WO2010090078A1

WO2010090078A1 - 輻射量低減装置

Info

Publication number: WO2010090078A1
Application number: PCT/JP2010/050695
Authority: WO
Inventors: 幸憲清田; 賢生杉田
Original assignee: ソニー株式会社
Priority date: 2009-02-03
Filing date: 2010-01-21
Publication date: 2010-08-12
Also published as: CN102301844A; BRPI1007480A2; JP2010182743A; SG172962A1; TW201043130A; KR20110111425A; EP2395828A1; RU2011131249A; US20120024587A1

Abstract

【課題】電子回路等の電磁波発生源から輻射されるノイズ（電磁波）を、より効果的に、用意かつ安価に抑制することができる輻射量低減装置を提供すること。【解決手段】この輻射量低減装置１００は、電磁波発生源Ｒの少なくとも一面全体を覆うことが可能な金属板１０の面内に設定されたカバー領域Ａｒにおいて帯状に形成され、相互に離隔した複数のスリットＳＡ～ＳＤを有し、複数のスリットＳＡ～ＳＤそれぞれは、強磁界位置ＢＡ～ＢＤから、カバー領域の中央Ｏに向けて延長形成された引込スリットＳ１Ａ～Ｓ１Ｄと、引込スリットにおけるカバー領域中央方向の端部から、他のスリットと平行に並んで延長形成された結合スリットＳ２Ａ～Ｓ２Ｄと、を有する。

Description

輻射量低減装置

　本発明は、輻射量低減装置に関する。

　近年、テレビ・コンピュータ・カメラ・携帯電話をはじめとする電子機器の進歩とともに、機器内部に使用されている例えばＣＰＵ・ＬＳＩ・クロックＩＣ・周辺半導体等の高密度化、高集積化及びプリント配線の高密度化が進んでいる。そして、これらの電子部品等で取り扱われる周波数の成分も高周波化されている。

　これに伴い、電子部品から発生する輻射ノイズ（電磁波）及びプリント基板に形成されているラインパターンから発生する伝導ノイズ（電磁波）による、人体への影響・誤動作・機能不全・特性劣化などが問題となってきている。このためＥＭＣ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｍａｇｎｅｔｉｃ　Ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ）・ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｍａｇｎｅｔｉｃ　Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）・ＥＭＳ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｍａｇｎｅｔｉｃ　Ｓｕｓｃｅｐｔｉｂｉｌｉｔｙ）対策がさらに求められてきている。

特開平７－２１２０７９号公報特開平１１－３５４９６６９号公報特開平９－３１２４８９号公報特開２００７－９５９７１号公報

　一般的に電子機器において不要電波を低減するための手段として、シールドケースによって、電子機器から輻射される不要電波や不要ノイズを抑制する機構が主流である。

　これは、導電性を有する金属板をシールド板として用い、基板から発生した輻射ノイズを反射させて封じ込める方式である（上記特許文献１参照。）。この方式は、放射ノイズの漏洩に効果はあるが、多種のＩＣ等の部品やパターンからの放射ノイズがシールドケースにより反射され、散乱した放射ノイズ同士の電磁波干渉を助長してしまう恐れがある。更に、放射ノイズ等の電磁波の輻射を低減させるために、このシールドケース構造は複雑化しており、結果製造コストの増加に繋がっているのが実情である（上記特許文献２参照。）。

　このようなシールドケース等を使用した場合、筐体を構成しているカバーとシールドケースとの間の接合には、ネジ止め、板バネ、ガスケットなどが用いられている。

　ネジ止めによる接合の場合は、煩雑なネジ止め作業が必要であり、シールド効果を高める為にカバーとシールドケースとの間のネジの設置箇所を増やす必要がある。よって、ネジ止め作業が増え、組み立て作業効率を著しく低下させてしまっている。

　板バネを用いた場合は、板バネ自体の作成作業が相当かかり、取り付け工数の大きな増大となりコストの増加になってしまっている。

　導電性金属粉を添加させたガスケット、絶縁性軟磁性体を有した物の場合は、ガスケット、シート自体が高価であるとともに、取り付け構造に制約を受け、使用箇所が大きく限定されてしまう。

　また、上記特許文献３には、ＥＭＩ対策のうち、ケーブル等からの放射ノイズを対象に対策を行う複合磁性体が開示されている。しかし、この方式では、プリント基板に形成されているラインパターンから発生する伝導ノイズを抑制することは難しい。よって、抑制しきれない導電ノイズが、スイッチング動作による電源電圧変動等により発生し、電子機器、回路等に影響を与えてしまう。

　また、上記特許文献４には、電磁波を輻射する輻射部を覆う電磁波遮断シートが開示されている。しかし、このシートは、複雑な構成を有するため製造工程が増大するばかりか、高価であるため製品の製造コストを増加させる恐れがある。

　このように輻射防止方法には、一長一短有り、適切に輻射ノイズや伝導ノイズを抑えることが可能で、用意かつ安価な方法の開発が望まれている。これに対して、上述のように高周波化等によりますますノイズの低減が望まれる電子回路は複雑化しているため、様々な位置及び周波数のノイズが発生している。このようなノイズは均一化されておらず、上記のようなシールドケース構造等による対策は複雑を極めてしまっており、かつ、シールドケースによるノイズ低減にも限界がある。よって、輻射低減を効果的に行え、用意かつ安価な輻射防止手段が希求されている。

　そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、電子回路等の電磁波発生源から輻射されるノイズ（電磁波）を、より効果的に、用意かつ安価に抑制することが可能な、新規かつ改良された輻射量低減装置を提供することにある。

　上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、電磁波を輻射する電磁波発生源の少なくとも一面全体を覆うことが可能な金属板と、
　上記金属板の面内に設定され上記一面全体を覆うカバー領域と、
　少なくとも上記カバー領域において帯状に形成され、相互に離隔した複数のスリットと、
を有し、
　上記複数のスリットそれぞれは、
　上記電磁波により上記カバー領域の中央を取囲む周方向に流れる周状電流を上記カバー領域中央方向に導くように、上記カバー領域の外周において上記電磁波により上記電磁波発生源との間に生じる磁界が他の位置よりも強くなる強磁界位置それぞれから、上記カバー領域の中央に向けて延長形成された引込スリットと、
　上記引込スリットが導いた周状電流を、上記カバー領域周方向一側で相隣接した他の上記スリットとの間へと導くように、上記引込スリットにおける上記カバー領域中央方向の端部から、上記一側の他の上記引込スリットと平行に並んで延長形成された結合スリットと、
を有する、輻射量低減装置が提供される。

　また、上記スリットは、Ｎを正の整数として、上記金属板上に２^Ｎ本形成されてもよい。

　また、上記複数のスリットは、相互に上記カバー領域中央を基準として点対称に配置されてもよい。

　また、上記カバー領域は、上記金属板全域であり、
　上記金属板は、中央から外周までの距離が不均一に形成され、
　上記強磁界位置は、上記金属板外周で相隣接し上記中心距離が他の部位に比べて長いエッジ位置間の中間のエッジ位置であってもよい。

　また、上記金属板は、Ｍを２以上の正の整数として、外周にコーナを２^Ｍ個有する多角形に形成され、
　上記強磁界位置は、上記コーナ間の中間のエッジ位置であってもよい。

　また、上記金属板は、正多角形であってもよい。

　また、上記強磁界位置は、上記電磁波発生源の一面におけるコーナ間の中間のエッジ位置に対応する、上記カバー領域外周上の位置であってもよい。

　また、上記カバー領域は、上記金属板全域であり、
　上記金属板は、中央から外周までの距離が均一である円状に形成されてもよい。

　以上説明したように本発明によれば、電子回路等の電磁波発生源から輻射されるノイズ（電磁波）を、より効果的に、用意かつ安価に抑制することができる。

本発明の第１実施形態に係る輻射量低減装置の構成について説明するための説明図である。同実施形態に係る輻射量低減装置の構成について説明するための説明図である。同実施形態に係る輻射量低減装置の作用例について説明するための説明図である。同実施形態に係る輻射量低減装置の作用例について説明するための説明図である。同実施形態に係る輻射量低減装置の作用例について説明するための説明図である。同実施形態に係る輻射量低減装置の作用例について説明するための説明図である。同実施形態に係る輻射量低減装置の実施例について説明するための説明図である。同実施形態に係る輻射量低減装置の実施例について説明するための説明図である。同実施形態に係る輻射量低減装置の実施例について説明するための説明図である。同実施形態に係る輻射量低減装置の実施例について説明するための説明図である。同実施形態に係る輻射量低減装置の実施例について説明するための説明図である。同実施形態に係る輻射量低減装置の実装例について説明するための説明図である。同実施形態に係る輻射量低減装置の実装例について説明するための説明図である。同実施形態に係る輻射量低減装置の実装例について説明するための説明図である。同実施形態に係る輻射量低減装置の実装例について説明するための説明図である。同実施形態に係る輻射量低減装置の実装例について説明するための説明図である。同実施形態に係る輻射量低減装置の実装例について説明するための説明図である。同実施形態に係る輻射量低減装置の変更例について説明するための説明図である。同実施形態に係る輻射量低減装置の変更例について説明するための説明図である。同実施形態に係る輻射量低減装置の変更例について説明するための説明図である。同実施形態に係る輻射量低減装置の変更例について説明するための説明図である。同実施形態に係る輻射量低減装置の変更例について説明するための説明図である。同実施形態に係る輻射量低減装置の変更例について説明するための説明図である。同実施形態に係る輻射量低減装置の更なる変更例について説明するための説明図である。同実施形態に係る輻射量低減装置の更なる変更例について説明するための説明図である。関連技術に係る輻射量低減装置について説明するための説明図である。

　１０，９０　　金属板
　１１，１２，１３，１４　　金属板片
　１５，１６，１７，１８　　金属板片
　２１，２３　　シールドケース
　２２　　基板
　３１　　接着剤
　１００，１０１，１０２，１０３，１０４，１０５　　輻射量低減装置
　１０６，１０７，１０８，１０９，１１０，１１１　　輻射量低減装置
　９００　　関連技術に係る輻射量低減装置
　Ａ，Ｂ　　領域
　Ａｒ　　カバー領域
　ＢＡ，ＢＣ，ＢＢ，ＢＤ　　　　　強磁界位置
　Ｄ　　受信プローブ
　Ｈ　　磁場
　Ｉ，Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３，Ｉ４　　　周状電流
　Ｒ　　ノイズ発生源
　Ｎ　ノイズ
　Ｏ　中央部
　ＰＡ，ＰＢ，ＰＣ，ＰＤ　　　　　平行位置
　ＳＡ，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤ　　スリット
　ＳＥ，ＳＦ，ＳＧ，ＳＨ　　スリット
　Ｓ１Ａ，Ｓ１Ｂ，Ｓ１Ｃ，Ｓ１Ｄ　　引込スリット
　Ｓ１Ｅ，Ｓ１Ｆ，Ｓ１Ｇ，Ｓ１Ｈ　　引込スリット
　Ｓ２Ａ，Ｓ２Ｂ，Ｓ２Ｃ，Ｓ２Ｄ　　結合スリット
　Ｓ２Ｅ，Ｓ２Ｆ，Ｓ２Ｇ，Ｓ２Ｈ　　結合スリット
　Ｓ３Ａ，Ｓ３Ｂ，Ｓ３Ｃ，Ｓ３Ｄ　　補助スリット
　Ｓ４Ａ，Ｓ４Ｂ，Ｓ４Ｃ，Ｓ４Ｄ　　補助スリット
　Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４　　補助連結スリット
　Ｔ１　　支持板
　Ｔ２　　ビニール皮膜
　ＶＡ，ＶＢ，ＶＣ，ＶＤ，ＶＯ　　強電界位置
　Ｘ　　　被測定対象

　以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

　なお、本発明の各実施形態に係る輻射量低減装置は、様々な電磁波発生源に対して使用することが可能である。電磁波発生源としては、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）・ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ　Ｓｃａｌｅ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）・クロックＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）・周辺半導体・プリント基板・配線・コイル・抵抗・コンデンサなど様々な電子素子から、これらが組合わさって形成された電子機器まで多種多様である。この輻射量低減装置の適用先は、これら電磁波発生源の例に限定されず、電磁波を発する様々な部位に適用することができる。この際、輻射量低減装置は、電磁波発生源が輻射する電磁波を伝搬させたくない方向側の電磁波発生源に密着して配置されるかその近傍に配置される。もちろん、輻射量低減装置は、電磁波発生源の遠方に配置されても良いが、電磁波の遮蔽又は減衰効率や、装置全体の空間効率等を考慮すると、電磁波発生源の側に配置されることが望ましい。このような輻射量低減装置についての理解が容易になるように、以下では、次の順序で説明する。

　１．関連技術に係る輻射量低減装置
　２．第１実施形態に係る輻射量低減装置
　　２－１．輻射量低減装置の構成
　　２－２．輻射量低減装置の作用例
　　２－３．輻射量低減装置の実施例
　　２－４．輻射量低減装置の実装例
　　２－５．輻射量低減装置の変更例
　　２－５．輻射量低減装置の効果の例

　＜１．関連技術に係る輻射量低減装置＞
　まず、図１０を参照しつつ、関連技術に係る輻射量低減装置について説明する。図１０は、関連技術に係る輻射量低減装置について説明するための説明図である。

　図１０では、金属板９０を、電磁波の遮蔽シールド、つまり関連技術に係る輻射量低減装置９００として使用した場合の例を示している。図１０に示す金属板９０は、導電性を有し、電磁波発生源（以下「ノイズ発生源Ｒ」とも言う。）を覆うように配置される。なお、図示してはいないが、図１０に示す金属板９０の裏面（紙面奥側）には、金属板９０の形成面における外形（ｘｙ面における外形）と同程度か、それよりも一回り程度小さいノイズ発生源Ｒが配置されているものとする。

　ノイズ発生源Ｒから発せられた電磁波（ノイズ）は、関連技術に係る輻射量低減装置９００において反射される。しかし、そのエネルギーは減衰せずに、関連技術に係る輻射量低減装置９００の外周及び表面や、ノイズ発生源Ｒとの間から輻射されてしまう。このような現象をここでは「２次放射」ともいい、この２次放射された電磁波をここでは「ノイズＮ」ともいう。

　様々な回路がノイズ発生源Ｒとして電磁波を発生させ、関連技術に係る輻射量低減装置９００から２次放射のノイズＮが発せられてしまう。この２次放射のうち強いノイズＮは、大きく分けて２種類に分かれる。１種類目のノイズＮは、主たるノイズであり、金属板９０をパッチアンテナとした放射である。このノイズＮは、主に金属板９０の表面からノイズ発生源Ｒの反対側に発せられる。一方、２種類目のノイズＮは、金属板９０のエッジ（端部）とノイズ発生源Ｒが配置された基板内のＧＮＤ（接地）面とにより形成される開口が、あたかも静電容量アンテナのように動作することで発せられる。

　ここで本発明者らが鋭意研究を行った結果、明らかにした２次放射ノイズＮの発生メカニズムについて簡単に説明する。

　関連技術に係る輻射量低減装置９００の金属板９０のようにノイズ発生源Ｒを覆う金属板９０が配置されると、その金属板９０の下部、つまり金属板９０とノイズ発生源Ｒとの間には、電界があたかも定在波のように発生する。この発生した電界の強い位置（「強電界位置」という。）を図１０に示す。図１０に示すように、強電界位置ＶＡ～ＶＤは、金属板９０の四隅に発生し、かつ、強電界位置ＶＯは、金属板９０の中央に発生する。この強電界位置は、金属板９０の形状、及び、ノイズ発生源Ｒの形状の少なくとも一方によって決定される。そして、強電界位置ＶＡ～ＶＤ，ＶＯに擬似的な定在波の電界の腹が生じ、相隣接する強電界位置同士の電界の符合は互いに反転している。よって、この電界により、周状電流Ｉ（ここでは外周電流ともいう。）が流れる。

　この周状電流Ｉは、金属板９０の中央部Ｏを取囲むように外周を流れ、中央部Ｏに向かうにつれて小さくなる。このような周状電流Ｉが流れることにより、金属板９０の上部及び下部には、磁界が発生する。このうち、金属板９０の下部に発生した磁界は、上記の電界の強電界位置と同様に、あたかも定在波のように発生する。この発生した磁界の強い位置（「強磁界位置」という。）を図１０に示す。図１０に示すように、強磁界位置ＢＡ～ＢＤは、金属板９０の四辺の中央に発生する。換言すれば、強磁界位置ＢＡ～ＢＤは、強電界位置ＶＡ～ＶＤの中間に生じることになる。

　そして、金属板９０の下部に生じた電界及び磁界は、それぞれ基板内のＧＮＤと金属板９０との間で静電容量アンテナで発生する電界及び磁界と同様な動作をする。そして、この電界及び磁界は、基板内のＧＮＤと金属板９０と間の開口を介して、ノイズＮを発生させる（２種類目のノイズＮ。厳密な２次放射でなくてもよい。）。一方、周状電流Ｉにより金属板９０の上部に生じた磁界は、電界を連鎖的に発生して、ノイズＮを発生させる（１種類目のノイズＮ。）。

　従って、単に金属板９０で形成された関連技術に係る輻射量低減装置９００では、ノイズ発生源Ｒが輻射した電磁波を、単にｘｙ平面方向に散らすか（２種類目のノイズＮ）、金属板９０の表面から再度輻射してしまう（１種類目のノイズＮ）。

　このような関連技術に係る輻射量低減装置９００のノイズＮ等について鋭意研究を行った本発明の発明者は、上記のようなノイズＮの発生メカニズムについて明らかにし、このノイズＮを低減すべく更なる研究開発を行った結果、本発明を完成させた。以下、本発明の各実施形態について説明する。ただし、ここで説明したノイズＮの発生メカニズムは、ノイズＮを限定するものではなく、上記の２種類のノイズＮ以外のノイズの輻射量をも、本発明の各実施形態に係る輻射量低減装置は低減することができることは、言うまでもない。

　＜２．第１実施形態に係る輻射量低減装置＞
　まず、図１Ａ及び図１Ｂを参照しつつ、本発明の第１実施形態に係る輻射量低減装置の構成について説明する。図１Ａ及び図１Ｂは、本発明の第１実施形態に係る輻射量低減装置の構成について説明するための説明図である。

　　＜２－１．輻射量低減装置の構成＞
　図１Ａに示すように、本実施形態に係る輻射量低減装置１００は、大きく分けて、金属板１０と、スリットＳＡ～ＳＤとを有する。

　なお、本実施形態では、図１Ｂに示すように、説明の便宜上、輻射量低減装置１００が、ノイズ発生源Ｒの上方に輻射される電磁波の輻射量を低減する場合について説明する。そのため、以下で説明する金属板１０は、ノイズ発生源Ｒの上面を覆う形状に形成され、この輻射量低減装置１００は、ノイズ発生源Ｒの上面側近傍に配置される。ただし、金属板１０の形状及び輻射量低減装置１００の配置位置等は、ノイズ発生源Ｒ及び輻射量を低減させたい方向等に応じて、適宜変更可能である。

　金属板１０は、導電性の材料で形成され、電磁波を輻射するノイズ発生源Ｒ（電磁波発生源の一例）の少なくとも上面（一面の一例）全体を覆うことが可能なカバー面を有する。図１Ｂに示すように、本実施形態に係る金属板１０は、その全体が、カバー面として形成されている。しかしながら、この金属板１０のカバー面は、金属板１０の全域である必要はなく、金属板１０の一部の領域であることも可能である。つまり、金属板１０は、ノイズ発生源Ｒの上面全体に対応する面（カバー面）を有すれば、様々な形状に形成することが可能である。このカバー面となる金属板１０の領域を「カバー領域Ａｒ」とも言う。

　つまり、本実施形態では、カバー領域Ａｒが金属板１０の全域に相当する。このようにカバー領域Ａｒが金属板１０の全域に相当する場合、金属板１０の面積は、その金属板１０が覆うノイズ発生源Ｒの上面の面積の１～１．５倍、より好ましくは１．２５～１．５倍に形成されることが望ましい。しかしながら、金属板１０は、ノイズ発生源Ｒの上面より更に大きく形成されてもよい。

　なお、本実施形態では、金属板１０が、ノイズ発生源Ｒの上面の形状に対応して正方形に形成されている場合を例示している。しかしながら、金属板１０は、必ずしもノイズ発生源Ｒの上面の形状に対応する必要はなく、また、正方形である必要もない。ただし、輻射量低減装置１００の輻射量低減効果等を向上させるためには、金属板１０は、以下の順序で形成されることが望ましい。
　正方形≧正多角形＞多角形＞楕円＞円
　しかしながら、この例に挙げた形状以外にも、金属板１０は、例えば、中心距離が不均一な形状であってもよい。

　カバー領域Ａｒは、金属板１０の面内に設定され、上記のノイズ発生源Ｒの上面全体を覆う領域である。なお、上述のように、本実施形態では、カバー領域Ａｒが金属板１０の全域に設定される。

　スリットＳＡ～ＳＤは、少なくともカバー領域Ａｒにおいて帯状に形成される。このスリットＳＡ～ＳＤは、例えば、金属板１０の一部を帯状（溝ともいう。）に切り取ったり、金属板１０自体をスリットＳＡ～ＳＤを除いて形成することにより、形成可能である。なお、このスリットＳＡ～ＳＤは、図１Ａに示すように、中央部Ｏに向けて形成され、全体として十字のような形状に形成されているが、金属板１０の周方向で隣接するスリット同士は、互いに連結しておらず離隔している。従って、スリットＳＡ～ＳＤにより擬似的に区画された金属板片１１～１２は、互いに中央部Ｏを介して連結されており、金属板１０を形成している。

　本実施形態では、このスリットＳＡ～ＳＤは、図１Ａに示すように、４本形成される。しかしながら、このスリットＳＡ～ＳＤの本数は４本に限定されるものではなく、複数本であればよい。ただし、このスリットＳＡ～ＳＤは、Ｎを正の整数として、金属板１０上に２^Ｎ本形成されることが望ましい。

　本実施形態に係るスリットＳＡ～ＳＤは、図１Ａに示すようにカバー領域Ａｒ（つまり金属板１０）の中央部Ｏを基準として、点対称に配置される。そして、各スリットＳＡ～ＳＤは、同様な形状で形成される。そこで、まず、スリットＳＡを例に各スリットの形状について説明する。

　図１Ａに示すように、スリットＳＡは、大きく分けて、引込スリットＳ１Ａと、結合スリットＳ２Ａとを有する。

　引込スリットＳ１Ａは、カバー領域Ａｒの外周における上記強磁界位置ＢＡから、カバー領域Ａｒの中央部Ｏに向けて延長形成される。本実施形態では、カバー領域Ａｒと金属板１０の全体とが一致するため、引込スリットＳ１Ａは、金属板１０の端部から形成される。また、カバー領域Ａｒの外周の強磁界位置ＢＡは、図１０で示したようにカバー領域Ａｒの四つのコーナ（角部、強電界位置）の中間のエッジ位置（端部）に生じるため、引込スリットＳ１Ａは、このエッジ位置から中央部Ｏに向けて帯状に延長形成される。

　なお、本実施形態において、この引込スリットＳ１Ａは、コーナから中央部Ｏに向けて帯状に一直線に形成されるが、この引込スリットＳ１Ａは、湾曲していてよい。しかしながら、本実施形態のように引込スリットＳ１Ａが一直線に形成される場合、引込スリットＳ１Ａによる周状電流Ｉの引込効果が向上し、輻射量の低減効果を増すことが可能である。

　結合スリットＳ２Ａは、引込スリットＳ１Ａにおけるカバー領域Ａｒの中央部Ｏ方向の端部から、カバー領域Ａｒの周方向一側の他のスリットＳＢ（又はスリットＳＤ）と平行に並んで延長形成される。より具体的には、本実施形態では、結合スリットＳ２Ａは、他のスリットＳＢの引込スリットＳ１Ｂと平行に並んで延長形成される。

　本実施形態では、この結合スリットＳ２Ａが、カバー領域Ａｒの周方向における引込スリットＳ１Ａの右方（反時計回り）に延長形成された場合を示している。従って、他の引込スリットＳ１Ｂ～Ｓ１Ｄも、中央部Ｏ方向の端部において右方（反時計回り）に、各結合スリットＳ２Ｂ～Ｓ２Ｄが延長形成される。ただし、結合スリットＳ２Ａ～Ｓ２Ｄは、これとは逆に、カバー領域Ａｒの周方向における各引込スリットの左方（時計回り）に延長形成されてもよい。

　また、本実施形態に係る結合スリットＳ２Ａは、隣接する他のスリットＳＢのうち、引込スリットＳ１Ｂと平行に形成され、かつ、この引込スリットＳ１Ｂとは所定の間隔をあけて形成される。そして、結合スリットＳ２Ａは、並んだ引込スリットＳ１Ｂよりも短く形成され、カバー領域Ａｒの端部までは形成されないことが望ましい。ただし、結合スリットＳ２Ａは、上記引込スリットＳ１Ａと同一又は近似する幅で帯状に形成されることが望ましい。

　この結合スリットＳ２Ａは、引込スリットＳ１Ａが導いた周状電流Ｉを、並んだ引込スリットＳ１Ｂと略平行に導くことにより、その引込スリットＳ１Ｂが導いた周状電流Ｉと結合させる結合効果を発揮する。

　ここで説明した引込スリットＳ１Ａ及び結合スリットＳ２Ａは、それぞれスリットＳＡに対応するが、他のスリットＳＢ～ＳＤも同様に、引込スリットＳ１Ｂ～Ｓ１Ｄと結合スリットＳ２Ｂ～Ｓ２Ｄを１ずつ有する。換言すれば、各スリットＳＡ～ＳＤは、それぞれ略Ｌ字状に形成され、そのＬ字状のスリットＳＡ～ＳＤが金属板１０の４つのコーナの中間のエッジ位置から延長形成される。結果として、スリットＳＡ～ＳＤは、金属板１０を、略十字状に４つの金属板片１１～１４に区画する。ただし、略Ｌ字状のスリットＳＡ～ＳＤは、相互に離隔しており、金属板１０を形成する金属板片１１～１４は、中央部Ｏで相互に連結されている。

　　（強電界位置について）
　なお、このスリットＳＡ～ＳＤは、上述のように、それぞれ強磁界位置ＢＡ～ＢＤから中央部Ｏ方向に向けて形成される。この強磁界位置ＢＡ～ＢＤについて説明する。

　上述のように、強磁界位置ＢＡ～ＢＤは、ノイズ発生源Ｒが発生する電磁波により、そのノイズ発生源Ｒとの間に磁界が生じ、その磁界が他の部位に比べて大きい個所である。他方、強電界位置ＶＡ～ＶＤは、金属板１０とノイズ発生源Ｒとの間の空間インピーダンスが低い個所に相当する。これに対して、強磁界位置ＢＡ～ＢＤは、カバー領域Ａｒの外周における強電界位置ＶＡ～ＶＤの中間位置（本実施形態では金属板１０のエッジ位置）に相当する。本実施形態に係る輻射量低減装置１００では、金属板１０がノイズ発生源Ｒと同程度かそれを覆う程度の多角形（正方形）で形成されているが、この場合、金属板１０のコーナの空間インピーダンスが他の部位に比べて低くなる。よって、金属板１０の４つのコーナが強電界位置ＶＡ～ＶＤとなり、金属板１０の４つのコーナの中間のエッジ位置が強磁界位置ＢＡ～ＢＤとなる。そこで、本実施形態に係る輻射量低減装置１００では、この４つのコーナの中間のエッジ位置からスリットＳＡ～ＳＤをそれぞれ形成している。なお、この強磁界位置ＢＡ～ＢＤは、上述の通り、金属板１０の形状やノイズ発生源Ｒの形状等によって異なるため、スリットＳＡ～ＳＤが形成される位置も、金属板１０の形状やノイズ発生源Ｒの形状等によって変更されうる。強電界位置は、金属板１０が中央部Ｏから外周までの中心距離が不均一に形成される場合、その中心距離が他の部位に比べて長いエッジ位置（端部）となる。そして、強磁界位置は、そのエッジ位置の中間のエッジ位置（端部）となる。より具体的には、強電界位置は、金属板１０が多角形である場合には、そのコーナ（角部）となり、本実施形態のように金属板１０が正方形である場合には、図１Ａに示す４つのコーナとなる。従って、強磁界位置は、金属板１０が多角形である場合には、各辺の中点となり、本実施形態のように金属板１０が正方形である場合には、図１Ａに示す４つの辺の各中点となる。一方、金属板１０がこのようなコーナを有さない場合、及び、金属板１０がカバー領域Ａｒよりも大幅に大きい場合には、強電界位置ＶＡ～ＶＤは、ノイズ発生源Ｒの上面のコーナに対応する、カバー領域Ａｒの外周上の位置になる。そして、この場合、強磁界位置ＢＡ～ＢＤは、強電界位置ＶＡ～ＶＤの中間、つまり、ノイズ発生源Ｒの上面のコーナ間の中間のエッジ位置に対応する、カバー領域Ａｒの外周上の位置になる。従って、このような場合には、スリットＳＡ～ＳＢは、ノイズ発生源Ｒの上面のコーナ間の中間位置に対応する強磁界位置から形成される。

　以上、本発明の第１実施形態に係る輻射量低減装置１００の構成について説明した。
　次に、図２Ａ～図３Ｂを参照しつつ、本発明の第１実施形態に係る輻射量低減装置の作用例について説明する。図２Ａ～図３Ｂは、本実施形態に係る輻射量低減装置の作用例について説明するための説明図である。

　＜２－２．輻射量低減装置の作用例＞
　　（２－２－１．周状電流減衰作用）
　まず、ノイズＮの主要な発生源である周状電流Ｉの減衰作用について説明する。
　周状電流Ｉは、図１０で説明したように、ノイズ発生源Ｒが発生した電磁波により、金属板１０とノイズ発生源Ｒとの間に定在波のような電界及び磁界が発生し、その電界及び磁界により、カバー領域Ａｒの中央部Ｏを取囲むような周状に流れる。そして、この周状電流Ｉが２次放射等のノイズＮの主要な発生原因となる。

　一方、本実施形態に係る輻射量低減装置１００は、上述の通り、強磁界位置ＢＡ～ＢＤから形成された複数のスリットＳＡ～ＳＤを有する。このスリットＳＡ～ＳＤのうち、引込スリットＳ１Ａ～Ｓ１Ｄそれぞれは、強磁界位置ＢＡ～ＢＤから形成されている。強磁界位置ＢＡ～ＢＤは、磁界が他の部位よりも強い位置であり、かつ、この強磁界位置ＢＡ～ＢＤに引込スリットＳ１Ａ～Ｓ１Ｄが形成されることにより、引込スリットＳ１Ａ～Ｓ１Ｄの淵中には、図２Ａに示すように磁場Ｈが生じる。図２Ａではこの磁場Ｈを磁流として模式的に示している。換言すれば、ノイズ発生源Ｒが発生した電磁波の放射磁界成分が、この引込スリットＳ１Ａ～Ｓ１Ｄに強磁界位置ＢＡ～ＢＤで結合して、磁場Ｈを励振させる。そして、この磁場Ｈは、引込スリットＳ１Ａ～Ｓ１Ｄに結合された状態で、引込スリットＳ１Ａ～Ｓ１Ｄに沿ってカバー領域Ａｒの中央部Ｏ側へと導かれる。一方、周状電流Ｉは、引込スリットＳ１Ａ～Ｓ１Ｄにより分断され、かつ、磁場Ｈが引込スリットＳ１Ａ～Ｓ１Ｄに結合することに伴い、図２Ａに示すように、磁場Ｈと共に中央部Ｏ側へと導かれる。引込スリットＳ１Ａ～Ｓ１Ｄにより中央部Ｏ側に導かれた周状電流Ｉは、図２Ｂに示すように、結合スリットＳ２Ａ～Ｓ２Ｄにより、周方向一側で相隣接した他のスリットとの間に導かれる。従って、各スリットＳＡ～ＳＤの淵部には、周状電流Ｉが流れる。

　この各スリットＳＡ～ＳＤの淵部に流れる周状電流Ｉは、図２Ｂに示すように、相隣接するスリットが導く周状電流Ｉと逆相となる。従って、２のスリットＳＡ～ＳＤが平行となる領域Ａ及び領域Ｂにおいて、逆相となった周状電流Ｉが互いに打ち消しあう。つまり、周状電流Ｉは、１のスリットを見れば、２の領域Ａ，Ｂにおいて相殺されて、減衰される。その結果、本実施形態に係る輻射量低減装置１００は、２次放射等のノイズＮを低減することができる。

　　（２－２－２．放射磁界成分減衰作用）
　一方、各スリットＳＡ～ＳＤに結合して磁場Ｈを発生させる放射磁界成分は、上述の通り、強磁界位置ＢＡ～ＢＤから各スリットＳＡ～ＳＤに沿って導かれる。また、各スリットＳＡ～ＳＤは、強磁界位置ＢＡ～ＢＤからの放射磁界成分だけでなく、他の個所でも放射磁界成分を結合させ、磁場Ｈを生じさせる。各スリットＳＡ～ＳＤに生じた磁場Ｈは、図３Ａに示す平行位置ＰＡ～ＰＤにおいて、図３Ｂに示すように逆相となり、やはり互いに打ち消しあう。従って、このスリットＳＡ～ＳＤそれぞれに生じる磁場Ｈによる２次放射のノイズＮも、平行位置ＰＡ～ＰＤ内で逆相となり打ち消しあい、ノイズＮは更に低減される。

　　（２－２－３．残存２次放射成分減衰作用）
　更に、上記周状電流減衰作用及び放射磁界成分減衰作用によっても、なお残存する２次放射成分が生じうる。しかしながら、図３Ａに示すように、各スリットＳＡ～ＳＤは、本実施形態では点対称に形成されるため、対向するスリットＳＡ～ＳＤ（スリットＳＡとスリットＳＣ、又は、スリットＳＢとスリットＳＤ）が発生させるノイズＮ同士は、ほぼ同振幅で逆相となる。その結果、２次放射成分のノイズＮは、仮に輻射されたとしても、互いに打ち消しあう。より具体的には、例えば、平行位置ＰＡから輻射される２次放射成分は、平行位置ＰＣから輻射される２次放射成分と逆相となって打ち消しあい、平行位置ＰＢから輻射される２次放射成分は、平行位置ＰＤから輻射される２次放射成分と逆相となって打ち消しあう。よって、ノイズＮは更に低減される。

　このように、本実施形態に係る輻射量低減装置１００は、上記スリットＳＡ～ＳＤを有することにより、周状電流減衰作用、放射磁界成分減衰作用及び残存２次放射成分低減作用等を発揮することにより、ノイズＮの輻射量を低減することが可能である。ただし、このような作用はあくまで例であり、輻射量低減装置１００は、これらの作用に限定されるものではなく、ここに挙げなかった作用が存在し、それによりノイズＮが低減される可能性を否定するものではない。

　以上、本発明の第１実施形態に係る輻射量低減装置１００の作用例について説明した。
　次に、図４～図６を参照しつつ、本発明の第１実施形態に係る輻射量低減装置の実施例について説明する。図４～図６は、本実施形態に係る輻射量低減装置の実施例について説明するための説明図である。

　＜２－３．輻射量低減装置の実施例＞
　本実施形態に係る輻射量低減装置による輻射量低減効果を測定するにあたり、図４に示すようなプリント基板を模した測定装置を用意した。より具体的には、被測定対象Ｘの下面にビニール皮膜Ｔ２を配置し、そのビニール皮膜Ｔ２を、支持板Ｔ１の開口部を塞ぐように支持板Ｔ１上に配置した。そして、ノイズ発生源Ｒから周波数を変更しつつ電磁波を発生させ、被測定対象Ｘから放射されるノイズＮ（電界分布）を、被測定対象Ｘから５０ｍｍ離れた受信プローブＤにより測定した。

　そして、図５Ａに示すように、スリットを有さない関連技術に係る輻射量低減装置９００と、本実施形態に係る輻射量低減装置１０１，１０２とを用意し、被測定対象Ｘの位置に配置して、上記測定装置によりノイズＮの輻射量を測定した。

　なお、本実施形態に係る輻射量低減装置１０１，１０２は、図５Ａに示すようにスリットＳＡ～ＳＤのサイズを変更して形成した。つまり、金属板１０は、厚さ０．０９ｍｍの銅板を４０ｍｍ×４０ｍｍの正方形に形成し、その金属板１０にスリット幅０．８ｍｍのスリットＳＡ～ＳＤを形成した。ただし、金属板１０の材質は、導電性を有していれば、特に限定されるものではなく、他の材質であっても以下で説明するのと同様の結果が得られる。

　この際、輻射量低減装置１０１の引込スリットＳ１Ａ～Ｓ１Ｄの長さは、１８ｍｍとし、結合スリットＳ２Ａ～Ｓ２Ｄの長さは、１１ｍｍとした。一方、輻射量低減装置１０２の引込スリットＳ１Ａ～Ｓ１Ｄの長さは、１７．５ｍｍとし、結合スリットＳ２Ａ～Ｓ２Ｄの長さは、１１ｍｍとした。そして、平行位置ＰＡ～ＰＤにおけるスリット間隔（つまり相隣接するスリット間の間隔）は、０．６ｍｍとした。なお、各スリットＳＡ～ＳＤにおける引込スリットＳ１Ａ～Ｓ１Ｄと結合スリットＳ２Ａ～Ｓ２Ｄとの間の角度は９０°とした。そして、スリットＳＡ～ＳＤは、相互にカバー領域Ａｒ（つまり金属板１０）の中央部Ｏを基準として９０°回転させたような形状を有し（つまり９０°の４回対称）、全体として略十字状に形成した。一方、関連技術に係る輻射量低減装置９００は、上記金属板１０と同様の金属板９０を使用した。

　図５Ｂに、本実施形態に係る輻射量低減装置１０１に対する測定信号Ｉ１０１を、関連技術に係る輻射量低減装置９００に対する測定信号Ｉ９００を０ｄＢとして規格化した測定結果を示す。一方、図５Ｃに、電磁界シミュレータを用いて、輻射量低減装置１０１，１０２に対するシミュレーション結果Ｃ１０１，Ｃ１０２を、関連技術に係る輻射量低減装置９００に対するシミュレーション結果Ｃ９００を０ｄＢとして規格化した結果を示す。

　一般には、金属板１０にスリットＳＡ～ＳＤが開口している分、そこから漏れた電磁波が２次放射成分に加算されるため、本実施形態に係る輻射量低減装置１０１，１０２は、関連技術に係る輻射量低減装置９００に比べて、ノイズＮの量が悪化すると考えられる。従って、一般的には、輻射量低減装置１０１，１０２による測定信号Ｉ１０１，Ｉ１０２は、関連技術に係る輻射量低減装置９００に対する測定信号Ｉ９００よりも高くなると予想される。

　しかしながら、本実施形態に係る輻射量低減装置１０１，１０２は、図５Ｂだけでなく、図５Ｃからも見て取れるように、上記の予想に反して、広範囲な電磁波の周波数帯域において、２次放射成分（ノイズＮ）を大幅に低減することが可能である。これは、輻射量低減装置１０１，１０２が、スリットＳＡ～ＳＤ内に放射成分を取込み、しかも複数のスリットＳＡ～ＳＤを用いて、相互干渉させて相殺することにより、２次放射分を大幅に低減させることができることに寄るものである。

　また、上記同様の金属板１０においてスリットＳＡ～ＳＤの寸法を適宜変更した、本実施形態に係る輻射量低減装置１０３～１０７（図示せず）を用意して、上記同様の測定を行った。

　この際、輻射量低減装置１０３は、スリット幅を１．０ｍｍとし、引込スリットＳ１Ａ～Ｓ１Ｄの長さを１７ｍｍとし、結合スリットＳ２Ａ～Ｓ２Ｄの長さを１５ｍｍとし、平行位置ＰＡ～ＰＤにおけるスリット間隔を０．４ｍｍとした。また、輻射量低減装置１０４は、スリット幅を１．２ｍｍとし、引込スリットＳ１Ａ～Ｓ１Ｄの長さを１８．５ｍｍとし、結合スリットＳ２Ａ～Ｓ２Ｄの長さを１５ｍｍとし、平行位置ＰＡ～ＰＤにおけるスリット間隔を０．６ｍｍとした。また、輻射量低減装置１０５は、スリット幅を０．６ｍｍとし、引込スリットＳ１Ａ～Ｓ１Ｄの長さを１７ｍｍとし、結合スリットＳ２Ａ～Ｓ２Ｄの長さを１１ｍｍとし、平行位置ＰＡ～ＰＤにおけるスリット間隔を０．４ｍｍとした。また、輻射量低減装置１０６は、スリット幅を０．８ｍｍとし、引込スリットＳ１Ａ～Ｓ１Ｄの長さを１７ｍｍとし、結合スリットＳ２Ａ～Ｓ２Ｄの長さを１３ｍｍとし、平行位置ＰＡ～ＰＤにおけるスリット間隔を０．２ｍｍとした。また、輻射量低減装置１０７は、スリット幅を１．４ｍｍとし、引込スリットＳ１Ａ～Ｓ１Ｄの長さを１８ｍｍとし、結合スリットＳ２Ａ～Ｓ２Ｄの長さを１２ｍｍとし、平行位置ＰＡ～ＰＤにおけるスリット間隔を０．５ｍｍとした。

　図６に、この輻射量低減装置１０３～１０７に対する測定信号Ｉ１０３～Ｉ１０７を、関連技術に係る輻射量低減装置９００に対する測定信号Ｉ９００を０ｄＢとして規格化した測定結果を示す。

　図６の測定結果も、スリットＳＡ～ＳＤの寸法が異なる場合でも、本実施形態に係る輻射量低減装置１０３～１０７が、スリットＳＡ～ＳＤ同士が確実に放射成分を結合させて、２次放射（ノイズＮ）低減効果を発揮できることを示している。

　以上、本発明の第１実施形態に係る輻射量低減装置の実施例について説明した。
　次に、図７Ａ～図７Ｆを参照しつつ、本発明の第１実施形態に係る輻射量低減装置の実装例について説明する。図７Ａ～図７Ｆは、本実施形態に係る輻射量低減装置の実装例について説明するための説明図である。

　　＜２－４．輻射量低減装置の実装例＞
　本発明の第１実施形態に係る輻射量低減装置１００は、上述の通り、金属板１０にスリットＳＡ～ＳＤが形成された非常に簡単な構成で形成可能である。特にこの際、輻射量低減装置１００は、接地する必要すらないため、特に配置位置に制限はなく、かつ、ノイズ発生源Ｒの近傍に配置するだけでよいため、様々な実装が可能である。そこで、以下では、輻射量低減装置１００の実装例の幾つかについて説明する。

　　　（２－４－１．第１実装例）
　図７Ａに、本実施形態に係る輻射量低減装置１００を、ノイズ発生源Ｒの上面に直接プリントした場合を示す。この際、ノイズ発生源Ｒの上面ではなく、ノイズ発生源Ｒの内部に輻射量低減装置１００を埋め込むことも可能である。このようにノイズ発生源Ｒに直接プリントすることにより、輻射量低減装置１００を容易に構成することができ、かつ、ノイズ発生源Ｒの一面側に対するノイズＮの輻射量を大幅に低減することが可能である。なお、この際、ノイズ発生源Ｒと輻射量低減装置１００との間には、例えば０．０５ｍｍ程度の絶縁保護層が形成されることが望ましい。

　　　（２－４－２．第２実装例）
　図７Ｂに、上記第１実装例と同様にノイズ発生源Ｒと一体に形成する輻射量低減装置１００の実装例として、接着剤３１（接着剤付きシール等でもよい。）により、ノイズ発生源Ｒの上面に輻射量低減装置１００を固定した場合を示す。この場合、接着剤３１等に絶縁性の素材を使用することが望ましい。

　　　（２－４－２．第３実装例）
　図７Ｃに、本実施形態に係る輻射量低減装置１００を、シールドケース２３に固定する場合を示す。ノイズ発生源Ｒは、基板２２上に配置され、かつ、シールドケース２１，２３によって覆われる。そして、上方のシールドケース２３のノイズ発生源Ｒと対向する位置の内部に、接着剤やシール（図示せず）等により、輻射量低減装置１００が固定される。もちろん、輻射量低減装置１００は、シールドケース２３の上方に固定されてもよい。このように輻射量低減装置１００は、配置位置に制限がないため、ノイズ発生源Ｒの近傍に如何様にも配置することが可能である。また、接地等の必要もなく、固定手段も特に問わないため、輻射量低減装置１００は、容易に配置することが可能である。

　　　（２－４－２．第４実装例）
　図７Ｄに、本実施形態に係る輻射量低減装置１００を、シールドケース２３の一部として形成する場合を示す。この場合、シールドケース２３のノイズ発生源Ｒを覆う部位が、金属板１０となり、その金属板１０のノイズ発生源Ｒと対向する位置がカバー領域Ａｒとなる。そして、このカバー領域Ａｒに、スリットＳＡ～ＳＤが形成されることになる。この場合、単にシールドケース２３にスリットＳＡ～ＳＤを形成するだけで、本実施形態に係る輻射量低減装置１００を形成することができる。

　　　（２－４－２．第５実装例）
　図７Ｅに、上記第４実装例と同様に本実施形態に係る輻射量低減装置１００がシールドケース２３に直接形成され、かつ、ノイズ発生源Ｒを覆うカバー領域Ａｒよりも金属板１０が大幅に大きい場合を示す。この場合、上記第４実装例と同様に、カバー領域Ａｒと金属板１０が一致しないため、ノイズ発生源Ｒの上面のコーナ間の中間のエッジ位置に相当するカバー領域Ａｒの外周（コーナ）が強磁界位置ＢＡ～ＢＤとなり、スリットＳＡ～ＳＤは、この強磁界位置ＢＡ～ＢＤから形成される。

　　　（２－４－２．第６実装例）
　図７Ｆに、本実施形態に係る輻射量低減装置１００が、シールドケース２３に直接形成されるが、上記第５実装例とは異なり、ノイズ発生源Ｒを覆うカバー領域Ａｒが金属板１０とほぼ同程度である場合を示す。この場合、金属板１０のコーナがカバー領域Ａｒのコーナとなり、かつ、強磁界位置ＢＡ～ＢＤともなる。よって、スリットＳＡ～ＳＤは、この金属板１０のコーナ間の中間のエッジ位置から形成される。この際、より効果的に周状電流Ｉを中央部Ｏに導くために、スリットＳＡ～ＳＤは、図７Ｆに示すように、シールドケース２３における金属板１０と異なる側面にまで延長形成されることが望ましい。なお、同様のことが第５実装例の場合にも言える。よって、第５実装例において、図７ＥのスリットＳＡ～ＳＤが、カバー領域Ａｒを越えて金属板１０の端部又はその近傍にまで延長されることにより、周状電流Ｉをより効果的に中央部Ｏに導くことも可能である。

　以上、本発明の第１実施形態に係る輻射量低減装置１００の実装例について説明した。ただし、ここで説明した実装例は、あくまで一例であり、この実装例に輻射量低減装置１００の適用先が限定されるものではない。上述の通り、輻射量低減装置１００は、非常に単純な構成で形成でき、かつ、配置位置に制限もないため、その他様々な実装が可能であることは言うまでもない。

　　＜２－５．輻射量低減装置の変更例＞
　次に、図８Ａ～図８Ｅを参照しつつ、本発明の第１実施形態に係る輻射量低減装置１００の変更例について説明する。図８Ａ～図８Ｅは、本実施形態に係る輻射量低減装置の変更例について説明するための説明図である。

　　　（２－５－１．スリット本数及び配置位置（点対称））
　上述の通り、本実施形態に係る輻射量低減装置１００は、複数のスリットＳＡ～ＳＤを有することにより、周状電流減衰作用・放射磁界成分減衰作用・残存２次放射成分減衰作用等を発揮することにより、ノイズＮを低減することを可能にしている。一方、周状電流減衰作用及び放射磁界成分減衰作用は、図２Ａ、図２Ｂ及び図３Ｂで説明したように、相隣接するスリット同士が互いに逆相の周状電流Ｉ又は磁場Ｈを中央部Ｏ方向へと引き込むことにより、発揮される。この周状電流減衰作用及び放射磁界成分減衰作用を発揮するためには、スリットは、２以上形成されればよい。

　しかしながら、残存２次放射成分減衰作用は、図３Ａで説明したように、各スリットＳＡ～ＳＤから発生されるノイズＮ同士がほぼ同振幅で逆相となることにより、発揮される。このためには位相の関係上、スリットの本数は、Ｎを正の整数として２^Ｎ本形成されることが望ましい。また、逆相のノイズＮの振幅を等しくして相殺効果を更に高めるためには、複数のスリットは、カバー領域Ａｒの中央部Ｏを基準として、点対称に形成されることが望ましい。つまり、スリットの本数と配置位置を併せて説明すれば、スリットは、２^Ｎ本形成されカバー領域Ａｒの中央部Ｏを基準として、２^Ｎ回対称に形成されることが望ましい。

　なお、スリットの本数がＮ＝２の場合と、Ｎが２超過の場合とでは、周状電流減衰作用・放射磁界成分減衰作用・残存２次放射成分減衰作用等は、同程度発揮される。よって、スリットの本数が多くなれば、その分スリット形成工程が増え、かつ、輻射量低減装置１００の機械的強度が減少することを考慮に入れれば、スリットの本数は、Ｎ＝２、つまり４本が望ましい。また、各スリットが点対称で形成されることを考慮に入れれば、図８Ａに示すように長方形の金属板１０にスリットＳＡ～ＳＤを形成することも可能である。しかし、相殺させる周状電流Ｉ同士の量、磁場Ｈ同士の振幅、逆相のノイズＮの振幅等を等しくして、等方的に相殺効果を発揮するためには、図１Ａに示す本実施形態のような４回対称のスリットＳＡ～ＳＤを形成することが望ましい。

　しかしながら、スリットが２^Ｎ本以外の複数本形成される場合であっても、上記周状電流減衰作用・放射磁界成分減衰作用等を発揮することは可能である。そして、図８Ｂに示すように、仮に複数のスリットが点対称で形成されない場合であっても、周状電流減衰作用・放射磁界成分減衰作用・残存２次放射成分減衰作用等を発揮することは可能であることを付言しておく。なお、この場合、カバー領域Ａｒの中央部Ｏは、金属板１０の各コーナの対角線の交点や金属板１０の重心位置であってもよい。

　　　（２－５－２．金属板の形状）
　一方、スリットは上述の通りカバー領域Ａｒの強磁界位置から中央部Ｏに向けて形成される。この際、金属板１０がカバー領域Ａｒよりも大幅に大きければ（例えば１．５倍以上）、図７Ｄ及び図７Ｅに示したように、強磁界位置は、ノイズ発生源Ｒの上面のコーナ間の中間のエッジ位置に対応する、カバー領域Ａｒの外周上の位置となる。しかしながら、カバー領域Ａｒが金属板１０のほぼ全域の場合には、強磁界位置は、金属板１０のコーナ間の中間のエッジ位置に相当する。

　一方、上述のように、残存２次放射成分減衰作用を十分に発揮させるためには、位相の関係上、スリットの本数は、Ｎを正の整数として２^Ｎ本形成されることが望ましい。従って、このスリットが形成される強磁界位置も、同程度の数であることが望ましい。そのためには、金属板１０は、Ｍを２以上の正の整数として外周にコーナを２^Ｍ個有する多角形に形成されることが望ましい。従って、残存２次放射成分減衰作用を十分に発揮するために、金属板１０は、例えば、４・８・１６・３２角形等に形成されることが望ましい。また、逆相のノイズＮの振幅を等しくして相殺効果を更に高めるために、スリットが点対称で形成されることが望ましいのと同様に、金属板も点対称で形成されることが望ましい。更に、等方的に相殺効果を発揮するために、スリットＳＡ～ＳＤが４回対称で形成されるのが望ましいのと同様に、金属板１０は、正多角形であることが望ましい。

　この金属板１０が正多角形で形成される場合の例を、図８Ｃ及び図８Ｄに示す。図８Ｃ及び図８Ｄでは、金属板１０は正八角形に形成される。そして、図８Ｃでは、上記の関係を満たすように、スリットＳＡ～ＳＨは、８回対称で８本形成される。しかしながら、スリットの本数は、金属板１０の角数と一致する必要ない無いため、図８Ｄに示すように、４本のスリットＳＡ～ＳＤを４回対称で形成することも可能である。

　なお、図８Ｅに示す楕円等のように、金属板１０が、コーナがないが、中央部Ｏから外周までの中心距離が不均一な形状に形成される場合、強磁界位置ＢＡ，ＢＣは、その中心距離が他の部位に比べて長いエッジ位置間の中間のエッジ位置となる。従って、この場合、図８Ｅに示すように、このエッジ位置である強磁界位置ＢＡ，ＢＣから、複数のスリットＳＡ，ＳＣが形成される。

　更に、図８Ｆに示す円等のように、金属板１０が、このようなエッジ位置もなく形成される場合、強磁界位置ＢＡ，ＢＣは、図７Ｅ等と同様に、ノイズ発生源Ｒの上面のコーナ間の中間のエッジ位置に対応するカバー領域Ａｒ（つまり金属板１０）の外周上の位置となる。従って、この場合、図８Ｆに示すように、この強磁界位置ＢＡ～ＢＤから、複数のスリットＳＡ～ＳＤが形成される。

　　＜２－６．輻射量低減装置の効果の例＞
　以上、本発明の第１実施形態に係る輻射量低減装置１００について説明した。
　この輻射量低減装置１００によれば、単にノイズ発生源Ｒの上面に装荷することにより、その部位の上部に発生した放射ノイズ成分を分割し相殺するように作用することができる。従って、ノイズ発生源Ｒから発生する電磁波を、２次放射等のノイズＮの発生を低減しつつ、効果的に抑制することが可能である。なお、この際、相殺された電磁波エネルギーは、熱として吸収されることになる。

　また、この輻射量低減装置１００は、接着剤やシールなどにより簡単に配置することが可能であるため、螺子止め作業など、組み立て作業効率を低下させてしまうような作業をする必要がないため、容易に配置することが可能である。また、輻射量低減装置１００は、簡単な構造で形成可能であるため、製造コストも大幅な減少が期待できる。

　更に、上述の通り、輻射量低減装置１００は、接地する必要すらないため、配置位置に制約を受けず自在に装荷することができる。従って、電磁波を低減させたい複数のノイズ発生源Ｒの近傍に適宜輻射量低減装置１００を配置することが可能であり、ノイズ発生源が多種多様化した状態でも適切にノイズを低減することが可能である。なお、もちろんシールドケース等に接地して使用することも可能であることは言うまでもない。

　以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

　例えば、上記実施形態では、引込スリットＳ１Ａ～Ｓ１Ｄにより周状電流Ｉを中央部Ｏ側に引き込み、結合スリットＳ２Ａ～Ｓ２Ｄにより、相隣接するスリットＳＡ～ＳＤを流れる周状電流Ｉ同士などを直接相殺させる場合について説明した。しかしながら、この周状電流Ｉを引込んで相殺させる効果を、図９Ａに示すように、結合スリットＳ２Ａ～Ｓ２Ｄの代りに補助連結スリットＳ１１～Ｓ１４を介して間接的に発揮させることも可能である。しかしながら、この場合、周状電流減衰作用だけでなく、放射磁界成分減衰作用及び残存２次放射成分減衰作用等も、上記第１実施形態に比べれば低く抑えられるため、上記第１実施形態のように周状電流Ｉ同士などを直接相殺させる構成にすることが望ましい。

　また、各スリットＳＡ～ＳＤ単体で周状電流Ｉ等の低減効果を発揮させるためには、図９Ｂに示すように、結合スリットＳ２Ａ～Ｓ２Ｄの両脇に、補助スリットＳ３Ａ～Ｓ３Ｄ及び補助スリットＳ４Ａ～Ｓ４Ｄを設けることも可能である。この場合、周状電流Ｉは、引込スリットＳ１Ａ～Ｓ１Ｄにより中央部Ｏ側に導かれた後、補助スリットの周りを流れることになり、周状電流Ｉを減少させることが可能である。しかしながら、この場合、周状電流減衰作用及び放射磁界成分減衰作用等を十分に発揮することは難しく、やはり、上記第１実施形態のように周状電流Ｉ同士などを相殺させる構成にすることが望ましい。

Claims

　電磁波を輻射する電磁波発生源の少なくとも一面全体を覆うことが可能な金属板と、
　前記金属板の面内に設定され前記一面全体を覆うカバー領域と、
　少なくとも前記カバー領域において帯状に形成され、相互に離隔した複数のスリットと、
を有し、
　前記複数のスリットそれぞれは、
　前記電磁波により前記カバー領域の中央を取囲む周方向に流れる周状電流を前記カバー領域中央方向に導くように、前記カバー領域の外周において前記電磁波により前記電磁波発生源との間に生じる磁界が他の位置よりも強くなる強磁界位置それぞれから、前記カバー領域の中央に向けて延長形成された引込スリットと、
　前記引込スリットが導いた周状電流を、前記カバー領域周方向一側で相隣接した他の前記スリットとの間へと導くように、前記引込スリットにおける前記カバー領域中央方向の端部から、前記一側の他の前記引込スリットと平行に並んで延長形成された結合スリットと、
を有する、輻射量低減装置。
　前記スリットは、Ｎを正の整数として、前記金属板上に２^Ｎ本形成される、請求項１に記載の輻射量低減装置。
　前記複数のスリットは、相互に前記カバー領域中央を基準として点対称に配置される、請求項２に記載の輻射量低減装置。
　前記カバー領域は、前記金属板全域であり、
　前記金属板は、中央から外周までの距離が不均一に形成され、
　前記強磁界位置は、前記金属板外周で相隣接し前記中心距離が他の部位に比べて長いエッジ位置間の中間のエッジ位置である、請求項１のいずれかに記載の輻射量低減装置。
　前記金属板は、Ｍを２以上の正の整数として、外周にコーナを２^Ｍ個有する多角形に形成され、
　前記強磁界位置は、前記コーナ間の中間のエッジ位置である、請求項４に記載の輻射量低減装置。
　前記金属板は、正多角形である、請求項５に記載の輻射量低減装置。
　前記強磁界位置は、前記電磁波発生源の一面におけるコーナ間の中間のエッジ位置に対応する、前記カバー領域外周上の位置である、請求項１のいずれかに記載の輻射量低減装置。
　前記カバー領域は、前記金属板全域であり、
　前記金属板は、中央から外周までの距離が均一である円状に形成される、請求項７に記載の輻射量低減装置。