WO2012008166A1

WO2012008166A1 - 有機ｅｌ素子の製造方法

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Publication number: WO2012008166A1
Application number: PCT/JP2011/004043
Authority: WO
Inventors: 康平是澤; 裕司田中; 高志太田
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Priority date: 2010-07-16
Filing date: 2011-07-15
Publication date: 2012-01-19
Anticipated expiration: 2013-01-16
Also published as: US20130095592A1; US8765503B2

Abstract

　磁性体含有樹脂（１１１）が形成された可撓性基板（１１０）を、磁性を有する非可撓性基板（３００）に磁力を用いて仮保持させる。可撓性基板（１１０）の上に、有機ＥＬ構成層（２１０）が形成される。有機ＥＬ構成層（２１０）が形成された可撓性基板（１１０）が、非可撓性基板（３００）から分離される。可撓性基板（１１０）に形成された磁性体含有樹脂（１１１）が分離される。

Description

有機ＥＬ素子の製造方法

　本発明は、可撓性基板を備える有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子の製造方法に関する。

　近年、自由に曲げることが可能なディスプレイとして、フレキシブルディスプレイが注目されている。フレキシブルディスプレイは、有機発光ダイオード等の有機ＥＬ（Electro Luminescence）部を用いたものが主流である。

　フレキシブルディスプレイの製造では、自由に曲げることが可能な可撓性基板上に、有機ＥＬ部等を形成する必要がある。可撓性基板上に有機ＥＬ部を形成する手法の一つとして、可撓性基板にガラス等の非可撓性基板を接着剤等で接着した状態で、可撓性基板上に有機ＥＬ部を形成する手法がある。

　この手法では、有機ＥＬ部を形成した後、可撓性基板と非可撓性基板とを分離する際、接着力を上回る力で可撓性基板を非可撓性基板から引き剥がす必要があるため、可撓性基板が損傷したり、可撓性基板上に形成された有機ＥＬ部が破壊してしまう可能性がある。

　そこで、上記問題を解決するために、特許文献１には、磁性膜が形成されたフレキシブル基板（可撓性基板）を、磁力によって基板ホルダ（非可撓性基板）に仮固定する技術（以下、従来技術Ａという）が開示されている。

特開２００３－１７３８７２号公報

　しかしながら、従来技術Ａでは、可撓性基板と非可撓性基板とを分離させた後においても、磁性膜が可撓性基板に残存した構成となされているため、完成したフレキシブル素子は当該磁性膜の物理的特性の影響を受けたものになってしまう。

　すなわち、磁性膜の膜厚や、磁性膜を構成する磁性材料の組成によっては、曲げ強度が低下して割れ易くなると共に、透明性が低下してしまうため、完成したフレキシブル素子のフレキシブル性が低下してしまうと共に、発光の取出し側が制約されてしまうという問題が生じる。

　また、フレキシブル基板が薄く形成された場合、フレキシブル基板の一方の面に形成される磁性膜と、フレキシブル基板の他方の面に形成されるＴＦＴ（Thin film transistor）電極との距離が短くなる。この場合、層間容量が生じ、ノイズや信号遅延の原因となる。

　また、フレキシブル基板を用いて構成されたフレキシブルディスプレイが、端末のディスプレイ部として筐体内に組込まれた構成において、磁性膜の膜剥れが生じると、当該磁性膜が筐体内の電子部品と接触し、誤動作、発熱、発火などの要因となり得る。

　さらに、非可撓性基板から磁性膜を分離した後、残存した磁性膜の膜応力によって可撓性基板が湾曲してしまい、完成したフレキシブル素子の平坦性を確保することが困難になるという問題も生じる。

　本発明は、上述の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、可撓性基板を備える有機ＥＬ素子の製造過程において、可撓性基板、可撓性基板上に形成された有機ＥＬ部ならびに周辺配線を損傷させることがないと共に、仮固定に用いた磁性膜の物理的特性の悪影響を受けることがない有機ＥＬ素子の製造方法を提供することである。

　上述の課題を解決するために、この発明のある局面に従うと、可撓性基板を備えた有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子の製造方法は、前記可撓性基板の表面の少なくとも一部に磁性体層を形成するステップと、前記磁性体層が形成された前記可撓性基板を、磁性を有する非可撓性基板に磁力を用いて仮保持するステップと、前記仮保持された可撓性基板の上に、有機ＥＬ部を構成する層を形成するステップと、前記有機ＥＬ部を構成する層が形成された可撓性基板を、前記非可撓性基板から分離するステップと、前記非可撓性基板から分離された前記可撓性基板から前記磁性体層を分離するステップとを含む。

　本発明により、可撓性基板を備える有機ＥＬ素子の製造過程において、可撓性基板、可撓性基板上に形成された有機ＥＬ部ならびに周辺配線を損傷させることがないと共に、磁性膜の物理的特性の悪影響を受けることがない有機ＥＬ素子を製造することができる。

図１は、第１の実施の形態における有機ＥＬ素子の構成を示す図である。図２は、有機ＥＬ構成層のうち、１つの画素に対応する部分の断面図である。図３は、有機層の構成の一例を示す断面図である。図４は、第１の実施の形態における、有機ＥＬ素子の製造方法を説明するための図である。図５は、第１の実施の形態における、有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示すフローチャートである。図６は、第２の実施の形態における、有機ＥＬ素子の製造方法を説明するための図である。図７は、第２の実施の形態における、有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示すフローチャートである。図８は、有機ＥＬ素子を備える表示装置の外観図である。

　本発明のある局面に従うと、可撓性基板を備えた有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子の製造方法は、前記可撓性基板の表面の少なくとも一部に磁性体層を形成するステップと、前記磁性体層が形成された前記可撓性基板を、磁性を有する非可撓性基板に磁力を用いて仮保持するステップと、前記仮保持された可撓性基板の上に、有機ＥＬ部を構成する層を形成するステップと、前記有機ＥＬ部を構成する層が形成された可撓性基板を、前記非可撓性基板から分離するステップと、前記非可撓性基板から分離された前記可撓性基板から前記磁性体層を分離するステップとを含む。

　本態様によると、磁性体層が形成された可撓性基板を、磁性を有する非可撓性基板に磁力を用いて仮保持させる。そして、可撓性基板の上に、有機ＥＬ素子を構成する層が形成される。そして、有機ＥＬ素子を構成する層が形成された可撓性基板が、前記非可撓性基板から分離される。

　本発明では、磁力を用いて可撓性基板が非可撓性基板に仮保持されるため、可撓性基板と非可撓性基板との分離が極めて容易であり、接着剤を用いた場合のように可撓性基板、可撓性基板上に形成された有機ＥＬ部や周辺配線を損傷させることがない。

　さらに、本発明では、仮保持に用いた磁性体層を除去する工程を有するため、製造された有機ＥＬ素子は磁性体層を保有しておらず、当該磁性体層の物理的特性の悪影響を受けることがない。

　また、好ましくは、前記磁性体層は、磁性体粒子を含む樹脂で形成されている。

　また、好ましくは、前記可撓性基板は、樹脂で形成されている。

　また、好ましくは、前記非可撓性基板は、磁石層を含む。

　また、好ましくは、前記非可撓性基板は、さらに、ガラス基板層を含む。

　また、好ましくは、前記有機ＥＬ部を構成する層が、アクティブ素子層、平坦化絶縁層、有機ＥＬ層の内の少なくとも一つを含む。

　また、好ましくは、前記可撓性基板から前記磁性体層を分離するステップにおいて、該磁性体層の少なくとも一部を溶剤を用いて溶解させる。

　また、好ましくは、有機ＥＬ素子の製造方法は、さらに、前記可撓性基板の表面の一部に接着層を形成するステップと、前記可撓性基板を前記非可撓性基板に前記接着層を介して固定するステップと、前記可撓性基板と前記非可撓性基板とが前記接着層を介して固定された部分を除去するステップとを含み、前記可撓性基板の表面に磁性体層を形成するステップでは、前記可撓性基板の表面のうち、前記接着層が形成された部分以外の前記可撓性基板の表面に前記磁性体層が形成され、前記可撓性基板を前記非可撓性基板に前記接着層を介して固定するステップは、前記可撓性基板を前記非可撓性基板に磁力を用いて仮保持するステップと同時若しくはその前後に行われ、前記可撓性基板と前記非可撓性基板とが前記接着層を介して固定された部分を除去するステップは、前記可撓性基板を、前記非可撓性基板から分離するステップと同時若しくはその前に行われる。

　以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態に係る表示パネル装置および表示装置について説明する。以下の説明では、同一の部品には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明は繰り返さない。また、図面は説明のために一部を強調するなどデフォルメすることがあり、必ずしも図面に現れる比率が正しいとは限らない。

　＜第１の実施の形態＞
　図１は、第１の実施の形態における有機ＥＬ素子１００の構成を示す図である。有機ＥＬ素子１００は、自由に曲げることが可能な表示パネルである。すなわち、有機ＥＬ素子１００は、可撓性を有する表示パネルである。

　図１（ａ）は、有機ＥＬ素子１００の断面図である。図１（ｂ）は、有機ＥＬ素子１００の一部の斜視図である。

　有機ＥＬ素子１００は、アクティブマトリクス方式の表示パネルである。なお、有機ＥＬ素子１００は、パッシブマトリクス方式の表示パネルであってもよい。有機ＥＬ素子１００は、有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を使用した有機ＥＬパネルである。有機ＥＬ素子１００は、トップエミッション方式のパネルである。なお、有機ＥＬ素子１００は、ボトムエミッション方式のパネルであってもよい。

　図１（ａ）に示されるように、有機ＥＬ素子１００は、可撓性基板１１０と、有機ＥＬ構成層２１０と、封止層１４０と、封止部材１５０とを含む。

　可撓性基板１１０は、自由に曲げることが可能な基板である。すなわち、可撓性基板１１０は、可撓性を有する基板である。可撓性基板１１０は、ポリイミドを主成分とする樹脂基板である。すなわち、可撓性基板１１０は、樹脂で形成される。

　なお、可撓性基板１１０を構成する材料は、ポリイミドに限定されない。可撓性基板１１０を構成する材料は、例えば、トリアセチルセルロース、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等であってもよい。また、可撓性基板１１０は、複数種類の材料により形成されてもよい。

　有機ＥＬ構成層２１０は、有機ＥＬ部を構成する層である。有機ＥＬ部は、例えば、有機発光ダイオードである。有機ＥＬ構成層２１０は、可撓性基板１１０上に形成される。有機ＥＬ構成層２１０は、画像を表示するための表示部として機能する。

　有機ＥＬ構成層２１０は、アクティブ素子層１２０と、有機ＥＬ層１３０と、図示しない平坦化絶縁層とを含む。

　アクティブ素子層１２０は、ＴＦＴ（Thin film transistor）等のアクティブ素子が形成される層である。アクティブ素子層１２０は、可撓性基板１１０の上部に形成される。図１（ｂ）に示されるように、ＴＦＴ１２１は、行列状に配置される。

　有機ＥＬ層１３０は、光を発する層である。

　図２は、有機ＥＬ構成層２１０のうち、１つの画素に対応する部分の断面図である。なお、図２には、説明のために、有機ＥＬ構成層２１０に含まれない可撓性基板１１０が示される。

　有機ＥＬ構成層２１０は、アクティブ素子層１２０と、有機ＥＬ層１３０と、平坦化絶縁層１２２とを含む。つまり、有機ＥＬ構成層２１０は、アクティブ素子層１２０、平坦化絶縁層１２２および有機ＥＬ層１３０の内の少なくとも一つを含む。

　平坦化絶縁層１２２は、アクティブ素子層１２０と、有機ＥＬ層１３０とを電気的に絶縁する層である。

　有機ＥＬ層１３０は、上部電極１３０Ｕと、有機層１３０Ａと、下部電極１３０Ｄとを含む。有機層１３０Ａは、上部電極１３０Ｕと下部電極１３０Ｄとの間に形成される。

　上部電極１３０Ｕおよび下部電極１３０Ｄは、それぞれ、陰極および陽極である。

　下部電極１３０Ｄは、光反射性を有する電極であり、平坦化絶縁層１２２上に形成される。上部電極１３０Ｕは、光透過性を有する透明電極であり、有機層１３０Ａ上に形成される。

　なお、上部電極１３０Ｕおよび下部電極１３０Ｄは、それぞれ、陽極および陰極であってもよい。

　上部電極１３０Ｕと、有機層１３０Ａと、下部電極１３０Ｄとにより発光部が形成される。当該発光部は、有機ＥＬ部である。有機ＥＬ層１３０には、行列状に配置される複数の有機ＥＬ部が形成される。

　図３は、有機層１３０Ａの構成の一例を示す断面図である。

　図３を参照して、有機層１３０Ａは、正孔注入層１３１と、正孔輸送層１３２と、発光層１３３と、電子輸送層１３４と、電子注入層１３５とを含む。

　正孔注入層１３１は、正孔注入性の材料を主成分とする層であり、下部電極１３０Ｄ上に形成される。正孔輸送層１３２は、正孔輸送性の材料を主成分とする層であり、正孔注入層１３１上に形成される。

　発光層１３３は、正孔と電子とが再結合することにより発光する有機発光材料を主成分とする層であり、正孔輸送層１３２上に形成される。

　電子輸送層１３４は、電子輸送性の材料を主成分とする層であり、発光層１３３上に形成される。電子注入層１３５は、電子輸送層１３４上に形成される。

　なお、有機層１３０Ａの構成は、図３に示される構成に限定されず、例えば、有機層１３０Ａは、正孔注入層１３１と、正孔輸送層１３２と、発光層１３３と、電子輸送層１３４とから構成されてもよい。

　再び、図１（ａ）および図１（ｂ）を参照して、有機ＥＬ層１３０の上部には、封止層１４０が形成され、封止部材１５０が、封止層１４０上に形成される。封止部材１５０は、外気中の水分や酸素などが浸入するのを防止するための部材である。

　（有機ＥＬ素子の製造方法）
　次に、有機ＥＬ素子１００の製造方法について説明する。

　図４は、第１の実施の形態における、有機ＥＬ素子１００の製造方法を説明するための図である。

　図５は、第１の実施の形態における、有機ＥＬ素子１００の製造方法の一例を示すフローチャートである。

　なお、以下で説明する各工程は周知のプロセス技術を用いて実施できるため、プロセス条件などの詳細な説明は適宜省略する。また、以下で示す材料およびプロセスは１つの典型例であって、本発明の有機ＥＬ素子およびその製造方法を限定するものではない。適性が知られている他の材料およびプロセスを代用した場合も本発明に含まれる。これらのことは、後述する第２の実施の形態における製造方法についても同様である。

　まず、磁性体含有樹脂生成工程が行われる（Ｓ１１０）。磁性体含有樹脂とは、磁性体粒子を含む樹脂である。磁性体含有樹脂生成工程では、磁性体粒子および樹脂が使用される。当該磁性体粒子の主な材料は、フェライト、砂鉄等である。当該樹脂を構成する主な材料は、一例として、可溶性ポリイミドである。

　磁性体含有樹脂生成工程では、磁性体粒子を樹脂中に分散させることにより、図４（ａ）に示される磁性体含有樹脂１１１が生成される。磁性体含有樹脂１１１は、磁性体層である。すなわち、磁性体層としての磁性体含有樹脂１１１は、磁性体粒子を含む樹脂で形成される。

　次に、磁性体層形成工程が行われる（Ｓ１１１）。磁性体層形成工程では、図４（ａ）に示されるように、可撓性基板１１０の表面に、磁性体層としての磁性体含有樹脂１１１が塗布される。

　そして、紫外線（ＵＶ）等を使用することにより、磁性体含有樹脂１１１が硬化される。すなわち、磁性体層形成工程は、可撓性基板１１０の表面に磁性体層（磁性体含有樹脂１１１）を形成する工程である。以下においては、表面に磁性体層（磁性体含有樹脂１１１）が形成された可撓性基板１１０を、磁性体層形成基板ともいう。

　次に、基板固定工程が行われる（Ｓ１２０）。基板固定工程では、非可撓性基板３００に、磁性体層形成基板が磁力を用いて固定される。非可撓性基板３００は、可撓性を有さない基板である。

　図４（ｂ）に示されるように、非可撓性基板３００は、支持基板３１０と、磁石３２０とを含む。磁石３２０は、非可撓性の磁石である。磁石３２０は、磁石層を構成する。すなわち、非可撓性基板３００は、磁石層を含む。

　図４（ｂ）に示されるように、非可撓性基板３００は、磁石３２０の上部に支持基板３１０を載せた基板である。すなわち、非可撓性基板３００は、磁性を有する基板である。

　支持基板３１０は、非可撓性の基板である。支持基板３１０を構成する主な材料は、ガラスである。すなわち、支持基板３１０は、ガラス基板層を構成する。つまり、非可撓性基板３００は、ガラス基板層を含む。

　なお、支持基板３１０を構成する材料は、ガラスに限定されず、セラミックス、シリコン等であってもよい。

　なお、支持基板３１０および磁石３２０の一方が可撓性を有し、支持基板３１０および磁石３２０の他方が非可撓性を有していてもよい。

　具体的には、基板固定工程では、図４（ｂ）に示されるように、反転させた磁性体層形成基板の下部に非可撓性基板３００が固定される。

　当該反転させた磁性体層形成基板は、図４（ｂ）に示されるように、磁性体含有樹脂１１１の上部に可撓性基板１１０が設けられる基板である。反転させた磁性体層形成基板の下部に非可撓性基板３００が固定されることにより、可撓性基板１１０は、撓まないようになる。

　なお、磁性体含有樹脂１１１の有する磁力と、非可撓性基板３００の磁石３２０の有する磁力とにより生じる結合力により、反転させた磁性体層形成基板の下部に非可撓性基板３００が固定される。すなわち、支持基板３１０と磁性体含有樹脂１１１とが密着する面には、接着材等が使用されていない。

　この場合、支持基板３１０と磁石３２０とは接着剤等により互いに貼り合わせられていなくても、磁性体含有樹脂１１１の有する磁力と、非可撓性基板３００の磁石３２０の有する磁力とにより生じる結合力により、磁石３２０は支持基板３１０に固定される。

　すなわち、基板固定工程は、磁性体層（磁性体含有樹脂１１１）が形成された可撓性基板１１０を、磁性を有する非可撓性基板３００に磁力を用いて仮保持する工程である。

　次に、表示部形成工程が行われる（Ｓ１３０）。表示部形成工程では、表示部としての有機ＥＬ構成層２１０が形成される。具体的には、表示部形成工程では、可撓性基板１１０上に、図２のアクティブ素子層１２０、平坦化絶縁層１２２、有機ＥＬ層１３０が、この順で積層される。ここで、可撓性基板１１０上とは、可撓性基板１１０において磁性体含有樹脂１１１が形成されていない側の面上である。

　これにより、図２のように、可撓性基板１１０上に、有機ＥＬ構成層２１０が形成される（（図４（ｃ）参照））。

　すなわち、磁石３２０により仮保持された可撓性基板１１０の上に、有機ＥＬ構成層２１０が形成される。

　そして、図４（ｃ）に示されるように、有機ＥＬ構成層２１０を覆うように封止層１４０が形成される。そして、封止層１４０の上部に封止部材１５０が形成される。

　これにより、磁性体含有樹脂１１１上に、有機ＥＬ素子１００が形成される。

　次に、磁石取り外し工程が行われる（Ｓ１４０）。磁石取り外し工程では、図４（ｄ）に示されるように、磁力により支持基板３１０に固定されている磁石３２０が、支持基板３１０から取り外される。したがって、磁性体含有樹脂１１１と支持基板３１０とは、容易に分離することができる。

　そして、基板分離工程が行われる（Ｓ１５０）。基板分離工程では、図４（ｅ）に示されるように、下部に磁性体含有樹脂１１１が形成される有機ＥＬ素子１００が、非可撓性基板３００の一部の支持基板３１０から分離される。有機ＥＬ素子１００は、可撓性基板１１０を含む。

　すなわち、基板分離工程は、有機ＥＬ構成層２１０が形成された可撓性基板１１０を、非可撓性基板３００から分離する工程である。

　次に、樹脂除去工程が行われる（Ｓ１６０）。樹脂除去工程では、図４（ｆ）に示されるように、磁性体含有樹脂１１１を、溶剤１０につけることにより、磁性体含有樹脂１１１を溶かす。溶剤１０は、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）である。磁性体含有樹脂１１１は、溶剤１０につける方法以外に、溶剤１０により洗い流す等の方法によって、溶かすこともできる。

　すなわち、磁性体層としての磁性体含有樹脂１１１の少なくとも一部は溶剤を用いて溶解される。つまり、樹脂除去工程は、非可撓性基板３００から分離された可撓性基板１１０から磁性体層としての磁性体含有樹脂１１１を分離する工程である。

　なお、溶剤１０は、ＤＭＦに限定されることなく、磁性体含有樹脂１１１を溶かすことが可能な溶剤であれば他の溶剤であってもよい。

　上記樹脂除去工程により、有機ＥＬ素子１００の製造が終了する（（図４（ｇ）参照））。

　以上、本実施の形態によれば、磁力を利用して、可撓性基板１１０を含む磁性体層形成基板の下部に非可撓性基板３００が固定されることにより、可撓性基板１１０は、撓まないようになる。この状態で、可撓性基板１１０の上部に有機ＥＬ構成層２１０が形成される。したがって、高い精度で、可撓性基板１１０の上部に有機ＥＬ構成層２１０を形成することができる。

　そして、有機ＥＬ構成層２１０が形成された後、磁石３２０が、支持基板３１０から取り外される。そして、磁性体含有樹脂１１１と支持基板３１０とが分離される。そして、磁性体含有樹脂１１１が溶解される。以上により、有機ＥＬ素子１００が製造される。

　したがって、可撓性基板、可撓性基板上に形成された有機ＥＬ部ならびに周辺配線を損傷させることなく、有機ＥＬ素子を製造することができる。

　さらに、製造された有機ＥＬ素子は、仮保持に用いた磁性体層を有しないため、磁性体層の物理的特性の影響を受けることがない。

　＜第２の実施の形態＞
　本実施の形態では、磁力を利用すると共に、接着剤を使用した有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。本実施の形態の製造方法により製造される有機ＥＬ素子は、図１（ａ）の有機ＥＬ素子１００である。

　図６は、第２の実施の形態における、有機ＥＬ素子１００の製造方法を説明するための図である。

　図７は、第２の実施の形態における、有機ＥＬ素子１００の製造方法の一例を示すフローチャートである。図７において、図５のステップ番号と同じステップ番号の処理は、第１の実施の形態で説明した処理と同様な処理が行われるので詳細な説明は繰り返さない。

　まず、接着材貼付け工程が行われる（Ｓ１０１Ａ）。接着材貼付け工程では、図６（ａ）に示されるように、可撓性基板１１０の表面の端部に、接着層としての接着剤１１２が設けられる。すなわち、可撓性基板１１０の表面の端部に接着層としての接着剤１１２が形成される。接着剤１１２の主な材料は、シリコーンである。

　すなわち、可撓性基板１１０の表面の一部に、接着層としての接着剤１１２が形成される。

　なお、接着剤１１２の材料は、シリコーンに限定されず、接着の用途に使用される材料であれば、他の材料であってもよい。

　なお、接着剤１１２が設けられる位置は、図６（ａ）に示される位置に限定されない。

　次に、磁性体含有樹脂生成工程が行われる（Ｓ１１０）。磁性体含有樹脂生成工程では、第１の実施の形態と同様な処理が行なわれるので、詳細な説明は繰り返さない。この工程により、磁性体含有樹脂１１１が生成される。

　次に、磁性体層形成工程Ａが行われる（Ｓ１１１Ａ）。磁性体層形成工程Ａでは、図４（ｂ）に示されるように、可撓性基板１１０の表面のうち、接着層（接着剤１１２）が形成された部分以外の表面に、磁性体層としての磁性体含有樹脂１１１が塗布される。

　そして、紫外線（ＵＶ）等を使用することにより、磁性体含有樹脂１１１が硬化される。すなわち、磁性体層形成工程Ａにより、可撓性基板１１０の表面のうち、接着層（接着剤１１２）が形成された部分以外の可撓性基板１１０の表面に磁性体層（磁性体含有樹脂１１１）が形成される。

　次に、基板固定工程Ａが行われる（Ｓ１２０Ａ）。基板固定工程Ａでは、非可撓性基板３００に、磁性体層形成基板が固定される（貼り合わせられる）。磁性体層形成基板は、前述したように、表面に磁性体層（磁性体含有樹脂１１１）が形成された可撓性基板１１０である。

　具体的には、基板固定工程Ａでは、図６（ｃ）に示されるように、反転させた磁性体層形成基板の下部に非可撓性基板３００が接着層（接着剤１１２）により固定される。すなわち、基板固定工程Ａは、可撓性基板１１０を非可撓性基板３００に接着層（接着剤１１２）を介して固定する工程である。

　なお、基板固定工程Ａと同時に、磁性体層（磁性体含有樹脂１１１）が形成された可撓性基板１１０が、磁性を有する非可撓性基板３００に磁力を用いて仮保持される。すなわち、基板固定工程Ａと、図５の基板固定工程とは同時に行われる。

　なお、基板固定工程Ａは、基板固定工程の前または後に行われてもよい。つまり、基板固定工程Ａは、基板固定工程と同時若しくはその前後に行われる。

　次に、表示部形成工程が行われる（Ｓ１３０）。表示部形成工程では、第１の実施の形態と同様な処理が行われるので詳細な説明は繰り返さない。この工程により、図６（ｄ）に示されるように、可撓性基板１１０上に、有機ＥＬ構成層２１０、封止層１４０および封止部材１５０が形成される。ここで、可撓性基板１１０上とは、可撓性基板１１０において磁性体含有樹脂１１１が形成されていない側の面上である。

　なお、有機ＥＬ構成層２１０は、磁性体含有樹脂１１１の上方に形成される。すなわち、有機ＥＬ構成層２１０は、可撓性基板１１０の表面のうち、接着層（接着剤１１２）が形成された部分以外の可撓性基板１１０の表面の上方に形成される。

　次に、磁石取り外し工程が行われる（Ｓ１４０）。磁石取り外し工程では、第１の実施の形態と同様な処理が行われるので詳細な説明は繰り返さない。

　次に、切断工程が行われる（Ｓ１４１Ａ）。切断工程では、カッター等の切断部材を用いて、図６（ｅ）に示される切断線ＣＬ１，ＣＬ２の部分が切断される。

　切断線ＣＬ１，ＣＬ２は、図６（ｅ）に示されるように、有機ＥＬ構成層２１０の外部であって、かつ、接着層（接着剤１１２）の内部に設けられる。また、切断線ＣＬ１，ＣＬ２は、支持基板３１０の表面から上方に向かって設けられる。

　なお、切断線ＣＬ１，ＣＬ２は、支持基板３１０の表面に触れず、かつ、磁性体含有樹脂１１１の一部を切断可能な程度に、磁性体含有樹脂１１１の下部から上方に向かって設けられてもよい。

　切断工程により、図６（ｆ）に示される、下部に磁性体含有樹脂１１１が形成される有機ＥＬ素子１００が、支持基板３１０から分離可能な状態となる。以下においては、図６（ｆ）に示される、下部に磁性体含有樹脂１１１が形成される有機ＥＬ素子１００を、磁性体含有樹脂保持パネルという。

　切断工程が行われる前は、磁性体含有樹脂保持パネルに含まれる可撓性基板１１０と、非可撓性基板３００の一部の支持基板３１０とが接着層（接着剤１１２）により固定されている。したがって、切断工程は、可撓性基板１１０と非可撓性基板３００とが接着層を介して固定された部分を除去する工程である。

　次に、第１の実施の形態と同様に、基板分離工程が行われる（Ｓ１５０）。基板分離工程では、図６（ｆ）に示されるように、磁性体含有樹脂保持パネルが、非可撓性基板３００の一部の支持基板３１０から分離される。

　なお、切断工程は、基板分離工程の前に行われることに限定されず、基板分離工程と同時に行われてもよい。すなわち、切断工程は、基板分離工程と同時若しくはその前に行なわれる。

　次に、樹脂除去工程が行われる（Ｓ１６０）。樹脂除去工程では、第１の実施の形態と同様な処理が行われるので詳細な説明は繰り返さない（（図６（ｇ）参照））。

　上記樹脂除去工程により、有機ＥＬ素子１００の製造が終了する（（図６（ｈ）参照））。

　そして、有機ＥＬ構成層２１０が形成された後、磁性体含有樹脂１１１と支持基板３１０とが分離される。そして、磁性体含有樹脂１１１が溶解される。以上により、有機ＥＬ素子１００が製造される。

　したがって、本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様な効果が得られる。すなわち、可撓性基板、可撓性基板上に形成された有機ＥＬ部ならびに周辺配線を損傷させることなく、有機ＥＬ素子を製造することができると共に、製造された有機ＥＬ素子は、磁性体層の物理的特性の影響を受けることがない。

　さらに、第２の実施の形態においては、磁力に加えて接着剤を併用しているので、可撓性基板をより確実に保持することができる。

　（表示装置の外観図）
　図８は、有機ＥＬ素子１００または有機ＥＬ素子１００Ａを備える表示装置１０００の外観図である。

　以上、本発明における有機ＥＬ素子について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したもの、あるいは異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の範囲内に含まれる。

　今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

　本発明は、可撓性基板を備える有機ＥＬ素子の製造過程において、可撓性基板、可撓性基板上に形成された有機ＥＬ部ならびに周辺配線を損傷させることがないと共に、製造された有機ＥＬ素子が磁性体層の物理的特性の影響を受けることがない、有機ＥＬ素子の製造方法として、利用することができる。

１０　溶剤
１００，１００Ａ　有機ＥＬ素子
１１０　可撓性基板
１１１　磁性体含有樹脂
１１２　接着剤
１２０　アクティブ素子層
１２１　ＴＦＴ
１２２　平坦化絶縁層
１３０　有機ＥＬ層
１３０Ａ　有機層
１３０Ｄ　下部電極
１３０Ｕ　上部電極
１３１　正孔注入層
１３２　正孔輸送層
１３３　発光層
１３４　電子輸送層
１３５　電子注入層
１４０　封止層
１５０　封止部材
２１０　有機ＥＬ構成層
３００　非可撓性基板
３１０　支持基板
３２０　磁石
１０００　表示装置

Claims

　可撓性基板を備えた有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子の製造方法であって、
　前記可撓性基板の表面の少なくとも一部に磁性体層を形成するステップと、
　前記磁性体層が形成された前記可撓性基板を、磁性を有する非可撓性基板に磁力を用いて仮保持するステップと、
　前記仮保持された可撓性基板の上に、有機ＥＬ部を構成する層を形成するステップと、
　前記有機ＥＬ部を構成する層が形成された可撓性基板を、前記非可撓性基板から分離するステップと、
　前記非可撓性基板から分離された前記可撓性基板から前記磁性体層を分離するステップとを含む、
　有機ＥＬ素子の製造方法。
　前記磁性体層は、磁性体粒子を含む樹脂で形成されている、
　請求項１に記載された有機ＥＬ素子の製造方法。
　前記可撓性基板は、樹脂で形成されている、
　請求項１又は請求項２に記載された有機ＥＬ素子の製造方法。
　前記非可撓性基板は、磁石層を含む、
　請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載された有機ＥＬ素子の製造方法。
　前記非可撓性基板は、さらに、ガラス基板層を含む、
　請求項４に記載された有機ＥＬ素子の製造方法。
　前記有機ＥＬ部を構成する層が、アクティブ素子層、平坦化絶縁層、有機ＥＬ層の内の少なくとも一つを含む、
　請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載された有機ＥＬ素子の製造方法。
　前記可撓性基板から前記磁性体層を分離するステップにおいて、該磁性体層の少なくとも一部を溶剤を用いて溶解させる、
　請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載された有機ＥＬ素子の製造方法。
　さらに、前記可撓性基板の表面の一部に接着層を形成するステップと、
　前記可撓性基板を前記非可撓性基板に前記接着層を介して固定するステップと、
　前記可撓性基板と前記非可撓性基板とが前記接着層を介して固定された部分を除去するステップとを含み、
　前記可撓性基板の表面に磁性体層を形成するステップでは、前記可撓性基板の表面のうち、前記接着層が形成された部分以外の前記可撓性基板の表面に前記磁性体層が形成され、
　前記可撓性基板を前記非可撓性基板に前記接着層を介して固定するステップは、前記可撓性基板を前記非可撓性基板に磁力を用いて仮保持するステップと同時若しくはその前後に行われ、
　前記可撓性基板と前記非可撓性基板とが前記接着層を介して固定された部分を除去するステップは、前記可撓性基板を、前記非可撓性基板から分離するステップと同時若しくはその前に行われる、
　請求項１に記載された有機ＥＬ素子の製造方法。