WO2008065801A1 - Composition adhésive et film adhésif - Google Patents

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adhesive
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Takahiro Asai
Koichi Misumi
Atsushi Miyanari
Yoshihiro Inao
Akihiko Nakamura
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Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to an adhesive composition and an adhesive film. More specifically, an adhesive composition and an adhesive for temporarily fixing a sheet or a protective substrate to the semiconductor product in a process such as grinding of a semiconductor product such as a semiconductor wafer or an optical system product. It relates to film.
  • chips semiconductor silicon chips
  • CSP chip size package
  • MCP multi-chip package
  • SiP system 'in' package
  • SiP products use a technique in which bumps (electrodes) and circuit boards for each stacked chip are wired by wire bonding technology.
  • bumps electrodes
  • circuit boards for each stacked chip are wired by wire bonding technology.
  • a thin chip is obtained by slicing a high-purity silicon single crystal or the like into a wafer, and then etching and forming a predetermined circuit pattern such as an IC on the wafer surface to incorporate an integrated circuit.
  • the back side of the wafer is ground with a grinder to a predetermined thickness. It is manufactured by dicing a later semiconductor wafer into chips. At this time, the predetermined thickness is about 100 to 600 111.
  • the through electrode it is ground to a thickness of 50 to 100 m.
  • the semiconductor wafer itself is thin and fragile, and the circuit pattern has irregularities, so that it is easily damaged when an external force is applied during conveyance to the grinding process or dicing process.
  • grinding is performed while removing generated polishing debris and cleaning the backside of the semiconductor wafer with purified water in order to remove heat generated during polishing. At this time, it is necessary to prevent the circuit pattern surface from being contaminated by the purified water used for cleaning.
  • polishing work is performed after a processing adhesive film is attached to the circuit pattern surface.
  • a protective sheet is attached to the back side of the semiconductor wafer, dicing is performed with the semiconductor wafer adhered and fixed, and the resulting chip is picked up from the film substrate side with a needle and picked up. It is fixed on the die pad.
  • Examples of such processing adhesive films and protective sheets include base films such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene (PE), polypropylene (PP), and ethylene acetate butyl copolymer (EVA).
  • PET polyethylene terephthalate
  • PE polyethylene
  • PP polypropylene
  • EVA ethylene acetate butyl copolymer
  • a protective substrate in which a ladder type silicone oligomer is impregnated with an aluminum nitride-boron nitride pore sintered body is used, and the protective substrate and the semiconductor wafer are bonded to the thermoplastic film.
  • attaches using is also disclosed (patent document 4).
  • a material such as alumina, aluminum nitride, boron nitride, or silicon carbide having substantially the same thermal expansion coefficient as that of the semiconductor wafer is used as the protective substrate, and polyimide or the like is used as an adhesive for bonding the protective substrate and the semiconductor wafer.
  • Patent Document 5 As a method for applying this adhesive using a thermoplastic resin, a method of forming a film having a thickness of 10 to 100 m, and a method of spin-coating an adhesive composition and drying to form a film of 20 m or less has been proposed (Patent Document 5).
  • a protective substrate is bonded to the surface of a semiconductor wafer on which a circuit is formed using an adhesive composition, the back surface of the semiconductor wafer is polished, and thereafter Then, the process of etching the polished surface to a mirror surface and forming a back side circuit on this mirror surface is being carried out. In this case, the protective substrate remains adhered until the back side circuit is formed (Patent Document 6).
  • Patent Document 1 Japanese Published Patent Publication “Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-173993 (Publication Date: June 20, 2003)”
  • Patent Document 2 Japanese Patent Publication “JP 2001-279208 (Publication Date: October 10, 2001)”
  • Patent Document 4 Japanese Patent Publication “JP 2002-203821 Publication (Publication Date: July 19, 2002)”
  • Patent Document 5 Japanese Published Patent Publication “JP 2001-77304 (Publication Date: March 23, 2001)”
  • Patent Document 6 Japanese Patent Publication “JP-A 61-158145 (Publication Date: July 17, 1986)”
  • the conventional pressure-sensitive adhesive film for processing described above is insufficient in adhesive strength in a high-temperature environment to be used in a process that requires a high-temperature process and a high-vacuum process, such as formation of a through electrode, There are problems of adhesion failure due to gas generation in a high vacuum environment, and peeling failure such as residue remaining at the time of peeling after the high temperature process.
  • the adhesive composition constituting the adhesive layer of the protective tape according to Patent Document 1 and Patent Document 2 is not resistant to a high temperature of 200 ° C. Further, since gas is generated in the adhesive layer by heating, adhesion failure occurs.
  • a thin semiconductor wafer requires a force S to be peeled from the protective substrate after grinding or dicing.
  • the adhesive composition constituting the adhesive layer of the protective tape disclosed in Patent Document 3 is an epoxy resin composition, and the epoxy resin is altered and cured at a high temperature of 200 ° C. There is a problem that a residue remains at the time of peeling, resulting in peeling failure.
  • thermoplastic film used for bonding the protective substrate and the semiconductor wafer according to Patent Document 4 and Patent Document 5 generates a gas derived from moisture that has been absorbed, and thus causes a problem of poor adhesion.
  • a mirror surface process using an etching solution or a metal film formation by vacuum deposition is performed. Therefore, an adhesive composition for bonding a protective substrate and a semiconductor wafer is used. , Heat resistance and peelability are required.
  • Patent Document 6 does not disclose the composition of the adhesive composition at all.
  • an adhesive using an acrylic resin material is preferable in processing a semiconductor wafer or a chip because it has good crack resistance.
  • the adhesive using such an acrylic resin material has the following problems.
  • the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and its purpose is to have high adhesive strength, high heat resistance, and alkali resistance in a high temperature environment, particularly at 140 ° C to 200 ° C. Shi Furthermore, the present invention provides an adhesive composition that can be easily peeled off from a semiconductor wafer, chip, etc. even after undergoing a processing process in a high temperature and / or high vacuum environment (hereinafter simply referred to as “high temperature process”). There is.
  • the first embodiment of the present invention includes styrene, a (meth) acrylic acid alkyl ester having a chain structure, an (meth) acrylic acid ester having an aliphatic ring, and an aromatic ring (meth).
  • An adhesive composition comprising as a main component a polymer obtained by copolymerizing a monomer composition containing an acrylate ester, the (meth) acrylic acid alkyl ester comprising the styrene and the chain structure.
  • the mass of the styrene is 40 to 69 parts by mass.
  • the mass of the alkyl ester (meth) acrylate having the above chain structure is 20 to 30 parts by mass, and the mass of the (meth) acrylate ester having the aliphatic ring is 10 to 25 parts by mass.
  • the adhesive composition is characterized in that the mass of the (meth) acrylic acid ester having a ring is 1 to 5 parts by mass.
  • the method for forming the adhesive layer on the film is not particularly limited as long as a known method is appropriately used according to the desired film thickness and uniformity of the adhesive layer.
  • Nor coater. Adhesive according to the present invention such that the dry film thickness of the above-mentioned adhesive layer is 10 to 1000 on the film using a wire coater, a ronore coater, a curtain flow coater or the like. The method of apply
  • the measurement conditions of the TDS apparatus were as follows: Width: 100, Center Mass Number: 50, Gain: 9, Scan Speed: 4, Emult Volt: 1.3 KV.
  • the adhesive compositions according to Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 were applied on a silicon wafer and then dried at 200 ° C. for 3 minutes. Next, it was immersed in an aqueous solution of 2.38 mass% TMAH (tetramethylammonium hydroxide), and the applied film was dissolved. Whether or not to do so was visually observed. Visually confirm that the applied film was not dissolved.
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • the polymerization reaction solution obtained after completion of the dropping was aged at 90 ° C for 1 hour as it was, and then a mixture of PGM EA 83.34 g and t-butylperoxy-2-ethylhexanoate 0-3 g force was added. It was added dropwise over time. Thereafter, the polymerization reaction solution was further aged for 1 hour at 90 ° C., and then 1, 1, 3, 3, 3 tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanoate 1. Og was added all at once.
  • the polymerization reaction solution was aged at 90 ° C for 3 hours as it was, and then the polymerization reaction solution was heated until the reflux of the solvent was observed, and then aged for 1 hour to complete the polymerization.
  • the polymerization reaction solution obtained after the completion of the dropwise addition was aged for 1 hour at 90 ° C, and then a mixture of PGM EA 83.34 and t-butylperoxy 2-ethylhexanoate 0 ⁇ 3g was added for 1 hour. It was dripped over. Thereafter, the polymerization reaction solution was further aged for 1 hour at 90 ° C., and 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanoate 1.Og was added all at once.
  • the polymerization reaction solution was aged for 3 hours at 90 ° C, and then the polymerization reaction solution was heated until reflux of the solvent was observed, and then aged for 1 hour to complete the polymerization. .
  • FIG. Fig. 2 is a diagram schematically showing the results of comparison of adhesiveness.
  • the state shown in FIG. 2 (a) or (b) is obtained.
  • (A) in Fig. 2 schematically shows the state where the adhesive composition has been peeled off due to adhesion failure, and corresponds to O shown in Table 4.
  • (B) in FIG. 2 schematically shows that the adhesive composition liquefied and peeled off due to cohesive failure, and corresponds to X shown in Table 4.
  • FIG. 2 (c) is a diagram showing the result of observation on a silicon wafer with an optical microscope after the adhesion under each temperature condition was evaluated. For example, as shown in the column of 23 ° C. in Example 2, the left side is an area where the adhesive composition is applied! /, And the area (adhesive portion) is applied, and the right side is the adhesive composition applied. ! /, The area that did not exist (non-bonded part).
  • the monomer composition contains the (meth) acrylic acid ester having an aliphatic ring. Glass transition temperature increases. Therefore, the adhesive composition has high adhesive strength even in a high temperature environment. Further, other components have high heat resistance and alkali resistance, and the ease of peeling after the high temperature process is ensured. Therefore, an adhesive composition having high adhesion strength in a high temperature environment and excellent heat resistance, alkali resistance, and ease of peeling. If you can provide the power!
  • the main component is a polymer obtained by copolymerizing a monomer composition comprising the above-described components and contents, so that it has excellent flexibility and moisture absorption.
  • the adhesive composition which suppressed the property can be provided.
  • the adhesive film according to the present invention includes an adhesive layer containing the adhesive composition on the film. Therefore, it is possible to provide an adhesive film that has high adhesive strength in a high temperature environment, has high heat resistance and alkali resistance, and can be easily peeled even after a high temperature process.
  • the adhesive composition and adhesive film according to the present invention have high! /, Heat resistance and alkali resistance, low hygroscopicity, less gas generated during heating, and easy peeling with a stripping solution. I can do it. Therefore, it can be used with a force S that is suitable for processing a semiconductor wafer or chip through a process using various chemicals such as a high temperature process, a high vacuum process, and an alkali.

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Description

明 細 書
接着剤組成物、及び接着フィルム
技術分野
[0001] 本発明は、接着剤組成物、及び接着フィルムに関するものである。さらに詳しくは、 半導体ウェハー等の半導体製品や光学系製品等を研削等の加工をする工程におい て、当該半導体製品にシートや保護基板を一時的に固定するための、接着剤組成 物、及び接着フィルムに関するものである。
背景技術
[0002] 近年、携帯電話、デジタル AV機器及び ICカード等の高機能化にともない、搭載さ れる半導体シリコンチップ(以下、チップ)の小型化、薄型化及び高集積化への要求 が高まっている。 列えば、、 CSP (chip size package)及び MCP (multi— chip package) に代表されるような複数のチップをワンパッケージ化する集積回路についてもその薄 型化が求められている。その中において、一つの半導体パッケージの中に複数の半 導体チップを搭載するシステム'イン'パッケージ(SiP)は、搭載されるチップを小型 化、薄型化及び高集積化し、電子機器を高性能化、小型化かつ軽量化を実現する 上で非常に重要な技術となっている。
[0003] 薄型商品へのニーズに応えるためには、チップを 150 m以下にまで薄くする必要 がある。さらに、 CSP及び MCPにおいては lOO ^ m以下、 ICカードにおいては 50 m以下にチップを薄化加工する必要がある。
[0004] 従来、 SiP製品には、積層したチップごとのバンプ (電極)と回路基板とを、ワイヤ · ボンディング技術により配線する手法が用いられている。また、このような薄型化や高 集積化への要求に応えるためには、ワイヤ ·ボンディング技術ではなぐ貫通電極を 形成したチップを積層し、チップの裏面にバンプを形成する貫通電極技術も必要とな
[0005] 薄型のチップは、例えば、高純度シリコン単結晶等をスライスしてウェハーとした後 、ウェハー表面に IC等の所定の回路パターンをエッチング形成して集積回路を組み 込み、得られた半導体ウェハーの裏面を研削機により研削して、所定の厚さに研削 後の半導体ウェハーをダイシングしてチップ化することにより製造されている。このとき 、上記所定の厚さは、 100〜600 111程度である。さらに、貫通電極を形成する場合 は、厚さ 50〜; 100 m程度にまで研削している。
[0006] 半導体チップの製造では、半導体ウェハー自体が肉薄で脆ぐまた回路パターンに は凹凸があるので、研削工程やダイシング工程への搬送時に外力が加わると破損し やすい。また、研削工程においては、生じた研磨屑を除去したり、研磨時に発生した 熱を除去するために精製水を用いて半導体ウェハー裏面を洗浄したりしながら研削 処理している。このとき、洗浄に用いる上記精製水によって回路パターン面が汚染さ れることを防ぐ必要がある。
[0007] そこで、半導体ウェハーの回路パターン面を保護するとともに、半導体ウェハーの 破損を防止するために、回路パターン面に加工用粘着フィルムを貼着した上で、研 削作業が行われている。
[0008] また、ダイシング時には、半導体ウェハー裏面側に保護シートを貼り付けて、半導 体ウェハーを接着固定した状態でダイシングし、得られたチップをフィルム基材側か らニードルで突き上げてピックアップし、ダイパッド上に固定させている。
[0009] このような加工用粘着フィルムや保護シートとしては、例えば、ポリエチレンテレフタ レート(PET)、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、エチレン 酢酸ビュル共重 合体 (EVA)等の基材フィルムに接着剤組成物から形成した接着剤層が設けられた ものが知られている(例えば特許文献 1、特許文献 2、特許文献 3)。
[0010] また、加工用粘着フィルムや保護シートの代わりに窒化アルミニウムー窒化硼素気 孔焼結体にラダー型シリコーンオリゴマーを含浸せしめた保護基板を用い、この保護 基板と半導体ウェハーとを熱可塑性フィルムを用いて接着する構成も開示されている (特許文献 4)。また保護基板として半導体ウェハーと実質的に同一の熱膨張率のァ ルミナ、窒化アルミニウム、窒化硼素、炭化珪素等の材料を用い、また保護基板と半 導体ウェハーとを接着する接着剤としてポリイミド等の熱可塑性樹脂を用い、この接 着剤の適用法として、 10〜; 100 mの厚さのフィルムとする構成と、接着剤組成物を スピンコートし、乾燥させて 20 m以下のフィルムにする方法が提案されている(特 許文献 5)。 [0011] また、半導体素子の多層配線化に伴って、回路が形成された半導体ウェハーの表 面に接着剤組成物を用いて保護基板を接着し、半導体ウェハーの裏面を研磨し、そ の後、研磨面をエッチングして鏡面にし、この鏡面に裏面側回路を形成するプロセス が実施されている。この場合、裏面側回路が形成されるまでは、保護基板は接着した ままになって!/、る (特許文献 6)。
特許文献 1 :日本国公開特許公報「特開 2003— 173993号公報 (公開日:平成 15年 6月 20日)」
特許文献 2 :日本国公開特許公報「特開 2001— 279208号公報 (公開日:平成 13年 10月 10日)」
特許文献 3 :日本国公開特許公報「特開 2003— 292931号公報 (公開日:平成 15年 10月 15日)」
特許文献 4 :日本国公開特許公報「特開 2002— 203821号公報 (公開日:平成 14年 7月 19日)」
特許文献 5 :日本国公開特許公報「特開 2001— 77304号公報 (公開日:平成 13年 3 月 23日)」
特許文献 6 :日本国公開特許公報「特開昭 61— 158145号公報 (公開日:昭和 61年 7月 17日)」
発明の開示
[0012] しかし、従来の上記加工用粘着フィルム等は、貫通電極の形成のように、高温プロ セス及び高真空プロセスを必要とする工程に用いるには、高温環境下における接着 強度の不足や、高真空環境下におけるガスの発生等による接着不良の問題や、上 記高温プロセス後における剥離時に、残渣物が残存するなどの剥離不良という問題 点を有している。
[0013] 例えば、貫通電極の形成では、半導体チップにバンプを形成した後、半導体チッ プ間を接続するとき、 200°C程度まで加熱して、さらに高真空状態にするプロセスを 要する。しかし、上記特許文献 1及び上記特許文献 2に係る保護テープの接着剤層 を構成する接着剤組成物は、 200°Cもの高温に対する耐性が無い。また、加熱により 上記接着剤層にガスが発生するため接着不良となる。 [0014] また、薄型の半導体ウェハーは、研削やダイシングの後、上記保護基板から剥離す ること力 S必要となる。しかし、上記特許文献 3に開示される保護テープの接着剤層を 構成する接着剤組成物は、エポキシ樹脂組成物であり、 200°Cもの高温ではェポキ シ樹脂が変質して、硬化するため、剥離時に残渣物が残り、剥離不良が生じるという 問題点を有する。
[0015] さらに、上記特許文献 4や上記特許文献 5に係る、保護基板と半導体ウェハーとの 接着に用いられる熱可塑性フィルムでは、吸湿した水分に由来するガスを生じるため 、接着不良の問題が生じる。上記特許文献 6に係る半導体基板の加工方法では、ェ ツチング液による鏡面化プロセスや真空蒸着による金属膜形成が行われるため、保 護基板と半導体ウェハーとを接着するための接着剤組成物には、耐熱性、剥離性が 要求される。しかし、上記特許文献 6には、接着剤組成物の組成について全く開示が なされていない。
[0016] また、本発明者らの調査では、半導体ウェハーやチップの加工において、アクリル 系樹脂材料を用いた接着剤が、クラック耐性が良好であることから、好ましいとされて いる。しかし、このようなアクリル系樹脂材料を用いた接着剤においても、以下のよう な問題点を有することが判明した。
[0017] (1)接着剤層と保護基板とを熱圧着したとき、接着剤層が吸湿した水分がガスとな つて接着界面に泡状の剥がれを生じるため、高温環境下における接着強度が低い。 また、このようなガスの発生は、高温環境下における接着強度を低下させるのみなら ず、真空条件による加工プロセス等を行なう場合において、真空環境の作製又は保 持に支障を来たす。
[0018] (2)半導体ウェハーがアルカリ性スラリーやアルカリ性現像液等のアルカリ性の液 体に触れる工程を有する場合、アルカリ性の液体によって接着剤組成物の接触面が 剥離、溶解、分散等により劣化してしまう。
[0019] (3)約 200°Cに加熱した場合、耐熱性が低!/、ため接着剤組成物が変質し、剥離液 に不溶な物質が形成されるなど、剥離不良を生じる。
[0020] 本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、高温環境下、 特に 140°C〜200°Cにおける高い接着強度、高い耐熱性、及び耐アルカリ性を有し 、さらに、高温及び/又は高真空環境下における加工プロセス等(以下、単に「高温 プロセス」と表記する)を経た後でも半導体ウェハー及びチップ等からの剥離が容易 な、接着剤組成物を提供することにある。
[0021] 本発明の第 1の態様は、スチレンと、鎖式構造からなる(メタ)アクリル酸アルキルェ ステルと、脂肪族環を有する (メタ)アクリル酸エステルと、芳香族環を有する (メタ)ァ クリル酸エステルとを含む単量体組成物を共重合してなるポリマーを主成分とする接 着剤組成物であって、上記スチレンと、上記鎖式構造からなる (メタ)アクリル酸アルキ ルエステルと、上記脂肪族環を有する (メタ)アクリル酸エステルと、上記芳香族環を 有する(メタ)アクリル酸エステルとの総量を 100質量部としたとき、上記スチレンの質 量が 40〜69質量部であり、上記鎖式構造からなる(メタ)アクリル酸アルキルエステ ルの質量が 20〜30質量部であり、上記脂肪族環を有する (メタ)アクリル酸エステル の質量が 10〜25質量部であり、上記芳香族環を有する(メタ)アクリル酸エステルの 質量が 1〜 5質量部であることを特徴とする接着剤組成物である。
[0022] 本発明の第 2の態様は、フィルム上に、本発明に係る接着剤組成物を含有する接 着剤層を備えることを特徴とする接着フィルムである。
[0023] 本発明の他の目的、特徴、および優れた点は、以下に示す記載によって十分分か るであろう。また、本発明の利点は、添付図面を参照した次の説明によって明白にな るであろう。
図面の簡単な説明
[0024] [図 1]本発明の実施例において、接着剤組成物の接着強度を、異なる温度条件下で 比較した結果を示す図である。
[図 2]本発明の実施例において、接着剤組成物の接着性を比較した結果を示す図で ある。
発明を実施するための最良の形態
[0025] 本発明の一実施形態について説明すると以下の通りである。なお、本発明の範囲 はこれらの説明に拘束されることはなぐ以下の例示以外についても、本発明の趣旨 を損なわない範囲で適宜変更して実施することができる。
[0026] 〔接着剤組成物〕 本実施の形態に係る接着剤組成物は、スチレンと、鎖式構造からなる (メタ)アクリル 酸アルキルエステルと、脂肪族環を有する(メタ)アクリル酸エステルと、芳香族環を有 する(メタ)アクリル酸エステルとを含む単量体組成物を共重合してなるポリマーを主 成分とする接着剤組成物であって、上記スチレンと、上記鎖式構造からなる(メタ)ァ クリル酸アルキルエステルと、上記脂肪族環を有する(メタ)アクリル酸エステルと、上 記芳香族環を有する(メタ)アクリル酸エステルとの総量を 100質量部としたとき、上記 スチレンの質量が 40〜69質量部であり、上記鎖式構造からなる(メタ)アクリル酸アル キルエステルの質量が 20〜30質量部であり、上記脂肪族環を有する(メタ)アタリノレ 酸エステルの質量が 10〜25質量部であり、上記芳香族環を有する(メタ)アクリル酸 エステルの質量が 1〜 5質量部である。
[0027] 単量体組成物に、脂肪族環を有する(メタ)アクリル酸エステルを含むことで、得られ る接着剤組成物のガラス転移温度が高くなる。そのため、高温環境下においても接 着強度が高い接着剤組成物を得ることができる。また、他の成分の組成を上述のよう にすることで、高い耐熱性、及び耐アルカリ性を有し、高温プロセス後の剥離が容易 な接着剤組成物を得ることができる。
[0028] つまり、ガラス転移温度を低下させる成分の含有量を少なくし、ガラス転移温度を向 上させる成分の含有量を増やすことで、高温環境下の接着性を向上させた。ここで、 単に、ガラス転移温度を向上させる成分の含有量を増やすだけでは、耐熱性、耐ァ ルカリ性、柔軟性、吸湿性、剥離容易性等の特性を犠牲にする恐れがある。しかし、 本発明者らは、鋭意検討した結果、単量体組成物の成分を、上述の種類及び含有 量とすることで、高温環境下における接着性を向上させた上で、さらに耐熱性等の特 性をも向上させることが可能となることを新たに見出した。本発明は、この全く新たな 知見に基づいて成された接着剤組成物である。
[0029] なお、本明細書において「主成分」とは、上記接着剤組成物に含まれる他のいずれ の成分よりも、その含量が多いことをいう。よって、上記主成分の含有量は、上記接着 剤組成物中に含まれる成分の内、最も多い量である限り、限定されるものではないが 、好ましくは、上記接着剤組成物の質量を 100質量部としたとき、上記主成分の含有 量は 50質量部以上 100質量部以下が好ましぐさらに好ましくは、 70質量部以上 10 0質量部以下である。 50質量部以上であれば、上記接着剤組成物の備える高い耐 熱性、高温環境下における高い接着強度、及び耐アルカリ性、剥離の容易性に係る 効果が良好に発揮される。
[0030] (スチレン)
本実施の形態に係る接着剤組成物は、上記単量体組成物に、スチレンを含む。上 記スチレンは、 200°C以上の高温環境下においても変質することが無いため、上記 接着剤組成物の耐熱性が向上する。
[0031] 上記単量体組成物中に含まれるスチレンの質量は、上記スチレンと、上記鎖式構 造からなる(メタ)アクリル酸アルキルエステルと、上記脂肪族環を有する (メタ)アタリ ル酸エステルと、上記芳香族環を有する(メタ)アクリル酸エステルとの総量を 100質 量部としたとき、 40〜69質量部であればよいが、 45〜65質量部であることが好ましく 、 50〜60質量部であることが最も好ましい。 40質量部以上とすることで、耐熱性が向 上し、 69質量部以下とすることで、クラック耐性の低下を抑制する。
[0032] (鎖式構造からなる(メタ)アクリル酸アルキルエステル)
本実施の形態に係る接着剤組成物は、上記単量体組成物に、鎖式構造からなる( メタ)アクリル酸アルキルエステルを含む。これにより、当該接着剤組成物から得られ る接着剤層の柔軟性、クラック耐性が向上する。
[0033] 上記単量体組成物に含まれる、鎖式構造からなる(メタ)アクリル酸アルキルエステ ルの質量は、上記スチレンと、鎖式構造からなる(メタ)アクリル酸アルキルエステルと 、脂肪族環を有する(メタ)アクリル酸エステルと、芳香族環を有する(メタ)アクリル酸 エステルとの総量を 100質量部としたとき、 20〜30質量部であればよいが、 25—30 質量部であることが好ましい。 20質量部以上とすることで、得られる接着剤層の柔軟 性及びクラック耐性が向上し、 30質量部以下とすることで、耐熱性の低下、剥離不良 及び吸湿性を抑制する。
[0034] 上記単量体組成物に含まれる、鎖式構造からなる(メタ)アクリル酸アルキルエステ ノレとしては、特に限定されるものではなぐ例えば、炭素数 15〜20のアルキル基を有 するアクリル系長鎖アルキルエステル、炭素数 1〜; 14のアルキル基を有するアクリル 系アルキルエステル等が挙げられる。 [0035] 上記アクリル系長鎖アルキルエステルとしては、アルキル基が n- n—へキサデシル基、 n—へプタデシル基、 n—ォクタデシル基、 n—ノナデシル基、 n—エイコシル基等からアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる
。なお、当該アルキル基は、分岐状であってもよい。
[0036] 上記炭素数 1〜; 14のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステルとしては、既 存のアクリル系接着剤に用いられている公知のアクリル系アルキルエステルが挙げら れる。例えば、当該アルキル基力 メチル基、ェチル基、プロピル基、ブチル基、 2— ェチルへキシノレ基、イソォクチル基、イソノニル基、イソデシノレ基、ドデシノレ基、ラウリ ル基、トリデシル基等からなるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げ られる。
[0037] これらは単独で用いてもよぐ適宜 2種類以上を混合してもよいが、上記単量体組 成物に含まれる鎖式構造からなる(メタ)アクリル酸アルキルエステルには、下記一般 式 (1)
[0038] [化 1]
Figure imgf000009_0001
(R1は、水素原子又はメチル基を表し、 ITは、炭素数 1〜3のアルキル基を表す。) で示される構造を有する化合物を含むことが好ましく、(メタ)アクリル酸メチルを含む ことがさらに好ましい。上記一般式(1)で示される構造を有する化合物を、上記単量 体組成物に混合することで、得られる接着剤組成物のガラス転移温度をさらに向上さ せること力 Sできる。よって、さらに高温環境下における接着強度の高い接着剤組成物 を得ること力 Sでさる。 [0039] 上記単量体組成物に含まれる、上記一般式(1)で示される構造を有する化合物の 質量は、特に限定されるものではないが、上記単量体組成物に含まれる、鎖式構造 力、らなる(メタ)アクリル酸アルキルエステルの総量を 100質量部としたとき、 50—100 質量部であることが好ましぐさらに好ましくは 70〜; 100質量部であり、特に好ましく は 100質量部である。 50質量部以上とすることで、得られる接着剤組成物のガラス転 移温度をさらに向上し、高温環境下の接着強度がより高い接着剤組成物を得ること ができる。
[0040] (脂肪族環を有する(メタ)アクリル酸エステル)
本実施の形態に係る接着剤組成物は、上記単量体組成物に、脂肪族環を有する( メタ)アクリル酸エステルを含む。脂肪族環を有する (メタ)アクリル酸エステルを含むこ とで、得られる接着剤組成物のガラス転移温度が向上するため、高温環境下の接着 強度が高レ、接着剤組成物を得ることができる。
[0041] 上記単量体組成物に含まれる、脂肪族環を有する(メタ)アクリル酸エステルの質量 は、上記スチレンと、上記鎖式構造からなる(メタ)アクリル酸アルキルエステルと、上 記脂肪族環を有する(メタ)アクリル酸エステルと、上記芳香族環を有する(メタ)アタリ ル酸エステルとの総量を 100質量部としたとき、 10〜25質量部であればよいが、 15 〜20質量部であることが好ましい。 10質量部以上とすることで、得られる接着剤の耐 熱性が向上し、 25質量部以下とすることで、良好な剥離性を得ることができる。
[0042] 本明細書において「脂肪族環」とは、後述する芳香族環に対する相対的な概念で あって、芳香族環 (ベンゼン環)を持たな!/、環式構造を意図する。
[0043] 上記単量体組成物に含まれる、脂肪族環を有する(メタ)アクリル酸エステルとして は、特に限定されるものではないが、下記一般式(2)
[0044] [化 2]
Figure imgf000011_0001
R4 · · · ( 2 )
(R3は、水素原子又はメチル基を表し、 R4は、脂肪族環を有する、炭素数 4〜; 15の有 機基を表す。 )
で示される化合物であることが好ましい。上記一般式(2)で示される化合物としては、 例えばシクロへキシル(メタ)アタリレート、シクロペンチル(メタ)アタリレート、 1—ァダ マンチル(メタ)アタリレート、ノルボルニル(メタ)アタリレート、イソボルニル(メタ)アタリ レート、トリシクロデカニル (メタ)アタリレート、テトラシクロドデカニル (メタ)アタリレート 等が挙げられる力 イソボルニルメタアタリレートがさらに好ましい。上記一般式(2)で 示される構造を有する化合物を、上記単量体組成物に混合することで、得られる接 着剤組成物のガラス転移温度をさらに向上させることができる。よって、さらに高温環 境下の接着強度が高い接着剤組成物を得ることができる。
[0045] (芳香族環を有する(メタ)アクリル酸エステル)
本実施の形態に係る接着剤組成物は、上記単量体組成物に、芳香族環を有する( メタ)アクリル酸エステルを含む。芳香族環を有する (メタ)アクリル酸エステルを含むこ とで、得られる接着剤組成物の柔軟性が向上する。
[0046] 上記単量体組成物に含まれる、芳香族環を有する(メタ)アクリル酸エステルの質量 は、上記スチレンと、上記鎖式構造からなる(メタ)アクリル酸アルキルエステルと、上 記脂肪族環を有する(メタ)アクリル酸エステルと、上記芳香族環を有する(メタ)アタリ ル酸エステルとの総量を 100質量部としたとき、;!〜 5質量部であればよいが、 3〜5 質量部であることが好ましい。 1質量部以上とすることで、得られる接着剤の柔軟性が 向上する。また、単量体組成物に芳香族環を有する(メタ)アクリル酸エステルが含ま れると、得られる接着剤組成物のガラス転移温度は低くなる。そのため、芳香族環を 有する(メタ)アクリル酸エステルの量を、 5質量部以下とすることで、上述の柔軟性を 確保しつつも、得られる接着剤組成物のガラス転移温度の低下を抑制し、高温環境 下の接着強度の高い接着剤組成物を得ることができる。
[0047] 上記単量体組成物に含まれる、芳香族環を有する(メタ)アクリル酸エステルとして は、特に限定されるものではないが、下記一般式(3)
[0048] [化 3]
Figure imgf000012_0001
R · · · ( 3 )
(R5は、水素原子又はメチル基を表し、 R6は、芳香族環を有する、炭素数 6〜; 15の有 機基を表す。 )
で示される化合物であることが好ましい。上記芳香族環を有する炭素数 6〜; 15の有 機基としては、例えばフエニル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基、ビフエ二ル基、 ナフチル基、アントラセニル基、フエノキシメチル基、フエノキシェチル基などが挙げら れる。上記芳香族環は、炭素数;!〜 5の鎖状または分岐上のアルキル基を有してい てもよい。上記一般式(3)で示される化合物の中でもフエノキシェチルアタリレートが さらに好ましい。上記一般式(3)で示される化合物を用いれば、得られる接着剤組成 物の柔軟性をさらに向上させることができる。つまり、少ない量で、 目的とする柔軟性 を得ること力 Sできる。よって、接着剤組成物のガラス転移温度を向上させる成分の量 を増やすことができ、柔軟性が高ぐかつ、高温環境下における接着強度が高い接 着剤組成物を得ることができる。
[0049] (エチレン性二重結合を有するカルボン酸)
上記単量体組成物には、エチレン性二重結合を有するカルボン酸を含んでもよい
。エチレン性二重結合を有するカルボン酸を含むことにより得られる上記接着剤組成 物は、高温環境下における接着強度、及び耐熱性が向上し、さらに、高温プロセスを 経た後においても、容易に剥離することができる。
[0050] これは、接着剤組成物中に上記カルボン酸由来のヒドロキシル基(極性基)が増え ることにより、当該接着剤組成物が塗布される被接着面と当該接着剤組成物との界 面で、当該接着剤組成物の極性が向上し、これにより高温環境下における上記接着 剤組成物中の分子鎖同士の解離が抑制されるためである。
[0051] 上記カルボン酸は、エチレン性二重結合を有し、他の単量体成分と共重合可能で ある限り、限定されるものではないが、下記一般式 (4)
[0052] [化 4]
Figure imgf000013_0001
(R7は、(メタ)アタリロイル基またはビュル基を有する、炭素数 2〜20の有機基を表し 、酸素原子を含んでもよい。 mは 1〜3の整数を表す。 )
で示されるカルボン酸であることが好ましぐさらに好ましくは (メタ)アクリル酸又は下 記一般式(5)
[0053] [化 5]
Figure imgf000014_0001
〇= C
Figure imgf000014_0002
OH · · · ( 5 )
(R8は、水素原子又は炭素数 1〜4のアルキル基を表し、 R9は、炭素数;!〜 5の 2価の アルキル基、又は、環式構造を有する炭素数 4〜20の 2価の有機基を表し、酸素原 子を含んでもよい。 )
で示されるカルボン酸である。上記一般式(5)で示されるカルボン酸としては、好まし くは、 R9がシクロへキサン、ノルボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンから 水素原子を 2個除いた基を有するものが挙げられる。これらは単独で用いてもよぐ 2 種類以上を混合して用いてもよい。中でも(メタ)アクリル酸が好ましい。これらのカル ボン酸と、上記単量体組成物における他の成分との共重合は、好適に進み、さらに 共重合後により得られるポリマーの構造が安定となる。よって、分子鎖同士の解離を 防ぐことができるため、耐熱性、高温環境下における接着強度が向上する。
上記カルボン酸の量は、接着強度等、 目的とする接着剤組成物の性質に応じて適 宜設定すればよいが、上記スチレンと、上記鎖式構造からなる(メタ)アクリル酸アル キルエステルと、上記脂肪族環を有する(メタ)アクリル酸エステルと、上記芳香族環 を有する(メタ)アクリル酸エステルとの総量を 100質量部としたとき、;!〜 10質量部で あること力 S好ましく、さらに好ましくは 1〜5質量部である。 1質量部以上であれば、得 られる接着剤組成物の耐熱性、高温環境下における接着強度を、さらに向上させる こと力 Sできる。また、 10質量部以下であれば、接着剤組成物の吸湿性を抑制し、ゲル 化を防ぐことができる、上記接着剤組成物が有するカルボキシル基の量を少なくする ことによって、耐アルカリ性も向上する。
[0055] (その他の成分)
本実施の形態に係る接着剤組成物には、他の添加成分としてジメチルアクリルアミ ドなどのアクリルアミドゃアタリロイルモルホリンなどのモルホリンを配合してもよい。こ れらの配合により、耐熱性と接着性との同時改善が期待できる。
[0056] 本実施の形態に係る接着剤組成物には、本発明における本質的な特性を損なわ ない範囲で、さらに、混和性のある添加剤、例えば接着剤の性能を改良するための 付加的樹脂、可塑剤、接着助剤、安定剤、着色剤、界面活性剤などの慣用されてい るあのを添カロすること力 Sでさる。
[0057] さらに接着剤組成物は、本発明における本質的な特性を損なわな!/、範囲にお!/、て 、粘度調整のために有機溶剤を用いて希釈してもよい。上記有機溶剤としては、例え ば、アセトン、メチルェチルケトン、シクロへキサノン、メチルイソアミルケトン、 2—ヘプ タノン等のケトン類;エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジェチレ ングリコーノレ、ジエチレングリコーノレモノアセテート、プロピレングリコーノレ、プロピレン グリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール又はジプロピレングリコールモノア セテートのモノメチノレエーテノレ、モノエチノレエーテノレ、モノプロピノレエーテノレ、モノブ チルエーテル又はモノフエニルエーテル等の多価アルコール類及びその誘導体;ジ ォキサン等の環式エーテル類;及び乳酸メチル、乳酸ェチル、酢酸メチル、酢酸ェチ ノレ、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸ェチル、メトキシプロピオン酸メチル、 エトキシプロピオン酸ェチル等のエステル類を挙げることができる。これらは単独で用 いてもよぐ 2種以上を混合して用いてもよい。特に、エチレングリコール、エチレング リコーノレモノアセテート、ジエチレングリコーノレ、ジエチレングリコーノレモノアセテート、 プロピレングリコーノレ、プロピレングリコーノレモノアセテート、ジプロピレングリコーノレ又 はジプロピレングリコーノレモノアセテートのモノメチノレエーテノレ、モノエチノレエーテノレ 、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノフエニルエーテル等の多価ァ ルコール類及びその誘導体が好ましい。
[0058] 有機溶剤の使用量は、接着剤組成物を塗布する膜厚に応じて適宜設定されるもの であり、接着剤組成物が半導体ウェハー等の支持体上に塗布可能な濃度であれば 特に限定されるものではない。一般的には、接着剤組成物の固形分濃度が 20〜70 質量%、好ましくは 25〜60質量%の範囲内となるように用いられる。
[0059] 〔共重合反応〕
本実施の形態に係る接着剤組成物は、上記単量体組成物を共重合反応させて製 造すればよい。上記単量体組成物を共重合反応させる方法としては、特に限定され るものではなぐ例えば、既存の攪拌装置を用いて、上記単量体組成物を攪拌すれ ばよい。
[0060] 共重合反応における温度条件は、適宜設定すればよぐ限定されるものではない ヽ 60〜150°Cであることが好ましぐさらに好ましくは 70〜120°Cである。
[0061] また、共重合反応においては、適宜、溶媒を用いてもよい。上記溶媒としては、上 記有機溶剤を用いることができ、中でもプロピレングリコール 'モノメチルエーテル 'ァ セテート(以下、「PGMEA」と表記する)が好ましい。
[0062] また、本実施の形態に係る共重合反応においては、適宜、重合開始剤を用いても よい。重合開始剤としては、 2, 2 '—ァゾビスイソブチロニトリル、 2, 2'—ァゾビス(2 —メチルブチロニトリル)、 2, 2, 一ァゾビスイソ酪酸ジメチル、 1 , 1, 一ァゾビス(シクロ へキサン 1 カルボ二トリル)、 4, 4'ーァゾビス(4ーシァノ吉草酸)等のァゾ化合 物;デカノィルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ベンゾィルパーオキサイド 、ビス(3, 5, 5—トリメチルへキサノィル)パーオキサイド、コハク酸パーオキサイド、 t ーブチノレパーォキシ 2—ェチノレへキサノエート、 tーブチノレパーォキシピバレート、 1 , 1 , 3, 3 テトラメチルブチルパーォキシ 2 ェチルへキサノエート等の有機過 酸化物が挙げられる。これらは単独で用いてもよぐ適宜 2種以上を混合して用いて もよい。また、重合開始剤の使用量は、単量体組成物の組合せや反応条件等に応じ て適宜設定すればよぐ特に限定されるものではない。
[0063] なお、上記エチレン性二重結合を有するカルボン酸を用いる場合、当該カルボン 酸を混合するタイミングは、当該カルボン酸と、当該カルボン酸以外の上記単量体組 成物の成分とが、共重合反応可能であれば、限定されるものではない。
[0064] つまり、上記カルボン酸を、予め、共重合反応を開始させる前に、他の上記単量体 組成物に混合しておいてもよぐ他の成分の共重合反応を開始させた後、当該共重 合反応が終了するまでに、上記カルボン酸を混合してもよい。中でも、予め、上記力 ルボン酸と、上記スチレンと、上記鎖式構造からなる(メタ)アクリル酸アルキルエステ ルと、上記脂肪族環を有する (メタ)アクリル酸エステルと、上記芳香族環を有する (メ タ)アクリル酸エステルとを混合した上で共重合反応を開始させることが好ましレ、。予 め上記カルボン酸を混合した単量体組成物を共重合反応させることで、上記カルボ ン酸が、他の成分とランダム共重合する。そのため、上記極性基が接着剤組成物中 に均一に存在することとなり、上記界面における接着剤組成物の極性がさらに向上し 、高温環境下における接着剤組成物中の分子鎖同士の解離がさらに抑制されるた め、接着強度がさらに向上する。
[0065] ここで、本明細書において、「共重合反応を開始させる」とは、上述した共重合反応 を開始した後に混合する化合物以外の化合物を混合してなる上記単量体組成物に おいて、共重合反応が始まる時点をいう。
[0066] 実際に上記接着剤組成物の製造を実施する場合は、予め混合することを目的とす る単量体組成物の成分の混合が、終了した時点を、上記「共重合反応を開始させる」 時点として、製造工程を制御してもよい。また、共重合反応に攪拌機付き反応器を用 いる場合は、予め混合することを目的とする成分の全種類の、それぞれ少なくとも一 部を反応器に供した後に、攪拌を開始した時点としてもよぐ所定の共重合反応の反 応温度を設定する場合は、当該温度に対する加熱を開始した時点としてもよぐ重合 開始剤を用いる場合は、重合開始剤添加時とすればよ!/、。
[0067] 上記いずれの時点を「共重合反応の開始」としても、本発明の効果を得ることができ るため、上記接着剤組成物の製造設備、条件等に応じて、適宜「共重合反応の開始 」の時点を設定し、その後の工程等を制御すればよい。 [0068] また、本明細書において、「共重合反応を終了させる」とは、所望の共重合反応が 達成された時点をいう。具体的には、上記攪拌を止める時点、又は、上記反応温度 力、ら冷却を開始させる時点として、上記接着剤組成物の製造を実施すればよ!/、。
[0069] 〔ガラス転移温度〕
以上に説明した単量体組成物を共重合して得られる接着剤組成物は、ガラス転移 温度が高いため高温環境下における接着強度が高ぐかつ、高い耐熱性、及び耐ァ ルカリ性を有し、高温プロセス後の剥離が容易である。
[0070] 本発明に係る接着剤組成物に用いる、上記主成分であるポリマーのガラス転移温 度としては、 50〜; 100°Cであることが好ましぐさらに好ましくは 65〜95°Cである。
[0071] 〔接着フィルム〕
以上述べてきた本実施の形態に係る接着剤組成物は、用途に応じて様々な利用 方法を用いることができる。例えば、液状のまま、半導体ウェハー等の被加工体の上 に塗布して接着剤層を形成する方法を用いてもよ!/、し、本発明に係る接着フィルム、 即ち、予め可撓性フィルム等のフィルム上に上記のいずれかの接着剤組成物を含む 接着剤層を形成した後、乾燥させておき、このフィルム (接着フィルム)を、被加工体 に貼り付けて使用する方法 (接着フィルム法)を用いてもよ!/、。
[0072] このように、本発明に係る接着フィルムは、フィルム上に、上記のいずれかの接着剤 組成物を含有する接着剤層を備える。
[0073] 従って、高温環境下において高い接着強度を備え、かつ、耐熱性及び耐アルカリ 性が高ぐ剥離容易性に優れた接着フィルムを得ることができる。
[0074] 上記接着フィルムは、上記接着剤層にさらに保護フィルムを被覆して用いてもよい 。この場合、接着剤層上の保護フィルムを剥離し、被加工体の上に露出した接着剤 層を重ねた後、接着剤層から上記フィルムを剥離することによって被加工体上に接 着剤層を容易に設けることができる。
[0075] 従って、上記接着フィルムを用いれば、被加工体の上に直接接着剤組成物を塗布 して接着剤層を形成する場合と比較して、膜厚均一性及び表面平滑性の良好な層 を形成すること力できる。
[0076] また、上記接着フィルムの製造に使用する上記フィルムとしては、フィルム上に製膜 された接着剤層をフィルムから剥離することができ、接着剤層を保護基板やウェハー 等の被処理面上に転写できる離型フィルムであれば限定されるものではなレ、。例え ば、膜厚 15〜; 125 μ mのポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、 ポリカーボネート、ポリ塩化ビュル等の合成樹脂フィルムからなる可撓性フィルムが挙 げられる。上記フィルムには必要に応じて、転写が容易となるように離型処理されるこ とが好ましい。
[0077] 上記フィルム上に接着剤層を形成する方法としては、所望する接着剤層の膜厚や 均一性に応じて適宜、公知の方法を用いればよぐ限定されるものではないが、例え は. アプリケーター. ノ ーコーター. ワイヤーノ ーコーター、ローノレコーター、カーテ ンフローコーター等を用いて、フィルム上に上記接着剤層の乾燥膜厚が 10〜; 1000 となるように、本発明に係る接着剤組成物を塗布する方法が挙げられる。中でも ロールコーターが膜厚の均一性に優れ、かつ厚さの厚い膜が効率よく形成できるた め好ましい。
[0078] また、上記保護フィルムを用いる場合、上記保護フィルムとしては、上記接着剤層 力、ら剥離することができる限り限定されるものではないが、例えばポリエチレンテレフ タレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルムが好ましい。また、上 記各保護フィルムは、シリコンをコーティング又は焼き付けしてあることが好ましい。上 記接着剤層からの剥離が容易となるからである。上記保護フィルムの厚さは、特に限 定されるものではないが 15〜; 125 mが好ましい。保護フィルムを備えた上記接着フ イルムの柔軟性を確保できるからである。
[0079] 上記接着フィルムの使用方法は、特に限定されるものでは無いが、例えば、保護フ イルムを用いた場合は、これを剥離した上で、被加工体の上に露出した接着剤層を 重ねて、フィルム上 (接着剤層の形成された面の裏面)から加熱ローラを移動させるこ とにより、接着剤層を被加工体の表面に熱圧着させる方法が挙げられる。このとき、 接着フィルムから剥離した保護フィルムは、順次巻き取りローラ等でロール状に巻き 取れば、保存し再利用することが可能である。
[0080] 本発明の接着剤組成物及び接着フィルムの用途は、接着用途に用いられる限り、 特に限定されるものではな!/、が、半導体ウェハーの精密加工用保護基板を半導体ゥ ェハ一等の基板に接着する用途に、好適に用いることができる。特に、半導体ウェハ 一等の基板を研削して薄板化する際に、当該基板をサポートプレートに貼り付けるた めの接着剤として、好適に用いることができる(例えば、 日本国公開特許公報「特開 2 005— 191550号公報」)。
[0081] 〔剥離液〕
本発明に係る接着剤組成物を取り除くための剥離液としては、通常用いられる剥離 液を用いることができる力 特に PGMEAや酢酸ェチル、メチルェチルケトンを主成 分とする剥離液が環境負荷や剥離性の点で好ましい。
実施例
[0082] 以下に、本発明に係る接着剤組成物の接着強度等を評価した実施例につ!/、て説 明する。
[0083] なお、以下の実施例及び比較例に係る接着剤組成物の評価は、それぞれの耐熱 性、吸湿性、柔軟性、異なる温度条件下における接着強度、 200°Cにおけるガスの 発生量 (以下、「出ガス」と表記する)、接着性を測定することにより行なった。これらの 測定方法を以下に説明する。
[0084] (耐熱性、吸湿性、出ガスの測定方法)
後述する実施例 1、 2及び比較例 1に係る各接着剤組成物をシリコンウェハー上に 塗布した後、それぞれの塗膜を 40°Cから 250°Cまで昇温して、塗膜からの脱ガス量 を測定し、そのガス量により評価した。
[0085] 上記脱ガス量により、耐熱性及び吸湿性の評価が可能な理由は以下の通りである 。つまり、 100°Cまでに測定される脱ガス量は水蒸気又はその共沸ガスに由来するも のである。そして、上記水蒸気又はその共沸ガスは、接着剤組成物が吸湿した水分 に由来するものであるため、 100°Cまでに測定される脱ガス量によって、吸湿性が評 価できる。また、 100°C以上で測定される脱ガス量は、接着剤組成物自体が熱により 分解されて生じたガスに由来するものである。よって、 100°C以上、特に 200°C近辺 における脱ガス量により、接着剤組成物の耐熱性が評価できる。
[0086] 上記脱ガス量の測定には、 TDS法(Thermal Desorption Spectroscopy法、 昇温脱離分析法)を用いた。 TDS測定装置 (放出ガス測定装置)は、電子科学株式 会社製の EMD—WA1000を使用した。
[0087] TDS装置の測定条件は、 Width : 100、 Center Mass Number : 50、 Gain : 9、 S can Speed : 4、 Emult Volt : 1. 3KVで行った。
[0088] 耐熱性の評価は、 200°Cにおいて、上記 TDS測定装置により求められる強度(Ind ensity)が 100, 000以下であり、残渣が金属顕微鏡で観察されない場合は〇、 100
, 000以上である力 残渣が金属顕微鏡で観察されない場合は△、 100, 000以上 であり、残渣が金属顕微鏡で観察される場合は Xとした。
[0089] 吸湿性の評価は、 100°Cにおける上記強度(Indensity)力 0, 000以下である場 合は〇、 10, 000以上である場合は Xとした。
[0090] また、出ガスの評価は、 200°Cにおいて、上記 TDS測定装置により求められる強度
(Indensity)力 00, 000以下である場合は〇、 100, 000以上である場合は Xとし た。
[0091] (接着強度)
シリコンウェハー上に、実施例 1、 2及び比較例 1に係る接着剤組成物を塗布した後 、 150°Cで 3分間乾燥させた。次に、ガラス板を 200°Cで、 1kgの加重で接着させた 後、各温度環境下で当該ガラス基板を引っ張り、シリコンウェハーから剥がれた時の 接着強度を縦型電動計測スタンド「MX— 500NJ (株式会社イマダ社製)を用いて算 し/し。
[0092] (柔軟性の評価)
6インチのシリコンウェハー上にスピンナーを用いて各接着剤組成物を lOOOrpmに て 25秒間塗布した後、ホットプレートで 200°C、 3分間加熱して、上記シリコンウェハ 一上に塗膜層を得た。次に、上記塗膜層のクラックの有無を目視により観察し、クラッ クが有ったものを X、無しのものを〇とした。なお、用いたシリコンウェハーの厚さは、 15 μ mでめる。
[0093] (耐アルカリ性の評価)
耐アルカリ性は、シリコンウェハー上に、実施例 1、 2及び比較例 1に係る接着剤組 成物を塗布した後、 200°Cで 3分間乾燥した。次に、 2. 38質量%の TMAH (テトラメ チルアンモニゥムハイド口オキサイド)水溶液の中に浸漬させて、塗布した膜が溶解 するか否かを目視で観察した。 目視で、塗布した膜の溶解が確認されなかったものを
〇、確認されたものを Xとした。
[0094] (接着性の評価)
23。C、 60。C、 120。C、 140。C、 160。C、 180。C、 200。Cの各温度における、実施 ί列 1、 2及び比較例 1に係る接着剤組成物の接着性を評価した。具体的には、シリコン ウェハー上に、実施例 1、 2及び比較例 1に係る接着剤組成物を塗布した後、 200°C で 3分間加熱して接着層を形成した。次に、当該接着層の上に、 150°Cで 2分間熱 圧着することで、ガラス板を貼り付けた。その後、各温度環境下でガラス板を剥がして 、シリコンウェハー上に、接着剤組成物が残存しているか否かを観察した。接着剤組 成物が残存していなければ、接着性を〇とし、残存していれば接着性を Xとした。ま た、ガラス板を剥がした後のシリコンウェハー上を光学顕微鏡 (ォリンパス社製、 MX5 0)を用いて、 50倍で観察した。
[0095] 〔実施例 1、 2、比較例 1〕
スチレンと、鎖式構造からなる (メタ)アクリル酸アルキルエステルと、芳香族環を有 する(メタ)アクリル酸エステルとを含む単量体組成物を共重合してなるポリマーを主 成分とする接着剤組成物(比較例 1)と、単量体組成物に、さらに、脂肪族環を有する (メタ)アクリル酸エステルを加えて、得られるガラス転移温度を向上させた上で、耐熱 性等を確保可能なように各成分の組成を調整した接着剤組成物(実施例 1及び 2)と の性質を比較した。
[0096] 実施例 1、 2及び比較例 1における単量体組成物の組成、及び当該単量体組成物 を重合することにより得られた上記接着剤組成物の平均分子量を表 1に示す。
[0097] [表 1] 組成 (質量部) 実施例 1 実施例 2 比較例 1
メタクリル酸メチル 27 27 1 5
アクリル酸 n-ブチル 0 0 1 3
スチレン 12 12 1 2
フエノキシェチルァクリレート 3 3 20
イソボルニルメタァクリレ一ト 1 8 1 8 0 アクリル酸 5 0 0 スチレン(後添加〉 40 40 40
平均分子量 97000 82500 86000 実施例 1に係る接着剤組成物は、次のように得た。
[0098] まず、還流冷却器、撹拌機、温度計、窒素導入管を備えた容量 300mlの 4つ口フ ラスコに、溶剤として PGMEA90g、及び、表 1に示すように、モノマー単量体としてフ : ノキシェチノレ クリレート 3g、メタクリノレ酸メチノレ 27g、スチレン 12g、イソボノレニノレ メタアタリレート 18g、アクリル酸 5gを仕込み、 N の吹き込みを開始した。攪拌をは
2
じめることで重合を開始させ、攪拌しながら 90°Cまで昇温した後、 PGMEA13. 33g およびスチレン 40gからなる混合溶と、 PGMEA13. 33g及び t ブチルパーォキシ 2 ェチルへキサノエート(重合開始剤) 0. 6gからなる混合液とを滴下ノズルより、 2 時間かけて連続的に滴下した。滴下速度は一定とした。なお、それぞれの実施例に 係る接着剤組成物が表 1に記載の平均分子量となるように、 t ブチルパーォキシ 2 ェチルへキサノエ一トの量を調整した。
[0099] 滴下終了後に得られた重合反応液を、そのまま 1時間、 90°Cで熟成した後、 PGM EA 83. 34g及び t ブチルパーォキシ 2 ェチルへキサノエート 0· 3g力、らなる混 合液を 1時間かけて滴下した。その後、重合反応液を、さらにそのまま 1時間、 90°C で熟成した後、 1 , 1 , 3, 3 テトラメチルブチルパーォキシ 2 ェチルへキサノエート 1. Ogを一括投入した。
[0100] 次に、重合反応液を、そのまま 3hr、 90°Cで熟成した後、溶剤の還流が認められる まで重合反応液を昇温した後、 1時間熟成し、重合を終了させた。
[0101] 実施例 2に係る接着剤組成物は、アクリル酸 5gを用いない以外は、上述の実施例
1に係る接着剤組成物を得た方法と同じ方法により得た。
[0102] 比較例 1に係る接着剤組成物は、次のように得た。
[0103] 還流冷却器、撹拌機、温度計、窒素導入管を備えた容量 300mlの 4つ口フラスコ に、溶剤として PGMEA90g、及び、表 1に示すように、モノマー単量体としてフエノキ シェチノレ クリレー卜 20g、メタクリノレ酸メチノレ 15g、 クリノレ酸 n フ"チノレ 13g、スチ レン 12gを仕込み、 N の吹き込みを開始した。攪拌をはじめることで重合を開始させ
2
、攪拌しながら 90°Cまで昇温した後、 PGMEA13. 33gおよびスチレン 40gからなる 混合溶と、 PGMEA 13. 33及び重合開始剤として t ブチルパーォキシ 2 ェチル へキサノエート 0. 6gからなる混合液とを滴下ノズルより、 2時間かけて連続的に滴下 した。滴下を通じて滴下速度は一定とした。
[0104] 滴下終了後に得られた重合反応液を、そのまま 1時間、 90°Cで熟成した後、 PGM EA 83. 34及び t—ブチルパーォキシ 2—ェチルへキサノエート 0· 3gからなる混合 液を 1時間かけて滴下した。その後、重合反応液を、さらにそのまま 1時間、 90°Cで 熟成した後、 1 , 1 , 3, 3—テトラメチルブチルパーォキシ 2—ェチルへキサノエート 1 . Ogを一括投入した。
[0105] 次に、重合反応液を、そのまま 3時間、 90°Cで熟成した後、溶剤の還流が認められ るまで重合反応液を昇温した後、 1時間熟成し、重合を終了させた。
[0106] 実施例 1、 2及び比較例 1に係る接着剤組成物の、 140°Cにおける接着強度、出ガ ス、耐熱性、柔軟性、吸湿性、及び耐アルカリ性を比較した。その結果を表 2に示す
[0107] [表 2]
Figure imgf000024_0001
また、実施例 1、 2及び比較例 1に係る接着剤組成物の接着強度を比較した。その 結果を表 3及び図 1に示す。なお、図 1において、横軸は各温度条件を示し、縦軸は 接着強度 (kgf/cm2)を示す。
[表 3]
Figure imgf000024_0002
また、実施例 1、 2及び比較例 1に係る接着剤組成物の接着性を比較した。その結 果を表 4に示す。 [0109] [表 4]
Figure imgf000025_0001
ここで、接着性の比較の結果を、より詳細に図 2に基づいて説明する。図 2は接着 性の比較の結果を模式的に示す図である。接着剤組成物を介して接着したシリコン ウェハー及びガラス板から、当該ガラス板を剥がすと、図 2の(a)又は (b)に示す状態 となる。図 2の(a)は、接着剤組成物が接着破壊によって剥離した状態を模式的に示 しており、表 4に示す〇に対応している。図 2の (b)は、接着剤組成物が液状化するこ とで凝集破壊が生じて剥離したことを模式的に示しており、表 4に示す Xに対応して いる。
[0110] 図 2の(c)は、各温度条件における接着性を評価した後の、シリコンウェハー上を光 学顕微鏡で観察した結果を示す図である。例えば、実施例 2の 23°Cの欄に示してい るように、左側は接着剤組成物を塗布して!/、た領域 (接着部)であり、右側は接着剤 組成物を塗布して!/、なかった領域 (非接着部)である。
[0111] 図 2の(c)に示す矢印の方向に、接着強度の測定を行なった温度が高いことを示し ており、表 4の〇に対応する欄では、接着剤組成物が残存しておらず、接着破壊によ り剥離したことが確認された。表 4の Xに対応する欄では、接着剤組成物が残存して おり、凝集破壊により剥離したことが確認された。
[0112] 以上のように、実施例 1及び 2に係る接着剤組成物では、 180°Cにおいても接着破 壊を生じ、接着性は良好であったことが示された。しかし、比較例 1に係る接着剤組 成物では、 140°Cにおいて凝集破壊を生じ、接着不良を生じたことが示された。
[0113] 本発明に係る接着剤組成物によれば、上述のように、単量体組成物に、脂肪族環 を有する(メタ)アクリル酸エステルを含むことで、得られる接着剤組成物のガラス転移 温度が高くなる。そのため、上記接着剤組成物は、高温環境下においても高い接着 強度を有する。さらに、他の成分によって、高い耐熱性、及び耐アルカリ性を有し、上 記高温プロセス後の剥離容易性が確保されている。よって、高温環境下における接 着強度が高ぐかつ、耐熱性、耐アルカリ性及び剥離容易性に優れた接着剤組成物 を提供すること力できると!/、う効果を奏する。
[0114] さらに、本発明に係る接着剤組成物によれば、上述の成分及び含有量からなる単 量体組成物を共重合してなるポリマーを主成分とするため、柔軟性に優れ、吸湿性 を抑制した接着剤組成物を提供できるという更なる効果を奏する。
[0115] また、本発明に係る接着フィルムでは、以上のように、フィルム上に、上記接着剤組 成物を含有する接着剤層を備える。よって、高温環境下における高い接着強度を備 え、かつ高い耐熱性及び耐アルカリ性を有し、高温プロセス後でも容易に剥離するこ とができる接着フィルムを提供することができるという効果を奏する。
[0116] 発明の詳細な説明の項においてなされた具体的な実施形態または実施例は、あく までも、本発明の技術内容を明らかにするものであって、そのような具体例にのみ限 定して狭義に解釈されるべきものではなぐ本発明の精神と次に記載する請求の範 囲内にお!/、て、レ、ろ!/、ろと変更して実施することができるものである。
産業上の利用可能性
[0117] 本発明に係る接着剤組成物及び接着フィルムは、高!/、耐熱性及び耐アルカリ性を 有し、吸湿性が低ぐ加熱時に発生するガスが少なぐまた剥離液による剥離を容易 に行なうことカできる。よって高温プロセス、高真空プロセス、アルカリ等様々な化学 薬品を用いるプロセスを経る半導体ウェハー又はチップの加工工程に、好適に用い ること力 Sでさる。

Claims

請求の範囲
[1] スチレンと、鎖式構造からなる (メタ)アクリル酸アルキルエステルと、脂肪族環を有 する(メタ)アクリル酸エステルと、芳香族環を有する (メタ)アクリル酸エステルとを含 む単量体組成物を共重合してなるポリマーを主成分とする接着剤組成物であって、 上記スチレンと、上記鎖式構造からなる (メタ)アクリル酸アルキルエステルと、上記 脂肪族環を有する(メタ)アクリル酸エステルと、上記芳香族環を有する(メタ)アクリル 酸エステルとの総量を 100質量部としたとき、
上記スチレンの質量が 40〜69質量部であり、
上記鎖式構造からなる(メタ)アクリル酸アルキルエステルの質量が 20〜30質量部 であり、
上記脂肪族環を有する(メタ)アクリル酸エステルの質量が 10〜25質量部であり、 上記芳香族環を有する(メタ)アクリル酸エステルの質量が 1〜5質量部であることを 特徴とする接着剤組成物。
[2] 上記鎖式構造からなる(メタ)アクリル酸アルキルエステル力 下記一般式(1)
[化 1]
Figure imgf000027_0001
(R1は、水素原子又はメチル基を表し、 ITは、炭素数 1〜3のアルキル基を表す。) で示される構造を有する化合物を含むことを特徴とする請求項 1に記載の接着剤組 成物。
上記式( 1 )で示される化合物が、(メタ)アクリル酸メチルであることを特徴とする請 求項 2に記載の接着剤組成物。
[4] 上記式(1)で示される化合物の質量が、上記(メタ)アクリル酸アルキルエステルの 総量を 100質量部としたとき、 50〜; 100質量部であることを特徴とする請求項 2又は
3に記載の接着剤組成物。
[5] 上記脂肪族環を有する (メタ)アクリル酸エステルが、下記一般式 (2)
[化 2]
Figure imgf000028_0001
(R3は、水素原子又はメチル基を表し、 R4は、脂肪族環を有する、炭素数 4〜; 15の有 機基を表す。 )
で示される化合物であることを特徴とする請求項 1に記載の接着剤組成物。
[6] 上記脂肪族環を有する(メタ)アクリル酸エステル力 イソボルニルメタアタリレートで あることを特徴とする請求項 1に記載の接着剤組成物。
[7] 上記芳香族環を有する(メタ)アクリル酸エステル力 下記一般式(3)
[化 3]
Figure imgf000029_0001
(R5は、水素原子又はメチル基を表し、 R6は、芳香族環を有する、炭素数 6〜; 15の有 機基を表す。 )
で示される化合物であることを特徴とする請求項 1に記載の接着剤組成物。
[8] 上記芳香族環を有する(メタ)アクリル酸エステル力 S、フエノキシェチルアタリレートで あることを特徴とする請求項 1に記載の接着剤組成物。
[9] 上記単量体組成物が、エチレン性二重結合を有するカルボン酸をさらに含むことを 特徴とする請求項 1に記載の接着剤組成物。
[10] 上記カルボン酸が、(メタ)アクリル酸であることを特徴とする請求項 9に記載の接着 剤組成物。
[11] 上記カルボン酸の質量力 上記スチレンと、芳香族環を有する (メタ)アクリル酸エス テルと、鎖式構造からなる(メタ)アクリル酸アルキルエステルと、脂肪族環を有する(メ タ)アクリル酸エステルとの総量を 100質量部としたとき、;!〜 10質量部であることを特 徴とする請求項 9又は 10に記載の接着剤組成物。
[12] フィルム上に、請求項 1〜; 11のいずれか 1項に記載の接着剤組成物を含有する接 着剤層を備えることを特徴とする接着:
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