WO2012164980A1

WO2012164980A1 - スイッチ付きコネクタ

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Publication number: WO2012164980A1
Application number: PCT/JP2012/053848
Authority: WO
Inventors: 正道安藤; 真一剱崎
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2011-06-02
Filing date: 2012-02-17
Publication date: 2012-12-06
Anticipated expiration: 2013-12-02
Also published as: US20140065845A1; US9385490B2; JP5679053B2; JPWO2012164980A1

Abstract

　相互変調歪みが発生することを抑制できるスイッチ付きコネクタを提供することである。　固定端子（２２）は、下ケース（１８）のｚ軸方向の正方向側の面上に取り付けられている。可動端子（２０）は、オーステナイト系ステンレスにＮｉめっき及びＡｕめっきが施されてなり、固定端子（２２）に対して接離可能に圧接している。磁石（１００）は、下ケース（１８）のｚ軸方向の負方向側の面上に取り付けられており、固定端子（２２）及び可動端子（２０）から離れた位置に設けられている。

Description

スイッチ付きコネクタ

　本発明は、スイッチ付きコネクタに関し、より特定的には、高周波信号が伝送されるスイッチ付きコネクタに関する。

　従来のスイッチ付きコネクタとしては、例えば、特許文献１に記載の同軸コネクタが知られている。図８は、特許文献１に記載の同軸コネクタ５００の断面構造図である。

　同軸コネクタ５００は、図８に示すように、ヨーク端子５０２、可動端子５０４、ヨーク端子５０６及び磁石５０８を備えている。

　ヨーク端子５０２，５０６は、磁石５０８を挟んで対向しており、磁石５０８に接触している。可動端子５０４は、通常では、図８（ａ）に示すように、磁石５０８の磁力により、ヨーク端子５０２，５０６に接触している。これにより、ヨーク端子５０２とヨーク端子５０６との間が導通している。

　一方、可動端子５０４は、プローブ６００が挿入されると、図８（ｂ）に示すように、プローブ６００により下方に押し下げられて、ヨーク端子５０６から離れる。これにより、ヨーク端子５０２とヨーク端子５０６との間が絶縁される。

　以上の同軸コネクタ５００では、ヨーク端子５０２，５０６における可動端子５０４との接点には、下地ニッケルメッキ処理及び表面金メッキ処理が施されている。表面金メッキ処理が接点に施されることにより、接点の腐食が防止され、ヨーク端子５０２，５０６と可動端子５０４との接触信頼性が向上する。

　しかしながら、特許文献１に記載の同軸コネクタ５００では、以下に説明するように、相互変調歪みが発生する可能性が高い。前記の通り、ヨーク端子５０２，５０６には、金メッキ膜の下にはニッケルメッキ膜が形成されている。ニッケルメッキ膜は、電解メッキ法により形成されると、高い透磁率を有する。

　ここで、同軸コネクタ５００では、例えば、１ＧＨz程度の周波数を有する高周波信号が伝送される。このような高周波信号の電流は、表皮効果により、ヨーク端子５０２，５０６の表皮に集中して流れる。そして、電流密度が１／ｅ（≒０．３７）に減衰する深さである表皮深さδは、以下の式（１）に示される。

δ＝（πｆσμ₀μ_r）^-1/2・・・（１）
σ：導電率
ｆ：高周波信号の周波数
μ₀：真空の透磁率（＝４π×１０^-7）
μ_r：比透磁率

　高周波信号の周波数ｆを１ＧＨｚとすると、式（１）によれば、金の表皮深さδは２．３６μｍとなる。一方、金メッキ膜の厚さは、コストを鑑みて一般的に、１μｍ以下である。そのため、高周波信号の電流は、金メッキ膜の下層のニッケルメッキ膜にも流れる。一般に磁性を有する金属、即ち比透磁率μ_rが１より大きな金属に高周波信号の強い電流が流れると、以下に説明するような原理で、相互変調歪みが発生すると言われている。

　高い透磁率を有する磁性金属では、高周波電流が流れる領域である表皮深さδが小さくなり、導体の表皮に近い部分の電流密度が著しく大きくなる。そしてこの大きな電流密度により表皮部分の透磁率（比透磁率μ_r）が減少する。透磁率（比透磁率μ_r）が減少すると、表皮深さδは大きくなり、磁性金属の表層の電流密度が減少する。

　一方、表層の電流密度が減少すると、磁性金属の透磁率（比透磁率μ_r）は再び増加する（但し元の透磁率は越えない）。透磁率（比透磁率μ_r）が増加すると、表皮深さδは小さくなり、磁性金属の表層の電流密度が増加する。

　以上のように、表皮深さδが変化することにより電流密度が変化し、電流密度の変化はオーミック損の変化となり、電圧の変化に対する電流の変化が非線形になる。ヨーク端子５０２，５０６には磁性を有するニッケルメッキが施されており、同軸コネクタ５００に大きな高周波電流が流れたとき、相互変調歪みが発生する。

特開２００４－３４２５０１号公報

　そこで、本発明の目的は、相互変調歪みが発生することを抑制できるスイッチ付きコネクタを提供することである。

　本発明の一形態に係るスイッチ付きコネクタは、第１の端子と、第２の端子と、該第１の端子及び該第２の端子から離れた位置に設けられている磁石と、を備えており、高周波信号の伝送に用いられるスイッチ付きコネクタであって、前記第１の端子と前記第２の端子の少なくとも一方は、磁性体金属を有しており、前記第２の端子は、前記第１の端子に対して接離可能であること、を特徴とする。

　本発明によれば、端子の接点に腐食が発生することを抑制できると共に、相互変調歪みが発生することを抑制できる。

本発明の一実施形態に係るスイッチ付きコネクタの外観斜視図である。図１のスイッチ付きコネクタの分解斜視図である。図１のスイッチ付きコネクタの分解斜視図である。下ケース上に可動端子及び固定端子が取り付けられた状態の外観斜視図である。上ケース上に可動端子及び固定端子が取り付けられた状態の外観斜視図である。図６（ａ）は、相手方コネクタが装着されていないときのスイッチ付きコネクタのｘｚ平面における断面構造図である。図６（ｂ）は、相手方コネクタが装着されているときのスイッチ付きコネクタのｘｚ平面における断面構造図である。本願発明者が実験において作成した回路のブロック図である。特許文献１に記載の同軸コネクタの断面構造図である。

　以下に、本発明の一実施形態に係るスイッチ付きコネクタについて、図面を参照して説明する。

（スイッチ付きコネクタの構成）
　図１は、本発明の一実施形態に係るスイッチ付きコネクタ１０の外観斜視図である。また、図２及び図３は、スイッチ付きコネクタ１０の分解斜視図である。以下、このスイッチ付きコネクタ１０の詳細について説明する。図１ないし図３において、外部端子１４、上ケース１６及び下ケース１８が重ねられる方向をｚ軸方向とする。ｚ軸方向の正方向は、下ケース１８から外部端子１４へと向かう方向である。また、可動端子２０及び固定端子２２が並ぶ方向をｘ軸方向とし、ｘ軸方向とｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向とする。ｘ軸方向の正方向は、可動端子２０から固定端子２２へと向かう方向である。

　スイッチ付きコネクタ１０は、高周波信号の伝送に用いられる。スイッチ付きコネクタ１０は、図１に示すように、本体１２、可動端子２０、固定端子２２及び磁石１００を備え、２ｍｍ×２ｍｍ×０．９ｍｍの大きさを有している。また、本体１２は、図２に示すように、金属製の外部端子１４、絶縁性材料である樹脂製の上ケース１６及び下ケース１８がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に重ねられて構成されている。

　下ケース１８は、図２に示すように、矩形状をなしており、ｚ軸方向の正方向側の面に上ケース１６を位置決めするための突起５２ａ，５２ｂを有している。突起５２ａ，５２ｂは、下ケース１８においてｙ軸方向の両端に位置する辺に沿ってｘ軸方向に延在している。また、下ケース１８には、孔５３ａ，５３ｂが設けられている。

　更に、図２に示すように、下ケース１８のｙ軸方向に延在している２辺のそれぞれの中央部には、可動端子２０及び固定端子２２が外部に引き出されるための矩形の切り欠き部５４，５５が形成されている。また、切り欠き部５４のｘ軸方向の正方向側近傍には、可動端子２０を位置決めするための突起５６が設けられている。該切り欠き部５４と突起５６との間には、可動端子２０を固定するための固定面５７が設けられている。一方、切り欠き部５５のｘ軸方向の負方向側の近傍には、固定端子２２を固定するための固定面５８が設けられている。

　上ケース１６は、図２に示すように、円筒部３４及びカバー部３５を備えている。カバー部３５は、突起５２ａ，５２ｂに沿った外形を有した板状部材であり、突起５２ａ，５２ｂの間に嵌め込まれる。円筒部３４は、カバー部３５の中央においてｚ軸方向の正方向側へと突出している。円筒部３４は、ｚ軸方向の正方向側がすり鉢状に開口し、かつ、ｘｙ平面での断面が円形の穴３４ａを有している。この穴３４ａは上ケース１６を貫通している。穴３４ａには、相手方コネクタのプローブがすり鉢状開口側から挿入されることになる。

　更に、上ケース１６のｚ軸方向の負方向側の面には、図３に示すように、ｚ軸方向の負方向側に突出する２つの円柱形のリブ３６ａ，３６ｂが設けられている。該リブ３６ａ，３６ｂはそれぞれ、下ケース１８に設けられている孔５３ａ，５３ｂに挿入されることにより、上ケース１６と下ケース１８とを位置決めする。

　また、図３に示すように、上ケース１６のｚ軸方向の負方向側の面において、ｘ軸方向の負方向側の端近傍に可動端子２０を固定するための固定面３７が設けられている。固定面３７は、スイッチ付きコネクタ１０が組み立てられたときに、固定面５７と共に可動端子２０を挟んで固定する。同様に、上ケース１６のｚ軸方向の負方向側の面において、ｘ軸方向の正方向側の端近傍に固定端子２２を固定するための固定面３９が設けられている。固定面３９は、スイッチ付きコネクタ１０が組み立てられたときに、固定面５８と共に固定端子２２を挟んで固定する。更に、固定面３９のｘ軸方向の負方向側には、載置部３８が設けられている。載置部３８は、上ケース１６のｚ軸方向の負方向側の面において、ｚ軸方向の負方向側に突出するように設けられており、後述する固定端子２２の固定部４８及び接触部５０ａ，５０ｂが載置される。

　次に、可動端子２０及び固定端子２２について、図１ないし図５を参照しながら説明する。図４は、下ケース１８上に可動端子２０及び固定端子２２が取り付けられた状態の外観斜視図である。また、図５は、上ケース１６上に可動端子２０及び固定端子２２が取り付けられた状態の外観斜視図である。

　固定端子２２は、図２ないし図４に示すように、下ケース１８のｚ軸方向の正方向側の面上に取り付けられている。固定端子２２は、リン青銅（例えば、Ｃ５１９１Ｒ－１／２Ｈ）の金属板を打ち抜き加工及び曲げ加工して形成されており、表面にＮｉめっき及びＡｕめっきが施されている。すなわち、金属（リン青銅）からなる固定端子２２本体の表面に、電解めっき法によりＮｉめっきが施され、Ｎｉめっき上にＡｕめっきが施されている。Ｎｉめっきの膜厚は、０．２０μｍ以上１．００μｍ以下である。Ａｕめっきの膜厚は、０．０３０μｍ以上０．２０μｍ以下である。量産において固定端子２２はコストを鑑みればフープ材に連続的に設けられた形として供給するのが好適である、フープ材は一般的には電解めっき法によるめっきとなるため、Ｎｉめっきは通常磁性を帯びている。

　固定端子２２は、図２及び図３に示すように、固定部４８、リード部４９及び接触部５０ａ，５０ｂにより構成されている。固定部４８は、スイッチ付きコネクタ１０が組み立てられたときに、固定面３９と固定面５８との間に挟まれることにより本体１２に固定される平坦部分である。リード部４９は、固定端子２２の固定部４８よりもｘ軸方向の正方向側の部分をＬ字状に曲げ加工して形成されており、図１及び図４に示すように、スイッチ付きコネクタ１０が組み立てられたときに、切り欠き部５５から本体１２の外部に露出している。接触部５０ａ，５０ｂは、図４及び図５に示すように、固定端子２２のｘ軸方向の負方向側の端部をｚ軸方向の正方向側に折り曲げて形成され、ｚ軸方向の負方向側を向く部分において可動端子２０と接触する。該接触部５０ａ，５０ｂは、後述する枝部４４ａ，４４ｂに対応するように２つ設けられている。また、該接触部５０ａ，５０ｂと固定部４８との間の折れ線は、ｘ軸方向と平行である。接触部５０ａ，５０ｂ間の固定部４８及び接触部５０ａ，５０ｂは、図５に示すように、接触部５０ａ，５０ｂ及び固定部４８に沿った形状を有する載置部３８上に載置される。

　可動端子２０は、図２ないし図４に示すように、下ケース１８のｚ軸方向の正方向側の面上に取り付けられている。可動端子２０は、ばね性を有するオーステナイト系のバネ用ステンレス（例えば、ＳＵＳ３０１－ＣＳＰ又はＳＵＳ３０４－ＣＳＰ）の金属板を打ち抜き加工及び曲げ加工して形成されており、表面にＮｉめっき及びＡｕめっきが施されている。すなわち、金属（オーステナイト系ステンレス）からなる可動端子２０本体の表面に、電解めっき法によりＮｉめっきが施され、Ｎｉめっき上にＡｕめっきが施されている。Ｎｉめっきの膜厚は、０．２０μｍ以上１．００μｍ以下である。Ａｕめっきの膜厚は、０．０３０μｍ以上０．２０μｍ以下である。また、可動端子２０本体は、オーステナイト系ステンレスが曲げ加工されているので、マルテンサイト変態を生じて磁性を帯びている。また、量産において可動端子２０もコストを鑑みればフープ材に連続的に設けられた形として供給するのが好適である、フープ材は一般的には電解めっき法によるめっきとなり、Ｎｉめっきは通常磁性を帯びている。

　可動端子２０は、図２及び図３に示すように、固定部４２、リード部４３及び板ばね部４４を備えている。固定部４２は、スイッチ付きコネクタ１０が組み立てられたときに、固定面３７と固定面５７との間に挟まれることにより本体１２に固定される平坦部分である。リード部４３は、可動端子２０の固定部４２よりもｘ軸方向の負方向側の部分をＬ字状に曲げ加工して形成されており、図１及び図４に示すように、スイッチ付きコネクタ１０が組み立てられたときに、切り欠き部５４から本体１２の外部に露出している。

　板ばね部４４は、図４に示すように、固定部４２から固定端子２２に向かってｘ軸方向に直線状に延在しており、固定端子２２の接触部５０ａ，５０ｂと接触していると共に、その先端ｔａ，ｔｂにおいて下ケース１８に摺動可能に接触している。より詳細には、板ばね部４４は、先端ｔａ，ｔｂ側（ｘ軸方向の正方向側）において２つに枝分かれして形成されている枝部４４ａ，４４ｂを有している。固定部４８は、該枝部４４ａ，４４ｂの間に位置し、固定端子２２の接触部５０ａ，５０ｂはそれぞれ、ｚ軸方向から平面視したときに枝部４４ａ，４４ｂに重なるようにｚ軸方向正方向にいくにしたがってｙ軸方向に広がっている。また、板ばね部４４は、ｚ軸方向の正方向側に突出するように湾曲している。そのため、枝部４４ａ，４４ｂはそれぞれ、接触部５０ａ，５０ｂに板ばね部４４の付勢力により圧接している。これにより、可動端子２０と固定端子２２は、接離可能に圧接しており、互いに電気的に接続されている。

　更に、板ばね部４４及び固定部４２に跨って、孔４５が形成されている。該孔４５には、図４に示すように、突起５６が挿入される。これにより、可動端子２０が、ｘｙ平面内において位置決めされている。

　以上のように構成された可動端子２０及び固定端子２２は、図５に示すように、まず、固定端子２２が上ケース１６に取り付けられてから、可動端子２０が上ケース１６に取り付けられる。これにより、枝部４４ａ，４４ｂのｚ軸方向の正方向側の部分と接触部５０ａ，５０ｂのｚ軸方向の負方向側の部分とが接触する。

　外部端子１４は、真鍮やベリリウム銅の金属板を打ち抜き加工、曲げ加工、絞り加工等により形成され、表面にＡｕめっきが施されている。外部端子１４は、相手方コネクタの外導体と接触し、図１及び図２に示すように、フラット部３１、円筒部３２及び脚部３３ａ，３３ｂを備えている。

　フラット部３１は、板状部材であり、上ケース１６をｚ軸方向の正方向側から覆う。フラット部３１のｙ軸方向の両端に位置する辺には、脚部３３ａ，３３ｂが設けられている。脚部３３ａ，３３ｂは、フラット部３１からｙ軸方向に延在する板状体の一部を折り曲げて形成されており、図１に示すように、上ケース１６及び下ケース１８を挟み込んで固定する。更に、フラット部３１の中央部には、ｚ軸方向の正方向側に突出する円筒部３２が設けられている。円筒部３２は、円筒部３４と同心となるように形成されており、相手方コネクタの外導体と嵌合する。外部端子１４は通常アースとして機能している。

　磁石１００は、固定端子２２及び可動端子２０から離れた位置に設けられており、具体的には、下ケース１８のｚ軸方向の負方向側の面上に取り付けられている。本実施形態では、磁石１００は、ｚ軸方向から平面視したときに、可動端子２０と重なっている。

　以上のように構成されたスイッチ付きコネクタ１０は、以下のように組み立てられる。図５に示すように、固定端子２２を位置合わせして上ケース１６に取り付け、その後、可動端子２０を位置合わせして上ケース１６に取り付ける。

　次に、図５に示すように、上ケース１６に対してｚ軸方向の正方向側から外部端子１４を取り付ける。この際、円筒部３４は、円筒部３２に挿入される。なお、図５では、脚部３３ａ，３３ｂは、折り曲げられているが、実際には、この段階において、脚部３３ａ，３３ｂは、折り曲げられていない。この後、図３に示すように、上ケース１６に対してｚ軸方向の負方向側から下ケース１８を積み重ねる。この際、リブ３６ａ，３６ｂが、孔５３ａ，５３ｂに挿入される。

　次に、外部端子１４の脚部３３ａ，３３ｂをカシメる。

　最後に、接着剤等により、磁石１００を下ケース１８のｚ軸方向の負方向側の面に取り付ける。これにより、図１に示すような構造を有するスイッチ付きコネクタ１０を得ることができる。

（スイッチ付きコネクタの動作）
　次に、スイッチ付きコネクタ１０の動作について図６を参照して説明する。図６（ａ）は、相手方コネクタが装着されていないときのスイッチ付きコネクタ１０のｘｚ平面における断面構造図である。図６（ｂ）は、相手方コネクタが装着されているときのスイッチ付きコネクタ１０のｘｚ平面における断面構造図である。

　図６（ａ）に示すように、相手方コネクタが装着されていないとき、可動端子２０は、ｘ軸方向の中央部がｚ軸方向の正方向側に膨らんだ状態である。これにより、枝部４４ａ，４４ｂ（図６では枝部４４ａのみ記載）は、接触部５０ａ，５０ｂ（図６では、接触部５０ａのみ記載）に、板ばね部４４の付勢力により圧接しており、可動端子２０と固定端子２２とは、電気的に接続されている。

　一方、相手方コネクタが装着されるときには、穴３４ａを介して相手方コネクタのプローブ１３０が、ｚ軸方向の正方向側から負方向側へと挿入される。これにより、プローブ１３０は、板ばね部４４に接触し、該板ばね部４４をｚ軸方向の負方向側へと押し下げる。すなわち、板ばね部４４は、プローブ１３０により、固定端子２２から離れる方向に変位させられる。これにより、図６（ｂ）に示すように、板ばね部４４の枝部４４ａ，４４ｂは、接触部５０ａ，５０ｂから離れ、可動端子２０と固定端子２２との電気的接続が断たれる一方、プローブ１３０と可動端子２０とが電気的に接続される。同時に、相手方コネクタの外導体（図示せず）が外部端子１４に嵌合して、外導体も外部端子１４と電気的に接続される。

　また、相手方コネクタをスイッチ付きコネクタ１０から外すと、板ばね部４４のｘ軸方向の中央部は、図６（ａ）に示すように、ｚ軸方向の正方向側に復帰する。これにより、可動端子２０と固定端子２２とが再び電気的に接続される一方、プローブ１３０と可動端子２０との電気的接続が断たれる。

（効果）
　以上のように構成されたスイッチ付きコネクタ１０は、可動端子２０の固定端子２２との接点に腐食が発生することを抑制できる。より詳細には、スイッチ付きコネクタ１０の可動端子２０の表面には、耐環境性に優れた金めっきが施されている。そのため、可動端子２０の固定端子２２との接点が金により保護される。その結果、可動端子２０の固定端子２２との接点に腐食が発生することが抑制される。

　また、スイッチ付きコネクタ１０は、相互変調歪みが発生することを抑制できる。より詳細には、特許文献１に記載の同軸コネクタ５００では、ヨーク端子５０２，５０６には、金メッキ膜の下にはニッケルメッキ膜が形成されている。ニッケルメッキ膜は、電解メッキ法により形成されると、高い透磁率を有する。その結果、同軸コネクタ５００において、相互変調歪みが発生する。

　一方、スイッチ付きコネクタ１０では、磁石１００が設けられている。磁石１００は、可動端子２０本体及びＮｉめっきにおいて磁気飽和を発生させる。すなわち、可動端子２０本体及びＮｉめっきの比透磁率μ_rが１に近づく。その結果、スイッチ付きコネクタ１００において、相互変調歪みが発生することが抑制される。

　更に、スイッチ付きコネクタ１０は、以下の理由によって、相互変調歪みが発生することを抑制できる。より詳細には、固定端子２２及び可動端子２０に高周波信号が流れると、固定端子２２及び可動端子２０の周囲には電磁場が発生する。磁石１００は、一般的にフェライト等により構成され、磁性体であってかつ誘電体である。磁石１００は、実電流が流れる固定端子２２及び可動端子２０に接触していると、電圧に対する電流の変化に非線形性をもたらす可能性が大きくなる。仮に、特許文献１に記載の同軸コネクタ５００と同じように、磁石１００が固定端子２２又は可動端子２０に対して接触していると、電流により発生する磁場の多くが磁石内に侵入し、磁石内で歪みを生じた磁場が再び電流に影響を及ぼして電圧に対する電流の変化に非線形性をもたらし、相互変調歪みが発生する。そこで、スイッチ付きコネクタ１０では、磁石１００は、固定端子２２及び可動端子２０から離れた位置に設けられている。これにより、高周波電流により発生する磁場が磁石１００に侵入する量が減少し、またこの磁場の歪みが再び電流に影響を及ぼす量も著しく軽減される。その結果、スイッチ付きコネクタ１０では、相互変調歪みが発生することが抑制される。磁石１００と固定端子２２または可動端子２０との距離は、磁石１００の大きさ、材質、強さ、及びコネクタを流れる電力の大きさを考慮し、実験などによって求められる設計事項である。

　また、スイッチ付きコネクタ１０では、オーステナイト系ステンレスからなる可動端子２０本体に腐食が発生することが抑制される。より詳細には、薄く形成されたＡｕめっきは、ポーラスな膜であり、また、Ａｕのイオン化傾向は、最も貴である。そのため、Ａｕめっきが可動端子２０本体に直接に形成されていると、Ａｕめっきの孔からＡｕめっきの下地の金属であるステンレスが露出する。露出したステンレスに空気中の水分が付着すると、ステンレスとＡｕめっきとの間でガルバニ電池効果が発生し、ステンレスとＡｕめっきとの間で電流が流れる。その結果、ステンレスに腐食が発生する。そこで、スイッチ付きコネクタ１０では、Ａｕめっきの下地にはＮｉめっきが設けられている。Ｎｉめっきは、ステンレスに比べて腐食しにくい。よって、スイッチ付きコネクタ１０では、可動端子２０本体に腐食が発生することが抑制される。

　なお、スイッチ付きコネクタ１０では、Ｎｉめっきは、電解めっき法により形成されているため磁性を帯びている。一方、無電解めっき法により形成され、Ｐ（りん）を５％以上含有するＮｉめっきは、磁性を帯びていない。そのため、スイッチ付きコネクタ１０においても、無電解めっき法によりＮｉめっきを形成することが考えられる。

　しかしながら、可動端子２０には、以下に説明する理由により、無電解めっき法によりＮｉめっきを形成することが困難である。可動端子２０は、帯状のフープ材に打ち抜き加工及び曲げ加工が施された後に、フープ材につながった状態でめっきが施されることによって作製される。そして、可動端子２０は、フープ材から切り離されて、スイッチ付きコネクタ１０に用いられる。そのため、可動端子２０のめっきでは、フープ材につながった複数の可動端子２０に連続してめっきが施されなければならないため、電解めっき法が適用される。フープ材の連続めっきにおいて一般的に無電解めっきが行われない理由としては以下のことがあげられる。
１）密着性に優れるめっきが得られにくい。
２）工程数が多く、操作が煩雑である。
３）各工程における処理時間の長さが異なるため、連続的に行うのが困難である。

　また、スイッチ付きコネクタ１０では、可動端子２０本体の材料として、オーステナイト系のバネ用ステンレスが用いられている。前記の通り、オーステナイト系ステンレスは、曲げ加工によって、マルテンサイト変態を生じて、磁性を帯びるという性質を有する。そこで、可動端子２０本体の材料として、可動端子２０本体の材料と同様に、リン青銅を用いることが考えられる。リン青銅は、曲げ加工によって磁性を帯びることがない。

　しかしながら、リン青銅は一般的に、オーステナイト系のバネ用ステンレスと比較してバネ定数が小さく、可動端子２０と固定端子２２との圧接力が小さくなる。より確実に固定端子２２と可動端子２０とを接触させるためにはバネ定数の大きなオーステナイト系のバネ用ステンレスを可動端子２０本体の材料として用いることが望ましい。

（実験結果）
　本願発明者は、スイッチ付きコネクタ１０が奏する効果をより明確にするために、以下に説明する実験を行った。図７は、本願発明者が実験において作成した回路のブロック図である。

　図７に示す回路は、スイッチ付きコネクタ１０、シグナルジェネレータ１２１，１３１、パワーアンプ１２２，１３２，アンプ１４２、バンドパスフィルタ１２３，１３３，１４３，１５１、スペクトラムアナライザ１４１及びダミーロード１５２を備えている。

　シグナルジェネレータ１２１は、周波数Ｆ１の高周波信号Ｓｉｇ１を発生する。パワーアンプ１２２は、高周波信号Ｓｉｇ１を増幅する。バンドパスフィルタ１２３は、高周波信号Ｓｉｇ１を通過させる通過帯域を持ち、後述する高周波信号Ｓｉｇ２及び相互変調歪みＳｉｇ３を所定量以上減衰させる減衰域を持っている。

　シグナルジェネレータ１３１は、周波数Ｆ２（＞Ｆ１）の高周波信号Ｓｉｇ２を発生する。パワーアンプ１３２は、高周波信号Ｓｉｇ２を増幅する。バンドパスフィルタ１３３は、高周波信号Ｓｉｇ２を通過させる通過帯域を持ち、高周波信号Ｓｉｇ１及び後述する相互変調歪みＳｉｇ３を所定量以上減衰させる減衰域を持っている。

　バンドパスフィルタ１４３は、後述する相互変調歪みＳｉｇ３を通過させる通過帯域を持ち、高周波信号Ｓｉｇ１，Ｓｉｇ２を所定量以上減衰させる減衰域を持っている。アンプ１４２は、バンドパスフィルタ１４３からの出力を増幅し、スペクトラムアナライザ１４１に出力する。

　スイッチ付きコネクタ１０を通過した高周波信号Ｓｉｇ１，Ｓｉｇ２は、バンドパスフィルタ１５１を通過し、ダミーロード１５２により消費される。また、バンドパスフィルタ１５１は、ダミーロード１５２内において発生した相互変調歪みがスイッチ付きコネクタ１０側に逆流し、アンプ１４２に入力されることを防止している。

　ここで、スイッチ付きコネクタ１０に高周波信号Ｓｉｇ１，Ｓｉｇ２が入力されると、スイッチ付きコネクタ１０内において周波数ＦＩＭを有する相互変調歪みＳｉｇ３が発生する。ここで、相互変調歪みＳｉｇ３が３次の相互変調歪みである場合には、周波数ＦＩＭは、２Ｆ１－Ｆ２又は２Ｆ２－Ｆ１となる。また、相互変調歪みＳｉｇ３が５次の相互変調歪みである場合には、周波数ＦＩＭは、３Ｆ１－２Ｆ２又は３Ｆ２－２Ｆ１となる。なお、更なる高次の相互変調歪みも発生する。これら相互変調歪みＳｉｇ３は、バンドパスフィルタ１４３を通過して、アンプ１４２により増幅されて、スペクトラムアナライザ１４１に入力される。本願発明者は、スペクトラムアナライザ１４１によって、スイッチ付きコネクタ１０において発生している３次の相互変調歪みＳｉｇ３の強度を調べた。また、本願発明者は、比較対象として、磁石１００が設けられていないスイッチ付きコネクタにおいて発生している相互変調歪みＳｉｇ３の強度も同様の手法により調べた。

　本実験によれば、磁石１００が設けられていないスイッチ付きコネクタでは、相互変調歪みＳｉｇ３の強度は、－１０３ｄＢ～－１０５ｄＢであった。一方、スイッチ付きコネクタ１０では、相互変調歪みＳｉｇ３の強度は、－１１８ｄＢ（測定限界以下）であった。よって、磁石１００が設けられることによって、相互変調歪みが抑制されることが分かる。

　以上のように、本発明は、スイッチ付きコネクタに有用であり、特に、相互変調歪みの発生を抑制できる点において優れている。

　ｔａ，ｔｂ　先端
　１０　スイッチ付きコネクタ
　１２　本体
　１４　外部端子
　１６　上ケース
　１８　下ケース
　２０　可動端子
　２２　固定端子
　３２，３４　円筒部
　３３ａ，３３ｂ　脚部
　３４ａ　穴
　３５　カバー部
　３６ａ，３６ｂ　リブ
　３７，３９，５７，５８　固定面
　３８　載置部
　４２，４８　固定部
　４３，４９　リード部
　４４　板ばね部
　４４ａ，４４ｂ　枝部
　４５，５３ａ，５３ｂ　孔
　５０ａ，５０ｂ　接触部
　５２ａ，５２ｂ，５６　突起
　５４，５５　切り欠き部
　１００　磁石

Claims

　第１の端子と、第２の端子と、該第１の端子及び該第２の端子から離れた位置に設けられている磁石と、を備えており、高周波信号の伝送に用いられるスイッチ付きコネクタであって、
　前記第１の端子と前記第２の端子の少なくとも一方は、磁性体金属を有しており、
　前記第２の端子は、前記第１の端子に対して接離可能であること、
　を特徴とするスイッチ付きコネクタ。
　前記第１の端子及び前記第２の端子が一方の面上に取り付けられ、かつ、前記磁石が他方の面上に取り付けられているベース部材であって、絶縁性材料により構成されているベース部材を、
　更に備えていること、
　を特徴とする請求項１に記載のスイッチ付きコネクタ。
　前記第１の端子又は前記第２の端子の少なくとも一方は、前記磁性体金属上に金属めっきが施されていること、
　を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載のスイッチ付きコネクタ。
　前記金属めっきは、Ａｕめっきであること、
　を特徴とする請求項３に記載のスイッチ付きコネクタ。