JPH10314963A - ガスシールド方法およびガスシールド装置 - Google Patents
ガスシールド方法およびガスシールド装置Info
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- JPH10314963A JPH10314963A JP15002897A JP15002897A JPH10314963A JP H10314963 A JPH10314963 A JP H10314963A JP 15002897 A JP15002897 A JP 15002897A JP 15002897 A JP15002897 A JP 15002897A JP H10314963 A JPH10314963 A JP H10314963A
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- heated
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シールドガスの温度不均一に起因する加熱ム
ラが生じないようなガスシールド方法およびガスシール
ド装置を提供する。 【解決手段】 誘導加熱コイル１と、前記誘導加熱コイ
ル１の前後に配設されたガス噴射パイプ３とをガスジャ
ケット２内に備えてなるガスシールド装置Ａを用い、前
記ガス噴射パイプ内面３ａに所定角度で設けられた噴射
ノズル４によりシールドガスを被加熱材Ｐの周囲に旋回
流を形成するように噴射するものである。
ラが生じないようなガスシールド方法およびガスシール
ド装置を提供する。 【解決手段】 誘導加熱コイル１と、前記誘導加熱コイ
ル１の前後に配設されたガス噴射パイプ３とをガスジャ
ケット２内に備えてなるガスシールド装置Ａを用い、前
記ガス噴射パイプ内面３ａに所定角度で設けられた噴射
ノズル４によりシールドガスを被加熱材Ｐの周囲に旋回
流を形成するように噴射するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガスシールド方法
およびガスシールド装置に関する。さらに詳しくは、水
平に配設された部材の加熱部が均一に加熱されるガスシ
ールド方法およびガスシールド装置に関する。
およびガスシールド装置に関する。さらに詳しくは、水
平に配設された部材の加熱部が均一に加熱されるガスシ
ールド方法およびガスシールド装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】拡散接合装置における接合部の誘導加熱
においては、加熱部が空気中の酸素などの侵入により悪
影響を受けないようにするため、図３に示すように、誘
導加熱コイル１をガスジャケット２でカバーするととも
に、ガス噴射パイプ３を誘導加熱コイル１の前後に沿わ
せて配設してなるガスシールド装置Ａ´を用い、そして
そのガス噴射パイプ３に所定ピッチで設けられた噴射ノ
ズル４からアルゴンなどのイナートガス（シールドガ
ス）を加熱部の全周に噴射して加熱部の保護すること、
つまり加熱部のガスシールドが提案ないしは検討されて
いる。
においては、加熱部が空気中の酸素などの侵入により悪
影響を受けないようにするため、図３に示すように、誘
導加熱コイル１をガスジャケット２でカバーするととも
に、ガス噴射パイプ３を誘導加熱コイル１の前後に沿わ
せて配設してなるガスシールド装置Ａ´を用い、そして
そのガス噴射パイプ３に所定ピッチで設けられた噴射ノ
ズル４からアルゴンなどのイナートガス（シールドガ
ス）を加熱部の全周に噴射して加熱部の保護すること、
つまり加熱部のガスシールドが提案ないしは検討されて
いる。
【０００３】また、パイプなどの中空被加熱材Ｐを加熱
する場合には、図４に示すように、パイプなどの中空被
加熱材Ｐ内部に冷却シールドパイプ７を配設して加熱部
のガスシールドすることも提案ないしは検討されてい
る。
する場合には、図４に示すように、パイプなどの中空被
加熱材Ｐ内部に冷却シールドパイプ７を配設して加熱部
のガスシールドすることも提案ないしは検討されてい
る。
【０００４】なお、図３において、符号５はイナートガ
ス供給源を示し、符号６は高周波電源を示す。
ス供給源を示し、符号６は高周波電源を示す。
【０００５】しかしながら、前記提案ないしは検討され
ている構造のガスシールド装置Ａ´においては、図４に
示すように、ガス噴射パイプ３に設けられた噴射ノズル
４からイナートガスがパイプなどの被接合材Ｐの外周に
向けて垂直に吹き付けるようにされている、つまりラジ
アル方向に吹き付けるようにされているため、パイプな
どの被接合材Ｐが水平に配置されている場合、加熱部に
吹き付けられて温度が上昇したイナートガスがガスジャ
ケット２の上部に滞留する一方、温度の上昇していない
イナートガスがガスジャケット２の下部に滞留する。す
なわち、ガスジャケット２内のイナートガスに温度不均
一が発生する。
ている構造のガスシールド装置Ａ´においては、図４に
示すように、ガス噴射パイプ３に設けられた噴射ノズル
４からイナートガスがパイプなどの被接合材Ｐの外周に
向けて垂直に吹き付けるようにされている、つまりラジ
アル方向に吹き付けるようにされているため、パイプな
どの被接合材Ｐが水平に配置されている場合、加熱部に
吹き付けられて温度が上昇したイナートガスがガスジャ
ケット２の上部に滞留する一方、温度の上昇していない
イナートガスがガスジャケット２の下部に滞留する。す
なわち、ガスジャケット２内のイナートガスに温度不均
一が発生する。
【０００６】また、冷却シールドパイプ７からもイナー
トガスがパイプなどの被接合材Ｐの内周に向けて垂直に
吹き付けるようにされている、つまりラジアル方向に吹
き付けるようにされているため、パイプなどの被接合材
Ｐが水平に配置されている場合、加熱部に吹き付けられ
て温度が上昇したイナートガスがパイプなどの被加熱材
Ｐの上部に滞留する一方、温度の上昇していないイナー
トガスがパイプなどの被加熱材Ｐの下部に滞留する。す
なわち、パイプなどの被接合材Ｐ内のイナートガスに温
度不均一が発生する。
トガスがパイプなどの被接合材Ｐの内周に向けて垂直に
吹き付けるようにされている、つまりラジアル方向に吹
き付けるようにされているため、パイプなどの被接合材
Ｐが水平に配置されている場合、加熱部に吹き付けられ
て温度が上昇したイナートガスがパイプなどの被加熱材
Ｐの上部に滞留する一方、温度の上昇していないイナー
トガスがパイプなどの被加熱材Ｐの下部に滞留する。す
なわち、パイプなどの被接合材Ｐ内のイナートガスに温
度不均一が発生する。
【０００７】そして、このようなガスジャケット２およ
びパイプなどの被接合材Ｐ内の温度不均一が発生する
と、パイプなどの被接合材Ｐの加熱が均一になされなく
なり、接合部の品質の低下や接合部の強度低下を招来す
る。
びパイプなどの被接合材Ｐ内の温度不均一が発生する
と、パイプなどの被接合材Ｐの加熱が均一になされなく
なり、接合部の品質の低下や接合部の強度低下を招来す
る。
【０００８】なお、このような問題は、ガスジャケット
を用いてガスシールドを行っている高周波焼入れにおい
ても同様に発生する。
を用いてガスシールドを行っている高周波焼入れにおい
ても同様に発生する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来技
術の課題に鑑みなされたものであって、シールドガスの
温度不均一に起因する加熱ムラが生じないようなガスシ
ールド方法およびガスシールド装置を提供することを目
的としている。
術の課題に鑑みなされたものであって、シールドガスの
温度不均一に起因する加熱ムラが生じないようなガスシ
ールド方法およびガスシールド装置を提供することを目
的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のガスシールド方
法の第１形態は、被加熱材が水平に配置されている場合
におけるガスシールド方法であって、シールドガスを被
加熱材の周囲に旋回流を形成するようにして噴射させる
ことを特徴とする。
法の第１形態は、被加熱材が水平に配置されている場合
におけるガスシールド方法であって、シールドガスを被
加熱材の周囲に旋回流を形成するようにして噴射させる
ことを特徴とする。
【００１１】本発明のガスシールド方法の第２形態は、
パイプ等の中空被加熱材が水平に配置されている場合に
おけるガスシールド方法であって、シールドガスを被加
熱材の内周および外周に旋回流を形成するようにして噴
射させることを特徴とする。
パイプ等の中空被加熱材が水平に配置されている場合に
おけるガスシールド方法であって、シールドガスを被加
熱材の内周および外周に旋回流を形成するようにして噴
射させることを特徴とする。
【００１２】一方、本発明のガスシールド装置の第１形
態は、誘導加熱手段と、前記誘導加熱手段の前後に配設
されたガス噴射手段とをガスジャケット内に備えてなる
ガスシールド装置であって、前記ガス噴射手段が、シー
ルドガスを被加熱材の周囲に旋回流を形成するように噴
射するように構成されていることを特徴とする。
態は、誘導加熱手段と、前記誘導加熱手段の前後に配設
されたガス噴射手段とをガスジャケット内に備えてなる
ガスシールド装置であって、前記ガス噴射手段が、シー
ルドガスを被加熱材の周囲に旋回流を形成するように噴
射するように構成されていることを特徴とする。
【００１３】本発明のガスシールド装置の第１形態にお
いては、前記ガス噴射手段は、例えば被加熱材に対して
所定角度に傾斜されてなる噴射ノズルまたは噴射孔を所
定ピッチで有してなるものとされる。
いては、前記ガス噴射手段は、例えば被加熱材に対して
所定角度に傾斜されてなる噴射ノズルまたは噴射孔を所
定ピッチで有してなるものとされる。
【００１４】本発明のガスシールド装置の第２形態は、
誘導加熱手段と前記誘導加熱手段の前後に配設されたガ
ス噴射手段とを有するガスジャケットと、パイプなどの
中空被加熱材内に配設される冷却シールド手段とを備え
てなるガスシールド装置であって、前記ガス噴射手段
が、シールドガスを被加熱材の外周に旋回流を形成する
ように噴射するように構成され、前記冷却シールド手段
が、シールドガスを被加熱材の内周に旋回流を形成する
ように噴射するように構成されていることを特徴とす
る。
誘導加熱手段と前記誘導加熱手段の前後に配設されたガ
ス噴射手段とを有するガスジャケットと、パイプなどの
中空被加熱材内に配設される冷却シールド手段とを備え
てなるガスシールド装置であって、前記ガス噴射手段
が、シールドガスを被加熱材の外周に旋回流を形成する
ように噴射するように構成され、前記冷却シールド手段
が、シールドガスを被加熱材の内周に旋回流を形成する
ように噴射するように構成されていることを特徴とす
る。
【００１５】本発明のガスシールド装置の第２形態にお
いては、前記ガス噴射手段は、例えば被加熱材に対して
所定角度に傾斜されてなる噴射ノズルまたは噴射孔を所
定ピッチで有し、前記冷却シールド手段は、例えば被加
熱材に対して所定角度に傾斜されてなる噴射ノズルまた
は噴射孔を所定ピッチで有してなるものとされる。
いては、前記ガス噴射手段は、例えば被加熱材に対して
所定角度に傾斜されてなる噴射ノズルまたは噴射孔を所
定ピッチで有し、前記冷却シールド手段は、例えば被加
熱材に対して所定角度に傾斜されてなる噴射ノズルまた
は噴射孔を所定ピッチで有してなるものとされる。
【００１６】
【作用】本発明においてはシールドガスが被加熱材の周
囲に旋回流を形成するようにして噴射される。そのた
め、加熱されたシールドガスのガスジャケット上部での
滞留が防止されるので、加熱部の周囲のシールドガスの
温度が均一となる。したがって、加熱部のシールドガス
の温度不均一による加熱ムラが防止される。
囲に旋回流を形成するようにして噴射される。そのた
め、加熱されたシールドガスのガスジャケット上部での
滞留が防止されるので、加熱部の周囲のシールドガスの
温度が均一となる。したがって、加熱部のシールドガス
の温度不均一による加熱ムラが防止される。
【００１７】本発明の好ましい形態においては、パイプ
などの中空被加熱材の内周および外周にシールドガスの
旋回流が形成されるので、パイプなどの中空被加熱材の
加熱部の内外周のシールドガスの温度が均一となる。し
たがって、加熱部のシールドガスの温度不均一による加
熱ムラが防止される。
などの中空被加熱材の内周および外周にシールドガスの
旋回流が形成されるので、パイプなどの中空被加熱材の
加熱部の内外周のシールドガスの温度が均一となる。し
たがって、加熱部のシールドガスの温度不均一による加
熱ムラが防止される。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明を実施の形態に基づいて説明するが、本発明はかか
る実施の形態のみに限定されるものではない。
発明を実施の形態に基づいて説明するが、本発明はかか
る実施の形態のみに限定されるものではない。
【００１９】本発明のガスシールド方法に適用されるガ
スシールド装置Ａを図１に概略図で示す。
スシールド装置Ａを図１に概略図で示す。
【００２０】このガスシールド装置Ａは、図１および図
２に示すように、誘導加熱コイル１の前後に噴射ノズル
４を有するガス噴射パイプ３および冷却シールドパイプ
７を設けている点は図３および図４に示すものと同様で
あるが、図２に示すように、噴射ノズル４がガス噴射パ
イプ３の内周面３ａに所定角度に傾斜させて設けられて
いる点および冷却シールドパイプ７に所定角度に傾斜し
ている噴射ノズル８が設けられている点が図３および図
４に示すガスシールド装置Ａ´と異なる。なお、図１に
おいて、図３と同一の符号を付したものは、同一または
類似の構成要素を示す。
２に示すように、誘導加熱コイル１の前後に噴射ノズル
４を有するガス噴射パイプ３および冷却シールドパイプ
７を設けている点は図３および図４に示すものと同様で
あるが、図２に示すように、噴射ノズル４がガス噴射パ
イプ３の内周面３ａに所定角度に傾斜させて設けられて
いる点および冷却シールドパイプ７に所定角度に傾斜し
ている噴射ノズル８が設けられている点が図３および図
４に示すガスシールド装置Ａ´と異なる。なお、図１に
おいて、図３と同一の符号を付したものは、同一または
類似の構成要素を示す。
【００２１】次に、かかる構成とされているガスシール
ド装置Ａによるガスシールドについて説明する。
ド装置Ａによるガスシールドについて説明する。
【００２２】（１）被接合材、例えばパイプＰをガスシ
ールド装置Ａに水平にセットする。
ールド装置Ａに水平にセットする。
【００２３】（２）ガス噴射パイプ３および冷却シール
ドパイプ７にイナートガス供給源５よりイナートガスを
所定圧力で供給し、噴射ノズル４，８からシールドガス
を噴射する。この場合、噴射ノズル４はガス噴射パイプ
内面３ａに対して所定角度で傾斜しているため、噴射ノ
ズル４から噴射されたイナートガスはパイプＰ外周に沿
うような流れを形成する。また、噴射ノズル８から噴射
されたイナートガスはパイプＰ内周に沿うような流れを
形成する。すなわち、パイプの内外周にいわゆる旋回流
を形成する。
ドパイプ７にイナートガス供給源５よりイナートガスを
所定圧力で供給し、噴射ノズル４，８からシールドガス
を噴射する。この場合、噴射ノズル４はガス噴射パイプ
内面３ａに対して所定角度で傾斜しているため、噴射ノ
ズル４から噴射されたイナートガスはパイプＰ外周に沿
うような流れを形成する。また、噴射ノズル８から噴射
されたイナートガスはパイプＰ内周に沿うような流れを
形成する。すなわち、パイプの内外周にいわゆる旋回流
を形成する。
【００２４】（３）誘導加熱コイル１に高周波電源６よ
り通電してパイプＰを誘導加熱する。この場合、前述し
たようにイナートガスはパイプＰの内外周に旋回流を形
成しているので、パイプＰの加熱部内外周のイナートガ
ス温度は均一化されることになる。そのため、イナート
ガスの温度不均一に起因する加熱部の加熱ムラは生じな
い。
り通電してパイプＰを誘導加熱する。この場合、前述し
たようにイナートガスはパイプＰの内外周に旋回流を形
成しているので、パイプＰの加熱部内外周のイナートガ
ス温度は均一化されることになる。そのため、イナート
ガスの温度不均一に起因する加熱部の加熱ムラは生じな
い。
【００２５】このように、この実施の形態によれば、パ
イプなどの被接合材Ｐがガスシールド装置Ａに水平にセ
ットされて誘導加熱されたとしても、イナートガスに温
度不均一が発生しないため、加熱部が均一に加熱され
る。またそれにより、接合部の品質が向上するとともに
接合強度が増大する。
イプなどの被接合材Ｐがガスシールド装置Ａに水平にセ
ットされて誘導加熱されたとしても、イナートガスに温
度不均一が発生しないため、加熱部が均一に加熱され
る。またそれにより、接合部の品質が向上するとともに
接合強度が増大する。
【００２６】以上、本発明を実施の形態に基づいて説明
してきたが、本発明はかかる実施の形態のみに限定され
るものではない。例えば、実施の形態では拡散接合にお
けるガスシールドについて説明したが、高周波焼入れに
おけるガスシールドについても同様に適用できる。ま
た、噴射ノズルに代えて噴射孔としてもよい。
してきたが、本発明はかかる実施の形態のみに限定され
るものではない。例えば、実施の形態では拡散接合にお
けるガスシールドについて説明したが、高周波焼入れに
おけるガスシールドについても同様に適用できる。ま
た、噴射ノズルに代えて噴射孔としてもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明においては
イナートガスを加熱部の周囲に旋回流を形成するように
噴射させているので、イナートガスが加熱部により加熱
されたとしても、その加熱が均一になされる。したがっ
て、被加熱材が水平に配置されている場合であっても、
イナートガスの温度不均一による加熱の不均一が生じな
いため、加熱が均一になされ、加熱部の品質が向上する
という優れた効果が得られる。
イナートガスを加熱部の周囲に旋回流を形成するように
噴射させているので、イナートガスが加熱部により加熱
されたとしても、その加熱が均一になされる。したがっ
て、被加熱材が水平に配置されている場合であっても、
イナートガスの温度不均一による加熱の不均一が生じな
いため、加熱が均一になされ、加熱部の品質が向上する
という優れた効果が得られる。
【図１】本発明のガスシールド方法に適用されるガスシ
ールド装置の概略図である。
ールド装置の概略図である。
【図２】同ガスシールド装置に適用されているガス噴射
パイプの正面図である。
パイプの正面図である。
【図３】従来の提案に係るガスシールド装置の概略図で
ある。
ある。
【図４】同ガスシールド装置に適用されているガス噴射
パイプの正面図である。
パイプの正面図である。
１ 誘導加熱コイル ２ ガスジャケット ３ ガス噴射パイプ ４ 噴射ノズル ５ イナートガス供給源 ６ 高周波電源 ７ 冷却シールドパイプ ８ 噴射ノズル Ａ ガスシールド装置 Ｐ 被接合材、パイプ
Claims (6)
- 【請求項１】 被加熱材が水平に配置されている場合に
おけるガスシールド方法であって、シールドガスを被加
熱材の周囲に旋回流を形成するようにして噴射させるこ
とを特徴とするガスシールド方法。 - 【請求項２】 パイプなどの中空被加熱材が水平に配置
されている場合におけるガスシールド方法であって、シ
ールドガスを被加熱材の内周および外周に旋回流を形成
するようにして噴射させることを特徴とするガスシール
ド方法。 - 【請求項３】 誘導加熱手段と、前記誘導加熱手段の前
後に配設されたガス噴射手段とをガスジャケット内に備
えてなるガスシールド装置であって、 前記ガス噴射手段が、シールドガスを被加熱材の周囲に
旋回流を形成するように噴射するように構成されている
ことを特徴とするガスシールド装置。 - 【請求項４】 前記ガス噴射手段が、被加熱材に対して
所定角度に傾斜されてなる噴射ノズルまたは噴射孔を所
定ピッチで有してなることを特徴とする請求項３記載の
ガスシールド装置。 - 【請求項５】 誘導加熱手段と前記誘導加熱手段の前後
に配設されたガス噴射手段とを有するガスジャケット
と、パイプなどの中空被加熱材内に配設される冷却シー
ルド手段とを備えてなるガスシールド装置であって、 前記ガス噴射手段が、シールドガスを被加熱材の外周に
旋回流を形成するように噴射するように構成され、 前記冷却シールド手段が、シールドガスを被加熱材の内
周に旋回流を形成するように噴射するように構成されて
いることを特徴とするガスシールド装置。 - 【請求項６】 前記ガス噴射手段が、被加熱材に対して
所定角度に傾斜されてなる噴射ノズルまたは噴射孔を所
定ピッチで有し、 前記冷却シールド手段が、被加熱材に対して所定角度に
傾斜されてなる噴射ノズルまたは噴射孔を所定ピッチで
有してなることを特徴とする請求項５記載のガスシール
ド装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15002897A JPH10314963A (ja) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | ガスシールド方法およびガスシールド装置 |
| EP98103604A EP0862965A1 (en) | 1997-03-07 | 1998-03-02 | Gas shielding apparatus and gas shielding method |
| NO980924A NO980924L (no) | 1997-03-07 | 1998-03-04 | Gasskjermingsapparat og gasskjermingsfremgangsmåte |
| US09/035,107 US6083329A (en) | 1997-03-07 | 1998-03-05 | Gas shielding apparatus and gas shielding method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15002897A JPH10314963A (ja) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | ガスシールド方法およびガスシールド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10314963A true JPH10314963A (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=15487928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15002897A Withdrawn JPH10314963A (ja) | 1997-03-07 | 1997-05-22 | ガスシールド方法およびガスシールド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10314963A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2236460A1 (en) * | 2008-01-21 | 2010-10-06 | Nikkiso Co., Ltd. | Apparatus for producing carbon nanotube |
| CN109500484A (zh) * | 2018-08-19 | 2019-03-22 | 东莞市大为工业科技有限公司 | 原子焊扩散设备 |
-
1997
- 1997-05-22 JP JP15002897A patent/JPH10314963A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2236460A1 (en) * | 2008-01-21 | 2010-10-06 | Nikkiso Co., Ltd. | Apparatus for producing carbon nanotube |
| EP2236460A4 (en) * | 2008-01-21 | 2012-01-11 | Nikkiso Co Ltd | METHOD FOR PRODUCING CARBON NANOTUBES |
| US8557190B2 (en) | 2008-01-21 | 2013-10-15 | Nikkiso Co., Ltd. | Carbon nanotube synthesis process apparatus |
| CN109500484A (zh) * | 2018-08-19 | 2019-03-22 | 东莞市大为工业科技有限公司 | 原子焊扩散设备 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040803 |