WO2010147053A1 - 気相成長装置 - Google Patents

気相成長装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2010147053A1
WO2010147053A1 PCT/JP2010/059906 JP2010059906W WO2010147053A1 WO 2010147053 A1 WO2010147053 A1 WO 2010147053A1 JP 2010059906 W JP2010059906 W JP 2010059906W WO 2010147053 A1 WO2010147053 A1 WO 2010147053A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
susceptor
gear
gear member
members
height adjusting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2010/059906
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
晃 山口
康右 内山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TN EMC Ltd
Nippon Sanso Holdings Corp
Original Assignee
TN EMC Ltd
Nippon Sanso Holdings Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TN EMC Ltd, Nippon Sanso Holdings Corp filed Critical TN EMC Ltd
Priority to CN201080027286.2A priority Critical patent/CN102804339B/zh
Priority to JP2011519748A priority patent/JP5613159B2/ja
Priority to US13/379,077 priority patent/US20120103265A1/en
Publication of WO2010147053A1 publication Critical patent/WO2010147053A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Priority to US14/988,351 priority patent/US9765427B2/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
    • H10P72/0434—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
    • H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H10P72/7618—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating carrousel
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
    • H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H10P72/7621—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting two or more semiconductor substrates

Definitions

  • the present invention relates to a vapor phase growth apparatus, and more particularly, to a self-revolving vapor phase growth apparatus that vapor-grows a semiconductor thin film on a substrate surface while revolving the substrate.
  • a vapor phase growth apparatus for vapor phase growth on a large number of substrates at once, a plurality of rotation susceptors are arranged in the circumferential direction of the outer periphery of the revolution susceptor, an external gear is provided on the outer periphery of the rotation susceptor, and the chamber is provided in the chamber.
  • the fixed internal gear and the external gear are disengaged.
  • the fixed internal gear and the external gear have to be manually engaged with each other in a predetermined state.
  • the number of the rotating susceptors is large, it takes time and effort to check the engagement state.
  • the rotation susceptor is greatly inclined, and there is a possibility that a large force acts on the gear and the gear is chipped.
  • an object of the present invention is to provide a self-revolving vapor phase growth apparatus capable of automatically engaging an external gear and an internal gear.
  • a first configuration of the vapor phase growth apparatus of the present invention includes a disc-shaped susceptor rotatably provided in a chamber, and a plurality of external gear members rotatably provided in the circumferential direction of the outer periphery of the susceptor.
  • a vapor phase growth apparatus having a self-revolving mechanism including a ring-shaped fixed internal gear member having an internal gear meshing with the external gear member, at least one of the susceptor and the internal gear member is connected to the external gear member.
  • the gear member and the internal gear member are formed so as to be movable in the rotational axis direction between a meshed position where the gear member meshes with each other and a non-engaged position where both gear members are separated in the rotational axis direction, and at least of both gear members When both gear members move from the non-engaged position to the meshed position on the tooth side surface of one of the gear members, they contact the tooth side surface of the other gear member.
  • a guide slope for guiding the gear member on the engagement state is provided.
  • the second configuration of the vapor phase growth apparatus of the present invention is a disk-shaped susceptor rotatably provided in the chamber, and a plurality of external gear members rotatably provided in the circumferential direction of the outer periphery of the susceptor.
  • a vapor phase growth apparatus having a self-revolving mechanism comprising a ring-shaped fixed internal gear member having an internal gear meshing with the external gear member, an upper surface of a shaft member for supporting and rotating the susceptor and a center of the susceptor
  • a pair of upper and lower susceptor height adjusting members are provided opposite to each other, and the susceptor height adjusting members are opposed to the opposing surface of each susceptor height adjusting member toward the opposing susceptor height adjusting members.
  • Protruding projecting surfaces are respectively formed in the circumferential direction, and when the projecting surfaces are brought into contact with each other, the susceptor is supported at a higher position than during film formation, and the outer gear member and the inner gear member are engaged with each other.
  • Protruding dimensions The susceptor and the outer gear member supported in a position at the time of deposition and the internal gear member is formed so as to have a predetermined meshing when brought into contact with small projecting faces.
  • a third configuration of the vapor phase growth apparatus of the present invention includes a disk-shaped susceptor rotatably provided in the chamber, and a plurality of external gear members rotatably provided in the circumferential direction of the outer periphery of the susceptor.
  • a vapor phase growth apparatus having a self-revolving mechanism including a ring-shaped fixed internal gear member having an internal gear meshing with the external gear member, at least one of the susceptor and the internal gear member is connected to the external gear member.
  • the gear member and the internal gear member are formed so as to be movable in the rotational axis direction between a meshed position where the gear member meshes with each other and a non-engaged position where both gear members are separated in the rotational axis direction, and at least of both gear members When both gear members move from the non-engaged position to the meshed position on the tooth side surface of one of the gear members, they contact the tooth side surface of the other gear member.
  • a guide slope for guiding the gear member into the meshing state is provided, and a pair of upper and lower susceptor height adjusting members are opposed to each other between the upper surface of the shaft member that supports and rotates the susceptor and the lower surface of the central portion of the susceptor.
  • the susceptor height adjusting member is provided such that projecting surfaces having different projecting dimensions are formed on the opposing surfaces of the respective susceptor height adjusting members in the circumferential direction, and projecting surfaces having larger projecting dimensions are brought into contact with each other.
  • the susceptor is supported at a higher position than when the film is formed, and the external gear member and the internal gear member are engaged with each other by the guide slope, so that the projecting surface having a large projecting dimension and the projecting surface having a small projecting dimension are brought into contact with each other.
  • the external gear member and the internal gear member are formed in a predetermined meshing state by supporting the susceptor at the position during film formation.
  • the guide inclined surface Both gear members can be guided to mesh.
  • the external gear member provided in a freely rotating state with respect to the susceptor is slightly rotated in either direction, so that both the gear members are reliably guided in the meshed state. Therefore, it is also possible to automate the attachment / detachment of the susceptor by eliminating the manual engagement work.
  • the susceptor height adjustment member supports the susceptor at a higher position than during film formation, so that the external gear member and the internal gear are Even if the member is in a non-engagement state, the external gear member is not greatly inclined, and the gear is not chipped.
  • the external gear member and the internal gear member change from the non-engagement state to the meshing state, so the susceptor height adjustment member holds the susceptor.
  • the external gear member and the internal gear member can be brought into a predetermined meshing state, and the position of the susceptor in the chamber can be set to a predetermined height.
  • the third configuration of the vapor phase growth apparatus of the present invention it is possible to more reliably prevent the gear from being chipped, and to further shift the external gear member and the internal gear member from the non-meshing state to the meshing state. It can be done reliably.
  • FIG. 1 is a cross-sectional front view showing a first embodiment of a vapor phase growth apparatus of the present invention. It is a cross-sectional front view of the principal part which shows the state which the susceptor and the external gear member moved relatively to the rotation axis direction. It is a top view which shows one shape example of the guide slope provided in the tooth
  • FIG. 5 is a VV cross-sectional view of FIG. 3. It is a top view which shows the other example of a shape of the guide slope provided in the tooth
  • FIG. 5 is a VV cross-sectional view of FIG. 3. It is a top view which shows the other example of a shape of the guide slope provided in the tooth
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line VIII-VIII in FIG. 6. It is a cross-sectional front view which shows the 2nd example of a vapor phase growth apparatus of this invention. It is a sectional front view showing a susceptor height adjusting member. It is a top view of the susceptor height adjustment member provided in the upper surface of the shaft member. It is a bottom view of the susceptor height adjustment member provided in the center part lower surface of a susceptor. It is explanatory drawing which shows the state which supported the susceptor in the position higher than the time of film-forming by the susceptor height adjustment member. It is explanatory drawing which shows the state which supported the susceptor in the position at the time of film-forming by the susceptor height adjustment member.
  • the vapor phase growth apparatus shown in FIGS. 1 to 8 shows a first embodiment of the present invention.
  • a disk-shaped susceptor 12 is rotatably provided in a chamber 11, and ring-shaped bearings are respectively provided in a plurality of circular openings 12 a formed in the circumferential direction of the outer periphery of the susceptor 12.
  • a member 13 an external gear member (spinning susceptor) 14 rotatably mounted on each bearing member 13 via a plurality of rolling members (balls) 13 a, and a ring shape meshing with the external gear member 14
  • a flow channel 18 for introducing gas.
  • a shaft member 19 for rotating the susceptor 12 is provided at the center lower portion of the susceptor 12, and a gas introduction portion 20 for introducing a raw material gas into the flow channel 18 at the center upper portion of the flow channel 18.
  • a plurality of gas discharge portions 21 are provided on the outer periphery of the flow channel 18.
  • the lower surface of the bearing member 13, the lower surface of the external gear member 14, and the lower surface of the susceptor 12 are flush with each other.
  • the upper surface of the outer peripheral portion of the member 14 and the upper surface of the substrate 16 and the upper surface of the susceptor 12 are formed to be flush with each other.
  • One or both of the susceptor 12 and the fixed internal gear member 15 are provided so as to be movable in the direction of the rotation axis (vertical direction). As shown in FIG.
  • the bearing member 13 and the external gear member 14 are located above the fixed internal gear member 15 together with the susceptor 12, and the external gear 14a of the external gear member 14 and the internal gear 15a of the fixed internal gear member 15 are shown in FIG.
  • the position of the meshing state shown in FIG. 1 is changed to the position of the non-meshing state shown in FIG.
  • the guide slope 31 shown in FIG. 3 to FIG. 5 has one side surface of the tooth 33 of the gear member 32 as a mountain-shaped slope, and this guide slope 31 is connected to the external gear 14 a of the external gear member 14.
  • the guide slope 41 shown in FIGS. 6 to 8 is one in which one side surface of the tooth 43 of the gear member 42 is entirely inclined, and the opposing external gear 14a and internal gear 15a are A guide slope 41 that is inclined in the same direction when the two come into contact with each other is provided.
  • the external gear member 14 is slightly rotated so that the external gear 14a moves along the inclination of both guide slopes 41, and the teeth of the external gear 14a become the internal gear.
  • the gears 14a and 15a enter a predetermined meshing state by entering between the teeth of 15a.
  • the susceptor 12 and the fixed internal gear on which the bearing member 13 and the external gear member 14 are mounted are provided.
  • the member 15 is assembled, even if the teeth of the external gear 14a and the teeth of the internal gear 15a are out of mesh with each other, the teeth of the external gear 14a and the teeth of the internal gear 15a are automatically moved by the guide slope. In addition, a predetermined meshing state can be ensured.
  • the gears 14a and 15a can be meshed more smoothly. In rotating the susceptor 12, for example, the susceptor 12 may be rotated about 2 to 3 times at a rotation speed slower than the rotation speed during film formation, or may be rotated only in one direction.
  • each component can be appropriately set according to the size of the vapor phase growth apparatus, the number of substrates processed at one time, the size of the substrate, the type of source gas, etc.
  • the susceptor transport mechanism is optional.
  • the guide slope may be provided only on the side surface of one of the teeth, and the guide slope may be a curved surface.
  • the vapor phase growth apparatus shown in FIGS. 9 to 14 shows a second embodiment of the present invention.
  • the same components as those of the vapor phase growth apparatus shown in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
  • the vapor phase growth apparatus shown in the present embodiment basically has the same configuration as the vapor growth apparatus shown in the first embodiment.
  • the disc-shaped susceptor 12 rotatably provided in the chamber 11 is provided with a pair of upper and lower susceptor height adjusting members 51, 61 made of quartz provided on the upper surface of the shaft member 19 and the lower surface of the central portion of the susceptor 12. And supported by the shaft member 19.
  • the lower susceptor height adjusting member 51 provided on the upper surface of the shaft member 19 includes three protruding portions 52 protruding upward toward the upper susceptor height adjusting member 61 facing each other in the circumferential direction of the upper surface outer peripheral portion, Stepped concavo-convex portions 54 in which three sets of three concave portions 53 formed between the protruding portions 52 are alternately formed are provided at intervals of 120 degrees. Further, a ring-shaped protrusion 55 protruding upward toward the upper susceptor height adjusting member 61 is formed on the inner peripheral side of the stepped uneven portion 54, and a lower portion is formed on the inner peripheral side of the ring-shaped protrusion 55.
  • Screw holes 57 for inserting eight screws 56 for attaching the susceptor height adjusting member 51 to the upper surface of the shaft member 19 are formed at eight positions in the circumferential direction at equal intervals.
  • the lower susceptor height adjusting member 51 is made of quartz, and the shaft member 19 is made of carbon. Thus, in order to join the members of different materials, both are mechanically joined.
  • the upper susceptor height adjusting member 61 provided on the lower surface of the central portion of the susceptor 12 is formed with a circular opening 62 having an inner diameter corresponding to the outer diameter of the ring-shaped protruding portion 55 at the central portion.
  • a ring-shaped fitting protrusion 63 having an outer diameter corresponding to the inner diameter of the fitting recess 12 b formed on the lower surface of the center portion of the susceptor 12 is provided on the outer peripheral upper surface of 62 so as to protrude upward.
  • a stepped uneven portion 64 corresponding to the protrusion 52 and the recess 53 of the lower susceptor height adjusting member 51 is formed on the back surface of the fitting protrusion 63.
  • a ring-shaped projecting portion 65 having an inner diameter corresponding to the outer diameter of the lower susceptor height adjusting member 51 is provided on the outer periphery of the stepped uneven portion 64 so as to protrude downward.
  • a flange 66 for attaching the upper susceptor height adjusting member 61 to the lower surface of the central portion of the susceptor 12 is provided on the outer periphery.
  • the upper susceptor height adjusting member 61 is made of quartz, and the susceptor 12 is made of SiC-coated carbon.
  • the upper susceptor height adjusting member 61 is provided with the flange 66 and mechanically joined using, for example, screw holes and screws (not shown).
  • the stepped concavo-convex portion 64 of the upper susceptor height adjusting member 61 includes a concave portion 67 formed at a predetermined interval in the circumferential direction, and a first protruding portion protruding downward in two steps toward the lower susceptor height adjusting member 51.
  • Three sets of stepped protrusions 68 having 68a and second protrusions 68b and anti-rotation protrusions 69 protruding downward from the protrusions 68 are provided at intervals of 120 degrees in the circumferential direction.
  • the size of the recess 67 of the upper susceptor height adjustment member 61 is large enough to accommodate the protrusion 52 of the lower susceptor height adjustment member 51, and the size of the recess 53 of the lower susceptor height adjustment member 51.
  • the size of the upper susceptor height adjusting member 61 is large enough to accommodate the protruding portion 68 and the non-rotating convex portion 69.
  • the projecting heights of the first projecting portion 68a and the second projecting portion 68b in the projecting portion 68 are set to appropriate heights according to the thickness of the external gear member 14 and the fixed internal gear member 15 and the presence or absence of the guide slope. Is set.
  • the protrusions 52, 68 a, 68 b and the rotation preventing projection 69 are arranged so that the shaft member 19 is forwardly moved in the forward direction with the susceptor 12 placed on the upper surface of the shaft member 19 via the susceptor height adjusting members 51, 61 ( When the film is rotated in the direction of rotation during film formation, the protruding portions 52, 68a, 68b and the rising portions (steps) of the non-rotating convex portion 69 come into contact with each other to transmit the rotation of the shaft member 19 to the susceptor 12. It has a function to do.
  • the protrusion 52 of the lower susceptor height adjusting member 51 is provided.
  • the front end surface of the protrusion 68 of the upper susceptor height adjustment member 61 in this embodiment, one of the front end surfaces of the first protrusion 68a and the second protrusion 68b. To do.
  • the susceptor 12 is supported at a position higher than the height during film formation with respect to the shaft member 19.
  • the external gear member (spinning susceptor) 14 positioned on the outer peripheral portion of the susceptor 12 becomes higher than the fixed internal gear member 15, and the external gear A state where the lower portion of the member 14 and the upper portion of the fixed internal gear member 15 are slightly engaged, for example, 1 to 2 mm can be achieved. Therefore, even if the external gear member 14 and the internal gear member 15 are not engaged with each other and the external gear 14a of the external gear member 14 rides on the internal gear 15a of the internal gear member 15, the external gear member 14 is not greatly inclined, and the gear is not chipped.
  • the susceptor 12 is rotated, for example, by rotating about one rotation at a rotation speed slower than the rotation speed at the time of film formation, on the internal gear 15a.
  • the tooth of the external gear 14a that has been in the riding state falls between the teeth of the internal gear 15a, so that the external gear member 14 and the internal gear member 15 are engaged with each other.
  • the susceptor height adjusting members 51 and 61 are provided with protrusions that prevent rotation in the reverse direction. Since the anti-rotation projection is not provided, the shaft member 19 rotates in the reverse direction with the susceptor 12 hardly rotating.
  • the protrusion 52 of the lower susceptor height adjustment member 51 is accommodated in the recess 67 of the upper susceptor height adjustment member 61, and the protrusion 68 of the upper susceptor height adjustment member 61 and The anti-rotation protrusion 69 is accommodated in the recess 53 of the lower susceptor height adjustment member 51.
  • the susceptor 12 will be in the state supported by the position corresponding to the height at the time of film-forming, and it will be in the fixed internal gear member 15.
  • the external gear member 14 is lowered, the external gear member 14 and the fixed internal gear member 15 are brought into a meshing state during a predetermined film formation.
  • the external gear member 14 and the fixed internal gear member 15 are portions of the guide slope when the susceptor 12 is supported at a higher position than during film formation. By setting the height of the susceptor 12 so as to engage with each other, the external gear member 14 and the fixed internal gear member 15 can be more reliably engaged with each other.
  • the projecting portion may be only one step, and the anti-rotation convex portion may be provided on either of the upper and lower susceptor height adjusting members.
  • Screw 57 ... Screw hole, 61 ... Upper susceptor height Length adjusting member 62 ... circular opening 63 63 fitting protrusion 64 64 step-like uneven part 65 ... ring-like protrusion 66 66 flange 67 recessed part 68 ... protrusion 68a ... first protrusion 68b ... second protrusion 69 ... Ri stop convex portion

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

外歯車と内歯車とを自動的に噛み合い状態にすることができる自公転型の気相成長装置であって、円盤状のサセプタの外周部周方向に回転可能に設けられた複数の外歯車部材と、該外歯車部材に噛合する内歯車を備えたリング状の固定内歯車部材との少なくともいずれか一方の歯車部材の歯側面に、両歯車部材が非噛み合い状態の位置から噛み合い状態の位置へと移動したときに、他方の歯車部材の歯側面に当接して両歯車部材を噛み合い状態にガイドするためのガイド斜面を設ける。

Description

気相成長装置
　本発明は、気相成長装置に関し、詳しくは、基板を自公転させながら基板面に半導体薄膜を気相成長させる自公転型の気相成長装置に関する。
　一度に多数枚の基板に気相成長させる気相成長装置として、公転サセプタの外周部周方向に複数の自転サセプタを配置し、該自転サセプタの外周部に外歯車を設け、チャンバ内に設けた固定内歯車と前記外歯車とを噛み合わせることによって成膜中の基板を自公転させる自公転型気相成長装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００７－２４３０６０号公報
　前述のような自公転型の気相成長装置において、基板交換作業や保守作業のために公転サセプタを取り外すと、固定内歯車と外歯車との噛み合いが外れるため、作業後に公転サセプタを取り付ける際に、固定内歯車と外歯車とを手作業で所定の状態に噛み合わせなければならず、自転サセプタの数が多い場合には、噛み合い状態を確認するだけでも手間や時間が掛かっていた。また、固定内歯車と外歯車とが非噛み合い状態のときには自転サセプタが大きく傾いた状態になり、歯車に大きな力が作用して歯車に欠けが生じるおそれもあった。
　そこで本発明は、外歯車と内歯車とを自動的に噛み合い状態にすることができる自公転型の気相成長装置を提供することを目的としている。
　本発明の気相成長装置の第１の構成は、チャンバー内に回転可能に設けられた円盤状のサセプタと、該サセプタの外周部周方向に回転可能に設けられた複数の外歯車部材と、該外歯車部材に噛合する内歯車を備えたリング状の固定内歯車部材とを備えた自公転機構を有する気相成長装置において、前記サセプタ及び前記内歯車部材の少なくともいずれか一方を、前記外歯車部材と前記内歯車部材とが互いに噛み合う噛み合い状態の位置と両歯車部材が回転軸線方向に離間した非噛み合い状態の位置とに、回転軸線方向に移動可能に形成するとともに、両歯車部材の少なくともいずれか一方の歯車部材の歯側面に、両歯車部材が前記非噛み合い状態の位置から前記噛み合い状態の位置へと移動したときに、他方の歯車部材の歯側面に当接して両歯車部材を前記噛み合い状態にガイドするためのガイド斜面を設けている。
　本発明の気相成長装置の第２の構成は、チャンバー内に回転可能に設けられた円盤状のサセプタと、該サセプタの外周部周方向に回転可能に設けられた複数の外歯車部材と、該外歯車部材に噛合する内歯車を備えたリング状の固定内歯車部材とを備えた自公転機構を有する気相成長装置において、前記サセプタを支持して回転させる軸部材の上面とサセプタの中央部下面との間に上下一対のサセプタ高さ調節部材が対向して設けられ、該サセプタ高さ調節部材は、各サセプタ高さ調節部材の対向面に、対向するサセプタ高さ調節部材に向かって突出する突出面が周方向にそれぞれ形成され、突出面同士を当接させたときに前記サセプタを成膜時より高い位置に支持して前記外歯車部材と前記内歯車部材とが噛み合った状態となり、突出寸法が小さな突出面同士を当接させたときに前記サセプタを成膜時の位置に支持して前記外歯車部材と前記内歯車部材とが所定の噛み合い状態となるように形成されている。
　本発明の気相成長装置の第３の構成は、チャンバー内に回転可能に設けられた円盤状のサセプタと、該サセプタの外周部周方向に回転可能に設けられた複数の外歯車部材と、該外歯車部材に噛合する内歯車を備えたリング状の固定内歯車部材とを備えた自公転機構を有する気相成長装置において、前記サセプタ及び前記内歯車部材の少なくともいずれか一方を、前記外歯車部材と前記内歯車部材とが互いに噛み合う噛み合い状態の位置と両歯車部材が回転軸線方向に離間した非噛み合い状態の位置とに、回転軸線方向に移動可能に形成するとともに、両歯車部材の少なくともいずれか一方の歯車部材の歯側面に、両歯車部材が前記非噛み合い状態の位置から前記噛み合い状態の位置へと移動したときに、他方の歯車部材の歯側面に当接して両歯車部材を前記噛み合い状態にガイドするためのガイド斜面を設け、前記サセプタを支持して回転させる軸部材の上面とサセプタの中央部下面との間に上下一対のサセプタ高さ調節部材が対向して設けられ、該サセプタ高さ調節部材は、各サセプタ高さ調節部材の対向面に、突出寸法が異なる突出面が周方向にそれぞれ形成され、突出寸法が大きな突出面同士を当接させたときに前記サセプタを成膜時より高い位置に支持して前記外歯車部材と前記内歯車部材が前記ガイド斜面で噛み合った状態となり、突出寸法が大きな突出面と突出寸法が小さな突出面とを当接させたときに前記サセプタを成膜時の位置に支持して前記外歯車部材と前記内歯車部材とが所定の噛み合い状態となるように形成されている。
　本発明の気相成長装置の第１の構成によれば、サセプタを取り付けるときに、外歯車部材と内歯車部材とが非噛み合い状態の位置から噛み合い状態の位置に移動する際に、ガイド斜面によって両歯車部材を噛み合い状態にガイドすることができる。通常は、サセプタに対して自由回転状態で設けられている外歯車部材がいずれかの方向に僅かに回動するだけで、両歯車部材が噛み合い状態に確実にガイドされる。したがって、手作業によるかみ合わせ作業を解消してサセプタの着脱を自動化することも可能となる。
　本発明の気相成長装置の第２の構成によれば、サセプタを取り付けるときに、サセプタ高さ調節部材でサセプタを成膜時より高い位置支持した状態とすることにより、外歯車部材と内歯車部材とが非噛み合い状態となっていても外歯車部材が大きく傾くことはなく、歯車に欠けが生じることがなくなる。サセプタを成膜時より高い位置に支持した状態で軸部材によりサセプタを回転させることにより、外歯車部材と内歯車部材とが非噛み合い状態から噛み合い状態となるので、サセプタ高さ調節部材でサセプタを成膜時の位置に支持した状態とすることにより、外歯車部材と内歯車部材とを所定の噛み合い状態にすることができるとともに、チャンバー内におけるサセプタの位置を所定の高さにすることができる。
　本発明の気相成長装置の第３の構成によれば、歯車に欠けが生じることをより確実に防止できるとともに、外歯車部材と内歯車部材とを非噛み合い状態から噛み合い状態への移行をより確実に行うことができる。
本発明の気相成長装置の第１形態例を示す断面正面図である。 サセプタと外歯車部材とが相対的に回転軸線方向に移動した状態を示す要部の断面正面図である。 歯車部材の歯側面に設けたガイド斜面の一形状例を示す平面図である。 同じく歯車部材の歯の部分を示す正面図である。 図３のＶ－Ｖ断面図である。 歯車部材の歯側面に設けたガイド斜面の他の形状例を示す平面図である。 同じく歯車部材の歯の部分を示す正面図である。 図６のVIII－VIII断面図である。 本発明の気相成長装置の第２形態例を示す断面正面図である。 サセプタ高さ調節部材を示す断面正面図である 軸部材の上面に設けたサセプタ高さ調節部材の平面図である。 サセプタの中央部下面に設けたサセプタ高さ調節部材の底面図である。 サセプタ高さ調節部材によりサセプタを成膜時より高い位置に支持した状態を示す説明図である。 サセプタ高さ調節部材によりサセプタを成膜時の位置に支持した状態を示す説明図である。
　図１乃至図８に示す気相成長装置は、本発明の第１形態例を示すものである。この気相成長装置は、チャンバー１１内に円盤状のサセプタ１２を回転可能に設けるとともに、該サセプタ１２の外周部周方向に形成された複数の円形開口１２ａ内にそれぞれ設けられたリング状の軸受部材１３と、各軸受部材１３上に複数の転動部材（ボール）１３ａを介してそれぞれ回転可能に載置された外歯車部材（自転サセプタ）１４と、該外歯車部材１４に噛合するリング状の固定内歯車部材１５と、前記外歯車部材１４の表面に保持された基板１６を前記サセプタ１２の裏面側から加熱する加熱手段（ヒーター）１７と、前記基板１６の表面に平行な方向に原料ガスを導くフローチャンネル１８とを備えている。
　前記サセプタ１２の中央下部には、該サセプタ１２を回転させるための軸部材１９が設けられており、前記フローチャンネル１８の中央上部には、フローチャンネル１８内に原料ガスを導入するガス導入部２０が設けられ、フローチャンネル１８の外周には、複数のガス排出部２１が設けられている。
　軸受部材１３及び外歯車部材１４を組み付けて外歯車部材１４に基板１６を保持した状態で、軸受部材１３の下面及び外歯車部材１４の下面とサセプタ１２の下面とが面一になり、外歯車部材１４の外周部上面及び基板１６の上面とサセプタ１２の上面とが面一になるように形成されている。
　サセプタ１２と固定内歯車部材１５とは、いずれか一方又は双方が回転軸線方向（上下方向）に移動可能に設けられており、基板交換作業や保守作業などの際には、図２に示すように、軸受部材１３及び外歯車部材１４がサセプタ１２と共に固定内歯車部材１５の上方に離れた位置になり、外歯車部材１４の外歯車１４ａと固定内歯車部材１５の内歯車１５ａとは、図１に示す噛み合い状態の位置から図２に示す非噛み合い状態の位置になる。
　基板交換作業や保守作業などを終えた後、サセプタ１２と固定内歯車部材１５とを組み付ける際に、非噛み合い状態の外歯車部材１４の外歯車１４ａと固定内歯車部材１５の内歯車１５ａとを噛み合い状態にするため、外歯車１４ａ及び内歯車１５ａの少なくともいずれか一方の歯車部材の歯側面に、他方の歯車部材の歯側面に当接して両歯車部材を前記噛み合い状態にガイドするためのガイド斜面を設けている。
　図３乃至図５に示すガイド斜面３１は、歯車部材３２の歯３３の一方の側面を山形の傾斜面としたものであって、このようなガイド斜面３１を外歯車部材１４の外歯車１４ａと固定内歯車部材１５の内歯車１５ａとの対向側面にそれぞれ設けておくことにより、図２に示す非噛み合い状態の位置から図１に示す噛み合い状態の位置に移動する際に、両者の歯の位置がずれていた場合は、両歯車の歯側面に設けたガイド斜面３１同士が当接した状態になる。このとき、固定内歯車部材１５がチャンバー１１に固定されており、外歯車部材１４が軸受部材１３によりサセプタ１２に自由回転可能な状態で設けられているため、外歯車部材１４の外歯車１４ａがガイド斜面３１にガイドされることによって外歯車部材１４が僅かに回動することにより、外歯車１４ａの歯が内歯車１５ａの歯間に入り込み、外歯車１４ａと内歯車１５ａとが所定の噛み合い状態になる。
　また、図６乃至図８に示すガイド斜面４１は、歯車部材４２の歯４３の一方の側面を全体的に傾斜面としたものであって、対向する外歯車１４ａと内歯車１５ａとには、両者の当接時に同一方向に傾斜するガイド斜面４１をそれぞれ設けておく。これにより、ガイド斜面４１同士が当接したときに、両ガイド斜面４１の傾斜に沿って外歯車１４ａが移動するように外歯車部材１４が僅かに回動し、外歯車１４ａの歯が内歯車１５ａの歯間に入り込んで両歯車１４ａ，１５ａとが所定の噛み合い状態になる。
　このように、非噛み合い状態の歯車の歯を噛み合い状態にガイドするためのガイド斜面３１又はガイド斜面４１を設けておくことにより、軸受部材１３及び外歯車部材１４を装着したサセプタ１２と固定内歯車部材１５とを組み付ける際に、外歯車１４ａの歯と内歯車１５ａの歯とがずれた非噛み合い状態になっていても、ガイド斜面によって外歯車１４ａの歯と内歯車１５ａの歯とを自動的に、かつ、確実に所定の噛み合い状態とすることができる。また、サセプタ１２を適当な速度で回転させながら固定内歯車部材１５を組み付けることにより、両歯車１４ａ，１５ａの噛み合いをより円滑に行うことができる。サセプタ１２を回転させるにあたっては、例えば、成膜時の回転速度より遅い回転速度で２～３回転程度回転させてもよいし、一方向のみ回転させてもよい。
　なお、各構成部材の形状や組み合わせは、気相成長装置の大きさや一度に処理する基板の枚数、基板の大きさ、原料ガスの種類などに応じて適宜設定することができ、チャンバーの開閉機構やサセプタの搬送機構は任意である。また、歯車の状態によっては、ガイド斜面をいずれか一方の歯の側面に設けるだけでもよく、ガイド斜面は曲面であってもよい。
　図９乃至図１４に示す気相成長装置は、本発明の第２形態例を示すものである。なお、以下の説明において、前記第１形態例に示した気相成長装置の構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
　本形態例に示す気相成長装置は、基本的には、前記第１形態例に示した気相成長装置と同じ構成を有している。チャンバー１１内に回転可能に設けられる円盤状のサセプタ１２は、軸部材１９の上面とサセプタ１２の中央部下面とにそれぞれ設けられた石英製の上下一対のサセプタ高さ調節部材５１，６１を介して軸部材１９に支持されている。
　軸部材１９の上面に設けた下部サセプタ高さ調節部材５１は、上面外周部の周方向に、対向する上部サセプタ高さ調節部材６１に向かって上方に突出した３個の突出部５２と、各突出部５２の間に形成される３個の凹部５３とを交互に３組形成した階段状凹凸部５４が１２０度間隔で設けられている。また、階段状凹凸部５４の内周側には、上部サセプタ高さ調節部材６１に向かって上方に突出したリング状突出部５５が形成され、リング状突出部５５の内周側には、下部サセプタ高さ調節部材５１を軸部材１９の上面に取り付けるための８個のビス５６を挿通するビス孔５７が周方向の８箇所に等間隔で形成されている。下部サセプタ高さ調節部材５１は石英製であり、軸部材１９はカーボン製である。このように、異質な材質の部材同士を接合するために、両者を機械的に接合している。
　一方、サセプタ１２の中央部下面に設けた上部サセプタ高さ調節部材６１は、前記リング状突出部５５の外径に対応した内径を有する円形開口部６２が中央部に形成され、該円形開口部６２の外周上面に、サセプタ１２の中央部下面に形成した嵌合凹部１２ｂの内径に対応した外径を有するリング状の嵌合突出部６３が上方に向かって突設されている。この嵌合突出部６３の裏面には、前記下部サセプタ高さ調節部材５１の突出部５２及び凹部５３に対応する階段状凹凸部６４が形成されている。さらに、階段状凹凸部６４の外周には、前記下部サセプタ高さ調節部材５１の外径に対応した内径を有するリング状突出部６５が下方に向かって突設され、該リング状突出部６５の外周に上部サセプタ高さ調節部材６１をサセプタ１２の中央部下面に取り付けるためのフランジ６６が設けられている。上部サセプタ高さ調節部材６１は石英製であり、サセプタ１２はＳｉＣコートされたカーボン製である。このように、異質な材質の部材同士を接合するために、上部サセプタ高さ調節部材６１にフランジ６６を設け、例えば、図示しないビス孔とビスとを用いて機械的に接合している。
　上部サセプタ高さ調節部材６１の前記階段状凹凸部６４は、周方向に所定間隔で形成された凹部６７と、下部サセプタ高さ調節部材５１に向かって下方に２段階に突出した第１突出部６８ａ及び第２突出部６８ｂを有する階段状の突出部６８と、該突出部６８よりも下方に突出した回り止め凸部６９とが周方向に１２０度間隔で３組設けられている。
　上部サセプタ高さ調節部材６１の凹部６７の大きさは、下部サセプタ高さ調節部材５１の前記突出部５２を収容可能な大きさを有しており、下部サセプタ高さ調節部材５１の凹部５３の大きさは、上部サセプタ高さ調節部材６１の突出部６８及び回り止め凸部６９を収容可能な大きさを有している。
　前記突出部６８における第１突出部６８ａ及び第２突出部６８ｂの突出高さは、前記外歯車部材１４及び前記固定内歯車部材１５の厚さや前記ガイド斜面の有無に応じて適宜な高さに設定されている。また、各突出部５２，６８ａ，６８ｂ及び回り止め凸部６９は、軸部材１９の上面にサセプタ高さ調節部材５１，６１を介してサセプタ１２を載置した状態で軸部材１９を正方向（成膜時の回転方向）に回転させたときに、各突出部５２，６８ａ，６８ｂ及び回り止め凸部６９の立ち上がり部（段差部）同士が当接して軸部材１９の回転をサセプタ１２に伝達する機能を有している。
　サセプタ１２を取り外して基板交換作業や保守作業などを終えた後、サセプタ１２を軸部材１９の上にセットする際には、図１３に示すように、下部サセプタ高さ調節部材５１の突出部５２の先端面と、上部サセプタ高さ調節部材６１の突出部６８の先端面、本形態例では第１突出部６８ａ及び第２突出部６８ｂのいずれか一方の先端面とを当接させた状態とする。このように両突出部５２，６８の先端面同士を当接させることにより、軸部材１９に対してサセプタ１２が成膜時の高さより高い位置に支持された状態になる。
　このように、サセプタ１２を成膜時の高さより高い位置に支持することにより、サセプタ１２の外周部に位置する外歯車部材（自転サセプタ）１４が固定内歯車部材１５より高い位置となり、外歯車部材１４の下部と固定内歯車部材１５の上部とが僅かに噛み合った状態、例えば１～２ｍｍ噛み合った状態にすることができる。したがって、外歯車部材１４と内歯車部材１５とが非噛み合い状態で、外歯車部材１４の外歯車１４ａが内歯車部材１５の内歯車１５ａの上に乗り上げた状態となっていても、外歯車部材１４が大きく傾くことはなく、歯車に欠けが生じることがなくなる。
　さらに、外歯車部材１４と内歯車部材１５とが非噛み合い状態になっていても、サセプタ１２を成膜時より高い位置に支持した状態で軸部材１９を正転させると、前述のように両突出部５２，６８の立ち上がり部同士が当接して軸部材１９の回転がサセプタ１２に伝達され、サセプタ１２の回転に伴って外歯車部材１４が固定内歯車部材１５の内周側を移動するので、外歯車１４ａと内歯車１５ａとが噛み合う位置になると、内歯車１５ａの上に乗り上げた状態になっていた外歯車１４ａが内歯車１５ａと噛み合って図１３に示す状態となる。
　したがって、サセプタ１２を軸部材１９の上にセットした後、サセプタ１２を回転させることにより、例えば、成膜時の回転速度より遅い回転速度で１回転程度回転させることにより、内歯車１５ａの上に乗り上げた状態になっていた外歯車１４ａの歯が内歯車１５ａの歯の間に落ち込み、外歯車部材１４と内歯車部材１５とが噛み合った状態にすることができる。
　外歯車部材１４と内歯車部材１５とが噛み合い状態になった後、軸部材１９を逆方向に回転させると、サセプタ高さ調節部材５１，６１には逆方向への回り止めとなる突出部や回り止め凸部が設けられていないので、サセプタ１２がほとんど回転しない状態で軸部材１９が逆方向に回転する。これにより、図１４に示すように、下部サセプタ高さ調節部材５１の突出部５２が上部サセプタ高さ調節部材６１の凹部６７に収容されるとともに、上部サセプタ高さ調節部材６１の突出部６８及び回り止め凸部６９が下部サセプタ高さ調節部材５１の凹部５３に収容された状態になる。
　このように各突出部６８，５２を各凹部５３，６７にそれぞれ収容することにより、サセプタ１２は、成膜時の高さに対応した位置に支持された状態になり、固定内歯車部材１５に対して外歯車部材１４が下降することにより、外歯車部材１４と固定内歯車部材１５とが、所定の成膜時の噛み合い状態になる。
　また、前記第１形態例で示したガイド斜面が設けられているときには、サセプタ１２を成膜時より高い位置に支持したときに外歯車部材１４と固定内歯車部材１５とがガイド斜面の部分で噛み合うようにサセプタ１２の高さを設定することにより、外歯車部材１４と固定内歯車部材１５とをより確実に噛み合い状態にすることができる。
　なお、突出部は１段だけでもよく、回り止め凸部は上下のサセプタ高さ調節部材のいずれかに設ければよい。
　１１…チャンバー、１２…サセプタ、１２ａ…円形開口、１２ｂ…嵌合凹部、１３…軸受部材、１３ａ…転動部材、１４…外歯車部材、１４ａ…外歯車、１５…固定内歯車部材、１５ａ…内歯車、１６…基板、１７…加熱手段、１８…フローチャンネル、１９…軸部材、２０…ガス導入部、２１…ガス排出部、３１，４１…ガイド斜面、３２，４２…歯車部材、３３，４３…歯、５１…下部サセプタ高さ調節部材、５２…突出部、５３…凹部、５４…階段状凹凸部、５５…リング状突出部、５６…ビス、５７…ビス孔、６１…上部サセプタ高さ調節部材、６２…円形開口部、６３…嵌合突出部、６４…階段状凹凸部、６５…リング状突出部、６６…フランジ、６７…凹部、６８…突出部、６８ａ…第１突出部、６８ｂ…第２突出部、６９…回り止め凸部

Claims (3)

  1. 　チャンバー内に回転可能に設けられた円盤状のサセプタと、該サセプタの外周部周方向に回転可能に設けられた複数の外歯車部材と、該外歯車部材に噛合する内歯車を備えたリング状の固定内歯車部材とを備えた自公転機構を有する気相成長装置において、前記サセプタ及び前記内歯車部材の少なくともいずれか一方を、前記外歯車部材と前記内歯車部材とが互いに噛み合う噛み合い状態の位置と両歯車部材が回転軸線方向に離間した非噛み合い状態の位置とに、回転軸線方向に移動可能に形成するとともに、両歯車部材の少なくともいずれか一方の歯車部材の歯側面に、両歯車部材が前記非噛み合い状態の位置から前記噛み合い状態の位置へと移動したときに、他方の歯車部材の歯側面に当接して両歯車部材を前記噛み合い状態にガイドするためのガイド斜面を設けた気相成長装置。
  2. 　チャンバー内に回転可能に設けられた円盤状のサセプタと、該サセプタの外周部周方向に回転可能に設けられた複数の外歯車部材と、該外歯車部材に噛合する内歯車を備えたリング状の固定内歯車部材とを備えた自公転機構を有する気相成長装置において、前記サセプタを支持して回転させる軸部材の上面とサセプタの中央部下面との間に上下一対のサセプタ高さ調節部材が対向して設けられ、該サセプタ高さ調節部材は、各サセプタ高さ調節部材の対向面の周方向に、対向するサセプタ高さ調節部材に向かって突出する突出部と該突出部の間に形成される凹部とを交互に複数組形成し、前記一対のサセプタ高さ調節部材の突出部先端面同士を当接させたときに前記サセプタを成膜時より高い位置に支持して前記外歯車部材と前記内歯車部材とが僅かに噛み合った状態とし、前記一対のサセプタ高さ調節部材の突出部を前記凹部内に位置させたときに前記サセプタを成膜時の位置に支持して前記外歯車部材と前記内歯車部材とが所定の噛み合い状態となる気相成長装置。
  3. 　チャンバー内に回転可能に設けられた円盤状のサセプタと、該サセプタの外周部周方向に回転可能に設けられた複数の外歯車部材と、該外歯車部材に噛合する内歯車を備えたリング状の固定内歯車部材とを備えた自公転機構を有する気相成長装置において、前記サセプタ及び前記内歯車部材の少なくともいずれか一方を、前記外歯車部材と前記内歯車部材とが互いに噛み合う噛み合い状態の位置と両歯車部材が回転軸線方向に離間した非噛み合い状態の位置とに、回転軸線方向に移動可能に形成するとともに、両歯車部材の少なくともいずれか一方の歯車部材の歯側面に、両歯車部材が前記非噛み合い状態の位置から前記噛み合い状態の位置へと移動したときに、他方の歯車部材の歯側面に当接して両歯車部材を前記噛み合い状態にガイドするためのガイド斜面を設け、前記サセプタを支持して回転させる軸部材の上面とサセプタの中央部下面との間に上下一対のサセプタ高さ調節部材が対向して設けられ、該サセプタ高さ調節部材は、各サセプタ高さ調節部材の対向面の周方向に、対向するサセプタ高さ調節部材に向かって突出する突出部と該突出部の間に形成される凹部とを交互に複数組形成し、前記一対のサセプタ高さ調節部材の突出部先端面同士を当接させたときに前記サセプタを成膜時より高い位置に支持して前記外歯車部材と前記内歯車部材とが前記ガイド斜面で噛み合った状態とし、前記一対のサセプタ高さ調節部材の突出部を前記凹部内に位置させたときに前記サセプタを成膜時の位置に支持して前記外歯車部材と前記内歯車部材とが所定の噛み合い状態となる気相成長装置。
PCT/JP2010/059906 2009-06-19 2010-06-11 気相成長装置 Ceased WO2010147053A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201080027286.2A CN102804339B (zh) 2009-06-19 2010-06-11 气相生长装置
JP2011519748A JP5613159B2 (ja) 2009-06-19 2010-06-11 気相成長装置
US13/379,077 US20120103265A1 (en) 2009-06-19 2010-06-11 Vapor phase growth apparatus
US14/988,351 US9765427B2 (en) 2009-06-19 2016-01-05 Vapor phase growth apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009146740 2009-06-19
JP2009-146740 2009-06-19

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US13/379,077 A-371-Of-International US20120103265A1 (en) 2009-06-19 2010-06-11 Vapor phase growth apparatus
US14/988,351 Division US9765427B2 (en) 2009-06-19 2016-01-05 Vapor phase growth apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010147053A1 true WO2010147053A1 (ja) 2010-12-23

Family

ID=43356371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2010/059906 Ceased WO2010147053A1 (ja) 2009-06-19 2010-06-11 気相成長装置

Country Status (6)

Country Link
US (2) US20120103265A1 (ja)
JP (1) JP5613159B2 (ja)
KR (1) KR101650839B1 (ja)
CN (1) CN102804339B (ja)
TW (1) TWI527089B (ja)
WO (1) WO2010147053A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130298836A1 (en) * 2011-02-03 2013-11-14 Tn Emc Ltd. Vapor phase growth apparatus
CN103834926A (zh) * 2012-11-22 2014-06-04 上海法德机械设备有限公司 真空镀膜工件转台
WO2014196323A1 (ja) * 2013-06-06 2014-12-11 イビデン株式会社 ウエハキャリアおよびこれを用いたエピタキシャル成長装置
EP2828886A4 (en) * 2012-03-20 2015-07-29 Veeco Instr Inc CODED WAFER CARRIER
JP2016139663A (ja) * 2015-01-26 2016-08-04 大陽日酸株式会社 気相成長装置
JP2021511666A (ja) * 2018-01-23 2021-05-06 アイクストロン、エスイー サセプタを駆動シャフトに接続するための装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015056635A (ja) * 2013-09-13 2015-03-23 株式会社東芝 気相成長装置及び気相成長方法
DE102018126862A1 (de) * 2018-10-26 2020-04-30 Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon Werkstückträgereinrichtung und Beschichtungsanordnung

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004525056A (ja) * 2001-02-07 2004-08-19 エムコア・コーポレイション 化学蒸着によりウェハ上にエピタキシャル層を成長させる装置および方法
JP2007266121A (ja) * 2006-03-27 2007-10-11 Hitachi Cable Ltd 気相成長装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0630552U (ja) * 1992-09-22 1994-04-22 カルソニック株式会社 歯車装置
JPH10219447A (ja) * 1997-02-12 1998-08-18 Fujitsu Ltd 気相成長装置
US6068441A (en) * 1997-11-21 2000-05-30 Asm America, Inc. Substrate transfer system for semiconductor processing equipment
JP4537566B2 (ja) * 2000-12-07 2010-09-01 大陽日酸株式会社 基板回転機構を備えた成膜装置
US6592675B2 (en) * 2001-08-09 2003-07-15 Moore Epitaxial, Inc. Rotating susceptor
JP2003065402A (ja) * 2001-08-28 2003-03-05 Sumitomo Heavy Ind Ltd 単純遊星歯車構造
US6776849B2 (en) * 2002-03-15 2004-08-17 Asm America, Inc. Wafer holder with peripheral lift ring
JP4470680B2 (ja) * 2004-10-12 2010-06-02 日立電線株式会社 気相成長装置
JP2007042899A (ja) * 2005-08-03 2007-02-15 Hitachi Cable Ltd 気相成長装置
JP2007243060A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Taiyo Nippon Sanso Corp 気相成長装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004525056A (ja) * 2001-02-07 2004-08-19 エムコア・コーポレイション 化学蒸着によりウェハ上にエピタキシャル層を成長させる装置および方法
JP2007266121A (ja) * 2006-03-27 2007-10-11 Hitachi Cable Ltd 気相成長装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130298836A1 (en) * 2011-02-03 2013-11-14 Tn Emc Ltd. Vapor phase growth apparatus
EP2828886A4 (en) * 2012-03-20 2015-07-29 Veeco Instr Inc CODED WAFER CARRIER
US9816184B2 (en) 2012-03-20 2017-11-14 Veeco Instruments Inc. Keyed wafer carrier
CN103834926A (zh) * 2012-11-22 2014-06-04 上海法德机械设备有限公司 真空镀膜工件转台
WO2014196323A1 (ja) * 2013-06-06 2014-12-11 イビデン株式会社 ウエハキャリアおよびこれを用いたエピタキシャル成長装置
JP2016139663A (ja) * 2015-01-26 2016-08-04 大陽日酸株式会社 気相成長装置
JP2021511666A (ja) * 2018-01-23 2021-05-06 アイクストロン、エスイー サセプタを駆動シャフトに接続するための装置
JP7266608B2 (ja) 2018-01-23 2023-04-28 アイクストロン、エスイー サセプタを駆動シャフトに接続するための装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9765427B2 (en) 2017-09-19
US20120103265A1 (en) 2012-05-03
US20160130695A1 (en) 2016-05-12
KR101650839B1 (ko) 2016-08-24
KR20120034101A (ko) 2012-04-09
CN102804339B (zh) 2015-01-14
JPWO2010147053A1 (ja) 2012-12-06
JP5613159B2 (ja) 2014-10-22
CN102804339A (zh) 2012-11-28
TWI527089B (zh) 2016-03-21
TW201110198A (en) 2011-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5613159B2 (ja) 気相成長装置
JP5436043B2 (ja) 気相成長装置
US20190249298A1 (en) Film forming apparatus
JP2007243060A (ja) 気相成長装置
US20120160170A1 (en) Vapor phase growth apparatus
TW201628120A (zh) 晶圓承載裝置
JP5432041B2 (ja) 気相成長装置
KR20140005163A (ko) 기상 성장 장치
JP5139107B2 (ja) 気相成長装置
TWI656233B (zh) 單晶圓處理裝置及其操作方法、傳送方法與準直器
JP5292963B2 (ja) 成膜装置およびそれを用いた製造方法
JP5144328B2 (ja) 気相成長装置
JP2006128561A (ja) 基板回転機構およびそれを備えた成膜装置
JP2008308747A (ja) 気相成長装置および気相成長方法
JP2009099770A (ja) 気相成長装置
CN114651319B (zh) 配备热孔的基板处理装置
JP2013219217A (ja) 気相成長装置
JP6661437B2 (ja) 気相成長装置
JP2017226891A (ja) 成膜装置およびそれを用いて成膜された基板の製造方法
JP2013098484A (ja) サセプタ及びこれを用いた半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201080027286.2

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10789428

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2011519748

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13379077

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20127000943

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 10789428

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1