WO2009037292A1 - Elektrisches vielschichtbauelement - Google Patents

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WO2009037292A1
WO2009037292A1 PCT/EP2008/062394 EP2008062394W WO2009037292A1 WO 2009037292 A1 WO2009037292 A1 WO 2009037292A1 EP 2008062394 W EP2008062394 W EP 2008062394W WO 2009037292 A1 WO2009037292 A1 WO 2009037292A1
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multilayer
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multilayer component
stiffening element
layer
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PCT/EP2008/062394
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Axel Pecina
Gerald Schlauer
Gernot Feiel
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Epcos Ag
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30Stacked capacitors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/005Electrodes
    • H01G4/012Form of non-self-supporting electrodes

Definitions

  • An electrical multilayer component with high bending strength is specified.
  • An object to be solved is to specify a multilayer component with increased bending strength.
  • An electrical multilayer component with a stack of dielectric layers and electrode layers lying one above another is stated, wherein an electrically insulated stiffening element of at least one electrode layer is arranged at a distance on the same dielectric layer as the electrode layer.
  • the stiffening element has a higher flexural strength than the surrounding dielectric material.
  • the multilayer component has an increased bending strength which has an effect, in particular, in the thickness direction. This means that it is bent to a reduced extent in frontal force, which may be laterally offset to each other and thereby cause a shearing action.
  • a multilayer device is provided with a low number of electrode layers and particularly thinly executable dielectric layers, but at the same time has a high flexural strength.
  • the number of dielectric layers need not be increased to increase the flexural strength of the multi-layered device.
  • An increased bending strength of the multilayer component could be advantageous during its transport or during its production, where it is exposed in particular to frontal forces. For example, this could take place when gripping the component for transport or for mounting on a printed circuit board.
  • the increased bending strength leads to an increased resistance to damage, for example to the kinking or breaking of dielectric layers or electrode layers.
  • the stiffening element can be applied to a dielectric layer of the stack in the same manufacturing step as an electrode layer, the number of process steps required to fabricate the multilayer device is advantageously reduced.
  • the at least one stiffening element or the stiffening structure has a shape which extends on the longitudinal side parallel to the electrode layer on the same dielectric.
  • it may be formed as a strip.
  • the stiffening structure is preferably uncontacted on all sides or surrounded by dielectric material.
  • the stiffening structure is formed according to an embodiment as a layer on a dielectric layer. However, it may also be buried in the dielectric layer.
  • the multilayer component has electrical contacts which are contacted with electrode layers and formed as a layer, which respectively contact electrode layers of a common electrical pole.
  • electrical contacts which are contacted with electrode layers and formed as a layer, which respectively contact electrode layers of a common electrical pole.
  • it may also be provided external contacts in the form of pins or wires.
  • adjacent electrode layers of opposing electrical pole can form a capacitance together with a dielectric layer.
  • Counter-pole electrode layers may be arranged one above the other in a comb-like manner relative to one another in the stacking direction and have overlapping surfaces present in orthogonal projection.
  • Each electrode layer is connected at one end to an external contact and spaced at the other end from the opposite polarity external contact.
  • a plurality of stiffening structures may be arranged on the same dielectric layer.
  • a stiffening structure is arranged toward one side surface of the multilayer component and a further stiffening structure is arranged toward the other side surface.
  • a plurality of spaced apart stiffening structures can be arranged on both side surfaces. The side surfaces are those on which no external contact is arranged. This will reduce the likelihood of short circuits between the External contact and a reverse pole electrode layer avoided.
  • the stiffening structures contain a same material as might be contained in an electrode layer. This may be an electrically conductive material, such as metal. According to the amount of the electrically conductive material contained in the stiffening structure, it is arranged on the dielectric layer spaced apart from the electrode layers and from the external contacts.
  • the stiffening structure is highly electrically insulating, the distance to the electrode layers and the external contacts can be minimized. This has the advantage that the stiffening structure could have a larger area and thus the multilayer component is offered an even higher flexural strength. At the same time, the electrically insulating property of the stiffening structure reduces the probability of electrical crosstalk between the electrode layers or the external contacts.
  • the stiffening structures have the material property of being particularly heat-resistant. In this case, they preferably withstand temperatures between 900 ° C. and 1300 ° C.
  • the structure and rigidity of the stiffening structure should be preserved during the production of the multilayer component, for example during a temperature treatment such as, for example, sintering.
  • the stiffening structures comprise a preferably electrically insulating ceramic material having a higher flexural strength than the surrounding material of the dielectric layers.
  • the sintering shrinkage properties of the stiffening structures are adapted to the carrier material or to the dielectric material on which the stiffening structures are arranged or embedded.
  • a stiffening structure together with the electrode material may include an addition of the ceramic base material of the layer stack, i. the ceramic used for the ceramic layers of the stack.
  • the additive can be selected from at least one of the materials barium titanate, barium neodymium titanate, zinc oxide, cobalt manganese spinel.
  • non-stoichiometric variants of the ceramic base material can be used as an additive for the stiffening structure, for example in order to modify its sintering shrinkage.
  • internal stresses can be induced in the ceramic layer stack.
  • a tensile stress is thereby induced, that is, the stiffening structure or its printed ceramic additive has a slightly higher shrinkage than the ceramic base material of the stack.
  • a development of the electrical multilayer component provides that a ground electrode is arranged on a dielectric layer of the stack and at one end with a ground contact arranged on an outer surface of the stack is contacted.
  • the ground contact could be arranged on the same outer surface of the multilayer component between the external contacts contacting the electrode layers.
  • Several ground electrodes could be arranged between respectively adjacent dielectric layers or electrode layers.
  • a ground electrode can advantageously be used to give the multilayer component a favorable filter behavior, in which case it can dissipate overvoltages or the associated high-frequency interference and thereby protect the multilayer component against overstressing. It can be arranged next to each ground electrode, a stiffening structure.
  • switching elements may also be integrated in the multilayer component, such as, for example, resistance structures or inductors or strip lines.
  • a combination of such switching elements together with the stiffening structures offers the possibility of creating a multilayer component with a multiplicity of filter functions with simultaneously increased flexural strength.
  • the outer surface of the stack is at least partially passivated.
  • the passivation of the stack has the advantage of protecting the materials of the stack, for example the dielectric layers, electrode layers or the functional layers of the stack, from external chemical or mechanical influences. As a result, more constant electrical characteristics of the multilayer component can be achieved.
  • the passivation of the stack or the multi-layer component is achieved by a glass-containing, applied to at least one outer surface of the stack layer.
  • the passivation could also be achieved by means of a ceramic-containing layer on the outer surface of the stack.
  • the ceramic-containing layer preferably contains one of the following materials: ZrO x , MgO, AlO x , where x is a number ⁇ 1.
  • Multilayer devices preferably contain an alloy of the following materials: silver, palladium, nickel, copper.
  • the external contacts, which are contacted with the electrode layers preferably have a material which is common to the electrode layers and which promotes the contacting of the two with one another.
  • the dielectric layers contain a
  • Capacitor ceramic for example from classes X7R or COG. So executed and alternately with
  • Electrode layers arranged side by side dielectric layers may form a multilayer capacitor.
  • the dielectric layers contain a varistor ceramic.
  • a stack of dielectric layers thus formed forms one together with electrode layers
  • the varistor ceramic preferably comprises zinc oxide (ZnO).
  • the dielectric layers are preferably each made with a thickness of less than 1 micron to about 30 microns.
  • the electrical multilayer component a plurality of stacks of electrode layers are arranged next to one another, wherein the electrode layers of different stacks can be arranged on common dielectric layers.
  • the multilayer component has an array of multilayer structures, which can all be arranged in the same multilayer component. Since the multilayer component is preferably constructed monolithically, this means that a plurality of multilayer structures can be contained monolithically as an array in a single stack or basic body.
  • one or more stiffening structures of the type described can be arranged.
  • the multilayer component designed as an array having multilayer structures, where stacks of electrode layers are arranged next to one another and therefore the areal extent of the multilayer component increases, it is of particular advantage if the multilayer component is provided with an increased flexural strength by means of the stiffening structures.
  • the stacks of electrode layers can be arranged both longitudinally and laterally next to each other.
  • a multilayer varistor and a multilayer capacitor can be integrated as multilayer structures in the same multilayer component.
  • the multilayer component could be designed as an Ü filter.
  • the dielectric layers include a nonlinear resistive material, such as an NTC or a PTC material. If a plurality of such dielectric layers are arranged alternately with electrode layers next to one another, a multilayer NTC structure or a multilayer PTC structure can be created, wherein the multilayer structures could be integrated with the already mentioned other multilayer structures in the same multilayer component.
  • a nonlinear resistive material such as an NTC or a PTC material.
  • electrical multilayer devices can produce with a possibly large number of electrical functions, which nevertheless have a small size with high bending strength.
  • FIG. 1 shows a plan view of a multilayer component with electrically insulating stiffening structures
  • FIG. 2 shows a lateral cross-sectional view of the multilayer component shown in FIG. 1 in plan view.
  • FIG. 1 is a sectional view onto a plane of a multilayer component designed as a multilayer capacitor.
  • the multilayer component comprises a stack 1 of dielectric layers 2 and electrode layers 3 arranged on top of one another.
  • the electrode layers 3 are shaped as elongated rectangles and are in each case contacted at one end with an identically poled external contact 4a or 4b.
  • an elongated stiffening structure 5 containing the same material as the electrode layer, for example palladium or an alloy thereof with another electrically conductive material. It extends approximately from an insulating zone, where opposing polar electrode layers do not overlap in orthogonal projection, to the laterally opposite insulating zone of the multilayer component.
  • the stiffening structure 5 is surrounded on all sides by the dielectric material and can therefore be regarded as a "floating" stiffening structure
  • the arrangement shown in the top view repeats itself at least partially over the height of the stack 1.
  • the stack 1 can be joined with others Ceramic layers or with a glass-containing layer (not shown) be provided for passivation purposes.
  • FIG. 2 is a longitudinal section of the multilayer component shown in FIG. 1, wherein the stacking mode is shown by electrode layers 3 and dielectric layers 2 and stiffening structures 5 arranged in the same plane next to the electrode layers. Also will be External contacts 4a, 4b shown, which can be baked as strips on side surfaces of the multilayer component. Optionally, the external contacts can laterally clamp the multilayer component, so that they give it the possibility of contacting on the bottom side.
  • FIGS. 1 and F2 are shown which represent different forces acting on the multilayer component. If the multilayer component of a first force Fl, based on the lateral dimension of the multilayer component, exposed on its first half, and on its second half a second force F2 with less or greater strength, so arise in the multilayer component mechanical stresses that him or his could damage components. The forces could originate laterally offset from different directions or lead in different directions, such as a first force on the top side and a second force on the bottom side of the multilayer component.
  • the multilayer component has a sufficiently high flexural strength in order to withstand without damage the mechanical forces acting at least during its manufacture and during its transport.

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Abstract

Es wird ein elektrisches Vielschichtbauelement angegeben, aufweisend einen Stapel (1) von übereinander liegenden dielektrischen Schichten (2) und Elektrodenschichten (3), wobei ein elektrisch isolierendes Versteifungselement (5) von zumindest einer Elektrodenschicht beabstandet auf derselben dielektrischen Schicht angeordnet ist, wie die Elektrodenschicht, und das Versteifungselement eine erhöhte Biegefestigkeit aufweist, als ein sie umgebendes dielektrisches Material.

Description

Beschreibung
Elektrisches VielSchichtbauelement
Es wird ein elektrisches Vielschichtbauelement mit hoher Biegefestigkeit angegeben.
Aus JP 09-266126 ist ein elektrisches Vielschichtbauelement bekannt .
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Vielschichtbauelement mit erhöhter Biegefestigkeit anzugeben.
Es wird ein elektrisches Vielschichtbauelement mit einem Stapel von übereinander liegenden dielektrischen Schichten und Elektrodenschichten angegeben, wobei ein elektrisch isoliertes Versteifungselement von zumindest einer Elektrodenschicht beabstandet auf derselben dielektrischen Schicht angeordnet ist, wie die Elektrodenschicht. Das Versteifungselement weist eine höhere Biegefestigkeit auf, als das sie umgebende dielektrische Material.
Das Vielschichtbauelement weist eine sich insbesondere in Dickenrichtung auswirkende erhöhte Biegefestigkeit auf. Das bedeutet, dass es bei stirnseitigen Krafteinwirkungen, die lateral zueinander versetzt sein können und dadurch eine Scherwirkung hervorrufen, in reduziertem Maße gebogen wird.
Das Aufbringen einer oder mehrerer elektrisch nicht aktiver Verstärkungselemente in der Ebene einer Elektrodenschicht im Stapel des Vielschichtbauelements erlaubt die Realisierung verhältnismäßig niedriger Kapazitätswerte unter Vermeidung einer Abnahme der Biegefestigkeit des Vielschichtbauelements. Mit der beschriebenen Konstruktion wird ein Vielschichtbauelement mit einer niedrigen Anzahl von Elektrodenschichten und besonders dünn ausführbaren dielektrischen Schichten geboten, es aber gleichzeitig eine hohe Biegefestigkeit aufweist. Die Anzahl der dielektrischen Schichten muss nicht erhöht werden, um die Biegefestigkeit des Vielschichtbauelements zu erhöhen.
Eine erhöhte Biegefestigkeit des Vielschichtbauelements könnte während seines Transports bzw. während seiner Herstellung von Vorteil sein, wo es insbesondere stirnseitigen Krafteinwirkungen ausgesetzt wird. Beispielsweise könnte dies beim Greifen des Bauelements für den Transport bzw. für die Montage auf eine Leiterplatte stattfinden. Die erhöhte Biegefestigkeit führt dabei zur einer erhöhten Resistenz gegenüber Beschädigungen, wie beispielsweise gegenüber dem Abknicken bzw. Abbrechen von dielektrischen Schichten bzw. Elektrodenschichten.
Da das Versteifungselement in demselben Herstellungsschritt auf eine dielektrische Schicht des Stapels aufgebracht werden kann, wie eine Elektrodenschicht, wird darüber hinaus die Anzahl der zur Herstellung des Vielschichtbauelements nötigen Prozessschritte vorteilhafterweise reduziert.
Vorzugsweise weist das zumindest eine Versteifungselement bzw. die Versteifungsstruktur eine Form auf, die längsseitig parallel zur Elektrodenschicht auf derselben dielektrischen verläuft. Insbesondere kann sie als Streifen ausgebildet sein. Neben ihren elektrisch isolierenden Eigenschaften ist die Versteifungsstruktur vorzugsweise auf allen Seiten unkontaktiert bzw. von dielektrischem Material umgeben. Die Versteifungsstrukur ist gemäß einer Ausführungsform als Schicht auf einer dielektrischen Schicht ausgebildet. Sie kann jedoch auch in der dielektrischen Schicht vergraben sein .
Gemäß einer Ausführungsform weist das Vielschichtbauelement mit Elektrodenschichten kontaktierte elektrische, als Schicht ausgebildete Außenkontakte auf, die jeweils Elektrodenschichten eines gemeinsamen elektrischen Pols kontaktieren. Es können jedoch auch Außenkontakte in der Form von Stiften oder Drähten vorgesehen sein.
In Stapelrichtung benachbarte Elektrodenschichten gegensätzlichen elektrischen Pols können zusammen mit einer dielektrischen Schicht eine Kapazität bilden. Gegenpolige Elektrodenschichten können in Stapelrichtung relativ zueinander kammartig übereinander angeordnet sein und in orthogonaler Projektion vorhandene Überlappflächen aufweisen. Jede Elektrodenschicht ist an einem Ende mit einem Außenkontakt verbunden und mit dem anderen Ende vom gegenpoligen Außenkontakt beabstandet.
Neben einer jeden Elektrodenschicht können mehrere Versteifungsstrukturen auf derselben dielektrischen Schicht angeordnet sein. Beispielsweise ist zu einer Seitenfläche des Vielschichtbauelements hin eine Versteifungsstruktur und zur anderen Seitenfläche hin eine weitere Versteifungsstruktur angeordnet. Zu beiden Seitenflächen hin können mehrere, voneinander beabstandete Versteifungsstrukturen angeordnet sein. Die Seitenflächen sind dabei diejenigen, an denen kein Außenkontakt angeordnet ist. Dadurch wird die Wahrscheinlichkeit von Kurzschlüssen zwischen dem Außenkontakt und einer gegenpoligen Elektrodenschicht vermieden .
Gemäß einer Ausführungsform des Vielschichtbauelements enthalten die Versteifungsstrukturen ein gleiches Material, wie es in einer Elektrodenschicht enthalten sein könnte. Dabei kann es sich um ein elektrisch leitfähiges Material handeln, wie zum Beispiel Metall. Entsprechend der Menge des in der Versteifungsstruktur enthaltenden, elektrisch leitfähigen Materials ist diese auf der dielektrischen Schicht von den Elektrodenschichten und von den Außenkontakten beabstandet angeordnet bzw. räumlich von diesen getrennt.
Ist dagegen die Versteifungsstruktur in hohem Maße elektrisch isolierend, kann der Abstand zu den Elektrodenschichten und den Außenkontakten minimiert werden. Das hat den Vorteil, dass die Versteifungsstruktur eine größere Fläche aufweisen könnte und dadurch dem Vielschichtbauelement eine noch höhere Biegefestigkeit geboten wird. Gleichzeitig wird durch die elektrisch isolierende Eigenschaft der Versteifungsstruktur die Wahrscheinlichkeit eines elektrischen Übersprechens zwischen den Elektrodenschichten bzw. den Außenkontakten reduziert .
Die Versteifungsstrukturen weisen die Materialeigenschaft auf, besonders hitzebeständig zu sein. Dabei überstehen sie vorzugsweise Temperaturen zwischen 900 C und 1300 C. Insbesondere soll die Struktur und Steifigkeit der Versteifungsstruktur während der Herstellung des Vielschichtbauelements, beispielsweise während einer Temperaturbehandlung wie zum Beispiel Sintern, erhalten bleiben . Gemäß einer Ausführungsform enthalten die Versteifungsstrukturen ein vorzugsweise elektrisch isolierendes keramisches Material mit einer höheren Biegefestigkeit, als das umliegende Material der dielektrischen Schichten. Vorzugsweise sind die Sinterschwundeigenschaften der Versteifungsstrukturen an das Trägermaterial bzw. an das dielektrische Material, auf dem die Versteifungsstrukturen angeordnet sind bzw. eingebettet sind, angepasst.
Neben reinem Elektrodenmaterial, wie zum Beispiel Silber, Silber-Palladium, Silber-Platin, Palladium, Platin, Nickel oder Kupfer, können andere Materialien in der
Versteifungsstruktur enthalten sein. Beispielsweise kann eine Versteifungsstruktur zusammen mit dem Elektrodenmaterial ein Zusatz des keramischen Grundmaterials des Schichtstapels, d.h. der Keramik, die für die keramischen Schichten des Stapels verwendet wird, enthalten. So kann der Zusatz gewählt sein aus zumindest einem der Materialien Bariumtitanat, Barium-Neodymtitanat, Zinkoxid, Kobalt-Mangan-Spinell. Es können darüber hinaus nichtstöchiometrische Varianten des keramischen Grundmaterials als Zusatz für die Versteifungsstruktur verwendet werden, beispielsweise um deren Sinterschwund zu modifizieren. So können im keramischen Schichtstapel gezielt innere Spannungen induziert werden. Vorzugsweise wird dabei eine Zugspannung induziert, d.h., die Versteifungsstruktur bzw. deren aufgedruckter keramischer Zusatz weist einen leicht höheren Schwund auf als das keramische Grundmaterial des Stapels.
Eine Weiterbildung des elektrischen Vielschichtbauelements sieht vor, dass eine Masseelektrode auf einer dielektrischen Schicht des Stapels angeordnet ist und an einem Ende mit einem an einer Außenfläche des Stapels angeordneten Massekontakt kontaktiert ist. Der Massekontakt könnte dabei auf derselben Außenfläche des Vielschichtbauelements zwischen den die Elektrodenschichten kontaktierenden Außenkontakten angeordnet sein. Es könnten mehrere Masseelektroden zwischen jeweils nebeneinander angeordneten dielektrischen Schichten bzw. Elektrodenschichten angeordnet sein. Eine Masseelektrode kann vorteilhafterweise dazu genutzt werden, dem Vielschichtbauelement ein günstiges Filterverhalten zu verleihen, wobei sie Überspannungen bzw. damit einhergehende hochfrequente Störungen ableiten kann und dadurch das Vielschichtbauelement vor Überbeanspruchung schützt. Es kann neben jeder Masseelektrode eine Versteifungsstruktur angeordnet sein.
Neben einer Masseelektrode können auch andere Schaltelemente im Vielschichtbauelement integriert sein, wie zum Beispiel Widerstandsstrukturen oder Induktivitäten bzw. Streifenleitungen. Eine Kombination solcher Schaltelemente zusammen mit den Versteifungsstrukturen bietet die Möglichkeit, ein Vielschichtbauelement mit einer Vielzahl von Filterfunktionen bei gleichzeitig erhöhter Biegefestigkeit zu schaffen .
Gemäß einer Ausführungsform ist die Außenfläche des Stapels zumindest teilweise passiviert. Die Passivierung des Stapels hat den Vorteil, die Materialien des Stapels, beispielsweise die dielektrischen Schichten, Elektrodenschichten oder die Funktionsschichten des Stapels, vor äußeren chemischen oder mechanischen Einflüssen zu schützen. Dadurch können konstantere elektrische Kennwerte des Vielschichtbauelements erreicht werden. Gemäß einer Ausführungsform ist die Passivierung des Stapels bzw. des Vielschichtbauelements durch eine glashaltige, auf zumindest einer Außenfläche des Stapels aufgebrachten Schicht erreicht. Die Passivierung könnte jedoch auch mittels einer keramikhaltigen Schicht auf der Außenfläche des Stapels erreicht werden. Die keramikhaltige Schicht enthält vorzugsweise eine der folgenden Materialien: ZrOx, MgO, AlOx, wobei x für eine Zahl ≥ 1 steht.
Die Elektrodenschichten des elektrischen
Vielschichtbauelements enthalten vorzugsweise eine bzw. eine Legierung der folgenden Materialien: Silber, Palladium, Nickel, Kupfer. Vorzugsweise weisen die Außenkontakte, die mit den Elektrodenschichten kontaktiert sind, ein mit den Elektrodenschichten gemeinsames Material auf, welches die Kontaktierung der beiden miteinander begünstigt.
Gemäß einer Ausführungsform des Vielschichtbauelements enthalten die dielektrischen Schichten eine
Kondensatorkeramik, beispielsweise aus den Klassen X7R oder COG. Derart ausgeführte und abwechselnd mit
Elektrodenschichten nebeneinander angeordnete dielektrische Schichten können einen Vielschichtkondensator bilden.
Gemäß einer Ausführungsform des Vielschichtbauelements enthalten die dielektrischen Schichten eine Varistorkeramik. Ein Stapel derart geschaffener dielektrischer Schichten bildet zusammen mit Elektrodenschichten einen
Vielschichtvaristor . Die Varistorkeramik umfasst vorzugsweise Zinkoxid (ZnO) . Die dielektrischen Schichten sind vorzugsweise jeweils mit einer Dicke von weniger als 1 μm bis in etwa 30 μm ausgeführt .
Gemäß einer Ausführungsform des elektrischen Vielschichtbauelements sind mehrere Stapel von Elektrodenschichten nebeneinander angeordnet, wobei die Elektrodenschichten unterschiedlicher Stapel auf gemeinsamen dielektrischen Schichten angeordnet sein können. Mit dieser Konstruktion weist das Vielschichtbauelement ein Array von Vielschichtstrukturen auf, welche alle in demselben Vielschichtbauelement angeordnet sein können. Da das Vielschichtbauelement vorzugsweise monolithisch aufgebaut ist, bedeutet dies, dass mehrere Vielschichtstrukturen als Array in einem einzigen Stapel bzw. Grundkörper monolithisch enthalten sein können. Neben den Elektrodenschichten einer jeden Vielschichtstruktur können ein oder mehrere Versteifungsstrukturen der beschriebenen Art angeordnet sein. Insbesondere bei einem als Array mit Vielschichtstrukturen ausgeführten Vielschichtbauelement, wo Stapel von Elektrodenschichten nebeneinander angeordnet sind und daher die Flächenausdehnung des Vielschichtbauelements größer wird, ist es von besonderem Vorteil, wenn dem Vielschichtbauelement mittels der Versteifungsstrukturen eine erhöhte Biegefestigkeit geboten wird.
Die Stapel von Elektrodenschichten können sowohl in Längsrichtung als auch lateral nebeneinander angeordnet sein.
Beispielsweise können als Vielschichtstrukturen im selben Vielschichtbauelement ein Vielschichtvaristor und ein Vielschichtkondensator integriert sein. Mit integrierten Widerständen sowie mittels der Elektrodenschichten und Varistorkeramik enthaltenden dielektrischen Schichten in einer Arraybauweise könnte das Vielschichtbauelement als Ü-Filter ausgeführt sein.
Gemäß einer Ausführungsform enthalten die dielektrischen Schichten ein nichtlinear resistives Material, beispielsweise ein NTC- oder ein PTC-Material . Wenn mehrere solche dielektrische Schichten abwechselnd mit Elektrodenschichten nebeneinander angeordnet sind, kann eine Vielschicht-NTC- Struktur bzw. eine Vielschicht-PTC-Struktur geschaffen werden, wobei die Vielschichtstrukturen mit den bereits anderen genannten Vielschichtstrukturen in demselben Vielschichtbauelement integriert sein könnten.
Die obigen, in einem gemeinsamen Stapel von dielektrischen Schichten integrierten Vielschichtstrukturen, deren dielektrischen Schichten eine Varistorkeramik,
Kondensatorkeramik oder ein NTC- oder PTC-Material enthalten, können elektrische Vielschichtbauelemente mit einer gegebenenfalls Vielzahl von elektrischen Funktionen erzeugen, die dabei dennoch eine kleine Baugröße bei hoher Biegefestigkeit aufweisen.
Die beschriebenen Gegenstände werden anhand der folgenden Figuren und Ausführungsbeispiele näher erläutert. Dabei zeigt :
Figur 1 eine Draufsicht auf ein Vielschichtbauelement mit elektrisch isolierenden Versteifungsstrukturen, Figur 2 eine seitliche Querschnittsansicht des mit der Figur 1 in der Draufsicht gezeigten Vielschichtbauelements .
Figur 1 ist eine Schnittansicht auf eine Ebene eines als Vielschichtkondensator ausgeführten Vielschichtbauelements. Das Vielschichtbauelement umfasst einen Stapel 1 von übereinander angeordneten dielektrischen Schichten 2 und Elektrodenschichten 3. Die Elektrodenschichten 3 sind als längliche Rechtecke geformt und jeweils an einem Ende mit einem gleich gepolten Außenkontakt 4a bzw. 4b kontaktiert. Neben jeder Elektrodenschicht 3 ist eine längliche Versteifungsstruktur 5, enthaltend das gleiche Material wie die Elektrodenschicht, beispielsweise Palladium oder eine Legierung dessen mit einem anderen elektrisch leitenden Material, angeordnet. Sie reicht in etwa von einer Isolierzone, wo sich gegenpolige Elektrodenschichten in orthogonaler Projektion nicht überlappen, zur lateral gegenüberliegenden Isolierzone des Vielschichtbauelements. Auf allen Seiten ist die Versteifungsstruktur 5 vom dielektrischen Material umgeben und kann daher als „schwebende" Versteifungsstruktur betrachtet werden. Die in der Draufsicht gezeigte Anordnung wiederholt sich zumindest teilweise über die Höhe des Stapels 1. Deck- bzw. bodenseitig kann der Stapel 1 mit weiteren Keramikschichten oder mit einer glashaltigen Schicht (nicht gezeigt) zur Passivierungszwecken versehen sein.
Figur 2 ist ein Längsschnitt des mit der Figur 1 gezeigten Vielschichtbauelements, wobei die Stapelweise von Elektrodenschichten 3 und dielektrischen Schichten 2 sowie neben den Elektrodenschichten in derselben Ebene angeordneten Versteifungsstrukturen 5 gezeigt wird. Auch werden Außenkontakte 4a, 4b gezeigt, welche als Streifen auf Seitenflächen des Vielschichtbauelements eingebrannt werden können. Wahlweise können die Außenkontakte das Vielschichtbauelement seitlich umklammern, sodass sie ihm bodenseitig Kontaktierungsmöglichkeiten verleihen.
Es werden Pfeile Fl und F2 gezeigt, die verschiedene Krafteinwirkungen auf das Vielschichtbauelement darstellen. Wird das Vielschichtbauelement einer ersten Krafteinwirkung Fl, bezogen auf die laterale Abmessung des Vielschichtbauelements, auf seiner ersten Hälfte, und auf seiner zweiten Hälfte einer zweiten Krafteinwirkung F2 mit geringerer oder größerer Stärke, ausgesetzt, so entstehen im Vielschichtbauelement mechanische Spannungen, die ihn bzw. seine Bestandteile beschädigen könnte. Die Kräfte könnten lateral versetzt aus unterschiedlichen Richtungen stammen bzw. in unterschiedliche Richtungen führen, wie beispielsweise eine erste Kraft auf die Deckseite und eine zweite Kraft auf die Bodenseite des Vielschichtbauelements. Mittels der Versteifungsstrukturen weist das Vielschichtbauelement eine ausreichend hohe Biegefestigkeit auf, um die zumindest während seiner Herstellung und während seines Transports stattfindenden mechanischen Krafteinwirkungen schadlos zu überstehen.
Bezugszeichenliste
1 Stapel von dielektrischen Schichten und Elektrodenschichten
2 dielektrische Schicht
3 Elektrodenschicht 4a erster Außenkontakt 4b zweiter Außenkontakt
Fl erste stirnseitig einwirkende Kraft F2 zweite stirnseitig einwirkende Kraft

Claims

Patentansprüche
1. Elektrisches Vielschichtbauelement mit einem Stapel (1) von übereinander angeordneten dielektrischen Schichten
(2) und Elektrodenschichten (3), wobei ein elektrisch isoliertes Versteifungselement (5) von zumindest einer Elektrodenschicht beabstandet auf derselben dielektrischen Schicht angeordnet ist, wie die Elektrodenschicht, und das Versteifungselement eine erhöhte Biegefestigkeit aufweist, als ein sie umgebendes dielektrisches Material.
2. Vielschichtbauelement nach Anspruch 1, bei dem das Versteifungselement (5) eine höhere Biegefestigkeit aufweist, als die neben ihn angeordnete Elektrodenschicht
(3) .
3. Vielschichtbauelement nach einem der Ansprüche 1 oder 2, bei dem das Versteifungselement (5) elektrisch isolierendes Material enthält.
4. Vielschichtbauelement nach Anspruch 3, bei dem das Versteifungselement (5) keramisches Material enthält.
5. Vielschichtbauelement nach einem der Ansprüche 1 oder 2, bei dem das Versteifungselement (5) elektrisch leitendes Material enthält und von der Elektrodenschicht (3) elektrisch isoliert ist.
6. Vielschichtbauelement nach Anspruch 5, bei dem das Versteifungselement (5) das gleiche Material enthält, wie die Elektrodenschichten (3) .
7. Vielschichtbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem neben einer Längsseite einer Elektrodenschicht (3) ein sich in Längsrichtung erstreckendes Versteifungselement (5) angeordnet ist.
8. Vielschichtbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem entlang einer Längsseite einer Elektrodenschicht (3) mehrere Versteifungselemente (5) angeordnet sind.
9. Vielschichtbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Versteifungselement (5) als Schicht auf eine dielektrische Schicht (2) aufgebracht ist .
10. Vielschichtbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Versteifungselement (5) in einer dielektrischen Schicht (2) vergraben ist.
11. Vielschichtbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Versteifungselement (5) als Streifen ausgebildet ist.
12. Vielschichtbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem an zwei Seitenflächen des Stapels (1) jeweils ein Außenkontakt (4a, 4b) als Schicht aufgebracht ist, welcher Elektrodenschichten (3) eines gemeinsamen elektrischen Pols kontaktiert.
13. Vielschichtbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die dielektrischen Schichten (2) eine Kondensatorkeramik enthalten.
14. Vielschichtbauelement nach Anspruch 13, das ein Vielschichtkondensator ist.
15. Vielschichtbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem die dielektrischen Schichten (2) eine Varistorkeramik enthalten.
16. Vielschichtbauelement nach Anspruch 15, das ein Vielschichtvaristor ist.
17. Vielschichtbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 12, umfassend mehrere Vielschichtstrukturen, jeweils aufweisend übereinander angeordnete Stapel von Elektrodenschichten (3) und dielektrische Schichten (2), wobei die dielektrischen Schichten unterschiedlicher Vielschichtstrukturen unterschiedliche Funktionskeramiken enthalten .
18. Vielschichtbauelement nach Anspruch 17, bei dem eine Vielschichtstruktur dielektrische Schichten (2), jeweils enthaltend eine Kondensatorkeramik, aufweist und einen Vielschichtkondensator umfasst.
19. Vielschichtbauelement nach einem der Ansprüche 17 oder 18, bei dem eine Vielschichtstruktur dielektrische Schichten (2), jeweils enthaltend eine Varistorkeramik, aufweist und einen Vielschichtvaristor umfasst.
20. Vielschichtbauelement nach einem der Ansprüche 17 bis 19, bei dem die Vielschichtstrukturen lateral nebeneinander angeordnet sind.
21. Vielschichtbauelement nach einem der Ansprüche 17 bis 20, bei dem die Vielschichtstrukturen übereinander und lateral nebeneinander angeordnet sind.
22. Vielschichtbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die dielektrischen Schichten (2), Elektrodenschichten (3) und das zumindest eine Versteifungselement (5) zu einem monolithischen Körper zusammengefasst sind.
23. Vielschichtbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, aufweisend zumindest eine auf zumindest einer dielektrischen Schicht (2) aufgebrachte Masseelektrode, welche mit einem an einer Seitenfläche des Vielschichtbauelements angeordneten Massekontakt kontaktiert ist.
24. Vielschichtbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Elektrodenschichten (3) zumindest eine der folgenden Materialien enthalten: Silber, Palladium, Nickel, Kupfer.
25. Vielschichtbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Außenfläche des Stapels (1) zumindest teilweise passiviert ist.
26. Vielschichtkondensator nach Anspruch 24, bei dem die Außenfläche des Stapels (1) mit einer glashaltigen Schicht beschichtet ist.
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