WO2008059721A1 - Plaque de polarisation elliptique et affichage à cristaux liquides à alignement vertical - Google Patents

Plaque de polarisation elliptique et affichage à cristaux liquides à alignement vertical Download PDF

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Description

明 細 書 楕円偏光板およびそれを用いた垂直配向型液晶表示装置
[技術分野]
本発明は、 視野角特性に優れた楕円偏光板及び液晶表示装置に関し、 特に電圧 無印加時に液晶分子が基板に対して垂直に配向する垂直配向型液晶表示装置に関 する。
[背景技術]
液晶表示装置における表示モードの 1つとして、 初期状態において液晶セル内 の液晶分子が基板表面に対して垂直に配列する垂直配向モードがある。 電圧無印 加時には、 液晶分子が基板表面に対して垂直に配列し、 液晶セルの両側に直線偏 光板を直交配置すると黒表示が得られる。
液晶セル内の光学特性は面内方向で等方的であり、 理想的な視野角補償が容易 に可能である。 液晶セルの厚さ方向に正の 1軸光学異方性を補償するため、 厚さ 方向に負の 1軸光学異方性を有する光学素子を液晶セルの片面又は両面と直線偏 光板との間に挿入すると、 非常に良好な黒表示視角特性が得られる。
電圧印加時においては、 液晶分子が基板表面に垂直な方向から基板表面に平行 な方向に向って配向を変化させる。 この際、 液晶配列の均一化が困難である。 通 常の配向処理である基板表面のラビング処理を用いると、 表示品位が著しく低下 する。
電圧印加時における液晶配列を均一化するため、 基板上の電極形状を工夫し、 液晶層内に斜め電界が発生するようにし、 均一配向を得る等の提案がある。 この 方法によれば、 均一な液晶配列は得られるが、 ミクロ的には不均一な配向領域が 生じ、 電圧印加時にこの領域が暗領域となる。 従って、 液晶表示装置の透過率が 低下する。
特許文献 1によれば、 ランダム配向した状態を含む液晶層を有する液晶素子の 両側に配置する直線偏光板を円偏光板に置き換えた構成が提案されている。 直線 偏光板の代わりに、 直線偏光板と 1 / 4波長板とを組み合わせた円偏光板に置き 換えることにより、 電圧印加時の暗領域を解消し、 高透過率な液晶表示装置を実 現できる。 しかしながら、 円偏光板を用いた垂直配向型液晶表示装置では、 直線 偏光板を用いた垂直配向型液晶表示装置と比較し視野角特性が狭いという課題が あった。 特許文献 2によれば、 円偏光板を用いた垂直配向型液晶表示装置の視野 角補償として、 負の 1軸の光学異方性を有する光学異方素子や 2軸光学異方性材 料が提案されている。 しかし負の 1軸の光学異方性を有する光学異方素子により 液晶セルの厚さ方向に正の 1軸光学異方性を補償できるが、 1 /4波長板の視野 角特性を補償できないため、 十分な視野角特性を得ることはできない。 また、 2 軸光学異方性材料の製造を行う場合、得られる位相差板の面内の主屈折率を n X、 n yとし、厚さ方向の屈折率を n zとし、かつ n x > n yとしたとき、 N z = (n x— n z ) (n x— n y ) で定義される N zは一 1. 0く N zく 0. 1であり、 厚み方向の延伸には限界があり、 厚み方向の位相差を広範囲に制御することがで きない。 また前記製造方法では、 熱収縮フィルムにより、 長尺フィルムを熱収縮 させて厚み方向に延伸させているため、 得られる位相差板は、 長尺フィルムより も厚みが増加する。 前記製造方法で得られる位相差板の厚みは 50〜1 00 μπι 程度であり、 液晶表示装置等に要求される薄型化に対しても十分ではなかった。 特許文献 3及び 4によれば、 円偏光板を用いた垂直配向型液晶表示装置の視野 角補償として、 液晶セルの補償として負の 1軸の光学異方性を有する光学異方素 子、 1 4波長板の視野角補償として厚さ方向の屈折率が大きい補償層、 及び偏 光板補償フィルムの 3種類を組み合わせた構成が提案されている。しかしながら、 これら 3種類のフィルムを垂直配向型液晶表示装置の両側に使用することで計 6 枚のフィルムを使用し、 更には円偏光板機能を付与するために; L Ζ 4板を両側に 使用するため、 合計で 8枚のフィルムを使用することになり、 大幅に視野角改善 されるものの価格、 厚さの両面において現実的とは言えない。
( 1 ) 特許文献 1 :特開 2002— 40428号公報
( 2 ) 特許文献 2 :特開 2003— 207782号公報
( 3 ) 特許文献 3 :特開 2002— 55 342号公報
( 4 ) 特許文献 4 :特開 2006— 85203号公報 [発明の開示]
本発明の目的は、 低価格化が可能であり、 かつ視野角特性の優れた垂直配向型 液晶表示装置用楕円偏光板及び垂直配向型液晶表示装置を提供することである。 本発明者らは前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、 以下に示す楕円偏 光板およびそれを用いた垂直配向型液晶表示装置により、 前記目的を達成できる ことを見出し本発明を完成するに至った。
すなわち、 本発明は以下の (1) 〜 (30) のとおりである。
(1) 少なくとも第 1の偏光板、 第 1の光学異方性層、 第 2の光学異方性層お ょぴ第 3の光学異方性層がこの順に積層された楕円偏光板であって、
前記第 1の光学異方性層が、 以下の [1] を満たし、
[1] 50≤R e 1≤ 500
(ここで、 R e 1は前記第 1の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e 1は、 R e 1 = (N x 1—Ny 1) X d 1 [nm] である。 また、 d 1は前記第 1の光学異方性層の厚さ、 Nx l, Ny 1は波長 5 50 nmの光に 対する前記第 1の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 1は波長 5 50 nmの光に 対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx l >N z l Ny lである。)
前記第 2の光学異方性層が、 以下の [2]、 [3] を満たし、
[2] 0≤R e 2≤ 20
[3] - 500≤R t h 2≤-30
(ここで、 R e 2は前記第 2の光学異方性層の面内のリターデーション値を意味 し、 R t h 2は前記第 2の光学異方性層の厚さ方向のリターデーション値を意味 する。 前記 R e 2及ぴ R t h 2は、 それぞれ R e 2 = (Nx 2-Ny 2) X d 2 [nm], R t h 2 = { (N x 2+N y 2) / 2 -N z 2} X d 2 [nm] である。 また、 d 2は前記第 2の光学異方性層の厚さ、 Nx 2, Ny 2は波長5 50 nm の光に対する前記第 2の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 2は波長 5 50 nm の光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 N z 2 >Nx 2≥Ny 2である。) 前記第 3の光学異方性層が、以下の [4]を満たすことを特徴とする楕円偏光板。
[4] 1 00≤R e 3≤ 1 80
(ここで、 R e 3は前記第 3の光学異方性層の面内のリターデーション値を意味 する。 前記 R e 3は、 R e 3 = (Nx 3 -Ny 3) X d 3 [nm] である。 また、 d 3は前記第 3の光学異方性層の厚さ、 Nx 3, Ny 3は波長 5 50 nmの光に 対する前記第 3の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 3は波長 5 50 nmの光に 対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 3 >Ny 3 >N z 3である。)
(2) 前記第 3の光学異方性層が、 さらに以下の [5] および [6] を満たす ことを特徴とする前記 (2) に記載の楕円偏光板。
[5] 50≤R t h 3≤ 600
[6] 0. 5≤R t h 3/R e 3≤ 3. 5
(ここで、 R t h 3は前記第 3の光学異方性層の厚さ方向のリターデーシヨン値 を意味する。 前記 R t h 3は、 R t h 3 = {(Nx 3 +Ny 3) /2-N z 3} X d 3 [nm] である。)
(3) 少なくとも第 1の偏光板、 第 1の光学異方性層、 第 2の光学異方性層、 第 3の光学異方性層、 第 4の光学異方性層がこの順に積層された楕円偏光板であ つて、
前記第 1の光学異方性層が、 以下の [1] を満たし、
[1] 50≤R e l≤ 500
(ここで、 R e 1は前記第 1の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e lは、 R e l = (Nx 1 -Ny 1) X d 1 [nm] である。 また、 d 1は前記第 1の光学異方性層の厚さ、 Nx l, Ny 1は波長 5 50 nmの光に 対する前記第 1の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 1は波長 5 50 nmの光に 対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx l >N z l≥Ny lである。)
前記第 2の光学異方性層が、 以下の [2]、 [3] を満たし、
[2] 0≤R e 2≤ 20
[3] - 500≤R t h 2≤- 30
(ここで、 R e 2は前記第 2の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意眛 し、 R t h 2は前記第 2の光学異方性層の厚さ方向のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e 2及び R t h 2は、 それぞれ R e 2 = (Nx 2 -Ny 2) X d 2
[nm], R t h 2 = {(Nx 2+Ny 2) / 2~N z 2} X d 2 [nm] である。 また、 d 2は前記第 2の光学異方性層の厚さ、 Nx 2, Ny 2は波長5 50 nπl の光に対する前記第 2の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 2は波長 5 50 nm の光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 N z 2 >Nx 2≥Ny 2である。) 前記第 3の光学異方性層が、 以下の [4] を満たし、
[4] 1 00≤R e 3≤ 1 80
(ここで、 R e 3は前記第 3の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e 3は、 R e 3 = (Nx 3— Ny 3) X d 3 [nm] である。 また、 d 3は前記第 3の光学異方性層の厚さ、 Nx 3, Ny 3は波長 5 50 nmの光に 対する前記第 3の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 3は波長 5 50 nmの光に 対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 3 >Ny 3=N z 3である。)
前記第 4の光学異方性層が、 以下の [1 2]、 [1 3] を満たすことを特徴とする 楕円偏光板。
[1 2] 0≤R e 4≤ 20
[1 3] 1 00≤R t h 4≤400
(ここで、 R e 4は前記第 4の光学異方性層の面内のリターデーション値を意味 し、 R t h 4は前記第 4の光学異方性層の厚さ方向のリターデーション値を意味 する。 前記 R e 4及び R t h 4は、 それぞれ R e 4= (N x 4 -N y 4) X d 4
[nm], R t h 4 = { (Nx 4+Ny 4) /2 -N z 4} X d 4 [nm] である。 ここで、 d 4は前記第 4の光学異方性層の厚さ、 Nx 4, Ny 4は波長 5 5 O n mの光に対する前記第 4の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 4は波長 5 50 η mの光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 4≥Ny 4 >N z 4である。)
(4) 前記第 1の光学異方性層が、 以下の [1] を満たすことを特徴とする前 記 (1) に記載の楕円偏光板。
[1] 50≤R e l≤ 300
(5) 前記第 2の光学異方性層が、 正の一軸性を示す液晶性組成物を液晶状態 においてホメオト口ピック配向させた後、 配向固定化したホメオト口ピック配向 液晶フィルムからなることを特徴とする前記 (1) 〜 (4) のいずれかに記載の 楕円偏光板。
(6) 前記の正の一軸性を示す液晶性組成物が、 ォキセタニル基を有する側鎖 型液晶性高分子を含むことを特徴とする前記 (5) に記載の楕円偏光板。
(7) 前記第 1及び第 3の光学異方性層が、 ポリカーボネート樹脂あるいは環 状ポリオレフイン樹脂を含有する熱可塑性高分子を含むことを特徴とする前記
(1) 〜 (6) のいずれかに記載の楕円偏光板。 (8) 前記第 4の光学異方性層が、 液晶性化合物、 トリァセチルセルロース、 環状ポリオレフイン、 ポリオレフイン類、 ポリアミ ド、 ポリイミ ド、 ポリエステ ル、 ポリエーテルケトン、 ポリアリールエーテルケトン、 ポリアミ ドイ ミ ド、 ポ リエステルイミ ド等のポリマーから選ばれる少なくとも 1種の素材から形成され た層であることを特徴とする前記(1)〜(7)のいずれかに記載の楕円偏光板。
(9) 前記第 3の光学異方性層が、 更に以下の [1 0] を満たすことを特徴と する前記 (1) 〜 (8) のいずれかに記載の楕円偏光板。
[1 0] 0. 7≤R e 3 (450) /R e 3 (590) ≤ 1. 05
(ここで、 R e 3 (450)、 R e 3 (5 90) は、 波長 450 n m、 590 nm の光における前記第 3の光学異方性層の面內のリターデーション値を意味する。)
(1 0) 前記第 1の偏光板の吸収軸と前記第 1の光学異方性層の遅相軸とが直 交あるいは平行になるように積層されていることを特徴とする前記 (1)〜(9) のいずれかに記載の楕円偏光板。
(1 1) 前記第 1の偏光板の吸収軸と前記第 3の光学異方性層の遅相軸とのな す角度を Pとしたときに、 40° ≤ p≤ 5 0° を満たすことを特徴とする前記
(1) 〜 (1 0) のいずれかに記載の楕円偏光板。
(1 2) 前記第 1の偏光板は、 厚さ方向のリターデーシヨン R t hが 0より大 きい支持層を有することを特徴とする前記 (1) 〜 (1 1) のいずれかに記載の 楕円偏光板。 '
(1 3)少なくとも第 1の偏光板、第 1の光学異方性層、第 2の光学異方性層、 第 3の光学異方性層、 電極を備えた 1対の基板間に電圧無印加時に基板表面に対 して垂直配向する液晶分子を含む垂直配向型液晶セル、 第 5の光学異方性層、 第 2の偏光板がこの順に配置された垂直配向型液晶表示装置であって、
前記第 1の光学異方性層が、 以下の [1] を満たし、
[1] 50≤R e l≤ 500
(ここで、 R e 1は前記第 1の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e lは、 R e l = (Nx l _Ny l) X d 1 [nm] である。 また、 d 1は前記第 1の光学異方性層の厚さ、 Nx l, Ny 1は波長 5 50 nmの光に 対する前記第 1の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 1は波長 5 50 nmの光に 対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx l〉N z l≥Ny lである。) 前記第 2の光学異方性層が、 以下の [2]、 [3] を満たし、
[2] 0≤R e 2≤ 20
[3] - 500≤R t h 2≤-30
(ここで、 R e 2は前記第 2の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 し、 R t h 2は前記第 2の光学異方性層の厚さ方向のリターデーション値を意味 する。 前記 R e 2及ぴ R t h 2は、 それぞれ R e 2= (N x 2 ~Ny 2) X d 2 [nm]、 R t h 2 = { (N x 2+N y 2) / 2 -N z 2} X d 2 [nm] である。 また、 d 2は前記第 2の光学異方性層の厚さ、 Nx 2, Ny 2は波長5 50 nm の光に対する前記第 2の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 2は波長 5 50 nm の光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 N z 2 >Nx 2≥Ny 2である。) 前記第 3の光学異方性層が、 以下の [4] を満たし、
[4] 1 00≤R e 3≤ 1 80
(ここで、 R e 3は前記第 3の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e 3は、 R e 3 = (Nx 3 -Ny 3) X d 3 [nm] である。 また、 d 3は前記第 3の光学異方性層の厚さ、 Nx 3, Ny 3は波長 5 50 nmの光に 対する前記第 3の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 3は波長 5 5 O nmの光に 対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 3 >Ny 3 >N z 3である。)
前記第 5の光学異方性層が、 以下の [7] を満たすことを特徵とする垂直配向型 液晶表示装置。
[7] 100≤R e 5≤ 1 80
(ここで、 R e 5は前記第 5の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e 5は、 R e 5 = (N x 5 - N y 5) X d 5 [nm] である。 また、 d 5は前記第 5の光学異方性層の厚さ、 Nx 5, Ny 5は波長 5 50 nmの光に 対する前記第 5の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 5は波長 5 50 nmの光に 対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 5 >Ny 5=N z 5である。)
(14) 前記第 3の光学異方性層がさらに以下の [5] および [6] を満たし、 前記第 5の光学異方性層がさらに以下の [8] および [9] を満たすことを特徴 とする前記 (1 3) に記載の垂直配向型液晶表示装置。
[5] 50≤R t h 3≤ 600
[6] 0. 5≤R t h 3/R e 3≤ 3. 5 [8] 50≤R t h 5≤ 600
[9] 0. 5≤R t h 5/R e 5≤ 3. 5
(ここで、 R t h 3は前記第 3の光学異方性層の厚さ方向のリタ一デーシヨン値 を、 R t h 5は前記第 5の光学異方性層の厚さ方向のリターデーション値を意味 する。前記 R t h 3は、 R t h 3= {(Nx 3 +Ny 3) /2— N z 3} X d 3 [n m] であり、 前記 R t h 5は、 R t h 5 = {(Nx 5 +Ny 5) /2 -N z 5 } X d 5 [nm] である。)
(1 5)少なくとも第 1の偏光板、第 2の光学異方性層、第 3の光学異方性層、 電極を備えた 1対の基板間に電圧無印加時に基板表面に対して垂直配向する液晶 分子を含む垂直配向型液晶セル、 第 5の光学異方性層、 第 1の光学異方性層、 第 2の偏光板がこの順に配置された垂直配向型液晶表示装置であって、
前記第 1の光学異方性層が、 以下の [1] を満たし、
[1] 50≤R e l≤ 500
(ここで、 R e 1は前記第 1の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e lは、 R e l = (N x 1 -N y 1 ) X d 1 [nm] である。 また、 d 1は前記第 1の光学異方性層の厚さ、 Nx l , Ny 1は波長 5 50 nmの光に 対する前記第 1の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 1は波長 5 50 nmの光に 対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx l >N z l Ny lである。)
前記第 2の光学異方性層が、 以下の [2]、 [3] を満たし、
[2] 0≤R e 2≤ 20
[3] - 500≤R t h 2≤-30
.4;# ' (ここで、 R e 2は前記第 2の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 ''' し、 R t h 2は前記第 2の光学異方性層の厚さ方向のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e 2及び R t h 2は、 それぞれ R e 2= (Nx 2 -Ny 2) X d 2 [nm], R t h 2 = { (N x 2+N y 2) /2 -N z 2} X d 2 [nm] である。 また、 d 2は前記第 2の光学異方性層の厚さ、 Nx 2, Ny 2は波長 5 50 nπl の光に対する前記第 2の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 2は波長 5 50 nm の光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nz 2 >Nx 2 Ny 2である。) 前記第 3の光学異方性層が、 以下の [4] 〜 [6] を満たし、
[4] 1 00≤R e 3≤ 1 80 [5] 50≤R t h 3≤ 600
[6] 0. 5≤R t h 3/R e 3≤ 3. 5
(ここで、 R e 3は前記第 3の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e 3は、 R e 3 = (Nx 3— Ny 3) X d 3 [nm] である。 また、 d 3は前記第 3の光学異方性層の厚さ、 Nx 3, N y 3は波長 5 50 nmの光に 対する前記第 3の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 3は波長 5 50 nmの光に 対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 3〉Ny 3 >N z 3である。)
前記第 5の光学異方性層が、 以下の [7] 〜 [9] を満たすことを特徴とする垂 直配向型液晶表示装置。
[7] 1 00≤R e 5≤ 1 80
[8] 50≤R t h 5≤ 600
[9] 0. 5≤R t h 5/R e 5≤ 3. 5
(ここで、 R e 5は前記第 5の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e 5は、 R e 5 = (N x 5 -Ny 5) X d 5 [nm] である。 また、 d 5は前記第 5の光学異方性層の厚さ、 Nx 5, Ny 5は波長 5 50 nmの光に 対する前記第 5の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 5は波長 5 50 nmの光に 対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 5 >Ny 5 =N z 5である。)
(1 6)少なくとも第 1の偏光板、第 1の光学異方性層、第 2の光学異方性層、 第 3の光学異方性層、 第 4の光学異方性層、 電極を備えた 1対の基板間に電圧無 印加時に基板表面に対して垂直配向する液晶分子を含む垂直配向型液晶セル、 第 5の光学異方性層、 第 2の偏光板がこの順に配置された垂直配向型液晶表示装置 であって、
前記第 1の光学異方性層が、 以下の [1] を満たし、
[1] 50≤R e 1≤ 500
(ここで、 R e 1は前記第 1の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e lは、 R e l = (Nx 1 -Ny 1) X d 1 [nm] である。 ここ で、 d 1は前記第 1の光学異方性層の厚さ、 Nx l , Ny lは波長550 nmの 光に対する前記第 1の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 1は波長 5 50 nmの 光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx l >N z l≥Ny lである。) 前記第 2の光学異方性層が、 以下の [2]、 [3] を満たし、 [ 2] 0≤R e 2≤ 2 0
[ 3] - 5 0 0≤R t h 2≤- 3 0
(ここで、 R e 2は前記第 2の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 し、 R t h 2は前記第 2の光学異方性層の厚さ方向のリターデーション値を意味 する。 前記 R e 2及び R t h 2は、 それぞれ R e 2 = (N x 2 -N y 2 ) X d 2
[n m]、 R t h 2 - { (N x 2+N y 2) ノ 2— N z 2} X d 2 [nm] である。 ここで、 d 2は前記第 2の光学異方性層の厚さ、 N x 2, N y 2は波長 5 5 O n mの光に対する前記第 2の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 2は波長 5 5 0 η mの光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 N z 2〉N x 2 ^Ny 2である。) 前記第 3の光学異方性層が、 以下の [4] を満たし、
[4] 1 0 0≤R e 3≤ 1 8 0
(ここで、 R e 3は前記第 3の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e 3は、 R e 3 = (N x 3 -N y 3 ) X d 3 [nm] である。 ここ で、 d 3は前記第 3の光学異方性層の厚さ、 N x 3, N y 3は波長5 5 0 nmの 光に対する前記第 3の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 3は波長 5 5 0 nmの 光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 N x 3 >N y 3 =N z 3である。) 前記第 4の光学異方性層が、 以下の [ 1 2]、 [ 1 3] を満たし、
[ 1 2] 0≤R e 4≤ 2 0
[ 1 3] 1 0 0≤R t h 4≤ 4 0 0
(ここで、 R e 4は前記第 4の光学異方性層の面内のリターデーション値を意味 し、 R t h 4は前記第 4の光学異方性層の厚さ方向のリターデーション値を意味 する。 前記 R e 4及び R t h 4は、 それぞれ R e 4 = (N x 4 -N y 4) X d 4
[nm], R t h 4 = { (N x 4 +Ny 4) / 2 -N z 4 } X d 4 [nm] である。 ここで、 d 4は前記第 4の光学異方性層の厚さ、 N x 4 , N y 4は波長 5 5 O n mの光に対する前記第 4の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 4は波長 5 5 0 η mの光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 N x 4≥N y 4 >N z 4である。) 前記第 5の光学異方性層が、 以下の [ 7] を満たすことを特徴とする垂直配向型 液晶表示装置。
[ 7] 1 0 0≤R e 5≤ 1 8 0
(ここで、 R e 5は前記第 5の光学異方性層の面内のリターデーシヨン値を意味 する。 前記 R e 5は、 R e 5 = (N x 5 -N y 5 ) X d 5 [n m] である。 ここ で、 d 5は前記第 5の光学異方性層の厚さ、 Nx 5, Ny 5は波長 5 50 nmの 光に対する前記第 5の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 5は波長 5 50 n mの 光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 5 >Ny 5 =N z 5である。)
(1 7) 前記第 1の光学異方性層が、 以下の [1] を満たすことを特徴とする 前記 (1 6) に記載の垂直配向型液晶表示装置。
[1] 50≤R e l≤ 300
(1 8)少なくとも第 1の偏光板、第 2の光学異方性層、第 3の光学異方性層、 第 4の光学異方性層、 電極を備えた 1対の基板間に電圧無印加時に基板表面に対 して垂直配向する液晶分子を含む垂直配向型液晶セル、 第 5の光学異方性層、 第 1の光学異方性層、 第 2の偏光板がこの順に配置された垂直配向型液晶表示装置 であって、
前記第 1の光学異方性層が、 以下の [1] を満たし、
[1] 50≤R e 1≤ 300
(ここで、 R e 1は前記第 1の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e lは、 R e l = (Nx l— Ny l) X d 1 [nm] である。 ここ で、 d 1は前記第 1の光学異方性層の厚さ、 Nx l, Ny iは波長 550 nmの 光に対する前記第 1の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 1は波長 5 50 nmの 光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx l >N z l≥Ny lである。) 前記第 2の光学異方性層が、 以下の [2]、 [3] を満たし、
[2] 0≤R e 2≤ 20
[3] - 500≤R t h 2≤- 30
(ここで、 R e 2は前記第 2の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 し、 R t h 2は前記第 2の光学異方性層の厚さ方向のリターデーション値を意味 する。 前記 R e 2及び R t h 2は、 それぞれ R e 2= (Nx 2—Ny 2) X d 2
[nm], R t h 2 = { (N x 2+N y 2) / 2— N z 2} X d 2 [nm] である。 ここで、 d 2は前記第 2の光学異方性層の厚さ、 Nx 2, Ny 2は波長 55 O n mの光に対する前記第 2の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 2は波長 550 η mの光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 N z 2 >N X 2≥Ny 2である。) 前記第 3の光学異方性層が、 以下の [4] を満たし、 [4] 1 00≤R e 3≤ 1 80
(ここで、 R e 3は前記第 3の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e 3は、 R e 3= (N x 3 -Ny 3) X d 3 [nm] である。 ここ で、 d 3は前記第 3の光学異方性層の厚さ、 Nx 3, Ny 3は波長550 nmの 光に対する前記第 3の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 3は波長 550 nmの 光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 3 >Ny 3=N z 3である。) 前記第 4の光学異方性層が、 以下の [1 2]、 [1 3] を満たし、
[1 2] 0≤R e 4≤ 20
[1 3] 1 00≤R t h 4≤400
(ここで、 R e 4は前記第 4の光学異方性層の面内のリターデーシヨン値を意味 し、 R t h 4は前記第 4の光学異方性層の厚さ方向のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e 4及び R t h 4は、 それぞれ R e 4 = (N x 4 -N y 4) X d 4
[nm], R t h 4 = { (Nx 4+Ny 4) / 2 -N z 4} X d 4 [nm] である。 ここで、 d 4は前記第 4の光学異方性層の厚さ、 Nx 4, Ny 4は波長 5 5 O n mの光に対する前記第 4の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 4は波長 550 η mの光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 4≥Ny 4 >N z 4である。) 前記第 5の光学異方性層が、 以下の [7] を満たすことを特徴とする垂直配向型 液晶表示装置。
[7] 1 00≤R e 5≤ 1 80
(ここで、 R e 5は前記第 5の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e 5は、 R e 5 = (Nx 5 -Ny 5) X d 5 [nm] である。 ここ で、 d 5は前記第 5の光学異方性層の厚さ、 Nx 5, Ny 5は波長550 nmの 光に対する前記第 5の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 5は波長 5 50 nmの 光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 5 >Ny 5=N z 5である。)
(1 9) 前記垂直配向型液晶表示装置の前記垂直配向型液晶セルと第 5の光学 異方性層の間に、 更に以下の [1 4]、 [1 5] を満たす第 6の光学異方性層を有 することを特徴とする前記 (1 7) または (1 8) に記載の垂直配向型液晶表示 装置。
[14] 0≤R e 6≤ 20
[1 5] 1 00≤R t h 6≤400 (ここで、 R e 6は前記第 6の光学異方性層の面内のリターデーション値を意味 し、 R t h 6は前記第 6の光学異方性層の厚さ方向のリターデーション値を意味 する。 前記 R e 6及び R t h 6は、 それぞれ R e 6= (N x 6 -N y 6) X d 6
[nm]、 R t h 6 = { (N x 6+N y 6 ) /2-N z 6}X d 6 [nm] である。 ここで、 d 6は前記第 6の光学異方性層の厚さ、 Nx 6, Ny 6は波長 5 5 O n mの光に対する前記第 6の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 6は波長 5 50 η mの光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 6≥Ny 6 >N z 6である。)
(20) 前記第 2の光学異方性層が、 正の一軸性を示す液晶性組成物を液晶状 態においてホメオト口ピック配向させた後、 配向固定化したホメオト口ピック配 向液晶フィルムからなることを特徴とする前記 (1 3) 〜 (1 9) のいずれかに 記載の垂直配向型液晶表示装置。
(2 1) 前記の正の一軸性を示す液晶性組成物が、 ォキセタニル基を有する側 鎖型液晶性高分子を含むことを特徴とする前記 (20) に記載の垂直配向型液晶 表示装置。
(22) 前記第 1、 第 3及び第 5の光学異方性層が、 ポリカーボネート樹脂あ るいは環状ポリオレフイン樹脂を含有する熱可塑性高分子を含むことを特徴とす る前記 (1 3) 〜 (2 1) のいずれかに記載の垂直配向型液晶表示装置。
(23)前記第 4の光学異方性層が、液晶性化合物、 トリァセチルセルロース、 環状ポリオレフイン、 ポリオレフイン類、 ポリアミ ド、 ポリイミ ド、 ポリエステ ル、 ポリエーテルケトン、 ポリアリールエーテルケトン、 ポリアミ ドイミ ド、 ポ リエステルイミ ド等のポリマーから選ばれる少なくとも 1種の素材から形成され た層であることを特徴とする前記 (1 3) 〜 (22) のいずれかに記載の垂直配 向型液晶表示装置。
(24) 前記第 3の光学異方性層が、 更に以下の [1 0] を満たすことを特徴 とする前記 (1 3) 〜 (23) のいずれかに記載の垂直配向型液晶表示装置。
[1 0] 0. 7≤R e 3 (450) /R e 3 (590) ≤ 1. 05
(ここで、 R e 3 (450)、 R e 3 (590) は、 波長 450 nm, 5 90 nm の光における前記第 3の光学異方性層の面内のリターデーション値を意味する。) (2 5) 前記第 5の光学異方性層が、 更に以下の [1 1] を満たすことを特徴と する前記 (1 3) 〜 (24) のいずれかに記載の垂直配向型液晶表示装置。 [1 1] 0. 7≤R e 5 (450) /R e 5 (590) ≤ 1. 05 (ここで、 R e 5 (450)、 R e 5 (590) は、 波長 450 n m、 590 nm の光における前記第 5の光学異方性層の面内のリターデーション値を意味する。) (26) 前記第 1の偏光板の吸収軸と前記第 1の光学異方性層の遅相軸とが直 交あるいは平行になるように積層されていることを特徴とする前記(1 3)〜(2
5) のいずれかに記載の垂直配向型液晶表示装置。
(27) 前記第 3の光学異方性層の遅相軸と前記第 5の光学異方性層の遅相軸 とが直交するように積層されていることを特徴とする前記 (1 3) 〜 (26) の いずれかに記載の垂直配向型液晶表示装置。
(28) 前記第 1の偏光板の吸収軸と前記第 3の光学異方性層の遅相軸とのな す角度を P、 前記第 2の偏光板の吸収軸と前記第 5の光学異方性層の遅相軸との なす角度を qとしたときに、 40° p≤ 50° 、 40° q≤ 50° を満たす ことを特徴とする前記 (13) 〜 (27) のいずれかに記載の垂直配向型液晶表 示装置。
(29) 前記第 1及び第 2の偏光板は、 厚さ方向のリタ一デーシヨン R t hが 0より大きい支持層を有することを特徴とする前記 (1 3) 〜 (28) のいずれ かに記載の垂直配向型液晶表示装置。
(30) 前記垂直配向型液晶セルの一方の基板が反射機能を有する領域と透過 機能を有する領域とを有する基板であることを特徴とする前記 (13)〜(29) のいずれかに記載の垂直配向型液晶表示装置。
[発明の効果]
本発明の垂直配向型液晶表示装置は、 表示が明るく、 全方位において高コント ラストな表示が可能である。
[発明を実施するための最良の形態]
以下、 本発明を詳細に説明する。
本発明の楕円偏光板は、 図 1に示すような、 少なくとも第 1の偏光板、 第 1の 光学異方性層、 第 2の光学異方性層、 第 3の光学異方性層がこの順に積層された 楕円偏光板である。 また本発明の楕円偏光板は、 図 2に示すような、 少なくとも第 1の偏光板、 第 1の光学異方性層、 第 2の光学異方性層、 第 3の光学異方性層、 さらに第 4の光 学異方性層がこの順に積層された楕円偏光板である。
本発明の垂直配向型液晶表示装置は、以下の (A) または (B ) から構成され、 必要に応じて光拡散層、 光制御フィルム、 導光板、 プリズムシート等の部材が更 に追加されるが、 これらに本発明においてホメオト口ピック配向液晶フィルムか らなる第 2の光学異方性層を使用する点を除いては特に制限は無い。 視野角依存 性の少ない光学特性を得ると言う点では、 (A) または (B ) いずれの構成を用い ても構わない。
( A) 第 1の偏光板/第 1の光学異方性層/第 2の光学異方性層/第 3の光学異 方性層 Z (第 4の光学異方性層) Z垂直配向液晶セル Z第 5の光学異方性層 Z第 2の偏光板ノバックライ ト
( B ) 第 1の偏光板 第 2光学異方性層/第 3の光学異方性層/ (第 4の光学異 方性層) /液晶セル/第 5の光学異方性層/第 1の光学異方性層/第 2の偏光板 /バックライ ト また、 前記垂直配向型液晶表示装置の垂直配向型液晶セルと第 5の光学異方性 層の間に、 第 6の光学異方性層を挿入した、 下記 (C ) または (D ) の構成を用 いることも出来る。
( C ) 第 1の偏光板/第 1の光学異方性層/第 2の光学異方性層/第 3の光学異 方性層 Z第 4の光学異方性層/垂直配向液晶セル/第 6の光学異方性層/第 5の 光学異方性層ノ第 2の偏光板/バックライ ト
( D ) 第 1の偏光板/第 2光学異方性層 第 3の光学異方性層 Z第 4の光学異方 性層 Z液晶セル/第 6の光学異方性層/第 5の光学異方性層/第 1の光学異方性 層/第 2の偏光板ノバックライ ト
上記構成により、 特許文献 3及ぴ 4で提案されていたフィルム 8枚構成をフィ ルム 4枚ないし 6枚まで削減することで広視野角特性を維持しつつコストダウン を図ることができる。 以下本発明に用いられる構成部材について順に説明する。 まず、 本発明に使用する垂直配向型液晶セルについて説明する。
液晶セルとしては、 特に制限はないが、 透過型、 反射型、 半透過型の各種液晶 セルを挙げることができる。 液晶セルの駆動方式も特に制限はなく、 S T N— L C D等に用いられるパッシブマトリタス方式、 T F T (Thin Film Transistor)電 極、 T F D (Thin Film Diode)電極等の能動電極を用いるアクティブマトリクス方 式、 プラズマァドレス方式等のいずれの駆動方式であっても良い。
液晶セルを構成する透明基板としては、 液晶層を構成する液晶性を示す材料を 特定の配向方向に配向させるものであれば特に制限はない。 具体的には、 基板自 体が液晶を配向させる性質を有している透明基板、基板自体は配向能に欠けるが、 液晶を配向させる性質を有する配向膜等をこれに設けた透明基板等がいずれも使 用できる。 また、 液晶セルの電極は、 I T O等の公知のものが使用できる。 電極 は通常、 液晶層が接する透明基板の面上に設けることができ、 配向膜を有する基 板を使用する場合は、 基板と配向膜との間に設けることができる。
液晶層を形成する液晶性を示す材料としては、 負の誘電率異方性を有する材料 であれば特に制限されず、 各種の液晶セルを構成し得る通常の各種低分子液晶物 質、 高分子液晶物質およびこれらの混合物が挙げられる。 また、 これらに液晶性 を損なわない範囲で色素やカイラル剤、非液晶性物質等を添加することもできる。 負の誘電率異方性を示す液晶材料を用いた垂直配向液晶層にカイラル剤を添加し 電圧印加時に液晶分子を旋回させれば、 電圧印加時の液晶分子の旋回を安定した ものとすることができる。 更に上下基板のラビング方向を同一方向以外に施す場 合、 配向処理の軌跡が同一方向でなくなるため筋目が目立ちにくくなる。 また、 液晶層が 9 0度ッイストしていれば、 電圧印加時のディスクリネーション防止の ため基板に対し数度傾斜して配向させた場合に液晶分子の傾斜方向にリターデー シヨンが発生するが、 基板付近の液晶分子の傾斜した方向が上下の基板付近で互 レ、に 9 0度の角度をなしているため、 発生するリターデーシヨンを打ち消すこと ができ、 漏れ光が少ない黒表示が得られる。
また、 前記垂直配向型液晶セルの一方の基板を反射機能を有する領域と透過機 能を有する領域とを有する基板とすることにより半透過反射型の垂直配向型液晶 セルとすることができる。
半透過反射型の垂直配向型液晶セルに使用する半透過反射性電極に含まれる反 射機能を有する領域 (以下、 反射層ということがある。) としては、 特に制限され ず、 アルミニウム、 銀、 金、 クロム、 白金等の金属やそれらを含む合金、 酸化マ グネシゥム等の酸化物、 誘電体の多層膜、 選択反射を示す液晶又は、 これらの組 み合わせ等を例示することができる。 これら反射層は平面であっても良く、 また 曲面であっても良い。 さらに反射層は、 凹凸形状など表面形状に加工を施して拡 散反射性を持たせたもの、 液晶セルの観察者側と反対側の該電極基板上の電極を 兼備させたもの、 またそれらを組み合わせたものであっても良い。
本発明の垂直配向型液晶セルは、 前記した構成部材以外にも他の構成部材を付 設することができる。 例えば、 カラーフィルターを本発明の液晶表示装置に付設 することにより、 色純度の高いマルチカラー又はフルカラー表示を行うことがで きるカラー液晶表示装置を作製することができる。 次に、 本発明に使用する光学異方性層について順に説明する。
まず、 第 1、 第 3、 第 5の光学異方性層について説明する。
前記光学異方性層としては、例えば、ポリカーボネート、ノルボルネン系樹脂、 ポリ ビニルアルコール、 ポリスチレン、 ポリ メチルメタク リ レート、 ポリプロピ レンやその他のポリオレフイン、 ポリアリレート、 ポリアミ ドの如き適宜なポリ マーからなるフィルムを一軸あるいは二軸延伸処理する手法ゃ特開平 5— 1 5 7 9 1 1号公報に示されるような熱収縮フィルムにより長尺フィルムの幅方向を熱 収縮させて厚み方向に位相差を大きくする手法により製造した複屈折フィルム、 液晶ポリマーなどの液晶材料からなる配向フィルム、 液晶材料の配向層をフィル ムにて支持したものなどが挙げられる。
上記の光学異方性層としては、 ポリカーボネートおよびノルポルネン系樹脂が 好ましい。
面内方向に X方向、 y方向を取り、 厚さ方向を z方向とする場合、 正の 1軸性 光学異方性層は、 屈折率として n x > n y = n zの関係を有する。 また、 正の 2 軸性光学異方性層は、 屈折率として n X > n z > n yの関係を有する。 負の 1軸 性光学異方性層は、 屈折率として n x = n y〉n Zの関係を有する。 負の 2軸性 光学異方性層は、 屈折率として n x > n y > n zの関係を有する。
第 1の光学異方性層は、 第 1の光学異方性層の厚さを d 1、 第 1の光学異方性 層面内の主屈折率を N x 1および N y 1、 厚さ方向の主屈折率を N z 1、 かつ、 N X 1 >N z 1≥Ny 1とし、 波長 550 nmの光における面内のリターデーシ ョン値 (R e 1 = (Nx 1 -Ny 1) X d 1 [nm]) とした場合に、 以下の [1] 式を満たす。
[1] 50≤R e 1≤ 500
第 1の光学異方性層は、 偏光板の視野角補償として寄与しており、 550 nm の光に対して、 第 1の光学異方性層面内のリタ一デーシヨン値 (R e 1) は、 通 常 50 nm〜500 nm、 好ましくは 80 η π!〜 480 n m、 さらに好ましくは 1 00 nm〜450 nmの範囲である。 R e 1値が上記範囲を外れた場合には、 十分な視野角改良効果が得られないかあるいは、 斜めから見たときに不必要な色 付きが生じる恐れがある。
本発明の楕円偏光板が、 少なくとも第 1の偏光板、 第 1の光学異方性層、 第 2 の光学異方性層、 第 3の光学異方性層、 第 4の光学異方性層がこの順に積層され た楕円偏光板である場合には、 [1] 式は以下の条件を満たすことが好ましい。
[1] 50≤R e l≤ 300
すなわち、 この場合の R e 1は、 通常 50 nm〜300 nm, 好ましくは 80 nm〜200 nm、 さらに好ましくは 1 00 η π!〜 14◦ n mの範囲である。 R e 1値が上記範囲を外れた場合には、 十分な視野角改良効果が得られないかある いは、 斜めから見たときに不必要な色付きが生じる恐れがある。
第 3及び第 5の光学異方性層は、 面内で 1 / 4波長の位相差を示すことが好ま しく、 第 3及び第 5の光学異方性層の厚さを d 3、 d 5、 第 3及び第 5の光学異 方性層面内の主屈折率を Nx 3、 Nx 5および Ny 3、 Ny 5、 厚さ方向の主屈 折率を N z 3、 N z 5、 かつ、 Nx 3 >Ny 3=N z 3、 Nx 5 >Ny 5=N z 5とし、 波長 5 50 nmの光における面内のリターデーション値 (R e 3 == (N X 3 -N y 3 ) X d 3 [nm]ヽ R e 5 = (N x 5 -N y 5 ) X d 5 [nm]) と した場合に、 以下の [4]、 [7] 式を満たす。
[4] 1 00≤R e 3≤ 1 80
[7] 1 00≤R e 5≤ 1 80
第 3及び第 5の光学異方性層は、 1/4波長の位相差を示すという点で、 55 0 nmの光に対して、第 3及ぴ第 5の光学異方性層面内のリタ一デーシヨン値(R e 3、 R e 5) は、 通常 100 n m〜 1 80 n m、 好ましくは 1 20 n m〜 1 6 O nm、 さらに好ましくは 1 30 nm〜 1 50 nmの範囲である。 R e 3値およ ぴ R e 5値が上記範囲を外れた場合には、 偏光板と組み合わせたときの円偏光性 が十分得られなくなり、 正面から見た場合の表示特性が低下する恐れがある。 なお、 本発明の楕円偏光板が、 第 1の偏光板、 第 1の光学異方性層、 第 2の光 学異方性層、 第 3の光学異方性層がこの順に積層された楕円偏光板である場合に は、 第 3の光学異方性層は以下の [5] および [6] 式を満たし、 また第 5の光 学異方性層は以下の [ 8 ]および [ 9 ]の条件を満たすことが好ましい。
[5] 50≤R t h 3≤ 600
[6] 0. 5≤R t h 3/R e 3≤ 3. 5
[8] 50≤R t h 5≤ 600
[9] 0. 5≤R t h 5/R e 5≤ 3. 5
第 3及び第 5の光学異方性層の厚さ方向のリタ一デーシヨン値 (R t h 3、 R t h 5) は、 第 3及ぴ第 5の光学異方性層が、 正面から見た場合は 1Z4波長板 であり、 同時に垂直配向型液晶セルの厚さ方向の位相差を補償することによる視 野角補償の効果を発揮するよう条件設定する必要がある。 従って、 垂直配向型液 晶セルの厚さ方向の位相差値にもよるが、 第 5の光学異方性層のみを使用する場 合は、 50 nm〜 600 nm、 好ましくは 1 00 nm〜400 nm, さらに好ま しくは 200 nm〜 300 nmの範囲である。 上記範囲を外れた場合には、 十分 な視野角改良効果が得られないかあるいは、 斜めから見たときに不必要な色付き が生じる恐れがある。
また、 第 3及び第 5の光学異方性層の厚さ方向のリタ一デーシヨン値 (R t h 3、 R t h 5 ) と面内のリターデーション値(R e 3、 R e 5) の比は、通常 0 · 5〜3. 5、 好ましくは 1. 0〜3. 0、 さらに好ましくは 1. 5〜2. 5の範 囲である。 R t h/R e値が上記範囲を外れた場合には、 十分な視野角改良効果 が得られないかあるいは、 斜めから見たときに不必要な色付きが生じる恐れがあ る。
第 3の光学異方性層の遅相軸と第 5の光学異方性層の遅相軸とのなす角度は、 通常 80〜 1 00度、好ましくは 8 5〜 9 5度、 更に好ましくは略 90度 (直交) の範囲である。 上記範囲を外れた場合、 正面から見た場合のコントラストが低下 する恐れがある。
また、 第 3及ぴ第 5の光学異方性層の波長 450 nm、 波長 5 90 nmの光に おける面内のリターデーション値をそれぞれ、 R e 3 (450)、R e 3 (5 90)、 R e 5 (450)、 R e 5 (590) とした場合、 以下の [1 0]、 [1 1] 式を満 たす。
[1 0] 0. 7≤R e 3 (450) R e 3 (590) ≤ 1. 05
[1 1] 0. 7≤R e 5 (450) /R e 5 (5 90) ≤ 1. 05
半透過型垂直配向型液晶表示装置の反射時のコントラスト特性を向上させると いう点においては、 1/4波長板の位相差値の波長に対する依存性は、 波長が大 きいほど位相差値が大きくなるかあるいは一定に近いことが好ましく、 第 3及び 第 5の光学異方性層の 450 nmの光及び 5 90 n mの光に対する位相差値の比 (上記 [1 0]および [1 1]) は、 通常 0. 7〜1. 05、 好ましくは 0. 7 5〜 1. 0の範囲である。 上記範囲を外れた場合には、 反射時の黒表示が青っぽい色 味になるといった表示特性の低下の恐れがある。
円偏光板は、 1/4波長板により直線偏光を円偏光に変えたり、 円偏光を直線 偏光に変える機能を有し、 垂直配向型液晶セルの両側に直線偏光板を有し、 直線 偏光板と垂直配向型液晶セルとの間に面内で 1/4波長の位相差を有する第 3及 び第 5の光学異方性層を有することにより、 電圧無印加時には液晶層の観測方向 の位相差が 0のため上下の偏光板を直交にすることにより暗表示が可能となり、 電圧印加時には観測方向の位相差が生じ明表示が可能となる。 直線偏光板に 1Z 4波長板を組み合わせた円偏光板を形成させるという点で、 前記第 1の偏光板の 吸収軸と前記第 3の光学異方性層の遅相軸とのなす角度を pとしたとき、 pは通 常 40° 〜50° 、 好ましくは 42〜 48° 、 更に好ましくは略 45° の範囲で める。
また同様に、 前記第 2の偏光板の吸収軸と前記第 5の光学異方性層の遅相軸と のなす角度を qしたときに、 qは通常 40° 〜50° 、好ましくは 42〜48° 、 更に好ましくは略 4 5° の範囲である。 上記以外の範囲においては、 正面コント ラストの低下による画質の低下の恐れがある。 次に、 第 2の光学異方性層について説明する。 本発明の第 2の光学異方性層は、 正の一軸性を示す液晶材料を液晶状態におい てホメオト口ピック配向させた後、 配向固定化したホメオト口ピック配向液晶フ イルムからなる。 本発明において、 液晶材料のホメオト口ピック配向を固定化し た液晶フィルムを得るに当たつては、 液晶材料と配向基板の選択が極めて重要で ある。
本発明に用いられる液晶材料は、 少なくともポリ (メタ) アタリレートやポリ シロキサンなどの側鎖型の液晶性ポリマーを主たる構成成分として含むものであ る。
また本発明において用いられる側鎖型液晶ポリマーは末端に重合可能なォキセ タニル基を有するものである。 より具体的には、 式 (1) で表されるォキセタュ ル基を有する (メタ) アク リル化合物の (メタ) アク リル部位を単独重合、 もし くは他の (メタ) アクリル化合物と共重合させて得られる側鎖型液晶性高分子物 質を好ましい例として挙げることができる。
Figure imgf000023_0001
上記式 (1) 中、 は水素またはメチル基を表し、 R2は水素、 メチル基また はェチル基を表し、 1^およぴ 2はそれぞれ個別に単結合、 一 O—、 一 O— C〇 一、 または一 CO— 0—のいずれかを表し、 Mは式(2)、 式 (3) または式 (4) を表し、 nおよび mはそれぞれ個別に 0〜 1 0の整数を示す。
P1-L3-P2 L 4―丄〕 3
P!-L3 - P 3 (3)
p 3- (4)
式 (2) 〜 (4) 中、 Pェおよぴ? 2はそれぞれ個別に式 (5) から選ばれる基 を表し、 P3は式 (6) から選ばれる基を表し、 L3および L4はそれぞれ個別に 単結合、 一CH=CH—、 一 C≡C一、 一 O—、 一 O— CO—または一 CO— O 一を表す。
Figure imgf000024_0001
Figure imgf000024_0002
これらォキセタニル基を有する (メタ) アク リル化合物の合成法は特に制限さ れるものではなく、 通常の有機化学合成法で用いられる方法を適用することによ つて合成することができる。 例えば、 ウィリアムソンのエーテル合成や、 縮合剤 を用いたエステル合成などの手段でォキセタニル基を持つ部位と (メタ) アタリ ル基を持つ部位を結合することで、 ォキセタ-ル基と (メタ) アク リル基の 2つ の反応性官能基を持つォキセタ-ル基を有する (メタ) アクリル化合物を合成す ることができる。
式 (1 ) で表されるォキセタ-ル基を有する (メタ) アクリル化合物の (メタ) アク リル基を単独重合、 もしくは他の (メタ) アクリル化合物と共重合すること により下記式 (7 ) で表されるユニットを含む側鎖型液晶性高分子物質が得られ る。 重合条件は特に限定されるものではなく、 通常のラジカル重合ゃァニオン重 合の条件を採用することができる。
Figure imgf000025_0001
ラジカル重合の例としては、(メタ)ァクリル化合物をジメチルホルムアミ ド(D MF) などの溶媒に溶かし、 2, 2 ' ーァゾビスイソプチロニトリル (A I BN) や過酸化べンゾィル (B P O) などを開始剤として、 60〜 120 °Cで数時間反 応させる方法が挙げられる。また、液晶相を安定に出現させるために、臭化銅( I ) / 2 ' 2, 一ビビリジル系や 2, 2 ' 6, 6ーテトラメチルピぺリジノォキシ · フリーラジカル (TEMPO) 系などを開始剤としたリビングラジカル重合を行 い、 分子量分布を制御する方法も有効である。 これらのラジカル重合は脱酸素条 件で行うことが好ましい。
ァニオン重合の例としては、 (メタ) ァクリル化合物をテトラヒ ドロフラン (T HF) などの溶媒に溶かし、 有機リチウム化合物、 有機ナトリウム化合物、 ダリ 二ヤール試薬などの強塩基を開始剤として、反応させる方法が挙げられる。また、 開始剤や反応温度を最適化することでリビングァェオン重合とし、 分子量分布を 制御することもできる。 これらのァユオン重合は、 厳密に脱水かつ脱酸素条件で 行う必要がある。
また、 このとき共重合する (メタ) アクリル化合物は特に限定されるものでは なく、 合成される高分子物質が液晶性を示せば何でもよいが、 合成される高分子 物質の液晶性を高めるため、 メソゲン基を有する (メタ) アクリル化合物が好ま しい。 例えば下記式で示されるような (メタ) アクリル化合物を好ましい化合物 として例示することができる。
Figure imgf000026_0001
ここで、 Rは、 水素、 炭素数 1〜 1 2のアルキル基、 炭素数 1〜1 2のアルコ キシ基、 またはシァノ基を表す。
側鎖型液晶性高分子物質は、 式 (7 ) で表されるュュットを 5〜 1 0 0モル% 含むものが好ましく、 1 0〜1 0 0モル%含むものが特に好ましい。 また、 側鎖 型液晶性高分子物質は、 重量平均分子量が 2 , 0 0 0〜 1 0 0, 0 0 0であるも のが好ましく、 5 , 0 0 0〜5 0 , 0 0 0のものが特に好ましい。
本発明で用いる液晶材料においては、 前記側鎖型液晶性高分子物質の他に、 液 晶性を損なわずに混和し得る種々の化合物を含有することができる。 含有するこ とができる化合物としては、 ォキセタニル基、 エポキシ基、 ビニルエーテル基な どのカチオン重合性官能基を有する化合物、 フィルム形成能を有する各種の高分 子物質、 液晶性を示す各種の低分子液晶性化合物や高分子液晶性化合物などが挙 げられる。 前記の側鎖型液晶性高分子物質を組成物として用いる場合、 組成物全 体に占める前記の側鎖型液晶性高分子物質の割合は、 1 0質量。 /0以上、 好ましく は 3 0質量。 /。以上、 さらに好ましくは 5 0質量。 /0以上である。 側鎖型液晶性高分 子物質の含有量が 1 0質量%未満では組成物中に占める重合性基濃度が低くなり、 重合後の機械的強度が不十分となるため好ましくない。
また前記液晶材料は配向処理された後、 ォキセタニル基をカチオン重合させて 架橋することにより、 当該液晶状態を固定化する。 このため、 液晶材料中に、 光 や熱などの外部刺激でカチオンを発生する光力チオン発生剤おょぴ zまたは熱力 チオン発生剤を含有させておくことが好ましい。 また必要によっては各種の増感 剤を併用してもよい。
光力チオン発生剤とは、 適当な波長の光を照射することによりカチオンを発生 できる化合物を意味し、 有機スルフォニゥム塩系、 ョードニゥム塩系、 フォスフ ォニゥム塩系などを例示することが出来る。 これら化合物の対イオンとしては、 アンチモネート、 フォスフェート、 ボレートなどが好ましく用いられる。 具体的 な化合物としては、 A r 3 S + S b F 6—、 A r 3 P + B F 4—、 A r 2 I + P F 6— (た だし、 A rはフエ二ル基または置換フェ二ル基を示す。 )などが挙げられる。また、 スルホン酸エステル類、 トリアジン類、 ジァゾメタン類、 ]3—ケトスルホン、 ィ ミノスルホナート、 ベンゾィンスルホナートなども用いることができる。
熱カチオン発生剤とは、 適当な温度に加熱されることによりカチオンを発生で きる化合物であり、 例えば、 ベンジルスルホ -ゥム塩類、 ベンジルアンモニゥム 塩類、 ベンジルピリジニゥム塩類、 ベンジルホスホニゥム塩類、 ヒ ドラジ -ゥム 塩類、 カルボン酸エステル類、 スルホン酸エステル類、 ァミンイミ ド類、 五塩化 アンチモン—塩化ァセチル錯体、 ジァリ一ルョードニゥム塩一ジベンジルォキシ 銅、 ハロゲン化ホウ素一三級ァミン付加物などを挙げることができる。
これらのカチオン発生剤の液晶材料中への添加量は、 用いる側鎖型液晶性高分 子物質を構成するメソゲン部分ゃスぺーサ部分の構造や、 ォキセタ-ル基当量、 液晶の配向条件などにより異なるため一概には言えないが、 側鎖型液晶性高分子 物質に対し、 通常 1 0 0質量 p p m〜2 0質量0 /0、 好ましくは 1 ◦ 0 0質量 p p 1!1〜1 0質量%、 より好ましくは 0 . 2質量%〜7質量。 /0、 最も好ましくは 0 . 5質量。/。〜 5質量%の範囲である。 1 0 0質量 p p mよりも少ない場合には、 発 生するカチオンの量が十分でなく重合が進行しないおそれがあり、 また 2 0質 量%よりも多い場合には、 液晶フィルム中に残存するカチオン発生剤の分解残存 物等が多くなり耐光性などが悪化するおそれがあるため好ましくない。 次に配向基板について説明する。
配向基板としては、 まず平滑な平面を有するものが好ましく、 有機高分子材料 からなるフィルムやシート、 ガラス板、 金属板などを挙げることができる。 コス トゃ連続生産性の観点からは有機高分子からなる材料を用いることが好ましい。 有機高分子材料の例としては、 ポリビニルアルコール、 ポリイミ ド、 ポリフエ- レンォキシド、 ポリエーテノレケトン、 ポリエーテノレエーテノレケトン、 ポリエチレ ンテレフタレート、 ポリエチレンナフタレート等のポリエステノレ系ポリマー、 ジ ァセチノレセノレロース、 トリァセチノレセノレロース等のセノレロース系ポリマー、 ポリ カーボネート系ポリマー、 ポリメチルメタクリレート等のァクリル系ポリマー等 の透明ポリマーからなるフィルムが挙げられる。 またポリスチレン、 ァクリロ- トリル . スチレン共重合体等のスチレン系ポリマー、 ポリエチレン、 ポリプロピ レン、 エチレン ' プロピレン共重合体等のォレフィン系ポリマー、 環状ないしノ ルボルネン構造を有するシクロポリオレフイン、 塩化ビエル系ポリマー、 ナイ口 ンゃ芳香族ポリアミ ド等のアミ ド系ポリマー等の透明ポリマーからなるフィルム も挙げられる。 さらにイミ ド系ポリマー、 スルホン系ポリマー、 ポリエーテルス ノレホン系ポリマー、 ポリエーテノレエーテノレケトン系ポリマー、 ポリフエ二レンス ルフィ ド系ポリマー、ビエルアルコール系ポリマー、塩化ビニリデン系ポリマー、 ビニルプチラール系ポリマー、 ァリ レート系ポリマー、 ポリオキシメチレン系ポ リマー、 エポキシ系ポリマーや前記ポリマーのプレンド物等の透明ポリマーから なるフィルムなども挙げられる。 これらのなかでも、 光学フィルムとして用いら れる トリアセチルセルロース、 ポリカーボネート、 ノルボルネンポリオレフイン 等のプラスチックフィルムが賞用される。 有機高分子材料のフィルムとしては、 特にゼォノア (商品名, 日本ゼオン (株) 製)、 ゼォネックス (商品名, 日本ゼォ ン (株) 製)、 アートン (商品名, J S R (株) 製) などのノルポルネン構造を有 するポリマー物質からなるプラスチックフィルムが光学的にも優れた特性を有す るので好ましい。 また金属フィルムとしては、 例えばアルミ-ゥムなどから形成 される当該フィルムが挙げられる。
前述の液晶材料を用い、 安定してホメオト口ピック配向を得るためには、 これ らの基板を構成する材料が長鎖 (通常炭素数 4以上、 好ましくは 8以上) のアル キル基を有しているか、 基板表面に長鎖アルキル基を有する化合物の層を有する ことがより好ましい。 中でも長鎖アルキル基を有するポリビュルアルコールから なる層を形成することが、 形成方法も容易であり好ましい。 なお、 これら有機高 分子材料は単独で基板として用いても良いし、 他の基板の上に薄膜として形成さ せていても良い。 液晶の分野においては、 基板に対して布等でこするラビング処 理を行うことが一般的である力 本発明のホメォト口ピック配向液晶フィルムは、 面内の異方性が基本的に生じない配向構造であるため、 必ずしもラビング処理を 必要としない。 しかしながら、 液晶材料を塗布したときのはじき抑制の観点から は弱いラビング処理を施すことがより好ましい。 ラビング条件を規定する重要な 設定値としては周速比がある。 これはラビング布をロールに卷きつけて回転させ つつ基板を擦る場合の、 布の移動速度と基板の移動速度の比を表す。 本発明にお いては弱いラビング処理とは、通常周速比が 5 0以下、より好ましくは 2 5以下、 特に好ましくは 1 0以下である。 周速比が 5 0より大きい場合、 ラビングの効果 が強すぎて液晶材料が完全に垂直に配向しきれず、 垂直方向より面内方向に倒れ た配向となる恐れがある。 次に、 本発明のホメォト口ピック配向液晶フィルムの製造方法について説明す る。
液晶フィルム製造の方法としてはこれらに限定されるものではないが、 前述の 液晶材料を前述の配向基板上に展開し、 当該液晶材料を配向させた後、 光照射お よび/または加熱処理することにより当該配向状態を固定化することにより製造 することができる。
液晶材料を配向基板上に展開して液晶材料層を形成する方法としては、 液晶材 料を溶融状態で直接配向基板上に塗布する方法や、 液晶材料の溶液を配向基板上 に塗布後、 塗膜を乾燥して溶媒を留去させる方法が挙げられる。
溶液の調製に用いる溶媒に関しては、 本発明の液晶材料を溶解でき適当な条件 で留去できる溶媒であれば特に制限はなく、 一般的にアセトン、 メチルェチルケ トン、 イソホロン、 シク口へキサノンなどのケトン類、 ブトキシェチノレアルコー ル、 へキシルォキシエチルアルコール、 メ トキシ一 2—プロパノールなどのエー テルァノレコーノレ類、 エチレングリコー/レジメチノレエーテノレ、 ジエチレングリコー ルジメチルエーテノレなどのグリコールエーテル類、 酢酸ェチル、 乳酸ェチルなど のエステノレ類、 フエノーノレ、 クロ口フエノーノレなどのフエノーノレ類、 N , N—ジ メチルホルムアミ ド、 N , N—ジメチルァセトアミ ド、 N—メチルピロリ ドンな どのアミ ド類、 クロロホノレム、 テトラクロロェタン、 ジクロロベンゼンなどのノ、 ロゲン系などやこれらの混合系が好ましく用いられる。 また、 配向基板上に均一 な塗膜を形成するために、 界面活性剤、 消泡剤、 レべリング剤などを溶液に添加 してもよい。
液晶材料を直接塗布する方法でも、 溶液を塗布する方法でも、 塗布方法につい ては、 塗膜の均一性が確保される方法であれば、 特に限定されることはなく公知 の方法を採用することができる。 例えば、 スピンコート法、 ダイコート法、 カー テンコート法、 ディップコート法、 ロールコート法などが挙げられる。
液晶材料の溶液を塗布する方法では、 塗布後に溶媒を除去するための乾燥工程 を入れることが好ましい。 この乾燥工程は、 塗膜の均一性が維持される方法であ れば、 特に限定されることなく公知の方法を採用することができる。 例えば、 ヒ 一ター (炉)、 温風吹きつけなどの方法が挙げられる。
液晶フィルムの膜厚は、 液晶表示装置の方式や種々の光学パラメーターに依存 することから一概には言えないが、 通常 0 . 2 μ η!〜 l O ^ m 好ましくは 0 . 3 μ ϋ!〜 5 / m、 さらに好ましくは 0 . 5 μ π!〜 2 μ mである。 膜厚が 0 . 2 μ mより薄い場合、 十分な視野角改良あるいは輝度向上効果を得ることができない 恐れがある。 また Ι Ο μ πιを越えると、 液晶表示装置が不必要に色付く等の恐れ 力 Sある。
続いて、 配向基板上に形成された液晶材料層を、 熱処理などの方法で液晶配向 を形成し、 光照射おょぴ または加熱処理で硬化を行い固定化する。 最初の熱処 理では、 使用した液晶材料の液晶相発現温度範囲に加熱することで、 該液晶材料 が本来有する自己配向能により液晶を配向させる。 熱処理の条件としては、 用い る液晶材料の液晶相挙動温度 (転移温度) により最適条件や限界値が異なるため 一概には言えないが、 通常 1 0〜2 5 0 °C、 好ましくは 3 0 °C〜1 6 0 °Cの範囲 であり、 該液晶材料のガラス転移点 (T g ) 以上の温度、 さらに好ましくは T g より 1 0 °C以上高い温度で熱処理するのが好ましい。 あまり低温では、 液晶配向 が充分に進行しないおそれがあり、 また高温では液晶材料中のカチオン重合性反 応基ゃ配向基板に悪影響を与えるおそれがある。 また、 熱処理時間については、 通常 3秒〜 3 0分、 好ましくは 1 0秒〜 1 0分の範囲である。 3秒より短い熱処 理時間では、 液晶配向が充分に完成しないおそれがあり、 また 3 0分を超える熱 処理時間では、 生産性が悪くなるため、 どちらの場合も好ましくない。 該液晶材料層を熱処理などの方法で液晶配向を形成したのち、 液晶配向状態を 保ったまま液晶材料を組成物中のォキセタニル基の重合反応により硬化させる。 硬化工程は、 完成した液晶配向を硬化 (架橋) 反応により液晶配向状態を固定化 し、 より強固な膜に変性することを目的にしている。
本発明の液晶材料は重合性のォキセタニル基を持っため、その反応基の重合(架 橋) には、 カチオン重合開始剤 (カチオン発生剤) を用いるのが好ましいことは 前述のとおりである。 また、 重合開始剤としては、 熱カチオン発生剤より光力チ オン発生剤の使用が好ましい。
光力チオン発生剤を用いた場合、 光力チオン発生剤の添加後、 液晶配向のため の熱処理までの工程を暗条件(光力チオン発生剤が解離しない程度の光遮断条件) で行えば、 液晶材料は配向段階までは硬化することなく、 充分な流動性をもって 液晶配向することができる。 この後、 適当な波長の光を発する光源からの光を照 射することによりカチオンを発生させ、 液晶材料層を硬化させる。
光照射の方法としては、 用いる光力チオン発生剤の吸収波長領域にスぺク トル を有するようなメタルハライドランプ、 高圧水銀灯、 低圧水銀灯、 キセノンラン プ、 アークランプ、 レーザーなどの光源からの光を照射し、 光力チオン発生剤を 開裂させる。 1平方センチメートルあたりの照射量としては、 積算照射量として 通常 l〜2 0 0 0 m j、 好ましくは 1 0〜: L O O O m Jの範囲である。 ただし、 光力チオン発生剤の吸収領域と光源のスぺクトルが著しく異なる場合や、 液晶材 料自身に光源波長の吸収能がある場合などはこの限りではない。 これらの場合に は、 適当な光増感剤や、 吸収波長の異なる 2種以上の光力チオン発生剤を混合し て用いるなどの方法を採ることもできる。
光照射時の温度は、 該液晶材料が液晶配向をとる温度範囲である必要がある。 また、 硬化の効果を充分にあげるためには、 該液晶材料の T g以上の温度で光照 射を行うのが好ましい。
以上のような工程により製造した液晶材料層は、 充分強固な膜となっている。 具体的には、 硬化反応によりメソゲンが 3次元的に結合され、 硬化前と比べて耐 熱性 (液晶配向保持の上限温度) が向上するのみでなく、 耐スクラッチ性、 耐磨 耗性、 耐クラック性などの機械的強度に関しても大幅に向上する。
なお、 配向基板として、 光学的に等方でない、 あるいは得られる液晶フィルム が最終的に目的とする使用波長領域において不透明である、 もしくは配向基板の 膜厚が厚すぎて実際の使用に支障を生じるなどの問題がある場合、 配向基板上で 形成された形態から、 位相差機能を有する延伸フィルムに転写した形態も使用し うる。 転写方法としては公知の方法を採用することができる。 例えば、 特開平 4 - 5 70 1 7号公報ゃ特開平 5— 3 3 33 1 3号公報に記載されているように液 晶フィルム層を粘着剤もしくは接着剤を介して、 配向基板とは異なる基板を積層 した後に、 必要により粘着剤もしくは接着剤を使って表面の硬化処理を施し、 該 積層体から配向基板を剥離することで液晶フィルムのみを転写する方法等を挙げ ることができる。
転写に使用する粘着剤もしくは接着剤は、 光学グレードのものであれば特に制 限はなく、 アクリル系、 エポキシ系、 ウレタン系など一般に用いられているもの を用いることができる。
以上のようにして得られるホメォトロピック配向液晶層は、 当該液晶層の光学 位相差を垂直入射から傾けた角度で測定することによって定量化することができ る。 ホメオト口ピック配向液晶層の場合、 この位相差値は垂直入射について対称 的である。 光学位相差の測定には数種の方法を利用することができ、 例えば自動 複屈折測定装置 (王子計測機器 (株) 製) および偏光顕微鏡を利用することがで きる。このホメオト口ピック配向液晶層はクロスニコル偏光子間で黒色に見える。 このようにしてホメオト口ピック配向性を評価した。
本発明に使用されるホメオト口ピック配向液晶フィルムは、 液晶フィルムの厚 さを d 2、 液晶フィルム面内の主屈折率を Nx 2および Ny 2、 厚さ方向の主屈 折率を N z 2、 かつ、 N z 2 >Nx 2≥Ny 2とした場合に、 面内のリターデー ション値 (R e 2 = (N X 2 -N y 2) X d 2 [nm]) および厚さ方向のリター デーシヨン値 (R t h 2= (N X 2 -N z 2) X d 2 [nm]) 力 以下の [2] および [3] を満たすことを特徴とする。
[2] 0 nm≤R e 2≤ 20 n m
[3] - 500 nm≤R t h 2≤- 30 nm
ホメオト口ピック配向液晶フィルムの光学パラメータである R e 2値、 R t h 2値は、 液晶表示装置の方式や種々の光学パラメーターに依存することから一概 には言えないが、 550 nmの単色光に対して、 ホメオト口ピック配向液晶フィ ルム面内のリターデーション値 (R e 2) は、 通常 0 nm〜20 nm、 好ましく は 0 nn!〜 1 0 nm、 さらに好ましくは 0 ηπ!〜 5 nmの範囲であり、 かつ、 厚 さ方向のリタ一デーシヨン値 (R t h 2) は、 通常一 500〜一 30 nm、 好ま しくは一 400〜一 50 nm、 さらに好ましくは一 400〜一 1 00 nmに制御 されたものである。
前記 R e 2値及び R t h 2値を上記範囲にすることにより、 液晶表示装置の視 野角改良フィルムとしては、 液晶表示の色調補正を行いながら視野角を広げるこ とが可能となる。 R e 2値が 20 nmより大きい場合、 大きい正面位相差値の影 響で、 液晶表示素子の正面特性を悪化させる恐れがある。 また、 R t h 2値が一 30 nmより大きいあるいは一 500 nmより小さい場合には、 十分な視野角改 良効果が得られないかあるいは、 斜めから見たときに不必要な色付きが生じる恐 れがある。 次に、 第 4及ぴ第 6の光学異方性層について説明する。
前記第 4及び第 6の光学異方性層としては、 特に限定されないが、 非液晶材科 としては、 耐熱性、 耐薬品性、 透明性に優れ、 剛性にも富むことから、 例えば、 セルローストリァシレート、ゼォネックス、ゼォノア(共に日本ゼオン(株)製)、 ART ON (J SR (株) 製) のようなポリオレフイン類、 ポリアミ ド、 ポリイ ミ ド、 ポリエステル、 ポリエーテルケトン、 ポリアリールエーテルケトン、 ポリ アミ ドイミ ド、 ポリエステルイミ ド等のポリマーが好ましい。 これらのポリマー は、 いずれか一種類を単独で使用してもよいし、 ポリアリールエーテルケトンと ポリアミ ドとの混合物のように、 異なる官能基を持つ 2種以上の混合物として使 用してもよい。 このようなポリマーの中でも、 高透明性、 高配向性であることか ら、 ポリイミ ドが特に好ましい。 また液晶材料としては、 コレステリック液晶ポ リマーなどの液晶材料からなるコレステリック配向フィルム、 液晶材料のコレス テリック配向層をフィルムにて支持したものなどが挙げられる。
第 4及ぴ第 6の光学異方性層は、 垂直配向型液晶セルの垂直配向液晶層を視野 角補償するという点で、 第 4及び第 6の光学異方性層の厚さを d 4、 d 6、 第 4 及び第 6の光学異方性層面内の主屈折率を Nx 4、Nx 6および Ny 4、Ny 6、 厚さ方向の主屈折率を N z 4、 N z 6、 かつ、 Nx 4≥Ny 4〉N z 4、 N x 6 ≥Ny 6 >N z 6とし、 波長 5 50 nmの光における面内のリターデーション値
(R e 4 = (N X 4 -N y 4) X d 4 [nm]ゝ R t h 4 = { (N x 4 +Ny 4) /2 -N z 4} X d 4 [nm]、 R e 6 = (N x 6 -N y 6 ) X d 6 [nm]、 R t h 6 ={ (Nx 6 +Ny 6) / 2- N z 6} X d 6 [nm]) とした場合に、 以下の [1 2] 〜 [1 5] 式を満たす。
[1 2] 0≤R e 4≤ 20
[1 3] 1 00≤R t h 4≤400
[14] 0≤R e 6≤ 20
[1 5] 1 00≤R t h 6≤400
第 4及び第 6の光学異方性層は、 垂直配向液晶セルの光学膜厚、 垂直配向液晶 セルに使用される液晶材料の複屈折値 Δ nにもよるため一概には言えないが、 第 4及び第 6の光学異方性層面内のリタ一デーシヨン値 (R e 4、 R e 6) は、 通 常 0 n m〜 20 n m、 好ましくは 0 n π!〜 1 0 n m、 さらに好ましくは 0 n m〜 5 nmの範囲である。 R e 4、 R e 6値が上記範囲を外れた場合には、 正面から 見た場合のコントラス ト低下といった恐れがある。 また、 第 4及び第 6の厚さ方 向のリタ一デーシヨン値 (R t h 4、 R t h 6) は、 垂直配向型液晶セルの厚さ 方向の位相差値は、 通常 200〜400 nmであるため、 第 4の光学異方性層の みを使用する場合は、 通常 1 50 ηπ!〜 400 nm, 好ましくは 1 80 ηπ!〜 3 60 nm, さらに好ましくは 200 ηπ!〜 300 nmの範囲である。 第 4の光学 異方性層と第 6の光学異方性層を組み合わせて使用する場合は、 R e 4値と R e 6値の合計が通常 1 50〜400 nm、 好ましくは1 80〜3 6 0 11111、 更に好 ましくは 200〜300 nmの範囲であるため、 それぞれ単層の光学異方性層で 見た場合、 通常 7 5〜200 nm、 好ましくは 90〜 1 80 n m、 更に好ましく は 1 00〜1 50 nmである。 上記範囲を外れた場合には、 十分な視野角改良効 果が得られないかあるいは、 斜めから見たときに不必要な色付きが生じる恐れが める。
本発明に使用される直線偏光板としては、 通常、 偏光子の片側または両側に保 護フィルムを有するものが使用される。 偏光子は、 特に制限されず、 各種のもの を使用でき、 例えば、 ポリビュルアルコール系フィルム、 部分ホルマール化ポリ ビニルアルコール系フィルム、 エチレン ·酢酸ビエル共重合体系部分ケン化フィ 55 ルム等の親水性高分子フィルムに、 ョゥ素ゃ二色性染料等の二色性物質を吸着さ せて一軸延伸したもの、 ポリビュルアルコールの脱水処理物やポリ塩化ビュルの 脱塩酸処理物等のポリェン系配向フィルム等が挙げられる。 これらのなかでもポ リ ビュルアルコール系フィルムを延伸して二色性材料 (沃素、 染料) を吸着 '配 向したものが好適に用いられる。 偏光子の厚さも特に制限されないが、 5〜8 0 μ πι程度が一般的である。
ポリビニルアルコール系フィルムをヨウ素で染色し一軸延伸した偏光子は、 例 えば、 ポリ ビニルアルコールをヨウ素の水溶液に浸漬することによって染色し、 元長の 3〜 7倍に延伸することで作製することができる。 必要に応じてホウ酸や ョゥ化カリ ゥムなどの水溶液に浸漬することもできる。 さらに必要に応じて染色 の前にポリビュルアルコール系フィルムを水に浸漬して水洗してもよい。 ポリビ ニルアルコール系フィルムを水洗することでポリビニルアルコール系フィルム表 面の汚れやブロッキング防止剤を洗浄することができるほかに、 ポリビュルアル コール系フィルムを膨潤させることで染色のムラなどの不均一を防止する効果も ある。 延伸はヨウ素で染色した後に行っても良いし、 染色しながら延伸してもよ し、 また延伸してからヨウ素で染色してもよい。 ホウ酸やヨウ化カリウムなどの 水溶液中や水浴中でも延伸することができる。
前記偏光子の片側または両側に設けられている保護フィルムには、 透明性、 機 械的強度、 熱安定性、 水分遮蔽性、 等方性などに優れるものが好ましい。 前記保 護フィルムの材料としては、 例えば、 ポリエチレンテレフタレートゃポリエチレ ンナフタレート等のポリエステル系ポリマー、 ジァセチルセノレロースやトリァセ チルセルロース等のセルロース系ポリマー、 ポリメチルメタクリレート等のァク リル系ポリマー、 ポリスチレンやアクリ ロニトリル ' スチレン共重合体 (A S樹 脂) 等のスチレン系ポリマー、 ポリカーボネート系ポリマーなどが挙げられる。 また、 ポリエチレン、 ポリプロピレン、 エチレン ' プロピレン共重合体の如きポ リオレフィン系ポリマー、 シクロォレフィン系ないしはノルボルネン構造を有す るポリオレフイン、 塩化ビュル系ポリマー、 ナイロンや芳香族ポリアミ ド等のァ ミ ド系ポリマー、 イミ ド系ポリマー、 スノレホン系ポリマー、 ポリエーテノレスノレホ ン系ポリマー、 ポリエーテノレエーテノレケトン系ポリマー、 ポリフエ二レンス^^フ イ ド系ポリマー、 ビニルアルコール系ポリマー、 塩化ビニリデン系ポリマー、 ビ ニルブチラ一ノレ系ポリマー、 ァリレート系ポリマー、 ポリオキシメチレン系ポリ マー、 エポキシ系ポリマー、 あるいは前記ポリマーのブレンド物などが保護フィ ルムを形成するポリマーの例として挙げられる。 その他、 ァクリル系やウレタン 系、 アクリルウレタン系やエポキシ系、 シリコーン系等の熱硬化型ないし紫外線 硬化型樹脂などをフィルム化したものなどが挙げられる。保護フィルムの厚さは、 一般には 5 0 0 μ m以下であり、 ;!〜 3 0 0 μ mが好ましい。 特に 5〜 2 0 0 mとするのが好ましい。
保護フィルムとしては、光学的に等方な基板が好ましく、例えばフジタック (富 士フィルム社製品) ゃコニカタック (コ-力ミノルタォプト社製品) などのトリ ァセチルセルロース (T A C ) フィルム、 アートンフィルム ( J S R社製品) や ゼォノアフィルム、 ゼォネックスフイルム (日本ゼオン社製品) などのシクロォ レフイン系ポリマー、 T P Xフィルム (三井化学社製品)、 アタリプレンフィルム (三菱レーヨン社製品) が挙げられるが、 楕円偏光板とした場合の平面性、 耐熱 性や耐湿性などから トリァセチルセルロース、 シクロォレフィン系ポリマーが好 ましい。
なお、 偏光子の両側に保護フィルムを設ける場合、 その表裏で同じポリマー材 料からなる保護フィルムを用いてもよく、 異なるポリマー材料等からなる保護フ イルムを用いてもよい。 前記偏光子と保護フィルムとは通常、 水系粘着剤等を介 して密着している。 水系接着剤としては、 ポリビュルアルコール系接着剤、 ゼラ チン系接着剤、 ビュル系ラテックス系、 水系ポリゥレタン、 水系ポリエステル等 を例示できる。
前記保護フィルムとしては、 ハードコート層や反射防止処理、 スティッキング 防止や、 拡散ないしアンチグレアを目的とした処理を施したものを用いることが できる。
ハードコート処理は偏光板表面の傷付き防止などを目的に施されるものであり、 例えばァクリル系、 シリコーン系などの適宜な紫外線硬化型樹脂による硬度や滑 り特性等に優れる硬化皮膜を保護フィルムの表面に付加する方式などにて形成す ることができる。 反射防止処理は偏光板表面での外光の反射防止を目的に施され るものであり、従来に準じた反射防止膜などの形成により達成することができる。 また、 スティッキング防止処理は隣接層との密着防止を目的に施される。 71455 またアンチグレア処理は偏光板の表面で外光が反射して偏光板透過光の視認を 阻害することの防止等を目的に施されるものであり、 例えば、 サンドブラスト方 式やエンボス加ェ方式による粗面化方式や透明微粒子の配合方式などの適宜な方 式にて保護フィルムの表面に微細凹凸構造を付与することにより形成することが できる。 前記表面微細凹凸構造の形成に含有させる微粒子としては、 例えば平均 粒径が 0 . 5 ~ 5 0 ΠΙのシリカ、 アルミナ、 チタユア、 ジルコユア、 酸化錫、 酸化インジウム、 酸化カドミウム、 酸化アンチモン等からなる導電性のこともあ る無機系微粒子、 架橋又は未架橋のポリマー等からなる有機系微粒子などの透明 微粒子が用いられる。 表面微細凹凸構造を形成する場合、 微粒子の使用量は、 表 面微細凹凸構造を形成する透明樹脂 1 0 0重量部に対して一般的に 2〜 5 0重量 部程度であり、 5〜2 5重量部が好ましい。 アンチグレア層は、 偏光板透過光を 拡散して視角などを拡大するための拡散層 (視角拡大機能など) を兼ねるもので あってもよレヽ。
なお、前記反射防止層、スティッキング防止層、拡散層やアンチグレア層等は、 保護フィルムそのものに設けることができるほか、 別途光学層として透明保護層 とは別体のものとして設けることもできる。
前記第 1、第 2、 第 3、第 3、 第 4、第 5、第 6の光学異方性層及び偏光板は、 それぞれ粘着剤層を介して互いに貼り合わせることにより作製することができる。 粘着剤層を形成する粘着剤は特に制限されないが、 例えば、 アクリル系重合体、 シリコーン系ポリマー、 ポリエステル、 ポリウレタン、 ポリアミ ド、 ポリエーテ ル、 フッ素系やゴム系などのポリマーをベースポリマーとするものを適宜に選択 して用いることができる。 特に、 アクリル系粘着剤の如く光学的透明性に優れ、 適度な濡れ性と凝集性と接着性の粘着特性を示して、 耐候性や耐熱性などに優れ るものが好ましく用いうる。
粘着剤層の形成は、適宜な方式で行うことができる。その例としては、例えば、 トルェンゃ酢酸ェチル等の適宜な溶剤の単独物又は混合物からなる溶媒にべ一ス ポリマーまたはその組成物を溶解又は分散させた 1 0〜4 0重量%程度の粘着剤 溶液を調製し、 それを流延方式や塗工方式等の適宜な展開方式で前記液晶層上に 直接付設する方式、 あるいは前記に準じセパレータ上に粘着剤層を形成してそれ を前記液晶層上移着する方式などが挙げられる。 また、 粘着剤層には、 例えば天 然物ゃ合成物の樹脂類、 特に、 粘着性付与樹脂や、 ガラス繊維、 ガラスビーズ、 金属粉、 その他の無機粉末等からなる充填剤、 顔料、 着色剤、 酸化防止剤などの 粘着層に添加されることの添加剤を含有していてもよい。 また微粒子を含有して 光拡散性を示す粘着剤層などであってもよい。
なお、 各光学異方性層を粘着剤層を介して、 相互に貼り合わせる際には、 フィ ルム表面を表面処理して粘着剤層との密着性を向上することができる。 表面処理 の手段は、 特に制限されないが、 前記の各光学異方性層の透明性を維持できるコ ロナ放電処理、 スパッタ処理、 低圧 UV照射、 プラズマ処理などの表面処理法を 好適に採用できる。 これら表面処理法のなかでもコロナ放電処理が良好である。 [実施例]
以下に実施例により本発明を具体的に説明するが、 本発明はこれらに限定され るものではない。
なお、 実施例で用いた各分析方法は以下の通りである。
(1) — NMRの測定
化合物を重水素化クロ口ホルムに溶解し、 40 OMH zの1 H— NMR (V a r i a n t社製 I NOVA— 400) で測定した。
(2) G PCの測定
化合物をテトラヒ ドロフランに溶解し、東ソ一社製 80 20 GP Cシステムで、 TSK— GEL S u p e r H l O O O, S u p e r H2000、 S u p e r H 3000、 S u p e r H4000を直列につなぎ、 溶出液としてテトラヒドロフ ランを用いて測定した。 分子量の較正にはポリスチレンスタンダードを用いた。
(3) 顕微鏡観察
ォリンパス光学社製 B H 2偏光顕微鏡で液晶の配向状態を観察した。
(4) 液晶フィルムのパラメータ測定
王子計測機器 (株) 製自動複屈折計 KOBRA21 ADHを用いた。
<実施例 1〉
下記式 (8) で示される液晶性ポリマーを合成した。 分子量はポリスチレン換 算で、 Mn = 8000、 Mw= 1 5000であった。 なお、 式 (8) はブロック 1455 重合体の構造で表記しているがモノマ一の構成比を表すものである。
Figure imgf000039_0001
式 (8) のポリマー 1. O gを、 9 m 1のシクロへキサノンに溶かし、 B晋所で トリアリ ^ スノレフォ-ゥムへキサフノレオ口アンチモネ一ト 50%プロピレンカー ボネート溶液 (アルドリッチ社製、 試薬) 0. l gを加えた後、 孔径 0. 45 mのポリテトラフルォロエチレン製フィルターでろ過して液晶材料の溶液を調製 した。
配向基板は以下のようにして調製した。 厚さ 38 mのポリエチレンナフタレ 一トフイルム (帝人 (株) 製) を 1 5 cm角に切り出し、 アルキル変性ポリビ- ルアルコール (PVA: (株) クラレ製、 MP— 203)の 5質量%溶液(溶媒は、 水とイソプロピルアルコールの質量比 1 : 1の混合溶媒) をスピンコート法によ り塗布し、 50。Cのホットプレートで 30分乾燥した後、 120°Cのオーブンで 10分間加熱した。 次いで、 レーヨンのラビング布でラビングした。 得られた P VA層の膜厚は 1. 2 μπιであった。 ラビング時の周速比 (ラビング布の移動速 度 Ζ基板フィルムの移動速度) は 4とした。
このようにして得られた配向基板に、 前述の液晶材料溶液をスピンコート法に より塗布した。 次いで 60°Cのホットプレートで 10分乾燥し、 1 50°Cのォー ブンで 2分間熱処理し、 液晶材料を配向させた。 次いで、 60°Cに加熱したアル ミ板に試料を密着させて置き、 その上から、 高圧水銀灯ランプにより 600m J /cm2の紫外光 (ただし 365 nmで測定した光量) を照射して、 液晶材料を 硬化させた。
基板として用いたポリエチレンナフタレートフィルムは大きな複屈折を持ち光 学用フィルムとして好ましくないため、得られた配向基板上の液晶性フィルムを、 紫外線硬化型接着剤を介して、 トリァセチルセルロース (TAC) フィルムに転 写した。 すなわち、 ポリエチレンナフタレートフィルム上の硬化した液晶材料層 の上に、 接着剤を 5 μ m厚となるように塗布し、 T ACフィルムでラミネートし て、 T ACフィルム側から紫外線を照射して接着剤を硬化させた後、 ポリエチレ ンナフタレートフイルムを剥離した。
得られた光学フィルム (P VA層 Z液晶層ノ接着剤層 ZTACフィルム) を偏 光顕微鏡下で観察すると、 ディスクリネーシヨンがなくモノ ドメインの均一な配 向で、 コノスコープ観察から正の一軸性屈折率構造を有するホメオト口ピック配 向であることがわかった。 KOB RA 2 1 ADHを用いて測定した T ACフィル ムと液晶層をあわせた面内方向のリタ一デーシヨン (R e.2) は 0· 5 nm、 厚 さ方向のリタ一デーシヨン (R t h 2) は一 295 nmであった。 なお、 TAC フィルム単体は負の一軸性で面内のリタ一デーシヨンが 0. 5 nm、 厚さ方向の リターデーションは + 3 5 nmであったことから、 液晶層単独でのリターデーシ ヨンは、 R eが 0 nm、 R t hがー 260 n mと見積もられた。 実施例 3以降で 垂直配向型液晶表示装置に貼り合わせる際は、 基板の T A Cフィルムは除去しホ メォトロピック配向液晶層のみを取り出して使用した。
<実施例 2〉
実施例 1において、ホメオト口ピック配向液晶フィルムの厚みを変えた以外は、 実施例 1と同様にして光学フィルムを作製した。 KOBRA21 ADHを用いて 測定した T ACフィルムと液晶層をあわせた面内方向のリターデーション (R e 2) は 0. 5 nm、 厚さ方向のリターデーション (R t h 2) は一 23 5 nmで あった。なお、 T ACフィルム単体は負の一軸性で面内のリターデーションが 0. 5 nm、 厚さ方向のリタ一デーシヨンは + 3 5 nmであったことから、 液晶層単 独でのリタ一デーシヨンは、 R eが 0 nm、 R t hがー 200 n mと見積もられ た。 実施例 3以降で垂直配向型液晶表示装置に貼り合わせる際は、 基板の TAC フィルムは除去しホメオト口ピック配向液晶層のみを取り出して使用した。
<実施例 3 >
実施例 1において、ホメオト口ピック配向液晶フィルムの厚みを変えた以外は、 実施例 1と同様にして光学フィルムを作製した。 KOBRA2 1 ADHを用いて 測定した T ACフィルムと液晶層をあわせた面内方向のリターデーション (R e 2) は 0. 5 nm、 厚さ方向のリターデーション (R t h 2) は一 1 6 5 nmで あった。なお、 T A Cフィルム単体は負の一軸性で面内のリターデーションが 0 · 5 nm、 厚さ方向のリターデーションは + 3 5 nmであったことから、 液晶層単 独でのリタ一デーシヨンは、 R eが 0 nm、 R t hがー 1 30 n mと見積もられ た。 実施例 3以降で垂直配向型液晶表示装置に貼り合わせる際は、 基板の TAC フィルムは除去しホメオト口ピック配向液晶層のみを取り出して使用した。
<実施例 4 >
実施例 4の垂直配向型液晶表示装置について図 3、 図 4を用いて説明する。 基板 8に I T〇層等からなる透過率の高い材料で透明電極 1 0が形成され、 基 板 7に対向電極 9が形成され、 透明電極 1 0と対向電極 9の間に負の誘電率異方 性を示す液晶材料からなる液晶層 1 1が挟持されている。
透明電極 1 0及び対向電極 9の液晶層 1 1と接する表面にはそれぞれ垂直配向 性の配向膜 (図示せず) が形成されており、 配向膜の塗布後、 少なくとも一方の 配向膜にラビング等の配向処理を行っている。
液晶層 1 1の液晶分子は垂直配向性の配向膜に対するラビング等の配向処理に より、 基板面の垂直方向に対して 1 ° のチルト角を持つ。
液晶層 1 1には負の誘電率異方性を示す液晶材料が用いられているため、 透明 電極 1 0と対向電極 9の間に電圧を印加すると、 液晶分子が基板面と平行方向に 向かって傾く。
液晶層 1 1の液晶材料として、 N e (異常光に対する屈折率) = 1. 56 1、 N o (正常光に対する屈折率) = 1. 478、 Δ N (N e— N o) =0. 0 8 3 の屈折率異方性を有する液晶材料を用い、 セルギャップは 4. 7 μπιとした。 垂直配向型液晶セル 6の表示面側 (図の上側) に直線偏光板 1 (厚み約 1 05 μπι ;住友化学 (株) 製 SQW— 06 2) を配置し、 上側直線偏光板 1と液晶セ ル 6の間に第 1の光学異方性層 2 (日本ゼオン (株) 製ゼォノア)、 実施例 1で作 製したホメオト口ピック配向液晶フィルムからなる第 2の光学異方性層 3、 第 3 の光学異方性層 4 (日本ゼオン (株) 製ゼォノア) を配置した。 垂直配向型液晶 セル 6の背面側(図の下側)に直線偏光板 1 3 (厚み約 1 05 μ m;住友化学(株) 製 SQW— 06 2) を配置し、 下側直線偏光板 1 3と液晶セル 6の間に第 5の光 学異方性層 1 2 (日本ゼオン (株) 製ゼォノア) を配置した。 直線偏光板 (住友 化学 (株) 製 SQW— 06 2) の支持基板に使用されるトリアセチルセルロース の R t h = 3 5 nmであった。
図 4に矢印で示す、直線偏光板 1, 1 3の吸収軸の方位はそれぞれ面内 90度、 0度とした。 第 1の光学異方性層 2は、 面内に光軸を有し、 正の 1軸光学異方性 を有する光学素子で形成されている。 図 4に矢印で示す、 第 1の光学異方性層 2 の遅相軸の方位は 0度とし、 面内 R e 1で 80 nmの位相差を示す。
第 3、 第 5の光学異方性層 4, 1 2は、 面内に光軸を有し、 負の 2軸光学異方 性を有する光学素子で形成されている。 図 4で矢印に示す、 第 3及び第 5の光学 異方性層 4, 1 2の遅相軸の方位はそれぞれ 45度、 1 35度とし、 R e 3およ ぴ R e 5が 1 3 7. 5 nmの位相差を、 R t h 3および R t h 5は 27 5 n mの 位相差を示す。
ホメオト口ピック配向液晶フィルムからなる第 2の光学異方性層 3は R e 2が 0 nm、 R t h 2が一 260 nmの位相差を示す。
図 5は、 黒表示 0V、 白表示 5 Vの透過率の比 (白表示) / (黒表示) をコン トラスト比として、 全方位からのコントラスト比を示している。 コントラストの 等高線は内側から順に 1 00, 500, 200, 1 00, 50とした。 また、 同. 心円は中心から 20度間隔の角度を示す。 したがって最外円は中心から 80度を 示す (以下の図も同様)。
<実施例 5 >
実施例 5の垂直配向型液晶表示装置について図 6、 図 7を用いて説明する。 実施例 4の第 1の光学異方性層 2を直線偏光板 1と第 2の光学異方性層 3との 間から、 第 5の光学異方性層 1 2と直線偏光板 1 3との間に移動配置し、 第 1の 光学異方性層 2の遅相軸の方位を 90度とした以外は、 実施例 4と同様にして垂 直配向型液晶表示装置を作製した。 第 2の光学異方性層 3には、 実施例 2で作製 したホメオト口ピック配向液晶フィルムを用いた。
図 7に矢印で示す、 第 1の光学異方性層 2の遅相軸の方位は 90度とし、 R e 1は 4 1 0 nmの位相差を示す。 図 7で矢印に示す、 第 3及び第 5の光学異方性 層 4, 1 2の遅相軸の方位はそれぞれ 45度、 1 3 5度とし、 R e 3および R e 5は 1 3 7. 5 nmであり、 R t h 3および R t h 5は 275 n mの位相差であ る。 第 2の光学異方性層 3の R t h 2値は、 一 200 nmである。
図 8は、 黒表示 0V、 白表示 5 Vの透過率の比 (白表示) / (黒表示) をコン トラスト比として、 全方位からのコントラスト比を示している。
<実施例 6 >
以下に示す半透過型垂直配向型液晶表示装置を作製した点と、 第 3及び第 5の 光学異方性層 4, 1 2を日本ゼオン (株) ゼォノアから帝人 (株) 製ピュアエー ス WR F一 Wに変更使用した以外は、 実施例 4と同様にして半透過型垂直配向型 液晶表示装置を作製した。
半透過型垂直型液晶表示装置について図 9、 図 1 0を用いて説明する。
基板 8に A 1層からなる反射率の高い材料で形成された反射電極 1 5と I TO 層からなる透過率の高い材料で透明電極 1 0とが設けられ、 基板 7に対向電極 9 が設けられ、 反射電極 1 5及び透明電極 1 0と対向電極 9の間に負の誘電率異方 性を示す液晶材料からなる液晶層 1 1が挟持されている。
反射電極 1 5、 透明電極 1 0及び対向電極 9の液晶層 1 1と接する表面にはそ れぞれ垂直配向性の配向膜 (図示せず) が形成されており、 配向膜の塗布後、 少 なくとも一方の配向膜にラビング等の配向処理を行っている。
液晶層 1 1の液晶分子は垂直配向性の配向膜に対するラビング等の配向処理に より、 基板面の垂直方向に対して 1° のチルト角を持つ。
液晶層 1 1には負の誘電率異方性を示す液晶材料が用いられているため、 反射 電極 1 5、 透明電極 1 0と対向電極 9の間に電圧を印加すると、 液晶分子が基板 面と平行方向に向かって傾く。
液晶層 1 1の液晶材料は、 実施例 3と同様の材料を用い、 セルギャップは、 反 射電極部分を 2. 4 、 透明電極部分を 4. 7 μηιとした。
第 3及び第 5の光学異方性層 4, 1 2である帝人 (株) 製ピュアエース WRF —Wの遅相軸方位それぞれ 45度、 1 3 5度とし、 R e 3および R e 5が 1 3 7. 5 nmであり、 R t h 3および R t h 5が 2 75 nmであることは実施例 3と同 様である。 図 1 1は、 黒表示 0 V、 白表示 5 Vの透過率の比 (白表示) / (黒表示) をコ ントラスト比として、 全方位からのコントラスト比を示している。
<比較例 1〉
実施例 4の第 1の光学異方性層 2を除いた以外は実施例 4と同様にして図 1 2 に示す垂直配向型液晶表示装置を作製した。
図 1 3に各構成部材の角度関係を示す。 第 3、 第 5の光学異方性層 4 , 1 2の R e 3および R e 5は 1 3 7 . 5 n m、 R t h 3および R t h 5は 2 7 5 n mで あり、 第 2の光学異方性層 3の R t h 2値は、 最も広視野角特性となるよう最適 化を行い、 それぞれ一 2 6 0 n mであり実施例 3と同様である。 第 2の光学異方 性層 3には、 実施例 1で作製したホメオト口ピック配向液晶フィルムを用いた。 図 1 4は、 黒表示 0 V、 白表示 5 Vの透過率の比 (白表示) / (黒表示) をコ ントラスト比として、 全方位からのコントラスト比を示している。
全方位の等コントラスト曲線を図 5、 8と図 1 4比較してみると、 第 1の光学 異方性層 2を加えることにより大幅に視野角特性が改善されることが分かる。
<比較例 2 >
比較例 2の垂直配向型液晶表示装置について図 1 5、図 1 6を用いて説明する。 垂直配向型液晶セル 6は実施例 4と同様のセルを用いた。
垂直配向型液晶セル 6の表示面側 (図の上側) に直線偏光板 1 (厚み約 1 0 5 m ;住友化学 (株) 製3 (31^—0 6 2 ) を配置し、 上側直線偏光板 1と液晶セ ル 6の間に第 1の光学異方性層 2 (日本ゼオン (株) 製ゼォノア)、 実施例 3で作 製したホメオト口ピック配向液晶フィルムからなる第 2の光学異方性層 3、 第 3 の光学異方性層 4 (日本ゼオン (株) 製ゼォノア) を配置した。 垂直配向型液晶 セル 6の背面側(図の下側)に直線偏光板 1 3 (厚み約 1 0 5 μ m;住友化学(株) 製 S QW— 0 6 2 ) を配置し、 下側直線偏光板 1 3と液晶セル 6の間に第 1の光 学異方性層 1 5 (日本ゼオン (株) 製ゼォノア)、 実施例 3で作製したホメオト口 ピック配向液晶フィルムからなる第 2の光学異方性層 1 6、 第 5の光学異方性層 1 2 (日本ゼオン (株) 製ゼォノア) を配置した。
図 1 6に矢印で示す、 直線偏光板 1 , 1 3の吸収軸の方位はそれぞれ面内 9 0 度、 0度とした。 第 1の光学異方性層 2は、 面内に光軸を有し、 正の 1軸光学異 方性を有する光学素子で形成されている。 図 1 6に矢印で示す、 第 1の光学異方 性層 2の遅相軸の方位は 0度とし、 R e 1は 80 nmであり、 第 1の光学異方性 層 1 5の遅相軸の方位は 90度とし、 R e lは 80 nmである。
第 3、 第 5の光学異方性層 4, 1 2は、 面内に光軸を有し、 負の 2軸光学異方 性を有する光学素子で形成されている。 図 1 6で矢印に示す、 第 3及び第 5の光 学異方性層 4, 1 2の遅相軸の方位はそれぞれ 45度、 1 35度とし、 R e 3お よび R e 5が 1 37. 5 nm、 R t h 3および R t h 5が 275 n mである。 ホメオト口ピック配向液晶フィルムからなる第 2の光学異方性層 3は R e 2が O nm、 R t h 2がー 1 30 nmである。
図 1 7は、 黒表示 0V、 白表示 5 Vの透過率の比 (白表示) Z (黒表示) をコ ントラスト比として、 全方位からのコントラスト比を示している。
全方位の等コントラス ト曲線を図 5、 8と図 1 7で比較してみると、 ほぼ同等 の視野角特性が得られており、 本発明の構成に変えることにより、 視野角特性を 維持しながら、 同時にフィルムの枚数を削減し厚さと価格の両方を低減出来るこ とが分かる。
<実施例 7 >
実施例 1において、ホメオト口ピック配向液晶フィルムの厚みを変えた以外は、 実施例 1と同様にして光学フィルムを作製した。 KOBRA2 1 ADHを用いて 測定した T ACフィルムと液晶層をあわせた面内方向のリターデーション (R e 2) は 0. 5 nm、 厚さ方向のリタ一デーシヨン (R t h 2) は一 230 nmで あった。なお、 T A Cフィルム単体は負の一軸性で面内のリターデーシヨンが 0. 5 nm、 厚さ方向のリタ一デーシヨンは + 3 5 nmであったことから、 液晶層単 独でのリタ一デーシヨンは、 R eが O nm、 R t hが _ 1 9 5 n mと見積もられ た。 実施例 9以降で垂直配向型液晶表示装置に貼り合わせる際は、 基板の TAC フィルムは除去しホメオト口ピック配向液晶層のみを取り出して使用した。
<実施例 8 >
実施例 1において、ホメオト口ピック配向液晶フィルムの厚みを変えた以外は、 実施例 1と同様にして光学フィルムを作製した。 KOBRA2 1 ADHを用いて 測定した T ACフィルムと液晶層をあわせた面内方向のリターデ一ション (R e 2) は 0. 5 nm、 厚さ方向のリタ一デーシヨン (R t h 2) は一 225 nmで あった。なお、 T ACフィルム単体は負の一軸性で面内のリターデーションが 0. 5 nm、 厚さ方向のリタ一デーシヨンは + 3 5 nmであったことから、 液晶層単 独でのリターデーションは、 R eが 0 nm、R t hがー 90 nmと見積もられた。
<実施例 9 >
実施例 9の垂直配向型液晶表示装置について図 1 8、図1 9を用いて説明する。 基板 8に I TO層等からなる透過率の高い材料で透明電極 1 0が形成され、 基 板 7に対向電極 9が形成され、 透明電極 1◦と対向電極 9の間に負の誘電率異方 性を示す液晶材料からなる液晶層 1 1が挟持されている。
透明電極 1 0及び対向電極 9の液晶層 1 1と接する表面にはそれぞれ垂直配向 性の配向膜 (図示せず) が形成されており、 配向膜の塗布後、 少なくとも一方の 配向膜にラビング等の配向処理を行っている。
液晶層 1 1の液晶分子は垂直配向性の配向膜に対するラビング等の配向処理に より、 基板面の垂直方向に対して 1° のチルト角を持つ。
液晶層 1 1には負の誘電率異方性を示す液晶材料が用いられているため、 透明 電極 1 0と対向電極 9の間に電圧を印加すると、 液晶分子が基板面と平行方向に 向かって傾く。
液晶層 1 1の液晶材料として、 N e (異常光に対する屈折率) = 1. 56 1、 N o (正常光に対する屈折率) = 1. 478、 ΔΝ (N e—N o) = 0. 08 3 の屈折率異方性を有する液晶材料を用い、 セルギャップは 4. 7 !11とした。 垂直配向型液晶セル 6の表示面側 (図の上側) に直線偏光板 1 (厚み約 1 0 5 μπι;住友化学 (株) 製 SQW— 06 2) を配置し、 上側直線偏光板 1と液晶セ ル 6の間に第 1の光学異方性層 2 (日本ゼオン (株) 製ゼォノア)、 実施例 7で作 製したホメオト口ピック配向液晶フィルムからなる第 2の光学異方性層 3、 第 3 の光学異方性層 4 (日本ゼオン (株) 製ゼォノア)、 第 4の光学異方性層 5 ( J S R (株) 製 ARTON) を配置した。 垂直配向型液晶セル 6の背面側 (図の下側) に直線偏光板 1 3 (厚み約 1 05 μπι;住友化学 (株) 製3(3 ー062) を配 置し、 下側直線偏光板 1 3と液晶セル 6の間に第 5の光学異方性層 1 2 (日本ゼ オン (株) 製ゼォノア) を配置した。 直線偏光板 (住友化学 (株) 製 SQW— 0 62) の支持基板に使用されるトリァセチルセルロースの R t h = 35 nmであ つた。
第 1、 第 3、 第 5の光学異方性層 2, 4, 1 2は、 面内に光軸を有し、 正の 1 軸光学異方性を有する光学素子で形成されている。 図 1 9に矢印で示す、 直線偏 光板 1, 1 3の吸収軸の方位はそれぞれ面內 90度、 0度とした。 図 1 9に矢印 で示す、 第 1の光学異方性層 2の遅相軸の方位は 0度とし R e lが 105 nmの 位相差を示す。 図 1 9で矢印に示す、 第 3及び第 5の光学異方性層 4, 1 2の遅 相軸の方位はそれぞれ 45度、 1 3 5度とし、 R e 3、 R e 5が 1 37. 5 n m の位相差を示す。 ,
第 4の光学異方性層 5は R e 4がほぼ 0 nm、 R t h 4が 280 nmの位相差 を示す。
ホメオト口ピック配向液晶フィルムからなる第 2の光学異方性層 3は R e 2が 0 nm、 R t h 2が一 1 9 5 nmの位相差を示す。
図 20は、 黒表示 0V、 白表示 5 Vの透過率の比 (白表示) / (黒表示) をコ ントラスト比として、 全方位からのコントラスト比を示している。 .
<実施例 1 0 >
実施例 1 0の垂直配向型液晶表示装置について図 2 1、 図 22を用いて説明す る。 実施例 7で作製したホメオト口ピック配向液晶フィルムからなる第 2の光学 異方性層 3を用いて、 実施例 9の第 1の光学異方性層 2を直線偏光板 1と第 2の 光学異方性層 3との間から、 第 5の光学異方性層 1 2と直線偏光板 1 3との間に 移動配置し、 第 1の光学異方性層 2の遅相軸の方位を 90度とした以外は、 実施 例 9と同様にして垂直配向型液晶表示装置を作製した。
図 23は、 黒表示 0V、 白表示 5 Vの透過率の比 (白表示) Z (黒表示) をコ ントラスト比として、 全方位からのコントラスト比を示している。
<実施例 1 1 >
以下に示す半透過型垂直配向型液晶表示装置を作製した点と、 第 3及び第 5の 光学異方性層 4 , 1 2を日本ゼオン (株) ゼォノアから帝人 (株) 製ピュアエー ス WR F一 Wに変更使用した以外は、 実施例 9と同様にして半透過型垂直配向型 液晶表示装置を作製した。
半透過型垂直型液晶表示装置について図 2 4、 図 2 5を用いて説明する。
基板 8に A 1層からなる反射率の高い材料で形成された反射電極 1 5と I T O 層からなる透過率の高い材料で透明電極 1 0とが設けられ、 基板 7に対向電極 9 が設けられ、 反射電極 1 5及び透明電極 1 0と対向電極 9の間に負の誘電率異方 性を示す液晶材料からなる液晶層 1 1が挟持されている。
反射電極 1 5、 透明電極 1 0及び対向電極 9の液晶層 1 1と接する表面にはそ れぞれ垂直配向性の配向膜 (図示せず) が形成されており、 配向膜の塗布後、 少 なくとも一方の配向膜にラビング等の配向処理を行っている。
液晶層 1 1の液晶分子は垂直配向性の配向膜に対するラビング等の配向処理に より、 基板面の垂直方向に対して 1 ° のチルト角を持つ。
液晶層 1 1には負の誘電率異方性を示す液晶材料が用いられているため、 反射 電極 1 5、 透明電極 1 0と対向電極 9の間に電圧を印加すると、 液晶分子が基板 面と平行方向に向かつて傾く。
液晶層 1 1の液晶材料は、 実施例 9と同様の材料を用い、 セルギャップは、 反 射電極部分を 2 . 4 μ πι、 透明電極部分を 4 . とした。
第 3及び第 5の光学異方性層 4 , 1 2である帝人 (株) 製ピュアエース WR F 一 Wの遅相軸方位それぞれ 4 5度、. 1 3 5度とし、 R e 3および R e 5が 1 3 7 . 5 n mの位相差値とした点は実施例 9と同様である。
図 2 6は、 黒表示 0 V、 白表示 5 Vの透過^の比 (白表示) / (黒表示) をコ ントラスト比として、 全方位からのコントラスト比を示している。
<実施例 1 2 >
実施例 1 2の垂直配向型液晶表示装置について図 2 7、 図 2 8を用いて説明す る。 実施例 7で作製したホメオト口ピック配向液晶フィルムからなる第 2の光学 異方性層 3を用いて、 実施例 9の第 4の光学異方性層 5を更にもう 1枚、 垂直配 向型液晶セル 6と第 5の光学異方性層 1 2との間に配置した以外は、 実施例 9と 同様にして垂直配向型液晶表示装置を作製した。 このとき、 2枚の第 4の光学異 方性層 5は R e 4がほぼ 0 nm、 R t h 4が 140 nmの位相差とした。 図 29は、 黒表示 0V、 白表示 5 Vの透過率の比 (白表示) / (黒表示) をコ ントラスト比として、 全方位からのコントラスト比を示している。
<比較例 3〉
実施例 9の第 1の光学異方性層 2を除いた以外は実施例 9と同様にして図 30 に示す垂直配向型液晶表示装置を作製した。
図 3 1に各構成部材の角度関係を示す。 第 3、 第 5の光学異方性層 4, 1 2の R e 3および R e 5が 1 3 7. 5 nmとし、 第 2、 第 4の光学異方性層 3、 5の R t h 2および R t h 4値は、 最も広視野角特性となるよう最適化を行い、 それ ぞれー 90 n m、 1 30 nmとした。 第 2の光学異方性層 3は実施例 8で作製し たホメオト口ピック配向液晶フィルムを用いた。
図 32は、 黒表示 0V、 白表示 5 Vの透過率の比 (白表示) / (黒表示) をコ ントラスト比として、 全方位からのコントラスト比を示している。
全方位の等コントラス ト曲線を図 20、 23と図 32で比較してみると、 第 1 の光学異方性層 2を加えることにより大幅に視野角特性が改善されることが分か る。 '
<比較例 4 >
実施例 9のホメオト口ピック配向液晶フィルムからなる第 2の光学異方性層 3 を除いた以外は実施例 9と同様にして図 33に示す垂直配向型液晶表示装置を作 製した。
図 34に各構成部材の角度関係を示す。 第 3、 第 5の光学異方性層の R e 3お よび R e 5は 1 3 7. 5 nmとし、 第 1、 第 4の光学異方性層の R e 1および R t h 4値は、 最も広視野角特性となるよう最適化を行い、 それぞれ 1 1 5 nm、 205 nmとした。
図 3 5は、 黒表示 0V、 白表示 5Vの透過率の比 (白表示) / (黒表示) をコ ントラスト比として、 全方位からのコントラスト比を示している。
全方位の等コントラスト曲線を図 20、 23と図 35で比較してみると、 ホメ オト口ピック配向液晶フィルムを用いることにより、 大幅に視野角特性が改善さ れることが分かる。
<比較例 5 >
比較例 5の垂直配向型液晶表示装置について図 3 6、図 3 7を用いて説明する。 垂直配向型液晶セル 6は、 実施例 9と同様のセルを用いた。
垂直配向型液晶セル 6の表示面側 (図の上側) に直線偏光板 1 (厚み約 1 0 5 μ ιη ;住友化学 (株) 製 S QW— 0 6 2) を配置し、 上側直線偏光板 1と液晶セ ル 6の間に第 1の光学異方性層 2 (日本ゼオン (株) 製ゼォノア)、 実施例 8で作 製したホメオト口ピック配向液晶フィルムからなる第 2の光学異方性層 3、 第 3 の光学異方性層 4 (日本ゼオン (株) 製ゼォノア)、 第 4の光学異方性層 5 ( J S R (株) 製 ART ON) を配置した。 垂直配向型液晶セル 6の背面側 (図の下側) に直線偏光板 1 3 (厚み約 1 0 5 μ m;住友化学 (株) 製 S QW— 0 6 2) を配 置し、 下側直線偏光板 1 3と液晶セル 6の間に第 1の光学異方性層 2 (日本ゼォ ン (株) 製ゼォノア)、実施例 8で作製したホメオト口ピック配向液晶フィルムか らなる第 2の光学異方性層 3、 第 5の光学異方性層 1 2 (日本ゼオン (株) 製ゼ ォノア)、 第 4の光学異方性層 5 ( J S R (株) 製 ARTON) を配置した。
第 1、 第 3、 第 5の光学異方性層 2 , 4 , 1 2は、 面内に光軸を有し、 正の 1 軸光学異方性を有する光学素子で形成されている。
図 3 7に矢印で示す、 直線偏光板 1 , 1 3の吸収軸の方位はそれぞれ面内 9 0 度、 0度とした。 図 3 7に矢印で示す、 第 1の光学異方性層 2の遅相軸の方位は 0度とし、 R e 1が 1 0 5 nmの位相差を示す。 図 3 7で矢印に示す、 第 3及ぴ 第 5の光学異方性層 4, 1 2の遅相軸の方位はそれぞれ 4 5度、 1 3 5度とし、 R e 3および R e 5は 1 3 7. 5 nmの位相差を示す。
第 4の光学異方性層 5は R e 4がほぼ 0 n m、 R t h 4が 1 4 0 nmの位相差 を示す。
ホメオト口ピック配向液晶フィルムからなる第 2の光学異方性層 3は R e 2が 0 nm、 R t h 2が一 9 0 nmの位相差を示す。
図 3 8は、 黒表示 0 V、 白表示 5 Vの透過率の比 (白表示) / (黒表示) をコ ントラスト比として、 全方位からのコントラスト比を示している。
全方位の等コントラスト曲線を図 2 0、 2 3と図 3 8で比較してみると、 ほぼ 同等の視野角特性が得られており、 本発明の構成に変えることにより、 視野角特 性を維持しながら、 同時にフィルムの枚数を削減し厚さと価格の両方を低減出来 ることが分かる。
[図面の簡単な説明]
図 1は、 本発明の楕円偏光板の断面模式図の例である。
図 2は、 本発明の楕円偏光板の断面模式図の例である。
図 3は、 実施例 3で用いた垂直配向型液晶表示装置の断面模式図である。
図 4は、 実施例 3で用いた垂直配向型液晶表示装置の各構成部材の角度関係を 示した平面図である。
図 5は、 実施例 3における垂直配向型液晶表示装置を全方位から見た時のコン トラスト比を示す図である。
図 6は、 実施例 4で用いた垂直配向型液晶表示装置の断面模式図である。
図 7は、 実施例 4で用いた垂直配向型液晶表示装置の各構成部材の角度関係を 示した平面図である。
図 8は、 実施例 4における垂直配向型液晶表示装置を全方位から見た時のコン トラス ト比を示す図である。
図 9は、 実施例 5で用いた半透過反射型の垂直配向型液晶表示装置の断面模式 図である。
図 1 0は、 実施例 5で用いた半透過反射型の垂直配向型液晶表示装置の各構成 部材の角度関係を示した平面図である。
図 1 1は、 実施例 5における半透過反射型の垂直配'向型液晶表示装置を全方位 から見た時のコントラスト比を示す図である。
図 1 2は、 比較例 1で用いた垂直配向型液晶表示装置の断面模式図である。 図 1 3は、 比較例 1で用いた垂直配向型液晶表示装置の各構成部材の角度関係 を示した平面図である。
図 1 4は、 比較例 1における垂直配向型液晶表示装置を全方位から見た時のコ ントラスト比を示す図である。
図 1 5は、 比較例 2で用いた垂直配向型液晶表示装置の断面模式図である。 図 1 6は、 比較例 2で用いた垂直配向型液晶表示装置の各構成部材の角度関係 を示した平面図である。
図 1 7は、 比較例 2における垂直配向型液晶表示装置を全方位から見た時のコ ントラスト比を示す図である。
図 1 8は、 実施例 9で用いた垂直配向型液晶表示装置の断面模式図である。 図 1 9は、 実施例 9で用いた垂直配向型液晶表示装置の各構成部材の角度関係 を示した平面図である。
図 2 0は、 実施例 9における垂直配向型液晶表示装置を全方位から見た時のコ ントラス ト比を示す図である。 なお、 同心円は角度 2 0度ごとを示す (以下、 同 じ)。
図 2 1は、 実施例 1 0で用いた垂直配向型液晶表示装置の断面模式図である。 図 2 2は、 実施例 1 0で用いた垂直配向型液晶表示装置の各構成部材の角度関 係を示した平面図である。
図 2 3は、 実施例 1 0における垂直配向型液晶表示装置を全方位から見た時の コントラスト比を示す図である。
図 2 4.は、 実施例 1 1で用いた半透過反射型の垂直配向型液晶表示装置の断面 模式図である。
図 2 5は、 実施例 1 1で用いた半透過反射型の垂直配向型液晶表示装置の各構 成部材の角度関係を示した平面図である。
図 2 6は、 実施例 1 1における半透過反射型の垂直配向型液晶表示装置を全方 位から見た時のコントラスト比を示す図である。
図 2 7は、 実施例 1 2で用いた半透過反射型の垂直配向型液晶表示装置の断面 模式図である。
図 2 8は、 実施例 1 2で用いた半透過反射型の垂直配向型液晶表示装置の各構 成部材の角度関係を示した平面図である。
図 2 9は、 実施例 1 2における半透過反射型の垂直配向型液晶表示装置を全方 位から見た時のコントラスト比を示す図である。
図 3 0は、 比較例 3で用いた垂直配向型液晶表示装置の断面模式図である。 図 3 1は、 比較例 3で用いた垂直配向型液晶表示装置の各構成部材の角度関係 を示した平面図である。
図 3 2は、 比較例 3における垂直配向型液晶表示装置を全方位から見た時のコ ントラスト比を示す図である。
図 3 3は、 比較例 4で用いた垂直配向型液晶表示装置の断面模式図である。 図 3 4は、 比較例 4で用いた垂直配向型液晶表示装置の各構成部材の角度関係 を示した平面図である。
図 3 5は、 比較例 4における垂直配向型液晶表示装置を全方位から見た時のコ ントラスト比を示す図である。
図 3 6は、 比較例 5で用いた垂直配向型液晶表示装置の断面模式図である。 図 3 7は、 比較例 5で用いた垂直配向型液晶表示装置の各構成部材の角度関係 を示した平面図である。 .
図 3 8は、 比較例 5における垂直配向型液晶表示装置を全方位から見た時のコ ントラスト比を示す図である。
(符号の説明)
1 , 1 3 :直線偏光板、 2 , 1 5 :第 1の光学異方性層、 3 , 1 6 :第 2の光学 異方性層、 4 : ·第 3の光学異方性層、 5 :第 4の光学異方性層、 1 2 :第 5の光 学異方性層、 7 , 8 :基板、 1 0 :透明電極、 9 :対向電極、 1 5 :反射電極、
1 1 :液晶層 (垂直配向)、 6 :垂直配向型液晶セル、 1 4 :半透過型垂直配向型 液晶セノレ
[産業上の利用可能性]
本発明の垂直配向型液晶表示装置は、 表示が明るく、 全方位において高コント ラストな表示が可能であり、 産業上の価値は大きい。

Claims

請 求 の 範 囲
1. 少なくとも第 1の偏光板、 第 1の光学異方性層、 第 2の光学異方性 層および第 3の光学異方性層がこの順に積層された楕円偏光板であって、 前記第 1の光学異方性層が、 以下の [ 1 ] を満たし、
[1] 5 0≤R e 1≤ 5 0 0
(ここで、 R e 1は前記第 1の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e 1は、 R e 1 = (Nx 1一 Ny 1 ) X d 1 [nm] である。 また、 d 1は前記第 1の光学異方性層の厚さ、 Nx l , Ny 1は波長 5 5 0 nmの光に 対する前記第 1の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 1は波長 5 5 0 nmの光に 対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx l >N z 1≥Ny 1である。)
前記第 2の光学異方性層が、 以下の [2]、 [3] を満たし、
[2] 0≤R e 2≤ 2 0
[3] - 5 0 0≤R t h 2≤- 3 0
(ここで、 R e 2は前記第 2の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 し、 R t h 2は前記第 2の光学異方性層の厚さ方向のリターデーシヨン値を意味 する。 前記 R e 2及び R t h 2は、 それぞれ R e 2 = (N x 2 -N y 2) X d 2 [nm]、 R t h 2 = { (N x 2+Ny 2) / 2 ~N z 2} X d 2 [nm] である。 また、 d 2は前記第 2の光学異方性層の厚さ、 N x 2, Ny 2は波長5 5 0 nm の光に対する前記第 2の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 2は波長 5 5 0 nm の光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 N z 2 >Nx 2≥Ny 2である。) 前記第 3の光学異方性層が、以下の [4]を満たすことを特徴とする楕円偏光板。
[4] 1 0 0≤R e 3≤ 1 8 0
(ここで、 R e 3は前記第 3の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e 3は、 R e 3 = (N x 3 -Ny 3) X d 3 [nm] である。 また、 d 3は前記第 3の光学異方性層の厚さ、 Nx 3, Ny 3は波長 5 5 0 nmの光に 対する前記第 3の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 3は波長 5 5 0 nmの光に 対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 3 >Ny 3 >N z 3である。)
2. 前記第 3の光学異方性層が、 さらに以下の [5] および [6] を満 たすことを特徴とする請求項 1に記載の楕円偏光板。 [5] 50≤R t h 3≤ 600
[6] 0. 5≤R t h 3/R e 3≤ 3.. 5
(ここで、 R t h 3は前記第 3の光学異方性層の厚さ方向のリターデーション値 を意味する。 前記 R t h 3は、 R t h 3 = {(Nx 3 +Ny 3) / 2 -N z 3 } X d 3 [n m] である。)
3. 少なくとも第 1の偏光板、 第 1の光学異方性層、 第 2の光学異方性 層、 第 3の光学異方性層、 第 4の光学異方性層がこの順に積層された楕円偏光板 であって、
前記第 1の光学異方性層が、 以下の [1] を満たし、 '
[1] 50≤R e 1≤ 500
(ここで、 R e 1は前記第 1の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e lは、 R e l = (Nx l—Ny l) X d 1 [nm] である。 また、 d 1は前記第 1の光学異方性層の厚さ、 Nx l, Ny 1は波長 550 nmの光に 対する前記第 1の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 1は波長 550 nmの光に 対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx l >N z l Ny lである。)
前記第 2の光学異方性層が、 以下の [2]、 [3] を満たし、
L2] 0≤R e 2≤ 20
[3] - 500≤R t h 2≤- 30
(ここで、 R e 2は前記第 2の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 し、 R t h 2は前記第 2の光学異方性層の厚さ方向のリターデーション値を意味 する。 前記 R e 2及び R t h 2は、 それぞれ R e 2= (N x 2-Ny 2) X d 2
[nm], R t h 2 = { (N x 2 +N y 2) / 2 -N z 2 } X d 2 [nm] である。 また、 d 2は前記第 2の光学異方性層の厚さ、 Nx 2, Ny 2は波長550 nm の光に対する前記第 2の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 2は波長 5 50 nm の光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 N z 2 >Nx 2≥Ny 2である。) 前記第 3の光学異方性層が、 以下の [4] を満たし、
[4] 1 00≤R e 3≤ 1 80
(ここで、 R e 3は前記第 3の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e 3は、 R e 3 = (N x 3 -N y 3) X d 3 [nm] である。 また、 d 3は前記第 3の光学異方性層の厚さ、 Nx 3, Ny 3は波長 5 50 nmの光に 対する前記第 3の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 3は波長 5 50 nmの光に 対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 3 >Ny 3 =N z 3である。)
前記第 4の光学異方性層が、 以下の [1 2]、 [1 3] を満たすことを特徴とする 楕円偏光板。
[1 2] 0≤R e 4≤ 20
[1 3] 1 00≤R t h 4≤400
(ここで、 R e 4は前記第 4の光学異方性層の面内のリターデーション値を意味 し、 R t h 4は前記第 4の光学異方性層の厚さ方向のリターデーション値を意味 する。 前記 R e 4及び R t h 4は、 それぞれ R e 4 = (N x 4 -N y 4) X d 4
[nm]、 R t h 4 = { (N x 4 +N y 4) /2— N z 4}X d 4 [nm] である。 ここで、 d 4は前記第 4の光学異方性層の厚さ、 Nx 4, Ny 4は波長 55 O n mの光に対する前記第 4の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 4は波長 550 η mの光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 4≥Ny 4 >N z 4である。)
4. 前記第 1の光学異方性層が、 以下の [1] を満たすことを特徴とす る請求項 1に記載の楕円偏光板。
[1] 50≤R e 1≤ 300
5. 前記第 2の光学異方性層が、 正の一軸性を示す液晶性組成物を液晶 状態においてホメォトロピック配向させた後、 配向固定化したホメォトロピック 配向液晶フィルムからなることを特徴とする請求項 1〜4のいずれかに記載の楕 円偏光板。
6. 前記の正の一軸性を示す液晶性組成物が、 ォキセタニル基を有する 側鎖型液晶性高分子を含むことを特徴とする請求項 5に記載の楕円偏光板。
7. 前記第 1及び第 3の光学異方性層が、 ポリカーボネート樹脂あるい は環状ポリオレフイン樹脂を含有する熱可塑性高分子を含むことを特徴とする請 求項 1〜 6のいずれかに記載の楕円偏光板。
8. 前記第 4の光学異方性層が、 液晶性化合物、 トリァセチルセルロー ス、 環状ポリオレフイン、 ポリオレフイン類、 ポリアミ ド、 ポリイミ ド、 ポリエ ステル、ポリエーテルケトン、ポリアリールエーテルケトン、ポリアミ ドイミ ド、 ポリエステルイミ ド等のポリマーから選ばれる少なくとも 1種の素材から形成さ れた層であることを特徴とする請求項 3〜 7のいずれかに記載の楕円偏光板。
9. 前記第 3の光学異方性層が、 更に以下の [1 0] を満たすことを特 徴とする請求項 1〜 8のいずれかに記載の楕円偏光板。
[ 1 0] 0. 7≤R e 3 (4 5 0) /R e 3 (5 9 0) ≤ 1. 0 5
(ここで、 R e 3 (4 5 0)、 R e 3 (5 9 0) は、 波長 4 5 0 n m、 5 9 0 n m の光における前記第 3の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味する。)
1 0. 前記第 1の偏光板の吸収軸と前記第 1の光学異方性層の遅相軸とが 直交あるいは平行になるように積層されていることを特徴とする請求項 1〜9の いずれかに記載の楕円偏光板。
1 1. 前記第 1の偏光板の吸収軸と前記第 3の光学異方性層の遅相軸との なす角度を Pとしたときに、 4 0° ≤ p≤ 5 0° を満たすことを特徴とする請求 項 1〜 1 0のいずれかに記載の楕円偏光板。
1 2. 前記第 1の偏光板は、 厚さ方向のリターデーション R t hが 0より 大きい支持層を有することを特徴とする請求項 1〜 1 1のいずれかに記載の楕円 偏光板。
1 3. 少なくとも第 1の偏光板、 第 1の光学異方性層、 第 2の光学異方性 層、 第 3の光学異方性層、 電極を備えた 1対の基板間に電圧無印加時に基板表面 に対して垂直配向する液晶分子を含む垂直配向型液晶セル、第 5の光学異方性層、 第 2の偏光板がこの順に配置された垂直配向型液晶表示装置であつて、
前記第 1の光学異方性層が、 以下の [1] を満たし、
[ 1] 5 0≤R e 1≤ 5 0 0
(ここで、 R e 1は前記第 1の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e lは、 R e l = (N x l— Ny l) X d 1 [nm] である。 また、 d 1は前記第 1の光学異方性層の厚さ、 Nx l , Ny 1は波長 5 5 0 nmの光に 対する前記第 1の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 1は波長 5 5 0 nmの光に 対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx l >N z l≥Ny lである。)
前記第 2の光学異方性層が、 以下の [2]、 [3] を満たし、
[2] 0≤R e 2≤ 2 0
[3] - 5 0 0≤R t h 2≤- 3 0
(ここで、 R e 2は前記第 2の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 し、 R t h 2は前記第 2の光学異方性層の厚さ方向のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e 2及び R t h 2は、 それぞれ R e 2 = (Nx 2 -Ny 2) X d 2 [nm], R t h 2 = { (Nx 2+Ny 2) / 2 - N z 2} X d 2 [nm] である。 また、 d 2は前記第 2の光学異方性層の厚さ、 Nx 2, Ny 2は波長5 50 nπl の光に対する前記第 2の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 2は波長 5 50 nm の光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 N z 2〉Nx 2≥Ny 2である。) 前記第 3の光学異方性層が、 以下の [4] を満たし、
[4] 1 00≤R e 3≤ 1 80
(ここで、 R e 3は前記第 3の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e 3は、 R e 3 = (N x 3 -N y 3 ) X d 3 [nm] である。 また、 d 3は前記第 3の光学異方性層の厚さ、 Nx 3, Ny 3は波長 550 nmの光に 対する前記第 3の光学異方性層面内の主屈折率、 N Z 3は波長 5 50 nmの光に 対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 3 >Ny 3 >N z 3である。)
前記第 5の光学異方性層が、 以下の [7] を満たすことを特徴とする垂直配向型 液晶表示装置。
[7] 1 00≤R e 5≤ 1 80
(ここで、 R e 5は前記第 5の光学異方性層の面内のリターデーション値を意味 する。 前記 R e 5は、 R e 5 = (Nx 5 -Ny 5) X d 5 [nm] である。 また、 d 5は前記第 5の光学異方性層の厚さ、 Nx 5, Ny 5は波長 5 50 nmの光に 対する前記第 5の光学異方性層面内の主屈折率、 N Z 5は波長 5 50 nmの光に 対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 5 >Ny 5=N z 5である。)
14. 前記第 3の光学異方性層がさらに以下の [5] および [6] を満た し、 前記第 5の光学異方性層がさらに以下の [8] および [9] を満たすことを 特徴とする請求項 1 3に記載の垂直配向型液晶表示装置。
[5] 50≤R t h 3≤ 600
[6] 0. 5≤R t h 3/R e 3≤ 3. 5
[8] 50≤R t h 5≤ 600
[9] 0. 5≤R t h 5/R e 5≤ 3. 5
(ここで、 R t h 3は前記第 3の光学異方性層の厚さ方向のリターデーシヨン値 を、 R t h 5は前記第 5の光学異方性層の厚さ方向のリターデーション値を意味 する。前記 R t h 3は、 R t h 3 = {(Nx 3 +Ny 3) / 2— N z 3} X d 3 [n m] であり、 前記 R t h 5は、 R t h 5 = {(Nx 5 +Ny 5) / 2 -N z 5 } X d 5 [nm] である。)
1 5. 少なくとも第 1の偏光板、 第 2の光学異方性層、 第 3の光学異方性 層、 電極を備えた 1対の基板間に電圧無印加時に基板表面に対して垂直配向する 液晶分子を含む垂直配向型液晶セル、第 5の光学異方性層、第 1の光学異方性層、 第 2の偏光板がこの順に配置された垂直配向型液晶表示装置であって、
前記第 1の光学異方性層が、 以下の [1] を満たし、
[1] 50≤R e l≤ 500
(ここで、 R e 1は前記第 1の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e lは、 R e l = (N x 1 -N y 1 ) X d 1 [nm] である。 また、 d 1は前記第 1の光学異方性層の厚さ、 Nx l, Ny 1は波長 5 50 nmの光に 対する前記第 1の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 1は波長 5 50 nmの光に 対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 1 >N z 1≥Ny 1である。)
前記第 2の光学異方性層が、 以下の [2]、 [3] を満たし、
[2] 0≤R e 2≤ 20
[3] - 500≤R t h 2≤-30
(ここで、 R e 2は前記第 2の光学異方性層の面内のリターデーシヨン値を意味 し、 R t h 2は前記第 2の光学異方性層の厚さ方向のリターデーション値を意味 する。 前記 R e 2及ぴ R t h 2は、 それぞれ R e 2 = (N x 2 -N y 2) X d 2 [nm], R t h 2 = { (Nx 2+Ny 2) /2-N z 2} X d 2 [nm] である。 また、 d 2は前記第 2の光学異方性層の厚さ、 Nx 2, Ny 2は波長5 50 nm の光に対する前記第 2の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 2は波長 5 50 nm の光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 N z 2 >Nx 2≥Ny 2である。) 前記第 3の光学異方性層が、 以下の [4] 〜 [6] を満たし、
[4] 100≤R e 3≤ 1 80
[5] 50≤R t h 3≤ 600
[6] 0. 5≤R t h 3/R e 3≤ 3. 5
(ここで、 R e 3は前記第 3の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e 3は、 R e 3 = (N x 3 -N y 3 ) X d 3 [nm] である。 また、 d 3は前記第 3の光学異方性層の厚さ、 Nx 3, Ny 3は波長 55◦ nmの光に 対する前記第 3の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 3は波長 5 50 nmの光に 対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 3 >Ny 3 >N z 3である。)
前記第 5の光学異方性層が、 以下の [7] 〜 [9] を満たすことを特徴とする垂 直配向型液晶表示装置。
[7] 1 00≤R e 5≤ 1 80
[8] 50≤R t h 5≤ 600
[9] 0. 5≤R t h 5/R e 5≤ 3. 5
(ここで、 R e 5は前記第 5の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 e 5は、 R e 5 = (N x 5 -N y 5 ) X d 5 [nm] である。 また、 d 5は前記第 5の光学異方性層の厚さ、 Nx 5, Ny 5は波長 5 50 nmの光に 対する前記第 5の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 5は波長 5 50 nmの光に 対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 5 >Ny 5 =N z 5である。)
1 6. 少なくとも第 1の偏光板、 第 1の光学異方性層、 第 2の光学異方性 層、 第 3の光学異方性層、 第 4の光学異方性層、 電極を備えた 1対の基板間に電 圧無印加時に基板表面に対して垂直配向する液晶分子を含む垂直配向型液晶セル、 第 5の光学異方性層、 第 2の偏光板がこの順に配置された垂直配向型液晶表示装 置であって、
前記第 1の光学異方性層が、 以下の [1] を満たし、
[1] 50≤R e 1≤ 500
(ここで、 R e 1は前記第 1の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e 1は、 R e 1 = (N x 1— N y 1 ) X d 1 [nm] である。 ここ で、 d 1は前記第 1の光学異方性層の厚さ、 Nx l, Ny 1は波長 5 50 nmの 光に対する前記第 1の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 1は波長 5 50 nmの 光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx l >N z l Ny lである。) 前記第 2の光学異方性層が、 以下の [2]、 [3] を満たし、
[2] 0≤R e 2≤ 20
[3] - 500≤R t h 2≤- 30
(ここで、 R e 2は前記第 2の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 し、 R t h 2は前記第 2の光学異方性層の厚さ方向のリターデーシヨン値を意味 する。 前記 R e 2及び R t h 2は、 それぞれ R e 2 = (N x 2 -N y 2) X d 2 [nm]、 R t h 2 = { (N x 2+N y 2) / 2 -N z 2 } X d 2 [nm] である。 ここで、 d 2は前記第 2の光学異方性層の厚さ、 Nx 2, Ny 2は波長 55 O n mの光に対する前記第 2の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 2は波長 5 50 η mの光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 N z 2 >N X 2≥Ny 2である。) 前記第 3の光学異方性層が、 以下の [4] を満たし、
[4] 1 00≤R e 3≤ 1 80
(ここで、 R e 3は前記第 3の光学異方性層の面内のリターデーシヨン値を意味 する。 前記 R e 3は、 R e 3= (N x 3 -N y 3) X d 3 [ n m] である。 ここ で、 d 3は前記第 3の光学異方性層の厚さ、 Nx 3, Ny 3は波長5 50 nmの 光に対する前記第 3の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 3は波長 5 50 n mの 光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 3 >Ny 3 =N z 3である。) 前記第 4の光学異方性層が、 以下の [1 2]、 [1 3] を満たし、
[1 2] 0≤R e 4≤ 20
[1 3] 1 00≤R t h 4≤400
(ここで、 R e 4は前記第 4の光学異方性層の面内のリターデーシヨン値を意味 し、 R t h 4は前記第 4の光学異方性層の厚さ方向のリターデーシヨン値を意味 する。 前記 R e 4及ぴ R t h 4は、 それぞれ R e 4= (Nx 4-Ny 4) X d 4
[nm]、 R t h 4 = { (N x 4 +N y 4) /2-N z 4}X d 4 [nm] である。 ここで、 d 4は前記第 4の光学異方性層の厚さ、 Nx 4, Ny 4は波長 5 5 O n mの光に対する前記第 4の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 4は波長 5 50 η ηιの光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 4≥Ny 4 >N z 4である。) 前記第 5の光学異方性層が、 以下の [7] を満たすことを特徴とする垂直配向型 液晶表示装置。
[7] 1 00≤R e 5≤ 1 80
(ここで、 R e 5は前記第 5の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e 5は、 R e 5= (N x 5 -N y 5) X d 5 [nm] である。 ここ で、 d 5は前記第 5の光学異方性層の厚さ、 Nx 5, Ny 5は波長550 nmの 光に対する前記第 5の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 5は波長 550 n mの 光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 5 >Ny 5 =N z 5である。)
1 7. 前記第 1の光学異方性層が、 以下の [1] を満たすことを特徴とす る請求項 1 6に記載の垂直配向型液晶表示装置。
[1] 50≤R e l≤ 300
1 8. 少なくとも第 1の偏光板、 第 2の光学異方性層、 第 3の光学異方性 層、 第 4の光学異方性層、 電極を備えた 1対の基板間に電圧無印加時に基板表面 に対して垂直配向する液晶分子を含む垂直配向型液晶セル、第 5の光学異方性層、 第 1の光学異方性層、 第 2の偏光板がこの順に配置された垂直配向型液晶表示装 置であって、
前記第 1の光学異方性層が、 以下の [1] を満たし、
[1] 50≤R e 1≤ 300
(ここで、 R e 1は前記第 1の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e lは、 R e l = (Nx l— Ny l) X d 1 [nm] である。 ここ で、 d 1は前記第 1の光学異方性層の厚さ、 Nx l , Ny 1は波長 550 nmの 光に対する前記第 1の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 1は波長 550 nmの 光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 1 >N z 1≥Ny 1である。) 前記第 2の光学異方性層が、 以下の [2]、 [3] を満たし、
[2] 0≤R e 2≤ 20
[3] - 500≤R t h 2≤- 30
(ここで、 R e 2は前記第 2の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 し、 R t h 2は前記第 2の光学異方性層の厚さ方向のリターデーシヨン値を意味 する。 前記 R e 2及び R t h 2は、 それぞれ R e 2 = (N x 2 -N y 2) X d 2 [nm], R t h 2 = { (N x 2+Ny 2) / 2— N z 2} X d 2 [nm] である。 ここで、 d 2は前記第 2の光学異方性層の厚さ、 Nx 2, Ny 2は波長 55 O n mの光に対する前記第 2の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 2は波長 5 50 η mの光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 N z 2 >N X 2≥Ny 2である。) 前記第 3の光学異方性層が、 以下の [4] を満たし、
[4] 1 00≤R e 3≤ 1 80
(ここで、 R e 3は前記第 3の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e 3は、 R e 3= (N x 3 -N y 3) X d 3 [nm] である。 ここ で、 d 3は前記第 3の光学異方性層の厚さ、 Nx 3, Ny 3は波長550 nmの 光に対する前記第 3の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 3は波長 550 nmの 光に対する厚さ方向の主屈.折率であり、 Nx 3 >Ny 3 =N z 3である。) 前記第 4の光学異方性層が、 以下の [1 2]、 [1 3] を満たし、
[1 2] 0≤R e 4≤ 20
[1 3] 1 00≤R t h 4≤400 ·
(ここで、 R e 4は前記第 4の光学異方性層の面内のリターデーシヨン値を意味 し、 R t h 4は前記第 4の光学異方性層の厚さ方向のリターデーシヨン値を意味 する。 前記 R e 4及ぴ R t h 4は、 それぞれ R e 4 = (N x 4 -N y 4) X d 4
[nm], R t h 4 = { (N x 4+N y 4) /2 -N z 4} X d 4 [nm] である。 ここで、 d 4は前記第 4の光学異方性層の厚さ、 Nx 4, Ny 4は波長 5 5 O n mの光に対する前記第 4の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 4は波長 5 50 η mの光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 4≥Ny 4 >N z 4である。) 前記第 5の光学異方性層が、 以下の [7] を満たすことを特徴とする垂直配向型 液晶表示装置。
[7] 1 00≤R e 5≤ 1 80
(ここで、 R e 5は前記第 5の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味 する。 前記 R e 5は、 R e 5 = (Nx 5 -Ny 5) X d 5 [nm] である。 ここ で、 d 5は前記第 5の光学異方性層の厚さ、 Nx 5, Ny 5は波長550 nmの 光に対する前記第 5の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 5は波長 550 nmの 光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 Nx 5 >Ny 5 ==N z 5である。)
1 9. 前記垂直配向型液晶表示装置の前記垂直配向型液晶セルと第 5の光 学異方性層の間に、 更に以下の [14]、 [1 5] を満たす第 6の光学異方性層を 有することを特徴とする請求項 1 7または 1 8に記載の垂直配向型液晶表示装置。
[14] 0≤R e 6≤ 20
[1 5] 1 00≤R t h 6≤400
(ここで、 R e' 6は前記第 6の光学異方性層の面内のリターデーシヨン値を意味 し、 R t h 6は前記第 6の光学異方性層の厚さ方向のリターデーシヨン値を意味 する。 前記 R e 6及ぴ R t h 6は、 それぞれ R e 6 = (N x 6 -N y 6) X d 6
[nm]、 R t h 6 = { (Nx 6 +N y 6) /2-N z 6}X d 6 [nm] である。 ここで、 d 6は前記第 6の光学異方性層の厚さ、 Nx 6, Ny 6は波長 55 O n mの光に対する前記第 6の光学異方性層面内の主屈折率、 N z 6は波長 5 50 η mの光に対する厚さ方向の主屈折率であり、 N X 6≥N y 6 >N z 6である。) 2 0. 前記第 2の光学異方性層が、 正の一軸性を示す液晶性組成物を液晶 状態においてホメオト口ピック配向させた後、 配向固定化したホメオト口ピック 配向液晶フィルムからなることを特徴とする請求項 1 3〜1 9のいずれかに記載 の垂直配向型液晶表示装置。
2 1. 前記の正の一軸性を示す液晶性組成物が、 ォキセタニル基を有する 側鎖型液晶性高分子を含むことを特徴とする請求項 2 0に記載の垂直配向型液晶 表示装置。
2 2. 前記第 1、 第 3及び第 5の光学異方性層が、 ポリカーボネート樹脂 あるいは環状ポリオレフイン樹脂を含有する熱可塑性高分子を含むことを特徴と する請求項 1 3〜 2 1のいずれかに記載の垂直配向型液晶表示装置。
2 3 · 前記第 4の光学異方性層が、 液晶性化合物、 トリァセチルセルロー ス、 環状ポリオレフイン、 ポリオレフイン類、 ポリアミ ド、 ポリイミ ド、 ポリエ ステル、ポリエーテルケトン、ポリアリールエーテルケトン、ポリアミ ドイミ ド、 ポリエステルイミ ド等のポリマーから選ばれる少なくとも 1種の素材から形成さ れた層であることを特徴とする請求項 1 3〜2 2のいずれかに記載の垂直配向型 液晶表示装置。
24. 前記第 3の光学異方性層が、 更に以下の [ 1 0] を満たすことを特 徴とする請求項 1 3〜2 3のいずれかに記載の垂直配向型液晶表示装置。
[ 1 0] 0. 7≤R e 3 (4 5 0) /R e 3 (5 9 0) ≤ 1. 0 5
(ここで、 R e 3 (4 5 0)、 R e 3 (5 9 0) は、 波長 4 5 0 n m、 5 9 0 nm の光における前記第 3の光学異方性層の面内のリタ一デーシヨン値を意味する。) 2 5. 前記第 5の光学異方性層が、 更に以下の [ 1 1] を満たすことを特 徴とする請求項 1 3〜24のいずれかに記載の垂直配向型液晶表示装置。
[ 1 1] 0. 7≤R e 5 (4 5 0) /R e 5 (5 9 0) ≤ 1. 0 5
(ここで、 R e 5 (4 5 0)、 R e 5 ( 5 9 0) は、 波長 4 5 0 nm, 5 9 0 n m の光における前記第 5の光学異方性層の面内のリターデーシヨン値を意味する。) 2 6. 前記第 1の偏光板の吸収軸と前記第 1の光学異方性層の遅相軸とが 直交あるいは平行になるように積層されていることを特徴とする請求項 1 3〜 2 5のいずれかに記載の垂直配向型液晶表示装置。
27. 前記第 3の光学異方性層の遅相軸と前記第 5の光学異方性層の遅相 軸とが直交するように積層されていることを特徴とする請求項 1 3〜26のいず れかに記載の垂直配向型液晶表示装置。
28. 前記第 1の偏光板の吸収軸と前記第 3の光学異方性層の遅相軸との なす角度を p、 前記第 2の偏光板の吸収軸と前記第 5の光学異方性層の遅相軸と のなす角度を qとしたときに、 40° p ^ 50° 、 40° q^ 50° を満た すことを特徴とする請求項 1 3〜27のいずれかに記載の垂直配向型液晶表示装 置。
29. 前記第 1及ぴ第 2の偏光板は、 厚さ方向のリタ一デーシヨン R t h が 0より大きい支持層を有することを特徴とする請求項 13〜28のいずれかに 記載の垂直配向型液晶表示装置。
30. 前記垂直配向型液晶セルの一方の基板が反射機能を有する領域と透 過機能を有する領域とを有する基板であることを特徴とする請求項 13〜29の いずれかに記載の垂直配向型液晶表示装置。
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