WO2007105808A1 - エポキシ化合物の晶析方法 - Google Patents
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- H05K1/0326—Organic insulating material consisting of one material containing O
Definitions
- the present invention relates to a method for crystallizing an epoxy compound.
- Q 1 represents a single bond or a linear alkylene group having 1 to 9 carbon atoms, and at least one methylene group constituting the linear alkylene group is an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. It may be substituted, and —O— or —N (R 4 ) may be inserted between the methylene groups, wherein R 4 is a hydrogen atom or a carbon number of 1-8. Represents an alkyl group.
- Q 2 represents a linear alkylene group having 1 to 8 carbon atoms, and at least one methylene group constituting the linear alkylene group may be substituted with an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
- a r 1 , A r 2 and A r 3 are the same or different,
- R represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
- A is an integer from 0 to 8
- b e and g are integers from 0 to 6
- c is an integer from 0 to 7
- d and h are integers from 0 to 4
- f is from 0 to Each represents an integer of 5.
- all Rs may be the same or different.
- RR 2 and R 3 are the same or different and each represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
- the epoxy compound represented by can be melt-mixed with a curing agent at a low melting temperature and below the curing temperature.
- the cured epoxy resin obtained by curing such an epoxy compound with a hardener not only exhibits liquid crystallinity but also has a high thermal conductivity, so that the printed circuit board and the like are high. It is also useful as an insulating material that requires heat dissipation.
- EP 1698625 A1 discloses a method for precipitating a crystal of an epoxy compound by removing unreacted epichlorohydrin from a reaction mixture containing an epoxy compound and cooling a solution obtained by adding a solvent. .
- the present invention is a.
- R represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms
- a is an integer of 0 to 8
- b is an integer of 0 to 8
- e and g are integers of 0 to 6
- c is an integer of 0 to 7
- d represents an integer of 0 to 4
- f represents an integer of 0 to 5, respectively.
- all Rs may be the same or different.
- RR 2 and R 3 are the same or different and each represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
- Q 1 represents a single bond or a linear alkylene group having 1 to 9 carbon atoms, and at least one methylene group constituting the linear alkylene group may be substituted with an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
- 10— or _N (R 4 ) — may be inserted between the methylene groups.
- R 4 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
- Q 2 represents a linear alkylene group having 1 to 8 carbon atoms, and at least one methylene group constituting the linear alkylene group is substituted with an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. May be. )
- a solution containing a crude product of an epoxy compound containing an epoxy compound as a main component is cooled to the internal temperature T 1D C to precipitate crystals of the epoxy compound represented by formula (1), and the suspension The process of getting the '
- ⁇ represents the saturation temperature of the epoxy compound in the solution containing the crude product of the epoxy compound used in the step ( ⁇ ).
- the solvent of the solution containing the crude product of the epoxy compound is at least one selected from the group consisting of an aliphatic ketone solvent, an ether solvent, and an aromatic hydrocarbon solvent. Analysis method;
- the concentration of the epoxy compound in the solution containing the crude product of the epoxy compound is 10 to 40% by weight, and the temperature T 1 is represented by the following formula (III)
- Temperature 1: 2 is 30 to 60 ° C.
- Ar 1 and Ar 3 are independently
- a group represented in ⁇ 1> to crystallization method of an epoxy compound according to any one of ⁇ 9>; is Ku 1 l> Ar 1 and Ar 3, independently, 1, 4-off two alkylene groups, The method for crystallizing an epoxy compound according to any one of 1> to 10>, which is a 3-methyl-1,4-phenylene group or a 3-isopropyl-1,4-diphenylene group;
- Ar 2 is a 1-cyclohexene-1,1,4-diyl group ⁇ 1>- ⁇ 1> The method for crystallizing an epoxy compound according to any one of 12;
- Ar 1 and Ar 3 are independently
- Ar 2 is a group represented by
- step (A) is explained c
- epoxy compound (1) In the formula of the epoxy compound represented by (hereinafter abbreviated as epoxy compound (1)), Ar 1 ,
- Ar 2 and Ar 3 are the same or different
- R represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms
- a represents an integer of 0 to 8
- b represents an integer of 0 to 6
- e and g represent an integer of 6 to 6
- c represents 0.
- D represents an integer of 0 to 4
- f represents an integer of 0 to 5, respectively.
- alkyl group having 1 to 8 carbon atoms examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopyl pill group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, an n-pentyl group, tert-pentyl group, n-hexyl group, 1-methylpentyl group, 1-ethylbutyl group, n-heptyl group, n-year-octyl group, 2-ethylhexyl group, isooctyl group, tert-octyl group, cyclohexyl Examples include a linear, branched, or cyclic alkyl group such as a xyl group or a cyclooctyl group.
- Such divalent groups include cyclohexane-1,4-diyl, 2-cyclohexene-1,1,4-diyl, 1-cyclohexene-1,4-diyl, 1,4-cyclohexad 1,6-Diyl group, 1,3-Cyclohexadiene 1,4-Diyl group, 1,3-Dichlorohexane-2,5-Diyl group, 1,4-Cyclohexanegene 1,4 —Diyl group, 1,4-diphenylene group, 2-methylcyclohexane-1,1,4-diyl group, 3-methyl —1,4-diphenylene group, 3-isopropyl-1,4-phenylene Groups and the like.
- a r 1 and A r 3 are independently
- An epoxy compound (1) which is a group represented by formula (1) is preferable, and Ar 1 and Ar 3 are independently 1, 4_phenylene group, 3-methyl-1, 4 monophenylene group or 3-isopropyl.
- the epoxy compound (1) which is _ 1,4 monophenylene group is more preferable.
- An epoxy compound (1) which is a group represented by the formula (1) is preferred, and an epoxy compound (1) wherein Ar 2 is a 1-cyclohexene-14-diyl group is more preferred.
- a r 1 and A r 3 are independently (Wherein R and h have the same meaning as above)
- Ar 2 is a group represented by
- an epoxy compound (1) which is a group represented by formula (1)
- Ar 1 and Ar 3 are each independently a 1,4-monophenylene group, a 3-methyl-1,1,4-monophenylene group, or a 3-
- an epoxy compound (1) which is an isopropyl 1,4-phenylene group and Ar 2 is a 1-cyclohexene-1,4-diyl group.
- R 1 R 2 and R 3 are the same or different and each represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
- Examples of the alkyl group having 1 to 8 carbon atoms are the same as those described above.
- Q 1 represents a single bond or a linear alkylene group having 1 to 9 carbon atoms.
- the linear alkylene group having 1 to 9 carbon atoms a group in which 1 to 9 methylene groups such as methylene group, ethylene group, trimethylene group, tetramethylene group, hexamethylene group, nonamethylene group and the like are linearly bonded. Is mentioned. At least one methylene group constituting the linear alkylene group having 1 to 9 carbon atoms may be substituted with an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and one O— or One N (R 4 ) One may be inserted.
- alkyl group having 1 to 8 carbon atoms examples are the same as those described above.
- R 4 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and examples of the alkyl group having 1 to 8 carbon atoms are the same as those described above.
- alkylene group in which at least one methylene group is substituted with an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or 10 1 or 1 N (R 4 ) 1 is inserted between methylene groups include:
- Examples include 3-oxapentamethylene group.
- Such Q 1 is preferably a single bond.
- Q 2 represents a linear alkylene group having 1 to 8 carbon atoms, and at least one methylene group constituting the linear alkylene group may be substituted with an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
- alkyl group having 1 to 8 carbon atoms examples of the alkyl group having 1 to 8 carbon atoms and the linear alkylene group having 1 to 8 carbon atoms are the same as those described above.
- Such epoxy compounds (1) include 1,4 bis ⁇ 4- (oxylanylmethoxy) phenyl ⁇ cyclohexane, 1 ⁇ 2-methyl-4- (oxylanylmethoxy) phenyl ⁇ 1 4 1 ⁇ 4- (Oxylanylmethoxy) phenyl ⁇ Cyclohexane, 1 1 ⁇ 3-Methyl-4 1 (Oxylanylmethoxy) phenyl ⁇ 1 4 1 ⁇ 4- (Oxylanylmethoxy) Phenyl ⁇ Cyclohexane, 1 1 ⁇ 3-Ethyl _4 1 (Oxylanylmethoxy) Phenyl ⁇ -4 1 ⁇ 4- (Oxylanylmethoxy) Phenyl ⁇ Cyclohexane, 1 1 ⁇ 3-Q-Propyl 4-41 (oxylanylmethoxy) phenyl ⁇ -4- ⁇ 4- (oxylanylmethoxy) phenyl ⁇ cyclo
- a crude product of an epoxy compound containing such an epoxy compound (1) as a main component is, for example, as shown in EP 1698625 A1,
- dihydroxy compound (2) Dihydroxy compound (hereinafter abbreviated as dihydroxy compound (2)) and formula (3)
- R 1 , R 2 , R 3 and Q 2 represent the same meaning as above, and X represents a halogen atom.
- compound (3) in the presence of a base such as sodium hydroxide, and the resulting reaction mixture is concentrated to give unreacted compound (3). It can be produced by removing, adding a solvent, and washing with water if necessary. Further, the dihydroxy compound (2) and the compound (3) are reacted in the presence of at least one selected from the group consisting of an amine compound and an ammonium salt, and the obtained reaction mixture and an inorganic base are mixed. Conduct further reaction and concentrate the resulting reaction mixture to remove unreacted compound (3) Then, a crude product of an epoxy compound containing the epoxy compound (1) as a main component can be produced by adding a solvent and washing with water as necessary. When insoluble matters such as inorganic salts are precipitated in the obtained crude product, it is preferable to remove the insoluble matters by filtration or the like.
- a base such as sodium hydroxide
- the dihydroxy compound (2) and the compound (3) are reacted in the presence of at least one selected from the group consisting of an amine compound and an ammonium salt, and the resulting reaction mixture is mixed with an inorganic base to further react.
- an inorganic base is added to the reaction mixture.
- the inorganic base is added to the reaction mixture. It is preferable to add to.
- the content of the compound obtained by reacting one molecule of the dihydroxy compound (2) and the dihydroxy compound (2) and one compound (3) in the reaction mixture is confirmed by ordinary analytical means such as liquid chromatography. be able to.
- amine compounds include tertiary methylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, N, N-dimethylaniline, N-methylpyrrolidine, N-methylbiperidine, N-methylmorpholine, etc.
- Amamine etc. are mentioned.
- Ammonium salts include quaternary ammonium salts such as tetraethyl ammonium chloride, tetra-n-butyl ammonium chloride, benzyltriethyl ammonium chloride, tetraethyl ammonium bromide, and tetra-n-butyl ammonium bromide.
- Muhalide The amount used is usually 0.05 to 20 moles per mole of the dihydroxy compound (.2).
- the reaction of the dihydroxy compound (2) and the compound (3) may be carried out without a solvent or in the presence of a solvent.
- the solvent include aliphatic hydrocarbon solvents such as n-pentane, ⁇ -hexane, and ⁇ -heptanecyclohexane; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; methanol, ethanol, ⁇ -propanol, isopropanol, and the like Alcohol solvents; Glycol solvents such as ethylene glycol; Ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone; Nitryl solvents such as acetonitrile; Ether solvents such as jetyl ether, tert-butyl methyl ether, 1,4-dioxane, tetrahydrofuran; N, Examples include amide solvents such as N-dimethylformamide.
- compound (3) may be used as a solvent.
- the reaction temperature is usually from 10 to 100 ° C.
- Examples of the inorganic base include alkali metal hydroxides such as lithium hydroxide, sodium hydroxide and potassium hydroxide, alkaline metal carbonates such as sodium carbonate and carbonated lithium.
- the amount of the inorganic base used is usually 0.2 to 20 mol with respect to 1 mol of the dihydroxy compound (2) used in the reaction of the dihydroxy compound (2) and the compound (3).
- the temperature for mixing the inorganic base and the reaction mixture is usually 0 to 100 ° C.
- an epoxy compound usually obtained by reacting the dihydroxy compound (2) and the compound (3) is used as a crude product of the epoxy compound containing the epoxy compound (1) as a main component used in the present invention.
- a crude product of an epoxy compound containing (1) as a main component is used.
- those having an epoxy compound (1) content of 70% by weight or more are preferred, and those having an epoxy compound (1) content of 85% by weight or more are more preferred.
- Such crude products usually contain the raw material dihydroxy compound (2), reaction intermediates, and the like.
- the dihydroxy compound (2) the formula (4)
- Solvents of solutions containing crude epoxy compound products include aliphatic ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, jetyl ketone, and methyl isobutyl ketone; jetyl ether, tert-butyl methyl ether, 1,4-dioxane, Ether solvents such as tetrahydrofuran; aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, ethylbenzene, xylene, ume: /, cymene, chlorobenzene; and single or mixed solvents such as tolyl solvents such as acetonitrile and propionitrile And at least one selected from the group consisting of an aliphatic ketone solvent, an ether solvent, and an aromatic hydrocarbon solvent.
- aliphatic ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, jetyl ketone, and methyl isobutyl ket
- aliphatic hydrocarbons such as n-pentane, n-hexane, 1-hexane, n-heptane, 1-octane, n-octane, n-decane, cyclopentane, and cyclohexane
- a solvent or the like may be contained in the solution.
- the saturation temperature T ° C of the epoxy compound (1) in the solution is 30 to 60 ° C.
- the concentration of the epoxy compound (1) in the solution is preferably 10 to 40% by weight.
- the saturation temperature T ° C is the temperature of the epoxy compound (1) by cooling the solution. It means the temperature at which all the precipitated crystals are dissolved by heating the solution in which the obtained crystals of the epoxy compound (1) are precipitated after the crystals are precipitated.
- This step (A) is a rough generation of an epoxy compound containing such an epoxy compound as a main component.
- the solution containing the product is cooled to the internal temperature T la C to precipitate the crystals of the epoxy compound (1) to obtain a suspension.
- the cooling temperature T 1 of the solution may be any temperature as long as it is not higher than the saturation temperature T ° C. and the crystal of the epoxy compound (1) is precipitated. Although it depends on the content of the epoxy compound (1) and the type of organic solvent, the cooling temperature T 1 ° C when the concentration of the epoxy compound (1) in the solution is 10 to 40% by weight is given by the following formula ( III)
- the temperature is 10 to 30 ° C., preferably 20 to 30.
- seed crystals may be added to the solution, and it is preferable to add the seed crystals after the temperature of the solution has fallen below the saturation temperature T ° C, and the temperature of the solution is T. ⁇ (T-20) It is more preferable to add seed crystals at the stage where V becomes V and the crystals of the epoxy compound (1) are not precipitated.
- the suspension cooled to a temperature T 1 ° C is preferably maintained for about 1 to 3 hours while stirring at the same temperature.
- ⁇ represents the saturation temperature of the epoxy compound in the solution containing the crude product of the epoxy compound used in the step ( ⁇ ).
- the temperature T 2 a temperature lower than the saturation temperature of the step (Alpha) crude epoxy compound definitive solution containing the epoxy compounds used in and of the cooling temperature T 1 of said step (Alpha)
- the temperature is high and some of the crystals of the epoxy compound (1) in the suspension dissolve. Any temperature can be used.
- the temperature is such that a suspension in which about 10 to 50% by weight of the epoxy compound (1) is precipitated as crystals out of the epoxy compound (1) in the solution used is obtained.
- the concentration of the epoxy compound (1) is 10 40% by weight
- the temperature T 2 is represented by the following formula (IV)
- the temperature T 2 is 30 60 ° C, 35 45 Dearuko and is more preferable.
- the suspension After the suspension is heated to T 2 , it is preferably maintained at the same temperature for about 1 to 4 hours while stirring.
- the temperature T 3 may be lower than the cooling temperature T 1 in step (A), but is preferably a temperature at which 7.5% by weight or more of the epoxy compound (1) in the solution used is precipitated as crystals. .
- the concentration of the epoxy compound (1) is 10 40% by weight, the temperature T 3 is represented by the following formula (V)
- the temperature ⁇ 3 is preferably ⁇ 10 20 ° C., more preferably 0 10 in view of the viscosity of the suspension obtained. .
- the crystals of the epoxy compound (1) can be taken out, but after cooling the suspension to T 3 ° C, it is stirred for 10 hours at the same temperature. It is preferable to filter after maintaining the degree.
- the purity of the resulting epoxy compound (1) can be analyzed by ordinary analysis means such as high performance liquid chromatography.
- the epoxy compound represented by the formula (3) capable of forming a cured resin resin useful as an insulating material requiring high heat dissipation can be obtained with higher purity, and is industrially effective. It is profit.
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Description
明 エポキシ化合物の晶析方法 技術分野
本発明は、 エポキシ化合物の晶析方法に閼する。 背景技術
(式中、 Q 1は単結合または炭素数 1〜 9の直鎖状アルキレン基を表わし、 該直鎖状アル キレン基を構成する少なくとも 1つのメチレン基は、 炭素数 1〜8のアルキル基で置換さ れていてもよく、 また、 該メチレン基の間に— O—または—N (R 4) 一が挿入されてい てもよい。 ここで、 R 4は、 水素原子または炭素数 1〜8のアルキル基を表わす。
Q 2は、 炭素数 1〜 8の直鎖状アルキレン基を表わし、 該直鎖状アルキレン基を構成する 少なくとも 1つのメチレン基は、 炭素数 1〜8のアルキル基で置換されていてもよい。 A r 1 、 A r 2及び A r 3 は、 それぞれ同一または相異なって、 下記式
で示されるいずれかの二価の基を表わす。 ここで、 Rは炭素数 1〜8のアルキル基を表わ
し、 aは 0〜8の整数を、 b、 eおよび gは 0 ~ 6の整数を、 cは 0〜7の整数を、 dお よび hは 0〜4の整数を、 :fは 0〜5の整数をそれぞれ表わす。 また、 上記二価の基にお いて、 Rが複数のとき、 すべての Rが同一であってもよいし、 異なっていてもよい。 R R 2および R 3は、 それぞれ同一または相異なって、 水素原子または炭素数 1〜8の アルキル基を表わす。)
で示されるエポキシ化合物は、 EP 1698625 A1に記載されているように、溶融温度が低く、 硬化温度以下で、 硬化剤と溶融混合することができる。 また、 かかるエポキシ化合物を、 硬ィ匕剤を用いて硬ィ匕させて得られるエポキシ樹脂硬化物は、 液晶性を示すだけでなく、 高 い熱伝導率を有するため、 プリント配線基板等の高い熱放散性を要求される絶縁材料とし ても有用である。
EP 1698625 A1 には、 エポキシ化合物を含む反応混合物から未反応のェピクロルヒ ドリンを除去し、 溶媒を加えて得られた溶液を冷却することにより、 エポキシ化合物の結 晶を析出させる方法が開示されている。
しかしながら、 エポキシ化合物の純度および濾過性の点で、 工業的にはさらなる改良 が望まれていた。
• 発明の開示
本発明は、
< 1 > (A) 式 (1 )
(式中、 A r 1、 A r 2及び A r 3 は、 それぞれ同一または相異なって、 下記式
で示されるいずれかの二価の基を表わす。 ここで、 Rは炭素数 1〜8のアルキル基を表わ し、 aは 0〜8の整数を、 b、 eおよび gは 0〜6の整数を、 cは 0~7の整数を、 dお よび hは 0~4の整数を、 fは 0〜5の整数をそれぞれ表わす。 また、 上記二価の基にお いて、 Rが複数のとき、すべての Rが同一であってもよいし、異なっていてもよい。 R R2および R3は、それぞれ同一または相異なって、 水素原子または炭素数 1~8のアルキ ル基を表わす。 Q1は単結合または炭素数 1〜 9の直鎖状アルキレン基を表わし、 該直鎖 状アルキレン基を構成する少なくとも 1つのメチレン基は、炭素数 1〜 8のアルキル基で 置換されていてもよく、 また、 メチレン基の間に一0—または _N (R4) —が揷入され ていてもよい。 ここで、 R4は、 水素原子または炭素数 1〜8のアルキル基を表わす。 Q2 は、 炭素数 1〜 8の直鎖状アルキレ.ン基を表わし、 該直鎖状アルキレン基を構成する少な くとも 1つのメチレン基は、 炭素数 1〜8のアルキル基で置換されていてもよい。) で示されるエポキシ化合物を主成分として含むエポキシ化合物の粗生成物を含む溶液を、 内温 T1DCまで冷却して式 (1) で示されるエポキシ化合物の結晶を析出させて、 懸濁液 を得る工程、 '
(B) 前記工程 (A) で得られた懸濁液を、 式 (I) ·
τι<Τ2<τ (I)
(式中、 Τは、 前記工程 (Α) で用いたエポキシ化合物の粗生成物を含む溶液におけるェ ポキシ化合物の飽和温度を表わす。)
を満足する温度 Τ 2でまで加熱する工程、 および
(C) 前記工程 (Β) で温度 T2ICまで加熱された懸濁液を、 下記式 (I I)
Τ3<ΤΧ (I I)
を満足する温度 τ 3でまで冷却する工程を含むエポキシ化合物の晶析方法;
く 2 >エポキシ化合物の粗生成物を含む溶液の溶媒が、 脂肪族ケトン溶媒、 エーテル溶媒 および芳香族炭化水素溶媒からなる群から選ばれる少なくとも 1つであるぐ 1〉に記載の エポキシ化合物の晶析方法;
<3>温度丁でが、 30~60°Cであるく 1>またはく 2 >に記載のエポキシ化合物の晶 析方法;
< 4 >エポキシ化合物の粗生成物を含む溶液中のエポキシ化合物の濃度が、 10~40重 量%であり、 温度 T1が、 下記式 (I I I)
T1く T一 5 (I I I)
を満足する温度である < 1 >〜< 3 >のいずれかに記載のエポキシ化合物の晶析方法; <5>温度丁2が、 下記式 (I V) .
T- 5<T2<T ' (IV)
を満足する温度である < 1 >〜< 4 >のいずれかに記載のエポキシ化合物の晶析方法; <6>温度丁3が、 下記式 (V)
- 10<T3<T- 5 (V)
を満足する温度である < 1 >〜< 5 >のいずれかに記載のエポキシ化合物の晶析方法; <7〉温度 Τ1が、 10〜 30°Cであるく 1〉〜く 6〉のいずれかに記載のエポキシ化合 物の晶析方法;
<8〉温度1:2が、 30〜60°Cである <1>〜く 7>のいずれかに記載のエポキシ化合 物の晶析方法;
<9>温度丁3が、 一 10〜20°Cである <1>〜く 8>のいずれかに記載のエポキシ化 合物の晶析方法;
<10>Ar 1および Ar3が、 独立して、 下記
(R)h
(式中、 Rおよび hは上記と同一の意味を表わす。)
で示される基である <1>~< 9〉のいずれかに記載のエポキシ化合物の晶析方法; く 1 l>Ar 1および Ar3が、 独立して、 1, 4—フ 二レン基、 3—メチル— 1, 4 —フエ二レン基または 3—イソプロピル一 1, 4一フエ二レン基であるく 1>〜く 10> のいずれかに記載のエポキシ化合物の晶析方法;
(式中、 Rおよび cは上記と同一の意味を表わす。)
で示される基であるく 1>〜<11>のいずれかに記載のエポキシ化合物の晶析方法; <13>Ar 2が 1ーシクロへキセン一 1, 4一ジィル基である <1>〜<12のいずれ かに記載のエポキシ化合物の晶析方法;
(式中、 Rおよび hは上記と同一の意味を表わす。)
(式中、 Rおよび cは上記と同一の意味を表わす。)
で示される基であるぐ 1 >~< 9 >のいずれかに記載のエポキシ化合物の晶析方法; く 15>Ar 1および Ar 3が、 独立して、 1, 4一フエ二レン基、 3—メチルー 1, 4 一フエ二レン基または 3—イソプロピル一 1, 4一フエ二レン某であり、 Ar2が 1ーシ
クロへキセン— 1, 4一ジィル基である <1>~< 9 >のいずれかに記載のエポキシ化合 物の晶析方法;を提供するものである。 発明を実施するための最良の形態
まず、 工程 (A) について説明する c
で示されるエポキシ化合物 (以下、 エポキシ化合物 (1) と略記する) の式中、 Ar1 、
Ar 2及び Ar3は、 それぞれ同一または相異なって、 下記式
で示されるいずれかの二価の基を表わし、 Rは炭素数 1〜8のアルキル基を表わし、 aは 0〜8の整数を、 b、 eおよび gはり〜 6の整数を、 cは 0〜7の整数を、 dおよび hは 0〜4の整数を、 fは 0〜 5の整数をそれぞれ表わす。
炭素数 1〜8のアルキル基としては、 メチル基、 ェチル基、 n—プロピル基、 イソプ 口ピル基、 n—ブチル基、 イソブチル基、 s e c—プチル基、 t e r t—ブチル基、 n— ペンチル基、 t e r t—ペンチル基、 n—へキシル基、 1ーメチルペンチル基、 1—ェチ ルブチル基、 n—へプチル基、 n—才クチル基、 2—ェチルへキシル基、イソォクチル基、 t e r tーォクチル基、 シクロへキシル基、 シクロォクチル基等の直鎖状、 分枝鎖状もし くは環状のアルキル基が挙げられる。
上記二価の基において、 Rが複数のとき、 すべての Rが同一であってもよいし、 異な
つていてもよい。
かかる二価基としては、 シクロへキサン一 1, 4—ジィル基、 2—シクロへキセン一 1, 4一ジィル基、 1—シクロへキセン— 1, 4—ジィル基、 1, 4ーシクロへキサジェ ン一 3, 6—ジィル基、 1, 3—シクロへキサジェンー 1, 4—ジィル基、 1, 3—シク 口へキサンジェン—2, 5—ジィル基、 1, 4—シクロへキサンジェン一 1, 4—ジィル 基、 1, 4一フエ二レン基、 2—メチルシクロへキサン一 1, 4一ジィル基、 3—メチル —1, 4一フエ二レン基、 3—イソプロピル一 1, 4—フエ二レン基等が挙げられる。
(式中、 Rおよび hは上記と同一の意味を表わす。)
で示される基であるエポキシ化合物(1)が好ましく、 Ar 1および A r 3が、独立して、 1, 4_フエ二レン基、 3—メチルー 1, 4一フエ二レン基または 3—イソプロピル _ 1, 4一フエ二レン基であるエポキシ化合物 (1) がより好ましい。
(式中、 Rおよび cは上記と同一の意味を表わす。)
で示される基であるエポキシ化合物( 1)が好ま.しく、. A r 2が 1ーシクロへキセン— 1 4一ジィル基であるエポキシ化合物 (1) がより好ましい。
で示される基であり、 Ar2が、 下記
(式中、 Rおよび cは上記と同一の意味を表わす。)
で示される基であるエポキシ化合物 (1) がより好ましく、 Ar1および Ar3が、 独立 して、 1, 4一フエ二レン基、 3—メチル一1, 4一フエ二レン基または 3—イソプロピ ルー 1, 4—フエ二レン基であり、 A r 2が 1ーシクロへキセン— 1, 4一ジィル基であ るエポキシ化合物 (1) が特に好ましい。
上記式 (1) 中、 R1 R 2および R 3は、 それぞれ同一または相異なって、 水素原子 または炭素数 1~8のアルキル基を ¾わす。 炭素数 1〜8のアルキル基としては、 前記し たものと同様のものが挙げられる。
Q 1は単結合または炭素数 1 ~ 9の直鎖状アルキレン基を表わす。 炭素数 1〜 9の直 鎖状アルキレン基としては、 メチレン基、 エチレン基、 トリメチレン基、 テトラメチレン 基、 へキサメチレン基、 ノナメチレン基等の 1~9個のメチレン基が直鎖状に結合した基 が挙げられる。 かかる炭素数 1〜9の直鎖状アルキレン基を構成する少なくとも 1つのメ チレン基は、 炭素数 1〜8のアルキル基で置換されていてもよく、 また、 メチレン基の間 に一 O—または一 N (R4) 一が挿入されていてもよい。
炭素数 1~8のアルキル基としては、 上記したものと同様のものが挙げられる。
R 4は水素原子または炭素数 1〜 8のアルキル基を表わし、 炭素数 1〜 8のアルキル 基としては、 上記したものと同様のものが挙げられる。
かかる少なくとも 1つのメチレン基が炭素数 1~ 8のアルキル基で置換されるか、 ま たは、メチレン基の間に一〇一または一 N (R4)一が挿入されたアルキレン基としては、
2—メチルトリメチレン基、 1, 2—ジメチルエチレン基、 3—ォキサテトラメチレン基、
3—ォキサペンタメチレン基等が挙げられる。
かかる Q1としては、 単結合が好ましい。
Q2は、 炭素数 1〜8の直鎖状アルキレン基を表わし、 該直鎖状アルキレン基を構成 する少なくとも 1つのメチレン基は、炭素数 1〜 8のアルキル基で置換されていてもよい。
炭素数 1 ~ 8のアルキル基および炭素数 1 ~ 8の直鎖状アルキレン基としては、 前記 したものと同様のものが挙げられる。
かかるエポキシ化合物 (1) としては、 1, 4一ビス {4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル}シクロへキサン、 1一 { 2—メチル一4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} シクロへキサン、 1一 { 3—メチルー 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二 ル} シクロへキサン、 1一 { 3—ェチル _ 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4 一 {4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} シクロへキサン、 1一 {3— Q—プロピル 一 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ 二ル} シクロへキサン、 1— {3—イソプロピル一 4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二 ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} シクロへキサン、 1一 {3— n— ブチルー 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4— {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} シクロへキサン、 1一 { 3— s e c—ブチルー 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4— {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} シクロへキサン、 1ー {3 一 t e r t—ブチルー 4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラ ニルメトキシ) フエ二ル} シクロへキサン、 1一 { 3— n—ペンチルー 4 _ (ォキシラ: ϋ ルメトキシ) フエニル } —4一 {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} シクロへキサ ン、 1— {3— t e r t—ペンチルー 4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4 - (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} シクロへキサン、 1一 {3—n—へキシルー 4一
(ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} シクロへキサン、 1— {3— (1ーメチルペンチル) 一 4_ (ォキシラニルメトキシ) フ ェニル } -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} シクロへキサン、 1ー {3—
(1一ェチルプチル) —4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (ォキシ
ラニルメトキシ) フエ二ル} シクロへキサン、 1一 {3—シクロへキシル—4一 (ォキシ ラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} シクロへ キサン、 1一 {3— n—へプチルー (ォキシラニルメ卜キシ) フエ二ル}— 4— {4— (ォ キシラニルメトキシ) フエ二ル} シクロへキサン、 1— { 3— n—ォクチルー (ォキシラ ニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} シクロへキ サン、 1ー {3— (2—ェチルへキシル) ― (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} シクロへキサン、 1一 {3— t e r t—ォク チル— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4— {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ 二ル} シクロへキサン、 1— {3—シクロォクチルー (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} シクロへキサン、 1一 {3—メチル一 4- (2—メチルーォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (2—メチルーォキ シラニルメトキシ) フエ二ル} シクロへキサン、 1一 { 3—メチルー 4— (3—メチルー ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4一 (3—メチル—ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} シクロへキサン、
1, 4—ビス {4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル}一 1—シクロへキセン、 1一 {2 ーメチルー 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4一 (ォキシラニルメトキ シ) フエ二ル} 一 1—シクロへキセン、 1一 {3—メチルー 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラ ルメトキシ) フエ二ル} 一 1ーシクロへキセン、 1 - { 3—ェチルー 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニル メトキシ) フエ二ル} 一 1—シクロへキセン、 1一 { 3— n—プロピル一 4— (ォキシラ ニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} — 1ーシク 口へキセン、 1— { 3—イソプロピル一 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —4一 {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 1ーシクロへキセン、 1一 {3—n—プチ ル一4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フ ェニル } —1ーシクロへキセン、 1一 {3— s e c—プチルー 4一 (ォキシラニルメトキ シ) フエ二ル}一 4一 {4一 (ォキシラニルメトキシ)フエ二ル}— 1.—シクロへキセン、
1- {3- t e r t一プチルー 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル}— 4一 {4一 (ォ キシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 1ーシクロへキセン、 1一 { 3— n—ペンチルー 4一
(ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —4一 {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 1ーシクロへキセン、 1— {3— t e r t—ペンチルー 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 1ーシクロへキセン、 1 ― {3— n—へキシルー 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4— {4— (ォキシ ラニルメトキシ) フエ二ル} —1ーシクロへキセン、 1一 {3— (1—メチルペンチル) 一 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ 二ル} 一 1—シクロへキセン、 1一 {3— (1—ェチルプチル) 一 4一 (ォキシラニルメ トキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —1ーシクロへキ セン、 1— { 3—シクロへキシル—4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル}.— 4一 {4 一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —1—シクロへキセン、 1一 {3— n—ヘプチル 一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 1—シクロへキセン、 1一 {3— n—ォクチルー (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル}—1ーシクロへキセン、 1ー {3— (2 ーェチルへキシル) 一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4— {4- (ォキシラニル メトキシ) フエニル } —1ーシクロへキセン、 1一 { 3— t e r t—ォクチルー (ォキシ ラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 1—シ クロへキセン、 1― {3—シクロォクチルー (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4-
{4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —1ーシクロへキセン、 1一 {3—メチル一 4- (2—メチルーォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (2—メチルーォキ シラニルメトキシ) フエ二ル} 一 1ーシクロへキセン、 1— {3—メチルー 4— (3—メ チルーォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —4一 {4- (3—メチルーォキシラニルメト キシ) フエ二ル} —1ーシクロへキセン、
1, 4—ビス {4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル}—2—シクロへキセン、 1一 {2 一メチル一4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4— {4- (ォキシラニルメトキ
シ) フエ二ル} 一 2—シクロへキセン、 1— { 3—メチル一4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} — 2—シクロへキセン、 1 一 { 2—メチル一4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4— {4- (ォキシラニル メトキシ) フエ二ル} 一 2—シクロへキセン、 1— {3—ェチル一4一 (ォキシラニルメ トキシ) フエ二ル} —4— {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —2—シクロへキ セン、 1— { 3— n—プロピル一 4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —2—シクロへキセン、 1— { 3—イソプロピル一 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二 ル} —2—シクロへキセン、 1一 {3— n—ブチルー 4— (ォキシラニルメトキシ) フエ 二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル}一 2—シクロへキセン、 1一 {3 — s e c—プチルー 4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —4一 {4- (ォキシラニ ルメトキシ) フエ二ル} 一 2—シク□へキセン、 1— { 3— t e r t—ブチル一 4一 (ォ キシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (ォキシラニルメ卜キシ) フエ二ル} -2 —シクロへキセン、 1— { 3 _n—ペンチルー 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —2—シクロへキセン、 1— {3— t e r t—ペンチルー 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニ ルメトキシ) フエ二ル} —2—シクロへキセン、 1一 { 3— n—へキシルー 4— (ォキシ ラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 2—シ クロへキセン、 1一 {3— (1—メチルペンチル) 一 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ 二ル}一 4— {4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 2—シクロへキセン、 1— {3 一 (1一ェチルプチル) 一 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (ォキ シラニルメトキシ) フエ二ル} —2—シクロへキセン、 1— {3—シクロへキシルー 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 2—シクロへキセン、 1一 { 3— n—へプチルー (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 2—シクロへキセン、 1一 {3—n —ォクチルー (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ)
フエ二ル} 一 2—シクロへキセン、 1— {3— (2—ェチルへキシル) 一 (ォキシラニル メトキシ) フエ二ル} 一 4— {4- (ォキシラニルメトキシ).フエ二ル} 一 2—シクロへ キセン、 1一 { 3— t e r t—才クチルー (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4 一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —2—シクロへキセン、 1一 { 3—シクロォクチ ル一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二 ル} —2—シクロへキセン、 1一 { 3—メチル一4— (2—メチルーォキシラニルメトキ シ) フエ二ル} 一 4— {4- (2—メチル一ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 2—シ クロへキセン、 1一 {3—メチルー 4一 (3—メチルーォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (3—メチルーォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —2—シクロへキセン、 1, 4一ビス {4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル}一 2, 5—シクロへキサジェン、 1一 { 2—メチル一4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (ォキシラニ ルメトキシ) フエ二ル} —2, 5—シクロへキサジェン、 1.— { 3—メチル一4一 (ォキ シラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4— {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —2, 5—シクロへキサジェン、 1一 { 3—ェチルー 4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —4— {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —2, 5—シクロへキサジェン、 1一 { 3— n—プロピル一 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4一 (ォキシラ ニルメトキシ) フエニル } —2, 5—シクロへキサジェン、 1一 { 3—イソプロピル一 4 一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —2, 5—シクロへキサジェン、 1一 {3— n—プチルー 4一 (ォキシラニルメトキシ)' フエ二ル} 一 4— {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} _2', 5—シクロへキサジ ェン、 1— {3— s e c—プチルー 4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4 一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —2, 5—シクロへキサジェン、 1一 {3— t e r t一ブチル—4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメ トキシ) フエ二ル} -2, 5—シクロへキサジェン、 1— { 3— n—ペンチルー 4— (ォ キシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル}一 2, 5—シクロへキサジェン、 1一 {3— t e r t—ペンチルー 4一(ォキシラニルメトキシ)
フエ二ル} 一 4一 {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 2, 5—シクロへキサジ ェン、 1一 {3— n—へキシル—4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —4— {4-
(ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —2, 5—シクロへキサジェン、 1一 {3— (1— メチルペンチル) —4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4— {4- (ォキシラニ ルメ.トキシ) フエ二ル} —2, 5—シクロへキサジェン、 1— {3— (1—ェチルブチル) -4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4— {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ 二ル} -2, 5—シクロへキサジェン、 1一 {3—シクロへキシルー 4一 (ォキシラエル メトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -2, 5—シク 口へキサジェン、 1一 {3— n—へプチルー (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一
{4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 2, 5—シクロへキサジェン、 1一 {3— n—ォクチルー (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —4一 {4- (ォキシラニルメトキ シ) フエ二ル}一 2, 5—シクロへキサジェン、 1一 {3— (2—ェチルへキシル) 一 (ォ キシラニルメトキシ)フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -2, 5—シクロへキサジェン、 1— {3— t e r t—ォクチルー (ォキシラニルメトキシ) フ ェニル } —4一 {4一 (ォキシラエルメトキシ) フエ二ル} 一 2, 5—シクロへキサジェ ン、 1一 { 3—シクロォクチルー (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (ォ キシラニルメトキシ) フエ二ル} —2, 5—シクロへキサジェン、 1— { 3—メチルー 4 一 (2—メチルーォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4— {4- (2—メチルーォキシ ラニルメトキシ) フエ二ル}—2, 5—シクロへキサジェン、 1一 {3—メチル— 4— (3 ーメチルーォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (3—メチルーォキシラニル メトキシ) フエ二ル} - 2, 5—シクロへキサ.ジェ 、
1, 4—ビス {4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル}— 1, 5—シクロへキサジェン、 1一 { 2—メチルー 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —4— {4- (ォキシラニ ルメトキシ) フエ二ル} - 1, 5—シクロへキサジェン、 1一 {3—メチルー 4一 (ォキ シラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 1, 5—シクロへキサジェン、 1一 { 3—ェチルー 4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル}
一 4— {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} ー1, 5—シクロへキサジェン、 1一 { 3— n—プロピル一 4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラ ニルメトキシ) フエ二ル} ー1, 5—シクロへキサジェン、 1— {3—イソプロピル一 4 一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} — 1, 5—シクロへキサジェン、 1一 { 3— n—ブチルー 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 1, 5—シクロへキサジ ェン、 1一 {3— s e c—プチルー 4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —4— {4 ― (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 1, 5—シクロへキサジェン、 1— {3— t e r t一プチルー 4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメ トキシ) フエ二ル} —1, 5—シクロへキサジェン、 1— { 3— n—ペンチルー 4一 (ォ キシラニルメトキシ) フエ二ル} - 4 - { 4- (ォキシラニルメトキシ) フエ ル}—1, 5—シクロへキサジェン、 1一 {3— t e r t一ペンチルー 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 1, 5—シクロへキサジ ェン、 1一 { 3—n—へキシルー 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —1, 5—シクロへキサジェン、 1一 {3— (1一 メチルペンチル) 一 4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4一 (ォキシラニ ルメトキシ) フエ二ル} 一 1, 5—シクロへキサジェン、 1一 {3— (1—ェチルブチル) 一 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ 二ル} 一 1, 5—シクロへキサジェン、 1― { 3—シクロへキシル—4一 (ォキシラニル メトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ'二ル} 一 1, 5—シク 口へキサジェン、 1— {3— n—へプチル— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —1, 5—シクロへキサジェン、 1一 {3— n—ォクチル一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —4一 {4- (ォキシラニルメトキ シ) フエ二ル}—1, 5—シクロへキサジェン、 1— {3- (2—ェチルへキシル) ― (ォ キシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル}—1, 5—シクロへキサジェン、 1一 {3— t e r t—ォクチル一 (ォキシラニルメトキシ) フ
ェニル } -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —1, 5—シクロへキサジェ ン、 1— {3—シクロォクチルー (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォ キシラニルメトキシ) フエ二ル} —1, 5—シクロへキサジェン、 1一 { 3—メチル一4 一 (2—メチル一ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (2—メチルーォキシ ラニルメトキシ) フエ二ル}一 1, 5—シクロへキサジェン、 1— {3—メチルー 4ー (3 一メチル—ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —4一 {4- (3—メチルーォキシラニル メトキシ) フエ二ル} —1, 5—シクロへキサジェン、
1, 4—ビス {4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル}—1, 4—シクロへキサジェン、 1 - { 2—メチル一4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (ォキシラニ ルメトキシ) フエ二ル} —1, 4ーシクロへキサジェン、 1一 { 3—メチル—4一 (ォキ シラニル トキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} _1, 4ーシクロへキサジェン、 1一 { 3—ェチルー 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ ル } —4一 {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —1, 4ーシクロへキサジェン、 1— { 3— n—プロピル一 4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラ ニルメトキシ) フエ二ル} —1, 4.—シクロへキサジェン、 1一 { 3—イソプロピル一 4 ― (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} — 1, 4—シクロへキサジェン、 1一 { 3— n—プチルー 4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} — 1, 4ーシクロへキサジ ェン、 1— {3— s e c—ブチルー 4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4 一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 1, 4—シクロへキサジェン、 1一 {3— t e r t一プチル一 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —4一 {4- (ォキシラニルメ トキシ) フエ二ル} —1, 4ーシクロへキサジェン、 1一 { 3—n—ペンチルー 4一 (ォ キシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ)フエ二ル}—1, 4ーシクロへキサジェン、 1一 {3— t e r t—ペンチルー 4— (ォキシラニルメトキシ) フエニル } 一 4一 {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —1, 4ーシクロへキサジ ェン、 1— { 3— n—へキシル一4一 (ォキシラニルメ卜キシ) フエ二ル} 一 4— {4-
(ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —1, 4ーシクロへキサジェン、 1— {3— (1 - メチルペンチル) 一 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} — 4ー {4- (ォキシラニ ルメトキシ) フエ二ル} —1, 4ーシクロへキサジェン、 1一 {3— (1—ェチルブチル) 一 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ 二ル} 一 1, 4—シクロへキサジェン、 1一 { 3—シクロへキシルー 4一 (ォキシラニル メトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —1, 4ーシク 口へキサジェン、 1_ {3— n—へプチルー (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一
{4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 1, 4ーシクロへキサジェン、 1— {3— n—ォクチル一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —4一 {4- (ォキシラニルメトキ シ) フエ二ル} 一 1, 4—シクロへキサジェン、 1— {3— (2—ェチルへキシル) 一 (ォ キシラニルメトキシ)フエ二ル} - 4 - { 4- (ォキシラニルメトキシ)フエ:!ル}一 1, 4ーシクロへキサジェン、 1一 {3— t e r t—ォクチルー (ォキシラニルメトキシ) フ ェニル } 一 4一 {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —1, 4—シクロへキサジェ ン、 1一 { 3—シクロォクチルー (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —4— {4- (ォ キシラニルメトキシ) フエ二ル} 一.1, 4ーシクロへキサジェン、 1— {3—メチル一4 - (2—メチルーォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4— {4- (2—メチルーォキシ ラニルメトキシ) フエ二ル}— 1, 4ーシクロへキサジェン、 1— {3—メチル一4一 (3 —メチルーォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (3—メチル一ォキシラニル メトキシ) フエ二ル} —1, 4ーシクロへキサジェン、
1, 4—ビス {4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル}一 1, 3—シクロへキサジェン、. 1一 {2—メチル—4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4— (ォキシラニ ルメトキシ) フエ二ル} 一 1, 3—シクロへキサジェン、 1— {3—メチル一4一 (ォキ シラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} — 1, 3—シクロへキサジェン、 1一 { 3—ェチルー 4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —1, 3—シクロへキサジェン、 1一 { 3 _n—プロピル一 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} - 4- {4- (ォキシラ
ニルメトキシ) フエ二ル} —1, 3—シクロへキサジェン、 1— { 3—イソプロピル一 4 一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 1, 3—シクロへキサジェン、 1一 {3— n—ブチルー 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 1, 3—シクロへキサジ ェン、 1一 {3— s e c—ブチル一 4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4 一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} ー1, 3—シクロへキサジェン、 1一 {3— t e r t—プチル— 4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —4一 {4- (ォキシラニルメ トキシ) フエ二ル} 一 1, 3—シクロへキサジェン、 1一 {3— n—ペンチルー 4_ (ォ キシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ)フエ二ル}—1, 3—シクロへキサジェン、 1— {3— t e r t—ペンチルー 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} — 4ー {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —1, 3—シクロへキサジ ェン、 1— { 3— n—へキシルー 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4-
(ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —1, 3—シクロへキサジェン、 1一 {3— (1 - メチルペンチル) -4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (ォキシラニ ルメトキシ) フエ二ル}一 1, 3—シクロへキサジェン、 1— {3— (1—ェチルブチル) 一 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ 二ル} —1, 3—シクロへキサジェン、 1一 {3—シクロへキシルー 4— (ォキシラニル メトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —1, 3—シク 口へキサジェン、 1 - {3— n—へプチルー (ォキシラニルメトキシ) フエエル) -4-
{4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —1, 3—シクロへキサジェン、 1— {3— n—才クチルー (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} — 4一 {4- (ォキシラニルメトキ シ) フエ二ル}一 1, 3—シクロへキサジェン、 1一 {3— (2—ェチルへキシル) 一 (ォ キシラニルメトキシ)フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル}一 1, 3—シクロへキサジェン、 1_ {3— t e r t—ォクチルー (ォキシラニルメトキシ) フ ェニル } —4一 {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 1, 3—シクロへキサジェ ン、 1一 {3—シクロォクチルー (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォ
キシラニルメトキシ) フエ二ル} —1, 3—シクロへキサジェン、 1— {3—メチルー 4 一 (2—メチルーォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4— {4- (2—メチルーォキシ ラニルメトキシ) フエ二ル}一 1, 3—シクロへキサジェン、 1— {3—メチル一4一 (3 一メチル一ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} —4— {4- (3—メチル—ォキシラニル メ卜キシ) フエ二ル} —1, 3—シクロへキサジェン、
1, 4一ビス {4_ (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} ベンゼン、 1— { 2—メチルー 4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二 ル} ベンゼン、 1— { 3—メチルー 4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4 一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} ベンゼン、 1一 { 3—ェチルー 4一 (ォキシラニ ルメトキシ) フエ二ル} —4一 {4- (才キシラニルメトキシ) フエ二ル} ベンゼン、 1 - { 3— n—プロピル一 4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4— {4- (ォキシ ラニルメトキシ) フエ二ル} ベンゼン、 1— {3—イソプロピルー4一 (ォキシラ ルメ トキシ) フエ二ル} -4- {4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル}ベンゼン、 1— {3 一 n—ブチルー 4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4一 (ォキシラニルメ トキシ) フエ二ル}ベンゼン、 1— . { 3— s e c—ブチルー 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} ベンゼン、 1一 {3— t e r t—プチルー 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメ トキシ) フエ二ル} ベンゼン、 1一 { 3— n—ペンチルー 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} ベンゼン、 1— {3— t e r t—ペンチルー 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニル メトキシ) フエ二ル}ベンゼン、 1— {3— n—へキシルー 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} ベンゼン、 1一 {3— (1 ーメチルペンチル) 一 4一 (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラ ニルメトキシ) フエ二ル} ベンゼン、 1一 {3— (1—ェチルプチル) 一4— (ォキシラ ニルメトキシ) フエ二ル} 4— {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} ベンゼン、 1— {3—シクロへキシルー 4— (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4— {4- (ォ
キシラニルメトキシ) フエ二ル} ベンゼン、 1— {3— n—ヘプチル一 (ォキシラニルメ トキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル}ベンゼン、 1— {3 一 n—才クチルー (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメト キシ) フエ二ル} ベンゼン、 1— {3— (2—ェチルへキシル) 一 (ォキシラニルメトキ シ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} ベンゼン、 1— {3— t e r t—ォクチルー (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニル メトキシ) フエ二ル} ベンゼン、 1一 { 3—シクロォクチルー (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} ベンゼン、 1— {3—メチ ルー 4_ (2—メチル一ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (2—メチル一 ォキシラニルメトキシ) フエ二ル} ベンゼン、 1一 {3—メチルー 4— (3—メチルーォ キシラニルメトキシ) フエ二ル} -4- {4- (3—メチル一ォキシラニルメ.トキシ) フ ェニル } ベンゼン、
1, 4一ビス {4一 (ォキシラニルメトキシェトキシ) フエ二ル} シクロへキサン、 1— {3—メチルー 4— (ォキシラニルメトキシェトキシ) フエ二ル} —4— {4- (ォキシ ラニルメトキシェトキシ) フエ二ル} シクロへキサン、 1, 4一ビス {4— (3—ォキシ ラニルプロポキシ) フエ二ル} シクロへキサン、 1一 { 3—メチルー 4 _ (3—ォキシラ ニルプロボキシ) フエ二ル} —4— {4- ( 3 _ォキシラニルプロボキシ) フエ二ル} シ クロへキサン、
1, 4一ビス {4一 (4—ォキシラニルブトキシ) フエ二ル} シクロへキサン、 1一 {3' 一メチル一4— (4—ォキシラニルブトキシ) フエニル } -4- {'4- (4ーォキシラニ ルブトキシ) フエ二ル} シクロへキサン、 1, 4一ビス {4一 (5—ォキシラニルペンチ ルォキシ) フエ二ル} シクロへキサン、 1一 {3—メチル—4一 (5—ォキシラニルペン チルォキシ) フエ二ル} -4- {4- (5—ォキシラニルペンチルォキシ) フエ二ル} シ クロへキサン、 1, 4一ビス {4— (6—ォキシラエルへキシルォキシ) フエ二ル} シク 口へキサン、 1一 { 3—メチルー 4一 (6—ォキシラニルへキシルォキシ) フエニル } - 4- {4- (6—ォキシラニルへキシルォキシ) フエ二ル} シクロへキサン、 1, 4ーピ
ス {4— (8—ォキシラニルォクチルォキシ) フエ二ル} シクロへキサン、 1一 {3—メ チルー 4一 (8—才キシラニルォクチルォキシ) フエ二ル} -4- {4- (8—才キシラ ニルォクチルォキシ) フエ二ル} シクロへキサン、 1, 4一ビス {4一 (ォキシラニルメ トキシェトキシ) フエ二ル} シクロへキサン、 1— {3—メチル—4— (ォキシラニルメ トキシェトキシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシェトキシ) フエ二ル} シクロへキサン、 1, 4—ビス {4一 (2—メチルーォキシラエル) メトキシェトキシフ ェニル } シクロへキサン、 1— { 3—メチルー 4一 (2—メチルーォキシラニル) メトキ シェトキシフエ二ル} -4- {4- (2—メチルーォキシラエル) メトキシエトキシフエ 二ル} シクロへキサン、 1, 4一ビス {4一 (3—メチル一ォキシラニル) メトキシエト キシフエ二ル} シクロへキサン、 1— {3—メチル—4— (3—メチルーォキシラニル) メトキシェトキシフエ二ル} 一 4一 {4— (3—メチルーォキシラエル) メトキシェトキ シフエ二ル} シクロへキサン、
1, 4一ビス {4一 (ォキシラニルエトキシ) フエ二ル} 一 1ーシクロへキセン、 1一 { 3—メチルー 4— (ォキシラニルエトキシ) フエ二ル} —4一 {4- (ォキシラニルエト キシ) フエ二ル} _1ーシクロへキセン、 1, 4—ビス {4— (3—ォキシラニルプロボ キシ) フエ二ル} —1ーシクロへキセン、 1一 { 3—メチル _ 4一 (3—ォキシラニルプ ロポキシ) フエ二ル} —4一 {4- (3—ォキシラエルプロボキシ) フエ二ル} 一 1ーシ クロへキセン、 1, 4—ビス {4— (4—ォキシラニルブトキシ) フエ二ル} 一 1ーシク 口へキセン、 1― { 3—メチル一4一 (4一ォキシラニルブトキシ) フエ二ル} 一 4一 { 4一 ( 4ーォキシラニルブトキシ) フエ二ル} 一 1—シクロへキセン、 1, 4一ビス {4 一 (5—ォキシラニルペンチルォキシ) フエ二ル} 一 1ーシクロへキセン、 1一 {3—メ チル— 4一 (5—ォキシラニルペンチルォキシ) フエ二ル} -4- {4- (5—ォキシラ 二ルペンチルォキシ) フエ二ル} —1ーシクロへキセン、 1, 4一ビス {4一 (6—ォキ シラニルへキシルォキシ) フエ二ル} 一 1—シクロへキセン、 1_ { 3—メチル—4一 ( 6—ォキシラニルへキシルォキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (6—ォキシラニルへキシル ォキシ) フエ二ル} 一 1—シクロへキセン、 1, 4一ビス {4一 (8—ォキシラニルォク
チルォキシ) フエ二ル} —1ーシクロへキセン、 1一 {3—メチル一4一 (8—ォキシラ ニルォクチルォキシ) フエ二ル} -4- {4- (8—ォキシラニルォクチルォキシ) フエ 二ル} 一 1ーシクロへキセン、 1, 4一ビス {4— (ォキシラニルメトキシエトキシ) フ ェニル } —1—シクロへキセン、 1一 { 3—メチルー 4一 (ォキシラニルメトキシェトキ シ) .フエ二ル} —4— {4- (ォキシラニルメトキシエトキシ) フエニル } 一 1ーシクロ へキセン、 1, 4一ビス {4— (2—メチルーォキシラニル) メトキシェトキシフエ二ル } —1ーシクロへキセン、 1— { 3—メチルー 4一 (2—メチルーォキシラニル) メトキ シェトキシフエ二ル} 一 4一 {4- (2—メチルーォキシラニル) メトキシエトキシフエ 二ル} 一 1ーシクロへキセン、 1, 4一ビス {4一 (3—メチルーォキシラニル) メトキ シェトキシフエ二ル} 一 1—シクロへキセン、 1一 { 3—メチルー 4— (3—メチル一ォ キシラニル) メトキシエトキシフエ二ル} -4- {4- (3—メチルーォキ、ンラニル) メ トキシエトキシフエ二ル} —1ーシクロへキセン、
1, 4—ビス {4一 (ォ午シラニルメトキシェトキシ) フエ二ル} ベンゼン、 1ー {3— メチルー 4— (ォキシラニルメトキシェトキシ) フエ二ル} 一 4一 {4- (ォキシラニル メトキシエトキシ) フエ二ル} ベンゼン、 1, 4一ビス {4_ (3—ォキシラニルプロボ キシ) フエ二ル} ベンゼン、 1— { 3—メチルー 4— (3—ォキシラニルプロポキシ) フ ェニル } 一 4一 {4- (3—ォキシラニルプロポキシ) フエ二ル} ベンゼン、 1, 4ービ ス {4— (4一ォキシラニルブトキシ) フエ二ル} ベンゼン、 1一 {3—メチルー 4— ( 4一ォキシラニルブトキシ) フエ二ル} —4一 {4- (4—ォキシラニルブトキシ) フエ 二ル} ベンゼン、 1, 4一ビス {4一 (5—才キシラ二ルペンチルォキシ) フエ二ル} ベ ンゼン、 1一 { 3—メチル _ 4一 (5—ォキシラニルペンチルォキシ) フエ二ル} 一 4— {4- (5—才キシラ二ルペンチルォキシ) フエ二ル} ベンゼン、 1, 4一ビス {4一 ( 6—ォキシラニルへキシルォキシ) フエ二ル} ベンゼン、 1一 {3—メチルー 4— (6 - ォキシラエルへキシルォキシ) フエ二ル} -4- {4- (6—ォキシラニルへキシルォキ シ) フエ二ル} ベンゼン、 1, 4一ビス {4一 (8—ォキシラニルォクチルォキシ) フエ 二ル} ベンゼン、 1一 {3—メチルー 4— (8—ォキシラニルォクチルォキシ) フエニル
} -4- {4- (8—ォキシラ ルォクチルォキシ) フエ二ル} ベンゼン、 1, 4—ビス {4- (ォキシラニルメトキシェトキシ) フエ二ル} ベンゼン、 1— { 3—メチルー 4一 (ォキシラニルメトキシェ卜キシ) フエ二ル} -4- {4- (ォキシラニルメトキシェ卜 キシ) フエ二ル} ベンゼン、 1, 4一ビス {4一 (2—メチルーォキシラニル) メトキシ エトキシフエ二ル} ベンゼン、 1— {3—メチルー 4一 (2—メチルーォキシラニル) メ トキシェトキシフエ二ル} —4一 {4- (2—メチル—ォキシラニル) メトキシェトキシ フエ二ル} ベンゼン、 1, 4—ビス {4一 (3—メチル一ォキシラニル) メトキシェトキ シフエ二ル} ベンゼン、 1一 { 3—メチルー 4— (3—メチルーォキシラニル) メトキシ エトキシフエ二ル} 一 4一 {4- (3—メチル一ォキシラニル) メトキシェトキシフエ二 ル} ベンゼン等が挙げられる。
かかるエポキシ化合物 (1) を主成分として含むエポキシ化合物の粗生成物は、 例え ば、 EP 1698625 A1に記載されているように、 式 (2)
HO— QLAr1 - Ar2- Ar3— Q1— OH (2)
(式中、 01、 Ar1 、 Ar 2および A r 3 は上記と同一の意味を表わす。)
で示されるジヒドロキシ化合物 (以下、 ジヒドロキシ化合物 (2) と略記する) と式 (3)
(式中、 R1, R2、 R3および Q2は上記と同一の意味を表わし、 Xはハロゲン原子を表わ す。) '
で示される化合物 (以下、 化合物 (3) と略記する).とを、 水酸化ナトリウム等の塩基の 存在下に反応させ、 得られた反応混合物を濃縮して、 未反応の化合物 (3) を除去し、 溶 媒を加え、 必要に応じて水で洗浄する方法により製造することができる。 また、 ジヒドロ キシ化合物 (2) と化合物 (3) とを、 ァミン化合物およびアンモニゥム塩からなる群か ら選ばれる少なくとも 1つの存在下で反応させ、 得られた反応混合物と無機塩基とを混合 してさらに反応を行ない、 得られた反応混合物を濃縮して、 未反応の化合物 (3) を除去
し、 溶媒を加え、 必要に応じて水で洗浄する方法により、 エポキシ化合物 (1 ) を主成分 として含むエポキシ化合物の粗生成物を製造することもできる。 得られた粗生成物中に、 無機塩等の不溶分が析出している場合には、 濾過等により不溶分を除去しておくことが好 ましい。
ジヒドロキシ化合物 (2 ) と化合物 (3 ) とを、 ァミン化合物およびアンモニゥム塩 からなる群から選ばれる少なくとも 1つの存在下で反応させ、 得られた反応混合物と無機 塩基とを混合してさらに反応を行なうことにより、 エポキシ化合物 (1 ) を主成分として 含むエポキシ化合物の粗生成物を製造する場合、 通常、 ジヒドロキシ化合物 (2 ) と化合 物 (3 ) とが反応し、 ジヒドロキシ化合物 (2 ) が消失した後、 無機塩基が反応混合物に 加えられる。 ジヒドロキシ化合物 (2 ) が消失し、 生成したジヒドロキシ化合物 (2 ) 1 分子と化合物 (3 ) 1分子とが反応して得られる化合物の 5 0 %以上が消失レた後に、 無 機塩基を反応混合物に加えることが好ましい。 反応混合物中のジヒドロキシ化合物 (2 ) およびジヒドロキシ化合物 (2 ) 1分子と化合物 (3 ) 1分子とが反応して得られる化合 物の含有量は、 液体クロマトグラフィ一等の通常の分析手段により確認することができる。
ァミン化合物としては、 トリメ.チルァミン、 トリェチルァミン、 トリ— n—プロピル ァミン、 トリ一 n—ブチルァミン、 N, N—ジメチルァニリン、 N—メチルピロリジン、 N—メチルビペリジン、 N—メチルモルホリン等の第 3級ァミン等が挙げられる。 アンモ ニゥム塩としては、 テトラエヂルアンモニゥムクロリド、 テトラー n—プチルアンモニゥ ムクロリド、 ベンジルトリェチルアンモニゥムクロリド、 テトラエチルアンモニゥムブロ ミド、 テトラー n—プチルアンモニゥムブロミド等の第四級アンモニゥムハライドが挙げ られる。 その使用量は、 ジヒドロキシ化合物 (.2 ) 1モルに対して、 通常 0 . 0 0 5 ~ 2 0モルである。
ジヒドロキシ化合物 (2 ) と化合物 (3 ) との反応は、 無溶媒で実施してもよいし、 溶媒の存在下に実施してもよい。 溶媒としては、 n—ペンタン、 η—へキサン、 η—ヘプ タンシクロへキサン等の脂肪族炭化水素溶媒; トルエン、 キシレン等の芳香族炭化水素溶 媒;メタノール、エタノール、 η—プロパノール、イソプロパノール等のアルコール溶媒;
エチレングリコール等のグリコール溶媒;アセトン、 メチルエヂルケトン等のケトン溶 媒;ァセトニトリル等の二トリル溶媒;ジェチル エーテル、 , t e r t—プチル メチル エーテル、 1, 4—ジォキサン、 テトラヒドロフラン等のエーテル溶媒; N, N—ジメチ ルホルムアミド等のアミド溶媒等が挙げられる。 また、 化合物 (3 ) を溶媒として用いて もよい。
反応温度は、 通常 1 0〜1 0 0 °Cである。
無機塩基としては、 水酸化リチウム、 水酸化ナトリウム、 水酸化カリウム等のアル力 リ金属水酸化物、炭酸ナトリゥム、炭酸力リゥム等のアル力リ金属炭酸塩等が挙げられる。
無機塩基の使用量は、 ジヒドロキシ化合物 ( 2 ) と化合物 (3 ) との反応に用いたジ ヒドロキシ化合物 (2 ) 1モルに対して、 通常、 0 . 2〜2 0モルである。
無機塩基と反応混合物を混合する温度は、 通常 0〜1 0 0 °Cである。
本発明に用いるエポキシ化合物 (1 ) を主成分として含むエポキシ化合物の粗生成物 としては、 上記したように、 通常、 ジヒドロキシ化合物 (2 ) と化合物 (3 ) とを反応さ せて得られるエポキシ化合物 (1 ) を主成分として含むエポキシィヒ合物の粗生成物が用い られる。 かかる粗生成物としては、 エポキシ化合物 (1 ) の含量が 7 0重量%以上である ものが好適であり、 エポキシ化合物 (1 ) の含量が 8 5重量%以上のものがより好適であ る。
で示されるエポキシ化合物を主成分として含む粗生成物が得られ、 該粗生成物中には、 原
料である式 (4 ) で示されるジヒドロキシ化合物、 下記式 (6 )
で示される化合物等が含まれている。
エポキシ化合物の粗生成物を含む溶液の溶媒としては、 アセトン、 メチルェチルケト ン、 ジェチルケトン、 メチルイソプチルケトン等の脂肪族ケトン溶媒;ジェチル エーテ ル、 t e r t—ブチル メチル ェ一テル、 1, 4一ジォキサン、 テトラヒドロフランな ど等のエーテル溶媒;ベンゼン、 トルエン、エチルベンゼン、キシレン、 クメ: /、 シメン、 クロルベンゼン等の芳香族炭化水素溶媒;ァセトニトリル、 プロピオ二トリル等の トリ ル溶媒等の単独もしくは混合溶媒が挙げられ、 脂肪族ケトン溶媒、 エーテル溶媒および芳 香族炭化水素溶媒からなる群から選ばれる少なくとも 1つが好ましい。 また、 前記溶液中 には、 n—ペンタン、 n—へキサン、 1—へキサン、 n—ヘプタン、 1—オクタン、 n— オクタン、 n—デカン、 シクロペンタン、 シクロへキサン等の脂肪族炭化水素溶媒等が前 記溶液中に含まれていてもよい。
かかる溶媒の使用量は、 あまり多すぎると、 エポキシ化合物 (1 ) の取得量が少なく なり、 あまり少なすぎると、 スケーリング等による反応容器内への付着等が起こりやすい ため、実用的には、前記溶液におけるエポキシ化合物(1 )の飽和温度 T°Cが 3 0〜6 0 °C となるよう、 エポキシ化合物 (1 ) の種類および量、 溶媒の種類に基づいて調整される。 前記溶液中のエポキシ化合物 (1 ) の濃度は、 1 0〜4 0重量%であることが好ましレ^ ここで、 飽和温度 T°Cは、 前記溶液を冷却し、 エポキシ化合物 (1 ) の結晶を析出させた 後、 得られたエポキシ化合物 (1 ) の結晶が析出した溶液を加熱して、 析出した結晶の全 てが溶解した時点の温度を意味する。
本工程 (A) は、 かかるエポキシ化合物を主成分として含むエポキシ化合物の粗生成
物を含む溶液を、 内温 TlaCまで冷却してエポキシ化合物 (1) の結晶を析出させて、 懸 濁液を得る工程である。
前記溶液の冷却温度 T1では、前記飽和温度 T°C以下であって、エポキシ化合物(1) の結晶が析出する温度であればよい。 エポキシ化合物 (1) の含有量や有機溶媒の種類に より異なるが、 前記溶液中のエポキシ化合物 (1) の濃度が 10〜40重量%の場合の冷 却温度 T1 °Cは、 下記式 (I I I)
T1く T— 5 (I I I)
を満足する温度であることが好ましく、 具体的には、 10〜30°C、 好ましくは 20〜3 0でである。
必要に応じて、 種晶を前記溶液中に加えてもよく、 前記溶液の温度が、 飽和温度 T°C 以下になつた後で種晶を加えることが好ましく、前記溶液の温度が、 Tで〜 (T-20) V になり、 エポキシ化合物 (1) の結晶が析出していない段階で種晶を加えることがより好 ましい。
温度 T1 °Cに冷却された懸濁液を、 同温度で、 攪拌しながら、 1~ 3時間程度保持す ることが好ましい。
かくして、 用いた溶液中に含まれるエポキシ化合物 (1) のうち、 通常 10〜80重 量%、 好ましくは 20~60重量%のエポキシ化合物 (1) が結晶として析出した懸濁液 が得られる。
続いて、 (B) 前記工程 (A) で得られた懸濁液を、 式 (I)
χι<Τ2<τ ( I )
(式中、 Τは、 前記工程 (Α) で用いたエポキシ化合物の粗生成物を含む溶液におけるェ ポキシ化合物の飽和温度を表わす。)
を満足する温度 Τ 2 ^まで加熱する工程について説明する。
温度 Τ2 としては、 前記工程 (Α) で用いたエポキシ化合物の粗生成物を含む溶液に おけるエポキシ化合物の飽和温度 より低い温度であり、 かつ、 前記工程 (Α) の冷却 温度 Τ1よりも高い温度であり、 懸濁液中のエポキシ化合物 (1) の結晶の一部が溶解し
得る温度であればよい。 好ましくは、 用いた溶液中のエポキシ化合物 (1) のうち、 約 1 0~50重量%のエポキシ化合物 (1) が結晶として析出した懸濁液が得られる温度であ る。 具体的には、 エポキシ化合物 (1) の濃度が 10 40重量%の場合、 温度 T2が、 下記式 ( I V)
T一 5<T2<T (IV)
を満足することが好ましい。
実用的には、 温度 Τ2が 30 60°Cであることが好ましく、 35 45 であるこ とがより好ましい。
懸濁液を T 2でまで加熱した後、 攪拌しながら、 同温度で 1~ 4時間程度保持するこ とが好ましい。
最後に、 (C) 前記工程 (B) で T2°Cまで加熱された懸濁液を、 下記式 (I I)
Τ3<ΤΧ (I I)
を満足する温度 T3<Cまで冷却する工程について説明する。
温度 T3 としては、 工程 (A) の冷却温度 T1よりも低ければよいが、 用いた溶液中 のエポキシ化合物 (1) のうちの 7.5重量%以上が結晶として析出する温度であることが 好ましい。 具体的には、 エポキシ化合物 (1) の濃度が 10 40重量%の場合、 温度 T 3が、 下記式 (V)
― 10<T3<T— 5 (V)
を満足することが好ましい。 ' 得られる懸濁液の粘度の点で、 実用的には、 温度 Τ3がー 10 20°Cであることが 好ましく、 0 10 であることがより好ましい。 .
かくして得られる懸濁液を濾過することにより、 エポキシ化合物 (1) の結晶を取り 出すことができるが、 懸濁液を T3 °Cまで冷却した後、 攪拌しながら、 同温度で 1 10 時間程度保持した後、 濾過することが好ましい。
得られたエポキシ化合物 (1) の純度は、 高速液体クロマトグラフィー等の通常の分 析手段により分析することができる。
実施例
以下、 実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、 本発明はこれら実施例に限定 されない。 分析は、 高速液体クロマトグラフィー法により実施し、 得られたエポキシ化合 物の純度は、 高速液体クロマトグラフィー面積百分率法により算出した。 参考例 1
温度計、 攪拌装置および冷却管を備えた反応容器中に、 1一 (3—メチル—4—ヒド ロキシフエニル) 一4一 (4—ヒドロキシフエニル) 一 1ーシクロへキセン 25. 0g、 ェピクロルヒドリン 244. 9 gおよびテトラー n—ブチルアンモニゥムプロミド 5. 8 gを仕込んだ。 窒素雰囲気下、 50でで、 得られた混合物を攪拌しながら、 1.0時間加熱 し、 反応させた。 反応混合物を高速液体クロマトグラフィー法により分析したところ、 1 一 (3—メチルー 4ーヒドロキシフエニル) ー4一 (4ーヒドロキシフエニル) 一 1ーシ クロへキセンは消失しており、 1一 (3—メチル一4—ヒドロキシフエニル) 一 4一 (4 —ヒドロキシフエニル) 一 1ーシグロへキセン 1分子とェピクロルヒドリン 1分子とが反 応して得られる化合物の面積百分率値は、 0. 41%であった。 得られた反応混合物を室 温まで冷却した後、 水酸化ナトリウム 11. l gを加え、 室温で 2時間さらに反応させ、 1 - (3—メチルー 4一才キシラニルメトキシフエ二ル) -4- (4一才キシラ二ルメト キシフエニル) 一 1—シクロへキセンを含む反応混合物を得た。 減圧条件下、 50でで反 応混合物を濃縮し、 未反応のェピクロルヒドリンを除去した。 得られた濃縮残渣 78. 4 gに、 メチルイソプチルケトン 245. 7 gおよびイオン交換水 100. 8 gを加え、 5 0でで 30分攪拌した。 静置後、 有機層と水層とを分離した。 得られた有機層をイオン交 換水 81. l gで洗浄した後、 減圧条件下、 50 で濃縮し、 析出した不溶分を濾過によ り除去して、 1— (3—メチルー 4一才キシラニルメトキシフエ二ル) 一 4一 (4ーォキ シラニルメトキシフエニル) 一 1ーシクロへキセンを含むメチルイソブチルケトン溶液 2 50. l gを得た (1— (3—メチル一4一才キシラニルメトキシフエニル) ー4一 (4
一才キシラニルメトキシフエ二ル) — 1—シクロへキセンの面積百分率値: 96. 2%)。 飽和温度は、 42 °Cであった。 実施例 1
前記参考例 1で得られた 1一 (3—メチルー 4一才キシラニルメトキシフエ二ル) 一
4一 (4一才キシラニルメトキシフエ二ル) 一 1ーシクロへキセンを含むメチルイソプチ ルケトン溶液 250. 1 gを 20°Cまで冷却し結晶を析出させ、 懸濁液を得た。 得られた 懸濁液を 40°Cに加熱し、 同温度で 3時間保持した。 その後、 7時間かけて 10°Cまで冷 却し、同温度で 2時間保持した。得られた懸濁液を濾過した。濾過時間は 1分以内であり、 結晶の濾過性は非常によかった。 得られた結晶を 10°Cに調整したメチルイソプチルケト ン 20 gで 3回洗浄した後、 減圧条件下、 50でで乾燥し、 1一 (3—メチルー 4—ォキ シラニルメトキシフエ二ル) -4- (4一才キシラニルメトキシフエニル) 一 1—シクロ へキセンの白色結晶 27. 3 gを得た。 面積百分率値: 98. 8%、 .収率: 77. 8 %。 実施例 2 .
前記参考例 1と同様に実施して得られた 1一 (3—メチルー 4一才キシラニルメトキ シフエニル) -4- (4一才キシラニルメトキシフエ二ル) 一 1—シクロへキセンを含む メチルイソプチルケトン溶液 218. 8 g (飽和温度: 42 °C) を 201まで冷却し結晶 を析出させ、懸濁液を得た。得られた懸濁液を 38°Cに加熱し、同温度で 3時間保持した。 ' その後、 3. 5時間かけて 10^まで冷却し、 同温度で 2時間保持した。 得られた懸濁液 を濾過した。 濾過時間は、 1分以内であり、 濾過性は非常によかった。 得られた結晶を 1 0°Cに調整したメチルイソプチルケトン 20 gで 3回洗浄した後、 減圧条件下、 50でで 乾燥し、 1一 (3—メチル一4—ォキシラニルメトキシフエ二ル) 一 4一 (4ーォキシラ ニルメトキシフエ二ル) 一 1—シクロへキセンの白色結晶 24. 6gを得た。 面積百分率 値: 98. 7%、 収率: 70. 4%。
実施例 3
前記参考例 1と同様に実施して得られた 1— (3—メチルー 4—ォキシラニルメトキ シフエ二ル) 一4一 (4—ォキシラニルメトキシフエ二ル) 一 1—シクロへキセンを含む メチルイソプチルケトン溶液 217. 7 g (飽和温度: 2V) を 20^まで冷却し結晶 を析出させ、懸濁液を得た。得られた懸濁液を 35 "Όに加熱し、同温度で 3時間保持した。 その後、 7時間かけて 10でまで冷却し、 同温度で 2時間保持した。 得られた懸濁液を濾 過した。 濾過時間は、 1分以内であり、 濾過性は非常によかった。 得られた結晶を 1 0°C に調整したメチルイソプチルケトン 20 gで 3回洗浄した後、 減圧条件下、 50°Cで乾燥 し、 1— (3—メチル一4—ォキシラニルメトキシフエ二ル) 一4— (4—ォキシラニル メトキシフエ二ル) 一 1ーシクロへキセンの白色結晶 23. 8 gを得た。 面積百分率値:
97. 8%> 収率: 68. 0%。 - . 参考例 2
前記参考例 1と同様に、 1一 (3—メチルー 4ーヒドロキシフエニル) —4— (4— ヒドロキシフエニル) 一 1ーシクロへキセンとェピクロルヒドリンとの反応を実施して、 濃縮残渣 94. 1 gを得た。 得られた濃縮残渣に、 トルエン 200 gおよびイオン交換水
100. 0 gを加え、 50^で 30分攪拌した。 静置後、 有機層と水層とを分離した。 得 られた有機層をイオン交換水で 2回洗浄した後、 減圧条件下、 50°Cで濃縮し、 析出した 不溶分を濾過により除去して、 1一 (3—メチルー 4—ォキシラニルメトキシフエ二ル)' -4- (4—ォキシラニルメトキシフエ二ル) 一 1—シクロへキセンを含むトルエン溶液 218. 8 gを得た。 飽和温度は、 40でであった。 実施例 4
前記参考例 2で得られた 1一 (3—メチル一4—ォキシラニルメトキシフエニル) 一 4- (4—ォキシラニルメトキシフエ二ル) — 1ーシクロへキセンを含むトルエン溶液 2 18. 8 gを 20でまで冷却し結晶を析出させ、 懸濁液を得た。 得ら.れた懸濁液を 38で
に加熱し、 同温度で 3時間保持した。 その後、 3. 5時間かけて 10でまで冷却し、 同温 度で 2時間保持した。 得られた懸獨液を濾過した。 滤過時間は 1分以内であり、 結晶の濾 過性は非常によかった。 得られた結晶を 10 に調整したトルエン 20 gで 3回洗浄した 後、 減圧条件下、 50°Cで乾燥し、 1一 (3—メチル—4ーォキシラニルメトキシフエ二 ル)ー4一(4一才キシラニルメトキシフエ二ル)一 1—シクロへキセンの白色結晶 17. 9gを得た。 面積百分率値: 98. 1%、 収率: 51. 4%。 比較例 1
参考例 1と同様にして得られた 1一 (3—メチルー 4一才キシラニルメトキシフエ二 ル) -4- (4ーォキシラニルメトキシフエニル) 一 1ーシクロへキセンを含むメチルイ ソブチルゲトン溶液 260. 0 gを 3. 5時間かけて 10°Cまで冷却し、 同温库で 2時間 保持した。 得られた懸濁液を濾過しだところ、 濾過時間は 30分以上であり、 濾過性は非 , 常に悪かった。 得られた結晶を 10でに調整したメチルイソプチルケトン 20 gで洗浄し た後、 減圧条件下、 50でで乾燥し、 1一 (3—メチルー 4ーォキシラニル トキシフエ ニル) —4一 (4ーォキシラニルメトキシフエ二ル) 一 1ーシクロへキセンの白色結晶 2 7. 3 gを得た。 面積百分率値: 97. 5%、 収率: 74. 8%。 比較例 2
参考例 1と同様にして得られた 1一 (3—メチルー 4ーォキシラニルメトキシフエご ル) 一 4一 (4—ォキシラニルメトキシフエ二ル) - 1ーシクロへキセンを含むメチルイ ソプチルケトン溶液 260. 8 gを 7時間かけて 10°Cまで冷却し、 同温度で 2時間保持 した。 得られた懸濁液を濾過したところ、 濾過時間は 30分であり、 濾過性は非常に悪か つた。 得られた結晶を 10·Όに調整したメチルイソプチルケトン 20 gで洗浄した後、 減 圧条件下、 50でで乾燥し、 1一 (3—メチルー 4一才キシラニルメトキシフエ二ル) 一 4— (4—ォキシラニルメ卜キシフエニル) 一 1ーシクロへキセンの白色結晶 27. 3 g を得た。 面積百分率値: 97. 4%、 収率: 74. 2%。
産業上の利用可能性
本発明によれば、 高い熱放散性を要求される絶縁材料として有用な榭脂硬化物を形成 可能な式 (3 ) で示されるエポキシ化合物を、 より純度よく得ることができ、 工業的に有 利である。
Claims
請 求 の 範 囲
(A) 式 (1 )
(式中、 A r 1 、 A r 2及び A r 3 は、 それぞれ同一または相異なって、 下記式
で示されるいずれかの二価の基を表わす。 ここで、 Rは炭素数 1〜8のアルキル基を表わ し、 aは 0〜8の整数を、 b、 eおよび gは 0〜6の整数を、 cは 0〜7の整数を、 dお よび hは 0〜4の整数を、 fは 0〜 5の整数をそれぞれ表わす。 また、 上記二価の基にお いて、 Rが複数のとき、すべての Rが同一であってもよいし、異なっていてもよい。 I 1、 R 2および R 3は、 それぞれ同一または相異なって、 水素原子または炭素数 1 ~ 8のアルキ ル基を表わす。 Q 1は単結合または炭素数 1〜9の直鎖状アルキレン基を表わし、 該直鎖 状アルキレン基を構成する少なくとも 1つのメチレン基は、炭素数 1〜8のアルキル基で 置換されていてもよく、 また、 メチレン基の間.に— (?—または一 N (R 4) 一が揷入され ていてもよい。 ここで、 R4は、 水素原子または炭素数 1〜8のアルキル基を表わす。 Q 2 は、 炭素数 1〜8の直鎖状アルキレン基を表わし、 該直鎖状アルキレン基を構成する少な くとも 1つのメチレン基は、 炭素数 1〜8のアルキル基で置換されていてもよい。) で示されるエポキシ化合物を主成分として含むエポキシ化合物の粗生成物を含む溶液を、 内温 T 1でまで冷却して式 (1 ) で示されるエポキシ化合物の結晶を.析出させて、 懸濁液
を得る工程、
(B) 前記工程 (A) で得られた懸濁液を、 式 (I)
ΤΧ<Τ2<Τ (I)
(式中、 Τは、 前記工程 (Α) で用いたエポキシ化合物の粗生成物を含む溶液におけるェ ポキシ化合物の飽和温度を表わす。)
を満足する温度 T2°Cまで加熱する工程、 および
(C) 前記工程 (B) で温度 T2°Cまで加熱された懸濁液を、 下記式 (I I)
T3く T1 (I I)
を満足する温度 T 3でまで冷却する工程を含むエポキシ化合物の晶析方法。
2. エポキシ化合物の粗生成物を含む溶液の溶媒が、 脂肪族ケトン溶媒、 ェ 一テル溶媒および芳香族炭化水素溶媒からなる群から選ばれる少なくとも 1つ.である請求 の範囲第 1項に記載のエポキシ化合物の晶析方法。
3. 温度 Tでが、 30〜60でである請求の範囲第 1項に記載のエポキシ化 合物の晶析方法。
4. エポキシ化合物の粗生成物を含む溶液中のエポキシ化合物の濃度が、 1 0〜40重量%でぁり、 温度 T1が、 下記式 (I I I)
T1く T— 5 (I I I)
を満足する温度である請求の範囲第 1項に記載のエポキシ化合物の晶析方法。
5. 温度 T2が、 下記式 (IV)
T— 5く T2く T (IV)
を満足する温度である請求の範囲第 4項に記載のエポキシ化合物の晶析方法。
6. 温度 T3が、 下記式 (V)
- 10<T3<T- 5 (V)
を満足する温度である請求の範囲第 4項または第 5項に記載のエポキシ化合物の晶析方 法。
7. 温度 Τ1が、 10~ 30°Cである請求の範囲第 4項に記載のエポキシ化
合物の晶析方法。
8. 温度 T2が、 30〜60でである請求の範囲第 5項に記載のエポキシ化 合物の晶析方法。
9. 温度 T3が、 一 10~20でである請求の範囲第 6項に記載のエポキシ 化合物の晶析方法。
10. Ar 1および A r 3が、 独立して、 下記
(式中、 Rおよび hは上記と同一の意味を表わす。)
で示される基である請求の範囲第 1項〜第 3項のいずれかに記載のエポキシ.化合物の晶 析方法。
11. Ar1および A r 3が、 独立して、 1, 4一フエ二レン基、 3—メチル —1, 4一フエ二レン基または 3 _イソプロピル一 1, 4—フエ二レン基である請求の範 囲第 10項に記載のエポキシ化合物の晶析方法。
12. A r 2が、 下記
(式中、 Rおよび cは上記と同一の意味を表わす。)
で示される基である請求の範囲第 1項〜第 3項のいずれかに記載のエポキシ化合物の晶 析方法。
13. Ar2が 1ーシクロへキセン一 1, 4一ジィル基である請求の範囲第 1 2項に記載のエポキシ化合物の晶析方法。
(式中、 Rおよび hは上記と同一の意味を表わす。)
(式中、 Rおよび cは上記と同一の意味を表わす。)
で示される基である請求の範囲第 1項〜第 3項のいずれかに記載のエポキシ化合物の晶 析方法。 ·
15. Ar 1および Ar3'が、 独立して、 1, 4一フエ二レン基、 3—メチル - 1, 4一フエ二レン基または 3—^ Γソプロピル _1, 4—フエ二レン基であり、 Ar2 が 1—シクロへキセン一 1, 4一ジィル基である請求の範囲第 14項に記載のエポキシ化 合物の晶析方法。 .
Priority Applications (3)
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