WO2007138883A1

WO2007138883A1 - メモリ素子、データ記録方法及びｉｃタグ

Info

Publication number: WO2007138883A1
Application number: PCT/JP2007/060199
Authority: WO
Inventors: Yuichiro Haramoto; Takamasa Kato; Kohki Hiroshima
Original assignee: Yamanashi University; Nippon Chemical Industrial Co., Ltd.
Priority date: 2006-05-31
Filing date: 2007-05-18
Publication date: 2007-12-06
Also published as: CN101454902A; TWI352995B; US20090116276A1; KR20090029719A; CN101454902B; TW200811862A; US7965534B2; JP2007324314A

Abstract

　本発明のメモリ素子は、液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層にレーザー光をスポット照射して選択的に加熱処理を行い該液晶化合物の液晶状態の分子配向を利用して情報を記憶するメモリ素子であって、互いに平行な複数本の線状の電極から形成された第１の電極群と、前記第１の電極群を覆うように形成された、長い直線的共役構造部分を持ち液晶相としてスメクチック相を有する液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層と、前記導電性液晶半導体材料層上に前記第１の電極群の電極と交差する方向に延びる互いに平行な複数本の線状の透明電極から形成された第２の電極群と、を有することを特徴とする。

Description

明細書

メモリ素子、データ記録方法及び ICタグ

技術分野

[0001] 本発明は、導電性液晶半導体を用いたメモリ素子、データ記録方法及び ICタグに関するものである。

背景技術

[0002] シリコンや化合物半導体に替わる半導体素材として有機半導体が注目されている。

従来の半導体による半導体素子は高真空下、高温下の製造プロセスが不可欠であるため製造コストの低減が困難である。これに対して、有機物が半導体素材として使用できれば、半導体塗液の塗布や室温域での真空蒸着等の単純なプロセスによつて半導体素子が形成可能になる。

[0003] 本発明者らは、先に長い直線的共役構造部分を持ち液晶相としてスメクチック相を有する液晶化合物は、スメクチック相の液晶状態で電圧を印加する力、又はスメクチック相からの相転移で生じる固体状態で電圧を印加することにより、光励起なしで優れた電荷輸送能を有することから、該液晶化合物を、例えば有機エレクト口ルミネッセンス材料や薄膜トランジスタ一等の有機半導体素子に用いることを提案した (例えば、特許文献 1〜5参照。）。

[0004] 特許文献 1 :特開 2004— 6271号公報

特許文献 2：国際公開第 2004Z85360号パンフレット

特許文献 3：国際公開第 2004Z85359号パンフレット

特許文献 4：特開 2004— 311182号公報

特許文献 5 :特開 2005— 142233号公報

発明の開示

[0005] 本発明者らは、更に導電性液晶半導体の用途について鋭意研究を進める中で、メモリ素子の情報記録部を、該導電性液晶半導体を用いて半導体塗液の塗布や室温域での真空蒸着等の単純なプロセスにより提供することができることを見出し、本発明を完成するに到った。 [0006] 即ち、本発明は、導電性液晶半導体を用いて半導体塗液の塗布や室温域での真空蒸着等の単純なプロセスにより情報記録部を作製することができる新規なメモリ素子、これを用いたデータ記録方法及び ICタグを提供することを目的とする。

[0007] 本発明が提供する第 1の発明は、液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層にレーザー光をスポット照射して選択的に加熱処理を行い該液晶化合物の液晶状態の分子配向を利用して情報を記憶するメモリ素子であって、互いに平行な複数本の線状の電極から形成された第 1の電極群と、前記第 1の電極群を覆うように形成された、長、直線的共役構造部分を持ち液晶相としてスメクチック相を有する液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層と、前記導電性液晶半導体材料層上に前記第 1 の電極群の電極と交差する方向に延びる互いに平行な複数本の線状の透明電極から形成された第 2の電極群と、を有することを特徴とするメモリ素子である。

[0008] また、本発明が提供する第 2の発明は、前記液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層に前記透明電極を透過させたレーザー光をスポット照射して加熱処理することを特徴とする前記第 1の発明のメモリ素子のデータ記録方法である。

[0009] また、本発明が提供する第 3の発明は、前記第 1の発明のメモリ素子を用いてなることを特徴とする ICタグである。

図面の簡単な説明

[0010] [図 1]本発明のメモリ素子の実施形態の一つの断面構造を示す模式図である。

[図 2]本発明のメモリ素子の実施形態の一つの上面構造を示す模式図である。

[図 3]本発明のメモリ素子の実施形態の一つの製造例を説明する模式図である。

[図 4]本発明のメモリ素子の実施形態の一つにおいてレーザー光をスポット照射する位置を示す模式的斜視図である。

[図 5]本発明のメモリ素子の実施形態の一つにレーザー光をスポット照射した後の該メモリ素子内の状態を示す模式的断面図である。

[図 6]本発明のメモリ素子の実施形態の一つにレーザー光をスポット照射した後の該メモリ素子内の導電性液晶半導体材料層の [0]、[1]の書込み状態を示す模式図である。

[図 7]本発明の ICタグの実施形態の一つの上面構造を示す模式図である。 [図 8]実施例で調製した導電性液晶半導体材料層を 150°Cで 3分間加熱処理し、室温（25°C)まで自然冷却して得られた固体状態のものが基板に対して分子配向として水平配向をとっていることが観察された偏光顕微鏡写真である。

[図 9]実施例で調製した導電性液晶半導体材料層の導電性 (電圧と電流量との関係 )を評価するために使用した素子の概略構成図である。

[図 10]実施例で調製した導電性液晶半導体材料層を加熱してスメクチック液晶状態とした後、自然冷却し固体状態にしたときの電圧と電流量との関係、及び加熱処理を行わなかった該導電性液晶半導体材料層につ!/ヽての電圧と電流量との関係を示す図である。

[図 11]実施例で調製した導電性液晶半導体材料層をレーザー光でスポット照射して加熱処理したもの力スポット的に基板に対して分子配向として水平配向をとつていることが観察された偏光顕微鏡写真である。

[図 12]実施例で調製した導電性液晶半導体材料層を 150°Cで 3分間加熱処理し、室温 (25°C)まで自然冷却して得られた固体状態の液晶化合物が分子長軸方向に偏光した蛍光を発光することが観察された偏光顕微鏡写真である。

[図 13]本発明のメモリ素子の実施形態の一つにおいて、液晶分子の分子長軸方向と読み取る偏光板の透過軸の方向の関係を示す図である。

発明を実施するための最良の形態

[0011] 本発明のメモリ素子は、液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層にレーザー光をスポット照射して選択的に加熱処理を行!、該液晶化合物の液晶状態の分子配向を利用して情報を記憶するメモリ素子であって、互いに平行な複数本の線状の電極から形成された第 1の電極群と、前記第 1の電極群を覆うように形成された、長い直線的共役構造部分を持ち液晶相としてスメクチック相を有する液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層と、前記導電性液晶半導体材料層上に前記第 1の電極群の電極と交差する方向に延びる互いに平行な複数本の線状の透明電極から形成された第 2の電極群と、を有することを特徴とする。

[0012] 本発明のメモリ素子において情報記録部となる前記導電性液晶半導体材料層は、通常、液晶分子配列を持っていない状態の液晶化合物を含み、レーザー光による選択的な加熱処理により、選択的に加熱処理されたスポットのみがスメクチック相の分子配列を形成し、このスポット (スメタチック液晶状態のスポット）は室温下においても導電性を持つと同時に光学的異方性を持つ。従って本発明のメモリ素子によれば、電気的方法で情報の読み出しができると同時に光学的方法でも情報の読み出しが出来ることも特徴の一つである。このため本発明のメモリ素子は、電気的な読み出しに不具合が生じた場合においても光学的方法により情報の読み出しが出来るので、ノックアップ機能に優れたものである。

[0013] 以下、本発明のメモリ素子の実施形態を、図面を用いて説明する。図 1〜図 2は、本発明のメモリ素子の一実施形態を示す模式図である。

[0014] 図 1に示すように、本実施形態のメモリ素子（1)は、下部基板 (6)上に、第 1の電極群（5)、長い共役結合を持ち液晶相としてスメクチック相を有する液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層 (4)、第 2の電極群 (3)、透明基板 (2)が順次設けられてなる。

[0015] 下部基板 (6)の材質は、特に制限されるものではなぐ例えば合成樹脂類、天然榭脂類等が単体または混合体、共重合体或いは複合体として用いられ、具体的には、ポリエステル榭脂、アクリロニトリルスチレン榭脂、アクリル榭脂、ポリエチレン榭脂、ポリプロピレン榭脂、ポリアミド榭脂、ポリアセタール榭脂、ポリカーボネート榭脂、 ABS 榭脂、ポリエチレンテレフタレート (PET)榭脂、ポリ塩化ビュル榭脂、酢酸ビュル榭脂、ポリ乳酸、ポリビュルアルコール榭脂、ポリウレタン榭脂、変性 PPO榭脂、ポリブチレンテレフタレート榭脂、ポリフエ-レンサルファルド榭脂等の熱可塑性榭脂、もしくはそれらの材料の複合による樹脂の混合体、共重合体等を用いることができ、さらにはガラス繊維または顔料、充填剤の添カ卩による強化榭脂等が挙げられる。またポリ乳酸、ポリ力プロラタトン、ポリ（3ヒドロキシブチレ一トーヒドロキシヴァリレート）、ポリビ- ルアルコール榭脂などの生分解性榭脂を用いることができ、さらにはそれら榭脂単体また榭脂混合体、共重合体を用いることができる。

[0016] 下部基板上（6)上に設けられた第 1の電極群（5)は、図 2に示すように、互いに平行な複数本の線状の電極カゝら構成される。第 1の電極群で使用する電極の材料は、例えば白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジゥム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ 'アンチモン、酸化インジウム'スズ (ITO)、フッ素ドープ酸ィ匕亜鉛、亜鉛、炭素、グラフアイト、グラッシ一カーボン、銀ペースト及び力一ボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カノレシゥム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウムカリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム Z銅混合物、マグネシゥム Z銀混合物、マグネシウム Zアルミニウム混合物、マグネシウム Zインジゥム混合物、アルミニウム Z酸ィ匕アルミニウム混合物、リチウム Zアルミニウム混合物等が用いられる。あるいはドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば、導電性ポリア-リン、導電性ポリピロール、導電性ポリチォフェン、ポリエチレンジォキシチォフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体等も好適に用いられる。中でも半導体層との接触面にぉ、て電気抵抗が少な、ものが好まし、。

[0017] 導電性液晶半導体材料層 (4)は、第 1の電極群 (5)を覆うように形成される。本発明に係る導電性液晶半導体材料層は、長、直線的共役構造部分を持ち液晶相としてスメクチック相を有する液晶化合物を、好ましくは 70重量％以上、特に好ましくは 9 0重量％以上含む。該導電性液晶半導体材料層中の該液晶化合物の含有率が 70 重量％未満では、スメクチック相の分子配列を保持させることが難しくなり、レーザー光を照射したスポットも導電性が低、ものが得られ、レーザー光により情報の記録ができなくなるおそれがある。

[0018] 前記長、直線的共役構造部分を持ち液晶相としてスメクチック相を有する液晶化合物 (以下、「本発明に係る液晶化合物」ともいう）としては、好ましくは下記一般式 (3 a)〜（3g)の液晶化合物を挙げることができる。

[0019] [化 1]

R¹ •A—— C≡C- -A一 R (3b)

n

R¹ A一 N=N A—— R² (3c)

门

R¹ -A一 CH=N- -A—— R² (3d)

R -A—— CH=CH- -A—— R' (3e)

_R1一 A一 CH= —— A—— N=CH—— A—— R² ( 3f )

R¹—— A—— N=CH— A—— CH=N—— A—— R² ( 3g ) 式（3 a：) 〜（3 g) 中、 R¹及び R²は、同一の又は異なる直鎖状若しくは分岐状のァルキル基、アルコキシ基、シァノ基、ニトロ基、 F、一 C (O) O (CH₂) _m—CH₃、一 C (O) - (CH₂) _m— CH₃、又は下記一般式（2) を示す。

R³

CH₂=C—— B ^{(2 )}

式（2) 中、 R ³は水素原子又はメチル基、 Bは— （CH₂) _m―、一 (CH₂) _m— O—、 — CO— 0— (CH₂) _m―、 — C₆H₄— CH₂— O—又は— CO—を示す。 mは 1~18 の整数を示す。 nは 1~3の整数を示す。前記一般式（3a)〜（3g)中の R¹又は R²の前記アルキル基としては、炭素数 3〜20 のものが好ましく用いられる。アルキル基の具体例としては、例えば、ブチル基、へキシル基、ヘプチル基、ォクチル基、ノ-ル基、デシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、ォクタデシル基等が挙げられる。特に、アルキル基が一般式 CH - (CH ) ― C

3 2

H(CH ) - (CH ) -CH一（式中、 Xは 0〜7の整数、 yは 0〜7の整数を示す）で表される分岐状のアルキル基の場合は、各種溶媒への溶解性を向上させることができるので好ましい。

[0021] 前記一般式（3a)〜（3g)中の R¹又は R²の前記アルコキシ基としては、一般式 C H n 2:

O で表される式中の nが 3〜20の整数であることが好ましい。特に、アルコキシ基

+1

が一般式 CH— (CH ) -CH (CH ) (CH ) —CH—O （式中、 xは 0〜7の整

3 2 3 2 2

数、 yは 0〜7の整数を示す)で表される分岐状のアルコキシ基の場合は、各種溶媒への溶解性を向上させることができるので好ましい。

また、 R¹と R²の基の組合せがアルキル基とアルコキシ基の場合にぉ、て特に各種溶媒への溶解性を更に向上させることができる。

[0022] また、前記一般式（3a)〜（3g)中の Aとしては、下記式 (4a)〜（4e)の基が挙げられる。

[0023] [化 2]

[0024] 本発明に係る液晶化合物 (長、直線的共役構造部分を持ち液晶相としてスメクチック相を有する液晶化合物）は、シス体、トランス体あるいはその混合物であってもよい

[0025] 本発明に係る液晶化合物は、下記一般式（1)で表されるスチリル誘導体が好ましい。

[化 3]

式（1 ) 中、 R ¹及び R ²は前記と同義。 nは 2〜 3の整数を示す。

[0026] 前記一般式（1)で表わされるスチリル誘導体は、下記反応式（1)、下記反応式（2) 又は下記反応式（3)に従って容易に製造することができる。

即ち、前記反応式（1)によれば、前記一般式（1)中の R¹と R²が同一の基を有し、 n 力 S 2のスチリル誘導体を得ることができる。

また、前記反応式（2)によれば、前記一般式（1)中の R¹と R²が異なる基を有し、 nが 2のスチリル誘導体を得ることができる。

また、前記反応式（3)によれば、前記一般式（1)中の nが 3のスチリル誘導体を製造することができる。

[0027] [化 4]

反応式（1 )

卜ランス体

反応式（1 ) 中、 R = R〗 = R ²を示し、

[0028] 前記反応式（1)の反応は、具体的には、 p キシレンビス（トリフエニルホスホ-ゥムブロマイド）（化合物（6) )に対して、ベンズアルデヒド誘導体 (化合物（5) )を好ましくは 2〜4倍モル、更に好ましくは 2〜2. 5倍モル及びアルコキシド等の塩基を好ましくは 1〜5倍モル、更に好ましくは 3. 5〜4. 5倍モル用い、メタノール、エタノール等のアルコール等の溶媒中で好ましくは 0〜100°C、更に好ましくは 20〜50°Cで 0. 5 〜50時間、一層好ましくは 5〜30時間反応を行うことによりなされ、目的とする前記一般式（1)で表わされるスチリル誘導体 (化合物（1 1) )を得ることができる (特開 2 004— 6271号公報及び国際公開第2004 085360号公報参照)。

[0029] [化 5] 反応式（2)

( 1-2 )

卜ランス体反応式（2 ) 中、 R ¹と R ²は前記と同義。 Bはメチル基、ェチル基、フエニル基等の一価の有機基、 Xは塩素、臭素等のハロゲン原子を示す。

[0030] 前記反応式（2)の反応は、具体的には、ベンズアルデヒド誘導体 (化合物（7) )に対して、ホスホ-ゥム塩 (ィ匕合物（8) )を好ましくは 1〜3倍モル、更に好ましくは 1〜1 . 5倍モル及びアルコキシド等の塩基を好ましくは 1〜4倍モル、更に好ましくは 2〜3 倍モル用い、メタノール、エタノール等のアルコール等の溶媒中で好ましくは 20〜 50°C、更に好ましくは— 5〜25°Cで 1〜20時間、一層好ましくは 5〜15時間反応を行うことによりなされ、目的とする前記一般式（1)で表わされるスチリル誘導体 (ィ匕合物（1 2) )を得ることができる（国際公開第 2004Z085359号公報参照。 )。

[0031] [化 6]

卜ランス体

反応式（3 ) 中、 R ¹及び R ²は前記と同義。

[0032] 前記反応式（3)の反応は、具体的には、前記べンズアルデヒド誘導体 (化合物（7) )に対して、ホスホ-ゥム塩 (ィ匕合物（9) )を好ましくは 0. 9〜1. 1倍モル、更に好ましくは 1倍モル程度及びアルコキシド等の塩基を好ましくは 0. 8〜5倍モル、更に好ましくは 1倍モル程度用い、メタノール、エタノール等のアルコール等の溶媒中で好ましくは 0〜150°C、更に好ましくは 30〜80°Cで 5時間以上、一層好ましくは 10〜30時間反応を行うことによりなされ、目的とする前記一般式（1)で表わされるスチリル誘導体 (化合物（ 1— 3) )を得ることができる（特願 2006 - 37149号参照。）。

[0033] 更に、前記反応式（1)、反応式（2)又は反応式（3)の反応において、得られたスチリル誘導体 (化合物（1 1、 1 2、 1 3) )をヨウ素の存在下に溶媒中で加熱処理することにより、該スチリル誘導体 (化合物（1 1、 1 2、 1 3) )に相当するトランス体を選択的に得ることができる。この場合、ヨウ素の添加量はスチリル誘導体 (ィ匕合物（

1— 1、 1— 2、 1— 3) )に対して 0. 001〜0. 1倍モル、好ましくは 0. 005〜0. 01倍モルであり、加熱処理温度は 100〜180°C、好ましくは 130〜150°Cである。また、この際、用いることができる溶媒は、例えばベンゼン、トルエン、 o—キシレン、 m—キシレン、 p—キシレン、クロ口ベンゼン、 o—ジクロロベンゼン、 m—ジクロロベンゼン、 p— ジクロロベンゼン等が挙げられ、これは 1種又は 2種以上で用いることができる。

[0034] 本発明に係る導電性液晶半導体材料層は、アルキル鎖の長さが異なる前記一般式（1)で表されるスチリル誘導体から選ばれた化合物を 2成分以上含有するものが好ましい。斯カる導電性液晶半導体材料層を用いることにより、液晶分子のスメクチック相の分子配列の記憶が向上し室温域に戻った状態でもスメクチック相の分子配列をほぼ完全に記憶させることができ、また、特に導電性が高いものが得られる。

この場合、アルキル鎖の長さが異なる前記一般式（1)で表わされるスチリル誘導体同士の組み合わせが好ましぐアルキル鎖の長さが異なる炭素数 3〜18の任意の 2 成分以上の化合物の組合せが特に好ま、。

尚、本発明において、前記アルキル鎖とは、 R¹と R²がアルコキシ基の場合は、一般式； C H O—のアルコキシ基の式中の「C H 」のアルキル基の部分を示す。また n 2n+l n 2n+l

、本発明において、前記アルキル鎖の長さとは、アルキル鎖を構成する炭素の数 (C 数)を意味する。

[0035] 本発明に係る導電性液晶半導体材料層に使用する液晶化合物の特に好まヽ組合せは、前記一般式（1)中の R¹と R²が炭素数 12〜18のアルキル基又は一般式; C H O—（式中、 nは 12〜18の整数を示す）で表わされるアルコキシ基力も選ばれる

2n+l

基であるスチリル誘導体 (A)と、前記一般式（1)中の R¹と R²が炭素数 6〜11のアルキル基又は一般式； C H O—（式中、 nは 6〜： L 1の整数を示す）で表わされるアル

n 2n+l

コキシ基力も選ばれる基であるスチリル誘導体 (B)とを含有するものである。

[0036] 本発明に係る導電性液晶半導体材料層におヽて、前記のように 2成分以上の液晶化合物 (スチリル誘導体)の混合物とする場合、その各成分の配合割合は、スメクチック相の液晶相を示す温度範囲が 100〜250°C、特に 130〜250°Cとなるように任意の配合割合で調製されることが好まヽ。スメクチック相の液晶相を示す温度範囲が 100〜250°C、特に 130〜250°Cであると、少なくとち 100°C程度、特に 130°C程度の実用的な温度での耐熱性を有し、更に、特に室温域での導電性が高い導電性液晶半導体材料層が得られる点で特に好ましい。

[0037] 前記各成分の配合割合は、用いるスチリル誘導体によって大きく異なる力例えば、本発明におヽて好ま、組み合わせの一つである前記スチリル誘導体 (A)として前記一般式（1)中の R¹と R²が C H O—のアルコキシ基であるスチリル誘導体を用

15 31

い、前記スチリル誘導体 (B)として前記一般式（1)中の R¹と R²が C H O—のアルコ

10 21

キシ基であるスチリル誘導体を用いる場合には、前記スチリル誘導体 (A)に対するモル比で前記スチリル誘導体 (B)が 0. 90〜： L 10、好ましくは 1である。

[0038] 図 2に示すように、本実施形態のメモリ素子（1)は、前記導電性液晶半導体材料層

(4)上に、前記第 1の電極群 (5)の電極と交差する方向に延びる互!ヽに平行な複数本の線状の透明電極から形成された第 2の電極群 (3)を有する。使用できる透明電極の種類は、特に制限されるものではないが、例えば ITO、 ZnO、 PEDOT-PSS 等を使用することができる。

[0039] 前記第 2の電極群 (3)上には透明基板 (2)が設置される。使用できる透明基板の材質は特に制限されるものでなぐ例えばガラス、ポリエチレンテレフタレート (PET) 、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、 EVAなどのポリオレフイン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビ-リデンなどのビ- ル系榭脂、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、アクリル榭脂、メタタリレート、トリアセテートセルロースなどを使用することができる。

[0040] このような構成を持つ本実施形態のメモリ素子（1)は、例えば下記製造例 1又は製造例 2によって製造することができる。

[0041] 製造例 1：下部基板 (6)上に第 1の電極群 (5)を、透明基板 (2)上に透明電極から形成された第 2の電極群 (3)をそれぞれ形成し、次に電極群 (5)を形成した下部基板 (6)に前記液晶相としてスメクチック相を有する液晶化合物を含む層を、該電極群

(5)を覆うように形成させてこの層を導電性液晶半導体材料層（4)とし、該導電性液晶半導体材料層 (4)を形成した下部基板 (6)と電極群 (3)を形成した透明基材 (2) とを圧着する方法 (図 3の製造例 1参照。 )₀

[0042] 製造例 2 :下部基板 (6)上に第 1の電極群（5)を、透明基板 (2)上に透明電極から形成された第 2の電極群 (3)をそれぞれ形成し、次に該透明電極上に前記液晶相としてスメクチック相を有する液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層（4)を形成させる。一方、電極群（5)を形成した下部基板 (6)上にも該電極群（5)を覆うように前記液晶相としてスメクチック相を有する液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層 (4)を形成させ、こうして得られた下部基板 (6)と透明基板 (2)とを導電性液晶半導体材料層 (4)で圧着する方法 (図 3の製造例 2参照。 )

[0043] 尚、電極の形成方法としては、前記の電極原料を蒸着やスパッタリング等の方法を用いて形成した導電性薄膜を、公知のフォトリソグラフ法やリフトオフ法を用いて電極形成する方法、アルミニウムや銅等の金属箔上に熱転写、インクジェット等によるレジストを用いてエッチングする方法等がある。また導電性ポリマーの溶液あるいは分散液、導電性微粒子分散液を直接インクジェットによりパターユングしてもよいし、塗工膜からリソグラフやレーザーアブレーシヨン等により形成してもよい。さらに導電性ポリマーや導電性微粒子を含むインク、導電性ペースト等を凸版、凹版、平版、スクリーン印刷等の印刷法でパターユングする方法も用いることができる。

[0044] また、導電性液晶半導体材料層を形成する方法としては、例えば、真空蒸着、斜方真空蒸着、或いは液晶化合物を溶媒に溶解し、印刷法、ディップコート法、或いはスピンコーティング法による塗布方法により層形成させる方法等がある。また、前記印刷法としては、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法等が挙げられる力これらに限定されるものではない。

[0045] 以下に、図 1に示すメモリ素子（1)の製造方法の具体例を示す。尚、本具体例で使用するスチリル誘導体 (液晶化合物）は、後述する〔実施例〕の項に示した手順 (合成例 1、合成例 2)に従って調製することができるものである。

[0046] <メモリ素子（1)の製造方法の具体例 >

ポリエチレンテレフタレートの下部基板（6)上（寸法 2 X 2mm、厚さ 0. 7mm)に巿販の銀分 75重量％、バインダ榭脂 15重量％、溶剤 10重量％を含む導電性ペーストを用い、スクリーン印刷し、 50°C20分の予備乾燥を経て、 150°Cで 30分の焼成を行うことで平行な複数本の線状の銀電極カゝらなる第 1の電極群 (5)を製造する。

次に、合成例 1及び合成例 2 (後述する〔実施例〕の項の記載参照）で得られたスチリル誘導体 (A)及び (B)の等モル比の混合試料 40mgをサンプルボードに入れ、蒸着装置に取り付ける。基板と試料との距離を 12cmとして真空計を見て気化状態を確認しながら真空蒸着を行い、蒸着終了後、窒素ガスを、乾燥剤を通して導入し大気圧に戻して膜厚が例えば 300nmの導電性液晶半導体材料層（4)を製造する。一方、スパッタリング法で形成した ITO薄膜を、フォトリソグラフ法を用いてポリカーボネートの透明基板 (2)上（寸法 2 X 2mm、厚さ 0. 7mm)に平行な複数本の線状の ITO電極カゝらなる第 2の電極群 (3)を製造する。そして、この電極群 (3)を形成した透明基板 (2)に前記で形成した導電性液晶半導体材料層 (4)を有する下部基板 (6 )を圧着してメモリ素子（1)を製造する。

[0047] 本発明のメモリ素子は、前記液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層に前記透明電極を透過させたレーザー光をスポット照射して加熱処理することにより、データ記録を行う。

本実施形態のメモリ素子（1)は、液晶分子配列を持っていない状態の前記液晶化合物を含む前記導電性液晶半導体材料層（4)にレーザー光をスポット照射して選択的に加熱処理を行!、、該液晶化合物の液晶状態の分子配列の生成を行って導電性及び光学異方性の 2つの性質を同時に持つスポットを形成させ、該導電性を持つスポットと非導電性のスポット及び光学異方性の相違により情報を記憶することができ、電気的方法及び光学的方法の異なる 2つの方法のいずれでも情報の読み出しが可能なものであり、斯カるメモリ素子（1)を用いたデータ記録は、例えば次のようにして行うことができる。

[0048] 即ち、本実施形態のメモリ素子（1)を用いたデータ記録は、図 4及び図 5に示すように、導電性液晶半導体材料層（4)に第 2電極群 (3)の透明電極を透過させたレーザ一光（7)を、第 1の電極群 (5)の電極と第 2の電極群 (3)の透明電極との交差地点にスポット照射して選択的に加熱処理を行うことにより、行うことができる。該導電性液晶半導体材料層 (液晶分子配列を持って 1ヽな 1ヽ状態の液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層）はレーザー光で処理しないものは絶縁性であるのに対して、レーザ一光で処理したスポット (導電性スポット（8) )だけ、スメクチック相の液晶状態となり、レーザー光の照射後、室温下においてもスメクチック相の分子配列のほぼ完全に保持された固体状態で極めて高い導電性と光学異方性を示す。このため、例えば絶縁状態で光学的異方性も示さない状態の導電性液晶半導体材料層 (4)にレーザー光をスポット照射して選択的にスメクチック液晶状態のスポットを形成させることにより、このスポットは極めて高い導電性と光学異方性を示すことから非導電性部分と導電性部分或いは光学異方性の相違により同時にデータの記録を行うことができる。

また、照射するレーザー光はエネルギー密度が特に 10 X 10³WZcm²以上、好ましくは 15 X 10³WZcm²以上、特に好ましくは 15 X 10³〜35 X lo Zcm²で鮮明にデータの記録を行うことができる。尚、波長等のその他の条件は特に制限されるものではない。

[0049] 尚、本発明のメモリ素子おいて、データ記録前（レーザー光照射前）における、前記導電性液晶半導体材料層に含まれる全ての前記液晶化合物に占める前記「液晶分子配列を持っていない状態の液晶化合物」の割合は、好ましくは 95重量％以上、特に好ましくは 99重量％以上である。該割合が 95重量％未満では、記録されたデータの信頼性が低くなるおそれがある。

[0050] 前記加熱処理により、図 6に示すように、導電性液晶半導体材料層（4)に高導電性 •高光学的異方性を示すスメクチック液晶状態のスポット [1]と、低導電性'高光学的異方性を示すスポット [0]とによる [0] [1]記載によりデータが記録される。

[0051] 更に本発明のメモリ素子においては、導電性液晶半導体材料層をレーザー光でスポット照射して選択的に加熱処理を行ったスポットは、液晶化合物の分子長軸方向に偏光した蛍光を発光するスポットを形成する。このため、該液晶化合物の分子長軸方向を制御することにより、 1スポットに光学的に多重記録することができる。即ち、本発明のメモリ素子のデータ記録方法は、前記液晶化合物を含む前記導電性液晶半導体材料層にレーザー光をスポット照射して選択的に加熱処理を行ヽ、該液晶化合物の液晶状態の分子配列の生成を行って、該液晶化合物の分子長軸方向に偏光した蛍光を発光するスポットを形成させ、 1スポットに光学的に多重記録することを特徴とする形態を含む。 [0052] また、前記メモリ素子のデータ記録方法により記録されたデータの読み出し (多重記録されたデータの読み出し）は、前記液晶化合物の分子長軸方向に偏光した蛍光を発光するスポットに励起光を照射し、生じた蛍光偏光の振動方向に、偏光板の透過軸の方向を合わせることにより行うことができる。

[0053] 本発明の [0] [1]記載のメモリ素子は、既存の読み取り回路に接続して [0] [1]を読み込むことができる。

[0054] また、前記導電性液晶半導体材料層のスメクチック液晶状態は可逆的であり、液体状態からの冷却時に超音波による振動などを与えて超音波等による振動を与えて分子配向を乱すことにより、スメクチック液晶状態力低導電性，高光学的異方性を示すアモルファス状態にすることができる。

[0055] 次に、本発明の ICタグについて説明する。

本発明の ICタグは、前述した本発明のメモリ素子を用いてなることを特徴とする。以下、本発明の ICタグを、図 7を用いて説明する。図 7は、本発明の ICタグの一実施形態を示す上面図である。

[0056] 図 7に示すように、 ICタグ（9)は、フィルム状のプラスチック基板（11)と、プラスチック基板 (11)上に設けられたアンテナ部（12)及び集積回路部（10)とを備え、また、絶縁層 (13)力アンテナ部（12)を構成するアンテナ線の始点と終点との間にあるァンテナ線を覆い、その上をジャンパー線で接続され、そして、集積回路部（10)には、前述した本発明のメモリ素子が設けられている。尚、 ICタグ (9)は、表面に保護膜を更に備えていてもよい。また、 ICタグ（9)は、裏面に粘着効果を持たせることで、菓子袋や、ドリンク缶のような曲面形状を有するものにも貼り付けて使用することができる。

[0057] 前記フィルム状のプラスチック基板（11)の材質は特に限定されるものではなぐ一般的に ICカード、 ICタグに用いられる榭脂が用いられる。例えば、合成樹脂類、天然榭脂類等が単体または混合体、共重合体或いは複合体として用いられ、具体的には、ポリエステル榭脂、アクリロニトリルスチレン榭脂、アクリル榭脂、ポリエチレン榭脂、ポリプロピレン榭脂、ポリアミド榭脂、ポリアセタール榭脂、ポリカーボネート榭脂、 AB S榭脂、ポリエチレンテレフタレート（PET)榭脂、ポリ塩化ビュル榭脂、酢酸ビュル榭脂、ポリ乳酸、ポリビュルアルコール榭脂、ポリウレタン榭脂、変性 PPO榭脂、ポリブチレンテレフタレート榭脂、ポリフエ-レンサルファルド榭脂等の熱可塑性榭脂、もしくはそれらの材料の複合による樹脂の混合体、共重合体等を用いることができ、さらにはガラス繊維または顔料、充填剤の添カ卩による強化榭脂等が挙げられる。またポリ乳酸、ポリ力プロラタトン、ポリ（3ヒドロキシブチレ一トーヒドロキシヴァリレート）、ポリビ- ルアルコール榭脂などの生分解性榭脂を用いることができ、さらにはそれら榭脂単体また榭脂混合体、共重合体を用いることができる。

[0058] アンテナ部（12)は、例えば白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテ-ゥム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ 'アンチモン、酸化インジゥム 'スズ (ITO)、フッ素ドープ酸ィ匕亜鉛、亜鉛、炭素、グラフアイト、グラッシ一力一ボン、銀ペースト及びカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシゥム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム一カリウム合金、マグネシウム、リチウム、ァノレミ-ゥム、マグネシウム Z銅混合物、マグネシウム Z銀混合物、マグネシウム Zアルミニウム混合物、マグネシウム Zインジウム混合物、アルミニウム Z酸ィ匕アルミニウム混合物、リチウム Zアルミニウム混合物等が用いられる。あるいはドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば、導電性ポリア-リン、導電性ポリピロール、導電性ポリチォフェン、ポリエチレンジォキシチォフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体等も好適に用いられる。

[0059] アンテナ部（12)の形成方法としては、公知の方法を用いることができる力スクリーン印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法、インクジェット印刷法等の印刷法が好ましい。また、印刷法を適用する場合、必要に応じて導電性ペーストにバインダ榭脂を含有させ基板への接着性を向上させることができる。

[0060] 以上のようにしてアンテナ部（12)を形成した後、本発明のメモリ素子の集積回路部

(10)を実装して ICタグを製造する。集積回路部とアンテナ部を接続する接着材料としては、公知の異方導電性フィルム、異方導電性ペースト、絶縁性ペースト等を用いてよぐ塗布方法としては、デイスペンス法、印刷法等が挙げられる。

[0061] 以下に、図 7に示す ICタグ（9)の製造方法の具体例を示す。尚、本具体例で使用するメモリ素子は、前記くメモリ素子（1)の製造方法の具体例 >に従って製造することがでさるちのである。

[0062] < ICタグ（9)の製造方法の具体例 >

ポリエチレンテレフタレート製のプラスチック基板（11)を用い、市販の銀分 75重量 %、バインダ榭脂 15重量％、溶剤 10重量％を含む導電性ペーストを用い、ループ状アンテナをスクリーン印刷し、 50°C20分の予備乾燥を経て、 150°Cで 30分の焼成を行うことでアンテナ部（12)を製造する。

また、ジャンパー部に市販の絶縁ペーストを 2回印刷し、更にアンテナを形成したものと同じ導電性ペーストを使用してスクリーン印刷してジャンパー線を製造する。そして、アンテナ両端に集積回路部（10)としてメモリ素子（1)と図示しない信号回路 ICとを、 ACF (異方導電性フィルム (粘着テープ) )で圧着して実装することで ICタグ (9)を製造する。

[0063] 以上、本発明の一実施形態に係るメモリ素子及び ICタグについて説明したが、本発明はこれらに限定されない。例えば、 ICタグにおいては、アンテナ部、集積回路部の配置や構成は任意に設定でき、また、信号処理 IC等の倫理回路部を更に組み込むことも可能である。

実施例

[0064] 以下、本発明を、実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明の範囲は斯力る実施例に限定されるものでな、。

[0065] (スチリル誘導体の調製）

<合成例 1；スチリル誘導体 ( A) >

1, 4 ビス（4 '—ペンタデカンォキシスチリル）ベンゼン一（E. E)の合成

(1)下記反応式に従って下記手順により P—ペンタデカンォキシベンズアルデヒドを調製した。

[0066] [化 7]

[0067] 100mlの四つ口フラスコを使用して 85wt%苛性カリ 2. 79g (42. 3mM)をジメチルホルムアミド 30ml〖こ懸濁させ、ここにヒドロキシベンズアルデヒド 5. 28g (43. 2m M)を含むジメチルホルムアミド溶液 10mlを 20°C以下に保持しながら滴下した。その後 30°Cで 1時間熟成した。次に 1 ブロモペンタデカン 9. 58g (32. 9mM)加え、 7 0°Cで 21時間熟成した。反応液を水に分散後、トルエンで抽出し、水で洗浄後、濃縮して微着色粘ちよう液 11. 03gを得た。次いでへキサンで再結晶処理して p ペンタデカノキシベンズアルデヒド 8. 91g (純度 98. 3%)を得た。

[0068] (2)下記反応式に従って下記手順により 1, 4 ビス（4' ペンタデカンォキシスチリル)ベンゼン異性体混合物 (ィヒ合物（la) )を調製した。

[0069] [化 8]

OHC

NaOMe

CHaCCHa)!^-^^— CH=CH— CH-CH^ ~0(0¾)₁₄0¾

( la )

[0070] 30mlの四つ口フラスコを使用して前記で合成した p—ペンタデカンォキシベンズァルデヒド 7. 87g (23. 7mM)、 p キシリレンビス（トリフエ-ルホスホ-ゥムブロミド） 8 . 65g (l l. OmM)をメタノール 100mlに懸濁させ、ここに室温（25°C)で 28wt%メチラート 6. 87g (35. 6mM)を滴下した。その後還流温度 65°Cで 3時間熟成した。メタノールを留去し、残留物に水 200mlを加えて攪拌の後、沈澱物を濾過した。この沈

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66T090/.00Zdf/X3d YZ C888Cl/.00Z OAV 相転移 CC)

合成例 1 C 138 SmG X70 SmF 226 SmC 3Q8 N 310 I

合成例 2 C 98 SmG 187 SmF 250 SmC 255 N 270 I 注） C :結晶、 SmG；スメクチック G相、 SmF ；スメクチック F相、 SmC ;スメクチック C相、 N ;ネマチック、 I ；等方性液体

[0076] <導電性液晶半導体材料層の評価〉

(1-1)

寸法 2X2mm、厚さ 0.7mmの ITO電極のパターンを持つガラス基板各 4枚にポリ (3，4 エチレンジォキシチォフェン）ポリスチレンスルホネート（以下、 PEDOT— PSSと呼ぶ）をスピンコーティングし、基板上の不要な部分を、イソプロパノールを用いて除去し、次いで 200°Cで 30分間熱処理し、 PEDOT— PSSを硬化させて PED OT— PSS層（膜厚 0. Ιμ ί)を得た。

この基板を真空蒸着装置に取り付け、前記合成例 1と合成例 2で得られたスチリル系誘導体の等モルの混合試料 40mgをサンプルボードに入れ、蒸着装置に取り付けた。基板と試料との距離を 12cmとして、真空計を見て気化状態を確認しながらサンプルボードに電流を流してゆき、真空蒸着を行った。蒸着終了後、窒素ガスを、乾燥剤を通して導入し、大気圧に戻し、膜厚が 300nmのスチリル誘導体を含む導電性液晶半導体材料層を形成した。

また、前記導電性液晶半導体 (合成例 1+合成例 2)を含む膜の相転移を表 2に示す。

[0077] [表 2]

表 2

注） C；結晶、 SmG；スメクチック G相、 SmF；スメクチック F相、 SmC：スメクチック C相、 N ;ネマチック、 I ；等方性液体

[0078] 前記（1 1)で調製した 4枚の基板を偏光顕微鏡観察したところ暗視野であった。このうち 2枚の基板を真空蒸着装置に戻し、窒素雰囲気中に、 150°Cで 3分間加熱処理してスメクチック液晶状態を発現させた。この基板を取り出し、室温下で偏光顕微鏡観察したところ明視野が確認された (図 8参照)。

[0079] また、前記（1— 1)で調製した 4枚の基板を真空蒸着装置にもどし、膜厚が 300nm のスチリル誘導体を含む導電性液晶半導体材料層の上にアルミニウムを蒸着し電極を形成して図 9に示す素子を作製し、この素子の ITO側に +をアルミ電極側にー電圧を印加し、電圧毎に素子に流れる電流量を測定した。その結果、 150°Cで加熱処理してスメクチック液晶状態を発現させた基板は電圧 6ボルトで加熱処理をしないものに対して 1,000,000倍の高!ヽ導電性を示した（図 10参照）。

[0080] これらの結果から、加熱処理により形成された基板ではスメクチック液晶分子配列が室温においても固定化され導電性及び光学異方性を示すものとなった。これに対して加熱処理を行わな力た基板では分子配列がバラバラであり絶縁体で光学異方性も示さないものであった。これにより加熱処理の有無により導電性と絶縁性の状態のもの或いは光学的異方性の相違があるものが得られることが確認された。

[0081] (1 - 2)

さらに、レーザー加熱による書込みができるかどうか、以下の実験を行った。

寸法 2 X 2mm、厚さ 0. 7mmの ITO電極のパターンを持つガラス基板各 4枚に PE DOT— PSSをスピンコーティングし、基板上の不要な部分を、イソプロパノールを用いて除去し、次いで 200°Cで 30分間熱処理し、 PEDOT— PSSを硬化させて PED OT— PSS層（膜厚。. l ^ m)を得た。

[0082] 前記（ 1 2)で調製した 4枚の基板を偏光顕微鏡観察したところ暗視野であった。この基板に炭酸ガスレーザー（最大出力 30W、波長 1050nm)を用いて 100 μ mの直径でビームを照射した。その結果 18 X 10³WZcm²程度の出力でレーザー加熱処理された基板において室温で偏光顕微鏡観察したところレーザー照射部分に明視野が確認された (図 11参照)。

これにより、レーザー加熱処理で形成されたスメクチック液晶分子配列が室温においても固定ィヒされ、尚且つレーザー加熱処理を行ったスポットのみが光学的異方性を有していることが明らかになった。

[0083] また、前記（1— 2)で調製した基板を真空蒸着装置にもどし、膜厚が 300nmのスチリル系誘導体の化合物層の上にアルミニウムを蒸着し電極を形成して前記と同様な素子（図 9参照）を作製し、この素子の ITO側に +をアルミ電極側に―電圧を印加し、素子に電圧毎に流れる電流を測定した。その結果、 150°Cで加熱処理したスメクチック液晶状態を発現させた基板は電圧 6ボルトで加熱処理をしないものに対して 1 ,0 00,000倍の高!、導電性を示した。

この結果よりレーザー光をスポット照射した基板ではスポット照射した部分だけスメクチック液晶分子配列が室温にぉ、ても固定ィ匕された導電性スポットとなった。これに対してレーザー光処理を行わな力つた基板では分子配列がバラバラであり絶縁体であった。これによりレーザー光処理の有無により導電性スポットと絶縁性スポットの状態のものが得られることが確認された。

[0084] (2- 1)

この基板を真空蒸着装置に取り付け、前記合成例 1と合成例 2で得られたスチリル系誘導体の等モルの混合試料 40mgをサンプルボードに入れ、蒸着角 45° で基板と試料との距離を 12cmとして、真空計を見て気化状態を確認しながらサンプルボードに電流を流してゆき、真空蒸着を行った。蒸着終了後、窒素ガスを、乾燥剤を通して導入し、大気圧に戻し、膜厚が 300nmのスチリル誘導体を含む導電性液晶半導体材料層を形成した。更に真空蒸着装置を用いて、窒素雰囲気中に、 150°Cで 3分間加熱処理してスメクチック液晶状態を発現させた。該液晶化合物の分子長軸方向を偏光顕微鏡により確認し、その分子長軸方向に偏光板の透過軸をあわせ、非偏光紫外線を基板に照射すると偏光板を通過する青色偏光が観察された（図 12 (a)参照)。次に、その偏光板の透過軸を 90度回転させ非偏光紫外線を基板に照射すると偏光板を青色偏光は通過しな力つた（図 12 (b)参照)。

基板からは、図 12 (a)の矢印方向の偏光がでていてこれをこの方向の透過軸を持つ偏光板で読み取ることができる。

従って、液晶半導体材料の分子長軸の向きの違いにより、多重記録ができ、偏光板の透過軸の角度をそれぞれ分子長軸の向きに合わせることにより、そのそれぞれの読み出しが可能である（図 13参照)。

産業上の利用可能性

以上、詳述したとおり、本発明のメモリ素子は、半導体塗液の塗布や室温域での真空蒸着等の単純なプロセスによりメモリ素子の情報記録部を作製することができ、また、その情報記録手段もレーザー光をスポット照射するという単純な作業で行うことができる。このため、該メモリ素子を用いることによりメモリ素子の作製力も ICタグの調製まで印刷法や単純なプロセスにより ICタグが製造可能になる。

Claims

請求の範囲

[1] 液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層にレーザー光をスポット照射して選択的に加熱処理を行い該液晶化合物の液晶状態の分子配向を利用して情報を記憶するメモリ素子であって、

互いに平行な複数本の線状の電極から形成された第 1の電極群と、

前記第 1の電極群を覆うように形成された、長い直線的共役構造部分を持ち液晶相としてスメクチック相を有する液晶化合物を含む導電性液晶半導体材料層と、前記導電性液晶半導体材料層上に前記第 1の電極群の電極と交差する方向に延びる互いに平行な複数本の線状の透明電極から形成された第 2の電極群と、を有することを特徴とするメモリ素子。

[2] 液晶分子配列を持って!/、な、状態の前記液晶化合物を含む前記導電性液晶半導体材料層にレーザー光をスポット照射して選択的に加熱処理を行 1ヽ、該液晶化合物の液晶状態の分子配列の生成を行って導電性及び光学異方性の 2つの性質を同時に持つスポットを形成させ、該導電性を持つスポットと非導電性のスポット及び光学異方性の相違により情報を記憶することができ、電気的方法及び光学的方法の異なる 2つの方法のいずれでも情報の読み出しが可能な請求の範囲第 1項記載のメモリ素子。

[3] 前記液晶化合物が下記一般式（1)で表されるスチリル誘導体である請求の範囲第 1項記載のメモリ素子。

[化 1]

式（1) 中、 R¹及び R ²は同一の又は異なる直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、アルコキシ基、シァノ基、ニトロ基、 F、 — C (O) O (CII₂) _m— CH₃、一 C (O) 一 (C H₂) _m— CH₃、又は下記一般式（2) を示す。

R³

CH,=C- -B- (2)

式（2) 中、 R ³は水素原子又はメチル基、 Bは— （CH₂) _m―、 - (CH₂) _m— 0—、 — CO— O— (CH₂) _m—、 — C₆H₄— CH₂— O—又は一 CO—を示す。 mは 1 ~ 18 の整数を示す。 nは 2 ~ 3の整数を示す。

[4] 前記導電性液晶半導体材料層はアルキル鎖の長さが異なる前記一般式 (1)で表されるスチリル誘導体から選ばれた化合物を 2成分以上含有するものである請求の範囲第 3項記載のメモリ素子。

[5] 請求の範囲第 1項記載のメモリ素子を用いたデータ記録方法であって、

前記液晶化合物を含む前記導電性液晶半導体材料層に前記透明電極を透過させたレーザー光をスポット照射して加熱処理することを特徴とするデータ記録方法。

[6] 前記第 1の電極群の前記電極と前記第 2の電極群の前記透明電極との交差地点にレーザー光をスポット照射して加熱処理する請求の範囲第 5項記載のデータ記録方法。

[7] 前記液晶化合物を含む前記導電性液晶半導体材料層にレーザー光をスポット照射して選択的に加熱処理を行!、、該液晶化合物の液晶状態の分子配列の生成を行つて、該液晶化合物の分子長軸方向に偏光した蛍光を発光するスポットを形成させ、 1スポットに光学的に多重記録することを特徴とする請求の範囲第 5項記載のデータ記録方法。

[8] 請求の範囲第 7項記載のメモリ素子のデータ記録方法により記録されたデータの読み出し方法であって、前記液晶化合物の分子長軸方向に偏光した蛍光を発光するスポットに励起光を照射し、生じた蛍光偏光の振動方向に、偏光板の透過軸の方向を合わせることを特徴とする多重記録されたデータの読み出し方法。

[9] 請求の範囲第 1項記載のメモリ素子を用、てなることを特徴とする ICタグ。