WO2010137088A1 - インターフェース回路 - Google Patents

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Abstract

 インターフェース回路の校正回路(101)において、制御回路(140)は校正を実行する場合に、電圧(V1,VREF)または電圧(V1,V2)が比較器(130)に与えられるように、セレクタ(120)を制御する。2つの電圧の比較器(120)への入力先は、正負入れ替えられる。そしてそれぞれの状態で、制御回路(140)は、比較器(120)の出力変化時における可変抵抗制御信号(UPCODE,DNCODE)の信号値を求め、求めた信号値の平均値を用いて、終端抵抗の抵抗値を制御するための校正データを求める。

Description

インターフェース回路
 本発明は、メモリインターフェース等のインターフェース回路に関し、特に、バス終端のための終端抵抗の抵抗値を校正する技術に関する。
 一般に、インターフェース回路では、バスの終端のために、SSTL(stub busterminated logic)と能動終端(active termination)とが用いられる。能動終端はオンチップ終端(on-chip termination)ともいい、チップ内部の能動終端抵抗(以下、「終端抵抗」という)を用いてバスの終端を行う。能動終端はSSTLよりも信号伝達特性が良く、データレートが高い。
 能動終端において、終端抵抗の抵抗値ずれは信号伝達特性の低下を招く。そしてデータ伝送の高速化に伴い、終端抵抗の抵抗値ずれが信号伝達特性に与える影響は、より顕著に現れる。よって、信号伝達特性の低下を防ぐために、終端抵抗を正確に所望の抵抗値に校正することが求められる。
 例えば、特許文献1には、2つの比較器と第1及び第2の可変抵抗、第1の可変抵抗と同一のダミー可変抵抗、第1制御コード発生回路、第2制御コード発生回路とを備え、工程、電圧、または温度に関係なく終端抵抗の抵抗値を校正できる校正回路が開示されている。一方の比較器が第1可変抵抗と外部抵抗が接続される第1のノードと基準電圧VREFを比較し、他方の比較器が第1のノードと、ダミー可変抵抗と第2可変抵抗が接続される第2のノードを比較する。2つの比較器の出力結果に基づいて、第1制御コード発生回路及び第2制御コード発生回路が制御コードを発生する。
 また、例えば、特許文献2には、周辺温度の変化等による終端抵抗の抵抗値の変動を補正するインターフェース回路が開示されている。データの送受信が停止しているときに、2つの比較器を用いて複数の抵抗素子が共通接続されているnode1と、所望の終端抵抗の抵抗値の範囲から算出した上限基準電圧及び下限基準電圧との比較を行い、範囲を超えた場合に範囲内に収まるように補正を行う。
特開2003-260779号公報 特許第3609363号公報
 しかしながら、従来の回路構成では、終端抵抗の校正のために、アナログ素子からなる比較器が用いられている。比較器は通常、オフセットを持ち、このオフセットはアナログ素子ばらつきの影響により、それぞれの比較器によってばらばらの値となる。このため、比較器による電圧比較の精度が保証されず、したがって、終端抵抗の抵抗値を必ずしも所望の抵抗値に校正できず、信号伝達特性が低下してしまうという問題があった。
 本発明は、上記の点に鑑み、インターフェース回路において、アナログ素子ばらつきの影響を受けることなく、終端抵抗の抵抗値を精度良く校正可能にすることを目的とする。
 本発明の第1態様は、終端抵抗の抵抗値を校正する機能を有するインターフェース回路として、終端抵抗として機能する可変抵抗部と、参照抵抗が外付けされるパッドと、前記パッドに接続されており、前記可変抵抗部に抵抗値を制御するための校正データを出力する校正回路とを備え、前記校正回路は、第1の電源と前記パッドとの間に接続されたダミー可変抵抗と、前記第1の電源と第2の電源との間に直列に接続された第1および第2の可変抵抗と、正入力および負入力を有する比較器と、前記ダミー可変抵抗と前記パッドとの間の第1ノードの電圧、前記第1および第2の可変抵抗の間の第2ノードの電圧、並びに、参照電圧を入力とし、これらの電圧の中から、前記比較器の正入力および負入力に与える電圧を、それぞれ選択出力するセレクタと、前記比較器の出力を入力とし、前記ダミー可変抵抗および前記第1の可変抵抗の抵抗値を制御する第1の可変抵抗制御信号と、前記第2の可変抵抗の抵抗値を制御する第2の可変抵抗制御信号と、前記セレクタを制御するセレクタ制御信号とを出力する制御回路とを備え、前記制御回路は、校正を実行する場合において、前記第1ノードの電圧と前記参照電圧、または前記第1ノードの電圧と前記第2ノードの電圧が前記比較器に与えられるように、前記セレクタを前記セレクタ制御信号によって制御した状態で、前記第1または第2の可変抵抗制御信号を変化させつつ前記比較器の出力をモニターし、出力変化時における前記第1または第2の可変抵抗制御信号の信号値を基にして、前記校正データを求めるものであり、かつ、前記比較器の出力変化時における前記第1または第2の可変抵抗制御信号の信号値を、前記第1ノードの電圧と前記参照電圧、または前記第1ノードの電圧と前記第2ノードの電圧の前記比較器への入力先を正負入れ替えたそれぞれの状態で求め、求めた信号値の平均値を用いて、前記校正データを求めるものである。
 この態様によると、比較器によって、第1ノードの電圧と参照電圧、または第1ノードの電圧と第2ノードの電圧を比較する際に、比較器への入力先が正負入れ替えられる。そしてそれぞれの状態で、比較器の出力変化時における第1または第2の可変抵抗制御信号の信号値が求められ、求めた信号値の平均値を用いて、終端抵抗の抵抗値を制御するための校正データが求められる。このような動作により、比較器のオフセットの影響を受けることなく、精度の高い校正データを求めることができ、したがって、アナログ素子ばらつきの影響を受けることなく終端抵抗を所望の抵抗値に校正することができるので、良好な信号伝達特性を確保することが可能となる。
 本発明の第2態様は、終端抵抗の抵抗値を校正する機能を有するインターフェース回路として、終端抵抗として機能する可変抵抗部と、参照抵抗が外付けされるパッドと、前記パッドに接続されており、前記可変抵抗部に抵抗値を制御するための校正データを出力する校正回路とを備え、前記校正回路は、第1の電源と前記パッドとの間に接続されたダミー可変抵抗と、前記第1の電源と第2の電源との間に直列に接続された第1および第2の可変抵抗と、正入力および負入力を有する比較器と、前記ダミー可変抵抗と前記パッドとの間の第1ノードの電圧、前記第1および第2の可変抵抗の間の第2ノードの電圧、並びに、参照電圧を入力とし、これらの電圧の中から、前記比較器の正入力および負入力に与える電圧を、それぞれ選択出力するセレクタと、前記比較器のオフセット補正用のDAコンバータと、前記DAコンバータの出力を、前記比較器の正入力または負入力に加算する加算器と、前記比較器の出力を入力とし、前記ダミー可変抵抗および前記第1の可変抵抗の抵抗値を制御する第1の可変抵抗制御信号と、前記第2の可変抵抗の抵抗値を制御する第2の可変抵抗制御信号と、前記セレクタを制御するセレクタ制御信号と、前記DAコンバータに与えるオフセット補正信号とを出力する制御回路とを備え、前記制御回路は、校正を実行する場合において、前記第1ノードの電圧と前記参照電圧、または前記第1ノードの電圧と前記第2ノードの電圧が前記比較器に与えられるように、前記セレクタを前記セレクタ制御信号によって制御した状態で、前記第1または第2の可変抵抗制御信号を変化させつつ前記比較器の出力をモニターし、出力変化時における前記第1または第2の可変抵抗制御信号の信号値を基にして、前記校正データを求めるものであり、かつ、前記校正データを求める前に、前記参照電圧が前記比較器の正負入力の両方に与えられるように前記セレクタ制御信号によって前記セレクタを制御した状態で、前記オフセット補正信号を変化させつつ前記比較器の出力をモニターし、出力変化時における前記オフセット補正信号の信号値を基にして、オフセット補正データを求め、校正を実行する場合において、前記オフセット補正データを前記DAコンバータに与えるものである。
 この態様によると、校正データを求める前に、参照電圧が比較器の正負入力の両方に与えられ、また、正負入力の一方に、オフセット補正信号を受けたDAコンバータの出力が加算器によって加算される。この状態で、比較器の出力変化時におけるオフセット補正信号の信号値が求められ、これに基づいてオフセット補正データが求められる。そして、このオフセット補正データは、校正を実行する場合において、DAコンバータに与えられる。このような動作により、比較器のオフセットの影響を受けることなく、精度の高い校正データを求めることができ、したがって、アナログ素子ばらつきの影響を受けることなく終端抵抗を所望の抵抗値に校正することができるので、良好な信号伝達特性を確保することが可能となる。
 本発明によると、比較器のオフセットの影響を受けることなく、精度の高い校正データを求めることができ、したがって、アナログ素子ばらつきの影響を受けることなく終端抵抗を所望の抵抗値に校正することができるので、良好な信号伝達特性を確保することが可能となる。
実施形態1~3に係るインターフェース回路の概略構成図である。 図1のインターフェース回路がメモリインターフェース回路として機能する場合の概略構成を示す図である。 実施形態1に係る校正回路の構成を示す回路図である。 可変抵抗の回路構成例である。 実施形態2に係る校正回路の構成を示す回路図である。 実施形態3に係る校正回路の構成を示す回路図である。
 以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各実施形態において、他の実施形態と同様の機能を有する構成要素については同一の符号を付して説明を省略する。
 (実施形態1)
 図1は実施形態1に係るインターフェース回路の構成を概略的に示す回路図である。図1に示すインターフェース回路100は、トランスミッター回路102、レシーバ回路103、データバスに接続される送信用パッド106、および、データバスに接続される受信用パッド107を備えている。トランスミッター回路102と送信用パッド106との間、およびレシーバ回路103と受信用パッド107との間には、バスの能動終端抵抗として機能する可変抵抗部104A,104Bがそれぞれ設けられている。また、インターフェース回路100は、能動終端抵抗を校正するための校正回路101(201,301)を備えている。校正回路101(201,301)は、外付けされた参照抵抗Rtermとパッド105を介して接続されている。そして、校正動作を実行した後、校正データとしての第1および第2の制御コードUPCODE,DNCODEによって、可変抵抗部104A,104Bの抵抗値を制御する。第1および第2の制御コードUPCODE,DNCODEは、例えば5ビットで構成される。
 また、校正回路101(201,301)には、校正イネーブル信号CALENがパッド108を介して与えられる。この校正イネーブル信号CALENは校正動作区間を示す信号であり、例えば、校正イネーブル信号CALENがLレベルからHレベルに遷移したとき、校正回路101(201,301)は校正動作を開始する。なお、この校正イネーブル信号CALENは、必ずしもインターフェース回路100の外部から与えられる必要はなく、例えば、インターフェース回路100の内部で発生させてもよい。
 図2は図1のインターフェース回路100がメモリインターフェース回路として機能する場合の概略構成を示す図である。図2の構成では、インターフェース回路100は、メモリ回路500と接続されており、書き込みデータを送信用パッド106からデータバスを介して送信し、読み出しデータをデータバスを介して受信用パッド107から受信する。また、校正イネーブル信号CALENはメモリ回路500からインターフェース回路100に与えられる。なお、図1のインターフェース回路100は、メモリインターフェース以外の用途に用いてもかまわない。
 図3は本実施形態に係る校正回路101の構成を示す回路図である。図3において、電源電位VDDを与える第1の電源とパッド105との間にダミー可変抵抗110が接続されており、また、第1の電源と接地電位VSSを与える第2の電源との間に、第1および第2の可変抵抗111,112が直列に接続されている。V1はダミー可変抵抗110とパッド105との間の第1ノードであり、V2は第1の可変抵抗111と第2の可変抵抗112との間の第2ノードである。ダミー可変抵抗110および第1の可変抵抗111の抵抗値は、後述する制御回路140から出力された第1の可変抵抗制御信号UPCODEによって制御され、第2の可変抵抗112の抵抗値は、制御回路140から出力された第2の可変抵抗制御信号DNCODEによって制御される。可変抵抗制御信号と抵抗値との関係は、例えば、信号の全ビットが“0”のときは抵抗値が最大値となり、信号値が大きくなるにつれて抵抗値が小さくなり、信号の全ビットが“1”のときに抵抗値が最小値となる、というように定めればよい。なお、この可変抵抗制御信号UPCODE,DNCODEは、校正動作の終了後、第1および第2の制御コードとして用いられる。
 図4は第1および第2の可変抵抗111,112の回路構成例を示す。図4に示すとおり、第1の可変抵抗111と第2の可変抵抗112とは第2ノードV2を挟んで対称的な構造になっており、その動作および抵抗値の制御方法は同様である。また、ダミー可変抵抗110の構成および動作は第1の可変抵抗111と同様である。さらに、図1に示した可変抵抗部104A,104Bの構成および動作は、第1および第2の可変抵抗111,112と同様である。
 図3に戻り、比較器130は、(+)入力(正入力)および(-)入力(負入力)を有しており、(+)入力の電圧が(-)入力の電圧よりも高いときはHレベルを出力する一方、(+)入力の電圧が(-)入力の電圧よりも低いときはLレベルを出力する。セレクタ120は、第1ノードV1の電圧(以下適宜、電圧V1と称する)、第2ノードV2の電圧(以下適宜、電圧V2と称する)、および参照電圧VREFを入力とし、これらの電圧の中から、比較器130の(+)入力および(-)入力に与える電圧を、それぞれ選択出力する。セレクタ120の選択動作は、制御回路140から出力されたセレクタ制御信号INSELによって制御される。また、参照電圧VREFは、例えば、第1および第2の可変抵抗111,112の抵抗値が参照抵抗Rtermと同一になるような電圧に設定されている。
 制御回路140は、比較器130の出力を入力とし、第1および第2の可変抵抗制御信号UPCODE,DNCODEと、セレクタ制御信号INSELとを出力する。また、校正イネーブル信号CALENを受け、この校正イネーブル信号CALENに従って校正動作を行う。
 <校正動作の説明>
 このように構成された校正回路101が実行する校正動作について、説明する。本実施形態では、まず、電圧V1と参照電圧VREFとを比較して、第1の制御コードを決定する(比較工程A)。その後、電圧V1と電圧V2とを比較して、第2の制御コードを決定する(比較工程B)。また、比較工程A,Bにおいてそれぞれ、2つの電圧の比較器130への入力先を正負入れ替えて、それぞれの状態で比較動作を行うものとする。
 -比較工程A-
 制御回路140は、セレクタ制御信号INSELによって、比較器130の(+)入力に電圧V1が入力され、(-)入力に参照電圧VREFが入力されるように、セレクタ120を制御する(第1の比較状態)。
 この第1の比較状態で、制御回路140は、第1の可変抵抗制御信号UPCODEを変化させることによってダミー可変抵抗110の抵抗値を変化させながら、比較器130の出力をモニターする。そして、比較器130の出力が反転したときの第1の可変抵抗制御信号UPCODEを、制御コード候補aとして保持する。例えば、第1の可変抵抗制御信号UPCODEを、全ビット“0”の状態からアップカウントしていく。これにより、ダミー可変抵抗110の抵抗値が最大値から徐々に小さくなっていき、ダミー可変抵抗110と参照抵抗Rtermの抵抗比の変化に応じて、ノードV1の電圧は上昇する。そして、ノードV1の電圧が参照電圧VREFを上回ったとき、比較器130の出力はそれまでのLレベルからHレベルに変化する。このときの第1の可変抵抗制御信号UPCODEを、制御コード候補aとして保持する。
 次に、制御回路140は、セレクタ制御信号INSELによって、比較器130の(+)入力に参照電圧VREFが入力され、(-)入力に電圧V1が入力されるように、セレクタ120を制御する(第2の比較状態)。すなわち、比較器130の正負入力が入れ替えられる。
 この第2の比較状態で、制御回路140は、第1の可変抵抗制御信号UPCODEを変化させることによってダミー可変抵抗110の抵抗値を変化させながら、比較器130の出力をモニターする。そして、比較器130の出力が反転したときの第1の可変抵抗制御信号UPCODEを、制御コード候補bとして保持する。例えば、第1の可変抵抗制御信号UPCODEを、全ビット“1”の状態からダウンカウントしていく。これにより、ダミー可変抵抗110の抵抗値が最小値から徐々に大きくなっていき、ダミー可変抵抗110と参照抵抗Rtermの抵抗比の変化に応じて、ノードV1の電圧は下降する。そして、ノードV1の電圧が参照電圧VREFを下回ったとき、比較器130の出力はそれまでのLレベルからHレベルに変化する。このときの第1の可変抵抗制御信号UPCODEを、制御コード候補bとして保持する。
 そして、制御回路140は、保持している制御コード候補aおよび制御コード候補bの平均値を求め、この平均値を、終端抵抗を校正するための第1の制御コードとして定める。次の比較工程Bでは、ここで定めた第1の制御コードを第1の可変抵抗制御信号UPCODEとして用いて、第1の可変抵抗111の抵抗値を設定する。
 -比較工程B-
 制御回路140は、セレクタ制御信号INSELによって、比較器130の(+)入力に電圧V1が入力され、(-)入力に電圧V2が入力されるように、セレクタ120を制御する(第3の比較状態)。
 この第3の比較状態で、制御回路140は、第2の可変抵抗制御信号DNCODEを変化させることによって第2の可変抵抗112の抵抗値を変化させながら、比較器130の出力をモニターする。そして、比較器130の出力が反転したときの第2の可変抵抗制御信号DNCODEを、制御コード候補cとして保持する。例えば、第2の可変抵抗制御信号DNCODEを、全ビット“0”の状態からアップカウントしていく。これにより、第2の可変抵抗112の抵抗値が最大値から徐々に小さくなっていき、第1の可変抵抗111と第2の可変抵抗112の抵抗比の変化に応じて、ノードV2の電圧は下降する。そして、ノードV2の電圧が電圧V1を下回ったとき、比較器130の出力はそれまでのLレベルからHレベルに変化する。このときの第2の可変抵抗制御信号DNCODEを、制御コード候補cとして保持する。
 次に、制御回路140は、セレクタ制御信号INSELによって、比較器130の(+)入力に電圧V2が入力され、(-)入力に電圧V1が入力されるように、セレクタ120を制御する(第4の比較状態)。すなわち、比較器130の正負入力が入れ替えられる。
 この第4の比較状態で、制御回路140は、第2の可変抵抗制御信号DNCODEを変化させることによって第2の可変抵抗112の抵抗値を変化させながら、比較器130の出力をモニターする。そして、比較器130の出力が反転したときの第2の可変抵抗制御信号DNCODEを、制御コード候補dとして保持する。例えば、第2の可変抵抗制御信号DNCODEを、全ビット“1”の状態からダウンカウントしていく。これにより、第2の可変抵抗112の抵抗値が最小値から徐々に大きくなっていき、第1の可変抵抗111と第2の可変抵抗112の抵抗比の変化に応じて、ノードV2の電圧は上昇する。そして、ノードV2の電圧が電圧V1を上回ったとき、比較器130の出力はそれまでのLレベルからHレベルに変化する。このときの第2の可変抵抗制御信号DNCODEを、制御コード候補dとして保持する。
 そして、制御回路140は、保持している制御コード候補cおよび制御コード候補dの平均値を求め、この平均値を、終端抵抗を校正するための第2の制御コードとして定める。
 以上のような比較工程A,Bによって、校正動作が終了する。
 本実施形態における校正動作によると、比較工程A,Bにおいて、比較器130の入力極性を切り替えて比較を2回行い、得られた制御コード候補の平均をとることによって制御コードを求める。これにより、比較器130にオフセットがある場合でも、そのオフセットの影響を回避することができ、校正のための制御コードを精度良く求めることができる。したがって、終端抵抗の抵抗値を精度良く校正することが可能になる。
 <再校正動作の説明>
 また、本実施形態では、一旦校正を行った後に、再度校正を行う場合において、上述したものと同様の校正動作を行う。この場合、第1および第2の可変抵抗制御信号UPCODE,DNCODEを、現在の校正データすなわち第1および第2の制御コードに基づく所定の範囲内でのみ変化させるのが好ましい。すなわち、比較工程Aにおいて、第1の可変抵抗制御信号UPCODEを、制御コード候補a±MAまたは制御コード候補b±MA(MAは正の整数)の範囲で変化させ、比較工程Bにおいて、第2の可変抵抗制御信号DNCODEを、制御コード候補c±MBまたは制御コード候補d±MB(MBは正の整数)の範囲で変化させる。これにより、再校正を短時間で実行することが可能になる。ここでは例えば、MA,MBをそれぞれ1とし、次のような動作を行うものとする。
 -比較工程A-
 まず第1の比較状態において、第1の可変抵抗制御信号UPCODEを「制御コード候補a-1」に設定して比較器130の出力を得、その後、第1の可変抵抗制御信号UPCODEを「制御コード候補a+1」に設定して比較器130の出力を得る。そして、出力がLレベルとHレベルの場合は、元の制御コード候補aを新たな制御コード候補aとして保持する。出力がともにLレベルの場合は、電圧V1が参照電圧VREFより低いので、ダミー可変抵抗110の抵抗値を小さくするように、「制御コード候補a+1」を新たな制御コード候補aとする。出力がともにHレベルの場合は、電圧V1が参照電圧VREFより高いので、ダミー可変抵抗110の抵抗値を大きくするように、「制御コード候補a-1」を新たな制御コード候補aとする。
 次に第2の比較状態において、同様に、第1の可変抵抗制御信号UPCODEを「制御コード候補b-1」に設定して比較器130の出力を得、その後、第1の可変抵抗制御信号UPCODEを「制御コード候補b+1」に設定して比較器130の出力を得る。出力がLレベルとHレベルの場合は、元の制御コード候補bを新たな制御コード候補bとして保持する。出力がともにLレベルの場合は、電圧V1が参照電圧VREFより高いので、ダミー可変抵抗110の抵抗値を大きくするように、「制御コード候補b-1」を新たな制御コード候補bとする。出力がともにHレベルの場合は、電圧V1が参照電圧VREFより低いので、ダミー可変抵抗110の抵抗値を小さくするように、「制御コード候補b+1」を新たな制御コード候補bとする。
 そして、制御回路140は、新たな制御コード候補aおよび新たな制御コード候補bの平均値を求め、この平均値を、終端抵抗を校正するための第1の制御コードとして新たに定める。次の比較工程Bでは、ここで定めた新たな第1の制御コードを第1の可変抵抗制御信号UPCODEとして用いて、第1の可変抵抗111の抵抗値を設定する。
 -比較工程B-
 まず第3の比較状態において、第2の可変抵抗制御信号DNCODEを「制御コード候補c-1」に設定して比較器130の出力を得、その後、第2の可変抵抗制御信号DNCODEを「制御コード候補c+1」に設定して比較器130の出力を得る。そして、出力がLレベルとHレベルの場合は、元の制御コード候補cを新たな制御コード候補cとして保持する。出力がともにLレベルの場合は、電圧V2は電圧V1より高いので、第2の可変抵抗112の抵抗値を小さくするように、「制御コード候補c+1」を新たな制御コード候補cとする。出力がともにHレベルの場合は、電圧V2は電圧V1より低いので、第2の可変抵抗112の抵抗値を大きくするように、「制御コード候補c-1」を新たな制御コード候補cとする。
 次に第4の比較状態において、同様に、第2の可変抵抗制御信号DNCODEを「制御コード候補d-1」に設定して比較器130の出力を得、その後、第2の可変抵抗制御信号DNCODEを「制御コード候補d+1」に設定して比較器130の出力を得る。出力がLレベルとHレベルの場合は、元の制御コード候補dを新たな制御コード候補dとして保持する。出力がともにLレベルの場合は、電圧V2は電圧V1より低いので、第2の可変抵抗112の抵抗値を大きくするように、「制御コード候補d-1」を新たな制御コード候補dとする。出力がともにHレベルの場合は、電圧V2は電圧V1より高いので、第2の可変抵抗112の抵抗値を小さくするように、「制御コード候補d+1」を新たな制御コード候補dとする。
 そして、制御回路140は、新たな制御コード候補cおよび新たな制御コード候補dの平均値を求め、この平均値を、終端抵抗を校正するための第2の制御コードとして新たに定める。
 このように、再校正を行う場合に、第1および第2の可変抵抗制御信号UPCODE,DNCODEを、現在の校正データに基づく所定の範囲内でのみ変化させることによって、再校正を短時間で実行することが可能になる。したがって、例えば、周辺温度の変化等により終端抵抗の抵抗値の変動が生じた場合であっても、短時間で速やかに、再校正することが可能となる。
 なお、再校正を行う場合において、例えば再校正動作に必要となる時間がまとまって確保できない等の場合には、処理を時間的に分割して実行するようにしてもよい。これにより、周辺温度の変化等により終端抵抗の抵抗値の変動が生じたような場合において、まとまった時間が確保できなくても、再校正動作を段階的に実行することが可能になり、短時間で速やかに、再校正することが可能となる。
 (実施形態2)
 実施形態2に係るインターフェース回路の構成は、実施形態1で示した図1と同様であり、ここではその詳細な説明を省略する。
 図5は本実施形態に係る校正回路201の構成を示す回路図である。図5において、図3と共通の構成要素には図3と同一の符号を付しており、ここではその詳細な説明を省略する。図5において、260は比較器130のオフセット補正用のDAコンバータ、250はDAコンバータ260の出力を比較器130の(+)入力に加算する加算器である。制御回路240は、第1および第2の可変抵抗制御信号UPCODE,DNCODEと、セレクタ制御信号INSELとを出力するのに加えて、DAコンバータ260に与えるオフセット補正信号OFFCANを出力する。DAコンバータ260は、オフセット補正信号OFFCANをアナログ値に変換して出力する。加算器250は、セレクタ120の出力とDAコンバータ250の出力とを加算し、比較器130の(+)入力に与える。なお、加算器130は、比較器130の(-)入力の側に設けてもかまわない。
 <校正動作の説明>
 このように構成された校正回路201が実行する校正動作について、説明する。本実施形態では、まず、比較器130のオフセットを補正するためのオフセット補正データを求める(オフセット検出工程)。そして、オフセットを補正した状態で、電圧V1と参照電圧VREFとを比較して、第1の制御コードを決定する(比較工程A)。その後、電圧V1と電圧V2とを比較して、第2の制御コードを決定する(比較工程B)。
 -オフセット検出工程-
 制御回路240は、セレクタ制御信号INSELによって、比較器130の(+)入力と(-)入力の両方に参照電圧VREFが入力されるように、セレクタ120を制御する(第1の比較状態)。
 この第1の比較状態で、制御回路240は、オフセット補正信号OFFCANを変化させることによって加算器250の出力電圧を参照電圧VREFから増減させながら、比較器130の出力をモニターする。そして、比較器130の出力が反転するときのオフセット補正信号OFFCANの値を求め、これをオフセット補正データとして保持する。以降の比較工程A,Bでは、このオフセット補正データがDAコンバータ260に与えられ、DAコンバータ260から、オフセット補正データに応じたアナログ値が出力され、比較器130の(+)入力に加算される。これにより、比較器130のオフセットの影響がキャンセルされる。
 -比較工程A-
 制御回路240は、セレクタ制御信号INSELによって、比較器130の(+)入力に電圧V1が入力され、(-)入力に参照電圧VREFが入力されるように、セレクタ120を制御する(第2の比較状態)。
 この第2の比較状態で、制御回路240は、第1の可変抵抗制御信号UPCODEを変化させることによってダミー可変抵抗110の抵抗値を変化させながら、比較器130の出力をモニターする。そして、比較器130の出力が反転したときの第1の可変抵抗制御信号UPCODEを、終端抵抗を校正するための第1の制御コードとして定める。例えば、第1の可変抵抗制御信号UPCODEを、全ビット“0”の状態からアップカウントしていく。これにより、ダミー可変抵抗110の抵抗値が最大値から徐々に小さくなっていき、ダミー可変抵抗110と参照抵抗Rtermの抵抗比の変化に応じて、ノードV1の電圧は上昇する。そして、ノードV1の電圧が参照電圧VREFを上回ったとき、比較器130の出力はそれまでのLレベルからHレベルに変化する。このときの第1の可変抵抗制御信号UPCODEを、第1の制御コードとして保持する。次の比較工程Bでは、ここで定めた第1の制御コードを第1の可変抵抗制御信号UPCODEとして用いて、第1の可変抵抗111の抵抗値を設定する。
 -比較工程B-
 制御回路240は、セレクタ制御信号INSELによって、比較器130の(+)入力に電圧V1が入力され、(-)入力に電圧V2が入力されるように、セレクタ120を制御する(第3の比較状態)。
 この第3の比較状態で、制御回路240は、第2の可変抵抗制御信号DNCODEを変化させることによって第2の可変抵抗112の抵抗値を変化させながら、比較器130の出力をモニターする。そして、比較器130の出力が反転したときの第2の可変抵抗制御信号DNCODEを、終端抵抗を校正するための第2の制御コードとして定める。例えば、第2の可変抵抗制御信号DNCODEを、全ビット“0”の状態からアップカウントしていく。これにより、第2の可変抵抗112の抵抗値が最大値から徐々に小さくなっていき、第1の可変抵抗111と第2の可変抵抗112の抵抗比の変化に応じて、ノードV2の電圧は下降する。そして、ノードV2の電圧が電圧V1を下回ったとき、比較器130の出力はそれまでのLレベルからHレベルに変化する。このときの第2の可変抵抗制御信号DNCODEを、第2の制御コードとして保持する。
 以上のようなオフセット検出工程、および比較工程A,Bによって、校正動作が終了する。
 本実施形態における校正動作によると、比較工程A,Bの前に、オフセット検出工程において、比較器130の一方の入力にオフセット補正信号に応じたアナログ値を加算することによって、オフセット補正データを求める。これにより、比較器130のオフセットの影響を回避することができ、校正データを精度良く求めることができる。したがって、終端抵抗の抵抗値を精度良く校正することが可能になる。
 <再校正動作の説明>
 また、本実施形態では、一旦校正を行った後に、再度校正を行う場合において、上述したものと同様の校正動作を行う。この場合、第1および第2の可変抵抗制御信号UPCODE,DNCODEを、現在の校正データに基づく所定の範囲内でのみ変化させるのが好ましい。すなわち、比較工程Aにおいて、第1の可変抵抗制御信号UPCODEを、第1の制御コード±MA(MAは正の整数)の範囲で変化させ、比較工程Bにおいて、第2の可変抵抗制御信号DNCODEを、第2の制御コード±MB(MBは正の整数)の範囲で変化させる。これにより、再校正を短時間で実行することが可能になる。ここでは例えば、MA,MBをそれぞれ1とし、次のような動作を行うものとする。
 -比較工程A-
 第2の比較状態において、第1の可変抵抗制御信号UPCODEを「第1の制御コード-1」に設定して比較器130の出力を得、その後、第1の可変抵抗制御信号UPCODEを「第1の制御コード+1」に設定して比較器130の出力を得る。そして、出力がLレベルとHレベルの場合は、元の第1の制御コードを新たな第1の制御コードとして保持する。出力がともにLレベルの場合は、電圧V1が参照電圧VREFより低いので、ダミー可変抵抗110の抵抗値を小さくするように、「第1の制御コード+1」を新たな第1の制御コードとする。出力がともにHレベルの場合は、電圧V1が参照電圧VREFより高いので、ダミー可変抵抗110の抵抗値を大きくするように、「第1の制御コード-1」を新たな第1の制御コードとする。次の比較工程Bでは、ここで定めた新たな第1の制御コードを第1の可変抵抗制御信号UPCODEとして用いて、第1の可変抵抗111の抵抗値を設定する。
 -比較工程B-
 第3の比較状態において、第2の可変抵抗制御信号DNCODEを「第2の制御コード-1」に設定して比較器130の出力を得、その後、第2の可変抵抗制御信号DNCODEを「第2の制御コード+1」に設定して比較器130の出力を得る。そして、出力がLレベルとHレベルの場合は、元の第2の制御コードを新たな第2の制御コードとして保持する。出力がともにLレベルの場合は、電圧V2は電圧V1より高いので、第2の可変抵抗112の抵抗値を小さくするように、「第2の制御コード+1」を新たな制御コード候補cとする。出力がともにHレベルの場合は、電圧V2は電圧V1より低いので、第2の可変抵抗112の抵抗値を大きくするように、「第2の制御コード-1」を新たな第2の制御コードとする。
 このように、再校正を行う場合に、第1および第2の可変抵抗制御信号UPCODE,DNCODEを、現在の校正データに基づく所定の範囲内でのみ変化させることによって、再校正を短時間で実行することが可能になる。したがって、例えば、周辺温度の変化等により終端抵抗の抵抗値の変動が生じた場合であっても、短時間で速やかに、再校正することが可能となる。
 なお、再校正を行う場合において、オフセット検出工程を実行してオフセット補正データを再度求めた後に、新たな校正データを求めるようにしてもよい。これにより、周辺温度の変化等が生じた場合であっても、校正データをより精度良く求めることが可能になる。
 また、再校正を行う場合において、例えば再校正動作に必要となる時間がまとまって確保できない等の場合には、処理を時間的に分割して実行するようにしてもよい。これにより、周辺温度の変化等により終端抵抗の抵抗値の変動が生じたような場合において、まとまった時間が確保できなくても、再校正動作を段階的に実行することが可能になり、短時間で速やかに、再校正することが可能となる。
 (実施形態3)
 実施形態3に係るインターフェース回路の構成は、実施形態1で示した図1と同様であり、ここではその詳細な説明を省略する。
 図6は本実施形態に係る校正回路301の構成を示す回路図である。図6において、図3と共通の構成要素には図3と同一の符号を付しており、ここではその詳細な説明を省略する。図6において、380は温度検出部、370は温度補正テーブルである。温度検出部380は、温度電圧変換素子381と、温度電圧変換素子381の出力と、互いに異なる温度検出用基準電圧VREFH,VREFLとを比較する比較器331,332とを備えている。比較器331,332によって温度検出用比較部が構成されている。基準電圧VREFHは高温検出のための電圧レベルであり、基準電圧VREFLは低温検出のための電圧レベルである。比較器331,332の出力TEMPH,TEMPLは制御回路340に与えられる。また、温度補正テーブル370には、校正データの温度補正量が、比較器331,332の出力TEMPH,TEMPLと関連付けて格納されている。
 このように構成された校正回路301の動作について、説明する。本実施形態では、校正動作に関しては、第1の実施形態と同様に実行される。
 そして本実施形態では、一旦校正を行った後に、再校正を行う場合において、校正データの温度補正を行う。すなわち、温度電圧変換素子381が周辺温度に応じた電圧を出力し、この出力が、比較器331,332によって基準電圧VREFH,VREFLとそれぞれ比較される。制御回路340は、比較器331,332の出力TEMPH,TEMPLを受け、この出力TEMPH,TEMPLを用いて温度補正テーブル370を参照することによって、温度補正量OFSTCODEを求める。そして、この温度補正量OFSTCODEを、再校正を実行する前の制御コード候補a,b,c,dに加算する。その後、第1の実施形態と同様に再校正を行う。
 このように本実施形態によると、再校正を行う場合において、再校正の前に、校正データの温度補正量OFTCODEを求める。これにより、周辺温度の変化による抵抗値の変動を、より短時間で、補正することが可能になる。
 なお、本実施形態では、第1の実施形態と組み合わせて実現するものとして説明を行ったが、これに限られるものではなく、例えば、第2の実施形態と組み合わせてもよい。すなわち、図5に示すインターフェース回路201の構成に、図6に示した温度検出部380および温度補正テーブル370を追加し、本実施形態と同様に、再校正の前に、校正データの温度補正量OFTCODEを求めるようにすればよい。そして、この温度補正量OFSTCODEを、再校正を実行する前の第1および第2の制御コードに加算すればよい。
 なお、本実施形態では、温度検出用比較部は2個の比較器を有するものとしたが、2個以上の比較器を設けてもよい。比較器の個数を増やし、温度検出用電圧レベルの数を増やすことによって、周辺温度の変化による抵抗値の変動に対し、より細かく補正を行うことが可能となる。
 また、上述の各実施形態において、一旦校正を行った後に、制御回路140,240,340が、再校正を、繰り返し実行するようにしてもよい。すなわち、再校正が常時行われることによって、周辺温度の変化による抵抗値の変動が常に補正されることになり、良好な信号伝達特性が常に確保される。
 本発明では、バスの終端抵抗を所望の抵抗値に確実に校正可能であるので、例えば、良好な信号伝達特性の確保が必要なメモリインターフェース回路に有用できる。
100 インターフェース回路
101,201,301 校正回路
104A,104B 可変抵抗部
105 パッド
110 ダミー可変抵抗
111 第1可変抵抗
112 第2可変抵抗
120 セレクタ
130 比較器
140,240,340 制御回路
250 加算器
260 DAコンバータ
331,332 比較器(温度検出用比較部)
370 温度補正テーブル
381 温度電圧変換素子
UPCODE 第1の可変抵抗制御信号
DNCODE 第2の可変抵抗制御信号
INSEL セレクタ制御信号
OFFCAN オフセット補正信号
OFSTCODE 温度補正量
Rterm 参照抵抗
V1 第1ノード
V2 第2ノード
VREF 参照電圧

Claims (8)

  1.  終端抵抗の抵抗値を校正する機能を有するインターフェース回路であって、
     終端抵抗として機能する可変抵抗部と、
     参照抵抗が外付けされるパッドと、
     前記パッドに接続されており、前記可変抵抗部に、抵抗値を制御するための校正データを出力する校正回路とを備え、
     前記校正回路は、
     第1の電源と前記パッドとの間に接続されたダミー可変抵抗と、
     前記第1の電源と第2の電源との間に直列に接続された第1および第2の可変抵抗と、
     正入力および負入力を有する比較器と、
     前記ダミー可変抵抗と前記パッドとの間の第1ノードの電圧、前記第1および第2の可変抵抗の間の第2ノードの電圧、並びに、参照電圧を入力とし、これらの電圧の中から、前記比較器の正入力および負入力に与える電圧を、それぞれ選択出力するセレクタと、
     前記比較器の出力を入力とし、前記ダミー可変抵抗および前記第1の可変抵抗の抵抗値を制御する第1の可変抵抗制御信号と、前記第2の可変抵抗の抵抗値を制御する第2の可変抵抗制御信号と、前記セレクタを制御するセレクタ制御信号とを出力する制御回路とを備え、
     前記制御回路は、
     校正を実行する場合において、前記第1ノードの電圧と前記参照電圧、または前記第1ノードの電圧と前記第2ノードの電圧が前記比較器に与えられるように、前記セレクタを前記セレクタ制御信号によって制御した状態で、前記第1または第2の可変抵抗制御信号を変化させつつ前記比較器の出力をモニターし、出力変化時における前記第1または第2の可変抵抗制御信号の信号値を基にして、前記校正データを求めるものであり、かつ、
     前記比較器の出力変化時における前記第1または第2の可変抵抗制御信号の信号値を、前記第1ノードの電圧と前記参照電圧、または前記第1ノードの電圧と前記第2ノードの電圧の前記比較器への入力先を正負入れ替えたそれぞれの状態で求め、求めた信号値の平均値を用いて、前記校正データを求める
    ことを特徴とするインターフェース回路。
  2.  請求項1記載のインターフェース回路において、
     前記制御回路は、
     再校正を行う場合において、前記第1または第2の可変抵抗制御信号を、現在の校正データに基づく所定の範囲内でのみ変化させて、新たな校正データを求める
    ことを特徴とするインターフェース回路。
  3.  終端抵抗の抵抗値を校正する機能を有するインターフェース回路であって、
     終端抵抗として機能する可変抵抗部と、
     参照抵抗が外付けされるパッドと、
     前記パッドに接続されており、前記可変抵抗部に、抵抗値を制御するための校正データを出力する校正回路とを備え、
     前記校正回路は、
     第1の電源と前記パッドとの間に接続されたダミー可変抵抗と、
     前記第1の電源と第2の電源との間に直列に接続された第1および第2の可変抵抗と、
     正入力および負入力を有する比較器と、
     前記ダミー可変抵抗と前記パッドとの間の第1ノードの電圧、前記第1および第2の可変抵抗の間の第2ノードの電圧、並びに、参照電圧を入力とし、これらの電圧の中から、前記比較器の正入力および負入力に与える電圧を、それぞれ選択出力するセレクタと、
     前記比較器のオフセット補正用のDAコンバータと、
     前記DAコンバータの出力を、前記比較器の正入力または負入力に加算する加算器と、
     前記比較器の出力を入力とし、前記ダミー可変抵抗および前記第1の可変抵抗の抵抗値を制御する第1の可変抵抗制御信号と、前記第2の可変抵抗の抵抗値を制御する第2の可変抵抗制御信号と、前記セレクタを制御するセレクタ制御信号と、前記DAコンバータに与えるオフセット補正信号とを出力する制御回路とを備え、
     前記制御回路は、
     校正を実行する場合において、前記第1ノードの電圧と前記参照電圧、または前記第1ノードの電圧と前記第2ノードの電圧が前記比較器に与えられるように、前記セレクタを前記セレクタ制御信号によって制御した状態で、前記第1または第2の可変抵抗制御信号を変化させつつ前記比較器の出力をモニターし、出力変化時における前記第1または第2の可変抵抗制御信号の信号値を基にして、前記校正データを求めるものであり、かつ、
     前記校正データを求める前に、前記参照電圧が前記比較器の正負入力の両方に与えられるように前記セレクタ制御信号によって前記セレクタを制御した状態で、前記オフセット補正信号を変化させつつ前記比較器の出力をモニターし、出力変化時における前記オフセット補正信号の信号値を基にして、オフセット補正データを求め、
     校正を実行する場合において、前記オフセット補正データを前記DAコンバータに与えるものである
    ことを特徴とするインターフェース回路。
  4.  請求項3記載のインターフェース回路において、
     前記制御回路は、
     再校正を行う場合において、前記第1または第2の可変抵抗制御信号を、現在の校正データに基づく所定の範囲内でのみ変化させて、新たな校正データを求める
    ことを特徴とするインターフェース回路。
  5.  請求項4記載のインターフェース回路において、
     前記制御回路は、
     再校正を行う場合において、オフセット補正データを再度求めた後に、新たな校正データを求める
    ことを特徴とするインターフェース回路。
  6.  請求項2または4記載のインターフェース回路において、
     温度電圧変換素子と、
     前記温度電圧変換素子の出力と、少なくとも2つ以上の異なる温度検出用基準電圧とを比較する温度検出用比較部と、
     校正データの温度補正量が、前記温度検出用比較部の出力と関連付けて格納されている温度補正テーブルとを備え、
     前記制御回路は、
     再校正を行う場合において、前記温度検出用比較部の出力を受け、この出力を用いて前記温度補正テーブルを参照することによって、校正データの温度補正量を求める
    ことを特徴とするインターフェース回路。
  7.  請求項2または4記載のインターフェース回路において、
     前記制御回路は、再校正を行う場合に、処理を時間的に分割して実行する
    ことを特徴とするインターフェース回路。
  8.  請求項2または4記載のインターフェース回路において、
     前記制御回路は、再校正を、繰り返し実行する
    ことを特徴とするインターフェース回路。
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