WO2010084642A1

WO2010084642A1 - 表示装置内蔵型タッチパネル

Info

Publication number: WO2010084642A1
Application number: PCT/JP2009/065293
Authority: WO
Inventors: 弘幸森脇
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2009-01-26
Filing date: 2009-09-02
Publication date: 2010-07-29
Also published as: US20110291977A1; US8654092B2

Abstract

　表示装置内蔵型タッチパネルの第１ダミー線（１３０）よりも幅の狭い第１センサ線（１２０）が、絶縁性基板（１００）上に形成された層間絶縁膜（２４０）上の第１ダミー線（１３０）に対応する位置に配置され、データ線（１４０）よりも幅の狭い第２センサ線（１５０）が層間絶縁膜（２４０）上のデータ線（１４０）に対応する位置に配置される。第１センサ線（１２０）および第２センサ線（１５０）は、平面視においてそれぞれ第１ダミー線（１３０）およびデータ線（１４０）からはみ出さないように配置される。このように、第１センサ線（１２０）および第２センサ線（１５０）の配置を工夫して、表示素子部（１１）の開口率の低下を防止する表示装置内蔵型タッチパネルを提供する。

Description

表示装置内蔵型タッチパネル

　本発明は、表示装置内蔵型タッチパネルに関し、より詳しくは、押圧されたパネルの位置をセンサ線の電圧の変化に基づいて特定する表示装置内蔵型タッチパネルに関する。

　近年、メニュー選択を必要とする電子機器では、画面の表示に応じ、ペンまたは指によりパネルを押圧して所望のメニューを選択するタッチパネルを備えたものが増加している。このような電子機器では、パネルの押圧された位置を特定するため、種々の方式が採用されている。

　特許文献１には、液晶表示装置内蔵型タッチパネルに設けられたセンサ線とダミー線の電圧差を求めることにより、押圧された位置を特定する方式の液晶表示装置内蔵型タッチパネルが開示されている。図２１は、特許文献１に開示された、従来の液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、および、（Ａ）に示すＺ－Ｚ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）である。

　図２１を参照して、液晶表示装置内蔵型タッチパネルが押圧された位置を特定する動作の概略を説明する。液晶表示装置内蔵型タッチパネルでは、表示素子部２５や駆動回路（図示しない）が形成されたガラス基板５００からなるＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板と、カラーフィルタや共通電極等が形成されたガラス基板８００からなるＣＦ（Color Filter）基板が対向して配置されている。ガラス基板５００には、導電膜からなる複数のデータ線５４０と、データ線５４０とは異なる導電膜からなる複数のゲート線５１０とが交差するように形成されているだけでなく、データ線５４０ごとに１組のセンサ線５５０とダミー線５６０がデータ線５４０と同じ層内で互いに平行になるように形成され、ゲート線５１０ごとに１組のセンサ線５２０とダミー線５３０がゲート線５１０と同じ層内で互いに平行になるように形成されている。

　このような液晶表示装置内蔵型タッチパネルにおいて、ＣＦ基板の表面が押圧されると、ガラス基板８００に設けられたセンサスペーサ８３０の表面に形成された共通電極８４０が、センサ線５２０、５５０にそれぞれ接続された導電性パッド７００、７５０と接触し、共通電極８４０に与えられている共通電圧が導電性パッド７００、７５０を介してセンサ線５２０、５５０にそれぞれ与えられる。一方、ダミー線５３０、５６０には基準電圧が与えられている。そこで、液晶表示装置内蔵型タッチパネルは、センサ線５２０、５５０に与えられる共通電圧とダミー線５３０、５６０に与えられる基準電圧とを比較し、ＣＦ基板の押圧されている位置を特定することができる。

日本の特開２００８－１２２９１３号公報

　しかし、特許文献１に記載の液晶表示装置内蔵型タッチパネルでは、ＴＦＴ基板上にゲート線５１０とデータ線５４０だけでなく、センサ線５２０、５５０とダミー線５３０、５６０も設けられているので、表示素子部２５の開口率が低下するという問題がある。

　また、保護絶縁膜６４０の表面から、センサ線５２０に接続される第１パッド配線７２１までの深さと、センサ線５５０に接続される第２パッド配線７７２までの深さが異なる。そこで、導電性パッド７００、７５０を形成するには、第１パッド配線７２１に接続するためのコンタクトホール７１０と、第２パッド配線７７２に接続するためのコンタクトホール７６０を別工程で形成しなければならない。このため、製造工程が複雑になり、製造コストが高くなるという問題がある。

　そこで、本発明の目的は、センサ線の配置を工夫することにより、表示素子部の開口率の低下を防止する表示装置内蔵型タッチパネルを提供することである。また、本発明の他の目的は、製造工程を簡略化して製造コストを低減した表示装置内蔵型タッチパネルを提供することである。

　本発明の第１の局面は、第１絶縁性基板と第２絶縁性基板とが対向して配置され、前記第２絶縁性基板の表面が押圧されたときに与えられる所定電圧に基づいて押圧された位置を特定する表示装置内蔵型タッチパネルであって、
　前記第１絶縁性基板上に、第１方向に延在するように形成された複数の第１センサ線と、
　前記第１絶縁性基板上に、前記第１方向と交差する第２方向に延在するように形成された複数の第２センサ線と、
　前記第１方向に延在するように形成された、複数のゲート線を含む第１配線と、
　前記第２方向に延在するように形成された、複数のデータ線を含む第２配線と、
　前記複数のゲート線と前記複数のデータ線とがそれぞれ交差する領域ごとに形成された複数の表示素子部と、
　前記第２絶縁性基板の表面が押圧されたとき、押圧された位置の前記表示素子部に接続された前記第１および第２センサ線にそれぞれ与えられた前記所定電圧に基づいて押圧位置を特定する位置特定回路とを備え、
　前記第１センサ線および前記第２センサ線のうち少なくともいずれかは、前記第１配線および前記第２配線に含まれるいずれかの配線と平面視において幅方向に少なくともその一部が重なるように、前記いずれかの配線の上方に配置されていることを特徴とする。

　本発明の第２の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記第１配線および前記第２配線のうち少なくともいずれかは、前記第１方向に延在するように形成され、基準電圧を与えられた複数の第１ダミー線、および、前記第２方向に延在するように形成され、前記基準電圧を与えられた複数の第２ダミー線のうちいずれかをさらに含み、
　前記位置特定回路は、前記第２絶縁性基板の表面が押圧されたときに前記第１センサ線および前記第２センサ線にそれぞれ与えられた前記所定電圧と、前記基準電圧とを比較することによって押圧された位置を特定する比較特定回路を含むことを特徴とする。

　本発明の第３の局面は、本発明の第２の局面において、
　前記第１配線は、前記第１方向に延在するように形成された補助容量線をさらに含むことを特徴とする。

　本発明の第４の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記第１配線は、前記第１方向に延在するように形成された補助容量線をさらに含むことを特徴とする。

　本発明の第５の局面は、本発明の第１～第４のいずれかの局面において、
　前記第１センサ線および前記第２センサ線のうち少なくともいずれかのセンサ線の上方に配置された接続体をさらに備え、
　前記第１センサ線および前記第２センサ線は、同じ層の導電膜によって形成され、
　前記少なくともいずれかのセンサ線は分割された導電体からなり、
　前記分割された導電体は、前記接続体によって電気的に接続されていることを特徴とする。

　本発明の第６の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記第１センサ線は、前記ゲート線の上方に配置され、
　前記第２センサ線は、前記第１センサ線と同じ層の導電膜によって形成されるとともに、前記データ線の上方に配置され、
　前記第１センサ線および前記第２センサ線のいずれか一方のセンサ線は１つの導電体からなるとともに、他方のセンサ線は前記１つの導電体を挟む２つの導電体からなり、
　前記２つの導電体は接続体によって電気的に接続され、
　前記第２絶縁性基板の表面が押圧されたとき、前記押圧電極が前記接続体と接触することにより前記２つの導電体に前記所定電圧が与えられることを特徴とする。

　本発明の第７の局面は、本発明の第２の局面において、
　前記第１センサ線に電気的に接続され、前記表示素子部ごとに設けられた複数の第１センサ電極と、
　前記第２センサ線に電気的に接続され、前記表示素子部ごとに設けられた複数の第２センサ電極とをさらに備え、
　前記第２絶縁性基板は、第１センサ電極および第２センサ電極と所定の間隔を隔てて対向するとともに、前記所定電圧を与えられた押圧電極を有し、
　前記第２絶縁性基板の表面が押圧されたとき、前記押圧された位置の前記押圧電極は、対応する前記第１センサ電極および前記第２センサ電極と接触することにより、前記第１センサ線および前記第２センサ線に前記所定電圧を与えることを特徴とする。

　本発明の第８の局面は、本発明の第７の局面において、
　前記第１センサ線および第２センサ線のうち少なくともいずれかのセンサ線は、分割された導電体からなり、
　前記第１センサ電極および第２センサ電極のうち前記少なくともいずれかのセンサ線に対応するセンサ電極は、前記分割された導電体を電気的に接続する接続体を含み、
　前記押圧電極は、前記接続体と接触することにより前記分割された導電体に前記所定電圧を与えることを特徴とする。

　本発明の第９の局面は、本発明の第８の局面において、
　前記第１センサ線は、前記ゲート線および前記データ線よりも上層の導電膜によって、前記ゲート線および前記第１ダミー線のいずれかの上方に配置され、
　前記第２センサ線は、前記第１センサ線と同じ層の導電膜によって、前記データ線の上方に配置され、
　前記第１センサ線および前記第２センサ線のうちいずれか一方のセンサ線は１つの導電体からなるとともに、他方のセンサ線は前記１つの導電体を挟む２つの導電体からなり、
　前記２つの導電体は、前記接続体によって電気的に接続されていることを特徴とする。

　本発明の第１０の局面は、本発明の第９の局面において、
　前記第１および第２センサ電極のうち前記一方のセンサ線に電気的に接続されたセンサ電極は、前記１つの導電体に達する第１コンタクトホールと、前記押圧電極と対向する位置に形成されるとともに前記第１コンタクトホールを介して前記１つの導電体に電気的に接続される第１パッド部を有し、
　前記第１および第２センサ電極のうち前記他方のセンサ線に電気的に接続されたセンサ電極は、前記２つの導電体にそれぞれ達する第２および第３コンタクトホールと、前記押圧電極と対向する位置に形成されるとともに前記第２および第３コンタクトホールを介して前記２つの導電体にそれぞれ電気的に接続される第２パッド部を有し、
　前記第１パッド部と前記押圧電極との間隔が、前記第２パッド部と前記押圧電極との間隔と等しいことを特徴とする。

　本発明の第１１の局面は、本発明の第７の局面において、
　前記第１センサ線は、前記ゲート線と同じ層の導電膜によって前記第１方向に延在するように形成され、
　前記第２センサ線は、前記ゲート線および前記データ線よりも上層の導電膜によって、前記データ線の上方に形成されていることを特徴とする。

　本発明の第１２の局面は、本発明の第７の局面において、
　前記第１センサ線は、前記ゲート線と同じ層の導電膜によって前記第１方向に延在するように形成され、
　前記第２センサ線は、前記ゲート線およびデータ線よりも上層の導電膜によって、前記第２ダミー線の上方に配置されていることを特徴とする。

　本発明の第１３の局面は、本発明の第７の局面において、
　前記第１センサ線は、前記ゲート線および前記データ線よりも上層の導電膜によって、前記第１ダミー線の上方に配置され、
　前記第２センサ線は、前記データ線と同じ層の導電膜によって前記第２方向に延在するように形成されていることを特徴とする。

　本発明の第１４の局面は、本発明の第７の局面において、
　前記第１センサ線は、前記ゲート線および前記データ線よりも上層の導電膜によって、前記ゲート線の上方に配置され、
　前記第２センサ線は、前記データ線と同じ層の導電膜によって前記第２方向に延在するように形成されていることを特徴とする。

　本発明の第１５の局面は、本発明の第１１～第１４のいずれかの局面において、
　前記第１センサ電極は、前記第１センサ線から分岐したパッド配線上に前記第１センサ電極よりも上層の導電膜からなる導電性パッドが順次積層された第１パッド電極を含み、
　前記第２センサ電極は、前記第２センサ線から分岐したパッド配線上に前記第２センサ電極よりも上層の導電膜からなる導電性パッドが順次積層された第２パッド電極を含むことを特徴とする。

　本発明の第１６の局面は、本発明の第１１～第１４のいずれかの局面において、
　前記押圧電極を覆うように、前記押圧電極の上部に配置されたブラックマトリクスをさらに含むことを特徴とする。

　本発明の第１７の局面は、本発明の第３の局面において、
　前記第１センサ線に電気的に接続され、前記表示素子部ごとに設けられた複数の第１センサ電極と、
　前記第２センサ線に電気的に接続され、前記表示素子部ごとに設けられた複数の第２センサ電極とをさらに備え、
　前記第２絶縁性基板は、第１センサ電極および第２センサ電極と所定の間隔を隔てて対向するとともに、前記所定電圧を与えられた押圧電極を有し、
　前記第２絶縁性基板の表面が押圧されたとき、前記押圧された位置の前記押圧電極は、対応する前記第１センサ電極および前記第２センサ電極と接触することにより、前記第１センサ線および前記第２センサ線に前記所定電圧を与えることを特徴とする。

　本発明の第１８の局面は、本発明の第１７の局面において、
　前記第１センサ線および第２センサ線のうち少なくともいずれかのセンサ線は、分割された導電体からなり、
　前記第１センサ電極および第２センサ電極のうち前記少なくともいずれかのセンサ線に対応するセンサ電極は、前記分割された導電体を電気的に接続する接続体を含み、
　前記押圧電極は、前記接続体と接触することにより前記分割された導電体に前記所定電圧を与えることを特徴とする。

　本発明の第１９の局面は、本発明の第１８の局面において、
　補助容量線は前記ゲート線と同じ層の導電膜からなり
　前記第１センサ線は、前記第２センサ線と同じ層の導電膜によって前記補助容量線の上方に配置され、
　前記第１センサ線および前記第２センサ線のいずれか一方のセンサ線は１つの導電体からなるとともに、他方のセンサ線は前記１つの導電体を挟む２つの導電体からなり、
　前記２つの導電体は、前記接続体によって電気的に接続されていることを特徴とする。

　本発明の第２０の局面は、本発明の第１９の局面において、
　前記第２センサ線と同じ層の導電膜からなる前記第１ダミー線が、前記補助容量線の上方にさらに配置されていることを特徴とする。

　本発明の第２１の局面は、本発明の第１９または第２０の局面において、
　前記第１および第２センサ電極のうち前記一方のセンサ線に電気的に接続されたセンサ電極は、前記１つの導電体に達する第１コンタクトホールと、前記押圧電極と対向する位置に形成されるとともに前記第１コンタクトホールを介して前記１つの導電体に電気的に接続される第１パッド部を有し、
　前記第１および第２センサ電極のうち前記他方のセンサ線に電気的に接続されたセンサ電極は、前記２つの導電体にそれぞれ達する第２および第３コンタクトホールと、前記押圧電極と対向する位置に形成されるとともに前記第２および第３コンタクトホールを介して前記２つの導電体にそれぞれ電気的に接続される第２パッド部を有し、
　前記第１パッド部と前記押圧電極との間隔が、前記第２パッド部と前記押圧電極との間隔と等しいことを特徴とする。

　本発明の第２２の局面は、本発明の第１９または第２０の局面において、
　前記押圧電極を覆うように、前記押圧電極の上部に配置されたブラックマトリクスをさらに含むことを特徴とする。

　本発明の第２３の局面は、本発明の第１７の局面において、
　補助容量線は前記ゲート線と同じ層の導電膜からなり、
　前記ゲート線および補助容量線は遮光性導電膜からなり、
　前記第１センサ線は、前記ゲート線および前記データ線よりも上層の導電膜によって前記補助容量線の上方に配置され、
　前記第２センサ線は、前記データ線と同じ層の導電膜によって前記第２方向に延在するように形成され、
　前記第１センサ電極および前記第２センサ電極は前記補助容量線の上方に配置され、
　前記補助容量線の上方の、前記第１および第２センサ電極と前記補助容量線の幅方向の端部との間に、少なくとも前記第１センサ線が配置されていることを特徴とする。

　本発明の第２４の局面は、本発明の第２３の局面において、
　前記補助容量線の上方の、前記第１センサ線と前記補助容量線の幅方向の端部との間に、前記第１センサ線と同じ層の導電膜からなる前記第１ダミー線がさらに配置されていることを特徴とする。

　本発明の第２５の局面は、本発明の第２３または第２４の局面において、
　前記第１センサ電極は、前記第１センサ線から分岐したパッド配線上に前記第１センサ電極よりも上層の導電膜からなる導電性パッドが順次積層された第１パッド電極を含み、
　前記第２センサ電極は、前記第２センサ線から分岐したパッド配線上に前記第２センサ電極よりも上層の導電膜からなる導電性パッドが順次積層された第２パッド電極を含むことを特徴とする。

　本発明の第２６の局面は　本発明の第４の局面において、
　補助容量線は前記ゲート線と同じ層の導電膜からなり
　前記第１センサ線は前記補助容量線の上方に配置され、
　前記第２センサ線は、前記第１センサ線と同じ層の導電膜によって前記補助容量線の上方に形成された前記データ線の上方に配置され、
　前記第１センサ線および前記第２センサ線のいずれか一方のセンサ線は１つの導電体からなるとともに、他方のセンサ線は前記１つの導電体を挟む２つの導電体からなり、
　前記２つの導電体は接続体によって電気的に接続され、
　前記第２絶縁性基板の表面が押圧されたとき、前記押圧電極が前記接続体と接触することにより前記２つの導電体に前記所定電圧が与えられることを特徴とする。

　本発明の第２７の局面は、第１絶縁性基板と第２絶縁性基板とが対向して配置され、前記第２絶縁性基板の表面が押圧されたときに与えられる所定電圧とあらかじめ与えられている基準電圧とに基づいて押圧された位置を特定する表示装置内蔵型タッチパネルであって、
　前記第１絶縁性基板上で、第１方向に延在するように形成され、前記基準電圧を与えられた複数の第１ダミー線、および、前記第１方向と交差する第２方向に延在するように形成され、前記基準電圧を与えられた複数の第２ダミー線のうち少なくともいずれかと、
　前記第１方向に延在するように形成された、複数のゲート線および複数の第１センサ線を含む第１配線と、
　前記第２方向に延在するように形成された、複数のデータ線および複数の第２センサ線を含む第２配線と、
　前記複数のゲート線と前記複数のデータ線とが交差する領域ごとに形成された複数の表示素子部と、
　前記第２絶縁性基板の表面が押圧されたとき、押圧された位置の前記表示素子部に接続された前記第１および第２センサ線にそれぞれ与えられた前記所定電圧と、前記基準電圧とを比較することによって押圧された位置を特定する比較特定回路とを備え、
　前記第１ダミー線および前記第２ダミー線のうち少なくともいずれかは、前記第１配線または前記第２配線に含まれるいずれかの配線と平面視において幅方向に少なくともその一部が重なるように、前記いずれかの配線の上方に配置されていることを特徴とする。

　本発明の第２８の局面は、本発明の第２７の局面において、
　前記第１配線は、前記第１方向に延在するように形成された補助容量線をさらに含むことを特徴とする。

　本発明の第２９の局面は、本発明の第２７または第２８の局面において、
　前記第１ダミー線および前記第２ダミー線のうち少なくともいずれかのダミー線の上方に配置された接続体をさらに含み、
　前記第１ダミー線および前記第２ダミー線は、同じ層の導電膜によって形成され、前記少なくともいずれかのダミー線は分割された２つの導電体からなり、
　前記分割された２つの導電体は、前記第２接続体によって電気的に接続されていることを特徴とする。

　本発明の第３０の局面は、本発明の第２７の局面において、
　前記第１センサ線および前記第２センサ線のうち少なくともいずれか一方の上方に配置され、前記第２絶縁性基板の表面が押圧されたとき前記押圧電極から前記所定電圧が与えられる第１接続体と、前記第１ダミー線および前記第２ダミー線のうち少なくともいずれかの上方に配置される第２接続体とをさらに備え、
　前記第１センサ線および前記第２センサ線のうちいずれかのセンサ線は分割された第１導電体からなり、
　前記第１ダミー線および前記第２ダミー線のうちいずれかのダミー線は分割された第２導電体からなり、
　前記第１センサ線、前記第２センサ線、前記第１ダミー線および前記第２ダミー線は、同じ層の導電膜によって同一の層内に形成され、
　前記第２ダミー線は前記データ線の上方に配置され、
　前記分割された第１導電体は前記第１接続体によって電気的に接続され、
　前記分割された第２導電体は前記第２接続体によって電気的に接続されていることを特徴とする。

　本発明の第３１の局面は、本発明の第２８の局面において、
　前記第１センサ線および前記第２センサ線のうち少なくともいずれかの一方のセンサ線の上方に配置され、前記第２絶縁性基板の表面が押圧されたとき前記押圧電極から前記所定電圧が与えられる第１接続体をさらに備え、
　前記第１センサ線および前記第２センサ線のうちいずれかのセンサ線は分割された導電体からなり、
　少なくとも前記第１センサ線、前記第２センサ線および前記第１ダミー線は同じ層の導電膜によって同一の層内に形成され、
　前記第１ダミー線は前記ゲート線の上方に配置され、
　前記分割された導電体は、前記接続体によって電気的に接続されていることを特徴とする。

　本発明の第３２の局面は、本発明の第１～第４、第２７および第２８のいずれかの局面において、
　前記表示素子部は薄膜トランジスタを備え、
　前記ゲート線と前記データ線との間の絶縁層の酸化膜換算膜厚は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁層の酸化膜換算膜厚よりも厚いことを特徴とする。

　本発明の第１の局面によれば、第１配線はゲート線を含み、第２配線はデータ線を含む。第１センサ線および第２センサ線のうち少なくともいずれかのセンサ線は、第１配線および第２配線に含まれる配線のうち少なくともいずれかの配線の上方に、平面視において、少なくともその一部が重なるように配置されている。このため、表示装置内蔵型タッチパネルの開口率を向上させることができる。また、位置特定回路は、第２絶縁性基板の表面が押圧されたとき、第１センサ線および第２センサ線にそれぞれ与えられた所定電圧に基づいて押圧位置を特定することができる。

　本発明の第２の局面によれば、第１配線および第２配線の少なくともいずれかは、さらに第１ダミー線および第２ダミー線のうちいずれかのダミー線を含む。第１センサ線および第２センサ線のうち少なくともいずれかのセンサ線は、第１配線および第２配線に含まれる配線のうち少なくともいずれかの配線の上方に、平面視において、少なくともその一部が重なるように配置されている。このため、表示装置内蔵型タッチパネルの開口率を向上させることができる。また、位置特定回路は、第１センサ線および第２センサ線にそれぞれ与えられた所定電圧と、第１ダミー線および第２ダミー線に与えられた基準電圧を比較し、押圧された位置を特定することができる。

　本発明の第３の局面によれば、第１配線はさらに補助容量線を含む。第１センサ線および第２センサ線のうち少なくともいずれかのセンサ線は、第１配線および第２配線に含まれる配線のうち少なくともいずれかの配線の上方に、平面視において、少なくともその一部が重なるように配置されている。このため、表示装置内蔵型タッチパネルの開口率を向上させることができる。

　本発明の第４の局面によれば、第１配線はゲート線および補助容量線を含み、第２配線はデータ線を含む。第１センサ線および第２センサ線のうち少なくともいずれかのセンサ線は、第１配線および第２配線に含まれる配線のうち少なくともいずれかの配線の上方に、平面視において、少なくともその一部が重なるように配置されている。このため、表示装置内蔵型タッチパネルの開口率を向上させることができる。

　本発明の第５の局面によれば、第１センサ線および第２センサ線のうち少なくともいずれかのセンサ線を分割し、センサ線を構成する分割された導電体を接続体によって電気的に接続する。したがって、第１センサ線と第２センサ線とを、短絡することなく、同一の導電膜によって形成することができる。

　本発明の第６の局面によれば、第１センサ線はゲート線の上方に配置され、第２センサ線はデータ線の上方に配置されるので、表示装置内蔵型タッチパネルの開口率を向上させることができる。また、第１センサ線および第２センサ線のうちいずれか一方のセンサ線は、１つの導電体として形成され、他方のセンサ線は２つの導電体に分割されている。このため、同じ層の導電膜で形成される第１センサ線および第２センサ線を、短絡することなく、同一の導電膜によって形成することができる。

　本発明の第７の局面によれば、第２絶縁性基板の表面が押圧されると、第２絶縁性基板に形成された押圧電極が、第１および第２センサ線にそれぞれ接続された第１および第２センサ電極に接触し、所定電圧が第１および第２センサ線に与えられる。そこで、表示装置内蔵型タッチパネルは、第１および第２センサ線に与えられた所定電圧に基づいて、第２絶縁性基板の押圧された位置を特定することができる。

　本発明の第８の局面によれば、分割されたセンサ線に対応するセンサ電極は、センサ線を構成する分割された導電体を接続する接続体を含む。この場合、第２絶縁性基板に形成された押圧電極は、接続体と接触することにより、分割されたセンサ線にも所定電圧を与えることができる。

　本発明の第９の局面によれば、第１センサ線はゲート線および第１ダミー線のいずれかの上方に配置され、第１センサ線と同じ層の導電膜によって形成された第２センサ線はデータ線の上方に配置されている。このため、表示装置内蔵型タッチパネルの開口率を向上させることができる。また、第１センサ線と第２センサ線のうち一方のセンサ線は、１つの導電体として形成され、他方のセンサ線は２つの導電体に分割されている。このため、第１センサ線と第２センサ線とを、短絡することなく、同一の導電膜によって形成することができる。

　本発明の第１０の局面によれば、第１センサ線および第２センサ線は同じ層の導電膜によって形成されているので、第１、第２および第３コンタクトホールは同じ深さになる。この場合、中継パッドを用いることなく各コンタクトホールを同時に開孔することができるので、表示素子部の開口率をさらに向上させることができるとともに、製造プロセスを簡略化することができる。また、第２絶縁性基板の表面が押圧されれば、押圧電極は、第１パッド部および第２パッド部に同時に接触するので、所定電圧を第１センサ線および第２センサ線に同時に与えることができる。

　本発明の第１１の局面によれば、第２センサ線は、ゲート線およびデータ線よりも上層の導電膜によって、データ線の上方に形成されているので、表示装置内蔵型タッチパネルの開口率を向上させることができる。

　本発明の第１２の局面によれば、第２センサ線は、ゲート線およびデータ線よりも上層の導電膜によって、第２ダミー線の上方に形成されているので、表示装置内蔵型タッチパネルの開口率を向上させることができる。

　本発明の第１３の局面によれば、第１センサ線は、ゲート線およびデータ線よりも上層の導電膜によって、第１ダミー線の上方に形成されているので、表示装置内蔵型タッチパネルの開口率を向上させることができる。

　本発明の第１４の局面によれば、第１センサ線は、ゲート線およびデータ線よりも上層の導電膜によって、ゲート線の上方に形成されているので、表示装置内蔵型タッチパネルの開口率を向上させることができる。

　本発明の第１５の局面によれば、第１センサ線および第２センサ線がそれぞれ異なる導電膜によって形成されている場合、第１センサ線上および第２センサ線上にそれぞれ達するコンタクトホールを同時に開口するのではなく、第１センサ線および第２センサ線からそれぞれ分岐したパッド配線上に導電膜からなる導電性パッドを順次積層し、第１および第２パッド電極を形成する。このように、第１センサ線までの深さと第２センサ線までの深さとが異なる場合であっても、押圧電極に同時に接触する第１パッド電極および第２パッド電極をそれぞれ含む第１および第２センサ電極を形成することができる。このため、第１センサ線および第２センサ線に所定電圧を同時に与えることができる。

　本発明の第１６の局面によれば、押圧電極を覆うようにブラックマトリクスが配置されているので、バックライト光が押圧電極を光抜けして画像が見にくくなることを防止することができる。

　本発明の第１７の局面によれば、第７の発明と同様の効果を奏する。

　本発明の第１８の局面によれば、第８の発明と同様の効果を奏する。

　本発明の第１９の局面によれば、第１センサ線を、ゲート線と同じ層の導電膜によって形成された補助容量線の上方に配置して、補助容量線が設けられている表示装置内蔵型タッチパネルの開口率を向上させることができる。また、第１センサ線と第２センサ線とを同じ層の導電膜によって形成しているので、それらが交差しないように、いずれか一方のセンサ線を１つの導電体とし、他方のセンサ線を１つの導電体を挟む２つの導電体とする。このため、第１センサ線および第２センサ線を、短絡することなく、同一の導電膜によって形成することができる。

　本発明の第２０の局面によれば、補助容量線の上方に、第１ダミー線がさらに配置されているので、表示装置内蔵型タッチパネルの開口率をより１層向上させることができる。

　本発明の第２１の局面によれば、第１０の発明と同様の効果を奏する。

　本発明の第２２の局面によれば、第１６の発明と同様の効果を奏することができる。

　本発明の第２３の局面によれば、ゲート線と同じ層の導電膜で形成された補助容量線の上方に、第１センサ線が配置されているので、表示装置内蔵型タッチパネルの開口率を向上させることができる。また、第１センサ線は、第１および第２センサ電極と遮光導電膜からなる補助容量線の幅方向の端部との間に配置されているので、押圧電極を補助容量線の端部から離すことができる。このため、補助容量線がブラックマトリクスとしても機能し、補助容量線で覆われていない領域からのバックライト光が押圧電極を光抜けすることを防止することができる。この場合、押圧電極上に光抜けを防止するブラックマトリクスを配置する必要がないので、製造工程を簡略化して製造コストの低減を図ることができる。

　本発明の第２４の局面によれば、ゲート線と同じ層の導電膜で形成された補助容量線の上方に、第１ダミー線がさらに配置されているので、表示装置内蔵型タッチパネルの開口率をより一層向上させることができる。また、第１ダミー線は、第１センサ線と補助容量線の幅方向の端部との間に配置されているので、押圧電極を補助容量線の端部から離すことができる。このため、補助容量線がブラックマトリクスとしても機能し、補助容量線で覆われていない領域からのバックライト光が押圧電極を光抜けすることを、より一層防止することができる。

　本発明の第２５の局面によれば、第１５の発明と同様の効果を奏する。

　本発明の第２６の局面によれば、第１センサ線は補助容量線の上方に配置され、第１センサ線と同じ層の導電膜によって形成された第２センサ線はデータ線の上方に配置されている。このため、表示装置内蔵型タッチパネルの開口率を向上させることができる。また、第１センサ線および第２センサ線のうちいずれか一方のセンサ線は、１つの導電体として形成され、他方のセンサ線は２つの導電体に分割されている。このため、第１センサ線おとび第２センサ線を、短絡することなく、同一の導電膜によって形成することができる。

　本発明の第２７の局面によれば、第１配線はゲート線および第１センサ線を含み、第２配線はデータ線および第２センサ線を含む。第１ダミー線および第２ダミー線のうち少なくともいずれかが形成され、形成されたダミー線は、第１配線および第２配線に含まれる配線のうち少なくともいずれかの配線の上方に、平面視において、少なくともその一部が重なるように配置されている。このため、表示装置内蔵型タッチパネルの開口率を向上させることができる。

　本発明の第２８の局面によれば、第１配線はさらに補助容量線を含む。第１ダミー線および第２ダミー線のうち少なくともいずれかが形成され、形成されたダミー線は、第１配線および第２配線に含まれる配線のうち少なくともいずれかの配線の上方に、平面視において、少なくともその一部が重なるように配置されている。このため、表示装置内蔵型タッチパネルの開口率を向上させることができる。

　本発明の第２９の局面によれば、第１ダミー線と第２ダミー線のうち少なくともいずれかのダミー線を分割し、分割されたダミー線の導電体を接続体によって電気的に接続する。したがって、表示装置内蔵型タッチパネルは、第１ダミー線と第２ダミー線とを、短絡することなく、同一の導電膜によって形成することができる。

　本発明の第３０の局面によれば、第２ダミー線はデータ線の上方に配置されているので、表示装置内蔵型タッチパネルの開口率を向上させることができる。また、第１センサ線、第２センサ線、第１ダミー線、および第２ダミー線は同じ層の導電膜によって形成されている。そこで、それらの短絡を防止するため、第１センサ線および第２センサ線のうちいずれかのセンサ線と、第１ダミー線および第２ダミー線のうちいずれかのダミー線とをそれぞれ分割された導電体によって形成し、分割されたセンサ線を第１接続体によって接続し、分割されたダミー線を第２接続体によって接続する。このため、第１センサ線と、第２センサ線と、第１ダミー線と、第２ダミー線とを、互いに短絡することなく、同一の導電膜によって形成することができる。

　本発明の第３１の局面によれば、第１ダミー線はゲート線の上方に配置されているので、表示装置内蔵型タッチパネルの開口率を向上させることができる。また、第１センサ線、第２センサ線、および第１ダミー線は同じ層の導電膜によって形成されている。そこで、それらの短絡を防止するため、第１センサ線と第２センサ線のうちいずれかのセンサ線を分割された導電体によって形成し、分割されたセンサ線を接続体によって接続する。このため、第１センサ線、第２センサ線、および第１ダミー線を、互いに短絡することなく、同一の導電膜によって形成することができる。

　本発明の第３２の局面によれば、ゲート線とデータ線の間に、薄膜トランジスタのゲート絶縁層の酸化膜換算膜厚よりも厚い酸化膜換算膜厚の層間絶縁層を形成することにより、ゲート線とデータ線の交差部分の配線クロス容量を小さくすることができる。このため、データ線またはゲート線を介して与えられる信号の遅延を防止することができる。

本発明の基礎検討に用いた液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、および、（Ａ）に示すＡ－Ａ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）である。本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの構成を示す図である。図２に示す液晶表示装置内蔵型タッチパネルのＴＦＴ基板側の画素形成部の構成を示す図である。図２に示す液晶表示装置内蔵型タッチパネルのＣＦ基板側の画素形成部の構成を示す図である。本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、（Ａ）に示すＢ－Ｂ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）、および、（Ａ）に示すＣ－Ｃ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｃ）である。第１の実施形態の第１の変形例に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、（Ａ）に示すＤ－Ｄ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）、および、（Ａ）に示すＥ－Ｅ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｃ）である。第１の実施形態の第２の変形例に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、（Ａ）に示すＦ－Ｆ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）、および、（Ａ）に示すＧ－Ｇ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｃ）である。第１の実施形態の第３の変形例に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部におけるパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、（Ａ）に示すＨ－Ｈ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）、および、（Ａ）に示すＫ－Ｋ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｃ）である。本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、および、（Ａ）のＭ－Ｍ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）である。第２の実施形態の第１の変形例に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、および、（Ａ）のＮ－Ｎ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）である。第２の実施形態の第２の変形例に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、および、（Ａ）に示すＰ－Ｐ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）である。第２の実施形態の第３の変形例に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、および、（Ａ）に示すＲ－Ｒ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）である。本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、および、（Ａ）に示すＳ－Ｓ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）である。第３の実施形態の変形例に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、および、（Ａ）に示すＴ－Ｔ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）である。本発明の第４の実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、および、（Ａ）に示すＪ－Ｊ線に沿った表示素子部２１の断面を示す断面図（Ｂ）である。第４の実施形態の第１の変形例に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部におけるパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、（Ａ）に示すＬ－Ｌ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）、および、（Ａ）に示すＱ－Ｑ線に沿った表示素子部２２の断面を示す断面図（Ｃ）である。本発明の第５の実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの構成を示す図である。図１７に示す液晶表示装置内蔵型タッチパネルのＴＦＴ基板側の画素形成部の構成を示す図である。本発明の第５の実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、（Ａ）に示すＵ－Ｕ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）、および、（Ａ）に示すＷ－Ｗ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｃ）である。本発明の第５の実施形態の第１の変形例に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、（Ａ）に示すＸ－Ｘ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）、および、（Ａ）に示すＹ－Ｙ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｃ）である。従来の液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、および、（Ａ）に示すＺ－Ｚ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）である。

＜１．基礎検討＞
　図１は、本発明の基礎検討に用いた液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、および、（Ａ）に示すＡ－Ａ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）である。図１に示す表示素子部１０のうち、図２１に示す従来の表示素子部２５と同一または対応する構成要素については同一の参照符号を付し、表示素子部２５との相違点を中心に説明する。

　図２１に示す表示素子部２５では、ゲート線５１０とデータ線５４０との交差部分７９０に形成されている絶縁膜は、膜厚の薄いゲート絶縁膜６２０だけなので、交差部分７９０の配線クロス容量が大きくなる。このため、ゲート線５１０またはデータ線５４０を介して与えられる信号が遅延するという問題がある。そこで、図１に示すように、膜厚を厚くして配線クロス容量を小さくするため、ゲート絶縁膜６２０上にさらに層間絶縁膜６３０を形成する。このように、ゲート絶縁膜６２０上に層間絶縁膜６３０を形成することによって、ゲート線５１０とデータ線５４０とは、ゲート絶縁膜６２０と層間絶縁膜６３０とによって隔てられる。この結果、交差部分７９０での配線クロス容量が小さくなるので、ゲート線５１０またはデータ線５４０を介して与えられる信号の遅延を防止することができる。なお、配線クロス容量を考慮するときには、誘電率の異なるゲート絶縁膜６２０と層間絶縁膜６３０の膜厚を、それぞれ酸化膜に換算した膜厚で評価する必要がある。

　しかし、従来の表示装置内蔵型タッチパネルが有していた、表示素子部２５の開口率が低下するという問題、および製造コストが高くなるという問題は、ゲート絶縁膜６２０上に層間絶縁膜６３０を形成しても解決されない。

　また、図２１に示すように、従来の表示素子部２５では、センサ線５５０から分岐した第２パッド配線７７２の上面には保護絶縁膜６４０だけが形成されているのに対して、センサ線５２０から分岐した第１パッド配線７２１の上面には、保護絶縁膜６４０だけでなく、ゲート絶縁膜６２０も形成されている。このため、第２パッド配線７７２に接続されるコンタクトホール７６０と、第１パッド配線７２１に接続されるコンタクトホール７１０とを同時に開孔する際に、コンタクトホール７６０が開孔されて第２パッド配線７７２に達したとき、コンタクトホール７１０はまだ開孔されていない。そこで、コンタクトホール７１０が第１パッド配線７２１に達するまで、さらにゲート絶縁膜６２０をエッチングしなければならない。しかし、第２パッド配線７７２に達するコンタクトホール７６０はすでに開孔されているので、コンタクトホール７１０の開孔中に第２パッド配線７７２がエッチングされ、その膜厚が薄くなるという問題が生じる。

　そこで、図１に示すように、表示素子部１０では、保護絶縁膜６４０を形成する前に、第１パッド配線７２１に接続されるコンタクトホール７１１だけを開孔し、第１パッド配線７２１と接続された、導電膜からなる中継パッド７８０を層間絶縁膜６３０上に形成する。さらに、中継パッド７８０上に保護絶縁膜６４０を形成し、中継パッド７８０に接続するためのコンタクトホール７１２と、第２パッド配線７７２に接続するためのコンタクトホール７６０とを同時に開孔する。このように、中継パッド７８０を設けて、コンタクトホール７１１とコンタクトホール７１２を異なる工程で形成すれば、第２パッド配線７７２の膜厚が薄くなるという問題は解決される。

　しかし、コンタクトホール７１１とコンタクトホール７１２とを接続するために、層間絶縁膜６３０と保護絶縁膜６４０との間に面積の大きな中継パッド７８０を形成しなければならない。このため、表示素子部１０の開口率が低下するという新たな問題が発生する。

＜２．第１の実施形態＞
＜２．１　液晶表示装置内蔵型タッチパネルの構成＞
　図２は本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの構成を示す図であり、図３は図２に示す液晶表示装置内蔵型タッチパネルのＴＦＴ基板側の画素形成部の構成を示す図であり、図４は図２に示す液晶表示装置内蔵型タッチパネルのＣＦ基板側の画素形成部の構成を示す図である。

　図２に示すように、液晶表示装置内蔵型タッチパネルは、ガラス基板、石英基板またはプラスチック基板等の透明な絶縁性基板を含むＴＦＴ基板３０と、ＴＦＴ基板３０に対向して配置され、透明な絶縁性基板を含むＣＦ基板４０と、それらに挟まれた空間に封止された液晶（図示しない）とを備える液晶表示装置を内蔵している。ＴＦＴ基板３０の絶縁性基板上には、ｎ（ｎは１以上の整数）本のゲート線ＧＬ１～ＧＬｎ、第１センサ線ＳＬ１１～ＳＬ１ｎおよび第１ダミー線ＲＬ１１～ＲＬ１ｎが水平方向に延在するように設けられ、ｍ（ｍは１以上の整数）本のデータ線ＤＬ１～ＤＬｍ、第２センサ線ＳＬ２１～ＳＬ２ｍおよび第２ダミー線ＲＬ２１～ＲＬ２ｍが垂直方向に延在するように設けられている。また、表示素子部１０は、ゲート線ＧＬ１～ＧＬｎとデータ線ＤＬ１～ＤＬｍの交差点ごとに配置されている。なお、図２では、見やすくするためにゲート線ＧＬ１～ＧＬｎおよびデータ線ＤＬ１～ＤＬｍの記載を省略している。なお、抵抗値の大きなプルダウン抵抗Ｒ１１～Ｒ１ｎの一端は接地され、他端は第１センサ線ＳＬ１１～ＳＬ１ｎにそれぞれ接続されている。同様に、抵抗値の大きなプルダウン抵抗Ｒ２１～Ｒ２ｍの一端は接地され、他端は第２センサ線ＳＬ２１～ＳＬ２ｍにそれぞれ接続されている。

　第１ダミー線ＲＬ１１～ＲＬ１ｎおよび第２ダミー線ＲＬ２１～ＲＬ２ｍには、基準電源６０から所定の基準電圧が与えられている。また、ＴＦＴ基板３０の右端にはｎ個の第１比較器ＣＰ１１～ＣＰ１ｎが設けられ、ｊ（ｊは１以上ｎ以下の整数）番目の第１比較器ＣＰ１ｊのプラス端子にｊ番目の第１センサ線ＳＬ１ｊが接続され、マイナス端子にｊ番目の第１ダミー線ＲＬｊが接続されている。また、ＴＦＴ基板３０の上端には、ｍ個の第２比較器ＣＰ２１～ＣＰ２ｍが設けられ、ｉ（ｉは１以上ｍ以下の整数）番目の第２比較器ＣＰ２ｉのプラス端子にｉ番目の第２センサ線ＳＬ２ｉが接続され、マイナス端子にｉ番目の第２ダミー線ＲＬｉが接続されている。また、ｊ番目の第１センサ線ＳＬ１ｊに接続されたｍ個の表示素子部１０に第１センサ電極３００がそれぞれ１個ずつ設けられ、ｉ番目の第２センサ線ＳＬ２ｉに接続されたｎ個の表示素子部１０に第２センサ電極３５０がそれぞれ１個ずつ設けられている。なお、第１比較器ＣＰ１１～ＣＰ１ｎの出力および第２比較器ＣＰ２１～ＣＰ２ｍの出力は制御回路７５に接続されている。

　また、図３に示すように、各表示素子部１０にはそれぞれＴＦＴ７０が設けられている。ＴＦＴ７０のｊ行目のゲート電極はゲート線ＧＬｊに、ｉ列目のソース電極はデータ線ＤＬｉに、ドレイン電極は画素電極８０にそれぞれ接続されている。ＴＦＴ７０がオン状態になると、データ線ＤＬｉからＴＦＴ７０を介して画像信号に応じた電圧が画素電極８０に与えられる。

　図４に示すように、ＣＦ基板４０には、各表示素子部１０の画像を表示する領域に対応して赤色、緑色、青色のいずれかのカラーフィルタ４１０が形成されており、カラーフィルタ４１０を囲むように光漏れを防止するためのブラックマトリクス４２０が形成されている。また各表示素子部１０に、押圧電極５０が設けられている。押圧電極５０は、第１センサ電極３００および第２センサ電極３５０の上方に位置するように形成され、その表面には共通電圧を与えられた共通電極が形成されている。ブラックマトリクス４２０は、バックライトからの光抜けを防止するために、押圧電極５０の上部にも形成されている。共通電極は、ＴＦＴ基板３０上に形成された画素電極８０と液晶を挟んで対向するようにＣＦ基板４０上に配置された電極で、複数の表示素子部１０に共通的に設けられている。

＜２．２　液晶表示装置内蔵型タッチパネルの動作＞
　次に、液晶表示装置内蔵型タッチパネルの動作について説明する。ペン等によってＣＦ基板４０の表面が押圧されると、押圧された位置にある表示素子部１０のＣＦ基板４０に配置された押圧電極５０がＴＦＴ基板３０側に押され、押圧電極５０が第１センサ電極３００と第２センサ電極３５０に接触する。このため、第１センサ線と第２センサ線に共通電圧が印加される。ＣＦ基板４０の表面が押圧されなくなると、押圧電極５０は元の位置に戻るので、押圧電極５０と第１センサ線および第２センサ線とは接触しなくなる。このため、第１センサ線と第２センサ線に共通電圧が印加されなくなり、第１センサ線および第２センサ線の電位は、それぞれプルダウン抵抗を介して接地電位になる。

　第１および第２比較器のプラス端子には、第１および第２センサ線の電位が与えられる。一方、マイナス端子には、基準電源６０から第１および第２ダミー線を介して、共通電圧よりも低い電圧値の基準電圧が与えられる。第１および第２比較器は、それぞれ第１および第２センサ線から与えられた電位と第１および第２ダミー線から与えられた基準電圧を比較する。ＣＦ基板４０の表面が押圧された表示素子に接続された第１および第２センサ線には共通電圧が与えられている。共通電圧は基準電圧よりも高いので、第１および第２比較器はハイレベルの信号を出力する。一方、ＣＦ基板４０の表面が押圧されなかった表示素子に接続された第１および第２センサ線は、それぞれプルダウン抵抗を介して接地されているので、接地電位になっている。したがって、第１および第２センサ線の電位は基準電圧よりも低くなり、第１および第２比較器はローレベルの信号を出力する。

　第１比較器ＣＰ１１～ＣＰ１ｎのうち、ハイレベルの信号を出力する第１比較器があれば、その第１比較器に接続された表示素子部１０のうち少なくとも１つ以上の表示素子部１０に対応するＣＦ基板４０の表面が押圧されている。また、第２比較器ＣＰ２１～ＣＰ２ｍのうち、ハイレベルの信号を出力する第２比較器があれば、その第２比較器に接続された表示素子部１０のうち少なくとも１つ以上の表示素子部１０に対応するＣＦ基板４０の表面が押圧されている。第１比較器ＣＰ１１～ＣＰ１ｎの出力は第１エンコーダ回路７１に与えられてビット信号に変換され、第２比較器ＣＰ２１～ＣＰ２ｍの出力は第２エンコーダ回路７２に与えられてビット信号に変換される。第１および第２エンコーダ回路７１、７２によって変換されたビット信号は制御回路７５に与えられ、制御回路７５は与えられたビット信号に基づいて、ＣＦ基板４０上の押圧された位置を特定する。

＜２．３　表示素子部の構成＞
　図５は、本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、（Ａ）に示すＢ－Ｂ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）、および、（Ａ）に示すＣ－Ｃ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｃ）である。

　図５に示すように、ＴＦＴ基板３０では、ガラス基板、石英基板またはプラスチック基板等の透明な絶縁性基板１００上に形成された下地絶縁膜２１０上に、第１導電膜からなり、水平方向に延在するゲート線１１０と第１ダミー線１３０が同じ層内で互いに平行になるように形成されている。なお、下地絶縁膜２１０は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等のシリコンを含む絶縁膜からなり、第１導電膜は、タンタル、タングステン、窒化タンタル、またはそれらの合金もしくは化合物からなる。あるいは、第１導電膜は、例えば下から順に窒化タンタル、タンタル、窒化タンタルを積層した３層構造の積層導電膜や、窒化タンタルの上面にタングステンを積層した積層導電膜であってもよい。

　ゲート線１１０と第１ダミー線１３０上に、ＴＥＯＳ膜または酸化シリコン膜等からなるゲート絶縁膜２２０、および、酸化シリコン膜または窒化シリコン膜等からなる層間絶縁膜２３０が形成されている。層間絶縁膜２３０上に、第２導電膜からなり、垂直方法に延在するデータ線１４０と第２ダミー線１６０が同じ層内で互いに平行になるように形成されている。第２導電膜は、アルミニウム、チタン、モリブデン、銅、銀等の低抵抗金属、または、それらの合金もしくは化合物からなる。あるいは、第２導電膜は、例えば下から順にチタン、アルミニウム、チタンを積層した構造の積層導電膜であってもよい。

　データ線１４０および第２ダミー線１６０上に、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、感光性アクリル樹脂またはＳＯＧ（Spin On Glass）膜等からなる層間絶縁膜２４０が形成されている。層間絶縁膜２４０上の第１ダミー線１３０に対応する位置に、第１ダミー線１３０よりも幅の狭い第１センサ線１２０が、平面視において第１ダミー線１３０からはみ出さないように配置されている。また、層間絶縁膜２４０上のデータ線１４０に対応する位置に、データ線１４０よりも幅の狭い第２センサ線１５０が、平面視においてデータ線１４０からはみ出さないように配置されている。

　第１センサ線１２０および第２センサ線１５０は、いずれも第３導電膜によって形成され、同じ層内で、それぞれ水平方向および垂直方向に延在する。そこで、第１センサ線１２０と第２センサ線１５０とが交差しても短絡しないようにするため、第１センサ線１２０を連続した１つの導電体によって構成し、第２センサ線１５０を、第１センサ線１２０を挟むように分割された２つの導電体１５１、１５２によって構成する。なお、第１センサ線１２０を分割された２つの導電体によって構成し、第２センサ線１５０を連続した１つ導電体によって構成してもよい。なお、第３導電膜は、アルミニウムの上にモリブデンを積層した構造、アルミニウムの上にＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）を積層した構造、アルミニウムの上にモリブデンとニオブの合金を積層した構造等の積層導電膜からなる。

　第１および第２センサ線１２０、１５０上に、酸化シリコン、窒化シリコン、感光性アクリル樹脂またはＳＯＧ（Spin On Glass）膜等からなる保護絶縁膜２５０が形成される。保護絶縁膜２５０上に、画素電極（図示しない）と同じ第４導電膜からなる層内に、導電性のパッド部３２０、３７０が形成されている。パッド部３２０は、コンタクトホール３１０を介して第１センサ線１２０に電気的に接続され、図２に示す第１センサ電極３００として機能する。パッド部３７０は、２つのコンタクトホール３６１、３６２を介して、第２センサ線１５０の分割された２つの導電体１５１、１５２にそれぞれ接続されるとともに、２つの導電体１５１、１５２を保護絶縁膜２５０上で電気的に接続し、図２に示す第２センサ電極３５０として機能する。なお、パッド部３７０を接続体ともいう。また、パッド部３２０を第１パッド部といい、パッド部３７０を第２パッド部ということもある。

　このように、パッド部３２０およびパッド部３７０は、いずれもＴＦＴ基板３０の最上層となる保護絶縁膜２５０上に形成されているので、後述するＣＦ基板４０のセンサスペーサの表面に形成される共通電極との距離が等しい。したがって、ＣＦ基板４０の表面が押圧されたとき、センサスペーサの表面に形成された共通電極は、パッド部３２０とパッド部３７０に同時に接触するので、表示素子部１１は、タッチセンサとして押圧された位置を確実に検出することができる。

　また、パッド部３７０はジャンパとしての機能も有する。パッド部３７０を使用すれば、分割された２つの導電体１５１、１５２を電気的に接続することができるので、第１センサ線１２０と第２センサ線１５０とを同じ層の導電膜を用いて形成できるようになる。この場合、第１センサ線１２０と第２センサ線１５０とを異なる層の導電膜を使用して形成すれば２層の導電膜が必要になる。しかし、パッド部３７０をジャンパとして使用すれば、１層の導電膜だけを使用して第１センサ線１２０と第２センサ線１５０とを形成することができる。そこで、センサ線として使用する必要がなくなった導電膜を他の配線の形成に使用することにより、配線レイアウトの自由度を高めることができる。

　なお、第４導電膜は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ等の透明導電膜、またはアルミニウム等の反射膜からなる。また、保護絶縁膜２５０の表面を平坦化するため、保護絶縁膜２５０を２層の絶縁膜によって形成し、下層絶縁膜としてポリイミド等の樹脂膜またはＳＯＧ膜等からなる平坦化膜を形成してもよい。

　また、本実施形態では、第１および第２センサ線１２０、１５０は、いずれも第３導電膜によって形成されているので、保護絶縁膜２５０の表面から第１および第２センサ線１２０、１５０までの深さが等しくなる。このため、コンタクトホール３１０、３６１、３６２の開孔時に中継パッドを設ける必要はなく、表示素子部１１の開口率をさらに向上させることができる。

　次に、ＣＦ基板４０について説明する。絶縁性基板４００上の、各表示素子部１１の画素電極８０と対向する位置に赤色、緑色および青色のいずれかのカラーフィルタ４１０が形成され、カラーフィルタ４１０を囲むように、樹脂等の遮光材料からなるブラックマトリクス４２０が形成されている。ＴＦＴ基板３０上のパッド部３２０、３７０に対応する位置に、アクリル系樹脂からなり、厚い膜厚のセンサスペーサ４３０が形成されている。またバックライトからの光抜けを防止するために、ブラックマトリクス４２０はセンサスペーサ４３０と絶縁性基板４００との間にも形成されている。センサスペーサ４３０およびカラーフィルタ４１０の表面に、ＩＴＯまたはＩＺＯ等の透明導電膜からなる共通電極４４０が形成されている。このため、共通電極４４０は、センサスペーサ４３０が形成された位置で突出した形状になる。この表面に共通電極４４０が形成されたセンサスペーサ４３０を押圧電極５０という。

　このようなＴＦＴ基板３０とＣＦ基板４０とが液晶を挟んで対向し、パッド部３２０、３７０と、センサスペーサ４３０とが所定の距離を隔てて配置される。ここで、所定の距離とは、ＣＦ電極４０の表面が押圧されたとき、センサスペーサ４３０上の共通電極４４０がパッド部３２０、３７０と接触するような距離をいう。

　なお、表示素子部１１でも、ゲート線１１０とデータ線１４０の交差部分の配線クロス容量を小さくするため、ゲート絶縁膜２２０の上にさらに層間絶縁膜２３０を形成しているが、ゲート線１１０やデータ線１４０を介して与えられる信号の遅延が無視できる程度に小さい場合には、層間絶縁膜２３０を省略してもよい。この場合、ＴＦＴ基板３０の製造工程を簡略化できるので、製造コストを低減することができる。

　また、表示素子部１１に形成されるＴＦＴ７０が、チャネル部を多結晶シリコンにより形成されたトップゲート型である場合、ゲート絶縁膜２２０との界面の多結晶シリコンの未結合手を水素によって終端させなければ、ＴＦＴ７０の特性が不安定になるという問題がある。一方、多結晶シリコンＴＦＴのゲート絶縁膜２２０として、高品質のＴＥＯＳ膜を使用する必要がある。しかし、ＴＥＯＳ膜には水素が含まれていないので、終端させることができない。そこで、層間絶縁膜２３０として、プラズマＣＶＤ法を用いて生成された窒化シリコン膜を使用する。この場合、窒化シリコン膜に含まれる水素を利用してチャネル部の未結合手を終端させることができるので、多結晶シリコンＴＦＴの特性を安定させることができる。

　また、本実施形態の表示素子部１１では、水平方向に延在する第１ダミー線１３０と、垂直方向に延在する第２ダミー線１６０とを形成した。しかし、第１ダミー線１３０および第２ダミー線１６０のうちいずれかのダミー線だけを形成してもよい。この場合、ダミー線が形成されていない方向の押圧された位置の特定は、後述の第５に実施形態において詳しく説明する。

＜２．４　効果＞
　以上説明したように、上記実施形態に係る表示装置内蔵型タッチパネルでは、第１センサ線１２０および第２センサ線１５０は、層間絶縁膜２４０上の第１ダミー線１３０およびデータ線１４０にそれぞれ対応する位置に、平面視においてそれぞれ第１ダミー線１３０およびデータ線１４０からはみ出さないように配置されているので、表示素子部１１の開口率を向上させることができる。

　また、第１センサ線１２０および第２センサ線１５０はいずれも第３導電膜によって形成されるので、保護絶縁膜２５０の表面から第１センサ線１２０までの深さと、第２センサ線１５０までの深さとが等しくなり、それぞれのコンタクトホール３１０、３６１、３６２の深さも等しくなる。したがって、基礎検討で用いた中継パッドをなくすことができるので、表示素子部１１の開口率をさらに向上させることができるとともに、製造プロセスを簡略化することができる。

　また、ジャンパとしての機能も有するパッド部３７０を使用すれば、第１センサ線１２０と第２センサ線１５０とを同じ層の導電膜を用いて形成できるようになる。したがって、第１センサ線１２０と第２センサ線１５０とを異なる層の導電膜を使用して形成する場合に比べ、使用する導電膜の層数を少なくすることができる。そこで、センサ線として使用する必要がなくなった導電膜を他の配線の形成に使用することにより、配線のレイアウトの自由度を高めることができる。

＜２．５　第１の変形例＞
　図６は、第１の実施形態の第１の変形例に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、（Ａ）に示すＤ－Ｄ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）、および、（Ａ）に示すＥ－Ｅ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｃ）である。図６に示す表示素子部１２のうち、図５に示す第１の実施形態の表示素子部１１と同一または対応する構成要素については同一の参照符号を付し、表示素子部１１との相違点を中心に説明する。

　図６に示すように、表示素子部１２では、図５に示す表示素子部１１の第１ダミー線１３０とゲート線１１０の位置が入れ替わっている。また、第１センサ線１２０は、ゲート線１１０の幅よりも狭くなるように第３導電膜によって形成され、平面視においてゲート線１１０からはみ出さないように、層間絶縁膜２４０上のゲート線１１０に対応する位置に配置されている。上記実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの効果は、第１の実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの効果と同様であるため、その説明を省略する。

＜２．６　第２の変形例＞
　図７は、第１の実施形態の第２の変形例に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、（Ａ）に示すＦ－Ｆ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）、および、（Ａ）に示すＧ－Ｇ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｃ）である。図７に示す表示素子部１３のうち、図５に示す第１の実施形態の表示素子部１１と同一または対応する構成要素については同一の参照符号を付し、表示素子部１１との相違点を中心に説明する。

　図７に示すように、表示素子部１３では、図５に示す表示素子部１１と異なり、下地絶縁膜２１０上に、第１ダミー線１３０とゲート線１１０だけでなく、補助容量線１７０も、第１導電膜により、第１ダミー線１３０に隣接して水平方向に延在するように形成されている。補助容量線１７０は、画素電極８０の一部と対向して設けられる補助容量電極（図示しない）に接続される配線で、大きな電流が流れるように、ゲート線１１０や第１ダミー線１３０の幅よりも広い幅を有している。

　第１センサ線１２０は、平面視において補助容量線１７０からはみ出さないように、第３導電膜によって層間絶縁膜２４０上に配置されている。このように、補助容量線１７０上に第１センサ線１２０を形成することによって、表示素子部１３の開口率を向上させることができる。また、その他の効果は、第１の実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルと同様であるため、その説明を省略する。なお、第２センサ線を１つの導電体によって形成し、第１センサ線を分割された２つの導電体によって形成してもよい。

　また、表示素子部１３では、補助容量線１７０の幅が十分に広くないので、センサスペーサ４３０を画素電極から十分に離して形成することができない。このため、補助容量線１７０をブラックマトリクスとしても使用した場合、バックライトからの光がセンサスペーサ４３０から抜け、画像が見にくくなる。そこで、センサスペーサ４３０上にブラックマトリクス４２０を設けておかなければならない。

＜２．７　第３の変形例＞
　図８は、第１の実施形態の第３の変形例に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部におけるパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、（Ａ）に示すＨ－Ｈ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）、および、（Ａ）に示すＫ－Ｋ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｃ）である。図８に示す表示素子部１４のうち、図７に示す第２の変形例の表示素子部１３と同一または対応する構成要素については同一の参照符号を付し、表示素子部１３との相違点を中心に説明する。

　図７に示す表示素子部１３では、第１センサ線１２０だけが層間絶縁膜２４０上の補助容量線１７０に対応する位置に形成されている。しかし、図８に示すように、さらに第１ダミー線１３０も、平面視において補助容量線１７０からはみ出さないように、層間絶縁膜２４０上の補助容量線１７０に対応する位置に配置されている。この第１ダミー線１３０は、第１センサ線１２０と同じく第３導電膜によって、第１センサ線１２０に隣接して平行になるように形成されている。

　このように、上記実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルでは、補助容量線１７０を必要とするので、補助容量線１７０上に第１センサ線１２０および第１ダミー線１３０を形成することによって、表示素子部１４の開口率をさらに向上させることができる。また、その他の効果は、第１の実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの効果と同様であるため、その説明を省略する。なお、第２センサ線を１つの導電体によって形成し、第１センサ線を分割された２つの導電体によって形成してもよい。

＜３．　第２の実施形態＞
＜３．１　表示素子部の構成＞
　図９は、本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、および、（Ａ）のＭ－Ｍ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）である。図９に示す表示素子部１５のうち、図５に示す第１の実施形態の表示素子部１１と同一または対応する構成要素については同一の参照符号を付し、表示素子部１１との相違点を中心に説明する。

　表示素子部１５では、表示素子部１１の下地絶縁膜２１０上に形成された第１ダミー線１３０とゲート線１１０との間に、それらと同じ第１導電膜によって、第１センサ線１２０が水平方向に延在するように形成されている。

　第２センサ線１５０は、表示素子部１１と同様に、データ線１４０に対応する層間絶縁膜２４０上の位置に、第３導電膜によって、平面視においてデータ線１４０からはみ出さないように配置されている。このため、表示素子部１５の開口率が向上する。また、第１センサ線１２０は第１導電膜によって形成され、第２センサ線１５０は第３導電膜によって形成されているので、それらが交差しても短絡することはない。このため、第２センサ線１５０は、第１センサ線１２０と同じく、１つの導電体によって形成されている。

　次に、第１および第２パッド電極３９０、３９５の構造について説明する。第１パッド電極３９０は、図２に示す第１センサ電極３００として機能し、第２パッド電極３９５は、図２に示す第２センサ電極３５０として機能する。第１の実施形態と異なり、本実施形態では、保護絶縁膜２５０の表面から第１センサ線１２０までの深さが、第２センサ線１５０までの深さよりも深い。そこで、保護絶縁膜２５０の形成後に、第１および第２センサ線１２０、１５０にそれぞれ達する２つのコンタクトホールを同時に開孔しようとすれば、次のような問題が生じる。すなわち、第２センサ線１５０に達するコンタクトホールが開孔されたとき、第１センサ線１２０には、まだコンタクトホールが開孔されていないので、さらにエッチングを継続しなければならない。しかし、エッチングを継続すると、第２センサ線１５０がオーバエッチングされ、その膜厚が薄くなるという問題が生じる。また、基礎検討で説明した中継パッドを用いれば上記問題は解決するが、開口率が減少するという問題が生じる。そこで、本実施形態では以下のようにして、第１および第２パッド電極３９０、３９５を形成する。なお、以下では、第１および第２パッド電極３９０、３９５の構成要素について説明し、第１および第２パッド電極３９０、３９５と直接関係しない構成要素についての説明を省略する。

　まず、絶縁性基板１００に形成された下地絶縁膜２１０上に、第１導電膜からなる第１センサ線１２０を形成するとともに、第１センサ線１２０からゲート線１１０に向かって分岐する第３パッド配線３３１を形成する。次に、ゲート絶縁膜２２０および層間絶縁膜２３０を積層し、フォトリソグラフィ技術を使用してゲート絶縁膜２２０および層間絶縁膜２３０に、第３パッド配線３３１に達するコンタクトホールを形成する。第２導電膜を積層し、フォトリソグラフィ技術を使用して第２導電膜を加工することにより、第３パッド配線３３１に導通する導電性パッド３３２を形成する。層間絶縁膜２４０を積層し、導電性パッド３３２に達するコンタクトホールを形成する。

　そして、層間絶縁膜２４０上に第３導電膜を積層し、フォトリソグラフィ技術を使用して第３導電膜を加工することにより、導電性パッド３３２に導通する導電性パッド３３３を形成する。このとき、第２センサ線１５０から第２ダミー線１６０と反対側に分岐する第４パッド配線３８３も同時に形成する。次に、保護絶縁膜２５０を積層し、導電性パッド３３３および第４パッド配線３８３に達するコンタクトホールを形成する。第４導電膜を積層し、フォトリソグラフィ技術を使用して第４導電膜を加工することにより、導電性パッド３３３に導通する導電性パッド３３４、および第４パッド配線３８３に導通する導電性パッド３８４を形成する。

　また、本実施形態の表示素子部１５では、水平方向に延在する第１ダミー線１３０と、垂直方向に延在する第２ダミー線１６０とを形成した。しかし、第１ダミー線１３０および第２ダミー線１６０のうちいずれかのダミー線だけを形成してもよい。この場合、ダミー線が形成されていない方向の押圧された位置の特定は、後述の第５に実施形態において詳しく説明する。

　このようにして、第１センサ線１２０に接続され、第３パッド配線３３１および導電性パッド３３２～３３４からなる第１パッド電極３９０と、第２センサ線１５０に接続され、第４パッド配線３８３および導電性パッド３８４からなる第２パッド電極３９５とが形成される。

＜３．２　効果＞
　上記実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルでは、第２センサ線１５０は、層間絶縁膜２４０上のデータ線１４０に対応する位置に形成され、しかも、第２センサ線１５０は、平面視においてデータ線１４０からはみ出さないように配置されているので、表示素子部１５の開口率を向上させることができる。

　また、保護絶縁膜２５０の表面から第１センサ線１２０までの深さは、第２センサ線１５０までの深さよりも深い。しかし、積層された第３パッド配線３３１と導電性パッド３３２～３３４、および、第４パッド配線３８３と導電性パッド３８４をそれぞれ形成することによって、第１パッド電極３９０と第２パッド電極３９５の高さが等しくなる。したがって、ＣＦ基板４０の表面が押圧されたとき、センサスペーサ４３０の表面に形成された共通電極４４０は、第１パッド電極３９０と第２パッド電極３９５に同時に接触するので、表示素子部１５は、タッチセンサとして押圧された位置を確実に検出することができる。さらに、第２センサ線１５０の膜厚がエッチングにより薄くなることを防止するための中継パッドが不要になる。このため、表示素子部１５の開口率をさらに向上させることができる。

＜３．３　第１の変形例＞
　図１０は、第２の実施形態の第１の変形例に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、および、（Ａ）のＮ－Ｎ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）である。図１０に示す表示素子部１６のうち、図９に示す第２の実施形態の表示素子部１５と同一または対応する構成要素については同一の参照符号を付し、表示素子部１５との相違点を中心に説明する。

　図１０に示すように、表示素子部１６では、図９に示す表示素子部１５の第２ダミー線１６０とデータ線１４０の位置が入れ替わっている。さらに、第２センサ線１５０は、平面視において第２ダミー線１６０からはみ出さないように、第３導電膜によって、層間絶縁膜２４０上の第２ダミー線１６０に対応する位置に配置されている。このような液晶表示装置内蔵型タッチパネルの効果は、第２の実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの効果と同様であるため、その説明を省略する。

＜３．４　第２の変形例＞
　図１１は、第２の実施形態の第２の変形例に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、および、（Ａ）に示すＰ－Ｐ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）である。図１１に示す表示素子部１７のうち、図１０に示す第１の変形例の表示素子部１６と同一または対応する構成要素については同一の参照符号を付し、表示素子部１６との相違点を中心に説明する。

　図１０に示す表示素子部１６において、第１センサ線１２０は、第１導電膜からなり、第１ダミー線１３０とゲート線１１０との間に形成されている。しかし、図１１に示す表示素子部１７では、第１センサ線１２０は、平面視において第１ダミー線１３０からはみ出さないように、第３導電膜により、層間絶縁膜２４０上の第１ダミー線１３０に対応する位置に配置されている。また、表示素子部１６において、第３導電膜からなり、層間絶縁膜２４０上の第２ダミー線１６０に対応する位置に形成されていた第２センサ線１５０が、表示素子部１７では、第２ダミー線１６０と同じ第２導電膜によって、第２ダミー線１６０のデータ線１４０とは反対側に、第２ダミー線１６０と平行になるように形成されている。このような液晶表示装置内蔵型タッチパネルの効果は、第２の実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの効果と同様であるため、その説明を省略する。

　また、表示素子部１７では、保護絶縁膜２５０の表面から第１センサ線１２０に接続された第５パッド配線３３５までの深さと、第２センサ線１５０に接続された第６パッド配線３８２までの深さが異なる。そこで、第５パッド配線３３５に接続するコンタクトホールと、第６パッド配線３８２に接続するコンタクトホールとを、エッチングによって同時に開孔しようとすると、第５パッド配線３３５に達するコンタクトホールが先に開孔されるので、第５パッド配線３３５の膜厚が薄くなるという問題が生じる。

　そこで、層間絶縁膜２４０上に形成された、第１センサ線１２０からゲート線１１０に向かって分岐する第５パッド配線３３５に、第４導電膜からなる導電性パッド３３４を積層することによって、第１パッド電極３９０が形成されている。また、層間絶縁膜２３０上に形成された、第２導電膜からなる第２センサ線１５０から第２ダミー線１６０とは反対側に分岐する第６パッド配線３８２、第３導電膜からなる導電性パッド３８５および第４導電膜からなる導電性パッド３８４を積層することによって、第２パッド電極３９５が形成されている。したがって、第１パッド電極３９０と第２パッド電極３９５は同じ高さになるので、ＣＦ基板４０の表面が押圧されたとき、センサスペーサ４３０の表面に形成された共通電極４４０は、第１パッド電極３９０と第２パッド電極３９５に同時に接触する。このため、表示素子部１７は、タッチセンサとして押圧された位置を確実に検出することができる。また、第１および第２パッド電極３９０、３９５を形成するために、中継パッドを用いる必要がないので、表示素子部１７の開口率をさらに向上させることができる。

＜３．５　第３の変形例＞
　図１２は、第２の実施形態の第３の変形例に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、および、（Ａ）に示すＲ－Ｒ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）である。図１２に示す表示素子部１８のうち、図１１に示す第２の変形例の表示素子部１７と同一または対応する構成要素については同一の参照符号を付し、表示素子部１７との相違点を中心に説明する。

　図１２に示すように、表示素子部１８では、表示素子部１７の第１ダミー線１３０とゲート線１１０の位置が入れ替わり、第１センサ線１２０は、平面視においてゲート線１１０からはみ出さないように、第３導電膜によって、層間絶縁膜２４０上のゲート線１１０に対応する位置に配置されている。このような液晶表示装置内蔵型タッチパネルの効果は、第２の実施形態の第２の変形例に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの効果と同様であるため、その説明を省略する。

＜４．　第３の実施形態＞
　図１３は、本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、および、（Ａ）に示すＳ－Ｓ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）である。図１３に示す表示素子部１９のうち、図１０に示す第２の実施形態の第１の変形例の表示素子部１６と同一または対応する構成要素については同一の参照符号を付し、表示素子部１６との相違点を中心に説明する。

　図１３に示すように、表示素子部１９では、図１０に示す表示素子部１６とは異なり、第１ダミー線１３０とゲート線１１０との間に、第１導電膜によって、水平方向に延在する幅の広い補助容量線１７０が形成されている。また、第１センサ線１２０は、平面視において補助容量線１７０からはみ出さないように、第３導電膜によって、層間絶縁膜２４０上の補助容量線１７０に対応する位置に配置されている。また、第２センサ線１５０は、第２ダミー線１６０と同じ第２導電膜からなり、第２ダミー線１６０のデータ線１４０とは反対側に、第２ダミー線１６０と平行になるように形成されている。このように、補助容量線１７０上に第１センサ線１２０を形成することによって、表示素子部１９の開口率を向上させることができる。

　また、本実施形態の第１パッド電極３９０および第２パッド電極３９５の構造は、図１２に示す表示素子部１８の第１パッド電極３９０および第２パッド電極３９５の構造とそれぞれ同じ構造である。このため、第１パッド電極３９０および第２パッド電極３９５の構造およびその効果についての説明を省略する。

　また、第２の実施形態の第２および第３の変形例の場合と異なり、本実施形態では、第１センサ線１２０は、第３導電層によって、第１および第２パッド電極３９０、３９５と補助容量線１７０の端部との間に形成されている。この結果、第１および第２パッド電極３９０、３９５は第１センサ線１２０の幅の分だけ補助容量線１７０の幅方向の端部から内側に設けられているので、センサスペーサ４３０も補助容量線１７０の幅方向の端部から十分に離すことができる。このため、バックライトからの光は補助容量線１７０によって遮光される。つまり、補助容量線１７０をブラックマトリクスとしても使用することにより、センサスペーサ４３０の上部にブラックマトリクスを形成しなくても、バックライトからの光がセンサスペーサ４３０を透過することを防止することができる。そこで、ＣＦ基板４０の製造工程でブラックマトリクスを形成する工程を削除することができ、ＣＦ基板４０の製造工程を短縮し、製造コストを低減することができる。

　また、本実施形態の表示素子部１９では、水平方向に延在する第１ダミー線１３０と、垂直方向に延在する第２ダミー線１６０とを形成した。しかし、第１ダミー線１３０および第２ダミー線１６０のうちいずれかのダミー線だけを形成してもよい。この場合、ダミー線が形成されていない方向の押圧された位置の特定は、後述の第５に実施形態において詳しく説明する。

＜４．１　変形例＞
　図１４は、第３の実施形態の変形例に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、および、（Ａ）に示すＴ－Ｔ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）である。図１４に示す表示素子部２０のうち、第３の実施形態の表示素子部１９と同一または対応する構成要素については同一の参照符号を付し、表示素子部１９との相違点を中心に説明する。

　図１４に示すように、表示素子部２０では、図１３に示す表示素子部１９と異なり、第１センサ線１２０だけではなく、第１ダミー線１３０も、補助容量線１７０上に形成された層間絶縁膜２４０上に、第３導電膜によって、第１センサ線１２０の第１および第２パッド電極３９０、３９５とは反対側に、第１センサ線１２０と平行になるように形成されている。このため、第３の実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルよりもさらに表示素子部２０の開口率を向上させることができる。

　また、第１および第２パッド電極３９０、３９５は、補助容量線１７０上に新たに設けられた第１ダミー線１３０の幅の分だけ補助容量線１７０の幅方向の端部から離れているので、センサスペーサ４３０も補助容量線１７０の幅方向の端部からより一層離すことができる。このため、補助容量線１７０のブラックマトリクスとしての機能がより一層向上する。

　なお、さらにゲート線１１０も、補助容量線１７０の上方の層間絶縁膜２４０上に、第３導電膜によって、第１および第２パッド電極３９０、３９５を間に挟んで水平方向に延在するように形成することもできる。しかし、ゲート線１１０をＴＦＴ７０のゲート電極に接続するためのコンタクト部を新たに形成する必要がある。そこで、ゲート線１１０も補助容量線１７０の上方に形成するか否かは、ゲート線１１０を補助容量線１７０上に形成することによって向上する開口率と、新たに形成するコンタクト部によって低下する開口率とを比較考量して判断する必要がある。

＜５．第４の実施形態＞
　図１５は、本発明の第４の実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、および、（Ａ）に示すＪ－Ｊ線に沿った表示素子部２１の断面を示す断面図（Ｂ）である。図１５に示す表示素子部２１のうち、第１の実施形態の表示素子部１１と同一または対応する構成要素については同一の参照符号を付し、表示素子部１１との相違点を中心に説明する。

　図１５に示すように、絶縁性基板１００上に形成された下地絶縁膜２１０上に、第１導電膜からなり、水平方向に延在するゲート線１１０が形成されている。ゲート線１１０上にゲート絶縁膜２２０が形成され、ゲート絶縁膜２２０上に第２導電膜からなり、垂直方向に延在するデータ線１４０が形成されている。

　データ線１４０上に層間絶縁膜２４０が形成されている。層間絶縁膜２４０上に、第３の導電膜からなり、垂直方向に延在する第２センサ線１５０および第２ダミー線１６０が互いに並行になるように形成されている。第２ダミー線１６０は、層間絶縁膜２４０上のデータ線１４０に対応する位置に、データ線１４０よりも狭い幅で、データ線１４０からはみ出さないように配置されている。また層間絶縁膜２４０上には、第３の導電膜によって、水平方向に延在する第１センサ線１２０および第１ダミー線１３０が互いに並行になるように形成されている。第１センサ線１２０と第１ダミー線１３０は、いずれも平面視においてゲート線１１０と重ならないように形成されている。

　上述のように、第１センサ線１２０と第１ダミー線１３０は水平方向に延在し、第２センサ線１５０と第２ダミー線１６０は垂直方向に延在し、しかもそれらはいずれも第３導電膜によって形成されている。そこで、第１センサ線１２０および第１ダミー線１３０と、第２センサ線１５０および第２ダミー線１６０とが交差しても短絡しないようにする必要がある。このため、第２センサ線１５０と第２ダミー線１６０とをそれぞれ連続した１つの導電体によって構成し、第１センサ線１２０を、第２センサ線１５０および第２ダミー線１６０を挟むように分割された２つの導電体１２１、１２２によって構成する。同様に、第１ダミー線１３０を、第２センサ線１５０および第２ダミー線１６０を挟むように分割された２つの導電体１３１、１３２によって構成する。

　第１センサ線１２０、第２センサ線１５０、第１ダミー線１３０および第２ダミー線１１６０上に、保護絶縁膜２５０が形成されている。保護絶縁膜２５０上に、画素電極（図示しない）と同じ第４導電膜からなる３つのパッド部３２１、３２２、３７１が形成されている。パッド部３２１は、コンタクトホール３１１、３１２をそれぞれ介して第１ダミー線１３０の２つの導電体１３１、１３２にそれぞれ電気的に接続され、パッド部３２２はコンタクトホール３１３、３１４を介して第１センサ線１２０の２つの導電体１２１、１２２にそれぞれ電気的に接続されている。このように、パッド部３２１は、分割された２つの導電体１３１、１３２からなる第１ダミー線１３０を保護絶縁膜２５０上で電気的に接続して実質的に１つの導電体とする。また、パッド部３２２は、分割された２つの導電体１２１、１２２からなる第１センサ線１２０を保護絶縁膜２５０上で電気的に接続して実質的に１つの導電体とする。このため、パッド部３２１、３２２を接続体ともいう。

　上記実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルでは、表示素子部２１の第２ダミー線１６０は、データ線１４０に対応する位置に、データ線１４０よりも狭い幅でデータ線１４０からはみ出さないように配置されているので、表示素子部２１の開口率を向上させることができる。

　また、第１センサ線１２０および第２センサ線１５０はいずれも第３導電膜によって形成される。この結果、保護絶縁膜２５０の表面から第１センサ線１２０までの深さと、第２センサ線１５０までの深さとが等しくなるので、５つのコンタクトホール３１１～３１５はすべて同じ深さになる。したがって、基礎検討で用いた中継パッドを用いずに、コンタクトホール３１１～３１５を開孔することができるので、表示素子部１１の開口率をさらに向上させることができる。また、第１センサ線１２０と第２センサ線１５０、および第１ダミー線１３０と第２ダミー線１６０をそれぞれ異なる導電膜によって形成する場合に比べて、製造プロセスを簡略化することができる。

　パッド部３２２は図２に示す第１センサ電極３００として機能し、パッド部３７１は、図２に示す第２センサ電極３５０として機能し、いずれもＴＦＴ基板３０の最上層となる保護絶縁膜２５０上に形成されている。このため、ＣＦ基板４０に形成されたセンサスペーサ４３０の表面に形成される共通電極４４０からパッド部３２２までの距離と、共通電極４４０からパッド部３７１までの距離とが等しい。したがって、ＣＦ基板４０の表面が押圧されたとき、センサスペーサ４３０の表面に形成された共通電極４４０は、パッド部３２２とパッド部３７１に同時に接触するので、表示素子部２１は、タッチセンサとして押圧された位置を確実に検出することができる。

　また、パッド部３２１、３２２はジャンパとしての機能も有する。パッド部３２１、３２２を使用すれば、分割された２つの導電体１２１、１２２および導電体１３１、１３２を電気的に接続することができるので、第１センサ線１２０と、第１ダミー線１３０と、第２センサ線１５０と、第２ダミー線１６０とを同じ層の導電膜を用いて形成することができる。すなわち、２層の導電膜を用いて、第１センサ線１２０および第１ダミー線１３０と、第２センサ線１５０および第２ダミー線１６０とを形成する代わりに、パッド部３２１、３２２をジャンパとして使用すれば、１層の導電膜だけで形成することができる。そこで、使用しなくなった導電膜を他の配線の形成に使用することにより、配線レイアウトの自由度を高めることができる。

　なお、第１センサ線および第１ダミー線を１つの導電体によって形成し、第２センサ線および第２ダミー線をそれぞれ分割された２つの導電体によって形成してもよい。また、ゲート線と第１ダミー線の位置を入れ替え、第１ダミー線を１つの導電体で形成し、ゲート線を分割された２つの導電体によって形成してもよい。

　また、本実施形態の表示素子部２１では、水平方向に延在する第１ダミー線１３０と、垂直方向に延在する第２ダミー線１６０とを形成した。しかし、第１ダミー線１３０および第２ダミー線１６０のうちいずれかのダミー線だけを形成してもよい。この場合、ダミー線が形成されていない方向の押圧された位置の特定は、後述の第５に実施形態において詳しく説明する。

＜５．１　第１の変形例＞
　図１６は、第４の実施形態の第１の変形例に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部におけるパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、（Ａ）に示すＬ－Ｌ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）、および、（Ａ）に示すＱ－Ｑ線に沿った表示素子部２２の断面を示す断面図（Ｃ）である。図１６に示す表示素子部２２のうち、図８に示す第１の実施形態の第３の変形例の表示素子部１４と同一または対応する構成要素については同一の参照符号を付し、表示素子部１４との相違点を中心に説明する。

　図８に示す表示素子部１４では、第１ダミー線１３０は、第１センサ線１２０とともに層間絶縁膜２４０上の補助容量線１７０に対応する位置に、補助容量線１７０からはみ出さないように配置されていた。しかし、表示素子部２２では、図１６に示すように、補助容量線１７０とゲート線１１０の位置だけが入れ替わっている。このため、第１ダミー線１３０は、第１センサ線１２０とともに、ゲート線１１０に対応する層間絶縁膜２４０上の位置に、いずれも平面視においてゲート線１１０からはみ出さないように配置されている。このように、上記実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルは、第１の実施形態の第３の変形例に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの効果と同様であるので、その説明を省略する。なお、第２センサ線を１つの導電体によって形成し、第１センサ線および第１ダミー線をそれぞれ分割された２つの導電体によって形成してもよい。

＜６．　第５の実施形態＞
＜６．１　液晶表示装置内蔵型タッチパネルの構成および動作＞
　図１７は本発明の第５の実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの構成を示す図であり、図１８は図１７に示す液晶表示装置内蔵型タッチパネルのＴＦＴ基板側の画素形成部の構成を示す図である。第５の実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの構成のうち、図２および図３に示す第１の実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルと同一または対応する構成要素については同一の参照符号を付し、相違点を中心に説明する。

　図１７に示すように、液晶表示装置内蔵型タッチパネルのＴＦＴ基板３５は、図２に示す液晶表示装置内蔵型タッチパネルのＴＦＴ基板３０と異なり、第１ダミー線および第２ダミー線が設けられていない。また、第１センサ線の電位と第１ダミー線の電位とを比較する第１比較器、および第２センサ線の電位と第２ダミー線の電位とを比較する第２比較器も設けられていない。したがって、第１センサ線ＳＬ１１～ＳＬ１ｎは第１エンコーダ回路７１に接続され、第２センサ線ＳＬ２１～ＳＬ２ｍは第２エンコーダ回路７２に接続されている。なお、図１８でも、見やすくするためにゲート線ＧＬ１～ＧＬｎおよびデータ線ＤＬ１～ＤＬｍの記載を省略している。また、ＣＦ基板４０の構成は、図４に示す第１の実施形態のＣＦ基板４０と同一なので、その説明を省略する。

　上述のように、図１７に示す液晶表示装置内蔵型タッチパネルでは、第１ダミー線、第２ダミー線、第１比較器および第２比較器は設けられていないので、第１センサ線ＳＬ１１～ＳＬ１ｎは、押圧電極５０から与えられた共通電圧、または、プルダウン抵抗Ｒ１１～Ｒ１ｎを介して与えられた接地電位を第１エンコーダ回路７１に与える。また、第２センサ線ＳＬ２１～ＳＬ２ｍは、押圧電極５０から与えられた共通電圧、または、プルダウン抵抗Ｒ２１～Ｒ１ｍを介して与えられた接地電位を第２エンコーダ回路７２に与える。第１エンコーダ回路７１は、第１センサ線ＳＬ１１～ＳＬ１ｎからそれぞれ与えられた共通電圧と接地電位とに基づいてビット信号を生成して制御回路７５に与える。同様に、第２エンコーダ回路７２は、第２センサ線ＳＬ２１～ＳＬ２ｍからそれぞれ与えられた共通電圧と接地電位とに基づいてビット信号を生成して制御回路７５に与える。制御回路７５は与えられたビット信号に基づいて、ＣＦ基板４０上の押圧された位置を特定する。

　また、図１８に示すように、各表示素子部２３にはそれぞれＴＦＴ７０が設けられている。ＴＦＴ７０のｊ行目のゲート電極はゲート線ＧＬｊに、ｉ列目のソース電極はデータ線ＤＬｉに、ドレイン電極は画素電極８０にそれぞれ接続されている。しかし、図３に示す表示素子部１１と異なり、第１ダミー線および第２ダミー線は設けられていない。

＜６．２　表示素子部の構成＞
　図１９は、本発明の第５の実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、（Ａ）に示すＵ－Ｕ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）、および、（Ａ）に示すＷ－Ｗ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｃ）である。図１９に示す表示素子部２３のうち、第１の実施形態の第１の変形例の表示素子部１２と同一または対応する構成要素については同一の参照符号を付し、表示素子部１２との相違点を中心に説明する。

　図１９に示すように、表示素子部２３は、図６に示す表示素子部１２から、第１ダミー線１３０と第２ダミー線１６０だけが取り除かれているだけで、他の配線の配置は同じであるため、説明を省略する。このように、表示素子部２３には第１ダミー配線も第２ダミー配線も形成されていないので、上記実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルはその分だけ開口率を向上させることができる。また、その他の効果は、第１の実施形態の第１の変形例に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの効果と同様であるため、その説明を省略する。なお、第２センサ線を１つの導電体によって形成し、第１センサ線を分割された２つの導電体によって形成してもよい。

＜６．３　第１の変形例＞
　図２０は、本発明の第５の実施形態の第１の変形例に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルの表示素子部のパターン配置の一部を示す平面図（Ａ）、（Ａ）に示すＸ－Ｘ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｂ）、および、（Ａ）に示すＹ－Ｙ線に沿った表示素子部の断面を示す断面図（Ｃ）である。図２０に示す表示素子部２４のうち、第１の実施形態の第３の変形例の表示素子部１３と同一または対応する構成要素については同一の参照符号を付し、表示素子部１３との相違点を中心に説明する。

　図２０に示すように、表示素子部２４は、図７に示す表示素子部１３から、第１ダミー線１３０と第２ダミー線だけが取り除かれており、他の配線の配置は同じである。このように、表示素子部２４でも、表示素子部２３と同様に、第１ダミー配線も第２ダミー配線も形成されていないので、上記実施形態に係る液晶表示装置内蔵型タッチパネルはその分だけ開口率を向上させることができる。また、その他の効果は、第１の実施形態の第３の変形例の表示素子部１３の効果と同様であるため、その説明を省略する。なお、第２センサ線を１つの導電体によって形成し、第１センサ線を分割された２つの導電体によって形成してもよい。

＜７．　その他＞
　第１の実施形態では、図５に示すように、第１センサ線１２０の幅を第１ダミー線１３０の幅よりも狭くし、しかも第１センサ線１２０は平面視において第１ダミー線１３０からはみ出さないように、層間絶縁膜２４０上に配置されているとして説明した。

　しかし、第１ダミー線１３０は幅方向に第１センサ線１２０からはみ出して配置されていてもよい。また、第１ダミー線１３０の幅は第１センサ線１２０の幅と同じであってもよい。この場合、第１ダミー線１３０は第１センサ線１２０と完全に重なっているため、第１センサ線１２０からはみ出さないように配置されていてもよく、あるいは第１センサ線１２０からはみ出して配置されていてもよい。また、第１センサ線１２０の幅は、第１ダミー線１３０の幅よりも広い幅であってもよい。この場合、第１センサ線１２０は、平面視においてその一部を第１ダミー線１３０からはみ出して配置される。

　このように、第１センサ線１２０と第１ダミー線１３０との関係は、それぞれの幅および配置によって種々の場合が考えられる。これらの場合のうち、表示素子部１１の開口率を最も向上させることができるのは、第１の実施形態で説明したように、平面視において第１センサ線１２０を第１ダミー線１３０からはみ出さないように配置した場合である。しかし、上述のような場合であっても、平面視において第１センサ線１２０と第１ダミー線１３０とが少なくとも一部で重なっていれば、全く重なっていない場合に比べて表示素子部１１の開口率を向上させることができる。

　ここでは、第１の実施形態の場合を例に挙げて説明したが、上述の第１の実施形態から第５の実施形態およびそれらの変形例についても同様に、平面視においてはみ出さないように上層の配線層を下層の配線層からはみ出さないように配置する代わりに、上層と下層の配線層を少なくともその一部が重なるように配置した場合であっても、その重なりに応じて各表示素子部１２～２４の開口率を向上させることができる。

　本発明の表示装置内蔵型タッチパネルは、ペンまたは指によりパネルを押圧して所望のメニューを選択する電子機器のディスプレイに利用される。

　１０～２０…表示素子部
　３０…ＴＦＴ基板
　４０…ＣＦ基板
　５０…押圧電極
　１００、４００…絶縁性基板
　１１０…ゲート線
　１２０…第１センサ線
　１３０…第１ダミー線
　１４０…データ線
　１５０…第２センサ線
　１６０…第２ダミー線
　１７０…補助容量線
　３００…第１センサ電極
　３２０、３２１、３２２、３７０、３７１…パッド部
　３５０…第２センサ電極
　３９０…第１パッド電極
　３９５…第２パッド電極
　４２０…ブラックマトリクス
　４３０…センサスペーサ

Claims

　第１絶縁性基板と第２絶縁性基板とが対向して配置され、前記第２絶縁性基板の表面が押圧されたときに与えられる所定電圧に基づいて押圧された位置を特定する表示装置内蔵型タッチパネルであって、
　前記第１絶縁性基板上に、第１方向に延在するように形成された複数の第１センサ線と、
　前記第１絶縁性基板上に、前記第１方向と交差する第２方向に延在するように形成された複数の第２センサ線と、
　前記第１方向に延在するように形成された、複数のゲート線を含む第１配線と、
　前記第２方向に延在するように形成された、複数のデータ線を含む第２配線と、
　前記複数のゲート線と前記複数のデータ線とがそれぞれ交差する領域ごとに形成された複数の表示素子部と、
　前記第２絶縁性基板の表面が押圧されたとき、押圧された位置の前記表示素子部に接続された前記第１および第２センサ線にそれぞれ与えられた前記所定電圧に基づいて押圧位置を特定する位置特定回路とを備え、
　前記第１センサ線および前記第２センサ線のうち少なくともいずれかは、前記第１配線および前記第２配線に含まれるいずれかの配線と平面視において幅方向に少なくともその一部が重なるように、前記いずれかの配線の上方に配置されていることを特徴とする、表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記第１配線および前記第２配線のうち少なくともいずれかは、前記第１方向に延在するように形成され、基準電圧を与えられた複数の第１ダミー線、および、前記第２方向に延在するように形成され、前記基準電圧を与えられた複数の第２ダミー線のうちいずれかをさらに含み、
　前記位置特定回路は、前記第２絶縁性基板の表面が押圧されたときに前記第１センサ線および前記第２センサ線にそれぞれ与えられた前記所定電圧と、前記基準電圧とを比較することによって押圧された位置を特定する比較特定回路を含むことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記第１配線は、前記第１方向に延在するように形成された補助容量線をさらに含むことを特徴とする、請求項２に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記第１配線は、前記第１方向に延在するように形成された補助容量線をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記第１センサ線および前記第２センサ線のうち少なくともいずれかのセンサ線の上方に配置された接続体をさらに備え、
　前記第１センサ線および前記第２センサ線は、同じ層の導電膜によって形成され、
　前記少なくともいずれかのセンサ線は分割された導電体からなり、
　前記分割された導電体は、前記接続体によって電気的に接続されていることを特徴とする、請求項１～４のいずれか１項に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記第１センサ線は、前記ゲート線の上方に配置され、
　前記第２センサ線は、前記第１センサ線と同じ層の導電膜によって形成されるとともに、前記データ線の上方に配置され、
　前記第１センサ線および前記第２センサ線のいずれか一方のセンサ線は１つの導電体からなるとともに、他方のセンサ線は前記１つの導電体を挟む２つの導電体からなり、
　前記２つの導電体は接続体によって電気的に接続され、
　前記第２絶縁性基板の表面が押圧されたとき、前記押圧電極が前記接続体と接触することにより前記２つの導電体に前記所定電圧が与えられることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記第１センサ線に電気的に接続され、前記表示素子部ごとに設けられた複数の第１センサ電極と、
　前記第２センサ線に電気的に接続され、前記表示素子部ごとに設けられた複数の第２センサ電極とをさらに備え、
　前記第２絶縁性基板は、第１センサ電極および第２センサ電極と所定の間隔を隔てて対向するとともに、前記所定電圧を与えられた押圧電極を有し、
　前記第２絶縁性基板の表面が押圧されたとき、前記押圧された位置の前記押圧電極は、対応する前記第１センサ電極および前記第２センサ電極と接触することにより、前記第１センサ線および前記第２センサ線に前記所定電圧を与えることを特徴とする、請求項２に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記第１センサ線および第２センサ線のうち少なくともいずれかのセンサ線は、分割された導電体からなり、
　前記第１センサ電極および第２センサ電極のうち前記少なくともいずれかのセンサ線に対応するセンサ電極は、前記分割された導電体を電気的に接続する接続体を含み、
　前記押圧電極は、前記接続体と接触することにより前記分割された導電体に前記所定電圧を与えることを特徴とする、請求項７に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記第１センサ線は、前記ゲート線および前記データ線よりも上層の導電膜によって、前記ゲート線および前記第１ダミー線のいずれかの上方に配置され、
　前記第２センサ線は、前記第１センサ線と同じ層の導電膜によって、前記データ線の上方に配置され、
　前記第１センサ線および前記第２センサ線のうちいずれか一方のセンサ線は１つの導電体からなるとともに、他方のセンサ線は前記１つの導電体を挟む２つの導電体からなり、
　前記２つの導電体は、前記接続体によって電気的に接続されていることを特徴とする、請求項８に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記第１および第２センサ電極のうち前記一方のセンサ線に電気的に接続されたセンサ電極は、前記１つの導電体に達する第１コンタクトホールと、前記押圧電極と対向する位置に形成されるとともに前記第１コンタクトホールを介して前記１つの導電体に電気的に接続される第１パッド部を有し、
　前記第１および第２センサ電極のうち前記他方のセンサ線に電気的に接続されたセンサ電極は、前記２つの導電体にそれぞれ達する第２および第３コンタクトホールと、前記押圧電極と対向する位置に形成されるとともに前記第２および第３コンタクトホールを介して前記２つの導電体にそれぞれ電気的に接続される第２パッド部を有し、
　前記第１パッド部と前記押圧電極との間隔が、前記第２パッド部と前記押圧電極との間隔と等しいことを特徴とする、請求項９に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記第１センサ線は、前記ゲート線と同じ層の導電膜によって前記第１方向に延在するように形成され、
　前記第２センサ線は、前記ゲート線および前記データ線よりも上層の導電膜によって、前記データ線の上方に形成されていることを特徴とする、請求項７に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記第１センサ線は、前記ゲート線と同じ層の導電膜によって前記第１方向に延在するように形成され、
　前記第２センサ線は、前記ゲート線およびデータ線よりも上層の導電膜によって、前記第２ダミー線の上方に配置されていることを特徴とする、請求項７に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記第１センサ線は、前記ゲート線および前記データ線よりも上層の導電膜によって、前記第１ダミー線の上方に配置され、
　前記第２センサ線は、前記データ線と同じ層の導電膜によって前記第２方向に延在するように形成されていることを特徴とする、請求項７に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記第１センサ線は、前記ゲート線および前記データ線よりも上層の導電膜によって、前記ゲート線の上方に配置され、
　前記第２センサ線は、前記データ線と同じ層の導電膜によって前記第２方向に延在するように形成されていることを特徴とする、請求項７に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記第１センサ電極は、前記第１センサ線から分岐したパッド配線上に前記第１センサ電極よりも上層の導電膜からなる導電性パッドが順次積層された第１パッド電極を含み、
　前記第２センサ電極は、前記第２センサ線から分岐したパッド配線上に前記第２センサ電極よりも上層の導電膜からなる導電性パッドが順次積層された第２パッド電極を含むことを特徴とする、請求項１１～１４のいずれか１項に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記押圧電極を覆うように、前記押圧電極の上部に配置されたブラックマトリクスをさらに含むことを特徴とする、請求項９および請求項１１～１４のいずれか１項に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記第１センサ線に電気的に接続され、前記表示素子部ごとに設けられた複数の第１センサ電極と、
　前記第２センサ線に電気的に接続され、前記表示素子部ごとに設けられた複数の第２センサ電極とをさらに備え、
　前記第２絶縁性基板は、第１センサ電極および第２センサ電極と所定の間隔を隔てて対向するとともに、前記所定電圧を与えられた押圧電極を有し、
　前記第２絶縁性基板の表面が押圧されたとき、前記押圧された位置の前記押圧電極は、対応する前記第１センサ電極および前記第２センサ電極と接触することにより、前記第１センサ線および前記第２センサ線に前記所定電圧を与えることを特徴とする、請求項３に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記第１センサ線および第２センサ線のうち少なくともいずれかのセンサ線は、分割された導電体からなり、
　前記第１センサ電極および第２センサ電極のうち前記少なくともいずれかのセンサ線に対応するセンサ電極は、前記分割された導電体を電気的に接続する接続体を含み、
　前記押圧電極は、前記接続体と接触することにより前記分割された導電体に前記所定電圧を与えることを特徴とする、請求項１７に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　補助容量線は前記ゲート線と同じ層の導電膜からなり
　前記第１センサ線は、前記第２センサ線と同じ層の導電膜によって前記補助容量線の上方に配置され、
　前記第１センサ線および前記第２センサ線のいずれか一方のセンサ線は１つの導電体からなるとともに、他方のセンサ線は前記１つの導電体を挟む２つの導電体からなり、
　前記２つの導電体は、前記接続体によって電気的に接続されていることを特徴とする、請求項１８に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記第２センサ線と同じ層の導電膜からなる前記第１ダミー線が、前記補助容量線の上方にさらに配置されていることを特徴とする、請求項１９に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記第１および第２センサ電極のうち前記一方のセンサ線に電気的に接続されたセンサ電極は、前記１つの導電体に達する第１コンタクトホールと、前記押圧電極と対向する位置に形成されるとともに前記第１コンタクトホールを介して前記１つの導電体に電気的に接続される第１パッド部を有し、
　前記第１および第２センサ電極のうち前記他方のセンサ線に電気的に接続されたセンサ電極は、前記２つの導電体にそれぞれ達する第２および第３コンタクトホールと、前記押圧電極と対向する位置に形成されるとともに前記第２および第３コンタクトホールを介して前記２つの導電体にそれぞれ電気的に接続される第２パッド部を有し、
　前記第１パッド部と前記押圧電極との間隔が、前記第２パッド部と前記押圧電極との間隔と等しいことを特徴とする、請求項１９または２０に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記押圧電極を覆うように、前記押圧電極の上部に配置されたブラックマトリクスをさらに含むことを特徴とする、請求項１９または２０に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　補助容量線は前記ゲート線と同じ層の導電膜からなり、
　前記ゲート線および補助容量線は遮光性導電膜からなり、
　前記第１センサ線は、前記ゲート線および前記データ線よりも上層の導電膜によって前記補助容量線の上方に配置され、
　前記第２センサ線は、前記データ線と同じ層の導電膜によって前記第２方向に延在するように形成され、
　前記第１センサ電極および前記第２センサ電極は前記補助容量線の上方に配置され、
　前記補助容量線の上方の、前記第１および第２センサ電極と前記補助容量線の幅方向の端部との間に、少なくとも前記第１センサ線が配置されていることを特徴とする、請求項１７に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記補助容量線の上方の、前記第１センサ線と前記補助容量線の幅方向の端部との間に、前記第１センサ線と同じ層の導電膜からなる前記第１ダミー線がさらに配置されていることを特徴とする、請求項２３に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記第１センサ電極は、前記第１センサ線から分岐したパッド配線上に前記第１センサ電極よりも上層の導電膜からなる導電性パッドが順次積層された第１パッド電極を含み、
　前記第２センサ電極は、前記第２センサ線から分岐したパッド配線上に前記第２センサ電極よりも上層の導電膜からなる導電性パッドが順次積層された第２パッド電極を含むことを特徴とする、請求項２３または２４に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　補助容量線は前記ゲート線と同じ層の導電膜からなり
　前記第１センサ線は前記補助容量線の上方に配置され、
　前記第２センサ線は、前記第１センサ線と同じ層の導電膜によって前記補助容量線の上方に形成された前記データ線の上方に配置され、
　前記第１センサ線および前記第２センサ線のいずれか一方のセンサ線は１つの導電体からなるとともに、他方のセンサ線は前記１つの導電体を挟む２つの導電体からなり、
　前記２つの導電体は接続体によって電気的に接続され、
　前記第２絶縁性基板の表面が押圧されたとき、前記押圧電極が前記接続体と接触することにより前記２つの導電体に前記所定電圧が与えられることを特徴とする、請求項４に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　第１絶縁性基板と第２絶縁性基板とが対向して配置され、前記第２絶縁性基板の表面が押圧されたときに与えられる所定電圧とあらかじめ与えられている基準電圧とに基づいて押圧された位置を特定する表示装置内蔵型タッチパネルであって、
　前記第１絶縁性基板上で、第１方向に延在するように形成され、前記基準電圧を与えられた複数の第１ダミー線、および、前記第１方向と交差する第２方向に延在するように形成され、前記基準電圧を与えられた複数の第２ダミー線のうち少なくともいずれかと、
　前記第１方向に延在するように形成された、複数のゲート線および複数の第１センサ線を含む第１配線と、
　前記第２方向に延在するように形成された、複数のデータ線および複数の第２センサ線を含む第２配線と、
　前記複数のゲート線と前記複数のデータ線とが交差する領域ごとに形成された複数の表示素子部と、
　前記第２絶縁性基板の表面が押圧されたとき、押圧された位置の前記表示素子部に接続された前記第１および第２センサ線にそれぞれ与えられた前記所定電圧と、前記基準電圧とを比較することによって押圧された位置を特定する比較特定回路とを備え、
　前記第１ダミー線および前記第２ダミー線のうち少なくともいずれかは、前記第１配線または前記第２配線に含まれるいずれかの配線と平面視において幅方向に少なくともその一部が重なるように、前記いずれかの配線の上方に配置されていることを特徴とする、表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記第１配線は、前記第１方向に延在するように形成された補助容量線をさらに含むことを特徴とする、請求項２７に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記第１ダミー線および前記第２ダミー線のうち少なくともいずれかのダミー線の上方に配置された接続体をさらに含み、
　前記第１ダミー線および前記第２ダミー線は、同じ層の導電膜によって形成され、前記少なくともいずれかのダミー線は分割された２つの導電体からなり、
　前記分割された２つの導電体は、前記第２接続体によって電気的に接続されていることを特徴とする、請求項２７または２８に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記第１センサ線および前記第２センサ線のうち少なくともいずれか一方の上方に配置され、前記第２絶縁性基板の表面が押圧されたとき前記押圧電極から前記所定電圧が与えられる第１接続体と、前記第１ダミー線および前記第２ダミー線のうち少なくともいずれかの上方に配置される第２接続体とをさらに備え、
　前記第１センサ線および前記第２センサ線のうちいずれかのセンサ線は分割された第１導電体からなり、
　前記第１ダミー線および前記第２ダミー線のうちいずれかのダミー線は分割された第２導電体からなり、
　前記第１センサ線、前記第２センサ線、前記第１ダミー線および前記第２ダミー線は、同じ層の導電膜によって同一の層内に形成され、
　前記第２ダミー線は前記データ線の上方に配置され、
　前記分割された第１導電体は前記第１接続体によって電気的に接続され、
　前記分割された第２導電体は前記第２接続体によって電気的に接続されていることを特徴とする、請求項２７に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記第１センサ線および前記第２センサ線のうち少なくともいずれかの一方のセンサ線の上方に配置され、前記第２絶縁性基板の表面が押圧されたとき前記押圧電極から前記所定電圧が与えられる第１接続体をさらに備え、
　前記第１センサ線および前記第２センサ線のうちいずれかのセンサ線は分割された導電体からなり、
　少なくとも前記第１センサ線、前記第２センサ線および前記第１ダミー線は同じ層の導電膜によって同一の層内に形成され、
　前記第１ダミー線は前記ゲート線の上方に配置され、
　前記分割された導電体は、前記接続体によって電気的に接続されていることを特徴とする、請求項２８に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。
　前記表示素子部は薄膜トランジスタを備え、
　前記ゲート線と前記データ線との間の絶縁層の酸化膜換算膜厚は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁層の酸化膜換算膜厚よりも厚いことを特徴とする、請求項１～４、請求項２７および請求項２８のいずれか１項に記載の表示装置内蔵型タッチパネル。