WO2011040085A1 - アクティブマトリクス基板、及び表示装置 - Google Patents

アクティブマトリクス基板、及び表示装置 Download PDF

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    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes

Definitions

  • the auxiliary capacitance electrode and the auxiliary capacitance wiring are connected via a metal nitride film.
  • a metal nitride film As a result, it is possible to reliably connect the auxiliary capacitance electrode and the auxiliary capacitance wiring with the nitride film interposed, while ensuring the adhesion between the nitride film and the auxiliary capacitance electrode.
  • the adhesion between the auxiliary capacitance electrode and the nitride film can be reliably ensured.
  • a protruding portion that protrudes to the left in FIG. 1 is formed at the central portion on the left end side in FIG. 1 that is on the upper side when the liquid crystal display device 1 is actually used.
  • the protruding portion is sandwiched between the inner surface of the frame 13 and the pressing member 16 with the elastic material 18 interposed therebetween.
  • the optical sheet 17 can be expanded and contracted inside the lighting device 3. Built in state. Thereby, in the optical sheet 17, even when expansion / contraction (plastic) deformation occurs due to the influence of the heat such as the heat generation of the cold cathode fluorescent tube 20, free expansion / contraction deformation based on the protruding portion becomes possible.
  • the reflection sheet 21 is made of a metal thin film having a high light reflectance such as aluminum or silver having a thickness of about 0.2 to 0.5 mm, for example, and reflects light from the cold cathode fluorescent tube 20 toward the diffusion plate 15. To function as a reflector. Thereby, in the illuminating device 3, the light emitted from the cold cathode fluorescent tube 20 can be efficiently reflected to the diffusion plate 15 side, and the use efficiency of the light and the luminance at the diffusion plate 15 can be increased.
  • a reflective sheet material made of synthetic resin is used in place of the metal thin film, or the inner surface of the chassis 12 is reflected by applying a paint having a high light reflectance such as white. It can also function as a plate.
  • the nitride film may be formed only directly below the auxiliary capacitance wiring 29 or only on the gate wiring G and the auxiliary capacitance wiring 29.
  • the auxiliary capacitance wiring 29 is provided above the auxiliary capacitance electrode 28 at the connection portion between the auxiliary capacitance electrode 28 and the auxiliary capacitance wiring 29.
  • the auxiliary capacitor electrode 28 is connected with the nitride film interposed therebetween.
  • the auxiliary capacitance electrode 28 and the auxiliary capacitance wiring 29 are a developer (for example, tetramethyl hydroxide) used when patterning the gate wiring G, the auxiliary capacitance wiring 29, and the light shielding block 30 into a predetermined shape.
  • the material is appropriately selected so as not to cause dissolution by ammonium (TMAH)
  • the auxiliary capacitance electrode 28 and the auxiliary capacitance wiring 29 are the auxiliary capacitance electrode 28 and the auxiliary capacitance wiring 29.
  • the auxiliary capacitance electrode is coupled with the point that the material is appropriately selected so as to suppress the increase in the resistance value (that is, the contact resistance) between the two and the above, and the prevention of the dissolution. 28 and electrical connectivity between the auxiliary capacity wiring 29 is configured to be able to reliably prevented.
  • the nitride film 33 is made of a refractory metal material having a melting point of 1000 ° C. or higher, such as molybdenum, tantalum, or titanium. Between the nitride film 33 and the auxiliary capacitor electrode 28, the nitride film 33 is used. It is comprised so that adhesiveness of can be ensured easily. In addition, the nitride film 33 has a nitrogen content (dope amount) set to 5 wt% or more and 90 wt% or less, so that the adhesion between the nitride film 33 and the auxiliary capacitance electrode 28 is ensured. Can be secured.
  • the color filter substrate 6 has a base material 6a, a black matrix BM and color filter layers Cr1, Cr2 formed on the base material 6a, and a color filter.
  • a common electrode 27 is provided so as to cover the layers Cr1, Cr2 and the black matrix BM.
  • the color filter layers Cr ⁇ b> 1 and Cr ⁇ b> 2 are configured by two different color filters among red (R), green (G), and blue (B).
  • the thick portions Sa to Sc provided in the source wiring S in a portion where the light blocking block 30 is not provided. Configured to prevent leakage.
  • the insulating film 31 is provided on the base material 5 a, and the thick portion Sb is formed on the insulating film 31.
  • the insulating film 32 is provided so as to cover the thick portion Sb, and the pixel electrode 26 is provided on the insulating film 32.
  • the auxiliary capacitance electrode 28 and the auxiliary capacitance wiring 29 are connected with the nitride film 33 interposed therebetween.
  • the auxiliary capacitance electrode 28 and the auxiliary capacitance are interposed with the nitride film 33 interposed while ensuring the adhesion between the nitride film 33 and the auxiliary capacitance electrode 28. It is possible to reliably connect the wiring 29 for use.
  • the active matrix substrate 5 of the present embodiment unlike the conventional example, it is possible to prevent the electrical connectivity between the auxiliary capacitance electrode 28 and the auxiliary capacitance wiring 29 from being deteriorated. . Therefore, in the active matrix substrate 5 of the present embodiment, a sufficient auxiliary capacity can be surely added to the pixel electrode 26, and the display quality in the liquid crystal display device 1 can be easily improved.
  • the configuration in which the black matrix BM is provided on the color filter substrate 6 side has been described.
  • the light blocking block 30 and the wide portions Sa to Sc of the source wiring S are used. , Light leakage from between two adjacent picture elements P can be prevented. Therefore, in the liquid crystal display device 1 of the present embodiment, the installation of the black matrix BM can be omitted.
  • the auxiliary capacitor wiring and the scanning wiring are formed of the same material as in the above-described embodiment, the auxiliary capacitor wiring and the scanning wiring can be formed at the same time. This is preferable in that the manufacturing process can be easily simplified.
  • the adhesion between the auxiliary capacitor electrode and the nitride film is better. It is preferable in that the property can be secured more easily.
  • the present invention is useful for an active matrix substrate that can prevent a decrease in electrical connectivity between an auxiliary capacitance electrode and an auxiliary capacitance wiring, and a display device using the active matrix substrate. .

Abstract

　マトリクス状に配列された複数のソース配線及び複数のゲート配線と、ソース配線とゲート配線との交差部の近傍に設けられた薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタに接続された絵素電極（２６）を有する絵素とを備えたアクティブマトリクス基板（５）において、ソース配線及びゲート配線の一方及び他方が互いに交差するように設けられた基材（５ａ）を備え、基材（５ａ）上において、高融点金属材料の窒化膜（３３）を介在させて、補助容量用電極の接続部分（２８ａ）と補助容量用配線の接続部分（２９ａ）とを接続する。

Description

アクティブマトリクス基板、及び表示装置
　本発明は、複数のデータ配線及び複数の走査配線がマトリクス状に配列されたアクティブマトリクス基板、及びこれを用いた表示装置に関する。
　近年、例えば液晶表示装置は、在来のブラウン管に比べて薄型、軽量などの特長を有するフラットパネルディスプレイとして、液晶テレビ、モニター、携帯電話などに幅広く利用されている。このような液晶表示装置では、複数のデータ配線（ソース配線）及び複数の走査配線（ゲート配線）をマトリクス状に配線するとともに、データ配線と走査配線との交差部の近傍に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）などのスイッチング素子と、このスイッチング素子に接続された絵素電極を有する絵素をマトリクス状に配置したアクティブマトリクス基板を、表示パネルとしての液晶パネルに用いたものが知られている。
　また、このようなアクティブマトリクス基板では、液晶表示装置での表示品位を向上させるために、絵素電極に充分な補助容量を付加し、かつ絵素の開口率向上が求められている。
　また、従来のアクティブマトリクス基板には、例えば下記特許文献１に記載されているように、モリブデン等の高融点金属材料もしくはその合金からなる高融点金属層を介在させて、アルミニウムもしくはアルミニウムを主体とする合金層からなる補助容量用配線と、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜からなる補助容量用電極とを接続していた。そして、この従来のアクティブマトリクス基板では、補助容量用配線を所定の形状にパターニングするときに用いられる現像液によって、当該補助容量用配線が溶解されたり、補助容量用電極が還元され、その透明度が劣化して画素の透過率が大幅に低下したりするのを防止可能とされていた。
特開２００１－１９４６７６号公報
　しかしながら、上記のような従来のアクティブマトリクス基板では、補助容量用電極に高融点金属層を接続していたので、これらの補助容量用電極と高融点金属層との間での密着性が不足することがあった。この結果、この従来のアクティブマトリクス基板では、補助容量用電極と補助容量用配線と間での電気的な接続性が低下するという問題点を生じることがあった。
　上記の課題を鑑み、本発明は、補助容量用電極と補助容量用配線との間での電気的な接続性が低下するのを防止することができるアクティブマトリクス基板、及びこれを用いた表示装置を提供することを目的とする。
　上記の目的を達成するために、本発明にかかるアクティブマトリクス基板は、マトリクス状に配列された複数のデータ配線及び複数の走査配線と、前記データ配線と前記走査配線との交差部の近傍に設けられたスイッチング素子及び前記スイッチング素子に接続された絵素電極を有する絵素とを備え、表示パネルの基板として用いられるアクティブマトリクス基板であって、
　前記データ配線及び前記走査配線の一方及び他方が互いに交差するように設けられた基材を備え、
　前記基材上には、絵素毎に設けられるとともに、透明な電極によって構成されて補助容量を発生させるための補助容量用電極、及び
　アルミニウム合金により構成された補助容量用配線が設けられるとともに、
　金属材料の窒化膜を介在させて、前記補助容量用電極と前記補助容量用配線とを接続したことを特徴とするものである。
　上記のように構成されたアクティブマトリクス基板では、金属材料の窒化膜を介在させて、補助容量用電極と補助容量用配線とを接続している。これにより、窒化膜と補助容量用電極との間での密着性を確保しつつ、窒化膜を介在させて、補助容量用電極と補助容量用配線とを確実に接続することができる。この結果、上記従来例と異なり、補助容量用電極と補助容量用配線との間での電気的な接続性が低下するのを防止することができる。
　また、上記アクティブマトリクス基板において、前記金属材料には、融点が１０００℃以上の高融点金属材料が用いられていることが好ましい。
　この場合、窒化膜と補助容量用電極との間での密着性を容易に確保することができる。
　また、上記アクティブマトリクス基板において、前記窒化膜では、その窒素の含有量が５重量％以上９０重量％以下であることが好ましい。
　この場合、補助容量用電極と窒化膜との間での密着性を確実に確保することができる。
　また、上記アクティブマトリクス基板において、前記基材上では、前記補助容量用電極と前記補助容量用配線との接続箇所において、前記補助容量用配線が前記補助容量用電極の上方に設けられ、前記窒化膜を介在させて、当該補助容量用電極に接続されていることが好ましい。
　この場合、基材上において、補助容量用電極、窒化膜、及び補助容量用配線の順番で積層されることとなり、補助容量用電極と窒化膜との間での密着性をより容易に確保することができる。
　また、上記アクティブマトリクス基板において、前記補助容量用電極として、透明導電膜が用いられ、
　前記補助容量用配線には、添加物として、炭素、ケイ素、コバルト、ニッケル、ゲルマニウム、ロジウム、パラジウム、及びスズの少なくとも一つの元素が含まれてもよい。
　この場合、補助容量用電極と補助容量用配線との間での抵抗値が大きくなるのを抑制しつつ、これら補助容量用電極と補助容量用配線との間での電気的な接続性が低下するのを確実に防止することができる。
　また、上記アクティブマトリクス基板において、前記補助容量用配線では、前記添加物の合計の重量％が０．２％以上５．０％以下であることが好ましい。
　この場合、補助容量用電極と補助容量用配線との間での抵抗値が大きくなるのを確実に抑制しつつ、これら補助容量用電極と補助容量用配線との間での電気的な接続性が低下するのをより確実に防止することができる。
　また、上記アクティブマトリクス基板において、前記走査配線は、前記補助容量用配線と同一材料によって形成されていることが好ましい。
　この場合、補助容量用配線と走査配線と同時に形成することができ、アクティブマトリクス基板の製造工程の簡単化を容易に図ることができる。
　また、本発明の表示装置は、表示部を備えた表示装置であって、
　前記表示部には、上記いずれかのアクティブマトリクス基板を用いたことを特徴とするものである。
　上記のように構成された表示装置では、補助容量用電極と補助容量用配線との間での電気的な接続性が低下するのを防止することができるアクティブマトリクス基板が表示部に用いられているので、表示品位に優れた表示部を有する高性能な表示装置を容易に構成することができる。
　本発明によれば、補助容量用電極と補助容量用配線との間での電気的な接続性が低下するのを防止することができるアクティブマトリクス基板、及びこれを用いた表示装置を提供することが可能となる。
図１は、本発明の一実施形態にかかる液晶表示装置を説明する概略断面図である。 図２は、本発明の一実施形態にかかるアクティブマトリクス基板及び液晶表示装置の要部構成を説明する図である。 図３は、図２に示した絵素の具体的な構成を説明する図である。 図４Ａは、図３に示した補助容量用電極の構成を示す平面図である。 図４Ｂは、図３に示したゲート配線、補助容量用配線、及び遮光ブロックの構成を示す平面図である。 図４Ｃは、図３に示したソース配線の構成を示す平面図である。 図４Ｄは、図３に示した絵素電極の構成を示す平面図である。 図５は、図３のＶ－Ｖ線断面図である。 図６は、図３のＶＩ－ＶＩ線断面図である。 図７は、図３のＶII－ＶII線断面図である。
　以下、本発明のアクティブマトリクス基板、及び表示装置の好ましい実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明では、本発明を透過型の液晶表示装置に適用した場合を例示して説明する。また、各図中の構成部材の寸法は、実際の構成部材の寸法及び各構成部材の寸法比率等を忠実に表したものではない。
　図１は、本発明の一実施形態にかかる液晶表示装置を説明する概略断面図である。図において、本実施形態の液晶表示装置１には、図の上側が視認側（表示面側）として設置される表示部としての液晶パネル２と、液晶パネル２の非表示面側（図の下側）に配置されて、当該液晶パネル２を照明する照明光を発生する照明装置３とが設けられている。
　液晶パネル２は、液晶層４と、液晶層４を狭持する本発明のアクティブマトリクス基板５及びカラーフィルタ基板６と、アクティブマトリクス基板５及びカラーフィルタ基板６の各外側表面上にそれぞれ設けられた偏光板７、８とを備えている。また、液晶パネル２には、当該液晶パネル２を駆動するためのドライバ装置９、及びフレキシブルプリント基板１１を介してドライバ装置９に接続された駆動回路装置１０が設けられており、液晶パネル２では、液晶層４を絵素単位に駆動可能に構成されている。そして、液晶パネル２では、液晶層４によって偏光板７を介して入射された上記照明光の偏光状態が変調され、かつ、偏光板８を通過する光量が制御されることにより、所望画像が表示される。
　照明装置３には、図の上側（液晶パネル２側）が開口した有底状のシャーシ１２と、シャーシ１２の液晶パネル２側に設置された枠状のフレーム１３とが設けられている。また、シャーシ１２及びフレーム１３は、金属または合成樹脂によって構成されており、フレーム１３の上方に液晶パネル２が設置された状態で、断面Ｌ字状のベゼル１４にて狭持されている。これにより、照明装置３は、液晶パネル２に組み付けられて、当該照明装置３からの照明光が液晶パネル２に入射される透過型の液晶表示装置１として一体化されている。
　また、照明装置３は、シャーシ１２の開口部を覆うように設置された拡散板１５と、拡散板１５の上方で液晶パネル２側に設置された光学シート１７と、シャーシ１２の内面に設けられた反射シート２１とを備えている。また、照明装置３では、複数、例えば６本の冷陰極蛍光管２０がシャーシ１２の内部で液晶パネル２の下方側に設けられており、直下型の照明装置３を構成している。そして、照明装置３では、各冷陰極蛍光管２０からの光が液晶パネル２に対向配置される照明装置３の発光面から上記照明光として出射されるようになっている。
　尚、上記の説明では、直下型の照明装置３を用いた構成について説明したが、本実施形態はこれに限定されるものではなく、導光板を有するエッジライト型の照明装置を用いてもよい。また、冷陰極蛍光管以外の熱陰極蛍光管やＬＥＤなどの他の光源を有する照明装置も用いることができる。
　拡散板１５は、例えば厚さ２ｍｍ程度の長方形状の合成樹脂またはガラス材を用いて構成されており、冷陰極蛍光管２０からの光を拡散して、光学シート１７側に出射する。また、拡散板１５は、その四辺側がシャーシ１２の上側に設けられた枠状の表面上に載置されており、弾性変形可能な押圧部材１６を介在させてシャーシ１２の当該表面とフレーム１３の内面とで狭持された状態で照明装置３の内部に組み込まれている。さらに、拡散板１５では、その略中央部がシャーシ１２内部に設置された透明な支持部材（図示せず）にて支えられており、シャーシ１２の内側に撓むのが防がれている。
　また、拡散板１５は、シャーシ１２と押圧部材１６との間で移動可能に保持されており、冷陰極蛍光管２０の発熱やシャーシ１２の内部の温度上昇などの熱の影響により、当該拡散板１５に伸縮（塑性）変形が生じたときでも、押圧部材１６が弾性変形することにて当該塑性変形が吸収されて、冷陰極蛍光管２０からの光の拡散性を極力低下しないようになっている。また、合成樹脂に比べて熱に強いガラス材の拡散板１５を用いる場合の方が、上記熱の影響による反り、黄変、熱変形等が生じ難い点で好ましい。
　光学シート１７には、例えば厚さ０．５ｍｍ程度の合成樹脂フィルムにより構成された集光シートが含まれており、液晶パネル２への上記照明光の輝度を上昇させるように構成されている。また、光学シート１７には、液晶パネル２の表示面での表示品位の向上を行うためなどのプリズムシート、拡散シート、偏光シートなどの公知の光学シート材が必要に応じて適宜積層されるようになっている。そして、光学シート１７は、拡散板１５から出射された光を、所定の輝度（例えば、５０００ｃｄ／ｍ2）以上で、かつ、均一な輝度を有する面状光に変換し照明光として液晶パネル２側に入射させるように構成されている。なお、上記の説明以外に、例えば液晶パネル２の上方（表示面側）に当該液晶パネル２の視野角を調整するための拡散シート等の光学部材を適宜積層してもよい。
　また、光学シート１７では、例えば液晶表示装置１の実使用時に上側となる、図１の左端辺側の中央部に、同図の左側に突出した突出部が形成されている。そして、光学シート１７では、上記突出部だけが弾性材１８を介在させてフレーム１３の内面と押圧部材１６とで狭持されており、当該光学シート１７は、照明装置３の内部に伸縮可能な状態で組み込まれている。これにより、光学シート１７では、冷陰極蛍光管２０の発熱などの上記の熱の影響により、伸縮（塑性）変形が生じたときでも、上記突出部を基準とした自由な伸縮変形が可能となり、シワや撓みなどが当該光学シート１７に発生するのが極力防がれるように構成されている。この結果、液晶表示装置１では、光学シート１７の撓み等に起因して、輝度ムラなどの表示品位の低下が液晶パネル２の表示面に発生するのを極力防止できるようになっている。
　各冷陰極蛍光管２０には、直管状のものが用いられており、その両端部に設けられた電極部（図示せず）がシャーシ１２の外側にて支持されている。また、各冷陰極蛍光管２０には、直径３．０～４．０ｍｍ程度の発光効率に優れた細管化されたものが使用されており、各冷陰極蛍光管２０は、図示しない光源保持具によって拡散板１５及び反射シート２１との各間の距離を所定距離に保たれた状態で、シャーシ１２の内部に保持されている。さらに、冷陰極蛍光管２０は、その長手方向が重力の作用方向と直交する方向に平行となるように、配置されている。これにより、冷陰極蛍光管２０では、その内部に封入された水銀（蒸気）が重力の作用により長手方向の一方の端部側に集まるのが防がれて、ランプ寿命が大幅に向上されている。
　反射シート２１は、例えば厚さ０．２～０．５ｍｍ程度のアルミニウムや銀などの光反射率の高い金属薄膜により構成されており、冷陰極蛍光管２０の光を拡散板１５に向かって反射する反射板として機能するようになっている。これにより、照明装置３では、冷陰極蛍光管２０から発光された光を拡散板１５側に効率よく反射して当該光の利用効率及び拡散板１５での輝度を高めることができる。なお、この説明以外に、上記金属薄膜に代えて、合成樹脂製の反射シート材を使用したり、例えばシャーシ１２の内面に光反射率の高い白色等の塗料を塗布することによって当該内面を反射板として機能させたりすることもできる。
　次に、図２も参照して、本実施形態のアクティブマトリクス基板５について具体的に説明する。
　図２は、本発明の一実施形態にかかるアクティブマトリクス基板及び液晶表示装置の要部構成を説明する図である。
　図２において、液晶表示装置１（図１）には、文字や画像等の情報を表示する上記表示部としての液晶パネル２（図１）の駆動制御を行うパネル制御部２２と、このパネル制御部２２からの指示信号を基に動作するソースドライバ２３及びゲートドライバ２４が設けられている。
　パネル制御部２２は、駆動回路装置１０（図１）に設けられたものであり、液晶表示装置１の外部からの映像信号が入力されるようになっている。また、パネル制御部２２は、入力された映像信号に対して所定の画像処理を行ってソースドライバ２３及びゲートドライバ２４への各指示信号を生成する画像処理部２２ａと、入力された映像信号に含まれた１フレーム分の表示データを記憶可能なフレームバッファ２２ｂとを備えている。そして、パネル制御部２２が、入力された映像信号に応じて、ソースドライバ２３及びゲートドライバ２４の駆動制御を行うことにより、その映像信号に応じた情報が液晶パネル２に表示される。
　ソースドライバ２３及びゲートドライバ２４は、ドライバ装置９（図１）に設けられたものであり、アレイ基板を構成する、本実施形態のアクティブマトリクス基板５上に設置されている。具体的には、ソースドライバ２３は、アクティブマトリクス基板５の表面上において、表示パネルとしての液晶パネル２の有効表示領域Ａの外側領域で当該液晶パネル２の横方向に沿うように設置されている。また、ゲートドライバ２４は、アクティブマトリクス基板５の表面上において、上記有効表示領域Ａの外側領域で当該液晶パネル２の縦方向に沿うように設置されている。
　また、ソースドライバ２３及びゲートドライバ２４は、液晶パネル２側に設けられた複数の絵素Ｐを絵素単位に駆動する駆動回路であり、ソースドライバ２３及びゲートドライバ２４には、複数のソース配線Ｓ１～ＳＭ（Ｍは、２以上の整数、以下、“Ｓ”にて総称する。）及び複数のゲート配線Ｇ１～ＧＮ（Ｎは、２以上の整数、以下、“Ｇ”にて総称する。）がそれぞれ接続されている。これらのソース配線Ｓ及びゲート配線Ｇは、それぞれデータ配線及び走査配線を構成しており、後述の基材上で互いに交差するように、マトリクス状に配列されている。
　また、これらのソース配線Ｓ及びゲート配線Ｇの交差部の近傍には、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）２５と、薄膜トランジスタ２５に接続された絵素電極２６を有する上記絵素Ｐが設けられている。すなわち、アクティブマトリクス基板５では、ソース配線Ｓ及びゲート配線Ｇによってマトリクス状に区画された各領域に、複数の各絵素Ｐの領域が形成されている。これら複数の絵素Ｐには、赤色、緑色、及び青色の絵素が含まれている。また、これらの赤色、緑色、及び青色の絵素は、例えばこの順番で、各ゲート配線Ｇ１～ＧＮに平行に順次配設されている。
　また、各ゲート配線Ｇ１～ＧＮには、絵素Ｐ毎に設けられるとともに、薄膜トランジスタ２５のゲート電極が接続されている。一方、各ソース配線Ｓ１～ＳＭには、薄膜トランジスタ２５のソース電極が接続されている。また、各薄膜トランジスタ２５のドレイン電極には、絵素Ｐ毎に設けられた上記絵素電極２６が接続されている。また、各絵素Ｐでは、共通電極２７が液晶パネル２に設けられた液晶層４を間に挟んだ状態で絵素電極２６に対向するよう構成されている。
　ここで、図３～図７も参照して、本実施形態のアクティブマトリクス基板５での絵素Ｐの構造について具体的に説明する。
　図３は、図２に示した絵素の具体的な構成を説明する図である。図４Ａは図３に示した補助容量用電極の構成を示す平面図であり、図４Ｂは図３に示したゲート配線、補助容量用配線、及び遮光ブロックの構成を示す平面図である。図４Ｃは図３に示したソース配線の構成を示す平面図であり、図４Ｄは図３に示した絵素電極の構成を示す平面図である。図５は、図３のＶ－Ｖ線断面図である。図６は図３のＶＩ－ＶＩ線断面図であり、図７は図３のＶII－ＶII線断面図である。
　図３に示すように、アクティブマトリクス基板５では、ソース配線Ｓ及びゲート配線Ｇがそれぞれ同図３の上下方向及び左右方向に平行に設けられており、絵素Ｐの領域が隣接する２本のソース配線Ｓ及び隣接する２本のゲート配線Ｇによって規定されている。また、ソース配線Ｓ及び薄膜トランジスタ２５の上方には、カラーフィルタ基板６（図１）側に設けられたブラックマトリクスＢＭが設置されている。
　また、アクティブマトリクス基板５では、例えば透明なガラス材あるいは合成樹脂材によって構成された基材５ａ上に、ソース配線Ｓ、ゲート配線Ｇ、薄膜トランジスタ２５、絵素電極２６、補助容量用電極２８、補助容量用配線２９、及び遮光ブロック３０が形成されている。さらに、ゲート配線Ｇ、補助容量用配線２９、及び遮光ブロック３０の各々の真下には、後述の窒化膜が形成されている。この窒化膜は、対応するゲート配線Ｇ、補助容量用配線２９、及び遮光ブロック３０の形状と同一の形状となるように、パターニングされて基材５ａ上に設けられている。
　具体的にいえば、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、アクティブマトリクス基板５では、基材５ａ上に、補助容量用電極２８、ゲート配線Ｇ、補助容量用配線２９、及び遮光ブロック３０が直接的に設けられている。ゲート配線Ｇには、薄膜トランジスタ２５のゲート電極２５ｇが一体的に設けられている。さらに、アクティブマトリクス基板５では、上述したように、上記窒化膜がゲート配線Ｇ、補助容量用配線２９、及び遮光ブロック３０の各真下に形成されている。
　また、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、まず補助容量用電極２８が例えばフォトリソグラフィ法を用いて基材５ａ上に形成された後、上記窒化膜が例えばマグネトロンスパッタ法を用いて形成され、さらに、ゲート配線Ｇ、補助容量用配線２９、及び遮光ブロック３０が例えばフォトリソグラフィ法を用いて同一材料で同時に形成されている。詳細には、補助容量用電極２８は、透明な電極により構成されており、マスクを用いた露光及びエッチングなどの所定の製造プロセスが行われることにより、所定のパターンで基材５ａ上に形成される。続いて、後述の高融点金属材料を含んだ上記窒化膜とゲート配線Ｇ、補助容量用配線２９、及び遮光ブロック３０となる後述のメタル材料との順にマグネトロンスパッタ法を用いて成膜し、その後、マスクを用いた露光及びエッチングなどの所定の製造プロセスが行われることにより、各々所定のパターンで基材５ａ上に一括的に形成される。また、これらゲート配線Ｇ、補助容量用配線２９、及び遮光ブロック３０は、後に詳述するように、アルミニウム合金により構成されている。
　尚、上記の説明以外に、補助容量用配線２９の真下にのみ、またはゲート配線Ｇ及び補助容量用配線２９にのみ上記窒化膜を形成する構成でもよい。
　また、本実施形態のアクティブマトリクス基板５の基材５ａ上では、補助容量用電極２８と補助容量用配線２９との接続箇所において、補助容量用配線２９が補助容量用電極２８の上方に設けられ、上記窒化膜を介在させて、補助容量用電極２８に接続されている。
　具体的にいえば、補助容量用電極２８及び補助容量用配線２９には、互いに電気的に接続するための接続部分２８ａ及び接続部分２９ａがそれぞれ形成されている。これらの接続部分２８ａ及び接続部分２９ａでは、図５に示すように、補助容量用電極２８の接続部分２８ａが基材５ａ上に形成されている。また、補助容量用電極２８の接続部分２８ａ上には、高融点金属材料を含有した上記窒化膜３３が積層されており、さらに窒化膜３３上には、補助容量用配線２９の接続部分２９ａが当該窒化膜３３を覆うように設けられている。そして、接続部分２８ａと接続部分２９ａとが、窒化膜３３を介して互いに電気的に接続され、さらには補助容量用電極２８と補助容量用配線２９とが、互いに電気的に接続されている。また、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、窒化膜３３を使用することにより、当該窒化膜３３と補助容量用電極２８との間での密着性を良好な状態で確保することができるように構成されている（詳細は後述。）。
　また、本実施形態の液晶表示装置１では、図５に示すように、アクティブマトリクス基板５において、接続部分２８ａ、窒化膜３３、及び接続部分２９ａが基材５ａ上に設けられ、さらに、これらの接続部分２８ａ、窒化膜３３、及び接続部分２９ａを覆うように、透明な絶縁膜３１及び透明な絶縁膜３２が順次形成されている。また、カラーフィルタ基板６は、同図５に示すように、接続部分２８ａ、窒化膜３３、及び接続部分２９ａの上方において、基材６ａと、この基材６ａ上に形成されたカラーフィルタ層Ｃｒ２と、カラーフィルタ層Ｃｒ２を覆うように設けられた共通電極２７を備えている。この基材６ａは、基材５ａと同様に、例えば透明なガラス材あるいは合成樹脂材によって構成されている。また、カラーフィルタ層Ｃｒ２は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）のいずれかの色のカラーフィルタにより構成されている。
　また、補助容量用電極２８は、補助容量用配線２９に対して、図示しない電源から電圧印加が行われたときに、補助容量用電極２８は、絵素電極２６との間に所定の補助容量を発生するようになっている。
　さらに、補助容量用電極２８と補助容量用配線２９とは、ゲート配線Ｇ、当該補助容量用配線２９、及び遮光ブロック３０を所定の形状にパターニングするときでの現像液（例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）により、溶解を生じないように、材料が適宜選択されている。さらには、補助容量用電極２８と補助容量用配線２９とは、これら補助容量用電極２８と補助容量用配線２９との間での抵抗値（つまり、コンタクト抵抗）が大きくなるのを抑制可能となるように、材料が適宜選択されており、上記溶解の発生防止を図っている点と相まって、補助容量用電極２８と補助容量用配線２９との間での電気的な接続性が低下するのを確実に防止することができるように構成されている。
　具体的にいえば、補助容量用電極２８には、上記透明な電極として透明導電膜、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が用いられている。なお、この説明以外に、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）またはＩＧＯ（Indium Germanium Oxide）などの透明導電膜を補助容量用電極２８に用いる構成でもよい。
　一方、補助容量用配線２９には、アルミニウムと、その添加物として、炭素、ケイ素、コバルト、ニッケル、ゲルマニウム、ロジウム、パラジウム、及びスズの少なくとも一つの元素が含まれた上記アルミニウム合金が用いられている。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、補助容量用電極２８と補助容量用配線２９との間での抵抗値が大きくなるのを抑制しつつ、これらの補助容量用電極２８と補助容量用配線２９との間での電気的な接続性が低下するのを確実に防止することができるようになっている。
　さらに、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、補助容量用配線２９を構成する、アルミニウム合金において、上記添加物の合計の重量％が０．２％以上５．０％以下の範囲内の値に設定されており、補助容量用電極２８と補助容量用配線２９との間での抵抗値が大きくなるのを確実に抑制しつつ、これらの補助容量用電極２８と補助容量用配線２９との間での電気的な接続性が低下するのをより確実に防止することができるように構成されている。また、このアルミニウム合金（補助容量用配線２９）は、そのシート抵抗が例えば０．１～０．４Ω／□程度のものが用いられており、補助容量用配線２９での電力消費を極力抑えることができるようになっている。
　また、窒化膜３３には、融点が１０００℃以上の高融点金属材料、例えばモリブデン、タンタル、またはチタンを含んだものが用いられており、当該窒化膜３３と補助容量用電極２８との間での密着性を容易に確保することができるように構成されている。また、窒化膜３３には、窒素の含有量（ドープ量）が５重量％以上９０重量％以下に設定されており、当該窒化膜３３と補助容量用電極２８との間での密着性を確実に確保することができるようになっている。
　さらに、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、補助容量用電極２８と補助容量用配線２９との接続箇所において、窒化膜３３を介在させて、補助容量用電極２８と補助容量用配線２９とが直接的に当接するのを防いだ状態で、これらの補助容量用電極２８と補助容量用配線２９とを電気的に接続している。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、補助容量用電極２８と補助容量用配線２９との腐食電位が大きく異なることによるガルバニック腐食などの発生をより確実に抑制することができるようになっている。
　ここで、本発明の発明者が実施した検証試験での試験結果の具体例について、表１及び表２に示す。
　この検証試験では、補助容量用配線２９の組成を変更したときに、上記現像液に対する耐性、つまり当該現像液によって溶解が生じて、補助容量用電極２８との間での電気的な接続性が低下するか否かについて調べた。さらに、補助容量用電極２８と補助容量用配線２９との間での抵抗値（コンタクト抵抗）が大幅に増加するか否かについて調べた。そして、表１に、現像液に対する耐性及びコンタクト抵抗の双方が良好な場合を“○”で示し、現像液に対する耐性及びコンタクト抵抗の一方が良好でない場合を“×”で示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に例示されるように、補助容量用電極２８が例えばＩＴＯにより構成され、かつ、補助容量用配線２９が上記添加物の重量％が０．２％以上５．０％以下の範囲内の値に設定されたアルミニウム合金である場合に、補助容量用電極２８と補助容量用配線２９との間での抵抗値が１００Ω以下に抑えることができることが実証された。しかも、補助容量用電極２８と補助容量用配線２９との間での電気的な接続性が低下するのをより確実に防止することができることが確かめられた。
　尚、添加物の重量％が０．２％未満である場合には、補助容量用電極２８と補助容量用配線２９との間での抵抗値が１００Ωを越えて、当該抵抗値が大きくなるのを抑制することができなかった。一方、添加物の重量％が５．０％を越える場合には、上記現像液により補助容量用配線２９が溶解され、補助容量用電極２８との間での電気的な接続性が低下した。
　また、別の検証試験では、窒化膜３３での窒素の含有量を変更したときに、補助容量用電極２８との間での密着性が良好な状態であるか否かについて調べた。そして、表２に、上記密着性が良好な場合を“○”で示し、密着性が良好でない場合を“×”で示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２に例示されるように、窒化膜３３中の窒素の含有量の重量％が５％以上９０％以下の範囲内の値に設定されている場合、窒化膜３３と補助容量用電極２８との間での密着性が良好な状態であることが実証された。また、窒素の含有量の重量％が多いほど、上記密着性が良好な状態となることが確かめられた。
　尚、含有量の重量％が５％未満である場合には、密着性が良好でなく、補助容量用電極２８と補助容量用配線２９との間での電気的な接続性も低下した。一方、含有量の重量％が９０％を越える場合には、窒化膜３３を成膜することが困難となった。
　また、図４Ｂに戻って、遮光ブロック３０は、端部３０ａ及び端部３０ｂがそれぞれゲート配線Ｇ及び補助容量用配線２９に対し接続されないように、基材５ａ上に設けられている。すなわち、遮光ブロック３０は、端部３０ａとゲート配線Ｇとの間に接続されていない分離領域Ｋ１が形成され、かつ、端部３０ｂと補助容量用配線２９との間に接続されていない分離領域Ｋ２が形成されるように、基材５ａ上に設置されている。また、ゲート配線Ｇ及び補助容量用配線２９は、当該ゲート配線Ｇのゲート電極２５ｇと補助容量用配線２９との間に接続されていない分離領域Ｋ３が形成されるように、基材５ａ上に設置されている。
　また、以上のように、遮光ブロック３０は、ゲート配線Ｇ及び補助容量用配線２９に対し接続されていないので、遮光ブロック３０は、アクティブマトリクス基板５内で電気的に浮いた状態で設けられており、絵素電極２６との間に不必要な寄生容量を生じないように構成されている。
　さらに、遮光ブロック３０は、隣接する２つの絵素電極２６の各端部２６ａ、２６ｂに対向するように、基材５ａ上に設置されており、隣接する２つの絵素電極２６の各端部２６ａ、２６ｂを遮光するように設けられている。そして、遮光ブロック３０は、ソース配線Ｓに設けられた後述の幅太部とともに、隣接する２つの絵素Ｐの間からの光漏れを防ぐようになっている（詳細は後述。）。
　また、図４Ｃに示すように、ソース配線Ｓ及び薄膜トランジスタ２５のドレイン電極２５ｄが、所定のパターンで形成されている。これらソース配線Ｓ及びドレイン電極２５ｄは、例えばアルミニウム合金またはアルミニウム合金と高誘電材料との積層膜により構成されている。また、これらソース配線Ｓ及びドレイン電極２５ｄは、基材５ａ上において、後述の絶縁膜を介在させて、ゲート配線Ｇ、補助容量用電極２８、補助容量用配線２９、及び遮光ブロック３０の上方に形成されている。また、ソース配線Ｓでは、薄膜トランジスタ２５のソース電極２５ｓが一体的に設けられている。また、ドレイン電極２５ｄは、コンタクトホールＨ（図３）を介して絵素電極２６に電気的に接続されている。
　また、ソース配線Ｓには、配線幅が太くされた幅太部Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃが設けられている。これらの幅太部Ｓａ～Ｓｃは、上記分離領域Ｋ１～Ｋ３をそれぞれ覆うように構成されており、対応する分離領域Ｋ１～Ｋ３を遮光するようになっている。つまり、幅太部Ｓａは、ゲート配線Ｇと遮光ブロック３０の端部３０ａとの間の分離領域Ｋ１を覆うように構成されており、分離領域Ｋ１を遮光するようになっている。また、幅太部Ｓｂは、補助容量用配線２９と遮光ブロック３０の端部３０ｂとの間の分離領域Ｋ２を覆うように構成されており、分離領域Ｋ２を遮光するようになっている。また、幅太部Ｓｃは、ゲート配線Ｇと補助容量用配線２９との間の分離領域Ｋ３を覆うように構成されており、分離領域Ｋ３を遮光するようになっている。
　また、図４Ｄに示すように、絵素電極２６が、所定の形状に構成されている。この絵素電極２６は、基材５ａ上において、後述の絶縁膜を介在させて、ソース配線Ｓ及びドレイン電極２５ｄの上方に形成されている。また、この絵素電極２６は、ＩＴＯ膜などの透明な電極膜によって構成されている。さらに、隣接する２つの絵素電極２６において、端部２６ａ及び端部２６ｂの下方には、遮光ブロック３０が対向するように設けられている。
　また、本実施形態の液晶表示装置１では、図６に示すように、アクティブマトリクス基板５において、遮光ブロック３０が基材５ａ上に設けられ、さらに、遮光ブロック３０を覆うように絶縁膜３１が形成されている。また、アクティブマトリクス基板５では、遮光ブロック３０の中央部の真上の位置で、絶縁膜３１上にソース配線Ｓが設けられており、このソース配線Ｓを覆うように絶縁膜３２が形成されている。また、アクティブマトリクス基板５では、絵素電極２６が絶縁膜３２上に設けられている。
　さらに、アクティブマトリクス基板５では、遮光ブロック３０の左端部が左側の絵素電極２６の端部２６ｂに対向するように設けられ、遮光ブロック３０の右端部が右側の絵素電極２６の端部２６ａに対向するように設けられている。これにより、遮光ブロック３０は、隣接する２つの絵素電極２６の各端部２６ａ、２６ｂを遮光することができ、隣接する２つの絵素Ｐの間からの光漏れをより確実に防ぐことができる。この結果、本実施形態の液晶表示装置１では、ブラックマトリクスＢＭの幅を確実に小さくすることができる。
　尚、アクティブマトリクス基板５では、図６に示すように、ソース配線Ｓと絵素電極２６とが図の上下方向で互いに離れた位置に設けられているので、これらソース配線Ｓと絵素電極２６との間に発生する寄生容量を大幅に小さくすることができる。
　また、図６に示すように、ソース配線Ｓの上側では、カラーフィルタ基板６には基材６ａと、この基材６ａ上に形成されたブラックマトリクスＢＭとカラーフィルタ層Ｃｒ１、Ｃｒ２と、カラーフィルタ層Ｃｒ１、Ｃｒ２及びブラックマトリクスＢＭを覆うように設けられた共通電極２７とが設置されている。カラーフィルタ層Ｃｒ１、Ｃｒ２は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）のうち、互いに異なる２つの色のカラーフィルタにより構成されている。
　また、本実施形態の液晶表示装置１では、遮光ブロック３０が設けられていない部分において、ソース配線Ｓに設けられた幅太部Ｓａ～Ｓｃにより、隣接する２つの絵素Ｐの間からの光漏れを防ぐように構成されている。具体的にいえば、図７に例示するように、上記分離領域Ｋ２では、絶縁膜３１が基材５ａ上に設けられ、この絶縁膜３１上に幅太部Ｓｂが形成されている。また、絶縁膜３２が幅太部Ｓｂを覆うように設けられ、さらには、この絶縁膜３２上に絵素電極２６が設けられている。ここで、幅太部Ｓｂでは、その左端部が左側の絵素電極２６の端部２６ｂに対向するように設けられ、その右端部が右側の絵素電極２６の端部２６ａに対向するように設けられている。これにより、幅太部Ｓｂは、隣接する２つの絵素電極２６の各端部２６ａ、２６ｂを遮光することができ、隣接する２つの絵素Ｐの間からの光漏れを防ぐことができる。
　以上のように構成された本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、補助容量用電極２８と補助容量用配線２９とを窒化膜３３を介在させて接続している。これにより、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、窒化膜３３と補助容量用電極２８との間での密着性を確保しつつ、窒化膜３３を介在させて、補助容量用電極２８と補助容量用配線２９とを確実に接続することができる。この結果、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、上記従来例と異なり、補助容量用電極２８と補助容量用配線２９との間での電気的な接続性が低下するのを防止することができる。従って、本実施形態のアクティブマトリクス基板５では、絵素電極２６に充分な補助容量を確実に付加することが可能となって、液晶表示装置１での表示品位を容易に向上させることができる。
　また、本実施形態では、補助容量用電極２８と補助容量用配線２９との間での電気的な接続性が低下するのを防止することができるアクティブマトリクス基板５が液晶パネル（表示部）２に用いられているので、表示品位に優れた液晶パネル２を有する高性能な液晶表示装置１を容易に構成することができる。
　尚、上記の説明では、ブラックマトリクスＢＭをカラーフィルタ基板６側に設けた構成について説明したが、本実施形態の液晶表示装置１では、遮光ブロック３０及びソース配線Ｓの幅太部Ｓａ～Ｓｃによって、隣接する２つの絵素Ｐの間からの光漏れを防止することができる。それゆえ、本実施形態の液晶表示装置１では、ブラックマトリクスＢＭの設置を省略することも可能である。
　尚、上記の実施形態はすべて例示であって制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって規定され、そこに記載された構成と均等の範囲内のすべての変更も本発明の技術的範囲に含まれる。
　例えば、上記の説明では、本発明を透過型の液晶表示装置に適用した場合について説明したが、本発明の表示装置はアクティブマトリクス基板を具備した表示パネルを表示部に使用したものであれば何等限定されない。つまり、本発明の表示装置は、マトリクス状に配列された複数のデータ配線及び複数の走査配線と、データ配線と走査配線との交差部の近傍に設けられたスイッチング素子及びスイッチング素子に接続された絵素電極を有する絵素を有するアクティブマトリクス基板を使用したものであればよい。
　具体的にいえば、本発明の表示装置は、半透過型や反射型の液晶パネルあるいは有機ＥＬ（Electronic Luminescence）素子、無機ＥＬ素子、電界放出ディスプレイ（Field Emission Display）などのアクティブマトリクス基板を用いた各種表示装置に適用することができる。
　また、上記の説明では、遮光ブロック、ゲート配線（走査配線）、及び補助容量用配線を基材上で、同一材料によって形成するとともに、これら遮光ブロック、走査配線、及び補助容量用配線の上方にソース配線（データ配線）を設けた場合について説明した。しかしながら、本発明のアクティブマトリクス基板は、データ配線及び走査配線の一方及び他方が互いに交差するように設けられた基材を備え、当該基材上に、絵素毎に設けられるとともに、透明な電極によって構成されて補助容量を発生させるための補助容量用電極、及びアルミニウム合金により構成された補助容量用配線を設けるとともに、金属材料の窒化膜を介在させて、補助容量用電極と補助容量用配線とを接続したものであれば何等限定されない。
　具体的には、例えばデータ配線の上方に走査配線を設けたり、遮光ブロック及び走査配線と異なる層に補助容量用配線を設けるとともに、当該補助容量用配線を隣接する２本の走査配線の略中央部を通るように配線したりする構成でもよい。また、合成樹脂などの有機化合物を用いて、遮光ブロックを構成するとともに、一本の直線状に構成した当該遮光ブロックを、走査配線及び補助容量用配線と異なる層に設ける構成でもよい。さらに、上記のような一本の直線状の遮光ブロックを使用した場合には、上記の実施形態と異なり、ソース配線に上記幅太部を形成することなく、当該遮光ブロックだけにより、隣接する２つの絵素Ｐの間からの光漏れを防ぐことができる。
　但し、上記の実施形態のように、補助容量用配線と走査配線とを同一材料によって形成する場合の方が、これらの補助容量用配線と走査配線と同時に形成することができ、アクティブマトリクス基板の製造工程の簡単化を容易に図ることができる点で好ましい。
　また、上記の説明では、基材上の補助容量用電極と補助容量用配線との接続箇所において、補助容量用配線が補助容量用電極の上方に設けられ、かつ窒化膜を介在させて当該補助容量用電極に接続されている構成について説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、基材上の補助容量用電極と補助容量用配線との接続箇所において、補助容量用配線の上方に窒化膜及び補助容量用電極を順次形成して互いに接続する構成でもよい。
　但し、上記の実施形態のように、基材上において、補助容量用電極、窒化膜、及び補助容量用配線の順番で設ける場合の方が、補助容量用電極と窒化膜との間での密着性をより容易に確保することができる点で好ましい。
　また、上記の説明では、ソース配線（データ配線）において、ゲート配線（走査配線）と遮光ブロックの端部との間の接続されていない分離領域及び補助容量用配線と遮光ブロックの端部との間の接続されていない分離領域を覆うように、配線幅を太くした場合について説明した。しかしながら、本発明の表示装置はこれに限定されるものではなく、例えばブラックマトリクスにおいて、上記の各分離領域を覆うように、幅を部分的に太くする構成でもよい。
　本発明は、補助容量用電極と補助容量用配線との間での電気的な接続性が低下するのを防止することができるアクティブマトリクス基板、及びこれを用いた表示装置に対して有用である。
　１　液晶表示装置（表示装置）
　２　液晶パネル（表示部）
　５　アクティブマトリクス基板
　５ａ　基材
　２５　薄膜トランジスタ（スイッチング素子）
　２６　絵素電極
　２８　補助容量用電極
　２８ａ　接続部分
　２９　補助容量用配線
　２９ａ　接続部分
　３３　窒化膜
　Ｓ１～ＳＭ、Ｓ、　ソース配線（データ配線）
　Ｇ１～ＧＮ、Ｇ　ゲート配線（走査配線）
　Ｐ　絵素

Claims (8)

  1. マトリクス状に配列された複数のデータ配線及び複数の走査配線と、前記データ配線と前記走査配線との交差部の近傍に設けられたスイッチング素子及び前記スイッチング素子に接続された絵素電極を有する絵素とを備え、表示パネルの基板として用いられるアクティブマトリクス基板であって、
    　前記データ配線及び前記走査配線の一方及び他方が互いに交差するように設けられた基材を備え、
    　前記基材上には、絵素毎に設けられるとともに、透明な電極によって構成されて補助容量を発生させるための補助容量用電極、及び
    　アルミニウム合金により構成された補助容量用配線が設けられるとともに、
    　金属材料の窒化膜を介在させて、前記補助容量用電極と前記補助容量用配線とを接続した、
    　ことを特徴とするアクティブマトリクス基板。
  2. 前記金属材料には、融点が１０００℃以上の高融点金属材料が用いられている請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
  3. 前記窒化膜では、その窒素の含有量が５重量％以上９０重量％以下である請求項１または２に記載のアクティブマトリクス基板。
  4. 前記基材上では、前記補助容量用電極と前記補助容量用配線との接続箇所において、前記補助容量用配線が前記補助容量用電極の上方に設けられ、前記窒化膜を介在させて、当該補助容量用電極に接続されている請求項１～３のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
  5. 前記補助容量用電極として、透明導電膜が用いられ、
    　前記補助容量用配線には、添加物として、炭素、ケイ素、コバルト、ニッケル、ゲルマニウム、ロジウム、パラジウム、及びスズの少なくとも一つの元素が含まれている請求項１～４のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
  6. 前記補助容量用配線では、前記添加物の合計の重量％が０．２％以上５．０％以下である請求項５に記載のアクティブマトリクス基板。
  7. 前記走査配線は、前記補助容量用配線と同一材料によって形成されている請求項１～６のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
  8. 表示部を備えた表示装置であって、
    　前記表示部には、請求項１～７のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板を用いたことを特徴とする表示装置。
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