WO2013001985A1 - めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体 - Google Patents

Abstract

［課題］基板の表面全域にわたって均一にめっき処理を施すめっき処理装置を提供する。 ［解決手段］めっき処理装置２０は、基板２を保持して回転させる基板回転保持機構１１０と、基板回転保持機構１１０に保持された基板２に向けてめっき液を吐出する吐出機構２１と、吐出機構２１にめっき液を供給するめっき液供給機構３０と、基板回転保持機構１１０およびめっき液供給機構３０を制御する制御機構１６０と、を備えている。吐出機構２１は、基板２に向けてめっき液を吐出する吐出口４１を含む第１ノズル４０と、第１ノズル４０の吐出口よりも基板２の中心部に近接するよう位置することができる吐出口４６を含む第２ノズル４５と、を有している。まためっき液供給機構３０は、第１ノズル４０に供給されるめっき液の温度が第２ノズル４５に供給されるめっき液の温度よりも高くなるよう構成されている。

Description

めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体

　本発明は、基板の表面にめっき液を供給してめっき処理を行うためのめっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体に関する。

　近年、半導体ウエハや液晶基板などの基板には、表面に回路を形成するために配線が施されている。配線としては、アルミニウム素材に替わって、電気抵抗が低く信頼性の高い銅素材によるものが利用されるようになってきた。しかし、銅はアルミニウムと比較して酸化されやすいので、銅配線表面の酸化を防止するために、高いエレクトロマイグレーション耐性を有する金属によってめっき処理することが望まれる。

　めっき処理は、例えば、銅配線が形成された基板の表面に無電解めっき液を供給することによって実施される。例えば特許文献１において、基板を回転させる基板回転機構と、基板上にめっき液を吐出するノズルと、ノズルを基板に沿った方向に移動させるノズル移動機構と、を備えためっき処理装置が提案されている。特許文献１に記載のめっき処理装置によれば、基板を回転させながらめっき液を供給することで、基板の表面上にめっき液の均一な流れが形成される。これによって、基板の表面全域にわたって均一にめっき処理が施される。

特開２００９－２４９６７９号公報

　無電解めっきによるめっき処理は、めっき液の組成、温度などの反応条件による影響を受けることが知られている。ところで、基板を回転させながらめっき液を供給する場合、めっき液は基板の中心部から周縁部に向かって流れることになる。従って、基板上のめっき液の温度は、基板の中心部から周縁部に向かうにつれて低くなっていると考えられる。このため、めっき液の反応条件が、基板の中心部と基板の周縁部とで異なってしまうことが考えられる。

　本発明は、このような課題を効果的に解決し得るめっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体を提供することを目的とする。

　本発明の第１の観点によれば、基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置であって、前記基板を保持して回転させる基板回転保持機構と、前記基板回転保持機構に保持された前記基板に向けてめっき液を吐出する吐出機構と、
　前記吐出機構にめっき液を供給するめっき液供給機構と、前記吐出機構および前記めっき液供給機構を制御する制御機構と、を備え、前記吐出機構は、前記基板に向けてめっき液を吐出する吐出口を含む第１ノズルと、前記第１ノズルの吐出口よりも前記基板の中心部に近接するよう位置することができる吐出口を含む第２ノズルと、を有し、前記めっき液供給機構は、前記第１ノズルに供給されるめっき液の温度が前記第２ノズルに供給されるめっき液の温度よりも高くなるよう構成されているめっき処理装置が提供される。

　本発明の第２の観点によれば、基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理方法であって、前記基板を基板回転保持機構に配置することと、前記基板に吐出機構を介してめっき液を吐出することと、を備え、前記吐出機構は、前記基板に向けてめっき液を吐出する吐出口を含む第１ノズルと、前記第１ノズルの吐出口よりも前記基板の中心部に近接するよう位置することができる吐出口を含む第２ノズルと、を配置し、前記第１ノズルから前記基板に向けて吐出されるめっき液の温度は、前記第２ノズルから前記基板に向けて吐出されるめっき液の温度よりも高いことを特徴とするめっき処理方法が提供される。

　本発明の第３の観点によれば、めっき処理装置にめっき処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、前記めっき処理方法は、基板にめっき液を供給してめっき処理を行う方法であって、前記基板を基板回転保持機構に配置することと、前記基板に吐出機構を介してめっき液を吐出することと、を備え、前記吐出機構は、前記基板に向けてめっき液を吐出する吐出口を含む第１ノズルと、前記第１ノズルの吐出口よりも前記基板の中心部に近接するよう位置することができる吐出口を含む第２ノズルと、を配置し、前記第１ノズルから前記基板に向けて吐出されるめっき液の温度は、前記第２ノズルから前記基板に向けて吐出されるめっき液の温度よりも高い、方法からなっていることを特徴とする記憶媒体が提供される。

　本発明によれば、基板に向けてめっき液を吐出する吐出機構は、基板に向けてめっき液を吐出する吐出口を含む第１ノズルと、第１ノズルの吐出口よりも基板の中心部に近接するよう位置することができる吐出口を含む第２ノズルと、を有している。また、吐出機構にめっき液を供給するめっき液供給機構は、第１ノズルに供給されるめっき液の温度が第２ノズルに供給されるめっき液の温度よりも高くなるよう構成されている。このため、基板の周縁部において、第１ノズルから供給されためっき液と第２ノズルから供給されためっき液とが混合され、これによって、基板の周縁部におけるめっき液の温度が、第１ノズルから吐出される際のめっき液の温度よりも低くなる場合であっても、基板の周縁部におけるめっき液の温度と基板の中心部または中心部近傍におけるめっき液の温度との間に差が生じることを抑制することができる。これによって、基板の中心部におけるめっき液の反応条件と、基板の周縁部におけるめっき液の反応条件との間に差が生じることを抑制することができる。

図１は、本発明の実施の形態におけるめっき処理システムの概略構成を示す平面図。 図２は、本発明の実施の形態におけるめっき処理装置を示す側面図。 図３は、図２に示すめっき処理装置の平面図。 図４は、本発明の実施の形態におけるめっき液供給機構を示す図。 図５は、めっき液供給機構の第１加熱手段を示す図。 図６は、めっき液供給機構の第２加熱手段を示す図。 図７は、図３の第２ノズルをＶII－ＶII方向から見た断面図。 図８は、めっき処理方法を示すフローチャート。 図９（ａ）～（ｅ）は、Ｃｏめっき層が形成される様子を示す図。 図１０は、比較の形態において、垂直吐出口を有するノズルから基板に向けてめっき液が吐出される様子を示す図。 図１１は、めっき液供給機構の変形例を示す図。 図１２は、第２ノズルの変形例を示す平面図。 図１３は、図１２の第２ノズルをＸIII－ＸIII方向から見た断面図。 図１４は、第１ノズルの変形例を示す平面図。 図１５（ａ）（ｂ）は、第２ノズルの制御方法の第１の変形例を示す図。 図１６（ａ）（ｂ）は、第２ノズルの制御方法の第２の変形例を示す図。 図１７は、第１ノズル４０のさらなる変形例を示す図。 図１８は、実施例において、基板の温度を測定した結果を示す図。

　以下、図１乃至図９（ａ）～（ｅ）を参照して、本発明の実施の形態について説明する。まず図１により、本実施の形態におけるめっき処理システム１全体について説明する。

　めっき処理システム
　図１に示すように、めっき処理システム１は、基板２（ここでは、半導体ウエハ）を複数枚（たとえば、２５枚）収容するキャリア３を載置し、基板２を所定枚数ずつ搬入及び搬出するための基板搬入出室５と、基板２のめっき処理や洗浄処理などの各種の処理を行うための基板処理室６と、を含んでいる。基板搬入出室５と基板処理室６とは、隣接して設けられている。

　（基板搬入出室）
　基板搬入出室５は、キャリア載置部４、搬送装置８を収容した搬送室９、基板受渡台１０を収容した基板受渡室１１を有している。基板搬入出室５においては、搬送室９と基板受渡室１１とが受渡口１２を介して連通連結されている。キャリア載置部４は、複数の基板２を水平状態で収容するキャリア３を複数個載置する。搬送室９では、基板２の搬送が行われ、基板受渡室１１では、基板処理室６との間で基板２の受け渡しが行われる。

　このような基板搬入出室５においては、キャリア載置部４に載置されたいずれか１個のキャリア３と基板受渡台１０との間で、搬送装置８により基板２が所定枚数ずつ搬送される。

　（基板処理室）
　また基板処理室６は、中央部において前後に伸延する基板搬送ユニット１３と、基板搬送ユニット１３の一方側および他方側において前後に並べて配置され、基板２にめっき液を供給してめっき処理を行う複数のめっき処理装置２０と、を有している。

　このうち基板搬送ユニット１３は、前後方向に移動可能に構成した基板搬送装置１４を含んでいる。また基板搬送ユニット１３は、基板受渡室１１の基板受渡台１０に基板搬入出口１５を介して連通している。

　このような基板処理室６においては、各めっき処理装置２０に対して、基板搬送ユニット１３の基板搬送装置１４により、基板２が、１枚ずつ水平に保持した状態で搬送される。そして、各めっき処理装置２０において、基板２に対して、１枚ずつ洗浄処理及びめっき処理が実施される。

　各めっき処理装置２０は、用いられるめっき液などが異なるのみであり、その他の構成は略同一である。そのため、以下の説明では、複数のめっき処理装置２０のうち一のめっき処理装置２０の構成について説明する。

　めっき処理装置
　以下、図２および図３を参照して、めっき処理装置２０について説明する。図２は、めっき処理装置２０を示す側面図であり、図３は、めっき処理装置２０を示す平面図である。

　めっき処理装置２０は、図２および図３に示すように、ケーシング１０１の内部で基板２を保持して回転させる基板回転保持機構１１０と、基板回転保持機構１１０に保持された基板２の表面に向けてめっき液を吐出する吐出機構２１と、吐出機構２１にめっき液を供給するめっき液供給機構３０と、昇降機構１６４により上下方向に駆動され、排出口１２４，１２９，１３４を有するカップ１０５により基板２から飛散しためっき液などをそれぞれ排出口１２４，１２９，１３４に集めて排出する液排出機構１２０，１２５，１３０と、基板回転保持機構１１０、吐出機構２１およびめっき液供給機構３０を制御する制御機構１６０と、を備えている。

　（基板回転保持機構）
　このうち基板回転保持機構１１０は、図２および図３に示すように、ケーシング１０１内で上下に伸延する中空円筒状の回転軸１１１と、回転軸１１１の上端部に取り付けられたターンテーブル１１２と、ターンテーブル１１２の上面外周部に設けられ、基板２を支持するウエハチャック１１３と、回転軸１１１を回転駆動する回転機構１６２と、を有している。このうち回転機構１６２は、制御機構１６０により制御され、回転機構１６２によって回転軸１１１が回転駆動され、これによって、ウエハチャック１１３により支持されている基板２が回転される。

　（吐出機構）
　次に、基板２に向けてめっき液などを吐出する吐出機構２１について説明する。吐出機構２１は、基板２に向けてＣｏＰめっき液などの化学還元タイプのめっき液を吐出する第１ノズル４０および第２ノズル４５を含んでいる。化学還元タイプのめっき液は、めっき液供給機構３０から第１ノズル４０および第２ノズル４５に供給される。第１ノズル４０および第２ノズル４５の詳細については後述する。

　また吐出機構２１は、図２に示すように、吐出口７１および吐出口７２を含む第３ノズル７０をさらに有していてもよい。図２および図３に示すように、第３ノズル７０は、アーム７４の先端部に取り付けられており、このアーム７４は、上下方向に延伸可能であるとともに回転機構１６５により回転駆動される支持軸７３に固定されている。

　第３ノズル７０において、吐出口７１は、置換タイプのめっき液、例えばＰｄめっき液を供給するめっき液供給機構７６に、バルブ７６ａを介して接続されている。また吐出口７２は、洗浄処理液を供給する洗浄処理液供給機構７７に、バルブ７７ａを介して接続されている。このような第３ノズル７０を設けることにより、１つのめっき処理装置２０内において、化学還元タイプのめっき液によるめっき処理だけでなく、置換タイプのめっき液によるめっき処理、および洗浄処理を実施することが可能となる。

　また図２に示すように、第３ノズル７０の吐出口７２に、めっき処理に先立って実施される前処理のための前処理液、例えば純水などのリンス処理液を供給するリンス処理液供給機構７８がバルブ７８ａを介してさらに接続されていてもよい。この場合、バルブ７７ａおよびバルブ７８ａの開閉を適切に制御することにより、吐出口７２から、洗浄処理液またはリンス処理液のいずれかが選択的に基板２に吐出される。

　〔第１ノズル〕
　図２および図３に示すように、第１ノズル４０は、複数の吐出口４１を含んでいる。また第１ノズル４０は、アーム４４の先端部に取り付けられている。アーム４４は、上下方向に延伸可能であるとともに回転機構１６５により回転駆動される支持軸４３に固定されている。

　図３に示すように、第１ノズル４０の各吐出口４１は、基板２の半径方向に沿って並ぶよう設けられている。このため、基板２上の領域のうち基板２の半径方向における所定範囲内の領域に対して、めっき液を第１ノズル４０から直接供給することができる。ここで「直接供給する」とは、めっき液が基板２上の所定領域に到達するまでの経路が、当該所定領域よりも基板２の中心側に滴下されためっき液が基板２の回転に起因する遠心力によって当該所定領域に到達するという経路ではなく、当該所定領域上にめっき液が滴下されるという経路になっていることを意味している。

　一般に、めっき処理装置２０内の雰囲気温度または基板２の温度は、第１ノズル４０または第２ノズル４５から基板２に向けて吐出される際のめっき液の温度よりも低くなっている。このため、基板２の中心部または中心部近傍に滴下されためっき液が基板２上で遠心力により外方に流れる際、めっき液の温度は、基板２の周縁側に向かうにつれて低くなると考えられる。このため、基板２の中心部または中心部近傍にのみめっき液を滴下し、当該めっき液を遠心力によって基板２全域にいきわたらせるというめっき処理の場合、基板２上のめっき液の温度は、基板２の中心部から周縁部に向かうにつれて低くなっていると考えられる。

　ここで本実施の形態によれば、上述の第１ノズル４０を設けることにより、基板２上の領域のうち基板２の半径方向における所定範囲内の領域に対して、めっき液を第１ノズル４０から直接供給することができる。このため、基板２上の領域のうち基板２の中心部よりも周縁側の領域に到達するめっき液の温度と、基板の中心部に到達するめっき液の温度との間に差が生じることを抑制することができる。

　〔第２ノズル〕
　次に第２ノズル４５について説明する。図２および図３に示すように、第２ノズル４５は吐出口４６を含んでいる。また第２ノズル４５は、アーム４９の先端部に取り付けられており、このアーム４９は、基板２の半径方向（図２および図３において矢印Ｄにより示される方向）において進退自在となるよう構成されている。このため、第２ノズル４５は、第２ノズル４５の吐出口４６が第１ノズル４０の各吐出口４１よりも基板２の中心部に近接する中心位置と、中心位置よりも周縁側にある周縁位置との間で移動可能となっている。なお図３において、中心位置にある第２ノズルが符号４５’で示されており、周縁位置にある第２ノズルが符号４５”で示されている。

　次に図７を参照して、第２ノズル４５の吐出口４６の具体的な形状について説明する。図７は、図３に示す第２ノズル４５をＶII－ＶII方向から見た断面図である。なお図３および図７において、符号Ｒ_１で示される矢印は、基板２が右回転する際の回転方向（第１回転方向）を示しており、符号Ｒ_２で示される矢印は、基板２が左回転する際の回転方向（第２回転方向）を示している。

　図７に示すように、第２ノズル４５の吐出口４６は、基板２の法線方向（図７において矢印Ｎで表される方向）から傾斜した傾斜方向（図７において矢印Ｓ_１で表される方向）に沿って基板２に向けてめっき液３５を吐出するよう構成された傾斜吐出口４６ａを含んでいる。ここで「傾斜した」とは、図７において、矢印Ｎと矢印Ｓ_１とが平行しておらず、かつ矢印Ｎと矢印Ｓ_１とが直交していないことを意味している。

　図７に示すように、傾斜吐出口４６ａは、傾斜吐出口４６ａの傾斜方向Ｓ_１が第１回転方向Ｒ_１に対応するよう構成されている。ここで「傾斜吐出口４６ａの傾斜方向Ｓ_１が第１回転方向Ｒ_１に対応する」とは、傾斜吐出口４６ａから吐出されるめっき液の吐出方向を示すベクトルＳ_１が、図７に示すように、基板２の第２回転方向Ｒ_２の成分ではなく、基板２の第１回転方向Ｒ_１の成分を持つことを意味している。なお「傾斜吐出口４６ａの傾斜方向Ｓ_１が第１回転方向Ｒ_１に対応する」という文言と「第１回転方向Ｒ_１が傾斜吐出口４６ａの傾斜方向Ｓ_１に対応する」という文言は同義である。

　傾斜吐出口４６ａにおける傾斜の程度は特には限定されないが、例えば、傾斜方向Ｓ_１と基板の法線方向Ｎとがなす角の角度が５～６０度の範囲内となるよう、傾斜吐出口４６ａが構成される。

　上述のように吐出口４６が傾斜吐出口４６ａを含むことの利点について説明する。傾斜吐出口４６ａを用いて、回転している基板２上にめっき液３５を吐出する場合について考える。この場合、基板２に衝突しためっき液３５が基板２に与える衝撃の大きさは、めっき液３５が衝突した領域における水平方向での基板２の移動速度と、水平方向におけるめっき液３５の移動速度との差、および、垂直方向におけるめっき液３５の速度に依存する。ここで、傾斜吐出口４６ａの傾斜方向Ｓ_１が基板２の回転方向に対応している場合、めっき液３５が衝突した領域における水平方向での基板２の移動速度と、水平方向におけるめっき液３５の移動速度との差が小さくなる。従って、傾斜吐出口４６ａの傾斜方向Ｓ_１が基板２の回転方向に対応するよう傾斜吐出口４６ａを構成することにより、基板２に衝突しためっき液３５が基板２に与える衝撃を弱めることが可能となる。すなわち、傾斜吐出口４６ａを用いてめっき液３５を基板２に向けて吐出する時、めっき液３５が基板２に与える衝撃は、基板２が第１回転方向Ｒ_１に回転している場合の方が、基板２が第２回転方向Ｒ_２に回転している場合よりも小さくなる。

　（めっき液供給機構）
　次に、吐出機構２１の第１ノズル４０および第２ノズル４５に、ＣｏＰめっき液などの化学還元タイプのめっき液を供給するめっき液供給機構３０について説明する。図４は、めっき液供給機構３０を示す図である。

　図４に示すように、めっき液供給機構３０は、めっき液３５を貯留する供給タンク３１と、供給タンク３１のめっき液３５を第１ノズル４０へ供給する第１供給管３３Ａと、供給タンク３１のめっき液３５を第２ノズル４５へ供給する第２供給管３３Ｂと、を有している。第１供給管３３Ａには第１バルブ３２Ａが挿入されており、第２供給管３３Ｂには第２バルブ３２Ｂが挿入されている。

　また図４に示すように、供給タンク３１には、めっき液３５を貯留温度に加熱するタンク用加熱手段５０が取り付けられている。またタンク用加熱手段５０と第１ノズル４０との間において、第１供給管３３Ａに、めっき液３５を貯留温度よりも高温の第１吐出温度に加熱する第１加熱手段６０Ａが取り付けられている。同様に、タンク用加熱手段５０と第２ノズル４５との間において、第２供給管３３Ｂに、めっき液３５を貯留温度よりも高温の第２吐出温度に加熱する第２加熱手段６０Ｂが取り付けられている。タンク用加熱手段５０、第１加熱手段６０Ａおよび第２加熱手段６０Ｂについては、後に詳細に説明する。

　なお上述の「貯留温度」は、めっき液３５内での自己反応による金属イオンの析出が進行する温度（めっき温度）よりも低く、かつ常温よりも高い所定の温度となっている。また「第１吐出温度」および「第２吐出温度」は、上述のめっき温度に等しいか、若しくはめっき温度よりも高い所定の温度となっている。本実施の形態によれば、このように、めっき液３５が二段階でめっき温度以上の温度に加熱される。
　このため、めっき液３５が供給タンク３１内でめっき温度以上の温度に加熱される場合に比べて、供給タンク３１内のめっき液３５中で還元剤の失活や成分の蒸発を防ぐことができる。これによって、めっき液３５の寿命を長くすることができる。
　また、供給タンク３１においてめっき液３５が常温で貯留され、その後に第１加熱手段６０Ａおよび第２加熱手段６０Ｂによってめっき温度以上の温度に加熱される場合に比べて、めっき液３５を小さいエネルギーで素早くめっき温度以上の温度に加熱することができる。このことにより、金属イオンの析出を抑制することができる。

　供給タンク３１には、めっき液３５の各種の成分が貯蔵されている複数の薬液供給源（図示せず）から各種薬液が供給されている。例えば、Ｃｏイオンを含むＣｏＳＯ_４金属塩、還元剤（例えば、次亜リン酸など）および添加剤などの薬液が供給されている。この際、供給タンク３１内に貯留されるめっき液３５の成分が適切に調整されるよう、各種薬液の流量が調整されている。

　〔タンク用加熱手段〕
　タンク用加熱手段５０は、図４に示すように、供給タンク３１の近傍でめっき液３５の循環経路を形成する循環管５２と、循環管５２に取り付けられ、めっき液３５を貯留温度に加熱するヒータ５３と、循環管５２に挿入され、めっき液３５を循環させるポンプ５６と、を有している。タンク用加熱手段５０を設けることにより、供給タンク３１内のめっき液３５を供給タンク３１近傍で循環させながら上述の貯留温度まで加熱することができる。

　また図４に示すように、循環管５２には第１供給管３３Ａおよび第２供給管３３Ｂが接続されている。図示される例において、バルブ３６が開放され、第１バルブ３２Ａおよび第２バルブ３２Ｂが閉鎖されているときは、ヒータ５３を通っためっき液３５が供給タンク３１に戻される。一方、バルブ３６が閉鎖され、第１バルブ３２Ａおよび第２バルブ３２Ｂが開放されているときは、ヒータ５３を通っためっき液３５が第１ノズル４０および第２ノズル４５に到達する。

　なお図４に示すように、循環管５２にフィルター５５が挿入されていてもよい。これによって、めっき液３５をタンク用加熱手段５０によって加熱する際、めっき液３５に含まれる様々な不純物を除去することができる。また図４に示すように、循環管５２に、めっき液３５の特性をモニタするモニタ手段５７が設けられていてもよい。モニタ手段５７は、例えば、めっき液３５の温度をモニタする温度モニタや、めっき液３５のｐＨをモニタするｐＨモニタなどから構成されている。

　また図４に示すように、めっき液供給機構３０が、供給タンク３１に接続され、供給タンク３１に貯留されためっき液３５中の溶存酸素および溶存水素を除去する脱気手段３７をさらに有していてもよい。この脱気手段３７は、例えば、窒素などの不活性ガスを供給タンク３１内に供給するよう構成されている。この場合、めっき液３５中に窒素などの不活性ガスを溶解させることにより、既にめっき液３５中に溶存している酸素や水素などのその他のガスをめっき液３５の外部に排出することができる。めっき液３５から排出された酸素や水素は、排気手段３８によって供給タンク３１から排出される。

　〔第１加熱手段〕
　次に図５を参照して、第１加熱手段６０Ａについて説明する。第１加熱手段６０Ａは、タンク用加熱手段５０によって貯留温度まで加熱されためっき液３５を、さらに第１吐出温度まで加熱するためのものである。この第１加熱手段６０Ａは、図５に示すように、所定の伝熱媒体を、第１吐出温度、または第１吐出温度よりも高い温度に加熱する第１温度媒体供給手段６１Ａと、第１供給管３３Ａに取り付けられ、第１温度媒体供給手段６１Ａからの伝熱媒体の熱を第１供給管３３Ａ内のめっき液３５に伝導させる温度調節器６２と、を有している。また図５に示すように、第１ノズル４０の内部に至るよう設けられ、第１ノズル４０内に位置する第１供給管３３Ａを通るめっき液３５を第１吐出温度で保持するための温度保持器６５がさらに設けられていてもよい。

　温度調節器６２は、第１温度媒体供給手段６１Ａから供給される温度調節用の伝熱媒体（たとえば温水）を導入する供給口６２ａと、伝熱媒体を排出する排出口６２ｂと、を有している。供給口６２ａから供給された伝熱媒体は、温度調節器６２の内部の空間６２ｃを流れる間に第１供給管３３Ａと接触する。これによって、第１供給管３３Ａを流れるめっき液３５が第１吐出温度まで加熱される。めっき液３５の加熱に用いられた後の伝熱媒体は、排出口６２ｂから排出される。

　好ましくは、温度調節器６２内の第１供給管３３Ａは、図５に示すようにらせん状に形成されている。これによって、伝熱媒体と第１供給管３３Ａとの間の接触面積を大きくすることができ、このことにより、伝熱媒体の熱を効率良くめっき液３５に伝えることができる。

　温度保持器６５は、温度調節器６２によって第１吐出温度に加熱されためっき液３５が第１ノズル４０から吐出されるまでの間、めっき液３５の温度を保持するためのものである。この温度保持器６５は、図５に示すように、温度保持器６５内で第１供給管３３Ａに接触するよう延びる保温パイプ６５ｃと、第１温度媒体供給手段６１Ａから供給される伝熱媒体を保温パイプ６５ｃに導入する供給口６５ａと、伝熱媒体を排出する排出口６５ｂと、を有している。保温パイプ６５ｃは、第１供給管３３Ａに沿って第１ノズル４０の先端部近傍まで延びており、これによって、第１ノズル４０の各吐出口４１から吐出されるめっき液３５の温度を均一に第１吐出温度に保持することができる。

　保温パイプ６５ｃは、図５に示すように、第１ノズル４０の内部で開放され、温度保持器６５内の空間６５ｄと通じていてもよい。この場合、温度保持器６５は、その断面中心に位置する第１供給管３３Ａ、第１供給管３３Ａの外周に熱的に接触させて配設された保温パイプ６５ｃ、および、保温パイプ６５ｃの外周に位置する空間６５ｄを含む三重構造（三重配管の構造）を有している。供給口６５ａから供給された伝熱媒体は、第１ノズル４０の先端部に至るまで保温パイプ６５ｃを通ってめっき液３５を保温し、その後、温度保持器６５内の空間６５ｄを通って排出口６５ｂから排出される。空間６５ｄを流れる伝熱媒体は、保温パイプ６５ｃを流れる伝熱媒体（およびその内側の第１供給管３３Ａを流れるめっき液３５）と温度保持器６５の外側の雰囲気とを熱的に遮断する作用をする。したがって、保温パイプ６５ｃを流れる伝熱媒体の熱損失を抑えるとともに、保温パイプ６５ｃを流れる伝熱媒体から第１供給管３３Ａを流れるめっき液３５への熱伝達を効率的に行うことができる。

　なお図５においては、温度調節器６２に供給される伝熱媒体と、温度保持器６５に供給される伝熱媒体とがいずれも、第１温度媒体供給手段６１Ａから供給される伝熱媒体となっている例が示されている。しかしながら、これに限られることはなく、温度調節器６２に供給される伝熱媒体と、温度保持器６５に供給される伝熱媒体とが、それぞれ別個の伝熱媒体の供給源から供給されてもよい。

　〔第２加熱手段〕
　次に図６を参照して、第２加熱手段６０Ｂについて説明する。第２加熱手段６０Ｂは、タンク用加熱手段５０によって貯留温度まで加熱されためっき液３５を、さらに第２吐出温度まで加熱するためのものである。この第２加熱手段６０Ｂは、図６に示すように、所定の伝熱媒体を第２吐出温度または第２吐出温度よりも高い温度に加熱する第２温度媒体供給手段６１Ｂと、第２供給管３３Ｂに取り付けられ、第２温度媒体供給手段６１Ｂからの伝熱媒体の熱を第２供給管３３Ｂ内のめっき液３５に伝導させる温度調節器６２と、を有している。また図６に示すように、第２ノズル４５の内部に至るよう設けられ、第２ノズル４５内に位置する第２供給管３３Ｂを通るめっき液３５を第２吐出温度で保持するための温度保持器６５がさらに設けられていてもよい。

　第２加熱手段６０Ｂは、伝熱媒体が第２温度媒体供給手段６１Ｂによって、第２吐出温度、または第２吐出温度よりも高い温度に加熱される点が異なるのみであり、その他の点は、図５に示す第１加熱手段６０Ａと略同一である。図６に示す第２加熱手段６０Ｂに関して、図５に示す第１加熱手段６０Ａと同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

　なお上述の第１加熱手段６０Ａおよび第２加熱手段６０Ｂは、第１吐出温度が第２吐出温度よりも高くなるよう制御機構１６０によって制御されている。すなわち、第１加熱手段６０Ａおよび第２加熱手段６０Ｂを有するめっき液供給機構３０は、第１ノズル４０に供給されるめっき液の温度が第２ノズル４５に供給されるめっき液の温度よりも高くなるよう構成されている。これによって、後述するように、基板２上の領域のうち基板２の中心部よりも周縁側の領域に到達するめっき液の温度と、基板の中心部に到達するめっき液の温度との間に差が生じることをより確実に抑制することができる。

　（液排出機構）
　次に、基板２から飛散しためっき液や洗浄液などを排出する液排出機構１２０，１２５，１３０について、図２を参照して説明する。図２に示すように、ケーシング１０１内には、昇降機構１６４により上下方向に駆動され、排出口１２４，１２９，１３４を有するカップ１０５が配置されている。液排出機構１２０，１２５，１３０は、それぞれ排出口１２４，１２９，１３４に集められる液を排出するものとなっている。

　基板２から飛散した処理液は、種類ごとに排出口１２４，１２９，１３４を介して液排出機構１２０，１２５，１３０により排出される。例えば、基板２から飛散したＣｏＰめっき液は、めっき液排出機構１２０から排出され、基板２から飛散したＰｄめっき液は、めっき液排出機構１２５から排出され、基板２から飛散した洗浄液およびリンス処理液は、処理液排出機構１３０から排出される。

　（その他の構成要素）
　図２に示すように、めっき処理装置２０は、基板２の裏面に処理液を供給する裏面処理液供給機構１４５と、基板２の裏面に気体を供給する裏面ガス供給機構１５０と、をさらに有していてもよい。

　以上のように構成されるめっき処理装置２０を複数含むめっき処理システム１は、制御機構１６０に設けた記憶媒体１６１に記録された各種のプログラムに従って制御機構１６０で駆動制御される。これによって、基板２に対する様々な処理が行われる。ここで、記憶媒体１６１は、各種の設定データや後述するめっき処理プログラム等の各種のプログラムを格納している。記憶媒体１６１としては、コンピューターで読み取り可能なＲＯＭやＲＡＭなどのメモリーや、ハードディスク、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ－ＲＯＭやフレキシブルディスクなどのディスク状記憶媒体などの公知のものが使用され得る。

　めっき処理方法
　本実施の形態において、めっき処理システム１およびめっき処理装置２０は、記憶媒体１６１に記録されためっき処理プログラムに従って、基板２にめっき処理を施すよう駆動制御される。以下の説明では、はじめに、一のめっき処理装置２０で基板２にＰｄめっき処理を置換めっきにより施し、その後、Ｃｏめっき処理を化学還元めっきにより施す方法について、図８および図９（ａ）～（ｅ）を参照して説明する。

　（基板搬入工程および基板受取工程）
　はじめに、基板搬入工程および基板受入工程が実行される。まず、基板搬送ユニット１３の基板搬送装置１４を用いて、１枚の基板２を基板受渡室１１から一のめっき処理装置２０に搬入する。めっき処理装置２０においては、はじめに、カップ１０５が所定位置まで降下される。次に、搬入された基板２がウエハチャック１１３により支持される。その後、排出口１３４と基板２の外周端縁とが対向する位置までカップ１０５が昇降機構１６４により上昇させられる。

　（洗浄工程）
　次に、リンス処理、前洗浄処理およびその後のリンス処理を含む洗浄工程が実行される（Ｓ３０１）。はじめに、リンス処理液供給機構７８のバルブ７８ａが開かれ、これによって、リンス処理液が基板２の表面に第３ノズル７０の吐出口７２を介して供給される。次に、前洗浄工程が実行される。はじめに、洗浄処理液供給機構７７のバルブ７７ａが開かれ、これによって、洗浄処理液が基板２の表面に第３ノズル７０の吐出口７２を介して供給される。その後、上述の場合と同様にして、リンス処理液が基板２の表面に第３ノズル７０の吐出口７２を介して供給される。処理後のリンス処理液や洗浄処理液は、カップ１０５の排出口１３４および処理液排出機構１３０を介して廃棄される。なお洗浄工程Ｓ３０１および以下の各工程のいずれにおいても、特に言及しない限り、基板２は基板回転保持機構１１０により第１回転方向Ｒ_１において回転されている。

　（Ｐｄめっき工程）
　次に、Ｐｄめっき工程が実行される（Ｓ３０２）。このＰｄめっき工程は、前洗浄工程後の基板２が乾燥されていない状態の間に、置換めっき処理工程として実行される。このように、基板２が乾燥していない状態で置換めっき処理工程を実行することで、基板２の被めっき面の銅などが酸化してしまい良好に置換めっき処理できなくなるのを防止することができる。

　Ｐｄめっき工程においては、はじめに、排出口１２９と基板２の外周端縁とが対向する位置までカップ１０５を昇降機構１６４により下降させる。次に、めっき液供給機構７６のバルブ７６ａが開かれ、これによって、Ｐｄを含むめっき液が、基板２の表面に第３ノズル７０の吐出口７１を介して所望の流量で吐出される。このことにより、基板２の表面にＰｄめっきが施される。処理後のめっき液は、カップ１０５の排出口１２９から排出される。排出口１２９から排出されためっき液は、排出機構１２５を介して、回収され再利用されるか、若しくは排棄される。

　（リンス処理工程）
　次に、Ｃｏめっき工程に先立って実施される前処理として、例えばリンス処理工程が実行される（Ｓ３０３）。このリンス処理工程Ｓ３０３においては、前処理液として例えばリンス処理液が基板２の表面に供給される。

　（Ｃｏめっき工程）
　その後、上述の工程Ｓ３０１～３０３が実行されたのと同一のめっき処理装置２０において、Ｃｏめっき工程が実行される（Ｓ３０４）。このＣｏめっき工程Ｓ３０４は、化学還元めっき処理工程として実行される。このＣｏめっき工程Ｓ３０４は、図８に示すように、液置換工程Ｓ３０５（第１工程）と、インキュベーション工程Ｓ３０６（第２工程）と、めっき膜成長工程Ｓ３０７（第３工程）と、を含んでいる。

　なおＣｏめっき工程において、析出することによってめっき層を形成する元素がＣｏに限られることはなく、その他の元素が同時に析出してもよい。例えば、Ｃｏめっき工程において用いられるめっき液に、Ｃｏのイオンだけでなくその他の元素のイオンが含まれる場合、Ｃｏと同時にその他の元素が析出してもよい。ここでは、めっき液にＣｏのイオンおよびＰのイオンが含まれており、このため、ＣｏだけでなくＰをも含むめっき層（ＣｏＰ）が形成される場合について説明する。なお以下の説明においては、めっき層にＣｏ以外の元素が含まれる場合であっても、Ｃｏめっき工程により得られるめっき層を「Ｃｏめっき層」と称する。

　上述の工程Ｓ３０５～３０７のうち液置換工程Ｓ３０５は、上述のリンス処理工程Ｓ３０３において基板２に供給されたリンス処理液を、ＣｏＰを形成するめっき液３５によって置換する工程である。またインキュベーション工程Ｓ３０６は、液置換工程Ｓ３０５の後、後述するＰｄめっき層８３上の全域にわたって初期のＣｏめっき層８４を形成する工程である。なお初期のＣｏめっき層８４とは、厚みが数十ｎｍ以下のＣｏめっき層８４のことである。まためっき膜成長工程Ｓ３０７は、インキュベーション工程Ｓ３０６によって形成された初期のＣｏめっき層８４上でめっき反応をさらに進行させ、十分な厚み、例えば百ｎｍ以上の厚みを有するＣｏめっき層８４を形成する工程である。

　以下、Ｃｏめっき工程について、図９（ａ）～（ｅ）を参照して詳細に説明する。図９（ａ）は、Ｐｄめっき工程Ｓ３０２およびリンス処理工程Ｓ３０３が実施された後の基板２を示す図である。図９（ａ）に示すように、基板２は、有機化合物などからなる絶縁層８１と、銅などからなる配線８２と、配線８２を覆うよう設けられたＰｄめっき層８３と、を有している。また基板２上には、リンス処理工程Ｓ３０３により供給されたリンス処理液７９が存在している。なおＣｏめっき工程Ｓ３０４の各工程Ｓ３０５，Ｓ３０６，Ｓ３０７において、特に言及しない限り、第２ノズル４５の吐出口４６は第１ノズル４０の各吐出口４１よりも基板２の中心部に近接するよう位置している。

　はじめに、図９（ｂ）に示すように、第１加熱手段６０Ａによって第１吐出温度に加熱されためっき液３５を、基板２の表面に向けて第１ノズル４０の各吐出口４１から吐出する。加えて、第２加熱手段６０Ｂによって第２吐出温度に加熱されためっき液３５を、基板２の表面に向けて第２ノズル４５の吐出口４６から吐出する。このうち第１ノズル４０の各吐出口４１から吐出されためっき液３５は、図９（ｂ）に示すように、基板２上の領域のうち基板２の半径方向における所定範囲内の領域に到達する。また第２ノズル４５の吐出口４６から吐出されためっき液３５は、基板２の略中心部に到達する。

　〔液置換工程〕
　第１ノズル４０および第２ノズル４５を用いて基板２に向けてめっき液３５を吐出することにより、図９（ｂ）に示すように、基板２上に存在していたリンス処理液７９が、ＣｏＰを形成するめっき液３５によって置換される。すなわち、上述の液置換工程Ｓ３０５が完了する。液置換工程Ｓ３０５に要する時間は、基板２の寸法やめっき液３５の流量によって異なるが、例えば１秒～２分程度となっている。

　〔インキュベーション工程〕
　引き続き第１ノズル４０および第２ノズル４５を用いて基板２に向けてめっき液３５を吐出する。これによって、図９（ｃ）に示すように、Ｐｄめっき層８３上に初期のＣｏめっき層８４が部分的に形成される。さらに基板２に向けてめっき液３５を吐出し続けると、図９（ｄ）に示すように、Ｐｄめっき層８３上の全域にわたって初期のＣｏめっき層８４が形成される。すなわち、上述のインキュベーション工程Ｓ３０６が完了する。

　〔めっき膜成長工程〕
　引き続き第１ノズル４０および第２ノズル４５を用いて基板２に向けてめっき液３５を吐出する。これによって、図９（ｅ）に示すように、Ｐｄめっき層８３上のＣｏめっき層８４の厚みが、所定の厚み、例えば１μｍに到達する。すなわち、上述のめっき膜成長工程Ｓ３０７が完了する。

　なおＣｏめっき工程Ｓ３０４においては、排出口１２４と基板２の外周端縁とが対向する位置までカップ１０５が昇降機構１６４により下降されている。このため、処理後のめっき液３５は、カップ１０５の排出口１２４から排出される。排出された処理後のめっき液３５は、排出機構１２０を介して、回収され再利用されるか、若しくは排棄される。

　（洗浄工程）
　次に、Ｃｏめっき処理が施された基板２の表面に対して、リンス処理、後洗浄処理およびその後のリンス処理を含む洗浄工程Ｓ３０８が実行される。この洗浄工程Ｓ３０８は、上述の洗浄工程Ｓ３０１と略同一であるので、詳細な説明は省略する。

　（乾燥工程）
　その後、基板２を乾燥させる乾燥工程が実行される（Ｓ３０９）。例えば、ターンテーブル１１２を回転させることにより、基板２に付着している液体が遠心力により外方へ飛ばされ、これによって基板２が乾燥される。すなわち、ターンテーブル１１２が、基板２の表面を乾燥させる乾燥機構としての機能を備えていてもよい。

　このようにして、一のめっき処理装置２０において、基板２の表面に対して、はじめにＰｄめっきが置換めっきにより施され、次にＣｏめっきが化学還元めっきにより施される。

　その後、基板２は、Ａｕめっき処理用の他のめっき処理装置２０に搬送されてもよい。この場合、他のめっき処理装置２０において、基板２の表面に、置換めっきによりＡｕめっき処理が施される。Ａｕめっき処理の方法は、めっき液および洗浄液が異なる点以外は、Ｐｄめっき処理のための上述の方法と略同一であるので、詳細な説明は省略する。

　（温度に起因する本実施の形態の作用効果）
　ここで本実施の形態によれば、上述のように、基板２に向けてめっき液３５を吐出する吐出機構２１は、基板２の半径方向に沿って並べられた複数の吐出口４１を含む第１ノズル４０と、第１ノズル４０の各吐出口４１よりも基板２の中心部に近接するよう位置することができる吐出口４６を含む第２ノズル４５と、を有している。このため、第２ノズル４５によって基板２の中心部にめっき液３５を供給することができ、かつ、第１ノズル４０によって、基板２上の領域のうち基板２の中心部よりも周縁側にある所定領域にめっき液３５を直接供給することができる。このため、基板２の中心部を経由しためっき液３５のみが上記所定領域に到達する場合に比べて、上記所定領域に到達するめっき液３５の温度を高くすることができる。これによって、基板２の中心部におけるめっき液３５の反応条件と、基板２の周縁部におけるめっき液３５の反応条件との間に差が生じることを抑制することができる。このことにより、基板２に形成されるＣｏめっき層８４の厚みを、基板２の全域にわたって略均一にすることができる。

　ところで本実施の形態によるめっき処理方法においては、上述のように、めっき処理の間、基板２が基板回転保持機構１１０により回転されている。このため、基板２上の領域のうち基板２の中心部よりも周縁側に位置する所定領域には、第１ノズル４０から直接供給されためっき液３５だけでなく、第２ノズル４５から吐出されためっき液３５であって、基板２の中心部を経由しためっき液３５も到達することが考えられる。この場合、第１ノズル４０から当該所定領域に直接供給されためっき液３５と、基板２の中心部を経由しためっき液３５とが混合され、これによって、当該所定領域におけるめっき液３５の温度が、第１ノズル４０から吐出される際のめっき液３５の温度（第１吐出温度）よりも低くなることが考えられる。

　ここで本実施の形態によれば、上述のように、めっき液供給機構３０は、第１ノズル４０に供給されるめっき液の温度（第１吐出温度）が第２ノズル４５に供給されるめっき液の温度（第２吐出温度）よりも高くなるよう構成されている。このため、上記所定領域において第１ノズル４０からのめっき液３５と第２ノズル４５からのめっき液３５とが混合される場合であっても、混合されためっき液３５の温度と、第２ノズル４５から基板２の中心部に到達するめっき液３５の温度（第２吐出温度）との間に差が生じることを抑制することができる。これによって、基板２に形成されるＣｏめっき層８４の厚みを、基板２の全域にわたってより確実に略均一にすることができる。

　なお基板２の周縁部には、第１ノズル４０の吐出口４１から直接供給されるめっき液３５、および、基板２の中心部を経由した、第２ノズル４５からのめっき液３５だけでなく、基板２のその他の領域を経由した、第１ノズル４０のその他の吐出口４１からのめっき液も到達することが考えられる。従って、混合によりめっき液３５の温度が低くなるという現象は、基板２の周縁部において最も顕著になると考えられる。このため、好ましくは、第１ノズル４０の各吐出口４１は、基板２の周縁部近傍にめっき液３５を直接供給するよう構成されている。これによって、基板２の中心部または中心部近傍におけるめっき液３５の反応条件と、基板２の周縁部におけるめっき液３５の反応条件との間に差が生じることを抑制することができる。このことにより、基板２に形成されるＣｏめっき層８４の厚みを基板２の全域にわたってより確実に略均一にすることができる。

　（吐出角度に起因する本実施の形態の作用効果）
　また本実施の形態によれば、上述のように、第２ノズル４５の吐出口４６は、基板２の法線方向Ｎから傾斜した傾斜方向Ｓ_１に沿って基板２に向けてめっき液３５を吐出するよう構成された傾斜吐出口４６ａを含んでいる。また、傾斜吐出口４６ａの傾斜方向Ｓ_１は、基板２の第１回転方向Ｒ_１に対応している。このため、基板２の中心部に到達しためっき液３５が基板２に与える衝撃を弱めることができる。これによって、基板２の中心部または中心部近傍において上述のインキュベーション工程Ｓ３０６およびめっき膜成長工程Ｓ３０７が阻害されることを防ぐことができる。

　次に、吐出口４６が傾斜吐出口４６ａを含むことの効果を、比較の形態と比較して説明する。図１０は、基板２の法線方向Ｎに沿って基板２の中心部に向けてめっき液３５を吐出するよう構成された垂直吐出口１０１を有するノズル１００を用いて基板２に向けてめっき液３５を吐出した場合を示す図である。図１０に示す比較の形態においては、めっき液３５の移動速度の成分が、全て垂直方向における成分となっている。このため、本実施の形態の場合に比べて、基板２の中心部に到達しためっき液３５が基板２に与える衝撃が大きくなっている。この場合、基板２の中心部または中心部近傍において、基板２上に存在するめっき液３５の状態が不安定になってしまうことが考えられる。例えば図１０に示すように、基板２の中心部または中心部近傍において、基板２上に存在するめっき液３５の量が少なくなったり、めっき液３５の流動が激しくなったりすることが考えられる。

　一般に、化学還元タイプのめっき液３５においては、めっき液３５中の還元剤が基板２のＰｄめっき層８３に対して電子を放出し、この電子をＰｄめっき層８３上で金属イオン（例えばＣｏイオン）が受け取ることにより、Ｐｄめっき層８３上に金属（Ｃｏ）が析出する。この場合、めっき液３５とＰｄめっき層８３との間には、電子の授受を行うための何らかの層が形成されることが考えられる。例えば、界面に正負の荷電粒子が対を形成して層状に並ぶことにより形成される電気二重層が形成されることが考えられる。この場合、電子の授受を迅速に実施するためには、電子の授受を行うための層を安定に維持することが重要となる。

　ここで上述の比較の形態によれば、基板２の中心部または中心部近傍において、基板２上に存在するめっき液３５の状態が不安定になっている。この場合、電子の授受を行うための層が不安定になり、この結果、電子の授受の速度が小さくなる、若しくは電子の授受が行われなくなることが考えられる。このため比較の形態によれば、基板２の中心部または中心部近傍に形成されるＣｏめっき層８４の厚みが、基板のその他の領域に形成されるＣｏめっき層８４の厚みに比べて薄くなってしまうことが考えられる。若しくは、基板２の中心部にＣｏめっき層８４が形成されなくなってしまうことが考えられる。

　これに対して本実施の形態によれば、上述のように、傾斜吐出口４６ａを用いて基板２の中心部に向けてめっき液３５を吐出することにより、基板２の中心部に到達しためっき液３５が基板２に与える衝撃を弱めることができる。これによって、電子の授受を行うための層を安定に維持することができ、このため、めっき液３５とＰｄめっき層８３との間における電子の授受を迅速に実施させることができる。このことにより、基板２の中心部に形成されるＣｏめっき層８４の厚みが、基板のその他の領域に形成されるＣｏめっき層８４の厚みに比べて薄くなることを防ぐことができる。また、傾斜吐出口４６ａを用いることにより、めっき液３５の吐出流量を低減させることなく、めっき液３５が基板２に与える衝撃を弱めることができる。

　めっき液供給機構の変形例
　なお本実施の形態において、めっき液供給機構３０が、めっき液３５を貯留する供給タンク３１と、供給タンク３１内のめっき液３５を貯留温度に加熱するタンク用加熱手段５０と、供給タンク３１のめっき液３５を第１ノズル４０へ供給する第１供給管３３Ａと、第１供給管３３Ａに取り付けられ、第１ノズル４０に供給されるめっき液３５を第１吐出温度に加熱する第１加熱手段６０Ａと、供給タンク３１のめっき液３５を第２ノズル４５へ供給する第２供給管と、第２供給管３３Ｂに取り付けられ、第２ノズル４５に供給されるめっき液３５を第２吐出温度に加熱する第２加熱手段６０Ｂと、を有する例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、第１ノズル４０に供給されるめっき液３５の温度が第２ノズル４５に供給されるめっき液３５の温度よりも高くなるということが実現される限りにおいて、めっき液供給機構３０の様々な構成が採用され得る。

　例えばめっき液供給機構３０において、供給タンク３１内のめっき液３５を貯留温度に加熱するタンク用加熱手段５０が設けられていなくてもよい。この場合、常温のめっき液３５が第１加熱手段６０Ａおよび第２加熱手段６０Ｂに到達する。そして、第１加熱手段６０Ａによってめっき液３５が第１吐出温度に加熱され、また、第２加熱手段６０Ｂによってめっき液３５が第２吐出温度に加熱される。

　また、めっき液供給機構３０において、第２加熱手段６０Ｂが設けられていなくてもよい。この場合、タンク用加熱手段５０により実現される上述の貯留温度が、めっき温度よりも高くなるよう設定される。すなわち、タンク用加熱手段５０によって、供給タンク３１内のめっき液３５が、めっき温度よりも高い温度に加熱される。これによって、第２ノズル４５から吐出されるめっき液３５の温度を、めっき温度に等しいか、若しくはめっき温度よりも高い所定の温度とすることができる。また、第１加熱手段６０Ａによって、第１ノズル４０に供給されるめっき液３５の温度を、第２ノズル４５に供給されるめっき液３５の温度よりも高くすることができる。

　または、図１１に示すように、めっき液供給機構３０が、めっき液３５を貯留する第１供給タンク３１Ａおよび第２供給タンク３１Ｂと、第１供給タンク３１Ａのめっき液３５を第１ノズル４０へ供給する第１供給管３３Ａと、第２供給タンク３１Ｂのめっき液３５を第２ノズル４５へ供給する第２供給管３３Ｂと、第１供給タンク３１Ａ内のめっき液３５を第１貯留温度に加熱するタンク用第１加熱手段５０Ａと、第２供給タンク３１Ｂ内のめっき液３５を第２貯留温度に加熱するタンク用第２加熱手段５０Ｂと、を有していてもよい。ここで第１タンク用加熱手段５０Ａおよびタンク用加熱手段５０Ｂは、目標温度が異なるのみであり、その他の点は、図４に示す上述のタンク用加熱手段５０と略同一である。図１１に示す第１タンク用加熱手段５０Ａおよびタンク用加熱手段５０Ｂに関して、図４に示すタンク用加熱手段５０と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

　図１１に示す変形例においては、上述の第１貯留温度が第２貯留温度よりも高くなるよう、タンク用第１加熱手段５０Ａおよび前記タンク用第２加熱手段５０Ｂが制御機構１６０により制御される。また第１貯留温度および第２貯留温度は、上述のめっき温度よりも高くなるよう設定されている。このため、第１ノズル４０および第２ノズル４５に供給されるめっき液３５の温度を、めっき温度よりも高くすることができ、かつ、第１ノズル４０に供給されるめっき液３５の温度を、第２ノズル４５に供給されるめっき液３５の温度よりも高くすることができる。

　なお、図１１に示す変形例において一点鎖線で示すように、めっき液供給機構３０が第１加熱手段６０Ａおよび第２加熱手段６０Ｂをさらに含んでいてもよい。この場合、めっき液３５は、図４に示す形態の場合と同様に、タンク用加熱手段５０Ａ，５０Ｂと加熱手段６０Ａ，６０Ｂとにより二段階で加熱される。このため、各第１供給タンク３１Ａおよび第２供給タンク３１Ｂに貯留されているめっき液３５の温度を、めっき温度よりも低い温度にすることができる。これによって、第１供給タンク３１Ａ内および第２供給タンク３１Ｂ内でめっき液３５中の還元剤の失活や成分の蒸発が起こることを抑制でき、このことにより、めっき液３５の寿命が短くなることを防ぐことができる。

　第２ノズルの変形例
　また本実施の形態において、第２ノズル４５の吐出口４６が、基板２の法線方向Ｎから傾斜した傾斜方向Ｓ_１に沿って基板２に向けてめっき液３５を吐出するよう構成された傾斜吐出口４６ａを含む例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、第２ノズル４５の吐出口４６は、基板２の法線方向Ｎに沿って基板２に向けてめっき液３５を吐出するよう構成された垂直吐出口４６ｂをさらに含んでいてもよい。図１２は、垂直吐出口４６ｂをさらに含む吐出口４６を有する第２ノズル４５を示す平面図であり、図１３は、図１２に示す第２ノズル４５をＸIII－ＸIII方向から見た断面図である。

　図１３に示すように、垂直吐出口４６ｂは、基板２の法線方向Ｎに平行な方向Ｓ_２に沿ってめっき液３５を吐出するものである。図１３に示す例において、傾斜吐出口４６ａには傾斜吐出口用の第２供給管３３Ｂ（１）が接続されており、垂直吐出口４６ｂには垂直吐出口用の第２供給管３３Ｂ（２）が接続されている。また、図示はしないが、傾斜吐出口用の第２供給管３３Ｂ（１）および垂直吐出口用の第２供給管３３Ｂ（２）と、第２供給管３３Ｂとの間には、第２供給管３３Ｂ内のめっき液３５を傾斜吐出口用の第２供給管３３Ｂ（１）または垂直吐出口用の第２供給管３３Ｂ（２）のいずれか一方に選択的に供給する閉鎖手段が設けられている。この閉鎖手段は、制御機構１６０によって制御されている。従って、制御機構１６０によって閉鎖手段を制御することにより、傾斜吐出口４６ａまたは垂直吐出口４６ｂのいずれか一方へのめっき液３５の供給を停止することができる。すなわち、閉鎖手段は、傾斜吐出口４６ａまたは垂直吐出口４６ｂのいずれか一方を制御機構１６０からの制御に基づいて閉鎖することができる。

　第２ノズル４５の吐出口４６が上述の垂直吐出口４６ｂをさらに含む場合、傾斜吐出口４６ａと垂直吐出口４６ｂとを状況に応じて使い分けることにより、以下の効果を得ることができる。例えば上述の液置換工程Ｓ３０５においては、第２ノズル４５の垂直吐出口４６ｂを用いて基板２に向けてめっき液３５を吐出する。一方、上述のインキュベーション工程Ｓ３０６およびめっき膜成長工程Ｓ３０７においては、第２ノズル４５の傾斜吐出口４６ａを用いて基板２に向けてめっき液３５を吐出する。このため、液置換工程Ｓ３０５においては、基板２に到達しためっき液３５が基板２に与える衝撃を強めることができ、これによって、基板２上のリンス処理液がめっき液３５に置換されることを促進することができる。またインキュベーション工程Ｓ３０６およびめっき膜成長工程Ｓ３０７においては、上述の本実施の形態の場合と同様に、基板２に到達しためっき液３５が基板２に与える衝撃を弱めることができる。これによって、初期のＣｏめっき層８４が形成されること、および、Ｃｏめっき層８４が成長することが衝撃によって阻害されるのを防ぐことができる。

　第１ノズルの変形例
　また本実施の形態において、第１ノズル４０が、基板２の半径方向に沿って並べられた複数の吐出口４１を含む例を示した。しかしながら、基板２上の領域のうち基板２の半径方向における所定範囲内の領域に対して第１ノズル４０がめっき液３５を直接供給することができる限りにおいて、第１ノズル４０の具体的な形態が限定されることはない。例えば図１４に示すように、第１ノズル４０は、基板２の半径方向に沿って延びるスリット状の吐出口４２を含んでいてもよい。若しくは、図示はしないが、独立した複数のノズルを基板２の半径方向に沿って並べることにより第１ノズル４０が構成されていてもよい。

　また第２ノズル４５の傾斜吐出口４６ａの場合と同様に、第１ノズル４０においても、吐出口４１または吐出口４２が、基板２の法線方向Ｎから傾斜した傾斜方向に沿って基板２に向けてめっき液３５を吐出するよう構成されていてもよい。これによって、第１ノズル４０から吐出されためっき液３５が基板２に衝突する際の衝撃を弱めることができる。このことにより、インキュベーション工程Ｓ３０６およびめっき膜成長工程Ｓ３０７の時、めっき液３５とＰｄめっき層８３との間で電子の授受を行うための層をより安定に維持することができる。

　制御方法の第１の変形例
　また本実施の形態において、第２ノズル４５の吐出口４６が第１ノズル４０の各吐出口４１よりも基板２の中心部に近接するよう位置している状態で、第２ノズル４５が基板２に向けてめっき液３５を吐出する例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、第２ノズル４５が中心位置から周縁位置へ移動している間に第２ノズル４５が基板２に向けてめっき液３５を吐出するよう、制御機構１６０が第２ノズル４５およびアーム４９を制御してもよい。

　図１５（ａ）（ｂ）は、上述の液置換工程Ｓ３０５において、第２ノズル４５が中心位置から周縁位置へ移動している間に基板２に向けてめっき液３５を吐出する例を示す図である。図１５（ｂ）において、中心位置から周縁位置へ向かう方向が矢印Ｄ_１により表されている。この場合、はじめに図１５（ａ）に示すように、中心位置において、第２ノズル４５が基板２の中心部に向けてめっき液３５を吐出する。次に図１５（ｂ）に示すように、第２ノズル４５が中心位置から周縁位置へ移動している間に、第２ノズル４５が基板２に向けてめっき液３５を吐出する。これによって、図１５（ａ）（ｂ）に示すように、基板２の中心部から周縁部に向かう方向において基板２上のリンス処理液７９が順次めっき液３５に置換される。

　ところで、中心位置から周縁位置へ移動している間に第２ノズル４５が基板２に向けてめっき液３５を吐出する場合、吐出されるめっき液３５の速度成分に、第２ノズル４５の移動速度に対応する速度成分であって、基板２の中心部から周縁部へ向かう水平方向の速度成分が含まれることになる。このため、基板２の周縁部に向かってめっき液３５がリンス処理液７９を押す力が強められ、このことにより、基板２上のリンス処理液７９をより効率的にめっき液３５に置換することができる。

　制御方法の第２の変形例
　なお上述の制御方法の第１の変形例において、第２ノズル４５が中心位置から周縁位置へ移動している間に第２ノズル４５が基板２に向けてめっき液３５を吐出するよう、制御機構１６０によって第２ノズル４５およびアーム４９が制御される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、第２ノズル４５が周縁位置から中心位置へ移動している間に第２ノズル４５が基板２に向けてめっき液３５を吐出するよう、制御機構１６０によって第２ノズル４５およびアーム４９を制御してもよい。

　図１６（ａ）（ｂ）は、上述のインキュベーション工程Ｓ３０６において、第２ノズル４５が周縁位置から中心位置へ移動している間に第２ノズル４５が基板２に向けてめっき液３５を吐出する例を示す図である。図１６（ａ）（ｂ）において、周縁位置から中心位置へ向かう方向が矢印Ｄ_２により表されている。

　ところで、第２ノズル４５が周縁位置から中心位置へ移動している間に第２ノズル４５が基板２に向けてめっき液３５を吐出する場合、吐出されるめっき液の速度成分に、第２ノズル４５の移動速度に対応する速度成分であって、基板２の周縁部から中心部へ向かう水平方向の速度成分が含まれることになる。一方、基板２は基板回転保持機構１１０によって回転されている。このため、基板２上に既に存在しているめっき液３５は、遠心力に基づいて、基板２の中心部から周縁部へ向かって移動していると考えられる。すなわち、第２ノズル４５から基板２に向けて吐出されるめっき液３５の水平方向における速度成分と、基板２上に既に存在しているめっき液３５の水平方向における速度成分とは、相反するものとなっている。この場合、図１６（ａ）（ｂ）に示すように、第２ノズル４５から吐出されためっき液３５と、基板２上に既に存在するめっき液３５とが衝突し、これによってめっき液３５の流れが停滞し、この結果、基板２上にめっき液３５の液盛り部分３５ａが形成されることが考えられる。本変形例によれば、このような液盛り部分３５ａを形成することにより、電子の授受を行うための層をより安定に維持することができ、これによって、めっき液３５とＰｄめっき層８３との間における電子の授受をより迅速に実施させることができる。このことにより、Ｐｄめっき層８３上に初期のＣｏめっき層８４が形成されることを促進することができる。

　なお本変形例においては、インキュベーション工程Ｓ３０６において、第２ノズル４５が周縁位置から中心位置へ移動している間に第２ノズル４５が基板２に向けてめっき液３５を吐出する例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、上述のめっき膜成長工程Ｓ３０７においても、第２ノズル４５が周縁位置から中心位置へ移動している間に第２ノズル４５が基板２に向けてめっき液３５を吐出するよう、制御機構１６０により第２ノズル４５およびアーム４９を制御してもよい。これによって、Ｃｏめっき層８４が成長することを促進することができる。

　好ましくは、制御機構１６０は、液置換工程Ｓ３０５の時には第２ノズル４５が中心位置から周縁位置へ移動している間に第２ノズルが基板２に向けてめっき液３５を吐出し、インキュベーション工程Ｓ３０６の時には第２ノズル４５が周縁位置から中心位置へ移動している間に第２ノズルが基板２に向けてめっき液３５を吐出するよう、第２ノズル４５およびアーム４９を制御する。これによって、液置換工程Ｓ３０５およびインキュベーション工程Ｓ３０６の両方を効率的に実施することができる。

　制御方法の第３の変形例
　また本実施の形態において、基板２が基板回転保持機構１１０により第１回転方向Ｒ_１において回転されている例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、状況に応じて基板２を第２回転方向Ｒ_２において回転させてもよい。

　例えば上述の液置換工程Ｓ３０５において、基板２が第２回転方向Ｒ_２において回転している間に第２ノズル４５の傾斜吐出口４６ａからめっき液３５が基板２に向けて吐出されるよう、制御機構１６０が基板回転保持機構１１０および第２ノズル４５を制御してもよい。ここで傾斜吐出口４６ａは上述のように第１回転方向Ｒ_１に対応しており、また第２回転方向Ｒ_２は第１回転方向Ｒ_１とは逆の方向である。このため、基板２を第２回転方向Ｒ_２に回転させる場合、めっき液３５が衝突した領域における水平方向での基板２の移動速度と、水平方向におけるめっき液３５の移動速度との差が大きくなっている。従って、基板２が第２回転方向Ｒ_２において回転している間に傾斜吐出口４６ａから基板２に向けてめっき液３５を吐出させることにより、基板２に衝突しためっき液３５が基板２に与える衝撃を強めることができる。これによって、めっき液３５がリンス処理液７９を押す力を強めることができ、このことにより、基板２上のリンス処理液７９をより効率的にめっき液３５に置換することができる。

　好ましくは、制御機構１６０は、液置換工程Ｓ３０５の時には基板２が第２回転方向Ｒ_２において回転している間に第２ノズル４５が基板２に向けてめっき液３５を吐出し、インキュベーション工程Ｓ３０６の時には基板２が第１回転方向Ｒ_１において回転している間に第２ノズル４５が基板２に向けてめっき液３５を吐出するよう、基板回転保持機構１１０および第２ノズル４５を制御する。これによって、液置換工程Ｓ３０５の時にめっき液３５が基板２に与える衝撃を強めることができ、かつ、インキュベーション工程Ｓ３０６の時にめっき液３５が基板２に与える衝撃を弱めることができる。これによって、液置換工程Ｓ３０５およびインキュベーション工程Ｓ３０６の両方を効率的に実施することができる。

　制御方法の第４の変形例
　また本実施の形態において、液置換工程Ｓ３０５、インキュベーション工程Ｓ３０６およびめっき膜成長工程Ｓ３０７の全ての工程において、第１ノズル４０および第２ノズル４５の両方から基板２に向けてめっき液３５が吐出される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、液置換工程Ｓ３０５において少なくとも第２ノズル４５が用いられ、インキュベーション工程Ｓ３０６において少なくとも第１ノズル４０が用いられる限りにおいて、各工程において用いられる第１ノズル４０および第２ノズル４５を適宜決定することができる。例えば、液置換工程Ｓ３０５においては、第２ノズル４５のみを用いて基板２に向けてめっき液３５を吐出してもよい。またインキュベーション工程Ｓ３０６およびめっき膜成長工程Ｓ３０７においては、第１ノズル４０のみを用いて基板２に向けてめっき液３５を吐出してもよい。

　その他の変形例
　また本実施の形態および各変形例において、第２ノズル４５の傾斜吐出口４６ａを用いることにより、インキュベーション工程Ｓ３０６の時に第２ノズル４５から吐出されためっき液３５が基板２に与える衝撃が弱められる例を示した。しかしながら、第２ノズル４５から吐出されためっき液３５が基板２に与える衝撃を弱めるための具体的な手段が特に限られることはない。例えば、第２ノズル４５の吐出口４６が垂直吐出口４６ｂのみを含む場合であっても、めっき液供給機構３０の第２バルブ３２Ｂを適宜調整することにより、インキュベーション工程Ｓ３０６の時に第２ノズル４５から基板２に向けて吐出されるめっき液３５の、基板２の法線方向Ｎにおける吐出速度を小さくすることができる。これによって、インキュベーション工程Ｓ３０６の時に第２ノズル４５から吐出されためっき液３５が基板２に与える衝撃を弱めることができる。この場合、好ましくは、インキュベーション工程Ｓ３０６の時に第２ノズル４５から基板２に向けて吐出されるめっき液３５の、基板２の法線方向Ｎにおける吐出速度が、液置換工程Ｓ３０５の時に第２ノズル４５から基板２に向けて吐出されるめっき液３５の、基板２の法線方向Ｎにおける吐出速度よりも小さくなるよう、制御機構１６０がめっき液供給機構３０を制御する。これによって、液置換工程Ｓ３０５およびインキュベーション工程Ｓ３０６の両方を効率的に実施することができる。

　また本実施の形態および各変形例において、第１ノズル４０および第２ノズル４５から基板２に向けて吐出される化学還元タイプのめっき液３５として、ＣｏＰめっき液が用いられる例を示した。しかしながら、用いられるめっき液３５がＣｏＰめっき液に限られることはなく、様々なめっき液３５が用いられ得る。例えば、化学還元タイプのめっき液３５として、ＣｏＷＢめっき液、ＣｏＷＰめっき液、ＣｏＢめっき液またはＮｉＰめっき液など、様々なめっき液３５が用いられ得る。

　また本実施の形態および各変形例において、第１ノズル４０が、基板２の半径方向に沿って並べられた複数の吐出口４１を含む、または、基板２の半径方向に沿って延びるスリット状の吐出口４２を含む例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、第１ノズル４０が１つの円形の吐出口４１のみを含んでいてもよい。例えば図１７に示すように、吐出機構２１が、基板２に向けてめっき液３５を吐出する吐出口４１を含む第１ノズル４０と、第１ノズル４０の吐出口４１よりも基板２の中心部に近接するよう位置することができる吐出口４６を含む第２ノズル４５と、を有していてもよい。この場合であっても、本実施の形態および各変形例によれば、めっき液供給機構３０が、第１ノズル４０に供給されるめっき液３５の温度が第２ノズル４５に供給されるめっき液３５の温度よりも高くなるよう構成されている。このため、基板２上の領域のうち基板２の中心部よりも周縁側の領域に到達するめっき液３５の温度を高くすることができる。これによって、基板２の中心部におけるめっき液３５の反応条件と、基板２の周縁部におけるめっき液３５の反応条件との間に差が生じることを抑制することができる。

　上述のめっき処理装置２０の第１ノズル４０および第２ノズル４５を用いて、基板２に向けてめっき液を吐出した例について説明する。

　（実施例１）
　複数の吐出口４１を有する第１ノズル４０と、基板２の中心部に位置する第２ノズル４５とを用いて、基板２に向けてＣｏＰめっき液を吐出した。この際、第１ノズル４０に供給されるめっき液の温度を９０℃とし、第２ノズル４５に供給されるめっき液の温度を８０℃とした。そして、基板２の温度を、基板２の半径方向に沿って測定した。結果を図１８に示す。なお図１８において、横軸は基板２上での位置を示しており、縦軸は測定された温度を示している。また図１８の横軸において、「０」が基板２の中心部に対応しており、「±１５０」が基板２の周縁部に対応している。

　（比較例１）
　基板２の中心部に位置する第２ノズル４５のみを用いて、基板２に向けてＣｏＰめっき液を吐出した。この際、第２ノズル４５に供給されるめっき液の温度を８０℃とした。そして、基板２の温度を、基板２の半径方向に沿って測定した。結果を、実施例１の結果と併せて図１８に示す。

　図１８に示すように、複数の吐出口４１を有する第１ノズル４０と、基板２の中心部に位置する第２ノズル４５とを用いることにより、基板２の温度を、基板２の全域にわたって略均一にすることができた。

　１　めっき処理システム
　２　基板
　２０　めっき処理装置
　２１　吐出機構
　３０　めっき液供給機構
　３１　供給タンク
　３１Ａ　第１供給タンク
　３１Ｂ　第２供給タンク
　３３Ａ　第１供給管
　３３Ｂ　第２供給管
　４０　第１ノズル
　４１　吐出口
　４５　第２ノズル
　４６　吐出口
　４６ａ　傾斜吐出口
　４６ｂ　垂直吐出口
　５０　タンク用加熱手段
　５０Ａ　第１タンク用加熱手段
　５０Ｂ　第２タンク用加熱手段
　６０Ａ　第１加熱手段
　６０Ｂ　第２加熱手段
　１１０　基板回転保持機構
　１６０　制御機構
　１６１　記憶媒体

Claims (10)

1. 　基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置において、
   　前記基板を保持して回転させる基板回転保持機構と、
   　前記基板回転保持機構に保持された前記基板に向けてめっき液を吐出する吐出機構と、
   　前記吐出機構にめっき液を供給するめっき液供給機構と、
   　前記吐出機構および前記めっき液供給機構を制御する制御機構と、を備え、
   　前記吐出機構は、前記基板に向けてめっき液を吐出する吐出口を含む第１ノズルと、前記第１ノズルの吐出口よりも前記基板の中心部に近接するよう位置することができる吐出口を含む第２ノズルと、を有し、
   　前記めっき液供給機構は、前記第１ノズルに供給されるめっき液の温度が前記第２ノズルに供給されるめっき液の温度よりも高くなるよう構成されていることを特徴とするめっき処理装置。
2. 　前記めっき液供給機構は、めっき液を貯留する供給タンクと、前記供給タンクのめっき液を前記第１ノズルへ供給する第１供給管と、前記第１供給管に取り付けられ、前記第１ノズルに供給されるめっき液を加熱する第１加熱手段と、前記供給タンクのめっき液を前記第２ノズルへ供給する第２供給管と、を有することを特徴とする請求項１に記載のめっき処理装置。
3. 　前記めっき液供給機構は、前記第２供給管に取り付けられ、前記第２ノズルに供給されるめっき液を加熱する第２加熱手段をさらに有し、
   　前記第１加熱手段および前記第２加熱手段は、前記第１ノズルに供給されるめっき液の温度が前記第２ノズルに供給されるめっき液の温度よりも高くなるよう構成されていることを特徴とする請求項２に記載のめっき処理装置。
4. 　前記めっき液供給機構は、前記供給タンク内のめっき液を加熱するタンク用加熱手段をさらに有することを特徴とする請求項２に記載のめっき処理装置。
5. 　前記タンク用加熱手段は、前記供給タンク内のめっき液の温度が、めっき液の自己反応が進行するめっき温度よりも低温になるよう構成されていることを特徴とする請求項４に記載のめっき処理装置。
6. 　前記めっき液供給機構は、前記供給タンク内のめっき液を加熱するタンク用加熱手段をさらに有することを特徴とする請求項３に記載のめっき処理装置。
7. 　前記タンク用加熱手段は、前記供給タンク内のめっき液の温度が、めっき液の自己反応が進行するめっき温度よりも低温になるよう構成されていることを特徴とする請求項６に記載のめっき処理装置。
8. 　前記めっき液供給機構は、めっき液を貯留する第１供給タンクおよび第２供給タンクと、前記第１供給タンクのめっき液を前記第１ノズルへ供給する第１供給管と、前記第２供給タンクのめっき液を前記第２ノズルへ供給する第２供給管と、前記第１供給タンク内のめっき液を加熱するタンク用第１加熱手段と、前記第２供給タンク内のめっき液を加熱するタンク用第２加熱手段と、を有し、
   　前記タンク用第１加熱手段および前記タンク用第２加熱手段は、前記第１ノズルに供給されるめっき液の温度が前記第２ノズルに供給されるめっき液の温度よりも高くなるよう構成されていることを特徴とする請求項１に記載のめっき処理装置。
9. 　基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理方法において、
   　前記基板を基板回転保持機構上に配置することと、
   　前記基板に吐出機構を介してめっき液を吐出することと、を備え、
   　前記吐出機構は、前記基板に向けてめっき液を吐出する吐出口を含む第１ノズルと、前記第１ノズルの吐出口よりも前記基板の中心部に近接するよう位置することができる吐出口を含む第２ノズルと、を配置し、
   　前記第１ノズルから前記基板に向けて吐出されるめっき液の温度は、前記第２ノズルから前記基板に向けて吐出されるめっき液の温度よりも高いことを特徴とするめっき処理方法。
10. 　めっき処理装置にめっき処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
    　前記めっき処理方法は、基板にめっき液を供給してめっき処理を行う方法であって、
    　基板を基板回転保持機構上に配置することと、
    　前記基板に吐出機構を介してめっき液を吐出することと、を備え、
    　前記吐出機構は、前記基板に向けてめっき液を吐出する吐出口を含む第１ノズルと、前記第１ノズルの吐出口よりも前記基板の中心部に近接するよう位置することができる吐出口を含む第２ノズルと、を配置し、
    　前記第１ノズルから前記基板に向けて吐出されるめっき液の温度は、前記第２ノズルから前記基板に向けて吐出されるめっき液の温度よりも高い、方法からなっていることを特徴とする記憶媒体。

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