WO2009093370A1 - カーボンナノチューブ製造装置 - Google Patents

カーボンナノチューブ製造装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2009093370A1
WO2009093370A1 PCT/JP2008/070590 JP2008070590W WO2009093370A1 WO 2009093370 A1 WO2009093370 A1 WO 2009093370A1 JP 2008070590 W JP2008070590 W JP 2008070590W WO 2009093370 A1 WO2009093370 A1 WO 2009093370A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
discharge pipe
carbon nanotubes
reaction tube
carbon
carbon nanotube
Prior art date
Application number
PCT/JP2008/070590
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Shuichi Shiraki
Takeji Murai
Yuzo Nakagawa
Original Assignee
Nikkiso Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikkiso Co., Ltd. filed Critical Nikkiso Co., Ltd.
Priority to JP2009550425A priority Critical patent/JP5282043B2/ja
Priority to CN2008801253293A priority patent/CN101910061B/zh
Priority to US12/863,528 priority patent/US8557190B2/en
Priority to EP08871384A priority patent/EP2236460A4/en
Priority to CA2711378A priority patent/CA2711378A1/en
Publication of WO2009093370A1 publication Critical patent/WO2009093370A1/ja
Priority to IL206717A priority patent/IL206717A0/en

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82BNANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B82B3/0004Apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of nanostructural devices or systems or methods for manufacturing the same
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/26Nozzle-type reactors, i.e. the distribution of the initial reactants within the reactor is effected by their introduction or injection through nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J4/00Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
    • B01J4/001Feed or outlet devices as such, e.g. feeding tubes
    • B01J4/002Nozzle-type elements
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82BNANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B82B3/0009Forming specific nanostructures
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158Carbon nanotubes
    • C01B32/16Preparation
    • C01B32/164Preparation involving continuous processes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00049Controlling or regulating processes
    • B01J2219/00051Controlling the temperature
    • B01J2219/00132Controlling the temperature using electric heating or cooling elements
    • B01J2219/00135Electric resistance heaters
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites

Definitions

  • the present invention relates to a carbon nanotube production apparatus for producing carbon nanotubes such as carbon nanotubes and carbon fibers by a gas phase flow method.
  • Carbon nanotubes are crystalline carbon having a structure in which a thin layer of graphite crystal is rounded into a cylindrical shape. That is, the carbon source constituting the carbon nanotube forms a planar or curved graphene sheet formed by arranging six-membered rings of carbon molecules like a tortoiseshell pattern, and one direction of such a graphene sheet A carbon nanotube is a rounded cylindrical shape.
  • a carbon nanotube has a diameter of 0.4 nm to several tens of nm, and its length is generally several tens to several thousand times longer than the diameter.
  • Such carbon nanotubes are attracting attention from many fields because of their high strength, excellent electrical conductivity, thermal conductivity, and slidability. And in order to be able to provide this carbon nanotube at a lower price, more efficient carbon nanotube manufacturing technology is required.
  • This gas phase flow method is a method for producing carbon nanotubes by flowing a carbon-containing raw material and a catalytic metal together with a carrier gas in a high-temperature furnace, and thermally decomposing and synthesizing a raw material such as a carbon source in the gas phase. is there. Since this gas phase flow method is a manufacturing technique suitable for mass production, many improved techniques have been proposed.
  • the discharge pipe arranged on the downstream side of the reaction pipe may be blocked by the carbon nanotubes. That is, normally, the carbon nanotubes generated in the reaction tube flow downstream, and are finally discharged to the outside through a discharge tube disposed on the downstream side of the reaction tube.
  • carbon nanotubes may adhere to the inner surface of the discharge pipe during the transition process. If even a small amount of carbon nanotubes adheres to the inner surface of the discharge tube, this time, new carbon nanotubes are more likely to adhere (easy to be caught) to the carbon nanotubes attached to the inner surface, and the carbon nanotubes stagnating on the spot. The amount increases rapidly.
  • the discharge pipe may be blocked with carbon nanotubes.
  • the driving of the manufacturing apparatus is periodically stopped to remove the carbon nanotubes adhering to the inner surface of the discharge pipe.
  • Such periodic shutdown of the manufacturing apparatus and the removal work of the carbon nanotubes have caused problems such as a decrease in the production efficiency of the carbon nanotubes and an increase in the burden on the operator.
  • Japanese Patent Publication No. 2001-73231 and Japanese Patent Publication No. 2001-115342 disclose techniques for preventing carbon nanotubes from adhering to the inner surface of a reaction tube.
  • these techniques are intended to prevent adhesion to the reaction tube and cannot prevent adhesion to the discharge tube.
  • various other improved technologies for the gas phase flow method have been proposed, but at present, there is no technology that can appropriately prevent the carbon nanotubes from adhering to and blocking the discharge tube, and the production efficiency of carbon nanotubes is reduced. It was difficult to improve.
  • an object of the present invention is to provide a carbon nanotube production apparatus that can further improve the production efficiency of carbon nanotubes.
  • the carbon nanotube production apparatus of the present invention is a carbon nanotube production apparatus for producing carbon nanotubes by a gas phase flow method, comprising a reaction tube, a supply means for supplying a carbon-containing raw material from the upstream side of the reaction tube, and the reaction Heating means for forming a reaction field for generating carbon nanotubes by pyrolyzing the carbon-containing raw material inside the reaction tube by heating the tube, and disposed downstream of the reaction tube, And a swirling flow generating means for generating a swirling flow that flows from the inner surface to the inner surface of the discharge tube.
  • the swirling flow generating means includes a plurality of nozzles that are installed on the inner side surface of the discharge pipe and jet gas in a direction deflected from the center of the discharge pipe.
  • the plurality of nozzles are preferably arranged at equal intervals in the circumferential direction of the discharge pipe.
  • it is desirable that the nozzle is installed in the vicinity of the upstream end of a low temperature region lower than the heat resistant temperature of the nozzle in the discharge pipe.
  • a swirling flow that flows from the inner surface to the inner surface is generated inside the discharge pipe.
  • the swirling flow isolates the carbon nanotubes from the wall surface and transports them to the central portion of the discharge pipe, thereby effectively preventing the carbon nanotubes from adhering to the inner side surface and thus blocking the discharge pipe. . Even if the carbon nanotubes adhere to the inner surface, the carbon nanotubes are peeled off by the swirling flow. As a result, the carbon nanotube production apparatus can be operated continuously, and the production efficiency can be improved.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
  • FIG. 3 is a sectional view taken along line BB in FIG.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a carbon nanotube production apparatus 10 according to an embodiment of the present invention.
  • This carbon nanotube production apparatus 10 is an apparatus for producing carbon nanotubes by a gas phase flow method, and is a reaction tube 12, a heating device 14 for heating the reaction tube 12, and a raw material supply mechanism 18 for supplying a raw material liquid to the reaction tube 12. And a discharge pipe 32 for guiding the carbon nanotubes generated in the reaction tube 12 to a collection tank (not shown).
  • the reaction tube 12 is a tube body that forms a reaction field that enables a carbon nanotube synthesis reaction by being heated by a heating device 14 described later.
  • a so-called vertical down-flow type reaction tube 12 designed so that the carbon nanotube synthesis reaction proceeds from the top to the bottom is used.
  • a vertical upflow reaction tube in which the synthesis reaction proceeds from the bottom to the top or a horizontal reaction tube in which the synthesis reaction proceeds in the horizontal direction is used. May be.
  • the reaction tube 12 is preferably substantially cylindrical, but may have a rectangular tube shape as long as a stable reaction field can be provided.
  • a heating device 14 for heating the reaction tube 12 is provided around the outer periphery of the reaction tube 12.
  • the heating device 14 is composed of, for example, an electric furnace, and is designed to heat the inside of the reaction tube 12 to a temperature at which carbon nanotubes can be generated (hereinafter referred to as “generation temperature”).
  • the heating device 14 is arranged so that the inside of the reaction tube 12 can be heated as evenly as possible. However, normally, at the end of the reaction tube 12, the specific area of heat dissipation is larger than that in the center, and the temperature tends to decrease. In other words, a temperature distribution is generated in the reaction tube 12 such that the temperature decreases as it approaches both ends. Although the boundary of the temperature distribution cannot be clearly defined, a first intermediate temperature region Ea that is lower than the generation temperature is near the upstream end of the reaction tube 12, and the generation temperature is near the downstream end of the reaction tube 12. A lower second intermediate temperature region Ec is formed.
  • a reaction region Eb that reaches a generation temperature at which carbon nanotubes can be generated is formed between the central portion of the reaction tube 12, in other words, between the first intermediate temperature region Ea and the second intermediate temperature region Ec.
  • the heating device 14 is installed only around the outer periphery of the reaction tube 12, but depending on the inner diameter of the reaction tube 12 and the performance of each heating device 14, the heating device 14 is also provided inside the reaction tube 12. A heating device 14 may be provided.
  • the raw material liquid is supplied to the reaction tube 12 by the raw material supply mechanism 18.
  • the raw material supply mechanism 18 includes a raw material tank 20, a supply nozzle 26, a raw material supply pipe 24, and a pump 22.
  • the raw material tank 20 is a container for storing a raw material liquid.
  • the raw material liquid is a liquid in which a carbon-containing liquid, an organometallic catalyst, a reverse micelle particle containing the same, a catalyst auxiliary agent, or the like is mixed.
  • This raw material liquid is sent to a plurality of supply nozzles 26 through a raw material supply pipe 24.
  • the feed of the raw material liquid is performed by a pump 22 that is driven and controlled by a control unit (not shown).
  • the supply nozzle 26 is a nozzle that atomizes the raw material liquid sent from the raw material tank 20 and supplies it to the reaction tube 12.
  • the supply nozzle 26 is installed at the upstream end of the reaction tube 12, and its tip protrudes from the upstream end surface of the reaction tube 12 into the reaction tube 12 so as to reach the reaction region Eb.
  • the number of the supply nozzles 26 is not specifically limited, Single may be sufficient and three or more may be sufficient.
  • the carbon source, the organometallic catalyst, and the catalyst auxiliary agent contained in the raw material liquid are evaporated. Then, the organometallic catalyst is thermally decomposed to generate catalyst fine particles.
  • a carbon source comes into contact with the generated catalyst fine particles, a carbon hexagonal network surface is formed on the surface of the catalyst fine particles, and a cylindrical graphene sheet is formed. Then, in the process in which the catalyst fine particles descend in the reaction tube 12, the graphene sheet gradually grows in the length direction, so that carbon nanotubes are generated.
  • a carrier gas introduction pipe 28 is provided around the supply nozzle 26.
  • the introduction pipe 28 is connected to a gas supply source through a gas supply pipe.
  • the carrier gas is a gas that does not affect the carbon nanotube synthesis reaction, and transfers the raw material and the carbon nanotubes in the production process to the downstream side.
  • the supply mode of the raw material and the carrier gas described here is an example, and supply of the raw material and the carrier gas is possible as long as carbon nanotubes can be generated by a gas phase flow method that causes a synthesis reaction of the raw material in the gas phase.
  • the aspect may be changed as appropriate.
  • the raw material may be supplied in a gaseous state instead of being supplied in a liquid state (raw material liquid).
  • the carrier gas introduction pipe 28 is provided not only around the supply nozzle 26 but also near the inner periphery of the reaction tube 12 so that the carrier gas flows from the introduction pipe 28 along the inner surface of the reaction tube 12. Also good. With this configuration, it is possible to prevent the carbon nanotubes from adhering to the inner surface of the reaction tube 12.
  • a discharge pipe 32 is connected to the downstream end of the reaction pipe 12.
  • the discharge pipe 32 is a tube body that guides the carbon nanotubes generated in the reaction tube 12 to the outside, and is connected to the downstream end of the discharge pipe 32 via a housing 30 member.
  • a collection tank is provided below the discharge pipe 32, and the generated carbon nanotubes are collected and collected.
  • the discharge pipe 32 has been easily clogged with carbon nanotubes. That is, the carbon nanotubes that have flowed up to the discharge pipe 32 should pass through the discharge pipe 32 and be discharged into the collection tank. However, some carbon nanotubes adhere to the inner surface of the discharge pipe 32 and stay there. If there is a carbon nanotube attached to the inner surface of the discharge pipe 32, another carbon nanotube is now easily caught on the attached carbon nanotube. Then, another carbon nanotube is newly caught on the caught carbon nanotube. Eventually, a large number of carbon nanotubes are entangled with each other and stay in place, and as a result, the inside of the discharge pipe 32 may be blocked with the carbon nanotubes.
  • Such clogging with carbon nanotubes may also occur in the reaction tube 12.
  • a number of improved techniques for example, Japanese Patent Publication No. 2001-73231 and Japanese Patent Publication No. 2001-115342 have been proposed. Can be prevented to some extent.
  • the discharge tube 32 in order to prevent the discharge tube 32 from being blocked by the carbon nanotube, the discharge tube 32 has a special configuration. This will be described in detail below.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the discharge pipe 32 (excluding the housing 30 connecting the discharge pipe 32 and the reaction pipe 12).
  • 3 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 2
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
  • the discharge pipe 32 of the present embodiment is a tube body connected to the lower end of the reaction tube 12 via the housing 30 (see FIG. 3), and the inner diameter thereof is substantially the same as the inner diameter of the reaction tube 12.
  • a slight taper 32a is formed in the vicinity of the upstream end (end portion on the reaction tube 12 side) of the discharge pipe 32 so that the inner diameter becomes smaller as it approaches the upstream end, as shown in FIG.
  • the vicinity of the upstream end of the discharge pipe 32 is formed to be slightly thicker than the downstream side. By forming the vicinity of the upstream end thick in this way, it becomes easy to stably hold a nozzle 34 described later.
  • the nozzle 34 can be stably held, it is not necessary to provide a thick portion (tapered portion), and a straight tube having a uniform thickness may be used, or a seat with a boss or the like may be provided.
  • a plurality (six in the illustrated example) of nozzles 34 are fixedly installed on the side surface of the discharge pipe 32.
  • the plurality of nozzles 34 function as swirl flow generating means for generating a swirl flow in the discharge pipe 32.
  • Each nozzle 34 is connected to a gas supply source (not shown), and discharges gas into the discharge pipe 32 in accordance with an instruction from the control unit.
  • the gas type is not particularly limited as long as the gas does not deteriorate or alter the synthesized carbon nanotube. Therefore, the same kind of gas as the carrier gas may be used, or nitrogen may be used. Further, the wind pressure (flow velocity) of the gas discharged from each nozzle 34 has such a magnitude that it can be transferred without adhering carbon nanotubes.
  • the nozzle 34 is fixed to the side wall of the discharge pipe 32 in a direction deflected with respect to the center O of the discharge pipe 32 as shown in FIG. In this case, the distribution directions of all the nozzles 34 are aligned in the same direction. Further, the plurality of nozzles 34 are equally arranged in the circumferential direction.
  • the deflection angle ⁇ of each nozzle 34 with respect to the radial line can be appropriately adjusted depending on the wind pressure of the gas to be discharged and the number of nozzles 34.
  • the installation location of the plurality of nozzles 34 is the apex. You may arrange
  • each nozzle 34 is fixed facing obliquely downward. Thereby, the gas heading obliquely downward is released from each nozzle 34, and the carbon nanotubes are positively transferred to the downstream side by the gas.
  • the tilt angle of each nozzle can be adjusted as appropriate depending on the number of these nozzles and the like. However, when six nozzles are arranged as in this embodiment, the tilt angle is preferably about 10 degrees, but ⁇ 10 degrees. It may be increased or decreased within a range.
  • each nozzle 34 is provided in a position as close to the upstream end as possible in the discharge pipe 32.
  • the upstream end of the discharge pipe 32 is connected to the high-temperature reaction pipe 12 and is often relatively hot. That is, as shown in FIG. 1, a second intermediate temperature region Ec having substantially the same temperature as the vicinity of the downstream end of the reaction tube 12 is formed near the upstream end of the discharge tube 32.
  • the second intermediate temperature region Ec is in a considerably high temperature state (several hundred degrees Celsius) even if not as high as the reaction region Eb in which the carbon nanotube synthesis reaction is performed.
  • the nozzle 34 may be damaged by heat. Therefore, the nozzle 34 is provided in the vicinity of the upstream end of the low temperature region Ed that is equal to or lower than the heat resistant temperature of the nozzle 34 in the discharge pipe 32.
  • the discharge pipe 32 and the reaction pipe 12 are separated from each other, but they may be integrally formed.
  • all the plurality of nozzles 34 are installed at the same height position, but the installation height of each nozzle 34 may be different.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

 カーボンナノチューブ製造装置は、その内部に反応場が生成される反応管と、当該反応管の下流側に配置されてカーボンナノチューブを外部へと導く排出管32と、を備える。排出管32の側壁には、複数のノズル34が、排出管32の中心Oに対して偏向して設けられている。そして、この複数のノズル34から気体が放出されることにより、排出管32の内部には、内側面から内側面に沿って流れる旋回流が生成される。この旋回流により、カーボンナノチューブの排出管32内側面への付着が防止され、製造装置の連続運転が可能となる。

Description

カーボンナノチューブ製造装置
 本発明は、気相流動法により、カーボンナノチューブやカーボンファイバなどのカーボンナノチューブを製造するカーボンナノチューブ製造装置に関する。
 カーボンナノチューブは、黒鉛結晶の薄層が円筒状に丸まった構造になっている結晶性炭素である。すなわち、カーボンナノチューブを構成する炭素源子は、炭素分子の六員環が亀甲模様のように配列して形成される平面状又は曲面状のグラフェンシートを形成し、このようなグラフェンシートの一方向が丸まって円筒状をなしたものがカーボンナノチューブである。一般に、カーボンナノチューブは、その直径が0.4nm~数十nmであり、その長さは一般的に直径より数十倍~数千倍以上に長い。
 かかるカーボンナノチューブは、高い強度や、優れた導電性、熱伝導性、摺動性などを持つため、多くの分野から注目を集めている。そして、このカーボンナノチューブを、より低価格で提供可能とするために、より効率的なカーボンナノチューブの製造技術が求められている。
 こうしたカーボンナノチューブの製造技術の一つとして、気相流動法と呼ばれる技術が知られている。この気相流動法は、高温の炉内に、炭素含有原料と触媒金属をキャリアガスとともに流して、気相中で炭素源などの原料を熱分解および合成させることでカーボンナノチューブを製造する方法である。この気相流動法は、大量生産に適した製造技術であるため、従来から、多数の改良技術が提案されている。
 ところで、この気相流動法では、反応管の下流側に配置された排出管が、カーボンナノチューブにより閉塞されてしまう場合があった。すなわち、本来であれば、反応管で生成されたカーボンナノチューブは、その下流へと流れていき、最終的には、反応管の下流側に配置された排出管を通じて、外部へと排出される。しかし、この移行の過程で、排出管の内側面にカーボンナノチューブが付着する場合があった。そして、少しでもカーボンナノチューブが排出管の内側面に付着すると、今度は、この内側面に付着したカーボンナノチューブに、新たなカーボンナノチューブが付着しやすく(引っ掛かりやすく)なり、その場で停滞するカーボンナノチューブ量が急激に増加していく。そして、最終的には、排出管がカーボンナノチューブで閉塞されてしまう場合があった。そのため、従来では、定期的に、製造装置の駆動を停止し、排出管の内側面に付着したカーボンナノチューブを除去していた。かかる定期的な製造装置の停止およびカーボンナノチューブの除去作業は、カーボンナノチューブの製造効率の低下や、作業者の負担増加という問題を招いていた。
 ここで、日本特許公開2001-73231号公報および日本特許公開2001-115342号公報には、反応管の内側面へのカーボンナノチューブの付着を防止する技術が開示されている。しかしながら、これらの技術は、反応管への付着防止を目的としたものであり、排出管への付着は防止できない。また、その他にも、気相流動法に関して様々な改良技術が提案されているが、現状、カーボンナノチューブの排出管への付着・閉塞を適切に防止でき得る技術はなく、カーボンナノチューブの生産効率を向上させることは困難であった。
 そこで、本発明は、カーボンナノチューブの生産効率をより向上でき得るカーボンナノチューブ製造装置を提供することを目的とする。
 本発明のカーボンナノチューブ製造装置は、気相流動法によりカーボンナノチューブを製造するカーボンナノチューブ製造装置であって、反応管と、前記反応管の上流側から炭素含有原料を供給する供給手段と、前記反応管を加熱することで、当該反応管の内部に、前記炭素含有原料を熱分解してカーボンナノチューブを生成させる反応場を形成する加熱手段と、前記反応管の下流側に配置され、前記反応管で生成されたカーボンナノチューブを外部へと導く排出管と、前記排出管の内側面から内側面に沿って流れる旋回流を発生させる旋回流発生手段と、を備えることを特徴とする。
 他の好適な態様では、前記旋回流発生手段は、前記排出管の内側面に設置され、前記排出管の中心から偏向した方向に気体を噴出する複数のノズルを含む。前記複数のノズルは、前記排出管の周方向に等間隔で配置されることが望ましい。また、前記ノズルは、前記排出管のうち当該ノズルの耐熱温より低い低温領域の上流端近傍に設置されることも望ましい。
 本発明によれば、排出管の内部に、その内側面から内側面に沿って流れる旋回流が発生する。そして、この旋回流により、カーボンナノチューブが、壁面から隔離され、排出管の中央部へと移送されるため、内側面へのカーボンナノチューブの付着、ひいては、排出管の閉塞が効果的に防止される。また、カーボンナノチューブが内側面に付着したとしても、当該カーボンナノチューブは旋回流により剥離される。これにより、カーボンナノチューブ製造装置を連続運転することが可能となり、その製造効率を向上させることができる。
本発明の実施形態であるカーボンナノチューブ製造装置の概略構成図である。 排出管の概略横断面図である。 図2におけるA-A断面図である。 図2におけるB-B断面図である。
符号の説明
 10 カーボンナノチューブ製造装置、12 反応管、14 加熱装置、18 原料供給機構、20 原料タンク、22 ポンプ、24 原料供給配管、26 供給ノズル、28 導入管、30 ハウジング、32 排出管、34 ノズル。
 以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図1は、本発明の実施形態であるカーボンナノチューブ製造装置10の概略構成図である。このカーボンナノチューブ製造装置10は、気相流動法によってカーボンナノチューブを製造する装置で、反応管12や、当該反応管12を加熱する加熱装置14、反応管12に原料液を供給する原料供給機構18、反応管12で生成されたカーボンナノチューブを捕集槽(図示せず)に導く排出管32などを備えている。
 反応管12は、後述する加熱装置14で加熱されることで、その内部にカーボンナノチューブの合成反応を可能にする反応場を形成する管体である。本実施形態では、上から下に向かってカーボンナノチューブの合成反応が進行するように設計された、いわゆる、縦型降流式の反応管12を用いている。ただし、安定した反応場を提供可能であるならば、下から上に向かって合成反応が進行する縦型昇流式反応管や、横方向に向かって合成反応が進行する横型反応管などを用いてもよい。また、反応管12は、略円筒形状であることが望ましいが、安定した反応場を提供可能であれば、角筒形状などであってもよい。
 反応管12の外周囲には、当該反応管12を加熱する加熱装置14が設けられている。この加熱装置14は、例えば、電気炉などから構成されるもので、反応管12の内部をカーボンナノチューブの生成が可能温度(以下「生成温度」という)にまで加熱できるように設計されている。
 この加熱装置14は、反応管12の内部を出来る限り均等に加熱できるように配置される。ただし、通常、反応管12の端部においては、放熱の比面積が中央部に比して大きくなり、温度が低下しがちになる。換言すれば、反応管12の内部には、その両端に近づくにつれ温度が低下するような温度分布が生じている。この温度分布の境界を明確に区分することは出来ないが、反応管12の上流端近傍には、生成温度より下回る第一中温領域Eaが、反応管12の下流端近傍には、生成温度より下回る第二中温領域Ecが形成される。そして、反応管12の中央部、換言すれば、第一中温領域Eaと第二中温領域Ecとの間には、カーボンナノチューブの生成が可能な生成温度に達した反応領域Ebが形成される。なお、本実施形態では、反応管12の外周囲のみに加熱装置14を設置しているが、反応管12の内径や、各加熱装置14の性能などに応じて、反応管12の内部にも加熱装置14を設けるようにしてもよい。
 反応管12には、原料供給機構18により原料液が供給される。原料供給機構18は、原料タンク20や、供給ノズル26、原料供給配管24、および、ポンプ22などを備えている。原料タンク20は、原料液を貯蔵する容器である。原料液は、炭素含有液体や、有機金属触媒、または、それを含有する逆ミセル粒子、触媒補助剤などを混合した液体である。この原料液は、原料供給配管24を通じて、複数の供給ノズル26へと送出される。この原料液の送出は、制御部(図示せず)により駆動制御されるポンプ22により行われる。
 供給ノズル26は、原料タンク20から送出された原料液を霧化して反応管12に供給するノズルである。供給ノズル26は、反応管12の上流端に設置されており、その先端は、反応領域Ebに達するように反応管12の上流端面から反応管12内部へ突出している。なお、図1では、二つの供給ノズル26を有する例を図示しているが、供給ノズル26の数は特に限定されず、単一であってもよいし、三つ以上であってもよい。
 供給ノズル26により霧化されて供給された原料液が、高温の反応管12に供給されることで、当該原料液に含有されている炭素源や、有機金属触媒、触媒補助剤が蒸発する。そして、有機金属触媒が熱分解することで、触媒微粒子が生成される。この生成された触媒微粒子に炭素源が接触すると、当該触媒微粒子の表面上で炭素六角網面が形成されていき、円筒状のグラフェンシートが形成されていく。そして、触媒微粒子が反応管12内を下降していく過程で、このグラフェンシートが、徐々に長さ方向に成長していくことで、カーボンナノチューブが生成されることになる。
 供給ノズル26の周囲には、キャリアガスの導入管28が設けられている。導入管28は、ガス供給配管を通じて、ガス供給源に接続されている。キャリアガスは、カーボンナノチューブの合成反応に影響を与えないガスで、原料および生成過程のカーボンナノチューブを下流側へと移送する。
 なお、ここで、説明した原料およびキャリアガスの供給態様は一例であり、気相中で原料の合成反応を生じさせる気相流動法によりカーボンナノチューブを生成できるのであれば、原料およびキャリアガスの供給態様は、適宜、変更されてもよい。例えば、原料は、液体状態(原料液)で供給するのではなく、気体状態で供給してもよい。また、キャリアガスの導入管28は、供給ノズル26の周囲だけでなく、反応管12の内周縁近傍にも設け、当該導入管28から反応管12内側面に沿ってキャリアガスを流すようにしてもよい。かかる構成とすれば、反応管12内側面へのカーボンナノチューブの付着を防止できる。
 反応管12の下流端には、排出管32が接続されている。排出管32は、反応管12内で生成されたカーボンナノチューブを、外部へと導く管体で、ハウジング30部材を介して排出管32の下流端に連結されている。この排出管32の下側には、捕集槽が設けられており、生成されたカーボンナノチューブが捕集され、回収されるようになっている。
 ところで、従来、この排出管32では、カーボンナノチューブによる閉塞が生じやすかった。すなわち、排出管32まで流れてきたカーボンナノチューブは、本来、当該排出管32を通過して、捕集槽へ排出されるべきである。しかし、カーボンナノチューブの中には、排出管32の内側面に付着し、その場で滞留するものもある。排出管32の内側面に付着したカーボンナノチューブが存在していると、今度は、この付着したカーボンナノチューブに、新たに、別のカーボンナノチューブが引っ掛かりやすくなる。そして、この引っ掛かったカーボンナノチューブにも、新たに別のカーボンナノチューブが引っ掛かる。そして、最終的には、大量のカーボンナノチューブが、互いに絡まりあい、その場で滞留することになり、結果として、排出管32の内部がカーボンナノチューブで閉塞されてしまう場合があった。
 かかるカーボンナノチューブによる閉塞は、反応管12でも生じる場合があった。しかし、反応管12での閉塞防止については、従来から、多数の改良技術(例えば、日本特許公開2001-73231号公報および日本特許公開2001-115342号公報など)が提案されており、これらの技術を用いることで、ある程度防止できる。
 一方、排出管32内の閉塞に関しては、従来、有効な改良技術は提案されていない。また、排出管32は、図1からも明らかなとおり、加熱装置14により加熱されていない。経験上、高温部と低温部とを比較すると、カーボンナノチューブは低温部に付着しやすい。換言すれば、排出管32は、反応管12に比して、カーボンナノチューブによる閉塞が生じやすいといえる。かかる排出管32の閉塞は、当然ながら、カーボンナノチューブの捕集槽への排出を阻害するため、望ましくない。そのため、従来では、排出管32が閉塞しないように、定期的に、カーボンナノチューブ製造装置10の駆動を停止し、排出管32の内側面に付着したカーボンナノチューブを除去する必要があった。この定期的な製造装置10の停止やカーボンナノチューブの除去作業は、カーボンナノチューブの製造効率の低下や作業者の負担増加を招いていた。
 そこで、本実施形態では、このカーボンナノチューブによる排出管32の閉塞を防止するために、当該排出管32を特殊な構成としている。以下、これについて詳説する。
 図2は、排出管32(排出管32と反応管12を接続するハウジング30は除く)の概略横断面図である。また、図3は、図2におけるA-A断面図、図4は、図2におけるB-B断面図である。
 本実施形態の排出管32は、ハウジング30(図3参照)を介して、反応管12の下端に連結される管体で、その内径は、反応管12の内径とほぼ同じとなっている。ただし、排出管32の上流端(反応管12側端部)近傍は、図3に図示するとおり、上流端に近づくにつれ、その内径が小さくなるように僅かなテーパー32aが形成されている。別の見方をすれば、排出管32の上流端近傍は、その下流側と比して、若干、肉厚になるように形成されている。このように上流端近傍を肉厚に形成することにより、後述するノズル34を安定して保持することが容易となる。ただし、ノズル34を安定保持できるのであれば、肉厚部分(テーパ部)をあえて設ける必要はなく、肉厚均一なストレート管体を用いてもよいし、ボスなどによる座を設けてもよい。
 排出管32の側面には、複数(図示例では6個)のノズル34が固定設置されている。この複数のノズル34は、排出管32内に旋回流を発生させる旋回流発生手段として機能するものである。各ノズル34は、気体供給源(図示せず)に接続されており、制御部からの指示に応じて、排出管32内に気体を放出する。この気体は、合成後のカーボンナノチューブを劣化や変質させない気体であれば、その気体種類は特に限定されない。したがって、キャリアガスと同種の気体を用いてもよいし、窒素を用いてもよい。また、各ノズル34から放出される気体の風圧(流速)は、カーボンナノチューブを付着させることなく移送可能な程度の大きさである。
 このノズル34は、図2に示すように、排出管32の中心Oに対して偏向した向きで、排出管32の側壁に固定されている。この場合、全てのノズル34の配方方向は同じ向きに揃えられている。また、複数のノズル34は、周方向に均等に配置されている。ここで、各ノズル34の、径線に対する偏向角度αは、放出される気体の風圧や、ノズル34の個数により、適宜、調整可能であるが、例えば、複数のノズル34の設置箇所を頂点とする正多角形の辺と略同一方向になるよう配置してもよい。すなわち、図2に図示した例でいえば、各ノズル34の先端を頂点とする正六角形Fの各辺と、ノズル34の配向方向が略一致するようにしてもよい。
 また、各ノズル34は、図4に示すように、斜め下方向を向いて固定されている。これにより、各ノズル34からは、斜め下方向に向かう気体が放出され、当該気体により、カーボンナノチューブが積極的に下流側へと移送される。なお、各ノズルの傾斜角度は、これらの個数等により適宜調整可能であるが、本実施形態のように、6個のノズルを配置する場合、傾斜角度は10度程度が好ましいが、±10度程度の範囲で増減させてもよい。
 ここで、排出管32の内側面に付着するカーボンナノチューブの量を低減するためには、各ノズル34は、排出管32のうち、できるだけ上流端に近い位置に設けられることが望ましい。しかしながら、排出管32の上流端は、高温の反応管12に接続されており、比較的、高温になっていることが多い。すなわち、図1に図示するように、排出管32の上流端近傍には、反応管12の下流端近傍と、ほぼ、同じ温度の第二中温領域Ecが形成される。かかる第二中温領域Ecは、カーボンナノチューブの合成反応が行われる反応領域Ebほど高温ではないにしても、かなりの高温状態(数百℃)となる。かかる第二中温領域Ecでは、ノズル34が、熱により破損してしまう場合がある。そこで、ノズル34は、排出管32のうち、当該ノズル34の耐熱温度以下となる低温領域Edの上流端近傍に設けられる。
 このように設置された複数のノズル34から、気体が放出されると、排出管32の内部には、内側面に沿いつつ下流側へと流れる渦巻状または螺旋状の旋回流が形成される(図2参照)。そして、この旋回流によって、当該排出管32を通過するカーボンナノチューブは、壁面から隔離され、排出管32の中心付近に集められる。換言すれば、カーボンナノチューブが排出管32の内側面へと移動することが阻害され、カーボンナノチューブの内側面への付着が防止される。そして、これにより、定期的な製造装置10の駆動停止や、内側面に付着したカーボンナノチューブの除去作業などが不要となり、長時間、連続して製造装置10を駆動させることが可能となる。そして、その結果、カーボンナノチューブの製造効率を大幅に向上させることができる。
 以上、説明したように、本実施形態によれば、カーボンナノチューブの排出管32内側面への付着を効果的に防止することができ、その製造効率を大幅に向上させることができる。なお、本実施形態では、排出管32と反応管12とを別体としたが、これらは一体形成されていてもよい。また、本実施形態では、複数のノズル34を全て、同じ高さ位置に設置しているが、各ノズル34の設置高さを異ならせてもよい。

Claims (4)

  1.  気相流動法によりカーボンナノチューブを製造するカーボンナノチューブ製造装置であって、
     反応管と、
     前記反応管の上流側から炭素含有原料を供給する供給手段と、
     前記反応管を加熱することで、前記炭素含有原料を熱分解してカーボンナノチューブを生成させる反応場を当該反応管の内部に形成する加熱手段と、
     前記反応管の下流側に配置され、前記反応管で生成されたカーボンナノチューブを外部へと導く排出管と、
     前記排出管の内側面から内側面に沿って流れる旋回流を発生させる旋回流発生手段と、
     を備えることを特徴とするカーボンナノチューブ製造装置。
  2.  請求項1に記載のカーボンナノチューブ製造装置であって、
     前記旋回流発生手段は、前記排出管の内側面に設置され、前記排出管の中心に対して偏向した方向に気体を噴出する複数のノズルを含むことを特徴とするカーボンナノチューブ製造装置。
  3.  請求項2に記載のカーボンナノチューブ製造装置であって、
     前記複数のノズルは、前記排出管の周方向に等間隔で配置されることを特徴とするカーボンナノチューブ製造装置。
  4.  請求項2に記載のカーボンナノチューブ製造装置であって、
     前記ノズルは、前記排出管のうち当該ノズルの耐熱温より低い低温領域の上流端近傍に設置されることを特徴とするカーボンナノチューブ製造装置。
PCT/JP2008/070590 2008-01-21 2008-11-12 カーボンナノチューブ製造装置 WO2009093370A1 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009550425A JP5282043B2 (ja) 2008-01-21 2008-11-12 カーボンナノチューブ製造装置
CN2008801253293A CN101910061B (zh) 2008-01-21 2008-11-12 碳纳米管制造装置
US12/863,528 US8557190B2 (en) 2008-01-21 2008-11-12 Carbon nanotube synthesis process apparatus
EP08871384A EP2236460A4 (en) 2008-01-21 2008-11-12 METHOD FOR PRODUCING CARBON NANOTUBES
CA2711378A CA2711378A1 (en) 2008-01-21 2008-11-12 Carbon nanotube synthesis process apparatus
IL206717A IL206717A0 (en) 2008-01-21 2010-06-30 Carbon nanotube synthesis process apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008010397 2008-01-21
JP2008-010397 2008-01-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2009093370A1 true WO2009093370A1 (ja) 2009-07-30

Family

ID=40900886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2008/070590 WO2009093370A1 (ja) 2008-01-21 2008-11-12 カーボンナノチューブ製造装置

Country Status (10)

Country Link
US (1) US8557190B2 (ja)
EP (1) EP2236460A4 (ja)
JP (1) JP5282043B2 (ja)
KR (1) KR20100108599A (ja)
CN (1) CN101910061B (ja)
CA (1) CA2711378A1 (ja)
IL (1) IL206717A0 (ja)
RU (1) RU2010133891A (ja)
TW (1) TW200932667A (ja)
WO (1) WO2009093370A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012046841A (ja) * 2010-08-26 2012-03-08 Teijin Ltd カーボンナノチューブ連続繊維の製造方法およびその製造装置
JP2014521584A (ja) * 2011-07-28 2014-08-28 ナノコンプ テクノロジーズ,インク. ナノスケールで配向したカーボンナノチューブのためのシステムおよび方法
JP2020507555A (ja) * 2017-02-13 2020-03-12 ファウンデーション オブ スンシル ユニヴァーシティ インダストリー コーポレーション カーボンナノチューブ集合体製造装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9061913B2 (en) 2007-06-15 2015-06-23 Nanocomp Technologies, Inc. Injector apparatus and methods for production of nanostructures
KR101587685B1 (ko) * 2013-03-29 2016-01-21 주식회사 엘지화학 유동층 반응기 및 이를 이용한 카본나노구조물 제조방법
EP3010853B1 (en) 2013-06-17 2023-02-22 Nanocomp Technologies, Inc. Exfoliating-dispersing agents for nanotubes, bundles and fibers
WO2014204113A1 (ko) * 2013-06-18 2014-12-24 주식회사 엘지화학 탄소나노튜브섬유 제조장치 및 이를 이용한 탄소나노튜브섬유 제조방법
KR101708333B1 (ko) * 2014-12-02 2017-02-21 한국에너지기술연구원 마이크로파 플라즈마를 이용한 Sⅰ나노입자 제조장치 및 이를 이용한 Sⅰ나노입자의 제조방법
US11434581B2 (en) 2015-02-03 2022-09-06 Nanocomp Technologies, Inc. Carbon nanotube structures and methods for production thereof
CN106145089A (zh) * 2016-08-31 2016-11-23 无锡东恒新能源科技有限公司 批量生产碳纳米管的合成装置
CN106185874A (zh) * 2016-08-31 2016-12-07 无锡东恒新能源科技有限公司 碳纳米管连续制备装置
CN106395792B (zh) * 2016-08-31 2018-09-25 无锡东恒新能源科技有限公司 碳纳米管生长装置
CN106379887A (zh) * 2016-08-31 2017-02-08 无锡东恒新能源科技有限公司 碳纳米管连续生成装置
CN107934943A (zh) * 2017-12-25 2018-04-20 深圳市山木新能源科技股份有限公司 一种石墨烯粉体制造设备
US11866330B2 (en) * 2019-02-22 2024-01-09 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for manufacturing carbon nanotube, method for manufacturing carbon nanotube assembled wire, method for manufacturing carbon nanotube assembled wire bundle, carbon nanotube manufacturing apparatus, carbon nanotube assembled wire manufacturing apparatus, and carbon nanotube assembled wire bundle manufacturing apparatus
KR20220026965A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 주식회사 엘지화학 유동층 반응기용 분산판 및 이를 포함하는 유동층 반응기
EP4261185A1 (en) 2020-12-11 2023-10-18 Lg Chem, Ltd. Carbon nanotube manufacturing apparatus and manufacturing method
KR20220083596A (ko) 2020-12-11 2022-06-20 주식회사 엘지화학 탄소나노튜브 제조장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11107052A (ja) * 1997-09-30 1999-04-20 Nikkiso Co Ltd 気相成長炭素繊維の連続製造装置及び気相成長炭素繊維の連続製造方法
JP2001073231A (ja) 1999-09-01 2001-03-21 Nikkiso Co Ltd 炭素繊維質物製造装置、炭素繊維質物の製造方法及び炭素繊維質物付着防止装置
JP2001115342A (ja) 1999-10-08 2001-04-24 Nikkiso Co Ltd 微細気相成長炭素繊維製造装置、微細気相成長炭素繊維の製造方法、微細気相成長炭素繊維付着防止装置及び微細気相成長炭素繊維
JP2005179122A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Frontier Carbon Corp フラーレン含有煤の搬送方法及び搬送装置
WO2006055678A2 (en) * 2004-11-17 2006-05-26 Honda Motor Co., Ltd. Catalyst for synthesis of carbon single-walled nanotubes
WO2006064760A1 (ja) * 2004-12-13 2006-06-22 Nikkiso Co., Ltd. 単層カーボンナノチューブの製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4106892A (en) 1975-12-04 1978-08-15 Kureha Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Apparatus for heat treatment using downwardly swirling hot gas flow
EP0028086A1 (en) 1979-10-29 1981-05-06 Sykes Construction Services Limited Material transporting apparatus
JPH01207419A (ja) * 1988-02-10 1989-08-21 Nkk Corp 気相成長炭素繊維の製造方法
JPH10314963A (ja) 1997-05-22 1998-12-02 Daido Steel Co Ltd ガスシールド方法およびガスシールド装置
JP4065616B2 (ja) * 1998-12-11 2008-03-26 日機装株式会社 気相成長炭素繊維製造装置
WO2001016414A1 (fr) * 1999-09-01 2001-03-08 Nikkiso Company Limited Matiere fibreuse de carbone, dispositif de production et procede de production de ladite matiere, et dispositif de prevention de depot de ladite matiere
JP4000258B2 (ja) * 2000-12-28 2007-10-31 日機装株式会社 気相成長炭素繊維の製造方法
EP1445236A1 (fr) 2003-02-05 2004-08-11 Université de Liège Procédé et installation pour la fabrication de nanotubes de carbone
RU2005141129A (ru) 2003-06-10 2006-06-10 Франтиер Карбон Корпорейшн (Jp) Способ получения фуллеренов
JP3861075B2 (ja) 2003-06-17 2006-12-20 フロンティアカーボン株式会社 フラーレンの製造方法及びその設備
US20050129607A1 (en) 2003-12-16 2005-06-16 Hiroaki Takehara Method for producing fullerenes
US20050163696A1 (en) * 2004-01-28 2005-07-28 Uhm Han S. Synthesis of carbon nanotubes by making use of microwave plasma torch
JP2006198463A (ja) 2005-01-18 2006-08-03 Jfe Steel Kk 固体が析出する気体の冷却装置
JP2006315889A (ja) * 2005-05-11 2006-11-24 Bussan Nanotech Research Institute Inc 炭素質スケールの除去方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11107052A (ja) * 1997-09-30 1999-04-20 Nikkiso Co Ltd 気相成長炭素繊維の連続製造装置及び気相成長炭素繊維の連続製造方法
JP2001073231A (ja) 1999-09-01 2001-03-21 Nikkiso Co Ltd 炭素繊維質物製造装置、炭素繊維質物の製造方法及び炭素繊維質物付着防止装置
JP2001115342A (ja) 1999-10-08 2001-04-24 Nikkiso Co Ltd 微細気相成長炭素繊維製造装置、微細気相成長炭素繊維の製造方法、微細気相成長炭素繊維付着防止装置及び微細気相成長炭素繊維
JP2005179122A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Frontier Carbon Corp フラーレン含有煤の搬送方法及び搬送装置
WO2006055678A2 (en) * 2004-11-17 2006-05-26 Honda Motor Co., Ltd. Catalyst for synthesis of carbon single-walled nanotubes
WO2006064760A1 (ja) * 2004-12-13 2006-06-22 Nikkiso Co., Ltd. 単層カーボンナノチューブの製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2236460A4

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012046841A (ja) * 2010-08-26 2012-03-08 Teijin Ltd カーボンナノチューブ連続繊維の製造方法およびその製造装置
JP2014521584A (ja) * 2011-07-28 2014-08-28 ナノコンプ テクノロジーズ,インク. ナノスケールで配向したカーボンナノチューブのためのシステムおよび方法
JP2020507555A (ja) * 2017-02-13 2020-03-12 ファウンデーション オブ スンシル ユニヴァーシティ インダストリー コーポレーション カーボンナノチューブ集合体製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2236460A1 (en) 2010-10-06
JPWO2009093370A1 (ja) 2011-05-26
TW200932667A (en) 2009-08-01
CN101910061B (zh) 2013-08-28
US8557190B2 (en) 2013-10-15
JP5282043B2 (ja) 2013-09-04
CA2711378A1 (en) 2009-07-30
RU2010133891A (ru) 2012-02-27
CN101910061A (zh) 2010-12-08
EP2236460A4 (en) 2012-01-11
IL206717A0 (en) 2010-12-30
US20100296983A1 (en) 2010-11-25
KR20100108599A (ko) 2010-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5282043B2 (ja) カーボンナノチューブ製造装置
JP5159513B2 (ja) 炭素ナノチューブの合成装置
JP5735234B2 (ja) カーボンナノチューブ連続繊維の製造方法およびその製造装置
WO2001016414A1 (fr) Matiere fibreuse de carbone, dispositif de production et procede de production de ladite matiere, et dispositif de prevention de depot de ladite matiere
US8052940B2 (en) Apparatus for synthesizing carbon nanotubes
US20190006151A1 (en) Apparatus and method for plasma synthesis of carbon nanotubes
JP2009539742A (ja) カーボンナノファイバーの製造
JP4177533B2 (ja) 微細気相成長炭素繊維製造装置、微細気相成長炭素繊維の製造方法、微細気相成長炭素繊維付着防止装置及び微細気相成長炭素繊維
KR100360686B1 (ko) 탄소나노튜브 또는 탄소나노섬유 합성용 기상합성장치 및이를 사용한 합성 방법
JP4394981B2 (ja) 原料ガス供給ノズル、カーボンナノファイバー製造装置、およびカーボンナノファイバーの製造方法
CN111348642B (zh) 一种浮动催化法制备单壁碳纳米管的装置及方法
KR20170119372A (ko) 온도조절 수단이 구비된 유동층 반응기 및 이를 이용한 탄소나노구조물의 제조방법
JP7503146B2 (ja) 浮力誘導伸長流によるcntフィラメント形成
JP2005041752A (ja) 内部加熱体装備反応管装置
JP2001073231A (ja) 炭素繊維質物製造装置、炭素繊維質物の製造方法及び炭素繊維質物付着防止装置
JPH11107052A (ja) 気相成長炭素繊維の連続製造装置及び気相成長炭素繊維の連続製造方法
KR101143845B1 (ko) 탄소나노튜브 합성용 촉매 제조 장치
KR101072252B1 (ko) 탄소나노튜브 합성 장치
KR101350198B1 (ko) 탄소나노튜브 합성 방법 및 장치
JP4987822B2 (ja) ナノカーボン生成炉
KR101016031B1 (ko) 탄소나노튜브 합성 장치
JPH01229818A (ja) 炭素繊維の製造方法
JP2009155181A (ja) カーボンナノチューブ製造装置
JPH08301699A (ja) 気相成長炭素繊維の連続製造装置および気相成長炭素繊維の連続製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200880125329.3

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 08871384

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2008871384

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2008871384

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2711378

Country of ref document: CA

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12863528

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2009550425

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20107018499

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010133891

Country of ref document: RU