JP2010037493A - 半導体ウエハtsv加工用フィルムおよび該フィルムを用いる半導体ウエハの加工方法 - Google Patents
半導体ウエハtsv加工用フィルムおよび該フィルムを用いる半導体ウエハの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010037493A JP2010037493A JP2008204610A JP2008204610A JP2010037493A JP 2010037493 A JP2010037493 A JP 2010037493A JP 2008204610 A JP2008204610 A JP 2008204610A JP 2008204610 A JP2008204610 A JP 2008204610A JP 2010037493 A JP2010037493 A JP 2010037493A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- film
- processing
- formula
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【解決手段】フルオロポリエーテルゴム粘着剤からなる半導体ウエハTSV加工用フィルム。
【選択図】なし
Description
(2)ウエハがアルカリ性スラリーやアルカリ性現像液等のアルカリ性の液体に触れる工程を有する場合、TSV加工用フィルムがアルカリ性の液体との接触部で剥離、溶解、分散等により劣化してしまう。
(3)200℃以上の加熱を経ると、TSV加工用フィルムに剥離液に不溶な物質が生成して、該フィルムの剥離が困難になる。
フルオロポリエーテルゴム粘着剤からなる半導体ウエハTSV加工用フィルムを提供する。
該フィルムは、その一実施形態においては、支持フィルムの片面に剥離可能に貼着された状態で提供される。
また、該フィルムは、半導体ウエハの精密加工においては、半導体ウエハと保護基板との間に介在しこれらを接着する役割を果たす。
(a)半導体ウエハの回路形成面または回路非形成面に、上記の半導体ウエハTSV加工用フィルムの一方の面を貼り付け、そして他方の面に精密加工用保護基板を貼り付けて、積層体を作成する工程;
(b)該積層体の半導体ウエハに貫通孔を穿つ工程;及び
(c)該積層体の前記貫通孔を形成した半導体ウエハに貫通電極を作成する工程
を有する半導体ウエハの加工方法を提供する。
本発明の半導体ウエハTSV加工用フィルムはフルオロポリエーテルゴム粘着剤からなるフィルムである。
該組成物は、主鎖骨格にフルオロポリエーテル構造を有するゴム組成物であれば特に制限されないが、
(A)一分子中に二個以上のアルケニル基を有するポリフルオロジアルケニル化合物、
(B)一分子中にケイ素原子に結合した水素原子を二個以上有し、105℃、3時間保存後の加熱減量が5質量%以下である含フッ素オルガノハイドロジェンポリシロキサン、
(C)触媒量の白金族金属化合物、
(D)疎水性シリカ粉末、
を含有する組成物が好ましい。以下、各成分について説明する。
(A)成分であるポリフルオロジアルケニル化合物は、分子鎖の両末端にアルケニル基を有するものであり、好ましくは下記一般式(1)で表される。
X’は、式:−CH2−、−OCH2−、−CH2OCH2−又は−CO−NR−Y’−
(式中、Y’は、式:−CH2−又は式:
で表される二価の基であり、
aは、独立に0又は1であり、
Rf1は、下記一般式(i):
−CtF2t[OCF2CF(CF3)]pOCF2(CF2)rCF2O[CF(CF3)CF2O]qCtF2t− (i)
(式中、p及びqは独立に1〜150の整数であって、かつ、pとqの和の平均は2〜200であり、rは0〜6の整数であり、tは独立に2又は3である。)、
−CtF2t[OCF2CF(CF3)]u(OCF2)vOCtF2t− (ii)
(式中、uは1〜200の整数、vは1〜50の整数であり、tは独立に上記と同じである。)
で表される二価のパーフルオロポリエーテル基であり、aは独立に0又は1である。〕
(B)成分である含フッ素オルガノハイドロジェンポリシロキサンは上記(A)成分に対して架橋剤ないし鎖長延長剤として作用する。該シロキサンは、そのために、一分子中にケイ素原子に結合した水素原子(即ち、ヒドロシリル基。以下、SiH基ともいう)を2個以上、好ましくは3個以上有する。
CgF2g+1−
(式中、gは1〜20、好ましくは2〜10の整数である。)
・パーフルオロアルキレン基:
−CgF2g−
(式中、gは1〜20、好ましくは2〜10の整数である。)
(式中、J及びKはおのおの1以上の整数であり、J+Kの平均は2〜200、好ましくは2〜100である。)
−CH2CH2−,
−CH2CH2CH2−,
−CH2CH2CH2OCH2−,
−CH2CH2CH2−NH−CO−,
−CH2CH2CH2−N(Ph)−CO−,
−CH2CH2CH2−N(CH3)−CO−,
−CH2CH2CH2−O−CO−,
−Ph’−N(CH3)−CO−
等の炭素原子数2〜12のものが挙げられる。
本発明の(C)成分である白金族金属化合物は、(A)成分中のアルケニル基と(B)成分中のヒドロシリル基との付加反応を促進する触媒として作用するもので、当業者に周知のものはいずれも使用することができる。白金族金属化合物としては、白金、ロジウム、ルテニウム、イリジウム及びパラジウムの化合物があげられるが、入手が比較的容易である点では白金化合物が望ましい。該白金化合物としては、例えば、塩化白金酸;塩化白金酸とエチレン等のオレフィン、アルコール、ビニルシロキサン等との錯体;シリカ、アルミナ、カーボン等に担持された金属白金等を挙げることができる。白金化合物以外の白金族金属化合物としては、例えば、RhCl(PPh3)3、RhCl(CO)(PPh3)2、Ru3(CO)12、IrCl(CO)(PPh3)2、Pd(PPh3)4等を例示することができる。
(D)成分である疎水性シリカ粉末は、本組成物から得られる硬化物に適切な物理的強度を付与する作用を有するものである。この(D)成分のシリカ粉末は、シリコーンゴム用充填剤として通常使用されるものとして公知のBET比表面積が50m2/g以上のものが使用され、該BET比表面積は特に50〜400m2/gであることが好ましい。
本組成物においては、上記の(A)〜(D)成分以外にも、必要に応じてその他の成分を添加することができる。
[式中、X’及びaは上記と同じであり、Rf2は、下記一般式(iii):
F−[CF(CF3)CF2O]w−CtF2t− (iii)
(式中、tは2又は3である。wは、1〜150の整数であるが、但し、実際に使用される(A)成分を表す一般式(1)中のRf1基に関するp+q(平均)及びrの和、並びにu及びvの和のいずれよりも小さいように選択される。)で表される基である。]
A−O−(CF2CF2CF2O)c−A (3)
(式中、Aは式:CsF2s+1-(sは1〜3)で表される基であり、cは1〜200の整数であるが、但し、実際に使用される(A)成分を表す一般式(1)中のRf1基に関するp+q(平均)及びrの和、並びにu及びvの和のいずれよりも小さいように選択される。)
A−O−(CF2O)d(CF2CF2O)e−A (4)
(式中、Aは上記と同じであり、d及びeはそれぞれ1〜200の整数であるが、但し、dとeの和が実際に使用される(A)成分を表す一般式(1)中の前記(A)成分のRf1基に関するp+q(平均)及びrの和、並びにu及びvの和いずれよりも小さいように選択される。)
CF3O−(CF2CF2CF2O)n−CF2CF3
CF3O−(CF2O)m(CF2CF2O)n−CF3
(m+n=1〜200、m=1〜200、n=1〜200)
上記のパーフルオロポリエーテルゴム組成物の製造方法は特に限定されず、例えば、上記の(A)成分〜(D)成分、及びその他の任意成分をロスミキサー、プラネタリーミキサー、ホバートミキサー、二本ロール等の混合装置により均一に混合する方法が挙げられる。
上記で得られたフルオロポリエーテルゴム組成物をフッ素系溶剤(分子中にフッ素原子を含む溶剤)、例えばメタキシレンヘキサフロライド、アルキル(パーフルオロアルキル)エーテル、パーフルオロアルキルエーテル、あるいはその混合物等で所要の濃度に希釈して塗布液を調製する。ここで使用するフッ素系溶剤は、塗布液の塗工性の観点から沸点100℃以上ものを使用することが好ましい。その点で、好ましいフッ素系溶剤はメタキシレンヘキサフロライド、アルキル(パーフルオロアルキル)エーテルである。塗布液の粘度は100〜10000mPa・s 程度が好ましい。
上記の方法によりTSV加工用フィルムを支持フィルム上に形成すると、該TSV加工用フィルムは支持フィルムとの積層物(以下、「積層シート」という)として得られる。該積層シートは取り扱い性に優れる利点を有する。積層シートを製造した後、TSV加工用フィルムの実際の使用まで運搬や保管をする場合には、TSV加工用フィルム面を例えばPETフィルムやポリオレフィンフィルム等の離型処理を施した保護フィルムにより被覆し保護してもよい。
上記のTSV加工用フィルムを利用する本発明の半導体ウエハの加工方法は、次の工程を必須に含む。
(a)半導体ウエハの回路形成面または回路非形成面に、上記TSV加工用フィルムの一方の面を貼り付け、そして他方の面に保護基板を貼り付けて、積層体を作成する工程;
(b)該積層体の半導体ウエハに貫通孔を穿つ工程;及び
(c)該積層体の前記貫通孔を形成した半導体ウエハに貫通電極を作成する工程。
工程(c)において行われる貫通電極の形成では金属蒸着やめっき、さらにはエッチングなどが行われるので、非処理体は高温、強酸性あるいは強アルカリ性の条件にさらされるが、半導体ウエハは積層体の状態でTSV加工用フィルム及び保護基板で保護されているので問題ない。
下記式(5)で示されるポリフルオロジアルケニル化合物(粘度10000mPa・s)100部に疎水性シリカ粉末であるAerosil R976(Aerosil社)9.0部を配合した。更に、エチニルシクロヘキサノールの50質量%トルエン溶液0.2部、塩化白金酸のビニルシロキサン錯体のトルエン溶液(白金金属濃度0.5質量%)0.2部、下記式(6)で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン3.4部を加え、混合して組成物を調製した。
前記の式(5)で示されるポリフルオロジアルケニル化合物(粘度10,000mPa・s)100部にAerosil R976(日本アエロジル社製)8.0部を配合した。更に、エチニルシクロヘキサノールの50質量%トルエン溶液0.2部、塩化白金酸のビニルシロキサン錯体のトルエン溶液(白金金属濃度0.5質量%)0.2部、前記式(6)で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン3.1部と下記式(7)で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン0.2部を加え、混合して組成物を調製した。
前記式(5)で示されるポリフルオロジアルケニル化合物(粘度10,000mPa・s)100部にAerosil R972(日本アエロジル社製)12.5部を配合した。更に、エチニルシクロヘキサノールの50質量%トルエン溶液0.3部、塩化白金酸のビニルシロキサン錯体のトルエン溶液(白金金属濃度0.5質量%)0.2部、下記式(8)で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン20.7部を加え、混合して組成物を調製した。
温度計、還流冷却器、滴下ロート、窒素導入口及び攪拌機を付けたフラスコに脱イオン水150部、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル(界面活性剤)0.6部を入れ窒素雰囲気下で攪拌しながら70℃で昇温した後、重合開始剤0.5部を添加し溶解させた。次いで、メタクリル酸メチル23部、アクリル酸2−エチルヘキシル73部、メタクリル酸4部よりなるモノマー混合物100部を4時間で連続滴下し、滴下終了後も3時間攪拌を続け重合して、固形分約47質量%のアクリル系樹脂エマルジョン粘着剤を作成した。この粘着剤100部に対し水溶性有機化合物としてジエチレングリコールモノブチルエーテル10部、架橋剤としてテトラメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート0.5部を添加して液状粘着剤組成物を作成した。
[比較例2]
実施例1において、式(6)で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンの代りに、下記式(9)で示されるオルガノハイドロジェンシロキサン3.1部を配合した以外は、実施例1と同様にして、組成物を調製した。
実施例1〜3及び比較例1〜3のおのおのの組成物を約80μmの厚さでフッ素系剥離剤にて離型処理を施したポリエチレンテレフタレートフィルムに塗布した。それを対流式循環炉を有する塗工機にて110℃で10分間乾燥させて、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に厚さ25μmのTSV加工用フィルムを得た。その上に、保護フィルムとしてポリオレフィンフィルムを貼り付けた。
実施例1〜3及び比較例1〜3の各組成物に関して下記の評価を行った。結果を表1に示す。
実施例1〜3及び比較例1〜3の各組成物の調製に使用した式(6)〜(9)で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンを、6cmφのアルミシャーレに1.5g精秤した。このアルミシャーレを大気中、乾燥機内で、105℃にて3時間放置した。その後シャーレを室温に放冷後に再度精秤し加熱減量(質量%)を測定した。
実施例1から3と比較例2と3の各組成物を縦130mm×横170mm×深さ2mmの金型に流し込んで、150℃で1時間加熱し硬化させ、縦130mm×横170mm×厚さ2mmのゴム硬化物を得た。比較例1に関しては前述のブレードコータにて作成した厚さ100μmのフィルムを積層して縦130mm×横170mm×厚さ2mmのフィルムとした。
・硬化させた時に発生した低分子シロキサン量をガスクロマトグラフィーで定量し、硬化に供した組成物の質量に対する発生した低分子シロキサンの比率(質量%)として求めた。
・硬化前の組成物の質量と硬化後の硬化物の質量を測定し、硬化時の加熱減量(質量%)を測定した。
上記(2)の試験で得られたゴム硬化物の硬化状態を目視で観察した。
組成物を(2)と同様にして5cmx5cmx2mmのフィルムに成形し、大気中、105℃にて3時間加熱して硬化させた。得られた硬化ゴムフィルムの硬化直後のショアA硬度を、JIS6253に規定の方法で測定した。また、得られた硬化ゴムフィルムを乾燥機中、200℃で500時間放置した後に同様に硬度を測定した。硬化直後の硬度を100%として、加熱処理後の硬度(%)を求めた。
組成物を10cmx10cmx100μm(厚さ)の寸法のとした以外は(2)と同様の方法でフィルムに成形し、大気中、105℃にて3時間加熱して硬化させた。得られた硬化物を60℃/80%RHの条件下に放置して水分を飽和するまで吸水させ、飽和吸水率(質量%)を測定した。
組成物を(5)と同様にして10cmx10cmx100μm(厚さ)の寸法のフィルムに成形し、大気中、105℃にて3時間加熱して硬化させた。得られた硬化物を熱風循環型の乾燥機中に、200℃にて1時間放置した。この熱処理による加熱減量(ppm)を測定した。
組成物を支持フィルムであるPETフィルムの上にブレードコーターを用いて塗布し、105℃にて3時間加熱して乾燥、硬化させ厚さ25μmのフィルム(半導体TSV加工用フィルム)を形成し積層シートを得た。該積層シートの半導体ウエハTSV加工用フィルムの面をシリコンウエハ(直径8インチ、厚さ725μm)の片面に貼り付けた後、支持フィルムは剥離しテストピースを作成した。このテストピースを3M社製のHFE7200剥離液中に浸漬することによって、シリコンウエハからフィルム層の剥離を試みた。その後、フィルムと密着していたウエハの表面を乾燥させた後マジックインキを塗り、該表面のインキのはじき具合を観察することで、下記の基準により、硬化フィルムからウエハ表面へ未反応の(A)成分及び(B)成分の移行量を評価した。
△:一部にピンホール状のはじきが見られる(即ち、移行が僅かに起こった)
×:インキがはじいて液滴状になっている(即ち、移行がかなり起こった)
上記の(7)で作成したテストピースを40℃のトルエンに72時間浸漬し、その耐溶剤性を次の基準で評価した。
△:一部剥離した部分があった。
×:ウエハから脱落している
上記の(7)で作成したテストピースを40℃×72時間、40% NaOH水溶液に浸漬し、その耐薬品性を評価した。
○:フィルムとウエハとの密着性が浸漬前と変わらない。
△:フィルムがウエハから一部剥離した部分があった。
×:フィルムがウエハから脱落した。
上記の(7)で作成したテストピースを40℃の98%H2SO4溶液に浸漬し、その耐薬品性を次の基準で評価した。
△:フィルムがウエハから一部剥離した部分があった。
×:フィルムがウエハから脱落した。
組成物を厚さ100μmのフィルムに成形し、大気中、105℃にて3時間加熱して硬化させた。得られた硬化フィルムの1g片を脱イオン水20gとともに耐圧容器に封入した。その後、この耐圧容器を121℃乾燥機中に24時間放置して脱イオン水の抽出水伝導度を測定した。
Claims (9)
- フルオロポリエーテルゴム粘着剤からなる半導体ウエハTSV加工用フィルム。
- 支持フィルムの片面に剥離可能に貼着されている請求項1に係る半導体ウエハTSV加工用フィルム。
- 半導体ウエハと精密加工用保護基板との間に介在しこれらを接着する請求項1に係る半導体ウエハTSV加工用フィルム。
- 前記のフルオロポリエーテルゴム粘着剤が、
(A)一分子中に二個以上のアルケニル基を有するポリフルオロジアルケニル化合物、
(B)一分子中にケイ素原子に結合した水素原子を二個以上有し、105℃において3時間放置後の加熱減量が5質量%以下である含フッ素オルガノハイドロジェンポリシロキサン、
(C)有効量の白金族金属化合物、及び
(D)疎水性シリカ粉末、
を含有する組成物の硬化物からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に係る半導体ウエハTSV加工用フィルム。 - (A)成分のポリフルオロジアルケニル化合物が、下記一般式(1):
〔式中、Xは、式:−CH2−、−CH2O−、−CH2OCH2−又は−Y−NR1−CO−(式中、Yは、式:−CH2−又は式:
で表される二価の基であり、R1は水素原子又は置換もしくは非置換の一価炭化水素基である。)で表される二価の基であり、
X’は、式:−CH2−、−OCH2−、−CH2OCH2−又は−CO−NR−Y’−
(式中、Y’は、式:−CH2−又は式:
で表される二価の基であり、R1は上記と同じである。)
で表される二価の基であり、
aは、独立に0又は1であり、
Rf1は、下記一般式(i):
−CtF2t[OCF2CF(CF3)]pOCF2(CF2)rCF2O[CF(CF3)CF2O]qCtF2t− (i)
(式中、p及びqは独立に1〜150の整数であって、かつ、pとqの和の平均は2〜200であり、rは0〜6の整数であり、tは独立に2又は3である。)、
又は下記一般式(ii):
−CtF2t[OCF2CF(CF3)]u(OCF2)vOCtF2t− (ii)
(式中、uは1〜200の整数、vは1〜50の整数であり、tは独立に上記と同じである。)
で表される二価の基であり、
aは独立に0又は1である。〕
で表される化合物である請求項4に係る半導体ウエハTSV加工用フィルム。 - (B)成分である含フッ素オルガノハイドロジェンポリシロキサンが、一分子中にパーフルオロオキシアルキル基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロオキシアルキレン基及びパーフルオロアルキレン基から選ばれる基を少なくとも1個有する請求項1〜5のいずれか1項に係る半導体ウエハTSV加工用フィルム。
- (a)半導体ウエハの回路形成面または回路非形成面に、請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体ウエハTSV加工用フィルムの一方の面を貼り付け、そして他方の面に精密加工用保護基板を貼り付けて、積層体を作成する工程;
(b)該積層体の半導体ウエハに貫通孔を穿つ工程;及び
(c)該積層体の前記貫通孔を形成した半導体ウエハに貫通電極を作成する工程
を有する半導体ウエハの加工方法。 - 工程(a)において半導体ウエハの回路形成面に半導体ウエハTSV加工用フィルムを貼り付けた場合に、工程(a)と工程(b)との間で、該半導体ウエハの回路非形成面に研削加工を施す工程をさらに有する請求項7に係る加工方法。
- 工程(c)の後で、半導体ウエハTSV加工用フィルムを半導体ウエハから剥離するために、前記積層体をSP値5〜8を有する含フッ素炭化水素系剥離液に浸漬する工程をさらに有する請求項7又は8に係る加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008204610A JP2010037493A (ja) | 2008-08-07 | 2008-08-07 | 半導体ウエハtsv加工用フィルムおよび該フィルムを用いる半導体ウエハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008204610A JP2010037493A (ja) | 2008-08-07 | 2008-08-07 | 半導体ウエハtsv加工用フィルムおよび該フィルムを用いる半導体ウエハの加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010037493A true JP2010037493A (ja) | 2010-02-18 |
Family
ID=42010369
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008204610A Pending JP2010037493A (ja) | 2008-08-07 | 2008-08-07 | 半導体ウエハtsv加工用フィルムおよび該フィルムを用いる半導体ウエハの加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010037493A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012122024A (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 粘着シート |
JP2014511560A (ja) * | 2011-02-01 | 2014-05-15 | ヘンケル コーポレイション | プレカットされウェハに塗布されるダイシングテープ上のアンダーフィル膜 |
US10030176B2 (en) | 2013-01-10 | 2018-07-24 | E I Du Pont De Nemours And Company | Electrically conductive adhesives comprising fluoroelastomers |
US10032945B2 (en) | 2013-01-10 | 2018-07-24 | E I Du Pont De Nemours And Company | Electrically conductive adhesives comprising blend elastomers |
WO2021124824A1 (ja) * | 2019-12-17 | 2021-06-24 | 信越化学工業株式会社 | 硬化性パーフルオロポリエーテル粘着剤組成物、その硬化物を用いた粘着剤並びに粘着テープ |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004331903A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パーフルオロアルキルエーテル系接着剤組成物の製造方法 |
JP2005126618A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 低汚染性接着剤組成物 |
JP2008133405A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 接着剤組成物、及び接着フィルム |
-
2008
- 2008-08-07 JP JP2008204610A patent/JP2010037493A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004331903A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パーフルオロアルキルエーテル系接着剤組成物の製造方法 |
JP2005126618A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 低汚染性接着剤組成物 |
JP2008133405A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 接着剤組成物、及び接着フィルム |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012122024A (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 粘着シート |
JP2014511560A (ja) * | 2011-02-01 | 2014-05-15 | ヘンケル コーポレイション | プレカットされウェハに塗布されるダイシングテープ上のアンダーフィル膜 |
US10030176B2 (en) | 2013-01-10 | 2018-07-24 | E I Du Pont De Nemours And Company | Electrically conductive adhesives comprising fluoroelastomers |
US10032945B2 (en) | 2013-01-10 | 2018-07-24 | E I Du Pont De Nemours And Company | Electrically conductive adhesives comprising blend elastomers |
WO2021124824A1 (ja) * | 2019-12-17 | 2021-06-24 | 信越化学工業株式会社 | 硬化性パーフルオロポリエーテル粘着剤組成物、その硬化物を用いた粘着剤並びに粘着テープ |
JPWO2021124824A1 (ja) * | 2019-12-17 | 2021-06-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5068674B2 (ja) | 半導体加工のための一時的なウェハ結合法 | |
JP5545600B2 (ja) | 仮接着材組成物、及び薄型ウエハの製造方法 | |
EP2681762B1 (en) | Wafer bonding system and method for bonding and debonding thereof | |
KR101907010B1 (ko) | 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 부재, 웨이퍼 가공용 가접착재 및 박형 웨이퍼의 제조 방법 | |
EP2475002B1 (en) | Temporary adhesive composition, and method of producing thin wafer | |
US8748293B2 (en) | Organopolysiloxane, temporary adhesive composition containing organopolysiloxane, and method of producing thinned wafer using the same | |
WO2014160067A1 (en) | Thermally curable silicone compositions as temporary bonding adhesives | |
JP2010037493A (ja) | 半導体ウエハtsv加工用フィルムおよび該フィルムを用いる半導体ウエハの加工方法 | |
KR20230074835A (ko) | 에폭시변성 폴리실록산을 함유하는 가접착제 | |
TW201945505A (zh) | 包含耐熱性聚合抑制劑之含有聚矽氧烷的暫時接著劑 | |
JP2023179446A (ja) | 積層構造 | |
JP2008115277A (ja) | コーティング剤組成物 | |
JP5141862B2 (ja) | マスキング用硬化性フルオロポリエーテルゴム組成物 | |
WO2020235605A1 (ja) | 洗浄剤組成物、基板の洗浄方法及び支持体又は基板の洗浄方法 | |
JP6762188B2 (ja) | 硬化性ポリオルガノシロキサン組成物および電気・電子機器 | |
JP2019527373A (ja) | 少なくとも1種のフルオロシリコン化合物を含む剥離層 | |
CN104576485A (zh) | 导电性硅橡胶制电极图案的制作方法以及全硅橡胶制静电吸盘及其制造方法 | |
KR20190007439A (ko) | 디스플레이 디바이스 기판 가공을 위한 실세스퀴옥산 중합체 및 실란 중 적어도 하나를 포함하는 접착성 탈층화 층 | |
JP2018058951A (ja) | 硬化性ポリオルガノシロキサン組成物および電気・電子機器 | |
JP5418582B2 (ja) | 半導体ウエハの保護膜、ならびにそれを用いる半導体ウエハ表面の保護方法および半導体ウエハの加工方法 | |
JP7265038B2 (ja) | 硬化性パーフルオロポリエーテル粘着剤組成物、その硬化物を用いた粘着剤並びに粘着テープ | |
JP4849604B2 (ja) | 保持治具 | |
JP2006219668A (ja) | 熱硬化性フルオロポリエーテル系組成物 | |
JP2010135617A (ja) | 半導体ウエハの保護膜、ならびにそれを用いる半導体ウエハ表面の保護方法および半導体ウエハの加工方法 | |
JP5960613B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100727 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120727 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120731 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20120827 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120828 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121217 |