WO2012138172A2 - 신규 유기금속 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 - Google Patents

신규 유기금속 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 Download PDF

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    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers

Definitions

  • the present invention relates to a novel organometallic compound, and more particularly, to a luminescent organometallic compound having improved luminescence properties by inhibiting intermolecular interactions by the introduction of germanium substituents, an organic electronic device using the same, and more particularly to an organic light emitting device will be.
  • OLED Organic Light-Emitting Diode
  • OLED is basically a structure in which an organic thin film including an organic light emitting layer is sandwiched between two electrodes, wherein at least one of the two electrodes is transparent and suitable between the two electrodes. It is a kind of organic electronic device that utilizes the light emitted from the visible light region from the organic light emitting layer when a voltage, generally, a voltage between 5 V and 10 V is applied.
  • Such an organic light emitting device is basically a self-luminous device having a very thin thickness of several micrometers or less, including an electrode, and emitting light directly from the device itself.
  • the response speed is high and the viewing angle is wide as a display device.
  • the manufacturing process is simple and the flexible device using the organic thin film can be realized, and the device can be implemented not only in the vacuum process but also from the solution state in some cases, it can be realized in the next generation display device and lighting. Research is underway.
  • the organic light emitting layer is composed of at least one organic and organometallic compound or an organic / inorganic hybrid material, and according to the light emitting mechanism, a fluorescent method due to the emission attenuation of the singlet excitons or a phosphorescent method using the emission attenuation of the triplet excitons. It can be divided into two.
  • the most important key component of such a phosphorescent organic light emitting device is a phosphorescent material, and most organometallic compounds are well known, and among them, an organometallic compound mainly based on iridium occupies a large number.
  • the optical and electrical properties of the final iridium organometallic compound can be controlled according to the chemical structure of the ligand that coordinates the iridium atom, thereby synthesizing the organometallic compound suitable for various requirements. There is an advantage to this.
  • iridium organometallic compounds having phenylpyridine as the basic structure of the ligand for example tris (2-phenylpyridine) iridium (III) (hereinafter Ir (ppy) 3 ), are well known (see JP 3992929).
  • the present inventors while conducting research to solve the above problems, introduces a germanium substituent to the iridium ligand to synthesize a novel organometallic compound with improved luminous efficiency by inhibiting the interaction of molecules, such a compound in the solution phase
  • the present invention was completed by confirming that it can be dissolved well and use a solution process, and the luminescence property is improved to be equal to or higher than that of a conventional organometallic compound and can be usefully used in an organic light emitting device.
  • Another object of the present invention to provide an organic light emitting device comprising the novel organometallic compound.
  • the present invention provides a novel organometallic compound represented by the following formula (1).
  • the present invention also provides an organic light emitting device comprising the novel organometallic compound.
  • step 1 Dissolving the novel organometallic compound in an organic solvent to prepare a solution (step 1);
  • step 2 After dropping the solution of the step 1 on the substrate and rotating the substrate, it provides a method for forming a thin film for an organic light emitting device comprising the step of drying to form a thin film on the substrate (step 2).
  • the intermolecular interaction in the solid state is suppressed by introducing germanium substituents into the iridium organometallic compound matrix, which can be usefully used in the solution process, and the luminous efficiency when used as part of the light emitting layer of the organic light emitting device. Since this is remarkably improved, it can be usefully used as a material for an organic light emitting device.
  • FIG. 1 to 3 are schematic cross-sectional views of organic light emitting diodes according to the present invention, respectively.
  • Example 5 is a graph showing current density-luminescence efficiency of organic light emitting diodes manufactured in Examples 4, 5, and Comparative Example 1 of the present invention.
  • Example 6 is a voltage-brightness / voltage-current graph of the organic light emitting diodes manufactured in Examples 4, 5 and Comparative Example 1 of the present invention.
  • Example 7 is a current density-luminescence efficiency graph of the multilayer organic light emitting device manufactured in Example 6 of the present invention.
  • Example 8 is a voltage-brightness / voltage-current graph of the multilayer organic light emitting device manufactured in Example 6 of the present invention.
  • the organometallic compound according to the present invention is characterized by represented by the following formula (1):
  • At least one of R 1 to R 4 is a substituent represented by the following formula (2);
  • R 1 to R 4 is not a substituent of Formula 2, independently of one another hydrogen, deuterium, halogen, cyano, C 1 -C 18 straight or branched chain alkyl, C 1 -C 18 straight or branched chain alkoxy, C 6 ⁇ C 18 aryl, C 3 -C 18 cycloalkyl, C 4 -C 18 heteroaryl or 5- to 6-membered heterocycloalkyl, wherein the alkyl or alkoxy is unsubstituted or substituted with halogen and the aryl, cyclo Alkyl, heteroaryl or heterocycloalkyl is unsubstituted or substituted with halogen or C 1 -C 18 straight or branched alkyl, said heteroaryl or heterocycloalkyl comprises at least one atom selected from N, O and S in the ring and;
  • R 5 to R 8 are independently of each other hydrogen, deuterium, halogen, cyano, C 1 -C 18 straight or branched chain alkyl, C 1 -C 18 straight or branched chain alkoxy, C 6 -C 18 aryl, C 3 -C 18 Cycloalkyl, C 4 -C 18 heteroaryl or 5- to 6-membered heterocycloalkyl, wherein the alkyl or alkoxy is unsubstituted or substituted with halogen and the aryl, cycloalkyl, heteroaryl or heterocycloalkyl is Unsubstituted or substituted with halogen or C 1 -C 18 straight or branched alkyl, wherein said heteroaryl or heterocycloalkyl comprises one or more atoms selected from N, O and S in the ring;
  • n 2 or 3.
  • L 1 to L 3 are independently of each other hydrogen, deuterium, halogen, cyano, C 1 -C 18 straight or branched alkyl, C 1 -C 18 straight or branched alkoxy, C 6 -C 18 aryl, C 3 -C 18 Cycloalkyl, C 4 -C 18 heteroaryl or 5- to 6-membered heterocycloalkyl, wherein the alkyl or alkoxy is unsubstituted or substituted with halogen and the aryl, cycloalkyl, heteroaryl or heterocycloalkyl is Unsubstituted or substituted with halogen or C 1 -C 18 straight or branched alkyl, wherein said heteroaryl or heterocycloalkyl comprises one or more atoms selected from N, O and S in the ring).
  • the organometallic compound according to the present invention is characterized in that the compound represented by the formula (1A).
  • L 1 to L 3 is independently from each other is characterized in that methyl, ethyl, propyl, isopropyl, cyclohexyl, phenyl.
  • R 5 to R 8 are independently of each other hydrogen, methyl, phenyl, methylphenyl. It is characterized by being dimethylphenyl.
  • a and B are each independently one selected from the group consisting of N (nitrogen), O (oxygen), S (sulfur), P (phosphorus) and C (carbon).
  • the bidentate ligand represented by is characterized in that it is selected from the group consisting of compounds of the following formula.
  • organometallic compound according to Chemical Formula 1 include Ir (PhGe-ppy) 3 , Ir (MeGe-ppy) 3 , and Ir (MeGe-ppy) 2 (acac), but are not limited thereto. Do not.
  • the present invention also provides a method for producing the novel organometallic compound.
  • step 2 The compound of formula 6 and the iridium complex compound prepared in step 1 is mixed with glycerol to reflux to prepare an organometallic compound of formula 1a coordinated with the three saccharide compounds of formula (6) (step 2).
  • Step 1 is a step of preparing a phenylpyridine compound substituted with a germanium substituent of Formula 4 by reacting a phenylpyridine compound of Formula 2 with a germanium containing compound of Formula 3 and a lithium salt.
  • the germanium substituent of Chemical Formula 4 is substituted by adding the compound of Chemical Formula 2 to an organic solvent such as tetrahydrofuran (THF), diethan ether (diethyl ether), and adding a germanium-containing compound of Chemical Formula 3 and a lithium salt to react.
  • organic solvent such as tetrahydrofuran (THF), diethan ether (diethyl ether), and adding a germanium-containing compound of Chemical Formula 3 and a lithium salt to react.
  • Phenylpyridine compound can be prepared.
  • the compound of formula (2) and the compound of formula (3) that is a starting material may be purchased by commercially available, or may be prepared by a manufacturing method commonly used in the art.
  • n-BuLi, sec-BuLi, tert-BuLi, or the like may be used, and preferably n-BuLi may be used.
  • the reaction is preferably carried out at a low temperature of -75 ⁇ -80 °C, after the reaction is completed may be further performed to perform a column chromatography to purify the product.
  • step 2 is a step of preparing the organometallic compound of Formula 1a in which the compound of Formula 6 prepared in Step 1 and the iridium complex compound are mixed and refluxed to coordinate the three zuligand compounds of Formula 6.
  • the compound of Formula 6 and the iridium complex compound is mixed with glycerol at a ratio of 2 to 3: 1 mol, stirred at reflux for 23 to 27 hours, cooled to room temperature, and then added with acid to add
  • An organometallic compound of Formula 1a may be prepared in which a ligand compound of 6 is coordinated. Thereafter, the extraction of the organic solvent and column chromatography may be performed to further purify the product.
  • step A Reacting a phenylpyridine compound of formula 4 with a germanium containing compound of formula 5 and a lithium salt to prepare a phenylpyridine compound substituted with a germanium substituent of formula 6 (step A);
  • Step B Preparing a diiridium dimer of Chemical Formula 7 by mixing the compound of Chemical Formula 6 prepared in Step A with iridium trichloride (IrCl 3 ) and a solvent and reacting at reflux (step B); And
  • step C The diiridium dimer compound and the secondary ligand compound of formula 7 prepared in step B ( -H) is added to an organic solvent and a coupling reaction is carried out to produce a compound of Formula 1b (step C).
  • step A is a step of preparing a phenylpyridine compound substituted with a germanium substituent of Formula 6, it may be carried out in the same manner as step 1 of Scheme 1.
  • step B is a step of preparing a diiridium dimer of formula (7) by mixing the compound of formula (6) prepared in step A with iridium trichloride (IrCl 3 ) and a solvent and reacting at reflux temperature.
  • iridium trichloride IrCl 3
  • iridium trichloride (IrCl 3 ) and the compound of formula (6), which is a ligand, are mixed in a solvent at a ratio of 1: 2 to 3 mol to reflux, and then diiridium dimer is separated.
  • the solvent in the above step is preferably an alcohol or an alcohol / water mixed solvent, and examples thereof include 2-ethoxyethanol and 2-ethoxyethanol / water mixed solvent.
  • step C is a diiridium dimer compound and the secondary ligand compound of Formula 7 prepared in step B ( -H) is a step of preparing a compound of Formula 1b by coupling into an organic solvent.
  • the separated diiridium dimer is a secondary ligand compound ( -H) is mixed together with an organic solvent and heated to prepare an organometallic compound having a ligand: auxiliary ligand of 2: 1 as a final product.
  • the main and secondary ligands of the final product are appropriately determined and used according to the composition ratio, wherein AgCF 3 SO 3 , Na 2 CO 3 , NaOH and the like are used as organic solvents 2-ethoxyethanol, 2-methoxy
  • the mixture can be reacted with ethyl ether and 1,2-dichloroethane.
  • the organometallic compound of Formula 1 according to the present invention includes at least one germanium substituent of Formula 2, thereby inhibiting the interaction between the organometallic compound molecules in the solid phase as compared with the unsubstituted compound, thus the performance of the organic light emitting device, in particular the luminous efficiency. Can improve.
  • the organometallic compound of Formula 1 according to the present invention includes at least one germanium substituent of Formula 2, thereby increasing the solubility in organic solvents compared to the unsubstituted compound. Accordingly, in producing an organic thin film containing the organometallic compound of Formula 1 from the solution phase, the concentration of the compound of Formula 1 in the solution may be increased.
  • the organometallic compound of the formula (1) according to the present invention by introducing a germanium substituent to the iridium organometallic compound matrix can inhibit the intermolecular interaction in the solid state can be usefully used in the solution process, the light emitting layer of the organic light emitting device When used as a part, since the luminous efficiency is remarkably improved, it can be usefully used as a material for an organic light emitting device.
  • the solution process may use a spin coating method, inkjet printing, screen printing, gravure printing, etc.
  • the compound of Formula 1 according to the present invention may be applied to a general thin film forming method such as vacuum thermal deposition, dip coating.
  • the present invention provides an organic light emitting device including the organometallic compound of Formula 1 in a light emitting layer.
  • the organic light emitting device is a monolayer comprising a light emitting layer including the compound of Formula 1 as a light emitting host material as one structural unit between an anode, a cathode, and two electrodes, or an anode together with a charge transport layer. It has a multi-layered structure in which the light emitting layer and the cathode containing a compound of the light emitting material in order.
  • the first electrode Second electrode; And at least one organic material layer interposed between the first electrode and the second electrode, wherein the organic material layer may include at least one organometallic compound represented by Chemical Formula 1.
  • a multilayer device having a combination of a light emitting layer and a charge transporting layer exhibits superior characteristics, rather than a single layered device consisting of only one light emitting layer, which is an energy barrier when charge is injected from an electrode by properly combining the light emitting material and the charge transporting material. This is because the charge transport layer binds the holes or electrons injected from the electrode to the light emitting layer region to balance the number density of the holes and electrons injected.
  • the basic organic light emitting device of the present invention has a structure in which a transparent electrode (anode), a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a metal electrode (cathode) are sequentially stacked.
  • a hole blocking layer is provided between the light emitting layer and the electron transporting layer as shown in FIG. 2, or as shown in FIG. 3, or a hole blocking layer between the light emitting layer and the electron transporting layer and between the light emitting layer and the hole transporting layer, respectively.
  • an electron blocking layer is provided between the light emitting layer and the electron transporting layer.
  • the transparent electrode (anode) and the metal electrode (cathode) are conventional electrode materials, for example, the transparent electrode is indium tin oxide (ITO) or SnO 2 , and the metal electrode is It may be formed of a metal such as Li, Mg, Ca, Ag, Al and In or an alloy thereof, and the metal electrode may have a single layer or a multilayer structure of two or more layers.
  • the transparent electrode is indium tin oxide (ITO) or SnO 2
  • the metal electrode is It may be formed of a metal such as Li, Mg, Ca, Ag, Al and In or an alloy thereof, and the metal electrode may have a single layer or a multilayer structure of two or more layers.
  • the compound of Chemical Formula 1 of the present invention may be used as a dopant material, and may have a single layer or a multilayer structure of two or more layers.
  • the compound of Formula 1 may further include a phosphorescent dopant, the phosphorescent dopant is commonly used in the art, tris (2-phenylpyridinato-N, C2) ruthenium, bis (2-phenyl Pyridinato-N, C2) palladium, bis (2-phenylpyridinato-N, C2) platinum, tris (2-phenylpyridinato-N, C2) osmium, tris (2-phenylpyridinato-N , C2) rhenium, octaethyl platinum porphyrin, octaphenyl platinum porphyrin, octaethyl palladium porphyrin, octaphenyl palladium porphyrin, irid
  • the hole transport layer is a conventional hole transport material such as 4,4-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amine] biphenyl ( ⁇ -NPD), N, N-diphenyl-N, N-bis (3-methylphenyl) -1,1-biphenyl-4,4-diamine (TPD) and poly- (N-vinylcarbazole) (PVCz) may be included alone or in combination of two or more thereof. It can also be laminated
  • the hole blocking layer has a lower un °C cupied molecular orbital (LUMO) value of 5.5 to 7.0 and a hole transport capacity is remarkably decreased, and the hole blocking layer is composed of a material having excellent electron transport ability, such as bassocuproin (Bath °C uproine). , BCP), 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5- (4-t-butylphenyl) -1,2,4-triazole (TAZ) and bis (8-hydroxy-2- Methylquinolinato) -aluminum biphenoxide (BAlq) and the like are suitable.
  • a material having a large LUMO value is generally used as the electron blocking layer, and iridium (III) tris (1-phenylpyrazole-N, C 2 ′) (Ir (ppz) 3 ) is suitable.
  • the electron transporting layer may be composed of a conventional electron transporting material such as tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3) or rubrene alone or in combination of two or more thereof. Two or more separate layers may be stacked.
  • a conventional hole injection layer including, for example, copper phthalocyanine (CuPc) may be inserted between the anode and the hole transport layer, and the cathode and the electron transport layer may be inserted.
  • a conventional electron injection layer containing LiF can be inserted.
  • the anode, cathode, light emitting layer, transport layer, injection layer and blocking layer may be formed by a conventional deposition method.
  • Step 1 Preparing a solution by dissolving the organometallic compound of Formula 1 in an organic solvent (step 1);
  • step 2 After dropping the solution of the step 1 on the substrate and rotating the substrate, it provides a method for forming a thin film for an organic light emitting device comprising the step of drying to form a thin film on the substrate (step 2).
  • the organometallic compound of Formula 1 according to the present invention includes at least one germanium substituent of Formula 2, thereby increasing the solubility in organic solvents as compared to the unsubstituted compound. Accordingly, in producing an organic thin film containing the organometallic compound of Formula 1 from the solution phase, the concentration of the compound of Formula 1 in the solution may be increased.
  • 1,2-dichloroethane, chlorobenzene, toluene, etc. may be used as the organic solvent, but is not limited thereto.
  • Step 1 Preparation of 3- (triphenyllow mille) -6-phenylpyridine
  • 3-Bromo-6-phenylpyridine (0.86 g, 3.67 mmol) prepared in Preparation Example 1 was dissolved in anhydrous tetrahydrofuran (20 mL) and stirred at -78 ° C. Normal-butyllithium (1.76 mL, 4.41 mmol, 2.5 M hexane solution) was added dropwise to this solution over about 20 minutes. After stirring for an additional 1 hour, triphenylgermanium chloride (1.5 gm 4.41 mmol) was added and the reaction proceeded at room temperature overnight. Then water (100 mL) was added and the water and organic layers were separated.
  • Steps B and C Ir (MeGe-ppy) 2 manufacture of (acac)
  • step A 3- (trimethyllow density) -6-phenylpyridine (1.61 g, 5.91 mmol) and iridium (III) acetylacetonate (0.53 g, 1.77 mmol) prepared in step A were mixed with 2-ethoxyethanol (30 mL). Dissolved in water (10 mL) and stirred at 125 ° C for 12 h. After cooling to room temperature, excess water was added and the precipitate was filtered to give a cyclometalated Ir (III) ⁇ -chloro bridged dimer (0.60 g, yield 44%) (step B).
  • step B In the dimer compound obtained in step B without further purification, acetylacetone (0.10 g, 1.00 mmol) and sodium carbonate (0.41 g, 3.9 mmol) were dissolved in 2-ethoxyethanol (10 mL) and heated to reflux at 170 ° C. for 12 hours. After the completion of the reaction, the solid formed while cooling to room temperature was filtered, washed with water, and the final product was purified by column chromatography on silica gel with dichloromethane as a developing solution to obtain the target compound (0.19 g, yield 30%) as a yellow solid.
  • the patterned ITO substrate was ultrasonically cleaned with acetone and isopropanol for 10 minutes each, followed by drying with blowing nitrogen, followed by dry cleaning for 20 minutes in an ultraviolet-ozone cleaning apparatus.
  • PEDOT: PSS (CLEVIOS TM P VP AI 4083) was spin-coated at 4200 rpm for 30 seconds on the cleaned ITO substrate, and dried at 120 ° C. in a vacuum oven for 1 hour to form a thin film of 40 nm.
  • 50:10:31 of PVK Sigma-Aldrich Cat. No. 368350
  • TPD Sigma-Aldrich Cat. No. 443263
  • PBD Sigma-Aldrich Cat. No.
  • Example 2 B8378 and Ir (PhGe-ppy) 3 synthesized in Example 1 It mixed at the ratio of: 9 (mass ratio), 1,2-dichloroethane was added so that total solid concentration might be 1.3 mass%, and the organic light emitting layer composition was prepared.
  • the organic light emitting layer composition solution thus prepared was spin coated on the PEDOT: PSS coated ITO substrate at 1500 rpm for 30 seconds, and dried on a 55 ° C. hot plate to form a thin film of 80 nm. Spin coating and drying of the organic light emitting layer composition solution were all carried out in a glove box under a nitrogen atmosphere.
  • the ITO substrate coated with PEDOT: PSS and the organic light emitting layer composition was transferred to a metal vacuum deposition chamber, and cesium fluoride and aluminum were vacuum-deposited 1 nm and 120 nm, respectively, under 10 -7 Torr vacuum.
  • the organic light emitting device was encapsulated with a glass cover and an epoxy sealant in a glove box, and then the characteristics of the organic light emitting device were evaluated using a PR-650 spectra calorimeter and Keithley 2400 source measuring unit.
  • An organic light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 4, except that Ir (MeGe-ppy) 3 synthesized in Example 2 was used instead of Ir (PhGe-ppy) 3 as a component of the organic light emitting layer composition solution. And its properties were evaluated.
  • the germanium-substituted Ir (PhGe-ppy) 3 and Ir (MeGe-ppy) 3 organic compounds of the organic light-emitting device As shown in FIGS. 4 to 6 and Table 1, compared to Ir (ppy) 3 as a comparative material, the germanium-substituted Ir (PhGe-ppy) 3 and Ir (MeGe-ppy) 3 organic compounds of the organic light-emitting device It was confirmed that the light emitting layer exhibited superior performance as the light emitting material, and it was confirmed that the emission efficiency of the organic light emitting device using the same was introduced by introducing germanium substituents into the organic light emitting material.
  • the compound according to the present invention when used as part of the light emitting layer of the organic light emitting device, the light emission efficiency is remarkably improved, and thus, the compound according to the present invention may be usefully used as a material for an organic light emitting device.
  • the poly (triphenylamine) solution (0.12 mass%, solvent: chlorobenzene) was spin-coated at 1500 rpm for 30 seconds, and then heated at 100 ° C. It was dried at to form a hole transport layer thin film of 10 nm. 73:10:10 of PVK (Sigma-Aldrich Cat. No. 368350), TPD (Sigma-Aldrich Cat. No. 443263), PBD (Sigma-Aldrich Cat. No.
  • Example 2 B8378 and Ir (MeGe-ppy) 3 synthesized in Example 2 It mixed at the ratio of: 7 (mass ratio), and 1,2- dichloroethane was added so that total solid concentration might be 0.64 mass%, and the organic light emitting layer composition was prepared.
  • the organic light emitting layer composition solution thus prepared was spin coated on the PEDOT: PSS and poly (triphenylamine) coated ITO substrate at 1800 rpm for 30 seconds, and dried on a 55 ° C. hot plate to form a 50 nm organic light emitting layer thin film. Spin coating and drying of the hole transport layer and the organic light emitting layer composition solution were all carried out in a glove box under a nitrogen atmosphere.
  • the ITO substrate coated with the PEDOT: PSS, hole transporting layer and organic light emitting layer composition was transferred to a vacuum deposition chamber and TPBi (1,3,5-Tri (1-phenyl-1H-benzo [d] imidazol-) under 10 -7 Torr vacuum.
  • 2-yl) phenyl and Lumtec Catalog No. LT-E302 were vacuum-evaporated to 57 nm to form an electron transport layer, and cesium fluoride and aluminum were then vacuum-deposited to 1 nm and 120 nm, respectively, under 10 -7 Torr vacuum.
  • the organic light emitting device was encapsulated with a glass cover and an epoxy sealant in a glove box, and then the characteristics of the organic light emitting device were evaluated using a PR-650 spectra calorimeter and Keithley 2400 source measuring unit.
  • the current density-luminescence efficiency graph of the organic light emitting diode of Example 6 was measured, and a voltage-brightness / voltage-current graph is shown in FIG. 8.
  • the multilayer organic light emitting device manufactured by using the germanium-substituted Ir (MeGe-ppy) 3 showed excellent characteristics.
  • germanium-substituted Ir (MeGe-ppy) 3 according to the present invention can be usefully used as an organic light emitting device.

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Abstract

본 발명은 신규 유기금속 화합물에 관한 것으로서, 보다 자세하게는, 게르마늄 치환체의 도입에 의해 분자간 상호 작용이 억제되어 발광 특성이 개선된 발광성 유기금속 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자, 그 중에서도 유기 발광 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 상기 이리듐 유기금속 화합물 모체에 게르마늄 치환체를 도입함으로써 고체 상태에서의 분자간 상호 작용이 억제되어 용액 공정에서도 유용하게 사용될 수 있고, 유기 발광 소자의 발광층의 일부로 사용되는 경우에 그 발광 효율이 현저히 개선되므로 유기 발광 소자용 재료로 유용하게 사용될 수 있다.

Description

신규 유기금속 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
본 발명은 신규 유기금속 화합물에 관한 것으로서, 보다 자세하게는, 게르마늄 치환체의 도입에 의해 분자간 상호 작용이 억제되어 발광 특성이 개선된 발광성 유기금속 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자, 그 중에서도 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 소자(Organic Light-Emitting Diode; OLED)는 기본적으로 두 개의 전극사이에 유기 발광층을 포함하는 유기 박막이 샌드위치 되어 있는 구조로서, 두 전극 중 최소 하나의 전극은 투명하고, 두 전극 사이에 적당한 전압, 일반적으로 직류 5~10 V 사이의 전압이 인가되면 유기 발광층에서 가시광 영역의 빛이 나오는 것을 활용한 일종의 유기 전자 소자이다.
이와 같은 유기 발광 소자는 기본적으로 전극을 포함한 실제 소자의 두께가 수 마이크로미터 이하로 매우 얇고, 소자 자체에서 직접 빛이 나오는 자발광 소자이며, 이에 따라 응답 속도가 빠르고, 표시 소자로서 시야각이 넓으며, 제조 공정이 간단하고, 유기 박막을 이용한 유연한 소자의 구현이 가능하고, 진공 공정뿐만 아니라 경우에 따라서는 용액 상태로부터 인쇄 공정을 통한 소자의 구현이 가능하므로 차세대 표시소자 및 조명 측면에서 많은 관심을 받고 연구가 진행되고 있다.
일반적으로 유기 발광층은 하나 이상의 유기 및 유기금속 화합물 또는 유기/무기 하이브리드 재료로 이루어지며, 그 발광 메커니즘에 따라 일중항 엑시톤의 발광 감쇄에 기인하는 형광 방식 또는 삼중항 엑시톤의 발광 감쇄를 이용하는 인광 방식의 두 가지로 나눌 수 있다.
특히 삼중항 엑시톤을 활용하는 인광 방식은 형광 방식에 비해 상대적으로 근래에 유기 발광 소자에 적용되었으며(US 6,303,238 참조), 형광 방식보다 높은 소자 효율을 얻을 수 있으므로 관련 기술에 대한 연구가 매우 활발히 이루어지고 있다.
이러한 인광 방식 유기 발광 소자에 있어서 가장 중요한 핵심 성분이 바로 인광 발광성 재료로서, 대부분 유기금속 화합물이 잘 알려져 있으며, 그 중에서도 주로 이리듐을 기본으로 한 유기금속 화합물이 절대 다수를 차지하고 있다.
이러한 이리듐 유기금속 화합물의 경우, 이리듐 원자에 배위 결합하는 리간드의 화학적 구조를 조절함에 따라 그에 따라 최종 이리듐 유기금속 화합물의 광학적, 전기적 특성 등을 조절할 수 있어서, 다양한 요구 조건에 맞는 유기금속 화합물을 합성할 수 있는 장점이 있다.
특히 페닐피리딘을 리간드의 기본 구조로 하는 이리듐 유기금속 화합물, 예를 들어 트리스(2-페닐피리딘)이리듐(III)(이하, Ir(ppy)3)이 대표적으로 잘 알려져 있다(JP 3992929 참조).
하지만, Ir(ppy)3와 같은 기존에 알려진 이리듐 유기금속 화합물의 경우, 유기 발광 소자의 발광층으로 사용될 때, 분자간 상호 작용에 의한 삼중항 소멸과 같은 이유로 효율의 향상에 한계를 보이고 있고, 진공 증착 방식이 아닌 용액 공정을 이용하는 경우, 용매에 대한 용해도가 충분하지 않는 등 여러 단점을 가지고 있다.
따라서, 용액 공정을 이용할 수 있고, 발광 특성이 개선된 발광성 유기금속 화합물의 개발이 요구되고 있다.
이에, 본 발명자들은 상기 문제를 해결하기 위하여 연구를 수행하던 중, 이리듐 리간드에 게르마늄 치환체를 도입하여 분자가 상호 작용을 억제하여 발광 효율이 향상된 신규 유기금속 화합물을 합성하고, 이러한 화합물이 용액상에 잘 용해되어 용액 공정을 이용할 수 있고, 발광 특성이 종래 유기금속 화합물과 비교시 동등 이상으로 향상되어 유기 발광 소자에 유용하게 사용될 수 있음을 확인하고, 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 목적은 유기 발광 소자에 사용되는 신규 유기금속 화합물을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기 신규 유기금속 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 신규 유기금속 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure PCTKR2012002624-appb-I000001
(상기 화학식 1에서, R1~R8,
Figure PCTKR2012002624-appb-I000002
및 m은 본 명세서에서 정의된 바와 같다.)
또한, 본 발명은 상기 신규 유기금속 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
나아가, 본 발명은
상기 신규 유기금속 화합물을 유기용매에 용해시켜 용액을 제조하는 단계(단계 1);
상기 단계 1의 용액을 기판 위에 떨어뜨리고 기판을 회전시킨 후, 건조하여 기판상에 박막을 형성시키는 단계(단계 2)를 포함하는 유기 발광 소자용 박막 형성 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 상기 이리듐 유기금속 화합물 모체에 게르마늄 치환체를 도입함으로써 고체 상태에서의 분자간 상호 작용이 억제되어 용액 공정에서도 유용하게 사용될 수 있고, 유기 발광 소자의 발광층의 일부로 사용되는 경우에 그 발광 효율이 현저히 개선되므로 유기 발광 소자용 재료로 유용하게 사용될 수 있다.
도 1 내지 도 3은 각각 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 구조단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예 4, 실시예 5 및 비교예 1에서 제조된 유기 발광 소자의 발광 스펙트럼이다.
도 5는 본 발명의 실시예 4, 실시예 5 및 비교예 1에서 제조된 유기 발광 소자의 전류밀도-발광효율 그래프이다.
도 6은 본 발명의 실시예 4, 실시예 5 및 비교예 1에서 제조된 유기 발광 소자의 전압-밝기/전압-전류 그래프이다.
도 7은 본 발명의 실시예 6에서 제조된 다층 유기 발광 소자의 전류밀도-발광효율 그래프이다.
도 8은 본 발명의 실시예 6에서 제조된 다층 유기 발광 소자의 전압-밝기/전압-전류 그래프이다.
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명에 따른 유기금속 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 한다:
화학식 1
Figure PCTKR2012002624-appb-C000001
(상기 화학식 1에서,
R1 내지 R4 중에서 적어도 하나는 하기 화학식 2로 표시되는 치환체이고;
R1 내지 R4 중에서 하기 화학식 2의 치환체가 아닌 경우, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, C1-C18 직쇄 또는 측쇄 알킬, C1-C18 직쇄 또는 측쇄 알콕시, C6-C18 아릴, C3-C18 시클로알킬, C4-C18 헤테로아릴 또는 5원 내지 6원의 헤테로시클로알킬이고, 이때, 상기 알킬 또는 알콕시는 비치환 또는 할로겐으로 치환되고, 상기 아릴, 시클로알킬, 헤테로아릴 또는 헤테로시클로알킬은 비치환 또는 할로겐 또는 C1-C18 직쇄 또는 측쇄 알킬로 치환되고, 상기 헤테로아릴 또는 헤테로시클로알킬은 고리 내 N, O 및 S로부터 선택되는 하나 이상의 원자를 포함하고;
R5 내지 R8은 서로 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, C1-C18 직쇄 또는 측쇄 알킬, C1-C18 직쇄 또는 측쇄 알콕시, C6-C18 아릴, C3-C18 시클로알킬, C4-C18 헤테로아릴 또는 5원 내지 6원의 헤테로시클로알킬이고, 이때, 상기 알킬 또는 알콕시는 비치환 또는 할로겐으로 치환되고, 상기 아릴, 시클로알킬, 헤테로아릴 또는 헤테로시클로알킬은 비치환 또는 할로겐 또는 C1-C18 직쇄 또는 측쇄 알킬로 치환되고, 상기 헤테로아릴 또는 헤테로시클로알킬은 고리 내 N, O 및 S로부터 선택되는 하나 이상의 원자를 포함하고;
Figure PCTKR2012002624-appb-I000003
는 이리듐과 배위결합하여 형성되는 두자리 리간드이며;
m은 2 또는 3이다.)
화학식 2
Figure PCTKR2012002624-appb-C000002
(상기 화학식 2에서,
L1 내지 L3는 서로 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, C1-C18 직쇄 또는 측쇄 알킬, C1-C18 직쇄 또는 측쇄 알콕시, C6-C18 아릴, C3-C18 시클로알킬, C4-C18 헤테로아릴 또는 5원 내지 6원의 헤테로시클로알킬이고, 이때, 상기 알킬 또는 알콕시는 비치환 또는 할로겐으로 치환되고, 상기 아릴, 시클로알킬, 헤테로아릴 또는 헤테로시클로알킬은 비치환 또는 할로겐 또는 C1-C18 직쇄 또는 측쇄 알킬로 치환되고, 상기 헤테로아릴 또는 헤테로시클로알킬은 고리 내 N, O 및 S로부터 선택되는 하나 이상의 원자를 포함한다).
바람직하게, 본 발명에 따른 유기금속 화합물은 하기 화학식 1A로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 한다.
[화학식 1A]
Figure PCTKR2012002624-appb-I000004
(상기 화학식 1A에서, 상기 L1 내지 L3, R5 내지 R8,
Figure PCTKR2012002624-appb-I000005
및 m은 상기 화학식 1 및 2에서 정의한 바와 같다.)
더욱 바람직하게, 상기 L1 내지 L3는 서로 독립적으로 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 시클로헥실, 페닐인 것을 특징으로 한다.
더욱 바람직하게, 상기 R5 내지 R8는 서로 독립적으로 수소, 메틸, 페닐, 메틸페닐. 디메틸페닐인 것을 특징으로 한다.
더욱 바람직하게, 상기 A 및 B는 각각 독립적으로 N(질소), O(산소), S(황), P(인) 및 C(탄소)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 한다.
더욱 바람직하게, 상기 화학식 1의
Figure PCTKR2012002624-appb-I000006
로 표현되는 두자리 리간드는 하기 화학식의 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 한다.
Figure PCTKR2012002624-appb-I000007
상기 화학식 1에 따른 유기금속 화합물의 대표적인 예로서, 하기의 Ir(PhGe-ppy)3, Ir(MeGe-ppy)3, Ir(MeGe-ppy)2(acac)를 예로 들 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
Figure PCTKR2012002624-appb-I000008
또한, 본 발명은 상기 신규 유기금속 화합물의 제조방법을 제공한다.
제법 1
본 발명에 따른 신규 유기금속 화합물의 제조방법은 하기 반응식 1에 나타낸 바와 같이,
화학식 4의 페닐피리딘 화합물을 화학식 5의 게르마늄 포함 화합물 및 리튬염과 반응시켜 화학식 6의 게르마늄 치환체가 치환된 페닐피리딘 화합물을 제조하는 단계(단계 1); 및
상기 단계 1에서 제조된 화학식 6의 화합물과 이리듐 착화합물을 글리세롤에 혼합하여 환류시켜 3개의 화학식 6의 주리간드 화합물이 배위된 화학식 1a의 유기금속 화합물을 제조하는 단계(단계 2)를 포함한다.
[반응식 1]
Figure PCTKR2012002624-appb-I000009
(상기 반응식 1에 있어서, 상기 L1 내지 L3, R5 내지 R8,
Figure PCTKR2012002624-appb-I000010
및 m은 상기 화학식 1 및 2에서 정의한 바와 같고, X는 할로겐 원자이며, 화학식 1a는 화학식 1에 포함된다.)
상기 단계 1은 화학식 2의 페닐피리딘 화합물을 화학식 3의 게르마늄 포함 화합물 및 리튬염과 반응시켜 화학식 4의 게르마늄 치환체가 치환된 페닐피리딘 화합물을 제조하는 단계이다.
구체적으로, 상기 화학식 2의 화합물을 테트라하이드로퓨란(THF), 디에텔에테르(diethyl ether) 등의 유기용매에 넣고, 화학식 3의 게르마늄 포함 화합물 및 리튬염을 넣어 반응시킴으로써 화학식 4의 게르마늄 치환체가 치환된 페닐피리딘 화합물을 제조할 수 있다.
이때, 출발물질인 화학식 2의 화합물 및 화학식 3의 화합물은 시판되는 것을 구입하거나, 당업계에서 통상적으로 사용되는 제조방법으로 제조될 수 있다.
상기 리튬염으로는 n-BuLi, sec-BuLi, tert-BuLi 등을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 n-BuLi을 사용할 수 있다.
상기 단계에서 반응은 - 75 ~ -80 ℃의 낮은 온도에서 수행되는 것이 바람직하며, 반응이 완료된 후에는 컬럼크로마토그래피를 수행하여 생성물을 정제하는 단계를 추가로 수행할 수 있다.
다음으로, 단계 2는 상기 단계 1에서 제조된 화학식 6의 화합물과 이리듐 착화합물을 글리세롤에 혼합하여 환류시켜 3개의 화학식 6의 주리간드 화합물이 배위된 화학식 1a의 유기금속 화합물을 제조하는 단계이다.
구체적으로, 상기 화학식 6의 화합물과 이리듐 착화합물을 2~3 : 1 몰의 비율로 글리세롤에 혼합하여 환류 온도에서는 23~27시간 동안 교반시킨 후, 상온으로 냉각시킨 후, 산을 첨가하여 3개의 화학식 6의 주리간드 화합물이 배위된 화학식 1a의 유기금속 화합물을 제조할 수 있다. 이후, 유기용매로 추출단계 및 컬럼크로마토그래피를 수행하여 생성물을 정제하는 단계를 추가로 수행할 수 있다.
제법 2
또한, 본 발명에 따른 신규 유기금속 화합물의 제조방법은 하기 반응식 2에 나타낸 바와 같이,
화학식 4의 페닐피리딘 화합물을 화학식 5의 게르마늄 포함 화합물 및 리튬염과 반응시켜 화학식 6의 게르마늄 치환체가 치환된 페닐피리딘 화합물을 제조하는 단계(단계 A);
상기 단계 A에서 제조된 화학식 6의 화합물을 삼염화이리듐(IrCl3)과 용매에 혼합하고 환류온도에서 반응시켜 화학식 7의 디이리듐 다이머를 제조하는 단계(단계 B); 및
상기 단계 B에서 제조된 화학식 7의 디이리듐 다이머 화합물과 보조리간드 화합물(
Figure PCTKR2012002624-appb-I000011
-H)을 유기용매에 넣고 커플링반응시켜 화학식 1b의 화합물을 제조하는 단계(단계 C)를 포함한다.
[반응식 2]
Figure PCTKR2012002624-appb-I000012
(상기 반응식 2에서, 상기 L1 내지 L3, R5 내지 R8,
Figure PCTKR2012002624-appb-I000013
및 m은 상기 화학식 1 및 2에서 정의한 바와 같고, X는 할로겐 원자이며, 화학식 1b는 화학식 1에 포함된다.)
먼저, 상기 단계 A는 화학식 6의 게르마늄 치환체가 치환된 페닐피리딘 화합물을 제조하는 단계로서, 상기 반응식 1의 단계 1과 동일한 방법으로 수행될 수 있다.
다음으로, 상기 단계 B는 상기 단계 A에서 제조된 화학식 6의 화합물을 삼염화이리듐(IrCl3)과 용매에 혼합하고 환류온도에서 반응시켜 화학식 7의 디이리듐 다이머를 제조하는 단계이다.
구체적으로, 삼염화이리듐(IrCl3)과 주리간드인 화학식 6의 화합물을 1 : 2~3 몰의 비율로 용매에 혼합하여 환류시킨 후 디이리듐 다이머를 분리한다. 상기의 단계에서의 용매는 알콜 또는 알콜/물 혼합용매가 바람직하며, 그 예로 2-에톡시에탄올, 2-에톡시에탄올/물 혼합용매가 사용될 수 있다.
다음으로, 상기 단계 C는 상기 단계 B에서 제조된 화학식 7의 디이리듐 다이머 화합물과 보조리간드 화합물(
Figure PCTKR2012002624-appb-I000014
-H)을 유기용매에 넣고 커플링반응시켜 화학식 1b의 화합물을 제조하는 단계이다.
구체적으로, 분리된 디이리듐 다이머는 보조리간드 화합물(
Figure PCTKR2012002624-appb-I000015
-H)을 유기용매에 함께 혼합하여 가열하여 최종 생성물로 주리간드 : 보조리간드가 2 : 1인 유기금속 화합물을 제조한다. 최종 생성물의 주리간드와 보조리간드는 그 조성비에 따라 반응하는 몰비를 적절히 결정하여 사용하며, 이때 AgCF3SO3, Na2CO3, NaOH 등을 유기용매인 2-에톡시에탄올, 2-메톡시에틸에테르, 1,2-디클로로에탄에 함께 혼합하여 반응시킬 수 있다.
본 발명에 따른 화학식 1의 유기금속 화합물은 적어도 하나의 화학식 2의 게르마늄 치환기를 포함함으로써 치환되지 않은 화합물과 비교할 때 고체상에서 유기금속 화합물 분자간의 상호 작용이 억제되므로 유기 발광 소자의 성능, 특히 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
이와 더불어 본 발명에 따른 화학식 1의 유기금속 화합물은 적어도 하나의 화학식 2의 게르마늄 치환기를 포함함으로써 치환되지 않은 화합물과 비교할 때 유기 용매에 대한 용해도가 증가하게 된다. 이에 따라 상기 화학식 1의 유기금속 화합물을 포함하는 유기 박막을 용액상으로부터 생성하는데 있어서, 용액 내 상기 화학식 1의 화합물의 농도를 높일 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 화학식 1의 유기금속 화합물은 상기 이리듐 유기금속 화합물 모체에 게르마늄 치환체를 도입함으로써 고체 상태에서의 분자간 상호 작용이 억제되어 용액 공정에서도 유용하게 사용될 수 있고, 유기 발광 소자의 발광층의 일부로 사용되는 경우에 그 발광 효율이 현저히 개선되므로 유기 발광 소자용 재료로 유용하게 사용될 수 있다.
이때, 상기 용액 공정은 스핀코팅 방법, 잉크젯 인쇄, 스크린 인쇄, 그라비어 인쇄 등을 이용할 수 있으며, 이외에도 본 발명에 따른 화학식 1의 화합물은 진공열증착, 딥코팅 등 일반적인 박막 형성 방법에도 적용될 수 있다.
나아가, 본 발명은 상기 화학식 1의 유기금속 화합물을 발광층에 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 양극, 음극 및 두 전극 사이에 상기 화학식 1의 화합물을 발광 호스트 물질로 포함하는 발광층을 하나의 구성단위로 포함하는 단층형이거나, 전하 수송층과 함께 양극, 상기 화학식 1의 화합물을 발광물질로 포함하는 발광층 및 음극이 순서대로 적층된 다층형 구조를 갖는다.
구체적으로, 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극 및 제2전극 사이에 개재되는 1층 이상의 유기물층으로 이루어진 유기 발광 소자에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화학식 1의 유기금속 화합물을 하나 이상 포함할 수 있다.
일반적으로, 하나의 발광층으로만 이루어진 단층형 소자보다는 발광층과 전하 수송층이 조합된 다층형 소자가 우수한 특성을 나타내며, 이는 발광물질과 전하 수송재료가 적절하게 조합됨으로써 전극으로부터 전하가 주입될 때 에너지 장벽이 감소되고, 전하 수송층이 전극으로부터 주입된 정공 또는 전자를 발광층 영역에 속박시킴으로써 주입된 정공과 전자의 수밀도가 균형을 이루도록 해주기 때문이다. 특히, 인광 발광소자의 경우에는 인광 발광물질의 발광 지속기간(emission duration)이 길기 때문에 효율을 증가시키기 위해서는 발광층에 정공을 가두어 오랫동안 정공이 발광층에 머물게 해야만 우수한 인광 발광특성을 나타내게 되므로 다층형 발광소자가 더 바람직하다.
본 발명의 유기 발광 소자의 개략적인 구조단면도를 도 1 내지 도 3에 나타내었다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 기본적인 유기 발광 소자는 투명전극(양극), 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 금속전극(음극)이 순차적으로 적층된 구조로 이루어지며, 발광효율의 향상을 목적으로 도 2에 나타낸 바와 같이 발광층과 전자 수송층 사이에 정공 차단층을 포함하거나, 도 3에 나타낸 바와 같이 발광층과 전자 수송층 사이 및 발광층과 정공 수송층 사이에 각각 정공 차단층 및 전자 차단층을 추가로 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자에서 투명전극(양극)및 금속전극(음극)은 통상적인 전극재료, 예를 들면, 투명전극은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO)또는 SnO2로, 금속전극은 Li, Mg, Ca, Ag, Al 및 In 등의 금속 또는 이들의 합금으로 각각 형성될 수 있으며, 금속전극의 경우 단층 또는 2층 이상의 다층 구조를 가질 수 있다.
발광층에서 본 발명의 화학식 1의 화합물은 도판트 물질로 사용될 수 있으며, 단층 또는 2층 이상의 다층 구조를 가질 수 있다. 이때, 화학식 1의 화합물은 인광 도판트를 더 포함할 수 있으며, 상기 인광 도판트는 당 업계에서 통상적으로 사용되는 것으로, 트리스(2-페닐피리디나토-N,C2)루테늄, 비스(2-페닐피리디나토-N, C2)팔라듐,비스(2-페닐피리디나토-N,C2)플래티늄, 트리스(2-페닐피리디나토-N, C2)오스뮴, 트리스(2-페닐피리디나토-N,C2)레늄, 옥타에틸 플래티늄 포르피린, 옥타페닐 플래티늄 포르피린, 옥타에틸 팔라듐 포르피린, 옥타페닐 팔라듐 포르피린, 이리듐(III)비스[(4,6-디플루오로페닐)-피리디나토-N,C2']피콜리네이트(Firpic), 트리스(2-페닐피리디나토-N,C2)이리듐(Ir(ppy)3), fac-Ir(ppy)3, 비스-(2-페닐피리디나토-N,C2)이리듐(아세틸아세토네이트)(Ir(ppy)2(acac))및 2,3,7,8,12,13,17,18-옥타에틸-21H,23H-포르핀 플래티늄(II)(PtOEP)으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 사용할 수 있다.
정공 수송층은 통상적인 정공 수송물질, 예를 들면 4,4-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐-아민]비페닐(α-NPD), N,N-디페닐-N,N-비스(3-메틸페닐)-1,1-비페닐-4,4-디아민(TPD)및 폴리-(N-비닐카바졸)(PVCz)등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 포함할 수 있고, 별개의 층으로 하여 2층 이상 적층시킬 수도 있다.
정공 차단층은 5.5 내지 7.0 사이의 LUMO(lowest un℃cupied molecular orbital)값을 가지며 정공 수송능력은 현저히 떨어지면서 전자 수송능력이 우수한 물질로 구성되는데, 이러한 물질로는 바쏘쿠프로인(Bath℃uproine, BCP), 3-(4-비페닐릴)-4-페닐-5-(4-t-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ)및 비스(8-하이드록시-2-메틸퀴놀리나토)-알루미늄 바이페녹시드(BAlq)등이 적합하다. 또한, 전자 차단층으로는 일반적으로 LUMO 값이 큰 물질을 사용하며 이리듐(Ⅲ)트리스(1-페닐피라졸-N,C2')(Ir(ppz)3)등이 적합하다.
전자 수송층(전자 수송성 발광층)은 통상적인 전자 수송물질, 예를 들면 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(Alq3)또는 루브렌(rubrene)등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 구성할 수 있고, 별개의 2층 이상의 층들이 적층될 수도 있다.
또한, 발광효율 및 수명 등의 소자 특성을 향상시키기 위해 양극과 정공 수송층의 사이에 예를 들어 구리 프탈로시아닌(copper phthalocyanine, CuPc)을 포함하는 통상적인 정공 주입층을 삽입할 수 있고, 음극과 전자 수송층의 사이에 예를 들어 LiF을 포함하는 통상적인 전자 주입층을 삽입할 수 있다.
상기 양극, 음극, 발광층, 수송층, 주입층 및 차단층 등은 통상적인 증착방법에 의해 형성될 수 있다.
또한, 본 발명은
상기 화학식 1의 유기금속 화합물을 유기용매에 용해시켜 용액을 제조하는 단계(단계 1);
상기 단계 1의 용액을 기판 위에 떨어뜨리고 기판을 회전시킨 후, 건조하여 기판상에 박막을 형성시키는 단계(단계 2)를 포함하는 유기 발광 소자용 박막 형성 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 화학식 1의 유기금속 화합물은 적어도 하나의 화학식 2의 게르마늄 치환기를 포함함으로써 치환되지 않은 화합물과 비교할 때 유기 용매에 대한 용해도가 증가하게 된다. 이에 따라 상기 화학식 1의 유기금속 화합물을 포함하는 유기 박막을 용액상으로부터 생성하는데 있어서, 용액 내 상기 화학식 1의 화합물의 농도를 높일 수 있다.
이때, 사용되는 유기용매로는 1,2-디클로로에탄, 클로로벤젠, 톨루엔 등을 사용할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
이하, 본 발명을 실시예에 의해 상세히 설명한다.
단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
<제조예 1> 3-브로모-6-페닐피리딘의 제조
2,5-디브로모피리딘(8 g, 33.77 mmol), 페닐보론산(5.35 g, 43.9 mmol), 테트라키스트리페닐팔라듐(0.97 g, 0.84 mmol)을 무수 테트라히드로퓨란(100 mL)에 용해시켰다. 이 용액에 탄산나트륨(9.33 g, 67.54 mmol) 수용액(33.7 mL)을 첨가하고 75 ℃에서 16시간 동안 반응시켰다. 이후 감압 하에서 반응물을 농축하고, 물(100 mL)과 디클로로메탄(50 mL × 3회)으로 추출하여 유기층을 분리하였다. 얻어진 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조시키고 감압 농축하였다. 디클로메탄/헥산=1/1 의 전개액으로 실리카겔에서 컬럼크로마토그래피를 통해 최종 생성물을 정제하여 흰 고체의 목적화합물(5.18 g, 수득률 65 %)을 얻었다.
1H-NMR(300 MHz, CDCl3)δ 7.65(m, 3H), 7.80(d, 1H), 7.95(d, 1H), 8.05(d, 2H), 8.95(s, 1H).
<실시예 1> Ir(PhGe-ppy)3의 제조
단계 1: 3-(트리페닐저밀)-6-페닐피리딘의 제조
상기 제조예 1에서 제조된 3-브로모-6-페닐피리딘(0.86 g, 3.67 mmol)을 무수 테트라히드로퓨란(20 mL)에 녹여 -78 ℃에서 교반시켰다. 이 용액에 노말-부틸리튬(1.76 mL, 4.41 mmol, 2.5 M 헥산 용액)을 약 20분에 걸쳐 방울방울 첨가하였다. 추가로 1시간 동안 교반시킨 후, 트리페닐게르마늄 클로라이드(1.5 gm 4.41 mmol)를 첨가하고 상온에서 밤새 반응을 진행하였다. 이후 물(100 mL)을 넣어주고 물층과 유기층을 분리하였다. 추가로 디에틸에테르(80 mL × 2회)로 유기층을 추출한 후, 무수 황산마그네슘으로 건조시키고 감압 농축하였다. 디에틸에테르/헥산=1/10의 전개액으로 실리카겔에서 컬럼크로마토그래피를 통해 최종 생성물을 정제하여 흰 고체의 목적화합물(0.52 g, 수득률 31%)을 얻었다.
1H-NMR(300 MHz, CDCl3)δ 7.48(m, 18H), 7.75(d, 1H), 7.89(d, 1H), 8.03(d, 2H), 8.81(s, 1H).
단계 2: Ir(PhGe-ppy) 3 의 제조
상기 단계 1에서 제조된 3-(트리페닐저밀)-6-페닐피리딘(1 g, 2.18 mmol)과 이리듐(III)아세틸아세토네이트(0.305 g, 0.623 mmol)를 글리세롤(30 mL)에 녹이고, 230 ℃에서 25시간 동안 교반시켰다. 상온으로 냉각시킨 후에 1N 염산을 넣어주고, 침전물을 여과하였다. 여과액을 물(50 mL)과 디클로로메탄(40 mL × 3회)으로 추출하여 유기층을 분리하였다. 얻어진 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조시키고 감압 농축하였다. 디클로메탄/헥산=1/1의 전개액으로 실리카겔에서 컬럼크로마토그래피를 통해 최종 생성물을 정제하여 노랑색 고체의 목적화합물(0.238 g, 수득률 24 %)을 얻었다.
1H-NMR(300 MHz, Acetone d6)δ 6.7(t, 1H), 6.85(t, 2H), 7.19(m, 12H), 7.35(m, 3H), 7.54(d, 1H), 7.62(s, 1H), 7.76(d, 1H), 7.85(d, 1H).
<실시예 2> Ir(MeGe-ppy)3의 제조
단계 1: 3-(트리메틸저밀)-6-페닐피리딘의 합성
상기 제조예 1에서 제조된 3-브로모-6-페닐피리딘(3.48 g, 14.88 mmol)을 무수 테트라히드로퓨란(50 mL)에 녹여 -78 ℃에서 교반시켰다. 이 용액에 노말-부틸리튬(7.14 mL, 17.86 mmol, 2.5 M 헥산 용액)을 약 20분에 걸쳐 방울방울 첨가하였다. 추가로 1시간 동안 저어준 후, 클로로트리메틸게르마늄(2.19 g, 17.86 mmol)을 첨가하고 상온에서 밤새 반응을 진행하였다. 이후 물(100 mL)을 넣어주고 물층과 유기층을 분리하였다. 추가로 디에틸에테르(80 mL × 2회)로 유기층을 추출한 후, 무수 황산마그네슘으로 건조시키고 감압 농축하였다. 디에틸에테르/헥산=1/10의 전개액으로 실리카겔에서 컬럼크로마토그래피를 통해 최종 생성물을 정제하여 노랑색 액체의 목적화합물(1.24 g, 수득률 42%)을 얻었다.
1H-NMR(300 MHz, CDCl3)δ 0.49(s, 9H), 7.48(m, 3H), 7.71(m, 1H), 7.81(m, 1H), 8.01(m, 2H), 8.74(m, 1H).
단계 2: Ir(MeGe-ppy) 3 의 제조
상기 단계 1에서 제조된 3-(트리메틸저밀)-6-페닐피리딘(2.49 g, 9.16 mmol)과 이리듐(III)아세틸아세토네이트(1.28 g, 2.61 mmol)를 글리세롤(60 mL)에 녹이고, 230 ℃에서 25시간 동안 교반시켰다. 상온으로 냉각시킨 후에 1N 염산을 넣어주고, 침전물을 여과하였다. 여과액을 물(50 mL)과 디클로로메탄(40 mL × 3회)으로 추출하여 유기층을 분리하였다. 얻어진 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조시키고 감압 농축하였다. 디클로메탄/헥산=1/1의 전개액으로 실리카겔에서 컬럼크로마토그래피를 통해 최종 생성물을 정제하여 노랑색 고체의 목적화합물(0.47 g, 수득률 18 %)을 얻었다.
1H-NMR(300 MHz, Acetone d6)δ 0.22(s, 9H), 6.80(m, 2H), 6.98(d, 1H), 7.49(s, 1H), 7.73(d, 1H), 7.88(d, 1H), 8.04(d, 1H).
<실시예 3> Ir(MeGe-ppy)2(acac)의 제조
단계 A: 3-(트리메틸저밀)-6-페닐피리딘의 제조
상기 실시예 2의 단계 1과 동일한 방법으로 수행하였다.
단계 B 및 C: Ir(MeGe-ppy) 2 (acac)의 제조
상기 단계 A에서 제조된 3-(트리메틸저밀)-6-페닐피리딘(1.61 g, 5.91 mmol)과 이리듐(III)아세틸아세토네이트(0.53 g, 1.77 mmol)를 2-에톡시에탄올(30 mL)과 물(10 mL)에 녹이고, 125 ℃에서 12시간 동안 교반시켰다. 상온으로 냉각시킨 후에 과량의 물을 넣어주고, 침전물을 여과하여 시클로메탈화된 Ir(III)μ-클로로 브릿지된 다이머를 얻었다(0.60g, 수득률 44 %)(단계 B).
추가 정제 없이 상기 단계 B에서 얻은 다이머 화합물에 아세틸아세톤(0.10 g, 1.00 mmol)과 탄산나트륨(0.41 g, 3.9 mmol)을 2-에톡시에탄올(10 mL)에 녹여 170 ℃에서 12시간 환류 가열하였다. 반응 종료 후에 상온으로 냉각하면서 생긴 고체를 여과하여 물로 세척하고, 디클로로메탄을 전개액으로 실리카겔에서 컬럼크로마토그래피를 통해 최종 생성물을 정제하여 노랑색 고체의 목적화합물(0.19 g, 수득률 30 %)을 얻었다.
1H-NMR(300 MHz, CDCl3)δ 0.49(s, 18H), 1.77(s, 6H), 2.05(s, 6H), 5.19(s, 1H), 7.45(m, 6H), 7.67-7.85(m, 4H), 7.99(m, 4H).
<실시예 4> Ir(PhGe-ppy)3를 이용한 유기 발광 소자의 제작 및 특성 평가
패턴된 ITO 기판을 아세톤과 이소프로판올로 각각 10분씩 초음파 세척한 후, 질소를 불어주며 건조시키고, 추가로 자외선-오존 세정 장치에서 20분 동안 건식 세정을 진행하였다. 이렇게 세정된 ITO 기판위에 PEDOT:PSS(CLEVIOS™ P VP AI 4083)을 4200 rpm으로 30초간 스핀코팅하고, 120 ℃ 진공오븐에서 1시간 동안 건조하여 40 nm의 박막을 형성하였다. PVK(Sigma-Aldrich 카탈로그번호 368350), TPD(Sigma-Aldrich 카탈로그번호 443263), PBD(Sigma-Aldrich 카탈로그번호 B8378) 및 상기 실시예 1에서 합성한 Ir(PhGe-ppy)3를 50:10:31:9(질량비)의 비율로 혼합하고, 총 고형분 농도가 1.3 질량%가 되도록 1,2-디클로로에탄을 첨가하여 유기 발광층 조성물을 준비하였다. 이렇게 만들어진 유기 발광층 조성물 용액을 상기 PEDOT:PSS 가 코팅된 ITO 기판위에 1500 rpm으로 30초간 스핀코팅하고, 55 ℃ 열판에서 건조하여 80 nm의 박막을 형성하였다. 유기 발광층 조성물 용액의 스핀코팅 및 건조는 모두 질소 분위기 하의 글로브박스에서 진행되었다. PEDOT:PSS 및 유기 발광층 조성물이 코팅된 ITO 기판을 금속 진공 증착 챔버로 옮겨 10-7 토르 진공하에서 불화세슘과 알루미늄을 각각 1 nm 와 120 nm 진공열증착하였다. 완성된 유기 발광 소자를 글로브박스 안에서 유리커버와 에폭시 실란트로 봉지한 후 PR-650 스펙트라칼로리미터와 키슬리 2400 소스측정유닛을 이용하여 유기 발광 소자의 특성을 평가하였다.
<실시예 5> Ir(MeGe-ppy)3를 이용한 유기 발광 소자의 제작 및 특성 평가
상기 실시예 4에서 유기 발광층 조성물 용액의 성분 중에 Ir(PhGe-ppy)3를 대신하여 상기 실시예 2에서 합성한 Ir(MeGe-ppy)3를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하고 그 특성을 평가하였다.
<비교예 1> Ir(ppy)3를 이용한 유기 발광 소자의 제작 및 특성 평가
상기 실시예 4에서 유기 발광층 조성물 용액의 성분 중에 Ir(PhGe-ppy)3를 대신하여 종래에 유기 발광체로 사용하는 Ir(ppy)3(Lumtec 카탈로그번호 LT-E504) 를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하고 그 특성을 평가하였다.
상기 실시예 4, 실시예 5 및 비교예 1의 유기 발광 소자의 발광 스펙트럼을 측정하여 도 4에 나타내었고, 전류밀도-발광효율 그래프를 측정하여 도 5에, 전압-밝기/전압-전류 그래프를 도 6에 나타내었고, 이로부터 유기 발광 소자의 특성을 정리하여 하기 표 1에 나타내었다.
표 1
최대발광파장 (nm) CIE 색좌표 (x,y) 최대전류효율 (cd/A)
실시예 4 524 (0.35, 0.61) 20.9
실시예 5 520 (0.33, 0.62) 23.0
비교예 1 512 (0.31, 0.61) 17.0
도 4 내지 6 및 표 1에 나타낸 바와 같이, 비교 물질인 Ir(ppy)3에 비하여 본 발명의 게르마늄이 치환된 Ir(PhGe-ppy)3 및 Ir(MeGe-ppy)3가 유기 발광 소자의 유기 발광층 발광 물질로서 더 뛰어난 성능을 보이는 것을 확인하였고, 유기 발광 물질에 게르마늄 치환체 도입을 통해 이를 이용한 유기 발광 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있음을 확인하였다.
따라서, 본 발명에 따른 화합물은 유기 발광 소자의 발광층의 일부로 사용되는 경우에 그 발광 효율이 현저히 개선되므로 유기 발광 소자용 재료로 유용하게 사용될 수 있다.
<실시예 6> Ir(MeGe-ppy)3를 이용한 다층 유기 발광 소자의 제작 및 특성 평가
상기 실시예 4에서와 동일한 과정으로 ITO기판 세척 및 PEDOT:PSS막을 성막한 후, 그 위에 poly(triphenylamine) 용액 (0.12 질량%, 용매 : 클로로벤젠)을 1500 rpm으로 30초간 스핀코팅하고 100 ℃ 열판에서 건조하여 10 nm의 정공수송층 박막을 형성하였다. PVK(Sigma-Aldrich 카탈로그번호 368350), TPD(Sigma-Aldrich 카탈로그번호 443263), PBD(Sigma-Aldrich 카탈로그번호 B8378) 및 상기 실시예 2에서 합성한 Ir(MeGe-ppy)3를 73:10:10:7(질량비)의 비율로 혼합하고, 총 고형분 농도가 0.64 질량%가 되도록 1,2-디클로로에탄을 첨가하여 유기 발광층 조성물을 준비하였다. 이렇게 만들어진 유기 발광층 조성물 용액을 상기 PEDOT:PSS와 poly(triphenylamine)이 코팅된 ITO 기판위에 1800 rpm으로 30초간 스핀코팅하고, 55 ℃ 열판에서 건조하여 50 nm의 유기 발광층 박막을 형성하였다. 정공수송층 및 유기 발광층 조성물 용액의 스핀코팅 및 건조는 모두 질소 분위기 하의 글로브박스에서 진행되었다. 이렇게 PEDOT:PSS, 정공수송층 및 유기 발광층 조성물이 코팅된 ITO 기판을 진공 증착 챔버로 옮겨 10-7 토르 진공하에서 TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl, Lumtec 카탈로그번호 LT-E302)를 57 nm 진공열증착하여 전자수송층을 형성하였고, 이 위에 다시 10-7 토르 진공하에서 불화세슘과 알루미늄을 각각 1 nm 와 120 nm 진공열증착하였다. 완성된 유기 발광 소자를 글로브박스 안에서 유리커버와 에폭시 실란트로 봉지한 후 PR-650 스펙트라칼로리미터와 키슬리 2400 소스측정유닛을 이용하여 유기 발광 소자의 특성을 평가하였다.
상기 실시예 6의 유기 발광 소자의 전류밀도-발광효율 그래프를 측정하여 도 7에, 전압-밝기/전압-전류 그래프를 도 8에 나타내었다.
결과
도 7 및 도 8에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 게르마늄이 치환된 Ir(MeGe-ppy)3를 이용하여 제조된 다층 유기 발광 소자는 우수한 특성을 보이고 있음을 확인하였다.
따라서, 본 발명에 따른 게르마늄이 치환된 Ir(MeGe-ppy)3는 유기 발광 소자로 유용하게 사용될 수 있다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (11)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물:
    [화학식 1]
    Figure PCTKR2012002624-appb-I000016
    (상기 화학식 1에서,
    R1 내지 R4 중에서 적어도 하나는 하기 화학식 2로 표시되는 치환체이고;
    R1 내지 R4 중에서 하기 화학식 2의 치환체가 아닌 경우, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, C1-C18 직쇄 또는 측쇄 알킬, C1-C18 직쇄 또는 측쇄 알콕시, C6-C18 아릴, C3-C18 시클로알킬, C4-C18 헤테로아릴 또는 5원 내지 6원의 헤테로시클로알킬이고, 이때, 상기 알킬 또는 알콕시는 비치환 또는 할로겐으로 치환되고, 상기 아릴, 시클로알킬, 헤테로아릴 또는 헤테로시클로알킬은 비치환 또는 할로겐 또는 C1-C18 직쇄 또는 측쇄 알킬로 치환되고, 상기 헤테로아릴 또는 헤테로시클로알킬은 고리 내 N, O 및 S로부터 선택되는 하나 이상의 원자를 포함하고;
    R5 내지 R8은 서로 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, C1-C18 직쇄 또는 측쇄 알킬, C1-C18 직쇄 또는 측쇄 알콕시, C6-C18 아릴, C3-C18 시클로알킬, C4-C18 헤테로아릴 또는 5원 내지 6원의 헤테로시클로알킬이고, 이때, 상기 알킬 또는 알콕시는 비치환 또는 할로겐으로 치환되고, 상기 아릴, 시클로알킬, 헤테로아릴 또는 헤테로시클로알킬은 비치환 또는 할로겐 또는 C1-C18 직쇄 또는 측쇄 알킬로 치환되고, 상기 헤테로아릴 또는 헤테로시클로알킬은 고리 내 N, O 및 S로부터 선택되는 하나 이상의 원자를 포함하고;
    Figure PCTKR2012002624-appb-I000017
    는 이리듐과 배위결합하여 형성되는 두자리 리간드이며;
    m은 2 또는 3이다).
    [화학식 2]
    Figure PCTKR2012002624-appb-I000018
    (상기 화학식 2에서,
    L1 내지 L3는 서로 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, C1-C18 직쇄 또는 측쇄 알킬, C1-C18 직쇄 또는 측쇄 알콕시, C6-C18 아릴, C3-C18 시클로알킬, C4-C18 헤테로아릴 또는 5원 내지 6원의 헤테로시클로알킬이고, 이때, 상기 알킬 또는 알콕시는 비치환 또는 할로겐으로 치환되고, 상기 아릴, 시클로알킬, 헤테로아릴 또는 헤테로시클로알킬은 비치환 또는 할로겐 또는 C1-C18 직쇄 또는 측쇄 알킬로 치환되고, 상기 헤테로아릴 또는 헤테로시클로알킬은 고리 내 N, O 및 S로부터 선택되는 하나 이상의 원자를 포함한다).
  2. 하기 화학식 1A로 표시되는 유기금속 화합물:
    [화학식 1A]
    Figure PCTKR2012002624-appb-I000019
    (상기 화학식 1A에서, 상기 L1 내지 L3, R5 내지 R8,
    Figure PCTKR2012002624-appb-I000020
    및 m은 제1항의 화학식 1 및 2에서 정의한 바와 같다).
  3. 제2항에 있어서, 상기 L1 내지 L3는 서로 독립적으로 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 시클로헥실, 페닐인 것을 특징으로 하는 유기금속 화합물.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 R5 내지 R8는 서로 독립적으로 수소, 메틸, 페닐, 메틸페닐. 디메틸페닐인 것을 특징으로 하는 유기금속 화합물.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 A 및 B는 각각 독립적으로 N(질소), O(산소), S(황), P(인) 및 C(탄소)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 유기금속 화합물.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기
    Figure PCTKR2012002624-appb-I000021
    로 표현되는 두자리 리간드는 하기 화학식의 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기금속 화합물:
    Figure PCTKR2012002624-appb-I000022
    .
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유기금속 화합물은 하기 화학식의 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기금속 화합물:
    Figure PCTKR2012002624-appb-I000023
    ,
    Figure PCTKR2012002624-appb-I000024
    및
    Figure PCTKR2012002624-appb-I000025
    .
  8. 제1항 또는 제2항의 유기금속 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.
  9. 제8항에 있어서, 상기 유기금속 화합물은 발광층의 도판트 물질로 사용되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  10. 제1전극;
    제2전극; 및
    상기 제1전극 및 제2전극 사이에 개재되는 1층 이상의 유기물층으로 이루어진 유기 발광 소자에 있어서,
    상기 유기물층은 제1항 또는 제2항의 유기금속 화합물을 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  11. 제1항 또는 제2항의 유기금속 화합물을 유기용매에 용해시켜 용액을 제조하는 단계(단계 1); 및
    상기 단계 1의 용액을 기판 위에 떨어뜨리고 기판을 회전시킨 후, 건조하여 기판상에 박막을 형성시키는 단계(단계 2)를 포함하는 유기 발광 소자용 박막 형성 방법.
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Families Citing this family (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102429869B1 (ko) * 2014-10-17 2022-08-05 삼성전자주식회사 유기 발광 소자
KR102344883B1 (ko) * 2014-12-17 2021-12-29 삼성전자주식회사 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
US10636978B2 (en) * 2014-12-30 2020-04-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9929361B2 (en) 2015-02-16 2018-03-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11056657B2 (en) 2015-02-27 2021-07-06 University Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102434696B1 (ko) * 2015-03-13 2022-08-22 삼성전자주식회사 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
US9859510B2 (en) 2015-05-15 2018-01-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10418568B2 (en) 2015-06-01 2019-09-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11127905B2 (en) 2015-07-29 2021-09-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3133078B1 (en) * 2015-08-18 2019-01-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Organometallic compound and organic light-emitting device including the same
US10672996B2 (en) 2015-09-03 2020-06-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20170229663A1 (en) 2016-02-09 2017-08-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10236456B2 (en) 2016-04-11 2019-03-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11482683B2 (en) 2016-06-20 2022-10-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10672997B2 (en) 2016-06-20 2020-06-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10862054B2 (en) 2016-06-20 2020-12-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10608186B2 (en) 2016-09-14 2020-03-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10680187B2 (en) 2016-09-23 2020-06-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11196010B2 (en) 2016-10-03 2021-12-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11011709B2 (en) 2016-10-07 2021-05-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12317745B2 (en) 2016-11-09 2025-05-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10680188B2 (en) 2016-11-11 2020-06-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11780865B2 (en) 2017-01-09 2023-10-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10844085B2 (en) 2017-03-29 2020-11-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10944060B2 (en) 2017-05-11 2021-03-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102055979B1 (ko) * 2017-05-29 2019-12-13 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
US12098157B2 (en) 2017-06-23 2024-09-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11228010B2 (en) 2017-07-26 2022-01-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11744142B2 (en) 2017-08-10 2023-08-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12180230B2 (en) 2017-11-28 2024-12-31 University Of Southern California Carbene compounds and organic electroluminescent devices
EP3492480B1 (en) 2017-11-29 2021-10-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11937503B2 (en) 2017-11-30 2024-03-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11542289B2 (en) 2018-01-26 2023-01-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11165028B2 (en) 2018-03-12 2021-11-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12453279B2 (en) 2018-08-22 2025-10-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11737349B2 (en) 2018-12-12 2023-08-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11780829B2 (en) 2019-01-30 2023-10-10 The University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
US12477890B2 (en) 2019-02-01 2025-11-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP2020158491A (ja) 2019-03-26 2020-10-01 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 有機エレクトロルミネセンス材料及びデバイス
US12391713B2 (en) 2019-03-29 2025-08-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Organometallic compound, organic light-emitting device including the same, and electronic apparatus including the organic light-emitting device
US12281128B2 (en) 2019-07-30 2025-04-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12139501B2 (en) 2019-08-16 2024-11-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12010909B2 (en) 2019-09-11 2024-06-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Organometallic compound, organic light-emitting device including the same and electronic apparatus including the organic light-emitting device
EP3798225B1 (en) * 2019-09-26 2022-11-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Organometallic compound, organic light-emitting device including the same and electronic apparatus including the organic light-emitting device
KR102820517B1 (ko) * 2019-10-17 2025-06-13 삼성전자주식회사 유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 이를 포함한 진단용 조성물
KR20210050326A (ko) * 2019-10-28 2021-05-07 삼성전자주식회사 유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 이를 포함한 진단용 조성물
US20210135130A1 (en) 2019-11-04 2021-05-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12538698B2 (en) 2020-01-06 2026-01-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12426495B2 (en) 2020-01-28 2025-09-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102863058B1 (ko) * 2020-04-29 2025-09-19 삼성전자주식회사 유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 상기 유기 발광 소자를 포함한 전자 장치
EP3937268B1 (en) 2020-07-10 2025-05-07 Universal Display Corporation Plasmonic oleds and vertical dipole emitters
CN116391456A (zh) 2020-09-18 2023-07-04 三星显示有限公司 有机电致发光器件
KR20220055361A (ko) 2020-10-26 2022-05-03 삼성전자주식회사 유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 이를 포함한 진단용 조성물
US12187748B2 (en) 2020-11-02 2025-01-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220158096A1 (en) 2020-11-16 2022-05-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220165967A1 (en) 2020-11-24 2022-05-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12325717B2 (en) 2020-11-24 2025-06-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102903269B1 (ko) 2021-01-28 2025-12-24 삼성디스플레이 주식회사 유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 상기 유기 발광 소자를 포함한 전자 장치
US12575316B2 (en) 2021-02-03 2026-03-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12448403B2 (en) 2021-02-10 2025-10-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Organometallic compound, organic light-emitting device including organometallic compound, and electronic apparatus including organic light-emitting device
EP4043469A1 (en) * 2021-02-10 2022-08-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Organometallic compound, organic light-emitting device including organometallic compound, and electronic apparatus including organic light-emitting device
EP4723858A2 (en) 2021-02-26 2026-04-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4060758A3 (en) 2021-02-26 2023-03-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12606582B2 (en) 2021-03-05 2026-04-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12428599B2 (en) 2021-03-09 2025-09-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220298190A1 (en) 2021-03-12 2022-09-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12421262B2 (en) 2021-03-15 2025-09-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220340607A1 (en) 2021-04-05 2022-10-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12480042B2 (en) 2021-04-09 2025-11-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4075531A1 (en) 2021-04-13 2022-10-19 Universal Display Corporation Plasmonic oleds and vertical dipole emitters
US20220352478A1 (en) 2021-04-14 2022-11-03 Universal Display Corporation Organic eletroluminescent materials and devices
US20220407020A1 (en) 2021-04-23 2022-12-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230006149A1 (en) 2021-04-23 2023-01-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230133787A1 (en) 2021-06-08 2023-05-04 University Of Southern California Molecular Alignment of Homoleptic Iridium Phosphors
KR102925224B1 (ko) * 2021-06-11 2026-02-09 삼성디스플레이 주식회사 유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자를 포함한 전자 장치
US12550611B2 (en) 2021-08-03 2026-02-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4151699A1 (en) 2021-09-17 2023-03-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12473318B2 (en) 2021-10-08 2025-11-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102860028B1 (ko) * 2021-11-15 2025-09-12 삼성전자주식회사 유기금속 화합물, 이를 포함한 발광 소자 및 상기 발광 소자를 포함한 전자 장치
US12509628B2 (en) 2021-12-16 2025-12-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4231804A3 (en) 2022-02-16 2023-09-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230292592A1 (en) 2022-03-09 2023-09-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102845986B1 (ko) * 2022-03-23 2025-08-13 삼성전자주식회사 유기금속 화합물, 이를 포함한 발광 소자 및 상기 발광 소자를 포함한 전자 장치
US20230337516A1 (en) 2022-04-18 2023-10-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230389421A1 (en) 2022-05-24 2023-11-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4293001A1 (en) 2022-06-08 2023-12-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240016051A1 (en) 2022-06-28 2024-01-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240107880A1 (en) 2022-08-17 2024-03-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240188419A1 (en) 2022-10-27 2024-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240196730A1 (en) 2022-10-27 2024-06-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240188319A1 (en) 2022-10-27 2024-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240180025A1 (en) 2022-10-27 2024-05-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240188316A1 (en) 2022-10-27 2024-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240247017A1 (en) 2022-12-14 2024-07-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20250204239A1 (en) 2023-12-15 2025-06-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20250204238A1 (en) 2023-12-15 2025-06-19 Universal Display Corporation Organic electroluminscent materials and devices

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
EP1729327B2 (en) 1999-05-13 2022-08-10 The Trustees Of Princeton University Use of a phosphorescent iridium compound as emissive molecule in an organic light emitting device
JP2002008860A (ja) * 2000-04-18 2002-01-11 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子
KR101074418B1 (ko) * 2004-02-09 2011-10-17 엘지디스플레이 주식회사 Ｏｌｅｄ 제조용 인광 발광 물질 및 이를 포함하는 ｏｌｅｄ
TWI398188B (zh) * 2004-08-31 2013-06-01 昭和電工股份有限公司 A luminous body, and a lighting and display device using the luminous body
KR100880220B1 (ko) * 2004-10-04 2009-01-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 실리콘을 갖는 페닐 피리딘기를 포함하는 이리듐화합물계 발광 화합물 및 이를 발색 재료로서 사용하는유기전계발광소자
JP5043329B2 (ja) * 2005-12-13 2012-10-10 昭和電工株式会社 高分子発光材料、有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置
JP5043332B2 (ja) * 2005-12-15 2012-10-10 昭和電工株式会社 高分子発光材料、有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置
WO2008153088A1 (ja) * 2007-06-13 2008-12-18 Ube Industries, Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子及び素子用材料
JP2010070488A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Sumitomo Chemical Co Ltd 遷移金属錯体、遷移金属錯体結合ポリマー及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20130334521A1 (en) 2013-12-19
US9478756B2 (en) 2016-10-25
WO2012138172A3 (ko) 2013-01-10
JP5655165B2 (ja) 2015-01-14
KR101298735B1 (ko) 2013-08-21
KR20120114030A (ko) 2012-10-16
JP2014509587A (ja) 2014-04-21

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