JP5575163B2 - Cis系薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
Description
RFスパッタ法:SiO2ターゲット
投入電力:0.1〜3.0W/cm2
O2濃度(O2/O2+Ar):0〜20vol%
成膜圧力:0.3〜2.0Pa
2セレン化銅インジウム (CuInSe2)
2イオウ化銅インジウム (CuInS2)
2セレン・イオウ化銅インジウム (CuIn(SeS)2)
2セレン化銅ガリウム (CuGaSe2)
2イオウ化銅ガリウム (CuGaS2)
2セレン化銅インジウム・ガリウム (Cu(InGa)Se2)
2イオウ化銅インジウム・ガリウム (Cu(InGa)S2)
等であってもよい。
2 アルカリ制御層
3 裏面電極層
4 CIS系光吸収層
5 バッファ層
6 透明導電膜(窓層)
Claims (4)
- 高歪点ガラス基板上にアルカリ制御層を形成し、
前記アルカリ制御層上に裏面電極層を形成し、
前記裏面電極層上に少なくともCuとInを含む金属プリカーサー膜を形成し、
前記金属プリカーサー膜を570℃以上の温度でセレン化/硫化してCIS系光吸収層を形成し、
前記CIS系光吸収層上にn型透明導電膜を形成する、各ステップを備え、
前記アルカリ制御層は、屈折率が1.45〜1.50の範囲のシリカ膜を3〜12nmの膜厚に形成したものであり、さらに、前記金属プリカーサー膜には0.02原子数%から0.1原子数%のNaが添加されており、更に、前記高歪点ガラス基板は、その熱膨張係数が8×10 -6 /℃〜9×10 -6 /℃の範囲であり、かつ、Na 2 Oを2〜5重量%の範囲で含むことを特徴とする、CIS系薄膜太陽電池の製造方法。 - 請求項1に記載の方法において、前記Naは前記金属プリカーサー膜を形成する材料中にNa化合物として含まれる、CIS系薄膜太陽電池の製造方法。
- 請求項1または2に記載の方法において、前記金属プリカーサー膜は、前記裏面電極層上にCuGa膜を蒸着またはスパッタしその後In膜を蒸着またはスパッタして形成され、前記Naは前記CuGa膜の材料中に混入される、CIS系薄膜太陽電池の製造方法。
- 高歪点ガラス基板上にアルカリ制御層を形成し、
前記アルカリ制御層上に裏面電極層を形成し、
前記裏面電極層上に、Cu、In、Gaまたはこれらの混晶の積層として金属プリカーサー膜を形成し、
前記金属プリカーサー膜の形成の時点で、前記積層間にNaFまたはNaSの層を形成し、
前記金属プリカーサー膜を570℃以上の温度でセレン化/硫化してCIS系光吸収層を形成し、
前記CIS系光吸収層上にn型透明導電膜を形成する、各ステップを備え、
前記アルカリ制御層は、屈折率が1.45〜1.50の範囲のシリカ膜を3〜12nmの膜厚に形成したものであり、前記NaFまたはNaSの層は前記CIS系光吸収層に0.02原子数%から0.1原子数%のNaを添加すべく形成されており、更に、前記高歪点ガラス基板は、その熱膨張係数が8×10 -6 /℃〜9×10 -6 /℃の範囲であり、かつ、Na 2 Oを2〜5重量%の範囲で含むことを特徴とする、CIS系薄膜太陽電池の製造方法。
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