JPH0286109A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH0286109A JPH0286109A JP63238120A JP23812088A JPH0286109A JP H0286109 A JPH0286109 A JP H0286109A JP 63238120 A JP63238120 A JP 63238120A JP 23812088 A JP23812088 A JP 23812088A JP H0286109 A JPH0286109 A JP H0286109A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 abstract description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 abstract description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、チップ型の積層セラミックコンデンサに関
し、特にその機械的強度の向上手段に間する。
し、特にその機械的強度の向上手段に間する。
この種の積層セラミックコンデンサの従来例を第3図に
示す。
示す。
即ちこの積層セラミックコンデンサは、セラミックチッ
プ2内に複数の内部電極3をセラミックスを挟んで積層
し、かつ当該内部電極3をセラミックチップ2の両端部
にそれぞれ付与された外部電極4に交互に接続して成る
。
プ2内に複数の内部電極3をセラミックスを挟んで積層
し、かつ当該内部電極3をセラミックチップ2の両端部
にそれぞれ付与された外部電極4に交互に接続して成る
。
近年、このような積層セラミックコンデンサは、回路の
高密度化に対応するためより小型化(薄型化)する傾向
にあり、しかもその輸送や実装等のパーツハンドリング
の高速化に伴いそれに加わる機械的な力がより大きくな
る傾向にあり、両者が相俟って、このような積層セラミ
ックコンデンサに、より具体的にはそのセラミックチッ
プ2に、割れや欠は等が発生し易くなっている。
高密度化に対応するためより小型化(薄型化)する傾向
にあり、しかもその輸送や実装等のパーツハンドリング
の高速化に伴いそれに加わる機械的な力がより大きくな
る傾向にあり、両者が相俟って、このような積層セラミ
ックコンデンサに、より具体的にはそのセラミックチッ
プ2に、割れや欠は等が発生し易くなっている。
これに対しては、セラミックチップ2の材料に機械的強
度のより高いものを使用すればどうかという考えもある
が、概してそのような材料は誘電率が小さいため、所要
の静電容量を得るためには積層数を増やす必要があり、
上記小型化に反する。
度のより高いものを使用すればどうかという考えもある
が、概してそのような材料は誘電率が小さいため、所要
の静電容量を得るためには積層数を増やす必要があり、
上記小型化に反する。
そこでこの発明は、セラミックチップの実質的な誘電率
を低下させることなくその機械的強度を向上させること
ができるようにした積層セラミックコンデンサを提供す
ることを目的とする。
を低下させることなくその機械的強度を向上させること
ができるようにした積層セラミックコンデンサを提供す
ることを目的とする。
この発明の積層セラミックコンデンサは、前述したよう
なセラミックチップの材料を、内部電極間に挾まれた部
分を含む内層部とその上下両外側の外層部とで互いに異
ならせると共に、外層部の材料を内層部のものよりも機
械的強度に優れたものとし、かつ内層部と上下両側の外
層部の間にセラミックスの多孔質層をそれぞれ設けたこ
とを特徴とする。
なセラミックチップの材料を、内部電極間に挾まれた部
分を含む内層部とその上下両外側の外層部とで互いに異
ならせると共に、外層部の材料を内層部のものよりも機
械的強度に優れたものとし、かつ内層部と上下両側の外
層部の間にセラミックスの多孔質層をそれぞれ設けたこ
とを特徴とする。
上記構成によれば、セラミックチップの外層部の材料を
内層部のものよりも機械的強度に優れたものとしたので
、外層部が内層部と同一材料から成る場合に比べて、セ
ラミックチップの機械的強度が向上する。
内層部のものよりも機械的強度に優れたものとしたので
、外層部が内層部と同一材料から成る場合に比べて、セ
ラミックチップの機械的強度が向上する。
しかも、外層部は静電容量形成に関与しないので、仮に
その誘電率が内層部のものより小さくても、セラミック
チップの実質的な誘電率を低下させることはない。
その誘電率が内層部のものより小さくても、セラミック
チップの実質的な誘電率を低下させることはない。
また、内層部と外層部間の多孔質層は、二材料間の成分
の相互拡散を妨げて内層部材料の諸電気特性が低下する
のを防止すると共に、焼成時における二材料間の収縮度
の違いを吸収する作用もする。
の相互拡散を妨げて内層部材料の諸電気特性が低下する
のを防止すると共に、焼成時における二材料間の収縮度
の違いを吸収する作用もする。
第1図は、この発明の一実施例に係る積層セラミックコ
ンデンサを示す縦断面図である。第3図の例と同等部分
には同一符号を付し、以下においては従来例との相違点
を主に説明する。
ンデンサを示す縦断面図である。第3図の例と同等部分
には同一符号を付し、以下においては従来例との相違点
を主に説明する。
この実施例の積層セラミックコンデンサにおいては、前
述したセラミックチップ2に相当するセラミックチップ
5の材料を、内部電極3に挟まれた部分を含む内層部5
aとその上下両外側の外層部5bとで互いに異ならせる
と共に、外層部5bの材料を内層部5aのものよりも機
械的強度に優れたものとしている。
述したセラミックチップ2に相当するセラミックチップ
5の材料を、内部電極3に挟まれた部分を含む内層部5
aとその上下両外側の外層部5bとで互いに異ならせる
と共に、外層部5bの材料を内層部5aのものよりも機
械的強度に優れたものとしている。
一般的に、いわゆる高誘電率系セラミック材料は誘電率
は大きいが機械的強度が小さく、温度補償用セラミック
材料は誘電率は小さいが機械的強度が大きい。
は大きいが機械的強度が小さく、温度補償用セラミック
材料は誘電率は小さいが機械的強度が大きい。
従って、上記内層部5aの材料と外層部5bの材料の組
合せとしては、例えば、■内層部5aに高誘電率系セラ
ミック材料を用い、外層部5bに温度補償用セラミック
材料を用いる、■内層部5aに高誘電率系セラミック材
料を用い、外層部5bに機械的強度の高いセラミック絶
縁材料を用いる、■内層部5aに温度補償用セラミック
材料を用い、外層部5bにそれよりも更に機械的強度の
高いセラミック絶縁材料を用いる、等の組合せが採り得
る。
合せとしては、例えば、■内層部5aに高誘電率系セラ
ミック材料を用い、外層部5bに温度補償用セラミック
材料を用いる、■内層部5aに高誘電率系セラミック材
料を用い、外層部5bに機械的強度の高いセラミック絶
縁材料を用いる、■内層部5aに温度補償用セラミック
材料を用い、外層部5bにそれよりも更に機械的強度の
高いセラミック絶縁材料を用いる、等の組合せが採り得
る。
更にこの積層セラミックコンデンサにおいては、上記の
ような内層部5aと上下両側の外層部5bとの間に、セ
ラミックスの多孔質層(ポーラス層)6をそれぞれ設け
ている。
ような内層部5aと上下両側の外層部5bとの間に、セ
ラミックスの多孔質層(ポーラス層)6をそれぞれ設け
ている。
従ってこの積層セラミックコンデンサにおいては、外層
部5bが内層部5aと同一材料から成る場合に比べて、
即ち従来例のような構造の積層セラミックコンデンサに
比べて、セラミックチップ5の機械的強度(例えば耐機
械強度や耐機械衝撃性等)が向上する。その結果、パー
ツハンドリングの過程においてセラミックチップ5に割
れや欠は等が発生するのを防止することができるように
なり、パーツハンドリングの信頬性も向上する。
部5bが内層部5aと同一材料から成る場合に比べて、
即ち従来例のような構造の積層セラミックコンデンサに
比べて、セラミックチップ5の機械的強度(例えば耐機
械強度や耐機械衝撃性等)が向上する。その結果、パー
ツハンドリングの過程においてセラミックチップ5に割
れや欠は等が発生するのを防止することができるように
なり、パーツハンドリングの信頬性も向上する。
しかも、外層部5bは静電容量形成に関与しないので、
仮にその誘電率が内層部5aのものより小さくても、セ
ラミックチップ5の実質的な誘電率を低下させることは
ない。
仮にその誘電率が内層部5aのものより小さくても、セ
ラミックチップ5の実質的な誘電率を低下させることは
ない。
特にこの例のように多孔質層6を設けると、それによっ
て、外層部5bの材料成分が内層部5aの材料中に拡散
してその諸電気特性を、即ち積層セラミックコンデンサ
としての諸電気特性を変化させることを防止することが
できる。
て、外層部5bの材料成分が内層部5aの材料中に拡散
してその諸電気特性を、即ち積層セラミックコンデンサ
としての諸電気特性を変化させることを防止することが
できる。
更にこの多孔質層6によって、焼成時における内層部5
a用の材料と外層部5b用の材料間の収縮度の違いを吸
収することができるので、二材料とした場合の歪みの発
生を防止することもできる。
a用の材料と外層部5b用の材料間の収縮度の違いを吸
収することができるので、二材料とした場合の歪みの発
生を防止することもできる。
次にこのような積層セラミックコンデンサのより具体例
をその製造方法と共に説明すると、第2図を参照して、
内層部5a用のBaTiO3を主体とした材料から成る
セラミックグリーンシート15aと、外層部5b用のM
gTi0.、CaTi0zを主体とした材料から成るセ
ラミックグリーンシー115bを用意し、内部電極3と
なるPd電極ペースト13を印刷したセラミックグリー
ンシー’ト15 aを積み重ね、かつそれらと上下両側
のセラミックグリーンシート15bとの間に、カーボン
を主体としてセラミック粉末から成るペースト16を印
刷したセラミックグリーンシート15aをそれぞれ挟ん
で、全体を圧着する。そしてこれを約1300°Cで焼
成すると、全体が、焼結体として一体化すると共に、ペ
ースト16中のカーボンが焼失して前述した多孔質層6
が形成される。ちなみにこのようにして得られたチップ
の寸法は3゜2X1.6X1.Ommである。そして最
後に外部電極4を焼き付けると、第1図のような積層セ
ラミックコンデンサが得られる。
をその製造方法と共に説明すると、第2図を参照して、
内層部5a用のBaTiO3を主体とした材料から成る
セラミックグリーンシート15aと、外層部5b用のM
gTi0.、CaTi0zを主体とした材料から成るセ
ラミックグリーンシー115bを用意し、内部電極3と
なるPd電極ペースト13を印刷したセラミックグリー
ンシー’ト15 aを積み重ね、かつそれらと上下両側
のセラミックグリーンシート15bとの間に、カーボン
を主体としてセラミック粉末から成るペースト16を印
刷したセラミックグリーンシート15aをそれぞれ挟ん
で、全体を圧着する。そしてこれを約1300°Cで焼
成すると、全体が、焼結体として一体化すると共に、ペ
ースト16中のカーボンが焼失して前述した多孔質層6
が形成される。ちなみにこのようにして得られたチップ
の寸法は3゜2X1.6X1.Ommである。そして最
後に外部電極4を焼き付けると、第1図のような積層セ
ラミックコンデンサが得られる。
上記のようにして得た積層セラミックコンデンサの電気
特性および機械特性を測定したところ、静電容量から算
出したセラミックチップ5の誘電率は13000,3点
曲げ法による最大破壊荷重の平均値は6.0kgであっ
た。また、耐機械衝撃性評価として1000個の積層セ
ラミックコンデンサをポリ袋に入れて1mの高さから床
に落下させたところ、セラミックチップ5に顕著な欠け
が見られたものは0個であった。
特性および機械特性を測定したところ、静電容量から算
出したセラミックチップ5の誘電率は13000,3点
曲げ法による最大破壊荷重の平均値は6.0kgであっ
た。また、耐機械衝撃性評価として1000個の積層セ
ラミックコンデンサをポリ袋に入れて1mの高さから床
に落下させたところ、セラミックチップ5に顕著な欠け
が見られたものは0個であった。
比較のために、全て上記のようなセラミックグリーンシ
ート15aを用いて(もちろん多孔質層6は設けない)
積層セラミックコンデンサを作ったところ、その静電容
量から算出した誘電率は13000.3点曲げ法による
最大破壊荷重の平均値は4.3kgであり、耐機械衝撃
性評価では9個に顕著な欠けが見られた。即ち、上記実
施例の場合に比べると、誘電率は同等であるが、機械的
強度において劣っている。
ート15aを用いて(もちろん多孔質層6は設けない)
積層セラミックコンデンサを作ったところ、その静電容
量から算出した誘電率は13000.3点曲げ法による
最大破壊荷重の平均値は4.3kgであり、耐機械衝撃
性評価では9個に顕著な欠けが見られた。即ち、上記実
施例の場合に比べると、誘電率は同等であるが、機械的
強度において劣っている。
また、上記のようなセラミックグリーンシート15aと
15bとの間にペースト16(即ち多孔質層6)を設け
ない積層セラミックコンデンサを作ったところ、その静
電容量から算出した誘電率は4400.3点曲げ法によ
る最大破壊荷重の平均値は5.8kgであり、耐機械衝
撃性評価では顕著な欠けが見られたものは0個であった
。即ち、上記実施例の場合に比べると、機械的強度はほ
ぼ同等であるが、誘電率において劣っている。これは、
多孔質層6を設けないため、外層部5b用のセラミック
グリーンシート15bの成分が著しく内層部5a用のセ
ラミックグリーンシート15a中に拡散してその諸電気
特性を変化させたためであると考えられる。
15bとの間にペースト16(即ち多孔質層6)を設け
ない積層セラミックコンデンサを作ったところ、その静
電容量から算出した誘電率は4400.3点曲げ法によ
る最大破壊荷重の平均値は5.8kgであり、耐機械衝
撃性評価では顕著な欠けが見られたものは0個であった
。即ち、上記実施例の場合に比べると、機械的強度はほ
ぼ同等であるが、誘電率において劣っている。これは、
多孔質層6を設けないため、外層部5b用のセラミック
グリーンシート15bの成分が著しく内層部5a用のセ
ラミックグリーンシート15a中に拡散してその諸電気
特性を変化させたためであると考えられる。
尚、上記実施例では、多孔質層6を全面にかつ片側に1
層ずつ設けたが、片側に2層以上ずつ設けても良い。
層ずつ設けたが、片側に2層以上ずつ設けても良い。
また、多孔質層6を全面にではなく、内部電極3と同様
な形状でそれよりもやや大きめにしても良い。
な形状でそれよりもやや大きめにしても良い。
また、上記内層部5aは内部電極3間に挟まれた部分を
含んでいれば良く、従ってそれと外層部5bとの境界は
、例えば最外側の内部電極3の部分にあっても良く、あ
るいは第1図に示すようにそれよりも外側にあっても良
い。
含んでいれば良く、従ってそれと外層部5bとの境界は
、例えば最外側の内部電極3の部分にあっても良く、あ
るいは第1図に示すようにそれよりも外側にあっても良
い。
以上のようにこの発明によれば、外層部の材料を内層部
のものよりも機械的強度に優れたものとしたので、セラ
ミックチップの、ひいては当該積層セラミックコンデン
サの機械的強度が向上する。
のものよりも機械的強度に優れたものとしたので、セラ
ミックチップの、ひいては当該積層セラミックコンデン
サの機械的強度が向上する。
しかも、外層部は静電容量形成に関与しないので、仮に
その誘電率が内層部のものより小さくても、セラミック
チップの実質的な誘電率を低下させることはない。
その誘電率が内層部のものより小さくても、セラミック
チップの実質的な誘電率を低下させることはない。
しかも上記のような効果は、この発明のように内層部と
外層部間に多孔質層を設けると、これが二材料間の成分
の相互拡散を妨げると共に焼成時の二材料間の収縮度の
違いを吸収することができるので、−層顕著となる。
外層部間に多孔質層を設けると、これが二材料間の成分
の相互拡散を妨げると共に焼成時の二材料間の収縮度の
違いを吸収することができるので、−層顕著となる。
また、セラミックチップの機械的強度が向上することに
より、当該積層セラミックコンデンサの厚さをより薄く
することも可能になる。
より、当該積層セラミックコンデンサの厚さをより薄く
することも可能になる。
また、電気的特性に優れているが機械的強度が小さくて
従来は実用できなかったセラミック材料を内層部に用い
ることも可能になる。
従来は実用できなかったセラミック材料を内層部に用い
ることも可能になる。
第1図は、この発明の一実施例に係る積層セラミックコ
ンデンサを示す縦断面図である。第2図は、第1図の積
層セラミックコンデンサの製法の一例を説明するための
斜視図である。第3図は、従来の積層セラミックコンデ
ンサの一例を示す縦断面図である。 3・・・内部電極、5・・・セラミックチップ、5a・
・・内層部、5b・・・外層部、6・・・多孔質層。
ンデンサを示す縦断面図である。第2図は、第1図の積
層セラミックコンデンサの製法の一例を説明するための
斜視図である。第3図は、従来の積層セラミックコンデ
ンサの一例を示す縦断面図である。 3・・・内部電極、5・・・セラミックチップ、5a・
・・内層部、5b・・・外層部、6・・・多孔質層。
Claims (1)
- (1)セラミックチップ内に複数の内部電極をセラミッ
クスを挟んで積層して成る積層セラミックコンデンサに
おいて、前記セラミックチップの材料を、内部電極間に
挟まれた部分を含む内層部とその上下両外側の外層部と
で互いに異ならせると共に、外層部の材料を内層部のも
のよりも機械的強度に優れたものとし、かつ内層部と上
下両側の外層部との間にセラミックスの多孔質層をそれ
ぞれ設けたことを特徴とする積層セラミックコンデンサ
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63238120A JPH0286109A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63238120A JPH0286109A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0286109A true JPH0286109A (ja) | 1990-03-27 |
Family
ID=17025477
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63238120A Pending JPH0286109A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0286109A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006098092A1 (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層セラミックコンデンサ |
WO2009037292A1 (de) * | 2007-09-18 | 2009-03-26 | Epcos Ag | Elektrisches vielschichtbauelement |
US20150348712A1 (en) * | 2014-05-28 | 2015-12-03 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor, method of manufacturing the same, and board having the same |
JP2017045977A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 積層セラミックキャパシタ及びその実装基板 |
-
1988
- 1988-09-22 JP JP63238120A patent/JPH0286109A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006098092A1 (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層セラミックコンデンサ |
JPWO2006098092A1 (ja) * | 2005-03-14 | 2008-08-21 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
US7859822B2 (en) | 2005-03-14 | 2010-12-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic ceramic capacitor |
JP4636084B2 (ja) * | 2005-03-14 | 2011-02-23 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
WO2009037292A1 (de) * | 2007-09-18 | 2009-03-26 | Epcos Ag | Elektrisches vielschichtbauelement |
US8203824B2 (en) | 2007-09-18 | 2012-06-19 | Epcos Ag | Electrical multilayer component |
US20150348712A1 (en) * | 2014-05-28 | 2015-12-03 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor, method of manufacturing the same, and board having the same |
US9812259B2 (en) * | 2014-05-28 | 2017-11-07 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor, method of manufacturing the same, and board having the same |
JP2017045977A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 積層セラミックキャパシタ及びその実装基板 |
US20180330885A1 (en) * | 2015-08-26 | 2018-11-15 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and board having the same |
US11094467B2 (en) | 2015-08-26 | 2021-08-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and board having the same |
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