WO2008065745A1 - Appareil de traitement au plasma - Google Patents

Appareil de traitement au plasma Download PDF

Info

Publication number
WO2008065745A1
WO2008065745A1 PCT/JP2007/001285 JP2007001285W WO2008065745A1 WO 2008065745 A1 WO2008065745 A1 WO 2008065745A1 JP 2007001285 W JP2007001285 W JP 2007001285W WO 2008065745 A1 WO2008065745 A1 WO 2008065745A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
coil
plasma
coil element
processing apparatus
plasma processing
Prior art date
Application number
PCT/JP2007/001285
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Shinji Nakagami
Hirohiko Nakano
Original Assignee
Samco Inc.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samco Inc. filed Critical Samco Inc.
Priority to JP2008546872A priority Critical patent/JP5561812B2/ja
Publication of WO2008065745A1 publication Critical patent/WO2008065745A1/ja

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174Circuits specially adapted for controlling the RF discharge

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

明 細 書
プラズマ処理装置
技術分野
[0001 ] 本発明は、 プラズマエッチング装置、 プラズマ C V D装置、 プラズマクリ 一ニング処理装置等のプラズマ処理装置に関するものである。
背景技術
[0002] 昨今のプラズマ■ プロセス技術は従来のように半導体分野に限られること なく、 ナノテクノロジーに関連する分野、 例えば光デバイス (半導体レーザ 、 ダイオード等) 、 MEMS (ジャイロスコープ、 センサ等) 、 力一ボンナノチ ュ _ブ■医療分野■バイオ技術分野 (マイクロメス、 滅菌等) をはじめとす る多岐に亘る分野において応用されている。
[0003] 応用分野の拡大に伴い、 生産性向上の要求も高まっており、 プラズマ処理 装置の高効率化も当然求められるようになつてきた。 この高効率化には試料 (基板やウェハ) の大型化、 処理の高速化、 高形状制御性などが含まれてい る。 そして、 このような要求に応えるべく、 これまで誘導結合プラズマ装置 には、 誘導コイルの大型化、 並列化などの様々な改良がなされてきている。 とりわけこうした要求のうち、 現在プラズマ処理装置側に強く求められてい る課題は、 大型試料に対応するためのプラズマの均一化である。
[0004] プラズマ処理装置において誘導コイルに電流を流すと磁界が誘導され、 コ ィルに電位差を与えたことによって副次的にコイルに静電ポテンシャルが分 布し、 これが真空中に浮遊する。 プラズマに含まれる電子は外部から与えら れたポテンシャルをシールドする働きがあるため、 コイルとプラズマを隔て ている誘電体のポテンシャルの高い部分に集まり、 この箇所の電位を下げる 作用を及ぼす。 これが二次的に正イオンを引きつける要因を作り、 遮蔽体の スパッタが生じる。
[0005] しかし、 コイルに沿って発生したポテンシャルには対称性が無いため、 プ ラズマ組成は空間的に非対称に分布する。 このため、 基板処理の際に高い処 理均一性を実現することが困難である。 このような誘導コイルが副次的に生 み出すポテンシャルの問題はコイルの端部効果として知られており、 プラズ マ装置によって生産されるデバイスの性能を左右する重要な問題として捉え られている。
[0006] このコイルの端部効果を解消するための一つの策として、 ファラデーシ一 ルドと呼ばれる静電シールドが利用されることがある。 これは薄い導電性金 属のシートであり、 プラズマと誘導コイルの間に、 つまり誘電体に隣接する ように配置される。 ファラデーシールドを配置したブラズマ処理装置におしゝ て誘導コィルに電流を供給すると、 誘導電磁場はファラデーシールドを透過 してプラズマ中に浸透するが、 一方ポテンシャルはファラデ一シールドによ つて遮蔽され、 プラズマ中に及ばないという効果が得られる。
[0007] しかしながらファラデーシールドには、 シールド材中に渦電流が生じ、 誘 導コイルによって与えたエネルギーの損失が発生するという問題がある。 こ れを防止することを目的として、 シールド材に小窓を多数設けることによつ て渦電流の流路を切断することが行われているが、 シールド効果と電力の損 失はトレードオフの関係にあるという問題が依然として残る。 また、 小窓に 関して、 その開口比や形状の最適化が面倒で労力が掛かるという問題もある
[0008] 端部効果を解消するための他のアプローチとして、 端部効果を低減させる 効果を狙ったコイルが開発■開示されている。 例えば特許文献 1において開 示されている誘導コイルは、 2以上の同一形状のコイル要素を回路的に並列 に接続して構成されるとともに、 その中心が被処理物の中心と一致するよう に配置され、 コイル要素の入力端が 360° をコイル要素の数で割った角度おき に配置され、 かつコイル要素が任意の断面形状を有する円環の表面に沿って 径方向と高さ方向に立体的な構造を持つものである。 特許文献 1によれば、 このようなコイル構成によりコイルの周方向のプラズマ均一性が向上すると いう効果が得られる。
[0009] また、 端部効果を低減させるために開発された誘導コイルの他の例として 、 特許文献 2に示されているものもある。 特許文献 2にて開示されている誘 導コイルは、 一端には R F電源が印加される電源端が形成され、 他端には接 地された接地端が形成されており、 少なくとも 2つのループ型アンテナが電 気的に並列に設けられて構成されている。 そして、 各ループ型アンテナの電 源端と接地端は前記アンテナの中心に対して対称位置に配置され、 前記各ル ープ型アンテナの電源端と接地端はチャンバから遠い位置に配置され、 各ル —プ型アンテナの中間部はチャンバから近い位置にくるように相互に平行に
、 交差して設置されるものである。
[0010] 特許文献 2によれば、 上記構成の誘導コイルを使用することにより、 誘導 コイルの全区域に亘る均一な電圧分布が可能となり、 チャンバ内部における プラズマの密度分布を回転方向について対称且つ均一に発生させる効果が得 られる。
[001 1 ] 特許文献 1 :特開 2005-303053号公報 (図 6)
特許文献 2:特表 2004-537839号公報 (図 3)
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0012] しかし、 特許文献 1や特許文献 2にて開示されているものを含め、 これま でに開示されてきたプラズマ処理装置の誘導コィルでは、 プラズマの均一性 が未だ十分であるとは言えず、 改良の余地が残されていた。 このような現状 を踏まえ、 本願発明者は大口径なプラズマを、 従来より一層均一に生成可能 なプラズマ処理装置に想到した。
課題を解決するための手段
[0013] 上記課題を解決するために成された本発明に係るプラズマ処理装置の第一 の形態は、
a) 被処理物の上方に配置される、 上方に突出する形状のプラズマ生成容器 と、
b) 前記プラズマ生成容器の外周に、 同一形状を有する n個 (nは 2以上) のコィル要素を被処理物の表面の法線を軸とする回転対称に配置して成り、 且つ、 各コイル要素が電気的に並列に接続されて成る誘導コイルとを備えて おり、
前記誘電コィルの各コィル要素は、
前記軸に対する略同一の垂線の内側に接地端、 外側に給電端が位置するよ うに該プラズマ生成容器を巻回しており、
一端に接地端を備えた所定の幅を有する弧状であり、 該弧の中心角が 360° /nである内面部と、
一端に給電端を備えた所定の幅を有する弧状であり、 前記内面部より外側 に設けられ、 該内面部と電気的に接続されてなる給電部と、
を有する
ことを特徴とする。
また、 本発明に係るプラズマ処理装置の第二の形態は、
a) 被処理物の上方に配置される、 上方に突出する形状のプラズマ生成容器 と、
b) 前記プラズマ生成容器の外周に、 同一形状を有する n個 (nは 2以上) のコィル要素を被処理物の表面の法線を軸とする回転対称に配置して成り、 且つ、 各コイル要素が電気的に並列に接続されて成る誘導コイルを備えてお り、
前記誘電コィルの各コィル要素は、
一端に接地端を備えた所定の幅を有する弧状であり、 該弧の中心角が 360° /nである内面部と、
一端に給電端を備えた所定の幅を有する弧状であり、 前記内面部より外側 に設けられ、 該内面部と電気的に接続されてなる給電部と、
を有しており、
前記誘導コイルは、 前記軸に対する略同一の垂線の内側と外側にコイル要 素の接地端と他のコィル要素の給電端とが位置するように n個のコィル要素 が配置されて成る
ことを特徴とする。 ここで、 「上方に突出する形状」 とは、 錘台形状や柱状形状のような形状 をいう。
発明の効果
[0015] 本発明に係るプラズマ処理装置によれば、 その特徴的なコイルの構成によ り以下のような効果が達成される。
[0016] まず、 複数個のコイル要素が回転対称に配置されているため、 コイル全体 として電圧降下の影響を避けることができ、 プラズマの軸対称性を高く保つ ことができる。 従って、 端部効果の影響を低減させることができる。 また、 このことにより、 大口径のプラズマを均一に生成することができるようにな る。
[0017] また、 各コイル要素において給電端の内側 (プラズマ生成容器側) に接地 端が来るから、 コイル要素の接地端がプラズマとコイルの給電端の間に割つ て入る。 従って、 プラズマとコイルを絶縁している誘電体のスパッタが生じ にくいという効果ももたらされる。
更に、 各コイル要素の給電端の内側に他のコイル要素が割って入るため、 この点からも誘電体のスパッタが生じにくくなる。
図面の簡単な説明
[0018] [図 1 ]プラズマ処理装置の一実施例である I C Pエッチング装置の概略構成図
[図 2]第一の形態に係る誘導コィルの概略斜視図 (A-1 )、 概略上面図 (A-2)。
[図 3]第一の形態に係る誘導コィルの他の例の概略上面図。
[図 4]第二の形態に係る誘導コイルの概略上面図。
[図 5]コイル要素 2 1の内面部の幅が給電部の幅よりも広いコイル要素の例。
[図 6] (H)コイル要素の巻数が 2周回、 (1 ) 1 . 5周回から成る誘導コイルの概 略上面図。
[図 7]プラズマ生成容器の外周に 2個の誘導コイルを配置したプラズマ処理装 置の概略構成図。
符号の説明 1 0 ■ ■ ■ I C Pエッチング装置
1 1 - • ■反応室
1 2 ■ • ·下部電極
1 3 ■ • ■気体導入口
1 4 ■ ■ ■真空ポンプ
1 5 ■ ■ ■ プラズマ生成容器
1 7 ■ ■ · プラズマ用高周波電源
1 8 ■ ■ ■セルフバイアス用高周波電源
1 9 ■ • ■被処理物
2 0 ■ ■ ■誘導コイル
2 1 - ■ ■ コイル要素
2 2 ■ • ■接続部
2 3 ■ 口电 而
2 4 ■ • ■接地端
2 5 ■ „ ■ 立 Ι7
口电
2 6 ■ • ■内面部
発明を実施するための最良の形態
[0020] 図 1は、 本発明に係るプラズマ処理装置の一実施例である I C Ρエツチン グ装置の概略構成図である。 図 1の I C Pエッチング装置 1 0は、 反応室 1 1、 下部電極 1 2、 気体導入口 1 3、 及び真空ポンプ 1 4等を備える。 下部 電極 1 2の上には被処理物 1 9が載置される。 また、 反応室 1 1の上部 (外 部) には、 被処理物 1 9に向かって拡径する円錐台状に形成された石英製の プラズマ生成容器 1 5が載置されている。 プラズマ生成容器 1 5の中心軸は 、 被処理物 1 9の表面の法線 Lと略一致する。
[0021 ] 被処理物の上方で且つプラズマ生成容器 1 5の外周には誘導コイル 2 0が 設けられている。 誘導コイル 2 0は、 給電端がプラズマ用高周波電源 1 7に 接続され、 接地端が接地される。 誘導コイル 2 0の詳細な構成については後 述する。 また、 下部電極 1 2はセルフバイアス用高周波電源 1 8に接続され ており、 反応室 1 1全体は接地されている。
本発明に係るプラズマ処理装置は、 誘導コイル 2 0の構成に特徴を有する ものである。 そこで以下、 誘導コイル 2 0について詳細に説明を行う。
[0022] 本実施例において、 誘導コイル 2 0は同一形状を有する複数のコイル要素 が組み合わされることにより構成される。 本実施例に係る誘導コイル 2 0は 、 各コィル要素の巻数が一周回のものと巻数が一周回以下のものとの二種類 に大別することができる。 本明細書では前者を第一の形態 (本発明に係るプ ラズマ処理装置の第一の形態) 、 後者を第二の形態 (本発明に係るプラズマ 処理装置の第二の形態) と呼ぶ。
[0023] [第一の形態]
図 2は第一の形態に係る誘導コイル 2 0の例を示している。 図 2 (A-1 )は 2 個のコイル要素 2 1が組み合わされて成る誘導コイル 2 0の概略斜視図を、 図 2 (A-2)は、 図 2 (A-1 )の誘導コイル 2 0の模式図(上面図)である。
[0024] 図 2に示されているように、 誘導コイル 2 0は同一形状を有する 2個のコ ィル要素 2 1力 被処理物 1 9の表面の法線 L (以下 「軸 L」 とも呼ぶ。 ) を共通の軸として回転対称に配置されている。
コイル要素 2 1は、 前記軸 Lに対する略同一の垂線の内側に接地端、 外側 に給電端が位置するように前記プラズマ生成容器 1 5を一周回している。 こ こで 「略同一の垂線」 とは、 好ましくは全く同一であるが、 複数のコイル要 素を組み合わせる際に互いに接することがないように構成する必要があるこ と等の理由から、 設計上設けざるを得ない若干のずれも許容するという意味 であるものとする。
[0025] コイル要素 2 1は一端が接地端 2 4となる、 所定の幅を有する内面部 2 6 を有している。 内面部 2 6は弧状であり、 図 2 (A-1 )に示される、 2個のコィ ル要素 2 1が組み合わされて成る誘導コイル 2 0の場合、 その中心角は 180° である。
内面部 2 6は接続部 2 2によって、 内面部 2 6よりも外周側に設けられた 給電部 2 5と電気的に接続されている。 給電部 2 5の接続部 2 2と反対側の 端部 2 3は上述したように、 プラズマ用高周波電源 1 7に接続される。 図 2 の例では接続部 2 2は傾斜して描かれているが、 本発明において接続部 2 2 の構成は特に問わない。
[0026] 第一の形態において、 誘導コイル 2 0を構成するコイル要素 2 1の数は 2 個以上である。 第一の形態の他の例として、 図 3 (B)には 3個のコイル要素 2 1、 図 3 (G)には 4個のコイル要素 2 1から成る誘導コイル 2 0の概略図を示 す。 図 2 (A-2)及び図 3 (B)、 (G)では 1個のコイル要素 2 1のみをハイライ ト して示す。
n個のコイル要素 2 1を用いる場合、 各コイル要素 2 1の内面部 2 6の弧 の中心角は 360° / nとする。 これにより、 n個のコイル要素を組み合わせた 際に、 それらの内面部 2 6全体によつて一周が形成され、 均一なプラズマ形 成が可能となる。
[0027] 図 2及び図 3に示すように、 第一の形態では n個のコイル要素 2 1が互い に接することなく組み合わされ、 これにより、 誘導コイル 2 0全体として、 コイル要素 2 1の内面部 2 6と給電部 2 5とが内外に n重に配置された構造 となる。
[0028] また、 絶縁耐圧を上げて、 各コイル要素 2 1の間でスパーク放電を起こさ ないために、 各コイル要素 2 1の間には絶縁体を設けることが望ましい。 絶 縁体の例としてはテフロン (登録商標) を好適に用いることができる。 また 、 絶縁体は図 2に示すように大気であっても良い。
さらに、 組み合わされる各コイル要素 2 1の間の距離 (内外方向の距離) はできる限り近い方が好ましい。 これによつて、 アースシールド効果が誘導 結合より強くなるためである。 各コイル要素 2 1間の好適な距離は絶縁体の 種類によって異なるが、 テフロンの場合には 3〜5國、 大気の場合には 5〜 10國 とするのがよい。
なお、 プラズマ用高周波電源 1 7として 13. 56MHzを越える高周波電源を用 いる場合には、 各コイル要素間の距離が 3國より狭くてもスパーク放電が生じ にくくなる傾向がある。 [0029] プラズマ用高周波電源 1 7に一般的な高周波電源 (13. 56MHz) を用いる場 合には、 プラズマが均一に対称性良く発生できる点で一巻きのコイル要素 2 1を用いることが好ましい。 一方、 13. 56MHzを越える高周波電源を用いる場 合には、 コイル要素 2 1の長さを短くしてインダクタンスを下げることでプ ラズマを均一に対称性良く発生できるため、 一巻きより巻き数の少ないコィ ル要素 2 1を用いることが好ましい。 このような構成のコイル要素に関して 、 以下、 第二の形態として説明する。
[0030] [第二の形態]
図 4は第二の形態に係る誘導コイル 2 0の概略図であり、 図 4 (D)は 3個の コイル要素、 図 4 (E)は 4個のコイル要素 2 1、 図 4 (F)は 5個のコイル要素 2 1から成る誘導コイル 2 0の例を示している。 図 4は誘導コイル 2 0の上 面図であり、 各コイル要素は上下方向に所定の幅を有する。
[0031 ] 図 4 (D)に示されているように、 誘導コイル 2 0は同一形状を有する 3個の コイル要素 2 1力 被処理物 1 9の表面の法線 Lを共通の軸として回転対称 に配置されている。
第二の形態においては、 誘導コイル 2 0を構成するコイル要素 2 1の数は 2個以上とする。 ただし、 コイル要素 2 1が 2個の場合の構成は、 上記第一 の形態の構成に含まれる。 コイル要素 2 1は、 前記プラズマ生成容器の外周 面への投影像が軸 Lを中心とする弧状となる。 すなわち、 コイル要素 2 1の 巻数は一周回以下である。
[0032] 第二の形態におけるコイル要素 2 1も、 上記第一の形態における場合と同 様に、 一端が接地端 2 4となる、 所定の幅を有する内面部 2 6を有している 。 内面部 2 6は弧状であり、 その中心角は 360° / nである。 すなわち図 4 (D) に示す、 3個のコイル要素 2 1から構成される誘導コイル 2 0の場合には、 その中心角は 120° となる。
内面部 2 6は接続部 2 2によって、 内面部 2 6より外周側に設けられた給 電部 2 5と電気的に接続されている。 給電部 2 5の接続部 2 2と反対側の端 部 2 3は上述したように、 プラズマ用高周波電源 1 7に接続される。 [0033] 第二の形態では、 このような n個のコイル要素 2 1を、 前記軸 Lに対する 略同一の垂線の内側と外側に、 各コイル要素 2 1の接地端 2 4と他のコイル 要素 2 1の給電端 2 3とが位置するように、 それぞれ回転対称となるように 配置する。 コイル要素が 3個から成る場合 (図 4 (D) ) には、 各コイル要素 2 1を 120° ずつ回転させて配置することにより、 異なるコイル要素 2 1の接地 端 2 4と給電端 2 3が略同一垂線上に位置する。 なお、 この 「同一垂線」 は 、 上記第一の形態において述べたものと同じ意味である。
[0034] 第二の形態の他の例として、 図 4 (E)にはコイル要素が 4個、 図 4 (F)には コイル要素 2 1が 5個から成る誘導コイル 2 0の概略図を示す。 図 4に示さ れている例では、 誘導コイル 2 0は内面部 2 6と給電部 2 5とを含めた二重 構造となっているが、 第二の形態に係る誘導コイル 2 0は二重構造に限定さ れる必要はなく、 三重構造や四重層構造等の多重層構造にすることができる
[0035] なお、 第二の形態においても、 上記第一の形態において説明したのと同様 に、 各コイル要素 2 1間に絶縁体を設け、 各コイル要素 2 1間の距離を出来 る限り近くすることが望ましい。
[0036] 以上、 本発明に係るプラズマ処理装置の第一の形態及び第二の形態につい て説明を行ったが、 上記は例に過ぎない。 以下に、 本発明に係るプラズマ処 理装置の他の形態を挙げる。 なお、 以下の形態は、 上記第一の形態及び第二 の形態の誘導コイル 2 0のいずれにも適用可能である。
[0037] (変形例 1 ) コイル要素 2 1の内面部 2 6の幅 (軸方向への厚み) を、 給電 部 2 5の幅よりも広くする。 図 5に、 この構成を有するコイル要素 2 1の一 例を示す。 この構成により、 一層均一なプラズマを生成することが可能とな り、 さらに大口径の試料を処理することが実現可能となる。
[0038] (変形例 2 ) 各コイル要素 2 1の巻数を 1周回より大きくする。 図 6に、 こ の構成を有するコイル要素 2 1の例を示す。 図 6 (H)はコイル要素 2 1を 2周 回、 図 6 ( I )はコイル要素 2 1を 1 . 5周回とした誘導コイル 2 0の概略図を 示す。 これらの図では、 1個のコイル要素 2 1のみをハイライ トして示して いる。
図 6 (H)の例では、 各コイル要素の接地端と給電端とが、 前記軸 Lに対する 略同一の垂線の内側と外側に位置する。 図 6 ( I )の例では、 各コイル要素の接 地端と他のコイル要素の給電端とが前記軸 Lに対する略同一の垂線の内側と 外側に位置する。
[0039] (誘導コイルの配置)
誘導コイル 2 0は、 本発明に係るプラズマ処理装置において上下複数段に 亘つて設けられてもよい。 図 7のプラズマ処理装置では、 2個の誘導コイル 2 0が上下 2段に配置されている。 なお、 図 7ではプラズマ用高周波電源 1 7や接地の構成については省略してある。
[0040] また、 他の改良例として、 誘電コイルの各コイル要素は、 円錐台形状のプ ラズマ生成容器の外周面に沿つて傾斜して配置することもできる。
更に、 本発明は円錐台形状以外の、 例えば四角錐台形状や六角錘台形状の プラズマ生成容器を備えたプラズマ処理装置にも適用できる。

Claims

請求の範囲
a) 被処理物の上方に配置される、 上方に突出する形状のプラズマ生成容器 と、
b) 前記プラズマ生成容器の外周に、 同一形状を有する n個 (nは 2以上) のコィル要素を前記被処理物の表面の法線を軸とする回転対称に配置して成 り、 且つ、 各コイル要素が電気的に並列に接続されて成る誘導コイルとを備 えており、
前記誘電コィルの各コィル要素は、
前記軸に対する略同一の垂線の内側に接地端、 外側に給電端を有するよう に該プラズマ生成容器を巻回しており、
一端に接地端を備えた所定の幅を有する弧状であり、 該弧の中心角が 360° /nである内面部と、
一端に給電端を備えた所定の幅を有する弧状であり、 前記内面部より外側 に設けられ、 該内面部と電気的に接続されてなる給電部と、
を有する
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
a) 被処理物の上方に配置される、 上方に突出する形状のプラズマ生成容器 と、
b) 前記プラズマ生成容器の外周に、 同一形状を有する n個 (nは 2以上) のコィル要素を前記被処理物の表面の法線を軸とする回転対称に配置して成 り、 且つ、 各コイル要素が電気的に並列に接続されて成る誘導コイルを備え ており、
前記誘電コィルの各コィル要素は、
一端に接地端を備えた所定の幅を有する弧状であり、 該弧の中心角が 360° /nである内面部と、
一端に給電端を備えた所定の幅を有する弧状であり、 前記内面部より外側 に設けられ、 該内面部と電気的に接続されてなる給電部と、
を有しており、 前記誘導コイルは、 前記軸に対する略同一の垂線の内側と外側にコイル要 素の接地端と他のコィル要素の給電端とが位置するように n個のコィル要素 が配置されて成る
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
[3] 前記プラズマ生成容器が、 被処理物に向かって拡径する錘台形状であるこ とを特徴とする請求項 1又は 2に記載のプラズマ処理装置。
[4] 誘導コイルを構成する各コイル要素間に絶縁体が設けられており、 各コィ ル要素が互いに絶縁されていることを特徴とする請求項 1〜 3のいずれかに 記載のプラズマ処理装置。
[5] 前記各コイル要素の内面部の幅が給電部の幅よりも広いことを特徴とする 請求項 1〜 4のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
[6] 前記プラズマ生成容器の外周面に前記誘導コイルが複数段設けられている ことを特徴とする請求項 1〜 5のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
PCT/JP2007/001285 2006-11-28 2007-11-21 Appareil de traitement au plasma WO2008065745A1 (fr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008546872A JP5561812B2 (ja) 2006-11-28 2007-11-21 プラズマ処理装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006320518 2006-11-28
JP2006-320518 2006-11-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2008065745A1 true WO2008065745A1 (fr) 2008-06-05

Family

ID=39467545

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2007/001285 WO2008065745A1 (fr) 2006-11-28 2007-11-21 Appareil de traitement au plasma
PCT/JP2007/001284 WO2008065744A1 (fr) 2006-11-28 2007-11-21 Appareil de traitement au plasma

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2007/001284 WO2008065744A1 (fr) 2006-11-28 2007-11-21 Appareil de traitement au plasma

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8314560B2 (ja)
JP (2) JP5277473B2 (ja)
CN (2) CN103347360B (ja)
TW (1) TWI422287B (ja)
WO (2) WO2008065745A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012248578A (ja) * 2011-05-25 2012-12-13 Ulvac Japan Ltd プラズマエッチング装置

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4932857B2 (ja) * 2007-02-16 2012-05-16 ラム リサーチ コーポレーション 誘導コイル、プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法
US8222822B2 (en) * 2009-10-27 2012-07-17 Tyco Healthcare Group Lp Inductively-coupled plasma device
JP5595136B2 (ja) * 2010-06-18 2014-09-24 三菱重工業株式会社 誘導結合プラズマ発生装置
JP5851682B2 (ja) * 2010-09-28 2016-02-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5723130B2 (ja) 2010-09-28 2015-05-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR101202957B1 (ko) * 2010-10-19 2012-11-20 주성엔지니어링(주) 플라즈마 발생용 안테나 및 이를 포함하는 기판처리장치
US8723423B2 (en) * 2011-01-25 2014-05-13 Advanced Energy Industries, Inc. Electrostatic remote plasma source
US9220162B2 (en) * 2011-03-09 2015-12-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Plasma generating apparatus and plasma generating method
US20130017315A1 (en) * 2011-07-15 2013-01-17 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling power distribution in substrate processing systems
KR101853370B1 (ko) 2011-09-16 2018-04-30 세메스 주식회사 안테나 구조체 및 플라즈마 발생 장치
CN103094038B (zh) 2011-10-27 2017-01-11 松下知识产权经营株式会社 等离子体处理装置以及等离子体处理方法
JP5617818B2 (ja) * 2011-10-27 2014-11-05 パナソニック株式会社 誘導結合型プラズマ処理装置及び誘導結合型プラズマ処理方法
CN202455166U (zh) 2011-12-31 2012-09-26 东莞市洁德电子科技有限公司 感应装置、感应充电器和感应应急灯
CN202550592U (zh) 2011-12-31 2012-11-21 东莞市洁德电子科技有限公司 感应装置及其感应头灯
ES2873228T3 (es) * 2013-02-11 2021-11-03 Univ California Devanado para bobinas de espiras fraccionarias
US9653316B2 (en) * 2013-02-18 2017-05-16 Tokyo Electron Limited Plasma processing method and plasma processing apparatus
CN104862671B (zh) * 2014-02-24 2019-08-23 北京北方华创微电子装备有限公司 一种反应腔室及等离子体加工设备
JP5800937B2 (ja) * 2014-03-14 2015-10-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5638727B1 (ja) * 2014-03-31 2014-12-10 Sppテクノロジーズ株式会社 プラズマ処理装置及びこれに用いられるコイル
JP2015159118A (ja) * 2015-03-26 2015-09-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP6668384B2 (ja) * 2015-06-15 2020-03-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated コイルアセンブリ、コイルアセンブリを用いてトレンチを形成する方法及びエッチングリアクタ
US10903046B2 (en) * 2016-11-03 2021-01-26 En2Core Technology, Inc. Inductive coil structure and inductively coupled plasma generation system
US10541114B2 (en) * 2016-11-03 2020-01-21 En2Core Technology, Inc. Inductive coil structure and inductively coupled plasma generation system
US10896806B2 (en) * 2016-11-03 2021-01-19 En2Core Technology, Inc. Inductive coil structure and inductively coupled plasma generation system
JP7359839B2 (ja) * 2018-07-26 2023-10-11 ラム リサーチ コーポレーション 小型高密度プラズマ供給源
WO2020088169A1 (zh) * 2018-10-30 2020-05-07 北京北方华创微电子装备有限公司 感应线圈组及反应腔室
JP7225058B2 (ja) 2019-08-19 2023-02-20 株式会社東芝 高周波アンテナ及びプラズマ処理装置
CN113133175B (zh) * 2019-12-31 2024-02-09 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体电感线圈结构、等离子体处理设备以及处理方法
CN111430146B (zh) * 2020-06-10 2020-09-08 潍坊鼎晟电气科技有限公司 一种感应加热用感应线圈组件及其加工装置和方法
CN111785605A (zh) * 2020-06-23 2020-10-16 北京北方华创微电子装备有限公司 一种线圈结构及半导体加工设备
KR20230093701A (ko) 2021-12-20 2023-06-27 세메스 주식회사 안테나 구조체 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 설비

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08279493A (ja) * 1995-04-04 1996-10-22 Anelva Corp プラズマ処理装置
JPH1192968A (ja) * 1997-09-17 1999-04-06 Citizen Watch Co Ltd ドライエッチング装置とプラズマ化学的気相堆積装置
JP2001052894A (ja) * 1999-08-04 2001-02-23 Ulvac Japan Ltd 誘導結合高周波プラズマ源
JP2005303053A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JP2005534185A (ja) * 2002-07-26 2005-11-10 プラズマート カンパニー リミテッド 低い縦横比を有する誘導結合型プラズマ発生装置
JP2006216903A (ja) * 2005-02-07 2006-08-17 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3105403B2 (ja) * 1994-09-14 2000-10-30 松下電器産業株式会社 プラズマ処理装置
US5919382A (en) * 1994-10-31 1999-07-06 Applied Materials, Inc. Automatic frequency tuning of an RF power source of an inductively coupled plasma reactor
US6054013A (en) * 1996-02-02 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Parallel plate electrode plasma reactor having an inductive antenna and adjustable radial distribution of plasma ion density
CA2207154A1 (en) * 1996-06-10 1997-12-10 Lam Research Corporation Inductively coupled source for deriving substantially uniform plasma flux
KR100322330B1 (ko) * 1997-04-21 2002-03-18 히가시 데츠로 재료의 이온 스퍼터링 방법 및 장치
US6373022B2 (en) * 1997-06-30 2002-04-16 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with antenna of coil conductors of concentric helices offset along the axis of symmetry
US6660134B1 (en) * 1998-07-10 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Feedthrough overlap coil
US6518705B2 (en) * 1999-11-15 2003-02-11 Lam Research Corporation Method and apparatus for producing uniform process rates
US6744213B2 (en) * 1999-11-15 2004-06-01 Lam Research Corporation Antenna for producing uniform process rates
US6414648B1 (en) * 2000-07-06 2002-07-02 Applied Materials, Inc. Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna
EP1301938A2 (en) * 2000-07-06 2003-04-16 Applied Materials, Inc. A plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna
US6417626B1 (en) * 2001-03-01 2002-07-09 Tokyo Electron Limited Immersed inductively—coupled plasma source
KR200253559Y1 (ko) 2001-07-30 2001-11-22 주식회사 플라즈마트 회전방향으로 균일한 플라즈마 밀도를 발생시키는유도결합형 플라즈마 발생장치의 안테나구조
JP3787079B2 (ja) * 2001-09-11 2006-06-21 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
JP4163437B2 (ja) * 2002-04-17 2008-10-08 松下電器産業株式会社 プラズマ処理装置用誘電体窓
KR100486724B1 (ko) * 2002-10-15 2005-05-03 삼성전자주식회사 사행 코일 안테나를 구비한 유도결합 플라즈마 발생장치
US7871490B2 (en) * 2003-03-18 2011-01-18 Top Engineering Co., Ltd. Inductively coupled plasma generation system with a parallel antenna array having evenly distributed power input and ground nodes and improved field distribution
KR20050040274A (ko) * 2003-10-28 2005-05-03 삼성전자주식회사 플라즈마 발생용 안테나 및 이를 갖는 플라즈마 처리장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08279493A (ja) * 1995-04-04 1996-10-22 Anelva Corp プラズマ処理装置
JPH1192968A (ja) * 1997-09-17 1999-04-06 Citizen Watch Co Ltd ドライエッチング装置とプラズマ化学的気相堆積装置
JP2001052894A (ja) * 1999-08-04 2001-02-23 Ulvac Japan Ltd 誘導結合高周波プラズマ源
JP2005534185A (ja) * 2002-07-26 2005-11-10 プラズマート カンパニー リミテッド 低い縦横比を有する誘導結合型プラズマ発生装置
JP2005303053A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JP2006216903A (ja) * 2005-02-07 2006-08-17 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012248578A (ja) * 2011-05-25 2012-12-13 Ulvac Japan Ltd プラズマエッチング装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN103347360A (zh) 2013-10-09
JPWO2008065744A1 (ja) 2010-03-04
JPWO2008065745A1 (ja) 2010-03-04
TW200833180A (en) 2008-08-01
JP5277473B2 (ja) 2013-08-28
US20100066251A1 (en) 2010-03-18
CN101543141A (zh) 2009-09-23
CN103347360B (zh) 2016-01-20
JP5561812B2 (ja) 2014-07-30
TWI422287B (zh) 2014-01-01
US8314560B2 (en) 2012-11-20
WO2008065744A1 (fr) 2008-06-05
CN101543141B (zh) 2013-07-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2008065745A1 (fr) Appareil de traitement au plasma
US10276348B2 (en) Methods and apparatus for a hybrid capacitively-coupled and an inductively-coupled plasma processing system
TWI595807B (zh) Plasma processing equipment
JP5309179B2 (ja) 均一なプロセス速度を生成するためのプラズマ処理装置及び結合窓構成
KR100551138B1 (ko) 균일한 플라즈마 발생을 위한 적응형 플라즈마 소스
JP6238288B2 (ja) 堆積装置および堆積の非対称性を低減させる方法
JP4904202B2 (ja) プラズマ反応器
KR100444189B1 (ko) 유도결합 플라즈마 소스의 임피던스 정합 회로
TWI580325B (zh) 電感耦合電漿產生天線,電感耦合電漿產生器與其驅動方法
TW201719710A (zh) 施加通電的靜電法拉第屏蔽以重整感應耦合電漿中的介電窗
JP2015162266A (ja) プラズマ処理装置
JP2004537830A (ja) 均一なプロセス速度を実現する方法および装置
US20150200078A1 (en) Plasma etching apparatus
WO2019019700A1 (zh) 上电极组件、反应腔室及半导体加工设备
CN116994935A (zh) 用于电感等离子体源的改进的静电屏蔽件
JP6001963B2 (ja) プラズマ処理装置、プラズマ生成装置、アンテナ構造体及びプラズマ生成方法
JP3640420B2 (ja) プラズマ処理装置
JP4302630B2 (ja) 誘導結合型プラズマ発生装置
KR101712263B1 (ko) 헬리컬공명플라즈마 안테나 및 이를 구비하는 플라즈마 발생 장치
JP2011034705A (ja) プラズマ処理装置
KR102407388B1 (ko) 유도 결합 플라즈마 발생용 안테나 구조
KR101013729B1 (ko) 콘 형상의 3차원 헬릭스 인덕티브 코일을 가지는 플라즈마 반응장치
JP2010168663A (ja) プラズマ処理装置
JP4069298B2 (ja) 高周波プラズマの発生方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07828062

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2008546872

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 07828062

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1