WO2010100794A1

WO2010100794A1 - 顔料微粒子の表面処理方法

Info

Publication number: WO2010100794A1
Application number: PCT/JP2009/069073
Authority: WO
Inventors: 榎村　眞一
Original assignee: エム・テクニック株式会社
Priority date: 2009-03-03
Filing date: 2009-11-10
Publication date: 2010-09-10
Also published as: JPWO2010100794A1; US20120006230A1; CN102325844A; KR101429045B1; EP2428536B1; EP2428536A4; JP2010242104A; KR20110124308A; JP4691699B2; US9255202B2; CN102325844B; EP2428536A1

Abstract

【課題】小さなエネルギで効率よくコストの増加を伴わずに顔料微粒子の表面処理を行うこと。【解決手段】接近・離反可能な相対的に回転する２つの処理用面間に１ｍｍ以下の微小間隔を維持し、この微小間隔に維持された２つの処理用面間を被処理流動体の流路とすることによって、被処理流動体の薄膜流体（強制薄膜）を形成し、この薄膜流体（強制薄膜）中において顔料微粒子が生成され、上記薄膜流体（強制薄膜）中において上記生成された顔料微粒子を表面修飾する事を特徴とする、顔料微粒子の表面処理方法である。

Description

顔料微粒子の表面処理方法

　本発明は、顔料微粒子の表面処理方法に関する。

　顔料微粒子は水や有機溶媒などの分散媒に分散して使用される。しかし、一般的に顔料微粒子のサイズが小さくなればなるほど、分散媒への分散が難しく、分散させるためにビーズミルや高圧ホモジナイザーのような多大なエネルギーを必要とするか、または一旦分散が完了しても、再度凝集するなど、分散安定性の問題がある。そのため、顔料微粒子を均一に分散する事を目的として、顔料微粒子の表面を改質し、分散媒への親和性を向上する方法や、分散媒中に含まれる分散剤との親和性を向上する方法などが公知技術として知られている（特許文献１、特許文献２）。

　その他、特許文献３のようにスルホン化反応溶剤中に、水湿潤有機顔料ペーストを加えて顔料を分散させた後、水を脱離し、次いでスルホン化剤により上記有機顔料の粒子表面にスルホン酸基（スルホ基）を導入する方法や、特許文献４のようにフタロシアニンに酸性官能基もしくはその塩を導入した水溶性フタロシアニン誘導体を溶解させた水性の液体中でフタロシアニン系顔料粒子を分散させて該フタロシアニン系顔料粒子の表面に上記水溶性フタロシアニン誘導体を吸着させる方法、または特許文献５のように銅フタロシアニンを含有する水スラリーを入れ、この溶液中に水酸化ナトリウム水溶液を滴下してpH１２．０とし、オゾンを含む酸素を毎分０．５リットルで通気しながら超音波発振機装置１により超音波振動子２から３８ｋＨｚ、１５０Ｗで超音波を照射して銅フタロシアニン微粒子表面に親水性官能基を導入する方法が知られている。

　しかし、一旦乾燥した粒子や、凝集している粒子の表面処理を行う場合には目的とする粒子を溶媒に再度分散した後に表面処理を行わなければならないのが一般的である。そのため、表面処理されていない粒子を均一に分散するために多大なエネルギーを必要とする事や、各々の粒子に均一に表面処理を施す事が難しい。また、微粒子化の工程を経て、その後に表面修飾を行う場合は、その都度多大なエネルギーを必要とする。さらに工程毎に目的の処理を行うための試薬が必要となるため、コストの増加、資源の多大な浪費に繋がる。

　また、顔料をそれに対する良溶媒である溶媒に溶解した有機顔料溶液と、前記顔料に対して貧溶媒となる溶媒とを混合し、前記顔料を粒子として混合液中に析出させる工程と実質的にほぼ同時に粒子の表面処理をする方法としては、特許文献７のように色素部分に酸性官能基が結合した水に難溶性の化合物と、有機顔料の構成成分である化合物との強酸溶液から水中に析出した混合物を有機顔料の粒子表面に吸着させることを特徴とする表面処理顔料の製造方法が挙げられるが、この方法では、色素部分に修飾基を持つ化合物を製造する工程と前記色素部分に修飾基をもつ化合物と顔料との混合物を溶解して、再び析出させる工程とから成るため、工程数とコストが増大するなどの問題がある。なお、修飾基とは、少なくとも粒子表面に導入または結合された官能基またはラジカルを指す。

　そして、特許文献８のように有機顔料をそれに対する良溶媒である第１溶媒に溶解した有機顔料溶液と、前記有機顔料に対して貧溶媒となる第２溶媒とを混合し、前記有機顔料をナノ粒子として混合液中に析出させ、次いで、質量平均分子量１０００以上の高分子化合物を導入すると同時に実質的に表面修飾基を導入する方法があるが、この場合には、表面修飾基に必ず高分子を含むため、作製された粒子の分散媒や分散剤に応じて表面修飾基と高分子の両方を選定しなければならない等の問題がある。

　さらに本願出願人によって発明された特許文献６に示されるような接近・離反可能な相対的に回転する２つの処理用面間に微小間隔を維持し、この微小間隔に維持された２つの処理用面間を被処理流動体の流路とすることによって、被処理流動体の薄膜流体（強制薄膜）を形成し、この薄膜流体（強制薄膜）中において顔料微粒子を作製する装置を用いた場合でも、作製された顔料微粒子の易分散性までは確立できていなかった。

特開２０００－２５６５９３号公報特開平８－３４９８号公報特開平１０－１１０１１０号公報特開２０００－３０３０１４号公報特開２００４－１８２７５１号公報国際公開ＷＯ２００９/８３８８号パンフレット特開２００２－３１７１２６号公報特開２００８－２３１１６９号公報

　上記に鑑み本発明は、小さなエネルギーで、効率よく、コストの増加を伴わずに顔料微粒子の表面処理を行う事、例えば顔料微粒子の少なくとも表面に修飾基を導入する事を課題とする。

　本願の請求項１に係る発明は、接近・離反可能、且つ相対的に変位する処理用面の間に被処理流動体を供給し、当該流動体の供給圧と回転する処理用面の間にかかる圧力とを含む接近方向への力と離反方向への力との圧のバランスによって処理用面間の距離を微小間隔に維持し、この微小間隔に維持された２つの処理用面間を被処理流動体の流路とすることによって、被処理流動体が薄膜流体を形成し、この薄膜流体中において顔料微粒子が生成され、上記生成された顔料微粒子を表面修飾する事を特徴とする、顔料微粒子の表面処理方法である。

　本願の請求項２に係る発明は、被処理流動体に圧力を付与する流体圧付与機構と、第１処理用部、及び、この第１処理用部に対して相対的に接近・離反可能な第２処理用部の、少なくとも２つの処理用部と、上記の第１処理用部と第２処理用部とを相対的に回転させる回転駆動機構とを備え、上記の各処理用部において互いに対向する位置に、第１処理用面及び第２処理用面の少なくとも２つの処理用面が設けられており、上記の各処理用面は、上記圧力の被処理流動体が流される、密封された流路の一部を構成するものであり、上記第１処理用部と第２処理用部のうち、少なくとも第２処理用部は受圧面を備えるものであり、且つ、この受圧面の少なくとも一部が上記の第２処理用面により構成され、この受圧面は、上記の流体圧付与機構が被処理流動体に付与する圧力を受けて第１処理用面から第２処理用面を離反させる方向に移動させる力を発生させ、接近・離反可能、且つ相対的に回転する第１処理用面と第２処理用面との間に上記所定圧力の被処理流動体が通されることにより、上記被処理流動体が上記薄膜流体を形成し、この薄膜流体中において顔料微粒子が生成され、上記生成された顔料微粒子を表面修飾する事を特徴とする、請求項１記載の顔料微粒子の表面処理方法である。

[規則91に基づく訂正 14.12.2009]　
　本願の請求項３に係る発明は、上記の流体圧付与機構から圧力を付与された一種の被処理流動体が上記第１処理用面と第２処理用面との間に通され、上記の一種の被処理流動体とは異なる他の一種の被処理流動体が通される独立した別途の導入路を備え、この導入路に通じる少なくとも一つの開口部が上記第１処理用面と第２処理用面の少なくとも何れか一方に設けられ、この導入路から上記の他の一種の被処理流動体を、上記両処理用面間に導入し、前記一種の被処理流動体と他の一種の被処理流動体とを、上記薄膜流体中で混合する事を特徴とする、請求項２記載の顔料微粒子の表面処理方法である。

[規則91に基づく訂正 14.12.2009]　
　本願の請求項４に係る発明は、上記顔料微粒子の表面修飾を、上記薄膜流体中において行う事を特徴とする、請求項１から３いずれか記載の顔料微粒子の表面処理方法である。

　本願の請求項５に係る発明は、上記表面修飾が、上記顔料微粒子の表面を酸性基処理する事によってなされる事を特徴とする請求項１から４いずれか記載の顔料微粒子の表面処理方法である。

　本願の請求項６に係る発明は、上記表面修飾が、上記顔料微粒子の表面を塩基性基処理する事によってなされる事を特徴とする請求項１から４いずれか記載の顔料微粒子の表面処理方法である。

　本願の請求項７に係る発明は、上記請求項１から６いずれか記載の顔料微粒子の表面処理方法にて得られた顔料微粒子である。

　本願の請求項８に係る発明は、上記請求項１から６いずれか記載の顔料微粒子の表面処理方法にて得られた顔料微粒子の分散液である。

　本発明は、顔料微粒子の表面修飾を効果的且つ効率的に行う事ができたものである。さらに、微粒化の工程と表面修飾の工程を実質的に同時に行う事ができるため、工程の簡素化を可能とした。さらに多大なエネルギーを必要とする工程を省くことができるため、上記に挙げた従来の問題を改善できたものである。

（Ａ）は本願発明の実施に用いる装置の概念を示す略縦断面図であり、（Ｂ）は上記装置の他の実施の形態の概念を示す略縦断面図であり、（Ｃ）は上記装置のまた他の実施の形態の概念を示す略縦断面図であり、（Ｄ）は上記装置の更に他の実施の形態の概念を示す略縦断面図である。（Ａ）～（Ｄ）は、夫々、図１に示す装置の更に他の実施の形態の概念を示す略縦断面図である。（Ａ）は図２（Ｃ）に示す装置の要部略底面図であり、（Ｂ）は上記装置の他の実施の形態の要部略底面図であり、（Ｃ）はまた他の実施の形態の要部略底面図であり、（Ｄ）は上記装置の更に他の実施の形態の概念を示す略底面図であり、（Ｅ）は上記装置のまた更に他の実施の形態の概念を示す略底面図であり、（Ｆ）は上記装置の更にまた他の実施の形態の概念を示す略底面図である。（Ａ）～（Ｄ）は、夫々、図１に示す装置の更に他の実施の形態の概念を示す略縦断面図である。（Ａ）～（Ｄ）は、夫々、図１に示す装置の更に他の実施の形態の概念を示す略縦断面図である。（Ａ）～（Ｄ）は、夫々、図１に示す装置の更に他の実施の形態の概念を示す略縦断面図である。（Ａ）～（Ｄ）は、夫々、図１に示す装置の更に他の実施の形態の概念を示す略縦断面図である。（Ａ）～（Ｄ）は、夫々、図１に示す装置の更に他の実施の形態の概念を示す略縦断面図である。（Ａ）～（Ｃ）は、夫々、図１に示す装置の更に他の実施の形態の概念を示す略縦断面図である。（Ａ）～（Ｄ）は、夫々、図１に示す装置の更に他の実施の形態の概念を示す略縦断面図である。（Ａ）及び（Ｂ）は、夫々、図１に示す装置の更に他の実施の形態の概念を示す略縦断面図であり、（Ｃ）は図１（Ａ）に示す装置の要部略底面図である。（Ａ）は図１（Ａ）に示す装置の受圧面について、他の実施の形態を示す要部略縦断面図であり、（Ｂ）は当該装置の更に他の実施の形態の要部略縦断面図である。図１２（Ａ）に示す装置の接面圧付与機構について、他の実施の形態の要部略縦断面である。図１２（Ａ）に示す装置に、温度調整用ジャケットを設けた、他の実施の形態の要部略縦断面図である。図１２（Ａ）に示す装置の接面圧付与機構について、更に他の実施の形態の要部略縦断面図である。（Ａ）は図１２（Ａ）に示す装置の更に他の実施の形態の要部略横断面であり、（Ｂ）（Ｃ）（Ｅ）～（Ｇ）は当該装置のまた他の実施の形態の要部略横断面図であり、（Ｄ）は当該装置のまた他の実施の形態の一部切欠要部略縦断面図である。図１２（Ａ）に示す装置の更に他の実施の形態の要部略縦断面図である。（Ａ）は本願発明の実施に用いる装置の更に他の実施の形態の概念を示す略縦断面図であり、（Ｂ）は当該装置の一部切欠要部説明図である。（Ａ）は図１２（Ａ）に示す装置の第１処理用部の平面図であり、（Ｂ）はその要部縦断面図である。（Ａ）は図１２（Ａ）に示す装置の第１及び第２処理用部の要部縦断面図であり、（Ｂ）は微小間隔が開けられた上記第１及び第２処理用部の要部縦断面図である。（Ａ）は上記第１処理用部の他の実施の形態の平面図であり、（Ｂ）はその要部略縦断面図である。（Ａ）は上記第１処理用部の更に他の実施の形態の平面図であり、（Ｂ）はその要部略縦断面図である。（Ａ）は第１処理用部のまた他の実施の形態の平面図であり、（Ｂ）は第１処理用部の更にまた他の実施の形態の平面図である。（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、夫々、処理後の被処理物の分離方法について、上記以外の実施の形態を示す説明図である。本願発明の装置の概要を説明するための縦断面の概略図である。（Ａ）は図２５に示す装置の第１処理用面の略平面図であり、（Ｂ）は図２５に示す装置の第１処理用面の要部拡大図である。（Ａ）は第２導入路の断面図であり、（Ｂ）は第２導入路を説明するための処理用面の要部拡大図である。（Ａ）及び（Ｂ）は、夫々、処理用部に設けられた傾斜面を説明するための要部拡大断面図である。処理用部に設けられた受圧面を説明するための図であり、（Ａ）は第２処理用部の底面図、（Ｂ）は第１及び第２処理用部の要部拡大断面図である。実施例１におけるIR測定結果である。実施例１における、硫黄（S）の２ｐ軌道の結合エネルギーのXPS測定結果である。実施例１における、溶媒に重DMSOを用いたNMR測定結果である。実施例１におけるTOF-SIMS測定結果である。実施例１で得られた銅フタロシアニン微粒子のＴＥＭ写真である。実施例２における、酸素（O）の１ｓ軌道の結合エネルギーのXPS測定結果である。実施例２で得られた銅フタロシアニン微粒子のＴＥＭ写真である。比較例１における、NMR測定結果を示す。比較例１における、銅フタロシアニン微粒子のＴＥＭ写真である。実施例３～６で得られた銅フタロシアニン微粒子の赤外吸収スペクトルを示す図である。実施例３～６における、硫黄（S）の２ｐ軌道の結合エネルギーのXPS測定結果である。酸素（O）の１ｓ軌道の結合エネルギーのXPS測定結果であり、（Ａ）が実施例３(Ex.1)におけるもの、（Ｂ）が実施例６(Ex.4)におけるものである。 TOF-SIMS測定結果であり、（Ａ）が実施例３(Ex.1)におけるもの、（Ｂ）が実施例６(Ex.4)におけるものである。 m/sが５７２から５７９までのTOF-SIMS測定結果であり、（Ａ）が実施例３(Ex.1)におけるもの、（Ｂ）が実施例６(Ex.4)におけるものである。灰色の線は、銅フタロシアニンの安定同位体の存在比の理論値を示す。実施例６(Ex.4)における、m/sが６４９から６６２までのTOF-SIMS測定結果である。灰色の線は、銅フタロシアニンのスルホン化物の安定同位体の存在比の理論値を示す。実施例３（Ex.1／白三角）および実施例６（Ex.4／黒四角）の各々における銅フタロシアニン微粒子の有機溶剤分散液について、分散処理時間に対する粒子径の変化を示す。（Ａ）はD₅₀（体積50%径）、（Ｂ）はD₉₀（体積90%径）を示す。実施例３（Ex.1／白三角）、実施例６（Ex.4／黒四角）の各々における銅フタロシアニン微粒子の、分散処理後の有機溶剤分散液における粒度分布を示す図である。実施例３（Ex.1／白三角）、実施例４（Ex.2／白丸）、実施例６（Ex.3／白四角）の各々における銅フタロシアニン微粒子の水分散液について、分散処理時間に対する粒子径の変化を示す。（Ａ）はD₅₀（体積50%径）、（Ｂ）はD₉₀（体積90%径）を示す。実施例３（Ex.1／白三角）、実施例４（Ex.2／白丸）、実施例６（Ex.3／白四角）の各々における銅フタロシアニン微粒子の、分散処理後の水分散液における粒度分布を示す図である。波長領域350-800 nmにおける、実施例３及び６に係る銅フタロシアニン粒子の0.0050%分散液の透過スペクトルを示す図である。黒色の線が実施例３の透過スペクトルを示し、灰色の線が実施例６の透過スペクトルを示す。

　本発明は接近・離反可能な相対的に回転する２つの処理用面間に１ｍｍ以下の微小間隔を維持し、この微小間隔に維持された２つの処理用面間を被処理流動体の流路とすることによって、被処理流動体の薄膜流体（強制薄膜）を形成し、この薄膜流体（強制薄膜）中において生成された微粒子を表面処理する事を特徴とする顔料微粒子の表面処理方法、より詳しくは表面修飾方法である。

　表面処理される顔料微粒子の種類としては特に限定されない、例えばペリレン化合物顔料、ペリノン化合物顔料、キナクリドン化合物顔料、キナクリドンキノン化合物顔料、アントラキノン化合物顔料、アントアントロン化合物顔料、ベンズイミダゾロン化合物顔料、ジスアゾ縮合化合物顔料、ジスアゾ化合物顔料、アゾ化合物顔料、インダントロン化合物顔料、フタロシアニン化合物顔料、トリアリールカルボニウム化合物顔料、ジオキサジン化合物顔料、アミノアントラキノン化合物顔料、ジケトピロロピロール化合物顔料、チオインジゴ化合物顔料、イソインドリン化合物顔料、イソインドリノン化合物顔料、ピラントロン化合物顔料、イソビオラントロン化合物顔料、またはそれらの混合物が挙げられる。

　上記接近・離反可能な相対的に回転する２つの処理用面間に１ｍｍ以下の微小間隔を維持し、この微小間隔に維持された２つの処理用面間を被処理流動体の流路とすることによって、被処理流動体の薄膜流体（強制薄膜）を形成し、この薄膜流体（強制薄膜）中において顔料微粒子を作製する装置としては特に限定されないが、例えば国際公開ＷＯ２００９/８３８８号パンフレット（特許文献６）に記載されている原理を用いた装置を使用することができる。

　本発明の表面修飾方法に用いる顔料微粒子を製造するために、一例として、顔料を溶媒に溶解した顔料溶液を含む流体と、顔料溶液に対して顔料の溶解度の低い、貧溶媒と成り得る溶媒を含む流体とを混合して顔料を析出させて顔料微粒子を製造する方法で、上記の各流体を、接近・離反可能に互いに対向して配設され、少なくとも一方が他方に対して回転する処理用面の間にて、上記流体を薄膜流体として混合するものであり、当該薄膜流体中において顔料微粒子を析出させることを特徴とする顔料微粒子の製造方法を用いることができる。以下にこの製造方法について説明する。しかし、この製造方法はほんの一例であって、本発明はこの製造方法に限定されない。

　以下、この方法の実施に適した流体処理装置について説明する。
　図１（Ａ）へ示す通り、この装置は、対向する第１及び第２の、２つの処理用部１０、２０を備え、少なくとも一方の処理用部が回転する。両処理用部１０、２０の対向する面が、夫々処理用面１、２として、両処理用面間にて、被処理流動体の処理を行う。第１処理用部１０は第１処理用面１を備え、第２処理用部２０は第２処理用面２を備える。
　両処理用面１、２は、被処理流動体の流路に接続され、被処理流動体の流路の一部を構成する。
　より詳しくは、この装置は、少なくとも２つの被処理流動体の流路を構成すると共に、各流路を、合流させる。
　即ち、この装置は、第１の被処理流動体の流路に接続され、当該第１被処理流動体の流路の一部を形成すると共に、第１被処理流動体とは別の、第２被処理流動体の流路の一部を形成する。そして、この装置は、両流路を合流させて、処理用面１、２間において、両流動体を混合し、反応を伴う場合においては反応させる。図１（Ａ）へ示す実施の形態において、上記の各流路は、密閉されたものであり、液密（被処理流動体が液体の場合）・気密（被処理流動体が気体の場合）とされている。

　具体的に説明すると、図１（Ａ）に示す通り、この装置は、上記の第１処理用部１０と、上記の第２処理用部２０と、第１処理用部１０を保持する第１ホルダ１１と、第２処理用部２０を保持する第２ホルダ２１と、接面圧付与機構４と、回転駆動部と、第１導入部ｄ１と、第２導入部ｄ２と、流体圧付与機構ｐ１と、第２流体供給部ｐ２と、ケース３とを備える。
　尚、回転駆動部は図示を省略する。
　第１処理用部１０と第２処理用部２０とは、少なくとも何れか一方が、少なくとも何れか他方に、接近・離反可能となっており、両処理用面１、２は、接近・離反できる。
　この実施の形態では、第１処理用部１０に対して、第２処理用部２０が接近・離反する。但し、これとは逆に、第１処理用部１０が、第２処理用部２０に対して接近・離反するものであってもよく、両処理用部１０、２０が互いに接近・離反するものであってもよい。

　第２処理用部２０は、第１処理用部１０の上方に配置されており、第２処理用部２０の、下方を臨む面即ち下面が、上記の第２処理用面２であり、第１処理用部１０の、上方を臨む面即ち上面が、上記の第１処理用面１である。
　図１（Ａ）へ示す通り、この実施の形態において、第１処理用部１０及び第２処理用部２０は、夫々環状体、即ちリングである。以下、必要に応じて第１処理用部１０を第１リング１０と呼び、第２処理用部２０を第２リング２０と呼ぶ。
　この実施の形態において、両リング１０、２０は、金属製の一端が鏡面研磨された部材であり、当該鏡面を第１処理用面１及び第２処理用面２とする。即ち、第１リング１０の上端面が第１処理用面１として、鏡面研磨されており、第２リング２０の下端面が第２処理用面２として、鏡面研磨されている。

　少なくとも一方のホルダは、回転駆動部にて、他方のホルダに対して相対的に回転することができる。図１（Ａ）の５０は、回転駆動部の回転軸を示している。回転駆動部には電動機を採用することができる。回転駆動部にて、一方のリングの処理用面に対して、他方のリングの処理用面を相対的に回転させることができる。
　この実施の形態において、第１ホルダ１１は、回転軸５０にて、回転駆動部から駆動力を受けて、第２ホルダ２１に対して回転するものであり、これにて、第１ホルダ１１と一体となっている第１リング１０が第２リング２０に対して回転する。第１リング１０の内側において、回転軸５０は、平面視、円形の第１リング１０の中心と同心となるように、第１ホルダ１１に設けられている。
　第１リング１０の回転は、第１リング１０の軸心を中心とする。図示はしないが、軸心は、第１リング１０の中心線を指し、仮想線である。

　上記の通り、この実施の形態において、第１ホルダ１１は、第１リング１０の第１処理用面１を上方に向けて、第１リング１０を保持し、第２ホルダ２１は、第２リング２０の第２処理用面２を下方に向けて、第２リング２０を保持している。
　具体的には、第１及び第２ホルダ１１、２１は、夫々は、凹状のリング収容部を備える。この実施の形態において、第１ホルダ１１のリング収容部に、第１リング１０が嵌合し、第１ホルダ１１のリング収容部から出没しないように、第１リング１０はリング収容部に固定されている。

　即ち、上記の第１処理用面１は、第１ホルダ１１から露出して、第２ホルダ２１側を臨む。
　第１リング１０の材質は、金属の他、セラミックや焼結金属、耐磨耗鋼、その他金属に硬化処理を施したものや、硬質材をライニングやコーティング、メッキなどを施工したものを採用する。特に、回転するため、軽量な素材にて第１処理用部１０を形成するのが望ましい。第２リング２０の材質についても、第１リング１０と同様のものを採用して実施すればよい。

　一方、第２ホルダ２１が備えるリング収容部４１は、第２リング２０の処理用面２を出没可能に収容する。
　この第２ホルダ２１が備えるリング収容部４１は、第２リング２０の、主として処理用面２側と反対側の部位を収容する凹部であり、平面視において、円を呈する、即ち環状に形成された、溝である。
　リング収容部４１は、第２リング２０の寸法より大きく形成され、第２リング２０との間に十分なクリアランスを持って、第２リング２０を収容する。
　このクリアランスにより、当該第２リング２０は、このリング収容部４１内にて、環状のリング収容部４１の軸方向について、更に、当該軸方向と交差する方向について、変位することができる。言い換えれば、このクリアランスにより、当該第２リング２０は、リング収容部４１に対して、第２リング２０の中心線を、上記リング収容部４１の軸方向と平行の関係を崩すようにも変位できる。
　以下、第２ホルダ２１の、第２リング２０に囲まれた部位を、中央部分２２と呼ぶ。
　上記について、換言すると、当該第２リング２０は、このリング収容部４１内にて、リング収容部４１のスラスト方向即ち上記出没する方向について、更に、リング収容部４１の中心に対して偏心する方向について、変位することが可能に収容されている。また、リング収容部４１に対して、第２リング２０の周方向の各位置にて、リング収容部４１からの出没の幅が夫々異なるようにも変位可能に即ち芯振れ可能に、当該第２リング２０は収容されている。

　上記の３つの変位の自由度、即ち、リング収容部４１に対する第２リング２０の、軸方向、偏心方向、芯振れ方向についての自由度を備えつつも、第２リング２０は、第１リング１０の回転に追従しないように第２ホルダ２１に保持される。図示しないが、この点については、リング収容部４１と第２リング２０との夫々に、リング収容部４１に対してその周方向に対する回転を規制する適当な当たりを設けて実施すればよい。但し、当該当たりは、上記３つの変位の自由度を損なうものであってはならない。

　上記の接面圧付与機構４は、第１処理用面１と第２処理用面２とを接近させる方向に作用させる力を、処理用部に付与する。この実施の形態では、接面圧付与機構４は、第２ホルダ２１に設けられ、第２リング２０を第１リング１０に向けて付勢する。
　接面圧付与機構４は、第２リング２０の周方向の各位置即ち第２処理用面２の各位置を均等に、第１リング１０へ向けて付勢する。接面圧付与機構４の具体的な構成については、後に詳述する。
　図１（Ａ）へ示す通り、上記のケース３は、両リング１０、２０外周面の外側に配置されたものであり、処理用面１、２間にて生成され、両リング１０、２０の外側に排出される生成物を収容する。ケース３は、図１（Ａ）へ示すように、第１ホルダ１１と第２ホルダ２１を、収容する液密な容器である。但し、第２ホルダ２１は、当該ケース３の一部としてケース３と一体に形成されたものとして実施することができる。
　上記の通り、ケース３の一部とされる場合は勿論、ケース３と別体に形成される場合も、第２ホルダ２１は、両リング１０、２０間の間隔、即ち、両処理用面１、２間の間隔に影響を与えるようには可動となっていない。言い換えると、第２ホルダ２１は、両処理用面１、２間の間隔に影響を与えない。
　ケース３には、ケース３の外側に生成物を排出するための排出口３２が設けられている。

　第１導入部ｄ１は、両処理用面１、２間に、第１の被処理流動体を供給する。
　上記の流体圧付与機構ｐ１は、直接或いは間接的に、この第１導入部ｄ１に接続されて、第１被処理流動体に、流体圧を付与する。流体圧付与機構ｐ１には、コンプレッサやその他のポンプを採用することができる。
　この実施の形態において、第１導入部ｄ１は、第２ホルダ２１の上記中央部分２２の内部に設けられた流体の通路であり、その一端が、第２ホルダ２１の、第２リング２０が平面視において呈する円の中心位置にて、開口する。また、第１導入部ｄ１の他の一端は、第２ホルダ２１の外部即ちケース３の外部において、上記流体圧付与機構ｐ１と接続されている。

　第２導入部ｄ２は、第１の被処理流動体と混合させる第２の流動体を処理用面１、２間へ供給する。この実施の形態において、第２導入部は、第２リング２０の内部に設けられた流体の通路であり、その一端が、第２処理用面２にて開口し、他の一端に、第２流体供給部ｐ２が接続されている。
　第２流体供給部ｐ２には、コンプレッサ、その他のポンプを採用することができる。

　流体圧付与機構ｐ１により、加圧されている、第１の被処理流動体は、第１導入部ｄ１から、両リング１０、２０の内側の空間に導入され、第１処理用面１と第２処理用面２との間を通り、両リング１０、２０の外側に通り抜けようとする。
　このとき、第１被処理流動体の送圧を受けた、第２リング２０は、接面圧付与機構４の付勢に抗して、第１リング１０から遠ざかり、両処理用面間に微小な間隔を開ける。両処理用面１、２の接近・離反による、両面１、２間の間隔について、後に詳述する。
　両処理用面１、２間において、第２導入部ｄ２から第２の被処理流動体が供給され、第１の被処理流動体と合流し、処理用面の回転により、混合（反応）が促進される。そして、両流動体の混合（反応）による生成物が両処理用面１、２から、両リング１０、２０の外側に排出される。両リング１０、２０の外側に排出された生成物は、最終的に、ケース３の排出口３２からケース３の外部に排出される（自己排出）。
　上記の被処理流動体の混合及び反応（反応を伴う場合）は、第２処理用部２０に対する第１処理用部１０の回転駆動部による回転にて、第１処理用面１と第２処理用面２とによって行われる。
　第１及び第２の処理用面１、２間において、第２導入部ｄ２の開口部ｍ２の下流側が、上記の第１の被処理流動体と第２の被処理流動体とを混合させる処理室となる。具体的には、両処理用面１、２間において、第２リング２０の底面を示す図１１（Ｃ）にて、斜線で示す、第２リング２０の径の内外方向ｒ１について、第２導入部の開口部ｍ２即ち第２開口部ｍ２の外側の領域Ｈが、上記の処理室として機能する。従って、この処理室は、両処理用面１、２間において、第１導入部ｄ１と第２導入部ｄ２の両開口部ｍ１、ｍ２の下流側に位置する。
　第１開口部ｍ１からリングの内側の空間を経て両処理用面１、２間へ導入された第１の被処理流動体に対して、第２開口部ｍ２から、両処理用面１、２間に導入された第２の被処理流動体が、上記処理室となる領域Ｈにて、混合され、反応を伴う場合においては両被処理流動体は反応する。流体圧付与機構ｐ１により送圧を受けて、流動体は、両処理用面１、２間の微小な隙間にて、リングの外側に移動しようとするが、第１リング１０は回転しているので、上記領域Ｈにおいて、混合された流動体は、リングの径の内外方向について内側から外側へ直線的に移動するのではなく、処理用面を平面視した状態において、リングの回転軸を中心として、渦巻き状にリングの内側から外側へ移動する。このように、混合（反応）を行う領域Ｈにて、渦巻状に内側から外側へ移動することによって、両処理用面１、２間の微小間隔にて、十分な混合（反応）に要する区間を確保することができ、均一な混合を促進することができる。
　また、混合（反応）にて生ずる生成物は、上記の微小な第１及び第２の処理用面１、２間にて、均質な生成物となり、特に晶析や析出の場合微粒子となる。
　少なくとも、上記の流体圧付与機構ｐ１が負荷する送圧と、上記の接面圧付与機構４の付勢力と、リングの回転による遠心力のバランスの上に、両処理用面１、２間の間隔を好ましい微小な間隔にバランスさせることができ、更に、流体圧付与機構ｐ１が負荷する送圧とリングの回転による遠心力を受けた被処理流動体が、上記の処理用面１、２間の微小な隙間を、渦巻き状に移動して、混合（反応）が促進される。
　上記の混合（反応）は、流体圧付与機構ｐ１が負荷する送圧やリングの回転により、強制的に行われる。即ち、混合（反応）は、接近・離反可能に互いに対向して配設され且つ少なくとも一方が他方に対して回転する処理用面１、２間で、強制的に、均一に起こる。
　従って、特に、反応による生成物の晶出又は析出は、流体圧付与機構ｐ１が負荷する送圧の調整や、リングの回転速度即ちリングの回転数の調整という、比較的コントロールし易い方法により、制御できる。
　このように、この流体処理装置は、送圧や遠心力の調整にて、生成物の大きさに影響を与える処理用面１、２間の間隔の制御を行え、更に、生成物の均一な生成に影響を与える上記領域Ｈにて移動する距離の制御が行える点で優れたものである。
　また、上記の処理は、生成物が析出するものに限らず、液体の場合も含む。また、生成物が微粒子などの微細な固まりである場合、生成物が処理後の流体中に沈殿するものであっても良く、また、連続相中に分散相が存在する分散液の状態にあるものであっても良い。
　尚、回転軸５０は、鉛直に配置されたものに限定されるものではなく、水平方向に配位されたものであってもよく、傾斜して配位されたものであってよい。処理中、両処理用面１、２間の微細な間隔にて混合（反応）がなされるものであり、実質的に重力の影響を排除できるからである。
　図１（Ａ）にあっては、第１導入部ｄ１は、第２ホルダ２１において、第２リング２０の軸心と一致し、上下に鉛直に伸びたものを示している。但し、第１導入部ｄ１は、第２リング２０の軸心と一致しているものに限定されるものではなく、両リング１０、２０に囲まれた空間に、第１被処理流動体を供給できるものであれば、第２ホルダ２１の中央部分２２の他の位置に設けられていてもよく、更に、鉛直でなく、斜めに伸びるものであってもよい。

　図１２（Ａ）へ、上記装置のより好ましい実施の形態を示す。図示の通り、第２処理用部２０は、上記の第２処理用面２と共に、第２処理用面２の内側に位置して当該第２処理用面２に隣接する受圧面２３とを備える。以下この受圧面２３を離反用調整面２３とも呼ぶ。図示の通り、この離反用調整面２３は、傾斜面である。
　前述の通り、第２ホルダ２１の底部即ち下部には、リング収容部４１が形成され、そのリング収容部４１内に、第２処理用部２０が受容されている。また、図示はしないが、回り止めにて、第２処理用部２０は、第２ホルダ２１に対して回転しないよう、受容されている。上記の第２処理用面２は、第２ホルダ２１から露出する。
　この実施の形態において、処理用面１、２間の、第１処理用部１０及び第２処理用部２０の内側が、被処理物の流入部であり、第１処理用部１０及び第２処理用部２０の外側が、被処理物の流出部である。

　前記の接面圧力付与機構４は、第１処理用面１に対して第２処理用面２を、圧接又は近接した状態に押圧するものであり、この接面圧力と流体圧力などの両処理用面１、２間を離反させる力との均衡によって、所定厚みの薄膜流体を形成する。言い換えれば、上記力の均衡によって、両処理用面１、２間の間隔を所定の微小間隔に保つ。
　具体的には、この実施の形態において、接面圧力付与機構４は、上記のリング収容部４１と、リング収容部４１の奥に即ちリング収容部４１の最深部に設けられた発条受容部４２と、スプリング４３と、エア導入部４４とにて構成されている。
　但し、接面圧力付与機構４は、上記リング収容部４１と、上記発条受容部４２と、スプリング４３と、エア導入部４４の少なくとも、何れか１つを備えるものであればよい。

　リング収容部４１は、リング収容部４１内の第２処理用部２０の位置を深く或いは浅く、即ち上下に、変位することが可能なように、第２処理用部２０を遊嵌している。
　上記のスプリング４３の一端は、発条受容部４２の奥に当接し、スプリング４３の他端は、リング収容部４１内の第２処理用部２０の前部即ち上部と当接する。図１において、スプリング４３は、１つしか現れていないが、複数のスプリング４３にて、第２処理用部２０の各部を押圧するものとするのが好ましい。即ち、スプリング４３の数を増やすことによって、より均等な押圧力を第２処理用部２０に与えることができるからである。従って、第２ホルダ２１については、スプリング４３が数本から数十本取付けられたマルチ型とするのが好ましい。

　この実施の形態において、上記エア導入部４４にて他から、空気をリング収容部４１内に導入することを可能としている。このような空気の導入により、リング収容部４１と第２処理用部２０との間を加圧室として、スプリング４３と共に、空気圧を押圧力として第２処理用部２０に与えることができる。従って、エア導入部４４から導入する空気圧を調整することにて、運転中に第１処理用面１に対する第２処理用面２の接面圧力を調整することが可能である。尚空気圧を利用するエア導入部４４の代わりに、油圧などの他の流体圧にて押圧力を発生させる機構を利用しても実施可能である。
　接面圧力付与機構４は、上記の押圧力即ち接面圧力の一部を供給し調節する他、変位調整機構と、緩衝機構とを兼ねる。
　詳しくは、接面圧力付与機構４は、変位調整機構として、始動時や運転中の軸方向への伸びや磨耗による軸方向変位にも、空気圧の調整によって追従し、当初の押圧力を維持できる。また、接面圧力付与機構４は、上記の通り、第２処理用部２０を変位可能に保持するフローティング機構を採用することによって、微振動や回転アライメントの緩衝機構としても機能するのである。

　次に、上記の構成を採る処理装置の使用の状態について、図１（Ａ）に基づいて説明する。
　まず、第１の被処理流動体が、流体圧付与機構ｐ１からの送圧を受けて、密閉されたケースの内部空間へ、第１導入部ｄ１より導入される。他方、回転駆動部による回転軸５０の回転によって、第１処理用部１０が回転する。これにより、第１処理用面１と第２処理用面２とは微小間隔を保った状態で相対的に回転する。
　第１の被処理流動体は、微小間隔を保った両処理用面１、２間で、薄膜流体となり、第２導入部ｄ２から導入された第２被処理流動体は、両処理用面１、２間において、当該薄膜流体と合流して、同様に薄膜流体の一部を構成する。この合流により、第１及び第２の被処理流動体が混合されて生成物が形成される。そして反応を伴う場合にあっては、両流動体が反応して、均一な反応が促進されて、その反応生成物が形成される。これにより、析出を伴う場合にあっては比較的均一で微細な粒子の生成が可能となり、析出を伴わない場合にあっても、均一な混合状態（反応を伴う場合にあっては均一な反応）が実現される。なお、析出した生成物は、第１処理用面１の回転により第２処理用面２との間で剪断を受けることにて、さらに微細化される場合もあると考えられる。ここで、第１処理用面１と第２処理用面２とは、１μｍから１ｍｍ、特に１μｍから１０μｍの微小間隔に調整されることにより、均一な混合状態（反応を伴う場合にあっては均一な反応）を実現すると共に、数ｎｍ単位の超微粒子の生成をも可能とする。
　生成物は、両処理用面１、２間から出て、ケース３の排出口３２からケース外部へ排出される。排出された生成物は、周知の減圧装置にて、真空或いは減圧された雰囲気内にて霧状にされ、雰囲気内の他に当たることによって流動体として流れ落ちたものが脱気後の液状物として回収することができる。
　尚、この実施の形態において、処理装置は、ケースを備えるものとしたが、このようなケースを設けずに実施することもできる。例えば、脱気するための減圧タンク即ち真空タンクを設け、そのタンク内部に、処理装置を配置して、実施することが可能である。その場合、当然上記の排出口は、処理装置には備えられない。

　上記のように、第１処理用面１と第２処理用面２とは、機械的なクリアランスの設定では不可能とされたμｍ単位の微小間隔に調整され得るものであるが、そのメカニズムを次に説明する。
　第１処理用面１と第２処理用面２とは、相対的に接近離反可能であり、且つ相対的に回転する。この例では、第１処理用面１が回転し、第２処理用面２が軸方向に移動可能な構造（フローティング構造）を持って第１処理用面１に対して接近離反する。
　よって、この例では、第２処理用面２の軸方向位置が、力即ち、前述の接面圧力と離反力のバランスによって、μｍ単位の精度で設定されることにより、両処理用面１、２間の微小間隔の設定がなされる。

　図１２（Ａ）へ示す通り、接面圧力としては、接面圧力付与機構４において、エア導入部４４から空気圧即ち正圧を付与した場合の当該圧力、スプリング４３の押圧力を挙げることができる。
　尚、図１２～１５、１７に示す実施の形態において、図面の煩雑を避けるため、第２導入部ｄ２は、省略して描いてある。この点について、第２導入部ｄ２が設けられていない位置の断面と考えればよい。また、図中、Ｕは上方を、Ｓは下方を、夫々示している。
　他方、離反力としては、離反側の受圧面、即ち第２処理用面２及び離反用調整面２３に作用する流体圧と、第１処理用部１０の回転による遠心力と、エア導入部４４に負圧を掛けた場合の当該負圧とを挙げることができる。
　尚、装置を洗浄するに際して、上記のエア導入部４４に掛ける負圧を大きくすることにより、両処理用面１、２を大きく離反させることができ、洗浄を容易に行うことができる。
　そして、これらの力の均衡によって、第２処理用面２が第１処理用面１に対して所定の微小間隔を隔てた位置にて安定することにより、μｍ単位の精度での設定が実現する。

　離反力をさらに詳しく説明する。
　まず、流体圧に関しては、密閉された流路中にある第２処理用部２０は、流体圧付与機構ｐ１から被処理流動体の送り込み圧力即ち流体圧を受ける。その際、流路中の第１処理用面に対向する面、即ち第２処理用面２と離反用調整面２３が離反側の受圧面となり、この受圧面に流体圧が作用して、流体圧による離反力が発生する。
　次に、遠心力に関しては、第１処理用部１０が高速に回転すると、流体に遠心力が作用し、この遠心力の一部は両処理用面１、２を互いに遠ざける方向に作用する離反力となる。
　更に、上記のエア導入部４４から負圧を第２処理用部２０へ与えた場合には、当該負圧が離反力として作用する。
　以上、本願の説明においては、第１第２の処理用面１、２を互いに離反させる力を離反力として説明するものであり、上記に示した力を離反力から排除するものではない。

　上述のように、密閉された被処理流動体の流路において、処理用面１、２間の被処理流動体を介し、離反力と、接面圧力付与機構４が奏する接面圧力とが均衡した状態を形成することにより、両処理用面１、２間に、均一な混合状態を実現し、反応を伴う場合にあっては均一な反応を実現すると共に、微細な生成物の晶出・析出を行うのに適した薄膜流体を形成する。このように、この装置は、処理用面１、２間に強制的に薄膜流体を介することにより、従来の機械的な装置では不可能であった微小な間隔を、両処理用面１、２の間に維持することを可能として、生成物として微粒子を、高精度に生成することを実現したのである。

　言い換えると処理用面１、２間における薄膜流体の厚みは、上述の離反力と接面圧力の調整により、所望の厚みに調整し、必要とする均一な混合状態（反応を伴う場合にあっては均一な反応）の実現と、微細な生成物の生成処理を行うことができる。従って、薄膜流体の厚みを小さくしようとする場合、離反力に対して相対的に接面圧力が大きくなるように、接面圧力或いは離反力を調整すればよく、逆に薄膜流体の厚みを大きくしようとすれば、接面圧力に対して相対的に離反力が大きくなるように、離反力或いは接面圧力を調整すればよい。
　接面圧力を増加させる場合、接面圧力付与機構４において、エア導入部４４から空気圧即ち正圧を付与し、又は、スプリング４３を押圧力の大きなものに変更或いはその個数を増加させればよい。
　離反力を増加させる場合、流体圧付与機構ｐ１の送り込み圧力を増加させ、或いは第２処理用面２や離反用調整面２３の面積を増加させ、またこれに加えて、第１処理用部１０の回転を調整して遠心力を増加させ或いはエア導入部４４からの圧力を低減すればよい。もしくは負圧を付与すればよい。スプリング４３は、伸びる方向に押圧力を発する押し発条としたが、縮む方向に力を発する引き発条として、接面圧力付与機構４の構成の一部又は全部とすることが可能である。
　離反力を減少させる場合、流体圧付与機構ｐ１の送り込み圧力を減少させ、或いは第２処理用面２や離反用調整面２３の面積を減少させ、またこれに加えて、第１処理用部１０の回転を調整して遠心力を減少させ或いはエア導入部４４からの圧力を増加させれば良い。もしくは負圧を低減すればよい。

　さらに、接面圧力及び離反力の増加減少の要素として、上記の他に粘度などの被処理流動体の性状も加えることができ、このような被処理流動体の性状の調整も、上記の要素の調整として、行うことができる。

　なお、離反力のうち、離反側の受圧面即ち、第２処理用面２及び離反用調整面２３に作用する流体圧は、メカニカルシールにおけるオープニングフォースを構成する力として理解される。
　メカニカルシールにあっては、第２処理用部２０がコンプレッションリングに相当するが、この第２処理用部２０に対して流体圧が加えられた場合に、第２処理用部２０を第１処理用部１０から離反する力が作用する場合、この力がオープニングフォースとされる。
　より詳しくは、上記の第１の実施の形態のように、第２処理用部２０に離反側の受圧面即ち、第２処理用面２及び離反用調整面２３のみが設けられている場合には、送り込み圧力の全てがオープニングフォースを構成する。なお、第２処理用部２０の背面側にも受圧面が設けられている場合、具体的には、後述する図１２（Ｂ）及び図１７の場合には、送り込み圧力のうち、離反力として働くものと接面圧力として働くものとの差が、オープニングフォースとなる。

　ここで、図１２（Ｂ）を用いて、第２処理用部２０の他の実施の形態について説明する。
　図１２（Ｂ）に示す通り、この第２処理用部２０のリング収容部４１より露出する部位であり且つ内周面側に、第２処理用面２と反対側即ち上方側を臨む接近用調整面２４が設けられている。
　即ち、この実施の形態において、接面圧力付与機構４は、リング収容部４１と、エア導入部４４と、上記接近用調整面２４とにて構成されている。但し、接面圧力付与機構４は、上記リング収容部４１と、上記発条受容部４２と、スプリング４３と、エア導入部４４と、上記接近用調整面２４の少なくとも、何れか１つを備えるものであればよい。

　この接近用調整面２４は、被処理流動体に掛けた所定の圧力を受けて第１処理用面１に第２処理用面２を接近させる方向に移動させる力を発生させ、接近用接面圧力付与機構４の一部として、接面圧力の供給側の役目を担う。一方第２処理用面２と前述の離反用調整面２３とは、被処理流動体に掛けた所定の圧力を受けて第１処理用面１から第２処理用面２を離反させる方向に移動させる力を発生させ、離反力の一部についての供給側の役目を担うものである。
　接近用調整面２４と、第２処理用面２及び離反用調整面２３とは、共に前述の被処理流動体の送圧を受ける受圧面であり、その向きにより、上記接面圧力の発生と、離反力の発生という異なる作用を奏する。

　処理用面の接近・離反の方向、即ち第２リング２０の出没方向と直交する仮想平面上に投影した接近用調整面２４の投影面積Ａ１と、当該仮想平面に投影した第２処理用部２０の第２処理用面２及び離反用調整面２３との投影面積の合計面積Ａ２との、面積比Ａ１／Ａ２は、バランス比Ｋと呼ばれ、上記のオープニングフォースの調整に重要である。
　接近用調整面２４の先端と離反用調整面２３の先端とは、共に環状の第２処理用部２０の内周面２５即ち先端線Ｌ１に規定されている。このため、接近用調整面２４の基端線Ｌ２をどこに置くかの決定で、バランス比Ｋの調整が行われる。
　即ち、この実施の形態において、被処理用流動体の送り出しの圧力をオープニングフォースとして利用する場合、第２処理用面２及び離反用調整面２３との合計投影面積を、接近用調整面２４の投影面積より大きいものとすることによって、その面積比率に応じたオープニングフォースを発生させることができる。

　上記のオープニングフォースについては、上記バランスライン、即ち接近用調整面２４の面積Ａ１を変更することで、被処理流動体の圧力、即ち流体圧により調整できる。
　摺動面実面圧Ｐ、即ち、接面圧力のうち流体圧によるものは次式で計算される。
　Ｐ＝Ｐ１×（Ｋ－ｋ）＋Ｐｓ
　ここでＰ１は、被処理流動体の圧力即ち流体圧を示し、Ｋは上記のバランス比を示し、ｋはオープニングフォース係数を示し、Ｐｓはスプリング及び背圧力を示す。
　このバランスラインの調整により摺動面実面圧Ｐを調整することで処理用面１、２間を所望の微小隙間量にし被処理流動体による薄膜流体を形成させ、生成物を微細とし、また、均一な混合（反応）処理を行うのである。

　通常、両処理用面１、２間の薄膜流体の厚みを小さくすれば、生成物をより細かくすることができる。逆に、当該薄膜流体の厚みを大きくすれば、処理が粗くなり単位時間あたりの処理量が増加する。従って、上記の摺動面実面圧Ｐの調整により、両処理用面１、２間の隙間を調整して、所望の均一な混合状態（反応を伴う場合にあっては均一な反応）を実現すると共に微細な生成物を得ることができる。以下、摺動面実面圧Ｐを面圧Ｐと呼ぶ。
　この関係を纏めると、上記の生成物を粗くする場合、バランス比を小さくし、面圧Ｐを小さくし、上記隙間を大きくして、上記厚みを大きくすればよい。逆に、上記の生成物をより細かくする場合、バランス比Ｋを大きくし、面圧Ｐを大きくし、上記隙間を小さくし、上記厚みを小さくする。
　このように、接面圧力付与機構４の一部として、接近用調整面２４を形成して、そのバランスラインの位置にて、接面圧力の調整、即ち処理用面間の隙間を調整するものとしても実施できる。

　上記の隙間の調整には、既述の通り、他に、前述のスプリング４３の押圧力や、エア導入部４４の空気圧を考慮して行う。また、流体圧即ち被処理流動体の送り圧力の調整や、更に、遠心力の調整となる、第１処理用部１０即ち第１ホルダ１１の回転の調整も、重要な調整の要素である。
　上述の通り、この装置は、第２処理用部２０と、第２処理用部２０に対して回転する第１処理用部１０とについて、被処理流動体の送り込み圧力と当該回転遠心力、また接面圧力で圧力バランスを取り両処理用面に所定の薄膜流体を形成させる構成にしている。またリングの少なくとも一方をフローティング構造とし芯振れなどのアライメントを吸収し接触による磨耗などの危険性を排除している。

　この図１２（Ｂ）の実施の形態においても、上記の調整用面を備える以外の構成については、図１（Ａ）に示す実施の形態と同様である。
　また、図１２（Ｂ）に示す実施の形態において、図１７に示すように、上記の離反用調整面２３を設けずに実施することも可能である。
　図１２（Ｂ）や図１７に示す実施の形態のように、接近用調整面２４を設ける場合、接近用調整面２４の面積Ａ１を上記の面積Ａ２よりも大きいものとすることにより、オープニングフォースを発生させずに、逆に、被処理流動体に掛けられた所定の圧力は、全て接面圧力として働くことになる。このような設定も可能であり、この場合、他の離反力を大きくすることにより、両処理用面１、２を均衡させることができる。
　上記の面積比にて、流体から受ける力の合力として、第２処理用面２を第１処理用面１から離反させる方向へ作用させる力が定まる。

　上記の実施の形態において、既述の通り、スプリング４３は、摺動面即ち処理用面に均一な応力を与える為に、取付け本数は、多いほどよい。但し、このスプリング４３については、図１３へ示すように、シングルコイル型スプリングを採用することも可能である。これは、図示の通り、中心を環状の第２処理用部２０と同心とする１本のコイル型スプリングである。
　第２処理用部２０と第２ホルダ２１との間は、気密となるようにシールし、当該シールには、周知の手段を採用することができる。

　図１４に示すように、第２ホルダ２１には、第２処理用部２０を、冷却或いは加熱して、その温度を調整することが可能な温度調整用ジャケット４６が設けられている。また、図１４の３は、前述のケースを示しており、このケース３にも、同様の目的の温度調整用ジャケット３５が設けられている。
　第２ホルダ２１の温度調整用ジャケット４６は、第２ホルダ２１内において、リング収容部４１の側面に形成された水回り用の空間であり、第２ホルダ２１の外部に通じる通路４７、４８と連絡している。通路４７、４８は、何れか一方が温度調整用ジャケット４６に、冷却用或いは加熱用の媒体を導入し、何れか他方が当該媒体を排出する。
　また、ケース３の温度調整用ジャケット３５は、ケース３の外周を被覆する被覆部３４にて、ケース３の外周面と当該被覆部３４との間に設けられた、加熱用水或いは冷却水を通す通路である。
　この実施の形態では、第２ホルダ２１とケース３とが、上記の温度調整用のジャケットを備えるものとしたが、第１ホルダ１１にも、このようなジャケットを設けて実施することが可能である。

　接面圧力付与機構４の一部として、上記以外に、図１５に示すシリンダ機構７を設けて実施することも可能である。
　このシリンダ機構７は、第２ホルダ２１内に設けられたシリンダ空間部７０と、シリンダ空間部７０をリング収容部４１と連絡する連絡部７１と、シリンダ空間部７０内に収容され且つ連絡部７１を通じて第２処理用部２０と連結されたピストン体７２と、シリンダ空間部７０上部に連絡する第１ノズル７３と、シリンダ空間部７０下部に連絡する第２ノズル７４と、シリンダ空間部７０上部とピストン体７２との間に介された発条などの押圧体７５とを備えたものである。

　ピストン体７２は、シリンダ空間部７０内にて上下に摺動可能であり、ピストン体７２の当該摺動にて第２処理用部２０が上下に摺動して、第１処理用面１と第２処理用面２との間の隙間を変更することができる。
　図示はしないが、具体的には、コンプレッサなどの圧力源と第１ノズル７３とを接続し、第１ノズル７３からシリンダ空間部７０内のピストン体７２上方に空気圧即ち正圧を掛けることにて、ピストン体７２を下方に摺動させ、第１及び第２処理用面１、２間の隙間を狭めることができる。また図示はしないが、コンプレッサなどの圧力源と第２ノズル７４とを接続し、第２ノズル７４からシリンダ空間部７０内のピストン体７２の下方に空気圧即ち正圧を掛けることにて、ピストン体７２を上方に摺動させ、第２処理用部２０を移動させて第１及び第２処理用面１、２間の隙間を広げる、即ち開く方向に移動させることができる。このように、ノズル７３、７４にて得た空気圧で、接面圧力を調整できるのである。

　リング収容部４１内における第２処理用部２０の上部と、リング収容部４１の最上部との間に余裕があっても、ピストン体７２がシリンダ空間部７０の最上部７０ａと当接するよう設定することにより、このシリンダ空間部７０の最上部７０ａが、両処理用面１、２間の隙間の幅の上限を規定する。即ち、ピストン体７２とシリンダ空間部７０の最上部７０ａとが、両処理用面１、２の離反を抑止する離反抑止部として、更に言い換えると、両処理用面１、２間の隙間の最大開き量を規制する機構として機能する。

　また、両処理用面１、２同士が当接していなくても、ピストン体７２がシリンダ空間部７０の最下部７０ｂと当接するよう設定することにより、このシリンダ空間部７０の最下部７０ｂが、両処理用面１、２間の隙間の幅の下限を規定する。即ち、ピストン体７２とシリンダ空間部７０の最下部７０ｂとが、両処理用面１、２の近接を抑止する近接抑止部として、更に言い換えると、両処理用面１、２間の隙間の最小開き量を規制する機構として機能する。
　このように上記隙間の最大及び最小の開き量を規制しつつ、ピストン体７２とシリンダ空間部７０の最上部７０ａとの間隔ｚ１、換言するとピストン体７２とシリンダ空間部７０の最下部７０ｂとの間隔ｚ２を上記ノズル７３、７４の空気圧にて調整する。

　ノズル７３、７４は、別個の圧力源に接続されたものとしてもよく、一つの圧力源を切り換えて或いはつなぎ換えて接続するものとしてもよい。
　また圧力源は、正圧を供給するものでも負圧を供給するものでも何れでも実施可能である。真空などの負圧源と、ノズル７３、７４とを接続する場合、上記の動作は反対になる。
　前述の他の接面圧力付与機構４に代え或いは前述の接面圧力付与機構４の一部として、このようなシリンダ機構７を設けて、被処理流動体の粘度や性状によりノズル７３、７４に接続する圧力源の圧力や間隔ｚ１、ｚ２の設定を行い薄膜流体の厚みを所望値にしせん断力をかけて均一な混合状態（反応を伴う場合にあっては均一な反応）を実現し、微細な粒子を生成させることができる。特に、このようなシリンダ機構７にて、洗浄時や蒸気滅菌時など摺動部の強制開閉を行い洗浄や滅菌の確実性を上昇させることも可能とした。

　図１６（Ａ）～（Ｃ）に示すように、第１処理用部１０の第１処理用面１に、第１処理用部１０の中心側から外側に向けて、即ち径方向について伸びる溝状の凹部１３...１３を形成して実施してもよい。この場合、図１６（Ａ）へ示すように、凹部１３...１３は、第１処理用面１上をカーブして或いは渦巻き状に伸びるものとして実施可能であり、図１６（Ｂ）へ示すように、個々の凹部１３がＬ字状に屈曲するものであっても実施可能であり、また、図１６（Ｃ）に示すように、凹部１３...１３が真っ直ぐ放射状に伸びるものであっても実施可能である。

　また、図１６（Ｄ）へ示すように、図１６（Ａ）～（Ｃ）の凹部１３は、第１処理用面１の中心側に向かう程深いものとなるように勾配をつけて実施するのが好ましい。また、溝状の凹部１３は、連続したものの他、断続するものであっても実施可能である。
　この様な凹部１３を形成することにより被処理流動体の吐出量の増加または発熱量の減少への対応や、キャビテーションコントロールや流体軸受け効果などの効果がある。
　上記の図１６に示す各実施の形態において、凹部１３は、第１処理用面１に形成するものとしたが、第２処理用面２に形成するものとしても実施可能であり、更には、第１及び第２の処理用面１、２の双方に形成するものとしても実施可能である。

　処理用面に、上記の凹部１３やテーパを設けない場合、若しくは、これらを処理用面の一部に偏在させた場合、処理用面１、２の面粗度が被処理流動体に与える影響は、上記凹部１３を形成するものに比して、大きいものとなる。従って、このような場合、被処理流動体の粒子が小さくなればなるほど、面粗度を下げる、即ちきめの細かいものとする必要がある。特に均一な混合（反応）を目的とする場合、その処理用面の面粗度については、既述の鏡面即ち鏡面加工を施した面とするほうが均一な混合状態（反応を伴う場合にあっては均一な反応）を実現し、微粒子を得る事を目的とする場合には、微細で単分散な生成物の晶出・析出を実現する上で有利である。
　図１２乃至図１７に示す実施の形態においても、特に明示した以外の構成については図１（Ａ）又は図１１（Ｃ）に示す実施の形態と同様である。

　また、上記の各実施の形態において、ケース内は全て密封されたものとしたが、この他、第１処理用部１０及び第２処理用部２０の内側のみ密封され、その外側は開放されたものとしても実施可能である。即ち、第１処理用面１及び第２処理用面２との間を通過するまでは流路は密封され、被処理流動体は送圧を全て受けるものとするが、通過後は、流路は開放され処理後の被処理流動体は送圧を受けないものとしてもよい。
　流体圧付与機構ｐ１には、加圧装置として、既述のとおり、コンプレッサを用いて実施するのが好ましいが、常に被処理流動体に所定の圧力を掛けることが可能であれば、他の手段を用いて実施することもできる。例えば、被処理流動体の自重を利用して、常に一定の圧力を被処理流動体に付与するものとしても実施可能である。

　上記の各実施の形態における処理装置について総括すると、被処理流動体に所定の圧力を付与し、この所定の圧力を受けた被処理流動体が流される密封された流体流路に、第１処理用面１及び第２処理用面２の少なくとも２つの接近離反可能な処理用面を接続し、両処理用面１、２を接近させる接面圧力を付与し、第１処理用面１と第２処理用面２とを相対的に回転させることにより、メカニカルシールにおいてシールに利用される薄膜流体を、被処理流動体を用いて発生させ、メカニカルシールと逆に（薄膜流体をシールに利用するのではなく）、当該薄膜流体を第１処理用面１及び第２処理用面２の間から敢えて漏らして、混合（反応）の処理を、両面間１、２にて膜とされた被処理流動体間にて実現し、回収することを特徴とするものである。
　このような画期的な方法により、両処理用面１、２間の間隔を１μｍから１ｍｍとする調整、特に、１～１０μｍとする調整を可能とした。

　上記の実施の形態において、装置内は密閉された流体の流路を構成するものであり、処理装置の（第１被処理流動体の）導入部側に設けた流体圧付与機構ｐ１にて、被処理流動体は加圧されたものであった。
　この他、このような流体圧付与機構ｐ１を用いて加圧するものではなく、被処理流動体の流路は開放されたものであっても実施可能である。
　図１８乃至図２０へ、そのような処理装置の一実施の形態を示す。尚、この実施の形態において、処理装置として、生成されたものから、液体を除去し、目的とする固体（結晶）のみを最終的に確保する機能を備えた装置を例示する。
　図１８（Ａ）は処理装置の略縦断面図であり、図１８（Ｂ）はその一部切欠拡大断面図である。図１９は、図１８に示す処理装置が備える第１処理用部１０１の平面図である。図２０は、上記処理装置の第１及び第２処理用部１０１、１０２の一部切欠要部略縦断面図である。

　この図１８乃至図２０に示す装置は、上記の通り、大気圧下で、処理の対象となる流体即ち被処理流動体或いはこのような処理の対象物を搬送する流体が投入されるものである。
　尚、図１８（Ｂ）及び図２０において、図面の煩雑を避けるため、第２導入部ｄ２は、省略して描いてある（第２導入部ｄ２が設けられていない位置の断面と考えればよい）。
　図１８（Ａ）に示す通り、この流体処理装置は、混合装置Ｇと、減圧ポンプＱとを備えたものである。この混合装置Ｇは、回転する部材である第１処理用部１０１と、当該処理用部１０１を保持する第１ホルダ１１１と、ケースに対して固定された部材である第２処理用部１０２と、当該第２処理用部１０２が固定された第２ホルダ１２１と、付勢機構１０３と、動圧発生機構１０４(図１９(Ａ))と、第１ホルダ１１１と共に第１処理用部１０１を回転させる駆動部と、ハウジング１０６と、第１被処理流動体を供給（投入する）する第１導入部ｄ１と、流体を減圧ポンプＱへ排出する排出部１０８とを備える。駆動部については図示を省略する。

　上記の第１処理用部１０１と第２処理用部１０２は、夫々、円柱の中心をくり抜いた形状の環状体である。両処理用部１０１、１０２は、両処理用部１０１、１０２の夫々が呈する円柱の一底面を処理用面１１０、１２０とする部材である。
　上記の処理用面１１０、１２０は、鏡面研磨された平坦部を有する。この実施の形態において、第２処理用部１０２の処理用面１２０は、面全体に鏡面研磨が施された平坦面である。また、第１処理用部１０１の処理用面１１０は、面全体を第２処理用部１０２と同様の平坦面とするが、図１９（Ａ）へ示す通り、平坦面中に、複数の溝１１２...１１２を有する。この溝１１２... １１２は、第１処理用部１０１が呈する円柱の中心を中心側として円柱の外周方向へ、放射状に伸びる。
　上記の第１及び第２の処理用部１０１、１０２の処理用面１１０、１２０についての、鏡面研磨は、面粗度Ｒａを０．０１～１．０μｍとするのが好ましい。この鏡面研磨については、Ｒａを０．０３～０．３μｍとするのがより好ましい。
　処理用部１０１、１０２の材質については、硬質且つ鏡面研磨が可能なものを採用する。処理用部１０１、１０２のこの硬さについて、少なくともビッカース硬さ１５００以上が好ましい。また、線膨張係数が小さい素材を、若しくは、熱伝導の高い素材を、採用するのが好ましい。処理にて熱を発する部分と他の部分との間で、膨張率の差が大きいと歪みが発生して、適正なクリアランスの確保に影響するからである。
　このような処理用部１０１、１０２の素材として、特に、ＳＩＣ即ちシリコンカーバイトでビッカース硬さ２０００～２５００のもの、表面にＤＬＣ即ちダイヤモンドライクカーボンでビッカース硬さ３０００～４０００のもの、コーティングが施されたＳＩＣ、ＷＣ即ちタングステンカーバイトでビッカース硬さ１８００のもの、表面にＤＬＣコーティングが施されたＷＣ、ＺｒＢ_２やＢＴＣ、Ｂ_４Ｃに代表されるボロン系セラミックでビッカース硬さ４０００～５０００のものなどを採用するのが好ましい。

　図１８に示されるハウジング１０６は、底部の図示は省略するが、有底の筒状体であり、上方が上記の第２ホルダ１２１に覆われている。第２ホルダ１２１は、下面に上記第２処理用部１０２が固定されており、上方に上記導入部ｄ１が設けられている。導入部ｄ１は、外部から流体や被処理物を投入するためのホッパ１７０を備える。
　図示はしないが、上記の駆動部は、電動機などの動力源と、当該動力源から動力の供給を受けて回転するシャフト５０とを備える。
　図１８（Ａ）に示すように、シャフト５０は、ハウジング１０６の内部に配され上下に伸びる。そして、シャフト５０の上端部に上記の第１ホルダ１１１が、設けられている。第１ホルダ１１１は、第１処理用部１０１を保持するものであり、上記の通りシャフト５０に設けられることにより、第１処理用部１０１の処理用面１１０を第２処理用部１０２の処理用面１２０に対応させる。

　第１ホルダ１１１は、円柱状体であり、上面中央に、第１処理用部１０１が固定されている。第１処理用部１０１は、第１ホルダ１１１と一体となるように、固着され、第１ホルダ１１１に対してその位置を変えない。
　一方、第２ホルダ１２１の上面中央には、第２処理用部１０２を受容する受容凹部１２４が形成されている。
　上記の受容凹部１２４は、環状の横断面を有する。第２処理用部１０２は、受容凹部１２４と、同心となるように円柱状の受容凹部１２４内に収容される。
この受容凹部１２４の構成は、図１（Ａ）に示す実施の形態と同様である（第１処理用部１０１は第１リング１０と、第１ホルダ１１１は第１ホルダ１１と、第２処理用部１０２は第２リング２０と、第２ホルダ１２１は第２ホルダ２１と対応する）。

　そして、この第２ホルダ１２１が、上記の付勢機構１０３を備える。付勢機構１０３は、バネなどの弾性体を用いるのが好ましい。付勢機構１０３は、図１（Ａ）の接面圧付与機構４と対応し、同様の構成を採る。即ち、付勢機構１０３は、第２処理用部１０２の処理用面１２０と反対側の面即ち底面を押圧し、第１処理用部１０１側即ち下方に第２処理用部１０２の各位置を均等に付勢する。

　一方、受容凹部１２４の内径は、第２処理用部１０２の外径よりも大きく、これにて、上記の通り同心に配設した際、第２処理用部１０２の外周面１０２ｂと受容凹部１２４の内周面との間には、図１８（Ｂ）に示すように、隙間ｔ１が設定される。
　同様に、第２処理用部１０２の内周面１０２ａと受容凹部１２４の中心部分２２の外周面との間には、図１８（Ｂ）に示すように、隙間ｔ２が設定される。
　上記隙間ｔ１、ｔ２の夫々は、振動や偏芯挙動を吸収するためのものであり、動作寸法以上確保され且つシールが可能となる大きさに設定する。例えば、第１処理用部１０１の直径が１００ｍｍから４００ｍｍの場合、当該隙間ｔ１、ｔ２の夫々は、０．０５～０．３ｍｍとするのが好ましい。
　第１ホルダ１１１は、シャフト５０へ一体に固定され、シャフト５０と共に回転する。また、図示しないが、回り止めによって、第２ホルダ１２１に対して、第２処理用部１０２は回らない。しかし、両処理用面１１０、１２０間に、処理に必要な０．１～１０μｍのクリアランス、即ち図２０（Ｂ）に示す微小な間隔ｔを確保するため、図１８（Ｂ）に示すように、受容凹部１２４の底面、即ち天部と、第２処理用部１０２の天部１２４ａ、即ち上面との間に隙間ｔ３が設けられる。この隙間ｔ３については、上記のクリアランスと共に、シャフト５０の振れや伸びを考慮して設定する。

　上記のように、隙間ｔ１～ｔ３の設定により、第１処理用部１０１は、図１８（Ｂ）に示すように、第２処理用部１０２に対して接近・離反する方向ｚ１に可変であるのみならず、その処理用面１１０の傾き方向ｚ２についても可変としている。
　即ち、この実施の形態において、付勢機構１０３と、上記隙間ｔ１～ｔ３とが、フローティング機構を構成し、このフローティング機構によって、少なくとも第２処理用部１０２の中心や傾きを、数μｍから数ｍｍの程度の僅かな量、可変としている。これにて、回転軸の芯振れ、軸膨張、第１処理用部１０１の面振れ、振動を吸収する。

　第１処理用部１０１の処理用面１１０が備える前記の溝１１２について、更に詳しく説明する。溝１１２の後端は、第１処理用部１０１の内周面１０１ａに達するものであり、その先端を第１処理用部１０１の外側ｙ即ち外周面側に向けて伸ばす。この溝１１２は、図１９（Ａ）へ示すように、その横断面積を、環状の第１処理用部１０１の中心ｘ側から、第１処理用部１０１の外側ｙ即ち外周面側に向かうにつれて、漸次減少するものとしている。
　溝１１２の左右両側面１１２ａ、１１２ｂの間隔ｗ１は、第１処理用部１０１の中心ｘ側から、第１処理用部１０１の外側ｙ即ち外周面側に向かうにつれて小さくなる。また、溝１１２の深さｗ２は、図１９（Ｂ）へ示すように、第１処理用部１０１の中心ｘ側から、第１処理用部１０１の外側ｙ即ち外周面側に向かうにつれて、小さくなる。即ち、溝１１２の底１１２ｃは、第１処理用部１０１の中心ｘ側から、第１処理用部１０１の外側ｙ即ち外周面側に向かうにつれて、浅くなる。
　このように、溝１１２は、その幅及び深さの双方を、外側ｙ即ち外周面側に向かうにつれて、漸次減少するものとして、その横断面積を外側ｙに向けて漸次減少させている。そして、溝１１２の先端即ちｙ側は、行き止まりとなっている。即ち、溝１１２の先端即ちｙ側は、第１処理用部１０１の外周面１０１ｂに達するものではなく、溝１１２の先端と外周面１０１ｂとの間には、外側平坦面１１３が介在する。この外側平坦面１１３は、処理用面１１０の一部である。

　この図１９へ示す実施の形態において、このような溝１１２の左右両側面１１２ａ、１１２ｂと底１１２ｃとが流路制限部を構成している。この流路制限部と、第１処理用部１０１の溝１１２周囲の平坦部と、第２処理用部１０２の平坦部とが、動圧発生機構１０４を構成している。
　但し、溝１１２の幅及び深さの何れか一方についてのみ、上記の構成を採るものとして、断面積を減少させるものとしてよい。
　上記の動圧発生機構１０４は、第１処理用部１０１の回転時、両処理用部１０１、１０２間を通り抜けようとする流体によって、両処理用部１０１、１０２の間に所望の微小間隔を確保することを可能とする、両処理用部１０１、１０２を離反させる方向に働く力を発生させる。このような動圧の発生により、両処理用面１１０、１２０間に、０．１～１０μｍの微小間隔を発生させることができる。このような微小間隔は、処理の対象によって、調整し選択すればよいのであるが、１～６μｍとするのが好ましく、より好ましくは、１～２μｍである。この装置においては、上記のような微小間隔による従来にない均一な混合状態（反応を伴う場合にあっては均一な反応）の実現と微細な粒子の生成が可能である。

　溝１１２...１１２の夫々は、真っ直ぐ、中心ｘ側から外側ｙに伸びるものであっても実施可能である。但し、この実施の形態において、図１９（Ａ）に示すように、第１処理用部１０１の回転方向ｒについて、溝１１２の中心ｘ側が、溝１１２の外側ｙよりも、先行するように即ち前方に位置するように、湾曲して溝１１２を伸びるものとしている。
　このように溝１１２...１１２が湾曲して伸びることにより、動圧発生機構１０４による離反力の発生をより効果的に行うことができる。

　次に、この装置の動作について説明する。
　図１８（Ａ）に示すように、ホッパ１７０から投入され、第１導入部ｄ１を通ってくる第１被処理流動体Ｒは、環状の第２処理用部１０２の中空部を通り、第１処理用部１０１の回転による遠心力を受け、両処理用部１０１、１０２間に入り、回転する第１処理用部１０１の処理用面１１０と、第２処理用部１０２の処理用面１２０との間にて、均一な混合（反応）と、場合により微細な粒子の生成が行われ、その後、両処理用部１０１、１０２の外側に出て、排出部１０８から減圧ポンプＱ側へ排出される（以下必要に応じて第１被処理流動体Ｒを単に流体Ｒと呼ぶ）。
　上記において、環状の第２処理用部１０２の中空部に入った流体Ｒは、図２０（Ａ）へ示すように、先ず、回転する第１処理用部１０１の溝１１２に入る。一方、鏡面研磨された、平坦部である両処理用面１１０、１２０は、空気や窒素などの気体を通しても気密性が保たれている。従って、回転による遠心力を受けても、そのままでは、付勢機構１０３によって押し合わされた両処理用面１１０、１２０の間に、溝１１２から流体Ｒは入り込むことはできない。しかし、流路制限部として形成された溝１１２の上記両側面１１２ａ、１１２ｂや底１１２ｃに、流体Ｒは徐々に突き当たり、両処理用面１１０、１２０を離反させる方向に働く動圧を発生させる。図２０（Ｂ）へ示すように、これによって、流体Ｒが溝１１２から平坦面に滲み出し、両処理用面１１０、１２０の間に微小間隔ｔ即ちクリアランスを確保することができる。そして、このような鏡面研磨された平坦面の間で、均一な混合（反応）と、場合により微細な粒子の生成が行われる。また上述の溝１１２の湾曲が、より確実に流体へ遠心力を作用させ、上記動圧の発生をより効果的にしている。
　このように、この流体処理装置は、動圧と付勢機構１０３による付勢力との均衡にて、両鏡面即ち処理用面１１０、１２０間に、微細で均一な間隔即ちクリアランスを確保することを可能とした。そして、上記の構成により、当該微小間隔は、１μｍ以下の超微細なものとすることができる。
　また、上記フローティング機構の採用により、処理用面１１０、１２０間のアライメントの自動調整が可能となり、回転や発生した熱による各部の物理的な変形に対して、処理用面１１０、１２０間の各位置における、クリアランスのばらつきを抑制し、当該各位置における上記の微小間隔の維持を可能とした。

　尚、上記の実施の形態において、フローティング機構は、第２ホルダ１２１にのみ設けられた機構であった。この他、第２ホルダ１２１に代え、或いは第２ホルダ１２１と共に、フローティング機構を、第１ホルダ１１１にも設けるものとして実施することも可能である。

　図２１乃至図２３に、上記の溝１１２について、他の実施の形態を示す。
　図２１（Ａ）（Ｂ）に示すように、溝１１２は、流路制限部の一部として、先端に平らな壁面１１２ｄを備えるものとして実施することができる。また、この図２１に示す実施の形態では、底１１２ｃにおいて、第１壁面１１２ｄと、内周面１０１ａとの間に段差１１２ｅが設けられており、この段差１１２ｅも流路制限部の一部を構成する。
　図２２（Ａ）（Ｂ）に示すように、溝１１２は、複数に分岐する枝部１１２ｆ...１１２ｆを備えるものとし、各枝部１１２ｆがその幅を狭めることにより流路制限部を備えるものとしても実施可能である。
　図２１及び図２２の実施の形態においても、特に示した以外の構成については、図１（Ａ）、図１１（Ｃ）、図１８乃至図２０に示す実施の形態と同様である。

　また、上記の各実施の形態において、溝１１２の幅及び深さの少なくとも何れか一方について、第１処理用部１０１の内側から外側に向けてその寸法を漸次小さくすることにて、流路制限部を構成するものとした。この他、図２３（Ａ）や図２３（Ｂ）へ示す通り、溝１１２の幅や深さを変化させずに、溝１１２に終端面１１２ｆを設けることによって、このような溝１１２の終端面１１２ｆを流路制限部とすることができる。図１９、図２１及び図２２に示す実施の形態において示した通り、動圧発生は、溝１１２の幅及び深さを既述の通り変化させることによって溝１１２の底や両側面を傾斜面とすることで、この傾斜面が流体に対する受圧部になり動圧を発生させた。一方図２３（Ａ）（Ｂ）に示す実施の形態では、溝１１２の終端面が流体に対する受圧部になり動圧を発生させる。
　また、この図２３（Ａ）（Ｂ）に示す場合、溝１１２の幅及び深さの少なくとも何れか一方の寸法を漸次小さくすることも併せて実施することができる。
　尚、溝１１２の構成について、上記の図１９、図２１乃至図２３に示すものに限定されるものではなく、他の形状の流路制限部を備えたものとして実施することが可能である。
　例えば、図１９、図２１乃至図２３に示すものでは、溝１１２は、第１処理用部１０１の外側に突き抜けるものではなかった。即ち、第１処理用部１０１の外周面と、溝１１２との間には、外側平坦面１１３が存在した。しかし、このような実施の形態に限定されるものではなく、上述の動圧を発生されることが可能であれば、溝１１２は、第１処理用部１０１の外周面側に達するものであっても実施可能である。
　例えば、図２３（Ｂ）に示す第１処理用部１０１の場合、点線で示すように、溝１１２の他の部位よりも断面積が小さな部分を、外側平坦面１１３に形成して実施することができる。
　また、溝１１２を、上記の通り内側から外側へ向けて漸次断面積を小さくするように形成し、溝１１２の第１処理用部１０１の外周に達した部分（終端）を、最も断面積が小さいものとすればよい（図示せず）。但し、動圧を効果的に発生させる上で、図１９、図２１乃至図２３に示すように、溝１１２は、第１処理用部１０１の外周面側に突き抜けないほうが好ましい。

　ここで、上記図１８乃至図２３に示す各実施の形態について、総括する。
　この流体処理装置は、平坦処理用面を有する回転部材と同じく平坦処理用面を有する固定部材とをそれらの平坦処理用面で同心的に相対向させ、回転部材の回転下に固定部材の開口部より被処理原料を供給しながら両部材の対向平面処理用面間にて処理する流体処理装置において機械的にクリアランスを調整するのではなく、回転部材に増圧機構を設けて、その圧力発生によりクリアランスを保持し、かつ、機械的クリアランス調整では不可能であった１～６μｍの微小クリアランスを可能とし、混合（反応）の均一化及び、場合により生成粒子の微細化の能力が著しく向上出来たものである。
　即ち、この流体処理装置は、回転部材と固定部材がその外周部に平坦処理用面を有しその平坦処理用面において、面上の密封機能を有することで、流体静力学的な即ちハイドロスタティックな力、流体動力学的な即ちハイドロダイナミックな力、或いは、エアロスタティック－エアロダイナミックな力を発生させる高速回転式の流体処理装置を提供しようとするものである。上記の力は、上記密封面間に僅かな間隙を発生させ、また非接触で機械的に安全で高度な混合（反応）の均一化の機能を有した流体処理装置を提供することができる。この僅かな隙間が形成されうる要因は、一つは、回転部材の回転速度によるものであり、もう一つは、被処理物（流体）の投入側と排出側の圧力差によるものである。投入側に圧力付与機構が付設されていない場合即ち大気圧下で被処理物（流体）を投入される場合、圧力差が無いわけであるから回転部材の回転速度だけで密封面間の分離を生じさせる必要がある。これは、ハイドロダイナミックもしくはエアロダイナミック力として知られている。

　図１８（Ａ）に示す装置において、減圧ポンプＱを上記混合装置Ｇの排出部に接続したものを示したが、既述の通りハウジング１０６を設けず、また減圧ポンプＱを設けずに、図２４（Ａ）に示すように処理装置を減圧用のタンクＴとして、当該タンクＴの中に、混合装置Ｇを配設することにて実施することが可能である。
　この場合、タンクＴ内を真空或いは真空に近い状態に減圧することにて、混合装置Ｇにて生成された被処理物をタンクＴ内に霧状に噴射せしめ、タンクＴの内壁にぶつかって流れ落ちる被処理物を回収すること、或いはこのような流れ落ちる被処理物に対して気体（蒸気）として分離されタンクＴ内上部に充満するものを回収することにて、処理後の目的物を得ることができる。
　また、減圧ポンプＱを用いる場合も、図２４（Ｂ）へ示すように、混合装置Ｇに、減圧ポンプＱを介して、気密なタンクＴを接続することにより、当該タンクＴ内にて、処理後の被処理物を霧状にして、目的物の分離・抽出を行うことができる。
　更に、図２４（Ｃ）へ示すように、減圧ポンプＱを直接タンクＴに接続し、当該タンクＴに、減圧ポンプＱと、減圧ポンプＱとは別の流体Ｒの排出部とを接続して、目的物の分離を行うことができる。この場合、気化部については、減圧ポンプＱに吸いよせられ、液体Ｒ（液状部）は排出部より、気化部とは別に排出される。

　上述してきた各実施の形態では、第１及び第２の２つの被処理流動体を、夫々第２ホルダ２１、１２１及び第２リング２０、１０２から、導入して、混合（反応）させるものを示した。
　次に、装置への被処理流動体の導入に関する他の実施の形態について、順に説明する。

　図１（Ｂ）へ示す通り、図１（Ａ）へ示す処理装置に、第３導入部ｄ３を設けて第３の被処理流動体を、両処理用面１、２間へ導入して、第２被処理流動体と同様第１被処理流動体へ混合（反応）させるものとしても実施できる。
　第３導入部ｄ３は、第１の被処理流動体と混合させる第３の被処理流動体を処理用面１、２間へ供給する。この実施の形態において、第３導入部ｄ３は、第２リング２０の内部に設けられた流体の通路であり、その一端が第２処理用面２にて開口し、他の一端に第３流体供給部ｐ３が接続されている。
　第３流体供給部ｐ３には、コンプレッサ、その他のポンプを採用することができる。
　第３導入部ｄ３の第２処理用面２における開口部は、第２導入部ｄ２の開口部よりも、第１処理用面１の回転の中心の外側に位置する。即ち、第２処理用面２において、第３導入部ｄ３の開口部は、第２導入部ｄ２の開口部よりも、下流側に位置する。第３導入部ｄ３の開口部と第２導入部ｄ２の開口部との間には、第２リング２０の径の内外方向について、間隔が開けられている。
　この図１（Ｂ）へ示す装置も、第３導入部ｄ３以外の構成については、図１（Ａ）へ示す実施の形態と同様である。尚、この図１（Ｂ）、更に、以下に説明する、図１（Ｃ）、図１（Ｄ）、図２～図１１において、図面の煩雑を避けるため、ケース３を省略する。尚、図９（Ｂ）（Ｃ）、図１０、図１１（Ａ）（Ｂ）においては、ケース３の一部を描いてある。

　更に、図１（Ｃ）へ示すように、図１（Ｂ）へ示す処理装置に、第４導入部ｄ４を設けて第４の被処理流動体を、両処理用面１、２間へ導入して、第２及び第３の被処理流動体と同様第１被処理流動体へ混合（反応）させるものとしても実施できる。
　第４導入部ｄ４は、第１の被処理流動体と混合させる第４の被処理流動体を処理用面１、２間へ供給する。この実施の形態において、第４導入部ｄ４は、第２リング２０の内部に設けられた流体の通路であり、その一端が第２処理用面２にて開口し、他の一端に第４流体供給部ｐ４が接続されている。
　第４流体供給部ｐ４には、コンプレッサ、その他のポンプを採用することができる。
　第４導入部ｄ４の第２処理用面２における開口部は、第３導入部ｄ３の開口部よりも、第１処理用面１の回転の中心の外側に位置する。即ち、第２処理用面２において、第４導入部ｄ４の開口部は、第３導入部ｄ３の開口部よりも、下流側に位置する。
　この図１（Ｃ）へ示す装置について、第４導入部ｄ４以外の構成については、図１（Ｂ）へ示す実施の形態と同様である。
また、図示はしないが、更に、第５導入部や、第６導入部など、５つ以上の導入部を設けて、夫々５種以上の被処理流動体を、混合（反応）させるものとしても実施できる。

　また、図１（Ｄ）へ示す通り、図１（Ａ）の装置では、第２ホルダ２１に設けられていた第１導入部ｄ１を、第２ホルダ２１に設ける代わりに、第２導入部ｄ２同様、第２処理用面２に設けて実施することができる。この場合、第２処理用面２において、第１導入部ｄ１の開口部は、第２導入部ｄ２よりも、回転の中心側即ち上流側に位置する。
　上記の図１（Ｄ）へ示す装置では、第２導入部ｄ２の開口部と、第３導入部ｄ３の開口部は、共に第２リング２０の第２処理用面２に配置されるものであった。しかし、導入部の開口部は、このような処理用面に対する配置に限定されるものではない。特に、図２（Ａ）へ示す通り、第２導入部ｄ２の開口部を、第２リング２０の内周面の、第２処理用面２に隣接する位置に設けて実施することもできる。この図２（Ａ）へ示す装置において、第３導入部ｄ３の開口部は、図１（Ｂ）へ示す装置と同様、第２処理用面２に配置されているが、第２導入部ｄ２の開口部を、このように第２処理用面２の内側であって、第２処理用面２へ隣接する位置に配置することによって、第２の被処理流動体を処理用面に直ちに導入できる。

　このように第１導入部ｄ１の開口部を第２ホルダ２１に設け、第２導入部ｄ２の開口部を第２処理用面２の内側であって、第２処理用面２へ隣接する位置に配置することで（この場合、上記第３導入部ｄ３を設けることは必須ではない）、特に複数の被処理流動体を反応させる場合において、第１導入部ｄ１から導入される被処理流動体と第２導入部ｄ２から導入される被処理流動体とを反応させない状態で両処理用面１、２間へ導入し、両処理用面１、２間において両者を初めて反応させることができる。よって、上記構成は、特に反応性の高い被処理流動体を用いる場合に適している。

　なお、上記の「隣接」とは、第２導入部ｄ２の開口部を、図２（Ａ）に示すように第２リング２０の内側側面に接するようにして設けた場合に限られるものではない。第２リング２０から第２導入部ｄ２の開口部までの距離が、複数の被処理流動体が両処理用面１、２間へ導入される前に混合（反応）が完全になされない程度とされていれば良く、例えば、第２ホルダ２１の第２リング２０に近い位置に設けたものであっても良い。また、第２導入部ｄ２の開口部を第１リング１０あるいは第１ホルダ１１の側に設けても良い。

　更に、上記の図１（Ｂ）へ示す装置において、第３導入部ｄ３の開口部と第２導入部ｄ２の開口部との間には、第２リング２０の径の内外方向について、間隔が開けられていたが、図２（Ｂ）へ示す通り、そのような間隔を設けずに、両処理用面１、２間に第２及び第３の被処理流動体を導入されると直ちに両流動体が合流するものとしても実施できる。処理の対象によって、このような図２（Ｂ）へ示す装置を選択すればよい。
　また、上記の図１（Ｄ）へ示す装置についても、第１導入部ｄ１の開口部と第２導入部ｄ２の開口部との間には、第２リング２０の径の内外方向について、間隔が開けられていたが、そのような間隔を設けずに、両処理用面１、２間に第１及び第２の被処理流動体を導入すると直ちに両流動体が合流するものとしても実施できる（図示しない）。処理の対象によって、このような開口部の配置を選択すればよい。
　上記の図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）に示す実施の形態では、第２処理用面２において、第３導入部ｄ３の開口部を、第２導入部ｄ２の開口部の下流側、言い換えると、第２リング２０の径の内外方向について第２導入部ｄ２の開口部の外側に配置するものとした。この他、図２（Ｃ）及び図３（Ａ）へ示す通り、第２処理用面２において、第３導入部ｄ３の開口部を、第２導入部ｄ２の開口部と、第２リング２０の周方向ｒ０について異なる位置に配置するものとしても実施できる。図３において、ｍ１は第１導入部ｄ１の開口部即ち第１開口部を、ｍ２は第２導入部ｄ２の開口部即ち第２開口部を、ｍ３は第３導入部ｄ３の開口部（第３開口部）を、ｒ１はリングの径の内外方向を、夫々示している。
　また、第１導入部ｄ１を第２リング２０に設ける場合も、図２（Ｄ）へ示す通り、第２処理用面２において、第１導入部ｄ１の開口部を、第２導入部ｄ２の開口部と、第２リング２０の周方向について異なる位置に配置するものとしても実施できる。

　上記の図３（Ａ）へ示す装置では、第２リング２０の処理用面２において、周方向ｒ０の異なる位置に２つの導入部の開口部が配置されたものを示したが、図３（Ｂ）へ示す通り、リングの周方向ｒ０の異なる位置に３つの導入部の開口部を配置し、或いは図３（Ｃ）へ示す通り、リングの周方向ｒ０の異なる位置に４つの導入部の開口部を配置して実施することもできる。尚、図３（Ｂ）（Ｃ）において、ｍ４は、第４導入部の開口部を示し、図３（Ｃ）においてｍ５は第５導入部の開口部を示している。また、図示はしないが、導入部の開口部を、リングの周方向ｒ０の異なる位置に５つ以上設けて実施することもできる。
　上記に示す装置において、第２導入部乃至第５導入部は、夫々異なる被処理流動体即ち、第２、第３、第４、第５の被処理流動体を、導入することができる。一方、第２～第５の開口部ｍ２～ｍ５から、全て同種の即ち、第２被処理流動体を処理用面間に導入するものとしても実施できる。図示はしないが、この場合、第２導入部乃至第５導入部は、リング内部にて連絡しており、一つの流体供給部、即ち第２流体供給部ｐ２に接続されているものとして実施できる。
　また、リングの周方向ｒ０の異なる位置に導入部の開口部を複数設けたものと、リングの径方向即ち径の内外方向ｒ１の異なる位置に導入部の開口部を複数設けたものを、複合して実施することもできる。
　例えば、図３（Ｄ）へ示す通り、第２処理用面２に８つの導入部の開口部ｍ２～ｍ９が設けられており、そのうち４つであるｍ２～ｍ５は、リングの周方向ｒ０の異なる位置であり且つ径方向ｒ１について同じ位置に設けられたものであり、他の４つであるｍ６～ｍ９はリングの周方向ｒ０の異なる位置であり且つ径方向ｒ１について同じ位置に設けられている。そして、当該他の開口部ｍ６～ｍ９は、径方向ｒ１について、上記４つの開口部ｍ２～ｍ５の径方向の外側に配置されている。また、この外側の開口部は、夫々、内側の開口部と、リングの周方向ｒ０について同じ位置に設けてもよいが、リングの回転を考慮して、図３（Ｄ）へ示すように、リングの周方向ｒ０の異なる位置に設けて実施することもできる。また、その場合も、開口部について、図３（Ｄ）に示す配置や数に限定されるものではない。
　例えば、図３（Ｅ）へ示す通り、径方向外側の開口部が多角形の頂点位置、即ちこの場合四角形の頂点位置に配置され、当該多角形の辺上に、径方向内側の開口部が位置するように配置することもできる。勿論この他の配置を採ることもできる。
　また、第１開口部ｍ１以外の開口部は、何れも第２被処理流動体を処理用面間に導入するものとした場合、各第２被処理流動体を導入する当該開口部を、処理用面の周方向ｒ０について、点在させるのではなく、図３（Ｆ）へ示す通り、周方向ｒ０について、連続する開口部として実施することもできる。

　尚、処理の対象によっては、図４（Ａ）へ示す通り、図１（Ａ）に示す装置において、第２リング２０に設けていた第２導入部ｄ２を、第１導入部ｄ１と同様、第２ホルダ２１の中央部分２２へ設けて実施することもできる。この場合、第２リング２０の中心に位置する第１導入部ｄ１の開口部に対し、その外側に、間隔を開けて、第２導入部ｄ２の開口部が位置する。また、図４（Ｂ）へ示す通り、図４（Ａ）へ示す装置について、第２リング２０に第３導入部ｄ３を設けて実施することもできる。図４（Ｃ）へ示す通り、図４（Ａ）へ示す装置において、第１導入部ｄ１の開口部と第２導入部ｄ２の開口部との間に間隔を設けず、第２リング２０の内側の空間へ第１及び第２の被処理流動体を導入されると直ちに両流動体が合流するものとしても実施できる。更にまた、処理の対象によっては、図４（Ｄ）へ示す通り、図４（Ａ）へ示す装置において、第２導入部ｄ２同様、第３導入部ｄ３も第２ホルダ２１に設けて実施することができる。図示はしないが、４つ以上の導入部を第２ホルダ２１に設けて実施することもできる。
　また、処理の対象によっては、図５（Ａ）へ示す通り、図４（Ｄ）へ示す装置において、第２リング２０に第４導入部ｄ４を設けて第４の被処理流動体を両処理用面１、２間へ導入するものとしても実施できる。

　図５（Ｂ）へ示す通り、図１（Ａ）へ示す装置において、第２導入部ｄ２を、第１リング１０へ設け、第１処理用面１に第２導入部ｄ２の開口部を備えるものとしても実施できる。
　図５（Ｃ）へ示す通り、図５（Ｂ）へ示す装置において、第１リング１０に第３導入部ｄ３を設けて、第１処理用面１において、第３導入部ｄ３の開口部を、第２導入部ｄ２の開口部と、第１リング１０の周方向について異なる位置に配置するものとしても実施できる。
　図５（Ｄ）へ示す通り、図５（Ｂ）へ示す装置において、第２ホルダ２１へ第１導入部ｄ１を設ける代わりに、第２リング２０へ第１導入部ｄ１を設け、第２処理用面２に、第１導入部ｄ１の開口部を配置するものとしても実施できる。この場合、第１及び第２の導入部ｄ１、ｄ２の両開口部は、リングの径の内外方向について、同じ位置に配置されている。

　また、図６（Ａ）へ示す通り、図１（Ａ）へ示す装置において、第３導入部ｄ３を、第１リング１０へ設け、第１処理用面１へ第３導入部ｄ３の開口部を配置するものとしても実施できる。この場合、第２及び第３の導入部ｄ２、ｄ３の両開口部は、リングの径の内外方向について、同じ位置に配置されている。但し、上記の両開口部を、リングの径の内外方向について、異なる位置に配置するものとしてもよい。
　図５（Ｃ）へ示す装置において、第２及び第３の導入部ｄ２、ｄ３の両開口部を、第１リング１０の径の内外方向について同じ位置に設けると共に、第１リング１０の周方向即ち回転方向について異なる位置に設けたが、当該装置において、図６（Ｂ）へ示す通り、第２及び第３導入部ｄ２、ｄ３の両開口部を、第１リング１０の周方向について同じ位置に設けると共に、第１リング１０の径の内外方向について異なる位置に設けて実施することができる。この場合図６（Ｂ）へ示す通り、第２及び第３導入部ｄ２、ｄ３の両開口部の間には、第１リング１０の径の内外方向に間隔を開けておくものとしても実施でき、または図示はしないが、当該間隔を開けずに直ちに、第２被処理流動体と第３被処理流動体とが合流するものとしても実施できる。
　また、図６（Ｃ）へ示す通り、第２ホルダ２１へ第１導入部ｄ１を設ける代わりに、第２導入部ｄ２と共に、第１リング１０へ第１導入部ｄ１を設けて実施することもできる。この場合、第１処理用面１において、第１導入部ｄ１の開口部を、第２導入部ｄ２の開口部の、上流側（第１リング１０の径の内外方向について内側）に設ける。第１導入部ｄ１の開口部と第２導入部ｄ２の開口部との間には、第１リング１０の径の内外方向について、間隔を開けておく。但し図示はしないが、このような間隔を開けずに実施することもできる。
　また、図６（Ｄ）へ示す通り、図６（Ｃ）へ示す装置の第１処理用面１にあって、第１リング１０の周方向の異なる位置に、第１導入部ｄ１と第２導入部ｄ２夫々の開口部を配置するものとして実施することができる。
　また、図示はしないが、図６（Ｃ）（Ｄ）へ示す実施の形態において、第１リング１０へ３つ以上の導入部を設けて、第２処理用面２において、周方向の異なる位置に、或いは、リングの径の内外方向の異なる位置に、各開口部を配置するものとして実施することもできる。例えば、第２処理用面２において採った、図３（Ｂ）～図３（Ｆ）に示す開口部の配置を第１処理用面１においても採用することができる。

　図７（Ａ）へ示す通り、図１（Ａ）へ示す装置において、第２導入部ｄ２を第２リング２０へ設ける代わりに、第１ホルダ１１へ設けて実施することができる。この場合、第１ホルダ１１上面の第１リング１０に囲まれた部位において、第１リング１０の回転の中心軸の中心に第２導入部ｄ２の開口部を配置するのが好ましい。
　図７（Ｂ）へ示す通り、図７（Ａ）へ示す実施の形態において、第３導入部ｄ３を、第２リング２０へ設けて、第３導入部ｄ３の開口部を第２処理用面２へ配置することができる。
　また、図７（Ｃ）へ示す通り、第１導入部ｄ１を第２ホルダ２１へ設ける代わりに、第１ホルダ１１へ設けて実施することができる。この場合、第１ホルダ１１上面の第１リング１０に囲まれた部位において、第１リング１０の回転の中心軸に第１導入部ｄ１の開口部を配置するのが好ましい。また、この場合、図示の通り、第２導入部ｄ２を第１リング１０へ設けて、第１処理用面１へ、その開口部を配置することができる。また、図示はしないが、この場合、第２導入部ｄ２を第２リング２０へ設けて、第２処理用面２へ、その開口部を配置することができる。
　更に、図７（Ｄ）へ示す通り、図７（Ｃ）へ示す第２導入部ｄ２を、第１導入部ｄ１と共に、第１ホルダ１１へ設けて実施することもできる。この場合、第１ホルダ１１上面の第１リング１０に囲まれた部位において、第２導入部ｄ２の開口部を配置する。また、この場合、図７（Ｃ）において、第２リング２０へ設けた第２導入部ｄ２を、第３導入部ｄ３とすればよい。

　上記の図１～図７に示す各実施の形態において、第１ホルダ１１及び第１リング１０が、第２ホルダ２１及び第２リング２０に対して回転するものとした。この他、図８（Ａ）へ示す通り、図１（Ａ）へ示す装置において、第２ホルダ２に、回転駆動部から回転力を受けて回転する回転軸５１を設けて、第１ホルダ１１とは逆方向に第２ホルダ２１を回転させるものとしても実施できる。回転軸５１についての回転駆動部は、第１ホルダ１１の回転軸５０を回転させるものと別に設けるものとしてもよく、或いはギアなどの動力伝達手段により、第１ホルダ１１の回転軸５０を回転させる駆動部から動力を受けるものとしても実施できる。この場合第２ホルダ２１は、前述のケースと別体に形成されて、第１ホルダ１１と同様、当該ケース内に回転可能に収容されたものとする。
　また、図８（Ｂ）へ示す通り、図８（Ａ）に示す装置において、第２リング２０に第２導入部ｄ２を設ける代わりに、図７（Ｂ）の装置と同様に第１ホルダ１１に第２導入部ｄ２を設けて実施することができる。
　また、図示はしないが、図８（Ｂ）へ示す装置において、第２導入部ｄ２を、第１ホルダ１１に代え第２ホルダ２１へ設けて実施することもできる。この場合、第２導入部ｄ２は、図４（Ａ）の装置と同様である。図８（Ｃ）へ示す通り、図８（Ｂ）へ示す装置において、第２リング２０に第３導入部ｄ３を設けて、当該導入部ｄ３の開口部を、第２処理用面２に配置して実施することもできる。
　更に、図８（Ｄ）へ示す通り、第１ホルダ１１を回転させずに、第２ホルダ２１のみを回転させるものとしても実施できる。図示はしないが、図１(Ｂ)～図７に示す装置においても、第１ホルダ１１と共に第２ホルダ２１を回転させるものや、或いは第２ホルダ２１のみ単独で回転させるものとしても実施できる。

　図９（Ａ）へ示すように、第２処理用部２０はリングとし、第１処理用部１０をリングでなく、他の実施の形態の第１ホルダ１１と同様の、直接回転軸５０を備えて回転する部材とすることができる。この場合、第１処理用部１０の上面を第１処理用面１とし、当該処理用面は環状でなく、即ち中空部分を備えない、一様に平らな面とする。また、この図９（Ａ）に示す装置において、図１（Ａ）の装置と同様、第２導入部ｄ２を、第２リング２０に設け、その開口部を第２処理用面２に配置している。

　図９（Ｂ）へ示す通り、図９（Ａ）へ示す装置において、第２ホルダ２１を、ケース３と独立したものとし、ケース３と当該第２ホルダ２１との間に、第２リング２０が設けられた第１処理用部１０へ接近・離反させる弾性体などの接面圧付与機構４を設けて実施することもできる。この場合、図９（Ｃ）へ示すように、第２処理用部２０をリングとするのではなく、上記の第２ホルダ２１に相当する部材とし、当該部材の下面を第２処理用面２として形成することができる。更に、図１０（Ａ）へ示す通り、図９（Ｃ）へ示す装置において、第１処理用部１０もリングとするのではなく、図９（Ａ）（Ｂ）へ示す装置と同様他の実施の形態において第１ホルダ１１に相当する部位を第１処理用部１０とし、その上面を第１処理用面１として実施することができる。

　上記の各実施の形態において、少なくとも第１の被処理流動体は、第１処理用部１０と第２処理用部２０即ち、第１リング１０と第２リング２０の中心部から供給され、他の被処理流動体による処理、即ち混合（反応）後、その径の内外方向について外側へ排出されるものとした。
　この他、図１０（Ｂ）へ示す通り、第１リング１０及び第２リング２０の外側から、内側に向けて、第１の被処理流動体を供給するものとしても実施できる。この場合、図示の通り、第１ホルダ１１及び第２ホルダ２１の外側をケース３にて密閉し、第１導入部ｄ１を当該ケース３に直接設けて、ケースの内側であって、両リング１０、２０の突合せ位置と対応する部位に、当該導入部の開口部を配置する。そして、図１（Ａ）の装置において第１導入部ｄ１が設けられていた位置、即ち第１ホルダ１１におけるリング１の中心となる位置に、排出部３６を設ける。また、ホルダの回転の中心軸を挟んで、ケースの当該開口部の反対側に、第２導入部ｄ２の開口部を配置する。但し、第２導入部ｄ２の開口部は、第１導入部ｄ１の開口部と同様、ケースの内側であって、両リング１０、２０の突合せ位置と対応する部位に配置するものであればよく、上記のように、第１導入部ｄ１の開口部の反対側に形成するのに限定されるものではない。
　この場合、両リング１０、２０の径の外側が、上流となり、両リング１０、２０の内側が下流側となる。

　このように、被処理流動体の移動を外側から内側に向けて行う場合、図１６（Ｅ）に示すように、第１処理用部１０の第１処理用面１に、第１処理用部１０の外側から中心側に向けて伸びる溝状の凹部１３...１３を形成して実施することも可能である。このような凹部１３...１３を形成することにより、前述のバランス比Ｋについては、１００％以上のアンバランス型とするのが好ましい。この結果、回転時に、上記の溝状の凹部１３...１３に動圧が発生し、両処理用面１、２は確実に非接触で回転でき、接触による磨耗などの危険がなくなる。この図１６（Ｅ）に示す実施の形態において、被処理流動体の圧力による離反力は、凹部１３の内端１３ａにて発生する。

　図１０（Ｃ）に示す通り、図１０（Ｂ）へ示す装置において、ケース３の側部に設けた第２導入部ｄ２を、当該位置に代え、第１リング１０に設けて、その開口部を第１処理用面１に配置するものとしても実施できる。この場合において、図１０（Ｄ）に示す通り、第１処理用部１０をリングとして形成するのでなく、図９（Ａ）、図９（Ｂ）や図１０（Ａ）に示す装置と同様、他の実施の形態において第１ホルダ１１に相当する部位を、第１処理用部１０とし、その上面を第１処理用面１とし、更に、当該第１処理用部１０内に第２導入部ｄ２を設けて、その開口部を第１処理用面１に配置するものとして実施できる。

　図１１（Ａ）へ示す通り、図１０（Ｄ）へ示す装置において、第２処理用部２０もリングとして形成するのではなく、他の実施の形態において第２ホルダ２１に相当する部材を第２処理用部２０とし、その下面を第２処理用面２として実施することができる。そして、第２処理用部２０を、ケース３と独立した部材とし、ケース３と第２処理用部２０との間に、図９（Ｂ）（Ｃ）、図１０（Ａ）に示す装置と同じ接面圧付与機構４を設けて実施することができる。
　また、図１１（Ｂ）へ示す通り、図１１（Ａ）に示す装置の第２導入部ｄ２を第３導入部ｄ３とし、別途第２導入部ｄ２を設けるものとしても実施できる。この場合、第２処理用面２において第２導入部ｄ２の開口部を第３導入部ｄ３の開口部よりも下流側に配置する。
　前述の図４に示す各装置、図５（Ａ）、図７（Ａ）（Ｂ）（Ｄ）、図８（Ｂ）（Ｃ）に示す装置は、処理用面１、２間に達する前に、第１の被処理流動体に対して、他の被処理流動体が合流するものであり、晶出や析出の反応の速いものには適さない。しかし、反応速度の遅いものについては、このような装置を採用することもできる。

　本願発明に係る方法の発明の実施に適した流体処理装置について、以下に纏めておく。
　前述の通り、この流体処理装置は、被処理流動体に所定の圧力を付与する流体圧付与機構と、この所定圧力の被処理流動体が流される密封された流体流路に設けられた第１処理用部１０と第１処理用部１０に対して相対的に接近離反可能な第２処理用部２０の少なくとも２つの処理用部と、これらの処理用部１０、２０において互いに対向する位置に設けられた第１処理用面１及び第２処理用面２の少なくとも２つの処理用面と、第１処理用部１０と第２処理用部２０とを相対的に回転させる回転駆動機構とを備え、両処理用面１、２間にて、少なくとも２種の被処理流動体の混合の処理を行う（反応を伴う場合にあっては反応の処理も行う）ものである。第１処理用部１０と第２処理用部２０のうち少なくとも第２処理用部２０は、受圧面を備えるものであり、且つ、この受圧面の少なくとも一部が第２処理用面２により構成され、受圧面は、流体圧付与機構が被処理流動体の少なくとも一方に付与する圧力を受けて第１処理用面１から第２処理用面２を離反させる方向に移動させる力を発生させる。そして、この装置にあって、接近離反可能且つ相対的に回転する第１処理用面１と第２処理用面２との間に上記の圧力を受けた被処理流動体が通されることにより、各被処理流動体が所定厚みの薄膜流体を形成しながら両処理用面１、２間を通過することで、当該被処理流動体間において、所望の混合状態（反応）が生じる。

　また、この流体処理装置において、第１処理用面１及び第２処理用面２の少なくとも一方の、微振動やアライメントを調整する緩衝機構を備えたものを採用するのが好ましい。

　また、この流体処理装置において、第１処理用面１及び第２処理用面２の一方又は双方の、磨耗などによる軸方向の変位を調整して、両処理用面１、２間の薄膜流体の厚みを維持することを可能とする変位調整機構を備えたものを採用するのが好ましい。

　更に、この流体処理装置にあっては、上記の流体圧付与機構として、被処理流動体に対して一定の送り込み圧を掛けるコンプレッサなどの加圧装置を採用することができる。
　尚、上記の加圧装置は、送り込み圧の増減の調整を行えるものを採用する。この加圧装置は、設定した圧力を一定に保つことができる必要があるが、処理用面間の間隔を調整するパラメータとして、調整を行える必要があるからである。

　また、この流体処理装置には、上記の第１処理用面１と第２処理用面２との間の最大間隔を規定し、それ以上の両処理用面１、２の離反を抑止する離反抑止部を備えるものを採用することができる。

　更にまた、この流体処理装置には、上記の第１処理用面１と第２処理用面２との間の最小間隔を規定し、それ以上の両処理用面１、２の近接を抑止する近接抑止部を備えたものを採用することができる。

　更に、この流体処理装置には、第１処理用面１と第２処理用面２の双方が、互いに逆の方向に回転するものを採用することができる。

　また、この流体処理装置には、上記第１処理用面１と第２処理用面２の一方或いは双方の温度を調整する、温度調整用のジャケットを備えたものを採用することができる。

　また更に、この流体処理装置には、上記第１処理用面１及び第２処理用面２の一方或いは双方の少なくとも一部は、鏡面加工されたものを採用するのが好ましい。

　この流体処理装置には、上記第１処理用面１及び第２処理用面２の一方或いは双方は、凹部を備えたものを採用することができる。

　更に、この流体処理装置には、一方の被処理流動体に混合（反応）させる他方の被処理流動体の供給手段として、一方の被処理流動体の通路とは独立した別途の導入路を備え、上記第１処理用面と第２処理用面の少なくとも何れ一方に、上記の別途の導入路に通じる開口部を備え、当該別途の導入路から送られてきた他方の被処理流動体を、上記一方の被処理流動体に導入することができるものを採用するのが好ましい。

　また、本願発明を実施する流体処理装置として、被処理流動体に所定の圧力を付与する流体圧付与機構と、この所定圧力の被処理流動体が流される密封された流体流路に接続された第１処理用面１及び第２処理用面２の少なくとも２つの相対的に接近離反可能な処理用面と、両処理用面１、２間に接面圧力を付与する接面圧力付与機構と、第１処理用面１と第２処理用面２とを相対的に回転させる回転駆動機構と、を備えることにより、両処理用面１、２間にて、少なくとも２種の被処理流動体の混合（反応）処理を行うものであって、接面圧力が付与されつつ相対的に回転する第１処理用面１と第２処理用面２との間に、流体圧付与機構から圧力を付与された少なくとも一種の被処理流動体が通され、更に、他の一種の被処理流動体が通されることにより、流体圧付与機構から圧力を付与された上記一種の被処理流動体が所定厚みの薄膜流体を形成しながら両処理用面１、２間を通過する際に、当該他の一種の被処理流動体が混合され、被処理流動体間にて、所望の混合状態（反応）を生じさせるものを採用することができる。
　この接面圧付与機構が、前述の装置における、微振動やアライメントを調整する緩衝機構や、変位調整機構を構成するものとして実施することができる。

　更に、本願発明を実施する流体処理装置として、混合（反応）させる２種の被処理流動体のうち少なくとも一方の被処理流動体を当該装置に導入する第１導入部と、第１導入部に接続されて当該一方の被処理流動体に圧力を付与する流体圧付与機構ｐと、混合（反応）させる２種の被処理流動体のうち少なくとも他の一方を当該装置に導入する第２導入部と、当該一方の被処理流動体が流される密封された流体流路に設けられた第１処理用部１０と第１処理用部１０に対して相対的に接近離反可能な第２処理用部２０の少なくとも２つの処理用部と、これらの処理用部１０、２０において互いに対向する位置に設けられた第１処理用面１及び第２処理用面２の少なくとも２つの処理用面と、第２処理用面２が露出するように第２処理用部２０を受容するホルダ２１と、第１処理用部１０と第２処理用部２０とを相対的に回転させる回転駆動機構と、第１処理用面１に対して第２処理用面２を圧接又は近接した状態に第２処理用部２０を押圧する接面圧付与機構４とを備え、両処理用面１、２間にて、被処理流動体間の混合（反応）処理を行い、上記ホルダ２１が、上記第１導入部の開口部を備えると共に、処理用面１、２間の隙間に影響を与えるようには可動でないものであり、第１処理用部１０と第２導入部２０の少なくとも一方が、上記第２導入部の開口部を備え、第２処理用部２０が、環状体であり、第２処理用面２がホルダ２１に対して摺動して第１処理用面１に接近離反するものであり、第２処理用部２０が受圧面を備え、受圧面は、流体圧付与機構ｐが被処理流動体に付与する圧力を受けて第１処理用面１から第２処理用面２を離反させる方向に移動させる力を発生させ、上記受圧面の少なくとも一部は、第２処理用面２にて構成され、接近離反可能且つ相対的に回転する第１処理用面１と第２処理用面２との間に圧力が付与された一方の被処理流動体が通されると共に、他の一方の被処理流動体が、両処理用面１、２間に供給されることにより、両被処理流動体が所定厚みの薄膜流体を形成しながら両処理用面１、２間を通過し、通過中の被処理流動体が混合させることで、被処理流動体間における、所望の混合（反応）を促進させるものであり、接面圧力付与機構４の接面圧力と、流体圧付与機構ｐが付与する流体圧力の両処理用面１、２間を離反させる力との均衡によって、上記の所定厚みの薄膜流体を発生させる微小間隔を両処理用面１、２間に保つものを採用することができる。

　この流体処理装置において、第２導入部も、第１導入部に接続されたのと同様の、別途の流体圧付与機構に接続されて、加圧されるものとしても実施できる。また、第２導入部から導入される被処理流動体は、別途の流体圧付与機構にて加圧されるのではなく、第１導入部にて導入される被処理流動体の流体圧にて第２導入部内に生じる負圧により、両処理用面１、２間に吸引されて供給されるものとしても実施できる。更に、当該他方の被処理流動体は、第２導入部内を、自重にて移動即ち上方より下方に流れて、処理用面１、２間に供給されるものとしても実施できる。
　上記のように、一方の被処理流動体の装置内への供給口となる第１導入部の開口部を第２ホルダに設けるものに限定されるものではなく、第１導入部の当該開口部を第１ホルダに設けるものとしてもよい。また、第１導入部の当該開口部を、両処理用面の少なくとも一方に形成して実施することもできる。但し、反応によって、先に処理用面１、２間に導入しておく必要のある被処理流動体を、第１導入部から供給する必要がある場合において、他方の被処理流動体の装置内への供給口となる第２導入部の開口部は、何れかの処理用面において、上記第１導入部の開口部よりも、下流側に配置する必要がある。

　更に、本願発明の実施に用いる流体処理装置として、次のものを採用することができる。
　この流体処理装置は、混合（反応）させる２種以上の被処理流動体を別々に導入する複数の導入部と、当該２種以上の被処理流動体の少なくとも一つに圧力を付与する流体圧付与機構ｐと、この被処理流動体が流される密封された流体流路に設けられた第１処理用部１０と第１処理用部１０に対して相対的に接近離反可能な第２処理用部２０の少なくとも２つの処理用部と、これらの処理用部１０、２０において互いに対向する位置に設けられた第１処理用面１及び第２処理用面２の少なくとも２つの処理用面１、２と、第１処理用部１０と第２処理用部２０とを相対的に回転させる回転駆動機構とを備え、両処理用面１、２間にて、被処理流動体間の混合（反応）処理を行うものであって、第１処理用部１０と第２処理用部２０のうち少なくとも第２処理用部２０は、受圧面を備えるものであり、且つ、この受圧面の少なくとも一部が第２処理用面２により構成され、受圧面は、流体圧付与機構が被処理流動体に付与する圧力を受けて第１処理用面１から第２処理用面２を離反させる方向に移動させる力を発生させ、更に、第２処理用部２０は、第２処理用面２と反対側を向く接近用調整面２４を備えるものであり、接近用調整面２４は、被処理流動体に掛けた所定の圧力を受けて第１処理用面１に第２処理用面２を接近させる方向に移動させる力を発生させ、上記接近用調整面２４の接近離反方向の投影面積と、上記受圧面の接近離反方向の投影面積との面積比により、被処理流動体から受ける全圧力の合力として、第１処理用面１に対する第２処理用面２の離反方向へ移動する力が決まるものであり、接近離反可能且つ相対的に回転する第１処理用面１と第２処理用面２との間に圧力が付与された被処理流動体が通され、当該被処理流動体に混合（反応）させる他の被処理流動体が両処理用面間において混合され、混合された被処理流動体が所定厚みの薄膜流体を形成しながら両処理用面１、２間を通過することで、処理用面間の通過中に所望の生成物を得るものである。

　また、本願発明に係る流体処理方法について纏めると、この流体処理方法は、第１の被処理流動体に所定の圧力を付与し、この所定の圧力を受けた被処理流動体が流される密封された流体流路へ、第１処理用面１及び第２処理用面２の少なくとも２つの相対的に接近離反可能な処理用面を接続し、両処理用面１、２を接近させる接面圧力を付与し、第１処理用面１と第２処理用面２とを相対的に回転させ且つこれらの処理用面１、２間に被処理流動体を導入するものであり、当該被処理流動体と混合（反応）する第２の被処理流動体を上記と別途の流路により、上記処理用面１、２間に導入し、両被処理流動体を混合（反応）させるものであり、少なくとも第１の被処理流動体に付与した上記の所定の圧力を両処理用面１、２を離反させる離反力とし、当該離反力と上記接面圧力とを、処理用面１、２間の被処理流動体を介して均衡させることにより、両処理用面１、２間を所定の微小間隔に維持し、被処理流動体を所定の厚みの薄膜流体として両処理用面１、２間を通過させて、この通過中に両被処理流動体の混合（反応）を均一に行い、析出を伴う反応の場合にあっては所望の反応生成物を晶出または析出させるものである。

　以下、本願発明のその他の実施形態について説明する。図２５は接近・離反可能な少なくとも一方が他方に対して相対的に回転する処理用面の間で被処理物を処理する流体処理装置の略断面図である。図２６の（Ａ）は図２５に示す装置の第１処理用面の略平面図であり、（Ｂ）は図２５に示す装置の処理用面の要部拡大図である。図２７の（Ａ）は第２導入路の断面図であり、（Ｂ）は第２導入路を説明するための処理用面の要部拡大図である。
　図２５においてＵは上方を、Ｓは下方をそれぞれ示している。図２６（Ａ）、図２７（Ｂ）においてＲは回転方向を示している。図２７（Ｂ）においてＣは遠心力方向（半径方向）を示している。

　この装置は、少なくとも２種類の流体を用いるものであり、そのうちで少なくとも１種類の流体については被処理物を少なくとも１種類含むものであり、接近・離反可能に互いに対向して配設され、少なくとも一方が他方に対して回転する処理用面の間で上記の各流体を合流させて薄膜流体とするものであり、当該薄膜流体中において上記の被処理物を処理する装置である。なお、前記の「処理」とは、被処理物が反応する形態に限られず、反応を伴なわずに混合・分散のみがなされる形態も含む。

　図２５に示す通り、この装置は、第１ホルダ１１と第１ホルダ１１の上方に配置された第２ホルダ２１と共に流体圧付与機構Ｐと接面圧付与機構とを備える。接面圧力付与機構は、スプリング４３と、エア導入部４４とにて構成されている。
　第１ホルダ１１には第１処理用部１０と回転軸５０が設けられている。第１処理用部１０はメインティングリングと呼ばれる環状体であり鏡面加工された第１処理用面１を備える。回転軸５０は第１ホルダ１１の中心にボルトなどの固定具８１にて固定されたものであり、その後端が電動機などの回転駆動装置８２（回転駆動機構）と接続され、回転駆動装置８２の駆動力を第１ホルダ１１に伝えて当該第１ホルダ１１を回転させる。第１処理用部１０は上記第１ホルダ１１と一体となって回転する。

　第１ホルダ１１の上部には、第１処理用部１０を受容する事が可能な受容部が設けられており、当該受容部内にはめ込む事にて、第１ホルダ１１への第１処理用部１０の上記取り付けが行われている。さらに第１処理用部１０は回り止めピン８３にて第１ホルダ１１に対して回転しないように固定されている。ただし、回り止めピン８３に代え、焼き嵌めなどの方法にて回転しないように固定するものとしても良い。
　上記の第１処理用面１は、第１ホルダ１１から露出して、第２ホルダ２１を臨む。第１処理用面の材質は、セラミックや焼結金属、対磨耗鋼、その他金属に硬化処理を施したものや、硬質材をライニングやコーティング、鍍金などを施工したものを採用する。

　第２ホルダ２１には、第２処理用部２０と、処理用部内側より流体が導入する第１導入部ｄ１と、上記の接面圧付与機構としてスプリング４３と、エア導入部４４とが設けられている。

　第２処理用部２０は、コンプレッションリングと呼ばれる環状体であり、鏡面加工された第２処理用面２と、第２処理用面２の内側に位置して当該第２処理用面２に隣接する受圧面２３（以下離反用調整面２３と呼ぶ。）とを備える。図示の通り、この離反用調整面２３は傾斜面である。第２処理用面２に施す鏡面加工は、上記の第１処理用面１と同様の方法を採用する。また、第２処理用部２０の素材についても、上記の第１処理用部１０と同様のものを採用する。離反用調整面２３は、環状の第２処理用部２０の内周面２５と隣接する。

　第２ホルダ２１の底部（下部）には、リング収容部４１が形成され、そのリング収容部４１内に、Ｏリングと共に第２処理用部２０が受容されている。また、回り止め８４にて、第２処理用部２０は、第２ホルダ２１に対して回転しないよう受容されている。上記の第２処理用面２は、第２ホルダ２１から露出する。この状態において、第２処理用面２は、第１処理用部１０の第１処理用面１と対面する。
　この第２ホルダ２１が備えるリング収容部４１は、第２リング２０の、主として処理用面２側と反対側の部位を収容する凹部であり、平面視において、環状に形成された溝である。
　リング収容部４１は、第２リング２０の寸法より大きく形成され、第２リング２０との間に十分なクリアランスを持って、第２リング２０を収容する。

　このクリアランスにより、当該第２処理用部２０はこのリング収容部４１内にて収容部４１の軸方向について、さらに、当該軸方向と交差する方向について変位する事ができるように収容されている。またリング収容部４１に対して第２処理用部２０の中心線（軸方向）を上記リング収容部４１の軸方向と平行ではなくなるように変位可能に当該第２処理用部２０は収容されている。
　少なくとも第２ホルダ２１のリング収容部４１には、処理用部付勢部としてスプリング４３が設けられている。スプリング４３は第２処理用部２０を第１処理用部１０に向けて付勢する。さらに他の付勢方法として、空気導入部４４などの空気圧またはその他の流体圧を供給する加圧手段を用いて第２ホルダ２１が保持する第２処理用部２０を第１処理用部１０へ近づける方向に付勢する方法でもよい。
　スプリング４３及び空気導入部４４などの接面圧付与機構は第２処理用部２０の周方向の各位置（処理用面の各位置）を均等に、第１処理用部１０へ向けて付勢する。
　この第２ホルダ２１の中央に上記の第１導入部ｄ１が設けられ、第１導入部ｄ１から処理用部外周側へ圧送されてくる流体は、まず当該第２ホルダ２１が保持する第２処理用部２０と第１処理用部１０と当該第１処理用部１０を保持する第１ホルダ１１とに囲まれた空間内に導かれる。そして第１処理用部１０から第２処理用部２０を付勢部の付勢に抗して離反させる方向に、第２処理用部２０に設けられた受圧面２３に流体圧付与機構Ｐによる上記流体の送圧（供給圧）を受ける。
　なお、他の箇所においては説明を簡略にするため、受圧面２３についてのみ説明をしているが、正確に言えば、図２９（Ａ）（Ｂ）に示すように、上記の受圧面２３と共に、後述する溝状の凹部１３の第２処理用部２０に対する軸方向投影面のうちで、上記受圧面２３が設けられていない部分２３Ｘも受圧面として、流体圧付与機構Ｐによる上記流体の送圧（供給圧）を受ける。

　上記受圧面２３を設けずに実施する事もできる。その場合、図２６（Ａ）に示されたように、接面圧力付与機構が機能するように形成された溝状の凹部１３を備えた第１処理用面１が回転する事によって得られる処理用面間への被処理流動体の導入効果（マイクロポンプ効果）を用いても良い。ここでのマイクロポンプ効果とは、第１処理用面１が回転する事で凹部内の流体が凹部１３の外周方向先端へと速度を持って進み、次に凹部１３の先端に送り込まれた流体がさらに凹部１３の内周方向からの圧力を受け、最終的に処理用面を離反させる方向への圧力となり、同時に流体が処理用面間に導入される効果である。さらに回転していない場合であっても、第１処理用面１に設けられた凹部１３内の流体が受けた圧力は最終的に離反側に作用する受圧面として第２処理用面２に作用する。
　処理用面に設けられた凹部１３については、被処理物及び生成物を含む流体の物性に対応してその深さ、処理用面に対して水平方向への総面積、本数、及び形状を実施できる。
　なお、上記受圧面２３と上記凹部１３とを一装置内に共に設けても実施できる。

　この凹部１３は、深さについては1μｍ～50μｍ、さらに好ましくは3μｍ～20μｍとし、前記処理用面に設けられた凹部であって、特に限定されないが、処理用面に対して水平方向への総面積が処理用面全体に対して5％～50％、好ましくは15％～25％とし、さらに、その本数が、特に限定されないが、3～50本、好ましくは8～24本とし、形状が処理用面上をカーブ、もしくは渦巻状で伸びるもの、またはＬ字状に屈曲するものとする。さらに深さに勾配を持たせる事で高粘度域から低粘度域まで、またマイクロポンプ効果を用いて導入する流体が固体を含む場合にも安定的に処理用面間に流体を導入できる。また、処理用面に設けられた凹部１３は導入側つまり処理用面内側で各凹部同士がつながっていても良いし、分断されていても良い。

　上記のように受圧面２３は傾斜面とされている。この傾斜面（受圧面２３）は、被処理流動体の流れ方向を基準とした上流側端部での、凹部１３が設けられた処理用部の処理用面に対する軸方向における距離が、下流側端部での同距離に比べて大きくなるように形成される。そしてこの傾斜面は、被処理流動体の流れ方向を基準とした下流側端部が上記凹部１３の軸方向投影面上に設置されたものとすることが好ましい。

　具体的には図２８（Ａ）に示すように、上記傾斜面（受圧面２３）の下流側端部６０が上記凹部１３の軸方向投影面上となるように設置する。上記傾斜面の第２処理用面２に対する角度θ１は０．１°から８５°の範囲である事が好ましく、１０°から５５°の範囲がより好ましく、１５°から４５°の範囲がさらに好ましい。この角度θ１は、被処理物の処理前の性状によって適宜変更できる。また、上記傾斜面の下流側端部６０は、第１処理用面１に設けられた凹部１３の上流側端部１３－bから下流側に０．０１ｍｍ離れた位置より、下流側端部１３－cから上流側に０．５ｍｍ離れた位置までの領域内に設けられる。より好ましくは、上流側端部１３－bから下流側に０．０５ｍｍ離れた位置より、下流側端部１３－cから上流側に１．０ｍｍ離れた位置までの領域内に設けられる。上記傾斜面の角度と同様、この下流側端部６０の位置についても、被処理物の性状に応じて適宜変更できる。また、図２８（Ｂ）に示すように、傾斜面（受圧面２３）をアール面としても実施できる。これにより、被処理物の導入をさらに均一に行うことができる。

　凹部１３は上記のように連続したものの他、断続するものであっても実施可能である。断続する場合にあっては、断続する凹部１３の、第１処理用面１の最も内周側における上流側端部が上記１３－bとなり、同じく第１処理用面１の最も外周側における上流側端部が上記１３－cとなる。

　また、上記では凹部１３を第１処理用面１に形成するものとし、受圧面２３を第２処理用面２に形成するものとしたが、逆に、凹部１３を、第２処理用面２に形成するものとし、受圧面２３を第１処理用面１に形成するものとしても実施可能である。

　更には、凹部１３を第１処理用面１と第２処理用面２の両方に形成し、凹部１３と受圧面２３を各処理用面１、２の周方向に交互に設けることによって、第１処理用面１に形成した凹部１３と第２処理用面２に形成した受圧面２３とが対向し、同時に、第１処理用面１に形成した受圧面２３と第２処理用面２に形成した凹部１３とが対向するものとすることも可能である。

　処理用面に、凹部１３とは異なる溝を施す事もできる。具体的な例としては図１６（Ｆ）や図１６（Ｇ）のように凹部１３よりも径方向外側（図１６（Ｆ））もしくは径方向内側（図１６（Ｇ））に、放射状に伸びる新規な凹部１４を施す事ができる。これは、処理用面間の滞留時間を延ばしたい場合や、高粘稠物の流体を処理する場合に有利である。
　尚、凹部１３とは異なる溝については、形状、面積、本数、深さに関しては特に限定されない。目的に応じて当該溝を施す事ができる。

　上記の第２処理用部２０には上記処理用面に導入された流体の流路とは独立し、処理用面間に通じる開口部ｄ２０を備える第２導入部ｄ２が形成されている。
　具体的には、第２導入部ｄ２は、図２７（Ａ）に示すように、上記の第２処理用面２の開口部ｄ２０からの導入方向が、第２処理用面２に対して所定の仰角（θ１）で傾斜している。この仰角（θ１）は、０度を超えて９０度未満に設定されており、さらに反応速度が速い反応の場合には１度以上４５度以下で設置されるのが好ましい。
　また、図２７（Ｂ）に示すように、上記の第２処理用面２の開口部ｄ２０からの導入方向が、上記の第２処理用面２に沿う平面において、方向性を有するものである。この第２流体の導入方向は、処理用面の半径方向の成分にあっては中心から遠ざかる外方向であって、且つ、回転する処理用面間における流体の回転方向に対しての成分にあっては順方向である。言い換えると、開口部ｄ２０を通る半径方向であって外方向の線分を基準線ｇとして、この基準線ｇから回転方向Ｒへの所定の角度（θ２）を有するものである。
　この角度（θ２）についても、０度を超えて９０度未満に設定されており、図２７（Ｂ）の網かけ部分に向けて開口部ｄ２０から吐出される。さらに反応速度が速い反応の場合には、当該角度（θ２）は小さいものであってもよく、反応速度が遅い場合には、当該角度（θ２）も大きく設定することが好ましい。また、この角度は、流体の種類、反応速度、粘度、処理用面の回転速度などの種々の条件に応じて、変更して実施することができる。

　開口部ｄ２０の口径は、好ましくは0.2μｍ～3000μｍ、より好ましくは10μｍ～1000μｍとする。また実質的には、開口部ｄ２０の径が流体の流れに影響を及ばさない場合には、第２導入部ｄ２の径が当該範囲内に設定されればよい。また、直進性を求める場合と、拡散性を求める場合とで、開口部ｄ２０の形状などを変化させることも好ましく、これらは流体の種類、反応速度、粘度、処理用面の回転速度などの種々の条件に応じて、変更して実施することができる。

　さらに、前記別流路における開口部ｄ２０は、第１処理用面１に設けられた凹部からマイクロポンプ効果によって導入される際の流れ方向が処理用面間で形成されるスパイラル状で層流の流れ方向に変換される点よりも外径側に設置すればよい。つまり図２６（Ｂ）において、第１処理用面１に設けられた凹部１３の最も処理用面径方向外側から径方向外側への距離ｎを0.5 mm以上とするのが好ましい。さらに開口部を同じ流体に対して複数個設ける場合には同心円上に設置するのが好ましい。また、開口部を異なる流体に対して複数個設ける場合には半径の異なる同心円上に設置するのが好ましい。(1) A＋B→C　(2) C＋D→E　のような反応が順番どおり実行され、A+B+C→F　のような本来同時反応すべきでは無い反応が起こることや、被処理物が効率よく接触せず反応が実行されないというような問題を回避するのに効果的である。
　また上記処理用部を流体中に浸し、上記処理用面間にて混合（反応）させて得られた流体を直接処理用部の外部にある液体、もしくは空気以外の気体に投入して実施できる。
　さらに処理用面間もしくは処理用面から吐出された直後の被処理物に超音波エネルギーを付加する事もできる。

　次に、上記第１処理用面１と第２処理用面２との間、つまり処理用面間に温度差を生じさせるために、第１処理用部１０及び第２処理用部２０の少なくとも一つに温調機構（温度調整機構）Ｊ１、Ｊ２を設けた場合について説明する。
　この温調機構は特に限定されないが、冷却が目的の場合には処理用部１０、２０に冷却部を設ける。具体的には、温調用媒体としての氷水や各種の冷媒を通す配管、あるいはペルチェ素子などの、電気的もしくは化学的に冷却作用をなすことのできる冷却素子を処理用部１０、２０に取り付ける。
　加熱が目的の場合には処理用部１０、２０に加熱部を設ける。具体的には、温調用媒体としてのスチームや各種の温媒を通す配管、あるいは電気ヒーターなどの、電気的もしくは化学的に発熱作用をなすことのできる発熱素子を処理用部１０、２０に取り付ける。
　また、リング収容部に処理用部と直接接する事の出来る新たな温調用媒体用の収容部を設けても良い。それらにより、処理用部の熱伝導を用いて処理用面を温調する事ができる。また、処理用部１０、２０の中に冷却素子や発熱素子を埋め込んで通電させたり、冷温媒通過用通路を埋め込んでその通路に温調用媒体（冷温媒）を通す事で、内側より処理用面を温調する事もできる。なお、図２５に示した温調機構Ｊ１、Ｊ２は、その一例であって、各処理用部１０、２０の内部に設けられた温調用媒体を通す配管（ジャケット）である。

　上記温調機構Ｊ１、Ｊ２を利用して、一方の処理用面が他方の処理用面よりも温度が高いものとし、処理用面間に温度差を発生させる。例えば、第１処理用部１０を上記いずれかの方法で６０℃に加温し、第２処理用部２０を上記いずれかの方法で１５℃とする。この際、処理用面間に導入された流体の温度は第１処理用面１から第２処理用面２に向かって６０℃から１５℃に変化する。つまり、この処理用面間における流体に温度勾配が発生する。そして、処理用面間の流体はその温度勾配によって対流し始め、処理用面に対して垂直方向の流れが発生する事になる。なお、上記「垂直方向の流れ」とは、流れの方向成分に、少なくとも上記処理用面に対して垂直方向の成分が含まれるものを指す。

　第１処理用面１もしくは第２処理用面２が回転している場合にも、その処理用面に対して垂直方向の流れは継続されるので、処理用面が回転する事による処理用面間のスパイラル状で層流の流れに、垂直方向の流れを付加する事ができる。この処理用面間の温度差は１～４００度、好ましくは５～１００度で実施できる。

　尚、本装置における回転軸５０は、鉛直に配置されたものに限定されるものではない。例えば斜めに配置されていてもよい。処理中、両処理用面１、２間に形成される流体の薄膜により、実質的に重力の影響を排除できるからである。図２５に示す通り、第１導入部ｄ１は、第２ホルダ２１において、第２リング２０の軸心と一致し、上下に鉛直に伸びる。但し、第１導入部ｄ１は、第２リング２０の軸心と一致しているものに限定されるものではなく、両リング１０、２０に囲まれた空間に、第１被処理流動体を供給できるものであれば、第２ホルダ２１の中央部分２２において、上記軸心以外の位置に設けられていてもよく、更に、鉛直でなく、斜めに伸びるものであってもよい。そのどの配置角度の場合であっても、処理用面間の温度勾配によって処理用面に対して垂直な流れを発生させる事を可能としている。

　上記処理用面間における流体の温度勾配において、その温度勾配が小さければ流体に熱伝導が行われるだけであるが、温度勾配がある臨界値を越えると、流体中にベナール対流という現象が発生する。その現象は、処理用面間の距離をL、重力の加速度をg、流体の体積熱膨張率をβ、流体の動粘性率をν、流体の温度伝導率をα、処理用面間の温度差をΔTとするとき、
Ra＝L³・g・β・ΔT／（α・ν）
で定義される無次元数であるレイリー数Raによって支配される。ベナール対流が生じ始める臨界レイリー数は処理用面と被処理物流体との境界面の性質によって異なるが約1700とされている。それより大きな値ではベナール対流が発生する。さらに、そのレイリー数Raが10¹⁰付近より大きな値の条件となると流体は乱流状態となる。つまり、その処理用面間の温度差ΔTもしくは処理用面の距離Lを、レイリー数Raが1700以上になるようにして本装置を調節する事で、処理用面間に処理用面に対して垂直方向の流れを発生する事ができ、上記混合（反応）操作を実施できる。

　しかし上記ベナール対流は、1～１０μｍ程度の処理用面間の距離においては発生しにくい。厳密には１０μｍ以下の間隔中の流体に上記レイリー数を適用し、ベナール対流発生条件を検討すると、水の場合でその温度差に数千℃以上を必要とする事になり、現実的には難しい。ベナール対流は流体の温度勾配における密度差による対流、つまり重力に関係する対流である。１０μｍ以下の処理用面の間は微小重力場である可能性が高く、そのような場所では浮力対流は抑制される。つまり、この装置で現実的にベナール対流が発生するのは、処理用面間の距離が１０μｍを超える場合である。

　処理用面間の距離が1～１０μｍ程度では、密度差による対流ではなく、温度勾配による流体の表面張力差によって対流が発生している。そのような対流がマランゴニ対流であり、処理用面間の距離をL、流体の動粘性率をν、流体の温度伝導率をα、処理用面間の温度差をΔT、流体の密度をρ、表面張力の温度係数（表面張力の温度勾配）をσとするとき、
Ma＝σ・ΔT・L／（ρ・ν・α）
で定義される無次元数であるマランゴニ数によって支配される。マランゴニ対流が発生し始める臨界マランゴニ数は80付近であり、その値よりも大きな値となる条件ではマランゴニ対流が発生する。つまり、その処理用面間の温度差ΔTもしくは処理用面の距離Lを、マランゴニ数Ma が80以上になるようにして本装置を調節する事で、１０μｍ以下の微小流路であっても処理用面間に処理用面に対して垂直方向の流れを発生させる事ができ、上記混合（反応）操作を実施できる。

　レイリー数の計算には以下の式を用いた。

L：処理用面間の距離[ｍ]、 β：体積熱膨張率[1/K]、 g：重力加速度[m/s²]　
ν：動粘性率[m²/s]、 α：温度伝導率[(m²/s)]、 ΔT：処理用面間の温度差[K]　
ρ：密度[kg/m³]、 Cp：定圧比熱[J/kg・K]、 k：熱伝導率[W/m・K]　
T₁:処理用面における高温側の温度[K]、 T₀:処理用面における低温側の温度[K]

　ベナール対流の発生し始めるときのレイリー数を臨界レイリー数Ra_Cとした場合、そのときの温度差ΔT_C1は以下のように求められる。

　マランゴニ数の計算には以下の式を用いた。

L：処理用面間の距離[ｍ]、 ν：動粘性率[m²/s]、 α：温度伝導率[(m²/s)]
ΔT：処理用面間の温度差[K]、 ρ：密度[kg/m³]、 Cp：定圧比熱[J/kg・K]
k：熱伝導率[W/m・K]、 σ_ｔ：表面張力温度係数[N/m・K]
T₁:処理用面における高温側の温度[K]、 T₀:処理用面における低温側の温度[K]

　マランゴニ対流の発生し始めるマランゴニ数を臨界マランゴニ数Ma_Cとした場合、そのときの温度差ΔT_C2は以下のように求められる。

　本発明において、上記流体処理装置の処理用面間の間隙の保持方法は圧力バランスによるものに限定されない。機械的に処理用面間の距離を設定しても良いし、磁気反発、磁気浮上、電磁反発、電磁反発などの原理を用いて処理用面間の距離を保持しても良い。

　接近・離反可能に互いに対向して配設され、少なくとも一方が他方に対して回転する処理用面１、２の材質は、特に制限されないが、セラミックや焼結金属、耐磨耗鋼、その他金属もしくは、金属に硬化処理を施したものや、硬質材をライニングやコーティング、メッキなどにより施工したもの等で作成することが出来る。本発明での、接近・離反可能に互いに対向して配設され、少なくとも一方が他方に対して回転する処理用面１、２間の距離は、０．１μｍ～１００μｍであり、特に１～１０μｍが好ましい。

　析出・沈殿または結晶化のような反応が、図１（Ａ）に示すように、接近・離反可能に互いに対向して配設され、少なくとも一方が他方に対して回転する処理用面１、２の間で強制的に均一混合しながら起こる。微粒子の粒子径や単分散度の制御は処理用部１０、２０の回転数や流速及び処理用面間の距離や、原料濃度、分散媒体等を適宜調整することにより、調節することができる。

　本発明においては、混合流路中での混合は、層流支配下で行なうこともできるし、乱流支配下で行なうこともできる。

　さらに、処理用面間を加熱、冷却したり、あるいは処理用面間にマイクロウェーブを照射することも可能である。また処理用面間に紫外線（ＵＶ）を照射したり、また処理用面間に超音波エネルギーを与える事も可能である。特に、第１処理用面１と第２処理用面２とで温度差を設けた場合は、薄膜流体中で対流を発生させることができるため、これにより反応を促進させることができるという利点がある。

　より具体的に、加熱、冷却については、例えば各処理用部１０、２０の少なくとも一方或いは双方にヒーターや熱媒、冷媒を通すジャケットを設けることにより、薄膜流体を加熱、冷却できるようにする（図２５参照）。あるいは、各処理用部１０、２０の少なくとも一方或いは双方にマイクロウェーブを照射する為の、マグネトロンなどのマイクロ波発生装置を備えることにより、処理流体の加熱、反応促進を行う。また、紫外線（ＵＶ）を照射することについては、例えば各処理用部１０、２０の少なくとも一方或いは双方に紫外線を照射するランプなどの素子を設け、対応する処理用面から薄膜流体に紫外線（ＵＶ）を照射できるようにする。また、超音波エネルギーを与えることについては、例えば各処理用部１０、２０の少なくとも一方或いは双方に超音波発振体を設けることができるし、処理用面間での混合・反応を超音波雰囲気の容器内で行っても実施できる。

　また、上記析出を減圧または真空状態を確保できる容器内で行い、少なくとも処理後流体が吐出される２次側を減圧または真空状態とする事で、析出反応中に発生するガス並びに上記流体中に含まれるガスの脱気、もしくは上記流体の脱溶剤が行える。それにより、微粒子析出とほぼ同時に脱溶剤処理を行う場合にも、処理用面間で析出した微粒子を含む流体が、処理用面より噴霧状態で吐出するため、その流体の表面積が増大し、脱溶剤効率が非常に高い。そのため、これまでよりも簡単に、実質１工程で微粒子作製処理と脱溶剤処理とが行える。

　また前述のように、第１導入部ｄ１、第２導入部ｄ２以外に第３導入部ｄ３を処理装置に設けることもできるが、この場合にあっては、例えば上記各導入部から、貧溶媒、顔料溶液を含む流体、界面活性剤溶液、表面修飾剤等をそれぞれ別々に処理装置に導入することが可能である。そうすると、各溶液の濃度や圧力を個々に管理することができ微粒子が生成する反応をより精密に制御することができる。第４以上の導入部を設けた場合も同様であって、このように処理装置へ導入する流体を細分化できる。

　上記強制超薄膜回転式反応法は、その微小流路のレイノルズ数を自由に変化させる事が可能であるため、粒子径、粒子形状、結晶型など、目的に応じて単分散で再分散性の良い微粒子が作製出来る。しかもその自己排出性により、析出を伴う反応の場合であっても生成物の詰まりも無く、大きな圧力を必要としない。ゆえに、安定的に微粒子を作製でき、また安全性に優れ、装置由来の不純物等の混入もほとんど無く、洗浄性も良い。さらに目的の生産量に応じてスケールアップ可能であるため、その生産性も高い微粒子の製造方法を提供可能である。

　以下に、本発明の顔料微粒子の表面修飾方法について、一例として顔料微粒子が生成する反応及びその表面修飾方法をより詳細に説明する。

　ここで、本発明における修飾基とは、少なくとも粒子表面に導入または結合された官能基またはラジカルを指す。これは、吸着などの方法で粒子表面に存在する物質に含まれる官能基またはラジカルも含む。

（顔料微粒子の作製）
　まず、一つの流路である第１導入部ｄ１より、第１流体として顔料溶液に対して貧溶媒となりうる溶媒を含む流体を、接近・離反可能に互いに対向して配設され、少なくとも一方が他方に対して回転する処理用面１、２間に導入して、この処理用面間に第１流体から構成された薄膜流体を作る。

　次いで別流路である第２導入部ｄ２より、第２流体として、顔料を溶解した顔料溶液を含む流体を、上記、第１流体から構成された薄膜流体に直接導入する。

　上記のように、流体の供給圧と回転する処理用面の間にかかる圧力との圧力バランスによって距離を制御された処理用面１、２間にて、第１流体と第２流体とが薄膜状態を維持したまま、瞬間的に混合され、顔料微粒子が生成する反応を行う事が出来る。

　なお、処理用面１、２間にて上記反応を行う事が出来れば良いので、上記とは逆に、第１導入部ｄ１より第２流体を導入し、第２導入部ｄ２より第１流体を導入するものであっても良い。つまり、各溶媒における第１、第２という表現は、複数存在する溶媒の第ｎ番目であるという、識別のための意味合いを持つに過ぎないものであり、第３以上の溶媒も存在し得る。

　第１流体と第２流体の組み合わせとしては、特に限定されないが、顔料溶液を含む流体と前記顔料溶液よりも顔料に対する溶解度の低い、貧溶媒と成り得る溶媒であれば実施できる。なお、本発明において、良溶媒とは、微粒子原料の溶解度が好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは１％質量以上の溶媒である。また、本発明において、貧溶媒とは、微粒子原料の溶解度が好ましくは０．０１質量％以下、より好ましくは０．００５質量％以下、さらに好ましくは０．００１質量％以下の溶媒である。

　例えば、顔料を溶解するための溶媒としては、特に限定されないが、例えば酸性水溶液の場合は硫酸、塩酸、硝酸、トリフルオロ酢酸、燐酸などを用いる事ができる。その他、１－メチル－２－ピロリジノン、１、３－ジメチル－２－イミダゾリジノン、２－ピロリジノン、ε－カプロラクタム、ホルムアミド、Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ－ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルプロパンアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミドのようなアミド系溶媒やジメチルスルホキシド、ピリジン、又はこれらの混合物等を用いる事ができる。またその他、有機溶媒にアルカリ又は酸の物質を加えた溶液に加えることで顔料を溶解して顔料溶液としても実施できる。前記有機溶媒に加えられるアルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシドなどが挙げられる。酸としては、上記と同様に硫酸、塩酸、硝酸、トリフルオロ酢酸、燐酸などを挙げる事ができる。

　顔料を析出させるための貧溶媒となりうる溶媒としては、特に限定されない。上記顔料を溶解した溶媒よりも、顔料に対する溶解度の低い溶媒を用いて実施できる。例えば、水、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒、芳香族系溶媒、二硫化炭素、脂肪族系溶媒、ニトリル系溶媒、スルホキシド系溶媒、ハロゲン系溶媒、エステル系溶媒、イオン性溶液、またはこれら２種以上の混合溶媒から選択されることが好ましい。

　上記のように、流体の供給圧と回転する処理用面１、２の間にかかる圧力との圧力バランスによって距離を制御された処理用面１、２間にて、第１流体と第２流体とが薄膜状態を維持したまま、瞬間的に混合され、顔料微粒子が生成する反応を行う事が出来る。

（顔料微粒子の表面修飾）
　得られた微粒子の表面修飾は、上記処理用面１、２間にて微粒子の析出と同時または析出直後に行う事もできるし、処理用面１、２間から微粒子が吐出された後に行っても実施できる。これらによって少なくとも顔料表面が、修飾基の導入などにより修飾される。

　以下に、上記製造方法にて得られた顔料微粒子の表面修飾を処理用面間１、２間で行う場合について一例を説明する。

　顔料微粒子の少なくとも表面に修飾基を導入する事は、処理用面１、２間に導入される流体に表面修飾剤を含める事によって実施できる。上記表面修飾剤は、顔料溶液（第１流体）か貧溶媒（第２流体）のいずれか、またはその両方に含まれていても良いし、上記顔料溶液や貧溶媒とも異なる第３の流体に含まれていても良い。また、第１流体及び第２流体の組み合わせとしては特に上記のものに限定されない。

上記のように、接近・離反可能な相対的に回転する２つの処理用面間に１ｍｍ以下の微小間隔を維持し、この微小間隔に維持された２つの処理用面間を被処理流動体の流路とすることによって被処理流動体の薄膜流体（強制薄膜）が形成される。ここで、本発明で言う「薄膜流体（強制薄膜）」とは自由表面を持たない薄膜状の流れを意味する。

　この薄膜流体（強制薄膜）中では、第１流体に対して第２流体が急速かつ完全に拡散する。この薄膜流体（強制薄膜）中では重力の影響が無く、さらに、圧力場及び流体の速度勾配が拡散及び反応速度を助長する効果を有し、非常に効率よい革新的な表面修飾の為の反応場が形成されていると考えられる。そのため、顔料微粒子の析出と、顔料微粒子の表面修飾とを連続して効率よく行えると考える。

　以下に、表面修飾基及び表面修飾剤について具体的な例を挙げる。しかし本発明は、下記例に限定されない。

　表面修飾基として少なくとも顔料表面に導入する修飾基の種類としては特に限定されず、表面処理の目的を分散性の向上を目的とする場合にあっては、例えば分散を目的とする溶媒や、分散剤種に応じて使い分ければ良い。例えば酸性基や塩基性基などの極性基、前記極性基の塩構造、酸素、硫黄等の極性の大きな原子および／または芳香環等が導入された分極率の大きな構造、水素結合性基、ヘテロ環、芳香環等を有する修飾基等が挙げられる。酸性基としては、水酸基（ヒドロキシ基）やスルホン酸基（スルホ基）、カルボン酸基、燐酸基、硼酸基等が挙げられる。塩基性基としてはアミノ基等が挙げられる。水素結合性基としては、ウレタン部位、チオウレタン部位、尿素部位、チオ尿素部位等が挙げられる。

　その他の酸性基（酸性官能基）としては、特に限定されないが、例示すると、－ＳＯ_２ＮＨＣＨ_２ＳＯ_３Ｈ、－ＳＯ_２ＮＨ（ＣＨ_２）_２ＳＯ_３Ｈ、－ＳＯ_２ＮＨ（ＣＨ_２）_３ＳＯ_３Ｈ、－ＳＯ_２ＮＨＣ_６Ｈ_４ＳＯ_３Ｈ、－ＣＨ_２ＮＨＣＯＣＨ_２ＮＨＣＨ_２ＳＯ_３Ｈ、－ＣＨ_２ＮＨＣＯＣＨ_２ＮＨ（ＣＨ_２）_２ＳＯ_３Ｈ、－ＣＨ_２ＮＨＣＯＣＨ_２ＮＨ（ＣＨ_２）_３ＳＯ_３Ｈ、－ＣＨ_２ＮＨＣＯＣＨ_２ＮＨＣ_６Ｈ_４ＳＯ_３Ｈ、－ＣＯＮＨＣＨ_２ＳＯ_３Ｈ、－ＣＯＮＨ（ＣＨ_２）_２ＳＯ_３Ｈ、－ＣＯＮＨ（ＣＨ_２）_３ＳＯ_３Ｈ、－ＣＯＮＨＣ_６Ｈ_４ＳＯ_３Ｈ、－ＳＯ_２ＮＨ（ＣＨ_２）_４ＣＯＯＨ、－ＳＯ_２ＮＨ（ＣＨ_２）_６ＣＯＯＨ、－ＳＯ_２ＮＨＣ_６Ｈ_４ＣＯＯＨ、－ＣＨ_２ＮＨＣＯＣＨ_２ＮＨ（ＣＨ_２）_４ＣＯＯＨ、－ＣＨ_２ＮＨＣＯＣＨ_２ＮＨ（ＣＨ_２）_６ＣＯＯＨ、－ＣＨ_２ＮＨＣＯＣＨ_２ＮＨＣ_６Ｈ_４ＣＯＯＨ、－ＣＯＮＨ（ＣＨ_２）_４ＣＯＯＨ、－ＣＯＮＨ（ＣＨ_２）_６ＣＯＯＨ、および－ＣＯＮＨＣ_６Ｈ_４ＣＯＯＨ等がある。

　例えば、顔料微粒子の表面を酸性基処理、例えばスルホン化処理する場合には、上記第１流体もしくは第２流体に、表面修飾剤としてスルホン化剤を含める事によって実施できる。顔料をスルホン化剤溶液に溶解した顔料のスルホン化剤溶液と貧溶媒となりうる溶媒、例えばイオン交換水や超純水などの水やメタノールやエタノール等のアルコール類、またはアセトン、メチルエチルケトン等のケトン類等から選ばれる少なくとも１種類の溶媒を上記相対的に回転する処理用面１、２間にて混合する事で、表面にスルホ基を導入した顔料微粒子が容易に作製され、処理用面間１、２より表面にスルホ基を導入した顔料微粒子の分散液が吐出される。

　スルホン化剤としては、特に限定されないが、例えば発煙硫酸や濃硫酸、クロロ硫酸、三酸化硫黄、フルオロ硫酸、アミド硫酸、または三酸化硫黄と第三アミンとの錯体、Ｎ－アルキルスルファミド、スルファミン酸またはスルホン化ピリジン塩、三酸化硫黄ピリジン錯体、三酸化硫黄ジメチルホルムアミド錯体、三酸化硫黄トリエチルアミン錯体、三酸化硫黄トリメチルアミン錯体、ジオキサン・２ＳＯ_３、ジオキサン・ＳＯ_３などが挙げられる。

　第１流体及び第２流体の組み合わせとしては特に限定されない。上記スルホン化剤は、顔料溶液、貧溶媒、またはその両方に含まれていても良いし、上記顔料溶液や貧溶媒とも異なる第３の流体に含まれていても良い。例えば、第１流体には、純水やアルコールなどの顔料を析出させる貧溶媒と成り得る溶媒を用い、第２流体に発煙硫酸や、濃硫酸、クロロ硫酸またはそれらの混合物などに顔料を溶解した顔料溶液の様に上記スルホン化剤の顔料溶液を用いる方法などが挙げられる。その他の例としては、第１流体にアミド硫酸や三酸化硫黄、アルキルスルファミド、スルホン化ピリジン塩、三酸化硫黄ピリジン錯体、三酸化硫黄ジメチルホルムアミド錯体、三酸化硫黄トリエチルアミン錯体、三酸化硫黄トリメチルアミン錯体、ジオキサン・２ＳＯ_３、ジオキサン・ＳＯ_３またはこれらの混合物などを溶解または分散した水やアルコールのような、スルホン化剤を含む流体を貧溶媒として用い、第２流体にＮ‐メチルピロリドン（NMP）のような上記スルホン化剤を含まない溶媒などに顔料を溶解した顔料溶液を用いる方法などが挙げられる。

　その他、上記スルホン化以外にも例えば塩基性基処理する場合には、上記第１流体若しくは第２流体に塩基性化合物を含むか、もしくは第３流体に塩基性化合物を含むなどの方法で容易に塩基性処理できる。

　塩基性化合物としては、特に限定されないが、例えば、Ｎａ、Ｋ等アルカリ金属の塩、具体的には水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド等のアルカリ金属の塩、またはＮＨ_３もしくは有機アミンが挙げられる。有機アミンの種類として第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、第四級アミンのそれぞれが使用可能である。具体的に、第一級アミンはエチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ－ブチルアミン、エタノールアミン、イソプロパノールアミン、オクチルアミン、ドデシルアミン、ラウリルアミン、ステアリルアミン、オレイルアミンなど、第二級アミンはジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジエタノールアミン、ジステアリルアミンなど、第三級アミンはトリメチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジメチルエタノールアミン、ジエチルエタノールアミン、ｎ－ブチルジエタノールアミン、Ｎ、Ｎ－ジメチル－１、３－ジアミノプロパン、Ｎ、Ｎ－ジエチル－１、３－ジアミノプロパン、ジメチルオクチルアミン、ジメチルデシルアミン、ジメチルラウリルアミン、ジメチルミリスチルアミン、ジメチルパルミチルアミン、ジメチルステアリルアミン、ジメチルベヘニルアミン、ジラウリルモノメチルアミン、トリオクチルアミンなど、第四級アミンはジメチルジドデシルアンモニウムクロライド、ジメチルジオレイルアンモニウムクロライド、トリメチルステアリルアンモニウムクロライドなどが挙げられる。

　第１流体及び第２流体の組み合わせとしては特に限定されない。上記塩基性化合物は、顔料溶液、貧溶媒、またはその両方に含まれていても良いし、上記顔料溶液や貧溶媒とも異なる第３の流体に含まれていても良い。例えば、第１流体には、純水やアルコールなどの顔料を析出させる貧溶媒と成り得る溶媒を用い、第２流体に上記塩基性化合物またはこれらの混合物に顔料を溶解した顔料溶液の様に上記塩基性化合物の顔料溶液を用いる方法などが挙げられる。その他の例としては、第１流体に上記塩基性化合物またはこれらの混合物を溶解または分散した水やアルコールのような塩基性化合物を含む流体を貧溶媒として用い、第２流体に例えばＮ‐メチルピロリドン（NMP）のような塩基性化合物を含まない溶媒に顔料を溶解した顔料溶液を用いる方法などが挙げられる。その他例えば、第１流体には、純水やアルコールなどの溶媒のように、顔料を析出させる貧溶媒と成り得る溶媒を用い、第２流体として、顔料を溶解した顔料溶液に上記水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシドなどに挙げられるような塩基性物質を含む方法などが挙げられる。その他の例としては、第１流体に上記塩基性物質またはこれらの混合物を溶解または分散した水やアルコールのような塩基性物質を含む流体を貧溶媒として用い、第２流体に例えばＮ‐メチルピロリドン（NMP）、ピリジン、NMP－ピリジンの混合溶媒のような上記塩基性物質を含まない溶媒に顔料を溶解した顔料溶液を用いる方法などが挙げられる。

この塩基性基処理のためには、好ましくは、当該処理前において、顔料微粒子の析出を行う混合流体のpHが７以上である事、または、処理用面１、２間から吐出された流体の、当該処理前におけるpHを７以上に調製する事が好ましい。特に顔料微粒子表面に水酸基を導入する際には、上記の顔料微粒子の製造方法に水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどの塩基を用いる事で導入が容易にできる。

　また、上記方法で得られた、表面がスルホン化処理された顔料の分散体に更に塩基性化合物を加え、顔料表面に先に形成されていた酸性基の少なくとも一部を塩基性化合物で中和した塩を有する修飾基の形成、または、上記酸性基と塩基性基との置換により塩基性基処理をすることもできる。また、その塩基性化合物による中和（塩形成）も例えば流体処理装置に第３流路を用いるなどの方法で処理用面１、２間で行う事ができる。

　また、他の修飾基の例について、下記の修飾基、例えば、－ＯＭ、－ＣＯＯＭ、－ＣＯ－、－ＳＯ_３Ｍ、－ＳＯ_２ＮＨ_２、－ＲＳＯ_２Ｍ、－ＰＯ_３ＨＭ、－ＰＯ_３Ｍ_２、－ＳＯ_２ＮＨＣＯＲ、－ＮＨ_３、－NH_２、－ＮＲ_３（ただし、式中のＭは、水素原子、アルカリ金属、アンモニウムまたは有機アンモニウムを表わし、Ｒは、炭素数１～１２のアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基または置換基を有していてもよいナフチル基、炭素数１～１２のアルキレン基、置換基を有していてもよいフェニレン基または置換基を有していてもよいナフチレン基を表わす。）などで顔料微粒子表面を修飾する場合には前記官能基を含む物質を用いれば良い。前記官能基を含む修飾剤としては、特に限定されないが、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸ナトリウム及びアルギン酸ナトリウム、カルボキシメチルセルロースナトリウム、キサタンガム、カラーギナン、プルラン、及びゼラチンなどの水性高分子化合物が挙げられる。第１流体及び第２流体の組み合わせとしては特に限定されない。上記水性高分子化合物は、顔料溶液、貧溶媒、またはその両方に含まれていても良いし、上記顔料溶液とも貧溶媒とも異なる第３の流体に含まれていても良い。

　表面処理の目的を分散性の向上以外とする場合、例えば、顔料微粒子の表面を撥水性、親油性、または親有機溶媒性とする場合には、上記第１流体若しくは第２流体に親油性官能基を含む表面修飾剤を含む事によって処理用面１、２間より吐出される顔料微粒子表面に修飾基として親油性官能基を導入し、親油性処理する事ができる。親油性官能基としては特に限定されず、目的とする顔料微粒子の種類、溶媒の種類に応じて使い分ければよいが、－C_nH_2n+1、－C₆H₅などが挙げられる。前記親油性官能基を含む表面修飾剤としては、特に限定されないが、ペトロラタム、パラフィンワックス、流動パラフィンなどのパラフィン類、さらにジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル、アルキル変性シリコーンオイル、ポリエーテル変性シリコーンオイル、フロロシリコーンオイル、末端官能基含有シリコーンオイルなどの、前記ポリエーテル変性シリコーン以外のシリコーンオイル、カプリル酸、カプリン酸、ラウリン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸等の長鎖脂肪酸およびそのエステル類、牛脂、豚脂、鱈脂、ヤシ油、パーム油などの天然油脂などが挙げられる。第１流体及び第２流体の組み合わせとしては特に限定されない。上記親油性官能基を含む表面修飾剤は、顔料溶液、貧溶媒、またはその両方に含まれていても良いし、上記顔料溶液や貧溶媒とも異なる第３の流体に含まれていても良い。例えば、第１流体には、純水やアルコールなど溶媒のように、顔料を析出させる貧溶媒と成り得る溶媒を用い、第２流体として、顔料を溶解した顔料溶液に上記親油性官能基を含む表面修飾剤を含む流体を用いる方法などが挙げられる。その他の例としては、第１流体に上記親油性官能基を含む表面修飾剤またはこれらの混合物を溶解または分散した水やアルコールのような親油性官能基を含む物質を含む流体を貧溶媒として用い、第２流体に例えばＮ‐メチルピロリドン（NMP）、ピリジン、NMP－ピリジンの混合溶媒のような上記親油性官能基を含む物質を含まない溶媒に顔料を溶解した顔料溶液を用いる方法などが挙げられる。

　顔料微粒子の表面に表面修飾剤として樹脂を付加する処理を施す場合には、上記第１流体若しくは第２流体に樹脂を含む物質を含む事によって処理用面１、２間より吐出される顔料微粒子表面の少なくとも一部を樹脂で覆い、例えば親水性処理する事ができる。このための樹脂としては特に限定されず、目的とする顔料微粒子の種類、溶媒の種類に応じて使い分ければよい。例えばロジン樹脂及びこれらの誘導体としては、マツ科植物から採取される樹脂酸の一種が重合したものを示し、その樹脂酸としてはアビエチン酸とその類縁体、例えばジヒドロアビエチン酸、デヒドロアビエチン酸、無水アビエチン酸等の成分からなる混合物などが挙げられる。またテルペン樹脂及びこれらの誘導体としては、松の木より得られるテレピン油と柑橘類の皮より得られるオレンジオイルを精製・重合して得られる熱可塑性オリゴマーを示し、テレピン油はα－ピネン、β－ピネン等を主成分とし、オレンジオイルはリモネン等を主成分とした混合物などが挙げられる。シェラック樹脂及びこれらの誘導体としてはラックカイガラ虫の分泌液から抽出された幾多の樹脂酸混合物の重合体であり、詳細にはアレウリチン酸、ジャラール酸、ラクシジャラール酸等がエステル結合して出来た樹脂などが挙げられる。第１流体及び第２流体の組み合わせとしては特に限定されない。上記樹脂は、顔料溶液、貧溶媒、またはその両方に含まれていても良いし、上記顔料溶液とも貧溶媒とも異なる第３の流体に含まれていても良い。例えば、第１流体には、純水やアルコールなど溶媒のように、顔料を析出させる貧溶媒と成り得る溶媒を用い、第２流体として、顔料を溶解した顔料溶液に上記樹脂を含む流体を用いる方法などが挙げられる。その他の例としては、第１流体に上記樹脂をまたはこれらの混合物を溶解または分散した水やアルコールのような樹脂を含む流体を貧溶媒として用い、第２流体に例えばＮ‐メチルピロリドン（NMP）、ピリジン、NMP－ピリジンの混合溶媒のような上記樹脂を含まない溶媒に顔料を溶解した顔料溶液を用いる方法などが挙げられる。

　上記の表面処理は、上記のように、顔料微粒子の表面修飾を処理用面１、２間で行う場合に限らず、顔料微粒子が処理用面１、２間より吐出された後でも実施できる。その場合には、上記の顔料微粒子の表面処理を目的として使用される物質を、顔料微粒子を含む流体が処理用面１、２間から吐出された後、その吐出液に加え、攪拌などの操作により顔料微粒子の表面処理を行う事ができる。また、顔料微粒子を含む流体が吐出された後、透析チューブなどにより、その顔料微粒子を含む流体から不純物を除去してから表面処理を目的とする物質を加えても実施できる。また、処理用面１、２間から吐出された顔料微粒子を含む流体の液体成分を乾燥して顔料微粒子粉体としてから上記表面処理を行う事ができる。具体的には得られた顔料微粒子粉体を目的の溶媒に分散し、上記の表面処理を目的とする物質を加えて攪拌などの処理を施して実施できる。

　以下本発明について、本願出願人による、国際公開ＷＯ２００９/８３８８号パンフレット（特許文献６）に記載されたものと同原理である装置を用いて、銅フタロシアニン微粒子を製造し、表面修飾した実施例を示す。しかし、本発明は下記実施例に限定されるものではない。

　図１（Ａ）に示す、接近・離反可能に互いに対向して配設され、少なくとも一方が他方に対して回転する処理用面１、２の間にできる、薄膜流体（強制薄膜）中で均一に攪拌・混合する装置を用いて、銅フタロシアニンを溶解し、銅フタロシアニン溶液としたものを薄膜流体（強制薄膜）中で溶媒と合流させ、均一混合させて、銅フタロシアニンを析出させる。

　この実施例における「薄膜流体（強制薄膜）」とは、流体の流路が処理用面１、２によって規定されたものであり、かつ、上記流路にて、流体が気体に触れている表面（自由表面）を有していない状態となっているもの、言い換えると、処理用面１、２間が流体に埋めつくされた状態とされた薄膜を言う。

　尚、以下の実施例において、「中央から」というのは、前述した、図１（Ａ）に示す処理装置の「第１導入部ｄ１から」という意味であり、第１流体は、前述の第１被処理流動体を指し、第２流体は、上述した、図１（Ａ）に示す処理装置の第２導入部ｄ２から導入される、前述の第２被処理流動体を指す。また、ここでの「部」は「重量部」のことである。

（体積平均粒子径）
　粒度分布は、ナノトラック粒度分布測定装置　 UPA-EX150〔日機装(株)製〕を用いて測定し、体積平均粒子径を採用した。

（pH測定）
　pH測定はHORIBA製、D-51、測定範囲：０．００～１４．００を使用した。

（イオンクロマトグラフィー）
使用機器: ポンプ (株)島津製作所製 LC-10A
検出器東亜ディーケーケー(株) ICA-3030
カラム日本ダイオネクス(株)製IonPac AS4A-SC+ IonPac AS4A-SC
サプレッサ: 日本ダイオネクス(株)製ASRS-ULTRA 4mm (40 mA)
溶離液: 2.3 mM Na₂CO₃ + 2.1 mM NaHCO₃
流速: 1.5 mL/min
試料導入量: 5 μL

　（ＸＰＳ）
機器名アルバック・ファイ社製「ESCA5600CI」
X線源　：　MgKα　400W

（ＮＭＲ）
日本電子(株)製
JNM-LA500
溶媒：ジメチルスルホキシド-d6　（DMSO-ｄ6）
基準ピーク：2.49ppm（DMSO）
測定温度：120℃　

（ＩＲ）
日本分光(株)製
日本分光(株)製「FT/IR-4100 typeA」
ATR法　分解能４．０ｃｍ^－1
積算回数　１６回

（ＴＯＦ－ＳＩＭＳ）
アルバック・ファイ(株)製
PHI TRIFT IV
一次イオン：Bi₃ ²⁺
一次イオン照射面積：100×100μｍ²
積算時間：3分間

（実施例１）
　中央から第１流体として25℃のエタノールを、供給圧力=0.15MPa、回転数９００ rpmで送液しながら、第２流体として、銅フタロシアニンを５％発煙硫酸（５％ＳＯ_３－Ｈ_２ＳＯ_４）に溶解した銅フタロシアニンの発煙硫酸溶液を１０ml/minで処理用面１、２間に導入し、吐出流量が１００ｇ／ｍｉｎとなるように混合した。吐出された銅フタロシアニン分散液中の銅フタロシアニン微粒子を緩く凝集させ、凝集した銅フタロシアニン微粒子をろ紙とヌッチェを用いてろ過し、エタノールにて洗浄し、６０℃、-０．１ＭＰａの条件で乾燥した。得られた銅フタロシアニン粉末の赤外吸収スペクトルの結果から、原料の銅フタロシアニンとは異なり、1000～1100cm^-1付近にスルホ基由来の肩のピークを確認した。図３０に、IR測定結果をしめす（得られた銅フタロシアニンの赤外吸収スペクトルを実線（図示下側の線）で、原料の銅フタロシアニンのスペクトルを破線（図示上側の線）でしめす）。また、得られた銅フタロシアニン粉末のXPSの結果、スルホ基に帰属されるピークが確認された。硫黄（S）の２ｐ軌道の結合エネルギーのXPS測定結果を図３１に示す。またXPSによる表面の元素分析の結果から、表面の銅フタロシアニン分子、7分子につき、１個のスルホ基が存在している事を確認した。さらに溶媒に重DMSOを用いたNMR測定結果を図３２に示す。NMRの測定結果から、9.6－10.8 ppmに見られるブロードなピークより銅フタロシアニン分子にスルホ基が結合していることを確認した。また、TOF-SIMS測定による、陰イオン側の検出結果より、ｍ／ｚ５７５に銅フタロシアニン由来のピークとｍ／ｚ６５５に銅フタロシアニンにスルホ基が1個導入された構造を確認した。ＴＯＦ－ＳＩＭＳ測定におけるm/z 300～800の測定結果を図３３に示す。得られた銅フタロシアニン乾燥粉体をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)の溶媒にディスパービッグBYK-2000（ビッグケミー社製）の分散剤を銅フタロシアニン粉末重量に対して有効成分で２０％溶解した溶液に得られた銅フタロシアニン粉末を投入し、クレアミックス0.8S（エム・テクニック社製）にて分散処理した。分散処理後の体積平均粒子径は8.3nmであった。得られた銅フタロシアニン微粒子のＴＥＭ写真を図３４に示す。また得られた銅フタロシアニン顔料分散液を純水にて１００倍に希釈し、イオンクロマトグラフィーを測定した結果、硫酸イオンは検出されなかった。

（実施例２）
　中央から第１流体として25℃の純水を、供給圧力=0.15MPa、回転数１０００ rpmで送液しながら、第２流体として、銅フタロシアニンを硫酸に溶解した銅フタロシアニンの硫酸溶液を１０ml/minで処理用面１、２間に導入し、吐出流量が２００ｇ／ｍｉｎとなるように混合した。吐出された銅フタロシアニン分散液中の銅フタロシアニン微粒子を緩く凝集させ、凝集した銅フタロシアニン微粒子をろ紙とヌッチェを用いてろ過し、純水にて洗浄し、６０℃、-０．１ＭＰａの条件で乾燥した。得られた銅フタロシアニン粉末のXPSの結果、水酸基に帰属されるピークが確認された。酸素（O）の1ｓ軌道の結合エネルギーのXPS測定結果を図３５に示す。またXPSによる表面の元素分析の結果から、表面の銅フタロシアニン分子、３分子につき、１個の水酸基が存在している事を確認した。得られた銅フタロシアニン乾燥粉体を純水にドデシル硫酸ナトリウム（ＳＤＳ）の分散剤を銅フタロシアニン粉末重量に対して有効成分で２％溶解した溶液に得られた銅フタロシアニン粉末を投入し、クレアミックス0.8S（エム・テクニック社製）にて分散処理した。分散処理後の体積平均粒子径は14.8nmであった。得られた銅フタロシアニン微粒子のＴＥＭ写真を図３６に示す。

　上記結果より、処理用面１、２間から吐出された銅フタロシアニン微粒子の表面に水酸基を導入した事を確認した。

　上記結果より、処理用面１、２間より吐出した銅フタロシアニン微粒子表面が水酸基処理及び親水性処理されている事を確認した。

（比較例１）
　中央から第１流体として25℃の純水を、供給圧力=0.15MPa、回転数９００ rpmで送液しながら、第２流体として、銅フタロシアニンをＮ‐メチルピロリドン（NMP）とピリジンの1：1混合溶媒に溶解した銅フタロシアニンの溶液を１０ml/minで処理用面１、２間に導入し、吐出流量が１００ｇ／ｍｉｎとなるように混合した。吐出された銅フタロシアニン分散液中の銅フタロシアニン微粒子を緩く凝集させ、凝集した銅フタロシアニン微粒子をろ紙とヌッチェを用いてろ過し、純水にて洗浄し、６０℃、-０．１ＭＰａの条件で乾燥した。得られた銅フタロシアニン粉末のXPSの結果、スルホ基または水酸基のような表面修飾基に帰属されるピークは確認されなかった。NMRの測定結果を図３７に示す。NMRの測定結果、銅フタロシアニン分子由来のピーク以外は観測されず、銅フタロシアニンに結合したスルホ基由来のピークも観測されなかった。また、ＸＰＳの結果からも、銅フタロシアニン由来のピーク以外は観測されなかった。銅フタロシアニン分子に官能基を導入していない事を確認した。得られた銅フタロシアニン乾燥粉体をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)の溶媒にディスパービッグBYK-2000（ビッグケミー社製）の分散剤を銅フタロシアニン粉末重量に対して有効成分で５０％溶解した溶液に得られた銅フタロシアニン粉末を投入し、クレアミックス0.8S（エム・テクニック社製）にて分散処理した。分散処理後の体積平均粒子径は304nmであった。得られた銅フタロシアニン微粒子のＴＥＭ写真を図３８に示す。一次粒子は１０nm程度のものが見られるが、凝集している様子が確認できた。本比較例においては、銅フタロシアニン顔料微粒子の表面に修飾基を導入していないため、分散性が低いと判断した。

（実施例３～６）
　次に、上記とは別の実施例について説明する。

（実験装置および実験方法）
　本実施例でも、上記の各実施例と同様、銅フタロシアニン微粒子の表面処理を、本願出願人による、国際公開ＷＯ２００９/８３８８号パンフレット（特許文献６）に記載されたものと同原理である装置（Forced thin film reactor、エム・テクニック(株)製、商品名ULREA、以下「FTFR」と略記）を用いて行った。そして、上記表面処理した銅フタロシアニン微粒子およびその表面状態を、赤外吸収スペクトル(IR)、Ｘ線光電子分光法(XPS)、飛行時間型二次イオン質量分析 (TOF-SIMS)を用いて解析した。さらに、異なる表面処理を施した銅フタロシアニン微粒子の水溶液系および有機溶媒系への分散性を評価した。

（試薬）
　原料の銅フタロシアニンは、上記実施例６と同じβ型銅フタロシアニン（商品名：PV　FAST　BLUE　BG、クラリアントジャパン(株)製）を用いた。銅フタロシアニンを溶解するための濃硫酸および発煙硫酸は、98%濃硫酸（試薬特級、キシダ化学(株)製）および発煙硫酸(試薬特級、SO₃濃度30%、ヨツハタ化学工業(株)製)を用いた。SO₃濃度5%の発煙硫酸は98%濃硫酸およびSO₃濃度30%の発煙硫酸を窒素雰囲気下で混合することで調製した。銅フタロシアニン微粒子の水分散液を作製するための界面活性剤は、ドデシル硫酸ナトリウム（試薬一級、関東化学(株)製、以下、上記実施例６と同様に「SDS」と略記）を用いた。銅フタロシアニン微粒子の有機溶剤分散液を作製するための有機溶剤には、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（試薬特級、関東化学(株)製、以下「PGMEA」と略記）およびプロピレングルコールモノメチルエーテル（試薬特級、関東化学(株)製、以下「PGME」と略記）を用いた。有機溶剤分散液を作製するための界面活性剤としては、Disperbyk-2000（変性アクリル系共重合物、アミン価4mg KOH/g、有効成分40%、ビックケミー・ジャパン(株)製）を用いた。pH調整に用いた水酸化ナトリウム水溶液は、水酸化ナトリウム（試薬特級、関東化学(株)製）を純水に溶解して調製した。

（銅フタロシアニン微粒子の析出（晶析）方法および表面処理方法）
　実験条件を表１に示す。なお、以下では、実施例３を「Ex.1」とも表記し、実施例４を「Ex.2」とも表記し、実施例５を「Ex.3」とも表記し、実施例６を「Ex.4」とも表記している。

　銅フタロシアニンを濃硫酸（実施例３～５）、またはSO₃濃度5％の発煙硫酸（実施例６）に溶解して銅フタロシアニン溶液を調製した。FTFRの処理用面１，２間に中央から第１流体（表３中の「Fluid [A]」）として純水を送液温度20℃で送液しながら処理用部の回転を開始し、第２流体（表３中の「Fluid [B]」）として銅フタロシアニン溶液を処理用面１，２間に投入した。処理用面１，２間において銅フタロシアニン微粒子が析出し、銅フタロシアニン微粒子水分散液として処理用面１，２間より吐出された。吐出された銅フタロシアニン微粒子水分散液を25℃恒温室にて22時間静置した（実施例５（Ex.3）、実施例６（Ex.4））。また、実施例３（Ex.1）および実施例４（Ex.2）においては、吐出された銅フタロシアニン微粒子水分散液(pH 1.58、実施例５（Ex.3）)を3 mol/L 水酸化ナトリウム水溶液を用いてpH 7.01（実施例４（Ex.2））およびpH 12.55（実施例３（Ex.1））に調整し、25℃恒温室にて22時間静置した。

（銅フタロシアニン微粒子の洗浄方法および乾燥粉体の作製）
　上記のように静置した銅フタロシアニン微粒子水分散液において銅フタロシアニン微粒子が凝集・沈降していることを確認した。沈降した銅フタロシアニン微粒子は真空アスピレーターを使用し、濾布（目開き 10 μm）を用いて濾集し、純水にて数回洗浄した後、銅フタロシアニン微粒子ペーストを得た。銅フタロシアニン微粒子ペーストを、60℃、-0.1MPaGの条件で23時間真空乾燥して乾燥粉体を得た。

（銅フタロシアニン微粒子分散液の作製）
　SDSを純水に溶解し、0.2wt%SDS水溶液を調製した。前記の銅フタロシアニン微粒子ペーストに純水および0.2wt%SDS水溶液を加え、銅フタロシアニン微粒子水分散液を調製した。（処方条件：銅フタロシアニン微粒子固形分濃度2wt%、SDS濃度0.1wt%）調製した銅フタロシアニン微粒子水分散液1Lを回転式乳化分散機（商品名：クレアミックス、エム・テクニック(株)製）を用い、ローター回転数20000 rpmにて分散処理した。

　また、Disperbyk-2000をPGMEAとPGMEとの混合溶液（体積比PGMEA/PGME=4/1）に溶解し、有効成分濃度2wt%Disperbyk-2000溶液を調製した。前記の銅フタロシアニン微粒子乾燥粉体にPGMEAとPGMEとの混合溶液および有効成分濃度2wt%Disperbyk-2000溶液を加え、銅フタロシアニン微粒子有機溶剤分散液を調製した。（処方条件：銅フタロシアニン微粒子固形分濃度2wt%、Disperbyk-2000有効成分濃度1wt%）。調製した銅フタロシアニン微粒子有機溶剤分散液5Lを回転式乳化分散機（商品名：クレアミックスダブルモーション、エム・テクニック(株)製）を用いて、ローター／スクリーン回転数18000／16200 rpmにて分散処理した。

（測定）
　銅フタロシアニン微粒子粉体の赤外吸収スペクトル(IR)は、日本分光(株)製のFT/IR-4100 type A（測定条件：ATR法、分解能4.0 cm^-1、積算回数16回）を用いて測定した。X線光電子分光法(XPS)は、(株)島津製作所製　ESCA3300s （X線源：AlKα線(1486.6 eV)、出力10kV、 20mA、結合エネルギーの基準は、C_1S ピークのうち最も低い結合エネルギーを284.6 eVとした。）を用いて測定した。飛行時間型二次イオン質量分析 (TOF-SIMS)はアルバック・ファイ(株)製PHI TRIFT IV（測定条件：イオン種Bi₃ ⁺⁺、加速電圧30 keV、イオン電流0.7 nA（Bi₃ ⁺⁺のみ）ラスター範囲100 μm、質量範囲0-1850 atomic mass unit）を用いて測定した。

　銅フタロシアニン微粒子分散液の粒度分布測定には、日機装(株)製の動的光散乱方式粒度分布測定装置マイクロトラックUPA-150（測定条件：粒子屈折率1.51、粒子比重1.0 g/cm³、測定時間3 min）を用いて測定した。測定に用いた希釈溶媒は銅フタロシアニン微粒子水分散液の測定には純水を使用し、銅フタロシアニン微粒子有機溶剤分散液の測定にはPGMEAとPGMEとの混合溶媒（体積比PGMEA/PGME＝4/1）を使用した。D₅₀（体積50%径）及びD₉₀（体積90%径）は、粒子の全体積を100%として累積カーブを求めたとき、その累積カーブが各々50%、90%となる点の粒子径である。分散液のスペクトル測定には、(株)島津製作所製の紫外可視分光光度計UV-2450（測定条件：サンプリングレート0.2 nm、測定速度低速、石英セル使用）を用いて測定した。

（表面処理銅フタロシアニン微粒子の赤外吸収スペクトル）
　図３９に銅フタロシアニン微粒子の指紋領域における赤外吸収スペクトルを示す。全ての実験条件において、フタロシアニン骨格の振動に起因されるピーク（約1117-1118、1089-1090、1065-1066、943、864-865、717-719 cm^-1）が確認された。さらに実施例６（Ex.4）のスペクトルには、1388cm^-1付近に肩のピーク（図中、＊を施したピーク）が確認され、第２流体に発煙硫酸を用いて調製した銅フタロシアニン微粒子にスルホ基が存在し、表面処理がなされたことを確認した。

（表面処理銅フタロシアニンナノ粒子のXPS測定）
　表２に、 C _1s、N _1s、Cu _2p3/2、Cu _2p1/2、S _2p、O _1s のXPSスペクトルにおいて確認されたピークの結合エネルギー(Binding Energy)を示す。実施例３（Ex.1）～実施例６（Ex.4）について確認されたC _1s、N _1s、Cu _2p3/2、Cu _2p1/2それぞれのピークは、これまで報告されている銅フタロシアニンのXPS測定結果（T. Enokida, R. Hirohashi : Mol. Cryst. Liq. Cryst., 195, 265 (1991)／Y. Niwa, H. Kobayashi, T．Tsuchiya : J. Chem. Phys.，60， 799（1974））と一致し、実験条件による違いは確認されなかった。しかし図４０に見られるように、実施例６（Ex.4）にはS_2Pピークが確認され、IR測定において観測されたスルホ基に由来するピークと考えられる。また、実施例３（Ex.1）～実施例６（Ex.4）について確認されたO_1sピーク（532.7 eV）も過去に報告されている測定（Y. Niwa, H. Kobayashi, T．Tsuchiya : J. Chem. Phys.，60， 799（1974）／J. Mizuguchi : Jpn. J. Appl. Phys., 21, 822（1982））と同様の結果であり、銅フタロシアニンナノ粒子の表面に吸着した酸素に由来するピークと考えられる。しかし、図４１（Ａ）（Ｂ）に見られるように実施例３（Ex.1）および実施例６（Ex.4）のO_1sピークは複数成分からなることが確認された。各図中に破線にて示した波形分離の結果、実施例３（Ex.1）のO_1sピークは532.7 eVと530.4 eVの2成分に分離され、実施例６（Ex.4）のピークは532.7 eVと530.8 eVの2成分に分離された。実施例６（Ex.4）の530.8 eVに位置するピークはスルホ基に由来するピークと考えられる。実施例３（Ex.1）のO_1sピークについて530.4 eVに位置するピークは実施例６（Ex.4）のスルホ基に由来するピークよりもさらに低エネルギー側に位置することから、硫黄よりも電気陰性度の小さい水素と酸素との結合によって生じたピークと考えられるため、実施例３（Ex.1）の条件で調製された銅フタロシアニンナノ粒子の表面には、水酸基が存在することが示唆された。

（表面処理銅フタロシアニン微粒子のTOF-SIMS測定）
　図４２（Ａ）（Ｂ）にTOF-SIMS測定におけるネガティブマススペクトルを示す。図示から明らかなように、実施例３（Ex.1）、実施例６（Ex.4）ともに銅フタロシアニンの分子ピーク（m/z=575u）を確認した。さらに実施例６（Ex.4）については、m/z=575uより80 u（SO₃に相当する）高い位置、m/z=655uにも特徴的なピークを確認した。図４３（Ａ）（Ｂ）に実施例３（Ex.1）および実施例６（Ex.4）において得られたネガティブマススペクトルの銅フタロシアニン質量領域を、図４４に実施例６（Ex.4）において得られたネガティブマススペクトルの銅フタロシアニンのスルホン化物質量領域をそれぞれ示す。各図に示した灰色の線は、銅フタロシアニン（図４３）または銅フタロシアニンのスルホン化物（図４４）の安定同位体の存在比の理論値であり、測定結果が理論値に良く一致していることが分かる。実施例３（Ex.1）の562、588uおよび実施例６（Ex.4）の562、590uについては、測定に際して発生した銅フタロシアニンの分解物と考えられた。

以上の結果より、実施例６（Ex.4）の条件で調製した銅フタロシアニン微粒子の表面に銅フタロシアニンのスルホン化物が存在することを確認し、表面処理により粒子表面にスルホ基を導入できたことを確認した。実施例３（Ex.1）の条件で調製した銅フタロシアニン微粒子に関しては、上記のようにXPSとTOF-SIMSの測定結果が一致していないために表面構造を断定することができないが、水酸基が導入されている可能性が示唆された。

（表面処理銅フタロシアニン微粒子の有機溶媒分散性）
　図４５に実施例３（Ex.1）および実施例６（Ex.4）の実験条件にて調製した銅フタロシアニン微粒子の有機溶剤分散液について分散処理時間に対する粒子径の変化を示す。また、処理後の粒度分布を図４６に示す。実施例６（Ex.4）の条件で調製した銅フタロシアニン微粒子は、10nm以下の数nmの粒子にまで分散が可能であったのに対して、実施例３（Ex.1）の銅フタロシアニン微粒子は、60 - 200 nm程度の分散であった。実施例６（Ex.4）の銅フタロシアニン微粒子は、表面にスルホ基が導入されているため、アミン価をもつ分散剤がより吸着されるためより効果的に分散が行われたと考えられた。また、実施例６（Ex.4）の銅フタロシアニン微粒子は数nmの粒子にまで分散されていることからも、各々の粒子に均一に表面処理が施されていると考えられる。

（表面処理銅フタロシアニン微粒子の水分散性）
　図４７に実施例３（Ex.1）、実施例４（Ex.2）および実施例５（Ex.3）の銅フタロシアニン微粒子の水分散液について、分散処理時間に対する粒子径の変化を示す。また、処理後の粒度分布を図４８に示す。実施例３（Ex.1）の条件で調製した銅フタロシアニン微粒子は、数nmの粒子にまで分散が可能であったのに対して、実施例４（Ex.2）および実施例５（Ex.3）の銅フタロシアニン微粒子は、処理20分後以降の分散粒子径に変化が確認されず、150 - 300 nm程度の分散であった。有機溶剤分散液の分散処理と同様に、実施例３（Ex.1）の銅フタロシアニン微粒子は数nmの粒子にまで分散されていることから、各々の粒子に均一に表面処理が施されていると考えられる。

（表面処理銅フタロシアニン微粒子分散液の透過スペクトル）
　図４９に実施例３（Ex.1）の水分散液および実施例６（Ex.4）の有機溶剤分散液について波長領域350 -800 nmにおける、0.005wt%-銅フタロシアニン粒子分散液の透過スペクトルを示す。

　実施例３（Ex.1）および実施例６（Ex.4）のスペクトル形状には、ほぼ相違が無く、銅フタロシアニン微粒子の表面に存在する官能基がスペクトル特性に与える影響は小さいと考えられる。また、銅フタロシアニン微粒子が水溶液系においても有機溶媒系においても同様の透過スペクトルを示すことが分かった。

　１　第１処理用面
　２　第２処理用面
１０　第１処理用部
１１　第１ホルダ
２０　第２処理用部
２１　第２ホルダ

Claims

　接近・離反可能、且つ相対的に変位する処理用面の間に被処理流動体を供給し、
当該流動体の供給圧と回転する処理用面の間にかかる圧力とを含む接近方向への力と離反方向への力との圧のバランスによって処理用面間の距離を微小間隔に維持し、
この微小間隔に維持された２つの処理用面間を被処理流動体の流路とすることによって、
被処理流動体が薄膜流体を形成し、
この薄膜流体中において顔料微粒子が生成され、
上記生成された顔料微粒子を表面修飾する事を特徴とする、顔料微粒子の表面処理方法。
　被処理流動体に圧力を付与する流体圧付与機構と、
第１処理用部、及び、この第１処理用部に対して相対的に接近・離反可能な第２処理用部の、少なくとも２つの処理用部と、
上記の第１処理用部と第２処理用部とを相対的に回転させる回転駆動機構とを備え、
上記の各処理用部において互いに対向する位置に、第１処理用面及び第２処理用面の少なくとも２つの処理用面が設けられており、
上記の各処理用面は、上記圧力の被処理流動体が流される、密封された流路の一部を構成するものであり、
上記第１処理用部と第２処理用部のうち、少なくとも第２処理用部は受圧面を備えるものであり、且つ、この受圧面の少なくとも一部が上記の第２処理用面により構成され、
この受圧面は、上記の流体圧付与機構が被処理流動体に付与する圧力を受けて第１処理用面から第２処理用面を離反させる方向に移動させる力を発生させ、
接近・離反可能、且つ相対的に回転する第１処理用面と第２処理用面との間に上記所定圧力の被処理流動体が通されることにより、上記被処理流動体が上記薄膜流体を形成し、
この薄膜流体中において顔料微粒子が生成され、
上記生成された顔料微粒子を表面修飾する事を特徴とする、請求項１記載の顔料微粒子の表面処理方法。
[規則91に基づく訂正 14.12.2009]　
　上記の流体圧付与機構から圧力を付与された一種の被処理流動体が上記第１処理用面と第２処理用面との間に通され、
上記の一種の被処理流動体とは異なる他の一種の被処理流動体が通される独立した別途の導入路を備え、この導入路に通じる少なくとも一つの開口部が上記第１処理用面と第２処理用面の少なくとも何れか一方に設けられ、
この導入路から上記の他の一種の被処理流動体を、上記両処理用面間に導入し、
前記一種の被処理流動体と他の一種の被処理流動体とを、上記薄膜流体中で混合する事を特徴とする、請求項２記載の顔料微粒子の表面処理方法。
[規則91に基づく訂正 14.12.2009]　
　上記顔料微粒子の表面修飾を、上記薄膜流体中において行う事を特徴とする、請求項１から３いずれか記載の顔料微粒子の表面処理方法。
　上記表面修飾が、上記顔料微粒子の表面を酸性基処理する事によってなされる事を特徴とする請求項１から４いずれか記載の顔料微粒子の表面処理方法。
　上記表面修飾が、上記顔料微粒子の表面を塩基性基処理する事によってなされる事を特徴とする請求項１から４いずれか記載の顔料微粒子の表面処理方法。
　上記請求項１から６いずれか記載の顔料微粒子の表面処理方法にて得られた顔料微粒子。
　上記請求項１から６いずれか記載の顔料微粒子の表面処理方法にて得られた顔料微粒子の分散液。