CN116760396A - 一种batfet的控制电路、方法、系统、可读存储介质 - Google Patents
一种batfet的控制电路、方法、系统、可读存储介质 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116760396A CN116760396A CN202310947694.9A CN202310947694A CN116760396A CN 116760396 A CN116760396 A CN 116760396A CN 202310947694 A CN202310947694 A CN 202310947694A CN 116760396 A CN116760396 A CN 116760396A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gate
- comparator
- bat
- electrically connected
- comparator comp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 11
- 238000010277 constant-current charging Methods 0.000 claims description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 206010065929 Cardiovascular insufficiency Diseases 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000007600 charging Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/04123—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
- H02J7/007—Regulation of charging or discharging current or voltage
- H02J7/00712—Regulation of charging or discharging current or voltage the cycle being controlled or terminated in response to electric parameters
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
本发明提出了一种batfet的控制电路，数据选择器的输出端与比较器COMP_dischg的正极电性连接，比较器COMP_dischg的输出端与数据选择器的sel端和触发器PED电性连接，触发器PED与或门单元的A端电性连接，比较器COMP_syslow的输出端与或门单元的B端电性连接，或门单元的输出端与触发器RS的s端电性连接，比较器COMP_gatedet的输出端与触发器的r端电性连接，触发器RS的qb端与MOS管MP_help电性连接，MOS管MP_help与MOS管MN_Batfet电性连接，MOS管MN_Batfet与比较器COMP_dischg的负极、比较器COMP_syslow的负极以及比较器OTA的负极电性连接，数据选择器的sel端还与比较器OTA的输出端电性连接，基准电压产生电路模块ref_gen与比较器COMP_syslow的正极、比较器COMP_gatedet的负极以及比较器OTA的正极电性连接，比较器OTA的输出端与比较器COMP_gatedet的正极电性连接。
Description
技术领域
本发明涉及充放电系统技术领域，尤其涉及一种batfet的控制电路、方法、系统、可读存储介质。
背景技术
在实际应用中，系统端负载出现轻载/空载到重载跳变时，系统电压Vsys会降低到理想二极管模式的触发门限电压Vdischg_th1以下，比较器COMP_dischg的输出dischg信号翻转为高。即此时batfet进入理想二极管模式，dischg＝H使能比较器OTA，比较器OTA开始调整输出端gate电压来满足电池电压Vbat-系统电压Vsys＝固定电压Vdio，即理想工作模式。但比较器OTA调整速度很慢，比较器输出端gate电压一定要升到足够高(gate_vth)电池场效应晶体管batfet才可以向系统放电，如果只是通过比较器OTA调整输出端gate电压，在gate电压还没有升高到电池场效应晶体管batfet的开起门限电压前，系统的重载会将充电系统电压拉低，进而导致系统端关机。
鉴于此，实有必要提供一种新型的batfet的控制电路、方法、系统、可读存储介质以克服上述缺陷。
发明内容
本发明的目的是提供一种batfet的控制电路，应用COMP_syslow比较器改善MOS管MN_batfet在理想工作模式下的响应速度，提高系统端电池供电的稳定性。
为了实现上述目的，本发明提供一种batfet的控制电路，包括：比较器COMP_dischg、数据选择器、触发器PED、或门单元、比较器COMP_syslow、触发器RS、比较器COMP_gatedet、比较器OTA、MOS管MP_help、MOS管MN_batfet以及基准电压产生电路模块ref_gen；
所述数据选择器的输出端与比较器COMP_dischg的正极电性连接，所述比较器COMP_dischg的输出端与数据选择器的sel端和触发器PED电性连接，所述触发器PED与或门单元的A端电性连接，所述比较器COMP_syslow的输出端与或门单元的B端电性连接，
所述或门单元的输出端与触发器RS的s端电性连接，所述比较器COMP_gatedet的输出端与触发器的r端电性连接，所述触发器RS的qb端与MOS管MP_help电性连接，所述MOS管MP_help与MOS管MN_Batfet电性连接，所述MOS管MN_Batfet与比较器COMP_dischg的负极、比较器COMP_syslow的负极以及比较器OTA的负极电性连接，所述数据选择器的sel端还与所述比较器OTA的输出端电性连接，
所述基准电压产生电路模块ref_gen与所述比较器COMP_syslow的正极、比较器COMP_gatedet的负极以及比较器OTA的正极电性连接，所述比较器OTA的输出端与比较器COMP_gatedet的正极电性连接。
优选的，所述比较器COMP_dischg的负极、比较器COMP_syslow的负极以及比较器OTA的负极与MOS管MN_Batfet的漏极电性连接，所述触发器RS的qb端与MOS管MP_help的栅极电性连接，所述MOS管MP_help的源极与CP电性连接，所述MOS管MP_help的漏极与比较器OTA的输出端和MOS管MN_batfet的栅极电性连接。
优选的，所述基准电压产生电路模块ref_gen的第一输出端与所述比较器COMP_syslow的正极电性连接，为比较器COMP_syslow提供Vbat-100mV的基准电压；所述基准电压产生电路模块ref_gen的第二输出端与所述比较器COMP_gatedet负极电性连接，为比较器COMP_gatedet提供Vbat+1.5V的基准电压；所述基准电压产生电路模块ref_gen的第三输出端与所述比较器OTA的正极电性连接，为所述比较器OTA提供Vbat-30mV的基准电压。
一种batfet的控制电路的控制方法，包括如下步骤：
S1：当Vsys电压升高到门限电压Vdischg_th2时，所述比较器COMP_dischg的输出信号dischg＝L，所述数据选择器的输出信号Vdischg_th选择低门限电压Vdischg_th1；
当Vsys电压降低到门限电压Vdischg_th1时，所述数据选择器的输出信号dischg＝H，Vsys电压随着系统负载减小而升高；所述比较器COMP_dischg的输出信号dischg＝H后，数据选择器的输出信号Vdischg_th选择高门限电压Vdischg_th2，Vsys电压升高到门限电压Vdischg_th2时退出理想工作模式；
S2：当所述比较器COMP_dischg的输出端向触发器PED输出的dischg信号出现L-H的上升沿时，触发器PED会输出一个脉冲信号dischg_pulse；当脉冲信号dischg_pulse输出高脉冲或者sys_low信号输出高电平时，所述或门单元or2的输出信号on电压均会变高；
S3：当比较器OTA的输出端gate电压小于比较器COMP_gatedet的门限电压gate_vth时，则比较器COMP_gatedet输出信号gate_ok＝L，此时MOS管MN_batfet处在关闭状态；
当比较器OTA输出端gate电压大于比较器COMP_gatedetde门限电压gate_vth时，则比较器COMP_gatedet的输出信号gate_ok＝H表示的gate电压大于开启电压，此时MOS管MN_batfet处在开启状态；
S4：当输入至触发器RS的S端的输出信号on＝H，且输入至r端的输出信号gate_ok＝L时，则触发器RS的qb端输出信号helpb＝L；
当r端的输出信号gate_ok＝H时，不论S端信号on＝H或L，qb端均输出信号helpb＝H；
S5：当使能信号EN输入至MOS管MN_batfet时，比较器OTA通过调整MOS管MN_Batfet的gate电压，保证比较器OTA的正、负输入端电压始终相等；
当触发器RS的qb端向MOS管MP_help输出信号helpb，在输出信号helpb＝L时上拉MOS管MN_batfet的gate电压，使MOS管MN_batfet可以快速导通，当MOS管MN_batfet处于完全导通状态时，则batfet的控制电路可以实现向系统恒流充电；当MOS管MN_batfet处于完全关断状态时，则batfet的控制电路不充电也不放电。
一种batfet的控制控制系统，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序，以实现所述的batfet的控制电路的控制方法。
一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机可读程序，该程序被处理器执行，以实现所述的batfet的控制电路的控制方法。
与现有技术相比，有益效果在于，本申请中应用COMP_syslow比较器改善MOS管MN_batfet在理想工作模式下的响应速度，提高在理想工作模式下系统端电池供电的稳定性。同时本申请中还给出了两种快速打开MOS管MN_batfet的情况，分别用于刚进入理想工作模式(此时batfet处于关闭状态，gate电压非常低)和已经工作在理想工作模式下MOS管MN_batfet的gate电压较低的情况，这两种情况可以提高batfet的开启速度，让batfet可以安全进入并稳定工作在理想工作式下，极大提高了电池对系统供电的稳定性，有效的避免了系统端跳重载导致系统异常关机的情况。
本发明的其它特征以及优点将陈述于下列的描述中，并且部分将可从描述中显而易见，或者可通过本发明的实施而了解。本发明的特征和优点可通过后附的申请范围中具体指出的元件和组合而实现以及获得。本发明的这些和其它特征将根据下列的描述和后附的权利要求书中变得更加清楚明白，或者可通过本发明所述的实施例实施而了解。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明提供的batfet的控制电路的电路图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和有益技术效果更加清晰明白，以下结合附图和具体实施方式，对本发明进行进一步详细说明。应当理解的是，本说明书中描述的具体实施方式仅仅是为了解释本发明，并不是为了限定本发明。
需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，“安装”、“相连”、“连接”、“固定”、“设置”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况上述术语在本发明中的具体含义。
此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。此外，“多个”、“若干”的含义是指两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
请参阅图1，本发明提供一种batfet(电池场效应晶体管)的控制电路，包括：比较器COMP_dischg、数据选择器(在本实施例中，所述数据选择器为MUX器件)、触发器PED、或门单元、比较器COMP_syslow、触发器RS、比较器COMP_gatedet、比较器OTA、MOS管MP_help、MOS管MN_batfet以及基准电压产生电路模块ref_gen；
所述数据选择器的输出端与比较器COMP_dischg的正极电性连接，所述比较器COMP_dischg的输出端与数据选择器的sel端和触发器PED电性连接，所述触发器PED与或门单元的A端电性连接，所述比较器COMP_syslow的输出端与或门单元的B端电性连接，
所述或门单元的输出端与触发器RS的s端电性连接，所述比较器COMP_gatedet的输出端与触发器的r端电性连接，所述触发器RS的qb端与MOS管MP_help电性连接，所述MOS管MP_help与MOS管MN_Batfet电性连接，所述MOS管MN_Batfet与比较器COMP_dischg的负极、比较器COMP_syslow的负极以及比较器OTA的负极电性连接，所述数据选择器的sel端还与所述比较器OTA的输出端电性连接，
所述基准电压产生电路模块ref_gen与所述比较器COMP_syslow的正极、比较器COMP_gatedet的负极以及比较器OTA的正极电性连接，所述比较器OTA的输出端与比较器COMP_gatedet的正极电性连接。
所述基准电压产生电路模块ref_gen用于提供基准电压，例如，Vbat-100mV，Vbat+1.5V和Vbat-30mV；
所述比较器COMP_dischg用于判断进入理想的电池向系统放电模式的信号dischg，所述数据选择器用于选择比较器COMP_dischg的基准，
当Vsys电压升高到门限电压Vdischg_th2时，所述比较器COMP_dischg的输出信号(即数据选择器的sel端输入信号)dischg＝L(即没有进入理想工作模式)，其中L表示低电平(0V)，所述数据选择器的输出信号Vdischg_th选择低门限电压Vdischg_th1(此门限是进入理想工作模式的门限，可以根据实际应用将Vdischg_th1设置成比电池电压Vbat电压小一个固定值，例如Vdischg_th1＝Vbat-200mV)；
当Vsys电压降低到门限电压Vdischg_th1时，所述数据选择器的输出信号dischg＝H(即进入理想工作模式)，其中H表示高电平(5V)，Vsys电压随着系统负载减小而升高；
输出信号dischg＝H后，数据选择器的输出信号Vdischg_th选择高门限电压Vdischg_th2(此门限是退出理想工作模式的门限，Vdischg_th2的值要大于Vdischg_th1的值，例如Vdischg_th2＝Vbat)，Vsys电压升高到门限电压Vdischg_th2时退出理想工作模式。
当所述比较器COMP_dischg的输出端向触发器PED输出的dischg信号出现L-H的上升沿时，触发器PED会输出一个脉冲信号dischg_pulse，脉冲信号dischg_pulse的脉冲宽度可以根据实际应用自主设定；
所述比较器COMP_syslow是判断系统端Vsys电压和门限syslow_th的大小(syslow_th门限可根据实际应用自主设定，但这个门限一定要高于后级系统端的输入UVLO门限，因为本专利中它的作用是让Vsys电压不会低于syslow_th门限，从而保证后级系统可以稳定运行，避免出现Vsys电压小于后级系统端的UVLO门限导致系统异常关机的情况)。
当脉冲信号dischg_pulse输出高脉冲或者sys_low信号输出高电平时，所述或门单元or2的输出信号on均会变高，即on信号在以下两种情况下会变高：
情况一、batfet第一次进入理想工作模式时，dischg有一个L-H的过程，触发dischg_pulse输出一个高脉冲；
情况二、batfet已经工作在理想工作模式时，但是Vsys电压降低到低于syslow_th门限的电压下时，sys_low输出高电平，才能保证电池Vbat可以快速向系统Vsys供电，以上两种情况都是需要快速打开MOS管MN_batfet(快速上拉gate电压)，才能保证电池Vbat可以快速向系统Vsys供电。
在理想工作模式下，当Vsys电压低于门限电压syslow_th时，比较器COMP_syslow的输出信号sys_low变为H，这个比较器COMP_syslow的应用可以大幅提高batfet的开启速度，保证电池向系统端供电的稳定性。
当比较器OTA的输出端gate电压小于比较器COMP_gatedet的门限电压gate_vth时(gate_vth代表batfet的开启电压，即gate_vth＝Vbat+Vth，其中Vth为batfet的阈值电压)，则比较器COMP_gatedet输出信号gate_ok＝L，此时MOS管MN_batfet处在关闭状态；
当比较器OTA输出端gate电压大于比较器COMP_gatedetde门限电压gate_vth时，则比较器COMP_gatedet的输出信号gate_ok＝H表示的gate电压大于开启电压，此时MOS管MN_batfet处在开启状态。
当输入至触发器RS的S端的输出信号on＝H，且输入至r端的输出信号gate_ok＝L时，则触发器RS的qb端输出信号helpb＝L；
当r端的输出信号gate_ok＝H时，不论S端信号on＝H或L，qb端均输出信号helpb＝H，默认qb端的输出信号helpb＝H；
当使能信号EN(dischg＝H)输入至MOS管MN_batfet时，比较器OTA通过调整MOS管MN_Batfet的gate电压，保证比较器OTA的正、负输入端电压始终相等：Vbat-Vdio＝Vsys，即Vbat-Vsys＝Vdio，继而实现理想工作模式下batfet放电时，Vbat和Vsys之间的压差是一个固定值Vdio；
当MOS管MN_batfet处于完全导通状态时，则batfet的控制电路可以实现向系统恒流充电；当MOS管MN_batfet处于完全关断状态时，则batfet的控制电路不充电也不放电，电池Vbat向系统Vsys放电时可以工作在理想工作模式；
当触发器RS的qb端向MOS管MP_help输出信号helpb，在输出信号helpb＝L时上拉MOS管MN_batfet的gate电压，使MOS管MN_batfet可以快速导通，进而提高Vbat向Vsys放电的速度，保证Vsys电压的稳定性。
在一个优选实施例中，所述比较器COMP_dischg的负极、比较器COMP_syslow的负极以及比较器OTA的负极与MOS管MN_Batfet的漏极电性连接，所述触发器RS的qb端与MOS管MP_help的栅极电性连接，所述MOS管MP_help的源极与CP(charge pump)电性连接，所述MOS管MP_help的漏极与比较器OTA的输出端和MOS管MN_batfet的栅极电性连接。
在一个优选实施例中，所述基准电压产生电路模块ref_gen的第一输出端与所述比较器COMP_syslow的正极电性连接，为比较器COMP_syslow提供Vbat-100mV的基准电压；所述基准电压产生电路模块ref_gen的第二输出端与所述比较器COMP_gatedet负极电性连接，为比较器COMP_gatedet提供Vbat+1.5V的基准电压；所述基准电压产生电路模块ref_gen的第三输出端与所述比较器OTA的正极电性连接，为所述比较器OTA提供Vbat-30mV的基准电压。
本发明还提供一种batfet的控制电路的控制方法，包括如下步骤：
S1：当Vsys电压升高到门限电压Vdischg_th2时，所述比较器COMP_dischg的输出信号dischg＝L，所述数据选择器的输出信号Vdischg_th选择低门限电压Vdischg_th1；
当Vsys电压降低到门限电压Vdischg_th1时，所述数据选择器的输出信号dischg＝H，Vsys电压随着系统负载减小而升高；所述比较器COMP_dischg的输出信号dischg＝H后，数据选择器的输出信号Vdischg_th选择高门限电压Vdischg_th2，Vsys电压升高到门限电压Vdischg_th2时退出理想工作模式；
S2：当所述比较器COMP_dischg的输出端向触发器PED输出的dischg信号出现L-H的上升沿时，触发器PED会输出一个脉冲信号dischg_pulse；当脉冲信号dischg_pulse输出高脉冲或者sys_low信号输出高电平时，所述或门单元or2的输出信号on电压均会变高；
S3：当比较器OTA的输出端gate电压小于比较器COMP_gatedet的门限电压gate_vth时，则比较器COMP_gatedet输出信号gate_ok＝L，此时MOS管MN_batfet处在关闭状态；
当比较器OTA输出端gate电压大于比较器COMP_gatedetde门限电压gate_vth时，则比较器COMP_gatedet的输出信号gate_ok＝H表示的gate电压大于开启电压，此时MOS管MN_batfet处在开启状态；
S4：当输入至触发器RS的S端的输出信号on＝H，且输入至r端的输出信号gate_ok＝L时，则触发器RS的qb端输出信号helpb＝L；
当r端的输出信号gate_ok＝H时，不论S端信号on＝H或L，qb端均输出信号helpb＝H；
S5：当使能信号EN输入至MOS管MN_batfet时，比较器OTA通过调整MOS管MN_Batfet的gate电压，保证比较器OTA的正、负输入端电压始终相等；
当触发器RS的qb端向MOS管MP_help输出信号helpb，在输出信号helpb＝L时上拉MOS管MN_batfet的gate电压，使MOS管MN_batfet可以快速导通，当MOS管MN_batfet处于完全导通状态时，则batfet的控制电路可以实现向系统恒流充电；当MOS管MN_batfet处于完全关断状态时，则batfet的控制电路不充电也不放电。
本发明还提供一种batfet的控制系统，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序，以实现所述的batfet的控制电路的控制方法。
本发明还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行，以实现所述的batfet的控制电路的控制方法。
本领域内的技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可读存储介质(但不限于相变内存(PRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、其他类型的随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪记忆体或其他光学、磁性存储介质等)上实施的计算机程序产品的形式。
本申请的上述实施例提供的计算机可读存储介质与本申请实施例提供的方法出于相同的发明构思，具有与其存储的应用程序所采用、运行或实现的方法相同的有益效果。
本申请是参照根据本申请实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
本发明并不仅仅限于说明书和实施方式中所描述，因此对于熟悉领域的人员而言可容易地实现另外的优点和修改，故在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念的精神和范围的情况下，本发明并不限于特定的细节、代表性的设备和这里示出与描述的图示示例。
Claims (6)
1.一种batfet的控制电路，其特征在于，包括：比较器COMP_dischg、数据选择器、触发器PED、或门单元、比较器COMP_syslow、触发器RS、比较器COMP_gatedet、比较器OTA、MOS管MP_help、MOS管MN_batfet以及基准电压产生电路模块ref_gen；
所述数据选择器的输出端与比较器COMP_dischg的正极电性连接，所述比较器COMP_dischg的输出端与数据选择器的sel端和触发器PED电性连接，所述触发器PED与或门单元的A端电性连接，所述比较器COMP_syslow的输出端与或门单元的B端电性连接，
所述或门单元的输出端与触发器RS的s端电性连接，所述比较器COMP_gatedet的输出端与触发器的r端电性连接，所述触发器RS的qb端与MOS管MP_help电性连接，所述MOS管MP_help与MOS管MN_Batfet电性连接，所述MOS管MN_Batfet与比较器COMP_dischg的负极、比较器COMP_syslow的负极以及比较器OTA的负极电性连接，所述数据选择器的sel端还与所述比较器OTA的输出端电性连接，
所述基准电压产生电路模块ref_gen与所述比较器COMP_syslow的正极、比较器COMP_gatedet的负极以及比较器OTA的正极电性连接，所述比较器OTA的输出端与比较器COMP_gatedet的正极电性连接。
2.如权利要求1所述的batfet的控制电路，其特征在于，所述比较器COMP_dischg的负极、比较器COMP_syslow的负极以及比较器OTA的负极与MOS管MN_Batfet的漏极电性连接，所述触发器RS的qb端与MOS管MP_help的栅极电性连接，所述MOS管MP_help的源极与CP电性连接，所述MOS管MP_help的漏极与比较器OTA的输出端和MOS管MN_batfet的栅极电性连接。
3.如权利要求1所述的batfet的控制电路，其特征在于，所述基准电压产生电路模块ref_gen的第一输出端与所述比较器COMP_syslow的正极电性连接，为比较器COMP_syslow提供Vbat-100mV的基准电压；所述基准电压产生电路模块ref_gen的第二输出端与所述比较器COMP_gatedet负极电性连接，为比较器COMP_gatedet提供Vbat+1.5V的基准电压；所述基准电压产生电路模块ref_gen的第三输出端与所述比较器OTA的正极电性连接，为所述比较器OTA提供Vbat-30mV的基准电压。
4.一种如权利要求1-3任一项所述的batfet的控制电路的控制方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：当Vsys电压升高到门限电压Vdischg_th2时，所述比较器COMP_dischg的输出信号dischg＝L，所述数据选择器的输出信号Vdischg_th选择低门限电压Vdischg_th1；
当Vsys电压降低到门限电压Vdischg_th1时，所述数据选择器的输出信号dischg＝H，Vsys电压随着系统负载减小而升高；所述比较器COMP_dischg的输出信号dischg＝H后，数据选择器的输出信号Vdischg_th选择高门限电压Vdischg_th2，Vsys电压升高到门限电压Vdischg_th2时退出理想工作模式；
S2：当所述比较器COMP_dischg的输出端向触发器PED输出的dischg信号出现L-H的上升沿时，触发器PED会输出一个脉冲信号dischg_pulse；当脉冲信号dischg_pulse输出高脉冲或者sys_low信号输出高电平时，所述或门单元or2的输出信号on电压均会变高；
S3：当比较器OTA的输出端gate电压小于比较器COMP_gatedet的门限电压gate_vth时，则比较器COMP_gatedet输出信号gate_ok＝L，此时MOS管MN batfet处在关闭状态；
当比较器OTA输出端gate电压大于比较器COMP_gatedetde门限电压gate_vth时，则比较器COMP_gatedet的输出信号gate_ok＝H表示的gate电压大于开启电压，此时MOS管MN_batfet处在开启状态；
S4：当输入至触发器RS的S端的输出信号on＝H，且输入至r端的输出信号gate_ok＝L时，则触发器RS的qb端输出信号helpb＝L；
当r端的输出信号gate_ok＝H时，不论S端信号on＝H或L，qb端均输出信号helpb＝H；
S5：当使能信号EN输入至MOS管MN_batfet时，比较器OTA通过调整MOS管MN_Batfet的gate电压，保证比较器OTA的正、负输入端电压始终相等；
当触发器RS的qb端向MOS管MP_help输出信号helpb，在输出信号helpb＝L时上拉MOS管MN_batfet的gate电压，使MOS管MN_batfet可以快速导通，当MOS管MN_batfet处于完全导通状态时，则batfet的控制电路可以实现向系统恒流充电；当MOS管MN_batfet处于完全关断状态时，则batfet的控制电路不充电也不放电。
5.一种batfet的控制控制系统，其特征在于，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序，以实现如权利要求4所述的batfet的控制电路的控制方法。
6.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机可读程序，该程序被处理器执行，以实现如权利要求4所述的batfet的控制电路的控制方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310947694.9A CN116760396B (zh) | 2023-07-28 | 2023-07-28 | 一种batfet的控制电路、方法、系统、可读存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310947694.9A CN116760396B (zh) | 2023-07-28 | 2023-07-28 | 一种batfet的控制电路、方法、系统、可读存储介质 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116760396A true CN116760396A (zh) | 2023-09-15 |
| CN116760396B CN116760396B (zh) | 2024-01-26 |
Family
ID=87953431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310947694.9A Active CN116760396B (zh) | 2023-07-28 | 2023-07-28 | 一种batfet的控制电路、方法、系统、可读存储介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116760396B (zh) |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6411233B1 (en) * | 2000-06-06 | 2002-06-25 | Marvell International Ltd | Method and apparatus for direct RAM analog-to-digital converter calibration |
| WO2010137088A1 (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | パナソニック株式会社 | インターフェース回路 |
| CN103079322A (zh) * | 2013-01-28 | 2013-05-01 | 成都启臣微电子有限公司 | 一种闭环led电流控制电路及电源转换电路 |
| CN205544980U (zh) * | 2016-01-29 | 2016-08-31 | 深圳南云微电子有限公司 | 波谷导通控制电路 |
| CN107181395A (zh) * | 2017-07-19 | 2017-09-19 | 电子科技大学 | 一种导通时间可调的控制电路 |
| CN111884303A (zh) * | 2020-08-19 | 2020-11-03 | 深圳市爱都科技有限公司 | 充电控制电路、充电控制方法和电子设备 |
| CN212183798U (zh) * | 2020-06-03 | 2020-12-18 | 武汉泰沃滋信息技术有限公司 | 一种智能交通指示灯系统 |
| CN112104229A (zh) * | 2020-09-25 | 2020-12-18 | 深圳南云微电子有限公司 | 一种buck控制电路、控制方法和基准产生电路 |
| CN212304777U (zh) * | 2020-04-09 | 2021-01-05 | 贝壳技术有限公司 | 一种单路电池放电电路 |
| CN113672414A (zh) * | 2020-05-14 | 2021-11-19 | 广州汽车集团股份有限公司 | 一种mcu芯片故障安全保护电路、方法及启动方法 |
| CN113949127A (zh) * | 2021-10-19 | 2022-01-18 | 珠海智融科技股份有限公司 | 一种用于系统供电的供电管理电路及控制方法 |
| CN115001069A (zh) * | 2022-05-17 | 2022-09-02 | 上海摩芯半导体技术有限公司 | 一种针对同口应用的电池保护芯片的充电器检测电路 |
| CN115021379A (zh) * | 2022-08-04 | 2022-09-06 | 深圳市微源半导体股份有限公司 | 一种充电电路和电子设备 |
| CN115347888A (zh) * | 2022-07-25 | 2022-11-15 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种ots选通器件硅等效电路 |
-
2023
- 2023-07-28 CN CN202310947694.9A patent/CN116760396B/zh active Active
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6411233B1 (en) * | 2000-06-06 | 2002-06-25 | Marvell International Ltd | Method and apparatus for direct RAM analog-to-digital converter calibration |
| WO2010137088A1 (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | パナソニック株式会社 | インターフェース回路 |
| US20120062275A1 (en) * | 2009-05-29 | 2012-03-15 | Panasonic Corporation | Interface circuit |
| CN103079322A (zh) * | 2013-01-28 | 2013-05-01 | 成都启臣微电子有限公司 | 一种闭环led电流控制电路及电源转换电路 |
| CN205544980U (zh) * | 2016-01-29 | 2016-08-31 | 深圳南云微电子有限公司 | 波谷导通控制电路 |
| CN107181395A (zh) * | 2017-07-19 | 2017-09-19 | 电子科技大学 | 一种导通时间可调的控制电路 |
| CN212304777U (zh) * | 2020-04-09 | 2021-01-05 | 贝壳技术有限公司 | 一种单路电池放电电路 |
| CN113672414A (zh) * | 2020-05-14 | 2021-11-19 | 广州汽车集团股份有限公司 | 一种mcu芯片故障安全保护电路、方法及启动方法 |
| CN212183798U (zh) * | 2020-06-03 | 2020-12-18 | 武汉泰沃滋信息技术有限公司 | 一种智能交通指示灯系统 |
| CN111884303A (zh) * | 2020-08-19 | 2020-11-03 | 深圳市爱都科技有限公司 | 充电控制电路、充电控制方法和电子设备 |
| CN112104229A (zh) * | 2020-09-25 | 2020-12-18 | 深圳南云微电子有限公司 | 一种buck控制电路、控制方法和基准产生电路 |
| CN113949127A (zh) * | 2021-10-19 | 2022-01-18 | 珠海智融科技股份有限公司 | 一种用于系统供电的供电管理电路及控制方法 |
| CN115001069A (zh) * | 2022-05-17 | 2022-09-02 | 上海摩芯半导体技术有限公司 | 一种针对同口应用的电池保护芯片的充电器检测电路 |
| CN115347888A (zh) * | 2022-07-25 | 2022-11-15 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种ots选通器件硅等效电路 |
| CN115021379A (zh) * | 2022-08-04 | 2022-09-06 | 深圳市微源半导体股份有限公司 | 一种充电电路和电子设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116760396B (zh) | 2024-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5439000B2 (ja) | 組電池システム及び組電池の保護装置 | |
| EP3709464A1 (en) | Emergency starting power supply and emergency start method | |
| US20160164328A1 (en) | Battery pack | |
| KR101327082B1 (ko) | 충전전류를 제어하는 방법 | |
| CN1977437A (zh) | 用于对一组电池充电的方法和设备 | |
| TWI584554B (zh) | 溫控電源供應系統及方法 | |
| JP2018137220A (ja) | 燃料電池制御装置およびその制御方法、燃料電池自動車 | |
| US20230402863A1 (en) | Energy System and Charging and Discharging Control Method | |
| CN116760396B (zh) | 一种batfet的控制电路、方法、系统、可读存储介质 | |
| JP2007135375A (ja) | Ｄｃ／ｄｃコンバータの制御装置 | |
| US9997944B2 (en) | Method and system of charging a battery | |
| CN109546244B (zh) | 快速充电方法、装置、设备及存储介质 | |
| Lin et al. | Design of an efficient battery charging system based on ideal multi-state strategy | |
| CN114710020B (zh) | 一种适用于sibo开关电源的软启动控制方法 | |
| CN115742825A (zh) | 电池低能量状态充电控制方法、装置、电子设备及介质 | |
| CN112640247A (zh) | 一种供电管理设备以及控制方法 | |
| CN210925500U (zh) | 一种掉电保护电路 | |
| CN209767182U (zh) | 电池保护电路 | |
| KR101509323B1 (ko) | 선형 레귤레이터를 이용한 2차 전지 충전회로 | |
| CN209748236U (zh) | 一种分立式电源充电电路 | |
| CN115498710A (zh) | 充电电路、充电方法、电子设备及存储介质 | |
| CN113364089A (zh) | 充电方法、装置、电子设备、存储介质以及充电电路 | |
| CN100349355C (zh) | 充电器及其充电方法 | |
| JP2007089276A (ja) | 充電回路 | |
| US20240006895A1 (en) | Battery charging method and device and electronic apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |