WO2012077547A1 - ロードロック装置 - Google Patents

ロードロック装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2012077547A1
WO2012077547A1 PCT/JP2011/077635 JP2011077635W WO2012077547A1 WO 2012077547 A1 WO2012077547 A1 WO 2012077547A1 JP 2011077635 W JP2011077635 W JP 2011077635W WO 2012077547 A1 WO2012077547 A1 WO 2012077547A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
purge gas
container
substrate
load lock
lock device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2011/077635
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
仙尚 小林
圭太 熊谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2012522306A priority Critical patent/JP5916608B2/ja
Priority to US13/992,148 priority patent/US9228685B2/en
Priority to KR1020137014545A priority patent/KR101664939B1/ko
Publication of WO2012077547A1 publication Critical patent/WO2012077547A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
    • H10P72/0434—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0451—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H10P72/0466—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterised by the construction of the load-lock chamber
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/6416—With heating or cooling of the system

Definitions

  • the present invention relates to a load lock device used in a vacuum processing apparatus that performs vacuum processing on a substrate to be processed such as a semiconductor wafer.
  • a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) that is a substrate to be processed.
  • a plurality of vacuum processing units are connected to a transfer chamber held in a vacuum and provided in this transfer chamber.
  • a cluster tool type multi-chamber type vacuum processing system in which a wafer can be transferred to each vacuum processing unit by the transferred transfer device is used (for example, Patent Document 1).
  • a load lock device (load lock device) is provided between the transfer chamber and the wafer cassette. Chamber), and the wafer is transferred through the load lock device.
  • the wafer is taken out of the vacuum processing unit at a high temperature exceeding, for example, 500 ° C. and transferred into the container of the load lock device.
  • a high temperature exceeding, for example, 500 ° C.
  • the wafer is oxidized.
  • the storage container which is usually made of resin, melts.
  • a cooling plate having a cooling mechanism for cooling the wafer is arranged in the container of the load lock device, and the inside of the container of the load lock device is largely evacuated from the vacuum while the wafer is close to the cooling plate. The wafer is cooled while returning to atmospheric pressure.
  • an object of the present invention is to provide a load lock device that can efficiently cool a high-temperature substrate and increase the throughput of substrate processing while suppressing particle adhesion to the substrate.
  • a pressure adjusting mechanism that adjusts the pressure in the container to atmospheric pressure when communicating with the space, a cooling mechanism, a cooling member that is provided in the container and that is disposed close to the substrate to cool the substrate, and Purega A first purge gas discharge member that supplies the purge gas supplied from the supply mechanism in a turbulent flow controlled state parallel to the substrate, and discharges the purge gas from below the substrate disposed in proximity to the cooling member toward the lower surface of the substrate.
  • a load lock device including a second purge gas discharge member made of a porous body.
  • a load lock device used for transporting a substrate from an atmospheric atmosphere to a vacuum chamber held in a vacuum and transporting a high-temperature substrate from the vacuum chamber to the atmospheric atmosphere.
  • a container provided such that the pressure can be varied between the pressure corresponding to the vacuum chamber and the atmospheric pressure, a purge gas supply mechanism for supplying a purge gas into the container, an exhaust mechanism for exhausting the inside of the container, By controlling the purge gas supply mechanism and the exhaust mechanism, when the inside of the container communicates with the vacuum chamber, the pressure in the container is adjusted to a pressure corresponding to the vacuum chamber, and the inside of the container is in the atmosphere.
  • a load lock device used for transferring a substrate from an atmospheric atmosphere to a vacuum chamber held in a vacuum and transferring a high-temperature substrate from the vacuum chamber to the atmospheric atmosphere.
  • a container provided such that the pressure can be varied between the pressure corresponding to the vacuum chamber and the atmospheric pressure, a purge gas supply mechanism for supplying a purge gas into the container, an exhaust mechanism for exhausting the inside of the container, By controlling the purge gas supply mechanism and the exhaust mechanism, when the inside of the container communicates with the vacuum chamber, the pressure in the container is adjusted to a pressure corresponding to the vacuum chamber, and the inside of the container is in the atmosphere.
  • a pressure adjusting mechanism that adjusts the pressure in the container to atmospheric pressure when communicating with the space, a cooling mechanism, a cooling member that is provided in the container and that is disposed close to the substrate to cool the substrate, and Purega A purge gas discharge member that supplies the purge gas supplied from the supply mechanism in a turbulent flow controlled state parallel to the substrate, and the purge gas discharge member has a discharge portion made of a porous body that discharges the purge gas.
  • the load lock device is provided in which the discharge unit is arranged so that the discharged purge gas forms a turbulent flow controlled in a range where the substrate exists.
  • FIG. 1 is a vertical sectional view showing a load lock device according to a first embodiment of the present invention. It is a horizontal sectional view showing the load lock device concerning a 1st embodiment of the present invention. It is a bottom view which shows the baffle plate used for the load lock apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. It is a schematic diagram which shows the cooling plate provided with the purge gas discharge member used for the load lock apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention.
  • FIG. 1 is a horizontal sectional view showing a schematic structure of a multi-chamber type vacuum processing system equipped with a load lock device according to an embodiment of the present invention.
  • the vacuum processing system includes four vacuum processing units 1, 2, 3, and 4 that perform high-temperature processing such as film formation processing.
  • Each of these vacuum processing units 1 to 4 has a hexagonal transfer chamber 5.
  • load lock devices 6 and 7 according to the present embodiment are provided on the other two sides of the transfer chamber 5, respectively.
  • a loading / unloading chamber 8 is provided on the opposite side of the load lock devices 6 and 7 to the transfer chamber 5, and a wafer W as a substrate to be processed is placed on the loading / unloading chamber 8 on the opposite side of the load lock devices 6 and 7.
  • Ports 9, 10, and 11 for attaching three carriers C that can be accommodated are provided.
  • the vacuum processing units 1, 2, 3, and 4 are configured to perform predetermined vacuum processing, for example, etching or film formation processing, with a wafer W as a substrate to be processed placed on a processing plate. .
  • the vacuum processing units 1 to 4 are connected to each side of the transfer chamber 5 via a gate valve G as shown in the figure, and these are communicated with the transfer chamber 5 by opening the corresponding gate valve G. By closing the corresponding gate valve G, the transfer chamber 5 is shut off.
  • the load lock devices 6 and 7 are connected to each of the remaining sides of the transfer chamber 5 via the first gate valve G1, and are connected to the carry-in / out chamber 8 via the second gate valve G2. Has been.
  • the load lock devices 6 and 7 are communicated with the transfer chamber 5 by opening the first gate valve G1, and are disconnected from the transfer chamber 5 by closing the first gate valve G1.
  • the second gate valve G2 is opened to communicate with the loading / unloading chamber 8, and the second gate valve G2 is closed to shut off the loading / unloading chamber 8.
  • a transfer device 12 for loading and unloading the wafer W with respect to the vacuum processing units 1 to 4 and the load lock devices 6 and 7 is provided.
  • the transfer device 12 is disposed substantially at the center of the transfer chamber 5, and is capable of rotating and expanding / contracting, and a rotation / extension / contraction unit 13, and two support arms 14 a and 14 b that support the wafer W provided at the tip thereof. These two support arms 14a and 14b are attached to the rotating / extending / contracting portion 13 so as to face opposite directions.
  • the inside of the transfer chamber 5 is maintained at a predetermined degree of vacuum.
  • Shutters are provided in the ports 9, 10, and 11, which are wafer storage containers in the loading / unloading chamber 8, and the wafers W are accommodated in these ports 9, 10, and 11 or empty FOUPs F are directly attached. When attached, the shutter is released to communicate with the carry-in / out chamber 8 while preventing the entry of outside air.
  • An alignment chamber 15 is provided on the side surface of the loading / unloading chamber 8, and the wafer W is aligned there.
  • a transfer device 16 for loading / unloading the wafer W into / from the FOUP F and loading / unloading the wafer W into / from the load lock devices 6 and 7 is provided.
  • the transfer device 16 has an articulated arm structure and can run on the rail 18 along the direction in which the hoops F are arranged.
  • the wafer W is placed on the support arm 17 at the tip of the transfer device 16 and transferred. I do.
  • Each component in the vacuum processing system for example, the vacuum processing units 1 to 4, the transfer chamber 5, the gas supply system and the exhaust system in the load lock devices 6 and 7, the transfer devices 12 and 16, the gate valve, etc. It is controlled by a control unit 20 having a computer.
  • the control unit 20 includes a storage unit that stores a process sequence of the vacuum processing system and a process recipe that is a control parameter, an input unit, a display, and the like, and controls the vacuum processing system in accordance with the selected process recipe. Yes.
  • the wafer W is taken out from the FOUP F connected to the loading / unloading chamber 8 by the transfer device 16 and placed in the container 31 (see FIG. 2) of the load lock device 6 (or 7). Carry in. At this time, the inside of the container 31 of the load lock device 6 is set to an air atmosphere, and then the wafer W is loaded with the second gate valve G2 opened.
  • the container 31 is evacuated until the pressure corresponding to the transfer chamber 5 is reached, the first gate valve G1 is opened, and the wafer W is received from the container 31 by the transfer device 12, and any one of the vacuum processing units.
  • the gate valve G is opened and the wafer W is loaded therein, and the wafer W is subjected to vacuum processing at a high temperature such as film formation.
  • the gate valve G When the vacuum processing is completed, the gate valve G is opened, the transfer device 12 unloads the wafer W from the corresponding vacuum processing unit, the first gate valve G1 is opened, and the wafer W is loaded into the load lock devices 6 and 7.
  • the purge gas is introduced into the container 31 while cooling the wafer W by the cooling medium that is carried into any one of the containers 31 and flows through the cooling medium flow path 55 (see FIG. 2) of the cooling plate 32 (see FIG. 2). It is introduced and the atmospheric pressure is set to atmospheric pressure (wafer cooling period). Then, the second gate valve G ⁇ b> 2 is opened, and the processed wafer W is stored in the FOUP F by the transfer device 16.
  • the load lock device 6 may be dedicated to carry-in, and the load lock device 7 may be dedicated to carry-out.
  • FIG. 2 is a vertical sectional view showing the load lock device according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 3 is a horizontal sectional view thereof.
  • the load lock device 6 (7) has a container 31.
  • the container 31 includes a container main body 31a having an upper opening and a lid 31b that closes the upper opening of the container main body 31a.
  • a cooling plate (cooling member) 32 that cools the wafer W is provided at the bottom of the container 31 in a state where the wafer W is close to the container 31.
  • the container 31 and the cooling plate 32 are made of, for example, aluminum or an aluminum alloy.
  • An opening 34 that can communicate with the transfer chamber 5 held in vacuum is provided on one side wall of the container 31, and an opening that can communicate with the loading / unloading chamber 8 held at atmospheric pressure is provided on the opposite side wall. 35 is provided.
  • the opening 34 can be opened and closed by the first gate valve G1, and the opening 35 can be opened and closed by the second gate valve G2.
  • three wafer lifting pins 50 (only two are shown in FIG. 2) for wafer transfer are provided so as to protrude and retract with respect to the surface (upper surface) of the cooling plate 32. Is fixed to the support plate 51.
  • the wafer lift pins 50 are lifted and lowered via the support plate 51 by moving the rod 52 up and down by a drive mechanism 53 such as an air cylinder, and protrude from the surface (upper surface) of the cooling plate 32, and the transfer device in the transfer chamber 5.
  • a drive mechanism 53 such as an air cylinder
  • a cooling position where the wafer W is brought close to the surface (upper surface) of the cooling plate 32 can be taken.
  • Three (only two are shown in FIG. 2) wafer support pins 54 are attached to the upper surface of the cooling plate 32.
  • the wafer support pins 54 allow the wafer W in the cooling position to slightly move from the cooling plate 32. It is located at a separated position (for example, 0.3 mm). Thereby, the adhesion of particles to the back surface of the wafer W can be reduced.
  • a cooling medium flow path 55 is formed in the cooling plate 32, and a cooling medium introduction path 56 and a cooling medium discharge path 57 are connected to the cooling medium flow path 55 from a cooling medium supply unit (not shown).
  • a cooling medium such as cooling water is allowed to flow to cool the wafer W that is close to the cooling plate 32.
  • An exhaust port 36 for evacuating the inside of the container 31 is provided at the bottom of the container 31.
  • An exhaust pipe 41 is connected to the exhaust port 36, and an open / close valve 42, an exhaust speed adjustment valve 43, and a vacuum pump 44 are provided in the exhaust pipe 41. Therefore, the inside of the container 31 can be evacuated at a predetermined speed by the exhaust speed adjusting valve 43 and the vacuum pump 44.
  • the purge gas supply pipe 45 extends from a purge gas source 48, and an opening / closing valve 46 and a flow rate adjusting valve 47 are provided in the middle thereof. Accordingly, the purge gas supplied from the purge gas source 48 via the purge gas supply pipe 45 and the purge gas supply unit 61a is turbulently controlled in parallel with the wafer W from the purge gas discharge nozzle 62 while the flow rate is adjusted by the flow rate adjusting valve 47. Can be discharged. Accordingly, the purge gas flow becomes a parallel flow in one direction, and becomes a laminar flow, a controlled turbulent flow, or a mixed state thereof. Further, the purge gas discharged from the purge gas discharge nozzle 62 can be discharged along the upper surface of the wafer W.
  • a rectifying plate 63 for controlling the turbulent flow of the purge gas discharged from the purge gas discharge nozzle 62 is provided immediately below the lid 31b. As shown in the bottom view of FIG. 4, the rectifying plate 63 is provided with a plurality of partition plates 63a linearly in a direction along the flow of the purge gas, and a flow path 63b is formed between them.
  • the purge gas discharged from the purge gas discharge nozzle 62 is rectified. Even if the rectifying plate 63 is not present, the purge gas discharged from the purge gas discharge nozzle 62 can flow in parallel to the wafer W in a turbulent flow controlled state. Flow controllability can be further improved.
  • a second purge gas discharge member 65 made of a porous material such as porous ceramic is fitted on the upper surface of the cooling plate 32.
  • four circular purge gas discharge members 65 are arranged in a cross shape.
  • the shape and arrangement form are not limited, and various shapes such as an elliptical shape, a rectangular shape, and a slit shape are available.
  • a three-pronged shape or the like can be adopted. Since the purge gas discharge member 65 is a porous body, it has a filter function and a function of gently introducing the purge gas.
  • a purge gas supply pipe 66 is connected to the purge gas discharge member 65.
  • the purge gas supply pipe 66 extends from the purge gas source 48, and an opening / closing valve 67 and a flow rate adjusting valve 68 are provided in the middle thereof.
  • an opening / closing valve 67 and a flow rate adjusting valve 68 are provided in the middle thereof.
  • the opening / closing valve 46 is closed and the opening / closing valve 42 is opened.
  • the inside of the container 31 is evacuated by the pump 44 through the exhaust pipe 41, the pressure in the container 31 is set to a pressure corresponding to the pressure in the transfer chamber 5, and in this state, the first gate valve G1 is opened and transferred to the container 31. It communicates with the chamber 5. Further, when the wafer W is transferred to / from the atmosphere-side loading / unloading chamber 8, the opening / closing valve 42 is closed and the opening / closing valves 46, 67 are opened, and the flow rate adjusting valves 47, 68 are adjusted.
  • a purge gas such as nitrogen gas is supplied from the purge gas source 48 through the purge gas supply pipes 45 and 66 to the upper and lower surfaces of the wafer W at a predetermined flow rate and a predetermined distribution ratio, and the pressure in the container 31 is increased.
  • the second gate valve G2 is opened to communicate between the container 31 and the loading / unloading chamber 8.
  • the wafer W taken out from the FOUP F by the transfer device 16 is loaded into the container 31.
  • the inside of the container 31 is set to an atmospheric atmosphere, and then the wafer W is loaded with the second gate valve G2 opened.
  • the gate valve G2 is closed and the inside of the container 31 is evacuated until the pressure corresponding to the transfer chamber 5 is reached, and then the first gate valve G1 is opened and the container 31 is supported by the support arm 14a or 14b of the transfer device 12.
  • the wafer W is unloaded from the inside.
  • the unloaded wafer W is subjected to vacuum processing at a high temperature such as film formation by one of the vacuum processing units.
  • the inside of the container 31 is adjusted to a pressure corresponding to the transfer chamber 5, the first gate valve G 1 is opened, the processed high-temperature wafer W is loaded into the container 31, and a purge gas is introduced into the container 31.
  • the wafer W is cooled in the process of increasing the pressure in the container 31 to atmospheric pressure.
  • the second gate valve G2 is opened to support the wafer W in the container 31 by the transfer device 16. It is taken out by the arm 17 and accommodated in a predetermined hoop F.
  • the cooling of the wafer W at this time has conventionally depended on the cooling by the cooling medium flowing through the cooling plate 32.
  • the wafer W since the wafer W is warped when the wafer W is brought close to the cooling plate 32 from the beginning, it is necessary to wait the wafer W above the cooling plate by the lift pins 50 in the initial stage. Therefore, the wafer W cannot be efficiently cooled.
  • a purge gas to return it to atmospheric pressure
  • purge gas when purging gas is introduced near the wafer in order to cool the wafer efficiently, the particles are rolled up and the particles adhere to the wafer. Therefore, the purge gas must be introduced from a position away from the wafer, and does not function effectively for cooling the wafer.
  • a cooling layer is formed on the upper surface of the wafer W, and cooling of the wafer W is promoted by convective heat transfer. be able to.
  • such a laminar cooling layer is formed, so that the particles are prevented from being rolled up. That is, the cooling layer on the upper surface of the wafer W also functions as a particle winding prevention layer.
  • the purge gas from the purge gas source 48 is also supplied to the purge gas supply pipe 66, and the purge gas is supplied toward the lower surface of the wafer W from the second purge gas discharge member 65 made of a porous body such as porous ceramics. .
  • the purge gas discharged from the second purge gas discharge member 65 is gently supplied to the lower surface of the wafer W in a laminar flow state, and the lower surface of the wafer W is cooled by the purge gas. A layer is formed to promote cooling of the wafer W.
  • the purge gas discharged from the purge gas discharge member 65 also contributes effectively to the cooling of the wafer W without rolling up particles.
  • the purge gas can be supplied to the wafer W without rolling up the particles, and both the upper and lower surfaces of the wafer W can be cooled by the purge gas. W can be cooled very efficiently. For this reason, the throughput of wafer processing can be increased.
  • FIG. 6 shows a conventional case in which purge gas is supplied only from a purge gas inlet formed at the bottom of the container 31 and a case in which the purge gas supply (flow rate: 50 slm) to the upper and lower surfaces of the wafer is added.
  • This is an investigation of the cooling performance of W, and shows the temperature change of the wafer when a high-temperature wafer of about 700 ° C. is cooled.
  • the time from when the wafer temperature reaches about 250 ° C. until the temperature decreases more than before and the temperature of the wafer W reaches 100 ° C. at which the wafer W can be taken out. Has been confirmed to be reduced from 36 seconds to 29 seconds and 7 seconds.
  • FIG. 7A shows a result obtained by calculation
  • FIG. 7B shows actual measurement data.
  • the measured data in FIG. 7B is a comparison of the cooling characteristics of the wafer when the internal pressure of the container is atmospheric pressure, N 2 is used as the purge gas, and there is no N 2 purge and when the N 2 gas flow rate is purged at 12 slm. is there.
  • the calculation condition of FIG. 7A is that the internal pressure of the container is atmospheric pressure, and the N 2 flow rate and the heat transfer rate are measured with or without N 2 purge. In particular, the cooling time up to 70 ° C. is set to be approximated.
  • the N 2 purge amount was 66 sccm when the heat transfer coefficient was set to be the same as the actual measurement data. That is, when the purge gas is simply introduced from the purge gas inlet at the bottom of the container as in the conventional case, even if the purge gas flow rate is 12 slm, the actual contribution to the cooling is about 5%. It can be seen that the cooling efficiency is extremely low. From this result, it is possible to understand the effect of supplying the purge gas directly above and below the wafer as in this embodiment.
  • both the purge gas supply from the first purge gas discharge member 61 to the upper surface of the wafer W and the purge gas supply from the second purge gas discharge member 65 to the lower surface of the wafer W are performed. Even if only the purge gas is supplied from the discharge member 65, the rectified purge gas is gently supplied to the lower surface of the wafer W, and the wafer W can be cooled without rolling up the particles. The wafer W can be efficiently cooled.
  • FIG. 8 is a vertical sectional view showing a load lock device according to a second embodiment of the present invention
  • FIG. 9 is a horizontal sectional view thereof.
  • the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those in FIGS.
  • the load lock device includes a first purge gas discharge member 71 having a structure different from that of the first purge gas discharge member 61 in the first embodiment.
  • the first purge gas discharge member 71 is provided on the opposite side of the exhaust port 36 across the cooling plate 32 at the bottom of the container 31, and includes a purge gas supply part 71a extending upward from the bottom of the container 31 and a purge gas supply part 71a. And a discharge portion 72 made of a long porous body (for example, porous ceramics) having a width substantially equal to the diameter of the wafer W.
  • a purge gas supply pipe 45 is connected to the purge gas supply unit 71a from below.
  • the discharge unit 72 is installed over a range from the upper position to the lower position of the wafer W.
  • the purge gas supplied from the purge gas source 48 via the purge gas supply pipe 45 and the purge gas supply part 71a is controlled in turbulent flow in parallel with the wafer W from the discharge part 72 made of a porous body while adjusting the flow rate by the flow rate adjusting valve 47. In this state, it can be discharged. Further, since the discharge unit 72 is installed over the range from the upper position to the lower position of the wafer W, the purge gas discharged from the discharge unit 72 is discharged in a state where turbulent flow control is performed in the range where the wafer W exists. It is possible. Accordingly, the purge gas flow becomes a parallel flow in one direction, and becomes a laminar flow, a controlled turbulent flow, or a mixed state thereof.
  • a rectifying plate 63 is provided directly below the lid 31b, as in the first embodiment. Even in the present embodiment, even if the rectifying plate 63 is not present, it is possible to flow the purge gas discharged from the discharge unit 72 in parallel with the wafer W in a turbulent flow controlled state. Thus, the turbulent flow controllability of the purge gas can be further improved.
  • the purge gas supplied from the purge gas source 48 via the purge gas supply pipe 45 and the purge gas supply unit 71a is made porous.
  • a unidirectional turbulent flow is formed parallel to the wafer W and toward the exhaust port 36 in the region where the wafer W exists. .
  • a turbulent flow controlled parallel to the wafer W is formed in the existing region of the wafer W and forced convection is performed, so that a cooling layer by laminar flow or controlled turbulent flow is formed on the upper and lower surfaces of the wafer W.
  • cooling of the wafer W can be promoted by convective heat transfer.
  • the porous body constituting the discharge part 72 has a rectifying action, the purge gas discharged from the discharge part 72 flows gently, preventing the particles from being rolled up.
  • both the purge gas supply from the first purge gas discharge member 71 to the wafer W and the purge gas supply from the second purge gas discharge member 65 to the lower surface of the wafer W are performed. It is also possible to supply only the purge gas from the second purge gas discharge member 65. Thereby, the wafer W can be efficiently cooled, and the effect that the high-temperature wafer W can be efficiently cooled while suppressing adhesion of particles to the wafer W can be achieved.
  • the cooling of the wafer W can be promoted by convection heat transfer, and the porous body constituting the discharge part 72 has a rectifying action, so the purge gas discharged from the discharge part 72 flows gently. Since the particles are prevented from being rolled up, the wafer W can be cooled without rolling up the particles.
  • the present invention can be variously modified without being limited to the above embodiment.
  • a multi-chamber type vacuum processing system provided with four vacuum processing units and two load lock devices has been described as an example.
  • the load lock device of the present invention is not limited to such a multi-chamber type vacuum processing device, and can be applied to a system having one vacuum processing unit.
  • a laminar flow in one direction is formed on the upper surface of the wafer.
  • the present invention is not limited to this. Other methods such as forming a laminar flow on the upper surface of the wafer by supplying a purge gas toward the surface may be used.
  • the substrate to be processed is not limited to a semiconductor wafer but can be another substrate such as a glass substrate for FPD.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)

Abstract

　真空室に対応する圧力と大気圧との間で圧力を変動可能に設けられた容器（３１）と、容器（３１）内にパージガスを供給するパージガス供給源（４８）と、容器（３１）内を排気する排気機構（４４）と、容器（３１）内の圧力を真空室（５）に対応する圧力と大気圧と調整する圧力調整機構（４９）と、容器（３１）内に設けられ、基板が近接配置されて基板を冷却する冷却部材（３２）と、パージガスを基板に平行に乱流制御された状態で供給する第１のパージガス吐出部材（６１）と、基板の下方から基板の下面に向けてパージガスを吐出する多孔質体からなる第２のパージガス吐出部材（６５）とを具備する。

Description

ロードロック装置
　本発明は、例えば半導体ウエハ等の被処理基板に真空処理を施す真空処理装置に用いられるロードロック装置に関する。
　半導体デバイスの製造工程においては、被処理基板である半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）に対し、成膜処理やエッチング処理等の真空雰囲気で行われる真空処理が多用されている。最近では、このような真空処理の効率化の観点、および酸化やコンタミネーション等の汚染を抑制する観点から、複数の真空処理ユニットを真空に保持される搬送室に連結し、この搬送室に設けられた搬送装置により各真空処理ユニットにウエハを搬送可能としたクラスターツール型のマルチチャンバタイプの真空処理システムが用いられている（例えば特許文献１）。
　このようなマルチチャンバ処理システムにおいては、大気中に置かれているウエハカセットから真空に保持された搬送室へウエハを搬送するために、搬送室とウエハカセットとの間にロードロック装置（ロードロック室）を設け、このロードロック装置を介してウエハが搬送される。
　ところで、このようなマルチチャンバ処理システムを成膜処理のような高温処理に適用する場合には、ウエハは例えば５００℃を超える高温のまま真空処理ユニットから取り出され、ロードロック装置の容器内に搬送されるが、このような高温状態でウエハを大気に曝露するとウエハが酸化してしまう。また、このような高温のままウエハを収納容器に収納させると、通常樹脂製である収納容器が溶ける等の不都合が生じる。
　このような不都合を回避するため、ロードロック装置の容器内にウエハを冷却する冷却機構を備えたクーリングプレートを配置し、ウエハをクーリングプレートに近接した状態でロードロック装置の容器内を真空から大気圧に戻す間にウエハを冷却することが行われている。
特開２０００－２０８５８９号公報
　上記のようなウエハ冷却の際に、ウエハが急激に冷却されるとウエハの表裏の熱膨張差に起因してウエハが反ってしまうため、高温のウエハがロードロック装置に搬入された直後は、クーリングプレートの上方の離れた位置で待機するようにして、ウエハが反らない程度の冷却速度で冷却せざるを得ない。そのため、ウエハの冷却に長時間を要し、ロードロック装置のウエハの冷却時間が処理システム全体の処理を律速するため、スループットが低下してしまう。
　一方、真空状態のロードロック装置を大気圧に戻すために容器内にＮ２ガス等のパージガスを導入するため、このパージガスを用いてウエハを冷却することが考えられるが、ウエハを効率良く冷却すべくウエハの近傍にパージガスを導入しようとすると、パーティクルを巻き上げてウエハにパーティクルが付着してしまう。パーティクルの付着を抑制するためには、容器内のウエハから離れた位置からパージガスを供給する必要があり、これではウエハを有効に冷却することは困難である。
　したがって、本発明の目的は、基板に対するパーティクル付着を抑制しつつ高温の基板を効率良く冷却して基板処理のスループットを高くすることができるロードロック装置を提供することにある。
　本発明の第１の観点によれば、大気雰囲気から真空に保持された真空室へ基板を搬送し、前記真空室から高温の基板を前記大気雰囲気に搬送する際に用いられるロードロック装置であって、真空室に対応する圧力と大気圧との間で圧力を変動可能に設けられた容器と、前記容器内にパージガスを供給するパージガス供給機構と、前記容器内を排気する排気機構と、前記パージガス供給機構と前記排気機構を制御することにより、前記容器内が前記真空室と連通した際に前記容器内の圧力を前記真空室に対応する圧力に調整し、前記容器内が前記大気雰囲気の空間と連通した際に前記容器内の圧力を大気圧に調整する圧力調整機構と、冷却機構を有し、前記容器内に設けられ、基板が近接配置されて基板を冷却する冷却部材と、前記パージガス供給機構から供給されたパージガスを基板に平行に乱流制御された状態で供給する第１のパージガス吐出部材と、前記冷却部材に近接配置された基板の下方から基板の下面に向けてパージガスを吐出する多孔質体からなる第２のパージガス吐出部材とを具備する、ロードロック装置が提供される。
　本発明の第２の観点によれば、大気雰囲気から真空に保持された真空室へ基板を搬送し、前記真空室から高温の基板を前記大気雰囲気に搬送する際に用いられるロードロック装置であって、真空室に対応する圧力と大気圧との間で圧力を変動可能に設けられた容器と、前記容器内にパージガスを供給するパージガス供給機構と、前記容器内を排気する排気機構と、前記パージガス供給機構と前記排気機構を制御することにより、前記容器内が前記真空室と連通した際に前記容器内の圧力を前記真空室に対応する圧力に調整し、前記容器内が前記大気雰囲気の空間と連通した際に前記容器内の圧力を大気圧に調整する圧力調整機構と、冷却機構を有し、前記容器内に設けられ、基板が近接配置されて基板を冷却する冷却部材と、前記冷却部材に近接配置された基板の下方から基板の下面に向けてパージガスを吐出する多孔質体からなるパージガス吐出部材とを具備する、ロードロック装置が提供される。
　本発明の第３の観点によれば、大気雰囲気から真空に保持された真空室へ基板を搬送し、前記真空室から高温の基板を前記大気雰囲気に搬送する際に用いられるロードロック装置であって、真空室に対応する圧力と大気圧との間で圧力を変動可能に設けられた容器と、前記容器内にパージガスを供給するパージガス供給機構と、前記容器内を排気する排気機構と、前記パージガス供給機構と前記排気機構を制御することにより、前記容器内が前記真空室と連通した際に前記容器内の圧力を前記真空室に対応する圧力に調整し、前記容器内が前記大気雰囲気の空間と連通した際に前記容器内の圧力を大気圧に調整する圧力調整機構と、冷却機構を有し、前記容器内に設けられ、基板が近接配置されて基板を冷却する冷却部材と、前記パージガス供給機構から供給されたパージガスを基板に平行に乱流制御された状態で供給するパージガス吐出部材と、を有し、前記パージガス吐出部材は、パージガスを吐出する多孔質体からなる吐出部を有し、前記吐出部は、吐出されたパージガスが基板の存在範囲に乱流制御された流れを形成するように配置されている、ロードロック装置が提供される。
本発明の実施形態に係るロードロック装置が搭載されたマルチチャンバタイプの真空処理システムの概略構造を示す水平断面図である。 本発明の第１の実施形態に係るロードロック装置を示す垂直断面図である。 本発明の第１の実施形態に係るロードロック装置を示す水平断面図である。 本発明の第１の実施形態に係るロードロック装置に用いられる整流板を示す底面図である。 本発明の第１の実施形態に係るロードロック装置に用いられるパージガス吐出部材が設けられたクーリングプレートを示す模式図である。 ウエハ上下面へのパージガス供給を行わない従来の場合と、ウエハ上下面へのパージガス供給を行った実施形態の場合とで、ウエハの冷却性を調査した結果を示す図である。 従来の容器底部のパージガス導入口からパージガスを導入した場合の対流伝熱の効果を計算により求めた結果を示す図である。 従来の容器底部のパージガス導入口からパージガスを導入した場合の対流伝熱の効果を実測データにより示す図である。 本発明の第２の実施形態に係るロードロック装置を示す垂直断面図である。 本発明の第２の実施形態に係るロードロック装置を示す水平断面図である。
　以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について具体的に説明する。
　＜本発明に係るロードロック装置が適用される真空処理システム＞
　図１は、本発明の実施形態に係るロードロック装置が搭載されたマルチチャンバタイプの真空処理システムの概略構造を示す水平断面図である。
　真空処理システムは、例えば成膜処理のような高温処理を行う４つの真空処理ユニット１、２、３、４を備えており、これらの各真空処理ユニット１～４は六角形をなす搬送室５の４つの辺にそれぞれ対応して設けられている。また、搬送室５の他の２つの辺にはそれぞれ本実施形態に係るロードロック装置６、７が設けられている。これらロードロック装置６、７の搬送室５と反対側には搬入出室８が設けられており、搬入出室８のロードロック装置６、７と反対側には被処理基板としてのウエハＷを収容可能な３つのキャリアＣを取り付けるポート９、１０、１１が設けられている。真空処理ユニット１、２、３、４は、その中で処理プレート上に被処理基板であるウエハＷを載置した状態で所定の真空処理、例えばエッチングや成膜処理を行うようになっている。
　真空処理ユニット１～４は、同図に示すように、搬送室５の各辺にゲートバルブＧを介して接続され、これらは対応するゲートバルブＧを開放することにより搬送室５と連通され、対応するゲートバルブＧを閉じることにより搬送室５から遮断される。また、ロードロック装置６，７は、搬送室５の残りの辺のそれぞれに、第１のゲートバルブＧ１を介して接続され、また、搬入出室８に第２のゲートバルブＧ２を介して接続されている。そして、ロードロック装置６，７は、第１のゲートバルブＧ１を開放することにより搬送室５に連通され、第１のゲートバルブＧ１を閉じることにより搬送室５から遮断される。また、第２のゲートバルブＧ２を開放することにより搬入出室８に連通され、第２のゲートバルブＧ２を閉じることにより搬入出室８から遮断される。
　搬送室５内には、真空処理ユニット１～４、ロードロック装置６，７に対して、ウエハＷの搬入出を行う搬送装置１２が設けられている。この搬送装置１２は、搬送室５の略中央に配設されており、回転および伸縮可能な回転・伸縮部１３と、その先端に設けられたウエハＷを支持する２つの支持アーム１４ａ，１４ｂとを有しており、これら２つの支持アーム１４ａ，１４ｂは互いに反対方向を向くように回転・伸縮部１３に取り付けられている。この搬送室５内は所定の真空度に保持されるようになっている。
　搬入出室８のウエハ収納容器であるポート９，１０、１１にはそれぞれ図示しないシャッターが設けられており、これらポート９，１０，１１にウエハＷを収容した、または空のフープＦが直接取り付けられ、取り付けられた際にシャッターが外れて外気の侵入を防止しつつ搬入出室８と連通するようになっている。また、搬入出室８の側面にはアライメントチャンバ１５が設けられており、そこでウエハＷのアライメントが行われる。
　搬入出室８内には、フープＦに対するウエハＷの搬入出およびロードロック装置６，７に対するウエハＷの搬入出を行う搬送装置１６が設けられている。この搬送装置１６は、多関節アーム構造を有しており、フープＦの配列方向に沿ってレール１８上を走行可能となっていて、その先端の支持アーム１７上にウエハＷを載せてその搬送を行う。
　この真空処理システムにおける各構成部、例えば、真空処理ユニット１～４、搬送室５、ロードロック装置６，７におけるガス供給系や排気系、搬送装置１２、１６、ゲートバルブ等は、マイクロプロセッサ（コンピュータ）を備えた制御部２０により制御されるようになっている。制御部２０は真空処理システムのプロセスシーケンスおよび制御パラメータであるプロセスレシピを記憶した記憶部や、入力手段およびディスプレイ等を備えており、選択されたプロセスレシピに従って真空処理システムを制御するようになっている。
　以上のように構成される真空処理システムにおいては、搬送装置１６により搬入出室８に接続されたフープＦからウエハＷを取り出し、ロードロック装置６（または７）の容器３１（図２参照）に搬入する。このとき、ロードロック装置６の容器３１内は大気雰囲気にされ、その後第２のゲートバルブＧ２が開放された状態でウエハＷが搬入される。
　そして、容器３１内を搬送室５に対応する圧力になるまで真空排気し、第１のゲートバルブＧ１を開放して搬送装置１２により容器３１内からウエハＷを受け取って、いずれかの真空処理ユニットのゲートバルブＧを開いてその中にウエハＷを搬入し、ウエハＷに対して成膜等の高温での真空処理を行う。
　真空処理が終了した時点で、ゲートバルブＧを開放し、搬送装置１２が対応する真空処理ユニットからウエハＷを搬出し、第１のゲートバルブＧ１を開放してウエハＷをロードロック装置６および７のいずれかの容器３１内に搬入し、クーリングプレート３２（図２参照）の冷却媒体流路５５（図２参照）を通流する冷却媒体によりウエハＷを冷却しつつ、容器３１内にパージガスを導入し、その中を大気圧とする（ウエハ冷却期間）。そして、第２のゲートバルブＧ２を開け、搬送装置１６により、フープＦに処理後のウエハＷを収納する。
　なお、２つのロードロック装置６、７について、ロードロック装置６を搬入専用にし、ロードロック装置７を搬出専用にしてもよい。
　＜ロードロック装置の第１の実施形態＞
　次に、本発明の第１の実施形態に係るロードロック装置について説明する。
　図２は本発明の第１の実施形態に係るロードロック装置を示す垂直断面図、図３はその水平断面図である。本実施形態において、ロードロック装置６（７）は、容器３１を有している。この容器３１は、上部が開口した容器本体３１ａと、容器本体３１ａの上部開口を塞ぐ蓋体３１ｂとを有している。容器３１内の底部には、ウエハＷが近接された状態で配置されてウエハＷを冷却するクーリングプレート（冷却部材）３２が設けられている。容器３１およびクーリングプレート３２は、例えばアルミニウムまたはアルミニウム合金で構成されている。
　容器３１の一方の側壁には真空に保持された搬送室５と連通可能な開口３４が設けられており、これと対向する側壁には大気圧に保持された搬入出室８と連通可能な開口３５が設けられている。そして、開口３４は第１のゲートバルブＧ１により開閉可能となっており、開口３５は第２のゲートバルブＧ２により開閉可能となっている。
　クーリングプレート３２には、ウエハ搬送用の３本（図２では２本のみ図示）のウエハ昇降ピン５０がクーリングプレート３２の表面（上面）に対して突没可能に設けられ、これらウエハ昇降ピン５０は支持板５１に固定されている。そして、ウエハ昇降ピン５０は、エアシリンダ等の駆動機構５３によりロッド５２を昇降させることにより、支持板５１を介して昇降され、クーリングプレート３２の表面（上面）から突出し、搬送室５における搬送装置１２の支持アーム１４ａもしくは１４ｂ、または搬入出室８における搬送装置１６の支持アーム１７が容器３１に挿入された際にこれらとの間でウエハＷを受け渡しする受け渡し位置と、クーリングプレート３２内に没し、ウエハＷをクーリングプレート３２の表面（上面）に近接させる冷却位置とをとることができるようになっている。クーリングプレート３２の上面には、３個（図２では２個のみ図示）のウエハ支持ピン５４が取り付けられており、これらウエハ支持ピン５４により、冷却位置にあるウエハＷがクーリングプレート３２と僅かに離隔した位置（例えば０．３ｍｍ）に位置されるようになっている。これにより、ウエハＷ裏面へのパーティクルの付着を低減することができる。
　クーリングプレート３２内には、冷却媒体流路５５が形成されており、この冷却媒体流路５５には冷却媒体導入路５６および冷却媒体排出路５７が接続されていて、図示しない冷却媒体供給部から冷却水等の冷却媒体が通流されてクーリングプレート３２に近接されたウエハＷを冷却可能となっている。
　容器３１の底部には、容器３１内を真空排気するための排気口３６が設けられている。排気口３６には排気管４１が接続されており、この排気管４１には、開閉バルブ４２、排気速度調整バルブ４３および真空ポンプ４４が設けられている。したがって、排気速度調整バルブ４３および真空ポンプ４４により、容器３１内を所定の速度で真空排気可能となっている。
　一方、容器３１の底部のクーリングプレート３２を挟んで排気口３６と反対側には、パージガス（例えばＮ２ガス）を吐出するための第１のパージガス吐出部材６１が設けられている。第１のパージガス吐出部材６１は、容器３１の底部から上方に延びるパージガス供給部６１ａと、パージガス供給部６１ａの先端に設けられた、ウエハＷの径とほぼ同等の幅を有する長尺のパージガス吐出ノズル６２とを有している。パージガス供給部６１ａには、下方からパージガス供給配管４５が接続されている。このパージガス供給配管４５はパージガス源４８から延びており、その途中には開閉バルブ４６および流量調節バルブ４７が設けられている。これにより、流量調節バルブ４７により流量を調節しつつパージガス源４８からパージガス供給配管４５およびパージガス供給部６１ａを介して供給されたパージガスをパージガス吐出ノズル６２からウエハＷに平行に乱流制御された状態で吐出可能となっている。したがって、パージガス流は一方向の平行流となり、層流または制御された乱流、またはこれらが混合した状態となる。また、パージガス吐出ノズル６２から吐出されたパージガスは、ウエハＷの上面に沿って吐出可能となっている。蓋体３１ｂの直下には、パージガス吐出ノズル６２から吐出されたパージガスの乱流制御を行うための整流板６３が設けられている。整流板６３は、図４の底面図に示すように、パージガスの流れに沿った方向に直線状に複数の仕切り板６３ａが設けられており、これらの間に流路６３ｂが形成されており、パージガス吐出ノズル６２から吐出されたパージガスを整流するようになっている。整流板６３が存在しなくても、パージガス吐出ノズル６２から吐出されるパージガスを乱流制御された状態でウエハＷに平行に流すことは可能であるが、整流板６３の存在により、パージガスの乱流制御性をより高めることができる。
　また、クーリングプレート３２の上面には、図５にも示すように、多孔質セラミック等の多孔質体からなる第２のパージガス吐出部材６５が嵌め込まれている。この例では４つの円形のパージガス吐出部材６５が十字状に配置されているが、パージガスを均一に吐出できれば、その形状および配置形態は問わず、例えば楕円状や矩形状、スリット状等種々の形状を採用することができ、配置形態も十字状の他、三又状等を採用することができる。パージガス吐出部材６５は多孔質体であるためフィルター機能を有し、緩やかにパージガスを導入する機能を有する。このパージガス吐出部材６５には、パージガス供給配管６６が接続されている。このパージガス供給配管６６はパージガス源４８から延びており、その途中には開閉バルブ６７および流量調節バルブ６８が設けられている。これにより、流量調節バルブ６８により流量を調節しつつパージガス源４８からパージガス供給配管６６を介して供給されたパージガスを緩やかにウエハＷの下面に向けて吐出するようになっている。
　そして、真空側の搬送室５との間でウエハＷの搬送を行う場合には、開閉バルブ４６を閉じ、開閉バルブ４２を開けた状態として、排気速度調整バルブ４３を調節して所定速度で真空ポンプ４４により排気管４１を介して容器３１内を排気し、容器３１内の圧力を搬送室５内の圧力に対応する圧力とし、その状態で第１のゲートバルブＧ１を開けて容器３１と搬送室５との間を連通する。また、大気側の搬入出室８との間でウエハＷの搬送を行う場合には、開閉バルブ４２を閉じ、開閉バルブ４６、６７を開けた状態として、流量調節バルブ４７、６８を調節してパージガス源４８からパージガス供給配管４５、６６を介して窒素ガス等のパージガスを所定流量および所定分配比でウエハＷの上下面に供給するとともに、容器３１内の圧力を上昇させ、その中の圧力を大気圧近傍にし、その状態で第２のゲートバルブＧ２を開けて容器３１と搬入出室８との間を連通する。
　容器３１内の圧力は、圧力調整機構４９により大気圧と所定の真空雰囲気との間で調整される。この圧力調整機構４９は、圧力計５９により測定された容器３１内の圧力に基づいて、開閉バルブ４２、排気速度調整バルブ４３、流量調節バルブ４７、６７および開閉バルブ４６、６８を制御することにより容器３１内の圧力を調整する。圧力調整機構４９は上述の制御部２０により制御される。
　次に、本実施形態におけるロードロック装置６、７の動作について説明する。
　まず、搬送装置１６によりフープＦから取り出されたウエハＷを、容器３１に搬入する。このとき、容器３１内は大気雰囲気にされ、その後第２のゲートバルブＧ２が開放された状態でウエハＷが搬入される。
　そして、ゲートバルブＧ２を閉じ、容器３１内を搬送室５に対応する圧力になるまで真空排気し、次いで、第１のゲートバルブＧ１を開放して搬送装置１２の支持アーム１４ａまたは１４ｂにより容器３１内からウエハＷを搬出する。搬出されたウエハＷは、いずれかの真空処理ユニットにより成膜等の高温での真空処理が行われる。
　次いで、容器３１内を搬送室５に対応する圧力に調整し、第１のゲートバルブＧ１を開けて処理後の高温のウエハＷを容器３１内に搬入し、容器３１内にパージガスを導入して容器３１内の圧力を大気圧に上昇させる過程でウエハＷを冷却する。そして、容器３１内が大気圧になりかつウエハＷが１００℃程度以下の所定の温度まで冷却された時点で、第２のゲートバルブＧ２を開けて容器３１内のウエハＷを搬送装置１６の支持アーム１７により取り出して所定のフープＦに収容する。
　このときのウエハＷの冷却は、従来、クーリングプレート３２に通流させる冷却媒体による冷却に依存していた。しかし、最初からウエハＷをクーリングプレート３２に近接させるとウエハＷが反ってしまうため、初期の段階では昇降ピン５０によりウエハＷをクーリングプレート上方に待機させておく必要がある。そのため、ウエハＷを効率良く冷却することができない。大気圧に戻すためのパージガスを用いてウエハを冷却することが考えられるが、従来は、ウエハを効率良く冷却すべくウエハの近傍にパージガスを導入しようとすると、パーティクルを巻き上げてウエハにパーティクルが付着してしまうおそれがあるため、ウエハから離れた位置からパージガスを導入せざるを得ず、ウエハの冷却には有効に機能しない。
　そこで、本実施形態では、処理後の高温のウエハＷを搬入してウエハを冷却しつつ大気雰囲気に戻す際に、パージガス源４８からパージガス供給配管４５およびパージガス供給部６１ａを介して供給されたパージガスをパージガス吐出ノズル６２から吐出し、整流板６３で整流することによりウエハＷに平行にかつウエハＷの上面に沿って排気口３６に向かう一方向の層流を形成する。このようにウエハＷに平行にウエハＷの上面に沿って層流を形成して強制的に対流させることにより、ウエハＷ上面に冷却層が形成され、対流伝熱によりウエハＷの冷却を促進することができる。このとき、このような層流状態の冷却層が形成されるため、パーティクルの巻き上げが防止される。つまり、ウエハＷ上面の冷却層はパーティクル巻き上げ防止層としても機能する。
　一方、パージガス源４８からのパージガスは、パージガス供給配管６６にも供給され、そのパージガスは多孔質セラミックス等の多孔質体からなる第２のパージガス吐出部材６５からウエハＷの下面に向けて供給される。このとき、多孔質体は整流作用があるため、第２のパージガス吐出部材６５から吐出されるパージガスは、層流状態で緩やかにウエハＷの下面に供給され、ウエハＷの下面にパージガスからなる冷却層を形成してウエハＷの冷却を促進する。このとき、パージガス吐出部材６５からパージガスが層流状態で緩やかに吐出されるため、周囲のパーティクルを巻き上げるおそれが極めて小さい。このため、パージガス吐出部材６５から吐出されるパージガスもパーティクルを巻き上げることなくウエハＷの冷却に有効に寄与する。
　このようにしてパーティクルを巻き上げずにウエハＷにパージガスを供給することができ、しかもウエハＷの上下面をともにパージガスにより冷却することができるので、ウエハＷに対するパーティクル付着を抑止しつつ、高温のウエハＷを極めて効率よく冷却することができる。このためウエハ処理のスループットを高くすることができる。
　図６は、パージガスを容器３１の底部に形成されたパージガス導入口からのみ供給した従来の場合と、ウエハ上下面へのパージガス供給（流量：５０ｓｌｍ）を追加した本実施形態の場合とで、ウエハＷの冷却性を調査したものであり、７００℃程度の高温のウエハを冷却した場合のウエハの温度変化を示す。この図に示すように、本実施形態の場合には、ウエハ温度が２５０℃付近になった段階から従来よりも温度低下が大きくなり、ウエハＷの温度が取り出し可能な１００℃になるまでの時間が３６ｓｅｃから２９ｓｅｃと７ｓｅｃも短縮されることが確認された。
　次に、従来の容器底部のパージガス導入口からパージガスを導入した場合の対流伝熱の効果を把握した。図７Ａは計算により求めた結果、図７Ｂは実測データである。図７Ｂの実測データは容器内圧力を大気圧とし、パージガスとしてＮ２を用い、Ｎ２パージがない場合と、Ｎ２ガス流量を１２ｓｌｍでパージした場合とでウエハの冷却特性を比較したものである。図７Ａの算出条件は、容器内圧力を大気圧とし、Ｎ２パージがある場合とない場合について、Ｎ２流量と熱伝達率を、実測データを元に、算出結果のクーリング率が実測データと近似するように、特に７０℃までのクーリング時間が近似するように設定したものである。図７Ａの算出結果より、実測データと同一結果になるように熱伝達率を設定すると、Ｎ２パージ量が６６ｓｃｃｍとなった。つまり、従来のように、単に容器底部のパージガス導入口からパージガスを導入する場合には、パージガス流量が１２ｓｌｍであっても、実際に冷却に寄与しているのは５％程度であり、パージガスによる冷却効率は極めて低いことがわかる。この結果から、本実施形態のようにウエハ上下に直接パージガスを供給する効果を理解することができる。
　このように、本実施形態によれば、パージガスをウエハＷに平行にかつウエハＷの上面に乱流制御された状態で供給するパージガス吐出ノズル６２を有する第１のパージガス吐出部材６１と、冷却部材３２に近接配置されたウエハＷの下方からウエハＷの下面に向けてパージガスを吐出する多孔質体からなる第２のパージガス吐出部材６５とを設けたので、ウエハＷの上面に形成された層流または制御された乱流による対流伝熱により基板を有効に冷却するとともに、パージガスの層がパーティクル巻き上げを防止する層としても機能し、また、多孔質体からなる第２のパージガス吐出部材６５からは整流されたパージガスが緩やかにウエハＷの下面に供給され、パーティクルを巻き上げることなくウエハＷを有効に冷却する。このため、ウエハＷに対するパーティクル付着を抑制しつつ高温の基板を効率良く冷却することができ、処理のスループットを高くすることができる。
　なお、本実施形態では、第１のパージガス吐出部材６１からウエハＷ上面へのパージガス供給と第２のパージガス吐出部材６５からウエハＷ下面へのパージガス供給の両方を行っているが、第２のパージガス吐出部材６５からのパージガスの供給のみでも、整流されたパージガスが緩やかにウエハＷの下面に供給され、パーティクルを巻き上げることなくウエハＷを冷却することができ、ウエハＷに対するパーティクル付着を抑制しつつ高温のウエハＷを効率良く冷却することができるという効果を奏することができる。
　＜ロードロック装置の第２の実施形態＞
　次に、本発明の第２の実施形態に係るロードロック装置について説明する。
　図８は本発明の第２の実施形態に係るロードロック装置を示す垂直断面図、図９はその水平断面図である。これら図において、第１の実施形態と同じものには図２、３と同じ符号を付して説明を省略する。
　本実施形態に係るロードロック装置では、第１の実施形態における第１のパージガス吐出部材６１とは構造が異なる第１のパージガス吐出部材７１を有している。
　第１のパージガス吐出部材７１は、容器３１の底部のクーリングプレート３２を挟んで排気口３６と反対側に設けられており、容器３１の底部から上方に延びるパージガス供給部７１ａと、パージガス供給部７１ａの先端に設けられた、ウエハＷの径とほぼ同等の幅を有する長尺の多孔質体（例えば多孔質セラミックス）からなる吐出部７２とを有している。パージガス供給部７１ａには、下方からパージガス供給配管４５が接続されている。吐出部７２は、ウエハＷの上方位置から下方位置の範囲に亘って設置されている。
　そして、流量調節バルブ４７により流量を調節しつつパージガス源４８からパージガス供給配管４５およびパージガス供給部７１ａを介して供給されたパージガスを多孔質体からなる吐出部７２からウエハＷに平行に乱流制御された状態で吐出可能となっている。また、吐出部７２は、ウエハＷの上方位置から下方位置の範囲に亘って設置されているので、吐出部７２から吐出されたパージガスは、ウエハＷの存在範囲に乱流制御された状態で吐出可能となっている。したがって、パージガス流は一方向の平行流となり、層流または制御された乱流、またはこれらが混合した状態となる。また、蓋体３１ｂの直下には第１の実施形態と同様、整流板６３が設けられている。本実施形態においても、整流板６３が存在しなくても、吐出部７２から吐出されるパージガスを乱流制御された状態でウエハＷに平行に流すことは可能であるが、整流板６３の存在により、パージガスの乱流制御性をより高めることができる。
　本実施形態では、処理後の高温のウエハＷを搬入してウエハを冷却しつつ大気雰囲気に戻す際に、パージガス源４８からパージガス供給配管４５およびパージガス供給部７１ａを介して供給されたパージガスを多孔質体からなる吐出部７２ら吐出し、整流板６３で整流することによりウエハＷに平行にかつウエハＷの存在領域に排気口３６に向かう一方向の乱流制御された状態の流れを形成する。このようにウエハＷの存在領域にウエハＷに平行に乱流制御された流れを形成して強制的に対流させることにより、ウエハＷの上下面に層流または制御された乱流による冷却層が形成され、対流伝熱によりウエハＷの冷却を促進することができる。このとき、吐出部７２を構成する多孔質体は整流作用があるため、吐出部７２から吐出されたパージガスは緩やかに流れ、パーティクルの巻き上げが防止される。
　一方、第１の実施形態と同様、パージガス供給配管６６からのパージガスは多孔質セラミックス等の多孔質体からなる第２のパージガス吐出部材６５からウエハＷの下面に向けて供給されるので、多孔質体の整流作用により、パージガスは緩やかにウエハＷの下面に供給され、ウエハＷの下面にパージガスからなる冷却層を形成してパージガスを巻き上げることなくウエハＷの冷却を促進する。
　このようにして本実施形態においても、パーティクルを巻き上げずにウエハＷにパージガスを供給することができ、しかもウエハＷの上下面をともにパージガスにより冷却することができるので、ウエハＷに対するパーティクル付着を抑止しつつ、高温のウエハＷを極めて効率よく冷却することができる。このためウエハ処理のスループットを高くすることができる。
　なお、本実施形態においても、第１のパージガス吐出部材７１からウエハＷへのパージガス供給と第２のパージガス吐出部材６５からウエハＷ下面へのパージガス供給の両方を行っているが、多孔質体からなる第２のパージガス吐出部材６５からのパージガスの供給のみでもよい。これにより、ウエハＷを効率良く冷却することができ、ウエハＷに対するパーティクル付着を抑制しつつ高温のウエハＷを効率良く冷却することができるという効果を奏することができる。
　また、第１のパージガス吐出部材７１のみでも、ウエハＷの存在領域にウエハＷに平行に層流もしくは制御された乱流を形成して強制的に対流させて、ウエハＷの上下面に冷却層を形成するので、対流伝熱によりウエハＷの冷却を促進することができ、また、吐出部７２を構成する多孔質体は整流作用があるため、吐出部７２から吐出されたパージガスは緩やかに流れ、パーティクルの巻き上げが防止されるので、パーティクルを巻き上げることなくウエハＷを冷却することができる。
　＜他の適用＞
　なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、真空処理ユニットを４つ、ロードロック装置を２つ設けたマルチチャンバタイプの真空処理システムを例にとって説明したが、これらの数に限定されるものではない。また、本発明のロードロック装置は、このようなマルチチャンバタイプの真空処理装置に限らず、真空処理ユニットが１個のシステムであっても適用可能である。さらに、上記実施形態においては、ウエハ上面に一方向の層流を形成したが、これに限らず、例えば、ウエハの周囲に複数のガス吐出部材を設けて、これらガス吐出部材からウエハの上面に向けてパージガスを供給することによりウエハ上面に層流を形成する等、他の手法を用いても良い。さらにまた、被処理基板についても、半導体ウエハに限らず、ＦＰＤ用ガラス基板などの他の基板を対象にすることができることはいうまでもない。

Claims (15)

  1. 　大気雰囲気から真空に保持された真空室へ基板を搬送し、前記真空室から高温の基板を前記大気雰囲気に搬送する際に用いられるロードロック装置であって、
    　真空室に対応する圧力と大気圧との間で圧力を変動可能に設けられた容器と、
    　前記容器内にパージガスを供給するパージガス供給機構と、
    　前記容器内を排気する排気機構と、
    　前記パージガス供給機構と前記排気機構を制御することにより、前記容器内が前記真空室と連通した際に前記容器内の圧力を前記真空室に対応する圧力に調整し、前記容器内が前記大気雰囲気の空間と連通した際に前記容器内の圧力を大気圧に調整する圧力調整機構と、
    　冷却機構を有し、前記容器内に設けられ、基板が近接配置されて基板を冷却する冷却部材と、
    　前記パージガス供給機構から供給されたパージガスを基板に平行に乱流制御された状態で供給する第１のパージガス吐出部材と、
    　前記冷却部材に近接配置された基板の下方から基板の下面に向けてパージガスを吐出する多孔質体からなる第２のパージガス吐出部材と
    を具備する、ロードロック装置。
  2. 　前記第１のパージガス吐出部材は、前記パージガス供給機構から供給されたパージガスを基板の上面に沿って乱流制御された状態で吐出するパージガス吐出ノズルを有する、請求項１に記載のロードロック装置。
  3. 　前記パージガス吐出ノズルは、基板の上面に一方向の基板に平行な流れが形成されるようにパージガスを吐出する、請求項２に記載のロードロック装置。
  4. 　前記パージガス吐出ノズルから吐出されて基板の上面に形成されるパージガス流を整流する整流部材をさらに具備する、請求項３に記載のロードロック装置。
  5. 　前記第１のパージガス吐出部材は、多孔質体からなる吐出部を有し、前記吐出部から前記パージガスを吐出する、請求項１に記載のロードロック装置。
  6. 　前記吐出部は、多孔質セラミックで構成されている、請求項５に記載のロードロック装置。
  7. 　前記吐出部は、吐出されたパージガスが基板の存在範囲に乱流が制御された流れを形成するように配置されている、請求項５に記載のロードロック装置。
  8. 　前記吐出部は、基板の存在範囲に一方向の基板に平行な流れが形成されるようにパージガスを吐出する、請求項７に記載のロードロック装置。
  9. 　前記吐出部から吐出されて基板の上面に形成されるパージガス流を整流する整流部材をさらに具備する、請求項８に記載のロードロック装置。
  10. 　前記第２のパージガス吐出部材は、多孔質セラミックで構成されている、請求項１に記載のロードロック装置。
  11. 　前記第２のパージガス吐出部材は、前記冷却部材の上面に嵌め込まれていることを特徴とする請求項１に記載のロードロック装置。
  12. 　大気雰囲気から真空に保持された真空室へ基板を搬送し、前記真空室から高温の基板を前記大気雰囲気に搬送する際に用いられるロードロック装置であって、
    　真空室に対応する圧力と大気圧との間で圧力を変動可能に設けられた容器と、
    　前記容器内にパージガスを供給するパージガス供給機構と、
    　前記容器内を排気する排気機構と、
    　前記パージガス供給機構と前記排気機構を制御することにより、前記容器内が前記真空室と連通した際に前記容器内の圧力を前記真空室に対応する圧力に調整し、前記容器内が前記大気雰囲気の空間と連通した際に前記容器内の圧力を大気圧に調整する圧力調整機構と、
    　冷却機構を有し、前記容器内に設けられ、基板が近接配置されて基板を冷却する冷却部材と、
    　前記冷却部材に近接配置された基板の下方から基板の下面に向けてパージガスを吐出する多孔質体からなるパージガス吐出部材と
    を具備する、ロードロック装置。
  13. 　前記多孔質体からなるパージガス吐出部材は、多孔質セラミックで構成されている、請求項１２に記載のロードロック装置。
  14. 　前記多孔質体からなるパージガス吐出部材は、前記冷却部材の上面に嵌め込まれている、請求項１２に記載のロードロック装置。
  15. 　大気雰囲気から真空に保持された真空室へ基板を搬送し、前記真空室から高温の基板を前記大気雰囲気に搬送する際に用いられるロードロック装置であって、
    　真空室に対応する圧力と大気圧との間で圧力を変動可能に設けられた容器と、
    　前記容器内にパージガスを供給するパージガス供給機構と、
    　前記容器内を排気する排気機構と、
    　前記パージガス供給機構と前記排気機構を制御することにより、前記容器内が前記真空室と連通した際に前記容器内の圧力を前記真空室に対応する圧力に調整し、前記容器内が前記大気雰囲気の空間と連通した際に前記容器内の圧力を大気圧に調整する圧力調整機構と、
    　冷却機構を有し、前記容器内に設けられ、基板が近接配置されて基板を冷却する冷却部材と、
    　前記パージガス供給機構から供給されたパージガスを基板に平行に乱流制御された状態で供給するパージガス吐出部材と、
    を有し、
    　前記パージガス吐出部材は、パージガスを吐出する多孔質体からなる吐出部を有し、前記吐出部は、吐出されたパージガスが基板の存在範囲に乱流制御された流れを形成するように配置されている、ロードロック装置。
PCT/JP2011/077635 2010-12-09 2011-11-30 ロードロック装置 Ceased WO2012077547A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012522306A JP5916608B2 (ja) 2010-12-09 2011-11-30 ロードロック装置
US13/992,148 US9228685B2 (en) 2010-12-09 2011-11-30 Load lock device
KR1020137014545A KR101664939B1 (ko) 2010-12-09 2011-11-30 로드록 장치

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010274691 2010-12-09
JP2010-274691 2010-12-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012077547A1 true WO2012077547A1 (ja) 2012-06-14

Family

ID=46207038

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/077635 Ceased WO2012077547A1 (ja) 2010-12-09 2011-11-30 ロードロック装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9228685B2 (ja)
JP (1) JP5916608B2 (ja)
KR (1) KR101664939B1 (ja)
TW (1) TWI534923B (ja)
WO (1) WO2012077547A1 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014073460A1 (ja) * 2012-11-07 2014-05-15 東京エレクトロン株式会社 基板冷却部材、基板処理装置及び基板処理方法
JP2017073397A (ja) * 2017-01-12 2017-04-13 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置、減圧乾燥方法及びベーク処理システム
CN109890538A (zh) * 2016-11-11 2019-06-14 Slm方案集团股份公司 用于生产三维工件的具有改进的气体流的设备
CN111607783A (zh) * 2020-05-12 2020-09-01 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体载具、半导体加工设备及吹扫方法
JPWO2020184231A1 (ja) * 2019-03-14 2020-09-17
WO2021045070A1 (ja) * 2019-09-06 2021-03-11 キヤノンアネルバ株式会社 ロードロック装置
WO2021045069A1 (ja) * 2019-09-06 2021-03-11 キヤノンアネルバ株式会社 ロードロック装置
JP2022539757A (ja) * 2019-07-12 2022-09-13 アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド 有害ガス制御の後処理

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6586328B2 (ja) * 2015-09-04 2019-10-02 東京エレクトロン株式会社 被処理体を処理する方法
TWI608119B (zh) * 2016-11-16 2017-12-11 矽碁科技股份有限公司 原子層沉積設備及其抽氣速率控制方法
KR102438888B1 (ko) * 2017-07-06 2022-08-31 엔지케이 인슐레이터 엘티디 반도체 제조 장치용 부재 및 그 제조법
TWI840362B (zh) * 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
CN112956010B (zh) * 2018-11-14 2024-07-23 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板输送方法
US20200216951A1 (en) * 2019-01-04 2020-07-09 Axcelis Technologies, Inc. Reduction of condensed gases on chamber walls via purge gas dilution and evacuation for semiconductor processing equipment
FI129040B (fi) * 2019-06-06 2021-05-31 Picosun Oy Fluidia läpäisevien materiaalien päällystäminen
CN110459493B (zh) * 2019-08-21 2022-03-22 北京北方华创微电子装备有限公司 抽真空腔室及抽真空方法
CN114631173B (zh) * 2019-10-08 2025-08-22 朗姆研究公司 在衬底处理系统中用于加载锁的自动清洁
CN113113326B (zh) * 2020-01-10 2024-12-27 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体制程机台
TW202230583A (zh) * 2020-12-22 2022-08-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理系統及微粒去除方法
CN115863231A (zh) * 2022-11-30 2023-03-28 拓荆科技股份有限公司 一种半导体器件的加工设备以及加工方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02229429A (ja) * 1989-03-01 1990-09-12 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマプロセス装置
JPH06158284A (ja) * 1992-11-17 1994-06-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 真空装置
JPH07230959A (ja) * 1994-02-17 1995-08-29 Tokyo Electron Ltd 被処理体近傍空間の気流の制御方法及び減圧装置
JP2004228562A (ja) * 2002-12-18 2004-08-12 Boc Group Inc:The ロードロック・パージ方法および装置
JP2006501632A (ja) * 2001-12-04 2006-01-12 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド 独立して変更可能な一体的なロードロックを有する基板処理装置
JP2007035874A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Tokyo Electron Ltd 真空処理システム
JP2007528940A (ja) * 2004-03-12 2007-10-18 ウニフェルジテイト・ユトレヒト・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ 薄膜及び薄膜デバイスを製造するための装置及び方法
JP2009182235A (ja) * 2008-01-31 2009-08-13 Tokyo Electron Ltd ロードロック装置および基板冷却方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000208589A (ja) 1998-11-09 2000-07-28 Tokyo Electron Ltd 処理装置
US6672864B2 (en) * 2001-08-31 2004-01-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing substrates in a system having high and low pressure areas
US7229666B2 (en) * 2002-01-22 2007-06-12 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition method
JP3767811B2 (ja) * 2002-05-24 2006-04-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および塗布・現像装置
JP4961893B2 (ja) * 2006-08-23 2012-06-27 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板搬送方法
CN101688303B (zh) * 2007-09-03 2012-06-20 东京毅力科创株式会社 真空处理系统
KR20090097229A (ko) * 2008-03-11 2009-09-16 전영재 반도체 및 ｌｃｄ 제조용 정전척

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02229429A (ja) * 1989-03-01 1990-09-12 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマプロセス装置
JPH06158284A (ja) * 1992-11-17 1994-06-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 真空装置
JPH07230959A (ja) * 1994-02-17 1995-08-29 Tokyo Electron Ltd 被処理体近傍空間の気流の制御方法及び減圧装置
JP2006501632A (ja) * 2001-12-04 2006-01-12 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド 独立して変更可能な一体的なロードロックを有する基板処理装置
JP2004228562A (ja) * 2002-12-18 2004-08-12 Boc Group Inc:The ロードロック・パージ方法および装置
JP2007528940A (ja) * 2004-03-12 2007-10-18 ウニフェルジテイト・ユトレヒト・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ 薄膜及び薄膜デバイスを製造するための装置及び方法
JP2007035874A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Tokyo Electron Ltd 真空処理システム
JP2009182235A (ja) * 2008-01-31 2009-08-13 Tokyo Electron Ltd ロードロック装置および基板冷却方法

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014073460A1 (ja) * 2012-11-07 2014-05-15 東京エレクトロン株式会社 基板冷却部材、基板処理装置及び基板処理方法
CN109890538A (zh) * 2016-11-11 2019-06-14 Slm方案集团股份公司 用于生产三维工件的具有改进的气体流的设备
CN109890538B (zh) * 2016-11-11 2022-05-17 Slm方案集团股份公司 用于生产三维工件的具有改进的气体流的设备
US11278965B2 (en) 2016-11-11 2022-03-22 SLM Solutions Group AG Apparatus for producing a three-dimensional work piece with improved gas flow
JP2017073397A (ja) * 2017-01-12 2017-04-13 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置、減圧乾燥方法及びベーク処理システム
JPWO2020184231A1 (ja) * 2019-03-14 2020-09-17
WO2020184231A1 (ja) * 2019-03-14 2020-09-17 東京エレクトロン株式会社 接合システム、および接合方法
CN113543920A (zh) * 2019-03-14 2021-10-22 东京毅力科创株式会社 接合系统和接合方法
JP7558211B2 (ja) 2019-07-12 2024-09-30 アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド 有害ガス制御の後処理
JP2022539757A (ja) * 2019-07-12 2022-09-13 アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド 有害ガス制御の後処理
JP2021044550A (ja) * 2019-09-06 2021-03-18 キヤノンアネルバ株式会社 ロードロック装置
TWI819723B (zh) * 2019-09-06 2023-10-21 日商佳能安內華股份有限公司 負載鎖定裝置之使用方法
JP2021044544A (ja) * 2019-09-06 2021-03-18 キヤノンアネルバ株式会社 ロードロック装置
JP2021044551A (ja) * 2019-09-06 2021-03-18 キヤノンアネルバ株式会社 ロードロック装置
WO2021044622A1 (ja) * 2019-09-06 2021-03-11 キヤノンアネルバ株式会社 ロードロック装置
WO2021044623A1 (ja) * 2019-09-06 2021-03-11 キヤノンアネルバ株式会社 ロードロック装置
WO2021045069A1 (ja) * 2019-09-06 2021-03-11 キヤノンアネルバ株式会社 ロードロック装置
US12308254B2 (en) 2019-09-06 2025-05-20 Canon Anelva Corporation Load lock device
TWI776224B (zh) * 2019-09-06 2022-09-01 日商佳能安內華股份有限公司 負載鎖定裝置
WO2021045070A1 (ja) * 2019-09-06 2021-03-11 キヤノンアネルバ株式会社 ロードロック装置
JP2021044545A (ja) * 2019-09-06 2021-03-18 キヤノンアネルバ株式会社 ロードロック装置
US12211735B2 (en) 2019-09-06 2025-01-28 Canon Anelva Corporation Load lock device
CN111607783A (zh) * 2020-05-12 2020-09-01 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体载具、半导体加工设备及吹扫方法
CN111607783B (zh) * 2020-05-12 2022-07-22 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体载具、半导体加工设备及吹扫方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20130248014A1 (en) 2013-09-26
TWI534923B (zh) 2016-05-21
KR20140000265A (ko) 2014-01-02
US9228685B2 (en) 2016-01-05
JP5916608B2 (ja) 2016-05-11
KR101664939B1 (ko) 2016-10-11
TW201250892A (en) 2012-12-16
JPWO2012077547A1 (ja) 2014-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5916608B2 (ja) ロードロック装置
US9607855B2 (en) Etching method and storage medium
CN101652851B (zh) 真空处理装置和真空处理装置的运行方法
US11018033B2 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
JP6000665B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
JP6841920B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
KR101204640B1 (ko) 진공 처리 시스템
US10546761B2 (en) Substrate processing apparatus
JP6318139B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
CN101764049A (zh) 基板处理装置
JP2009182235A (ja) ロードロック装置および基板冷却方法
JP7011033B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP2011049507A (ja) ロードロック装置及び処理システム
JP2012119626A (ja) ロードロック装置
WO2016117588A1 (ja) 基板処理装置
TW201812905A (zh) 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法、程式
US11404291B2 (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
US20080199610A1 (en) Substrate processing apparatus, and substrate processing method
WO2013136916A1 (ja) ロードロック装置
US10115611B2 (en) Substrate cooling method, substrate transfer method, and load-lock mechanism
KR20140034318A (ko) 피처리체의 냉각 방법, 냉각 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
JP2004339566A (ja) 基板処理装置
CN108155137A (zh) 基板处理装置及半导体器件的制造方法
US20240047233A1 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2012522306

Country of ref document: JP

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11847103

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20137014545

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13992148

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11847103

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1