WO2012133109A1 - Ｅｕｖ露光用マスクの修正方法およびｅｕｖ露光用マスク - Google Patents
Ｅｕｖ露光用マスクの修正方法およびｅｕｖ露光用マスク Download PDFInfo
- Publication number
- WO2012133109A1 WO2012133109A1 PCT/JP2012/057340 JP2012057340W WO2012133109A1 WO 2012133109 A1 WO2012133109 A1 WO 2012133109A1 JP 2012057340 W JP2012057340 W JP 2012057340W WO 2012133109 A1 WO2012133109 A1 WO 2012133109A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- euv exposure
- mask
- multilayer film
- film
- protective film
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 58
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 13
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 15
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 10
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 abstract 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 6
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 6
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 2
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N SnO2 Inorganic materials O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
Definitions
- the present invention relates to a method for correcting an EUV (Extreme Ultra Violet) exposure mask and an EUV exposure mask. More specifically, the present invention relates to a method for correcting defects generated in a multilayer film of an EUV exposure mask and an EUV exposure mask.
- EUVL Extreme Ultra Violet Lithography
- a mask used for EUVL includes a Mo / Si multilayer film in which molybdenum and silicon are alternately formed on a quartz substrate, an absorber such as TaN and TiN, and silicon dioxide between the Mo / Si multilayer film and the absorber. It is composed of a buffer layer formed of (SiO 2 ), chromium (Cr), or the like, and serves as a reflective mask in which an absorber is patterned.
- the film thickness and film formation conditions of the Mo / Si multilayer film are selected in consideration of the reflection effect of irradiation light and the balance of stress due to thermal load.
- defects include, in addition to absorber pattern defects, Mo / Si multilayer film defects, substrate surface defects, and the like.
- the amplitude defect that reduces the intensity of the EUV reflected light, the foreign matter or the like on the substrate or at the initial stage of forming the Mo / Si multilayer film
- Patent Document 1 discloses that a step caused by volume contraction is eliminated by locally irradiating a foreign material existing in a multilayer film with an electron beam or the like and forming silicide in the irradiated portion. It is described to do.
- Patent Document 2 discloses that a foreign substance existing on a glass substrate is focused and irradiated with laser light having a wavelength that is not absorbed by the glass substrate from the back surface of the glass substrate, and heated to produce Mo / Si. It is described that silicide is formed at the interface of the multilayer film to alleviate the step generated in the Mo / Si multilayer film.
- the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a method for correcting an EUV exposure mask capable of locally improving the reflectance of irradiation light of EUV exposure. Another object of the present invention is to provide an EUV exposure mask in which the generation of exposure images caused by defects on the wafer to be drawn and the extent thereof are suppressed.
- a first aspect of the present invention is a Mo / Si multilayer film including a molybdenum layer and a silicon layer laminated on a substrate, a protective film formed on the Mo / Si multilayer film, and formed on the protective film And a defect position of the Mo / Si multilayer film in the exposed region of the protective film exposed from the absorption film, wherein the EUV exposure mask includes: In a plan view, the range covering the defect position is irradiated with a light beam having a diameter smaller than the wavelength of the EUV exposure light to form a plurality of holes having a maximum width of the wavelength or less on the upper surface of the EUV exposure mask.
- the holes may be formed so as to be arranged in a lattice pattern at a predetermined interval in which the pitch between holes is less than twice the wavelength in the plan view of the EUV exposure mask.
- the hole may be formed on the bottom surface of the hole such that the silicon layer of the Mo / Si multilayer film is exposed. You may identify the shape of the said defect with the defect position of the said Mo / Si multilayer film in the exposure area
- the range covering the defect position, and the shape, maximum width, and pitch of the hole in the plan view may be determined by the position and shape of the identified recess.
- the second aspect of the present invention is a Mo / Si multilayer film including a molybdenum layer and a silicon layer laminated on a substrate, a protective film formed on the Mo / Si multilayer film, and formed on the protective film
- An EUV exposure mask having a plurality of holes having a maximum width less than or equal to the wavelength of the EUV exposure light in the exposed region of the protective film exposed from the absorption film.
- the plurality of holes may be arranged in a lattice pattern at a predetermined interval in which the pitch of the holes is less than twice the wavelength.
- the local EUV exposure irradiation light reflectance reduction caused by the defect of the Mo / Si multilayer film is locally improved, and the defect correction is preferably performed. It can be performed.
- the reflectance at the defect position is locally improved by having the reflectance increasing portion, and the defect of the Mo / Si multilayer film is formed on the wafer to be drawn. It is possible to suppress the occurrence and degree of exposure image generated by the above.
- FIG. 1 is a schematic view showing an example of an EUV exposure mask having defects.
- the EUV exposure mask 1 includes, for example, a Mo / Si multilayer film 20 formed on a transparent substrate 10 made of quartz or the like, a protective film 30 formed on the upper surface of the Mo / Si multilayer film 20, and the protective film 30.
- the absorption film 40 is formed.
- the Mo / Si multilayer film 20 is formed by stacking a plurality of pairs of single layer films of molybdenum and silicon, for example, with a film thickness of about 7 nanometers (nm). In FIG. 1, five pairs of molybdenum layers 21 and silicon layers 22 are shown for a schematic view, but actually, more layers, for example, about 40 to 50 pairs are stacked.
- the protective film 30 is made of ruthenium (Ru), for example, and is formed so as to cover the upper surface of the Mo / Si multilayer film 20.
- the absorption film 40 is formed by patterning the absorber layer formed on the protective film 30 into a desired shape.
- the absorption film 40 is a single layer or a multilayer film made of an alloy containing tantalum (Ta) or chromium (Cr) as a main raw material and, in some cases, containing silicon (Si). It is formed of an oxide, nitride, oxynitride, or the like of the material.
- a defect Df exists in a region where the absorption film 40 is removed and the protective film 30 is exposed (protective film exposed region).
- the Mo / Si multilayer film 20 is distorted and protrudes, and the protective film 30 thereon also protrudes. That is, the Mo / Si multilayer film 20 is locally thick due to the defect Df.
- Such a defect Df lowers the reflectance of the exposure light locally and can be confirmed by a normal defect inspection apparatus. If the EUV exposure mask 1 is irradiated with exposure light and the wafer is transferred without correcting the defect Df, as shown in FIG. 2, the wafer 100 has a dimension D1 in the plane direction of the defect Df. Since a reflection image having a large dimension D2 is transferred, there is a possibility that a fatal defect may occur even if it is local.
- correction method locally increases the reflectance of exposure light for defects on the protective film exposed region such as the defect Df. Is more preferably corrected. This will be described in detail below.
- the defect inspection device is used to inspect the EUV exposure mask for defects, and if a defect is found on the protective layer exposure area, the position and parameters related to the shape of the defect such as the protrusion height are specified. To do.
- the upper surface of the EUV exposure mask 1 is irradiated with a light beam focused to a diameter equal to or smaller than the wavelength of the EUV exposure light by using a focused ion beam or an electron beam, and the protective film of the EUV exposure mask 1 including the defect Df.
- a plurality of holes are formed in the exposed region.
- each hole is preferably formed so that the silicon layer of the Mo / Si multilayer film 20 is exposed at the bottom of each hole.
- an assist gas when using a focused ion beam or an electron beam for example, those listed in Table 1 below can be appropriately selected.
- FIG. 4 is a diagram illustrating an example of the formation pattern of the holes 2 in the region A1.
- the maximum width L1 of each hole 2 is set to a value shorter than the wavelength of the exposure light used.
- the shape of the hole 2 in plan view is substantially square, but the shape of the hole is not limited to this, and may be, for example, substantially circular.
- the shortest distance L3 between the adjacent holes 2 is set to a predetermined value shorter than the wavelength of the exposure light, for example.
- the pitch L2 of the holes 2 defined as the distance between the centers of the adjacent holes 2 is set to a predetermined length that is less than twice the wavelength of the exposure light.
- the plurality of holes 2 are formed in a region A1 that is a part of the exposed region of the protective film 30.
- the reflectance increasing portion 31 is formed, and the EUV exposure mask 1A according to the embodiment of the present invention is completed.
- the region A1 where the reflectance increasing portion 31 is formed the reflectance is increased as compared with the other protective film exposed regions. Therefore, the local decrease in reflectance due to the defect Df can be corrected by forming the reflectance increasing portion 31 in the region where the defect Df has occurred.
- the defect Df is suitably corrected, and as shown in FIG. 6, the reflected image formed on the wafer 100 can be substantially eliminated and reduced to a level that does not affect the quality.
- the shape and size of the region A1 for example, the shape of the hole 2 in plan view, the maximum width, the pitch, and the like depend on the shape parameter of the defect Df specified earlier. It is determined and can be calculated and set by simulation or the like.
- the correction method of the present invention may be applied to a portion where there is no noticeable defect but the reflectance is locally reduced. As a result, it is possible to perform correction by locally improving the reflectance of the portion.
- the EUV exposure mask correction method and the EUV exposure mask according to the embodiment of the present invention can be widely used in the exposure field.
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
基板上に積層されたモリブデン層およびケイ素層を含むＭｏ／Ｓｉ多層膜と、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層膜上に形成された保護膜と、前記保護膜上に形成された吸収膜とを有するＥＵＶ露光用マスクの修正方法は、前記吸収膜から露出した前記保護膜の露出領域におけるＭｏ／Ｓｉ多層膜の欠陥位置を特定し、前記ＥＵＶ露光用マスクの平面視において欠陥位置を覆う範囲にＥＵＶ露光光の波長以下の径に絞られた光線を照射して、ＥＵＶ露光用マスクの上面に、最大幅が波長以下の孔を複数形成する。
Description
本発明は、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外光）露光用マスクの修正方法及びＥＵＶ露光用マスクに関する。より詳しくは、ＥＵＶ露光用マスクの多層膜に生じた欠陥の修正方法およびＥＵＶ露光用マスクに関する。
本願は、２０１１年０３月３１日に、日本に出願された特願２０１１－０８０１１２号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本願は、２０１１年０３月３１日に、日本に出願された特願２０１１－０８０１１２号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
半導体デバイスの形成における露光パターンの解像限界に向け、さらに微細なパターンを露光形成するため、電子線描画装置（ＥＢ）の直描やセルプロジェクション、軟Ｘ線縮小露光（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ：ＥＵＶＬ）のような新しい転写方法が提案されている。
その中でもＥＵＶＬは、波長約１３ナノメートル（ｎｍ）の軟Ｘ線を反射光学系で縮小露光するリソグラフィ技術であり、紫外線を用いる露光の短波長化の極限と見られ、関心を集めている。
その中でもＥＵＶＬは、波長約１３ナノメートル（ｎｍ）の軟Ｘ線を反射光学系で縮小露光するリソグラフィ技術であり、紫外線を用いる露光の短波長化の極限と見られ、関心を集めている。
ＥＵＶＬに用いられるマスクは、石英基板上にモリブデンおよびケイ素を交互に成膜したＭｏ／Ｓｉ多層膜と、ＴａＮやＴｉＮ等の吸収体と、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜と吸収体との間に二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）やクロム（Ｃｒ）等により形成されたバッファ層とから構成され、吸収体をパターン形成した反射マスクとなっている。Ｍｏ／Ｓｉ多層膜は、照射光の反射効果と、熱負荷による応力のバランスとを考慮して膜厚と成膜条件が選択されている。
ＥＵＶＬマスクにおいて、基板表面に凹凸形状の欠陥が存在する場合、従来のフォトマスクでは無視できるレベルの欠陥であっても光路差に与える影響が大きく、致命的な欠陥となりうる。このような欠陥として、吸収体のパターン欠陥のほか、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の欠陥、基板表面の欠陥等が挙げられる。
特に、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の欠陥では、多層膜表面の近傍に異物等が混入し、ＥＵＶ反射光の強度が低下する振幅欠陥、基板上やＭｏ／Ｓｉ多層膜の成膜の初期に異物等が混入し、多層膜の内部構造が変化することに伴う多層膜表面の凹凸形状が伝播して生じる位相欠陥がある。
これらの振幅欠陥や位相欠陥は、ウェハ転写における良品率低下の原因となるため、吸収体やバッファ層の形成前に欠陥修正を行って除去する必要がある。
特に、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の欠陥では、多層膜表面の近傍に異物等が混入し、ＥＵＶ反射光の強度が低下する振幅欠陥、基板上やＭｏ／Ｓｉ多層膜の成膜の初期に異物等が混入し、多層膜の内部構造が変化することに伴う多層膜表面の凹凸形状が伝播して生じる位相欠陥がある。
これらの振幅欠陥や位相欠陥は、ウェハ転写における良品率低下の原因となるため、吸収体やバッファ層の形成前に欠陥修正を行って除去する必要がある。
このような欠陥修正に関して、特許文献１には、多層膜中に存在する異物に対して電子ビーム等を局所的に照射して、照射部分にシリサイドを形成することにより、体積収縮による段差を解消することが記載されている。
また、特許文献２には、ガラス基板上に存在する異物に対して、ガラス基板の裏面から異物に対して、ガラス基板に吸収されない波長のレーザー光を収束、照射して、加熱によりＭｏ／Ｓｉ多層膜界面にシリサイドを形成し、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜に生じた段差を緩和することが記載されている。
また、特許文献２には、ガラス基板上に存在する異物に対して、ガラス基板の裏面から異物に対して、ガラス基板に吸収されない波長のレーザー光を収束、照射して、加熱によりＭｏ／Ｓｉ多層膜界面にシリサイドを形成し、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜に生じた段差を緩和することが記載されている。
ＥＵＶＬでは、利用可能な光が制限されるため、反射効率が低くなるという問題がある。そのため、多層膜表面の反射率を高めることが求められている。これに関して、多層膜の層間や多層膜の下に存在するパーティクル、積層した各層の膜厚の変化や、材料の光学特性のバラつきが、多層膜構造における欠陥を生じさせたり、積層膜厚を不均一にしたりすることで照射光の反射を低下させている。
ＥＵＶ露光の照射光の反射は、上述の要因に強く影響され、反射率の変化は転写されるウェハ上にかすかな露光像として現れることがある。特許文献１および２に記載の技術では、このような局所的な修正を行うことは困難であった。
ＥＵＶ露光の照射光の反射は、上述の要因に強く影響され、反射率の変化は転写されるウェハ上にかすかな露光像として現れることがある。特許文献１および２に記載の技術では、このような局所的な修正を行うことは困難であった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、ＥＵＶ露光の照射光の反射率を局所的に向上させることができるＥＵＶ露光用マスクの修正方法を提供することを目的とする。
本発明の他の目的は、描画されるウェハ上に欠陥により生じる露光像の発生およびその程度が抑制されたＥＵＶ露光用マスクを提供することである。
本発明の他の目的は、描画されるウェハ上に欠陥により生じる露光像の発生およびその程度が抑制されたＥＵＶ露光用マスクを提供することである。
本発明の第一の態様は、基板上に積層されたモリブデン層およびケイ素層を含むＭｏ／Ｓｉ多層膜と、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層膜上に形成された保護膜と、前記保護膜上に形成された吸収膜とを有するＥＵＶ露光用マスクの修正方法であって、前記吸収膜から露出した前記保護膜の露出領域における前記Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の欠陥位置を特定し、前記ＥＵＶ露光用マスクの平面視において前記欠陥位置を覆う範囲にＥＵＶ露光光の波長以下の径に絞られた光線を照射して、前記ＥＵＶ露光用マスクの上面に、最大幅が前記波長以下の孔を複数形成する。
前記孔は、前記ＥＵＶ露光用マスクの平面視において、孔間ピッチが前記波長の２倍未満の所定間隔で格子状に並ぶように形成されてもよい。
前記孔の底面に、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の前記ケイ素層が露出するように前記孔を形成してもよい。
前記保護膜の露出領域における前記Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の欠陥位置と共に、前記欠陥の形状を特定してもよい。
前記欠陥位置を覆う範囲、及び前記孔の前記平面視における形状、最大幅、及びピッチは、特定された前記陥の位置及び形状によって決定されてもよい。
前記孔は、前記ＥＵＶ露光用マスクの平面視において、孔間ピッチが前記波長の２倍未満の所定間隔で格子状に並ぶように形成されてもよい。
前記孔の底面に、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の前記ケイ素層が露出するように前記孔を形成してもよい。
前記保護膜の露出領域における前記Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の欠陥位置と共に、前記欠陥の形状を特定してもよい。
前記欠陥位置を覆う範囲、及び前記孔の前記平面視における形状、最大幅、及びピッチは、特定された前記陥の位置及び形状によって決定されてもよい。
本発明の第二の態様は、基板上に積層されたモリブデン層およびケイ素層を含むＭｏ／Ｓｉ多層膜と、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層膜上に形成された保護膜と、前記保護膜上に形成された吸収膜とを有するＥＵＶ露光用マスクであって、前記吸収膜から露出した前記保護膜の露出領域に、最大幅がＥＵＶ露光光の波長以下の孔が複数形成された反射率増加部を有する。
前記反射率増加部において、前記孔のピッチが前記波長の２倍未満の所定間隔で複数の前記孔が格子状に配列されてもよい。
前記反射率増加部において、前記孔のピッチが前記波長の２倍未満の所定間隔で複数の前記孔が格子状に配列されてもよい。
本発明の態様に係るＥＵＶ露光用マスクの修正方法によれば、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の欠陥により生じた局所的なＥＵＶ露光の照射光の反射率低下を局所的に改善し、好適に欠陥修正を行うことができる。
また、本発明の態様に係るＥＵＶ露光用マスクによれば、反射率増加部を有することにより、欠陥位置の反射率が局所的に向上され、描画されるウェハ上にＭｏ／Ｓｉ多層膜の欠陥により生じる露光像の発生およびその程度を抑制することができる。
また、本発明の態様に係るＥＵＶ露光用マスクによれば、反射率増加部を有することにより、欠陥位置の反射率が局所的に向上され、描画されるウェハ上にＭｏ／Ｓｉ多層膜の欠陥により生じる露光像の発生およびその程度を抑制することができる。
本発明の一実施形態について、図１から図６を参照して説明する。
図１は、欠陥を有するＥＵＶ露光用マスクの一例を示す模式図である。このＥＵＶ露光用マスク１は、例えば石英等からなる透明基板１０上に形成されたＭｏ／Ｓｉ多層膜２０と、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜２０の上面に形成された保護膜３０と、保護膜３０上に形成された吸収膜４０とを備えている。
Ｍｏ／Ｓｉ多層膜２０は、モリブデンおよびケイ素の単層膜を一対として、例えば７ナノメートル（ｎｍ）程度の膜厚で複数対積層することにより形成されている。図１には模式図のため、５対のモリブデン層２１とケイ素層２２とが示されているが、実際には、より多く、例えば４０から５０対程度積層される。
図１は、欠陥を有するＥＵＶ露光用マスクの一例を示す模式図である。このＥＵＶ露光用マスク１は、例えば石英等からなる透明基板１０上に形成されたＭｏ／Ｓｉ多層膜２０と、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜２０の上面に形成された保護膜３０と、保護膜３０上に形成された吸収膜４０とを備えている。
Ｍｏ／Ｓｉ多層膜２０は、モリブデンおよびケイ素の単層膜を一対として、例えば７ナノメートル（ｎｍ）程度の膜厚で複数対積層することにより形成されている。図１には模式図のため、５対のモリブデン層２１とケイ素層２２とが示されているが、実際には、より多く、例えば４０から５０対程度積層される。
保護膜３０は、例えばルテニウム（Ｒｕ）等からなり、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜２０の上面を覆うように形成されている。吸収膜４０は、保護膜３０上に形成した吸収体層を所望の形状にパターニングすることにより形成されている。吸収膜４０は、タンタル（Ｔａ）もしくはクロム（Ｃｒ）を主原料とし、場合によってはケイ素（Ｓｉ）を含有した合金からなる単層もしくは積層膜であり、積層膜とされる場合は、上層が当該材料の酸化物、窒化物、酸窒化物等で形成される。
ＥＵＶ露光用マスク１において、吸収膜４０が除去されて保護膜３０が露出した領域（保護膜露出領域）には、欠陥Ｄｆが存在している。欠陥Ｄｆでは、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜２０に歪みが生じて突出しており、その上の保護膜３０も突出している。すなわち、欠陥Ｄｆにより、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜２０が局所的に厚くなっている。
このような欠陥Ｄｆは露光光の反射率を局所的に低下させるものであり、通常の欠陥検査装置で確認することができる。仮に欠陥Ｄｆを修正せずにＥＵＶ露光用マスク１に露光光を照射してウェハに転写を行うと、図２に示すように、ウェハ１００上には、欠陥Ｄｆの面方向の寸法Ｄ１よりも大きい寸法Ｄ２の反射像が転写されてしまうため、局所的であっても致命的欠陥となる恐れがある。
本実施形態のＥＵＶ露光用マスクの修正方法（以下、単に「修正方法」と称する。）は、欠陥Ｄｆのような保護膜露出領域上の欠陥を、局所的に露光光の反射率を高めることにより好適に修正するものである。以下、詳細に説明する。
まず、欠陥検査装置を用いてＥＵＶ露光用マスクの欠陥の有無を検査し、保護層露出領域上に欠陥が発見された場合は、その位置と、突出高さ等の欠損の形状に関するパラメータを特定する。
次に、収束イオンビームまたは電子ビームを用いて、ＥＵＶ露光光の波長以下の径に絞られた光線をＥＵＶ露光用マスク１の上面に照射し、欠陥Ｄｆを含むＥＵＶ露光用マスク１の保護膜露出領域に複数の孔を形成する。このとき、各孔の底面にＭｏ／Ｓｉ多層膜２０のケイ素層が露出するように各孔を形成するのが好ましい。収束イオンビームまたは電子ビームを使用する時におけるアシストガスとしては、例えば下記の表１に記載したものを適宜選択することができる。
孔を形成する領域Ａ１は、図３に示すように、欠陥Ｄｆによる形状変化が生じている領域Ｂ１をＥＵＶ露光用マスク１の平面視において完全に覆うように設定する。
図４は、領域Ａ１における孔２の形成パターンの一例を示す図である。各孔２の最大幅Ｌ１は、使用される露光光の波長よりも短い値に設定される。図４では、孔２の平面視における形状が略正方形とされているが、孔の形状はこれには限定されず、例えば略円形等であってもよい。隣接する孔２間の最短距離Ｌ３は、例えば露光光の波長よりも短い所定の値に設定されている。これにより、隣接する孔２の中心間の距離として定義する孔２のピッチＬ２は、露光光の波長の２倍未満の所定の長さに設定されている。
図４は、領域Ａ１における孔２の形成パターンの一例を示す図である。各孔２の最大幅Ｌ１は、使用される露光光の波長よりも短い値に設定される。図４では、孔２の平面視における形状が略正方形とされているが、孔の形状はこれには限定されず、例えば略円形等であってもよい。隣接する孔２間の最短距離Ｌ３は、例えば露光光の波長よりも短い所定の値に設定されている。これにより、隣接する孔２の中心間の距離として定義する孔２のピッチＬ２は、露光光の波長の２倍未満の所定の長さに設定されている。
図５に示すように、収束イオンビームや電子ビームを用いて平面視における所定パターンで複数の孔２を形成すると、保護膜３０の露出領域の一部である領域Ａ１に、複数の孔２を有する反射率増加部３１が形成され、本発明の実施形態に係るＥＵＶ露光用マスク１Ａが完成する。
反射率増加部３１が形成された領域Ａ１は、他の保護膜露出領域よりも反射率が増加している。したがって、欠陥Ｄｆが生じた領域に反射率増加部３１を形成することにより欠陥Ｄｆによる局所的な反射率の低下を補正することができる。その結果、欠陥Ｄｆが好適に修正され、図６に示すように、ウェハ１００上に形成される反射像を概ね消失させ、品質に影響を与えない程度まで小さくすることができる。
反射率増加部３１が形成された領域Ａ１は、他の保護膜露出領域よりも反射率が増加している。したがって、欠陥Ｄｆが生じた領域に反射率増加部３１を形成することにより欠陥Ｄｆによる局所的な反射率の低下を補正することができる。その結果、欠陥Ｄｆが好適に修正され、図６に示すように、ウェハ１００上に形成される反射像を概ね消失させ、品質に影響を与えない程度まで小さくすることができる。
反射率増加部３１を形成する際の各種パラメータ、例えば、領域Ａ１の形状および大きさ、孔２の平面視における形状、最大幅、およびピッチ等は、先に特定された欠陥Ｄｆの形状パラメータによって決定され、シミュレーション等により算出および設定することができる。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において各構成要素に種々の変更を加えたり、削除したりすることが可能である。
例えば、本発明の修正方法を、目だった欠陥がないが、局所的に反射率の低下が生じている箇所に施してもよい。これにより、当該箇所の反射率を局所的に向上させて修正を行うことが可能である。
本発明の実施形態に係るＥＵＶ露光用マスクの修正方法およびＥＵＶ露光用マスクは、露光分野において幅広く用いられることができる。
１、１Ａ ＥＵＶ露光用マスク
２ 孔
１０ 基板
２０ Ｍｏ／Ｓｉ多層膜
２１ モリブデン層
２２ ケイ素層
３０ 保護膜
３１ 反射率増加部
４０ 吸収膜
Ｄｆ 欠陥
Ｌ１ 最大幅
Ｌ２ ピッチ
２ 孔
１０ 基板
２０ Ｍｏ／Ｓｉ多層膜
２１ モリブデン層
２２ ケイ素層
３０ 保護膜
３１ 反射率増加部
４０ 吸収膜
Ｄｆ 欠陥
Ｌ１ 最大幅
Ｌ２ ピッチ
Claims (7)
- 基板上に積層されたモリブデン層およびケイ素層を含むＭｏ／Ｓｉ多層膜と、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層膜上に形成された保護膜と、前記保護膜上に形成された吸収膜とを有するＥＵＶ露光用マスクの修正方法であって、
前記吸収膜から露出した前記保護膜の露出領域における前記Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の欠陥位置を特定し、
前記ＥＵＶ露光用マスクの平面視において前記欠陥位置を覆う範囲に、ＥＵＶ露光光の波長以下の径に絞られた光線を照射して、前記ＥＵＶ露光用マスクの上面に、最大幅が前記波長以下の孔を複数形成することを特徴とするＥＵＶ露光用マスクの修正方法。 - 前記孔は、前記ＥＵＶ露光用マスクの平面視において、孔間ピッチが前記波長の２倍未満の所定間隔で格子状に並ぶように形成されることを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ露光用マスクの修正方法。
- 前記孔の底面に、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の前記ケイ素層が露出するように前記孔を形成することを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ露光用マスクの修正方法。
- 前記保護膜の露出領域における前記Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の欠陥位置と共に、前記欠陥の形状を特定することを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載のＥＵＶ露光用マスクの修正方法。
- 前記欠陥位置を覆う範囲、及び前記孔の前記平面視における形状、最大幅、及びピッチは、特定された前記陥の位置及び形状によって決定されることを特徴とする請求項４に記載のＥＵＶ露光用マスクの修正方法。
- 基板上に積層されたモリブデン層およびケイ素層を含むＭｏ／Ｓｉ多層膜と、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層膜上に形成された保護膜と、前記保護膜上に形成された吸収膜とを有するＥＵＶ露光用マスクであって、
前記吸収膜から露出した前記保護膜の露出領域に、最大幅がＥＵＶ露光光の波長以下の孔が複数形成された反射率増加部を有することを特徴とするＥＵＶ露光用マスク。 - 前記反射率増加部において、前記孔のピッチが前記波長の２倍未満の所定間隔で複数の前記孔が格子状に配列されていることを特徴とする請求項６に記載のＥＵＶ露光用マスク。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020137024510A KR101590240B1 (ko) | 2011-03-31 | 2012-03-22 | Ｅｕｖ 노광용 마스크의 수정 방법 및 ｅｕｖ 노광용 마스크 |
| CN201280014146.0A CN103430283B (zh) | 2011-03-31 | 2012-03-22 | 极紫外线曝光用掩膜的修正方法及极紫外线曝光用掩膜 |
| EP12765886.2A EP2693458B1 (en) | 2011-03-31 | 2012-03-22 | Method for repairing mask for euv exposure, and mask for euv exposure |
| US13/970,380 US9280043B2 (en) | 2011-03-31 | 2013-08-19 | Method for repairing mask for EUV exposure and mask for EUV exposure |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011-080112 | 2011-03-31 | ||
| JP2011080112A JP5742389B2 (ja) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | Ｅｕｖ露光用マスクの修正方法およびｅｕｖ露光用マスク |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| US13/970,380 Continuation-In-Part US9280043B2 (en) | 2011-03-31 | 2013-08-19 | Method for repairing mask for EUV exposure and mask for EUV exposure |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2012133109A1 true WO2012133109A1 (ja) | 2012-10-04 |
Family
ID=46930837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2012/057340 WO2012133109A1 (ja) | 2011-03-31 | 2012-03-22 | Ｅｕｖ露光用マスクの修正方法およびｅｕｖ露光用マスク |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9280043B2 (ja) |
| EP (1) | EP2693458B1 (ja) |
| JP (1) | JP5742389B2 (ja) |
| KR (1) | KR101590240B1 (ja) |
| CN (1) | CN103430283B (ja) |
| TW (1) | TWI561911B (ja) |
| WO (1) | WO2012133109A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013149875A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 位相欠陥の影響を低減するｅｕｖ露光用反射型マスクの製造方法 |
| JP2017167296A (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | 東芝メモリ株式会社 | マスク及びその製造方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0987394A (ja) * | 1995-09-27 | 1997-03-31 | Sumitomo Chem Co Ltd | オレフィン系熱可塑性エラストマーシート、該シートからなる積層体及びその用途 |
| IL239577B (en) * | 2015-06-22 | 2020-10-29 | Zeiss Carl Smt Gmbh | Correction of variation in critical dimension in extreme ultraviolet lithography |
| JP6869242B2 (ja) * | 2015-11-19 | 2021-05-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置のためのｅｕｖソースチャンバーおよびガス流れ様式、多層ミラー、およびリソグラフィ装置 |
| TWI712849B (zh) * | 2017-02-17 | 2020-12-11 | 聯華電子股份有限公司 | 一種極紫外線光罩 |
| TWI667723B (zh) * | 2018-08-13 | 2019-08-01 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 微影設備之潔淨度的檢測方法以及反射式光罩 |
| US11454877B2 (en) * | 2018-10-31 | 2022-09-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Extreme ultraviolet light reflective structure including nano-lattice and manufacturing method thereof |
| WO2023138081A1 (en) * | 2022-01-21 | 2023-07-27 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Corrugated high-resolution shadow masks |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004510343A (ja) * | 2000-09-26 | 2004-04-02 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァーシティ オブ カリフォルニア | レチクル上の多層欠陥の軽減 |
| JP2006059835A (ja) | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Sii Nanotechnology Inc | Ｅｕｖｌマスクの多層膜中の振幅欠陥修正方法 |
| JP2006060059A (ja) | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Sii Nanotechnology Inc | Ｅｕｖｌマスクのブランクス欠陥修正方法 |
| JP2009010373A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-01-15 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co Kg | Ｅｕｖマスク及びｅｕｖマスクの修正方法 |
| JP2010034129A (ja) * | 2008-07-25 | 2010-02-12 | Renesas Technology Corp | 反射型マスクの修正方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6967168B2 (en) * | 2001-06-29 | 2005-11-22 | The Euv Limited Liability Corporation | Method to repair localized amplitude defects in a EUV lithography mask blank |
| US20040131947A1 (en) * | 2003-01-07 | 2004-07-08 | International Business Machines Corporation | Reflective mask structure and method of formation |
| US7212282B2 (en) * | 2004-02-20 | 2007-05-01 | The Regents Of The University Of California | Method for characterizing mask defects using image reconstruction from X-ray diffraction patterns |
| DE102005027697A1 (de) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Infineon Technologies Ag | EUV-Reflexionsmaske und Verfahren zu deren Herstellung |
| JP5155017B2 (ja) * | 2008-05-29 | 2013-02-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| WO2010020337A1 (en) * | 2008-08-21 | 2010-02-25 | Asml Holding Nv | Euv reticle substrates with high thermal conductivity |
-
2011
- 2011-03-31 JP JP2011080112A patent/JP5742389B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-22 EP EP12765886.2A patent/EP2693458B1/en not_active Not-in-force
- 2012-03-22 WO PCT/JP2012/057340 patent/WO2012133109A1/ja active Application Filing
- 2012-03-22 KR KR1020137024510A patent/KR101590240B1/ko active IP Right Grant
- 2012-03-22 CN CN201280014146.0A patent/CN103430283B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-27 TW TW101110488A patent/TWI561911B/zh not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-08-19 US US13/970,380 patent/US9280043B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004510343A (ja) * | 2000-09-26 | 2004-04-02 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァーシティ オブ カリフォルニア | レチクル上の多層欠陥の軽減 |
| JP2006059835A (ja) | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Sii Nanotechnology Inc | Ｅｕｖｌマスクの多層膜中の振幅欠陥修正方法 |
| JP2006060059A (ja) | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Sii Nanotechnology Inc | Ｅｕｖｌマスクのブランクス欠陥修正方法 |
| JP2009010373A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-01-15 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co Kg | Ｅｕｖマスク及びｅｕｖマスクの修正方法 |
| JP2010034129A (ja) * | 2008-07-25 | 2010-02-12 | Renesas Technology Corp | 反射型マスクの修正方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| See also references of EP2693458A4 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013149875A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 位相欠陥の影響を低減するｅｕｖ露光用反射型マスクの製造方法 |
| JP2017167296A (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | 東芝メモリ株式会社 | マスク及びその製造方法 |
| US10274821B2 (en) | 2016-03-15 | 2019-04-30 | Toshiba Memory Corporation | Mask and manufacturing method of mask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101590240B1 (ko) | 2016-01-29 |
| EP2693458A1 (en) | 2014-02-05 |
| TWI561911B (en) | 2016-12-11 |
| US9280043B2 (en) | 2016-03-08 |
| JP5742389B2 (ja) | 2015-07-01 |
| EP2693458B1 (en) | 2016-02-03 |
| KR20130123447A (ko) | 2013-11-12 |
| EP2693458A4 (en) | 2014-09-10 |
| CN103430283A (zh) | 2013-12-04 |
| CN103430283B (zh) | 2016-01-20 |
| US20130330661A1 (en) | 2013-12-12 |
| TW201303484A (zh) | 2013-01-16 |
| JP2012216638A (ja) | 2012-11-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5742389B2 (ja) | Ｅｕｖ露光用マスクの修正方法およびｅｕｖ露光用マスク | |
| JP5711533B2 (ja) | 反射型マスク、反射型マスクブランク及びその製造方法 | |
| JP5218190B2 (ja) | パターン形成方法、極端紫外露光用マスク、極端紫外露光用マスクの製造方法および極端紫外露光用マスクの修正方法 | |
| JP6346915B2 (ja) | 反射フォトマスクおよび反射型マスクブランク | |
| TWI564649B (zh) | 反射型空白遮罩及反射型遮罩、其製造方法 | |
| JP2009206287A (ja) | 極端紫外線露光用マスクブランク、極端紫外線露光用マスク、極端紫外線露光用マスクの製造方法及び極端紫外線露光用マスクを用いたパターン転写方法 | |
| JP5790073B2 (ja) | 反射型マスクブランクの製造方法 | |
| JP2009098611A (ja) | ハーフトーン型ｅｕｖマスク、ハーフトーン型ｅｕｖマスクブランク、ハーフトーン型ｅｕｖマスクの製造方法及びパターン転写方法 | |
| JP2008085223A (ja) | 極端紫外線露光用マスクおよびそれを用いた半導体集積回路製造方法 | |
| US20190137866A1 (en) | Method and apparatus for collecting information used in image-error compensation | |
| KR102469807B1 (ko) | 반사형 포토마스크의 제조방법 | |
| JP5754592B2 (ja) | 反射型マスクの製造方法および反射型マスク | |
| JP2012194554A (ja) | フォトマスク、パターン転写方法、及びペリクル | |
| US8673521B2 (en) | Blank substrates for extreme ultra violet photo masks and methods of fabricating an extreme ultra violet photo mask using the same | |
| JP5909964B2 (ja) | 反射型マスクブランクおよび反射型マスク | |
| JP2012182289A (ja) | 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスク及びその製造方法 | |
| JP5970910B2 (ja) | 反射型マスクの製造方法 | |
| JP2010034179A (ja) | 反射型マスクおよび半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2012212787A (ja) | 反射型マスクの製造方法、反射型マスク用イオンビーム装置、および反射型マスク | |
| KR20130006746A (ko) | 블랭크 극자외선 포토마스크와 이를 위한 배면도전막을 갖는 기판, 및 그 제조방법들 | |
| JP4923922B2 (ja) | 極端紫外線露光用マスク、その製造法、およびそれを用いた半導体集積回路製造方法 | |
| JP2012190979A (ja) | 反射型マスクブランク及び反射型マスク、その製造方法 | |
| JP2008205338A (ja) | 露光用マスク | |
| KR20100076696A (ko) | 극자외선 리소그래피를 위한 포토마스크 | |
| KR20130006748A (ko) | 극자외선 노광마스크 및 이를 포함하는 노광기 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 12765886 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2012765886 Country of ref document: EP |
|
| ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 20137024510 Country of ref document: KR Kind code of ref document: A |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |