WO2006129734A1

WO2006129734A1 - 配線基板形成用モールドおよびその製造方法、配線基板およびその製造方法、多層積層配線基板の製造方法並びにビアホールの形成方法

Info

Publication number: WO2006129734A1
Application number: PCT/JP2006/310933
Authority: WO
Inventors: Hitoshi Kajino; Takeo Taguchi; Kanji Sato; Masahito Ishii; Tatsuo Kataoka
Original assignee: Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.
Priority date: 2005-06-01
Filing date: 2006-05-31
Publication date: 2006-12-07
Also published as: TW200718310A; KR20080017403A

Abstract

　本発明は、支持基台とその一方の表面に突出して形成された押し型パターンとからなり、押し型パターンの同一断面における支持基台側の断面幅が先端側の断面幅よりも広くした配線基板形成用モールドを硬化性樹脂層に侵入させて、押し型パターンで硬化性樹脂層に押し型パターンを転写して硬化させた後、モールドから脱型した積層体を形成し、導電性金属を析出させ、析出金属層を積層体の硬化性樹脂硬化体層表面が露出するように研磨して凹状配線パターンを形成する配線基板の製造方法であり、このように成形された配線基板である。さらに本発明は、有機絶縁性基材の表面に形成された金属薄膜の表面に、押し型基台の表面に押し型パターンが形成された精密押し型を当接して加圧することにより、有機絶縁性基材に精密押し型に形成された押し型パターンに対応した凹部を形成した後、この凹部の深さより厚い金属メッキ層を形成して凹部にメッキ金属を充填し、次いでこの金属メッキ層を有機絶縁性基材が露出するまで研磨して配線パターンを形成する配線基板の製造方法および配線基板である。

Description

明細書

配線基板形成用モールドおよびその製造方法、配線基板およびその製造方法、多層積層配線基板の製造方法並びにビアホールの形成方法

技術分野

[0001] 本発明は、絶縁性の榭脂基板の厚さ方向に深さの異なる配線パターンを形成するためのモールドおよびこのモールドを製造する方法に関する。さらに詳しくは本発明は、熱硬化性あるいは光硬化性の榭脂を硬化させる際に、該榭脂の厚さ方向に深さの異なる配線パターンを形成するためのモールドを、支持基台表面に形成された金属層を選択的エッチングにより形成することにより製造する方法およびモールドに関する。

[0002] また、本発明は、絶縁性の榭脂基板の厚さ方向に深さの異なる配線パターンが形成された配線基板およびこのような配線基板を製造する方法、さらにビアホールの形成方法、並びに、多層積層配線基板の製造方法に関する。さらに詳しくは本発明は、エッチング法を利用して押し型パターンが形成されたモールドを、硬化性榭脂に侵入させて、凹部を形成し、この凹部に導電性金属を充填することにより形成される配線基板およびその製造方法、さら〖こは、このようにして形成された配線パターンを有する多段積層配線基板の製造方法、絶縁体層を貫通するビアホールの形成方法に関する。

[0003] また、本発明は、新規な配線基板の製造方法およびこの方法により製造された配線基板に関する。さらに詳しくは本発明は、絶縁性基材中に非常に微細な配線バターンが埋め込まれた配線基板を製造する方法およびこの方法により製造される配線基板に関する。

背景技術

[0004] 電子部品を実装するための方式の一つとしてフィルムキャリアが使用されている。

従来力も使用されているフィルムキャリアは、ポリイミドフィルムの表面に銅などの導電性金属を配置して、この導電性金属力もなる層の表面に感光性榭脂を塗布し、この感光性榭脂を露光現像することにより所望のパターンを形成し、このようにして形成されたパターンをマスキングレジストとして金属層をエッチングすることにより形成されている。

[0005] 近時、このようなフィルムキャリアは非常に細線ィ匕されており、このような細線ィ匕された配線パターンを形成するためには導電性金属からなる金属層を薄くする必要がある。こうして形成された超微細配線パターンは、線幅が狭い上に、線厚も薄いために通電したときの電気抵抗値が大きくなりやすぐ従って配線パターン力ものジュール熱によるフィルムキャリア自体の発熱量が大きくなるという問題がある。フィルムキヤリァの発熱を抑えるためには形成される配線パターンの断面積を大きくすればょヽが、超微細配線パターンを形成するためには、配線パターンを形成するための導電性金属層の厚さを薄くする必要があり、従って、絶縁フィルムの表面に導電性金属箔などを用いて形成された金属層をエッチングして配線パターンを形成する従来のフィルムキャリアの製造方法では、発熱の面で細線ィ匕に限界がある。

[0006] こうしたフィルムキャリアの細線化とは別に、先端電子部品である半導体パッケージにおヽては、複数の導体層と絶縁層とを重ねて厚さ方向に電気的な導通性を確保したビルドアップ配線板が広く使用されて、る。このようなビルドアップ配線板にお！、て、積層された層間に電気的導通を確保する方法として、積層された絶縁層にビアホールを形成し、このビアホール内にメツキ層を形成して厚さ方向の導通性を確保する方法、ビアホール内に導電性ペーストを充填して厚さ方向の導通性を確保する方法、銀バンプを形成して絶縁体層をこの銀バンプで突き破って厚さ方向の導通性を確保する方法、ビアポストにより厚さ方向の導通性を確保する方法などが採用されている（エレクトロニクス実装学会誌, Vol.2、 No.6. p450-453 (1999);非特許文献 1、エレクトロ二タス実装学会誌 _Vo1.2、No.l.p6-8(1999)非特許文献 2参照)。

[0007] しカゝしながら、上記のような方法では、配線パターンを形成する工程と、配線基板の厚さ方向に導通性を確保する工程とは全く別の工程であり、ビルドアップ配線板を形成するのに非常に複雑な工程を経る必要があった。また、このようにして形成された層間接続で接続不良が発生することも多ぐより確実でかつ簡便な方法で層間接続を確保する方法が求められている。さら〖こ、配線パターンが細線ィ匕し、配線パターンが高密度化するに伴いビアホールを形成するための領域も制限されるようになってきており、厚さ方向に導通性を確保するビアホールの形成面積も小さくなつてきており、従来のビアホールの内周壁面にメツキ層を形成して厚さ方向に導通性を確保する方法ではビアホールおよびその周りのランドによって占有する面積が大きぐ昨今の配線パターンの細線ィ匕および高密度化に対処できに《なりつつある。また、従来のビァホールあるいはバンプにより厚さ方向の導通性を確保する方法では、積層された配線基板の厚さ方向の同じ位置にビアホールなどを重ねて形成すること (スタックアツプビアを形成すること）が難しいために、各層で形成するビアホールの厚さ方向における位置をずらして形成 (シーケンシャルビルドアップ)することが多ぐ半導体パッケージの設計の自由度が制限を受けることがある。

[0008] ところで、最近インプリント法と呼ばれるレジストパターンの製造方法が提案されている（例えば S. Y. Chouら, Appl. Phys. Lett.,voll67,p3314(1995)非特許文献 3参照）。このインプリント法によるパターンの形成方法は、まず、シリコン基板を電子ビームリソグラフィ法などでエッチングすることにより表面に凹凸形状を有するモールドを作成し、次いで、基板上に PMMAなどの榭脂膜を塗布し、この榭脂膜を基板と共に軟ィ匕点以上の温度に加熱してから、この軟ィ匕した榭脂膜にモールドを圧着させて、モールドに形成された凹凸を榭脂膜に転写し、榭脂膜を軟化点以下の温度に冷却して榭脂膜に転写された凹凸形状を固定する。次いで、モールドを榭脂膜表面力撤去して、凹凸を有する榭脂膜の内、凹部の底面に存在する残膜をリアクティブイオンエツチング (RIE)などの異方性プラズマエッチング法により除去する。インプリント法は、シリコン基板の表面に形成された凹凸を有する榭脂膜を利用してレジストパターンを形成する方法である。

[0009] 上記のようなインプリント法は、シリコン基板に形成された凹凸を榭脂膜に転写する際に用いる榭脂の軟ィ匕点以上の温度に榭脂を加熱し、凹凸を転写後には、榭脂を軟ィ匕点以下の温度に冷却することが必要であり、処理時間が長くなるという問題がある。

[0010] また、上記のようなインプリント法で用いられるモールドは、例えばシリコン基板を電子ビームリソグラフィ法などでエッチングすることにより形成されるので、凹凸が転写された榭脂層をモールドから離型する際に榭脂膜の一部がモールド内に残存することがあるという問題もある。

[0011] こうした問題点を解消するものとして、特許文献 1 (特開 2004-304097号公報）には、インプリント法にお!、て、 PMMAのような熱硬化性の樹脂の代わりに光硬化性榭脂を用いて、モールドとして光透過性を有するモールド基板を用いることが開示されてヽる。このような光硬化性榭脂を用いて光硬化反応により榭脂を硬化させることにより、モールドの加熱 '冷却の工程を行うことなぐ光硬化によって榭脂を硬化させるためにその製造工程を簡略することができる。

[0012] し力しながら、上記の方法では、モールドが、シリコン基板表面に、電子ビームリソグラフィ法などでエッチングすることにより凹凸形状を形成されるものであるために、モ一ルドに形成された凹凸が転写された光硬化性榭脂からモールドを脱型する際に、硬化した榭脂がモールド内に残存し易、と、う問題がある。

[0013] また、特許文献 2 (特開 2000-194142号公報）にも、熱硬化性榭脂の代わりに光硬化性榭脂を用いることが開示されているが、上記と同様の問題がある。

[0014] さらに、特許文献 3 (特開 2003-77807号公報）には、パターン形成用の凸部または凹部が形成されている圧着面を有するモールド本体にフッ素原子を含むプラズマ処理により疎水化処理された表面処理層を有するモールドが開示されている。このようにフッ素原子を含むプラズマ処理により表面処理をすることにより、脱型に関してはある程度の改善が期待できるが、モールドに形成される凹凸形状が基板に対して略直角であり、凹凸の表面状態を改善したとしても、このようにして形成された凹凸内に侵入して形成された榭脂硬化体からモールドを脱型する際に、形成された凹凸に欠損が生じ易!、と、う問題点は依然として存在する。

[0015] また、上述のように、近時、電子製品の小型化がさらに進んでおり、このようなフアインピッチの配線パターンを形成するためには、例えばサブトラクティブ法 (Subtractive 法)などが適して、るとされて！/、る。

[0016] しかしながら、このようなファインピッチの配線パターンを形成するのに適しているとされているサブトラクティブ法 (Subtractive法)で超ファインピッチの配線パターンを製造したとしても、配線パターンは絶縁基板の表面に凸状に突出して形成されるために、ハンダ付けをする場合に配線パターンのボトム (絶縁基板側の配線パターンの底部 )をノヽンダが流れることにより、隣接する配線パターンとの間の短絡の原因となることがある。

[0017] 特に昨今の超ファインパターン化された配線パターンではこうしたノヽンダの流れ出しによる短絡の危険性が高くなると考えられる。

[0018] こうしたノヽンダ接続によるブリッジの形成を防止する方法として配線パターン間をソルダーレジストで埋め尽くす方法がある力この方法では配線パターンが超ファインピッチになると、非常に高い印刷位置合わせ精度が必要になるとともに、いくら位置精度よく塗布を行えたとしても塗布したソルダーレジストの流れ出しによって、塗布予定部分と実際に塗布された部分とを完全に一致させることはほとんど不可能である。

[0019] また、上記のようなソルダーレジストの代わりに、フォトレジストを用いることも考えられるが、フォトマスクの位置合わせ精度にやはり限界があり、超ファインピッチの配線ノターンを製造する際の方法としては不充分である。

[0020] また、上述のような位置合わせの問題とは別に、配線パターンにはアウター端子としてハンダボールを用いたチップサイズパッケージ（CSP)を使用することが多くなつているが、従来のサブトラクティブ法 (Subtractive法)などで製造された CSPは、ショルダ一部を含めたパッドの面積が不均一になりやすぐ溶融したノ、ンダボールの高さが揃わないとの問題がある。また、このような CSPでは、ポリイミドフィルムのような絶縁フィルムに形成された孔部のパッド上にハンダボールを配置してハンダ付けする場合、ノッドボトムのコーナー部に空洞が生じやすぐハンダボールを用いた電気的接続の信頼性が問題になることがある。

[0021] なお、特開 2003-218500号公報 (特許文献 4)には、支持体の上に積層された導電性金属箔を配線パターン状に加工し、こうして形成された配線パターンを熱可塑性榭脂中に埋め込み、次いで支持体を剥離して、熱可塑性榭脂フィルム中に配線バターンを埋め込む埋め込み導体パターンフィルムの製造方法が開示されている。

[0022] し力しながら、この方法では、熱可塑性榭脂中に埋め込まれる導体パターンは、銅箔などの導電性金属を、フォトリソグラフィ法を利用してエッチングすることにより形成されており、超ファインピッチの配線パターンを有する配線基板の製造には適していない。特許文献 1：特開 2004-304097号公報

特許文献 2：特開 2000-194142号公報

特許文献 3：特開 2003-77807号公報

特許文献 4 :特開 2003-218500号公報

非特許文献 1 :エレクトロニクス実装学会誌 , vol.2, No.6. p450-453 (1999)「ビルドアツプ配線板の工法と特徴」

非特許文献 2 :エレクトロニクス実装学会誌 vol.2, No.l p6-8 (1999)「ビルドアップ技術の動向と将来」

非特許文献 3 : S. Y. Chouら， Appl. Phys. Lett., vol.167, p3314(1995)

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0023] 本発明は、所謂インプリント法による配線パターンの形成に利用するモールドおよびその製造方法を提供することを目的として!/ヽる。

[0024] 本発明は、新規なインプリント用モールドを用いた配線基板の製造方法およびこのようにして形成される新規な配線基板を提供することを目的として!/ヽる。

[0025] さらに本発明は、上記のようなモールドを用いて配線基板の表裏面に電気的導通を形成するビアホールの形成方法を提供することを目的としている。

[0026] また、本発明は、上記のようにして形成される配線基板を多層に積層した多層配線基板を製造する方法を提供することを目的として!ヽる。

[0027] さらにまた、本発明は、絶縁体中に超ファイン配線パターンが埋め込まれた配線基板の新規な製造方法を提供することを目的として、る。

[0028] さらに、本発明は、上記配線基板の製造方法により形成された新規な配線基板を提供することを目的としている。

課題を解決するための手段

[0029] 本発明の配線基板形成用モールドは、支持基台と、該支持基台の一方の表面に突出して形成された押し型パターンとからなり、該押し型パターンの同一断面における支持基台側の断面幅が先端側の断面幅よりも広いことを特徴としている。

[0030] 本発明の配線基板形成用モールドにおいて、支持基台は、光透過性基台とすることがでさる。

[0031] さらに、本発明の配線基板形成用モールドは、光硬化性または熱硬化性榭脂層にノターンを形成するための配線基板形成用モールドにお、て、該配線基板形成用モールドは、支持基台と押し型パターンとからなり、該配線基板形成用モールドには、少なくとも 2種類の高さの異なる押し型パターンが形成されており、該押し型パターンの内の最も高さの高い押し型パターンの高さと、該押し型パターンを侵入させる榭脂層の厚さとの差が 0. 1〜3 /ζ πιであることを特徴としている。即ち、榭脂層の厚さよりも最も高、高さの押し型パターンの高さが 0. 1〜3 m低く形成されて、る。

[0032] また、本発明の配線基板形成用モールドの製造方法は、支持基台の一方の表面に形成された金属層の表面に、感光性榭脂層を形成し、該感光性榭脂層を露光現像することにより該感光性榭脂硬化体力もなるパターンを形成し、該パターンをエツチングレジストとして該金属層を選択的にエッチングする選択的エッチング工程を少なくとも一回行うことにより、支持基台の表面に該金属からなるパターンを形成することを特徴としている。

[0033] このように本発明の配線基板形成用モールドは、金属層をエッチング液でエツチングすることにより押し型パターンを形成して、るので、押し型パターンの断面形状が支持基台側の底辺が頂部よりも広い台形状に形成されているので脱型が容易であり、欠陥の少ない配線基板を製造することができる。

[0034] 本発明の配線基板は、表面に凹部を有する絶縁体層と該凹部に充填された導電性金属と有する配線基板であって、該凹部に充填された導電性金属によって配線パターンが形成されていると共に、該凹状配線パターンの断面幅が、該絶縁体層の表面力深部に向かって減少するように形成されていることを特徴としている。

[0035] 本発明の配線基板は、支持体表面に未硬化または半硬化の硬化性榭脂層を有する積層体の該硬化性榭脂層に、

支持基台と、該支持基台の一方の表面に突出して形成された押し型パターンとからなり、該押し型パターンの同一断面における支持基台側断面幅が先端側の断面幅よりも広く形成された配線基板形成用モールドを侵入させて、該押し型パターンを転写し、該硬化性榭脂層を硬化させた後、該モールドから積層体を脱型し、

該脱型した積層体の表面に導電性金属を析出させ、

次いで、該析出金属層を積層体の硬化性榭脂硬化体層表面が露出するように研磨することにより、凹状配線パターンを形成することより製造することができる。

[0036] また、本発明のビアホールの形成方法は、

支持体表面に、未硬化または半硬化の硬化性榭脂層を有する積層体の硬化性榭脂層に、

支持基台と、該支持基台の一方の表面に突出して形成された押し型パターンとからなり、該押し型パターンの同一断面における支持基台側断面幅が先端側の断面幅よりも広く形成された配線基板形成用モールドを侵入させて、該押し型パターンを転写し、該硬化性榭脂層を硬化させた後、

該モールドから積層体を脱型し、

該脱型した積層体の表面に導電性金属を析出させ、

次いで、該析出金属層を積層体の硬化性榭脂硬化体層表面が露出するように研磨することにより、該積層体の硬化性榭脂層を貫通するビアホールを形成することを特徴としている。

[0037] さらに、本発明の多層積層配線基板の製造方法は、

導電性金属からなる支持体表面に未硬化または半硬化の硬化性榭脂層を有する積層体の該硬化性榭脂層に、

該モールドから積層体を脱型し、

好適には、凹部の底面のスミアを除去した後、

該脱型した積層体の表面に導電性金属を析出させ、

次いで、該析出金属層を積層体の硬化性榭脂硬化体層表面が露出するように研磨することにより、凹状配線パターンを形成すると共に該積層体の硬化性榭脂層を貫通するビアホールを形成し、

該凹状配線パターンおよびビアホールが形成された硬化性榭脂硬化体表面に未硬化または半硬化の硬化性榭脂層を形成し、該硬化性榭脂層に、

該硬化性榭脂硬化体をモールドから脱型し、

好適には、凹部の底面のスミアを除去した後、

該脱型した硬化性榭脂層積層体の表面に導電性金属を析出させ、

次いで、該析出金属層を積層体の硬化性榭脂硬化体層表面が露出するように研磨することにより、凹状配線パターンを形成すると共に該積層体の硬化性榭脂層を貫通するビアホールを形成する工程を少なくとも 1回行うことを特徴としている。

[0038] 本発明では、金属層をエッチングすることにより形成された押し型パターンを有するモールドを用いて、未硬化または半硬化の硬化性榭脂層に凹部を形成し、この凹部に導電性金属を充填して硬化性榭脂硬化体の内部に凹状配線パターンを形成しているので、こうして形成された凹状配線パターンは、絶縁体層である硬化性榭脂硬化体の表面力も深部に向力つて、同一断面における断面幅が減少するように形成されている。また、本発明の配線基板には、深さの異なる複数種類の凹状配線パターンを有することができ、さらにこのような深さの異なる凹状配線パターンの内で最も深く形成された凹状配線パターンが絶縁体層である硬化性榭脂硬化体の裏面側にまで貫通して!/、てもよ、。このように絶縁体層の裏面側にまで達する凹状配線パターンは、この配線基板の表裏面に電気的な導通性を確保するビアホールである。

[0039] 本発明の配線基板の製造方法によれば、絶縁体層に凹状配線パターンを形成すると同時に、この絶縁体層にビアホールを形成することができる。

[0040] し力も、本発明で使用されるモールドは、押し型パターンを金属層をエッチングすることにより形成されており、押し型パターンの断面形状が支持基台側の底辺が頂部よりも広ヽ台形状に形成されて!ヽるので脱型が容易であり、欠陥の少な！ヽ配線基板を製造することができる。

[0041] 本発明の配線基板の製造方法は、有機絶縁性基材および該有機絶縁性基材の表面に形成された金属薄膜の表面に、押し型基台の表面に押し型パターンが形成された精密押し型を当接して加圧することにより、該金属薄膜側から有機絶縁性基材の深部に向力つて、該精密押し型に形成された押し型パターンに対応した形態の凹部を形成した後、該金属薄膜の上に該形成された凹部の深さより厚い金属メツキ層を形成して該精密押し型によって形成された凹部にメツキ金属を充填し、次いで該金属メツキ層の表面カゝら有機絶縁性基材が露出するまで金属メツキ層を研磨して配線ノターンを形成することを特徴としてヽる。

[0042] また、本発明の配線基板は、有機絶縁性基材に形成された凹部の表面に金属薄膜を介してメツキ金属が充填されて配線パターンが形成されていることを特徴としている。

[0043] 上記配線パターンの表面に、該凹部に充填された金属とは異なる金属のメツキ層を形成することが好ましい。

発明の効果

[0044] 本発明のモールドは、支持基台の表面に形成された金属層の表面に感光性榭脂層を形成し、この感光性榭脂層を露光現像して所望のパターンを形成し、こうして形成されたパターンをエッチングレジストとして金属層をエッチングして所望の押し型パターンを形成している。このようにして形成された押し型パターンの断面を見ると、押し型パターンの頂部の幅よりも支持基台側である底部の断面の幅が広く形成されている。

[0045] 従って、このモールドを未硬化または半硬化の硬化性榭脂中に押し込んで、本発明のモールドに形成されたパターン間に侵入した未硬化ある、は半硬化状態の榭脂を光および Zまたは熱をかけることにより硬化させることができる。しかもこのようにして硬化した榭脂硬化体は、モールドに形成された押し型パターンとは逆にモールドの支持基台側の先端部 (頂部)の断面幅が支持基台側の基端側の断面幅よりも狭く形成されるので、硬化した後の榭脂硬化体から本発明のモールドを型抜きする際に、容易にモールドを型抜きすることができ、モールドの表面に榭脂硬化体などが付着することがない。

[0046] また、本発明のモールドは、支持基台表面に形成された金属層を多段階でエッチングすることにより、高さの異なる押し型パターンを形成することができ、こうして形成された最も高さの高い押し型パターンの高さと略同等の厚さに硬化性榭脂層を形成することにより、この最も高さの高い押し型パターンにより形成される凹部を、榭脂硬化体 (フィルム、シートあるいはボード)力も形成される絶縁体層に、ビアホールを形成するための貫通孔として利用することができる。

[0047] さらに、本発明のモールドを使用して形成される凹状配線パターンの線幅は、通常の場合 10 /z m以下、さらに露光 ·現像精度を上げることにより、ナノメーターサイズの線幅を有する配線パターンを形成することも可能である力このように線幅を細くしても、榭脂硬化体 (絶縁体層）の厚さ方向に深く凹状配線パターンを形成することにより、本発明のモールドを用いて形成される凹状配線パターンの断面積を一定以上に確保することができ、従って、本発明のモールドを用いることにより、形成された凹状配線パターンの電気抵抗値が著しく高くなることがなぐ従って、通電した際に生ずるジユール熱による配線基板の過熱を防止することができる。

[0048] 本発明の配線基板には、硬化性榭脂層が硬化することにより形成された絶縁体層に表面力も深さ方向に凹状の配線パターンが形成されており、この凹状配線パターンは、支持基台の表面に形成された金属層の表面に感光性榭脂層を形成し、この感光性榭脂層を露光現像して所望のパターンを形成し、こうして形成されたパターンをマスキング材として金属層をエッチングすることにより所望の押し型パターンが形成されたモールドを用いて、硬化性樹脂層に押し型パターンを転写することにより形成することがでさる。

[0049] 即ち、本発明で使用されるモールドは、支持基台の表面に形成された金属層の表面に感光性榭脂層を形成し、この感光性榭脂層を露光現像することにより所望のパターンを形成し、こうして形成されたパターンをマスキング材として金属層をエツチングして所望の押し型パターンを形成して、る。このようにして形成された押し型パターンの断面を見ると、押し型パターンの頂部の幅よりも支持基台側である底部の断面の幅が広く形成されてヽる台形状の形状を有する。このモールドに形成された押し型パターンを硬化性榭脂層に侵入させて硬化性榭脂層を硬化させ、次いで、このモールドから硬化性榭脂硬化体を脱型することにより、硬化性榭脂硬化体 (絶縁体層）に凹部配線パターンを形成するための凹部を形成することができる。このように絶縁体層に凹部を形成する押し型パターンの形状が上記のように略台形状を有することから、脱型を容易に行うことができ、硬化性榭脂硬化体 (絶縁体層）に欠落などが生じに《

、特に個々の線幅が狭ぐ線深さの深い凹部を形成しても脱型が容易であり欠陥が生じにくい。従って、本発明によれば、配線密度を挙げるために配線幅を狭くして、面積抵抗値を低くするために配線深さを深くした配線を容易に形成することができる

[0050] さらに、こうした本発明の配線基板における凹状配線パターンの線幅は、通常の場合 10 /z m以下、さらに露光 ·現像精度を上げることにより、ナノメーターサイズの線幅を有する凹状配線パターンを形成することも可能である。し力も、このように線幅を細くしても、榭脂硬化体の厚さ方向に深く配線パターンを形成することにより、配線基板に形成された凹状配線パターンの断面積を一定以上に確保することができ、従って、本発明の配線基板に形成された凹部配線パターンの電気抵抗値が著しく高くなることがなぐこの凹部配線パターンに通電した際に生ずるジュール熱による配線基板の過熱を防止することができる。

[0051] また、モールドの押し型パターンを、例えばハーフエッチングを繰り返して形成することにより、高さの異なるパターンを有する形成することができ、このような押し型バターンを使用することにより、深さの異なる凹部を一括して形成することができる。

[0052] このようなモールドに形成された最も高さの高い押し型パターンにより形成される硬化性榭脂硬化体 (絶縁体層）を貫通する貫通孔を用いて、ビアホールを形成することができる。そして、本発明によればこのようなビアホールの形成を配線パターンの形成と同時に行うことができる。

[0053] さらに、上記のモールドを用いて硬化性榭脂層に所望のパターンを転写して凹部配線パターンを形成する操作を繰り返すことにより、複数の配線基板が積層された多層積層配線基板を製造することができる。このような多層積層配線基板にぉヽては、積層される配線基板間の電気的導通を確保するビアホールの形成位置が自由に選定でき、しかも、積層された配線基板間で確実に電気的接続を確保することができ、このようにして積層された基板間で電気的接続を形成するビアホールの占有面積も小さい。

[0054] 本発明の配線基板の製造方法では極薄の展延性の良好な金属被膜が表面に形成された有機絶縁性基材の表明に形成された金属被膜側から凸型の逆配線パターンを有する精密押し型 (金型プレス)を用いて基材上に配線回路の溝を形成した後に精密押し型を引き上げて、上記のようにして形成された溝内に電気メツキにより金属を析出させて凹部に金属を析出させて埋め尽くした後、形成された電気メツキ層の表面カゝら有機絶縁性基材の榭脂層が露出するまでメツキ層を研磨することにより配線パターンを形成して、るので、この配線パターンは有機絶縁性基材中に埋もれた状態で形成される。このように配線パターンは、有機絶縁性基材の表面と実質的に同一面上に形成される。このように配線パターンが有機絶縁性基材の表面カゝら実質的に突出して、な、ので、配線パターンのピッチ幅が狭、場合であっても配線パターン間でノヽンダブリッジが発生することがない。また、この配線パターンはメツキ層を研磨して形成されているので、表面の状態を均一にすることができる。しカゝも、この配線パターンは有機絶縁性基材と実質的に同一面に形成されているので、この配線パターンにハンダボールを配置してもパットボトムにコーナー部が存在しないのでこの部分に空隙が形成されることがない。したがって、ハンダボールを用いた場合の接続の信頼性を非常に高くすることができる。

図面の簡単な説明

[0055] [図 1]図 1は、本発明の配線基板形成用モールドおよびこのモールドを用いて配線基板を形成する際の例を模式的に示す断面図である。

[図 2]図 2は、本発明の配線基板形成用モールドを製造する工程の例を模式的に示す断面図である。

[図 3]図 3は、本発明の配線基板形成用モールドを用いて配線パターンを形成する工程の例を模式的に示す断面図である。

[図 4]図 4は、本発明の配線基板形成用モールドを用いた両面プリント配線基板の製造工程の例を模式的に示す断面図である。 [図 5]図 5は、本発明の配線基板形成用モールドを用いたビルドアップ配線基板の製造工程の例を模式的に示す断面図である。

[図 6]図 6は、モールドを用いてビアホールを形成する際の各工程における基板の例を示す断面図である。

[図 7]図 7は、本発明の配線基板形成用モールドの他の製造例を示す図である。

[図 8]図 8は、本発明の配線基板形成用モールドの他の製造例を示す図である。

[図 9]図 9は、本発明の配線基板を製造する際の各工程における基板の断面を模式的に示す図である。

[図 10]図 10は、本発明の配線基板を製造する際の各工程における基板の断面を模式的に示す図である。

[図 11]図 11は、本発明で使用する精密押し型の断面を模式的に示す図である。符号の説明

10···配線基板形成用モールド

11···硬質金属層

12···支持基台

13···感光性榭脂層

13a、 13b、 13c、 13d…ノ《ターン（マスキング材）

14a、 14b、 14c' ··押し型パターン

14a- 1、 14b- 1、 14c- 1'.'押し型パターンの頂部

14a- b、 14b- b、 14c- b'''押し型パターンの底部

16·· 'マスク

24a, 24b, 24c, 24d, 24e, 24f, 24g…空隙

25·· •残留層

30·· '積層体

32·· •支持体

32aゝ 32b、 32c、 32(1···凹状配線パターン

33·· '未硬化の硬化性榭脂層

34·· ，硬化体層 (絶縁体層）（感光性榭脂） 34a…絶縁体層

41···析出金属 (層）

45···導電性金属

45a, 45b、 454c" '導電性金属

46a, 46b, 46c' ··凹状配線パターン

55d， 55e, 55f, 55g' · ·凸状配線パターン

Tal · · '押し型パターン 14aの高さ

Rd'，，硬化性榭脂層の厚さ

Bt…差厚

110···有機絶縁性基材

111…支持体

112···金属薄膜

120···凹部

122···金属メツキ層

124···メツキ金属

126···配線パターン

127···上端部

128···メツキ層

129·· '無電解スズメツキ層

130···精密押し型

131···押し型基台

133···押し型パターン

135···研磨具

発明を実施するための最良の形態

次に本発明の配線基板形成用モールドおよびその製造方法、これを用いた配線基板およびその製造方法、並びに、ビアホールの形成方法について具体的に説明する。さらに、本発明の新規な配線基板の製造方法およびこの方法により得られる配線基板について具体的に説明する。 [0058] 図 1に本発明の配線基板形成用モールドおよびこのモールドを用いて配線基板を形成する際の例を模式的に示す。

[0059] 図 1において、本発明の配線基板形成用モールドは付番 10で示されている。本発明の配線基板形成用モールド 10は、支持基台 12とこの支持基台 12の一方の表面に形成された押し型パターン 14a, 14bを有して!/、る。

[0060] 本発明の配線基板形成用モールド 10を形成する支持基台 12は、押し型パターン 14 a,14bを保持するものであり、金属、ガラス、榭脂などで形成することができる。この支持基台 12は、配線基板の絶縁体層を感光性榭脂の硬化体で形成する場合には、この支持基台 12を光透過性基台とすることが好ましい。光透過性基台 12は、感光性榭脂 34を硬化させるための光がこの基台を透過するものであればょ、。光硬化性榭脂の硬化には、電子線、紫外光、可視光、赤外光など種々の光線を使用することができるが、比較的短波長の可視光、あるいは、紫外光などを使用することが好ましい。

[0061] 本発明の配線基板形成用モールド 10を構成する支持基台 12は、配線基板を形成する絶縁体層が熱硬化性榭脂の硬化体である場合には、金属、合成樹脂、ガラスなど、ある!/、はこれらを組み合わせた板状体で形成することができる。

[0062] また、本発明の配線基板形成用モールド 10を形成する支持基台 12は、配線基板を形成する絶縁体層が感光性榭脂の硬化体である場合には、感光性榭脂 34を硬化させるための光を透過するものであり、石英、石英ガラス、ガラス、透明合成樹脂などあるいはこれらを組み合わせて形成された板状体が使用される。特に本発明では、絶縁体層が感光性榭脂の硬化体である場合には、短波長の可視光あるヽは紫外線を使用することが望ましぐ光透過性基台 12としては、これらの光線を透過する特性を有する石英、石英ガラス、パイレックス (登録商標)などを使用することが好ましい。また、光透過性基台 12として光透過性榭脂を使用する場合には、上記のような光線の透過性のよい、アクリル榭脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチルなどを使用することができる。またここで使用する光透過性の榭脂は、押し型パターンをエッチングにより形成することから、エッチング液に対して安定な榭脂を使用することが望ましい。また、光硬化性榭脂 34は、殆どが光重合により硬化するが、光重合により完全硬化させるためには、光照射時間を著しく長くする必要があり、通常の場合、配線基板形成用モールドによって賦形される形態が保持できる程度に光硬化性榭脂 34を硬化させた後には、加熱硬化して硬化反応を完結させることが好ましぐこのようにして加熱硬化する場合には、こうした熱硬化の際の加熱温度にも耐えうる程度、例えば軟ィ匕温度 120°C以上の榭脂を使用することが好ましい。このような条件力ゝら本発明で光透過性榭脂を使用する場合には、ポリカーボネートを使用することが好ましい。

[0063] このような支持基台 12は、特に可撓性を有している必要はなぐまた、型押しの際にある程度の圧力をかけることから、ある程度の厚さを有することが望ましぐこの支持基台 12の厚さは通常は 0. 3〜50mm、好ましくは 0. 5〜20mmの範囲内にある。

[0064] 上記のような支持基台 12の表面には、押し型パターン 14a,14b,14c' · ·が形成されている。本発明の配線基板形成用モールド 10には、図 1および図 2(0に示すように、高さの異なる複数の押し型パターン 14a, 14b, 14c · · ·が形成されている。そして、このような図 1あるいは図 2(0に示すように、本発明の配線基板形成用モールド 10に形成されている押し型パターン 14a,14b,14c' · ·の頂部 14a-t,14b-tにおける押し型パターンの断面幅 Wa2あるいは Wb2と、押し型パターン 14a,14b,14c ' · ·の支持基台 12側における底部 14a_b, 14b_bの断面幅 Walあるいは Wblとは異なっている。例えば、底部 14a-bの断面幅 Walと、頂部 14a-tの断面幅 Wa2とを比較してみると、明らかに頂部 14a_tの断面幅 Wa2は、底部 14a_bの断面幅 Walよりも狭く形成されている。このように押し型パターンの頂部の断面幅を底部よりも狭く形成することにより、付番 34で示される硬化性榭脂が硬化した後、本発明の配線基板形成用モールド 10を良好に脱型することができる。特に本発明では、頂部と底部との断面幅の比 (WlZW2)、具体的には WalZWa2、あるいは、 WblZWb2が、通常は 1. 01〜2. 0、好ましくは 1. 1 〜1. 5の範囲内にすることにより型抜きを容易に行うことができる。 W1ZW2が上記下限値を下回るとモールドの脱離性が悪くなり、また上記上限値を上回るとファイン回路の形成が困難になる。さらに、硬化性榭脂が光硬化性榭脂である場合には、このように押し型パターンに傾斜をつけることにより、押し型パターンの法面にも光透過性基台側から照射した光があたり、この法面部分も光硬化するので脱型した時の光硬化性榭脂から形成されるパターン形状が崩れにくぐさらに、法面の光硬化反応が進んでいるので、硬化性榭脂が押し型パターンに付着するのを有効に防止することができる。

[0065] また、本発明の配線基板形成用モールド 10には、高さの異なる複数の押し型バターンが形成されている。図 1では、硬化性榭脂 34の層厚 Rdと略同一の高さ Talを有する押し型パターン 14aと、この高さ Talの約 1Z2の高さ Tbl有する押し型パターン 14b が形成された態様が示されており、図 2(0には押し型パターン 14aおよび押し型バターン 14bのほかに、押し型パターン 14bの略半分の高さを有する押し型パターン 14cが形成された態様が示されている。なお、図 1に示すように、最も高い押し型パターン 14 aの高さ Talは、硬化性榭脂層の厚さ Tdと同じ厚さ（あるいは高さ）であってもよいが、硬化性榭脂層 34が形成されている支持体 32との接触により、押し型パターン 14aの先端と、支持体 32とが直接接触すると、金属押し型パターン 14aの先端磨耗が生じ易いので、図 1に示すように厚さ Btだけ硬化性榭脂層 34の厚さを厚くすることが望ま、。通常 Btの厚さは 0. 01〜3 /ζ πι程度である。

[0066] 本発明の配線基板形成用モールド 10は、支持基台 12表面に硬質の金属層 11を形成し、この硬質の金属層 11を選択的にエッチングすることにより形成することができる

[0067] 図 2(a)〜(i)には、ガラス基台のような光透過性金属 12の表面に、金属層 11を形成し、この金属層 11の表面に感光性榭脂層 13を形成して、この感光性榭脂層 13の表面に所望のパターンが形成されたマスク 16を配置して（図 2(a))、このマスク 16側力光を照射して感光性榭脂層 13を露光現像してパターン 13aを形成した状態が示されている（図 2(b))。ここで使用する金属層 11を形成する金属としては、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、銅合金およびこれらの合金を挙げることができる。また、この金属は、このモールドを繰り返し使用することから、使用により磨耗しにくいように硬質であることが望ましぐまた、適正なエッチング液とエッチング方法を適用することで精密エッチングを行うことから、エッチング特性のよい金属が好ましい。本発明においては、エッチング特性のよい銅、ニッケルが特に好ましい。また、場合によつては、その上にクロムなどの硬質金属をめつきする。

[0068] このようにエッチング特性のよい金属を用いることにより、リソグラフィ一で使用する光あるいは電子ビームの波長にもよる力頂部の最大断面幅が例えば、 650000nm 以下、好ましくは 35000nm以下、さらに好ましくは lOOOOnm以下のような比較的粗いパターンから、頂部の最小断面幅が例えば lOnm以上、好ましくは lOOnm以上、さらに好ましくは 1000應以上の比較的細線の押し型パターン (頂部断面幅）を形成することがでさる。

[0069] 本発明の配線基板形成用モールド 10は、例えば図 2に示すようにして製造することができる。

[0070] 図 2は、本発明の配線基板形成用モールドを 3回のエッチング工程を経て製造する例に基いて、それぞれの工程におけるモールドの断面を模式的に示す図である。

[0071] 本発明の配線基板形成用モールド 10の製造方法では、図 2(a)に示すように、支持基台 12の一方の表面に金属層 11を形成する。この金属層 11は、例えば支持基台 12 の表面に上述の金属を無電解メツキ法、電気メツキ法、ラミネート法、スパッタリング法などを利用して形成することができる。メツキ法のほうが高硬度の金属層が得られる傾向があり好ましい。この金属層 11の厚さは、形成しょうとする配線パターンの深さによつて適宜選定することができる力通常は、 65 μ m以下、好ましくは 50 μ m以下、さらに好ましくは 40 m以下である。厚さの下限値は特に限定されるべきものではない力生産安定性を考慮すると、通常は 2 μ m以上、好ましくは 5 μ m以上、特に好ましくは 10 m以上である。

[0072] このようにして形成された金属層 11の表面に感光性榭脂層 13を形成し、この感光性榭脂層 13の表面に所望の形状に形成されたマスク 16を配置して、このマスク 16の上面力ゝら光を照射して感光性榭脂層 13を露光する。本発明で感光性榭脂層 13を形成する感光性榭脂には、例えば上記のようにして光を照射すると、光が照射された部分が硬化するタイプのものと、感光性榭脂を塗布すると硬化体が形成されるがこの硬化体に光を照射すると、光が照射された部分が溶出可能に軟ィ匕するタイプのものとがあるが、本発明においてはいずれのタイプの感光性榭脂を使用することもできる。図 2 は、後者の例を示している。

[0073] 図 2(a)および (b)において、マスク 16によって露光現像されたパターンは付番 13aで示されている。即ち、図 2(a)に示すように、金属層 11の表面に感光性榭脂層 13を形成して、この感光性榭脂層 13の表面にマスク 16を配置して感光性榭脂層 13を露光し、さらに現像することにより図 2(b)に示すようにマスク 16に対応した部分の感光性榭脂の硬化体 13aが金属層 11表面に残存する。

[0074] 本発明では、このように金属層 11の表面に残存した感光性榭脂の硬化体 13aをエツチングレジストとして、金属層 11をエッチングする。

[0075] ここで金属層 11のエッチングに使用されるエッチング剤は、金属層 11を形成する金属によって異なるが、当業者が通常のエッチング工程で使用するエッチング剤を使用することができる。特に銅、銅合金、ニッケルあるいはニッケル合金のエッチング剤としてサイドエッチングを防止するインヒビター、金属塩、酸化剤を保有する硫酸系あるいは塩酸系の混合液を含むエッチング液を用いると、効率よぐ短時間で金属層をエッチングすることができ、このエッチングの際にサイドエッチングが生じにくいという特性を有しており、本発明の配線基板形成用モールドを形成する際のエッチング液として特に好ましい。

[0076] 図 2(c)に上記のようにして形成された感光性榭脂の硬化体をエッチングレジスト 13a として使用して金属層 11をノヽーフェッチングした状態が示されて、る。

[0077] このようにハーフエッチングすることにより、エッチングレジスト 13aで保護されていな V、部分の金属層 11はエッチングされる力エッチングレジスト 13aによって保護されている部分はエッチングされずに残存し、エッチングレジスト 13aと略同一の上面形状を有する金属柱などの金属パターン 14aが、残存する金属層 11に対して台形状の形態で略直角に立設される。

[0078] 上記のようにして第一回目のエッチングを行った後、この第一回目のエッチングでエッチングレジストとして使用した感光性榭脂の硬化体力なるエッチングレジスト 13a は、必要に応じて、例えばアルカリ洗浄などにより除去されることが好ましい。エツチングレジストの除去を行うことによりモールドを高精度にカ卩ェすることができるからである。ここで使用されるアルカリ洗浄液としては、例えば 0. 5〜l%NaOH水溶液が用いられる。

[0079] 上記のようにして第一回目のエッチングを行った後、残存する金属層 11および上記工程で形成された押し型パターンおよび新たに形成しょうとする押し型パターン部分の表面を、上記と同様にして形成された感光性榭脂の硬化体力もなるパターン (エツチングレジスト） 13bで保護しながら再度エッチングすることにより、押し型パターンが形成されていない金属層 11の表面に新たに押し型パターンを形成する。

[0080] 即ち、図 2(d)に示されるように、最初のエッチング工程で形成された押し型パターン 14aの頂部およびこうした押し型パターン 14aが形成されていない金属層 11の表面に感光性榭脂を塗布して感光性榭脂層 13を新たに形成する。次いで、こうして新た〖こ形成された感光性榭脂層 13の上面に所望のパターンを形成したマスク 16を配置して感光性榭脂層 13を露光し ·現像することにより、図 2(d)および (e)に示すように感光性榭脂の硬化体からなるパターンを形成し、このパターンをエッチングレジスト 13bとして金属層 11をエッチングすることにより、図 2(1)に示すように、先の工程で形成した押し型パターン 14aの加えて、この押し型パターン 14aよりも高さの低!、押し型 14bを形成することができる。なお、ここで使用されたエッチングレジスト 13bは、アルカリ洗浄などにより除去することが上述の理由により好ましい。

[0081] 上記のようにして第二回目のエッチング工程をノヽーフェッチング工程とすることにより、図 2(1)に示すように、金属層 11を残存させることができ、図 2(g)に示すように、このように残存した金属層 11の表面に感光性榭脂層 13を形成し、さらにこの感光性榭脂層 13を、マスク 16を用いて露光 ·現像して感光性榭脂の硬化体でパターン (エツチングレジスト） 13cを形成して、上記と同様にしてエッチングすることにより、押し型パターン 14cを形成することができる。

[0082] 上記図 2に示す例では、図 2(0に示すように、三段階のエッチングを行って、高さの異なる押し型パターン 14a, 14b, 14cを形成した。これらの押し型パターン 14a, 14b, 14c が形成されていない部分の金属層 11は、エッチングにより除去されており、押し型パターン 14a,14b,14cが形成されていない部分の表面には支持基台 12が露出している

[0083] このように支持基台 12表面に形成された押し型パターン 14a,14b,14cは、同一断面を見ると、頂部 14a-t, 14b-t, 14c-tの幅が支持基台 12側の底部 14a-b, 14b-b, 14c-bの幅よりも狭く形成されている。即ち、単一の押し型パターンについてみると、この押し型パターンの頂部 14a-t, 14b-t,14c-t側のエッチング液との接触時間は、支持基台 1 2側の底部 14a-b,14b-b,14c-b側の接触時間よりも長いために、押し型パターン 14の支持基台 12側である底部 14a-b,14b-b,14c-b力先端に向かってそのパターン幅が順次狭くなるように形成されており、押し型パターン 14の断面のパターン幅は、押し型パターンの頂部 14a-t, 14b-t,14c-tにおいて、その断面幅が最も狭くなるように形成されており、従って、押し型パターン 14の断面は略台形形状を有している。

[0084] このように本発明の配線基板形成用モールド 10に形成されている押し型パターン 1 4を先細に形成することにより、例えば図 1に示すように未硬化の榭脂中に押し型バターン 14a,14bを侵入させ榭脂 34を硬化させた後、配線基板形成用モールド 10を除去する型抜きの際に、押し型パターン 14を容易に榭脂硬化体力抜き去ることができる。特に型抜きの際に押し型パターン 14の法面に榭脂硬化体が付着することがなぐ本発明の配線基板形成用モールド 10を頻繁に洗浄することなく押し型加工を行うことができる。

[0085] なお、上記の例は、第一回目のエッチング処理を、金属層 11が残留するようにハーフェッチング工程としており、残留する金属層 11をさらにエッチングする必要があるが

、金属層 11を一回のエッチングにより除去してもよい。このようにエッチング工程を一回で行う本発明の配線基板形成用モールドは、絶縁フィルムあるいは絶縁基板の表裏面を貫通するビアホールを形成するためのモールドとして利用することができる。

[0086] また、本発明の配線基板形成用モールドは、上記のようにエッチングによる方法の他に、例えば図 7に示すように、選択的なメツキ処理により形成することもできる。即ち、上述したようにガラス板などの支持基台の場合は、まずガラスを密着性良好な金属シードを形成し、その表面に押し型パターンを形成する部分を残して、レジストを塗布する。このレジストが塗布されていない部分には、支持基台のシード表面が露出しており、このように押し型パターンを形成すべき表面が露出した支持基台を 1回目のメツキ処理することにより、支持基台の露出表面にメツキ層を形成することができる。このようにして支持基台に複数の基台露出面を形成してメツキ処理することにより同一の高さ (メツキ層厚さ）を有する複数個のメツキ層を形成することができる。このようにして形成された複数個のメツキ層が、本発明の配線基板形成用モールドの押し型バターンになる。このような配線基板用モールドにおいて、上述のように高さの異なる押し型パターンを形成する場合には、上記のようにして 1回目のメツキ処理を行って立設された押し型パターンの内、高さを高くしょうとする押し型パターンはそのままにして、そのままの高さを維持しょうとする押し型パターンの表面にレジストを塗布して、メツキ処理する。上記のようにして高さを維持しょうとする高さの低い押し型パターンの表面は、レジストで被覆されていることから、このメツキ処理によってメツキ層が積層されることはな、が、このようなレジストで被覆されてヽな、押し型パターンの上部には新たなメツキ層が積層され、このようにしてメツキ層が積層されることにより、押し型パターンの支持基台からの高さを高くすることができる。上記のようなレジストによる被覆とメツキ処理を繰り返すことにより、支持基台からの高さの異なる複数の押し型パターンを形成することができる。ここで押し型パターンを形成するメツキ層は、硬質の金属からなることが好ましぐ例えば Niメツキ層などで形成することができる。このようにして形成される押し型パターンは、支持基台側の基部は、メツキ液との接触時間が長いことから、支持基台側の基部の幅はこの押し型パターンの先端部の幅よりも広く形成される。従って、上記のようにして形成された押し型パターンの断面形状は、上述のようにェツチングにより形成された押し型パターンと同様に断面形状が台形状になる。

[0087] なお、上記のようにしてメツキ処理により押し型パターンを形成した後、レジスト層は、例えばアルカリ洗浄液、有機溶媒などを用いて除去される。

[0088] また、本発明の配線基板形成用モールドは、レーザー加工によっても形成することができる。即ち、図 8に示されるように、ガラスなどのモールドになり得る材料に、レーザ一強度を無段階に変化させながらこの基材をレーザーエッチング加工を行うことにより、支持基台表面に上記と同様の押し型パターンを形成することができる。

[0089] 次に上記のようにして形成された配線基板形成用モールドを用いた配線基板の製造方法について説明する。

[0090] 図 3(a)〜(Dは、本発明の配線基板形成用モールドを用いた本発明の配線基板の製造工程の一例における断面図である。

[0091] 図 3(a)において、付番 10は、図 2において製造された本発明の配線基板形成用のモールドであり、図 2におけるものとは逆に、支持基台 12が上部に位置し、この支持基台 12の下面力も押し型パターンが垂下するように配置されている。また、図 3(a)にぉ、て付番 30は、支持体 32の表面に未硬化または半硬化の硬化性榭脂層 33が配置された積層体である。ここで未硬化の硬化性榭脂層 33は、硬化して絶縁体層を形成するものであり、従って、ここで使用される硬化性榭脂は、硬化して絶縁体層を形成するものである。

[0092] このような硬化性榭脂の例としては、熱あるいは光硬化性ポリイミド、熱あるいは光硬化性のエポキシ榭脂、熱ある、は光硬化性のウレタン榭脂などの前駆体ある、は半硬化状態 (Bステージの物）を挙げることができる。また、本発明で製造される配線基板は、配線パターンを形成する際に加熱工程、エッチング処理工程、水洗工程、金属拡散工程、メツキ工程、ボンディング工程など、加熱'冷却工程、水接触'乾燥ェ程などを繰り返されることから、耐熱性、耐水性、耐アルカリ性、耐酸性、耐熱収縮. 耐熱膨張性などの寸法安定性などの特性に優れて、ることが好ましく、上記の榭脂の中でも熱および Zまたは光硬化性のポリイミド、熱および Zまたは光硬化性のェポキシ榭脂を用いることが好まし、。

[0093] このような未硬化あるヽは半硬化の硬化性榭脂は、熱をかける力および Zまたは、光を照射することにより短時間で硬化して、モールドを撤去しても、この配線基板形成用モールドに形成された形態が保持できる程度の形態保持性を有するものであることが好ましい。

[0094] 積層体 30を構成する支持体 32は、最低限、未硬化の硬化性榭脂層 33を保持する自己形態保持性を有するものであればよいが、後述するように未硬化の感光性榭脂層を硬化させた後、この硬化させた硬化性榭脂層（絶縁体層） 34の裏面に凸状配線ノターンを形成できるように、この支持体 32を導電性金属で形成することが好ま、。ここで支持体 32として導電性金属を用いる場合には、導電性金属として、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金などを使用することができる。このような導電性金属を用いた場合の支持体 32の厚さは、通常は1〜40 111、好ましくは 2〜2 0 μ mである。

[0095] 例えばこの支持体 32として銅を使用する場合には、電解銅箔あるいは圧延銅箔の

V、ずれをも使用することができる。

[0096] 本発明におヽて上記の配線基板形成用モールド 10を用いて配線基板を製造するに際しては、図 3(a)に示されるように、本発明の配線基板形成用モールド 10の押し型パターン 14を、積層体 30の支持体 32の表面に形成された未硬化あるいは半硬化の硬化性榭脂層 33中に侵入させる。図 3(b)に、感光性榭脂層 33に押し型パターン 14を侵入させた状態が示されており、配線基板形成用モールド 10が侵入させる段階では硬化性榭脂層 33は硬化しておらず、支持基台 12と共に押し型パターン 14を押し下げることにより、未硬化の硬化性榭脂を押しのけて押し型パターン 14が硬化性榭脂層内に侵入する。

[0097] こうして押し型パターンを硬化性榭脂層 33内に侵入させた後、硬化性榭脂 33をカロ熱するかおよび zまたは光を照射することにより硬化させる。

[0098] 本発明において、感光性榭脂層を光硬化させる場合には、本発明の配線基板形成用のモールド 10に形成された光透過性基台 12側力感光性榭脂層 33を硬化させるために光照射を行う。即ち、配線基板形成用のモールド 10の押し型パターン 14が形成されていない支持基台（光透過性基台） 12の表面には金属は存在していないので、この部分は光が透過して積層体 30の感光性榭脂 33を光硬化させる。他方、押し型パターン 14は、金属で形成されており、この部分は光が透過しないので、感光性榭脂は硬化しないと思われがちである力光の回折、反射などに起因にして、押し型パターン 14によって直接光が照射されない部分の感光性榭脂の少なくとも一部は光硬化する。この場合、モールドの透光部：パターンの面積比率が、 80 : 20〜20 : 80の範囲にあることが好ま、。このように感光性榭脂を硬化させるための光照射ェネルギ一は、通常は 50〜2000mJ/cm²、好ましくは 100〜1000mJ/cm²の範囲内にあり、例えば波長 250〜450應の紫外光を用いる場合には、照射時間は、 5〜120秒間、好ましくは 15〜50秒間である。

[0099] このように感光性榭脂に上記のように配線基板形成用モールド 10の光透過性基台 12を介して光照射を行うことにより感光性榭脂の少なくとも一部が硬化するので、この感光性榭脂層 33に転写された形態は、配線基板形成用モールド 10を抜き取っても形成された形態が崩れることはなヽ。

[0100] また、硬化性榭脂層 33が熱硬化性榭脂から形成されている場合には、プレス機に加熱手段を配置して押し型パターン 14が侵入した状態で熱硬化性榭脂を硬化させる。この場合の温度は、使用する熱硬化性榭脂によって異なるが、例えば熱硬化性ェポキシ榭脂前駆体あるヽは半硬化させたエポキシ榭脂を使用する場合には、通常は

100〜200。C、好ましくは 130〜200。Cの温度に 15〜180分間、好ましくは 30〜90 分間加熱することにより、硬化性榭脂の硬化体を形成することができる。

[0101] なお、硬化性榭脂は、光あるいは熱によって硬化するものである力より効率的に硬化反応を行うために光照射をすると共に加熱してもよい。硬化反応に熱および光を併用する場合には、上記のような加熱時間をかけて加熱し、硬化反応が迅速に進行しやすい温度条件に加熱した後、上記のように短時間光を照射することにより、効率よく硬化反応を完結させることができる。

[0102] 本発明において、上記のようにして光照射あるいは加熱することによって積層体 30 に形成されてヽる硬化性榭脂層 33の硬化体 34を形成した後、図 3(c)に示すように、配線基板形成用モールド 10を撤去することにより、この硬化性榭脂層 33の硬化体 34 には、押し型パターン 14&, 141>,14(；に対応した空隙24&,241),24(；が形成される。このように硬化性榭脂層 33を硬化させることにより形成された硬化性榭脂層 33の硬化体は、この配線基板にぉ、て絶縁体層 34となる。

[0103] 前述のように、上記のように硬化性榭脂層 33の厚さ Rdは、配線基板形成用モールド 10に形成された押し型パターン 14の内の最も高い押し型パターン 14aの高さ Talよりも僅かに厚くされており、この感光性榭脂層 33の厚さ Rdと、最も高い押し型パターン 1 4aの高さ Talとの差厚 (Bt)の硬化性榭脂層の残留層 25が支持体 32の表面に残留する。また、配線基板形成用モールド 10を撤去することにより形成される空隙 24a,24b,2 4cの内周壁面にも榭脂残渣が残存することがある。

[0104] 本発明では、このような絶縁体層（硬化性榭脂層の硬化体層） 34に形成された最も深い空隙 24aの底部にある残留層 25を除去してこの最も深い空隙 24aの底部が支持体 32に連通させ、さらに空隙 24a,24b,24cに残存する残渣を除去するための処理を施すことが望ましい。

[0105] 空隙 24aの底部に残存する残留層 25は、デスミア処理により除去することができる。

このデスミア処理を行うことにより、最も深い空隙 24aの底部に残存する残留層 25を除去することができ、この最も深い空隙 24aの底部に支持体 32の上面が露出する。また、空隙 24a,24b,24c内部に残留することがあるスミア (残渣)を除去することができる。

[0106] 図 3(d)に上記のようにしてデスミア処理された基板の断面図を示す。図 3(d)に示すように、最も深い空隙 24aの底部には、絶縁体層 34に積層された支持体 32の上面が露出している。

[0107] 本発明では、こうして形成された空隙を有する絶縁体層 34の表面に導電性金属を析出させる。このような導電性金属の析出は、絶縁体層 34の表面に止まらず、空隙 24 a,24b,24c内部にも析出して、空隙 24a,24b,24c内部が析出した金属で充填される。さらに、この析出金属層 41は、絶縁体層 34の表面全体を覆うように形成される。

[0108] このような析出金属層 41は、凹状配線パターンあるいは配線パターンを厚さ方向に電気的に接続するビアホール内導電体を形成するものであり、導電性金属から形成されている。このような導電性金属の例として、銅、銅合金、スズ、スズ合金、銀、銀合金、金、金合金、ニッケル、ニッケル合金、さらにはこれらの導電性金属を含む合金などを挙げることができる。本発明では、この析出させる導電性金属として、銅または銅合金を使用することが好まし、。

[0109] 上記のような金属は、乾式法あるいは湿式法のいずれの方法でも析出させることができるが、特に本発明では、無電解メツキ法および Zまたは電気メツキ法により析出させることが好ましい。ここで無電解メツキ液および電気メツキ液としては、従来使用されている穴充填に適したメツキ液を用いる。このようなメツキを行うことにより、空隙 24a, 24b,24c内部に導電性金属が析出して充填されると共に、絶縁体層 34の表面にも通常は 0. 01〜15 μ m、好ましくは 0. 5〜3 μ mの導電性金属層 41が形成される。なお、上記絶縁体層 34に形成されてヽる最も深!、空隙 24aに充填された導電性金属層 45 aは、その先端部が支持体 32にまで到達して支持体 32と接触しており、その基端は、支持体 32が形成されてヽる絶縁体層 34の支持体 32が配置されてヽる面と反対の面にあるので、この最も深い空隙 24aに充填された導電性金属層 45aは、絶縁体層 34の表裏面を電気的に接続する電気的導通部となる。

[0110] 上記のようにして析出金属層 41を形成した後、図 3(1)に示すように、絶縁体層 34の表面に析出した析出金属層 41を研磨して、絶縁体層 34の表面を露出させる。この研磨には、化学研磨、機械研磨があるが、本発明ではいずれの研磨方法を採用することができるし、さらに両者を組み合わせてもよい。必要な場合は、図 3 (d)の後に無電解ニッケルメツキによりバリア層を形成することもある。研磨を行い、平滑にすることは

、配線回路の細線ィ匕に有利である他、実装信頼性の向上にも有利である。

[0111] このように絶縁体層 34の表面を研磨することにより絶縁体層 34の表面が露出すれば、空隙 24aに充填された導電性金属 45a、空隙 24bに充填された導電性金属 45b、空隙 24cに充填された導電性金属 45cは、絶縁体層 34の表面では絶縁状態になり、それぞれ、絶縁体層 34中に埋設された独立した凹状配線パターン 46a,46b,46cになる。

[0112] 図 3(f)に示す凹状配線パターン 46bと凹状配線パターン 46cとはその断面積は同一であるが、絶縁体層 34の表面に占める凹状配線パターン 46bの面積は、凹状配線パターン 46cの絶縁体層 34の表面に占める面積の 1Z2である。従って、同一断面積の凹状配線パターンを形成するのであれば、図 3(1)において付番 46bに示すように、凹状配線パターンを絶縁体層 34の深さ方向に深く形成することにより、高い配線密度の配線基板を形成することができる。また、凹状配線パターンが細線化された場合であっても、厚さ方向に凹状配線パターンを深く形成することにより、凹状配線パターンの断面積が大きくなり、通電時に、こうした凹状配線パターンからの発熱が少なくなる

[0113] また、凹状配線パターン 46aは、絶縁体層 34の表裏面を貫通するように形成されており、このような凹状配線パターン 46aは、絶縁体層 34の表裏面を電気的に接続するビアホールとして使用することができる。

[0114] 特に、裏面側にある支持体 32が銅箔などの導電性金属で形成されている場合には、常法に従って凸状配線パターンを形成することによりビアホールにより絶縁体層 34 の表裏面に電気的接続が形成された両面配線基板を形成することができる。即ち、図 4(a)に示すように絶縁体層 34に凹状配線パターン 46a,46b,46cを形成した後、銅などの導電性金属力もなる支持体 32の表面に感光性榭脂層 13を形成する。さらに図 4( b)に示すように、この感光性金属層 13の表面に所望の形態が形成されたマスク 16を配置して露光'現像することにより、感光性榭脂層 13の硬化体層 13aを形成する。次いで、図 4(c)に示すように、この硬化体層 13aをマスキング材として支持体 32をエッチングして凸状配線パターン 32a,32b,32c,32dを形成する。

[0115] 図 4(c)に示すように、凸状配線パターン 32aはその底部で凹状配線パターン 46aと接続しており、また凸状配線パターン 32dはその底部で凹状配線パターン 46aと接続しており、この配線基板は、絶縁体層 34を介して、表裏面にそれぞれ独立に凸状配線パターンあるいは凹状配線パターンが形成されてヽると共に、これらの配線パターンは、絶縁体層 34を貫通して形成された配線パターン 46a (ビアホール）によって電気的に接続される。

[0116] また、本発明によれば、多層積層基板 (ビルドアップ配線基板)を製造することができる。

[0117] 例えば、図 3に示されるようにして支持体 32の表面に硬化性榭脂硬化体 (絶縁体層 ) 34とこの絶縁体層 34内に凹状配線パターン 46a,46b,46cを形成し、この絶縁体層の表面に、未硬化または半硬化の硬化性榭脂層を形成した後、図 5(a)に示すように、配線基板形成用のモールド 10を押し下げて、このモールド 10に形成されている押し型パターン 14a, 14b, 14cを硬化性榭脂層に侵入させる。次いで配線基板形成用モールド 10の光透過性基台 12側から光を照射する力あるいは、硬化性榭脂を加熱することにより、硬化性榭脂層を硬化させる。この硬化の際には、上記と同様に、硬化性榭脂を加熱しながら光照射してもよい。

[0118] こうして硬化性榭脂層を硬化させた後、配線基板形成用モールド 10を撤去することにより、図 5(b)に示されるように、硬化性榭脂硬化体からなる絶縁体層 34aを形成する oこの絶縁体層 34aには、配線基板形成用モールド 10に形成されていた押し型バターンの形状に対応する形状の空隙 24d,24e,24f,24gが形成されて、る。このようにして形成された空隙 24d,24e,24f,24gの内で、空隙 24d,24eが最も深い空隙である力空隙 24dとこの空隙 24dの下部に形成されている配線パターン 46aとの間、および、空隙 24eとこの空隙 24eの下部に形成されている配線パターン 46cとの間には、残留層 25があり、これらの空隙 24dおよび空隙 24eは、これらの下部にある配線パターン 46aおよび配線パターン 46cには到達して!/、な!/、。

[0119] 次いで、図 5(c)に示すように、デスミア処理を行い、残留層 25を除去して空隙 24d、空隙 24eを、これらの下部にある配線パターン 46a、配線パターン 46cに連通させると共に、空隙 24d,24e,24f,24gに接している絶縁体層の壁面などに付着している残渣を除去する。

[0120] こうしてデスミア処理を行った後、図 3(e)に示すものと同様に、空隙 24d,24e,24f,24g 内および絶縁体層 34aの表面に、導電性金属を析出させる。次いで、絶縁体層 34a表面に析出した導電性金属を、絶縁体層 34aの表面が露出するように研磨することにより、図 5(d)に示すように、それぞれの凹状配線パターン 55d,55e,55f,55gを幅方向に独立させることができる。他方、凹状配線パターン 55dは、その下の形成されている配線基板の凹状配線パターン 46aと電気的に接続されており、また、凹状配線パターン 55 eは、その下に形成されている凹状配線パターン 46cと電気的に接続されており、凹状配線パターン 55dおよび凹状配線パターン 55eは、この層の表面側と裏面側にある配線パターンとを電気的に接続するビアホールを形成して、る。

[0121] そして、上記の工程を繰り返すことにより、多層積層された多層積層配線基板を製造することができる。

[0122] このように本発明の配線基板形成用モールドを使用すれば、絶縁体層 34aに凹状配線パターン 55d,55e,55f,55gを形成すると同時に、絶縁体層 34aに形成された凹状配線パターンとその配線パターンの下部にある絶縁体層 34に形成された配線パターンとを厚さ方向に接続することができ、しかもこのように凹状配線パターンを厚さ方向に接続するビアホールの形成位置を自由に設定することができる。さらに、このビアホール内には配線パターンを形成する導電性金属と同じ金属が充填されており、厚さ方向の導通信頼性が非常に高くなると共に、ビアホール内には導電性金属以外の物質を充填する必要がない。

[0123] なお、図 5で絶縁体層 34は、支持体 32の上に形成されており、配線基板を積層する際にこの支持体 32をそのまま使用している力この支持体 32として導電性金属を使用する場合には、図 4に示すように、この支持体 32をエッチングして凸状配線パターンを形成することもできる。

[0124] このようにして本発明によれば、多層積層配線基板を積層する際に凹状配線バターンとビアホールとを同時に形成することができる。し力も、このようにして形成されるビアホール内には、凹状配線パターンを形成する導電性金属以外のものは含有されてヽなヽので、このビアホーノレ内の電気抵抗値が高くなることはな!/、。

[0125] 上記の例は、ビアホールと凹状配線パターンとを同時に形成した例である力本発明によれば、絶縁体層にビアホールだけを形成することもできる。

[0126] 例えば図 6(a)〜( に示すようにしてビアホール形成用の押し型パターン 14を有するモールド 10を形成する。即ち、図 6(a)に示すように、支持基台 12の表面に金属層 11を形成し、この金属層 11の表面に感光性榭脂層 13を形成し、この感光性榭脂層 13の表面にマスク 16を配置して、感光性榭脂層 13を露光 ·現像することにより、感光性榭脂硬化体力もなるパターン 13aを形成する（図 6(b)参照)。

[0127] 次いで、図 6(c)に示されるように、パターン 13aをマスキング材として、金属層 11をェツチングすることにより、押し型パターン 14を形成する。このようにエッチングにより形成された押し型パターン 14は、上面がマスキング材であるパターン 13aによって保護されており、このパターン 13によって保護される金属層 11の上面の断面幅は、パターン 13aの断面幅と略同一であるが、金属性押し型パターン 14力金属層 11をパターン 13 aをマスキング材とするエッチングにより形成することから、形成される押し型パターン 14は、支持基台 12に近づくにつれて次第に断面幅が大きくなる。図 6(d)には、例えばアルカリ洗浄などにより、マスキング材であるパターン 13aが除去されたモールド 10が示されており、このモールド 10に形成されている押し型パターン 14は、支持基台 12側における断面幅 14bt力押し型パターン 14の頂部 14tpよりも広く形成された断面形状が台形の形状を有している。

[0128] 図 6(e)には、支持体 32の表面に形成された未硬化または半硬化の硬化性榭脂層 3 3に、上記のようにして形成されたモールド 10が侵入して、未硬化または半硬化の硬化性榭脂層 33に、モールド 10に形成された押し型パターン 14の形態が転写された状態が示されている。このように押し型パターン 14を硬化性榭脂 33に侵入させた後、加熱あるいは光照射することにより硬化性榭脂層 33を硬化させて硬化性榭脂硬化体 34 にする。このようにして形成された硬化性榭脂硬化体 34はこの配線基板の絶縁体層 3 4となる。

[0129] このようにして硬化性榭脂層 34を硬化させた後、モールド 10を撤去することにより、図 6(1)に示すように、絶縁体層 34には、押し型パターン 14に対応した形態の空隙 24が形成される。

[0130] こうして形成された空隙 24は、押し型パターン 14の高さよりも、硬化性榭脂層の厚さを僅かに厚くして金属押し型パターン 14の先端部の欠損の発生などを防止するために、空隙 24の底部には残留層 25が残存するのが一般的で、ビアホールを形成するためには、このような残留層 25を除去する必要がある。

[0131] 本発明ではこうした残留層 25を除去し、さらに空隙 24内壁などに残存する残渣 (スミァ）を除去するために、デスミア処理を行う。

[0132] このようにしてデスミア処理を行うことにより、図 6(g)に示すように、空隙 25は絶縁体層 34を貫通して、絶縁体層 34の下部にある支持体にまで到達する。

[0133] こうして貫通孔を形成した後、図 6(h)に示すように、貫通孔を含め絶縁体層表面に導電性金属 45を析出させることにより、貫通孔内に導電性金属を充填すると共に、貫通孔が形成されていない絶縁体層 34の表面にも導電性金属 45の析出層 41を形成する。

[0134] こうした形成された導電性金属の析出層 41を、絶縁体層 34が露出するまで研磨することにより、絶縁体層 34の表面の導電性金属の析出層 41は除去され、ビアホール 4 6を形成することができる。

[0135] このようにして形成されたビアホール 46は、空隙 24に導電性金属が充填されて形成されており、絶縁体層 34の表裏面に電気的接続を確保するためのビアホールとして非常に高い信頼性を示す。

[0136] し力もこうして形成されたビアホールは、絶縁体層 34の任意の位置に形成することができると共に、配線基板の表面におけるビアホールの形成面積を小さくすることができる。さらに、この方法によれば、ビアホールの横断面形状を円形あるいは略円形など、従来のビアホールにおいて採用されていた形態に限定する必要はなぐ例えば帯状のビアホールなどを形成することも可能である。

[0137] 上記のようにしてビアホール 46を形成した後、絶縁体層 34の表面に導電性金属層を形成して、この導電性金属層にさらに感光性榭脂層を形成して、この感光性榭脂層を露光'現像することにより、選択的にエッチングして凸状配線パターンを形成することができる。また、絶縁体層 34表面に直接感光性榭脂層を形成し、この感光性榭脂層を露光'現像して所望のパターンを形成して、形成されたパターンをマスキング材として新たに導電性金属を析出させて配線パターンを形成することもできる。さらに、上記の説明では図 6(h)で形成された金属層を絶縁体層 34が露出するまで研磨する代わりに、この導電性金属の析出層の表面に感光性榭脂層を形成し、この感光性榭脂層を露光'現像しては感光性榭脂硬化体からなる所望のパターンを形成し、このパターンをマスキング材として導電性金属の析出層を選択的にエッチングして配線パターンを形成することもできる。

[0138] また、絶縁体層 34の裏面側にある支持体 32として導電性金属を使用した場合には、図 4に示すものと同様にして、この導電性金属からなる支持体 32の表面に感光性榭脂層を形成し、この感光性榭脂層を露光'現像することにより、所望のパターンを形成し、こうして形成されたパターンをマスキング材として、導電性金属からなる支持体 3 2を選択的にエッチングして、絶縁層 34の裏面側にも配線パターンを形成することができる。

[0139] このようにして得られた両面に配線パターンが形成された両面基板は、配線基板としてそのまま使用することができるとともに、上述の多層積層配線基板を形成する際の配線基板として利用し、この両面配線基板の表面にさらに多層の配線基板を積層することちでさる。

[0140] 本発明で使用する配線基板形成用のモールドは、支持基台とこの支持基台の表面に積層された金属層を選択的にエッチングすることにより形成された押し型パターンとからなり、金属エッチングの特性から、形成される押し型パターンの頂部の断面幅が支持基台側の押し型パターンの断面幅よりも必ず小さくなる。従って、本発明にお V、て、上記のような配線基板形成用モールドを未硬化の硬化性榭脂層中に侵入させて、硬化性榭脂を硬化させて、この硬化性榭脂を絶縁体層に変換した後、この配線基板形成用モールドと絶縁体層とを脱型分離する際に、配線基板形成用モールドと絶縁体層とを容易に分離することができる。特に押し型パターンが、エッチングにより形成されているためにその断面形状が頂部に向力つて断面幅が狭くなるように台形状に形成されており、さら〖こは、硬化性榭脂が硬化する際に僅かに硬化収縮するために、脱型が非常に容易になる。 [0141] また、本発明の配線基板形成用モールドを使用することにより、絶縁体層に凹状配線パターンと、この絶縁体層を貫通するビアホールを同時に形成することができる。し力も、こうして形成される凹状配線パターンの形成金属とビアホールの形成金属とが同一であるので、形成された凹状配線パターンとビアホールとで電気的特性が変動することがない。

[0142] また、本発明の配線基板形成用モールドを使用することにより、このモールドを形成する際のエッチング状態を変えることにより、形成される押し型パターンの高さを変えることができる。従って、配線パターンの電気抵抗に影響を与える配線パターンの断面積を、絶縁体層に形成する配線パターンの深さによって調整することができる。従来の絶縁フィルム表面に形成された導電性金属層を選択的にエッチングすることにより形成されていた配線基板では、電気抵抗が高くなるために配線パターンの幅は、 35 /z mよりも細くすることは困難であるとされていた力本発明の配線基板形成用モールドを用いて配線基板を形成することにより、線幅を 35 μ m未満としても絶縁体層の深さ方向に配線パターンを深く形成することにより、配線パターンの断面積を一定以上にすることができるので、配線パターンをさらに超細線ィ匕することが可能になる。

[0143] さらに本発明は、上記とは別の新規な配線基板の製造方法およびこの方法により得られる配線基板について具体的に説明する。

[0144] 図 9、図 10は、本発明の配線基板を製造する際の各工程における基板の断面を模式的に示す図である。

[0145] 図 9(a)には、本発明で使用する有機絶縁性基材が付番 110で示されている。この有機絶縁性基材 110は、電気絶縁性を有する有機材料で形成することができる。また、この有機絶縁性基材 110は、例えば、液晶ポリマー、エポキシ榭脂、ポリイミド、硬化または未硬化の積層糊剤を使用することができる。ここで積層糊剤としては、例えば、巴川製紙所製の X糊を挙げることができる。

[0146] この有機絶縁性基材 110は、通常は可撓性を有している。例えば、エポキシ榭脂、ポリイミド榭脂、硬化した後の積層糊などは硬質であることが多ぐこのような硬質の榭脂を使用する場合には、例えばエポキシ榭脂硬化前駆体、ポリアミック酸、未硬化の積層糊剤などを用いることにより、精密押し型を用いる際には軟質の状態で使用し、後の工程で加熱または露光した際に硬化させることができる。上記のように榭脂を硬ィ匕させながら有機絶縁性基材 110を使用する際には硬化前の榭脂を塗布するために支持体を用いることができる。図 9(a)には支持体が付番 111で示されている。この支持体 111は、有機絶縁性基材 110を形成する途中の工程で有機絶縁性基材 110を支持するものであり、特に絶縁性である必要はない。このような支持体 111としては、例えば電解銅箔、アルミニウム箔などの金属箔、合成樹脂フィルムなどを使用することができる。この支持体 111は、硬化が完了してないなど、形態が確定していない有機絶縁性基材 110の形態を保持するものであり、有機絶縁性基材 110の形態が確定した後に剥離除去することもできるし、またこの支持体 111を残して有機絶縁性基材 110の一部を形成されることちできる。

[0147] 従って、本発明で使用される有機絶縁性基材 110は、押し型によって凹部が形成される層が、上記のように絶縁性を有し、かつ可撓性を有していればよぐ単層構造であっても多層構造であってもよ、。

[0148] 上記のような有機絶縁性基材 110の厚さは、押し型によって凹部が形成可能な厚さであればよぐ形成される凹部の深さは通常は 5〜30 m程度であるから、有機絶縁性基材 110の凹部が形成される部分の厚さがこの凹部深さ以上であればよぐ単層の有機絶縁性基材 110を用いる場合には、有機絶縁性基材 110の厚さは、通常は 12. 5〜75 /ζ πι程度であり、また、多層構造の有機絶縁性基材 110を用いる場合には、凹部が形成される表層の厚さが通常は 12. 5〜50 m程度である。

[0149] 本発明では上記有機絶縁性基材 110の一方の面に、金属薄膜 112を形成する。

[0150] ここで形成する金属薄膜 112は、厚さが通常は 0. 1〜1 μ m、好ましくは 0. 2〜0. 8

IX mの範囲内にある展延性の良好な金属によって形成されている。上記のような厚さの金属薄膜を形成することにより、押し型をプレスしても、金属薄膜にクラックなどの欠陥が生じにくくなる。金属薄膜 112は押し型により押されたときの破断を防ぐ観点から伸び率 eが 0. 07以上のものを採用することが好ましぐ伸び率 eが 0. 2以上のものを採用することが一層好ましい。伸び率 eの上限値は特に制限されるものではないが、経験的には、この上限値は 0. 5程度である。このような伸び率 eを有する金属薄膜を使用することにより、クラックなどの欠陥が生じに《なる。ここで金属薄膜の伸び率 eは、常温において、所定長さの金属薄膜を延伸したときの破断に至るまでの延伸長さを、元の金属薄膜の長さで割った値であり、例えば 10mmの金属薄膜が 13mmで破断した場合を例にして説明すると、 (13mm- 10mm) /10mm=0. 3であり、この「 0. 3 (無次元）」がこの金属薄膜の伸び率 eである。

[0151] 本発明において、上記のような特性を有する金属薄膜は、例えば以下に記載するような方法で形成することができる。

[0152] 第 1の方法は、上記有機絶縁性基材 110の無電解銅メツキにより展延性のよい金属薄膜を形成する方法である。

[0153] この方法では、上記有機絶縁性基材 110の表面に銅が析出しやすいように、活性化処理を施した後に無電解銅メツキをすることが好まヽ。この活性ィ匕処理としては、有機絶縁性基材 110の表面に無電解銅メツキにより銅が析出し易いように、触媒を吸着される方法が特に好ましい。このような触媒の吸着には、有機絶縁性基材を形成する榭脂の表面を、まず膨潤させ、次いでこの表面を、過マンガン酸カリウムのような酸化剤で処理して表層を酸化除去する。この表面を、中和処理した後、例えば室町テクノス (株）製の MK-140のようなコンディショナーを用いて処理する。このように処理することにより、有機絶縁性基材の表面に触媒が吸着可能な活性を付与することができる。このようにして有機絶縁性基材の表面を触媒吸着活性ィ匕処理した後、例えば過硫酸カリウムなどのエッチング剤が含有されたマイクロエッチング液を用いてマイクロエッチングして表面の酸ィ匕物を除去し、次ヽで硫酸水溶液を用いて有機絶縁性基材表面に残留することもある過硫酸カリウム残渣を除去する。

[0154] 上記のようにして表面調整が行われた有機絶縁性基材に、例えば Pd-Sn触媒などの金属析出用の触媒を吸着させる。このような Pd-Sn触媒の吸着は、有機絶縁性基材を、触媒を含有する溶液中に浸漬すればよい。この際、有機絶縁性基材を、一気に Pd-Sn触媒含有溶液に浸漬してもよ、が、 Pd-Sn触媒を含有するプレディッビング液を用意して、有機絶縁性基材を一旦このプレデイツビング液に浸漬した後に、改めて Pd-Sn触媒含有溶液に浸漬することにより、 Pd-Sn触媒含有溶液が液劣化しにくくなる。 [0155] このように Pd-Sn触媒含有溶液に浸漬することにより有機絶縁性基材の表面に Pd- Sn触媒が吸着される。

[0156] こうして Pd-Sn触媒が吸着された有機絶縁性基材を引き上げて水洗することにより、有機絶縁性基材表面に吸着されている Snは、ほとんどが除去され、表面には Pdが吸着された状態になる。こうした Pdが吸着された有機絶縁性基材表面における触媒活性をさらに高めるために、例えば、室町テクノス (株)製の KM-370などのような硫酸系薬品で処理した後、無電解銅メツキにより銅層を形成する。

[0157] このようにして Pdが吸着された有機絶縁性基材の表面は、無電解銅メツキに対して高い活性を示し、無電解銅メツキ液から銅を効率よく析出させることができ、このようにして析出した銅カゝらなる無電解銅メツキ層は優れた展延性を示す。

[0158] 第 2の方法は、上記有機絶縁性基材 10に、例えば 5〜： LO m程度の厚さの銅箔をラミネートした後、加熱処理したァニール銅箔を通常は 0. 1〜1 μ m、好ましくは 0. 0 8〜0. 5 /z mの厚さにハーフエッチングする方法である。ここで使用されるような銅箔をァニール処理することにより銅箔の優れた展延性がさらに向上する。この方法では

、上記の有機絶縁体基板 10の表面に銅箔をラミネートした後、加熱して熱処理する。加熱処理温度は、銅箔の伸び率 eが 0. 35以上（35%以上）になるように設定すること力子ましく、具体的にはこのァニール処理の温度は、通常は 180〜250°Cの範囲内の温度に設定される。

[0159] こうしてラミネートしァニール処理した銅箔を所定の厚さにハーフエッチングする。ここで使用されるハーフエッチング液としては、通常のエッチング液を使用することができ、エッチング時間を調整することにより、残留銅箔厚さを調整することができる。一般に電解銅箔よりも圧延銅箔の方が展延性に優れることから、ここでは圧延銅箔を使用することが好ましい。

[0160] 第 3の方法は、上記有機絶縁性基材に、銅を 0. 1〜： L mの厚さにスパッタリングすることにより展延性に優れた金属薄膜を形成する方法である。

[0161] すなわち、この方法では、スパッタリング装置を用いて有機絶縁性基材の表面に銅をスパッタリングして所定厚さのスパッタリング銅層を形成する。このようにして形成されたスパッタリング銅層は優れた展延性を示す。 [0162] 第 4の方法は、上記のようにして形成されたスパッタリング銅層の表面に Znメツキ層を形成した後、ァニール処理して得られる金属薄膜である。このようにスパッタリング銅層の表面に亜鉛メツキ層を形成し、こうして得られた銅層と亜鉛メツキ層との積層体を通常は 160〜280°Cの範囲内の温度に加熱することにより、それぞれの層を形成する銅および亜鉛が相互に拡散して合金層を形成する。この合金層の厚さは、上述のように通常 ίま 0. 1〜1 111、好ましく【ま0. 2〜0. 8 mである。

[0163] この方法を採用する場合に、スパッタリング銅層の厚さは、通常は 0. 07-0. 7 m 、好ましくは 0. 14〜0. 56 /z mであり、亜、メツキ層の厚さは、通常は 0. 03〜0. 3 μ m、好ましくは 0. 06-0. 24 μ mである。そして、スパッタリング銅層の厚さと亜鉛メツキ層の厚さとの比（Cu:Zn)を、通常は 8 : 2〜6 :4の範囲内、好ましくは 7. 5 : 2. 5 〜6. 5 : 3. 5の範囲内に設定する。このような厚さ比、すなわち合金層における銅と亜鉛との比率を有する金属薄膜は大変優れた展延性を有しており、クラックなどの欠陥が非常に生じにくい。

[0164] 第 5の方法は、上記有機絶縁性基材の表面に、 Zn— A1系超塑性合金層を形成する方法である。ここで使用する Zn-Al系超塑性合金は、非常に優れた展延性を有しており、このような Zn—Al系超塑性合金は、例えば通常のスパッタリング装置を用いてスノッタリング合金層を形成することができる。この Zn—Al系超塑性合金層の厚さは、上述のように通常 ίま 0. 1〜1 111、好ましく【ま0. 2〜0. 8 mである。

[0165] さらにここのような Zn—Al系超塑性合金に限らず、例えば Fe— Cr— Ni系合金、 Ti— Al— V系合金、 Al—Mg系合金などの超塑性合金を用いて、上記の Zn—Al系超塑性合金の場合と同様にして超塑性合金層を形成することにより、 Zn—Al系超塑性合金から形成される超塑性合金層と同等の優れた展延性を有する金属薄膜を形成することがでさる。

[0166] さらに、本発明では、上記の方法のほかにも、上記方法で形成された展延性に優れた金属薄膜と同等の特性を有する金属薄膜を形成することができる他の方法を採用することもできるのは勿論である。例えば、有機絶縁性基材としてポリイミドを採用した場合にはダイレクトメタライジング法の適用が可能である。

[0167] 図 9(b)には、上記有機絶縁性基材 110の表面に、上記のようにして形成された展延性のよい金属薄膜 112が形成された基板の断面が示されている。なお、図 9(a)に示した支持体 111は、図 9(b)では記載が省略されている。この支持体 111は、任意の層であり、この支持体 111を配置する場合であっても有機絶縁性基材 111に自己形態保持性が発現した任意の時点で剥離 ·除去することができるので、以下に示す図においては図 9 (b)と同様にその記載を省略する。

[0168] 本発明の配線基板の製造方法では、図 9(c)に示すように、上記のようにして有機絶縁性基材 110の表面に形成された展延性に優れた金属薄膜 112に、精密押し型 130 を当接して加圧して、展延性の金属薄膜 112に凹部を形成する。

[0169] 本発明で使用する精密押し型 130は、一般には図 11に示すように、この精密押し型を形成する押し型基台 131と、この押し型基台 131の表面に形成された押し型パターン 133を具備している。また、この精密押し型 130は、加熱手段（図示なし)を有していてもよい。

[0170] 押し型基台 131は、精密押し型 130に形成される押し型パターン 133を保持するものであり、通常は、金属、榭脂板などの硬質部材あるいは榭脂フィルム、榭脂シートのような可撓性を有する軟質部材から形成されて!ヽる。

[0171] 本発明で使用する精密押し型 130には、上記のような押し型基台 131の表面に押し型パターンが形成されて、る。

[0172] この押し型パターンは、押し型基台 131表面に金属を選択的に析出させて形成する方法、あるいは、押し型基台 131の表面にパターンを形成してこのパターンをマスキング材として選択的にエッチングすることにより押し型パターンを形成する方法などにより形成することができる。

[0173] 例えば、押し型基台 131の表面に感光性榭脂層を形成し、この感光性榭脂層を露光'現像することにより、所望のパターンを形成し、このパターンをマスキング材として、メツキ処理を行うことにより、金属を析出させて押し型パターンを形成することができる。この方法では、感光性榭脂層を露光'現像する際に、形成しょうとする配線パターンの部分が開口するように感光性榭脂を露光現像する。次いで、このようにして形成された感光性榭脂硬化体力ゝらなるパターンをマスキング材としてメツキ処理を行って析出した金属により押し型パターンを形成した後、感光性榭脂硬化体力なるマスキング材を除去することにより、押し型パターンを形成することができる。この押し型バターンは、上記のようにメツキ処理により析出した金属により形成されている。ここで押し型パターン 133を形成する金属の例としては、ニッケル、銅、クロム、スズ、亜鉛、銀、金などのメツキ処理により析出可能な金属を挙げることができる。上記のような選択的なメツキ処理工程を少なくとも一回行うことにより押し型パターン 133を形成することができるが、高さの異なる押し型パターンを形成する場合には、上記の選択的なメツキ工程を二回以上行うことにより、メツキ処理回数により高さの異なる押し型パターンを形成することができる。

[0174] また、例えば、エッチング処理可能な金属を用いて押し型パターンを形成する場合には、銅、鉄、ニッケルなどの金属表面に、感光性榭脂層を形成し、この感光性榭脂層を露光'現像することにより、感光性榭脂からなるマスキング材を形成し、このマスキング材を用いて金属をエッチングすることにより押し型パターンを形成する。この方法では、金属をエッチングすることにより押し型パターンを形成することから、感光性榭脂硬化体からなるマスキング材の形状は、形成しょうとする押し型パターンと略同一形状である。この方法で使用するエッチング剤は、エッチングされる金属の種類にあわせて適宜選択することができる。

[0175] 上記のようなエッチング処理を少なくとも一回行うことにより、金属製の押し型パターンを形成することができる。また、高さの異なる押し型パターンを形成する場合には、上記のようなエッチング処理を二回以上行う。

[0176] また、本発明では、押し型パターンが、上記記載の方法に準じて金属をエッチングして所定のパターンを形成した後、このパターンの表面にメツキ層を形成することによつても製造することができる。

[0177] 上記のようにして形成された押し型パターン 133は、押し型によって上記展延性に優れた金属薄膜にクラックが形成されないような高さに形成することができる。このような押し型パターン 133の高さは、通常は 1〜40 μ m、好ましくは 5〜30 μ mである。上記のような高さのパターンで押し型を形成しても優れた展延性を有する金属薄膜にクラックなどの欠陥は生じにくいし、さらに後の研磨工程で研磨する際に形成される配線パターンが断線しにくくなる。 [0178] 上記のようにして形成された押し型パターンの断面形状は、矩形状、台形状、三角形状などの種々の形状にすることができる。

[0179] 本発明では、図 9(d)に示すように、上記のような精密押し型 130を金属薄膜 112に当接して加圧して、展延性のよい金属薄膜 112側力有機絶縁性基材 110の深部に向力つて、この押し型パターン 133に対応した形態の凹部 120を優れた展延性を有する金属薄膜 112に形成する。

[0180] すなわち、図 9(d)に示されるように、展延性のよい金属薄膜 112に、精密押し型 130 を配置して、押し型パターン 133を、展延性の金属薄膜 112を展延させながらその下にある有機絶縁性基材 110に押し込んで、押し型パターン 133の形状に対応した凹部 120を形成する。このように押し型パターン 133を押し込むことにより、金属薄膜 112は延びながら有機絶縁性基材 110の中に侵入するが、この金属薄膜 112は上述のように優れた展延性を有することから、クラックなどの欠陥が生じにくぐ形成された凹部 120 の内壁面は、引き伸ばされた金属薄膜で覆われている。

[0181] 上記のように精密押し型 130を用いて凹部 120を形成するに際して、金属薄膜 112は、回路を形成したときに、この回路表面の線幅を d、深さを h、金属薄膜の破断に至る伸び率を eとしたときに、金属薄膜が次式（1)で表される関係を有していることが好ましい。

[0182] [数 1] h< ly2X d _N (_e e+e) · · · ( 1 )

[0183] このように展延性の良好な金属薄膜 112の伸び率 e、形成される回路表面の線幅 d( μ m)および深さ h( m)が上記の式（1)で表される関係を満たすようにすることにより、良好に配線パターンを形成することができる。

[0184] 本発明において、精密押し型 130に付与する圧力は、有機絶縁性基材 110の種類にもよる力通常は、 0. l〜20kgZmm²、好ましくは 0. 2〜10kgZmm²の範囲内に設定される。このような加圧は、加熱下に行ってもよい。この場合の加熱温度は通常は 1 00〜300°C、好ましくは 150〜200°Cの範囲内の温度に設定する。このように加熱下に加圧することにより、精密押し型 130に形成された押し型パターン 133の有機絶縁性基材 110中への侵入が容易になると共に、加熱によって有機絶縁性基材 110を形成する榭脂の硬化反応を急速に進行させることができる。従って、上記のような加熱下に加圧することによって、有機絶縁性基材 110の形態が固定される。

[0185] このような条件での精密押し型 130の押し付け時間は、通常は 0. 2〜60分間、好ましくは 0. 3〜30分間である。

[0186] 上記のようにして精密押し型 130を押し付けた後、この精密押し型 130は、引き上げられて撤去される。

[0187] 上記のようにして凹部 120が形成した後、メツキ処理により、金属薄膜 112上に、凹部 120の深さより厚、金属メツキ層 122を形成する。

[0188] 本発明においては、この金属メツキ層 122は、電気メツキにより形成することが好ましい。有機絶縁性基材 110の表面に金属薄膜 112が存在することにより、この工程における電気メツキを円滑に行うことができる。

[0189] 図 9(e)に示すように、本発明では、電気メツキにより凹部 120の深さよりも厚い金属メツキ層 122を形成することが好ましい。すなわち、上記の工程で形成した凹部 120の深さは、押し型パターン 133の高さである通常は 1〜40 μ m、好ましくは 5〜30 μ mに対応した深さになり、この電気メツキ層は、通常はこの凹部 120の深さ hに対して通常は 1 01〜200%の厚さ、好ましくは 110〜150%の厚さに形成する。電気メツキ層の凹部深さに対する厚さを上記の範囲内にすることにより、凹部内を、完全に析出した金属で埋め尽くすことができる。

[0190] このような厚さの電気メツキ層を形成することにより、凹部 120を、析出する金属で埋め尽くすことができると共に、凹部 120が形成されていない部分の金属薄膜 12の表面も電気メツキ層によって覆われる。

[0191] ここで電気メツキ層 122は、銅の電気メツキ層であることが好ましい。この電気メツキで使用されるメツキ液の銅濃度は、通常は 5〜30gZリットル、好ましくは 8〜25gZリットルの範囲内にあり、このようなメツキ液を用いた際の電流密度は通常は 0. 5〜8AZd 好ましくは l〜6AZdm²であり、メツキ液の温度は通常は 19〜28°C、好ましくは 2 1〜26°Cの範囲内の温度に設定される。

[0192] このような条件で電気メツキ時間は、通常は 1〜： LO分間、好ましくは 2〜8分間である。

[0193] 本発明では上記のようにして電気メツキにより金属メツキ層 122を形成した後、図 9(1) 、図 10(g)に示すように、この金属メツキ層 122の表面力も有機絶縁性基材 110が露出するまで金属メツキ層 122を研磨して有機絶縁性基材 110に、凹部 120にメツキ金属 12 4が充填された配線パターン 126を形成する。

[0194] すなわち、この研磨工程では、研磨具 135を用いて、金属メツキ層の表面力もこの金属メツキ層 122を研磨して除去し、さらに有機絶縁性基材 110の表面にある金属薄膜 1 12も研磨除去する。従って、このように研磨することにより、図 10(h)に示すように、有機絶縁性基材 110の表面カゝら金属薄膜 112が除去され、有機絶縁性基材 110が露出する。他方、凹部 120は、有機絶縁性基材 110に埋め込まれているので、この凹部 120 に充填されたメツキ金属 124およびこの下にある展延性の金属薄膜 112は研磨されずに有機絶縁性基材 110に埋没した配線パターン 126となる。最初は # 200〜 # 320番のブラシで有機絶縁基材 110の表面が露出するまで粗研磨し、さらに # 600〜 # 80 0番のパフで整面する。

[0195] 仕上げ研磨工程では、化学研磨、物理研磨の両方を採用できるが、物理研磨の方 1S 工程が簡単となり好ましい。物理研磨を採用した場合、研磨具 135として通常の研磨ブラシ、研磨パフを使用することができるほか、砥粒を含有する研磨剤組成物を使用することもできる。ここで使用することができる研磨ブラシ、研磨パフとしては、粗さが # 1500番以上、好ましくは # 2500番以上の研磨ブラシ、研磨パフを挙げることができる。

[0196] また、研磨剤組成物を使用する場合には、砥粒の平均粒子径が、 1 μ m以下、好ましくは 0. 3 m以下のアルミナ砲粒を含有する組成物を使用することができる。上記のような粗さの異なった研磨具 135を用いて順次研磨を行うことが好ましい。このような研磨具 135を順次使用することにより、効率よく研磨を行うことができると共に、過度に研磨することがな!、ので、形成された配線パターンが損傷を受けることがな、。

[0197] 上記のように粗研磨は、有機絶縁性基材 110の表面がほぼ露出するまで行うのが好ましい。このようにして粗研磨を行った後、パフ仕上げ研磨を行い銅パターン表面を平滑に仕上げる。 [0198] このようにしてパフ研磨をすることにより、有機絶縁性基材 110表面に残留する金属メツキ層 122および金属薄膜 112が除去されて有機絶縁性基材 110に埋め込まれて多数形成された配線パターン 126を形成することができる。こうして形成された配線バターンの間には、有機絶縁性基材 110が存在するだけであり、形成された多数の配線パターン 126は隣接する配線パターン 126と電気的力も独立した状態になる。

[0199] また、上記のように研磨することにより形成された配線パターン 126の上端部 127は、有機絶縁性基材 110の表面と同一面になる。

[0200] このようにして形成された展延性の良好なメツキ金属および金属薄膜からなる配線ノターン 126は、上端部 127が有機絶縁性基材の表面と同一面上に形成されて露出しているが、配線パターンの他の部分は有機絶縁性基材内に埋め込まれて形成されている。この配線基板を使用する場合には、有機絶縁性基剤の表面と同一面上に形成された配線パターン 126の上端部 127を接続部として使用するが、このような形態を有する配線基板ではハンダ流れが発生しなヽ。

[0201] このようにして研磨することにより得られた配線基板はそのまま使用することもできる力さらに配線パターン 126を形成する金属とは異なる金属で有機絶縁性基材 110の表面に露出して、る配線パターン 126の上端部 127をメツキ処理することが好ま、。

[0202] ここでメツキ処理により形成される層を構成する異なる金属としては、後の工程で使用するハンダの濡れ性が向上するようなものを使用することが好ましい。

[0203] 本発明で配線パターン 126を電気メツキにより銅を析出させることにより製造している場合には、配線パターン 126の上端部 127に、スズメツキ、金メッキ、ニッケルメツキ、金 —ニッケルメツキ、ハンダメツキ、鉛フリーハンダメツキなどを施すことができる。特に本発明ではハンダ濡れ性と防食効果が両立するようにスズメツキまたは金メッキをすることが好ましい。

[0204] 図 10 (i)には、上記のようにメツキ処理された本発明の配線基板が示されており、メツキ層は付番 128で示されている。

[0205] 例えば、スズメツキを行う場合、スズメツキ層の厚さは通常は 0. 1〜0. 7 m、好ましくは 0. 2〜0. の範囲内にある。

[0206] このようなスズメツキ層は、無電解スズメツキあるいは電気スズメツキにより形成することが好ましい。ここで使用することができる無電解スズメツキ液としては通常使用されているスズメツキ液を使用することができ、このようなスズメツキ液では、スズ濃度が通常は 15〜35g/リットル、好ましくは 19〜29g/リットルである。

[0207] 例えば上記のようにして形成される金属メツキ層 128が例えば金メッキ層あるいはスズメツキ層であり、このメツキ層を電気メツキにより形成した場合には、図 10G)に示されるように、有機絶縁性基材 110の表面力突出して形成される。表面を平滑に維持するためには形成されるメツキ層の厚さが 0. 5 m以下であることが好ましい。また、例えば、上記のスズメツキ層を無電解スズメツキにより形成すると、図 10G)に示されるように、この無電解スズメツキの際に配線パターン 126の表面の銅がスズと置換して無電解スズメツキ層 129が形成され、この無電解スズメツキ層 129の上面は有機絶縁性基材 110の表面と同一面上に形成される。このように金属メツキ層は置換型無電解メツキにより形成することが好まし、。

[0208] このようにして形成される本発明の配線基板は、有機絶縁性基材 110に形成された凹部 120の表面に金属薄膜 112を介してメツキ金属 124が充填されて配線パターン 126 が形成されている。

[0209] さらに、こうして形成された配線パターン 126の表面には、凹部 120に充填されたメッキ金属 124とは異なる金属力もなる金属メツキ層 128を形成することが好ましい。

[0210] 本発明の配線基板は、配線パターン 126を有機絶縁性基材 110の内部に埋没させていることから、配線パターン 126の間隔が非常に微細であっても、隣接する配線パターン 126間に短絡が形成されることがない。従って、本発明の配線基板では配線パターン 126のピッチ幅を狭く形成することができ、本発明では配線パターンのピッチ幅が 20 μ m以上であれば製造することができ、特に配線パターンのピッチ幅が 30〜3 00 mの配線基板を製造するのに適している。さらに、本発明の配線基板における配線パターンの幅は、通常は 5〜150 m、好ましくは 15〜： LOO mである。

[0211] 本発明の配線基板の製造方法によれば、配線パターンを有機絶縁性基材中に埋め込んだ配線基板を形成することができる。すなわち、有機絶縁性基材 110に形成された凹部 120には、展延性の良好な金属薄膜 112を介してメツキ金属が充填されており、この配線パターン 126の上端部 127は有機絶縁性基材 110の表面と同一面上に形成されている。このような配線パターン 126は展延性の良好な金属薄膜 112を介して有機絶縁性基材 110中に埋設され、有機絶縁性基材 110に配線パターン 126が食ヽ込んで形成されているので、有機絶縁性基材 110と配線パターン 126との密着性が高い。さら〖こ、このように有機絶縁性基材 110と同一面上に配線パターン 126を形成することにより、この配線パターン 126をノヽンダボールのパッドとして使用することにより、ハンダボールパッド面積が均一になり、ハンダボールの高さに不一致になることがない。さらに、このような配線パターンをハンダボールのパッドとして使用すると、このハンダボールバッドにはコーナー部分が存在しな、ので、ハンダ付けする場合に空洞などが形成されることがなぐハンダボールを用いた電気的接続の信頼性が向上する。

[0212] 〔実施例〕

次に本発明の実施例を示して本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらにより限定されるものではない。

実施例 1

[0213] ほ S線基板形成用モールドの調製〕

支持基台である厚さ 5mmのガラス基板の表面をジンケート処理 (亜鉛処理)した後、無電解メツキにより、厚さ 0. 3 mのニッケル層を形成し、さらに電気メツキにより厚さ 20 mの銅層を形成した。この銅層の表面に、乾燥塗布厚 2 mの感光性榭脂層を形成した。この感光性榭脂層の表面に所定のパターンが形成されたマスクを配置して露光現像することにより、感光性榭脂の硬化体力もなる線幅 20 mのエッチングレジストを形成した。そして、銅層を厚さ方向に約 1Z2(約 10 m)エッチングした (第一エッチング工程)。

[0214] 次いで、上記第一エッチング工程で使用したマスキング材（=エッチングレジスト = 感光性榭脂の硬化体)をアルカリ水溶液で除去した後、銅層表面に、乾燥塗布厚が 3 mになるように感光性榭脂を塗布した。こうして形成された感光性榭脂層の表面に所定のパターンが形成されたマスクを配置して、露光現像することにより、感光性榭脂の硬化体力もなる線幅 10 mの第二のエッチングレジストを形成した。そして、銅層をガラス基板が露出するまで厚さ方向に 1Z2 (約 10 m)エッチングした (第二エッチング工程)。 [0215] こうして第二エッチング工程を終了した後、エッチングレジストをアルカリ洗浄により除去して本発明の配線基板形成用モールドを得た。

[0216] こうして得られた配線基板形成用モールドは、光透過性基台であるガラス基板の表面に高さ 10 μ mの押し型パターン、高さ 20 μ mの押し型パターンが立設されている。これらの押し型パターンの頂部の断面幅は 5 μ mであったが、ガラス基板側の押し型パターンの断面幅は 8 mであり、形成された押し型パターンの断面形状は底辺力 ¾ μ m、上辺が 5 μ mの台形形状であった。

ほ己線基板の調製〕

厚さ 12 mの電解銅箔の表面にエポキシ系の熱硬化性榭脂を塗布し、風乾後、 1 20°Cで 5分間加熱して、半硬化状態の榭脂層を有する榭脂付き銅箔を用意した。こうして形成された榭脂層の厚さは 20 μ mであった。

[0217] 上記榭脂付き銅箔を、プレス機の下型に配置し、上型に上記配線基板形成用モールドを配置して、モールドを 130°Cに加熱した。

[0218] 上記のプレス機の配線基板形成用モールドに形成された押し型パターンが榭脂付き銅箔の榭脂層に侵入するようにプレス機の上型と下型とを接近させて配線基板形成用モールドの押し型パターンの凹凸を榭脂付き銅箔の榭脂層に侵入させた。このとき配線基板形成用モールドに形成された押し型パターンの一番高い押し型パターンが榭脂付き銅箔の榭脂を押しのけて、銅箔上面にほぼ達するまで配線基板形成用モールドを押し下げ、この状態のままで 180°Cの温度で、 45分間保持して榭脂付き銅箔表面のエポキシ榭脂を硬化させた。

[0219] 45分間経過後、プレス機の上型を引き上げて脱型を行った。脱型の際に配線基板形成用モールドに榭脂の付着はなく、配線基板形成用モールドの脱型を容易に行うことができた。また、脱型された榭脂付き銅箔の榭脂層には、配線基板形成用モールドに形成された押し型パターンが転写されており、転写されたパターンに欠陥などは生じていな力つた。また、モールドにも欠陥は生じな力つた。

[0220] こうしてパターンが転写された榭脂付き銅箔を、デスミア処理をして、最も深く形成された空隙の底部にある榭脂残渣を除去してこの空隙の底部に銅箔を露出させ、同時に空隙内の榭脂残渣を除去した。 [0221] 次いで、空隙が形成された榭脂付き銅箔の榭脂層面に銅を析出させて、空隙内に銅を充填した。このように銅を析出させることにより、榭脂層の表面にも銅が析出したので、析出銅側力榭脂層の表面が露出するまで榭脂層の表面に析出した銅を研磨した。

[0222] こうして榭脂付き銅箔の榭脂層側に銅製の凹状配線パターンを形成した後、榭脂付き銅箔の電解銅箔側表面に感光性榭脂を塗布し、こうして形成された感光性榭脂層を露光現像することにより感光性榭脂硬化体からなるパターンを形成し、このバターンをマスキング材として榭脂付き銅箔の電解銅箔をエッチング液でエッチングすることにより凸状配線パターンを形成した。

[0223] 上記のようにしてエポキシ榭脂硬化体を絶縁体層とし、この絶縁体層の一方の表面力深さ方向に凹状に食い込んで形成された線幅 10 mの凹状配線パターンと、この絶縁体層の他方の表面に凸状に形成された凸状配線パターンとを有する両面プリント配線基板を形成することができた。この配線基板の両方の表面に形成された配線パターンは、配線基板形成用モールドの 20 m高さの押し型パターンにより形成された空隙 (ビアホール）に充填された銅により、電気的に接続されていた。

[0224] 支持体である厚さ 12 mの電解銅箔に、ガラス遷移温度 Tg=180°Cのエポキシ榭脂を 20 μ mの厚さで塗布した。

[0225] こうして形成されたエポキシ榭脂層を膨潤させ、酸化剤で酸化除去し、中和処理後に、コンディショナーで汚れの除去と触媒吸着活性ィ匕処理をして過硫酸カリウムでマイク口エッチングして酸ィ匕物を除去し、硫酸で過硫酸残渣を除去した。これらの工程における処理時間は、ずれもそれぞれ数分間であった。

[0226] 次、で、触媒浴保護のために別の Pd-Sn触媒にプレディップ処理した後、このェポキシ榭脂表面に Pd-Sn触媒を吸着させた。こうして形成された触媒層を水洗することにより Snを除去し、さらに触媒活性を促進させるために硫酸系薬品で処理した後、この触媒活性化されたエポキシ榭脂を無電解銅メツキ液で 15分間処理することにより、 0. 4 m厚さの銅被膜を形成した。こうして銅被膜を形成した後、水洗することにより、エポキシ榭脂層の表面に厚さ 0. 4 mの無電解メツキ層を有する 35mm X 40mmの二層基材 (電解銅箔支持体付き)を形成した。なお、同様の方法で別途作成した二層基材の無電解メツキ層の伸び率 eは 0. 1であつた。

[0227] この二層基材の厚さ 0. 4 μ mの無電解メツキ層面に、配線高さ 10 μ mであり、 180 μ mピッチ（線幅 100 μ m、間隔 80 μ m)に台形形状のパターンが形成された 15mm X 15mmの金メッキ精密押し型を載置し、この金メッキ精密押し型をパルスヒート熱圧着装置（日本ァピオ-タス社製）を用いて 3mm幅のヒートツールで 200g/mm²の圧力で 160°C X 19. 8秒間加熱圧着して、金メッキ精密押し型に形成された凸部に対応した凹部を、二層基材の 0. 4 m無電解銅メツキ層表面に形成した。

[0228] 上記のようにして金メッキ精密押し型を用いることにより、金メッキ精密押し型に形成されている凸部は二層基材のくぼみ（凹部）として形成された。くぼみ（凹部）の深さ h は 10 mであった。このようにくぼみ（凹部）を形成したことによつても無電解銅メツキ層にクラックなどは発生しな力つた。なお、上記のように加熱下に加圧することにより、エポキシ榭脂は硬化した。

[0229] 次に銅濃度 18g/リツトルのスルーホールメツキ用硫酸銅メツキ液を用ヽて電流密度を 4AZdm²に設定して強攪拌下に 20分間常温で銅電気メツキを行い、 17 mの厚さ（凹部深さ hに対して 170%)の電気銅メツキ層を形成することができた。

[0230] 次いで、こうして形成された電気銅メツキ層を表面から、 #280番の研磨紙で粗研磨をした後、 # 600番の研磨紙で整面し、さらに # 1500番のパフにより仕上げ研磨して榭脂基板表面に形成された電気銅メツキ層を除去し、さらに電気銅メツキ層の下にある無電解銅メツキ層を除去して、エポキシ榭脂基板を露出させた。

[0231] このように余剰の電気銅メツキ層を研磨除去することにより、使用した金メッキ精密押し型に形成されているパターンとは対称の凹部に銅電気メツキ金属が充填された配線パターンが形成された。こうして形成された配線パターンのピッチ幅は 180 m であった。

[0232] 上記のようにして形成された配線パターンに無電解スズメツキ液 (LT-34、ロームアンドハース社製)を用いて、 70°C X 2. 5分の条件で無電解スズメツキを行い、配線パターン表面の平均厚さ 0. 5 μ mの銅を無電解スズメツキ層で置換した。

[0233] このようにして形成された配線パターンのうち、電解銅カゝらなる配線パターンは榭脂基板に食ヽ込むように形成されてヽるが、この上に形成された無電解スズメツキ層も、榭脂基材の表面と同一面上に形成されている。また、最初に支持体として使用した電解銅箔支持体側にも銅メツキとスズメツキとが付着した形態となり、上記配線パターンとは導通のなヽ 2メタル基板が得られた。

実施例 2

[0234] 厚さ 10 μ mのタフピッチ銅圧延銅箔に 50 μ mの液晶ポリマー（全芳香族ポリエステル榭脂を配向制御したもの）をラミネートして、 180°Cで 1時間アニーリングし、伸び率力 35%以上（0. 35以上）に向上した 35mm X 40mmの二層積層体の圧延銅箔層を、厚さが 1 mになるようにハーフエッチングした。なお、使用した圧延銅箔の伸び率 eは 0. 12であった。

[0235] これとは別に、突起高さ 5 μ mで 50 μ mピッチ（線幅 30 μ m、間隔 20 μ m)の配線回路を (矩形)を形成した 15mm X 15mmで厚さ 0. 2mmのシリコン製精密押し型を用总した o

[0236] 上記のようにして調製した 1 μ mの銅層が形成された榭脂基板の銅層表面に載置して、パルスヒート熱圧着装置（日本ァピオ-タス社製）を用いて、 3mmの幅のヒートツール (スーパーインパー社製）で、 200gZmm²の圧力、 350°C X 5秒間加熱圧着したところ、二層基材に深さ 5 m、幅 30 mの配線溝を形成することができた。

[0237] このようにしてシリコン製精密押し型を加熱下に押し付けて凹部を形成した力上記のようにして厚さ 1 mに厚さ調整した展延性の良好な圧延銅箔に亀裂などは発生しなかった。

[0238] 次に、精密押し型を撤去して、銅濃度 18gZリットルのスルーホールメツキ用硫酸銅メツキ液を用いて強攪拌下に電流密度 4AZdm²で 15分間常温で銅電気メツキを行うことにより厚さ 13 mの電気銅メツキ層を全面に形成することができた。

[0239] 次いで、こうして形成された電気銅メツキ層を表面から、 #280番の研磨紙で粗研磨をした後、 # 600番の研磨紙で整面し、さらに # 1500番のパフにより仕上げ研磨して榭脂基板表面に形成された電気銅メツキ層および 1 μ m厚の銅箔層を研磨して除去し、榭脂基板である液晶ポリマーの表面を露出させた。

[0240] このように余剰のメツキ層を研磨除去することにより、使用したシリコン製精密押し型に形成されているパターンとは対称の凹部に、銅電気メツキ金属が充填されて配線パターンが形成された。こうして形成された配線パターンのピッチ幅は 50 mであつた。

[0241] 上記のようにして形成された配線パターンに無電解スズメツキ液（LT-34、ロームァンドノヽース社製）を用いて、 70°C X 2. 5分の条件で無電解スズメツキを行い、配線パターン表面の平均厚さ 0. 5 μ mの銅を無電解スズメツキ層で置換した。

[0242] このようにして形成された配線パターンのうち、電解銅カゝらなる配線パターンは液晶ポリマーからなる樹脂基板に食い込むように形成されているが、この上に形成された無電解スズメツキ層も、液晶ポリマー力もなる榭脂基材の表面と同一面上に形成されている。

実施例 3

[0243] 15mm X 15mmのサイズのシリコンに配線高さ 5 μ mで 30 μ mピッチ（線幅 18 μ m、間隔 12 m)の凸パターンを 10mmの長さで 16本形成した精密押し型を作製した。

[0244] これとは別に、 35 μ m厚さのポリイミドフィルム (宇部興産 (株)製、商品名：ユーピレックス S)の表面に N卜 Cr(Cr含量 20重量⁰ /₀)合金を 250 Aの厚さにスパッタリングし、さらに 2000 Aの厚さに Cuをスパッタリングして e = 0.15相当のスパッタ金属層付き有機絶縁性基材を調製した。

[0245] 上記のようにして調製したスパッタ金属層付き有機絶縁性基材のスパッタ金属層表面に精密押し型を当接してノルスヒート熱圧着装置（日本アビォニタス社製、 TCW-1 25)を用いて 3mm幅のヒートツールで 7550gZmm²の圧力を付与して 300°Cで 19. 8 秒間加熱圧着した。

[0246] 常温まで冷却させた後、ヒートツールを引き上げ、精密押し型を撤去した。

[0247] スパッタ金属層付き有機絶縁性基材のスパッタ金属層面には深さ約 5 μ mの凹状パターンが形成されて!ヽることが確認された。こうした形成されたスパッタ金属層にクラックなどは認められなかった。

[0248] 上記のようにして凹状パターンが形成されたスパッタ金属層付き有機絶縁性基材に、銅濃度 15gZリットルのスルーホールメツキ用硫酸銅メツキ液を用いて液温を 22°C に調整し、強攪拌下に電流密度 3AZdm²で 12分間銅電気メツキを行うことにより、厚さ 8 μ mの電気銅メツキ層を有機絶縁性基材の全面に形成した。 [0249] 次、で、上記のようにして形成された電気銅メツキ層表面を # 280番の研磨紙で回転型研磨機を用いて粗研磨し、有機絶縁性基材であるポリイミドフィルム面が現れだしたタイミングで研磨紙を # 600番の研磨紙に交換して研磨して研磨傷を細力べ整えた。さらに、平均粒径 1 mの砥粒が分散された研磨液 (ミラー社製)を滴下しながら # 1500番の研磨紙 (丸本ストルァス (株)製)で研磨し、さらに研磨紙を # 2400番の研磨紙 (丸本ストルァス (株)製）に変更して、平均粒子径 0. 3 μ mの砥粒が分散された研磨液を滴下しながら仕上げ研磨を行った。

[0250] その結果、表面が平滑で光沢を有するポリイミドフィルム (有機絶縁性基材)と同一高さに銅で形成された配線パターンを有する配線基板が得られた。なお、形成された配線パターンは精密押し型に形成されている凸状のパターンと対称である。

[0251] 次に、上記の配線基板を金メッキ浴 (EEJA社製、テンペレックス # 8400)にヽれ、メツキ液温度 65°C、電流密度 0. 5AZdm²で 2分間、電気金メッキを行うことにより、図 9 (i)に示すように配線パターンの上に、有機絶縁性基材の表面から厚さ 0. の金メツキ層が突出して形成された配線パターンを有する配線基板を得ることができた。

[0252] 金メッキは同一面上にはなっていないがハンダ付けなどにおいては実質上の問題はない。

産業上の利用可能性

[0253] 本発明の配線基板形成用モールドは、基台表面に断面形状が台形の押し型バターンが形成されており、この押し型パターンが未硬化あるいは半硬化の硬化性榭脂中に侵入して押し型パターンを反転させた空隙を形成することができ、この押し型パターンの断面形状が台形であるので、脱型を容易に行うことができる。

[0254] このようにして配線基板形成用モールドにより形成された空隙に導電性金属を析出させることにより、凹状配線パターンを形成することができる。し力もこうして形成された凹状配線パターンを絶縁体層に深く形成することにより、凹状配線パターンの断面積を一定以上に確保することができ、従って、凹状配線パターンを細線ィ匕しても凹状配線パターンの抵抗値の上昇を抑えることができる。

[0255] また、本発明の配線基板形成用モールドに、絶縁体層を貫通可能な押し型パターンを設けることにより、絶縁体層の表裏面を貫通するビアホールを配線パターンと同時に形成することができる。

[0256] また、本発明の配線基板の製造方法によれば、線幅および線の深さの異なる凹状配線パターンを一括で形成することができる。し力ゝも本発明の配線基板を製造するために使用されるモールドの断面は、押し型パターンの形状が先細りした台形形状であるので、この押し型パターンを用いてこの押し型パターンを転写した後、脱型する際に脱型が容易であると共に、転写形成されたパターンに欠陥が生じにくい。

[0257] 本発明の配線基板の製造方法によれば、上記のように配線基板に、線幅の非常に細線ィ匕された凹状配線パターンを形成することができるが、このように細線ィ匕された配線であっても、この配線を絶縁体層の深部にまで形成することができ、このように深さ方向に深く配線を形成することにより、この配線の電気抵抗値が高くならなヽようにすることができる。

[0258] このように形成した凹状配線パターンの電気抵抗値が高くならな、ので、通電することによつても配線基板からは発熱しにくい。

[0259] さらに、上記のようにしてモールドを使用することにより、配線基板を多数積層した多層積層配線基板を形成することができ、こうして製造された多層積層配線基板は、積層された配線基板間が非常に高い信頼性を有している。さらに、このような多層積層配線基板にぉヽて厚さ方向の電気的接続を確保するビアホールは、凹状配線パターンを形成するのと同時に製造することができる。し力も、このようなビアホールを形成するために占有する面積は、ビアホールの表面の面積と略同一であり、ビアホールを形成するために、ランドのような余分な占有面積を必要としない。また、このような多層積層配線基板にぉ、ては、上記のようなビアホールの形成位置を任意の位置にすることができるので、配線基板の設計の自由度が非常に高くなる。殊に本発明の方法でビアホールを形成する場合、ビアホールを積み上げ形成することもできる。

[0260] 本発明の方法により製造された配線基板は、有機絶縁性基材中に導体が埋まっているので、銅メツキの付着強度が低い榭脂を基板として用いた場合であっても、榭脂基板と導体との間に高い密着性が発現する。このため配線基板を製造するために基材として使用できる樹脂の選択幅が広がり、良好な絶縁性能、耐薬品性、耐熱性、優れた電気的特性は有して、るが配線パターンと密着性が低、ために基材として使用が難ヽと考えられて、た榭脂を用いて新たな配線基板を製造することができ、榭脂基材を選択することにより得られた配線基板に所望の特性を付与することが容易になる。

[0261] また、本発明の配線基板では、形成された配線パターンが榭脂中に埋まっている構造を有するので、ファインピッチ化しても、ボトム間でハンダブリッジが生じない。

[0262] 特に本発明の配線基板は、外部端子としてハンダボールを用いて実装してもハンダ接続部の耐疲労信頼性が高ぐ信頼性の高い電気的接続を確立することができる

Claims

請求の範囲

[1] 支持基台と、該支持基台の一方の表面に突出して形成された押し型パターンとからなり、該押し型パターンの同一断面における支持基台側の断面幅が先端側の断面幅よりも広いことを特徴とする配線基板形成用モールド。

[2] 上記配線基板形成用モールドに形成された押し型パターンが、未硬化または半硬化の硬化性榭脂に押し当てた状態で硬化性榭脂を硬化させて該押し型パターンに対応した形態を硬化性榭脂に転写可能となるように形成されていることを特徴とする請求項第 1項記載の配線基板形成用モールド。

[3] 上記支持基台が、光透過性基台であり、該配線基板形成用モールドに形成された押し型パターンを、未硬化または半硬化の光硬化性榭脂に押し当てて該光透過性基台を通して該光硬化性榭脂を露光することにより該光硬化性榭脂の少なくとも一部を硬化させて押し型パターンに対応する所定のパターンを転写可能となるように形成されていることを特徴とする請求項第 1項記載の配線基板形成用モールド。

[4] 上記配線基板形成用モールドの押し型パターンが形成されて、な、部分に、支持基台の表面が露出していることを特徴とする請求項第 1項記載の配線基板形成用モ一ノレド。

[5] 上記支持基台が、光透過性基台であり、該光透過性基台が、石英、ガラス板、または、光透過性合成樹脂板からなることを特徴とする請求項第 1項記載の配線基板形成用モールド。

[6] 配線基板形成用モールドに形成された押し型パターンの同一断面における、該押し型パターンの頂部の断面幅 W2と、支持基台側底部の断面幅 W1との比 (W1ZW2) 力 1. 01〜2. 0の範囲内にあることを特徴とする請求項第 1項記載の配線基板形成用モールド。

[7] 上記支持基台表面に、支持基台表面力頂部までの高さの異なる少なくとも 2種類の高さの押し型パターンが形成されていることを特徴とする請求項第 1項記載の配線基板形成用モールド。

[8] 上記押し型パターンが、金属から形成されて!、ることを特徴とする請求項第 1項記載の配線基板形成用モールド。

[9] 上記押し型パターンが、支持基台の表面に形成された金属層をエッチングすることにより形成されてなることを特徴とする請求項第 1項記載の配線基板形成用モールド

[10] 支持基台の一方の表面に形成された金属層の表面に、感光性榭脂層を形成し、該感光性榭脂層を露光現像することにより該感光性榭脂硬化体からなるパターンを形成し、該パターンをマスキング材として該金属層を選択的にエッチングする選択的ェツチング工程を少なくとも一回行うことにより、支持基台の表面に該金属からなるバターンを形成することを特徴とする配線基板形成用モールドの製造方法。

[11] 上記金属層に感光性榭脂硬化体力もなるパターンをマスキング材として該金属層を選択的にエッチングする選択的エッチング工程で、該金属層をノヽーフェッチングし、該マスキング材を除去した後、再び光感光性榭脂層を形成して、該感光性榭脂層を露光現像することにより該感光性榭脂硬化体力なる新たなパターンを形成し、該新たに形成されたパターンをマスキング材として該金属層を選択的にエッチングする再エッチング工程を少なくとも一回行うことにより、支持基台の表面に該金属力なる高さの異なるパターンを形成することを特徴とする請求項第 10項記載の配線基板形成用モールドの製造方法。

[12] 上記パターンが形成されて、な、部分に支持基台の表面が露出するように最後のェツチング工程を行うことを特徴とする請求項第 11項記載の配線基板形成用モールドの製造方法。

[13] 上記支持基台が、光透過性基台であり、該光透過性基台が、ガラス板または透明合成榭脂板から形成されていることを特徴とする請求項第 10項記載の配線基板形成用モールドの製造方法。

[14] 光硬化性または熱硬化性榭脂層にパターンを形成するための配線基板形成用モールドにおいて、該配線基板形成用モールドは、支持基台と押し型パターンとからなり、該配線基板形成用モールドには、少なくとも 2種類の高さの異なる押し型パターンが形成されており、該押し型パターンの内の最も高さの高い金属製押し型パターンが、該押し型パターンを侵入させる榭脂層の厚さよりも 0. 1〜3 111低く形成されていることを特徴とする配線基板形成用モールド。

[15] 上記押し型パターンの内の最も高さの高い金属性押し型パターンの高さと、該押し型ノターンを侵入させる榭脂層の厚さとの差が 0. 1〜3 mであることを特徴とする請求項第 14項記載の配線基板形成用モールド。

[16] 表面に凹部を有する絶縁体層と該凹部に充填された導電性金属と有する配線基板であって、該凹部に充填された導電性金属によって凹状配線パターンが形成されていると共に、該凹状配線パターンの断面幅が、該絶縁体層の表面力も深部に向かつて減少するように形成されてヽることを特徴とする配線基板。

[17] 上記絶縁体層の裏面側に、導電性金属カゝら形成された凸状配線パターンが形成されていることを特徴とする請求項第 16項記載の配線基板。

[18] 上記配線基板は、絶縁体層の表面力の深さの異なる少なくとも 2種類の深さの凹状配線パターンを有することを特徴とする請求項第 16項記載の配線基板。

[19] 上記配線基板には、絶縁体層の表面側から裏面側に貫通する凹部が形成され、該凹部には導電性金属が充填されてビアホールを形成することを特徴とする請求項第

16項乃至第 18項のいずれかの項記載の配線基板。

[20] 上記絶縁体層の表面側力裏面側に貫通する凹部に充填された導電性金属からなるビアホールの裏面側先端部が、絶縁体層の裏面側に形成された凸状配線パターンに接合していることを特徴とする請求項第 19項記載の配線基板。

[21] 上記絶縁体層が、熱および Zまたは光によって硬化する硬化性榭脂の硬化体から形成されていることを特徴とする請求項第 16項乃至第 20項のいずれかの項記載の配線基板。

[22] 上記凹状配線パターンが、未硬化の硬化性榭脂に、支持基台側にある基端部の断面幅が先端部の断面幅よりも広く形成された押し型パターンを侵入させた後、該硬化性榭脂を硬化させ、該凹部が形成された硬化性榭脂硬化体の表面側に導電性金属を析出させ、該析出金属を硬化性榭脂硬化体が露出するまで研磨することにより形成されてなることを特徴とする請求項第 18項記載の配線基板。

[23] 支持体表面に未硬化または半硬化の硬化性榭脂層を有する積層体の該硬化性榭脂層に、

該モールドから積層体を脱型し、

該脱型した積層体の表面に導電性金属を析出させ、

次いで、該析出金属層を積層体の硬化性榭脂硬化体層表面が露出するように研磨することにより、凹状配線パターンを形成することを特徴とする配線基板の製造方法。

[24] 上記積層体をモールドから脱型した後、導電性金属を析出させる前に、該脱型した積層体にデスミア処理を施すことを特徴とする請求項第 23項記載の配線基板の製造方法。

[25] 上記積層体を形成する支持体が導電性金属からなり、該導電性金属からなる支持体表面に、感光性榭脂層を形成し、該感光性榭脂層を露光'現像することにより形成されたパターンをマスキング材として該導電性金属を選択的にエッチングすることにより、凸状配線パターンを形成することを特徴とする請求項第 23項記載の配線基板の製造方法。

[26] 上記配線基板形成用のモールドに形成されている支持基台が光透過性基台であり、該配線基板形成用のモールドに形成された押し型パターンを、未硬化の光硬化性榭脂に押し当てて該光透過性基台を通して該光硬化性榭脂を露光することにより該光硬化性榭脂の少なくとも一部を硬化させて押し型パターンに対応する所定のバターンを転写することを特徴とする請求項第 23項記載の配線基板の製造方法。

[27] 上記配線基板形成用のモールドに形成されている支持基台が、光透過性基台であり、該光透過性基台が、石英、ガラス板、または、光透過性合成樹脂板カゝらなることを特徴とする請求項第 23項記載の配線基板の製造方法。

[28] 上記配線基板形成用のモールドに形成された押し型パターンの同一断面における、該押し型パターンの頂部の断面幅 W2と、支持基台側底部の断面幅 W1との比 (W1 ZW2)が、 1. 01〜2. 0の範囲内にあることを特徴とする請求項第 23項記載の配線基板の製造方法。

[29] 上記配線基板形成用のモールドの支持基台表面に、支持基台表面力頂部までの高さの異なる少なくとも 2種類の高さの押し型パターンが形成されていることを特徴とする請求項第 23項記載の配線基板の製造方法。

[30] 上記配線基板形成用のモールドの押し型パターンが、金属から形成されていることを特徴とする請求項第 23項記載の配線基板の製造方法。

[31] 上記配線基板形成用のモールドの押し型パターンが、支持基台の表面に形成された金属層をエッチングすることにより形成されてなることを特徴とする請求項第 23項記載の配線基板の製造方法。

[32] 支持体表面に未硬化または半硬化の硬化性榭脂層を有する積層体の該硬化性榭脂層に、

該モールドから積層体を脱型し、

該脱型した積層体の表面に導電性金属を析出させ、

次いで、該析出金属層を積層体の硬化性榭脂硬化体層表面が露出するように研磨することにより、該積層体の硬化性榭脂層を貫通するビアホールを形成することを特徴とするビアホールの形成方法。

[33] 上記積層体をモールドから脱型した後、導電性金属を析出させる前に、該脱型した積層体にデスミア処理を施すことを特徴とする請求項第 32項記載のビアホールの形成方法。

[34] 上記積層体を形成する支持体が導電性金属からなり、該導電性金属からなる支持体表面に、感光性榭脂層を形成し、該感光性榭脂層を露光'現像して形成されたバターンをマスキング材として該導電性金属を選択的にエッチングすることにより、凸状配線パターンを形成することを特徴とする請求項第 32項記載のビアホールの形成方法

[35] 導電性金属からなる支持体表面に未硬化または半硬化の硬化性榭脂層を有する積層体の該硬化性榭脂層に、

該モールドから積層体を脱型し、

該脱型した積層体の表面に導電性金属を析出させ、

該硬化性榭脂硬化体をモールドから脱型し、

次いで、該析出金属層を積層体の硬化性榭脂硬化体層表面が露出するように研磨することにより、凹状配線パターンを形成すると共に該積層体の硬化性榭脂層を貫通するビアホールを形成する工程を少なくとも 1回行うことを特徴とする多層積層配線基板の製造方法。

[36] 上記硬化性榭脂硬化体をモールドから脱型した後、導電性金属を析出させる前に、該脱型した硬化性榭脂積層体にデスミア処理を施すことを特徴とする請求項第 35項記載の多層積層配線基板の製造方法。

[37] 上記積層体を形成する支持体が導電性金属からなり、該導電性金属からなる支持体表面に、感光性榭脂層を形成し、該感光性榭脂層を露光'現像することにより形成されたパターンをマスキング材として該導電性金属を選択的にエッチングすることにより、凸状配線パターンを形成することを特徴とする請求項第 35項記載の多層積層配線基板の製造方法。

[38] 有機絶縁性基材および該有機絶縁性基材の表面に形成された金属薄膜の表面に、押し型基台の表面に押し型パターンが形成された精密押し型を当接して加圧することにより、該金属薄膜側カゝら有機絶縁性基材の深部に向カゝつて、該精密押し型に形成された押し型パターンに対応した形態の凹部を形成した後、該金属薄膜の上に該形成された凹部の深さより厚い金属メツキ層を形成して該精密押し型によって形成された凹部にメツキ金属を充填し、次いで該金属メツキ層の表面力有機絶縁性基材が露出するまで金属メツキ層を研磨して配線パターンを形成することを特徴とする配線基板の製造方法。

[39] 上記金属薄膜の厚さが、 0. 1〜1 μ mの範囲内にあることを特徴とする請求項第 38 項記載の配線基板の製造方法。

[40] 上記金属薄膜の伸び率 eが 0. 07以上であることを特徴とする請求項第 38項または第 39項記載の配線基板の製造方法。

[41] 上記有機絶縁性基材の表面を活性化処理し、該活性化処理された有機絶縁性基材上に、無電解銅メツキにより厚さ 0. 1〜1 mの銅を析出させることにより金属薄膜を形成することを特徴とする請求項第 39項記載の配線基板の製造方法。

[42] 上記有機絶縁性基材に銅箔をラミネートした後にァニール処理された銅箔を 0. 1〜

1 μ mの厚さにハーフエッチングすることにより金属薄膜を形成することを特徴とする請求項第 38項記載の配線基板の製造方法。

[43] 上記有機絶縁性基材に、銅を 0. 1〜1 μ mの厚さにスパッタリングすることにより金属薄膜を形成することを特徴とする請求項第 38項記載の配線基板の製造方法。

[44] 上記有機絶縁体基板に、銅をスパッタリングした後、該スパッタリング銅層の表面に Z nメツキ層を形成し、次いでァニール処理をすることによりスパッタリング銅と Znとの合金層を形成することにより金属薄膜を形成することを特徴とする請求項第 38項記載の配線基板の製造方法。

[45] 上記有機絶縁性基材の表面に、 Zn—Al系超塑性合金をスパッタリングすることにより金属薄膜を形成することを特徴とする請求項第 38項記載の配線基板の製造方法。

[46] 上記有機絶縁性基材が、液晶ポリマー、エポキシ榭脂、ポリイミド、硬化または未硬化の積層糊剤であることを特徴とする請求項第 38項記載の配線基板の製造方法。

[47] 上記精密押し型により形成される回路表面の線幅を d( /z m)、深さを h ( m)、金属薄膜の破断に至る伸び率を eとしたときに、金属薄膜が次式（1)で表される関係を有することを特徴とする請求項第 38項記載の配線基板の製造方法；

[数 1]

. . • ( 1 )

[48] 上記有機絶縁性基材の金属薄膜上に該形成された凹部の深さ hに対して 101〜20 0%の厚さに電気メツキ層を形成することを特徴とする請求項第 38項記載の配線基板の製造方法。

[49] 上記電気メツキ層の表面カゝら有機絶縁性基材が露出するまで金属メツキ層を研磨して有機絶縁性基材に凹部にメツキ金属が充填された配線パターンを形成した後、該形成された配線パターン表面に、該充填金属とは異なる金属力もなるメツキ層を形成することを特徴とする請求項第 38乃至第 48項の何れかの項記載の配線基板の製造方法。

[50] 有機絶縁性基材に形成された凹部の表面に金属薄膜を介してメツキ金属が充填されて配線パターンが形成されていることを特徴とする配線基板。

[51] 前記展延性の金属薄膜が銅箔を加工して形成されたものであることを特徴とする請求項第 50項記載の配線基板。