WO2010058621A1 - 液晶表示装置 - Google Patents

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WO2010058621A1
WO2010058621A1 PCT/JP2009/062714 JP2009062714W WO2010058621A1 WO 2010058621 A1 WO2010058621 A1 WO 2010058621A1 JP 2009062714 W JP2009062714 W JP 2009062714W WO 2010058621 A1 WO2010058621 A1 WO 2010058621A1
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transparent
gate
liquid crystal
crystal display
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中原聖
森永潤一
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a liquid crystal display device. More specifically, the present invention relates to an active matrix liquid crystal display device in which each pixel includes a thin film transistor for driving a liquid crystal layer.
  • Liquid crystal display devices are widely used in electronic devices such as monitors, projectors, mobile phones, and personal digital assistants (PDAs), taking advantage of their thin and light weight and low power consumption.
  • PDAs personal digital assistants
  • active matrix liquid crystal display devices are widely used because they can realize a good display image without crosstalk between adjacent pixels.
  • an active matrix type liquid crystal display device has an alignment film interposed between a thin film transistor array substrate (hereinafter also referred to as “TFT (Thin Film Transistor) array substrate”)) arranged at a predetermined interval and a counter substrate.
  • TFT Thin Film Transistor
  • a liquid crystal display panel in which a liquid crystal layer is held. Then, by controlling the electric field strength applied between the transparent pixel electrode in each pixel region formed on the TFT array substrate side and the common electrode formed on the counter substrate side, the orientation state of the liquid crystal in each pixel region is controlled. By changing, the light transmittance is changed to display an image.
  • the counter substrate is generally a color filter substrate (hereinafter referred to as a “CF substrate”) having a color filter layer of any of the three colors R (red), G (green), and B (blue) in each pixel region. Is also called.).
  • CF substrate color filter substrate
  • each pixel region is partitioned by a light shielding film (hereinafter also referred to as “black matrix”).
  • black matrix a light shielding film
  • the TFT array substrate includes source lines and gate lines arranged in a grid pattern on the main surface of the transparent substrate.
  • a transparent pixel electrode is disposed in the pixel region defined by the source line and the gate line.
  • a thin film transistor (hereinafter also referred to as “TFT”) is disposed in the vicinity of the intersection of the source line and the gate line.
  • the TFT includes a gate electrode connected to the gate line, a source electrode connected to the source line, and a drain electrode connected to the transparent pixel electrode, and further includes a semiconductor layer made of amorphous silicon (a-Si). .
  • the gate electrode is covered with a gate insulating film (not shown). The TFT controls the transparent pixel electrode individually and selectively.
  • Auxiliary capacitance wiring (hereinafter also referred to as “Cs wiring”) is arranged between the gate lines so as to intersect the source lines.
  • Cs wiring A plurality of Cs wirings are provided in parallel on the TFT array substrate, and among the plurality of pixels arranged in a matrix, a common Cs wiring is used for pixels in the same row.
  • the Cs wiring is normally formed at a position overlapping the transparent pixel electrode, and the auxiliary capacitor for holding the drain voltage is formed by forming a capacitor using the Cs wiring and the transparent pixel electrode as electrodes and an insulating film as a dielectric. can get.
  • an area where the transparent pixel electrode is formed is used as a display area for liquid crystal display.
  • the source line, the gate line, the Cs wiring, the auxiliary capacitance electrode, etc. are formed of a metal material (for example, copper (Cu), silver (Ag)) in order to reduce the resistance.
  • the electrode portions such as the gate electrode are formed of a metal material. Therefore, the area in which these wirings and the like are formed becomes a light-shielding area regardless of the alignment state of the liquid crystal. Therefore, even if it is within the pixel area, it is treated as a non-display area and can be used effectively as a display area. I can't.
  • the area of the light shielding region by the various wirings is reduced in order to improve the ratio of the display region to the entire display screen, that is, the “aperture ratio” in the pixel region. It is requested to do.
  • the wiring resistance may increase.
  • the auxiliary capacitance necessary for preventing crosstalk and flicker of the liquid crystal display device is reduced.
  • this tendency is remarkable, and it is required to increase the aperture ratio of the pixel region while securing an auxiliary capacity.
  • a liquid crystal display device which has a wiring / electrode in which a transparent conductive film is coated on a laminated structure film in which aluminum or an alloy layer mainly composed of aluminum is coated with a refractory metal layer on an insulating substrate.
  • a wiring / electrode in which a transparent conductive film is coated on a laminated structure film in which aluminum or an alloy layer mainly composed of aluminum is coated with a refractory metal layer on an insulating substrate.
  • the liquid crystal display device having such a structure requires a laminated structure film in which a refractory metal layer is coated on an alloy layer, a laminated structure film is manufactured in addition to the conventional TFT array substrate manufacturing process. Further steps are required. Since an increase in the manufacturing process leads to an increase in processing cost, material cost, etc., it is preferable that the aperture ratio can be improved by a simple process. Further, when an aluminum or an alloy layer mainly composed of aluminum is formed in the gate electrode portion of the TFT, electrolytic corrosion may occur due to acid or alkali. Furthermore, the transparent conductive film formed on the laminated structure film is covered with an insulating film. However, if the insulating film is formed after the transparent conductive film is formed, the heat (about 350 ° C.) applied in the insulating film forming process is formed. ) May cause a composition change in the transparent conductive film.
  • the present invention has been made in view of the above situation, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device having a high aperture ratio in a pixel region while securing a necessary auxiliary capacity.
  • the present inventors have made various studies on a liquid crystal display device having a high aperture ratio in the pixel region.
  • an electrode for forming an auxiliary capacitance is used in a region that is a non-display region in the pixel region, that is, a region occupied by TFTs or various wirings. Focusing on the fact that the proportion of the area occupied by the electrode is large, the auxiliary capacitor forming electrode made of a metal material is made of a transparent electrode, so that the auxiliary capacitor forming electrode can be used as a light transmission region, that is, a display region. It was found that the aperture ratio in the pixel region can be significantly improved.
  • the transparent electrode can be formed in the same layer by using a thin film layer used for improving the adhesion between the drain electrode of the TFT and the gate insulating film, thereby improving the aperture ratio without increasing the number of manufacturing steps. I found out that I could plan. It was also found that by forming on the gate insulating film, these transparent electrodes are not deteriorated by heat at the time of forming the gate insulating film. Furthermore, the formation of the capacitance between the transparent electrode for forming the auxiliary capacitance and the transparent pixel electrode makes it possible to secure the necessary auxiliary capacitance, so that the above problem can be solved brilliantly, and the present invention has been achieved. It is a thing.
  • the present invention is a liquid crystal display device having a thin film transistor array substrate, a liquid crystal layer, and a counter substrate in this order, wherein the thin film transistor array substrate is a source line arranged in a grid pattern on the main surface of the transparent substrate.
  • a gate line a storage capacitor line arranged to intersect the source line between the gate lines, a transparent pixel electrode arranged in a pixel region defined by the source line and the gate line, A storage capacitor line disposed across the pixel area and intersecting the source line, a gate electrode connected to the gate line in the vicinity of the intersection of the source line and the gate line, and connected to the source line
  • a thin film transistor including a source electrode and a drain electrode connected to the transparent pixel electrode, and further comprising the gate electrode and the source electrode and A gate insulating film is provided between the drain electrode and an interlayer insulating film between the source electrode, the drain electrode and the transparent pixel electrode, and is located on the gate insulating film and below the drain electrode.
  • a liquid crystal display device provided with a first transparent electrode and a second transparent electrode connected to the storage capacitor line, the second transparent electrode facing the transparent pixel electrode with the interlayer insulating film interposed therebetween It is.
  • the aperture ratio in the pixel region can be improved while securing the necessary auxiliary capacitance.
  • the second transparent electrode is preferably connected to the auxiliary capacitance line through a contact hole formed in the gate insulating film.
  • the first transparent electrode and the second transparent electrode can be formed on the same layer on the gate insulating film, and each transparent electrode is not deteriorated by heat at the time of forming the gate insulating film.
  • the liquid crystal display device of the present invention can be realized by the same method as before without increasing the number of manufacturing steps.
  • the source line, the gate line, and the Cs wiring are preferably formed of a metal material in order to reduce resistance.
  • electrode portions such as a gate electrode are formed of a metal material.
  • the metal material is aluminum, molybdenum, chromium, tantalum, titanium, Cu, Ag, or the like.
  • These wirings, electrodes, and the like may have a laminated structure with a metal material nitride, indium tin oxide (ITO), or the like.
  • the first transparent electrode connected to the transparent pixel electrode and the second transparent electrode connected to the auxiliary capacitance line are formed on the gate insulating film, so that it is necessary without increasing the number of steps.
  • the aperture ratio in the pixel region can be improved while securing the auxiliary capacitance.
  • FIG. 1 It is a plane schematic diagram which shows the principal part of the TFT array substrate of the liquid crystal display device in Embodiment 1 of this invention.
  • (A) is the plane schematic diagram which showed the some pixel of the TFT array substrate shown in FIG. 1
  • (b) is the plane schematic diagram which showed another example of the TFT array substrate which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. . (A) is a schematic cross-sectional view showing a cross section taken along line AB in FIG. 1
  • (b) is a schematic cross-sectional view showing a cross section taken along line CD in FIG.
  • FIG. 4 is a schematic plan view showing a main part of a TFT array substrate of a liquid crystal display device in Comparative Embodiment 1.
  • FIG. 1 is the plane schematic diagram which showed the some pixel of the TFT array substrate shown in FIG. 1
  • (b) is the plane schematic diagram which showed another example of the TFT array substrate which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. . (A) is
  • FIG. 5 is a schematic plan view showing a plurality of pixels of the TFT array substrate shown in FIG. 4. It is a plane schematic diagram which shows the principal part of the TFT array substrate of the liquid crystal display device in Comparative Embodiment 2.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a cross section taken along line AB in FIG. 6.
  • the liquid crystal display device includes a TFT array substrate, a liquid crystal layer, and a counter substrate in this order. Specifically, it includes a TFT array substrate, a counter substrate provided so as to face the TFT array substrate, and a liquid crystal layer provided so as to be sandwiched between both substrates, and the liquid crystal layer is interposed via an alignment film. Thus, a liquid crystal display panel is obtained.
  • polarizers are respectively attached to the back surface side of the TFT array substrate and the observation surface side of the counter substrate. Then, by controlling the electric field strength applied between the transparent pixel electrode in each pixel region formed on the TFT array substrate side and the common electrode formed on the counter substrate side, the orientation state of the liquid crystal in each pixel region is controlled. By changing the light transmittance, the image is displayed.
  • the light source is a transmissive liquid crystal display device, a backlight or the like is provided on the back side of the liquid crystal display panel, and the light from the back side is guided to the inside of the liquid crystal display panel and emitted to the outside. The image is displayed by.
  • the counter substrate is formed by sequentially laminating a color filter layer formed of a colored layer and a black matrix so as to cover a transparent substrate, an insulating layer covering the color filter layer, a common electrode, and an alignment film.
  • CF substrate having the structure described above.
  • the colored layer is disposed so that one of the three colors red (R), green (G), and blue (B) corresponds to the transparent pixel electrode of the TFT array substrate.
  • Each pixel region is partitioned by a black matrix.
  • the common electrode is formed of, for example, ITO, and is formed as one electrode corresponding to a plurality of pixels, not for each pixel.
  • the TFT array substrate is connected to the first transparent electrode located below the drain electrode on the gate insulating film and to the auxiliary capacitance wiring, and is opposed to the transparent pixel electrode with the interlayer insulating film interposed therebetween. 2 transparent electrodes.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing a main part of a TFT array substrate of a liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2A is a schematic plan view showing a plurality of pixels of the TFT array substrate shown in FIG. 3A is a schematic cross-sectional view showing a cross section taken along line AB in FIG. 1
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view showing a cross section taken along line CD in FIG. is there.
  • the TFT array substrate 10 includes source lines 12 and gate lines 13 arranged in a lattice pattern on the main surface of a transparent substrate made of a glass substrate, a plastic substrate, or the like. Between the gate lines 13, a Cs wiring 19 is disposed so as to intersect the source line 12. As the Cs wiring 19, for example, a common Cs wiring 19 is used for pixels in the same row among a plurality of pixels arranged in a matrix.
  • the gate line 13 is formed of a laminate of titanium nitride (TiN) / tantalum (Ta) / tantalum nitride (TaN) in order from the upper layer side, and the source line 12 is tantalum (Ta) / tantalum nitride in order from the upper layer side. It is formed of a (TaN) / ITO laminate.
  • the Cs wiring 19 is formed of a material for forming the gate line 13.
  • a transparent pixel electrode is disposed in the pixel region defined by the source line 12 and the gate line 13.
  • the transparent pixel electrode is disposed in the entire pixel region up to a region overlapping with the source line 12 and the gate line 13 in order to improve the aperture ratio, and is used for applying a voltage to the liquid crystal layer.
  • a TFT 30 is formed near the intersection of the source line 12 and the gate line 13.
  • the TFT 30 includes a gate electrode 21 connected to the gate line 13, a source electrode 22 connected to the source line 12, a drain electrode 23, and a semiconductor layer.
  • the semiconductor layer is usually made of amorphous silicon (a-Si) or a polysilicon film.
  • a first transparent electrode 50 and a second transparent electrode 51 are formed in the pixel region surrounded by the gate line 13 and the source line 12.
  • the 1st transparent electrode 50 and the 2nd transparent electrode 51 are demonstrated using Fig.3 (a), (b).
  • a gate electrode 21 is formed on the main surface of the transparent substrate 11, and a gate insulating film 24 is formed so as to cover the gate electrode 21.
  • a semiconductor layer 20, a source electrode 22, and a drain electrode 23 are formed on the gate electrode 21 via a gate insulating film 24, and the TFT 30 described above is formed by these.
  • the TFT 30 individually and selectively controls the transparent pixel electrode 14 formed thereon.
  • a first transparent electrode 50 connected to the transparent pixel electrode 14 is formed on the gate insulating film 24.
  • the TFT 30 and the first transparent electrode 50 are covered with an interlayer insulating film 25, and the transparent pixel electrode 14 is disposed on the interlayer insulating film 25.
  • the first transparent electrode 50 and the transparent pixel electrode 14 are electrically connected via a contact hole 31a formed in the interlayer insulating film 25.
  • the first transparent electrode 50 is a thin film layer formed for improving the adhesion between the drain electrode 23 and the gate insulating film 24 in the TFT 30.
  • the thin film layer is formed of a transparent electrode material. is doing.
  • the connection region between the transparent pixel electrode and the drain electrode is a non-display region.
  • the transparent pixel electrode 14 is connected to the first transparent electrode 50, the connection region can be used as a display region, thereby improving the aperture ratio in the pixel region.
  • a Cs wiring 19 made of the same material as the gate line 13 is formed on the transparent substrate 11 and is covered with a gate insulating film 24.
  • a second transparent electrode 51 connected to the Cs wiring 19 is formed on the gate insulating film 24, and the second transparent electrode 51 and Cs are connected to each other through a contact hole 31 b formed in the gate insulating film 24.
  • the wiring 19 is connected.
  • a transparent pixel electrode 14 is formed on the second transparent electrode 51 with an interlayer insulating film 25 interposed therebetween.
  • the auxiliary capacitance is obtained by forming a capacitor using the second transparent electrode 51 and a part of the transparent pixel electrode 14 as an electrode and the interlayer insulating film 25 as a dielectric. Since the second transparent electrode 51 is formed of a transparent electrode material, the area can be adjusted without affecting the aperture ratio, and a necessary auxiliary capacity can be secured.
  • the auxiliary capacitance electrode for forming the auxiliary capacitance is made of a metal material. Therefore, the ratio of the area occupied by the auxiliary capacity electrode in the non-display area is large.
  • the auxiliary capacity electrode is configured by the second transparent electrode 51, so that the light transmission area, that is, By increasing the display area, the aperture ratio in the pixel area can be significantly improved.
  • the improvement of the aperture ratio can contribute not only to the improvement of the luminance due to the increase of the display area but also to the reduction of the power consumption by the reduction of the light amount of the backlight.
  • Both the first transparent electrode 50 and the second transparent electrode 51 are formed on the gate insulating film 24. Therefore, the first transparent electrode 50 and the second transparent electrode 51 are not deteriorated by a high temperature of about 350 ° C. when the gate insulating film 24 is formed, and the function as the transparent electrode can be exhibited well.
  • first transparent electrode 50 and the second transparent electrode 51 are made of the same material, and both are formed on the gate insulating film 24 at the same time as the ITO film which is the lowermost layer of the source line 12, so They can be formed simultaneously in the process.
  • another transparent conductive material constituting the first transparent electrode 50 and the second transparent electrode 51 for example, indium zinc oxide (IZO), zinc oxide, or the like can be used.
  • the first transparent electrode 50 is a thin film layer used for improving the adhesion between the drain electrode 23 and the gate insulating film 24 in the gate electrode 21 portion of the TFT 30.
  • the first transparent electrode 50 is an ITO film that is the lowermost layer of the source line 12. Can be formed without increasing the manufacturing process, that is, without increasing processing costs and material costs.
  • the present embodiment by providing the first transparent electrode 50 and the second transparent electrode 51 on the gate insulating film 24, a high opening can be obtained while ensuring an auxiliary capacity without increasing the number of steps. Rate can be realized.
  • the liquid crystal display device according to the present embodiment is not particularly limited by the other components as long as it is an active matrix type liquid crystal display device configured with the above-described components of the TFT array substrate 10 as essential elements. Further, the shape and the like of the first transparent electrode 50 and the second transparent electrode 51 are not particularly limited as long as the above effects are obtained.
  • FIG. 2B is a schematic plan view showing an example of another shape of the TFT array substrate.
  • the same components as those in FIG. 2A are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted here. Similar effects can be obtained even with the TFT array substrate 10a having the shape of the first transparent electrode 50a and the second transparent electrode 51a as shown in FIG.
  • the structure of the TFT array substrate according to the comparative embodiment will be described below with reference to the drawings.
  • FIG. 4 is a schematic plan view showing the main part of the TFT array substrate of the liquid crystal display device in Comparative Embodiment 1.
  • FIG. 5 is a schematic plan view showing a plurality of pixels of the TFT array substrate shown in FIG.
  • the TFT array substrate 60 includes source lines 62 and gate lines 63 arranged in a grid pattern on the main surface of the transparent substrate.
  • a transparent pixel electrode (not shown) is arranged in the pixel region defined by the source line 62 and the gate line 63.
  • a TFT 80 is arranged in the vicinity of the intersection of the source line 62 and the gate line 63.
  • the TFT 80 includes a gate electrode 71 connected to the gate line 63, a source electrode 72 connected to the source line 62, and a drain electrode 73 connected to the transparent pixel electrode, and further includes a semiconductor layer.
  • the gate electrode 71 is covered with a gate insulating film.
  • the TFT 80 individually and selectively controls the transparent pixel electrode.
  • a Cs wiring 69 is disposed between the gate lines 63 so as to intersect the source line 62.
  • a plurality of Cs wirings 69 are provided in parallel on the TFT array substrate 60, and a common Cs wiring 69 is used for pixels in the same row among a plurality of pixels arranged in a matrix.
  • an auxiliary capacitance electrode 68 is formed in the Cs wiring 69 at a position overlapping the transparent pixel electrode.
  • the Cs wiring 69 and the auxiliary capacitance electrode 68 are formed of the same material as the gate line 63 and the source line 62, that is, a metal material.
  • the auxiliary capacitance electrode 68 is connected to the drain electrode 73 via the wiring 68a, and the auxiliary capacitance for holding the drain voltage is the auxiliary capacitance electrode 68 that is a part of the Cs wiring 69 and a part of the transparent pixel electrode.
  • a capacitor using a gate insulating film as a dielectric is a capacitor using a gate insulating film as a dielectric.
  • the auxiliary capacitance electrode 68 is formed of a metal material, and the auxiliary capacitance electrode 68 and the drain electrode 73 are connected.
  • the display area is larger than that of the liquid crystal display device in the first embodiment. This is also clear from a comparison between FIG. 2 in the first embodiment and FIG. 5 in the first comparative embodiment.
  • the black portion indicates a non-display area. 2 and 5, the non-display area is much smaller in FIG. 2, so that the liquid crystal display device according to the first embodiment is higher than the liquid crystal display device according to the first embodiment. It can be seen that the aperture ratio can be obtained.
  • FIG. 6 is a schematic plan view showing the main part of the TFT array substrate of the liquid crystal display device in Comparative Embodiment 2.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a cross section taken along line AB in FIG. Components having the same configurations as those in FIGS. 4 and 5 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted here.
  • a transparent electrode 96 is formed at a position facing the transparent pixel electrode 64.
  • the transparent electrode 96 is an electrode formed integrally with a part of the Cs wiring 69a as described later.
  • a Cs wiring 69 a is formed on the transparent substrate 81 and is covered with a gate insulating film 94.
  • a transparent pixel electrode 64 is formed on the gate insulating film 94 via an interlayer insulating film 95.
  • the Cs wiring 69a includes a wiring / electrode in which a transparent conductive film 93 is coated on a laminated structure film of aluminum or an alloy layer 91 mainly composed of aluminum and a refractory metal layer 92 covering the alloy layer 91. It has become.
  • the transparent electrode 96 is formed of a transparent conductive film 93 that is a part of the Cs wiring 69a, and is integrated with the Cs wiring 69a.
  • the auxiliary capacitor is formed between the transparent electrode 96 and the transparent pixel electrode 64 using the gate insulating film 94 and the interlayer insulating film 95 as a capacitor.
  • the liquid crystal display device having the above configuration has a higher aperture ratio than the liquid crystal display device described in the first embodiment.
  • the Cs wiring 69a requires a laminated structure film composed of the alloy layer 91 and the refractory metal layer 92, an additional process for forming the laminated structure film is required, which increases processing costs and material costs. Leads to.
  • the gate electrode 71 portion of the TFT is formed with aluminum or an alloy layer 91 mainly composed of aluminum, electrolytic corrosion may occur due to acid or alkali.
  • the transparent conductive film 93 and the transparent electrode 96 are covered with the gate insulating film 94, the composition change may occur due to heat (about 350 ° C.) applied in the film forming process of the gate insulating film 94.
  • the first transparent electrode 50 and the second transparent electrode 51 are provided on the gate insulating film 24, so that the transparent electrode can be deteriorated without increasing the number of steps.
  • a high aperture ratio can be realized while ensuring an auxiliary capacity without being generated.

Abstract

本発明は、必要な補助容量を確保しつつ、画素領域における開口率が高い液晶表示装置を提供する。本発明は、薄膜トランジスタアレイ基板と、液晶層と、対向基板とをこの順に有する液晶表示装置であって、薄膜トランジスタアレイ基板は、格子状に配置されたソース線及びゲート線と、補助容量配線と、画素領域に配置された透明画素電極と、ゲート電極、ソース電極、及び、ドレイン電極を含む薄膜トランジスタとを備え、ゲート電極とソース電極及びドレイン電極との層間にゲート絶縁膜を備え、ソース電極及びドレイン電極と透明画素電極との層間に層間絶縁膜を備え、ゲート絶縁膜上に、ドレイン電極の下層に位置する第１の透明電極と、補助容量配線に接続された第２の透明電極とが設けられ、第２の透明電極は、透明画素電極と層間絶縁膜を挟んで対向する液晶表示装置である。

Description

液晶表示装置
本発明は、液晶表示装置に関する。より詳しくは、液晶層を駆動するための薄膜トランジスタを各画素に備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置に関するものである。
液晶表示装置は、薄型で軽量、かつ、低消費電力といった特長を活かして、モニター、プロジェクタ、携帯電話、携帯情報端末（ＰＤＡ）等の電子機器に幅広く利用されている。中でも、アクティブマトリクス型液晶表示装置は、隣接する画素間においてクロストークのない良好な表示画像を実現できることから広く用いられている。
一般的に、アクティブマトリクス型液晶表示装置は、所定の間隔で配置された薄膜トランジスタアレイ基板（以下、「ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アレイ基板」とも称す。）と対向基板との間に配向膜を介して液晶層が保持された液晶表示パネルを備える。そして、ＴＦＴアレイ基板側に形成された各画素領域の透明画素電極と対向基板側に形成された共通電極との間に印加される電界強度を制御して、各画素領域における液晶の配向状態を変えることによって、光の透過率を変化させて画像を表示している。
対向基板は、一般的には、各画素領域において、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色のいずれかのカラーフィルタ層を備えたカラーフィルタ基板（以下、「ＣＦ基板」とも称す。）である。ＣＦ基板において、各画素領域は、遮光膜（以下、「ブラックマトリクス」とも称す。）によって区画される。液晶表示装置の光源は、透過型の液晶表示装置であれば、液晶表示パネルの背面側にバックライト等が設けられており、背面側からの光を液晶表示パネルの内部に導いて外部に出射することによって画像表示が行われる。
ＴＦＴアレイ基板は、透明基板の主面上に格子状に配置されたソース線及びゲート線を備える。ソース線及びゲート線によって区画された画素領域には、透明画素電極が配置される。そして、ソース線及びゲート線の交点近傍に、薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」とも称す。）が配置される。ＴＦＴは、ゲート線に接続されたゲート電極、ソース線に接続されたソース電極、及び、透明画素電極に接続されたドレイン電極を含み、更に、アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）からなる半導体層を備える。ゲート電極は、ゲート絶縁膜（図示せず）にて覆われている。ＴＦＴは、透明画素電極を個別かつ選択的に制御する。
ゲート線の間には、ソース線と交差するように補助容量配線（以下、「Ｃｓ配線」とも称す。）が配置される。Ｃｓ配線は、ＴＦＴアレイ基板上に複数本が平行に設けられており、マトリクス状に配置された複数の画素のうち、同一行の画素では共通のＣｓ配線が利用される。Ｃｓ配線は、通常では、透明画素電極と重なる位置に形成され、ドレイン電圧保持用の補助容量は、Ｃｓ配線と透明画素電極とを電極として、絶縁膜を誘電体としたコンデンサを形成することにより得られる。
上記のように構成されたＴＦＴアレイ基板では、透明画素電極が形成された領域が液晶表示の表示領域として利用される。しかしながら、ソース線、ゲート線、Ｃｓ配線、補助容量電極等は、低抵抗化を図るためにメタル材料（例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ））にて形成され、同様に、ＴＦＴについても、ゲート電極等の電極部分はメタル材料にて形成される。したがって、これらの配線等が形成された領域は、液晶の配向状態によらず遮光領域となることから、画素領域内であったとしても非表示領域として扱われ、表示領域として有効に利用することができない。
そのため、ＴＦＴアレイ基板を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、全表示画面に対する表示領域の割合、すなわち画素領域における「開口率」を向上させるために、上記各種配線による遮光領域の面積を低減することが求められている。
しかしながら、開口率を向上させるために上記した各種配線の幅を細くすると、配線抵抗が上昇するおそれがある。Ｃｓ配線の場合は、液晶表示装置のクロストークやフリッカを防止するために必要な補助容量が減少する。特に、微細画素を有する液晶表示装置においては、この傾向が顕著であり、補助容量を確保しつつ画素領域の開口率を上げることが求められている。
そこで、絶縁基板上に、アルミニウムもしくはアルミニウムを主体とする合金層に高融点金属層を被覆した積層構造膜に透明導電膜を被覆した配線／電極を有することを特徴とする液晶表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
しかしながら、このような構成を有する液晶表示装置は、合金層に高融点金属層を被覆した積層構造膜を必須とすることから、従来のＴＦＴアレイ基板の製造工程に加えて、積層構造膜を製造する工程が更に必要となる。製造工程の増加は、加工費や材料費等の増加につながることから、簡易な工程で開口率の向上が図れることが好ましい。また、ＴＦＴのゲート電極部分において、アルミニウムもしくはアルミニウムを主体とする合金層を形成すると、酸やアルカリによって電食が発生することがある。更に、積層構造膜上に形成された透明導電膜は、絶縁膜で覆われているが、透明導電膜を形成した後に絶縁膜を形成すると、絶縁膜の成膜工程において加わる熱（約３５０℃）によって透明導電膜に組成変化が生じることがある。
特開２００１－１９４６７６号公報
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、必要な補助容量を確保しつつ、画素領域における開口率が高い液晶表示装置を提供することを目的とするものである。
本発明者らは、画素領域における開口率が高い液晶表示装置について種々検討したところ、画素領域において非表示領域となる領域、すなわちＴＦＴや各種配線等が占める領域においては、補助容量形成用の電極が占める面積の割合が大きいことに着目し、メタル材料からなる補助容量形成用の電極を透明電極で構成することで、補助容量形成用の電極を光の透過領域、すなわち表示領域とすることができ、画素領域における開口率を格段に向上することができることを見いだした。また、透明電極としては、ＴＦＴのドレイン電極とゲート絶縁膜との密着性向上のために用いる薄膜層を利用して同じ階層に形成することで、製造工程を増やすことなく、開口率の向上が図れることを見いだした。また、ゲート絶縁膜上に形成することで、これらの透明電極がゲート絶縁膜の形成時における熱により劣化することがないことも見いだした。更に、補助容量形成用の透明電極と透明画素電極との間で容量形成することで、必要な補助容量を確保できるため、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。
すなわち、本発明は、薄膜トランジスタアレイ基板と、液晶層と、対向基板とをこの順に有する液晶表示装置であって、上記薄膜トランジスタアレイ基板は、透明基板の主面上に格子状に配置されたソース線及びゲート線と、上記ゲート線間に上記ソース線と交差するように配置された補助容量配線と、上記ソース線及び上記ゲート線によって区画された画素領域に配置された透明画素電極と、各上記画素領域を横切ると共に上記ソース線と交差するように配置された補助容量配線と、上記ソース線及び上記ゲート線の交点近傍に、上記ゲート線に接続されたゲート電極、上記ソース線に接続されたソース電極、及び、上記透明画素電極に接続されたドレイン電極を含む薄膜トランジスタとを備え、更に、上記ゲート電極と上記ソース電極及び上記ドレイン電極との層間にゲート絶縁膜を備え、上記ソース電極及び上記ドレイン電極と上記透明画素電極との層間に層間絶縁膜を備え、上記ゲート絶縁膜上に、上記ドレイン電極の下層に位置する第１の透明電極と、上記補助容量配線に接続された第２の透明電極とが設けられ、上記第２の透明電極は、上記透明画素電極と該層間絶縁膜を挟んで対向する液晶表示装置である。これにより、必要な補助容量を確保しつつ、画素領域における開口率の向上が図れる。
また上記第２の透明電極は、ゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上記補助容量配線に接続されていることが好ましい。これにより、上記第１の透明電極と第２の透明電極とをゲート絶縁膜上の同じ階層に形成することができ、各透明電極は、ゲート絶縁膜の形成時における熱によって劣化することがなく、しかも製造工程を増やすことなく、従来と同様の方法で本発明の液晶表示装置を実現できる。
なお、本発明において、ソース線、ゲート線、及び、Ｃｓ配線は、低抵抗化を図るためにメタル材料にて形成されることが好ましい。同様に、ＴＦＴについても、ゲート電極等の電極部分はメタル材料にて形成されることが好ましい。メタル材料とは、具体的には、アルミニウム、モリブデン、クロム、タンタル、チタン、Ｃｕ、Ａｇ等である。これらの配線、電極等は、メタル材料の窒化物や酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等との積層構造を有するものであってもよい。
本発明によれば、透明画素電極に接続する第１の透明電極と、補助容量配線に接続する第２の透明電極とをゲート絶縁膜上に形成することで、工程を増やすことなく、必要な補助容量を確保しつつも、画素領域における開口率の向上が図れる。
本発明の実施形態１における液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の要部を示す平面模式図である。 （ａ）は、図１に示すＴＦＴアレイ基板の複数の画素を示した平面模式図であり、（ｂ）は、実施形態１に係るＴＦＴアレイ基板の他の一例を示した平面模式図である。 （ａ）は、図１におけるＡ－Ｂ線に沿った断面を示す断面模式図であり、（ｂ）は、図１におけるＣ－Ｄ線に沿った断面を示す断面模式図である。 比較実施形態１における液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の要部を示す平面模式図である。 図４に示すＴＦＴアレイ基板の複数の画素を示した平面模式図である。 比較実施形態２における液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の要部を示す平面模式図である。 図６におけるＡ－Ｂ線に沿った断面を示す断面模式図である。
以下に実施形態を掲げ、本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。
実施形態１
実施形態１に係る液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板と、液晶層と、対向基板とをこの順に有する。具体的には、ＴＦＴアレイ基板と、これに対向するように設けられた対向基板と、両基板間に狭持されるように設けられた液晶層とを備え、液晶層は、配向膜を介して保持され、これにより液晶表示パネルとなる。
液晶表示パネルにおいて、ＴＦＴアレイ基板の背面側及び対向基板の観察面側には、偏光子がそれぞれ貼付される。そして、ＴＦＴアレイ基板側に形成された各画素領域の透明画素電極と対向基板側に形成された共通電極との間に印加される電界強度を制御して、各画素領域における液晶の配向状態を変えることによって光の透過率を変化させて画像を表示している。
なお、光源は、透過型の液晶表示装置であれば、液晶表示パネルの背面側にバックライト等が設けられており、背面側からの光を液晶表示パネルの内部に導いて外部に出射することによって画像表示が行われる。
対向基板は、一般的には、透明基板を覆うように形成された着色層及びブラックマトリクスからなるカラーフィルタ層と、カラーフィルタ層を覆う絶縁層と、共通電極と、配向膜とが順に積層された構成を有するＣＦ基板である。例えば、各画素領域において、着色層は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色のいずれかの層が、ＴＦＴアレイ基板の透明画素電極にそれぞれ対応するように配置され、各画素領域は、ブラックマトリクスによって区画される。共通電極は、例えば、ＩＴＯにて形成され、画素ごとではなく、複数の画素に対応する１つの電極として形成される。
本実施形態において、ＴＦＴアレイ基板は、ゲート絶縁膜上に、ドレイン電極の下層に位置する第１の透明電極と、補助容量配線に接続され、透明画素電極と層間絶縁膜を挟んで対向する第２の透明電極とを有する。
以下に、ＴＦＴアレイ基板について、図１～図３を用いて説明する。図１は、本発明の実施形態１における液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の要部を示す平面模式図である。図２（ａ）は、図１に示すＴＦＴアレイ基板の複数の画素を示した平面模式図である。図３（ａ）は、図１におけるＡ－Ｂ線に沿った断面を示す断面模式図であり、図３（ｂ）は、図１におけるＣ－Ｄ線に沿った断面を示す断面模式図である。
図１及び図２（ａ）において、ＴＦＴアレイ基板１０は、ガラス基板やプラスチック基板等からなる透明基板の主面上に、格子状に配置されたソース線１２及びゲート線１３を備える。ゲート線１３の間には、ソース線１２と交差するようにＣｓ配線１９が配置される。Ｃｓ配線１９は、例えば、マトリクス状に配置された複数の画素のうち、同一行の画素では共通のＣｓ配線１９が利用される。ゲート線１３は、上層側から順に、窒化チタン（ＴｉＮ）／タンタル（Ｔａ）／窒化タンタル（ＴａＮ）の積層体により形成され、ソース線１２は、上層側から順に、タンタル（Ｔａ）／窒化タンタル（ＴａＮ）／ＩＴＯの積層体により形成されている。Ｃｓ配線１９は、ゲート線１３の形成材料にて形成される。
ソース線１２及びゲート線１３によって区画された画素領域には、図１及び図２（ａ）では示されていないが、透明画素電極が配置される。透明画素電極は、開口率の向上を図るため、ソース線１２及びゲート線１３と重なる領域まで画素領域全体に配置されており、液晶層への電圧の印加に用いられる。
ソース線１２及びゲート線１３の交点近傍には、ＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、ゲート線１３に接続されたゲート電極２１と、ソース線１２に接続されたソース電極２２と、ドレイン電極２３と、半導体層とを有する。半導体層は、通常では、アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）やポリシリコン膜からなる。
ここで、ゲート線１３及びソース線１２によって囲まれた画素領域には、第１の透明電極５０と第２の透明電極５１とが形成されている。図３（ａ）、（ｂ）を用いて、第１の透明電極５０及び第２の透明電極５１について説明する。
図３（ａ）において、透明基板１１の主面上には、ゲート電極２１が形成されており、ゲート電極２１を覆うようにゲート絶縁膜２４が形成されている。ゲート電極２１の上部には、ゲート絶縁膜２４を介して半導体層２０、ソース電極２２、及び、ドレイン電極２３が形成され、これらによって上記したＴＦＴ３０が構成される。ＴＦＴ３０は、上部に形成された透明画素電極１４を個別かつ選択的に制御する。
ゲート絶縁膜２４上には、透明画素電極１４と接続される第１の透明電極５０が形成されている。ＴＦＴ３０及び第１の透明電極５０は、層間絶縁膜２５によって覆われており、層間絶縁膜２５上には、透明画素電極１４が配置されている。そして、第１の透明電極５０と透明画素電極１４とは、層間絶縁膜２５に形成されたコンタクトホール３１ａを介して電気的に接続される。
第１の透明電極５０は、ＴＦＴ３０においてドレイン電極２３とゲート絶縁膜２４との密着性向上のために形成される薄膜層であり、本実施形態においては、この薄膜層を透明電極材料にて形成している。また従来の液晶表示装置においては、透明画素電極はメタル材料からなるドレイン電極に接続されていたため、透明画素電極とドレイン電極との接続領域は非表示領域となっていた。しかし、本実施形態においては、透明画素電極１４は第１の透明電極５０に接続されているため、接続領域を表示領域とすることができ、これにより画素領域における開口率の向上が図れる。
図３（ｂ）において、透明基板１１上には、ゲート線１３と同じ材料にて形成されたＣｓ配線１９が形成されており、ゲート絶縁膜２４にて覆われている。ゲート絶縁膜２４上には、Ｃｓ配線１９と接続された第２の透明電極５１が形成されており、ゲート絶縁膜２４に形成されたコンタクトホール３１ｂを介して、第２の透明電極５１とＣｓ配線１９とが接続されている。第２の透明電極５１上には、層間絶縁膜２５を介して透明画素電極１４が形成されている。
補助容量は、第２の透明電極５１と透明画素電極１４の一部とを電極として、層間絶縁膜２５を誘電体としてコンデンサを形成することにより得られる。第２の透明電極５１は、透明な電極材料で形成されることから、開口率に影響なく面積を調整することができ、必要な補助容量を確保できる。
従来の液晶表示装置においては、補助容量を形成するための補助容量電極は、メタル材料で形成されていた。そのため、非表示領域において補助容量電極が占める面積の割合が大きいものであったが、本実施形態においては、補助容量電極を第２の透明電極５１で構成することで、光の透過領域、すなわち表示領域を増やして、画素領域における開口率を格段に向上することができる。開口率の向上は、表示領域の増加による輝度の向上だけでなく、バックライトの光量の低減による低消費電力化等にも寄与し得る。
第１の透明電極５０及び第２の透明電極５１は、いずれもゲート絶縁膜２４の上に形成されている。したがって、ゲート絶縁膜２４の成膜時における約３５０℃という高い温度によって、第１の透明電極５０及び第２の透明電極５１が劣化することはなく、透明電極としての機能を良好に発揮できる。
更に第１の透明電極５０と第２の透明電極５１とは同じ材料からなり、いずれもゲート絶縁膜２４上に、ソース線１２の最下層であるＩＴＯ膜と同時に形成されているため、一度の工程で同時に形成できる。第１の透明電極５０及び第２の透明電極５１を構成する他の透明導電材料としては、例えば、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛等を用いることができる。
また第１の透明電極５０は、ＴＦＴ３０のゲート電極２１部分においてドレイン電極２３とゲート絶縁膜２４との密着性向上のために用いている薄膜層であり、ソース線１２の最下層であるＩＴＯ膜を利用しているため、製造工程を増やすことなく、すなわち加工費や材料費を増やすことなく形成できる。
以上のように、本実施形態では、ゲート絶縁膜２４上に第１の透明電極５０及び第２の透明電極５１を設けることで、工程を増やすことなく、補助容量を確保しつつも、高い開口率が実現できる。
本実施形態に係る液晶表示装置は、上記したＴＦＴアレイ基板１０の構成要素を必須として構成されたアクティブマトリクス型液晶表示装置である限り、その他の構成要素により特に限定されるものではない。また、第１の透明電極５０及び第２の透明電極５１の形状等についても上記効果を奏する限り、特に限定されるものではない。
図２（ｂ）は、ＴＦＴアレイ基板の他の形状の一例を示す平面模式図である。図２（ｂ）において、図２（ａ）と同様の構成を示すものについては同一の符号を付け、ここでは説明を省略する。図２（ｂ）に示すような第１の透明電極５０ａ及び第２の透明電極５１ａの形状を有するＴＦＴアレイ基板１０ａ等であっても同様の効果が得られる。
以下に、比較実施形態に係るＴＦＴアレイ基板の構造を図面を用いて説明する。
比較実施形態１
図４は、比較実施形態１における液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の要部を示す平面模式図である。図５は、図４に示すＴＦＴアレイ基板の複数の画素を示した平面模式図である。
図４及び図５において、ＴＦＴアレイ基板６０は、透明基板の主面上に格子状に配置されたソース線６２及びゲート線６３を備える。ソース線６２及びゲート線６３によって区画された画素領域には、ここでは図示されていないが透明画素電極が配置される。そして、ソース線６２及びゲート線６３の交点近傍には、ＴＦＴ８０が配置される。
ＴＦＴ８０は、ゲート線６３に接続されたゲート電極７１、ソース線６２に接続されたソース電極７２、及び、透明画素電極に接続されたドレイン電極７３を含み、更に、半導体層を備える。ゲート電極７１は、ゲート絶縁膜にて覆われている。ＴＦＴ８０は、透明画素電極を個別かつ選択的に制御する。
ゲート線６３の間には、ソース線６２と交差するようにＣｓ配線６９が配置される。Ｃｓ配線６９は、ＴＦＴアレイ基板６０上に複数本が平行に設けられており、マトリクス状に配置された複数の画素のうち、同一行の画素では共通のＣｓ配線６９が利用される。
ここで、Ｃｓ配線６９には、透明画素電極と重なる位置に補助容量電極６８が形成されている。Ｃｓ配線６９及び補助容量電極６８は、ゲート線６３及びソース線６２と同じ材料、すなわち、メタル材料にて形成される。また補助容量電極６８は、配線６８ａを介してドレイン電極７３と接続されており、ドレイン電圧保持用の補助容量は、Ｃｓ配線６９の一部である補助容量電極６８と透明画素電極の一部とを電極として、ゲート絶縁膜を誘電体としてコンデンサを形成することにより得られる。
上記のように構成されたＴＦＴアレイ基板６０では、補助容量電極６８がメタル材料にて形成されており、また、補助容量電極６８とドレイン電極７３とが接続されていることから、画素領域における非表示領域が実施形態１における液晶表示装置よりも多くなる。このことは、実施形態１における図２と比較実施形態１における図５とを比較することからも明らかである。
図２及び図５において、黒色部分は、非表示領域であることを示す。図２と図５とを比較すると、非表示領域は、図２の方が格段に少なく、これにより、実施形態１に係る液晶表示装置の方が比較実施形態１に係る液晶表示装置よりも高い開口率が得られることがわかる。
比較実施形態２
図６は、比較実施形態２における液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の要部を示す平面模式図である。図７は、図６におけるＡ－Ｂ線に沿った断面を示す断面模式図である。図４及び図５と同様の構成を示すものについては同一の符号を付け、ここでは説明を省略する。
図６、図７において、透明画素電極６４と対向する位置には、透明電極９６が形成されている。透明電極９６は、後述のようにＣｓ配線６９ａの一部と一体に形成された電極である。
図７において、透明基板８１上にはＣｓ配線６９ａが形成されており、ゲート絶縁膜９４にて覆われている。ゲート絶縁膜９４上には、層間絶縁膜９５を介して透明画素電極６４が形成されている。
ここで、Ｃｓ配線６９ａは、アルミニウムもしくはアルミニウムを主体とする合金層９１と合金層９１を被覆する高融点金属層９２との積層構造膜に、透明導電膜９３を被覆した配線／電極を有する構成となっている。透明電極９６は、Ｃｓ配線６９ａの一部である透明導電膜９３によって形成されており、Ｃｓ配線６９ａと一体となっている。
補助容量は、ゲート絶縁膜９４及び層間絶縁膜９５を容量として、透明電極９６と透明画素電極６４との間で形成される。
上記のような構成を有する液晶表示装置は、比較実施形態１に示す液晶表示装置に比べて高い開口率を有する。しかしながら、Ｃｓ配線６９ａは、合金層９１及び高融点金属層９２からなる積層構造膜を必須とするため、積層構造膜を形成するための工程が更に必要になり、加工費や材料費等の増加につながる。また、ＴＦＴのゲート電極７１部分において、アルミニウムもしくはアルミニウムを主体とする合金層９１を形成すると、酸やアルカリによって電食が発生することがある。更に、透明導電膜９３及び透明電極９６は、ゲート絶縁膜９４で覆われていることから、ゲート絶縁膜９４の成膜工程において加わる熱（約３５０℃）によって、組成変化が生じることがある。
これに対し、実施形態１に係る液晶表示装置では、ゲート絶縁膜２４上に第１の透明電極５０及び第２の透明電極５１を設けることで、工程を増やすことなく、また透明電極の劣化を生じることもなく、補助容量を確保しつつも、高い開口率が実現できる。
本願は、２００８年１１月２１日に出願された日本国特許出願２００８－２９７９２６号を基礎として、パリ条約ないし移行する国における法規に基づく優先権を主張するものである。該出願の内容は、その全体が本願中に参照として組み込まれている。
１０、１０ａ、６０、７０　ＴＦＴアレイ基板
１１、８１　透明基板
１２、６２　ソース線
１３、６３　ゲート線
１４、６４　透明画素電極
１９、６９、６９ａ　補助容量配線（Ｃｓ配線）
２０　半導体層
２１、７１　ゲート電極
２２、７２　ソース電極
２３、７３　ドレイン電極
２４、９４　ゲート絶縁膜
２５、９５　層間絶縁膜
３０、８０　薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
３１ａ、３１ｂ　コンタクトホール
５０、５０ａ　第１の透明電極
５１、５１ａ　第２の透明電極
６８　補助容量電極
６８ａ　配線
９１　アルミニウムもしくはアルミニウムを主体とする合金層
９２　高融点金属層
９３　透明導電膜
９６　透明電極

Claims (2)

  1. 薄膜トランジスタアレイ基板と、液晶層と、対向基板とをこの順に有する液晶表示装置であって、
    該薄膜トランジスタアレイ基板は、
    透明基板の主面上に格子状に配置されたソース線及びゲート線と、
    該ゲート線間に該ソース線と交差するように配置された補助容量配線と、
    該ソース線及び該ゲート線によって区画された画素領域に配置された透明画素電極と、
    該ソース線及び該ゲート線の交点近傍に、該ゲート線に接続されたゲート電極、該ソース線に接続されたソース電極、及び、該透明画素電極に接続されたドレイン電極を含む薄膜トランジスタとを備え、
    更に、該ゲート電極と該ソース電極及び該ドレイン電極との層間にゲート絶縁膜を備え、該ソース電極及び該ドレイン電極と該透明画素電極との層間に層間絶縁膜を備え、
    該ゲート絶縁膜上に、該ドレイン電極の下層に位置する第１の透明電極と、
    該補助容量配線に接続された第２の透明電極とが設けられ、該第２の透明電極は、該透明画素電極と該層間絶縁膜を挟んで対向することを特徴とする液晶表示装置。
  2. 前記第２の透明電極は、ゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記補助容量配線に接続されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
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