WO2010103699A1 - 薄膜超電導線材および超電導ケーブル導体 - Google Patents

薄膜超電導線材および超電導ケーブル導体 Download PDF

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layer
superconducting
copper plating
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賢宏 種子田
永石 竜起
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住友電気工業株式会社
財団法人国際超電導産業技術研究センター
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Definitions

  • a plurality of cable cores constituting a superconducting cable disclosed in the following Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-331893 has the following configuration. That is, the cable core is a first composed of a former located at the center of the cable core and a superconducting wire wound around the former (a superconducting wire in which a superconducting filament is covered with a stabilizing metal such as silver). A superconducting layer, an insulating layer formed outside the first superconducting layer, and a second superconducting layer formed outside the insulating layer are provided.
  • the diameter of the second superconducting layer disposed outside is larger than that of the first superconducting layer disposed inside.
  • the value of the bending stress applied when, for example, the cable core is wound around the surface of the former or the insulating layer is larger in the second superconducting layer than in the first superconducting layer. Therefore, in Patent Document 1, the tensile strength of the material forming the second superconducting layer is made higher than the tensile strength of the material forming the first superconducting layer (specifically, the reinforcement covering the surface of the second superconducting layer).
  • the tensile strength of the second superconducting layer subjected to a large bending stress is increased.
  • a treatment is performed to make it higher than the tensile strength of one superconducting layer. In this way, the bending characteristics of the cable core and the superconducting cable are improved.
  • the inventor performs a metal plating process (specifically, a copper plating process) on the thin film superconducting wire having a laminated structure including a superconducting layer so as to cover the surface of the laminated structure in order to protect the laminated structure. It was investigated.
  • the copper plating thin film formed on the surface of the laminated structure by the copper plating process has a role of protecting the superconducting layer from erosion and the like.
  • this copper plating thin film is considered to correspond to the coating layer of the second superconducting layer in Patent Document 1 described above, the thin film superconducting wire is formed on the thin film superconducting wire having the copper plating thin film formed on the surface.
  • the bending characteristics were investigated on the assumption that the wire was wound around. As a result, the bending characteristics of the thin film superconducting wire formed with the copper plating thin film were deteriorated as compared with the thin film superconducting wire not formed with the copper plating thin film.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a thin-film superconducting wire having a copper-plated thin film that can suppress deterioration of bending characteristics, and It is to provide a superconducting cable conductor having a thin film superconducting wire.
  • the thin film superconducting wire when the thin film superconducting wire is wound around the outer periphery of the former, if the superconducting layer of the thin film superconducting wire is located on the outer side in the radial direction when viewed from the former, a tensile stress is applied to the superconducting layer. . And when the copper plating thin film to which the tensile stress is applied as the above residual stress exists outside the laminated structure including the superconducting layer as described above, the residual stress of the copper plating thin film is applied to the superconducting layer. The tensile stress resulting from is further loaded.
  • the thin film superconducting wire according to the present invention includes a substrate, an intermediate layer formed on one main surface of the substrate, and an intermediate layer opposite to the main surface facing the substrate.
  • the thin film superconducting wire further includes a copper plating thin film covering the outer periphery of the laminated structure, and the residual stress inside the copper plating thin film is a compressive stress.
  • the compressive residual stress acting in the direction opposite to the tensile stress associated with the winding described above cancels the tensile stress caused by the winding, thereby reducing the tensile stress caused by the winding (or if the residual stress value is sufficiently large, the tensile stress caused by the winding is canceled and the inside of the copper plating thin film is reduced.
  • the stress can be a compressive stress).
  • the laminated structure further includes a sputtered silver layer disposed on the main surface of the substrate that does not face the intermediate layer and on the main surface of the superconducting layer that does not face the intermediate layer. Is preferred.
  • the silver sputter layer acts as a conductive layer that conducts current to the surface of the laminated structure when performing a plating process for forming a copper plating thin film constituting the thin film superconducting wire.
  • a plating process for forming a copper plating thin film constituting the thin film superconducting wire for example, of the main surface (the largest main surface among the surfaces) constituting the laminated structure, on the main surface opposite to the main surface facing the intermediate layer (the outermost surface) of the superconducting layer, and the substrate A silver sputter layer is formed on the main surface opposite to the main surface facing the intermediate layer (the outermost surface). If it does in this way, the plating process which forms a copper plating thin film can be smoothly performed by sending an electric current through the surface of a laminated structure using said 1 pair of sputtered silver layers.
  • the silver sputter layer formed on the main surface (which is the outermost surface) of the superconducting layer acts as a protective layer for suppressing the superconducting layer from being eroded by, for example, a plating solution. Therefore, the possibility that the superconducting layer is damaged by the plating process can be reduced by forming the silver sputter layer.
  • a silver coating layer covering the outer periphery of the laminated structure is further provided between the copper plating thin film and the laminated structure.
  • the silver coating layer is a thin film layer formed after forming the laminated structure and before forming the copper plating thin film covering the outer periphery of the laminated structure, and protects the superconducting layer and the like from the copper plating solution for performing the copper plating treatment. It has a role. Therefore, if the said silver coating layer is formed, the freedom degree of selection of the copper plating solution used for a copper plating process can be improved.
  • the superconducting cable formed by winding the above-described thin film superconducting wire on the surface of a former, for example, is a copper-plated thin film on the side where the superconducting layer is arranged when the superconducting layer is wound so that the side on which the superconducting layer is arranged faces outward
  • the tensile stress applied to is reduced by the compressive stress as the residual stress inside the copper plating thin film. For this reason, possibility that a big tensile stress will be added to a superconducting layer can be reduced. Therefore, as described above, since the electrical characteristics and bending characteristics of the thin film superconducting wire can be improved, the electrical characteristics and bending characteristics of the superconducting cable can be improved.
  • the residual stress inside the copper plating thin film covering the outer periphery of the laminated structure is a compressive stress.
  • the tensile stress applied to the copper plating thin film facing outward is the same as that of the superconducting layer. It becomes smaller due to compressive stress, which is stress. For this reason, the electrical property and bending property of a thin film superconducting wire can be improved.
  • FIGS. 1, 5 and 6 are schematic cross-sectional views of a cross section cut in a direction crossing the extending direction of the thin film superconducting wire according to the present embodiment.
  • the direction intersecting the paper surface is the longitudinal direction of the thin film superconducting wire 10
  • the superconducting current of the superconducting layer 5 flows in a direction along the direction intersecting the paper surface.
  • 1, 5, and 6 in order to make the drawings easy to see, the difference in length between the vertical direction and the horizontal direction of the rectangular shape of the cross section is reduced, but in fact the thickness of the cross section in the vertical direction is Very small compared to the width in the horizontal direction.
  • a thin film superconducting wire 10 has a long shape (tape shape) having a rectangular cross section, and here, a relative shape extending in the longitudinal direction of the long shape.
  • the surface with a large area is the main surface.
  • the thin film superconducting wire 10 includes a laminated structure 20, a silver coating layer 7 disposed so as to cover the outer periphery of the laminated structure 20, and a copper plating thin film 9 disposed so as to cover the outer periphery of the silver coating layer 7.
  • the stacked structure 20 includes a substrate 1, an intermediate layer 3 formed on one main surface of the substrate 1, and a main surface of the intermediate layer 3 opposite to the main surface facing the substrate 1 (the upper surface in FIG. 1).
  • Superconducting layer 5 formed on the main surface) and silver sputtered layer 6 are included.
  • the sputtered silver layer 6 is formed on the main surface of the substrate 1 that does not face the intermediate layer 3 (lower main surface in FIG. 1) and the main surface of the superconducting layer 5 that does not face the intermediate layer 3 (upper side in FIG. 1).
  • the silver sputter layer 6 is disposed so as to sandwich the substrate 1, the intermediate layer 3, and the superconducting layer 5 from the upper and lower main surface sides. That is, the laminated structure 20 is formed by the substrate 1, the intermediate layer 3, the superconducting layer 5, and the silver sputtered layer 6 described above.
  • the substrate 1 is preferably made of, for example, Hastelloy (registered trademark) or a nickel base alloy and has a long shape (tape shape) with a rectangular cross section.
  • the length that the thin film superconducting wire 10 extends in the extending direction is, for example, 100 m or more, and the length (width) that intersects the extending direction is, for example, about 10 mm.
  • the cross-sectional area of the substrate 1 is small.
  • the thickness of the substrate 1 is preferably about 0.1 mm, for example.
  • the intermediate layer 3 is disposed between the substrate 1 and the superconducting layer 5.
  • a material such as Gd 2 Zr 2 O 7 (an oxide of Gd (gadolinium) and Zr (zirconium)), CeO 2 (cerium oxide), or YSZ (yttria stabilized zirconia) is preferably used. . If these materials are used as the intermediate layer 3, it becomes easy to align the crystal axis of the superconducting layer 5 formed on the main surface of the intermediate layer 3.
  • the superconducting layer 5 is a thin film layer through which a superconducting current flows in the thin film superconducting wire 10, and is preferably composed of, for example, a yttrium-based (YBa 2 Cu 3 O x ) thin film that is a superconducting material. Further, in order to improve the value of the critical current Ic of the superconducting current flowing in the superconducting layer 5, the thickness of the superconducting layer 5 is preferably 0.1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the plating process for forming the copper plating thin film 9 can be easily performed on the multilayer structure 20 including the silver coating layer 7. . That is, the copper plating thin film 9 is formed on the outer surface of the silver coating layer 7.
  • the said silver coating layer 7 has the thickness mentioned above, there exist the following effects. Specifically, when the plating process is performed, the laminated structure 20 is immersed in a copper plating solution. Since the surface of the superconducting layer 5 is covered with the silver coating layer 7, the surface of the superconducting layer 5 is directly coated with the copper plating solution. Do not touch.
  • the silver coating layer 7 is disposed on the thin film superconducting wire 10, for example, when a malfunction such as quenching occurs in the superconducting layer 5, a part of the excessive current flowing in the superconducting layer 5 is shunted to form silver.
  • the coating layer 7 can be made to flow. Therefore, damage to the superconducting layer 5 due to excessive current flowing through the superconducting layer 5 can be suppressed.
  • the copper plating thin film 9 is arranged so as to cover the outer periphery of the silver coating layer 7 described above, that is, to cover almost the entire outermost surface of the silver coating layer 7.
  • the copper plating thin film 9 is a copper thin film formed by plating, and the thickness is preferably 0.1 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less.
  • the aspect of the thin film superconducting wire 30 is different from the aspect of the thin film superconducting wire 10. That is, in other components, the thin film superconducting wire 30 is in the same mode as the thin film superconducting wire 10. More specifically, as for the copper plating thin film 9 in the thin film superconducting wire 30, the internal residual stress is a compressive stress as in the copper plating thin film 9 in the thin film superconducting wire 10. Thus, even if a tensile stress is applied to the copper plating thin film 9 on the side where the superconducting layer 5 is disposed, the tensile stress is reduced by the action of the compressive stress, and the effect of suppressing the deterioration of the superconducting layer 5 is exhibited. Therefore, the thin film superconducting wire according to the present embodiment may be an aspect of the thin film superconducting wire 30.
  • the aspect of the thin film superconducting wire 50 is different from the aspect of the thin film superconducting wire 30. That is, in other components, the thin film superconducting wire 50 is in the same mode as the thin film superconducting wire 30. More specifically, as for the copper plating thin film 9 in the thin film superconducting wire 50, the internal residual stress is a compressive stress as in the copper plating thin film 9 in the thin film superconducting wire 10.
  • the thin film superconducting wire according to the present embodiment may be an aspect of the thin film superconducting wire 50.
  • the silver sputtered layer 6 By disposing the silver sputtered layer 6 not only in the direction of the main surface of the laminated structure 20 but also in the direction intersecting the main surface of the laminated structure 20 (vertical direction in FIG. 6), the silver sputtered layer 6 is coated with silver. Similar to the layer 7, the entire structure of the outer periphery of the multilayer structure 20 is covered. For this reason, the effect as a protective layer which reduces possibility that malfunctions, such as superconducting layer 5 being eroded with a copper plating solution, will occur like the silver coating layer 7 at the time of performing plating processing which forms copper plating thin film 9. Play.
  • the silver sputtered layer 6 of the thin film superconducting wire 50 is a part of the excessive current flowing in the superconducting layer 5 when, for example, the superconducting layer 5 has a problem such as quenching, similar to the silver coating layer 7 described above. Can be provided (role as a stabilizing layer). Therefore, damage to the superconducting layer 5 due to excessive current flowing through the superconducting layer 5 can be suppressed.
  • the silver sputtered layer 6 is formed on the entire periphery of the laminated structure 20 like the silver coating layer 7 (see FIG. 1) like the thin film superconducting wire 50, for example, compared with the silver sputtered layer 6 in the thin film superconducting wire 10 It is preferable to increase the thickness of the silver sputter layer 6. Specifically, the thickness is preferably 0.5 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less.
  • the thin film superconducting wire 10 when used, the thin film superconducting wire 10 is spirally wound around the outer peripheral surface of the cylindrical former 60 as shown in FIG. In this way, a plurality of thin film superconducting wires 10 are spirally laminated on the former 60 in a spiral manner to form a superconducting cable conductor 70 shown in FIG.
  • the outer side of the winding of each thin film superconducting wire 10 is the side on which the superconducting layer 5 is disposed (upper side in FIG. 1), and the inner side of the winding of the thin film superconducting wire 10 is It winds so that it may become the side (lower side in FIG.
  • the side on which the substrate 1 is disposed is the side facing the outer peripheral surface of the former 60, and the side on which the superconducting layer 5 is disposed does not face the former 60. It is the side facing the outside of the winding.
  • the tensile stress 11 (see FIG. 4) applied to the main surface of the copper plating thin film 9 on the side where the superconducting layer 5 of the thin film superconducting wire 10 is disposed is the inside of the copper plating thin film 9.
  • the compressive stress 12 becomes smaller (see FIG. 4).
  • the stress applied to the superconducting layer 5 of the thin film superconducting wire 10 is reduced, and the occurrence of problems such as a decrease in the critical current Ic due to deterioration and breakage of the thin film superconducting wire 10 is suppressed, and the electrical characteristics and bending characteristics are improved. be able to.
  • the first layer 10a is clockwise in the figure
  • the second layer 10b is counterclockwise in the figure
  • the third layer 10c is clockwise
  • the fourth layer 10d is counterclockwise in the figure.
  • the thin film superconducting wire 10 is wound with the directions alternately changed.
  • the winding direction of the first layer 10a to the fourth layer 10d is not limited to this, and may be wound in any direction.
  • the first layer 10a and the second layer 10b may be right-handed in the drawing
  • the third layer 10c and the fourth layer 10d may be left-handed in the drawing
  • all of the first layer 10a to the fourth layer 10d have the same direction. It may be wound around.
  • a step (S10) of forming a laminated structure is first performed. Specifically, this is a step of forming a laminated structure 20 of each thin film superconducting wire shown in FIGS. As shown in the flowchart of FIG. 10, the step of forming the laminated structure (S10) further includes a step of preparing a superconducting layer (S11) and a step of forming a silver sputter layer (S12). .
  • the step of preparing the superconducting layer (S11) will be specifically described.
  • a structure in which the substrate 1 and the intermediate layer 3 are laminated is prepared.
  • an IBAD method ion beam assisted vapor deposition method
  • a PLD method pulse laser vapor deposition method
  • a sputtering method can be used. If these methods are used, the crystal orientation of the superconducting layer 5 formed on the main surface of the intermediate layer 3 can be improved.
  • the intermediate layer 3 may be a single layer, or may be configured by laminating a plurality of layers.
  • superconducting layer 5 is formed on the main surface of intermediate layer 3.
  • the superconducting layer 5 is preferably formed of a thin film made of, for example, an yttrium (YBa 2 Cu 3 O x ) superconductor by using a PLD method, a high frequency sputtering method, or a MOD method (organic metal deposition method).
  • the main surface of the laminated structure 20 is the surface of the target material so that the end face of the laminated structure 20 faces the sputtering target material.
  • positioning with respect to, can be used.
  • the main structure of the multilayer structure 20 with respect to the surface of the target material is formed so that the silver sputter layer 6 is simultaneously formed on one of the main surfaces of the multilayer structure 20 (for example, the outermost surface of the superconducting layer 5) and one of the side end faces.
  • the inclination accuracy of the surface may be adjusted as appropriate.
  • the copper plating thin film 9 is formed by the process (S30) of forming a copper plating thin film.
  • the step of forming the copper plating thin film (S30) is a step of preparing a copper plating solution (S31), a step of adding an additive (S32), and a step of performing a plating process. (S33).
  • a copper plating solution used for immersing the laminated structure 20 to form the copper plating thin film 9 for example, a solution obtained by dissolving copper sulfate in a sulfuric acid solution or a solution obtained by dissolving copper pyrophosphate in ammonia water is used. Is preferred.
  • a liquid phase in which copper pyrophosphate is dissolved in ammonia water In order to prevent the surface of the superconducting layer 5 constituting the laminated structure 20 from being eroded when the laminated structure 20 is immersed, it is more preferable to use a plating solution in which copper sulfate is dissolved in sulfuric acid.
  • a step (S32) of adding an additive is performed as shown in FIG. Specifically, this is a step of adding an additive to the copper plating solution in order to improve the smoothness and gloss of the surface of the formed copper plating thin film 9.
  • thiourea 8 ppm or more of thiourea with respect to a solution in which copper sulfate is dissolved in sulfuric acid (for example, a solution having a copper sulfate concentration of 60 g / l (liter) to 150 g / l and a sulfuric acid concentration of 100 g / l to 220 g / l). It is preferable to add so that it may become a density
  • the temperature of the liquid phase is preferably 20 ° C. or higher and 30 ° C. or lower.
  • the temperature of the solution is preferably 50 ° C. or more and 60 ° C. or less.
  • a thin film superconducting wire 90 shown in FIG. 12 in which a copper plating thin film 9 is formed using a plating solution obtained by dissolving copper sulfate in a sulfuric acid solvent as a copper plating solution is prepared, and inside the copper plating thin film 9 of the thin film superconducting wire 90.
  • a test was conducted to investigate the residual stress.
  • three types of copper plating solutions A, B, and C were prepared according to the concentration of copper sulfate pentahydrate (CuSO 4 .5H 2 O) dissolved in a sulfuric acid solvent. Then, the silver coating layer 7 covering almost the entire outer periphery of the laminated structure 20 of the thin film superconducting wire 10 shown in FIG. 1 is arranged so as to be connected to the cathode of the equipment for performing the plating process, and the electroplating process is performed. . In addition to the thiourea added as an additive, a small amount of chlorine ions was added to the copper plating solutions A, B, and C in order to suppress the action of the copper plating solution eroding the laminated structure 20.
  • CuSO 4 .5H 2 O copper sulfate pentahydrate
  • a first intermediate layer 3a, a second intermediate layer 3b, and a third intermediate layer are formed on one main surface of a tape-shaped substrate made of a nickel-tungsten alloy as a substrate 1 and having a width of 10 mm and a thickness of 80 ⁇ m.
  • each CeO thickness 0.1 [mu] m 2 as 3c, thickness 0.3 [mu] m YSZ, the CeO 2 having a thickness of 0.1 [mu] m were formed in this order by an RF sputtering method.
  • first intermediate layer 3a, second intermediate layer 3b, and third intermediate layer 3c are combined to form an intermediate layer 3. Further, the surface of the structure in which the superconducting layer 5 made of RE123 (REBa 2 Cu 3 O 7- ⁇ ) having a thickness of 2 ⁇ m is formed on the third intermediate layer 3c by using the PLD method is coated with silver by using the DC sputtering method. Layer 7 was formed. The thickness of the silver coating layer 7 is 8 ⁇ m for the silver coating layer 7 formed on the main surface of the superconducting layer 5, 2 ⁇ m for the silver coating layer 7 on the main surface of the substrate 1, and silver formed on both sides along the stacking direction. The coating layer 7 was 3 ⁇ m.
  • the copper plating thin film 9 was formed under the conditions shown in Table 1 below by changing the concentration of these copper sulfates, the current density flowing through the cathode during the plating process, and the time for performing the plating process. As a result, a copper plating thin film 9 having a thickness of 20 ⁇ m was formed. The results of measuring the direction and magnitude of the residual stress inside the copper-plated thin film 9 of the thin film superconducting wire 10 thus formed are also shown in Table 1 below. The residual stress was evaluated using an X-ray stress measuring device.
  • a thin film superconducting wire 90 in which a copper plating thin film 9 is formed is formed using a liquid phase obtained by dissolving copper pyrophosphate in ammonia water as a copper plating solution, and the residual stress inside the copper plating thin film 9 of the thin film superconducting wire 90 is investigated. A test was conducted.
  • a copper plating solution D in which copper pyrophosphate was dissolved in ammonia water was prepared. Moreover, the material of the same structure as the material used in Example 1 mentioned above was used as an object material of a plating process. Then, the thin film superconducting wire 90 shown in FIG. 12 was disposed so that the silver coating layer 7 covering almost the entire outer periphery of the laminated structure 20 was connected to the cathode of the equipment for performing the plating process, and the electroplating process was performed. . Further, not only copper pyrophosphate but also potassium pyrophosphate which is a highly soluble potassium salt having phosphate ions was dissolved in the copper plating solution D. This is for securing the amount of phosphate ions dissolved in the liquid phase of the copper plating solution D.

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Abstract

 積層構造の表面に銅めっき薄膜を形成した薄膜超電導線材は、銅めっき薄膜を形成していない薄膜超電導線材に比べて曲げ特性が劣化している。そこで当該曲げ特性の劣化を抑制するために、本発明の薄膜超電導線材(10)は、基板(1)と、基板(1)の一方の主表面上に形成された中間層(3)と、中間層(3)の、基板(1)と対向する主表面と反対側の主表面上に形成された超電導層(5)とを含む積層構造(20)を備える薄膜超電導線材(10)である。積層構造(20)の外周を覆う銅めっき薄膜(9)をさらに備えており、銅めっき薄膜(9)の内部の残留応力が圧縮応力になっている。積層構造(20)には銀スパッタ層(6)を備えていてもよいし、銅めっき薄膜(9)と積層構造(20)との間に、積層構造(20)の外周を覆う銀被覆層(7)をさらに備えていてもよい。

Description

薄膜超電導線材および超電導ケーブル導体
 本発明は、薄膜超電導線材および超電導ケーブル導体に関するものであり、より具体的には、超電導層を外側から覆う薄膜の残留応力を利用して超電導層を保護する薄膜超電導線材および超電導ケーブル導体に関するものである。
 従来、超電導層を含む積層構造を備える薄膜超電導線材が知られている。薄膜超電導線材は、たとえばフォーマと呼ばれる円筒状の芯材の長手方向の表面上に螺旋状に巻回することにより、超電導ケーブル導体として利用される。ここでコスト低減を図るために、超電導ケーブル導体の長手方向に交差する断面の外径を小さくすること、フォーマの長手方向に交差する断面の外径を小さくすること、およびそのフォーマの表面上に薄膜超電導線材を巻回することが要請されている。このため、薄膜超電導線材には長手方向に関して大きな曲率で屈曲させながら巻回することが要求されている。したがって、上記巻回を行なう際に、薄膜超電導線材のうちフォーマの径方向外側(外周側)に位置する部分ほど大きな曲げ応力が加わる。
 たとえば以下の特開2006-331893号公報(特許文献1)に開示されている超電導ケーブルを構成する複数本のケーブルコアは、以下に記す構成となっている。すなわち、ケーブルコアは、ケーブルのコアの中心に位置するフォーマと、当該フォーマの外周に巻回された超電導線材(ただし、超電導フィラメントを銀などの安定化金属で被覆した超電導線材)からなる第一超電導層と、第一超電導層の外側に形成される絶縁層と、絶縁層の外側に形成される第二超電導層とを有する構成となっている。ケーブルコアの長手方向に交差する断面において、内側に配置される第一超電導層よりも、外側に配置される第二超電導層の方が直径が大きい。このため、ケーブルコアをたとえばフォーマまたは絶縁層の表面に巻回した際に加わる曲げ応力の値は、第一超電導層よりも第二超電導層の方が大きくなる。そこで、特許文献1では、第二超電導層を形成する材料の引張強度を第一超電導層を形成する材料の引張強度よりも高くすることにより(具体的には第二超電導層の表面を覆う補強部材としての銅めっき層などの被覆層を形成する、あるいは補強材としてのテープ層を第二超電導層に接合する、などの方法により)、大きな曲げ応力の加わる第二超電導層の抗張力性を第一超電導層の抗張力性よりも高くする処理を行なっている。このようにして、ケーブルコアや超電導ケーブルの曲げ特性を向上させている。
特開2006-331893号公報
 ここで、発明者は超電導層を含む積層構造を備える薄膜超電導線材について、積層構造の保護などのために積層構造の表面を覆うように金属めっき処理(具体的には銅めっき処理)を行なうことを検討した。銅めっき処理により積層構造の表面に形成された銅めっき薄膜は、超電導層を浸食などから保護する、などの役割を有する。そして、この銅めっき薄膜は上述した特許文献1における第二超電導層の被覆層に相当するものとも考えられることから、当該銅めっき薄膜を表面に形成した薄膜超電導線材について、当該薄膜超電導線材をフォーマに巻回することを想定してその曲げ特性を調査した。その結果、銅めっき薄膜を形成した薄膜超電導線材について、その曲げ特性は銅めっき薄膜を形成していない薄膜超電導線材に比べて劣化していた。
 この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、曲げ特性の劣化を抑制することが可能な、銅めっき薄膜が形成された薄膜超電導線材および当該薄膜超電導線材を有する超電導ケーブル導体を提供することである。
 発明者は、上述した銅めっき薄膜が形成された薄膜超電導線材について鋭意研究した結果、本願発明を完成した。すなわち、発明者は、薄膜超電導線材において形成された上記銅めっき薄膜に関して、特許文献1において何ら開示も示唆もされていない残留応力に着目した。そして、銅めっき薄膜の残留応力を測定すると、曲げ特性が劣化する薄膜超電導線材に関しては当該残留応力が引張応力となっていた。
 ここで、薄膜超電導線材をフォーマの外周側に巻回するときに、フォーマから見て径方向の外側に薄膜超電導線材の超電導層が位置する場合、超電導層には引張応力が加えられることになる。そして、上述のように超電導層を含む積層構造の外側に、上記のような残留応力として引張応力が加えられている銅めっき薄膜が存在すると、超電導層に対して、銅めっき薄膜の上記残留応力に起因する引張応力がさらに負荷されることになる。この結果、引張応力の負荷に起因する超電導層の特性劣化が助長されることから、薄膜超電導線材の曲げ特性が劣化する(たとえば、良好な超電導特性を維持したまま曲げることが可能な限界曲げ直径が大きくなる)ものと考えられる。
 上記のような知見に基づいて、本発明に係る薄膜超電導線材は、基板と、基板の一方の主表面上に形成された中間層と、中間層の、基板と対向する主表面と反対側の主表面上に形成された超電導層とを含む積層構造を備える薄膜超電導線材である。上記薄膜超電導線材は、上記積層構造の外周を覆う銅めっき薄膜をさらに備えており、銅めっき薄膜の内部の残留応力が圧縮応力になっている。
 上述した本発明に係る薄膜超電導線材は、超電導層を含む積層構造の外周のほぼ全面を、銅めっき薄膜で覆う構造を有している。このような構成の薄膜超電導線材をたとえばフォーマの表面上に巻回する際に、超電導層が外側(フォーマの表面に対向する側と反対側)を向くように巻回すれば、超電導層および超電導層と同様に外側に位置する銅めっき薄膜には、当該薄膜超電導線材の延在する長さを大きくする方向に引張応力が加わる。このとき銅めっき薄膜の内部に圧縮方向の残留応力が存在すれば、特に外側を向く銅めっき薄膜の内部においては、上記巻回に伴う引張応力と反対の方向に作用する、残留応力としての圧縮応力が巻回に伴う引張応力と打消しあうことにより、巻回による引張応力を小さくする(あるいは残留応力の値が十分大きければ、巻回に伴う引張応力を打消して銅めっき薄膜の内部の応力を圧縮応力とする)ことができる。したがって、外側を向く銅めっき薄膜が超電導層に対して大きな引張応力を加える可能性を低減する(あるいは超電導層に対して圧縮応力を加えることにより、超電導層内部での巻回に伴う引張応力の値を小さくする)ことができる。この結果、当該薄膜超電導線材を構成する超電導層の上記引張応力による機械的な変形や、組織配列の変化に起因する臨界電流Icの低下を抑制することができるため、薄膜超電導線材の電気特性や曲げ特性を向上することができる。
 上述した薄膜超電導線材において、上記積層構造には、基板の、中間層と対向しない主表面上と、超電導層の、中間層と対向しない主表面上とに配置された銀スパッタ層をさらに含むことが好ましい。
 銀スパッタ層は、薄膜超電導線材を構成する銅めっき薄膜を形成するためのめっき処理を行なう際に、積層構造の表面に電流を導通させる導電層として作用する。特に、たとえば積層構造を構成する主表面(表面のうちもっとも大きい主要な面)のうち、超電導層の、中間層と対向する主表面と反対側の(最表面である)主表面上と、基板の、中間層と対向する主表面と反対側の(最表面である)主表面上とに銀スパッタ層を形成する。このようにすれば、上記1対の銀スパッタ層を用いて積層構造の表面に電流を流すことにより、銅めっき薄膜を形成するめっき処理をスムースに行なうことができる。
 また、特に超電導層の(最表面である)主表面上に形成する上記銀スパッタ層は、たとえば超電導層がめっき液などによって浸食されることを抑制するための保護層として作用する。したがって、銀スパッタ層を形成することで超電導層がめっき処理によりダメージを受ける可能性を低減できる。
 上述した薄膜超電導線材において、銅めっき薄膜と上記積層構造との間に、上記積層構造の外周を覆う銀被覆層をさらに備えることが好ましい。上記銀被覆層は、積層構造を形成した後、当該積層構造の外周を覆う銅めっき薄膜を形成する前に形成する薄膜層であり、銅めっき処理を行なう銅めっき液から超電導層などを保護する役割を有するものである。したがって、当該銀被覆層を形成すれば、銅めっき処理に用いる銅めっき液の選択の自由度を向上することができる。
 また、当該銀被覆層が配置された薄膜超電導線材では、たとえばクエンチングなどの不具合が発生した場合に、超電導層に流れる過剰な電流の一部を分流して当該銀被覆層に流すことができる。したがって、超電導層に過剰な電流が流れることによる超電導層の破損などを抑制することができる。
 上述した薄膜超電導線材を、たとえばフォーマなどの表面上に巻回してなる超電導ケーブルは、超電導層が配置される側が外側を向くように巻回した場合、超電導層が配置される側の銅めっき薄膜に加わる引張応力が、銅めっき薄膜の内部の残留応力としての圧縮応力により小さくなる。このため、超電導層に大きな引張応力が加わる可能性を低減することができる。したがって、上述したように薄膜超電導線材の電気特性や曲げ特性を向上することができるため、超電導ケーブルの電気特性や曲げ特性を向上することができる。
 本発明の薄膜超電導線材は、積層構造の外周を覆う銅めっき薄膜の内部の残留応力が圧縮応力になっている。このため、積層構造の超電導層が配置される側が外側を向くように薄膜超電導線材を巻回した場合に、超電導層と同様に外側を向く銅めっき薄膜に加わる引張応力が、銅めっき薄膜の残留応力である圧縮応力により小さくなる。このため、薄膜超電導線材の電気特性や曲げ特性を向上することができる。
本発明の実施の形態に係る薄膜超電導線材の構成を示す概略断面図である。 本発明の実施の形態に係る薄膜超電導線材をパンケーキ状に巻回する工程を示す斜視図である。 本発明の実施の形態に係る薄膜超電導線材をパンケーキ状に巻回した状態を示す平面図である。 図3における「IV」の領域の拡大図である。 本発明の実施の形態に係る薄膜超電導線材の第1の変形例の構成を示す概略断面図である。 本発明の実施の形態に係る薄膜超電導線材の第2の変形例の構成を示す概略断面図である。 フォーマに本発明の実施の形態に係る超電導薄膜線材を巻回させる様子を示す概略斜視図である。 本発明の実施の形態に係る超電導ケーブル導体の構成を示す概略斜視図である。 本発明の実施の形態に係る薄膜超電導線材の製造方法を示すフローチャートである。 図9のフローチャートの工程(S10)の詳細な工程を示すフローチャートである。 図9のフローチャートの工程(S30)の詳細な工程を示すフローチャートである。 本実施例の薄膜超電導線材の構成を示す概略断面図である。
 以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態が説明される。なお、本実施の形態において、同一の機能を果たす部位には同一の参照符号が付されており、その説明は、特に必要がなければ、繰り返さない。
 図1、5、6は、本実施の形態に係る薄膜超電導線材の延在する方向に交差する方向に切断した断面における概略断面図である。このため、紙面に交差する方向が薄膜超電導線材10の長手方向であり、超電導層5の超電導電流は紙面に交差する方向に沿った方向に流れるものとする。また図1、5、6においては、図を見やすくするために断面のなす矩形状の上下方向と左右方向との長さの差を小さくしているが、実際は当該断面の上下方向の厚みは、左右方向の幅に比べて非常に小さい。
 図1に示すように、本発明の実施の形態に係る薄膜超電導線材10は、断面が矩形をなす長尺形状(テープ状)であり、ここでは長尺形状の長手方向に延在する相対的に面積の大きな表面を主表面とする。薄膜超電導線材10は、積層構造20と、当該積層構造20の外周を覆うように配置された銀被覆層7と、銀被覆層7の外周を覆うように配置された銅めっき薄膜9とを備える。積層構造20は、基板1と、基板1の一方の主表面上に形成された中間層3と、中間層3の、基板1と対向する主表面と反対側の主表面(図1における上側の主表面)上に形成された超電導層5と、銀スパッタ層6とを含む。銀スパッタ層6は、基板1の、中間層3と対向しない主表面(図1における下側の主表面)上と、超電導層5の、中間層3と対向しない主表面(図1における上側の主表面)上とに配置されている。すなわち、銀スパッタ層6は、基板1と中間層3と超電導層5とを上下の主表面側から挟むように配置されている。つまり、以上に述べた基板1、中間層3、超電導層5および銀スパッタ層6により積層構造20が形成されている。
 基板1は、たとえばハステロイ(登録商標)やニッケルベース合金からなり、断面が矩形をなす長尺形状(テープ状)とすることが好ましい。この薄膜超電導線材10が延在方向に延在する長さは、たとえば100m以上であり、延在方向に交差する長さ(幅)は、たとえば10mm程度である。薄膜超電導線材10に流れる電流密度を大きくするためには、基板1の断面積が小さい方が好ましい。ただし、基板1の断面積を小さくするために基板1の厚み(図1における上下方向)を薄くしすぎると、基板1の強度が劣化する可能性がある。したがって、基板1の厚みはたとえば0.1mm程度にすることが好ましい。
 基板1の主表面上に超電導層5を形成すると、基板1の主表面に沿った方向における結晶軸の配向性に劣る多結晶の薄膜が形成される。この場合、形成された薄膜超電導線材の臨界電流密度(Jc)を大きくすることが困難となる。そこで、基板1と超電導層5との間に中間層3が配置されている。中間層3としては、たとえばGdZr(Gd(ガドリニウム)とZr(ジルコニウム)との酸化物)やCeO(酸化セリウム)、YSZ(イットリア安定化ジルコニア)の材料を用いることが好ましい。中間層3としてこれらの材料を用いれば、中間層3の主表面上に形成する超電導層5の結晶軸を整えることが容易になる。
 超電導層5は、薄膜超電導線材10のうち、超電導電流が流れる薄膜層であり、超電導材料であるたとえばイットリウム系(YBaCu)の薄膜から構成されることが好ましい。また、超電導層5に流れる超電導電流の臨界電流Icの値を向上するためには、超電導層5の厚みは、0.1μm以上10μm以下とすることが好ましい。
 超電導層5の主表面上に配置された銀スパッタ層6は、スパッタリング法により形成された銀の薄膜であり、その厚みは0.1μm以上50μm以下とすることが好ましい。ただし、銀スパッタ層6としては、スパッタリング以外の任意の方法により形成された銀の薄膜を用いることができる。
 超電導層5の主表面上に配置された銀スパッタ層6は、銅めっき薄膜9を形成するめっき処理を行なう際に、銅めっき液の作用により、超電導層5が浸食などのダメージを受けることを抑制するための保護層として配置されるものである。しかし図1に示すように銀スパッタ層6は超電導層5の主表面上のみならず、基板1の下側の主表面上にも配置されており、両者の銀スパッタ層6が基板1と中間層3と超電導層5とを挟むように配置されている。このようにすれば、銅めっき薄膜9を形成するめっき処理を行なう際に、銀スパッタ層6を介して、たとえばめっき処理を行なう設備の電極と、積層構造20とを容易に導通することができる。
 銀スパッタ層6を含む積層構造20の外周を覆うように、すなわち積層構造20の外側の最表面のほぼ全面を覆うように、銀被覆層7が配置されている。この銀被覆層7はたとえばめっきにより形成された銀の薄膜であり、その厚みは0.1μm以上50μm以下とすることが好ましい。
 銀被覆層7を積層構造20の最表面のほぼ全面を覆うように配置すれば、銀被覆層7を含む積層構造20に対して銅めっき薄膜9を形成するめっき処理を容易に行なうことができる。すなわち、銀被覆層7の外側の表面上に銅めっき薄膜9を形成することになる。ここで当該銀被覆層7が上述した厚みを有すれば以下の効果を奏する。具体的には、めっき処理を行なう際に積層構造20を銅めっき液に浸漬するが、超電導層5の表面が銀被覆層7に覆われているため、超電導層5の表面は直接銅めっき液に接触しない。したがって銀被覆層7の存在により、めっき処理を行なう際に、超電導層5の表面や内部が、銅めっき液により浸食するなどの影響を受ける可能性を抑制することができる。したがって、積層構造20の表面が銀被覆層7で覆われていることにより、超電導層5に対する侵食の有無などを銅めっき液の選択に関して考慮する必要が無いため、めっき処理に用いる銅めっき液の選択の自由度を向上することができる。
 また、薄膜超電導線材10に銀被覆層7を配置しておけば、たとえば超電導層5にクエンチングなどの不具合が発生した場合に、超電導層5に流れる過剰な電流の一部を分流して銀被覆層7に流すことができる。したがって、超電導層5に過剰な電流が流れることによる超電導層5の破損などを抑制することができる。
 以上に述べた銀被覆層7の外周を覆うように、すなわち銀被覆層7の外側の最表面のほぼ全面を覆うように、銅めっき薄膜9が配置されている。銅めっき薄膜9は、めっき処理することにより形成された銅の薄膜であり、その厚みは0.1μm以上50μm以下とすることが好ましい。
 薄膜超電導線材10の銅めっき薄膜9は、内部に存在する残留応力が、圧縮応力となっている。具体的には、たとえば銅めっき薄膜9の延在する方向、すなわち薄膜超電導線材10の長手方向に沿った一部の領域の、薄膜超電導線材10の長手方向の長さを縮める方向に力が加わった状態となっている。
 ここで一例として図2や図3に示すように、薄膜超電導線材10をパンケーキ状(コイル状)に巻回した場合を考える。具体的には、平板14上に設置されたリール15の周りに、図2のリール15上の回転矢印の方向(Aの方向)に薄膜超電導線材10を巻回し、これをコイル100とする。このとき図3に丸点線で囲む、1本の薄膜超電導線材10の巻回の外側が、図4の拡大図に示すように、超電導層5が配置される側(図1における上側)となり、当該薄膜超電導線材10の巻回の内側が、基板1が配置される側(図1における下側)となるように巻回する。したがって図2、図3において巻回された薄膜超電導線材10では、基板1が配置される側がリール15に対向する側であり、超電導層5が配置される側がリール15と対向しない、巻回の外側を向く側となっている。
 この場合、図4に示すように、薄膜超電導線材10の巻回の外側は、巻回の内側に比べて、長手方向に延在する長さが長くなるよう引張応力が加わる。したがって、巻回の外側に配置された超電導層5の存在する側の主表面の銅めっき薄膜9には、図4に示す引張応力11が加わる。すると、引張応力11の加わった銅めっき薄膜9の近傍に配置された超電導層5にも、当該引張応力11により応力が加わる。しかし上述したように薄膜超電導線材10の銅めっき薄膜9には残留応力として図4に示す圧縮応力12が存在する。引張応力11と圧縮応力12とが互いに逆方向に作用し打消し合うため、引張応力11の大きさは、圧縮応力12により小さくなる(あるいは、圧縮応力12の大きさが十分大きい場合には、引張応力11は完全に打消される)。
 たとえば薄膜超電導線材10を巻回するとき、特に巻回の外側の主表面に配置された銅めっき薄膜9に作用する引張応力が増大すれば、巻回の外側に配置された超電導層5には銅めっき薄膜9の大きな引張応力に起因して局所的に応力集中などが発生する可能性がある。超電導層5に大きな応力が加われば、当該超電導層5の臨界電流Icの値が低下する。また、超電導層に応力集中などが発生した結果、超電導層5が破断すれば、当該超電導層5に超電導電流を流すことができなくなる。
 しかし本発明による薄膜超電導線材10の場合、上述した銅めっき薄膜9の内部には引張応力11と反対方向に作用する残留応力としての圧縮応力12が存在することにより、銅めっき薄膜9における巻回に起因する引張応力11が小さくなる。このため、当該引張応力11に起因する超電導層5の劣化を抑制することができ、当該超電導層5に流すことができる超電導電流(臨界電流Ic)の低下を抑制することができる。したがって、薄膜超電導線材10の電気特性や曲げ特性を向上することができる。具体的には、臨界電流Icの高い、高性能な(加工限界となる曲率の大きな)薄膜超電導線材10となる。
 図5に示す薄膜超電導線材30は、上述した図1に示す薄膜超電導線材10の変形例であり、基本的には薄膜超電導線材10と同様の態様を備えている。しかし薄膜超電導線材30には銀被覆層7が配置されていない。
 以上の点においてのみ、薄膜超電導線材30の態様は薄膜超電導線材10の態様と異なる。すなわち、他の構成要素においては、薄膜超電導線材30は薄膜超電導線材10と同様の態様となっている。より具体的には、薄膜超電導線材30における銅めっき薄膜9についても、薄膜超電導線材10における銅めっき薄膜9と同様に、内部の残留応力が圧縮応力となっている。このことにより、超電導層5の配置された側の銅めっき薄膜9に引張応力が加わったとしても、圧縮応力の作用により引張応力を小さくし、超電導層5の劣化を抑制する効果を奏する。したがって、本実施の形態に係る薄膜超電導線材は、薄膜超電導線材30の態様としてもよい。
 銀の結晶は安定した立方晶でありその融点は961℃と高い。しかし銀は、加熱により融点未満の低い温度においても容易に軟化を開始する性質を有する。たとえば薄膜超電導線材10を形成する場合、たとえば銀被覆層7を形成した後の銅めっき薄膜9を形成するめっき処理を行なう過程にて、銀被覆層7を介して導通することにより銀被覆層7は加熱される。すると銀被覆層7は加熱により軟化し、変形する可能性がある。
 薄膜超電導線材30においては、銀被覆層7を配置していないことにより、上述しためっき処理時における銀被覆層7の軟化に伴う不具合の発生を抑制することができる。なお、図5に示した薄膜超電導線材30の製造工程においては、銅めっき薄膜9を形成するためにめっき処理を行なう設備の電極と積層構造20とを容易に導通するために、銀スパッタ層6を利用することができる。
 図6に示す薄膜超電導線材50は、上述した図5に示す薄膜超電導線材30の変形例であり、基本的には薄膜超電導線材30と同様の態様を備えている。しかし薄膜超電導線材50には銀スパッタ層6が、積層構造20の主表面の方向のみならず、積層構造20の主表面に交差する方向(図6の上下方向、すなわち積層構造20の側方端面上)にも配置されている。
 以上の点においてのみ、薄膜超電導線材50の態様は薄膜超電導線材30の態様と異なる。すなわち、他の構成要素においては、薄膜超電導線材50は薄膜超電導線材30と同様の態様となっている。より具体的には、薄膜超電導線材50における銅めっき薄膜9についても、薄膜超電導線材10における銅めっき薄膜9と同様に、内部の残留応力が圧縮応力となっている。このことにより、超電導層5の配置された側の銅めっき薄膜9に引張応力が加わったとしても、圧縮応力が引張応力と打消しあうことから、超電導層5の劣化を抑制する効果を奏する。したがって、本実施の形態に係る薄膜超電導線材は、薄膜超電導線材50の態様としてもよい。
 銀スパッタ層6を積層構造20の主表面の方向のみならず、積層構造20の主表面に交差する方向(図6の上下方向)にも配置することにより、当該銀スパッタ層6は、銀被覆層7と同様に、積層構造20の外周のほぼ全面を覆う構成となる。このため、銀被覆層7と同様に、銅めっき薄膜9を形成するめっき処理を行なう際に超電導層5が銅めっき液により浸食されるなどの不具合が起こる可能性を低減する保護層としての効果を奏する。
 さらに、薄膜超電導線材50の銀スパッタ層6は、上述した銀被覆層7と同様に、たとえば超電導層5にクエンチングなどの不具合が発生した場合に、超電導層5に流れる過剰な電流の一部を分流して流す役割(安定化層としての役割)を備えることができる。したがって、超電導層5に過剰な電流が流れることによる超電導層5の破損などを抑制することができる。
 薄膜超電導線材50のように銀スパッタ層6を銀被覆層7(図1参照)と同様に積層構造20の周囲全体に形成する場合においては、たとえば薄膜超電導線材10における銀スパッタ層6に比べて、当該銀スパッタ層6の厚みを厚くすることが好ましい。具体的には、その厚みは0.5μm以上50μm以下とすることが好ましい。
 次に、以上に述べた薄膜超電導線材10、30、50を用いた超電導ケーブル導体について説明する。
 たとえば薄膜超電導線材10を用いた場合、図7に示すように、薄膜超電導線材10が円筒状のフォーマ60の外周面にスパイラル状に巻回される。このようにして複数本の薄膜超電導線材10をフォーマ60上にスパイラル状に多層積層させることにより図8に示す超電導ケーブル導体70が構成される。薄膜超電導線材10は、上述したように各薄膜超電導線材10の巻回の外側が、超電導層5が配置される側(図1における上側)となり、当該薄膜超電導線材10の巻回の内側が、基板1が配置される側(図1における下側)となるように巻回する。したがって図7、図8において巻回された薄膜超電導線材10は、基板1が配置される側がフォーマ60の外周面に対向する側であり、超電導層5が配置される側がフォーマ60と対向しない、巻回の外側を向く側となっている。このようにすれば、上述したように、薄膜超電導線材10の超電導層5が配置される側の銅めっき薄膜9の主表面に加わる引張応力11(図4参照)が、銅めっき薄膜9の内部の圧縮応力12(図4参照)により小さくなる。このため、薄膜超電導線材10の超電導層5に加わる応力が小さくなり、劣化による臨界電流Icの低下や、薄膜超電導線材10の破断などの不具合の発生を抑制し、電気特性や曲げ特性を向上することができる。
 図8に示すように、第1層10aは図中右巻き、第2層10bは図中左巻き、第3層10cは図中右巻き、第4層10dは図中左巻きというように、各層毎に交互に向きを変えて薄膜超電導線材10は巻回されている。なお、この第1層10a~第4層10dの巻回方向はこれに限定されるものではなく、如何なる方向に巻回されていてもよい。たとえば第1層10aおよび第2層10bが図中右巻きで、第3層10cおよび第4層10dが図中左巻きであってもよく、第1層10a~第4層10dのすべてが同じ方向に巻回されていてもよい。
 ここで、以上に述べた本実施の形態に係る薄膜超電導線材の製造方法について説明する。図9のフローチャートに示すように、まず積層構造を形成する工程(S10)を実施する。具体的には、図1、5、6に示す各薄膜超電導線材の積層構造20を形成する工程である。積層構造を形成する工程(S10)には、図10のフローチャートに示すように、さらに具体的には超電導層を準備する工程(S11)と銀スパッタ層を形成する工程(S12)とが含まれる。
 以下、超電導層を準備する工程(S11)について具体的に説明する。超電導層5を準備するために、まず基板1と中間層3とが積層された構造を準備する。基板1の一方の主表面上に中間層3を形成する方法としては、たとえばIBAD法(イオンビームアシスト蒸着法)やPLD法(パルスレーザ蒸着法)、スパッタリング法を用いることができる。これらの方法を用いれば、中間層3の主表面上に形成する超電導層5の結晶配向性を向上させることができる。また、中間層3は1層であってもよいが、複数の層を積層した構成としてもよい。
 そして中間層3の主表面上に、超電導層5を形成する。超電導層5は、たとえばイットリウム系(YBaCu)の超電導体からなる薄膜を、PLD法や高周波スパッタリング法、MOD法(有機金属析出法)を用いて形成することが好ましい。
 次に行なう銀スパッタ層を形成する工程(S12)において、銀スパッタ層6はスパッタリング法を用いて形成することが好ましいが、上述したように、スパッタリング以外の任意の方法により形成された銀の薄膜を用いることができる。また、図6に示した薄膜超電導線材50を形成する場合には、積層構造20の主表面上に銀スパッタ層6を形成する工程に続いて、積層構造20の側方端面上に銀スパッタ層6を形成する工程を実施する。なお、積層構造20の側方端面上に銀スパッタ層6を形成する工程では、たとえばスパッタリングのターゲット材に対して積層構造20の端面が対向するように積層構造20の主表面を当該ターゲット材表面に対して傾斜配置する、など任意の方法を用いることができる。また、上述した積層構造20の主表面と側方端面との両方に、同時に銀スパッタ層6を形成してもよい。この場合、積層構造20の主表面の一方(たとえば超電導層5の最表面)と側方端面の一方とに同時に銀スパッタ層6が形成されるように、たとえばターゲット材表面に対する積層構造20の主表面の傾斜確度を適宜調整するようにしてもよい。
 次に、薄膜超電導線材10を形成する場合は、銀被覆層を形成する工程(S20)を実施する。具体的には、図1に示す銀被覆層7を形成する工程であり、これはたとえば真空蒸着法やスパッタリング法により形成することが好ましい。なお、銀被覆層を形成する工程(S20)は、薄膜超電導線材30、50を形成する場合には省略する。
 そして銅めっき薄膜を形成する工程(S30)により銅めっき薄膜9を形成する。銅めっき薄膜を形成する工程(S30)は具体的には図11のフローチャートに示すように、銅めっき液を準備する工程(S31)と添加剤を添加する工程(S32)とめっき処理を行なう工程(S33)とを含む。
 銅めっき薄膜9を形成するために積層構造20を浸漬するために用いる銅めっき液としては、たとえば硫酸銅を硫酸溶液中に溶解した液や、ピロ燐酸銅をアンモニア水中に溶解した液を用いることが好ましい。なお、銅めっき薄膜9の内部の残留応力を圧縮方向の応力にするためには、ピロ燐酸銅をアンモニア水中に溶解した液相を用いることがより好ましい。また、積層構造20を浸漬した際に、積層構造20を構成する超電導層5の表面が浸食することを抑制するためには、硫酸銅を硫酸中に溶解しためっき液を用いることがより好ましい。
 以上のように準備した銅めっき液に対して、図11に示すように添加剤を添加する工程(S32)を実施する。これは具体的には、形成される銅めっき薄膜9の表面の平滑性や光沢性を向上させるために、銅めっき液に添加剤を添加する工程である。
 添加剤としてはたとえばポリエチレングリコールなどの有機化合物系の物質や、界面活性剤を用いることができる。ただし、当該添加剤としてチオ尿素を用いることにより、銅めっき薄膜9の表面の平滑性や光沢性を大幅に向上することができる。さらに、当該添加剤としてチオ尿素を用いれば、銅めっき薄膜9の内部の残留応力を圧縮方向の応力にすることができる。したがって、たとえば硫酸銅を硫酸中に溶解した液(たとえば硫酸銅濃度60g/l(リットル)以上150g/l以下、硫酸濃度100g/l以上220g/l以下の液)に対してチオ尿素を8ppm以上12ppm以下の濃度となるように添加することが好ましい。このようにすれば、硫酸銅を硫酸中に溶解した液を銅めっき液として用いた場合においても、銅めっき薄膜9の残留応力を圧縮応力にすることができる。
 そして、めっき処理を行なう工程(S33)において、めっき処理を行なう設備を構成する、添加剤を添加した銅めっき液中に積層構造20を浸漬する。そして積層構造20の銀スパッタ層6または銀被覆層7を、銅めっき液中のめっき処理を行なう電極(陰極)と接続する。そして電極(陰極および陽極)に対して電圧を加えて電流を流すことによる電気分解現象を利用して、陰極に接続された積層構造20の表面に対して銅めっき薄膜9を形成する。このとき陰極に流れる電流値としては1A/dm以上10A/dm以下、より好ましくは5A/dmとといった値を用いることができる。
 また、めっき処理を行なう工程(S33)においては、たとえば銅めっき液として硫酸銅を硫酸中に溶解した液を用いた場合は当該液相の温度を20℃以上30℃以下とすることが好ましく、たとえば銅めっき液としてピロ燐酸銅をアンモニア水中に溶解した液を用いた場合は当該液の温度を50℃以上60℃以下とすることが好ましい。
 以上の各工程を実施することにより、内部の残留応力が圧縮応力となっている銅めっき薄膜9を有する薄膜超電導線材10、30、50を形成することができる。
 銅めっき液として硫酸銅を硫酸溶媒中に溶解しためっき液を用いて銅めっき薄膜9を形成した図12に示す薄膜超電導線材90を作製し、当該薄膜超電導線材90の銅めっき薄膜9の内部の残留応力を調査する試験を行なった。
 ここでは、硫酸銅の五水和水(CuSO・5HO)を硫酸溶媒中に溶解した濃度に応じて3種類の銅めっき液A、B、Cを準備した。そして図1に示す薄膜超電導線材10の、積層構造20の外周のほぼ全面を覆う銀被覆層7が、めっき処理を行なう設備の陰極と接続するように配置し、電気分解によるめっき処理を行なった。また、銅めっき液A、B、Cには、銅めっき液が積層構造20を浸食する作用を抑制するために、添加剤として添加するチオ尿素のほかに微量の塩素イオンを加えた。
 なお、銅めっき薄膜9を形成するためのめっき処理の対象材としては以下のようなものを準備した。図12に示すように、基板1としてのニッケル-タングステン合金からなる幅10mm、厚み80μmのテープ状基板の一方の主表面上に、第一中間層3a、第二中間層3b、第三中間層3cとしてそれぞれ厚み0.1μmのCeO、厚み0.3μmのYSZ、厚み0.1μmのCeOを、RFスパッタ法を用いて順に形成した。これら第一中間層3a、第二中間層3b、第三中間層3cを合わせて中間層3とする。さらに第三中間層3cの上にPLD法を用いて、RE123(REBaCu7-δ)からなる厚み2μmの超電導層5が形成された構造の表面をDCスパッタ法を用いて銀被覆層7を形成した。銀被覆層7の厚みは、超電導層5の主表面上に形成する銀被覆層7は8μm、基板1の主表面上の銀被覆層7は2μm、積層方向に沿って両側面に形成する銀被覆層7は3μmとした。
 これらの硫酸銅の濃度やめっき処理の際に陰極に流す電流密度、めっき処理を行なう時間を変化させて以下の表1に示す各条件において銅めっき薄膜9を形成した。この結果、厚みが20μmの銅めっき薄膜9が形成された。このようにして形成された薄膜超電導線材10の銅めっき薄膜9の内部の残留応力の方向および大きさを測定した結果を以下の表1に併せて記している。なお、残留応力の評価はX線応力測定装置を用いて行なった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 表1より、銅めっき液Cを用いて、電流密度を10A/dm、めっき時間を9分としてめっき処理を行なうことにより形成した薄膜超電導線材10の銅めっき薄膜9において、内部の残留応力が圧縮方向に4MPaとなる結果を得た。
 銅めっき液としてピロ燐酸銅をアンモニア水中に溶解した液相を用いて銅めっき薄膜9を形成した薄膜超電導線材90を形成し、当該薄膜超電導線材90の銅めっき薄膜9の内部の残留応力を調査する試験を行なった。
 ここでは、ピロ燐酸銅をアンモニア水中に溶解した銅めっき液Dを準備した。また、めっき処理の対象材としては上述した実施例1において用いた材料と同じ構成の材料を用いた。そして図12に示す薄膜超電導線材90の、積層構造20の外周のほぼ全面を覆う銀被覆層7が、めっき処理を行なう設備の陰極と接続するように配置し、電気分解によるめっき処理を行なった。また、銅めっき液Dには、ピロ燐酸銅のみならず、燐酸イオンを有する溶解度の高いカリウム塩であるピロ燐酸カリウムを溶解した。これは銅めっき液Dの液相中への燐酸イオンの溶解量を確保するためである。
 このようにして準備した銅めっき液Dを用いて、実施例1と同様に、以下の表2に示す条件において銅めっき薄膜9を形成した。このようにして形成された薄膜超電導線材90の銅めっき薄膜9の内部の残留応力の方向および大きさを測定した結果を以下の表2に併せて記している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 表2におけるP比とは、銅めっき液Dの液相中における銅イオンに対するピロ燐酸イオンの重量比を示す値である。表2より、銅めっき液Dを用いて、電流密度を5A/dm、めっき時間を18分としてめっき処理を行なうことにより形成した薄膜超電導線材90の銅めっき薄膜9において、内部の残留応力が圧縮方向に300MPaとなる結果を得た。
 したがって、銅めっき液としてピロ燐酸銅の溶液を使用した場合、添加剤を加えなくても、残留応力の方向が圧縮方向の応力である銅めっき薄膜9を形成することができるといえる。
 今回開示された各実施の形態および各実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した各実施の形態および各実施例ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
 本発明は、薄膜超電導線材の電気特性および曲げ特性を向上する技術として、特に優れている。
 1 基板、3 中間層、3a 第一中間層、3b 第二中間層、3c 第三中間層、5 超電導層、6 銀スパッタ層、7 銀被覆層、9 銅めっき薄膜、10,30,50,90 薄膜超電導線材、10a 第1層、10b 第2層、10c 第3層、10d 第4層、11 引張応力、12 圧縮応力、14 平板、15 リール、20 積層構造、60 フォーマ、70 超電導ケーブル導体、100 コイル。

Claims (4)

  1.  基板(1)と、
     前記基板(1)の一方の主表面上に形成された中間層(3)と、
     前記中間層(3)の、前記基板(1)と対向する主表面と反対側の主表面上に形成された超電導層(5)とを含む積層構造(20)を備える薄膜超電導線材(10,30,50,90)であり、
     前記積層構造(20)の外周を覆う銅めっき薄膜(9)をさらに備えており、
     前記銅めっき薄膜(9)の内部の残留応力が圧縮応力になっている、薄膜超電導線材。
  2.  前記積層構造(20)には、基板(1)の、前記中間層(3)と対向しない主表面上と、前記超電導層(5)の、前記中間層(3)と対向しない主表面上とに配置された銀スパッタ層(6)をさらに含む、請求の範囲第1項に記載の薄膜超電導線材。
  3.  前記銅めっき薄膜(9)と前記積層構造(20)との間に、前記積層構造(20)の外周を覆う銀被覆層(7)をさらに備える、請求の範囲第1項に記載の薄膜超電導線材。
  4.  請求の範囲第1項に記載の薄膜超電導線材(10,30,50,90)を有する超電導ケーブル導体。
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WO2013045229A1 (de) * 2011-09-27 2013-04-04 Siemens Aktiengesellschaft Bandförmiger hochtemperatur-supraleiter und verfahren zur herstellung eines bandförmigen hochtemperatur-supraleiters

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