WO2011019160A3 - 반도체나 평판표시소자 검사에 사용되는 프로브의 제조방법 - Google Patents

반도체나 평판표시소자 검사에 사용되는 프로브의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
WO2011019160A3
WO2011019160A3 PCT/KR2010/005135 KR2010005135W WO2011019160A3 WO 2011019160 A3 WO2011019160 A3 WO 2011019160A3 KR 2010005135 W KR2010005135 W KR 2010005135W WO 2011019160 A3 WO2011019160 A3 WO 2011019160A3
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
probe
insulator
protective film
forming
beams
Prior art date
Application number
PCT/KR2010/005135
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2011019160A2 (ko
Inventor
임영순
윤채영
방용우
이해원
최윤숙
이장희
Original Assignee
(주)메리테크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)메리테크 filed Critical (주)메리테크
Priority to CN2010800356995A priority Critical patent/CN102597787A/zh
Publication of WO2011019160A2 publication Critical patent/WO2011019160A2/ko
Publication of WO2011019160A3 publication Critical patent/WO2011019160A3/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06755—Material aspects
    • G01R1/06761—Material aspects related to layers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06733—Geometry aspects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2879—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to electrical aspects, e.g. to voltage or current supply or stimuli or to electrical loads
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Geometry (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체나 평판표시소자 검사에 사용되는 프로브 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 반도체 및 평판표시소자에 전기적 신호를 인가하는 전도성 소재로 등간격 이격되어 다수 마련된 프로브 빔;과, 상기 프로브빔의 측단 하부에 형성되어 상기 반도체 및 평판표시소자와 접촉되는 프로브 팁;과, 실리콘 기판상에 프로브 빔의 안착공간이 이 형성되며, 중심부에 프로브 빔과 연결된 전기배선이 구성되는 실리콘 소재로 마련된 절연체;와, 상기 절연체 상부 중앙에 부착된 판형의 보강판;을 포함한다. 또한, 상기 프로브의 제조방법은 실리콘 기판상에 프로브 빔이 안착되는 절연체를 형성하는 단계;와, 상기 절연체 하부에 간극을 이루며 제1보호막을 형성하는 단계;와, 상기 절연체 하부 중 제1보호막이 형성되지 않은 부분에 프로브 빔의 노출부를 형성하기 위하여 물리적으로 식각하는 단계;와, 상기 제1보호막을 제거하는 단계;와, 상기 절연체 상부에 등간격 이격 배열되는 프로브 팁의 형상을 한정하는 제2 보호막을 형성하는 단계;와, 상기 제2보호막을 마스크로 사용하여 프로브 팁의 형상과 대응되는 홈을 식각공정으로 형성하는 단계;와, 상기 제2보호막을 제거하는 단계;와, 상기 절연체 위에 산화막을 이루는 절연물질을 도포하는 단계;와, 상기 절연물질이 도포된 절연체 상부에 프로브 빔 하단을 한정하는 제3보호막을 형성하는 단계;와, 상기 제3보호막을 마스크로 하여 물질적인 식각공정을 사용하여 프로브 팁 하단부와 대응되는 형상으로 절연막을 제거하여 트렌치를 형성하는 단계;와, 상기 제3보호막을 제거하는 단계;와, 상기 절연체 상부에 프로브 빔을 형성하기 위한 전기도금공정을 위해 도금틀을 형성하는 단계;와, 상기 도금틀 위에 전도성 물질을 도포하여 전기도금 씨앗층을 형성하는 단계;와, 상기 도금틀을 제거하는 단계;와, 상기 전기도금 씨앗층을 제한적으로 제거하여 프로브 빔에 전기배선을 형성하는 단계;와, 상기 전기배선 하단부분을 제외한 프로브에 팁을 가진 전기신호전달 프로브 전면에 절연성 고분자를 도포하는 단계;와, 상기 절연 처리된 프로브 팁을 포함한 전기신호전달 체계가 형성된 프로브 빔의 집단 중앙부분을 한정하는 제4보호막을 형성하는 단계;와, 상기 제4보호막을 마스크로 하여 한정된 프로브 빔의 중앙부에 보강판을 부착하는 단계;와, 상기 제4보호막을 제거하는 단계;와, 상기 절연체 하부 중앙부분을 한정하기 위한 제5보호막을 형성하는 단계;와, 상기 제5보호막을 마스크로 하여 식각공정을 통해 상기 절연체의 중앙부분을 제외하고 통해 다른 부분을 외부로 노출시키는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 인접하는 프로브 팁의 접촉에 의한 단락을 방지하거나 노이즈를 제거할 수 있으며, 주파수 신호 테스트시 발생될 수 있는 인접신호의 간섭을 차단함으로써 프로브의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
PCT/KR2010/005135 2009-08-11 2010-08-05 반도체나 평판표시소자 검사에 사용되는 프로브의 제조방법 WO2011019160A2 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010800356995A CN102597787A (zh) 2009-08-11 2010-08-05 用来检查半导体或平板显示元件的探针的制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090073873A KR100955597B1 (ko) 2009-08-11 2009-08-11 반도체나 평판표시소자 검사에 사용되는 프로브의 제조방법
KR10-2009-0073873 2009-08-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2011019160A2 WO2011019160A2 (ko) 2011-02-17
WO2011019160A3 true WO2011019160A3 (ko) 2011-06-09

Family

ID=42281322

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2010/005135 WO2011019160A2 (ko) 2009-08-11 2010-08-05 반도체나 평판표시소자 검사에 사용되는 프로브의 제조방법

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR100955597B1 (ko)
CN (1) CN102597787A (ko)
WO (1) WO2011019160A2 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101975921A (zh) * 2010-09-29 2011-02-16 上海天臣威讯信息技术有限公司 芯片测试板及测试方法、dfn封装器件测试板及测试方法
CN108663553B (zh) * 2017-03-29 2022-01-25 上海中船电气有限公司 一种接触式半导体材料测试头
CN116106591B (zh) * 2023-01-10 2023-09-19 佛山市蓝箭电子股份有限公司 一种微波探针的制作方法及微波探针

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007064980A (ja) * 2005-08-29 2007-03-15 Mjc Probe Inc プローブカードの電気的接続装置
KR20070099322A (ko) * 2006-04-04 2007-10-09 주식회사 코넴 평판표시소자 테스트를 위한 검사장치 및 그 제조방법
KR20080005288A (ko) * 2005-05-03 2008-01-10 에스브이 프로브 피티이 엘티디 유전체 구조를 갖는 프로브 카드 어셈블리
KR20080103784A (ko) * 2007-05-25 2008-11-28 세크론 주식회사 프로브 어셈블리 및 이를 가지는 프로브 카드

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4465995B2 (ja) * 2003-07-02 2010-05-26 株式会社日立製作所 プローブシート、プローブカード、半導体検査装置および半導体装置の製造方法
CN100343677C (zh) * 2005-03-16 2007-10-17 胜华科技股份有限公司 接触式薄膜探针及其制造方法
KR100653636B1 (ko) * 2005-08-03 2006-12-05 주식회사 파이컴 수직형 프로브, 그 제조 방법 및 프로브의 본딩 방법
JP2007093232A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Seiko Epson Corp 電子デバイスの検査及び／又は調整方法、プローブピンの接触構造
KR100703043B1 (ko) * 2006-09-21 2007-04-09 (주)에이펙스 검사용 프로브 기판 및 그 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080005288A (ko) * 2005-05-03 2008-01-10 에스브이 프로브 피티이 엘티디 유전체 구조를 갖는 프로브 카드 어셈블리
JP2007064980A (ja) * 2005-08-29 2007-03-15 Mjc Probe Inc プローブカードの電気的接続装置
KR20070099322A (ko) * 2006-04-04 2007-10-09 주식회사 코넴 평판표시소자 테스트를 위한 검사장치 및 그 제조방법
KR20080103784A (ko) * 2007-05-25 2008-11-28 세크론 주식회사 프로브 어셈블리 및 이를 가지는 프로브 카드

Also Published As

Publication number Publication date
KR100955597B1 (ko) 2010-05-03
WO2011019160A2 (ko) 2011-02-17
CN102597787A (zh) 2012-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8502223B2 (en) Silicon wafer having testing pad(s) and method for testing the same
JP2009204393A5 (ko)
CN103064223B (zh) 一种阵列基板和一种显示面板
US9271393B2 (en) Multilayer wiring base plate and probe card using the same
CN103094231B (zh) 电子器件以及用于制造电子器件的方法
CN109768054B (zh) 阵列基板及显示屏
WO2011019160A3 (ko) 반도체나 평판표시소자 검사에 사용되는 프로브의 제조방법
TW200715466A (en) Method of forming an electrical isolation associated with a wiring level on a semiconductor wafer
JP2009124044A (ja) フレキシブルプリント配線板
US9117880B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
KR100977289B1 (ko) 반도체나 평판표시소자 검사에 사용되는 프로브
TWI671510B (zh) 靜電電容式壓力傳感器
JP3195187U (ja) 線状接点が配置されたチップパッケージング用基板を使用するスペーストランスフォーマ
US9644282B2 (en) Manufacturing method of electronic component
US12009366B2 (en) Array substrate, manufacturing method thereof, and display device
KR20150077843A (ko) 비아 홀 콘택 형성을 위한 비아 홀 제조방법 및 이에 의해 제조된 비아 홀이 형성된 반도체 소자
KR20100060272A (ko) 단방향 도전성 시트 및 그 제조 방법
JP2012160633A (ja) 半導体装置の配線構造及びその製造方法
JP6778201B2 (ja) 基板の電気的特性を測定するための、方法、装置およびシステム
KR20050076532A (ko) 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법 및 이에 따른프로브
WO2009097924A3 (de) Mikromechanisches bauelement und verfahren zur herstellung desselben
JP6834919B2 (ja) 静電容量式圧力センサ
CN104362154A (zh) 一种阵列基板及其制备方法
KR20230103880A (ko) 터치 센서
JP2012021826A5 (ko)

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201080035699.5

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10808309

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 10808309

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2