JP4100727B2 - 高周波コネクタ - Google Patents
高周波コネクタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4100727B2 JP4100727B2 JP11992896A JP11992896A JP4100727B2 JP 4100727 B2 JP4100727 B2 JP 4100727B2 JP 11992896 A JP11992896 A JP 11992896A JP 11992896 A JP11992896 A JP 11992896A JP 4100727 B2 JP4100727 B2 JP 4100727B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nickel
- conductor
- frequency connector
- frequency
- plating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、高周波デバイスに用いられる高周波コネクタ、特にハイパワー系の高周波デバイスに用いられる高周波コネクタに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より高周波デバイスに用いられるコネクタは、例えばSMT型、N型、BNC型などの幾つかの規格があって、性能や用途によって使い分けられているが、何れも外導体としてのハウジングと中心導体とを備えて構成されている。このハウジングと中心導体としては、その母材として引っ張り強さの高いベリリウム銅が用いられ、耐環境性を向上させるために一般にニッケルめっきが施されているか、そのニッケルめっき膜を下地として、さらに表層に金めっきや銀めっきが施されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、一般に導体に高周波電流が流れると表皮効果が生じるが、その表皮深さは磁性体金属の透磁率が高い程浅くなる。ここで表皮深さをδとすれば、δは次式で示される。
【0004】
δ=1/√(πfσμo μr )
f:高周波電流の周波数
σ:導体の導電率
μo :真空透磁率
μr :比透磁率
すなわち透磁率が高い程、表皮深さが浅くなって表層の電流密度が高くなる。
【0005】
従って、母材が非磁性体であっても、その表面に磁性を有する導体膜を被覆した導体路に強い高周波電流が流れると、表層の電流密度が異常に高くなって相互変調歪(IM)が発生することになる。
【0006】
前述したように、従来の高周波コネクタにおいては、母材に対する表層めっき膜として、または金めっきや銀めっきの下地めっき膜として電解めっき法によってニッケルめっき膜が形成されているが、このニッケルの電解めっき膜は高周波においても高い透磁率を有し、例えば1GHzにおいて比透磁率μrは約3である。従ってこのニッケルめっき膜に高レベルの高周波電流が流れた場合に、相互変調歪が生じて問題となるおそれがある。特に、近年のデバイスの小型化により、使用されるコネクタも小型化され、これに伴って導体部の電流密度がさらに高くなれば、相互変調歪が発生し易くなる。
【0007】
しかし、ニッケルめっき自体は耐環境性を向上させる方法として非常に安価で有効な手段であり、これを省略することはできない。特に表層に金めっきを行う場合には、金のイオン化傾向が貴であるため、金めっきのピンホ−ルを通して下地が激しく腐蝕されるおそれがあり、この腐蝕を止めるためにもニッケルめっきは非常に有効である。
【0008】
この発明の目的はこのような従来の問題を解消して、安価で耐環境性が高く、且つ導体部表層部の電流集中による相互変調歪の発生を抑えた高周波コネクタを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
この発明は、ハウジングおよび中心導体を、非磁性体材料からなる導体の母材に、リンを含有するニッケル合金の無電解めっき膜を被覆し、上記リンの含有量をニッケルに対して5wt%以上12 wt %以下として高周波コネクタを構成することを特徴としている。
【0010】
このようにリンを含有するニッケル合金を無電解めっき法により形成したニッケル合金のめっき膜はリンの含有率が7〜10wt%以上になると、ニッケルに溶け込んだリンの分子が任意の配列をした準安定状態(メタステーブル)となり、殆ど結晶性を示さず、直流磁場では磁性を示さない。すなわち比透磁率μr≒1である。この物性は、高周波デバイスで用いられる高周波においても同様であり、1GHzにおいてはリンの含有率が5wt%以上でもμr≒1となることを発明者らは実験により確認した。そこで、リンを含有するニッケル合金を無電解めっき法により母材に被覆すれば、耐環境性を維持しつつ、高レベルの高周波電流が流れても、透磁率による表皮深さの減少がなく、表層への電流集中が緩和され、相互変調歪の発生は充分抑えられる。
【0011】
また、特にリンの含有量をニッケルに対して5wt%以上とすることによって、そのニッケル合金は完全な非晶質(アモルファス)となって、比透磁率μrは殆ど1となり、上述の効果が顕著になる。
【0012】
【発明の実施の形態】
この実施形態である高周波コネクタの構成を図1に示す。これはいわゆるSMT型同軸コネクタのレセプタクル側の高周波コネクタの断面図である。図における1は外導体としてのハウジング、2は中心導体であり、外導体1と中心導体2との間に絶縁体3を介在させている。このハウジング1および中心導体2はいずれもベリリウム銅(ベリリウム青銅)を母材とし、下地めっき膜として、リンの含有量がニッケルに対して12wt%であるニッケル合金の膜を無電解めっき法によって、厚さ2μmまで形成し、その表層にさらに2μmの金めっき膜を形成している。
【0013】
上記無電解ニッケルめっきを行う場合のめっき浴としては、金属塩溶液として硫酸ニッケル、還元剤として次亜りん酸ナトリウムを用い、pH調整剤、および安定剤等を加えた酸性タイプの無電解ニッケルめっき液を用い、80℃以上の高温で処理する。これにより、上記次亜りん酸ナトリウムの反応によって、母材に析出したニッケル被膜にはりんが含有されることになる。
【0014】
上記リンの含有量がニッケルに対して12wt%であるニッケル合金の無電解めっき膜の透磁率は、1GHzにおいて約1.0であり、ニッケルの電解めっき膜の透磁率(約3)より充分小さい。
【0015】
上記リンを含有するニッケル合金の無電解めっき膜を施したことによる効果を検証するために、同一形状同一寸法の母材に下地めっき膜としてリンを含有しないニッケルの電解めっき膜を2μm形成し、その表層に2μmの金めっき膜を形成した従来技術による高周波コネクタを比較対象として作成した。この従来技術による高周波コネクタと、本願発明の実施形態に係る高周波コネクタとをそれぞれ900MHz帯のアンテナデュプレクサのアンテナ端子に用いて、7次の相互変調歪を測定したところ、相互変調歪は約30dB改善された。
【0016】
【発明の効果】
請求項1に記載の発明によれば、ハウジングまたは中心導体が、表層部分を含め全体が実質上非磁性体で構成されるため、透磁率による表皮深さの減少がなく、表層への電流集中が緩和され、相互変調歪の発生は充分抑えられる。
【0017】
すなわち、上記表層部分の比透磁率は殆ど1となるので、電流集中による相互変調歪の抑制効果が顕著になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】高周波コネクタの構成を示す断面図である。
【符号の説明】
1−ハウジング
2−中心導体
3−絶縁体
Claims (1)
- 外導体としてのハウジングと中心導体とを備える高周波コネクタにおいて、
ハウジングおよび中心導体を、非磁性体材料からなる導体の母材に、リンを含有するニッケル合金の無電解めっき膜を被覆して形成するとともに、
前記リンの含有量をニッケルに対して5wt%以上12 wt %以下とした高周波コネクタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11992896A JP4100727B2 (ja) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 高周波コネクタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11992896A JP4100727B2 (ja) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 高周波コネクタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09306605A JPH09306605A (ja) | 1997-11-28 |
JP4100727B2 true JP4100727B2 (ja) | 2008-06-11 |
Family
ID=14773647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11992896A Expired - Lifetime JP4100727B2 (ja) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 高周波コネクタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4100727B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003289219A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Kyocera Corp | パッチアンテナ |
JP5679053B2 (ja) | 2011-06-02 | 2015-03-04 | 株式会社村田製作所 | スイッチ付きコネクタ |
WO2014045775A1 (ja) | 2012-09-19 | 2014-03-27 | 株式会社村田製作所 | 回路内蔵基板および複合モジュール |
JP6480243B2 (ja) | 2015-04-10 | 2019-03-06 | 日本航空電子工業株式会社 | コネクタ |
-
1996
- 1996-05-15 JP JP11992896A patent/JP4100727B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09306605A (ja) | 1997-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6123589A (en) | High-frequency connector with low intermodulation distortion | |
KR101736592B1 (ko) | 인덕턴스 소자 및 전자 기기 | |
US11108179B2 (en) | Electrical connector with plated signal contacts | |
KR20070039882A (ko) | 도전성 미립자, 도전성 미립자의 제조 방법 및 무전해 은도금액 | |
JPH0556841B2 (ja) | ||
US8976076B2 (en) | High-frequency transmission line, antenna, and electronic circuit board | |
JP4100727B2 (ja) | 高周波コネクタ | |
JP3446141B2 (ja) | 電気コネクタ | |
EP1289352A2 (en) | High-frequency circuit device and method for manufacturing the same | |
JP3599308B2 (ja) | セミリジッド同軸ケーブル及びその製造方法 | |
US7235742B2 (en) | Circuit board connector | |
KR20070095060A (ko) | 마이카 분말의 은 코팅 방법 | |
TWI738373B (zh) | 擴充插座及其連接銷 | |
KR102124327B1 (ko) | 무전해 도금층을 이용한 회로기판용 전자파 차폐소재 및 이를 이용한 회로기판의 제조방법 | |
EP0797266B1 (en) | Dielectric filter and method of making same | |
KR100511549B1 (ko) | 알에프 커넥터의 도금 방법 | |
RU2815518C1 (ru) | Способ гальванического покрытия золотом корпусов полупроводниковых приборов | |
KR101483905B1 (ko) | 수분경화형 실리콘을 이용한 emi 차폐용 디스펜싱 가스켓에 적용 가능한 은코팅구리분말의 제조 방법 | |
US11881342B2 (en) | Coil electronic component | |
JP2003027278A (ja) | 金属間接触表面構造およびコネクタ | |
JP2002231060A (ja) | 磁性線 | |
JPH03267393A (ja) | 非導電体表面に直接電気メッキする方法 | |
JP2000178753A (ja) | 無電解めっき方法 | |
KR20210097642A (ko) | 도전성 구리 분말의 은 코팅 방법 및 이를 이용하여 제조된 은 코팅 구리분말 | |
US7751583B2 (en) | Shielding housing for a condenser microphone |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041101 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050419 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050606 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050705 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050826 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050930 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20051126 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080218 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080318 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120328 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120328 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130328 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130328 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140328 Year of fee payment: 6 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |