WO2007032260A1 - 成形回路部品及びその製造方法 - Google Patents

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Norio Yoshizawa
Hiroaki Watanabe
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Sankyo Kasei Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to a molded circuit component in which a circuit is formed by plating a part of the surface or the inner peripheral surface of a through-hole in, for example, a cellular phone connector, and a manufacturing method thereof.
  • thermoplastic substrate is formed by injection molding to form a primary substrate 10 that is an electrically insulating and predetermined circuit forming body.
  • the conductive layer 50 (see FIG. 7, F) formed on the upper surface of the primary substrate 10, that is, the circuit formation surface and other circuit non-formation surfaces (non-circuit surfaces) are flat surfaces of the same level.
  • this thermoplastic material there is a plating grade liquid crystal polymer, for example, an aromatic polymer, “Mitsubishi” (trade name of Polyplastics Co., Ltd.), grade C810.
  • the entire surface of the primary substrate 10 is roughened 10a.
  • the primary substrate is degreased and the surface is etched.
  • caustic soda or caustic potash is heated at a predetermined temperature, for example, 50 to 90 ° C., in an alkaline aqueous solution having a predetermined concentration, for example, 45 wt%.
  • the primary substrate 10 is immersed for 30 minutes, for example.
  • the entire surface of the primary substrate is roughened 10a.
  • the circuit forming surface 10b of the surface portion on which the conductive layer having a predetermined circuit pattern is to be formed is exposed on the surface of the primary substrate 10, and the other portions are exposed.
  • the secondary substrate 20 is formed by integrally molding the resin mask 30 on the primary substrate by molding so as to cover the circuit non-forming surface 10c. Specifically, a cavity having a shape matching a shape having a predetermined gap is formed on the outer periphery of the primary base 10 on the upper and lower opposing surfaces of a normal mold, and the mold is closed.
  • a resin mask material for example, an oxyalkylene group-containing polybutyl alcohol resin is injected and molded.
  • This oxyalkylene group For example, “Ecomati AX” (trade name of Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd.) is an example of a polybulal alcohol-based resin.
  • biodegradable resin such as polylactic acid, oxalic acid, cellulose, starch, butyric acid, glycol, etc. can be used in addition to the polybutyl alcohol. is there.
  • organic acid soluble polyamides There are also organic acid soluble polyamides
  • a catalyst 40 for electroless plating is provided on the circuit forming surface 10b, that is, the surface portion where the conductive layer is to be formed, when the secondary substrate is exposed.
  • the application of the catalyst 40 is a known one. For example, after immersing the secondary substrate in a mixed catalyst solution of tin and palladium, the catalyst 40 is activated with an acid such as sulfuric acid or hydrochloric acid to deposit palladium on the surface. Alternatively, a relatively strong reducing agent such as stannous chloride is adsorbed on the surface and immersed in a catalyst solution containing noble metal ions such as gold to deposit gold on the surface. The temperature of the catalyst solution should be 15-23 ° C and immersed for 5 minutes.
  • the resin mask 30 of the secondary substrate 20 after the application of the catalyst 40 is removed.
  • the resin mask 30 is molded with “Ecomati AX”
  • the secondary substrate 20 is heated in hot water and eluted in the hot water.
  • This hot water is about 80 ° C, and when the secondary substrate 20 is immersed for 10 minutes, the resin mask 30 formed with this "Ekomachi AX” is easily eluted.
  • the heat distortion temperature of the “Vectra” adhesive dull C810 of the material of the primary substrate 10 is 200 ° C. or higher, there is no change in the primary substrate.
  • the conductive layer 50 is applied to the surface to which the catalyst 40 is applied, that is, the circuit forming surface 10b by electroless plating such as chemical copper plating or chemical nickel plating. To form. (Patent Document 1).
  • Patent Document 1 Japanese Patent No. 3616488
  • the compatibility between the material of the primary substrate 10 and the material of the resin mask 30 of the secondary substrate 20 the high-frequency characteristics and dielectric constant of the primary substrate 10 are assumed to be compatible. In many cases, it is difficult to select a fat mask 30. In reality, it is often impossible to select one with good compatibility. If the compatibility is poor, the circuit-formed surface 10b of the surface-roughened primary substrate 10 is exposed, and the other circuit-unformed surface 10c is exposed as shown in FIGS. 8 and 7C. Even if covered with the oil mask 30, as shown in FIG. 9 and FIG.
  • an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems by simply providing a height difference without changing the shape of the primary substrate, and thereby the material of the primary substrate and the secondary substrate
  • a molded circuit component and a method for producing the molded circuit component that can broaden the range of selection of the resin mask material, that is, select a material with low compatibility, and as a result, can broaden the field of use of the molded circuit component. It is to provide.
  • a feature of the molded circuit component and the manufacturing method thereof according to the present invention is that a difference in height is provided between the circuit forming surface and the circuit non-forming surface of the primary substrate. This height difference is preferably 0.05 mm or more.
  • circuit formation surface and the circuit non-formation surface of the primary substrate are provided with a concave or convex height difference, and the side surface connecting the circuit formation surface and the circuit non-formation surface is predetermined. There is an angle.
  • the predetermined angle of the side surface connecting the circuit forming surface and the non-circuit forming surface is 15 ° to 90 °, preferably 45 ° to 90 °.
  • the primary substrate is provided with a height difference between the circuit forming surface and the non-circuit forming surface, the osmotic pressure of the catalyst solution is reduced between the primary substrate and the resin mask. Further, the osmotic pressure is more effectively attenuated by making the side surface connecting the circuit formation surface and the circuit non-formation surface a predetermined angle.
  • the effect of the present invention is to broaden the selection of the primary substrate material and the secondary substrate grease mask material without changing the shape of the primary substrate, and to reliably and stably prevent short circuits.
  • the field of use of molded circuit components can be widened.
  • FIG. 1 is a perspective view of a secondary substrate in which a resin mask is formed on the primary substrate of Example 1,
  • FIG. 2 is a perspective view of a stage where the secondary substrate force-resin mask of Example 1 is removed;
  • FIG. 3 is a perspective view for displaying the dimensions of the secondary substrate of Example 1.
  • FIG. 4 is a perspective view of a secondary substrate in which a resin mask is formed on the primary substrate of Example 2,
  • FIG. 5 is a perspective view of a stage where the secondary substrate force-resin mask of Example 2 is removed;
  • FIG. 6 is a perspective view for displaying the dimensions of the secondary substrate of Example 2.
  • FIG. 7 (A) to (F) are cross-sectional views showing a manufacturing process in a conventional example
  • FIG. 8 is a perspective view of a secondary substrate in which a resin mask is formed on the primary substrate in a conventional example
  • FIG. 9 is a perspective view of a stage where the secondary substrate force-resin mask in the conventional example is removed.
  • thermoplastic substrate is molded by injection molding to form the primary base 1 that is a circuit forming body having a predetermined shape. Process power starts, but the shape of the surface of this primary substrate is not a flat surface. Since this is the greatest feature of the present invention, specific items will be described later with reference to FIGS. Otherwise, as shown in FIGS. 7 (B) to (F), the entire surface of the primary substrate 1 is roughened 10a, and a conductive layer of a predetermined circuit pattern is formed on the surface of the primary substrate.
  • the feature of the present invention is that, as shown in FIG. 1, there is a height difference between the circuit forming surface 11 and the circuit non-forming surface 12 in the primary substrate 1. Then, the surface portion of the surface of the primary substrate 1 on which the conductive layer 50 (see FIG. 7, F) having a predetermined circuit pattern is to be formed, that is, the circuit forming surface 11 is exposed, and the other portion, that is, the circuit non-conductive portion is exposed.
  • the secondary substrate 2 is formed by integrally molding the resin mask 3 on the primary substrate so as to cover the formation surface 12.
  • This height difference means that one of the circuit formation surface 11 and the circuit non-formation surface 12 of the primary substrate 1 is raised, and a recess or projection is provided to make the other lower, and this height difference H force is as shown in FIG. Further, it is 0.05 mm, preferably 0.05 mm or more. Further, the side surfaces 13 and 14 connecting the circuit forming surface 11 and the circuit non-forming surface 12 having a height difference have a predetermined angle, and this angle is 15 ° to 90 °, preferably 45 ° to 90 °. The reason is that if this angle is 15 ° C.
  • the circuit forming surface 10b and the circuit non-forming surface 10c of the primary substrate 10 in the above-mentioned conventional example approach the same surface, and this circuit non-forming surface is approached.
  • the possibility that the catalyst solution 40 penetrates increases, and if it is 90 ° or more, it may be difficult to remove the die after the secondary substrate 2 is formed.
  • Example 1 of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.
  • a primary substrate 1 is formed by injecting the liquid crystal polymer “Vectra C820”, and the shape thereof is The circuit forming surface 11 is convex and the circuit non-forming surface 12 is concave.
  • This height difference H is 0.05 mm, and the angles of the side walls 13 and 14 that connect the circuit forming surface and the circuit non-forming surface are as follows. Formed at 90 °. Then, the surface of the primary substrate 1 was roughened with a caustic soda solution.
  • the circuit forming surface 11 on which the conductive layer 50 is formed is exposed, and a resin mask 3 covering the concave circuit non-forming surface 12 is injection-molded, and both lower edges of the resin mask are formed on the circuit forming surface 11. It is in a state where both ends of are covered by about 0.05 mm.
  • a resin mask 3 covering the concave circuit non-forming surface 12 is injection-molded, and both lower edges of the resin mask are formed on the circuit forming surface 11. It is in a state where both ends of are covered by about 0.05 mm.
  • As the material of the resin mask 3 “Ekomachi AX-2000” of the above-mentioned Nippon Synthetic Chemical Industry, which is a polybulal alcohol type, was used.
  • the secondary substrate 2 was immersed in a bath filled with a palladium catalyst solution at a depth of 500 mm at a liquid temperature of 40 ° C for 5 minutes. After that, the secondary substrate 2 on which the resin mask 3 is formed is immersed in warm water at 70 degrees for 60 minutes, and this warm water is stirred to dissolve the resin mask. Then, electroless plating was applied to the circuit forming surface 11 to form a conductive layer 50, thereby completing a molded circuit component.
  • the infiltration range of the catalyst is a portion where the creeping distance can be increased, that is, both sides between the convex circuit forming surface 11 and the concave circuit non-forming surface 12.
  • the walls 13 and 14 prevented further permeation of the catalyst solution, thus preventing a short circuit between the conductive layers 50, that is, between the circuits.
  • Non-circuit width 0.2 mm
  • the water depth of the catalyst solution is 500 mm as in Example 1. Then, as shown in Fig. 9, the infiltration of the catalyst solution occurred, and when a conductive layer was formed by electroless plating, a short circuit occurred between the circuits.
  • Example 2 of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 6.
  • the primary substrate 6 is formed by injecting the liquid crystal polymer “Vectra C820”, and its shape is The circuit forming surface 61 is concave and the circuit non-forming part 62 is convex.This height difference H is 0.2 mm as shown in FIG. 6, and the inclination angle of the circuit non-forming part is 80 °. did. Then, the surface of the primary substrate 6 was roughened with a caustic soda solution.
  • the circuit forming surface 61 on which the conductive layer 50 is formed is exposed, and a resin mask 31 covering the convex circuit non-forming surface 62 is injection-molded, and both lower edges of the resin mask are formed on the circuit forming surface.
  • a secondary substrate 2 in a state of being in contact with and covering both ends of 11 was formed.
  • the resin mask 31 is made of polyvinyl alcohol-based “Ekomachi AX-2000” from Nippon Synthetic Chemical Industry.
  • the secondary substrate 2 was immersed in a bath in which the palladium catalyst solution was filled to a depth of 500 mm at a liquid temperature of 40 ° C for 5 minutes. Thereafter, the secondary substrate on which the resin mask 31 is formed is immersed in warm water at 70 ° C. for 60 minutes, and the hot water is stirred to dissolve and remove the resin mask.
  • the molded circuit parts were completed by electroless plating.
  • the infiltration range of the catalyst is the portion where the creeping distance can be increased, that is, both sides between the concave circuit forming surface 61 and the convex circuit non-forming surface 62. Up to wall 62a, the infiltration of the catalyst was stopped, so that the short circuit between the conductive layer 50, that is, the circuit, was completely prevented.
  • Non-circuit width 0.2 mm
  • a circuit is formed by plating a part of the surface or the inner peripheral surface of a through-hole in a connector of a mobile phone or the like.

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Abstract

一次基体の材質と二次基体の樹脂マスクの材質の選択の幅を広め、回路の短絡を確実に防止する。一次基体１の形状は、回路形成面11を凸状として、回路非形成面１２を凹状とし、この高低差を０．０５ｍｍ、この回路形成面と回路非形成面とをつなぐ側壁１３，１４の角度を９０°とした。触媒付与のため、パラジウム触媒溶液を水深５００ｍｍの浴に、液温４０°Cで５分間浸漬した。その後、樹脂マスク３を溶解して除去し、無電解めっきを施した。その結果、触媒液の浸み込み範囲は、沿面距離を長くできた部分、即ち両側壁１３，１４までで、触媒の浸み込みが食い止められ、導電層５０間、つまり回路間の短絡の発生が防止できた。

Description

明 細 書
成形回路部品及びその製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、例えば携帯電話用コネクタなどにおいて表面の一部や貫通している穴 の内周面にめっきを施して回路が形成してある成形回路部品及びその製造方法に 関する。
背景技術
[0002] 本願発明の発明者は、先に図 7〜図 9に示す成形回路部品の製造方法を提案した 。そこで、この製造方法について説明すると、先ず、図 7 (A)に示すように、熱可塑性 材料を射出成形により電気絶縁性で所定形状の回路形成体である一次基体 10を成 形する。この一次基体 10の上面に形成される導電層 50 (図 7、 F参照）、つまり回路 形成面とその他の回路非形成面（非回路面）は同一レベルの平坦面になっている。 この熱可塑性材料として、めっきグレードの液晶ポリマー、例えば芳香族系ポリマー であって、「ベクトラ」（ポリプラスチックス株式会社の商品名）のめつきグレード C810 がある。
[0003] 次に、図 7 (B)に示すように、一次基体 10の全表面を粗化 10aする。そのためには 、一次基体を脱脂し、表面をエッチング処理する力 このエッチング処理の例として、 苛性ソーダまたは苛性カリを所定濃度、例えば 45wt%に溶解したアルカリ性水溶液 に所定温度、例えば 50〜90°Cに加熱し、一次基体 10を例えば 30分浸漬して行う。 このエッチング処理によって、この一次基体の全表面が粗化 10aする。
[0004] さらに、図 7 (C)に示すように、一次基体 10の表面のうち、所定の回路パターンの 導電層が形成されるべき表面部分の回路形成面 10bを露出させ、それ以外の部分 の回路非形成面 10cを覆うように、成形により一次基体に榭脂マスク 30を一体的に 成形して二次基体 20を形成する。具体的には、通常の金型の上下の対向面に、一 次基体 10の外周に所定の間隙を有する形状に合致する形状のキヤビティが形成さ れており、この金型を閉じた状態で、榭脂マスクの材料として、例えばォキシアルキレ ン基含有ポリビュルアルコール系榭脂を射出して成形する。このォキシアルキレン基 含有ポリビュルアルコール系榭脂として、例えば「ェコマティ AX」（日本合成化学ェ 業株式会社の商品名）がある。この榭脂マスク 30の材質、素材としては、前記のポリ ビュルアルコール系の他に、ポリ乳酸系、琥珀酸系、セルロース系、澱粉系，酪酸系 、グリコール系のような生分解性榭脂がある。さらに、有機酸可溶型ポリアミド系もある
[0005] そこで、図 7 (D)に示すように、二次基体の露出して 、る回路形成面 10b、つまり導 電層が形成されるべき表面部分に無電解めつきのための触媒 40を付与する。この触 媒 40付与は公知のものであって、例えば、錫、パラジウム系の混合触媒液に二次基 体を浸漬した後、硫酸、塩酸などの酸で活性化し、表面にパラジウムを析出させる。 又は、塩化第 1錫等の比較的強い還元剤を表面に吸着させ、金などの貴金属イオン を含む触媒溶液に浸漬し、表面に金を析出させる。触媒液の温度は 15〜23°Cで、 5 分間浸漬すればよい。
[0006] その後、図 7 (E)に示すように、この触媒 40付与後の二次基体 20の榭脂マスク 30 を除去する。この榭脂マスク 30が、「ェコマティ AX」で成形されている場合、二次基 体 20を湯中にて加熱して、この湯中に溶出させる。この湯は 80°C程度のものであつ て、 10分ば力り二次基体 20を浸漬しておくと、この「ェコマティ AX」で形成された榭 脂マスク 30は容易に溶出する。なお、一次基体 10の材料の「ベクトラ」のめつきダレ ード C810は熱変形温度が 200°C以上であるので、この一次基体に何も変化を与え ることはない。
[0007] 最後に、図 7 (F)に示すように、この触媒 40付与面、つまり回路形成面 10bに、ィ匕 学銅めつき、化学ニッケルめっきなどの無電解めつきにより導電層 50を形成するもの である。（特許文献 1)。
特許文献 1：特許第 3616488号特許公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0008] 前記の図 7に示した従来例について検討すると、図 7 (D)の榭脂マスク 30を付与し た後で、この榭脂マスクを除去する工程において、図 7 (F)に示すように、一次基体 1 0における回路形成面 10bと回路非形成面 10c (非回路面）とが同一面の場合、この 一次基体の材質と二次基体 20の榭脂マスク 30の材質の組み合わせは相溶性の良 いものが要求される。さらに、大きな非回路幅のものに限られる問題があり、また、完 成品の成形回路部品の利用分野から要求される一次基体 10の材料特性、つまり高 周波特性と榭脂マスク 30の材質の相性が悪ぐ利用分野が限定される問題があった
[0009] 例えば、一次基体 10の材質と二次基体 20の榭脂マスク 30の材質との相溶性につ いて、一次基体 10の高周波特性や誘電率を前提として、これと相溶性のよい榭脂マ スク 30を選択することは困難な場合が多ぐ現実には常に相溶性のよいものを選択 できない場合が多い。そして、この相溶性が悪いと、表面粗ィ匕された一次基体 10の 回路形成面 10bを露出させて、その他の回路非形成面 10cを、図 8及び図 7 (C)に 示すように榭脂マスク 30で被覆してあっても、図 9及び図 7 (D)に示すように、無電解 めっきのための触媒液に浸漬した際に、榭脂マスク 30で被覆された回路非形成面 1 0cにまで、触媒液が浸み込み、そのため、めっきが析出して回路間の短絡につなが り、歩留まりが悪くなる。
[0010] このような回路間の短絡を防止するためには、従来は回路非形成面 10cの幅を広く することで解決していたが、後で説明しているように、近年では配線間隔の狭ピッチ ィ匕、例えば 200 m間隔にすることが強く要望されるようになっており、このような現状 において回路非形成面 10cの幅を広げることは極めて困難になっている。
[0011] そこで、本発明の目的とするのは、前記の問題点を一次基体の大幅の形状変更す ることなぐ単に高低差を設けることで解決し、それにより一次基体の材質と二次基体 の榭脂マスクの材質の選択の幅を広める、即ち、相溶性の低い材料の選択を可能と し、結果として成形回路部品の利用分野を広めることが可能な成形回路部品及びそ の製造方法を提供することにある。
[0012] 近年、電子機器にぉ ヽて、省エネルギー化、省資源化、電子信号の高速化、マル チバント化に伴って回路基板の回路パターンの配線間隔の狭ピッチ化と高周波特性 における低誘電正接ィ匕が求められている。また、省資源化に伴い機器の小型化を図 る上で、配線の高密度化に加えて空間の有効活用の観点から、配線並びに接続部 品は二次元的なものから三次元的な配線へとその可能性を追求されているのが実情 である。本発明はこのような実情に的確に対応できるものである。
課題を解決するための手段
[0013] 本発明に係る成形回路部品及びその製造方法の特徴は、一次基体の回路形成面 と回路非形成面との間に高低差を設けてあるところにある。この高低差は 0. 05mm 以上であることが望ましい。
[0014] 本発明の他の特徴は、上記一次基体の回路形成面と回路非形成面に凹又は凸の 高低差を設け、さらに、この回路形成面と回路非形成面をつなぐ側面が所定の角度 をもっているところにある。この回路形成面と回路非形成面をつなぐ側面の所定の角 度は 15° 〜90° 、好ましくは 45° 〜90° である。
[0015] このように、本発明では一次基体に回路形成面と回路非形成面との間に高低差を 設けたことにより、この一次基体と榭脂マスクとの間に触媒液の浸透圧の減衰を図り、 さらに、この回路形成面と回路非形成面をつなぐ側面を所定の角度にすることにより 、この浸透圧がより効果的に減衰する。
発明の効果
[0016] 本発明の効果は、一次基体の大幅の形状変更することなぐ一次基体の材質と二 次基体の榭脂マスクの材質の選択の幅を広め、回路の短絡を確実に安定して防止 し、成形回路部品の利用分野を広めることができる。
図面の簡単な説明
[0017] [図 1]実施例 1の一次基体に榭脂マスクを形成した二次基体の斜視図、
[図 2]実施例 1の二次基体力 榭脂マスクを除去した段階の斜視図、
[図 3]実施例 1の二次基体の寸法を表示するための斜視図、
[図 4]実施例 2の一次基体に榭脂マスクを形成した二次基体の斜視図、
[図 5]実施例 2の二次基体力 榭脂マスクを除去した段階の斜視図、
[図 6]実施例 2の二次基体の寸法を表示するための斜視図、
[図 7] (A)〜 (F)は従来例における製造工程を示す断面図、
[図 8]従来例における一次基体に榭脂マスクを形成した二次基体の斜視図、
[図 9]従来例における二次基体力 榭脂マスクを除去した段階の斜視図。 符号の説明
1 一次基体
11 回路形成面
12 回路非形成面
13 側壁
14 側壁
3 樹脂マスク
10a 一次基体の粗化面
40 触媒
50 導電層
6 一次基体
61 回路形成面
62 回路非形成部
62a 回路非形成部の側壁
発明を実施するための最良の形態
本発明の最良の実施の形態について説明すると、基本的には前記の図 7に示す従 来例の改良である。そのため、図 1〜図 3と、従来例の前記の図 7 (A)に示すように、 熱可塑性材料を射出成形により電気絶縁性で所定形状の回路形成体である一次基 体 1を成形する工程力 始まるものであるが、この一次基体の表面の形状は平坦な 面ではない。この点が本発明の最大の特徴であるので具体的な事項については、図 1〜図 3を参照して後で説明している。その他は、図 7 (B)〜(F)に示すように一次基 体 1の全表面を粗化 10aする工程と、上記一次基体の表面のうち、所定の回路バタ ーンの導電層が形成されるべき表面部分を露出させ、それ以外の部分を覆うように、 成形により一次基体に榭脂マスク 3を一体的に成形して二次基体 2を形成する工程と 、上記二次基体の露出している回路形成面 11に無電解めつきのための触媒を付与 する工程と、この触媒付与後の二次基体 2の榭脂マスク 3を除去する工程と、この触 媒付与面に無電解めつきにより導電層 50を形成する工程を含むもので、各工程の具 体的な説明は、前記した図 7を参照して説明した従来例の場合と実質的に同一であ る。
[0020] ところで、本発明の特徴は、図 1に示すように、一次基体 1における回路形成面 11 と回路非形成面 12との間に高低差を設けてあるところにある。そして、一次基体 1の 表面のうち、所定の回路パターンの導電層 50 (図 7、 F参照）が形成されるべき表面 部分、つまり回路形成面 11を露出させ、それ以外の部分、つまり回路非形成面 12を 覆うように、この一次基体に榭脂マスク 3を一体的に成形して二次基体 2を形成してあ る。
[0021] この高低差とは、一次基体 1の回路形成面 11と回路非形成面 12との一方を高ぐ 他方を低くするため凹又は凸を設け、この高低差 H力 図 3に示すように、 0. 05mm 、好ましくは 0. 05mm以上である。また、この高低差のある回路形成面 11と回路非 形成面 12をつなぐ側面 13, 14が所定の角度をもっており、この角度は 15° 〜90° 、好ましくは 45° 〜90° である。その理由は、この角度が 15°C以下であると、前記 の従来例における一次基体 10の回路形成面 10bと回路非形成面 10cとが同一面で ある例に近づき、この回路非形成面に触媒液 40が浸み込む可能性が高まり、 90° 以上では二次基体 2を成形した後の型抜きが困難になる可能性がある力 である。 実施例 1
[0022] 本発明の実施例 1を図 1〜図 3を参照して説明すると、図 1において一次基体 1は 液晶ポリマーの前記「ベクトラ C820」を射出して成形したもので、その形状は、回路 形成面 11を凸状として、回路非形成面 12を凹状としたもので、この高低差 Hを 0. 05 mm、この回路形成面と回路非形成面とをつなぐ側壁 13, 14の角度を 90° に形成 した。そして、一次基体 1の表面を苛性ソーダ溶液で粗ィ匕した。
[0023] 導電層 50が形成される回路形成面 11を露出させ、凹状の回路非形成面 12を被覆 する榭脂マスク 3を射出成形し、この榭脂マスクの下端両縁は回路形成面 11の両端 部を 0. 05mm程度被覆した状態である。榭脂マスク 3の材質はポリビュルアルコー ル系の前記日本合成化学工業の「ェコマティ AX— 2000」を使用した。
[0024] 触媒付与のため、二次基体 2をパラジウム触媒溶液が水深 500mmの深さに満たし てある槽に、液温 40°Cで 5分間浸漬した。その後、榭脂マスク 3が形成された二次基 体 2を 70度の温水の中に 60分間浸漬し、この温水を攪拌してこの榭脂マスクを溶解 して除去し、その後で、回路形成面 11に無電解めつきを施し導電層 50を形成し、成 形回路部品を完成させた。
[0025] その結果、図 2に示すように、触媒の浸み込み範囲は、沿面距離を長くできた部分 、つまり凸状の回路形成面 11と凹状の回路非形成面 12との中間の両側壁 13, 14ま でで、それ以上の触媒液の浸み込みが食い止められており、導電層 50間、つまり回 路間の短絡の発生が防止できた。
[0026] 各部位の寸法は次の通りである。
回路間隔: 0. 5mm
回路幅 : 0. 2mm
非回路幅： 0. 2mm
回路形成面と回路非形成面との高低差: 0. 05mm
延長沿面距離: 0. 05mm (片側）
回路形成面に対する側壁の角度： 90°
比較例
[0027] 従来のように、一次基体 10の形状が回路形成面 10bと回路非形成面 10cとが同じ 平坦な面の場合では、触媒液の水深が、実施例 1と同様に、 500mmの場合では、 図 9に示すように触媒液の浸み込みが発生し、無電解めつきにより導電層を形成した ところ回路間の短絡が発生した。
実施例 2
[0028] 本発明の実施例 2を図 4〜図 6を参照して説明すると、図 3において一次基体 6は 液晶ポリマーの前記「ベクトラ C820」を射出して成形したもので、その形状は、回路 形成面 61を凹状として、回路非形成部 62を凸状としたもので、この高低差 Hを、図 6 に示すように、 0. 2mm,この回路非形成部の傾斜角度を 80° とした。そして、一次 基体 6の表面を苛性ソーダ溶液で粗ィ匕した。
[0029] 導電層 50が形成される回路形成面 61を露出させ、凸状の回路非形成面 62を被覆 する榭脂マスク 31を射出成形し、この榭脂マスクの下端両縁は回路形成面 11の両 端部に当接し被覆した状態の二次基体 2を形成した。榭脂マスク 31の材質はポリビ -ルアルコール系の前記日本合成化学工業の「ェコマティ AX— 2000」を使用した [0030] 触媒付与のため、二次基体 2をパラジウム触媒溶液が水深 500mmの深さに満たし てある槽に、液温 40°Cで 5分間浸漬した。その後、榭脂マスク 31が形成された二次 基体を 70度の温水の中に 60分間浸漬し、この温水を攪拌してこの榭脂マスクを溶解 して除去し、その後で、回路形成面 61に無電解めつきを施し、成形回路部品を完成 させた。
[0031] その結果、図 5に示すように、触媒の浸み込み範囲は、沿面距離を長くできた部分 、つまり凹状の回路形成面 61と凸状の回路非形成面 62との中間の両側壁 62aまで で、触媒の浸み込みが食い止められており、そのため導電層 50、つまり回路間の短 絡の発生が完全に防止できた。
[0032] 各部位の寸法は次の通りである。
回路間隔： 0. 4mm
回路幅 : 0. 2mm
非回路幅： 0. 2mm
回路形成面と回路非形成面との高低差: 0. 2mm
延長沿面距離: 0. 2mm (片側）
回路形成面に対する側壁の角度: 80°
産業上の利用可能性
[0033] 発明の活用例として、携帯電話などのコネクタにおいて表面の一部や貫通している 穴の内周面にめっきを施して回路を形成する分野がある。

Claims

請求の範囲
[1] 導電層が形成してある回路形成面とそれ以外の回路非形成面との間に高低差があ る
ことを特徴とする成形回路部品。
[2] 熱可塑性材料を射出成形により電気絶縁性で所定形状の回路形成体である一次 基体を成形する工程と、
上記一次基体の全表面を粗化する工程と、
上記一次基体の表面のうち、所定の回路パターンの導電層が形成されるべき表面 部分を露出させ、それ以外の部分を覆うように、成形により一次基体に榭脂マスクを 一体的に成形して二次基体を形成する工程と、
上記二次基体の露出している回路形成部分に無電解めつきのための触媒を付与 する工程と、
この触媒付与後の上記二次基体の榭脂マスクを除去する工程と、
この触媒付与面に無電解めつきにより導電層を形成する工程を含む製造方法にお いて、
上記一次基体の回路形成面と回路非形成面に高低差を設けてある
ことを特徴とする成形回路部品の製造方法。
[3] 請求項 2において、上記一次基体の回路形成面と回路非形成面に凹又は凸の高 低差を設け、さらに、この回路形成面と回路非形成面をつなぐ側面が所定の角度を もっていることを特徴とする成形回路部品の製造方法。
[4] 請求項 2または 3において、上記回路形成面と回路非形成面に高低差が 0. 05mm 以上であることを特徴とする成形回路部品の製造方法。
[5] 請求項 3において、上記回路形成面と回路非形成面をつなぐ側面の所定の角度は 15° 〜90° であることを特徴とする成形回路部品の製造方法。
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