RU2815518C1 - Способ гальванического покрытия золотом корпусов полупроводниковых приборов - Google Patents

Способ гальванического покрытия золотом корпусов полупроводниковых приборов Download PDF

Info

Publication number
RU2815518C1
RU2815518C1 RU2023121955A RU2023121955A RU2815518C1 RU 2815518 C1 RU2815518 C1 RU 2815518C1 RU 2023121955 A RU2023121955 A RU 2023121955A RU 2023121955 A RU2023121955 A RU 2023121955A RU 2815518 C1 RU2815518 C1 RU 2815518C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
coating
drying
gold
cases
electrolyte
Prior art date
Application number
RU2023121955A
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир Алексеевич Сидоров
Алексей Геннадьевич Чупрунов
Александра Сергеевна Гришаева
Кирилл Владимирович Сидоров
Original Assignee
Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар"
Filing date
Publication date
Application filed by Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" filed Critical Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар"
Application granted granted Critical
Publication of RU2815518C1 publication Critical patent/RU2815518C1/ru

Links

Abstract

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано при нанесении гальванических покрытий на корпуса полупроводниковых приборов. Способ включает химическое или гальваническое осаждение никеля, гальваническое осаждение золота, финишную промывку в дистиллированной или деионизованной воде и сушку, после промывки и сушки проводят резкий нагрев корпусов за 3-6 секунд до температуры 300-350°C, а после охлаждения корпусов проводят дополнительную финишную промывку и сушку. Технический результат: удаление из скрытого в микрополостях электролита и солей с поверхности покрытия, которые могут привести к коррозии металлических площадок кристалла, алюминиевых монтажных проводников и т.п., смонтированного прибора в корпусе с гальваническим покрытием золотом. 2 табл., 1 ил.

Description

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано при нанесении гальванических покрытий на корпуса полупроводниковых приборов.
В полупроводниковом производстве известен способ гальванического покрытия золотом [а.с. СССР № 1775505 от 1992.11.15], в котором используют электролит, содержащий золото в виде дицианоаурата калия, лимонную кислоту, аммиак, никотиновую кислоту. Осаждение ведут при рН 5,2-5,7 и 45°C. Катодная плотность тока 0,2 А/дм². Аммиак выполняет роль проводящей добавки, введение в состав никотиновой кислоты измельчает структуру осадка, что приводит к уменьшению пористости и повышению пластичности золотого покрытия.
Данный способ направлен на улучшение внутренней структуры покрытия и уменьшение пористости, но не освобождает покрытие от электролита, находящегося в микрополостях внутри покрытия, который может приводить к коррозии элементов приборов электронной техники, собранных в корпусах с таким покрытием. Например, к действию запечатанного в микрополостях электролита в покрытии чрезвычайно чувствительны резонаторы на поверхностно акустических волнах, в которых используют осаждённый субмикронный слой алюминия на подложку из монокристалла кварца [Патент РФ RU1335110 от 15.10.1994 и Полосовые фильтры на ПАВ для трактов промежуточных частот УВЧ диапазона. Докучаев Ю.П., Кондратьев Ю.П., Попко В.А., Сидоров В.А., Тимашев В.В., Тюрин А.В., Федорец В.Н., Швец В.Б. Электронная промышленность 1/92, ЦНИИ "Электроника", 1992]. В загерметизированном корпусе, покрытом гальваническим никелем и золотом, через несколько часов алюминий стравливается и резонатор оказывается не работоспособным.
Известен способ гальванического покрытия золотом изделий по подслою никеля [Б.А. Косарев, О.И. Солодовникова, Технология гальванического меднения и золочения СВЧ плат. Сборник докладов V Международной научно-технической конференции Радиотехника, Электроника, Связь. Омск, 07-09 октября 2019 года, с. 389].
Состав электролита:
Аммоний фосфорнокислый - однозамещенный, кг 0,040;
Аммоний фосфорнокислый двухзамещенный, кг 0,080;
Калий дицианоаурат, кг 0,012;
Дистиллированная вода, л 1.
Толщина золотых покрытий составляет 1-15 мкм. Обязательным условием гальванического осаждения золота является наличие слоя никеля между медью и золотом. Толщина слоя никеля варьируется от 0,5 до 9 мкм. Слой никеля предотвращает диффузию меди в золото. Температура электролита золочения в процессе осаждения составляла 72-74°С.
Данный способ предотвращает проникновение меди на поверхность покрытия, но не освобождает покрытие от электролита, находящегося во внутренних микрополостях покрытия.
Ближайшим аналогом является способ нанесения многослойного металлического покрытия корпуса СВЧ-прибора [Патент №2054751 от 20.02.1996], в котором последовательно осаждают слой никеля толщиной 0,8-2 мкм, нижний слой золота, палладия толщиной 0,5-1 мкм, верхний слой золота.
Данный способ направлен на уменьшение электрических потерь на СВЧ в металлическом покрытии корпуса, но не освобождает покрытие от электролита, находящегося в микрополостях внутри покрытия.
Техническим результатом предлагаемого изобретения является удаление из скрытого в микрополостях электролита и солей с поверхности покрытия, которые могут привести к коррозии металлических площадок кристалла, алюминиевых монтажных проводников и т.п., смонтированного прибора в корпусе с гальваническим покрытием золотом.
Указанный технический результат обеспечивается тем, что в способе покрытия золотом корпусов полупроводниковых приборов, включающем химическое или гальваническое осаждение никеля, гальваническое осаждение золота, финишную промывку в дистиллированной или деионизованной воде и сушку, после промывки и сушки проводят резкий нагрев корпусов до температуры 300-350°C и после охлаждения корпусов проводят дополнительную финишную промывку и сушку. Предпочтительно нагрев корпусов до температуры 300-350°C проводить за 3-6 секунд.
Экспериментально было обнаружено наличие запечатанного электролита в микрополостях покрытия, покрытого никелем и золотом корпуса транзистора S диапазона частот типа А 893 Б (Фиг. 1). Корпуса транзисторов помещали на столик для монтажа полупроводникового кристалла, нагретого до температуры 300-350°C. Под микроскопом с увеличением х16 наблюдалось через 3-6 секунд на поверхности покрытия появление коричневатого шарика электролита диаметром 1-2 мм быстро испаряющегося, оставляя на поверхности покрытия соли, которые могут вызывать коррозию элементов полупроводникового прибора.
Некоторые металлические покрытия требуют термической обработки при достаточно высоких температурах, например, получение твёрдых покрытий по шифру Хим.Н.тв на деталях из стали, меди при температуре 320-350°С. При этом не рекомендуется проводить термообработку с резким подъёмом температуры, способным приводить к резкому выделению газов, вызывающему вспучивание и отслоение покрытия [Груев И.Д., Матвеев Н.И., Сергеева Н.Г. Электрохимические покрытия изделий радиоэлектронной аппаратуры. 18.01.1988 г., с.263 - 266].
При рекомендуемом медленном нагреве при температуре выше 100°C вода из раствора электролита, находящегося в микрополостях покрытия, начинает испарятся. При этом все соли электролита будут оставаться в микрополостях.
При быстром нагреве до температуры 300-350°C произойдёт взрывное испарение воды, что приведёт к образованию микротрещин в покрытии, через которые на поверхность покрытия выйдет электролит. После испарения воды из электролита соли, оказавшиеся на поверхности покрытия, удаляются дополнительной промывкой в дистилированной или деионизованной воде. Отслоение и вспучивание покрытия будут свидетельствовать о браке корпусов по покрытию, в то время как микротрещины на качество корпусов не влияют.
На 60-ти корпусах транзистора типа А 893 Б, изготовленных с покрытием золотом, включающем химическое или гальваническое осаждение никеля, гальваническое осаждение золота, финишную промывку в деионизованной воде и сушку при температуре 70°C в течение 2-х часов были измерены электрические сопротивления между электрически изолированными участками металлизации:
- после приёмки корпусов ОТК (электрическое сопротивление между изолированными участками металлизации ≥1010Ом);
- после обдува корпусов увлажнённым воздухом в течение 5 секунд (влажность воздуха при обдуве для всех корпусов была одинаковой);
- в процессе сушки корпусов при температуре 70°C с фиксацией времени восстановления электрического сопротивления между электрически изолированными участками металлизации.
В партии № 1 10-ть корпусов нагревали до температуры 350°C в течение 2-х часов, обдували увлажнённым воздухом и в процессе сушки при температуре 70°C фиксировали время восстановления электрического сопротивления между электрически изолированными участками металлизации.
В партии № 2 10-ть корпусов нагревали до температуры 300°C в течение 3-х секунд, обдували увлажнённым воздухом и в процессе сушки при температуре 70°C фиксировали время восстановления электрического сопротивления между электрически изолированными участками металлизации.
В партии № 3 10-ть корпусов нагревали до температуры 300°C в течение 10-ти секунд, обдували увлажнённым воздухом и в процессе сушки при температуре 70°C фиксировали время восстановления электрического сопротивления между электрически изолированными участками металлизации.
Партии № 4 и № 5 проводили аналогично партиям № 2 и № 3 с нагревом до 350°C.
При нагреве второй, третьей, четвёртой и пятой партий на корпусах наблюдалось на поверхности покрытия появление электролита.
При нагреве партии № 6 из 10-ти корпусов до температуры 300°C в течение 15-ти секунд появление электролита на поверхности покрытия имело место только на 3-х корпусах.
Электрические сопротивления R1 (после обдува увлажнённым воздухом) и время их восстановления t1 при сушке до исходного значения ≥1010 Ом приведены в Таблице № 1.
Электрические сопротивления R2 (после дополнительной отмывки и сушки) и время их восстановления t2 при сушке до исходного значения ≥1010 Ом приведены в Таблице № 2.
Представленные в Таблице № 1 данные подтверждают, что в корпусах партий № 1 и в 7-ми корпусах партии № 6 из-за медленного нагрева электролит не вышел на поверхность покрытия и после обдува увлажнённым воздухом время восстановления t1 электрического сопротивления R1 между изолированными участками металлизации при сушке до исходного значения ≥1010 Ом меньше, чем t1 у корпусов партий №№ 2-5 и 3-х корпусов партии №6 поскольку вышедшие на поверхность покрытия соли поглощают большее количество влаги.
Представленные в Таблице № 2 данные подтверждают, что в корпусах партий №№ 2-5 и в 3-х корпусах партии № 6 электролит вышел на поверхность покрытия и его соли были удалены практически полностью дополнительной промывкой и после обдува высушенных после дополнительной промывки корпусов увлажнённым воздухом электрическое сопротивление R2 между изолированными участками металлизации повысилось, а время восстановления t2 при сушке до исходного значения ≥1010 Ом существенно снизилось, поскольку оно в основном определяется только удалением влаги с чистой поверхности покрытия.
Снижение после обдува высушенных после дополнительной промывки корпусов увлажнённым воздухом электрического сопротивления R2 объясняется сравнительно низким удельным электрическим сопротивлением влаги на поверхности покрытия. Корпуса после сушки обдували воздухом, увлажнённым парами деионизованной воды, для электронной промышленности в соответствии с ОСТ 11.029.003-80 максимальное удельное электрическое сопротивление которой при температуре 20°C 18 МОм × см в то время, как удельное объёмное электрическое сопротивление, например, алюмооксидной керамики ВК 100 равно 2⋅1014 Ом⋅см.
Таблица № 1

партии
R1, Ом t, сек Примечания
1 105-106 30-40
2 104-104 45-60
3 104-104 45-60
4 104-104 45-60
5 104-104 45-60
6 105-106 45-60 На 3-х
корпусах из партии № 6
6 105-106 30-40 На 7-ми
корпусах из партии №6
Таблица № 2.
партии R2, Ом t, сек Примечания
2 105-106 7
3 105-106 6
4 105-106 6
5 105-106 6
6 105-106 7 На 3-х
корпусах из партии № 6
6 105-106 30-40 На 7-ми
корпусах из партии №6

Claims (1)

  1. Способ гальванического покрытия золотом корпусов полупроводниковых приборов, включающий химическое или гальваническое осаждение никеля, гальваническое осаждение золота, финишную промывку в дистиллированной или деионизованной воде и сушку, отличающийся тем, что после промывки и сушки проводят резкий нагрев корпусов за 3-6 секунд до температуры 300-350°С, а после охлаждения корпусов проводят дополнительную финишную промывку и сушку.
RU2023121955A 2023-08-23 Способ гальванического покрытия золотом корпусов полупроводниковых приборов RU2815518C1 (ru)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2815518C1 true RU2815518C1 (ru) 2024-03-18

Family

ID=

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU1335110C (ru) * 1985-08-09 1994-10-15 В.И Федосов Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах
RU2054751C1 (ru) * 1993-03-09 1996-02-20 Товарищество с ограниченной ответственностью НПО "Вариация" Многослойное металлическое покрытие корпуса свч-прибора

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU1335110C (ru) * 1985-08-09 1994-10-15 В.И Федосов Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах
RU2054751C1 (ru) * 1993-03-09 1996-02-20 Товарищество с ограниченной ответственностью НПО "Вариация" Многослойное металлическое покрытие корпуса свч-прибора

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101894668B (zh) 层叠型电子零件及其制造方法
US4795658A (en) Method of metallizing ceramic material
JPS6133077B2 (ru)
US4328048A (en) Method of forming copper conductor
EP0591198A1 (en) PROCESS FOR COATING A DIELECTRIC CERAMIC PART.
JPS61121501A (ja) 誘電体共振器およびその製造方法
CN1318644C (zh) 电子设备的层叠结构和无电镀金方法
RU2815518C1 (ru) Способ гальванического покрытия золотом корпусов полупроводниковых приборов
JPH0712110B2 (ja) 印刷回路板の製造方法
US3984290A (en) Method of forming intralayer junctions in a multilayer structure
JP3563832B2 (ja) 表面還元を用いたフェライトの金属化方法
JPS6341049A (ja) ヴアイア接続を有する多層回路
EP0499842A2 (en) Thin film capacitor
US4833004A (en) Structure of copper conductor and method of forming same
US6358390B1 (en) Method for forming electrode
JPS6056073A (ja) セラミツク基板への部分厚付け金被覆方法
US6773760B1 (en) Method for metallizing surfaces of substrates
JP2004253997A (ja) 電子部品の製造方法、電子部品、共振器、及びフィルタ
JP4048427B2 (ja) 電子部品の製造方法、及び電子部品
US3934985A (en) Multilayer structure
JP3846708B2 (ja) 電子部品のめっき方法、及び電子部品の製造方法
JPH05160551A (ja) 電子部品実装窒化アルミニウム基板の製造方法
Khoperia ADHESION OF Ni-P COATING TO DIELECTRIC AND ELECTROLESS PLATING FOR PIEZOENGINEERING
JPS6295894A (ja) スル−ホ−ル基板の製造方法
KR20230078538A (ko) 복합 재료 필라멘트의 제조 방법