WO2011104919A1

WO2011104919A1 - 脱硫設備の石膏脱水装置

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Publication number: WO2011104919A1
Application number: PCT/JP2010/067172
Authority: WO
Inventors: 伊藤　栄基; 直行神山; 筒井　誠; 晴治香川; 立人長安; 紀和稲葉
Original assignee: 三菱重工業株式会社
Priority date: 2010-02-26
Filing date: 2010-09-30
Publication date: 2011-09-01
Also published as: EP2540669A4; US20120285326A1; JP2011177615A; JP5314620B2; CN102741168A; US8795516B2; CN102741168B; EP2540669A1

Abstract

　排ガスＧ中の硫黄酸化物を吸収塔１内にて吸収液Ａ中の石灰石に吸収させる脱硫設備１０５に設置されており、硫黄酸化物を吸収して吸収塔１から供給される石膏スラリーＳＳを脱水して石膏ケーキＳＣとするベルトフィルタ２２と、ベルトフィルタ２２を介して石膏ケーキＳＣの水分を吸引する真空吸引機構２３とを備えた石膏脱水装置２において、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣの水分濃度を測定する水分測定手段Ｈ１と、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣを温水または蒸気により加温する加温手段２５と、水分測定手段Ｈ１から入力された石膏ケーキＳＣの水分濃度が所定量を超えた場合、加温手段２５による加温状態を制御する制御手段２６とを備える。

Description

脱硫設備の石膏脱水装置

　本発明は、石灰石膏法を用いた脱硫設備において石膏ケーキの脱水を行う石膏脱水装置に関する。

　排ガス中のＳＯ_２を石灰石膏法にて脱硫処理する脱硫設備では、脱硫過程で生成された石膏スラリーを脱水して石膏を得る石膏脱水装置が適用されている。石膏脱水装置の方式の一つにベルトフィルタがあり、該脱水装置は、濾布をベルト状に配置し、該ベルト下部に真空ポンプおよび減圧機構を備え、濾布ベルトを水平方向に進行させつつベルト上に供給した石膏スラリーからベルト下部より真空吸引することにより水分を脱水するものである。しかし、石膏スラリー中には、微細な不純物、例えば、シリカ（ＳｉＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、未燃カーボンなどからなる微粒子ダストが含まれている。このため、石膏スラリーから水分が抜き出されつつ均一な厚みで形成されるベルトフィルタ上の石膏ケーキの表面の最上層に、微粒子ダストの層が形成されると、真空吸引する際の通気性を悪化させ、脱水性能の低下を引き起こす。脱水性能が低下すると、石膏ケーキの付着性が増し搬送過程で周囲に付着する問題が生じることから品質が基準（例えば、１０ｗｔ％）を満たさず、製品石膏として売却することができなくなるため、産業廃棄物として処理する処理費用を要すことになる。

　そこで、従来、例えば、特許文献１に記載のベルトフィルタでは、櫛歯状のせきをベルトフィルタの長手方向に複数段設け、該せきの下端が石膏ケーキの上層に掛かるようにして石膏ケーキの表面に形成される微粒子層をかき乱すことで脱水性を向上させるようにしている。

特開平１１－１２８６７０号公報

　ところが、上述した特許文献１に記載のベルトフィルタでは、上記石膏スラリー中の不純物や塩濃度が過多となると、せきによりかき乱した部分に石膏スラリーが流入して、脱水性を再び阻害してしまい、期待する効果が得られないおそれがある。

　本発明は上述した課題を解決するものであり、脱水性能を維持することのできる脱硫設備の石膏脱水装置を提供することを目的とする。

　上述の目的を達成するために、本発明の脱硫設備の石膏脱水装置は、排ガス中の硫黄酸化物を吸収塔内にて吸収液中の石灰石に吸収させる脱硫設備に設置されており、前記硫黄酸化物を吸収して前記吸収塔から供給される石膏スラリーを脱水して石膏ケーキとするベルトフィルタと、前記ベルトフィルタを介して前記石膏ケーキの水分を吸引する真空吸引機構とを備えた石膏脱水装置において、前記ベルトフィルタにより脱水される前記石膏ケーキの水分濃度を測定する水分測定手段と、前記ベルトフィルタにより脱水される前記石膏ケーキを温水または蒸気により加温する加温手段と、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超えた場合、前記加温手段による加温状態を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする。

　この脱硫設備の石膏脱水装置によれば、ベルトフィルタにおける脱水後の石膏ケーキ中の水分濃度を水分測定手段を用いて測定し常に監視することで、脱水不足をいち早く把握し、脱水不足を早期に回復させるので、石膏ケーキを脱水する脱水性能を維持することができる。

　また、本発明の脱硫設備の石膏脱水装置では、前記真空吸引機構による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段をさらに備え、前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記吸引圧力測定手段からの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記加温手段による加温状態を制御することを特徴とする。

　この脱硫設備の石膏脱水装置によれば、石膏ケーキを脱水する脱水性能を維持することができ、しかも、吸引圧力測定手段からの入力値により、脱水性能低下の初期兆候を把握することができる。

　また、本発明の脱硫設備の石膏脱水装置では、前記吸収塔内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段をさらに備え、前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記不純物塩濃度測定手段からの入力が所定の設定値を逸脱した場合、前記加温手段による加温状態を制御することを特徴とする。

　この脱硫設備の石膏脱水装置によれば、石膏ケーキを脱水する脱水性能を維持することができ、しかも、不純物塩濃度測定手段からの入力値により、脱水性能低下の初期兆候を把握することができる。

　また、本発明の脱硫設備の石膏脱水装置では、前記石膏ケーキのろ過比抵抗を測定するろ過比抵抗測定手段をさらに備え、前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記ろ過比抵抗測定手段からの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記加温手段による加温状態を制御することを特徴とする。

　この脱硫設備の石膏脱水装置によれば、石膏ケーキを脱水する脱水性能を維持することができ、しかも、ろ過比抵抗測定手段からの入力値により、脱水性能低下の初期兆候を把握することができる。

　また、本発明の脱硫設備の石膏脱水装置では、前記真空吸引機構による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段と、前記吸収塔内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段と、をさらに備え、前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記吸引圧力測定手段と前記不純物塩濃度測定手段との少なくとも１つからの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記加温手段による加温状態を制御することを特徴とする。

　この脱硫設備の石膏脱水装置によれば、石膏ケーキを脱水する脱水性能を維持することができ、しかも、吸引圧力測定手段と不純物塩濃度測定手段との少なくとも１つからの入力値により、脱水性能低下の初期兆候を把握することができる。

　また、本発明の脱硫設備の石膏脱水装置では、前記真空吸引機構による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段と、前記吸収塔内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段と、前記石膏ケーキのろ過比抵抗を測定するろ過比抵抗測定手段と、をさらに備え、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記吸引圧力測定手段と前記不純物塩濃度測定手段と前記ろ過比抵抗測定手段との少なくとも１つからの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記加温手段による加温状態を制御することを特徴とする。

　この脱硫設備の石膏脱水装置によれば、石膏ケーキを脱水する脱水性能を維持することができ、しかも、吸引圧力測定手段と不純物塩濃度測定手段とろ過比抵抗測定手段との少なくとも１つからの入力値により、脱水性能低下の初期兆候を把握することができる。

　上述の目的を達成するために、本発明の脱硫設備の石膏脱水装置は、排ガス中の硫黄酸化物を吸収塔内にて吸収液中の石灰石に吸収させる脱硫設備に設置されており、前記硫黄酸化物を吸収して前記吸収塔から供給される石膏スラリーを脱水して石膏ケーキとするベルトフィルタと、前記ベルトフィルタを介して前記石膏ケーキの水分を吸引する真空吸引機構とを備えた石膏脱水装置において、前記ベルトフィルタにより脱水される前記石膏ケーキの水分濃度を測定する水分測定手段と、前記ベルトフィルタによるベルト進行速度を可変する速度可変手段と、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超えた場合、前記速度可変手段によるベルト進行速度を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする。

　また、本発明の脱硫設備の石膏脱水装置では、前記真空吸引機構による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段をさらに備え、前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記吸引圧力測定手段からの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記速度可変手段によるベルト進行速度を制御することを特徴とする。

　また、本発明の脱硫設備の石膏脱水装置では、前記吸収塔内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段をさらに備え、前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記不純物塩濃度測定手段からの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記速度可変手段によるベルト進行速度を制御することを特徴とする。

　また、本発明の脱硫設備の石膏脱水装置では、前記石膏ケーキのろ過比抵抗を測定するろ過比抵抗測定手段をさらに備え、前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記ろ過比抵抗測定手段からの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記速度可変手段によるベルト進行速度を制御することを特徴とする。

　また、本発明の脱硫設備の石膏脱水装置では、前記真空吸引機構による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段と、前記吸収塔内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段と、をさらに備え、前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記吸引圧力測定手段と前記不純物塩濃度測定手段の少なくとも１つからの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記速度可変手段によるベルト進行速度を制御することを特徴とする。

　また、本発明の脱硫設備の石膏脱水装置では、前記真空吸引機構による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段と、前記吸収塔内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段と、前記石膏ケーキのろ過比抵抗を測定するろ過比抵抗測定手段と、をさらに備え、前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記吸引圧力測定手段と前記不純物塩濃度測定手段と前記ろ過比抵抗測定手段との少なくとも１つからの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記速度可変手段によるベルト進行速度を制御することを特徴とする。

　上述の目的を達成するために、本発明の脱硫設備の石膏脱水装置は、排ガス中の硫黄酸化物を吸収塔内にて吸収液中の石灰石に吸収させる脱硫設備に設置されており、前記硫黄酸化物を吸収して前記吸収塔から供給される石膏スラリーを脱水して石膏ケーキとするベルトフィルタと、前記ベルトフィルタを介して前記石膏ケーキの水分を吸引する真空吸引機構とを備えた石膏脱水装置において、前記ベルトフィルタにより脱水される前記石膏ケーキの水分濃度を測定する水分測定手段と、前記ベルトフィルタにより脱水される前記石膏ケーキを温水または蒸気により加温する加温手段と、前記ベルトフィルタによるベルト進行速度を可変する速度可変手段と、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超えた場合、前記加温手段による加温状態と前記速度可変手段によるベルト進行速度とを共に制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする。

　また、本発明の脱硫設備の石膏脱水装置では、前記真空吸引機構による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段をさらに備え、前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記吸引圧力測定手段からの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記加温手段による加温状態と前記速度可変手段によるベルト進行速度とを共に制御することを特徴とする。

　また、本発明の脱硫設備の石膏脱水装置では、前記吸収塔内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段をさらに備え、前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記不純物塩濃度測定手段からの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記加温手段による加温状態と前記速度可変手段によるベルト進行速度とを共に制御することを特徴とする。

　また、本発明の脱硫設備の石膏脱水装置では、前記石膏ケーキのろ過比抵抗を測定するろ過比抵抗測定手段をさらに備え、前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記ろ過比抵抗測定手段からの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記加温手段による加温状態と前記速度可変手段によるベルト進行速度とを共に制御することを特徴とする。

　また、本発明の脱硫設備の石膏脱水装置では、前記真空吸引機構による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段と、前記吸収塔内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段と、をさらに備え、前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記吸引圧力測定手段と前記不純物塩濃度測定手段との少なくとも１つからの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記加温手段による加温状態と前記速度可変手段によるベルト進行速度とを共に制御することを特徴とする。

　また、本発明の脱硫設備の石膏脱水装置では、前記真空吸引機構による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段と、前記吸収塔内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段と、前記石膏ケーキのろ過比抵抗を測定するろ過比抵抗測定手段と、をさらに備え、前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記吸引圧力測定手段と前記不純物塩濃度測定手段と前記ろ過比抵抗測定手段との少なくとも１つからの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記加温手段による加温状態と前記速度可変手段によるベルト進行速度とを共に制御することを特徴とする。

　また、本発明の脱硫設備の石膏脱水装置では、前記石膏ケーキの表面温度を測定する表面温度測定手段をさらに備え、前記制御手段は、前記表面温度測定手段から入力された表面温度が所定値以下でない場合、前記加温手段による加温を減らす制御をすることを特徴とする。

　この脱硫設備の石膏脱水装置によれば、石膏ケーキの表面温度が所定値以下に維持される。これにより、蒸気の凝縮による水分過多を防ぎ、石膏ケーキに水分が増す事態を抑制できる。

　また、本発明の脱硫設備の石膏脱水装置では、前記吸収塔における前記硫黄酸化物の吸収量を測定する脱硫量測定手段と、前記ベルトフィルタにより脱水される前記石膏ケーキの搬送量を可変する搬送量可変手段と、前記ベルトフィルタによるベルト進行速度を可変する速度可変手段と、をさらに備え、前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超えても、前記吸引圧力測定手段と前記不純物塩濃度測定手段と前記ろ過比抵抗測定手段との各入力値が所定の設定値を逸脱しない場合には、前記脱硫量測定手段から入力された吸収量が所定量を超えた場合に、前記搬送量可変手段による搬送量の増加と前記速度可変手段によるベルト進行速度とを共に制御することを特徴とする。

　この脱硫設備の石膏脱水装置によれば、石膏ケーキを脱水する脱水性能を維持することができ、しかも、吸引圧力測定手段と不純物塩濃度測定手段とろ過比抵抗測定手段との少なくとも１つからの入力値により、脱水性能低下の初期兆候の把握がし難い場合であっても、脱硫量測定手段からの入力値により脱水性能低下の初期兆候を把握することができる。

　本発明によれば、脱水性能を低下させる要因を未然に排除することで、脱水性能を維持することができる。

図１は、脱硫設備が適用される排ガス処理システムの概略図である。図２は、本発明の実施の形態１に係る脱硫設備の石膏脱水装置の概略図である。図３は、本発明の実施の形態１に係る脱硫設備の石膏脱水装置における制御のフローチャートである。図４は、本発明の実施の形態２に係る脱硫設備の石膏脱水装置の概略図である。図５は、本発明の実施の形態２に係る脱硫設備の石膏脱水装置における制御のフローチャートである。図６は、本発明の実施の形態３に係る脱硫設備の石膏脱水装置の概略図である。図７は、本発明の実施の形態３に係る脱硫設備の石膏脱水装置における制御のフローチャートである。図８は、本発明の実施の形態４に係る脱硫設備の石膏脱水装置の概略図である。図９は、本発明の実施の形態４に係る脱硫設備の石膏脱水装置における制御のフローチャートである。

　以下に、本発明に係る実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。また、下記実施の形態における構成要素には、当業者が置換可能かつ容易なもの、あるいは実質的に同一のものが含まれる。

［実施の形態１］
　本実施の形態について、図面を参照して説明する。図１は、実施の形態に係る脱硫設備が適用される排ガス処理システムの概略図である。

　図１に示すように、排ガス処理システム１００は、発電プラントや工場などのボイラ１０１から排出される排ガスＧが煙突１０８から放出される過程で、当該排ガスＧに含まれる窒素酸化物（ＮＯｘ）、煤塵、硫黄酸化物（ＳＯｘ）および二酸化炭素（ＣＯ_２）を除去するものである。

　ボイラ１０１から排出された排ガスＧは、触媒が充填された脱硝設備１０２に導入される。脱硝設備１０２において、還元剤として注入されるアンモニア（ＮＨ_３）により、排ガスＧに含まれる窒素酸化物が水と窒素とに還元され無害化される。

　脱硝設備１０２を経た排ガスＧは、ガスガスヒータの熱交換器である熱回収設備１０３に導入され、熱媒体（水など）と熱交換を行うことにより、熱回収される。熱回収設備１０３を経た排ガスＧの温度は、例えば、９０～１００℃となり電気集塵機１０４での集塵能力が向上される。

　熱回収設備１０３を経た排ガスＧは、電気集塵機１０４に導入され煤塵が除去される。

　電気集塵機１０４を経た排ガスＧは、脱硫設備１０５に導入される。脱硫設備１０５では、石灰石（ＣａＣＯ_３）により、排ガスＧ中の硫黄酸化物が吸収除去され、副生成物として石膏（ＣａＳＯ_４．２Ｈ_２Ｏ）が生成される。そして、脱硫設備１０５を経た排ガスＧの温度は、一般に５０℃程に低下する。

　脱硫設備１０５を経た排ガスＧは、ガスガスヒータの熱交換器である再加熱設備１０６に導入される。再加熱設備１０６は、上記熱回収設備１０３との間で熱媒体を循環する過程で、熱回収設備１０３により回収された回収熱により排ガスＧを加熱する。排ガスＧは、脱硫設備１０５を経た５０℃程の温度では、低温のため拡散しにくく白煙になるおそれがあるが、再加熱設備１０６で９０℃に再加熱されることで、白煙を生じることなく煙突１０８から大気開放される。

　再加熱設備１０６を経た排ガスＧは、脱炭設備１０７に導入される。脱炭設備１０７では、排ガスＧ中の二酸化炭素（ＣＯ_２）を、石灰石を含む吸収液（ＣａＣＯ_３）に吸収させることで、排ガスＧから二酸化炭素を除去する。

　上述の脱硫設備１０５について図を参照して説明する。図２は、本実施の形態の脱硫設備の石膏脱水装置を示す概略図である。図２に示すように、脱硫設備１０５は、吸収塔１に、石膏脱水装置２が付設されている。

　吸収塔１は、本実施の形態では、上部から排ガスＧを導入する入側液柱塔１ａと、上部から脱硫処理済みの排ガスＧを排出する出側液柱塔１ｂとを並設し、これらを底部の貯留タンク１ｃで連通して構成されている。

　吸収塔１は、貯留タンク１ｃに石灰石を含む吸収液（以下、吸収液という）Ａが貯留されている。この吸収液Ａは、吸収液循環ポンプ１ｄにより圧送されつつ、液柱塔１ａ，１ｂの外部の吸収液ヘッダ１ｅを経て各液柱塔１ａ，１ｂ内のノズル１ｆに供給される。ノズル１ｆに供給された吸収液Ａは、上方に向かって液柱状に噴射された後、流下して貯留タンク１ｃに再び貯留される。なお、貯留タンク１ｃには、攪拌機１ｇが設けられており、当該攪拌機１ｇにより吸収液Ａが攪拌されることにより、吸収液Ａ中の石膏粒子および石灰石粒子の沈降を防止している。

　一方、排ガスＧは、入側液柱塔１ａの上部から導入されて下方に向かって流れ、貯留タンク１ｃ上方の空間部を通過してこの出側液柱塔１ｂに移動する。その後、この出側液柱塔１ｂを上方に向かって流れる。その際、各液柱塔１ａ，１ｂ内を流動する排ガスＧに、ノズル１ｆから噴射されつつ下流する吸収液Ａが向流接触する。このため、排ガスＧ中の硫黄酸化物が吸収液Ａに吸収され、排ガスＧから除去される。硫黄酸化物が除去された排ガスＧは、出側液柱塔１ｂの上部から排出されて次の設備に送られる。

　なお、吸収塔は、２つの液柱塔１ａ，１ｂを並設した構成に限らず、例えば、図には明示しないが、下方部から導入した排ガスＧを、上部から排出する間で、吸収液に接触される１つの液柱塔により構成されていてもよい。また、吸収液Ａと排ガスＧとの接触には、上述した向流接触の他、流下する吸収液Ａに対して排ガスＧが並行して流される並流接触や、向流接触と並流接触とを組み合わせた向・並流接触がある。

　石膏脱水装置２は、吸収塔１の貯留タンク１ｃから、吸収液Ａが硫黄酸化物を吸収した石膏スラリーＳＳを抜き出す抜出部２１と、抜出部２１から供給される石膏スラリーＳＳから脱水し均一な厚さの石膏ケーキＳＣを形成するベルトフィルタ２２と、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣから水分を吸引する真空吸引機構２３とを備えている。

　抜出部２１は、貯留タンク１ｃに一端が接続され他端がベルトフィルタ２２に至る抜出管２１ａの途中に、抜出ポンプ２１ｂが設けられている。すなわち、貯留タンク１ｃ内の石膏スラリーＳＳは、抜出ポンプ２１ｂにより圧送されて抜出管２１ａを経てベルトフィルタ２２に供給される。また、抜出管２１ａは、抜出ポンプ２１ｂの下流側にバルブ２１ｃが設けられている。バルブ２１ｃは、抜出管２１ａを通過する石膏スラリーＳＳの流量を増減し、ベルトフィルタ２２への石膏スラリーＳＳの供給量を調整する。また、抜出管２１ａは、バルブ２１ｃの下流側に、貯留タンク１ｃに至り分岐して接続された戻管２１ｄが設けられている。戻管２１ｄは、貯留タンク１ｃから抜出管２１ａを経て抜き出された石膏スラリーＳＳの一部を、貯留タンク１ｃに戻す。さらに、戻管２１ｄは、バルブ２１ｅが設けられている。バルブ２１ｅは、戻管２１ｄを経て貯留タンク１ｃに戻される石膏スラリーＳＳの流量を増減し、貯留タンク１ｃへの石膏スラリーＳＳの戻り量を調整する。

　ベルトフィルタ２２は、濾布からなるフィルタが無端状のベルト２２ａと、当該ベルト２２ａを架け回す少なくとも１対のローラ２２ｂと、ローラ２２ｂを回転駆動することでベルト２２ａを循環させるモータなどの駆動部２２ｃとで構成されている。ベルト２２ａの上には、抜出部２１により石膏スラリーＳＳが供給される。このため、石膏スラリーＳＳがベルト２２ａの循環方向に搬送される。また、図には明示しないが、ベルトフィルタ２２は、石膏スラリーＳＳが供給されるベルト２２ａの上流側で、当該石膏スラリーＳＳを脱水し均一な厚さの石膏ケーキＳＣを形成するように構成されている。なお、駆動部２２ｃは、後述する実施の形態２，３，４において、ベルトフィルタ２２によるベルト進行速度を可変する速度可変手段として構成されている。

　真空吸引機構２３は、ベルトフィルタ２２により石膏スラリーＳＳが石膏ケーキＳＣとして脱水される範囲にて、ベルトフィルタ２２のベルト２２ａがローラ２２ｂにより架け回された内部に設けられた吸引口部２３ａと、吸引口部２３ａに対して管で接続された気液分離部２３ｂと、気液分離部２３ｂに対して管で接続された吸気ポンプ２３ｃおよび吸水ポンプ２３ｄとを備えている。すなわち、吸気ポンプ２３ｃにより、気液分離部２３ｂを介して吸引口部２３ａに負圧が付与されることで、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣから水分が吸引される。吸引された水分は、吸引口部２３ａから気液分離部２３ｂのタンク下部に貯留される。吸気ポンプ２３ｃは、気液分離部２３ｂのタンク上部に接続されており、タンク下部に貯留された水分を吸引することはない。一方、気液分離部２３ｂのタンク下部に貯留された水分は、当該タンク下部に接続された吸水ポンプ２３ｄにより吸引されて排水される。

　このように、石膏脱水装置２は、抜出部２１により吸収塔１の貯留タンク１ｃから石膏スラリーＳＳを抜き出し、ベルトフィルタ２２により石膏スラリーＳＳを脱水して石膏ケーキＳＣとし、真空吸引機構２３により石膏ケーキＳＣの水分を吸引することで脱水された石膏Ｓを得る。また、ベルトフィルタ２２の下流には、脱水された石膏Ｓを受けるホッパ２４が設けられており、このホッパ２４から石膏Ｓが排出される。

　また、本実施の形態の石膏脱水装置２は、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣを加温する加温手段２５を備えている。加温手段２５は、石膏ケーキＳＣに対して温水を噴霧する温水加温式と、石膏ケーキＳＣに対して蒸気を噴霧する蒸気加温式とがある。

　温水加温式の加温手段２５は、上水道から流量調整バルブを介して供給された水を貯留する水タンク２５ａと、水タンク２５ａに一端が接続され、ベルトフィルタ２２に至る他端にノズルが設けられた供給管２５ｂと、供給管２５ｂの途中に設けられた給水ポンプ２５ｃと、供給管２５ｂの途中に設けられて蒸気の熱により供給管２５ｂの水を加温する加温部２５ｄとを備えている。供給管２５ｂの他端側は、複数（本実施の形態では２つ）に分岐して形成されている。そして、供給管２５ｂの分岐された各他端は、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣの搬送方向に沿って多段（本実施の形態では２段）にノズルが配置されるように設けられている。なお、図には明示しないが、供給管２５ｂのノズルは、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣの搬送方向に直交して配置されたノズル管に、石膏ケーキＳＣの幅方向に対応して噴射口が複数設けられている。また、供給管２５ｂの分岐された各他端側には、流量調整バルブ２５ｅや開閉バルブ２５ｆが設けられている。流量調整バルブ２５ｅは、供給管２５ｂの分岐された各他端側の少なくとも１つに設けられている。開閉バルブ２５ｆは、その他の他端側に設けられている。

　この温水加温式の加温手段２５は、水タンク２５ａに貯留された水が、給水ポンプ２５ｃにより供給管２５ｂを介してベルトフィルタ２２に至る過程で、加温部２５ｄにより加温された温水となり、ベルトフィルタ２２の石膏ケーキＳＣに対してノズルから噴霧されることで、石膏ケーキＳＣが加温される。また、加温手段２５は、供給管２５ｂの他端側が複数に分岐され、石膏ケーキＳＣの搬送方向に沿ってノズルが多段に設けられていることで、複数段のノズルから温水を噴射させ石膏ケーキＳＣを加温する加温温度が高められる（Ｑ２）。また、流量調整バルブ２５ｅによりノズルから噴射される温水の流量を増加調整して石膏ケーキＳＣを加温する加温温度が高められる（Ｑ１）。さらに、複数段のノズルから温水を噴射させ、かつ流量調整バルブ２５ｅによりノズルから噴射される温水の流量を増加調整して石膏ケーキＳＣの温度が高められる（Ｑ１＋Ｑ２）。

　蒸気加温式の加温手段２５は、上述した加温部２５ｄの蒸気を供給管２５ｂに直接供給する。この蒸気加温式の加温手段２５は、加温部２５ｄの蒸気がベルトフィルタ２２の石膏ケーキＳＣに対してノズルから噴霧されることで、石膏ケーキＳＣが加温される。また、加温手段２５は、供給管２５ｂの他端側が複数に分岐され、石膏ケーキＳＣの搬送方向に沿ってノズルが多段に設けられていることで、複数段のノズルから蒸気を噴射させ石膏ケーキＳＣを加温する加温温度が高められる（Ｑ２）。また、流量調整バルブ２５ｅによりノズルから噴射される蒸気の流量を増加調整して石膏ケーキＳＣを加温する加温温度が高められる（Ｑ１）。さらに、複数段のノズルから蒸気を噴射させ、かつ流量調整バルブ２５ｅによりノズルから噴射される蒸気の流量を増加調整して石膏ケーキＳＣの温度が高められる（Ｑ１＋Ｑ２）。

　また、石膏脱水装置２は、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣの水分濃度を測定する水分測定手段Ｈ１を備えている。水分測定手段Ｈ１は、例えば、非接触で水分を計る赤外線式がある。この水分測定手段Ｈ１は、ベルトフィルタ２２において脱水された石膏Ｓをホッパ２４に供給する直前に配置されている。

　また、石膏脱水装置２は、ベルトフィルタ２２の真空圧、すなわち真空吸引機構２３における吸気ポンプ２３ｃの吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段Ｐ１を備えている。

　また、石膏脱水装置２は、吸収塔１の吸収液Ａ中の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段Ｃ１を備えている。不純物としては、例えば、ＣｌやＭｇなどであり、この塩濃度を測定する。不純物塩濃度測定手段Ｃ１は、吸収塔１内の吸収液Ａの電導度と塩濃度との相関を予め取得し、電導度を測定することで塩濃度を推定する。

　また、石膏脱水装置２は、石膏ケーキＳＣのろ過比抵抗を測定するろ過比抵抗測定手段αを備えている。ろ過比抵抗測定手段αは、抜出部２１の抜出管２１ａの途中に設けられ、抜出管２１ａに流通する石膏スラリーＳＳを一部取り出し、公知の式に準じてろ過比抵抗、すなわちろ過し易さの度合いを測定する。

　また、石膏脱水装置２は、石膏ケーキＳＣの表面温度を測定する表面温度測定手段Ｔ２を備えている。表面温度測定手段Ｔ２は、例えば、非接触で表面温度を計る赤外線式がある。この表面温度測定手段Ｔ２は、ベルトフィルタ２２において脱水された直後の石膏Ｓを受けるホッパ２４に配置されている。

　上述した水分測定手段Ｈ１、吸引圧力測定手段Ｐ１、不純物塩濃度測定手段Ｃ１、ろ過比抵抗測定手段α、および表面温度測定手段Ｔ２の測定データは、制御手段２６に入力される。制御手段２６は、電算機などで構成されている。制御手段２６は、ＲＡＭやＲＯＭなどから構成されてプログラムやデータが格納される記憶部（図示せず）が設けられている。記憶部に格納されるデータは、水分測定手段Ｈ１、吸引圧力測定手段Ｐ１、不純物塩濃度測定手段Ｃ１、ろ過比抵抗測定手段α、および表面温度測定手段Ｔ２で測定される値に対応する設定値がある。水分測定手段Ｈ１の設定値は、例えば、１０ｗｔ％であり、石膏Ｓの品質基準を示す。吸引圧力測定手段Ｐ１、不純物塩濃度測定手段Ｃ１、および、ろ過比抵抗測定手段αの設定値は、石膏Ｓの品質基準を満たすように石膏脱水装置２を稼動する際に設定されたものである。また、制御手段２６は、加温手段２５の流量調整バルブ２５ｅおよび開閉バルブ２５ｆが接続されている。この制御手段２６は、水分測定手段Ｈ１、吸引圧力測定手段Ｐ１、不純物塩濃度測定手段Ｃ１、ろ過比抵抗測定手段α、および表面温度測定手段Ｔ２からの入力値に基づき、記憶部に格納されたプログラムやデータに従って、加温手段２５の流量調整バルブ２５ｅや開閉バルブ２５ｆを制御する。

　制御手段２６による制御について、図３のフローチャートを参照して説明する。

　図３に示すように、まず、制御手段２６は、水分測定手段Ｈ１から石膏ケーキＳＣの水分濃度を入力する（ステップＳＴ１）。次に、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％以上である場合（ステップＳＴ２：Ｙｅｓ）、制御手段２６は、吸引圧力測定手段Ｐ１からベルトフィルタ２２の真空圧を入力し（ステップＳＴ３）、不純物塩濃度測定手段Ｃ１から吸収塔１内の塩濃度を入力し（ステップＳＴ４）、ろ過比抵抗測定手段αから石膏ケーキＳＣのろ過比抵抗を入力する（ステップＳＴ５）。次に、真空圧が設定値よりも増加（ステップＳＴ６：Ｙｅｓ）、塩濃度が設定値よりも増加（ステップＳＴ７：Ｙｅｓ）、ろ過比抵抗が設定値よりも増加（ステップＳＴ８：Ｙｅｓ）、のすくなくとも１つである場合、制御手段２６は、加温手段２５による加温を増す制御をする（ステップＳＴ９）。すなわち、制御手段２６は、流量調整バルブ２５ｅや開閉バルブ２５ｆを開方向に制御し、複数段のノズルから温水または蒸気を噴射するか（Ｑ２）、ノズルから噴射される温水または蒸気の流量を増加調整するか（Ｑ１）、複数段のノズルから温水または蒸気を噴射し、かつノズルから噴射される温水または蒸気の流量を増加調整する（Ｑ１＋Ｑ２）ことで石膏ケーキＳＣを加温する加温温度を高める。

　石膏ケーキＳＣを加温する加温温度を高めることで、塩が溶解されるので、水粘度が低下され、石膏ケーキＳＣからの水分の吸引性が高まり、脱水性能が回復する。

　次に、制御手段２６は、水分測定手段Ｈ１から石膏ケーキＳＣの水分濃度を入力する（ステップＳＴ１０）。次に、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％未満である場合（ステップＳＴ１１：Ｙｅｓ）、制御手段２６は、表面温度測定手段Ｔ２から石膏ケーキＳＣの表面温度を入力する（ステップＳＴ１２）。次に、石膏ケーキＳＣの表面温度が所定値以下である場合（ステップＳＴ１３：Ｙｅｓ）、制御手段２６は、加温手段２５を制御初期の状態に戻し（ステップＳＴ１４）、本制御を終了する。

　一方、ステップＳＴ１３において、石膏ケーキＳＣの表面温度が所定値以下でない場合（ステップＳＴ１３：Ｎｏ）、制御手段２６は、加温手段２５による加温を減らす制御をする（ステップＳＴ１５）。すなわち、制御手段２６は、流量調整バルブ２５ｅや開閉バルブ２５ｆを閉方向に制御し、ノズルの段数を減らすか、ノズルから噴射される温水または蒸気の流量を減少調整するか、ノズルの段数を減らし、かつノズルから噴射される温水または蒸気の流量を減少調整することで石膏ケーキＳＣを加温する加温温度を下げる。次に、制御手段２６は、ステップＳＴ１０に戻り、水分測定手段Ｈ１から石膏ケーキＳＣの水分濃度を入力する。

　石膏ケーキＳＣの表面温度を所定値以下に維持することで、特に蒸気の凝縮による水分過多を防ぎ、石膏ケーキＳＣに水分が増す事態を抑制できる。

　なお、ステップＳＴ１１において、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％未満でない場合（ステップＳＴ１１：Ｎｏ）、ステップＳＴ９に戻る。また、ステップＳＴ６において真空圧が設定値よりも増加していない場合であり（ステップＳＴ６：Ｎｏ）、ステップＳＴ７において塩濃度が設定値よりも増加していない場合であり（ステップＳＴ７：Ｎｏ）、ステップＳＴ８においてろ過比抵抗が設定値よりも増加していない場合（ステップＳＴ８：Ｎｏ）には、後述の実施の形態４の制御に移行する。

　このように、実施の形態１の脱硫設備の石膏脱水装置は、排ガスＧ中の硫黄酸化物を吸収塔１内にて吸収液Ａ中の石灰石に吸収させる脱硫設備１０５に設置されており、硫黄酸化物を吸収して吸収塔１から供給される石膏スラリーＳＳを脱水して石膏ケーキＳＣとするベルトフィルタ２２と、ベルトフィルタ２２を介して石膏ケーキＳＣの水分を吸引する真空吸引機構２３とを備えた石膏脱水装置２において、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣの水分濃度を測定する水分測定手段Ｈ１と、真空吸引機構２３による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段Ｐ１と、吸収塔１内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段Ｃ１と、石膏ケーキＳＣのろ過比抵抗を測定するろ過比抵抗測定手段αと、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣを温水または蒸気により加温する加温手段２５と、水分測定手段Ｈ１から入力された石膏ケーキＳＣの水分濃度が所定量を超え、かつ吸引圧力測定手段Ｐ１と不純物塩濃度測定手段Ｃ１とろ過比抵抗測定手段αとの少なくとも１つからの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、加温手段２５による加温状態を制御する制御手段２６とを備える。

　この脱硫設備の石膏脱水装置によれば、ベルトフィルタ２２における脱水後の石膏ケーキＳＣ中の水分濃度を水分測定手段Ｈ１を用いて測定し常に監視することで、脱水不足をいち早く把握し、脱水不足を早期に回復させるので、石膏ケーキＳＣを脱水する脱水性能を維持することが可能になる。しかも、吸引圧力測定手段Ｐ１と不純物塩濃度測定手段Ｃ１とろ過比抵抗測定手段αとの少なくとも１つからの入力値により、脱水性能低下の初期兆候を把握することが可能である。

　なお、上述した制御手段２６による制御において、ステップＳＴ２で、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％以上である場合（ステップＳＴ２：Ｙｅｓ）、制御手段２６は、吸引圧力測定手段Ｐ１からベルトフィルタ２２の真空圧のみを入力し（ステップＳＴ３）、不純物塩濃度測定手段Ｃ１からの吸収塔１内の塩濃度の入力（ステップＳＴ４）、および、ろ過比抵抗測定手段αからの石膏ケーキＳＣのろ過比抵抗の入力（ステップＳＴ５）を行わなくてもよい。すなわち、吸引圧力測定手段Ｐ１からのベルトフィルタ２２の真空圧の入力により制御を行う。

　すなわち、本実施の形態１の脱硫設備の石膏脱水装置は、排ガスＧ中の硫黄酸化物を吸収塔１内にて吸収液Ａ中の石灰石に吸収させる脱硫設備１０５に設置されており、硫黄酸化物を吸収して吸収塔１から供給される石膏スラリーＳＳを脱水して石膏ケーキＳＣとするベルトフィルタ２２と、ベルトフィルタ２２を介して石膏ケーキＳＣの水分を吸引する真空吸引機構２３とを備えた石膏脱水装置２において、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣの水分濃度を測定する水分測定手段Ｈ１と、真空吸引機構２３による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段Ｐ１と、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣを温水または蒸気により加温する加温手段２５と、水分測定手段Ｈ１から入力された石膏ケーキＳＣの水分濃度が所定量を超え、かつ吸引圧力測定手段Ｐ１からの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、加温手段２５による加温状態を制御する制御手段２６とを備える。

　この脱硫設備の石膏脱水装置によれば、ベルトフィルタ２２における脱水後の石膏ケーキＳＣ中の水分濃度を水分測定手段Ｈ１を用いて測定し常に監視することで、脱水不足をいち早く把握し、脱水不足を早期に回復させるので、石膏ケーキＳＣを脱水する脱水性能を維持することが可能になる。しかも、吸引圧力測定手段Ｐ１からの入力値により、脱水性能低下の初期兆候を把握することが可能である。

　なお、上述した制御手段２６による制御において、ステップＳＴ２で、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％以上である場合（ステップＳＴ２：Ｙｅｓ）、制御手段２６は、不純物塩濃度測定手段Ｃ１から吸収塔１内の塩濃度のみを入力し（ステップＳＴ４）、吸引圧力測定手段Ｐ１からのベルトフィルタ２２の真空圧の入力（ステップＳＴ３）、および、ろ過比抵抗測定手段αからの石膏ケーキＳＣのろ過比抵抗の入力（ステップＳＴ５）を行わなくてもよい。すなわち、不純物塩濃度測定手段Ｃ１からの吸収塔１内の塩濃度の入力により制御を行う。

　このように、実施の形態１の脱硫設備の石膏脱水装置は、排ガスＧ中の硫黄酸化物を吸収塔１内にて吸収液Ａ中の石灰石に吸収させる脱硫設備１０５に設置されており、硫黄酸化物を吸収して吸収塔１から供給される石膏スラリーＳＳを脱水して石膏ケーキＳＣとするベルトフィルタ２２と、ベルトフィルタ２２を介して石膏ケーキＳＣの水分を吸引する真空吸引機構２３とを備えた石膏脱水装置２において、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣの水分濃度を測定する水分測定手段Ｈ１と、吸収塔１内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段Ｃ１と、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣを温水または蒸気により加温する加温手段２５と、水分測定手段Ｈ１から入力された石膏ケーキＳＣの水分濃度が所定量を超え、かつ不純物塩濃度測定手段Ｃ１からの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、加温手段２５による加温状態を制御する制御手段２６とを備える。

　この脱硫設備の石膏脱水装置によれば、ベルトフィルタ２２における脱水後の石膏ケーキＳＣ中の水分濃度を水分測定手段Ｈ１を用いて測定し常に監視することで、脱水不足をいち早く把握し、脱水不足を早期に回復させるので、石膏ケーキＳＣを脱水する脱水性能を維持することが可能になる。しかも、不純物塩濃度測定手段Ｃ１からの入力値により、脱水性能低下の初期兆候を把握することが可能である。

　なお、上述した制御手段２６による制御において、ステップＳＴ２で、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％以上である場合（ステップＳＴ２：Ｙｅｓ）、制御手段２６は、ろ過比抵抗測定手段αから石膏ケーキＳＣのろ過比抵抗のみを入力し（ステップＳＴ５）、吸引圧力測定手段Ｐ１からのベルトフィルタ２２の真空圧の入力（ステップＳＴ３）、および、不純物塩濃度測定手段Ｃ１からの吸収塔１内の塩濃度の入力（ステップＳＴ４）を行わなくてもよい。すなわち、ろ過比抵抗測定手段αからの石膏ケーキＳＣのろ過比抵抗の入力により制御を行う。

　このように、実施の形態１の脱硫設備の石膏脱水装置は、排ガスＧ中の硫黄酸化物を吸収塔１内にて吸収液Ａ中の石灰石に吸収させる脱硫設備１０５に設置されており、硫黄酸化物を吸収して吸収塔１から供給される石膏スラリーＳＳを脱水して石膏ケーキＳＣとするベルトフィルタ２２と、ベルトフィルタ２２を介して石膏ケーキＳＣの水分を吸引する真空吸引機構２３とを備えた石膏脱水装置２において、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣの水分濃度を測定する水分測定手段Ｈ１と、石膏ケーキＳＣのろ過比抵抗を測定するろ過比抵抗測定手段αと、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣを温水または蒸気により加温する加温手段２５と、水分測定手段Ｈ１から入力された石膏ケーキＳＣの水分濃度が所定量を超え、かつろ過比抵抗測定手段αからの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、加温手段２５による加温状態を制御する制御手段２６とを備える。

　この脱硫設備の石膏脱水装置によれば、ベルトフィルタ２２における脱水後の石膏ケーキＳＣ中の水分濃度を水分測定手段Ｈ１を用いて測定し常に監視することで、脱水不足をいち早く把握し、脱水不足を早期に回復させるので、石膏ケーキＳＣを脱水する脱水性能を維持することが可能になる。しかも、ろ過比抵抗測定手段αからの入力値により、脱水性能低下の初期兆候を把握することが可能である。

　また、上述した制御手段２６による制御において、ステップＳＴ２で、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％以上である場合（ステップＳＴ２：Ｙｅｓ）、制御手段２６は、吸引圧力測定手段Ｐ１からベルトフィルタ２２の真空圧を入力し（ステップＳＴ３）、不純物塩濃度測定手段Ｃ１から吸収塔１内の塩濃度を入力して（ステップＳＴ４）、ろ過比抵抗測定手段αからの石膏ケーキＳＣのろ過比抵抗の入力（ステップＳＴ５）を行わなくてもよい。すなわち、吸引圧力測定手段Ｐ１からのベルトフィルタ２２の真空圧の入力、および不純物塩濃度測定手段Ｃ１からの吸収塔１内の塩濃度の入力により制御を行う。

　このように、実施の形態１の脱硫設備の石膏脱水装置は、排ガスＧ中の硫黄酸化物を吸収塔１内にて吸収液Ａ中の石灰石に吸収させる脱硫設備１０５に設置されており、硫黄酸化物を吸収して吸収塔１から供給される石膏スラリーＳＳを脱水して石膏ケーキＳＣとするベルトフィルタ２２と、ベルトフィルタ２２を介して石膏ケーキＳＣの水分を吸引する真空吸引機構２３とを備えた石膏脱水装置２において、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣの水分濃度を測定する水分測定手段Ｈ１と、真空吸引機構２３による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段Ｐ１と、吸収塔１内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段Ｃ１と、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣを温水または蒸気により加温する加温手段２５と、水分測定手段Ｈ１から入力された石膏ケーキＳＣの水分濃度が所定量を超え、かつ吸引圧力測定手段Ｐ１と不純物塩濃度測定手段Ｃ１との少なくとも１つからの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、加温手段２５による加温状態を制御する制御手段２６とを備える。

　この脱硫設備の石膏脱水装置によれば、ベルトフィルタ２２における脱水後の石膏ケーキＳＣ中の水分濃度を水分測定手段Ｈ１を用いて測定し常に監視することで、脱水不足をいち早く把握し、脱水不足を早期に回復させるので、石膏ケーキＳＣを脱水する脱水性能を維持することが可能になる。しかも、吸引圧力測定手段Ｐ１と不純物塩濃度測定手段Ｃ１との少なくとも１つからの入力値により、脱水性能低下の初期兆候を把握することが可能である。

　なお、上述した制御手段２６による制御において、ステップＳＴ２で、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％以上である場合（ステップＳＴ２：Ｙｅｓ）、制御手段２６は、ステップＳＴ９に移行して、加温手段２５による加温を増す制御をしてもよい。すなわち、ステップＳＴ３～ステップＳＴ８の制御をしなくてもよい。

　このように、実施の形態１の脱硫設備の石膏脱水装置は、排ガスＧ中の硫黄酸化物を吸収塔１内にて吸収液Ａ中の石灰石に吸収させる脱硫設備１０５に設置されており、硫黄酸化物を吸収して吸収塔１から供給される石膏スラリーＳＳを脱水して石膏ケーキＳＣとするベルトフィルタ２２と、ベルトフィルタ２２を介して石膏ケーキＳＣの水分を吸引する真空吸引機構２３とを備えた石膏脱水装置２において、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣの水分濃度を測定する水分測定手段Ｈ１と、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣを温水または蒸気により加温する加温手段２５と、水分測定手段Ｈ１から入力された石膏ケーキＳＣの水分濃度が所定量を超えた場合、加温手段２５による加温状態を制御する制御手段２６とを備える。

　この脱硫設備の石膏脱水装置によれば、ベルトフィルタ２２における脱水後の石膏ケーキＳＣ中の水分濃度を水分測定手段Ｈ１を用いて測定し常に監視することで、脱水不足をいち早く把握し、脱水不足を早期に回復させるので、石膏ケーキＳＣを脱水する脱水性能を維持することが可能になる。

［実施の形態２］
　本実施の形態について、図面を参照して説明する。図４は、本実施の形態の脱硫設備の石膏脱水装置を示す概略図である。なお、以下に説明する実施の形態２において、上述した実施の形態１と同等の構成には同一の符号を付してその説明を省略する。

　図４に示すように、本実施の形態の石膏脱水装置２は、上述した実施の形態１の石膏脱水装置における加温手段２５を備えていない。この石膏脱水装置２は、ベルトフィルタ２２において、駆動部２２ｃが、ローラ２２ｂの回転速度を可変することで、ベルト２２ａによるベルト進行速度を可変する速度可変手段として構成されている。速度可変手段は、ローラ２２ｂの回転速度を加速させることで、ベルト進行速度（Ｖ１）を速くし、これにより石膏ケーキＳＣの厚み（Ｄ１）を減少させる。逆に、速度可変手段は、ローラ２２ｂの回転速度を減速させることで、ベルト進行速度（Ｖ１）を遅くし、これにより石膏ケーキＳＣの厚み（Ｄ１）を増加させる。

　上述した水分測定手段Ｈ１、吸引圧力測定手段Ｐ１、不純物塩濃度測定手段Ｃ１、および、ろ過比抵抗測定手段αの測定データは、制御手段２６に入力される。制御手段２６は、電算機などで構成されている。制御手段２６は、ＲＡＭやＲＯＭなどから構成されてプログラムやデータが格納される記憶部（図示せず）が設けられている。記憶部に格納されるデータは、水分測定手段Ｈ１、吸引圧力測定手段Ｐ１、不純物塩濃度測定手段Ｃ１、および、ろ過比抵抗測定手段αで測定される値に対応する設定値がある。水分測定手段Ｈ１の設定値は、例えば、１０ｗｔ％であり、石膏Ｓの品質基準を示す。吸引圧力測定手段Ｐ１、不純物塩濃度測定手段Ｃ１、および、ろ過比抵抗測定手段αの設定値は、石膏Ｓの品質基準を満たすように石膏脱水装置２を稼動する際に設定されたものである。また、制御手段２６は、ベルトフィルタ２２の駆動部（速度可変手段）２２ｃが接続されている。この制御手段２６は、水分測定手段Ｈ１、吸引圧力測定手段Ｐ１、不純物塩濃度測定手段Ｃ１、および、ろ過比抵抗測定手段αからの入力値に基づき、記憶部に格納されたプログラムやデータに従って、ベルトフィルタ２２の駆動部２２ｃを制御する。

　制御手段２６による制御について、図５のフローチャートを参照して説明する。

　図５に示すように、まず、制御手段２６は、水分測定手段Ｈ１から石膏ケーキＳＣの水分濃度を入力する（ステップＳＴ２１）。次に、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％以上である場合（ステップＳＴ２２：Ｙｅｓ）、制御手段２６は、吸引圧力測定手段Ｐ１からベルトフィルタ２２の真空圧を入力し（ステップＳＴ２３）、不純物塩濃度測定手段Ｃ１から吸収塔１内の塩濃度を入力し（ステップＳＴ２４）、ろ過比抵抗測定手段αから石膏ケーキＳＣのろ過比抵抗を入力する（ステップＳＴ２５）。次に、真空圧が設定値よりも増加（ステップＳＴ２６：Ｙｅｓ）、塩濃度が設定値よりも増加（ステップＳＴ２７：Ｙｅｓ）、ろ過比抵抗が設定値よりも増加（ステップＳＴ２８：Ｙｅｓ）、のすくなくとも１つである場合、制御手段２６は、速度可変手段によるベルト進行速度の制御をする（ステップＳＴ２９）。すなわち、制御手段２６は、ベルトフィルタ２２の駆動部２２ｃを制御してローラ２２ｂの回転速度を加速させることで、ベルト進行速度（Ｖ１）を速くし、これにより石膏ケーキＳＣの厚み（Ｄ１）を減少させる。

　石膏ケーキＳＣの厚み（Ｄ１）を減少させると、ろ過比抵抗が低下することから、脱水性能が回復する。

　次に、制御手段２６は、水分測定手段Ｈ１から石膏ケーキＳＣの水分濃度を入力する（ステップＳＴ３０）。次に、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％未満である場合（ステップＳＴ３１：Ｙｅｓ）、制御手段２６は、速度可変手段を制御初期の状態に戻し（ステップＳＴ３２）、本制御を終了する。

　なお、ステップＳＴ３１において、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％未満でない場合（ステップＳＴ３１：Ｎｏ）、ステップＳＴ２９に戻る。また、ステップＳＴ２６において真空圧が設定値よりも増加していない場合であり（ステップＳＴ２６：Ｎｏ）、ステップＳＴ２７において塩濃度が設定値よりも増加していない場合であり（ステップＳＴ２７：Ｎｏ）、ステップＳＴ２８においてろ過比抵抗が設定値よりも増加していない場合（ステップＳＴ２８：Ｎｏ）には、後述の実施の形態４の制御に移行する。

　このように、実施の形態２の脱硫設備の石膏脱水装置は、排ガスＧ中の硫黄酸化物を吸収塔１内にて吸収液Ａ中の石灰石に吸収させる脱硫設備１０５に設置されており、硫黄酸化物を吸収して吸収塔１から供給される石膏スラリーＳＳを脱水して石膏ケーキＳＣとするベルトフィルタ２２と、ベルトフィルタ２２を介して石膏ケーキＳＣの水分を吸引する真空吸引機構２３とを備えた石膏脱水装置２において、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣの水分濃度を測定する水分測定手段Ｈ１と、真空吸引機構２３による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段Ｐ１と、吸収塔１内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段Ｃ１と、石膏ケーキＳＣのろ過比抵抗を測定するろ過比抵抗測定手段αと、ベルトフィルタ２２によるベルト進行速度を可変する速度可変手段（駆動部２２ｃ）と、水分測定手段Ｈ１から入力された石膏ケーキＳＣの水分濃度が所定量を超え、かつ吸引圧力測定手段Ｐ１と不純物塩濃度測定手段Ｃ１とろ過比抵抗測定手段αとの少なくとも１つからの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、速度可変手段によるベルト進行速度を制御する制御手段２６とを備える。

　なお、上述した制御手段２６による制御において、ステップＳＴ２２で、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％以上である場合（ステップＳＴ２２：Ｙｅｓ）、制御手段２６は、吸引圧力測定手段Ｐ１からベルトフィルタ２２の真空圧のみを入力し（ステップＳＴ２３）、不純物塩濃度測定手段Ｃ１からの吸収塔１内の塩濃度の入力（ステップＳＴ２４）、および、ろ過比抵抗測定手段αからの石膏ケーキＳＣのろ過比抵抗の入力（ステップＳＴ２５）を行わなくてもよい。すなわち、吸引圧力測定手段Ｐ１からのベルトフィルタ２２の真空圧の入力により制御を行う。

　すなわち、本実施の形態２の脱硫設備の石膏脱水装置は、排ガスＧ中の硫黄酸化物を吸収塔１内にて吸収液Ａ中の石灰石に吸収させる脱硫設備１０５に設置されており、硫黄酸化物を吸収して吸収塔１から供給される石膏スラリーＳＳを脱水して石膏ケーキＳＣとするベルトフィルタ２２と、ベルトフィルタ２２を介して石膏ケーキＳＣの水分を吸引する真空吸引機構２３とを備えた石膏脱水装置２において、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣの水分濃度を測定する水分測定手段Ｈ１と、真空吸引機構２３による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段Ｐ１と、ベルトフィルタ２２によるベルト進行速度を可変する速度可変手段（駆動部２２ｃ）と、水分測定手段Ｈ１から入力された石膏ケーキＳＣの水分濃度が所定量を超え、かつ吸引圧力測定手段Ｐ１からの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、速度可変手段によるベルト進行速度を制御する制御手段２６とを備える。

　なお、上述した制御手段２６による制御において、ステップＳＴ２２で、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％以上である場合（ステップＳＴ２２：Ｙｅｓ）、制御手段２６は、不純物塩濃度測定手段Ｃ１から吸収塔１内の塩濃度のみを入力し（ステップＳＴ２４）、吸引圧力測定手段Ｐ１からのベルトフィルタ２２の真空圧の入力（ステップＳＴ２３）、および、ろ過比抵抗測定手段αからの石膏ケーキＳＣのろ過比抵抗の入力（ステップＳＴ２５）を行わなくてもよい。すなわち、不純物塩濃度測定手段Ｃ１からの吸収塔１内の塩濃度の入力により制御を行う。

　このように、実施の形態２の脱硫設備の石膏脱水装置は、排ガスＧ中の硫黄酸化物を吸収塔１内にて吸収液Ａ中の石灰石に吸収させる脱硫設備１０５に設置されており、硫黄酸化物を吸収して吸収塔１から供給される石膏スラリーＳＳを脱水して石膏ケーキＳＣとするベルトフィルタ２２と、ベルトフィルタ２２を介して石膏ケーキＳＣの水分を吸引する真空吸引機構２３とを備えた石膏脱水装置２において、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣの水分濃度を測定する水分測定手段Ｈ１と、吸収塔１内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段Ｃ１と、ベルトフィルタ２２によるベルト進行速度を可変する速度可変手段（駆動部２２ｃ）と、水分測定手段Ｈ１から入力された石膏ケーキＳＣの水分濃度が所定量を超え、かつ不純物塩濃度測定手段Ｃ１からの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、速度可変手段によるベルト進行速度を制御する制御手段２６とを備える。

　なお、上述した制御手段２６による制御において、ステップＳＴ２２で、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％以上である場合（ステップＳＴ２２：Ｙｅｓ）、制御手段２６は、ろ過比抵抗測定手段αから石膏ケーキＳＣのろ過比抵抗のみを入力し（ステップＳＴ２５）、吸引圧力測定手段Ｐ１からのベルトフィルタ２２の真空圧の入力（ステップＳＴ２３）、および、不純物塩濃度測定手段Ｃ１からの吸収塔１内の塩濃度の入力（ステップＳＴ２４）を行わなくてもよい。すなわち、ろ過比抵抗測定手段αからの石膏ケーキＳＣのろ過比抵抗の入力により制御を行う。

　このように、実施の形態２の脱硫設備の石膏脱水装置は、排ガスＧ中の硫黄酸化物を吸収塔１内にて吸収液Ａ中の石灰石に吸収させる脱硫設備１０５に設置されており、硫黄酸化物を吸収して吸収塔１から供給される石膏スラリーＳＳを脱水して石膏ケーキＳＣとするベルトフィルタ２２と、ベルトフィルタ２２を介して石膏ケーキＳＣの水分を吸引する真空吸引機構２３とを備えた石膏脱水装置２において、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣの水分濃度を測定する水分測定手段Ｈ１と、石膏ケーキＳＣのろ過比抵抗を測定するろ過比抵抗測定手段αと、ベルトフィルタ２２によるベルト進行速度を可変する速度可変手段（駆動部２２ｃ）と、水分測定手段Ｈ１から入力された石膏ケーキＳＣの水分濃度が所定量を超え、かつろ過比抵抗測定手段αからの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、速度可変手段によるベルト進行速度を制御する制御手段２６とを備える。

　また、上述した制御手段２６による制御において、ステップＳＴ２２で、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％以上である場合（ステップＳＴ２２：Ｙｅｓ）、制御手段２６は、吸引圧力測定手段Ｐ１からベルトフィルタ２２の真空圧を入力し（ステップＳＴ２３）、不純物塩濃度測定手段Ｃ１から吸収塔１内の塩濃度を入力して（ステップＳＴ２４）、ろ過比抵抗測定手段αからの石膏ケーキＳＣのろ過比抵抗の入力（ステップＳＴ２５）を行わなくてもよい。すなわち、吸引圧力測定手段Ｐ１からのベルトフィルタ２２の真空圧の入力、および不純物塩濃度測定手段Ｃ１からの吸収塔１内の塩濃度の入力により制御を行う。

　このように、実施の形態２の脱硫設備の石膏脱水装置は、排ガスＧ中の硫黄酸化物を吸収塔１内にて吸収液Ａ中の石灰石に吸収させる脱硫設備１０５に設置されており、硫黄酸化物を吸収して吸収塔１から供給される石膏スラリーＳＳを脱水して石膏ケーキＳＣとするベルトフィルタ２２と、ベルトフィルタ２２を介して石膏ケーキＳＣの水分を吸引する真空吸引機構２３とを備えた石膏脱水装置２において、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣの水分濃度を測定する水分測定手段Ｈ１と、真空吸引機構２３による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段Ｐ１と、吸収塔１内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段Ｃ１と、ベルトフィルタ２２によるベルト進行速度を可変する速度可変手段（駆動部２２ｃ）と、水分測定手段Ｈ１から入力された石膏ケーキＳＣの水分濃度が所定量を超え、かつ吸引圧力測定手段Ｐ１と不純物塩濃度測定手段Ｃ１との少なくとも１つからの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、速度可変手段によるベルト進行速度を制御する制御手段２６とを備える。

　なお、上述した制御手段２６による制御において、ステップＳＴ２２で、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％以上である場合（ステップＳＴ２２：Ｙｅｓ）、制御手段２６は、ステップＳＴ２９に移行して、速度可変手段によるベルト進行速度の制御をしてもよい。すなわち、ステップＳＴ２３～ステップＳＴ２８の制御をしなくてもよい。

　このように、実施の形態２の脱硫設備の石膏脱水装置は、排ガスＧ中の硫黄酸化物を吸収塔１内にて吸収液Ａ中の石灰石に吸収させる脱硫設備１０５に設置されており、硫黄酸化物を吸収して吸収塔１から供給される石膏スラリーＳＳを脱水して石膏ケーキＳＣとするベルトフィルタ２２と、ベルトフィルタ２２を介して石膏ケーキＳＣの水分を吸引する真空吸引機構２３とを備えた石膏脱水装置２において、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣの水分濃度を測定する水分測定手段Ｈ１と、ベルトフィルタ２２によるベルト進行速度を可変する速度可変手段（駆動部２２ｃ）と、水分測定手段Ｈ１から入力された石膏ケーキＳＣの水分濃度が所定量を超えた場合、速度可変手段によるベルト進行速度を制御する制御手段２６とを備える。

［実施の形態３］
　本実施の形態について、図面を参照して説明する。図６は、本実施の形態の脱硫設備の石膏脱水装置を示す概略図である。なお、以下に説明する実施の形態３において、上述した実施の形態１と同等の構成には同一の符号を付してその説明を省略する。

　図６に示すように、本実施の形態の石膏脱水装置２は、上述した実施の形態１の石膏脱水装置における加温手段２５と、上述した実施の形態２の速度可変手段（駆動部２２ｃ）とを備えている。

　上述した水分測定手段Ｈ１、吸引圧力測定手段Ｐ１、不純物塩濃度測定手段Ｃ１、ろ過比抵抗測定手段α、および表面温度測定手段Ｔ２の測定データは、制御手段２６に入力される。制御手段２６は、電算機などで構成されている。制御手段２６は、ＲＡＭやＲＯＭなどから構成されてプログラムやデータが格納される記憶部（図示せず）が設けられている。記憶部に格納されるデータは、水分測定手段Ｈ１、吸引圧力測定手段Ｐ１、不純物塩濃度測定手段Ｃ１、ろ過比抵抗測定手段α、および表面温度測定手段Ｔ２で測定される値に対応する設定値がある。水分測定手段Ｈ１の設定値は、例えば、１０ｗｔ％であり、石膏Ｓの品質基準を示す。吸引圧力測定手段Ｐ１、不純物塩濃度測定手段Ｃ１、および、ろ過比抵抗測定手段αの設定値は、石膏Ｓの品質基準を満たすように石膏脱水装置２を稼動する際に設定されたものである。また、制御手段２６は、加温手段２５の流量調整バルブ２５ｅおよび開閉バルブ２５ｆと、ベルトフィルタ２２の駆動部（速度可変手段）２２ｃとが接続されている。この制御手段２６は、水分測定手段Ｈ１、吸引圧力測定手段Ｐ１、不純物塩濃度測定手段Ｃ１、ろ過比抵抗測定手段α、および表面温度測定手段Ｔ２からの入力値に基づき、記憶部に格納されたプログラムやデータに従って、加温手段２５の流量調整バルブ２５ｅや開閉バルブ２５ｆ、およびベルトフィルタ２２の駆動部２２ｃを制御する。

　制御手段２６による制御について、図７のフローチャートを参照して説明する。

　図７に示すように、まず、制御手段２６は、水分測定手段Ｈ１から石膏ケーキＳＣの水分濃度を入力する（ステップＳＴ４１）。次に、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％以上である場合（ステップＳＴ４２：Ｙｅｓ）、制御手段２６は、吸引圧力測定手段Ｐ１からベルトフィルタ２２の真空圧を入力し（ステップＳＴ４３）、不純物塩濃度測定手段Ｃ１から吸収塔１内の塩濃度を入力し（ステップＳＴ４４）、ろ過比抵抗測定手段αから石膏ケーキＳＣのろ過比抵抗を入力する（ステップＳＴ４５）。次に、真空圧が設定値よりも増加（ステップＳＴ４６：Ｙｅｓ）、塩濃度が設定値よりも増加（ステップＳＴ４７：Ｙｅｓ）、ろ過比抵抗が設定値よりも増加（ステップＳＴ４８：Ｙｅｓ）、のすくなくとも１つである場合、制御手段２６は、加温手段２５による加温を増す制御をする（ステップＳＴ４９）。すなわち、制御手段２６は、流量調整バルブ２５ｅや開閉バルブ２５ｆを開方向に制御し、複数段のノズルから温水または蒸気を噴射するか（Ｑ２）、ノズルから噴射される温水または蒸気の流量を増加調整するか（Ｑ１）、複数段のノズルから温水または蒸気を噴射し、かつノズルから噴射される温水または蒸気の流量を増加調整する（Ｑ１＋Ｑ２）ことで石膏ケーキＳＣを加温する加温温度を高める。さらに、制御手段２６は、速度可変手段によるベルト進行速度の制御をする（ステップＳＴ５０）。すなわち、制御手段２６は、ベルトフィルタ２２の駆動部２２ｃを制御してローラ２２ｂの回転速度を加速させることで、ベルト進行速度（Ｖ１）を速くし、これにより石膏ケーキＳＣの厚み（Ｄ１）を減少させる。

　石膏ケーキＳＣを加温する加温温度を高めることで、塩が溶解されるので、水粘度が低下され、石膏ケーキＳＣからの水分の吸引性が高まり、脱水性能が回復する。また、石膏ケーキＳＣの厚み（Ｄ１）を減少させると、ろ過比抵抗が低下することから、脱水性能が回復する。

　次に、制御手段２６は、水分測定手段Ｈ１から石膏ケーキＳＣの水分濃度を入力する（ステップＳＴ５１）。次に、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％未満である場合（ステップＳＴ５２：Ｙｅｓ）、制御手段２６は、表面温度測定手段Ｔ２から石膏ケーキＳＣの表面温度を入力する（ステップＳＴ５３）。次に、石膏ケーキＳＣの表面温度が所定値以下である場合（ステップＳＴ５４：Ｙｅｓ）、制御手段２６は、加温手段２５および速度可変手段を制御初期の状態に戻し（ステップＳＴ５５）、本制御を終了する。

　一方、ステップＳＴ５４において、石膏ケーキＳＣの表面温度が所定値以下でない場合（ステップＳＴ５４：Ｎｏ）、制御手段２６は、加温手段２５による加温を減らす制御をする（ステップＳＴ５６）。すなわち、制御手段２６は、流量調整バルブ２５ｅや開閉バルブ２５ｆを閉方向に制御し、ノズルの段数を減らすか、ノズルから噴射される温水または蒸気の流量を減少調整するか、ノズルの段数を減らし、かつノズルから噴射される温水または蒸気の流量を減少調整することで石膏ケーキＳＣを加温する加温温度を下げる。次に、制御手段２６は、ステップＳＴ５１に戻り、水分測定手段Ｈ１から石膏ケーキＳＣの水分濃度を入力する。

　なお、ステップＳＴ５２において、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％未満でない場合（ステップＳＴ５２：Ｎｏ）、ステップＳＴ４９に戻る。また、ステップＳＴ４６において真空圧が設定値よりも増加していない場合であり（ステップＳＴ４６：Ｎｏ）、ステップＳＴ４７において塩濃度が設定値よりも増加していない場合であり（ステップＳＴ４７：Ｎｏ）、ステップＳＴ４８においてろ過比抵抗が設定値よりも増加していない場合（ステップＳＴ４８：Ｎｏ）には、後述の実施の形態４の制御に移行する。

　このように、実施の形態３の脱硫設備の石膏脱水装置は、排ガスＧ中の硫黄酸化物を吸収塔１内にて吸収液Ａ中の石灰石に吸収させる脱硫設備１０５に設置されており、硫黄酸化物を吸収して吸収塔１から供給される石膏スラリーＳＳを脱水して石膏ケーキＳＣとするベルトフィルタ２２と、ベルトフィルタ２２を介して石膏ケーキＳＣの水分を吸引する真空吸引機構２３とを備えた石膏脱水装置２において、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣの水分濃度を測定する水分測定手段Ｈ１と、真空吸引機構２３による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段Ｐ１と、吸収塔１内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段Ｃ１と、石膏ケーキＳＣのろ過比抵抗を測定するろ過比抵抗測定手段αと、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣを温水または蒸気により加温する加温手段２５と、ベルトフィルタ２２によるベルト進行速度を可変する速度可変手段（駆動部２２ｃ）と、水分測定手段Ｈ１から入力された石膏ケーキＳＣの水分濃度が所定量を超え、かつ吸引圧力測定手段Ｐ１と不純物塩濃度測定手段Ｃ１とろ過比抵抗測定手段αとの少なくとも１つからの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、加温手段２５による加温状態と速度可変手段によるベルト進行速度とを共に制御する制御手段２６とを備える。

　なお、上述した制御手段２６による制御において、ステップＳＴ４２で、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％以上である場合（ステップＳＴ４２：Ｙｅｓ）、制御手段２６は、吸引圧力測定手段Ｐ１からベルトフィルタ２２の真空圧のみを入力し（ステップＳＴ４３）、不純物塩濃度測定手段Ｃ１からの吸収塔１内の塩濃度の入力（ステップＳＴ４４）、および、ろ過比抵抗測定手段αからの石膏ケーキＳＣのろ過比抵抗の入力（ステップＳＴ４５）を行わなくてもよい。すなわち、吸引圧力測定手段Ｐ１からのベルトフィルタ２２の真空圧の入力により制御を行う。

　すなわち、本実施の形態３の脱硫設備の石膏脱水装置は、排ガスＧ中の硫黄酸化物を吸収塔１内にて吸収液Ａ中の石灰石に吸収させる脱硫設備１０５に設置されており、硫黄酸化物を吸収して吸収塔１から供給される石膏スラリーＳＳを脱水して石膏ケーキＳＣとするベルトフィルタ２２と、ベルトフィルタ２２を介して石膏ケーキＳＣの水分を吸引する真空吸引機構２３とを備えた石膏脱水装置２において、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣの水分濃度を測定する水分測定手段Ｈ１と、真空吸引機構２３による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段Ｐ１と、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣを温水または蒸気により加温する加温手段２５と、ベルトフィルタ２２によるベルト進行速度を可変する速度可変手段（駆動部２２ｃ）と、水分測定手段Ｈ１から入力された石膏ケーキＳＣの水分濃度が所定量を超え、かつ吸引圧力測定手段Ｐ１からの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、加温手段２５による加温状態と速度可変手段によるベルト進行速度とを共に制御する制御手段２６とを備える。

　なお、上述した制御手段２６による制御において、ステップＳＴ４２で、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％以上である場合（ステップＳＴ４２：Ｙｅｓ）、制御手段２６は、不純物塩濃度測定手段Ｃ１から吸収塔１内の塩濃度のみを入力し（ステップＳＴ４４）、吸引圧力測定手段Ｐ１からのベルトフィルタ２２の真空圧の入力（ステップＳＴ４３）、および、ろ過比抵抗測定手段αからの石膏ケーキＳＣのろ過比抵抗の入力（ステップＳＴ４５）を行わなくてもよい。すなわち、不純物塩濃度測定手段Ｃ１からの吸収塔１内の塩濃度の入力により制御を行う。

　このように、実施の形態３の脱硫設備の石膏脱水装置は、排ガスＧ中の硫黄酸化物を吸収塔１内にて吸収液Ａ中の石灰石に吸収させる脱硫設備１０５に設置されており、硫黄酸化物を吸収して吸収塔１から供給される石膏スラリーＳＳを脱水して石膏ケーキＳＣとするベルトフィルタ２２と、ベルトフィルタ２２を介して石膏ケーキＳＣの水分を吸引する真空吸引機構２３とを備えた石膏脱水装置２において、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣの水分濃度を測定する水分測定手段Ｈ１と、吸収塔１内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段Ｃ１と、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣを温水または蒸気により加温する加温手段２５と、ベルトフィルタ２２によるベルト進行速度を可変する速度可変手段（駆動部２２ｃ）と、水分測定手段Ｈ１から入力された石膏ケーキＳＣの水分濃度が所定量を超え、かつ不純物塩濃度測定手段Ｃ１からの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、加温手段２５による加温状態と速度可変手段によるベルト進行速度とを共に制御する制御手段２６とを備える。

　なお、上述した制御手段２６による制御において、ステップＳＴ４２で、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％以上である場合（ステップＳＴ４２：Ｙｅｓ）、制御手段２６は、ろ過比抵抗測定手段αから石膏ケーキＳＣのろ過比抵抗のみを入力し（ステップＳＴ４５）、吸引圧力測定手段Ｐ１からのベルトフィルタ２２の真空圧の入力（ステップＳＴ４３）、および、不純物塩濃度測定手段Ｃ１からの吸収塔１内の塩濃度の入力（ステップＳＴ４４）を行わなくてもよい。すなわち、ろ過比抵抗測定手段αからの石膏ケーキＳＣのろ過比抵抗の入力により制御を行う。

　このように、実施の形態３の脱硫設備の石膏脱水装置は、排ガスＧ中の硫黄酸化物を吸収塔１内にて吸収液Ａ中の石灰石に吸収させる脱硫設備１０５に設置されており、硫黄酸化物を吸収して吸収塔１から供給される石膏スラリーＳＳを脱水して石膏ケーキＳＣとするベルトフィルタ２２と、ベルトフィルタ２２を介して石膏ケーキＳＣの水分を吸引する真空吸引機構２３とを備えた石膏脱水装置２において、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣの水分濃度を測定する水分測定手段Ｈ１と、石膏ケーキＳＣのろ過比抵抗を測定するろ過比抵抗測定手段αと、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣを温水または蒸気により加温する加温手段２５と、ベルトフィルタ２２によるベルト進行速度を可変する速度可変手段（駆動部２２ｃ）と、水分測定手段Ｈ１から入力された石膏ケーキＳＣの水分濃度が所定量を超え、かつろ過比抵抗測定手段αからの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、加温手段２５による加温状態と速度可変手段によるベルト進行速度とを共に制御する制御手段２６とを備える。

　また、上述した制御手段２６による制御において、ステップＳＴ４２で、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％以上である場合（ステップＳＴ４２：Ｙｅｓ）、制御手段２６は、吸引圧力測定手段Ｐ１からベルトフィルタ２２の真空圧を入力し（ステップＳＴ４３）、不純物塩濃度測定手段Ｃ１から吸収塔１内の塩濃度を入力して（ステップＳＴ４４）、ろ過比抵抗測定手段αからの石膏ケーキＳＣのろ過比抵抗の入力（ステップＳＴ４５）を行わなくてもよい。すなわち、吸引圧力測定手段Ｐ１からのベルトフィルタ２２の真空圧の入力、および不純物塩濃度測定手段Ｃ１からの吸収塔１内の塩濃度の入力により制御を行う。

　このように、実施の形態３の脱硫設備の石膏脱水装置は、排ガスＧ中の硫黄酸化物を吸収塔１内にて吸収液Ａ中の石灰石に吸収させる脱硫設備１０５に設置されており、硫黄酸化物を吸収して吸収塔１から供給される石膏スラリーＳＳを脱水して石膏ケーキＳＣとするベルトフィルタ２２と、ベルトフィルタ２２を介して石膏ケーキＳＣの水分を吸引する真空吸引機構２３とを備えた石膏脱水装置２において、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣの水分濃度を測定する水分測定手段Ｈ１と、真空吸引機構２３による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段Ｐ１と、吸収塔１内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段Ｃ１と、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣを温水または蒸気により加温する加温手段２５と、ベルトフィルタ２２によるベルト進行速度を可変する速度可変手段（駆動部２２ｃ）と、水分測定手段Ｈ１から入力された石膏ケーキＳＣの水分濃度が所定量を超え、かつ吸引圧力測定手段Ｐ１と不純物塩濃度測定手段Ｃ１との少なくとも１つからの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、加温手段２５による加温状態と速度可変手段によるベルト進行速度とを共に制御する制御手段２６とを備える。

　なお、上述した制御手段２６による制御において、ステップＳＴ４２で、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％以上である場合（ステップＳＴ４２：Ｙｅｓ）、制御手段２６は、ステップＳＴ４９に移行して、加温手段２５による加温状態の制御と速度可変手段によるベルト進行速度の制御とを共にしてもよい。すなわち、ステップＳＴ４３～ステップＳＴ４８の制御をしなくてもよい。

　このように、実施の形態３の脱硫設備の石膏脱水装置は、排ガスＧ中の硫黄酸化物を吸収塔１内にて吸収液Ａ中の石灰石に吸収させる脱硫設備１０５に設置されており、硫黄酸化物を吸収して吸収塔１から供給される石膏スラリーＳＳを脱水して石膏ケーキＳＣとするベルトフィルタ２２と、ベルトフィルタ２２を介して石膏ケーキＳＣの水分を吸引する真空吸引機構２３とを備えた石膏脱水装置２において、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣの水分濃度を測定する水分測定手段Ｈ１と、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣを温水または蒸気により加温する加温手段２５と、ベルトフィルタ２２によるベルト進行速度を可変する速度可変手段（駆動部２２ｃ）と、水分測定手段Ｈ１から入力された石膏ケーキＳＣの水分濃度が所定量を超えた場合、加温手段２５による加温状態と速度可変手段によるベルト進行速度とを共に制御する制御手段２６とを備える。

［実施の形態４］
　本実施の形態について、図面を参照して説明する。図８は、本実施の形態の脱硫設備の石膏脱水装置を示す概略図である。なお、以下に説明する実施の形態４において、上述した実施の形態１～３と同等の構成には同一の符号を付してその説明を省略する。

　図８に示すように、本実施の形態の石膏脱水装置２は、上述した実施の形態１，２，３において、吸収塔１における硫黄酸化物の吸収量を測定する脱硫量測定手段ΔＳＯ_２を備えている。脱硫量測定手段ΔＳＯ_２は、吸収塔１において排ガスＧの入口である入側液柱塔１ａの上部入口と、吸収塔１において排ガスＧの出口である出側液柱塔１ｂの上部出口とでのガス濃度（ＳＯ_２濃度）の計測により脱硫量を算出する。

　また、本実施の形態の石膏脱水装置２は、上述した実施の形態１，２，３において、ベルトフィルタ２２により脱水される石膏ケーキＳＣの搬送量を可変する搬送量可変手段を備えている。搬送量可変手段は、上述した抜出部２１であり、具体的にはバルブ２１ｃで構成される。すなわち、バルブ２１ｃにより、抜出管２１ａを通過する石膏スラリーＳＳの流量を増減し、ベルトフィルタ２２への石膏スラリーＳＳの供給量を調整して、ベルトフィルタ２２での石膏ケーキＳＣの搬送量を調整する。

　上述した水分測定手段Ｈ１、吸引圧力測定手段Ｐ１、不純物塩濃度測定手段Ｃ１、ろ過比抵抗測定手段α、および脱硫量測定手段ΔＳＯ_２の測定データは、制御手段２６に入力される。制御手段２６は、電算機などで構成されている。制御手段２６は、ＲＡＭやＲＯＭなどから構成されてプログラムやデータが格納される記憶部（図示せず）が設けられている。記憶部に格納されるデータは、水分測定手段Ｈ１、吸引圧力測定手段Ｐ１、不純物塩濃度測定手段Ｃ１、ろ過比抵抗測定手段α、および脱硫量測定手段ΔＳＯ_２で測定される値に対応する設定値がある。水分測定手段Ｈ１の設定値は、例えば、１０ｗｔ％であり、石膏Ｓの品質基準を示す。吸引圧力測定手段Ｐ１、不純物塩濃度測定手段Ｃ１、ろ過比抵抗測定手段α、および脱硫量測定手段ΔＳＯ_２の設定値は、石膏Ｓの品質基準を満たすように石膏脱水装置２を稼動する際に設定されたものである。また、制御手段２６は、ベルトフィルタ２２の駆動部（速度可変手段）２２ｃと、抜出部２１のバルブ（搬送量可変手段）２１ｃとが接続されている。この制御手段２６は、水分測定手段Ｈ１、吸引圧力測定手段Ｐ１、不純物塩濃度測定手段Ｃ１、ろ過比抵抗測定手段α、および脱硫量測定手段ΔＳＯ_２からの入力値に基づき、記憶部に格納されたプログラムやデータに従って、ベルトフィルタ２２の駆動部２２ｃ、および抜出部２１のバルブ２１ｃを制御する。

　制御手段２６による制御について、図９のフローチャートを参照して説明する。

　この制御は、まず、図３、図５および図７に示す制御において、水分測定手段Ｈ１から入力された石膏ケーキＳＣの水分濃度が所定量を超えても、吸引圧力測定手段Ｐ１と不純物塩濃度測定手段Ｃ１とろ過比抵抗測定手段αとの各入力値が所定の設定値を逸脱しない場合に始まる。すなわち、図３においては、ステップＳＴ６、ステップＳＴ７、およびステップＳＴ８が「Ｎｏ」の場合であり、図５においては、ステップＳＴ２６、ステップＳＴ２７、およびステップＳＴ２８が「Ｎｏ」の場合であり、図７においては、ステップＳＴ４６、ステップＳＴ４７、およびステップＳＴ４８が「Ｎｏ」の場合である。

　この場合、図９に示すように、制御手段２６は、脱硫量測定手段ΔＳＯ_２から吸収塔１の脱硫量を入力する（ステップＳＴ６１）。次に、脱硫量が所定値よりも増加している場合（ステップＳＴ６２：Ｙｅｓ）、制御手段２６は、搬送量可変手段による搬送量の増加の制御をする（ステップＳＴ６３）。すなわち、制御手段２６は、抜出部２１のバルブ２１ｃを開方向に制御し、ベルトフィルタ２２に供給される石膏スラリーＳＳの供給量を増すことで、ベルトフィルタ２２で脱水される石膏ケーキＳＣの搬送量を増加させる。さらに、制御手段２６は、速度可変手段によるベルト進行速度の制御をする（ステップＳＴ６４）。すなわち、制御手段２６は、ベルトフィルタ２２の駆動部２２ｃを制御してローラ２２ｂの回転速度を加速させることで、ベルト進行速度（Ｖ１）を速くし、これにより石膏ケーキＳＣの厚み（Ｄ１）の増加を抑えつつ石膏ケーキＳＣのフィード量（ＣＶ１）を増加させる。

　脱硫量が所定値よりも増加している場合、すなわち、生成される石膏スラリーＳＳが増加することが見込まれるので、ベルトフィルタ２２で脱水される石膏ケーキＳＣの搬送量を増加させると共に、ろ過比抵抗が低下しないように、石膏ケーキＳＣの厚み（Ｄ１）を減少させることで、脱水性能が回復する。

　次に、制御手段２６は、水分測定手段Ｈ１から石膏ケーキＳＣの水分濃度を入力する（ステップＳＴ６５）。次に、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％未満である場合（ステップＳＴ６６：Ｙｅｓ）、制御手段２６は、搬送量可変手段および速度可変手段を制御初期の状態に戻し（ステップＳＴ６７）、本制御を終了する。

　なお、ステップＳＴ６６において、入力した石膏ケーキＳＣの水分濃度が設定値とした１０ｗｔ％未満でない場合（ステップＳＴ６６：Ｎｏ）、ステップＳＴ６３に戻る。また、ステップＳＴ６２において、脱硫量が設定値よりも増加していない場合（ステップＳＴ６２：Ｎｏ）には、石膏脱水装置２の各機器および各測定手段の点検・修理をオペレータに促す（ステップＳＴ６８）。

　このように、実施の形態４の脱硫設備の石膏脱水装置は、上述した実施の形態１～３において、水分測定手段Ｈ１から入力された石膏ケーキＳＣの水分濃度が所定量を超えても、吸引圧力測定手段Ｐ１と不純物塩濃度測定手段Ｃ１とろ過比抵抗測定手段αとの各入力値が所定の設定値を逸脱しない場合、脱硫量測定手段ΔＳＯ_２から入力された吸収量が所定量を超えた場合に、搬送量可変手段（バルブ２１ｃ）による搬送量の増加と速度可変手段（駆動部２２ｃ）によるベルト進行速度とを共に制御する制御手段２６を備える。

　この脱硫設備の石膏脱水装置によれば、ベルトフィルタ２２における脱水後の石膏ケーキＳＣ中の水分濃度を水分測定手段Ｈ１を用いて測定し常に監視することで、脱水不足をいち早く把握し、脱水不足を早期に回復させるので、石膏ケーキＳＣを脱水する脱水性能を維持することが可能になる。しかも、吸引圧力測定手段Ｐ１と不純物塩濃度測定手段Ｃ１とろ過比抵抗測定手段αとの少なくとも１つからの入力値により、脱水性能低下の初期兆候の把握がし難い場合であっても、脱硫量測定手段ΔＳＯ_２からの入力値により脱水性能低下の初期兆候を把握することが可能である。

　以上のように、本発明に係る脱硫設備の石膏脱水装置は、脱水性能を維持することに適している。

　１　吸収塔
　２　石膏脱水装置
　２１　抜出部
　２１ｃ　バルブ（搬送量可変手段）
　２２　ベルトフィルタ
　２２ｃ　駆動部（速度可変手段）
　２３　真空吸引機構
　２４　ホッパ
　２５　加温手段
　２５ｅ　流量調整バルブ
　２５ｆ　開閉バルブ
　２６　制御手段
　１０５　脱硫設備
　Ｇ　排ガス
　Ａ　吸収液
　ＳＳ　石膏スラリー
　ＳＣ　石膏ケーキ
　Ｓ　石膏
　Ｈ１　水分測定手段
　Ｐ１　吸引圧力測定手段
　Ｃ１　不純物塩濃度測定手段
　α　ろ過比抵抗測定手段
　Ｔ２　表面温度測定手段
　ΔＳＯ_２　脱硫量測定手段

Claims

　排ガス中の硫黄酸化物を吸収塔内にて吸収液中の石灰石に吸収させる脱硫設備に設置されており、前記硫黄酸化物を吸収して前記吸収塔から供給される石膏スラリーを脱水して石膏ケーキとするベルトフィルタと、前記ベルトフィルタを介して前記石膏ケーキの水分を吸引する真空吸引機構とを備えた石膏脱水装置において、
　前記ベルトフィルタにより脱水される前記石膏ケーキの水分濃度を測定する水分測定手段と、
　前記ベルトフィルタにより脱水される前記石膏ケーキを温水または蒸気により加温する加温手段と、
　前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超えた場合、前記加温手段による加温状態を制御する制御手段と、
　を備えたことを特徴とする脱硫設備の石膏脱水装置。
　前記真空吸引機構による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段をさらに備え、
　前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記吸引圧力測定手段からの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記加温手段による加温状態を制御することを特徴とする請求項１に記載の脱硫設備の石膏脱水装置。
　前記吸収塔内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段をさらに備え、
　前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記不純物塩濃度測定手段からの入力が所定の設定値を逸脱した場合、前記加温手段による加温状態を制御することを特徴とする請求項１に記載の脱硫設備の石膏脱水装置。
　前記石膏ケーキのろ過比抵抗を測定するろ過比抵抗測定手段をさらに備え、
　前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記ろ過比抵抗測定手段からの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記加温手段による加温状態を制御することを特徴とする請求項１に記載の脱硫設備の石膏脱水装置。
　前記真空吸引機構による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段と、
　前記吸収塔内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段と、
　をさらに備え、
　前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記吸引圧力測定手段と前記不純物塩濃度測定手段との少なくとも１つからの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記加温手段による加温状態を制御することを特徴とする請求項１に記載の脱硫設備の石膏脱水装置。
　前記真空吸引機構による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段と、
　前記吸収塔内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段と、
　前記石膏ケーキのろ過比抵抗を測定するろ過比抵抗測定手段と、
　をさらに備え、
　前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記吸引圧力測定手段と前記不純物塩濃度測定手段と前記ろ過比抵抗測定手段との少なくとも１つからの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記加温手段による加温状態を制御することを特徴とする請求項１に記載の脱硫設備の石膏脱水装置。
　前記石膏ケーキの表面温度を測定する表面温度測定手段をさらに備え、
　前記制御手段は、前記表面温度測定手段から入力された表面温度が所定値以下でない場合、前記加温手段による加温を減らす制御をすることを特徴とする請求項１～６のいずれか一つに記載の脱硫設備の石膏脱水装置。
　排ガス中の硫黄酸化物を吸収塔内にて吸収液中の石灰石に吸収させる脱硫設備に設置されており、前記硫黄酸化物を吸収して前記吸収塔から供給される石膏スラリーを脱水して石膏ケーキとするベルトフィルタと、前記ベルトフィルタを介して前記石膏ケーキの水分を吸引する真空吸引機構とを備えた石膏脱水装置において、
　前記ベルトフィルタにより脱水される前記石膏ケーキの水分濃度を測定する水分測定手段と、
　前記ベルトフィルタによるベルト進行速度を可変する速度可変手段と、
　前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超えた場合、前記速度可変手段によるベルト進行速度を制御する制御手段と、
　を備えたことを特徴とする脱硫設備の石膏脱水装置。
　前記真空吸引機構による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段をさらに備え、
　前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記吸引圧力測定手段からの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記速度可変手段によるベルト進行速度を制御することを特徴とする請求項８に記載の脱硫設備の石膏脱水装置。
　前記吸収塔内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段をさらに備え、
　前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記不純物塩濃度測定手段からの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記速度可変手段によるベルト進行速度を制御することを特徴とする請求項８に記載の脱硫設備の石膏脱水装置。
　前記石膏ケーキのろ過比抵抗を測定するろ過比抵抗測定手段をさらに備え、
　前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記ろ過比抵抗測定手段からの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記速度可変手段によるベルト進行速度を制御することを特徴とする請求項８に記載の脱硫設備の石膏脱水装置。
　前記真空吸引機構による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段と、
　前記吸収塔内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段と、
　をさらに備え、
　前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記吸引圧力測定手段と前記不純物塩濃度測定手段の少なくとも１つからの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記速度可変手段によるベルト進行速度を制御することを特徴とする請求項８に記載の脱硫設備の石膏脱水装置。
　前記真空吸引機構による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段と、
　前記吸収塔内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段と、
　前記石膏ケーキのろ過比抵抗を測定するろ過比抵抗測定手段と、
　をさらに備え、
　前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記吸引圧力測定手段と前記不純物塩濃度測定手段と前記ろ過比抵抗測定手段との少なくとも１つからの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記速度可変手段によるベルト進行速度を制御することを特徴とする請求項８に記載の脱硫設備の石膏脱水装置。
　排ガス中の硫黄酸化物を吸収塔内にて吸収液中の石灰石に吸収させる脱硫設備に設置されており、前記硫黄酸化物を吸収して前記吸収塔から供給される石膏スラリーを脱水して石膏ケーキとするベルトフィルタと、前記ベルトフィルタを介して前記石膏ケーキの水分を吸引する真空吸引機構とを備えた石膏脱水装置において、
　前記ベルトフィルタにより脱水される前記石膏ケーキの水分濃度を測定する水分測定手段と、
　前記ベルトフィルタにより脱水される前記石膏ケーキを温水または蒸気により加温する加温手段と、
　前記ベルトフィルタによるベルト進行速度を可変する速度可変手段と、
　前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超えた場合、前記加温手段による加温状態と前記速度可変手段によるベルト進行速度とを共に制御する制御手段と、
　を備えたことを特徴とする脱硫設備の石膏脱水装置。
　前記真空吸引機構による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段をさらに備え、
　前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記吸引圧力測定手段からの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記加温手段による加温状態と前記速度可変手段によるベルト進行速度とを共に制御することを特徴とする請求項１４に記載の脱硫設備の石膏脱水装置。
　前記吸収塔内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段をさらに備え、
　前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記不純物塩濃度測定手段からの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記加温手段による加温状態と前記速度可変手段によるベルト進行速度とを共に制御することを特徴とする請求項１４に記載の脱硫設備の石膏脱水装置。
　前記石膏ケーキのろ過比抵抗を測定するろ過比抵抗測定手段をさらに備え、
　前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記ろ過比抵抗測定手段からの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記加温手段による加温状態と前記速度可変手段によるベルト進行速度とを共に制御することを特徴とする請求項１４に記載の脱硫設備の石膏脱水装置。
　前記真空吸引機構による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段と、
　前記吸収塔内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段と、
　をさらに備え、
　前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記吸引圧力測定手段と前記不純物塩濃度測定手段との少なくとも１つからの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記加温手段による加温状態と前記速度可変手段によるベルト進行速度とを共に制御することを特徴とする請求項１４に記載の脱硫設備の石膏脱水装置。
　前記真空吸引機構による吸引圧力を測定する吸引圧力測定手段と、
　前記吸収塔内の不純物としての塩濃度を測定する不純物塩濃度測定手段と、
　前記石膏ケーキのろ過比抵抗を測定するろ過比抵抗測定手段と、
　をさらに備え、
　前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超え、かつ前記吸引圧力測定手段と前記不純物塩濃度測定手段と前記ろ過比抵抗測定手段との少なくとも１つからの入力値が所定の設定値を逸脱した場合、前記加温手段による加温状態と前記速度可変手段によるベルト進行速度とを共に制御することを特徴とする請求項１４に記載の脱硫設備の石膏脱水装置。
　前記石膏ケーキの表面温度を測定する表面温度測定手段をさらに備え、
　前記制御手段は、前記表面温度測定手段から入力された表面温度が所定値以下でない場合、前記加温手段による加温を減らす制御をすることを特徴とする請求項１４～１９のいずれか一つに記載の脱硫設備の石膏脱水装置。
　前記吸収塔における前記硫黄酸化物の吸収量を測定する脱硫量測定手段と、
　前記ベルトフィルタにより脱水される前記石膏ケーキの搬送量を可変する搬送量可変手段と、
　前記ベルトフィルタによるベルト進行速度を可変する速度可変手段と、
　をさらに備え、
　前記制御手段は、前記水分測定手段から入力された前記石膏ケーキの水分濃度が所定量を超えても、前記吸引圧力測定手段と前記不純物塩濃度測定手段と前記ろ過比抵抗測定手段との各入力値が所定の設定値を逸脱しない場合には、前記脱硫量測定手段から入力された吸収量が所定量を超えた場合に、前記搬送量可変手段による搬送量の増加と前記速度可変手段によるベルト進行速度とを共に制御することを特徴とする請求項６、１３または１９のいずれか一つに記載の脱硫設備の石膏脱水装置。