WO2007086522A1 - 太陽電池およびその製造方法 - Google Patents

太陽電池およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2007086522A1
WO2007086522A1 PCT/JP2007/051303 JP2007051303W WO2007086522A1 WO 2007086522 A1 WO2007086522 A1 WO 2007086522A1 JP 2007051303 W JP2007051303 W JP 2007051303W WO 2007086522 A1 WO2007086522 A1 WO 2007086522A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
laser
light absorption
lower electrode
absorption layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2007/051303
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Satoshi Aoki
Original Assignee
Honda Motor Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Honda Motor Co., Ltd. filed Critical Honda Motor Co., Ltd.
Priority to DE112007000266T priority Critical patent/DE112007000266T5/de
Priority to US12/162,260 priority patent/US20090032094A1/en
Priority to CN2007800039048A priority patent/CN101375410B/zh
Publication of WO2007086522A1 publication Critical patent/WO2007086522A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0463—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate characterised by special patterning methods to connect the PV cells in a module, e.g. laser cutting of the conductive or active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present invention relates to a solar cell having an internal series connection structure and a method for manufacturing the solar cell.
  • the thin film system is a solar cell having a semiconductor layer with a thickness of several tens of meters to several / zm or less, and is classified into a Si thin film system and a compound thin film system.
  • compound thin film systems such as II-VI compound systems and chalcopyrite systems, and some have been commercialized so far.
  • chalcopyrite solar cells belonging to the chalcopyrite system are called CIGS (Cu (InGa) Se) thin film solar cells, CIGS solar cells, or I 1 III, depending on the materials used. It is called a VI family.
  • a chalcopyrite solar cell is a solar cell formed using a chalcopyrite compound as a light absorbing layer, and has high efficiency, no light degradation (aging), excellent radiation resistance, light absorption It has features such as a wide wavelength range and a high light absorption coefficient, and is currently being studied for mass production.
  • FIG. 1 shows a cross-sectional structure of a typical solar cell with an internal series connection structure, taking a chalcopyrite solar cell as an example.
  • the chalconolite solar cell has a lower electrode layer (Mo electrode layer) formed on a substrate (substrate) such as glass and a light absorption layer containing copper 'indium' gallium 'selenium. (CIGS light absorption layer), a high-resistance buffer layer thin film formed of InS, ZnS, CdS, etc. on the light absorption layer thin film, and an upper electrode thin film (TCO) formed of ZnOAl, etc. Is done.
  • a substrate such as glass
  • a high-resistance buffer layer thin film formed of InS, ZnS, CdS, etc. on the light absorption layer thin film and an upper electrode thin film (TCO) formed of ZnOAl, etc. Is done.
  • soda lime glass or the like is used for the substrate
  • SiO or the like is used as a main component for
  • a lukari control layer is provided.
  • a Mo (molybdenum) electrode to be a lower electrode is formed on a substrate such as soda lime glass by sputtering or the like.
  • the Mo electrode is divided by removing it by laser irradiation or the like. (First scribe, Fig. 2 (a))
  • the IJ scrap is washed with water or the like, and copper (Cu), indium (In), or gallium (Ga) is deposited by sputtering or vapor deposition to form a layer called a precursor.
  • This precursor is put into a furnace and annealed at a temperature of 400 ° C to 600 ° C in an atmosphere of H Se gas.
  • This annealing process is usually referred to as gas phase selenization or simply selenium.
  • an n-type buffer layer such as CdS, ZnO, or InS is laminated on the light absorption layer.
  • the buffer layer is generally formed by a dry process such as sputtering or a wet process such as CBD (Chemical Bath Deposition).
  • CBD Certial Bath Deposition
  • it is divided by removing the buffer layer and the precursor by laser irradiation, a metal needle or the like. (Second scribe, Fig. 2 (b))
  • TCO Transparent Conducting Oxides
  • the TCO, the noffer layer, and the precursor are removed by laser irradiation, metal needles, or the like (third scribe, FIG. 2 (d)) to obtain a CIGS thin film solar cell.
  • the solar cell obtained here is called a cell that is monolithically connected in series via a unit cell force contact electrode part that also has a divided lower electrode, a divided light absorption layer, and a divided upper electrode force Forces in use
  • a unit cell force contact electrode part that also has a divided lower electrode, a divided light absorption layer, and a divided upper electrode force Forces in use
  • single or multiple cells are packaged and processed as modules (panels).
  • a cell is a device in which a plurality of series stages are monolithically divided by performing element isolation in each scribe process, thereby changing the number of series stages (number of unit cells).
  • the design of the voltage can be arbitrarily changed. This is one of the advantages of thin film solar cells.
  • Mechanical scribing is a technique for mechanically scribing by moving a metal needle (needle) having a tapered tip while pressing it with a predetermined pressure. (For example, see Patent Document 1.)
  • Figure 3 shows a schematic diagram in which the second scribe is performed by mechanical-scribing.
  • laser scribing is performed by irradiating a light absorption layer with a laser (Nd: YAG laser, etc.) emitted by exciting an Nd: YAG crystal with a continuous discharge lamp such as an arc lamp. It is a technology to remove and divide. (For example, see Patent Document 2.)
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-115356
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 11 312815
  • FIG. 4 (a) is a cross-sectional SEM photograph and figure of a state in which a part of the light absorption layer is scribed using a conventional metal needle and then a TCO to be an upper electrode is formed on the top by sputtering.
  • 4 (b) is a simplified illustration of the photograph of FIG. 4 (a).
  • the wall surface of the light absorption layer formed by scribing has a thinner TCO than the upper surface.
  • cracks have occurred in the TCO near the contact point between the wall of the light absorption layer and the upper side of the Mo electrode. If the TCO is thin or a crack occurs, the electrical resistance of that part will increase.
  • Increasing the thickness of the transparent upper electrode can compensate for the lack of thickness at the part where the unit cells are connected, such as on the wall side of the light absorption layer, but the transparent upper electrode is not completely transparent, so it absorbs light. The amount of light reaching the layer is reduced and power generation conversion efficiency is reduced, and it is not practical to increase the thickness of the transparent upper electrode.
  • laser scribing makes it very difficult to adjust the strength of the laser. Even if the laser strength is optimally adjusted, the laser scribing can be controlled by subtle changes in the film thickness of the light absorption layer. Since the optimal value of the strength of the machine will change, the force that can not be used in the mass production process
  • a method for manufacturing a solar cell according to the present invention includes a lower electrode layer forming step for forming a lower electrode layer on the upper surface side of a substrate, and a first scribe for dividing the lower electrode layer.
  • a light absorption layer forming step for forming a light absorption layer on the scribed lower electrode layer, a second scribe step for dividing the light absorption layer with a laser or a metal needle, and the second scribe step.
  • a method of manufacturing a solar cell according to the present invention includes the above-described steps as a basic configuration!
  • the manufacturing method of the solar cell according to the present invention includes those in which film forming processes such as a buffer layer, an alkali passivation film, an antireflection film and the like are interposed, only by these processes.
  • the laser frequency of the laser annealing process is set higher than that of the laser of the first scribe process, so that the light absorption layer The end can be a gently inclined surface.
  • the solar cell according to the present invention is formed by dividing into a plurality of substrates, a lower electrode layer formed on the upper surface side of the substrate, and a plurality of divided portions on top of the plurality of lower electrode layers. And a light absorbing layer having a split end formed in an inclined shape by laser annealing, a transparent upper electrode layer formed by laminating on the light absorbing layer, the upper electrode and the lower electrode And a contact electrode portion formed on an inclined end portion of the divided light absorption layer.
  • the light absorbing layer is preferably a chalcopyrite compound.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional solar cell
  • FIG.3 Diagram showing scribing with a metal needle
  • FIG. 4 (a) is a cross-sectional SEM photograph of a conventional solar cell, and (b) is a trace of the SEM photograph of (a) along the layer boundary.
  • FIG. 5 is a sectional view of a solar cell according to the present invention.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating a method for manufacturing a solar cell according to the present invention.
  • FIG. 7 (a) is a cross-sectional SEM photograph of the solar cell according to the present invention, and (b) is a diagram obtained by tracing the SEM photograph of (a) along the layer boundary.
  • FIG. 5 shows a cross section of a chalconeite solar cell according to the present invention.
  • a solar cell according to the present invention includes a lower electrode layer 2 (Mo electrode layer) formed on an upper portion of a substrate 1 such as glass, and a light absorption layer thin film 3 (CIGS light absorption layer containing copper'indium / gallium / selenium). ), On the light absorption layer thin film 3, a high resistance buffer layer thin film 4 formed of InS, ZnS, CdS, etc., and an upper transparent electrode layer 5 (TCO) formed of ZnOAl, etc. A unit cell (here called “unit cell” for convenience) is formed.
  • the adjacent unit cells are electrically connected to each other when the upper transparent electrode layer 5 of one unit cell is in direct contact with the other lower electrode layer 2 and the contact electrode portion 6 which is a part of the upper transparent electrode layer 5.
  • the light absorption layer 3 and the buffer layer 4 are processed so that the end portions of the layers have a gently inclined shape, and therefore the upper transparent electrode layer 5 is deposited on the upper portion of the inclined shape. To reach.
  • FIG. 6 shows a method for producing a chalcopyrite solar cell of the present invention.
  • a Mo (molybdenum) electrode to be the lower electrode 2 is formed on the upper surface side of the substrate 1 by sputtering or the like.
  • molybdenum titanium, tungsten, or the like may be used for the lower electrode 2.
  • Alkali control composed of SiO, etc. between the substrate and the lower electrode
  • a layer may be provided.
  • the Mo electrode is divided by removing it by laser irradiation or the like.
  • the laser is preferably an excimer laser with a wavelength of 248 nm or the third harmonic of a YAG laser with a wavelength of 355 nm.
  • Cu copper
  • In indium
  • Ga gallium
  • Absorbent layer thin film 3 is obtained. This annealing process is usually called gas phase selenization or simply selenium.
  • a buffer layer 4 that is an n-type semiconductor such as CdS, ZnO, or InS is stacked on the light absorption layer 3.
  • the nother layer 4 is generally formed by a dry process such as sputtering or a wet process such as CBD (Chemical 'Bath' Deposition).
  • the buffer layer can be omitted by improving the transparent electrode described later.
  • the light absorption layer 3 and the buffer layer 4 are divided by removing the light absorption layer and the buffer layer with a laser or a metal needle. (Second scribe)
  • the ends of the divided light absorption layer 3 and buffer layer 4 have a shape in which the tip of the metal needle is tapered, but the end of the metal needle is substantially vertical.
  • laser melting is performed by irradiating a laser so as to include this end portion, and laser annealing is performed so that the substantially vertical end portion is inclined.
  • the laser to irradiate is the fourth harmonic of Nd: YVO with a wavelength of 266 nm and a frequency of 40 kHz.
  • Any laser can be used as long as it is a heat-processable laser such as YAG and has a higher energy (short wavelength) than the band gap energy of the light absorption layer! /.
  • the frequency can also use a continuous light laser.
  • the first scriber is used to prevent damage to the lower electrode layer. More preferably, the frequency is higher than that of the laser used in the laser.
  • the end portion of the other light absorption layer generated by the second scribe is a so-called dead space in which this region does not contribute to effective power generation, so it is necessary to perform laser annealing. Absent.
  • an upper transparent electrode (TCO) such as ZnOAl to be the upper electrode 5 is formed by sputtering or the like on the upper surface of the lower electrode 2 on which the notch layer 4 and the second scribe are performed. TCO is also deposited on the upper part of the laser absorption processed light absorption layer 3.
  • FIG. 7 (a) is a cross-sectional SEM photograph of the chalcopyrite solar cell prepared in this example, and FIG. 7 (b) is a simplified view of the photograph of FIG. 7 (a).
  • the noffer layer is very thin and cannot be confirmed with photographs.
  • the thickness of the TCO deposited on the top of the buffer layer extends from the buffer layer to the lower electrode. It is formed with almost no change. Even in the photo, the crack of TCO cannot be confirmed.
  • the upper transparent electrode it is possible to form the upper transparent electrode with a constant film thickness, and it is possible to reduce the series resistance of the cell because it is difficult to cause defects such as a force and a crack.
  • a solar cell with high power conversion efficiency can be obtained.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

　レーザーや金属針などによって、光吸収層及びバッファ層を除去することにより光吸収層３とバッファ層４を分割し、次いで、分割した端部を含むようにレーザーを照射することにより端部を熱的に溶解させ、ほぼ垂直だった端部を傾斜状にレーザーアニール加工をおこなう。これによって傾斜した端部に堆積するＴＣＯの厚みは光吸収層の上面に形成されるＴＣＯの厚みと略等しくなる。

Description

明 細 書
太陽電池およびその製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、内部直列接続構造を備えた太陽電池とその製造方法に関する。
背景技術
[0002] 光を受光し電気工ネルギ一に変換する太陽電池には、半導体の厚さにより、バルタ 系と薄膜系とに分類されて 、る。
このうち薄膜系は、半導体層が数 10 m〜数/ z m以下の厚さを持つ太陽電池であ り、 Si薄膜系と化合物薄膜系に分類されている。化合物薄膜系には、 II— VI族化合 物系、カルコパイライト系等の種類があり、これまでいくつか商品化されてきた。
[0003] この中でカルコパイライト系に属するカルコパイライト型太陽電池は、使用されてい る物質をとつて、別名 CIGS (Cu(InGa) Se)系薄膜太陽電池、もしくは、 CIGS太陽 電池又は I一 III一 VI族系と呼ばれている。カルコパイライト型太陽電池は、 カルコパイライトイ匕合物を光吸収層として形成された太陽電池であり、高効率、光劣 ィ匕 (経年変化）がない、耐放射線特性に優れている、光吸収波長領域が広い、光吸 収係数が高い等の特徴があり、現在、量産に向けた研究がなされている。
[0004] 内部直列接続構造を備えた一般的な太陽電池の断面構造をカルコパイライト型太 陽電池を例にとって図 1に示す。
図 1に示すように、カルコノイライト型太陽電池は、ガラス等の基板 (サブストレート） 上に形成された下部電極層（Mo電極層）と、銅'インジウム 'ガリウム 'セレンを含む光 吸収層（CIGS光吸収層）と、光吸収層薄膜の上に、 InS、 ZnS、 CdS等で形成され る高抵抗のバッファ層薄膜と、 ZnOAl等で形成される上部電極薄膜 (TCO)とから形 成される。なお、基板にソーダライムガラス等を用いた場合は、基板内部からのアル カリ金属成分の光吸収層への侵出量を制御する目的で、 SiO等を主成分とするァ
2
ルカリ制御層を設ける場合もある。
[0005] カルコパイライト型太陽電池に太陽光等の光が照射されると、電子（一）と正孔（+ ) の対が生じ、電子（一）と正孔（ + )は P型と N型半導体との接合面で、電子（一）が N 型へ、正孔（+ )が P型へ集まり、その結果、 N型と P型との間に起電力が生じる。この 状態で電極に導線を接続することにより、電流を取り出すことができる。
[0006] 図 2を用いて、カルコパイライト型太陽電池の製造工程を説明する。
まず、ソーダライムガラス等の基板に下部電極となる Mo (モリブデン)電極をスパッ タリング等によって成膜する。
次に、 Mo電極をレーザーの照射等によって除去することで分割する。（第 1のスク ライブ、図 2の（a) )
[0007] 第 1のスクライブ後、肖 IJり屑を水等で洗浄し、銅 (Cu)、インジウム (In)、ガリウム (Ga )をスパッタリングや蒸着等で付着させ、プリカーサと呼ばれる層を形成する。このプリ カーサを炉に投入し、 H Seガスの雰囲気中で 400°Cから 600°Cの温度でァニール
2
することにより、 P型の光吸収層薄膜を得る。このァニールの工程は、通常、気相セレ ン化もしくは、単に、セレンィ匕と呼ばれる。
[0008] 次に、 CdS、 ZnOや InS等の n型のバッファ層を光吸収層上に積層する。バッファ 層は、一般的なプロセスとしては、スパッタリング等のドライプロセスや CBD (ケミカル •バス 'デポジション）等のウエットプロセスによって形成される。次に、レーザー照射や 金属針等によりバッファ層並びにプリカーサを除去することにより分割する。（第 2のス クライブ、図 2の（b) )
[0009] その後、上部電極として ZnOAl等の透明電極 (TCO :Transparent Conductin g Oxides)膜をスパッタリング等で形成する。（図 2の（c) )
[0010] 最後に、レーザー照射や金属針等により TCO、ノ ッファ層並びにプリカーサを除去 することにより分割する (第 3のスクライブ、図 2の (d) )し、 CIGS薄膜太陽電池を得る
[0011] ここで得られる太陽電池は、分割された下部電極と分割された光吸収層と分割され た上部電極力もなる単位セル力 コンタクト電極部を介してモノリシックに直列接続さ れたセルと呼ばれるものである力 実際に使用する際には、単一または複数のセルを パッケージングし、モジュール (パネル）として加工する。
[0012] セルは、各スクライブ工程により素子分離をおこなうことで、複数の直列段がモノリシ ックに分割されている力 この直列段数 (単位セルの数)を変更することにより、セル の電圧を任意に設計変更することが可能となる。これは、薄膜太陽電池のメリットの 1 つとなっている。
[0013] このような従来のカルコパイライト型太陽電池では、前述のように、第 2のスクライブ をおこなう技術として、メカ-カルスクライブとレーザースクライブが用いられてきた。
[0014] メカ-カルスクライブは、先端がテーパー状になった金属針 (ニードル)を所定の圧 力にて押しつけながら移動させることによって、機械的にスクライブを行う技術である 。 （例えば特許文献 1参照。 )
図 3に、第 2のスクライブをメカ-カルスクライブによっておこなう模式図を示す。
[0015] また、レーザースクライブは、アークランプなどの連続放電ランプによって Nd:YAG 結晶を励起して発信したレーザー (Nd: YAGレーザー等）を光吸収層に照射するこ とにより、光吸収層を除去し分割する技術である。（例えば特許文献 2参照。 )
[0016] 特許文献 1 :特開 2004— 115356号公報
特許文献 2：特開平 11 312815号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0017] メカ-カルスクライブの場合に用いる-一ドル先端は前記したように先細り形状にな つているため、スクライブされた光吸収層の側壁もある程度傾斜面となる力 殆んど垂 直に近い角度となっている。このため、側壁に上面と同じ厚さで TCOを形成すること ができな!/、。実例を図 4に基づ 、て説明する。
[0018] 図 4 (a)は、従来の金属針を用いて光吸収層の一部をスクライブした後に、その上 に上部電極となる TCOをスパッタリングによって形成した状態を撮影した断面 SEM 写真、図 4 (b)は図 4 (a)の写真を簡略ィ匕して示した図である。図 4から明らかなように 、スクライブによって形成した光吸収層の壁面側は上面側に比べて TCOが薄く形成 されている。また、光吸収層の壁面側と Mo電極の上部側との接点付近の TCOには クラックが生じてしまっている。 TCOが薄い場合やクラックが生じた場合、その部分の 電気抵抗が高くなつてしまう。通常、薄膜系の太陽電池では、 1枚の太陽電池モジュ ールで高電圧を実現するために、 1枚の基板に数多くの単位セルをモノリシックに形 成しているが、これら単位セルを接続する部分の抵抗値が高くなると、結果的に、モ ジュールとしての変換効率が悪くなる。
[0019] また、単位セルを接続する部分が薄くなつていると、外部からの力や経年変化によ つて破損しやすぐ信頼性の低下につながる。
透明上部電極の厚さを厚くすれば、光吸収層の壁面側等単位セルを接続する部 分での厚み不足をある程度補うこともできるが、透明上部電極は完全に透明ではな いため、光吸収層に到達する光量が減ってしまい、発電変換効率が低下してしまうこ とになり、透明上部電極を厚くすることは現実的ではない。
[0020] さらに、レーザーを用いて第 2のスクライブをおこなう技術では、スクライブに用いる レーザーの強弱の調整が難しいため、下部電極 (Mo電極)を破損してしまうか、上部 の透明電極と下部の Mo電極とのコンタクト抵抗が極端に悪ィ匕すると 、う問題点があ つた。例えば、光吸収層の除去のためにレーザーの出力を強くすると、光吸収層は 確実に除去される力 余剰のレーザーが、下部電極である Mo電極を傷つけてしまう 。また、レーザーの出力を弱くすると、今度は光吸収層が残ってしまい、コンタクト抵 抗が極端に悪ィ匕してしまう。
[0021] レーザースクライブは、このようにレーザーの強弱が非常に難しぐまた、一度レー ザ一の強さを最適に調整したとしても、光吸収層の膜厚などの微妙な変化により、レ 一ザ一の強さの最適値が変化してしまうため、量産工程に用いることができな力つた
課題を解決するための手段
[0022] 上記の課題を解決するため本発明に係る太陽電池の製造方法は、基板の上面側 に下部電極層を形成する下部電極層形成工程と、前記下部電極層を分割する第 1 のスクライブ工程と、スクライブされた下部電極層の上に光吸収層を形成する光吸収 層形成工程と、前記光吸収層をレーザーもしくは金属針で分割する第 2のスクライブ 工程と、前記第 2のスクライブ工程で分割された光吸収層の端部が含まれるようにレ 一ザ一を照射するレーザーァニール工程と、前記分割された光吸収層およびその間 に露出する下部電極の上に透明導電体を積層して上部電極およびコンタクト電極部 を形成する工程と、前記上部電極を分割する第 3のスクライブ工程とを備える。
[0023] 本発明に係る太陽電池の製造方法は、上記した各工程を基本構成として備えて!/ヽ る力 これら工程のみでなぐ例えばバッファ層、アルカリパッシベーシヨン膜、反射防 止膜などの成膜工程が介在したものも本発明の太陽電池の製造方法に含まれる。
[0024] また、前記第 1のスクライブ工程をレーザーによって行う場合には、前記第 1のスクラ イブ工程のレーザーよりも前記レーザーァニール工程のレーザーの周波数を高くす ることで、光吸収層の端部を緩やかな傾斜面にすることができる。
[0025] また、本発明に係る太陽電池は、基板と、前記基板の上面側に複数に分割して形成 された下部電極層と、前記複数の下部電極層の上部に複数に分割して形成され且 つ分割された端部がレーザーァニールによって傾斜形状に形成された光吸収層と、 前記光吸収層の上部に積層して形成された透明な上部電極層と、前記上部電極と 下部電極とを電気的に接続すべく前記分割された光吸収層の傾斜した端部上に形 成されたコンタクト電極部とを備える。前記光吸収層としてはカルコパイライトイ匕合物 が好ましい。
発明の効果
[0026] 光吸収層を分割するスクライブの後に分割した光吸収層の端部をレーザーでァ- ールすることにより、透明上部電極 (コンタクト電極部）が光吸収層の端部で極端に薄 くなることやクラックが生じることが無くなり、直列接続の内部抵抗値を低くすることが 可能となり、結果的に光電変換効率が高いカルコパイライト型太陽電池を得ることが できる。
図面の簡単な説明
[0027] [図 1]従来の太陽電池の構造を示す断面図
[図 2]従来の太陽電池の製造工程を示す図
[図 3]金属針によるスクライブの様子を示す図
[図 4] (a)は従来の太陽電池の断面 SEM写真、（b)は (a)の SEM写真を層の境界に 沿ってトレースした図
[図 5]本発明に係る太陽電池の断面図
[図 6]本発明に係る太陽電池の製造方法を説明した図
[図 7] (a)は本発明に係る太陽電池の断面 SEM写真、 (b)は（a)の SEM写真を層の 境界に沿ってトレースした図 符号の説明
[0028] 1 基板
2 下部電極層（Mo電極層）
3 光吸収層薄膜 (CIGS光吸収層）
4 バッファ層薄膜
5 上部透明電極層（TCO)
6 コンタクト電極部
発明を実施するための最良の形態
[0029] (実施例 1)
本発明によるカルコノイライト型太陽電池の断面を図 5に示す。
従来と同じ部位には、同じ符号を付してある。
本発明に係る太陽電池は、ガラス等の基板 1の上部に形成された下部電極層 2 (M o電極層）と、銅'インジウム ·ガリウム ·セレンを含む光吸収層薄膜 3 (CIGS光吸収層 )と、光吸収層薄膜 3の上に、 InS、 ZnS、 CdS等で形成される高抵抗のバッファ層薄 膜 4と、 ZnOAl等で形成される上部透明電極層 5 (TCO)とから 1つの単位となる電 池 (ここでは便宜上、「単位セル」と呼ぶ）が形成される。
[0030] 隣接する単位セルは、一方の単位セルの上部透明電極層 5が他方の下部電極層 2 に上部透明電極層 5の一部であるコンタクト電極部 6が直接接触することで電気的に 接続される。本発明では、光吸収層 3とバッファ層 4が、その層の端部が緩やかな傾 斜形状に加工されているため、上部透明電極層 5が傾斜形状の上部で堆積する形 で下部電極層まで到達する。
[0031] 次に、本発明のカルコパイライト型太陽電池の製造方法を図 6に示す。
まず、基板 1の上面側に下部電極 2となる Mo (モリブデン)電極をスパッタリング等に よって成膜する。下部電極 2には、モリブデンの他にチタンやタングステン等が使用さ れることがある。なお、基板と下部電極との間に、 SiO等で構成されるアルカリ制御
2
層を備えても良い。
[0032] 次に、 Mo電極をレーザーの照射等によって除去することで分割する。（第 1のスク ライブ） レーザーには、波長が 248nmであるエキシマレーザーや、 355nmである YAGレ 一ザ一の第 3高調波などが望ましい。また、レーザーの加工幅としては、 80〜： LOOn m程度確保することが望ましぐこれにより、隣り合う Mo電極間の絶縁を確保すること が可能となる。
[0033] 第 1のスクライブ後に、銅 (Cu)、インジウム (In)、ガリウム（Ga)をスパッタリングや蒸 着等で付着させ、プリカーサと呼ばれる層を形成する。このプリカーサを炉に投入し、 H Seガスの雰囲気中で 400°Cから 600°C程度の温度でァニールすることにより、光
2
吸収層薄膜 3を得る。このァニールの工程は、通常、気相セレン化もしくは、単に、セ レンィ匕と呼ばれる。
[0034] なお、光吸収層薄膜 3を形成する工程には、 Cu、 In、 Ga、 Seを蒸着にて形成した あとァニールをおこなう方法など、いくつかの技術が開発されている。本実施例にお いては、気相セレンィ匕を用いて説明したが、本発明は、光吸収層を形成する工程は 限定されない。
[0035] 次に、 CdS、 ZnOや InS等の n型の半導体であるバッファ層 4を光吸収層 3上に積 層する。ノ ッファ層 4は、一般的なプロセスとしては、スパッタリング等のドライプロセス や CBD (ケミカル 'バス 'デポジション）等のウエットプロセスによって形成される。バッ ファ層は、後に述べる透明電極の改良により、省略することも可能である。
[0036] 次に、レーザーや金属針などによって、光吸収層及びバッファ層を除去することに より光吸収層 3とバッファ層 4を分割する。（第 2のスクライブ）
分割された光吸収層 3とバッファ層 4の端部は、金属針の先端は先細りではあるが、 ほぼ垂直に切り立った形状となっている。
[0037] 次の工程は、この端部を含むようにレーザーを照射することにより熱的に溶解させ、 ほぼ垂直だった端部を傾斜状にレーザーァニールカ卩ェをおこなう。照射するレーザ 一は本実施例では波長が 266nmの Nd:YVOの第 4高調波を周波数 40kHz、出
4
力 230mWの条件で使用した。本発明に用いた Nd:YVO以外にもエキシマや Nd:
4
YAG等、熱加工が可能なレーザーで、光吸収層バンドギャップエネルギーより高工 ネルギー（短波長）のレーザーであれば特に種類は問われな!/、。周波数も連続光レ 一ザ一を用いることが可能である力 下部電極層を破損しないために、第 1のスクライ ブで用いられるレーザーよりも周波数を高くすることがより好ましい。
[0038] なお、第 2のスクライブによって生じたもう一方の光吸収層の端部は、この領域が実 効発電に寄与しないいわゆるデッドスペースであるため、レーザーァニール加工をお こなう必要はない。
[0039] その後、ノ ッファ層 4と第 2のスクライブがおこなわれた下部電極 2の上部に、上部 電極 5となる ZnOAl等の上部透明電極 (TCO)をスパッタリング等で形成する。 TCO は、レーザーァニール加工された光吸収層 3の上部にも堆積される。
[0040] 最後に、レーザー照射や金属針等により TCO、ノ ッファ層並びにプリカーサを除去 することにより分割をおこなう（素子分離のスクライブ)。この素子分離により図 5に示し た内部直列接続構造の太陽電池が得られる。
[0041] 図 7 (a)は、本実施例で作成したカルコパイライト型太陽電池の断面 SEM写真、（b )は図 7 (a)の写真を簡略ィ匕して示した図である。
なお、ノ ッファ層については、非常に薄く形成されているため、写真で確認すること はできない。図 7に示したように、レーザーァニールによって光吸収層およびバッファ 層が傾斜状にカ卩ェされたため、その上部に堆積される TCOがバッファ層から下部電 極に至るまで、層の厚さをほとんど変化させることなく形成されている。写真でも、 TC Oのクラックは確認することはできな 、。
産業上の利用可能性
[0042] このように本発明では、上部透明電極の膜厚を一定に形成することが可能であり、 し力もクラック等の欠陥も生じにくいため、セルの直列抵抗を下げることが可能であり
、発電変換効率の高い太陽電池を得ることできる。
し力も、第 2のスクライブ後にレーザーァニールカ卩ェをおこなう領域は、実効発電に 寄与しな!、 、わゆるデッドスペースであるため、レーザーァニールカ卩ェをおこなうこと による発電量の低下は生じな 、。
[0043] 本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲 を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明ら かである。
本出願は、 2006年 1月 30日出願の日本特許出願 (特願 2006-019924)に基くもので あり、その内容はここに参照として取り込まれる。

Claims

請求の範囲
[1] 基板の上面側に下部電極層を形成する下部電極層形成工程と、
前記下部電極層を分割する第 1のスクライブ工程と、
スクライブされた下部電極層の上に光吸収層を形成する光吸収層形成工程と、 前記光吸収層をレーザーもしくは金属針で分割する第 2のスクライブ工程と、 前記第 2のスクライブ工程で分割された光吸収層の端部が含まれるようにレーザーを 照射するレーザーァニール工程と、
前記分割された光吸収層およびその間に露出する下部電極の上に透明導電体を積 層して上部電極およびコンタクト電極部を形成する工程と、
前記上部電極を分割する第 3のスクライブ工程とを備えることを特徴とする太陽電池 の製造方法。
[2] 前記第 1のスクライブ工程はレーザーによって前記下部電極層を分割する工程であ り、前記レーザーァニール工程のレーザーは、前記第 1のスクライブ工程のレーザー よりも周波数が高いことを特徴とする請求項 1記載のカルコパイライト型太陽電池の製 造方法。
[3] 基板と、
前記基板の上面側に複数に分割して形成された下部電極層と、
前記複数の下部電極層の上部に複数に分割して形成され且つ分割された端部がレ 一ザーァニールによって傾斜形状に形成された光吸収層と、
前記光吸収層の上部に積層して形成された透明な上部電極層と、
前記上部電極と下部電極とを電気的に接続すべく前記分割された光吸収層の傾斜 した端部上に形成されたコンタクト電極部とを備えることを特徴とする太陽電池。
[4] 前記光吸収層がカルコパイライトイ匕合物であることを特徴とする請求項 3に記載の太 陽電池。
PCT/JP2007/051303 2006-01-30 2007-01-26 太陽電池およびその製造方法 WO2007086522A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE112007000266T DE112007000266T5 (de) 2006-01-30 2007-01-26 Solarzelle und Verfahren zur Herstellung derselben
US12/162,260 US20090032094A1 (en) 2006-01-30 2007-01-26 Solar cell and method of fabricating the same
CN2007800039048A CN101375410B (zh) 2006-01-30 2007-01-26 太阳能电池及其制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006-019924 2006-01-30
JP2006019924A JP4730740B2 (ja) 2006-01-30 2006-01-30 太陽電池およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007086522A1 true WO2007086522A1 (ja) 2007-08-02

Family

ID=38309308

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2007/051303 WO2007086522A1 (ja) 2006-01-30 2007-01-26 太陽電池およびその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20090032094A1 (ja)
JP (1) JP4730740B2 (ja)
CN (1) CN101375410B (ja)
DE (1) DE112007000266T5 (ja)
WO (1) WO2007086522A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010119943A1 (ja) * 2009-04-17 2010-10-21 昭和シェル石油株式会社 エッジスペースを備えた太陽電池モジュール
WO2010119944A1 (ja) * 2009-04-17 2010-10-21 昭和シェル石油株式会社 エッジスペースを備えた太陽電池モジュールの製造方法

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2200097A1 (en) * 2008-12-16 2010-06-23 Saint-Gobain Glass France S.A. Method of manufacturing a photovoltaic device and system for patterning an object
TW201041161A (en) * 2009-05-13 2010-11-16 Axuntek Solar Energy Co Ltd Solar cell structure and manufacturing method thereof
EP2261976A1 (en) * 2009-06-12 2010-12-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor device module, method of manufacturing a semiconductor device module, semiconductor device module manufacturing device
KR101245371B1 (ko) * 2009-06-19 2013-03-19 한국전자통신연구원 태양전지 및 그 제조방법
JP2011009557A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Kyocera Corp 光電変換セルおよび光電変換モジュール
CN102246316B (zh) 2009-09-29 2014-07-02 京瓷株式会社 光电转换装置及其制造方法
JP2011077104A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Kyocera Corp 光電変換装置及びその製造方法
KR101144570B1 (ko) * 2009-09-30 2012-05-11 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
KR101072089B1 (ko) * 2009-09-30 2011-10-10 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
CN101894883A (zh) * 2010-06-03 2010-11-24 江西赛维Best太阳能高科技有限公司 新型透光型非/微叠层硅基薄膜太阳电池激光刻划工艺
KR101154654B1 (ko) * 2010-10-05 2012-06-11 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
KR101173401B1 (ko) * 2011-01-24 2012-08-10 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 그의 제조방법
KR101326951B1 (ko) 2011-10-25 2013-11-13 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
JP5575163B2 (ja) * 2012-02-22 2014-08-20 昭和シェル石油株式会社 Ｃｉｓ系薄膜太陽電池の製造方法
US9689912B2 (en) * 2012-12-07 2017-06-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Rapid analysis of buffer layer thickness for thin film solar cells
US9825197B2 (en) * 2013-03-01 2017-11-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of forming a buffer layer in a solar cell, and a solar cell formed by the method
CN103311368A (zh) * 2013-06-05 2013-09-18 福建铂阳精工设备有限公司 微晶硅薄膜太阳能电池的制造方法
NL2014040B1 (en) * 2014-12-23 2016-10-12 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Method of making a curent collecting grid for solar cells.
JP2018056233A (ja) * 2016-09-27 2018-04-05 積水化学工業株式会社 太陽電池
CN107611265B (zh) * 2017-08-18 2019-12-20 上海黎元新能源科技有限公司 一种单节钙钛矿太阳能电池及其模块结构

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6130082A (ja) * 1984-07-20 1986-02-12 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
JPS6188569A (ja) * 1984-10-05 1986-05-06 Fuji Electric Co Ltd 太陽電池装置
JPH03245577A (ja) * 1990-02-23 1991-11-01 Matsushita Electric Works Ltd 光電変換素子
JPH11224956A (ja) * 1998-02-05 1999-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜太陽電池およびその製造方法
JP2003318424A (ja) * 2002-04-18 2003-11-07 Honda Motor Co Ltd 薄膜太陽電池およびその製造方法
JP2005197537A (ja) * 2004-01-09 2005-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 集積型薄膜太陽電池およびその製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11312815A (ja) 1998-04-28 1999-11-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜太陽電池の製造方法
US6180871B1 (en) * 1999-06-29 2001-01-30 Xoptix, Inc. Transparent solar cell and method of fabrication
KR100820689B1 (ko) * 2001-08-10 2008-04-10 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 취성재료기판의 모따기 방법 및 모따기 장치
US7560641B2 (en) * 2002-06-17 2009-07-14 Shalini Menezes Thin film solar cell configuration and fabrication method
JP3867230B2 (ja) 2002-09-26 2007-01-10 本田技研工業株式会社 メカニカルスクライブ装置
JP4373115B2 (ja) * 2003-04-04 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2006019924A (ja) 2004-06-30 2006-01-19 Dainippon Printing Co Ltd デジタル放送システムおよびデジタル放送方法
US20070079866A1 (en) * 2005-10-07 2007-04-12 Applied Materials, Inc. System and method for making an improved thin film solar cell interconnect

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6130082A (ja) * 1984-07-20 1986-02-12 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
JPS6188569A (ja) * 1984-10-05 1986-05-06 Fuji Electric Co Ltd 太陽電池装置
JPH03245577A (ja) * 1990-02-23 1991-11-01 Matsushita Electric Works Ltd 光電変換素子
JPH11224956A (ja) * 1998-02-05 1999-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜太陽電池およびその製造方法
JP2003318424A (ja) * 2002-04-18 2003-11-07 Honda Motor Co Ltd 薄膜太陽電池およびその製造方法
JP2005197537A (ja) * 2004-01-09 2005-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 集積型薄膜太陽電池およびその製造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010119943A1 (ja) * 2009-04-17 2010-10-21 昭和シェル石油株式会社 エッジスペースを備えた太陽電池モジュール
WO2010119944A1 (ja) * 2009-04-17 2010-10-21 昭和シェル石油株式会社 エッジスペースを備えた太陽電池モジュールの製造方法
JP2010251576A (ja) * 2009-04-17 2010-11-04 Showa Shell Sekiyu Kk エッジスペースを備えた太陽電池モジュールの製造方法
JP2010251575A (ja) * 2009-04-17 2010-11-04 Showa Shell Sekiyu Kk エッジスペースを備えた太陽電池モジュール
CN102396074A (zh) * 2009-04-17 2012-03-28 昭和砚壳石油株式会社 具备边距的太阳能电池组件
US8603853B2 (en) 2009-04-17 2013-12-10 Showa Shell Sekiyu K.K. Method for manufacturing a solar cell module provided with an edge space
US9166085B2 (en) 2009-04-17 2015-10-20 Solar Frontier K.K. Method for manufacturing solar cell module provided with an edge space
US9166086B2 (en) 2009-04-17 2015-10-20 Solar Frontier K.K. Method for manufacturing solar cell module provided with an edge space

Also Published As

Publication number Publication date
CN101375410A (zh) 2009-02-25
JP4730740B2 (ja) 2011-07-20
US20090032094A1 (en) 2009-02-05
CN101375410B (zh) 2010-09-22
JP2007201302A (ja) 2007-08-09
DE112007000266T5 (de) 2008-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4730740B2 (ja) 太陽電池およびその製造方法
JP4925724B2 (ja) 太陽電池およびその製造方法
JP4439492B2 (ja) カルコパイライト型太陽電池およびその製造方法
JP4703350B2 (ja) 太陽電池の製造方法
WO2007086521A1 (ja) 太陽電池およびその製造方法
JP4999937B2 (ja) 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法
EP2485278B1 (en) Solar cell element and solar cell module
JP2007123532A (ja) 太陽電池
US20080216895A1 (en) Chalcopyrite solar cell and method of manufacturing the same
JP2007317879A (ja) カルコパイライト型太陽電池およびその製造方法
JP2007317868A (ja) カルコパイライト型太陽電池およびその製造方法
EP2405485A1 (en) Thin film solar cell module
JP2011155237A (ja) 化合物薄膜太陽電池、化合物薄膜太陽電池の製造方法、および化合物薄膜太陽電池モジュール
US8941160B2 (en) Photoelectric conversion module and method of manufacturing the same
EP2416377A2 (en) Solar cell and manufacturing method thereof
JPWO2010087333A1 (ja) 光電変換セル、光電変換モジュールおよび光電変換セルの製造方法
WO2013108623A1 (ja) 集積化太陽電池の製造方法
KR101550927B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
US8890270B2 (en) Photoelectric conversion device and method for manufacturing the photoelectric conversion device
WO2013121839A1 (ja) 薄膜太陽電池およびその製造方法
JP2013206889A (ja) 集積型薄膜太陽電池モジュールにおける分離溝の形成方法
JP5969870B2 (ja) 光電変換装置及びその製造方法
JP4173692B2 (ja) 太陽電池素子およびその製造方法
JP2012169569A (ja) 光電変換装置の製造方法
KR101543034B1 (ko) 팁 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12162260

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200780003904.8

Country of ref document: CN

RET De translation (de og part 6b)

Ref document number: 112007000266

Country of ref document: DE

Date of ref document: 20081127

Kind code of ref document: P

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 07707535

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1