TW201043130A - Radiation level reducing device - Google Patents

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201043130 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種輻射量減少装置。 【先前技術】 近年，伴隨以電視機、電腦、照相機、行動電話為首之 電子機器之進步，機器内部所使用之例如CPU、lsi、時 鐘ic、周邊半導體等之南密度化、高積體化及印刷配線之 Ο

高密度化亦在進步。又，以該等電子零件等所處理之頻率 之成分亦高頻化。 與此同時，從電子構件所產生之輻射雜訊（電磁波）及從 形成於印刷基板之線圖所產生之傳導雜訊（電磁波）對人體 之影響、誤動作、功能不全、特性劣化等亦造成問題。S 此進一步尋求EMC(Electro_Magnetic c〇mpatibiHty，電磁 相容性）、EMI(Electro-Magnetic Interference，電磁干 對策。 [專利文獻1]曰本特開平7_2〖2079號公報 [專利文獻2]曰本特開平u_3549669號公報 [專利文獻3]曰本特開平9_312489號公報 [專利文獻4]日本特開2〇〇7_95971號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] -般於電子機器中作為減少無用電波之機構，以藉由屏 蔽殼(Shield⑽6)而抑制從電子機器輻射出之無用電波或 144520.doc 201043130 無用雜訊之機構為主流。 此係將具有導電性之金屬板作為屏蔽板使用，將從基板 產生之輻射雜訊反射並封閉之方式（參照前述專利文獻丨）。 該方式雖對放射雜訊之洩漏有效’但藉由屏蔽殼反射來自 多種ic等構件或圖案之放射雜訊，會有助長散射之放射雜 訊間之電磁波干涉之虞。此外，為減少放射雜訊等電磁波 之輻射，使得該屏蔽殼構造複雜化，實際上連帶造成製造 成本之增加（參照前述專利文獻2)。 使用如此之屏蔽殼等之情形，對於構成框體之罩與屏蔽 殼之間之接合，係使用螺絲固定、板片彈簧、墊片等。 糟由螺絲固定接合之情形，煩雜之螺絲固定作業必不可 少，為提高屏蔽效果有必要增加罩與屏蔽殼之間之螺絲之 設置場所。因& ’螺絲固定作業增加，而使組裝作業效率 顯著下降。 使用板片彈簧之情形，板片彈簧自身之製作作業相 日，，將導致安裝工數之大幅增加及成本之增加。 ::添加有導電性金屬粉之塾片、絕緣性軟磁性體之物 體之情开），墊片、片好白盛一 片材自身杨咼，且受到安裝構造之限 制，使用％所受到报大限制。 ':等ΤΙ:專利文獻3,揭示有於_對策中，以來自 W難以二讯為對象而實施對策之複合磁性體。但， 卩制攸形成於印刷基板之線 讯，因此無法徹底抑制之導 傳¥雜 源電壓變動等而產生，對：子電:：會因開關動作所致之電 對电子機益、電路等造成影響。 I44520.doc 201043130 又，於前述專利文獻4，揭示有覆蓋輻射電磁波之輻射 部之電磁波遮蔽片材。但，該片材不僅因具有複雜之構成 而增加製造步驟，還可能因價高而增加製品之製造成本。 如前所述，輻射防止方法有好有壞，期望開發出可適切 地抑制輻射雜訊或傳導雜訊 '簡單且低成本之方法。與之 相對，如前所述因高頻化等使得期望雜訊能減少之電^電 路越加複雜化，因而產生各種位置及頻率之雜訊。如此之

雜訊未被均-化’如前料之制屏蔽殼構造等之對策也 使複雜達到極致，且藉由屏蔽殼之雜訊減少亦有限界。因 此，業界希求的是可有效進行㈣減少、簡單且低成本之 輻射防止機構。 因此，本發明係鑑於前述問 J 4问蟑而元成者，本發明之目的 在於提供一種可將從電子雷攸埜+ &丄+ 電路等電磁波產生源幸畐射出之雜 訊（電磁波）更有效、簡單且桐士、 間早1低成本地抑制之新穎且經改良 之輻射量減少裝置。 [解決問題之技術手段] 為解決前述問題，棍輔· 士 3义。n 曰、、 據本發明之一觀點，提供一種輻射 里減少裝置’其係包含：可覆笔+ , 3 j覆盖輻射電磁波之電磁波產生 源之至少一面整體之金屬板； 内且覆蓋前述一面之整體之遮蔽 設定於前述金屬板之面 區域； 且彼此隔離之複數之 至少於前述遮蔽區域中形成為帶狀 縫）（slit); 前述複數之縫各自包含： 144520.doc 201043130 引入缝’其係從前述遮蔽 而與前述電磁波產生源之門所“ β中猎由刖迹電磁波 ., 之間所產生之磁場比其他位置強之 各個強磁場位置起，朝前述遮蔽區域 =強之 將藉由前述電磁波而流動於包長形成，以 方向之周狀電流導向前述遮蔽區域中央方向； 周 μ缝’其係為將前述引人縫所引導後之周狀電 與在如述遮蔽區域周;L 而從m β ，目鄰接之其他前述縫之間， 而=引入縫之前述遮蔽區域中央方 一側之μ前述引人缝平行排列地延長形成。 又，前述縫亦可;^箭· ;+、a ρ , 整數。 則迷金屬板上形成2、条，其中N為正 又’前述複數之縫亦可 遮叙區域中央為基準而彼 此點對％地配置。 又’别述遮蔽區域係前述金屬板全域； 珂述金屬板係從中央至外 乂 门疋距離不均—地形成； 月丨J述強磁場位置亦可县力乂、+、人 疋在則述金屬板外周相鄰接且前述 中心距離與其他部位相比 緣位置。 相比為車乂長之邊緣位置間之中間之邊 二前述金屬板亦可形成為於外周具#2M個角之多角 开》，其中Μ為2以上之正整數； 前述f磁場位置亦可為前述角間之中間之邊緣位置。 又’前述金屬板亦可為正多角形。 2 ’前述強磁場位置亦可係與前述電磁波產生源之一面 之角間之中間之邊緣位置對應之位於前述遮蔽區域外周上 I44520.doc -6- 201043130 之位置。 又，前述遮蔽區域係前述金屬板全域； 鈿述金屬板亦可升>成為從中央至外周之距離為均一之圓 形。 [發明之效果] j文有效、簡單且低成本地抑 根據如前所述之本發 〇 〇 制從電子電路等電磁波產生源韓射出之雜訊（電磁波）。 【實施方式】 以下參照附圖’對本發明之較佳之實施形態進行詳細說 明。又，於本說明書及圖式中’對實質性具有相同功能構 成之構成要素係藉由標以相同符號而省略重覆說明。 又，本發明之各實施形態之輻射量減少裝置，可針對各 種電磁波產生源使用。作為電磁波產生源，從例如 CPU(Central Processing Unit, t ^ 4 if # ^ ) ^ LSI(Large Scale Integration ’大規模積體電路）、時鐘ic師 心心，積體電路）、周邊半導體、印刷基板、配線、線 圈、電阻、電容器等各種電子元件，以至於組合該等而形 成之電子機器，有各式各樣。該輕射量減少裝置之適用對 象，亚非局限於該等電磁波產生源之例，凡是產生電磁波 之各種部位均可使用。此時’輕射量減少裝置係密接配置 於不希望使電磁波產生源所輕射之電磁波傳播之方向側之 電磁波產生源，或配置料附近。當然，_量減少 :可配置於電磁波產生源之遠方，但考慮到電磁波之屏 衷減效率及裝置整體之空間效率等，宜配置於電磁波 144520.doc 201043130 產生源之側。為使 此之輪射量減少裝置易於理解， 按下述順序說明。 衣罝易於理w u下 1、關聯技術之輻射量減少裝置 2第1實施形態之輻射量減少裝置 2_1、輻射量減少裝置之構成、 2-2、輪射量減少裝置之作用例 2_3、輻射量減少裝置之實施例 2-4、輻射量減少裝置之安裝例 2-5、輻射量減少裝置之變更例 H輕射量減少裝置之效果之例 <1、關聯技術之輕射量減少裝置〉 明 一、、圖10，對關聯技術之輻射量減少裝置進行气 明。_用於說 仃- 圖D X< 鮞射里減少裝置之說胡 /〇係表示將金屬板9G作為電磁波之遮蔽罩使用， 耳外技術之輻射量減少裝置90 s 使用之情形之例。圖1 〇所开 之至屬板90具有導電性， ’ % Γ ^ ^ , 覆盍笔磁波產生源（以下亦_ f產生源R」)之方式配置。又，雖未圖示，但於s 之來成面：Γ (紙面内側)，配置有與金屬板9 之I成面之外形㈣面之外形)大致相 之雜訊產生源R。 <』®左戈 從雜訊產生诉K # φ 射量減少裝置被反射::雜：能)量二聯技術之襄 從關聯技術之輕射量減少裝置_之“表=雜:: I44520.doc 201043130 射出去。該現象此處亦稱為「2次放射」，該2 射之电磁波此處亦稱為「雜訊N」。 =電路會作為雜訊產生源R產生電磁波，從關聯技 =里減少裝置_發出2次放射之雜訊N。該2次放射 1， ，大別之可分為2類。第1類雜訊N係主要雜 Ο

㈣Γ金屬❹0為貼片天線放射。該雜訊N主要從金屬板 、面向雜況產生源R之相反側發出。另—方面，第趟 雜訊N係藉由金屬板9〇之邊緣（端部）與配置有雜訊產生源r 之基板内之GND(接地）面所形成之開口，以如同靜電電容 天線般之動作而發出。 此處就發明人等所進行之專心研究之結果所明確化之2 次放射雜訊N之產生機制進行簡單說明。 若仿照關聯技術之輻射量減少裳置9⑽之金屬板％般配 置覆蓋雜訊產生源R之金屬板9〇，於該金屬板9〇之下部， 即金屬板90與雜訊產生源R之間，會產生如駐波之電場。 所產生之電場強之位置（稱為「強電場位置」）如圖丨〇所 示。如圖10所示，強電場位置VA〜VD產生於金屬板9〇之四 個角，且強電場位置VO產生於金屬板90之中央。該強電 場位置係由金屬板90之形狀及雜訊產生源R之形狀之至少 一方決定。又’產生疑似強電場位置VA〜VD、V〇之駐波 之電場之波腹’使相鄰接之強電場位置間之電場之符號彼 此反轉。因此，藉由該電場，周狀電流ί(此處亦稱為外周 電流）流動。 該周狀電流I以包圍金屬板90之中央部〇之方式在外周流 144520.doc 201043130 動，越靠近中央部〇越小。藉由如此之周狀電W流動，於 金屬板9〇之上部及下部產生磁場。其中，產生於金屬板90 之下部之磁場，與前述電場之強電場位置相同，如同駐波 般地產生。所產生之磁場強之位置（稱為「強磁場位置」） 表不於圖1〇。如圖10所示’強磁場位置Βα〜β〇，產生於金 屬板9〇之四邊之中麥。拖士夕 , T央換5之，強磁場位置βΑ〜BD，產生 於強電場位置VA〜VD之中間。 :產生於金屬板90之下部之電場及磁場，分別進行盘 :板内之GND與金屬㈣之間由靜電電容天 電場及磁場同樣之動作。又，該 玍之 及磁場係經由基板内 :_與金屬板90之間之開口而產生雜訊Ν(第2 可為非嚴密之2次放射）。另-方面，藉由周狀電流蹢 於金屬板90之上部產生之磁場會連鎖性地產 … 生雜訊Ν(第1類雜訊Ν)。 穷’亚產 因此’於單純以金屬板9G形成之關聯技術1射 =置憎，會將雜訊產生㈣㈣之電磁波單:面^ 向散播（第2類雜訊Ν)，或從金屬板9Q之表 ^面方 類雜訊N)。 又季田射（弟1 對如此之關聯技術之輕射量減少裝置9〇〇之雜 專心研究之本發明之發明者，對如 ·：仃 機制加以探究，並進行減少該雜訊N之進— 生 結果’終而完成了本發明。以下，對本發明 := 進行說明。惟此處說明之雜訊处產生機制並非二㈣ N者，本發明之各實施形態之輻射量減少裝、疋雜訊 …、疑亦可減 I44520.doc 201043130 少前述之2類雜訊Ν以外之雜訊之輻射量。 <2、第1實施形態之輻射量減少裝置> I先，參照圖1Α及圖1Β，對本發明之第1實施形態之輻 射量減少裝置之構成進行說明。圖丨Α及圖1Β，係用於對 本發明之第1實施形態之賴射量減少裝置之構成進行說明 之說明圖。 <2-1、輻射量減少裝置之構成> Ο

如圖1Α所示，本實施形態之輻射量減少裝置100大別之 具有金屬板10與縫SA〜SD。 又’本實施形態中，如圖1Β所示，為便於說明，故對幸5 射量減少裝置100減少於雜訊產生源R之上方輕射之電磁： 之輕射量之情形進行說明。因此，以下說明之金屬板卿 成為覆蓋雜訊產生源R之上面之形狀，且該輕射量減少楚 置100配置於雜訊產生源R之上面側附近。惟金屬板1〇之带 狀及輕射量減少裝置100之配置位置等，可根據所欲減二 之雜訊產生源R及輕射量之方向等而做適當變更。 金屬板Π)係以導電性材料形成，具有可將輻射電磁波之 雜訊產生輯電磁波產生源之—例）之至少上面（―面之— 例）整體覆蓋之遮蔽面。如圖1B所示，本實施形態之金 板1〇4整體作為遮蔽面而形成。但，該金屬板之遮蔽 面亚無必要為金屬板10之全域，亦可為金屬板此局部區 域。即，金屬板1〇只要具有對應於雜訊產生源R之上面整 體之面（遮蔽面）即可，可并；士 & 正 了形成為各種形狀。該作為遮蔽面 之金屬板1G之11域亦稱為「遮蔽區域Ar」。 144520.doc 201043130 即’本實施形態中’遮蔽區域Ar相當於金屬板10之全 域。S如此之遮敝區域Ar相當於金屬板ι〇之全域之情形 H金屬板10之面積宜形成為該金屬板1〇所覆蓋之雜訊產 生源R之上面之面積之卜15倍，更好地為$倍。 但，金屬板1〇亦可比雜訊產生源R之上面更大地形成。 又本實施形態+，以金屬板1〇對應於雜訊產生源&之 上面之形狀而形成為正方形之情形為示例。但，金屬㈣ 並非必須對應於雜訊產生源汉之上面之形狀…並非必 須為正方形。惟為提高輻射量減少I置⑽之賴射量減少 效果等’金屬板10宜按以下順序形成。 正方形2正多角形〉多角形〉橢圓形 >圓形 但，金屬板10亦可為前述所列形狀以外之形狀，例如， 中心距離不均一之形狀。 遮蔽區域域設定於金屬板1G之㈣，覆蓋前述雜訊產 生源R之上面整體之區域。又，如前所述，本實施形態 中，將遮蔽區域Ar設定為金屬板1〇之全域。 縫SA〜SD至少於遮蔽區域^中形成為帶狀。該縫从〜犯 可錯由例如將金屬板1〇之一部分切成帶狀(亦稱為凹縫)， 或將金屬板1G自身去除切而形成。又，該缝 雖如圖1A所示係朝向中央部〇形成，而成為整體 开v、：··、如十子之形狀’但於金屬板W之周方向鄰接之缝彼 此亚未連結而是相互隔開。因此，藉由縫SA〜SD假性區割 之金屬板片11〜12係相互經由 一 γ夹邓〇而連結，而形成金屬 板1 0。 144520.doc 201043130 本實施形態中，該縫SA〜SD如圖1A所示，形成有4條。 但，該缝SA-SD之條數並非局限於4條，只要為複數條即 可。惟該缝SA〜SD宜於金屬板10上形成2Ν條，Ν為正整 數。 本實施形態之缝SA〜SD，如圖1Α所示以遮蔽區域αγ(即 金屬板10)之中央部0為基準，點對稱地配置。又，各縫 SA〜SD以同樣形狀形成。因此’首先以縫SA為例對各縫之 形狀進行說明。 如圖1A所示，缝SA大別之具有引入縫S1A與結合縫 S2A。 引入缝SI A係從遮蔽區域Ar之外周之前述強磁場位置

BA，向遮蔽區域Ar之中央部延長形成。本實施形態中， 為使遮蔽區域Ar與金屬板10之整體—致，故將引入縫sia 從金屬板10之端部形成。又，遮蔽區域^之外周之強磁場 位置BA，因如圖10所示係於遮蔽區域^之四個角（角部、 強電場位置）之令間之邊緣位置（端部）產生，故將引入縫 SIA從該邊緣位置朝中央部〇延長形成為帶狀。 又’於本實施形態中，雖將該引人缝SIA從角朝中央部 〇-线形成為帶狀，但該引入縫S1A亦可彎曲。但是， 如本貫施形態般將引人縫S1A形成為—直線之情形，可提 高引入縫sIA對周狀電流r之引入效果，而增加輕射量之減 結合縫S2A係從引入縫s丨a之遮蒱 <〜政區域Ar之中央部〇方向

之端部，與遮蔽區娀A 次Α Γ之周方向—側之其他縫S B (或缝S D) 144520.doc 201043130 平行排列而延長形成。更具體而言，本實施形態中，結合 缝S2錢與其他縫⑽之引人縫_平行排列㈣長形成。 本貫施形態中係表示將該結合縫S2A延長形成於遮蔽區 域Ar之周方向之引入縫S1A之右方（逆時針方向）之情形。 因此，其他引入縫S1B〜S1D也是，於中央部〇方向之端部 之右方（逆時針方向）延長形成各結合縫S2B〜s2d。惟結合 縫S2A〜S2D亦可與之減，延長形成於遮蔽區域^之周^ 向之各引入縫之左方（逆時針方向）。 又，本實施形態之結合縫S2A，與鄰接之其他縫沾中之 引入缝S1B平行形成，且，與該引入縫siB隔以特定之間 隔形成。又，結合縫S2A宜形成為比並列之引入縫Sm 短，不到遮蔽區域^之端部。惟，結合縫S2A宜以與前述 引入缝S1A相同或近似之寬度形成為帶狀。 該結合縫S2A藉由將引入縫S1A所引導之周狀電流〗與並 排之引入缝S1B大致平行地引導，而發揮與該引入縫sib 所引導之周狀電流I結合之結合效果。 此處說明之引入縫S1A及結合缝S2A，雖分別對應於縫 SA，但其他縫SB〜SD亦同樣各有工條引入縫§ ib〜s 與結 合縫S2B〜S2D。換言之’各縫SA〜SD係分別形成為大致l 字形，該L字形之縫SA〜SD從金屬板1〇之4個角之中間之邊 緣位置起延長形成。結果，縫SA〜8〇將金屬板1〇大致成十 字狀區劃成4個金屬板片n〜14。惟大致[字形之縫8八〜§1) 相互隔開，形成金屬板10之金屬板片11〜14在中央部〇相互 連結。 144520.doc 14 201043130 (關於強電場位置） 又及縫SA〜SD ’如前所述’係分別從強磁場位置 BA〜BD朝中央部〇方向形成。對該強磁場位置ba〜bd進行 說明。 如前所述，強磁場位置BA〜BD係指藉由雜訊產生源尺所 產生之電磁波，於與該#訊產生源R之間產生磁場，而該 磁場與其他部位相比為較大之部位。另一方面，強電場位 0 置VA〜VD相當於金屬板10與雜訊產生源R之間之空間阻抗 低之部位。與之相對’強磁場位置BA〜BD相當於遮蔽區域 Ar之外周之強電場位置VA〜VD之中間位置(本實施形態中 為金屬板10之邊緣位置）。本實施形態之輕射量減少裝置 1〇0中’金71板10雖开）成為與雜訊產生源R相同程度或覆蓋 ”的程度之多角形(正方形），但該情形下，金屬板⑺之角 之空間阻抗比其他部位低。因此’金屬板1〇之4個角成為 強电场位置VA〜VD，金屬板1〇之4個角之中間之邊緣位置

©成為強磁場位置BA〜Rn。m 4. ^ L βΓ)因此，本貫施形態之輻射量減少 裝置_係從該4個角之中間之邊緣位置起分別形成縫 .SA〜SD。又，該強磁場位置BA〜BD，如前所述，因根據金 屬板10之形狀或雜訊產生源尺之形狀等而不同，故缝 SA〜SD所形成之位置亦可能根據金屬板！〇之形狀及雜訊產 生源R之形狀等而有所變更。於金屬板1〇從中央部〇至外 周之中心距離不均-地形成之情形時，強電場位置盆中心 =與其他部位相比為長邊緣位置(端部)。又，強磁場位 為該邊緣位置之t間之邊緣位置（端部）。更具體而言， 144520.doc -15- 201043130 於金屬板ίο為多角形之情形下，強電場位置即為其角（角 部）’於如本實施形態之金屬板1〇為正方 一示之4個角。因此，於金屬板丨。為;：之; 形，強磁場位置為各邊之中點，於如本實施形態之金屬： _正方形之情形’則為如圖1A所示之4條邊之各中點。 另方面，金屬板10未有如此之角之情形，及金Μ㈣ 幅;大於遮蔽區域Ar之情形時，強電場位置从〜⑹為對應於 雜成產生源R之上面之角之遮蔽區域Ar之外周上之位置。 又，該情形下，強磁場位置BA〜BD成為對應於強電場位置 VA〜VD之中間’即，雜訊產生源尺之上面之角間之中間之 邊緣位置之遮蔽區域^之外周上之位置。因此，於如此之 情形下，縫SA〜SB係從對應於雜訊產生社之上面之角間 之中間位置之強磁場位置形成。 接二上對本發明之第1實施形態之輕射量減少裝置1 0 0之 構成進行了說明。 =’參照圖2A〜圖3B，對本發明之第！實施形態之輻 —f裝置之作用例進行說明。圖2A〜圖3B係用於對本 貫施形恶之輕射量減少裝置之作用例進行說明之說明圖。 <2_2、輻射量減少裝置之作用例> (2·2-1、周狀電流衰減作用） :先’對作為雜之主要產生源之周狀電流【之衰減作 用進行說明。 中二電机1，如圖10所說明’係由雜訊產生源R所產生之 毛磁波’於金屬板10與雜訊產生源R之間產生如駐波般之 144520.doc *16- 201043130 %场及磁場’藉由該電場及磁場，以包圍遮蔽區域μ之中 央之周狀流動。又’該周狀電流[係2次放射等雜訊Ν之 主要產生原因。 另方面，本貫施形態之輻射量減少裝置1 〇〇，如前所 述，具有從強磁場位置ΒΑ〜BD形成之複數之縫3八〜31)。該 縫SA SD中，引入縫S1A〜S1D分別從強磁場位置BA〜BD起 形成。強磁場位置B A〜BD係磁場比其他部位強 之位置，且 〇 藉由於該強磁場位置B A〜BD形成引入縫s i A〜s i D，於引入 缝S1A S 1D之邊緣中產生如圖2a所示之磁場H。在圖2A中 «亥磁場Η係以模式性顯示為磁流。換言之，雜訊產生源r 所產生之電磁波之放射磁場成分，會在該引入縫S1Α〜S1D 中於強磁場位置BA〜BD結合，而激發磁場H。又，該磁場 Η以結合於引入縫S1A〜S1D之狀態，沿引入縫S1A〜sid被 導向遮蔽區域Ar之中央部〇側。另一方面，周狀電流j係由 引入縫S1A〜S1D而被切斷，且伴隨磁場η結合於引入縫 ❹ S1A〜S1D，而如圖2Α所示，與磁場Η—起被導向中央部〇 側。藉由引入縫S 1Α〜S1D被導向中央部〇側之周狀電流I， 如圖2B所示’藉由結合缝S2A〜S2D，而被引導至與在周方 •向一側相鄰接之其他縫之間。因此，周狀電流I會在各缝 SA〜SD之邊緣部流動。 該流動於各缝SA〜SD之邊緣部之周狀電流I，如圖⑸所 示，與相鄰接之缝所引導之周狀電流I逆相。因此，於2個 縫SA〜SD成平行之區域A及區域B中，逆相之周狀電流I會 相互抵銷。即’若端看1個缝，周狀電流I係於2個區域a、 144520.doc -17- 201043130 B中抵銷、衰減。其結果，本實施形態之輻射量減少裝置 1 〇〇可減少2次放射等之雜訊N。 (2-2-2、放射磁場成分衰減作用） 另一方面，結合於各缝SA〜SD而產生磁場H之放射磁場 成分，如前所述，係從強磁場位置BA〜BD起沿各縫8人〜81) 被引導。又，各縫SA〜SD並非僅使來自強磁場位置ba〜bd 之放射磁場成分結合，亦於其他部位使放射磁場成分結 合，產生磁場H。各縫SA〜SD所產生之磁場H，於圖从所 示之平行位置PA〜扣中，如圖3B所示為逆相，也會彼此抵 銷。因此’由該縫SA〜SD分別產生之磁場取斤產生之2次放 :之雜訊N’亦於平行位…D内成為逆相而互相抵 銷，使雜訊N進一步減少。 (2-2-3、殘存2次放射成分衰減作用） 此外，由於前述周狀電流衰減作用及放射 作用，亦將產生殘存之2次放射成分。但，如圖31Γ 各縫SA〜SD因於太音妗π处Α 口 A所不， 因於本貫轭形悲中點對稱地形 ==rc，或縫一)所產生之雜= 細====，—雜 耵刀了彼此抵銷。更具體而言 行位置Μ韓射之2次放射成分，係與從平行位置％ = 2-人放射成分逆相而彼此抵銷，從平 射成分，係與從平行位輻射之2次放 此抵銷。因此，可:：=次放射成分逆— 如此’本實施形能 心之幸田射里減少裝置1〇〇 ’藉由具有前 144520.doc 18 201043130 述縫sa:sd’發揮周狀電流衰減作用、放射磁場成分衰減 旦 ％存2-人放射成分衰減作用等，可減少雜訊N之輻射 里但，如此之作用僅為示例，輻射量減少裝置1〇〇並非 局，於該等作用，還有此處未列舉之作用存在，藉此不可 否定其可減少雜訊N之可能性。 以上，對本發明之第1實施形態之輻射量減少裝置100之 作用例進行了說明。 〇 、、然後，參⑮圖4〜圖6’料發明之第1實施形態之輻射量 減少裝置之實施例進行說明。圖4〜圖ό係用於對本實施形 態之輕射量減少裝置之實施例進行說明之說明圖。 <2-3、輻射量減少裝置之實施例> 為測定本實施形態之輻射量減少裝置之輻射量減少效 果，準備了模擬圖4所示之印刷基板之測定裝置。更具體 而言，於被測定對象X之下面配置乙烯樹脂皮膜Τ2，將該 乙烯树知皮膜Τ2以擋住支持板τ丨之開口部之方式配置於支 Ο 持板T1上。又，改變來自雜訊產生源R之頻率且產生電磁 波，將從被測定對象X放射之雜訊N(電場分佈），藉由距離 被測定對象X 50 mm之接收探針d加以測定。 又，如圖5A所示，準備不具有縫之關聯技術之輻射量減 少裝置900，與本實施形態之輻射量減少裝置1〇1、1〇2， 並配置於被測定對象X之位置，藉由前述測定裝置測定雜 訊N之輻射量。 又，本實施形態之輻射量減少裝置1〇1、1〇2，係如圖5八 所示改變縫SA〜SD之尺寸而形成。即，金屬板1〇係以厚 144520.doc -19- 201043130 〇·〇9 mm之銅板形成為40 mmx4〇 „^之正方形，於該金屬 板10上形成縫寬0.8 mm之縫SA〜SD。惟金屬板1〇之材質只 要有導電性即可’並未有特殊限定，以其他材質亦可得到 與下述說明同樣之結果。 此時，設輻射量減少裝置101之引入縫S1A〜S1D之長度 為18 mm，設結合縫S2A〜S2D之長度為u瓜爪。另一方 面，設輻射量減少裝置1〇2之引入縫S1A〜S1D之長度為 17.5 mm，設結合縫S2A〜S2D之長度為limm。又設=行 位置PA〜PD之縫間隔（即相鄰接之縫間之間隔）為〇6酿。 又，設各缝SA〜SD之引入縫S1A〜S1D與結合縫S2A〜s2d之 間之角度為90。又，縫SA〜SD具有彼此以遮蔽區域^(即 金屬板10)之中央部〇為基準旋轉9〇。之形狀（即9〇。之4次對 稱）’整體形成為大致十字狀。另—方面，關聯技術之輕 射量減少裝置900，使用與前述金屬板1〇相同之金屬板 90 = 於圖5B顯示將針對關聯技術之輻射量減少裝置900之測 定信號1900設為〇 dB而將關於本實施形態之輕射量減少裝 置1〇1之測定信號1101規格化之測定結果。另一方面，^ 圖5C喊不使用電磁場模擬器，將針對關聯技術之轄射量減 ^裝置900之模擬結果C_設為〇 dB而將針對輕射量減少 装置1 01 102之模擬結果C101、C102規格化之測定社 果。 、’口 般而S ’因於金屬板10上有縫SA〜SD之開口，從其開 Λ漏之包磁波會被加算到2次放射成分，故可想見本實 144520.doc -20- 201043130 施形態之輻射量減少裝置⑻、1〇2，與關聯技術之輻射量 減v #置9GG相比，雜訊N之量之情形較為惡化。因此，一 般預計，輕射量減少纟置101、102產生之測定信號ιΐ(Η、 _ 削2 ’會比關聯技術之輻射量減少裝置觸之測定信號胸 高。 但，本實施形態之輻射量減少裝置1〇1、1〇2不止於圖化 斤厂、亦如® 5C所見’與&述預計相反’於廣範圍之電磁 〇 波之頻嘐中，可大幅減少2次放射成分（雜訊N)。此係因為 幸田射里減少裝置1〇1、102可藉由於縫sa〜sd内擷取放射成 /刀，且使用複數之縫SA〜SD使之相互干涉抵銷，而大幅減 少2次放射量。 又，準備了在與前述相同之金屬板10上適當改變縫 SA〜SD之尺寸之本實施形態之輻射量減少裝置ι〇3〜ι〇7(未 圖示）’進行前述同樣之測定。 此時，設輻射量減少裝置1〇3，設其縫寬為丨〇 mm，引 〇 入縫S1A〜S1D之長度為17 mm，結合縫S2A〜S2D之長度為 1 5 mm ’平行位置pa〜PD之縫間隔為〇·4 mm。又，輻射量 減少裝置104 ’設其缝寬為i_2 mm，引入縫S1A〜S1D之長 •度為18.5 mm，結合縫S2A〜S2D之長度為15 mm，平行位 置PA〜PD之缝間隔為〇.6 mm。又，輻射量減少裝置1〇5 , 設其縫寬為0.6 mm ’引入缝S1A〜S1D之長度為17 mm，結 合縫S2A〜S2D之長度為11 mm，平行位置pA〜pD之縫間隔 為0.4 mm。輻射量減少裝置1〇6，設其縫寬為〇.8 mm，引 入縫S1A〜S1D之長度為17 mm，結合縫S2A〜S2D之長度為 144520.doc 21 201043130 13 mm，平行位置PA〜PD之縫間隔為〇 2 mm。又輻射量 減V、裝置107 ’设其縫寬為ι·4 mm，〗丨入缝S1A〜S1D之長 度為18 mm，結合缝S2A〜S2D之長度為12 mm，平行位置 PA〜PD之縫間隔為〇·5 mm。 於圖6顯示將針對關聯技術之輻射量減少裝置9〇〇之測定 信號测設為〇 dB而將針對該㈣量減少裝置丨Q3〜如之 測定信號1103〜11 〇7規格化之測定結果。 圖6之測定結果亦顯示，即使縫Sa〜sD2尺寸不同之情 形，本實施形態之輻射量減少裝置103〜107亦可使^ 〇 SA〜SD彼此確實地結合放射成分，發揮2次放射（雜訊戰 以上，對本發明之p實施形態之輻射量減少裝置之實 施例進行了說明。 ❹ ㈣，參照圖7A〜圖7F，對本發明之第！實施形態之輕 射量減少裝置之安裝例進行說明。圖7八〜圖Μ係用於對本 貫她形恶之輪射量減少裝置之安袭例進行說明之說明圖。 <2-4、輻射量減少裝置之安裝例> 本發明之第1實施形態之輻射量減少裝置1〇〇，如前所 述成係J由在金屬㈣形成縫SA，之非常簡單之構造而 射量減Μ置⑽甚至不必接地， 故配置位置並無特別限制，於 R . 0 田於/、要配置於雜訊產生源 附近即可，故可進行各種各樣之安裝。因&，以下， 對輪射量減少裳置⑽之若干安裝例進行說明。 (2-4-1、第1安裝例） 144520.doc -22. 201043130 於圖7顯示將本實施形態之輕射量減少裝置ι〇〇直接印刷 於雜讯產生源R之上面之情形。此時’亦可不設於雜訊產 生源R之上面，而於雜訊產生源R之内部埋人㈣量減少 裝，100。如此直接印刷於雜訊產生源R，可容易地構成輕 射！減少裝置1〇〇，且可大幅減少相對於雜訊產生源r之一 面側之雜訊N之韓射量。又，此日夺，在雜訊產生社與幸畐 射量減少裝置100之間，宜形成例如〇〇5 _左右之絕

護層。 (2-4-2、第2安裝例） 於圖7B中，作為與前述第1安裝例相同地與雜訊產生源 R-體形成之㈣量減少裝置⑽之安裝例，顯示藉由接著 劑3 i (亦可為附接著劑的密封件等），於雜訊產生源r之上 面固定輻射量減少裝置100之情形。該情形下，接著齊⑶ 等宜使用絕緣性素材。 (2-4-2、第3安裝例） 於圖7C顯不將本實施形態之輕射量減少裝置⑽固定於 屏蔽殼23之情形。雜訊產生源R配置於基板22上，且藉由 屏献叙21、23予以覆蓋。又’於與上方之屏蔽殼η之雜訊 產生源R對向之位罟夕& 之内。卩，藉由接著劑或密封件（未圖 示）等固定輕射量減少裳置⑽。當然，輕射量減少裝置 1〇0亦可固定於屏蔽殼23之上方。如此輻射量減少農置100 因無配置位置限制，故於雜 玫於雜Λ產生源R之附近無論怎樣配 置均可。X ’因不必接地等，固^方法亦無特殊限制，故 可容易地配置輻射量減少裝置丨0(3。 144520.doc -23- 201043130 (2_4-2、第4安裝例） 於圖7D顯示將本實施形態之輻射量減少裝置！ 00作為屏 蔽殼23之一部分形成之情形。該情形下，覆蓋屏蔽殼23之 雜訊產生源R之部位為金屬板1 0，與該金屬板1 〇之雜訊產 生源R對向之位置為遮蔽區域Ar。又，於該遮蔽區域Ar形 成縫SA〜SD。該情形下，只要於屏蔽殼23形成缝sa〜SE)， 即可形成本實施形態之輻射量減少裝置丨00。 (2-4-2、第5安裝例） 於圖7E顯示將與前述第4安裝例相同般之本實施形態之 輪射量減少裝置1〇〇直接形成於屏蔽殼23，且金屬板1〇大 幅大於覆蓋雜訊產生源r之遮蔽區域Ar之情形。該情形， 因與前述第4安裝例相同，其遮蔽區域Ar與金屬板⑺不一 致，故相當於雜訊產生源尺之上面之角間之中間之邊緣位 置之遮蔽區域Ar之外周（角）會成為強磁場位置B a〜bd，縫 SA〜SD係從該強磁場位置BA〜BD開始形成。 (2-4-2、第6安裝例） 於圖7F中，本實施形態之輻射量減少裝置ι〇〇雖直接形 成於屏蔽殼23 ’但與前述第5安裝例不同，而是使覆蓋雜 :產生源R之遮蔽區域斛與金屬板1〇大致為相同大小。該 情形下’金屬板ίο之角成為遮蔽區域Ar之角，且 磁場位置BA〜BD。因此， 成為強 键t>A SD攸该金屬板1〇之角間之 中間之邊緣位置開始形成。卑 战此化為更有效地將周狀電流 α 、邛〇 ,縫SA〜SD如圖7F所示，宜延县# ά 茲々八且延長形成至與屏 由文软23之金屬板1〇不同之 丨叫理亦可適用於第5 144520.doc •24- 201043130 安裝例之情形。因此，於第5安裝例中，圖7E之缝 SA-SD，藉由越過遮蔽區域Ar而延長至金屬板1〇之端部或 其附近，可將周狀電流I更有效地向中央部〇引導。 以上，對本發明之第！實施形態之輻射量減少裝置1〇〇之 安裝例進行了說明。惟此處說明之安裝例僅只是一例，該 安裝例並非限定輻射量減少裝置1〇〇之適用對象者。如前 所述，輻射量減少裝置1〇〇可以非常單純之構造形成，且 〇 因配置位置無限制，故無疑可實施其他各種之安裝。 <2-5、輻射量減少裝置之變更例> 以下，參照圖8A〜圖8E，對本發明之第！實施形態之輻 射量減少裝置100之變更例進行說明。圖8A〜圖8E係用於 說明本實施形態之輻射量減少裝置之變更例之說明圖。 (2-5-1、縫條數及配置位置（點對稱）） 如則所述，本實施形態之輻射量減少裝置丨〇〇，藉由具 t複數之缝SA〜SD，發揮周狀電流衰減作用、放射磁場成 〇 分衰減作用、殘存2次放射成分衰減作用等，可減少雜訊 N。另-方® ’周&電流衰減作用及放射磁場成分衰減作 用如圖2A、圖2B及圖3B所說明，係藉由將相鄰接之各 缝彼此逆相之周狀電流1或磁場Η向中央部之〇方向引入而 予、赉揮為發揮該周狀電流衰減作用及放射磁場成分衰 減作用，縫只要形成2個以上即可。 、 但’殘存2次放射成分衰減作用，如圖3Α所說明，係夢 由，仗各縫SA〜SD所產生之各雜訊Ν成為大致相同振幅且 逆目而發揮。為此，基於位相之關係，縫之條數宜形成為 144520.doc -25- 201043130 2~条，其tN為正整數。又，為使 等且進—步掠古 雜訊N之振幅相 央恤其问抵鎖效果’複數之縫宜以遮蔽區域Ar之中 央邛〇為基準而點對稱地形成。即， 肀 SS-, m 併說明縫之條勃 /、配置位置，則縫宜形成為2^条，且以 ” 部〇為基準而形成為2'欠對稱。 、、’區域Ar之中央 電條數為㈣之情形與Ν超過2之情形下，周狀 八：衣減作用、放射磁場成分衰減作用、殘存2次 刀衮減作用等可作相同程度發揮。因 ±, _ ^ u 〒應到右縫之條 數〇則縫形成步驟會相對增加，且輕射量減少裝置_ 之機械性強度會降低’故縫之條數宜為㈣，即罐。又 考慮到各縫以點對稱形成，故亦可如圖8a所示於長方來之 金屬形成縫SA〜SD。然而，為使抵銷之周狀電流沒 ，之ϊ、磁場Η彼此之振幅、逆相之雜訊N之振幅等相 $，且各向同性地發揮抵銷效果，宜形成如圖以所示之本 貫施形態之4次對稱之缝s A〜SD。 但，即使將縫形成為2N條以外之複數條之情形，亦可發 揮前述周At流衰減作[放射磁場成分衰減作用等。又 又，附帶說明，如圖8B所示，即使在複數之縫未以點對稱 t成之情形下’亦可發揮周狀電流衰減作用、放射磁場成 分衰減作用、殘存2次放射成分衰減作用等。又，該情形 下，遮蔽區域Ar之中央部〇’亦可為金屬板1〇之各角之對 角線之交點或金屬板1 〇之重心位置。 (2-:5-2、金屬板之形狀） 另一方面，縫係如前所述從遮蔽區域^之強磁場位置朝 144520.doc -26· 201043130 中央部〇形成。此時，金屬板10若 人巾田大於遮蔽區域Ar(例 如1.5倍以上）’則如圖7D及圖7E所千，ha、 '、’強磁場位置係對應 於雜訊產生源R之上面之角間之ψ門 月間之中間之邊緣位置之遮蔽區 域Ar之外周上之位置。但，當遮益 田k敗&域Ar為金屬板1〇之大 纟全域之情形時，強磁場位置相當於金屬板iq之角間之中 間之邊緣位置。 另-方面’如前所述，為充分發揮殘存2次放射成分衰 〇 輸’在相位之關係上’縫之條數宜形成她，料 正整數。因此，該缝所形成之強磁場位置，亦宜為相同程 度之數目。為此，金屬板10宜於外周形成為且有2M個角之 多角形，Μ為2以上之正整數。因此，為充分發揮殘存2次 放射成分衰減作用，金屬板1()宜形成為例如4、8、Μ、^ 角形等。又，為使逆相之雜訊Ν之振幅相等以進一步提高 抵銷效果，如同縫宜點對稱形成，金屬板亦宜點對稱： 成。此外，為各向同性地發揮抵銷效果，如同縫§八4〇宜 Q 4次對稱形成’金屬板10亦宜為正多角形。 該金屬板10以正多角形形成之情形之例，如圖8C及圖 所示。圖8C及圖附，金屬板1〇係形成為正八角形。 . 又’於圖8C中’為滿足前述關係’縫SA〜SH係以8次對稱 -形成8條。但，因、縫之條數不必與金屬板1〇之角數一致， 故亦可如圖8D所示，將4條缝SA〜SD&4次對稱形成。 又，如圖8E所示之橢圓等，若金屬板1〇並無角，而是形 成為從中央部Ο至外周之中心距離不均一之形狀之情形 時，強磁場位置BA、BC係其中心距離比其他部位長^邊 144520.doc 27· 201043130 緣位置間之中間之邊緣位置。因此，該情形如圖8E所示， 仳作為遠邊緣位置之強磁場位置b a、b C起，形成複數之 缝SA、SC。 此外，如圖8F所示之圓等，若金屬板1〇形成為如此之毫 無邊緣位置之情形時，與圖7E等相同，強磁場位置BA、 BC係對應於雜訊產生源R之上面之角間之_間之邊緣位置 之遮蔽區域Ar(即金屬板10)之外周上之位置。因此，該情 形下，如圖8F所示’從該強磁場位置BA〜BDs，形成複數 之缝SA〜SD。 <2-6、輕射量減少裝置之效果之例> 以上對本發明之第1實施形態之輻射量減少裝置〗〇〇進 行了說明。 根據該輕射量減少裝置100，藉由只裝載於雜訊產生源R 之上面’可以發揮將產生於其部位之上部之放射雜訊成分 刀d抵銷之作肖。因此，能夠一方面減少2次放射等之雜 訊N之產生’並有效抑制從雜訊產生源R產生之電磁波。 又，此時，被抵銷之電磁波能量會作為熱而被吸收。 二1該輻射量減少裝置1 〇 〇，因可藉由接著劑或密封件 專fl單也配置’無需螺絲固定作業等會使組裝作業效率降 低之作業，故可容易地配置。又，_射量減少裝置⑽因 可以簡單之：造形成，故製造成本亦有望大幅減少。 卜士所述，輻射量減少裝置1 〇〇因無需接地，故 可不受配置位晉也丨^ I & , ，# & 、 、、而自由地衣載。因此，可於欲減少電

磁波之複數之雜％太L 灵要 <雜讯產生源尺之附近適當配置輻射量減少裴 144520.doc -28- 201043130 0即使雜訊產生源為多種之狀態下亦可適當地減少 雜訊°又’當然亦可對屏蔽殼等接地使用。 么以上，雖參照附圖對本發明之較好之實施形態進行了詳 f說明，但本發明無疑不受前述例之限制。若為具有本發 斤屬之技術領域之通常之知識者，無疑可於申請專利範 圍所圯載之技術性思想之範圍内，思及各種變更例或修正 例，應了解言亥等變更例或修正例無疑亦狀本發明之技術 性範圍内。 Ο 例如，則述實施形態中，乃針對藉由引入縫S1A〜S1D將 周狀電机I引入中央部〇側，且藉由結合縫S2A〜S2D，使流 動於相鄰接之縫SA〜SD之周狀電流〗彼此等直接抵銷之情 少‘行了 6兒明。但，將該周狀電流j引入而使之抵銷之效 果，亦可如圖9Α所示，取代結合縫S2A〜S2D而經由輔助連 結縫S11〜S14而間接性發揮。但，因該情形不僅周狀電流 衰減作用有所受限，放射磁場成分衰減作用及殘存2次放 射成分衰減作用等與前述第丨實施形態相比亦受到抑制， 故宜為如前述第1實施形態般各周狀電流〗彼此等直接抵銷

之構造。 _ P 又，為以各縫SA〜SD單體發揮周狀電流z等之減少 果，如圖9B所示，可於結合縫S2A〜S2D之兩側，設置輔 縫S3A〜S3D及輔助縫S4A〜S4D。該情形下，周狀電流工 藉由引入缝SI A〜S1D被導向中央部〇側後，流動於輔助 周圍，而可使周狀電流I減少。但，該情形下，難以充 發揮周狀電流衣減作用及放射磁場成分衰減作用等，故 144520.doc -29- 201043130 =宜為如前述第i實施形態之使周狀電流峨此等抵銷之構 【圖式簡單說明】 圖1 A係用於對本發明之第1實施形態之輻射量減少裝置 之構成進行說明之說明圖； /圖1B係用於對同一實施形態之輻射量減少裝置之構成進 行說明之說明圖； 圖2A係用於對同一實施形態之輻射量減少裝置之作用例 進行說明之說明圖； 0 、圖2B係用於對同一實施形態之輻射量減少裝置之作用例 進行說明之說明圖； 、圖3 A係用於對同一實施形態之輻射量減少裝置之作用例 進行說明之說明圖； 圖3 B係用於對回 ^ jry 對问一 Λ加形態之輻射量減少裝置之作用例 進行說明之說明圖； 圖4係用於對回—jt/ At 、 Τ Π —貝她形悲之輻射量減少裝置之實施例 進行說明之說明圖； ϋ 、圖5 Α係用於對同一實施形態之轉射量減少裝置之實施例 進行έ兒明之說明圖； 、圖5Β係用於對同一實施形態之輻射量減少裝置之實施例 進行έ兒明之說明圖； 圖5 C係用於對回_承ρ 〈台t ' 门只施升/恶之輻射量減少裝置之實施例 進行§兒明之說明圖； 圖6係用於對同—余能 J @把开y心之輻射量減少裝置之實施例 144520.d〇c -30· 201043130 進行說明之說明圖； 圖7 Α係用於對同一實施形態之鲈

軲射量減少裝置之安裝例 進行說明之說明圖； fW 圖7B係用於對同一實施形態之輻 % , 知射1減少裝置之安裝例 進行說明之說明圖； 女表 圖7C係用於對同一實施形態之輕、 進行說明之說明圖； 、里減；裝置之安裝例 Ο 〇 圖7D係用於對同一實施形態之 進行說明之說明圖； 、里減夕裝置之安裝例 圖7E係用於對同一實施形態之輻射旦、、 進行說明之說明圖； 里減少裴置之安裝例 圖7F係用於對同一實施形態之車昌 進行說明之說明圖； 〉、裝置之安裝例 圖8 A係用於對同一實施形態之輻射θ、、 進行說明之說明圖； 蕙減少骏置之變更例 圖8B係用於對同一實施形態之輕射旦、、 進行說明之說明圖； 、里減少裝置之變更例 圖8C係用於對同一實施形態之 進行說明之說明圖； 直'、J裝置之變更例 圖8 D係用於對同一實施形態之 進行說明之說明圖； 量減少裝置之變更例 、圖8E係用於對同一實施形態之 進行說明之說明圖； 夏減少裝置之變更例 圖-係用於對同:實施形態之輪 14452〇.d〇c 里哉J裝置之變更例 -31 - 201043130 進行說明之說明圖； 圖9A係用於對同一實施形態之輻射量減少事 變更例進行說明之說明圖； 气進〜歩 圖9B係用於對同一實施形態之輻射量減少擊 變更例進行說明之說明圖；及 、置之進〜步 圖10係用於對關聯技術之輻射量減少裝 明圖。 丁说明 < 十 【主要元件符號說明】 10 ' 90 金屬板 11 、 12 、 13 、 14 金屬板片 15 、 16 、 17 、 18 金屬板片 21、23 屏蔽殼 22 基板 31 接著劑 100 、 101 、 102 、 103 、 104 、 105 輻射量減少羧 106 、 107 、 108 、 109 、 110 、 111 輻射量滅少骏 900 關聯技術之轉 A、B 區域 Ar 遮蔽區域 BA、BC、BB、BD 強磁場位置 D 接收探針 H 磁場 I、11、12、13、14 周狀電流 N 雜訊 置 薏 置 144520.doc -32- 201043130 〇 中央部 PA、ΡΒ、PC、PD 平行位置 R 雜訊產生源 SA、SB、SC、SD 缝 SE、SF、SG、SH 缝 S1A、SIB、SIC、SID 引入縫 S1E、S1F、S1G、S1H 引入缝 S2A、S2B、S2C、S2D 結合縫 〇 S2E、S2F、S2G、S2H 結合縫 S3A、S3B、S3C、S3D 輔助縫 S3E、S3F、S3G、S3H 輔助缝

Sll、S12、S13、S14 輔助連結缝 Τ1 支持板 Τ2

VA、VB、VC、VD、VO

X 乙烯樹脂皮膜 強電場位置 被測定對象 -33- 144520.doc

Claims (1)

1. 201043130 申請專利範圍： -種輻射量減少裝置，其係包含： 金屬板’其可覆蓋輻射電磁波之電磁波產生源之 -面之整體； 〃 其設定於前述金屬板之面内且覆蓋前述— 七 1. 遮蔽區域 面之整體； 其至少於前述遮蔽區域中形成為帶狀且彼 複數之縫 此隔離； Ο ❹ 前述複數之縫各自包含： 引入縫，其係從前述遮蔽區域之外周上由於前述電磁 波而與前述電磁波產生源之間所產生之磁場比其他 強之各個強磁場位置起，朝向前述遮蔽區域之中央 形t’以將藉由前述電磁波而流動於包圍前述遮蔽_ 之中央之周方向之周狀電流導向前述遮蔽區域中央方 向，及 結合縫，其係為了將前述引入縫所引導後之周狀電流 V向與在前述遮蔽區域周 々„ 蚊匕坟周方向-侧相鄰接之其他前述縫 起與，试：引达引入縫之則述遮蔽區域中央方向之端部 側之其他前述引人縫平行排列地延長形成。 2_如δ月求項1之輻射量減少裝¥， 置其中别述縫係於前述金 屬板上形成2條，其中Ν為正整數。 3. 如請求項2之輻射量減少奘 ., 一十1心裝置，其中前述複數之縫係以 别逃遮蔽區域中央為基準而彼此點對稱地配置。 4. 如*月求項山中任一項之輕射量減少裝置，其中 144520.doc 201043130 雨述遮蔽區域係前述金屬板全域； 前述金屬板係從中央至外周之距離不均一地形成； 丽述強磁場位置係在前述金屬板外周相鄰接且前述中 〜距離與其他部位相比為較長之邊緣位置間之中間之邊 緣位置。 5. 6. 8. 如請求項4之輻射量減少裝置，其中 前述金屬板係形成為於外周具有2M個角之多角形，其 中Μ為2以上之正整數； J述強磁场位置為前述角間之中間之邊緣位置。:请求項5之輻射量減少裝置，其中前述金屬板為正多 角开>。 如請求項1至3中住—τ5 ^ 員之輻射量減少裝置，其中前述強 磁场位置係與前述電 窀磁波產生源之一面上之角間之中間 之邊緣位置對；* $ Υ , & % ;蝻述遮蔽區域外周上之位置。 如§月求項7之輕射香、、士， _ 田射里减少裝置，其中 前述遮蔽區域传益 _ Α係則述金屬板全域； 則述金屬板係形成 形。 為攸中央至外周之距離均一之® 144520.doc