａの抵抗Ｒｃｆ１～Ｒｃｆ４をより大きい値にできる。即ち、保護インピーダンス２００および容量素子７（Ｃｆ）から定まる時定数が大きくなり、保護回路５はノイズをより一層減衰できる様になる。
　次に、第１０実施例をなすフローセンサ装置の利点について説明する。
　第１～８の利点は、第９実施例における利点と同様である。
　第９の利点は、前記第７の作用により、保護回路５がノイズをより一層減衰できる様になる点である。
〔第１１実施例〕
　次に、本発明の第１１実施例をなすフローセンサ装置を、図１１を用いて説明する。図１１は第１１の実施例をなすフローセンサ装置における保護回路５のレイアウト図である。先の実施例と同様の構成については符号を同じくして説明を省略する。
　本発明の第１１実施例をなすフローセンサ装置は、第１０実施例をなすフローセンサ装置の櫛歯形状からなる高導電性電極７ｂの歯電極１５の各先端部を電極基部１４とは異なる経路で電気的に接続したことを特徴とする。
　次に、第１１実施例をなすフローセンサ装置の作用について説明する。
　第１～７の作用は、第１０実施例における作用と同様である。
　第８の作用は、櫛歯形状からなる高導電性電極７ｂの歯電極１５の各先端部を電極基部１４とは異なる経路で電気的に接続したことにより、高導電性電極７ｂの抵抗Ｒｃｆ５～Ｒｃｆ８をより低減できる。即ち、ノイズが接地端子３に抜ける際の障害となる寄生成分が低減する為、保護回路５はノイズをより一層減衰できる。
　次に、第１１実施例をなすフローセンサ装置の利点について説明する。
　第１～９の利点は、第１０実施例における利点と同様である。
　第１０の利点は、前記第８の作用により、保護回路５がノイズをより一層減衰できる点である。
〔第１２実施例〕
　次に、本発明の第１２実施例をなすフローセンサ装置を、図１２を用いて説明する。図１２は第１２の実施例をなすフローセンサ装置における保護回路５のレイアウト図である。先の実施例と同様の構成については符号を同じくして説明を省略する。
　本発明の第１２実施例をなすフローセンサ装置は、第３実施例をなすフローセンサ装置の構成に加えて、外部端子２と接地端子３間に設けた整流素子１６及び保護抵抗１７と、容量素子７と内部回路４との接続状態を制御するスイッチ素子１８とを設け、スイッチ素子１８は保護抵抗１７の整流素子１６側端部の電位に基づいて容量素子７と内部回路４との接続状態を制御することを特徴とする。
　次に、第１２実施例をなすフローセンサ装置の作用について説明する。
　第１～５の作用は、第３実施例における作用と同様である。
　第６の作用は、外部端子２に整流素子１６の降伏電圧以上の過電圧が印加した場合に、スイッチ素子１８は容量素子７と内部回路４との接続を切り離すため、過電圧による内部回路４の破壊を防止することができる。
　次に、第１２実施例をなすフローセンサ装置の利点について説明する。
　第１～７の利点は、第３実施例における利点と同様である。
　第８の利点は、前記第６の作用により、過電圧による内部回路４の破壊を予防できるため、フローセンサ装置の信頼性を向上できる点である。
　以上に詳述した通り、電磁ノイズを除去または減衰する保護回路５を具備したフローセンサ装置に対して本発明を適用すれば、設計工程の増大を避けつつ保護回路５の性能を改善することが可能となり、特に、半導体基板上に集積化した保護回路５においては優れた効果を発揮する。
１　フローセンサ装置
２　外部端子
２ａ　電源端子
２ｂ　センサ出力端子
３　接地端子
４　内部回路
５，５ａ～５ｄ　保護回路
６　抵抗素子
７　容量素子
７ａ　低導電性電極
７ｂ　高導電性電極
８ａ　第１接続領域
８ｂ　第２接続領域
９　延伸部
１０　配線
１１　コンタクト
１２　クランプ素子
１３　不純物拡散部
１４　電極基部
１５　歯電極
１６　ダイオード素子
１７　保護抵抗
１８　スイッチ素子
１９　ゲート電極
２０　ＬＳＩ
２１　センサ素子
２２　温度センサ
２３　検出部
２４　サーミスタ
３０ａ～３０ｄ　ボンディングパッド
３１　ボンディングワイヤ
１００　半導体基板
１０１　フィールド酸化膜
１０２　ゲート絶縁膜
１０３　絶縁膜
２００　保護インピーダンス
２０１　有害インピーダンス

Claims (17)

  1. 　外部の装置が接続される外部端子と、グラウンドと接地される接地端子と、センサ出力信号を生成する内部回路と、前記外部端子と前記内部回路との間に設けた抵抗素子および容量素子とからなる保護回路と、を有するセンサ装置において、
    　前記容量素子は、互いに異なる導電率を有する電極対から構成されており、
    　前記電極対のうち一方よりも低い導電率を有する低導電性電極を前記外部端子および前記内部回路に接続したことを特徴とするセンサ装置。
  2. 前記請求項１に記載のセンサ装置において、
    　前記低導電性電極は前記外部端子と電気的に接続する第１接続領域と前記内部回路と電気的に接続する第２接続領域とを有することを特徴とするセンサ装置。
  3. 　前記請求項１に記載のセンサ装置において、
    　前記第１接続領域と前記第２接続領域とは、互いに離隔して設けられていることを特徴とするセンサ装置。
  4. 　前記請求項３に記載のセンサ装置において、
    　前記第１接続領域および前記第２接続領域の一方または両方は、他方の領域に向かって領域を延伸した延伸部を有することを特徴とするセンサ装置。
  5. 　前記請求項１に記載のセンサ装置において、
    　前記抵抗素子は前記低導電性電極と同一層に形成され、前記低導電性電極と連通して形成されたことを特徴とするセンサ装置。
  6. 　前記請求項５に記載のセンサ装置において、
    　前記保護回路は、半導体基板上に形成した絶縁膜からなるフィールド酸化膜および前記フィールド酸化膜よりも薄い絶縁膜からなるゲート絶縁膜の上に設けられ、
    　前記抵抗素子は、前記フィールド酸化膜上に形成され、
    　前記容量素子の一部もしくは全体は、前記ゲート絶縁膜上に形成されたことを特徴とするセンサ装置。
  7. 　前記請求項５に記載のセンサ装置において、
    　前記保護回路は、前記抵抗素子と前記容量素子との間に設けたクランプ素子を有することを特徴とするセンサ装置。
  8. 　前記請求項１に記載のセンサ装置において、
    　前記保護回路は、半導体基板上に形成された不純物拡散領域を有し、
    　前記低導電性電極を前記不純物拡散領域に形成したことを特徴とするセンサ装置。
  9. 　前記請求項１に記載のセンサ装置において、
    　前記保護回路は、半導体基板上に形成されており、
    　前記電極対のうち前記低導電性電極を前記半導体基板側に形成したことを特徴とするセンサ装置。
  10. 　前記請求項１に記載のセンサ装置において、
    　前記抵抗素子は、金属シリサイドを用いて形成したことを特徴とするセンサ装置。
  11. 　前記請求項１に記載のセンサ装置において、
    　前記抵抗素子は、高融点金属を用いて形成したことを特徴とするセンサ装置。
  12. 　前記請求項１に記載のセンサ装置において、
    　前記抵抗素子は、渦巻形状の導体からなることを特徴とするセンサ装置。
  13. 　前記請求項１に記載のセンサ装置において、
    　前記抵抗素子は、螺旋形状の導体からなることを特徴とするセンサ装置。
  14. 　前記請求項１に記載のセンサ装置において、
    　前記電極対の形状は、櫛歯状の形状をしており、
    　前記電極対は、互いの櫛歯部分が噛みあう様に対向して形成されていることを特徴とするセンサ装置。
  15. 　前記請求項１に記載のセンサ装置において、
    　前記電極対は、一方がメアンダ状電極であり、他方が電極基部から櫛歯状に突出した複数の歯電極を有する櫛歯状電極であり、
    　前記メアンダ状電極の線間に前記歯電極を配置したことを特徴とするセンサ装置。
  16. 　前記請求項１５に記載のセンサ装置において、
    　前記櫛歯状電極の各歯電極の先端部を前記電極基部とは異なる経路で電気的に接続したことを特徴とするセンサ装置。
  17. 　前記請求項１に記載のセンサ装置において、
    　前記保護回路は、
    　整流素子と、
    　前記整流素子と前記接地端子とを接続する保護抵抗と、
    　前記容量素子と前記内部回路との接続を制御するスイッチ素子と、を有し、
    　前記スイッチ素子は、前記保護抵抗の整流素子側端部の電位に基づいて前記容量素子と前記内部回路との接続を制御することを特徴とするセンサ装置。
PCT/JP2011/004377 2011-08-03 2011-08-03 センサ装置 WO2013018134A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/235,933 US20140167781A1 (en) 2011-08-03 2011-08-03 Sensor device
DE112011105495.5T DE112011105495T5 (de) 2011-08-03 2011-08-03 Sensorvorrichtung
PCT/JP2011/004377 WO2013018134A1 (ja) 2011-08-03 2011-08-03 センサ装置
CN201180072589.0A CN103703555A (zh) 2011-08-03 2011-08-03 传感装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2011/004377 WO2013018134A1 (ja) 2011-08-03 2011-08-03 センサ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013018134A1 true WO2013018134A1 (ja) 2013-02-07

Family

ID=47628711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/004377 WO2013018134A1 (ja) 2011-08-03 2011-08-03 センサ装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20140167781A1 (ja)
CN (1) CN103703555A (ja)
DE (1) DE112011105495T5 (ja)
WO (1) WO2013018134A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016170913A1 (ja) * 2015-04-23 2016-10-27 日立オートモティブシステムズ株式会社 オンチップノイズ保護回路を有する半導体チップ
WO2016203942A1 (ja) * 2015-06-15 2016-12-22 日立オートモティブシステムズ株式会社 車載用の半導体チップ
DE112017003160T5 (de) 2016-08-02 2019-03-07 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Elektronische Vorrichtung
JP2022115891A (ja) * 2018-03-29 2022-08-09 セイコーエプソン株式会社 抵抗素子、フィルター回路、回路装置、物理量測定装置、電子機器及び移動体

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6372450B2 (ja) * 2015-08-21 2018-08-15 株式会社デンソー 複合センサ

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63274177A (ja) * 1987-05-06 1988-11-11 Toshiba Corp 半導体装置の保護回路
JPH02250371A (ja) * 1989-03-24 1990-10-08 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH04206961A (ja) * 1990-11-30 1992-07-28 Nec Corp 半導体装置
JPH04287969A (ja) * 1991-01-16 1992-10-13 Nec Yamagata Ltd 半導体装置
JPH0750390A (ja) * 1993-08-04 1995-02-21 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体装置
JPH07161937A (ja) * 1993-12-09 1995-06-23 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2002313933A (ja) * 2001-04-12 2002-10-25 Fuji Electric Co Ltd 半導体集積回路のレイアウト構造
JP2006310658A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置および物理量センサ装置
JP2007194352A (ja) * 2006-01-18 2007-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2008198749A (ja) * 2007-02-12 2008-08-28 Denso Corp 半導体装置
JP2010021357A (ja) * 2008-07-10 2010-01-28 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005143002A (ja) * 2003-11-10 2005-06-02 Smc Corp 入力回路
JP5275624B2 (ja) * 2007-12-28 2013-08-28 日本特殊陶業株式会社 センサの製造方法
JP5629075B2 (ja) * 2009-09-16 2014-11-19 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルＰＳ４ Ｌｕｘｃｏ Ｓ．ａ．ｒ．ｌ． 半導体装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63274177A (ja) * 1987-05-06 1988-11-11 Toshiba Corp 半導体装置の保護回路
JPH02250371A (ja) * 1989-03-24 1990-10-08 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH04206961A (ja) * 1990-11-30 1992-07-28 Nec Corp 半導体装置
JPH04287969A (ja) * 1991-01-16 1992-10-13 Nec Yamagata Ltd 半導体装置
JPH0750390A (ja) * 1993-08-04 1995-02-21 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体装置
JPH07161937A (ja) * 1993-12-09 1995-06-23 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2002313933A (ja) * 2001-04-12 2002-10-25 Fuji Electric Co Ltd 半導体集積回路のレイアウト構造
JP2006310658A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置および物理量センサ装置
JP2007194352A (ja) * 2006-01-18 2007-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2008198749A (ja) * 2007-02-12 2008-08-28 Denso Corp 半導体装置
JP2010021357A (ja) * 2008-07-10 2010-01-28 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016170913A1 (ja) * 2015-04-23 2016-10-27 日立オートモティブシステムズ株式会社 オンチップノイズ保護回路を有する半導体チップ
JP2016207846A (ja) * 2015-04-23 2016-12-08 日立オートモティブシステムズ株式会社 オンチップノイズ保護回路を有する半導体チップ
US10615076B2 (en) 2015-04-23 2020-04-07 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Semiconductor chip having on-chip noise protection circuit
WO2016203942A1 (ja) * 2015-06-15 2016-12-22 日立オートモティブシステムズ株式会社 車載用の半導体チップ
JP2017005179A (ja) * 2015-06-15 2017-01-05 日立オートモティブシステムズ株式会社 車載用の半導体チップ
DE112017003160T5 (de) 2016-08-02 2019-03-07 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Elektronische Vorrichtung
DE112017003160B4 (de) 2016-08-02 2022-08-04 Hitachi Astemo, Ltd. Elektronische Vorrichtung
JP2022115891A (ja) * 2018-03-29 2022-08-09 セイコーエプソン株式会社 抵抗素子、フィルター回路、回路装置、物理量測定装置、電子機器及び移動体

Also Published As

Publication number Publication date
DE112011105495T5 (de) 2014-04-24
CN103703555A (zh) 2014-04-02
US20140167781A1 (en) 2014-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2013018134A1 (ja) センサ装置
US20050036262A1 (en) DC Voltage surge suppressor with distributed capacitance EMI filtering and impedance matching
US20080253054A1 (en) Multi-Functional Energy Conditioner
US7397646B2 (en) Surge absorption circuit
JP2008147338A (ja) 半導体集積回路装置
JP2018152407A (ja) 電子装置
US20050180091A1 (en) High current feedthru device
JPWO2006085492A1 (ja) 静電気保護機能付きチップ部品
US7312971B2 (en) Surge absorption circuit and laminated surge absorption device
TW200847394A (en) Semiconductor device
JP6464580B2 (ja) 電力変換装置
JP2022119716A (ja) 電子制御装置
JPWO2013018134A1 (ja) センサ装置
CN109300690B (zh) 复合电子组件及具有复合电子组件的板
JP5112184B2 (ja) 流量計及び流量計測装置
JP2016207846A (ja) オンチップノイズ保護回路を有する半導体チップ
WO2018025577A1 (ja) 電子装置
WO2023058555A1 (ja) 過渡電圧吸収素子
KR102639726B1 (ko) 고속신호용 보호소자 및 이를 구비한 전자장치
JP2002014771A (ja) 容量結合式タッチパネルにおける絶縁方法
JP3845564B2 (ja) 電子回路用電磁ノイズ遮蔽装置
KR101963294B1 (ko) 복합 전자부품 및 그 실장 기판
KR102063669B1 (ko) 고속신호용 보호소자 및 이를 구비한 전자장치
JP2004158598A (ja) Ｍｉｍ容量
KR102442277B1 (ko) 전기적 충격 보호소자 및 이를 구비한 휴대용 전자장치

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11870426

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2013526608

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14235933

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1120111054955

Country of ref document: DE

Ref document number: 112011105495

Country of ref document: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11870426

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1