JP4795826B2 - 電波吸収体 - Google Patents

Description

本発明は、高出力半導体装置を内部に実装したメタルパッケージ内の不要輻射を吸収する電波吸収体に関し、特にマイクロ波帯で波長依存性のある電波吸収体に関する。

遠距離のマイクロ波通信やレーダ等のために高出力の半導体増幅器が使用されている。これらの高出力増幅器を実現するにあたり、高出力半導体であるパワートランジスタはメタルパッケージに実装される。

ところがパッケージを金属蓋等で完全に密閉してしまうと、内部において不要な輻射が起こり増幅器の入出力間アイソレーションを悪化させてしまう問題点があった。
そこで従来から、下記特許文献１に記載されているように、パッケージ内のトランジスタと対向する面に電波吸収性のある所定の材質の電波吸収体を配置することが考えられている。

電波吸収性を有するものとして、例えばフェライト等が用いられるが、パッケージ内部に配置された電波吸収体は、不要輻射を吸収するだけではなく、信号路を流れる信号成分のエネルギーもパッケージ内部の空間を介して分岐させ吸収するので、本来増幅すべき信号を減衰させる性質がある。

フェライトにより電波吸収量を大きくしようとすると、フェライトの電波吸収量は波長依存性がないため、伝送信号に損失を与えるので、あまり電波吸収量を大きくすることはできない。

もう一つの従来の電波吸収体の例は、下記特許文献２に開示されているように、その厚さの４倍の波長の電波を吸収するもの、すなわち、電波吸収量に波長依存性があり、吸収しようとする波長の４分の１の厚さを有する４分の１波長電波吸収体である。

図１６は４分の１波長電波吸収体６００の構造を示す図である。金属膜６３０の上に樹脂フィルム６２０が配置され、その上に抵抗膜６１０がコーティングされている。抵抗膜６１０は例えば表面抵抗が３６７Ω／□のニッケルクロムなどで作成される。樹脂フィルム（ポリイミド）６１０として比誘電率εｒ＝３のものを用いると、その厚さは、１０ＧＨｚで４．３mm程度になるため、このサイズでは小型化が求められるパッケージ内部での使用は困難であった。
特開２００３−２２４２４１号公報 特開２００４−１３８４１５号公報

高出力半導体が実装されたパッケージ内の電波を吸収する電波吸収体において、電波吸収量に波長依存性があり、小型化が求められるパッケージ内部での使用が可能な薄型電波吸収体を提供する。

本発明によれば、アンテナの電波受信特性による特定の周波数帯域に対する電波吸収手段を備えた電波吸収体が提供される。
また、本発明によれば、前記アンテナは、パッチアンテナとする電波吸収体である。

さらに、本発明は、薄膜基板にAu、Cuなどの金属配線を用いて作製されたアンテナ回路の給電線を、ニッケルクロム等で同一基板上に作製された抵抗素子に接続してもよい。

本発明によれば、アンテナの受信周波数特性により、電波吸収量に周波数依存性を持たせることができる。また、マイクロ波帯において、数１００μｍ程度の薄膜基板にアンテナ回路を作り込むことができるので、電波吸収量に周波数依存性を持ち、小型化が求められるパッケージ内部での使用が可能な厚さの薄い電波吸収体を実現することができる。

更に、アンテナ回路と抵抗素子を同一基板上に作りこむことにより高い設計精度も実現することが可能である。

まず、本発明の実施態様１について説明する。
本発明の実施態様１の電波吸収体は、アンテナ素子としてパッチアンテナを採用し、同一基板上に作製されたアンテナ素子と抵抗素子の組み合わせからなるものである。アンテナ素子は空気中の電波を薄膜基板上の配線上の高周波信号に変換することができる。また、変換された高周波信号は給電線を介して抵抗素子で吸収することができる。

上記アンテナ素子は波長の３０分の１程度の基板の厚みでも十分高い変換利得を実現できることから、従来の４分の１波長電波吸収体に比較しておよそ８分の１程度に大幅に基板を薄くすることができる。

ところで、良好な吸収量を実現するためには、アンテナ素子で変換された高周波信号が抵抗素子で反射することを防がなければならない。そのためにはアンテナ素子を送信機側に相当する抵抗素子側から見た入力インピーダンスと抵抗素子のインピーダンスは複素共役になっていなければならないが、ワイヤなどを用いて別の基板に作製されたアンテナ素子と抵抗素子を接続するとワイヤに寄生するインダクタ成分がインピーダンス整合を阻害することになる。

そこで本実施態様では、同一基板上にアンテナ素子と抵抗素子を作製することで不要な寄生インダクタを除去することができる。
図１は上記実施態様１の実施例を説明する図であり、図１（ａ）は全体斜視図、図１（ｂ）は正面図と断面図である。

本実施例では、アンテナ素子として放射導体１０が方形の方形パッチアンテナ１を用いたものである。放射導体１０の一辺の長さは吸収しようとする電波の基板中の波長の２分の１である。

図に示すように、方形パッチアンテナ１の放射導体１０の一辺の中央に辺と直角方向に給電線２０が接続され、給電線２０のもう一方の端子には、抵抗素子としてニッケルクロム等で作製された抵抗膜３０が接続されている。そして、これらは、アルミナ、窒化アルミ等で作製されるセラミック薄膜基板５０上に形成されている。

セラミック薄膜基板５０の裏側には方形パッチアンテナ１の接地導体６０が配置され、接地導体６０と抵抗膜３０の間はビア４０で接続されている。
上記のような構成の本実施例の電波吸収体においては、セラミック薄膜基板５０に比誘電率εｒ＝１０のアルミナを用いると、１０ＧＨｚの周波数のセラミック薄膜基板５０内の波長は約９．３ｍｍで、セラミック薄膜基板５０の厚さはその３０分の１の０．３１ｍｍ、すなわち３１０μｍとすることができる。

次に、図２及び図３を参照して、本実施例のパッチアンテナ１の抵抗素子側から見た反射特性について説明する。
図２は図１に示したパッチアンテナ１、給電線２０、抵抗膜３０の等価回路であり、パッチアンテナ１は、伝送線路１１と、その一端とアース及びに他端とアースにそれぞれ接続され、パッチアンテナ１０の放射アドミタンスを表すＲＣ並列回路（１２，１３）で表され、給電線２０は特性インピーダンスの抵抗成分が１２０Ωの伝送線路２１で表されている。抵抗膜３０は、１２０Ω程度の抵抗素子３１として表されている。

図３は、抵抗膜３０と給電線２０側から見たパッチアンテナ１の反射特性Ｓ１１（これは、パッチアンテナ１で受信された電波が変換された高周波信号の給電線２０での反射特性に相当する。）のグラフであり、図１に示した実施例のパッチアンテナ１の反射特性を表している。

図３の縦軸は反射特性Ｓ１１（ｄＢ）、横軸は周波数（ＧＨｚ）であり、縦軸は０ｄＢから−２０ｄＢまで、横軸は０ＧＨｚから２０ＧＨｚまで示されている。図３によれば、パッチアンテナ１の反射特性グラフは、左右それぞれが略台形であって１０ＧＨｚ付近を中心としてほぼ対称なものである。２ＧＨｚ付近から８ＧＨｚ付近まで、及び１２ＧＨｚ付近から１８ＧＨｚ付近までは、反射係数Ｓ１１は０ｄＢであり、したがってそれらの帯域の電波は吸収されない。一方、１０ＧＨｚ付近では急激に反射特性Ｓ１１が減少しており、１０ＧＨｚの電波が選択的に吸収されることができる。

したがって、本発明により、周波数依存性があり、厚さが数１００μｍ程度の電波吸収体が実現されることが理解される。
次に本発明による電波吸収体の使用形態について、図４を参照して説明する。図４は、本発明の電波吸収体の使用形態を説明する模式図である。

図４では、高出力増幅器パッケージ１００の内部で電波吸収体１１０が使用される例を示している。基板１５０の上にパワートランジスタ１２０及びパワートランジスタ１２０の入出力インピーダンスの整合をとる整合回路（１３０，１４０）がパワートランジスタ１２０の両側にマウントされている。金属蓋１６０の裏面には電波吸収体１１０が付着され、金属蓋１６０をかぶせたときに電波吸収体１２０がパワートランジスタ１２０の真上に来るように配置されている。

高出力増幅器パッケージ１００に金属蓋１６０をかぶせるとパワートランジスタ１２０、整合回路（１３０，１４０）が放射する電波の不要反射が起こり、高出力増幅器の安定性を損ねることが想定される。そこで電波吸収体を使用することで不要輻射を抑制することが必要となるが、従来の電波吸収体では、先に述べたとおり、フェライト等を用いたものでは周波数依存性がないために信号電流そのものを減衰させてしまうためあまり吸収量を大きくとれず、周波数依存性のある４分の１波長電波吸収体では厚さが大きいためにパッケージ内に配置しようとするとパッケージ自体を大きいものにしなくてはならないなどの不都合があった。

本発明の薄い電波吸収体１１０を用いることで、高出力増幅器パッケージ１００の金属蓋１６０の裏側に電波吸収体１１０を配置する使用方法がはじめて可能となった。
図４に示した使用例では、電波吸収体１１０をパワートランジスタ１２０に対向する位置に配置したが、それは、電波吸収体１１０を図１に示した実施例のものと仮定したからである。図１に示した実施例では、方形パッチアンテナ１が用いられており、図５に示すように、その指向性がパッチアンテナ１０の中心からアンテナ面の垂直方向に向かって鋭くなっているからである。すなわち、電波を効率よく吸収するためには、用いるアンテナの指向性の鋭い方向を最も強い不要輻射発生源に向けて使用する必要があるからである。

したがって、パワートランジスタ１２０に対して斜め方向の指向性を持つようなアンテナを使用する場合には、その指向性の鋭い方向がパワートランジスタ１２０を向くように複数の電波吸収体１１０を配置することも可能である。

図５は、図１に示したパッチアンテナ１の指向性を示す図である。図５（ａ）はＥ面の指向性を示し、図５（ｂ）はＨ面の指向性を示している。それぞれ縦軸が指向性（ｄＢ）、横軸が角度θ（ｄｅｇ）とφ（ｄｅｇ）である。

図１に示したパッチアンテナ１では、Ｅ面はパッチアンテナ１と垂直に交わる平面となり、角度θ＝０°はパッチアンテナ１の中心から垂直方向である。Ｈ面は、パッチアンテナ１と平行な面であり、角度φ＝０°はパッチアンテナ１０から給電線２０の方向である。指向性（ｄＢ）は最大放射方向の値で規格化してデシベルで表したものである。

図５（ａ）によればＥ面の指向性はパッチアンテナ１の中心から垂直方向において最大であるが、角度θによる変化はあまりないことがわかる。図５（ｂ）によればＨ面の指向性は給電線２０の方向が強く、それと直角の方向では−３０ＤＢまで低下している。

パッチアンテナ１で電波を吸収し高周波信号に変換するには、電波の到来方向に対してＥ面の指向性の強い方向を向ければよいことから、図４に示した位置に電波吸収体１１０を配置することで、電波吸収が可能であることがわかる。

次に、図６〜図８により、後に説明する本発明の第２の実施態様との比較のため、
上記本発明の第１の実施態様の実施例に係る電波吸収体から給電線２０と抵抗膜３０を除いた部分であるパッチアンテナ１単体の特性について説明する。

図６は、実施態様１の実施例で用いられるパッチアンテナ１単体の構造を示すものである。パッチアンテナ１はセラミック薄膜基板５０の裏面全体を覆う接地導体６０と、一辺の長さがセラミック薄膜基板中の波長λの２分の１である方形の放射導体１０から構成される無損失アンテナであり、波長λの高周波信号の共振器となっている。

図７は、図６に示したパッチアンテナ１が単独で存在する場合の等価回路である。
パッチアンテナ１は、伝送線路１１と、その一端であるポート１とアースの間に接続されたパッチアンテナ１の放射アドミタンスを表すＲＣ並列回路１２及び他端であるポート２とアースの間に接続されたパッチアンテナ１の放射アドミタンスを表すＲＣ並列回路１３で表される。

図８は、図７の伝送線路１１の一端をポート１とし他端をポート２とした反射特性Ｓ１１と伝達特性Ｓ２１のグラフを示す図である。
図８（ａ）は反射特性Ｓ１１のグラフであり、縦軸が反射特性Ｓ１１（ｄＢ）、横軸が周波数（ＧＨｚ）であり、縦軸は０ｄＢから−２０ｄＢまで、横軸は０ＧＨｚから２０ＧＨｚまで示されている。図８（ａ）のグラフは先に示した図３の反射特性のグラフとほぼ同様であり、左右それぞれが略台形であって１０ＧＨｚ付近を中心としてほぼ対称なものである。２ＧＨｚ付近から８ＧＨｚ付近まで、及び１２ＧＨｚ付近から１８ＧＨｚ付近までは、反射特性Ｓ１１は０ｄＢであり、したがってそれらの帯域の電波は反射される。一方、１０ＧＨｚ付近では急激に反射特性Ｓ１１が減少しており、１０ＧＨｚでは−２０ｄＢに達している。

図８（ｂ）は伝達特性Ｓ２１のグラフであり、縦軸が伝達特性Ｓ２１（ｄＢ）、横軸が周波数（ＧＨｚ）であり、縦軸は０ｄＢから−１０ｄＢまで、横軸は０ＧＨｚから２０ＧＨｚまで示されている。図８（ｂ）によれば、伝達特性Ｓ２１のグラフは反射特性Ｓ１１を上下反転させたような形をしており、１ＧＨｚ付近から９ＧＨｚ付近まで、及び１１ＧＨｚ付近から１９ＧＨｚ付近までは、伝達特性Ｓ１１は−１０ｄＢ以下であり、１０ＧＨｚ付近では急激に伝達特性Ｓ２１が増加し、１０ＧＨｚでは０ｄＢに達している。

したがって、パッチアンテナ１の一方のエッジから入射した１０ＧＨｚの電波は、ほとんど反射されることなく、アンテナ内で減衰されることなく、もう一方のエッジから放射されていく。

本発明の実施態様１は、そこで、抵抗素子で一方のエッジから入射した電波を吸収し、もう一方のエッジから放射されるのを防ぐことにより、波長依存性のある電波吸収体を構成したものと考えることができる。

しかし、先に述べたように、電波吸収量は、場合によってはあまり大きすぎても信号電流本体を減衰させてしますこと、ある特定の周波数帯の電波を吸収する、周波数依存性のあることも電波吸収体として望ましいことから、アンテナ単体においてある程度電波を吸収できれば、本発明の目的が達成できる。

そこで、本発明の実施態様２は、本発明者の上記のような着想により生まれたものであり、アンテナ単体において入射した電波に損失を与えて放射される電波のレベルを下げることにより、周波数依存性のある電波吸収体を実現するものである。

以下、図９〜図１１を参照して、上記実施態様２の実施例１を説明する。
図９は、本実施例１のパッチアンテナ２００の構造を示す図である。
外形的には図６に示したパッチアンテナ１と同様で、パッチアンテナ２００は高損失セラミック薄膜基板２５０の裏面全体を覆う接地導体２６０と、一辺の長さがセラミック薄膜基板中の波長λの２分の１である方形の放射導体２１０から構成されるアンテナであり、波長λの高周波信号の共振器となっている。

高損失セラミック薄膜基板２５０は、誘電損失が大きいものを採用する。例えば高損失セラミック薄膜基板２５０をカーボンを含有したものとすることにより、誘電損失を大きくすることができる。放射導体２１０と接地導体２６０は、図６に示した放射導体１０と接地導体６０と等価なものである。

図１０は、図９に示した実施例１の等価回路図である。
パッチアンテナ２００は、伝送線路２１１と、その一端であるポート１とアースの間に接続されたパッチアンテナ２００の放射アドミタンスを表すＲＣ並列回路２１２、他端であるポート２とアースの間に接続された、パッチアンテナ２００での誘電損失成分を与えるＣＲ直列回路２１４及びパッチアンテナ２１０の放射アドミタンスを表すＲＣ並列回路２１３で表される。図６に示した等価回路とは、パッチアンテナ２００での誘電損失成分を与えるＣＲ直列回路２１４が追加されている点で異なる。

図１１は、図９の伝送線路２１１の一端をポート１とし他端をポート２とした反射特性Ｓ１１とパッチアンテナ２００における誘電損失を示す図である。
図１１（ａ）は反射特性Ｓ１１のグラフであり、図８（ａ）の無損失アンテナのグラフと同様に、縦軸が反射特性Ｓ１１（ｄＢ）、横軸が周波数（ＧＨｚ）であり、縦軸は０ｄＢから−２０ｄＢまで、横軸は０ＧＨｚから２０ＧＨｚまで示されている。図１１（ａ）のグラフは、先に示した図８（ａ）の反射特性のグラフと、左右それぞれが略台形であって１０ＧＨｚ付近を中心としてほぼ対称なものであり、２ＧＨｚ付近から８ＧＨｚ付近まで、及び１２ＧＨｚ付近から１８ＧＨｚ付近までは、反射特性Ｓ１１は０ｄＢである点はほぼ同様であるが、１０ＧＨｚ付近では異なり、反射特性Ｓ１１は１０ＧＨｚでは−３ｄＢ程度である。したがって、入射電波の４７％は反射することになる。

図１１（ｂ）はパッチアンテナ２００における誘電損失を示すグラフであり、縦軸は誘電損失（ｄＢ）、横軸が周波数（ＧＨｚ）であり、縦軸は０ｄＢから−２．５ｄＢまで、横軸は０ＧＨｚから２０ＧＨｚまで示されている。このグラフは、高損失セラミック薄膜基板２５０の誘電正接がｔａｎδ＝０．１の場合のものである。

図１１（ｂ）によれば、誘電損失は、１ＧＨｚ付近の０ｄＢから２０ＧＨｚでの−２．０ｄＢまで、右肩下がりで低下しており、１０ＧＨｚでは−１．４ｄＢ程度であり、一方のエッジから反射されずに入射した電波の７４％は他方のエッジから放射される。

したがって、本実施例１のパッチアンテナ２００は１０ＧＨｚの電波の１４％を吸収し、その他の周波数の電波はほとんど吸収しないことになる。
次に、図１２〜図１４を参照して、上記実施態様２の実施例２を説明する。

本実施例２は、上記実施例１が高損失セラミック薄膜基板２５０の誘電損失によりパッチアンテナ２００における損失を発生させたのに対して、パッチアンテナを構成する放射導体の導体損失により損失を発生させるものである。

図１２は、本実施例２のパッチアンテナ３００の構造を示す図である。
外形的には、図９に示した実施例１の場合のように、図６に示したパッチアンテナ１と同様で、パッチアンテナ３００はセラミック薄膜基板３５０の裏面全体を覆う接地導体３６０と、一辺の長さがセラミック薄膜基板中の波長λの２分の１である方形の高損失放射導体３１０から構成される。

高損失放射導体３１０はニッケルクロム等の抵抗膜から構成される。セラミック薄膜基板３５０と接地導体３６０は、図６に示したセラミック薄膜基板５０と接地導体６０とそれぞれ同等のものである。

図１３は、図１２に示した実施例２の等価回路図である。
等価回路は、パッチアンテナ３００を表す伝送線路３１１と、その一端であるポート１とアースの間に接続されたパッチアンテナ３００の放射アドミタンスを表すＲＣ並列回路３１２と、伝送線路３１１の他端に一端を接続されパッチアンテナ３００での導体損失成分を与える抵抗３１５と、抵抗３１５の他端であるポート２とアースの間に接続されたパッチアンテナ３００の放射アドミタンスを表すＲＣ並列回路３１３で構成される。図６に示した等価回路とは、パッチアンテナ３００での導体損失成分を与える抵抗３１５が追加されている点で異なる。

図１４は、図１３の伝送線路３１１の一端をポート１とし抵抗３１５の他端をポート２とした反射特性Ｓ１１とパッチアンテナ３００における損失を示す図である。
図１４（ａ）は反射特性Ｓ１１のグラフであり、図８（ａ）の無損失アンテナのグラフと同様に、縦軸が反射特性Ｓ１１（ｄＢ）、横軸が周波数（ＧＨｚ）であり、縦軸は０ｄＢから−２０ｄＢまで、横軸は０ＧＨｚから２０ＧＨｚまで示されている。図１４（ａ）のグラフは、図１１（ａ）のグラフと同様に、先に示した図８（ａ）の反射特性のグラフと、左右それぞれが略台形であって１０ＧＨｚ付近を中心としてほぼ対称なものであり、２ＧＨｚ付近から８ＧＨｚ付近まで、及び１２ＧＨｚ付近から１８ＧＨｚ付近までは、反射特性Ｓ１１は０ｄＢである点はほぼ同様であるが、１０ＧＨｚ付近では異なり、反射特性Ｓ１１は１０ＧＨｚでは−２．５ｄＢ程度である。したがって、入射電波の５２％は反射することになる。

図１４（ｂ）はパッチアンテナ３００における導体損失を示すグラフであり、縦軸は導体損失（ｄＢ）、横軸が周波数（ＧＨｚ）であり、縦軸は０ｄＢから−２．５ｄＢまで、横軸は０ＧＨｚから２０ＧＨｚまで示されている。このグラフは、パッチアンテナ３００を構成する抵抗膜の導体損失が３００ｄＢ／ｍの場合のものである。

図１４（ｂ）によれば、導体損失は、１ＧＨｚ付近の０ｄＢから２０ＧＨｚでの−２．０ｄＢまで、右肩下がりで低下しており、１０ＧＨｚでは−１．４ｄＢ程度であり、一方のエッジから反射されずに入射した電波の７２％は他方のエッジから放射される。

したがって、本実施例２のパッチアンテナ３００は１０ＧＨｚの電波の１３％を吸収し、その他の周波数の電波はほとんど吸収しないことになる。
以上、本発明の実施態様２について、その実施例１と実施例２を例示して説明したが、実施例１と実施例２を組み合わせて実施することも可能である。すなわち、誘電損失と導体損失を有するアンテナ単体で電波吸収体を構成することができる。

次に、本発明の実施態様３について説明する。本実施態様３は、先に説明した実施態様１あるいは実施態様２と同時に実施可能な態様であり、本発明の電波吸収体の実装構造に関するものであり、電波吸収体を高出力増幅器などのパッケージを封止する金属蓋内に作り込むものである。

図１５は、本実施態様３を説明するものであり、図１５に示す高出力増幅器パッケージ４００は、図４に示した高出力増幅器パッケージ１００と、電波吸収体と一体化した蓋５００を用いる点のみで異なる。

以下、電波吸収体と一体化した蓋５００を、図２に示した実施態様１の実施例である方形パッチアンテナ１と対比して説明するが、本実施態様３が実施態様２の電波吸収体においても適用可能であることは、当業者には明らかである。

電波吸収体と一体化した蓋５００は、両端を内側に折り曲げた金属板４６０と、該内側に折り曲げられた部分に挿入され金属板４６０と密着した誘電体からなる薄膜基板４５０と薄膜基板４５０上に配置された放射導体４１０から構成される。

電気的には、金属板４６０は図２に記載された金属膜６０に、誘電体からなる薄膜基板４５０はセラミック薄膜基板５０に、放射導体４１０は放射導体１０に、それぞれ対応する。図２の給電線２０、抵抗膜３０、ビア４０に相当するものは図１５には明記されていないが、これらを電波吸収体と一体化した蓋５００に作り込むことは明らかに容易に可能である。

以上、本発明の実施の態様を方形パッチアンテナを例に挙げて詳細に説明したが、本発明の要旨はアンテナの受信特性に基づいて波長依存性のある薄型の電波吸収体を実現するところにあり、本発明の電波吸収体を実現するアンテナが方形パッチアンテナに限られるわけではない。

（付記１）
高出力半導体が実装されたパッケージ内の電波を吸収する電波吸収体において、
アンテナの電波受信特性による特定の周波数帯域に対する電波吸収手段を備えたことを特徴とする電波吸収体。
（付記２）
前記アンテナは、パッチアンテナであることを特徴とする付記１に記載の電波吸収体。
（付記３）
前記パッチアンテナは、方形パッチアンテナであることを特徴とする付記２に記載の電波吸収体。
（付記４）
前記パッチアンテナの放射導体は、損失性の素子に接続されたことを特徴とする付記２又は付記３に記載の電波吸収体。
（付記５）
前記損失性の素子は、前記パッチアンテナを構成する基板と同一の基板上に作製された抵抗膜であり、前記放射導体と前記抵抗膜は、前記同一の基板上に作製された給電線により接続されたことを特徴とする付記４に記載の電波吸収体。
（付記６）
前記パッチアンテナを形成する基板は、前記特定の周波数帯域において誘電損失が発生するものであることを特徴とする付記２又は付記３に記載の電波吸収体。
（付記７）
前記パッチアンテナを形成する放射導体は、前記特定の周波数帯域において導体損失が発生するものであることを特徴とする付記２又は付記３に記載の電波吸収体。
（付記８）
前記パッチアンテナを形成する基板は、前記特定の周波数帯域において誘電損失が発生するものであり、前記パッチアンテナを形成する放射導体は、前記特定の周波数帯域において導体損失が発生するものであることを特徴とする付記２又は付記３に記載の電波吸収体。
（付記９）
前記高出力半導体パッケージの金属蓋を、当該電波吸収体の接地導体としたことを特徴とする付記２乃至付記８に記載の電波吸収体。
（付記１０）
付記２乃至付記８に記載の電波吸収体の接地導体を、当該高出力半導体パッケージの金属蓋としたことを特徴とする高出力半導体パッケージ。
（付記１１）
付記１乃至付記３に記載の電波吸収体の使用方法において、前記アンテナの指向性の鋭い方向を前記高出力半導体が前記特定の周波数帯域の電波を放射する方向に向けたことを特徴とする電波吸収体の使用方法。
（付記１２）
付記１乃至付記３に記載の電波吸収体を内部に配置した高出力半導体パッケージにおいて、前記アンテナの指向性の鋭い方向を前記高出力半導体が前記特定の周波数帯域の電波を放射する方向に向けたことを特徴とする高出力半導体パッケージ。

本発明の実施態様１の実施例の構成を説明する図である。 実施態様１の実施例の等価回路図である。 実施態様１の実施例のアンテナの反射特性を示す図である。 本発明の電波吸収体の使用形態を説明する模式図である。 実施態様１の実施例のアンテナの指向性を示す図である。 実施態様１の実施例で用いられるパッチアンテナ単体の構造を示す図である。 実施態様１の実施例で用いられるパッチアンテナが単独で存在する場合の等価回路である。 実施態様１の実施例で用いられるパッチアンテナが単独で存在する場合の反射特性と伝達特性を示す図である。 本発明の実施態様２の実施例１の構成を説明する図である。 図９に示す実施例１の等価回路図である。 図９に示す実施例１のパッチアンテナの反射特性と誘電損失を示す図である。 本発明の実施態様２の実施例２の構成を説明する図である。 図１２に示す実施例２の等価回路図である。 図１２に示す実施例２のパッチアンテナの反射特性と導体損失を示す図である。 本発明の実施態様３を説明する図である。 従来の４分の１波長電波吸収体を説明する図である。

符号の説明

１ 方形パッチアンテナ
１０ 放射導体
２０ 給電線
３０ 抵抗膜
４０ ビア
５０ セラミック薄膜基板
６０ 接地導体
１００ 高出力増幅器パッケージ
１１０ 本発明の電波吸収体
１２０ パワートランジスタ
２５０ 高損失セラミック薄膜基板
３１０ 高損失放射導体
４００ 高出力増幅器パッケージ
４１０ 放射導体
４５０ 薄膜基板
４６０ 金属板
５００ 電波吸収体と一体化した蓋
６００ ４分の１波長電波吸収体

Claims (3)

1. 高出力半導体が実装されたパッケージ内の電波を吸収する電波吸収体において、
   パッチアンテナの電波受信特性による特定の周波数帯域に対する電波吸収手段を備え、
   前記パッチアンテナは基板上に作製され、前記パッチアンテナの放射導体は、前記基板上に作製された給電線により前記基板上に作製された抵抗膜に接続され、前記パッケージの金属蓋を、当該電波吸収体の接地導体としたことを特徴とする電波吸収体。
2. 高出力半導体が実装されたパッケージ内の電波を吸収する電波吸収体において、
   パッチアンテナの電波受信特性による特定の周波数帯域に対する電波吸収手段を備え、
   前記パッチアンテナは基板上に作製され、前記基板は、前記特定の周波数帯域において誘電損失が発生するものであり、前記パッケージの金属蓋を、当該電波吸収体の接地導体としたことを特徴とする電波吸収体。
3. 高出力半導体が実装されたパッケージ内の電波を吸収する電波吸収体において、
   パッチアンテナの電波受信特性による特定の周波数帯域に対する電波吸収手段を備え、
   前記パッチアンテナを形成する放射導体は、前記特定の周波数帯域において導体損失が発生するものであり、ニッケルクロムで作製され、前記パッケージの金属蓋を、当該電波吸収体の接地導体としたことを特徴とする電波吸収体。