WO2006123592A1 - 位置決めステージ、それを用いたバンプ形成装置およびバンプ形成方法 - Google Patents

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wafer
stage
positioning
bump
bump forming
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Naoya Adachi
Masayuki Sumita
Masaki Sekino
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Murata Manufacturing Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to a positioning stage, a bump forming apparatus using the positioning stage, and a bump forming method.
  • a positioning stage for positioning a wafer is used in a manufacturing process of an electronic component.
  • the wafer 1 is supported by the wafer receiving portion 66 at the tip of the support arm 65, and the regulating arm 72 is supported by the support arm 65 in a state where the positioning roller 67 is positioned outside the outer edge of the wafer 1.
  • the wafer 1 is moved with respect to 65, and the wafer 1 is clamped with an appropriate load by the positioning roller 67 and the position regulating roller 74 using the biasing force of the spring (see, for example, Patent Document 1).
  • a contact member for static elimination is attached to a wafer placed on a positioning stage such as a bump forming apparatus. It is necessary to abut and remove the charge.
  • a mortar-shaped hole 14166 is provided in the static elimination member 1416, a ground wire 14109 is attached to a ball 14115 at one end of the static elimination contact member 14121, and a ball 14105 at the other end is attached by a spring 14162.
  • the surface of the wafer is grounded by pressing it and bringing the contact member 14121 for static elimination into contact with the wafer surface (see, for example, Patent Document 2).
  • Patent Document 1 JP-A-10-163214 (FIG. 11)
  • Patent Document 2 JP 2000-210664 (Fig. 20)
  • the present invention is to provide a positioning stage, a bump forming apparatus and a bump forming method using the same, which can prevent an excessive force from acting on a positioned wafer. It is what.
  • the present invention provides a positioning stage configured as follows.
  • the positioning stage is a wafer mounting surface on which a wafer is mounted, and a positioning member adjacent to the wafer mounted on the wafer mounting surface and extending substantially at right angles to the wafer mounting surface. And a biasing member that abuts against the wafer placed on the wafer placement surface and resiliently biases the wafer toward the positioning member.
  • the urging member has an abutting surface that is substantially opposed obliquely to the wafer mounting surface, and the corresponding contacting surface abuts in the vicinity of the outer edge of the wafer mounted on the wafer mounting surface. The wafer is biased in an oblique direction with respect to the wafer mounting surface.
  • the abutting surface of the urging member urges the vicinity of the outer edge of the wafer placed on the wafer placing surface substantially toward the positioning member. Since the contact surface is inclined with respect to the wafer mounting surface, a component force parallel to the wafer mounting surface and a component force perpendicular to the wafer mounting surface and directed to the wafer mounting surface act on the wafer. . The latter component forces the wafer against the wafer mounting surface. As a result, the wafer can be biased to the positioning member while preventing the wafer mounting surface force from being lifted, and the wafer is positioned by simply applying a parallel force along the wafer mounting surface. Compared to the case of energizing, the force can be prevented from acting on the wafer.
  • At least the contact surface of the urging member has conductivity.
  • the present invention provides a positioning step configured as follows. Provide
  • the positioning stage includes a wafer placement surface on which the wafer is placed, and a positioning member that is adjacent to the wafer placed on the wafer placement surface and extends substantially at right angles to the wafer placement surface. It is the type with The positioning stage includes an elastic deformation member that holds the positioning member in a positioning position that contacts the wafer placed on the wafer placement surface and positions the wafer at a predetermined position. The elastic deformation member moves the positioning member from the positioning position when a biasing force exceeding a predetermined size is applied to the positioning member in a direction substantially opposite to the wafer mounted on the wafer mounting surface. It is elastically deformed so as to be retracted in a direction substantially opposite to the wafer placed on the wafer placement surface.
  • the positioning member that contacts the wafer retreats the positioning position force due to the inertial deformation of the elastic deformation member, so that a force exceeding a predetermined magnitude does not act on the wafer from the positioning member. Can be. As a result, it is possible to prevent an excessive force from acting on the positioned wafer.
  • the elastic deformation member a leaf spring, a bimetal structure, or the like can be used.
  • the bimetal structure When the bimetal structure is used, the inertial deformation member itself is spontaneously deformed by the temperature change caused by the heating of the positioning stage, and the generation of stress can be prevented.
  • the present invention provides a bump forming apparatus configured as follows in order to solve the above problems.
  • the bump forming apparatus includes at least two positioning stages having any of the above-described configurations.
  • stage a heating means for heating the wafer placed on the wafer placement surface of each stage, the bump formation position facing the bonding apparatus, and the stage.
  • Stage moving means for integrally moving between the bump forming position and the retracted position.
  • Each stage is sequentially moved to the bump forming position by the stage moving means, and bumps are formed by the bonding apparatus on the wafer placed on the wafer placing surface of the stage at the bump forming position.
  • the wafer placement surface force of the other stage at the retracted position is removed, and the wafer on which the bump is formed is then placed on the wafer placement surface of the stage. And heated by the heating means.
  • the heating means may be provided inside or outside each stage.
  • the present invention provides a bump forming method configured as follows.
  • the bump forming method includes at least two positioning stages having any of the above-described configurations.
  • stage (Hereinafter simply referred to as “stage”), and bumps are sequentially formed on the wafer placed on the wafer placement surface of each stage.
  • the bump forming method at least one of the stages is disposed at a bump forming position facing the bonding apparatus, while at least one other stage is moved to a retracted position where the stage is retracted from the bump forming position.
  • bumps are formed by the bonding apparatus on the wafer placed on the wafer placement surface of the stage placed at the bonding position,
  • the wafer on which the bump is formed is removed from the wafer placement surface of the stage placed at the retracted position, and the wafer on which the bump is to be formed is placed on the wafer placement surface of the stage and heated.
  • the positioning stage of the present invention and the bump forming apparatus and bump forming method using the same, it is possible to prevent an excessive force from acting on the positioned wafer.
  • FIG. 1 is an explanatory diagram of a wafer positioning mechanism. (Conventional example)
  • FIG. 2 is an explanatory diagram of a static elimination mechanism. (Conventional example)
  • FIG. 3 is a plan view of a bump forming apparatus. (Example)
  • FIG. 4 is a configuration diagram of a stage moving device. (Example)
  • FIG. 5 is an explanatory diagram of the operation of the bump forming apparatus. (Example)
  • FIG. 6 is an explanatory diagram of a wafer delivery operation. (Example)
  • FIG. 7 is an explanatory diagram of a wafer delivery operation. (Example)
  • FIG. 8 is an explanatory diagram of a wafer delivery operation. (Example)
  • FIG. 9 is an explanatory diagram of a wafer delivery operation. (Example)
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a configuration of a stage. (Example)
  • FIG. 11A is a plan view showing the configuration of the stage
  • FIG. 11B is a cross-sectional view.
  • Stage moving device (Stage moving means)
  • the bump forming apparatus 10 includes two heat stages 21, 2
  • Bumps are alternately formed on the wafer 2 placed on 2.
  • Wafer 2 is made of, for example, LiTaO (tank) for forming a surface wave filter (SAW filter). It is a piezoelectric material with pyroelectric properties such as lithium talate) or LiNbO (lithium niobate).
  • the ground electrode is formed in the vicinity of the outer edge of the wafer 2.
  • the two heat stages 21 and 22 are integrally moved left and right (X direction) by the stage moving device 20, and each heat stage 21 and 22 is bonded.
  • the bumps are alternately arranged at the bump formation positions located immediately below the bonding head 40 of the apparatus.
  • the bonding head 40 forms bumps on the wafer 2 placed on the heat stages 21 and 22 at the bump formation positions.
  • a wafer magazine 12 for supply and a wafer magazine 14 for storage are arranged on both sides of the stage moving device 20.
  • heat stages 21 and 22 are fixed on one moving table 23 that moves left and right (X direction).
  • the moving table 23 is driven by an actuator such as a motor (not shown) and moves between two left and right positions.
  • the heat stages 21 and 22 are moved together by the movement of the moving table 23.
  • the heat stages 21 and 22 are arranged at bump forming positions where the right heat stage 22 is located directly below the bonding head 40, as indicated by the solid line. Is done.
  • the left heat stage 21 is disposed at a position other than the bump forming position, that is, at the retracted position.
  • the left heat stage 21 is disposed at a bump forming position positioned directly below the bonding head 40.
  • the right heat stage 22 is arranged at a position other than the bump formation position, that is, at the retreat position, as shown by a chain line 22a.
  • Each of the heat stages 21 and 22 includes a heater (not shown) so that the mounted wafer 2 is heated to a predetermined temperature before bumps are formed on the mounted wafer 2. It has been.
  • the wafer 2 is transferred by the transfer device 30 that moves along the stage moving device 20 and the wafer magazines 12 and 14.
  • the transfer device 30 is positioned so as to face the wafer magazines 12 and 14, and an arm 32 (see FIGS. 6 to 9) described later moves forward and backward (Y direction). Weno 2 is delivered to wafer magazines 12 and 14.
  • the moving table 23 that is, the heat stages 21, 22 are located on the left side indicated by the solid line, as shown by the reference numeral 30b, it faces the heat stage 21 on the left side in the retracted position, with respect to the heat stage 21. Then hand over wafer 2.
  • the moving table 23 that is, the heat stages 21 and 22 are located on the right side, as shown by reference numeral 30c, it faces the right heat stage 22 in the retracted position and transfers the wafer 2 to the heat stage 22.
  • the transfer device 30 transfers the wafer 2 from the supply wafer magazine 12 to the stages 21 and 22 at different periods, or from the stages 21 and 22 to the storage wafer magazine 14 for wafer transfer.
  • Transport 2
  • the transfer device 30 is positioned at a position 30a facing the supply wafer magazine 12.
  • the wafer 2 is transported to a position 30b facing the left heat stage 21, and as indicated by an arrow L3, the wafer 2 is placed on the left heat stage 21 and placed at a predetermined position. Position it. Then, the wafer 2 placed on the left heat stage 21 is heated to a predetermined temperature (110 to 130 ° C.).
  • the stage moving device 20 causes the heat stages 21 and 22 to move integrally to the right side, and is placed on the left heat stage 21 so as to have a predetermined temperature (110 to 13).
  • a predetermined temperature 110 to 13
  • bumps are formed by the bonding head 40 at the bump formation position immediately below the bonding head 40 of the bonding apparatus.
  • the coordinates of the figure on the wafer 2 and the coordinates of the XY table of the bonding head 40 are calibrated to obtain a predetermined temperature (110
  • An Au ball is formed on the wafer 2 whose temperature has been increased to 130 ° C. by using an Au wire with the bonding head 40.
  • the formed ball is bump bonded (metal bonded) to the A1 electrode of Ueno 2 using a combination of heat at a predetermined temperature of the heat stage 21 and ultrasonic vibration. This bump The forming operation is performed over the entire wafer 2.
  • the transfer device 30 moves to a position 30c facing the right heat stage 22, and, as indicated by an arrow R4, removes the wafer 2 having bumps formed thereon from the right heat stage 22. . Then, the wafer 2 on which the bumps are formed is transported to the position 30d facing the storage wafer magazine 14 as indicated by an arrow R5, and is transferred to the storage wafer magazine 14 as indicated by an arrow R6. Store. Next, at the position 3 Oa facing the supply wafer magazine 12, the wafer 2 is taken out from the supply wafer magazine 12 as indicated by an arrow R 1.
  • the wafer 2 is transferred to a position 30c facing the right heat stage 22, and the wafer 2 is placed on the right heat stage 22 as shown by the arrow R3.
  • the wafer 2 placed on the right heat stage 22 is heated to a predetermined temperature.
  • the heat stages 21 and 22 are integrally formed by the stage moving device 20 as shown in FIG. 5 (c). Move to the left.
  • the left heat stage 21 ejects air from an air hole 24t (see FIG. 10) of the stage main body 24, which will be described later, and lowers the mounted wafer 2 to a predetermined temperature drop (70 to 90 ° C.).
  • a predetermined temperature drop for example, 80 ° C.
  • the clamp arm 26 is opened and the wafer 2 is transferred to the storage wafer magazine 14.
  • the transfer device 30 moves to a position 30b that faces the left heat stage 21, and takes out the wafer 2 and the bump 2 on which the bump is formed, as indicated by an arrow L4. Then, the wafer 2 on which the bumps are formed is transported to a position 30d facing the storage wafer magazine 14 as indicated by an arrow L5, and is horizontally placed on the storage wafer magazine 14 as indicated by an arrow L6. Store in the packed state.
  • bumps are formed on the wafer 2 placed on the right heat stage 22 by the bonding head 40 of the bonding apparatus.
  • the bumps can be formed efficiently.
  • the heat stages 21 and 22 are stage books on which the wafer 2 is placed.
  • a plurality of lifting pins 25 appear and disappear from the upper surface 24a of the body 24.
  • two positioning pins 28 projecting from the upper surface 24a and a pair of clamp arms 26 are disposed above the upper surface 24a of the stage body 24 !!
  • the wafer 2 is placed when the main body 31 is at the positions 30a to 30d (see FIG. 5) facing the wafer magazines 12 and 14 (see FIG. 5) or the heat stages 21 and 22, respectively.
  • the arm 3 2 moves forward or backward from the main body 31 toward the wafer magazines 12 and 14 (see FIG. 5) or the heat stages 21 and 22 side.
  • the arm 32 of the transfer device 30 moves forward toward the heat stages 21, 22 as indicated by an arrow 32a in FIG.
  • the pair of clamp arms 26 is open. That is, the front end side of each clamp arm 26 is retracted from the position where the wafer 2 on the upper surface 24a of the stage main body 24 of the heat stages 21, 22 is to be placed.
  • the arm 32 of the transfer device 30 transfers the wafer 2 above the stage main body 24 (specifically, above the lifting pins 25), the arm 32 descends as shown by an arrow 32b in FIG. 7 to support the wafer 2. Replace with lifting pin 25. That is, the wafer 2 is supported at the upper end of the lifting pins 25.
  • the arm 32 of the transfer device 30 moves backward toward the main body 31 while being lowered.
  • the lifting pins 25 supporting the wafer 2 are lowered, and the wafer 2 is placed on the upper surface 24 a of the stage body 24.
  • the clamp arm 26 is rotated and closed as indicated by an arrow 26a, the tip side of the clamp arm 26 abuts on one side (left side in the figure) of the wafer 2, and the wafer 2 is moved to the positioning pin 28 side.
  • Energize As a result, the opposite side (right side in the figure) of the wafer 2 abuts on the positioning pins 28 and is positioned. At this time, the wafer 2 is sandwiched between the clamp arm 26 and the positioning pin 28.
  • the contact portion between the clamp arm 26 and the wafer 2 is substantially opposite to the positioning pin 28.
  • Side that is, Ueno, the force that biases the right side (positioning pin 28 side) when the clamp arm 26 is rotated and closed on the left side of the center when the 2 is regarded as a circle without an orientation flat part. Any location where this occurs is acceptable.
  • the wafer 2 is positioned at a position where the center of the wafer 2 and the center of the stage main body 24 substantially coincide with each other, and the wafer 2 and the stage main body 24 are thermally expanded outward from the respective centers. Therefore, if the positioning pin 28 is fixed, the difference in displacement due to the difference in thermal expansion coefficient between the stage body 24 and the wafer 2 is not absorbed, and as a result, the portion where the wafer 2 is in contact with the pin is impossible. May cause damage such as breaking of the wafer 2 due to excessive force.
  • the positioning pin 28 is supported by the leaf spring 27, and the difference in displacement due to the difference in thermal expansion rate between the stage body 24 and the wafer 2 is absorbed by the inertial deformation of the leaf spring 27, and This prevents excessive force from acting on wafer 2.
  • the leaf spring 27 is disposed on the lower surface 24b of the stage main body 24 of the heat stages 21, 22.
  • One end 27 a side of the leaf spring 27 is fixed to the lower surface 24 b of the stage body 24 by a screw 29.
  • the base end side of the positioning pin 28 is fixed to the other end 27b side of the leaf spring 27.
  • the positioning pin 28 is loosely fitted in a through hole 24s formed in the stage body 24, and protrudes upward from the upper surface 24a of the stage body 24! /.
  • the clamp arm 26 that biases the wafer 2 is configured to bias the wafer 2 using a spring force, as will be described in detail later. 2 prevents excessive force from acting.
  • the contact surface 26s in contact with the outer edge of the wafer 2 on the front end side of the clamp arm 26 is at a predetermined angle 0 (0 ° ⁇ 0 ⁇ 90 ° M with respect to the upper surface 24a of the stage main body 24. upon It is almost opposite to surface 24a.
  • At least the contact surface 26s of the clamp arm 26 is conductive, and the contact surface 26s is grounded.
  • the contact surface 26s of the clamp arm 26 comes into contact with the ground electrode formed in the vicinity of the outer edge of the wafer 2, and the room temperature wafer 2 having pyroelectricity is placed on the height stages 21 and 22. In the meantime, the charge generated by the temperature change is removed. Since the contact surface 26s is formed obliquely, the contact surface 26s can be reliably in contact with the ground electrode of the wafer 2 and can be reliably discharged from the wafer 2.
  • the contact surface 26s generally moves in parallel toward the positioning pin 28 and contacts the vicinity of the outer edge of the wafer 2.
  • a component force parallel to the upper surface 24 a of the stage main body 24 and a component force perpendicular to the upper surface 24 a of the stage main body 24 are applied to the wafer 2. Since the wafer 2 is pressed against the upper surface 24a of the stage body 24 by the latter downward component force, even if the positioning pin 28 tilts like a chain line, the wafer 2 does not float from the upper surface 24a of the stage body 24. can do.
  • the stage main body 24 has air holes 24t. By sucking from the air holes 24t, the lower surface 2b of the wafer 2 placed on the upper surface 24a is sucked and held. Also, the air hole 24t force causes air to flow between the upper surface 24a and the lower surface 2b of the wafer 2 so that the wafer 2 can be lifted from the upper surface 24a during positioning, and the wafer 2 after bump formation can be cooled. .
  • FIG. 11 (a) is a plan view.
  • FIG. 11 (b) is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 11 (a).
  • the opening / closing mechanisms 120 and 140 of the pair of clamp arms 26 are provided with rotating shafts 124 and 144 that pass through the stage main bodies 24 of the heat-stages 21 and 22 and are supported rotatably. The upper end of each is fixed. One end side force of the interlocking plates 126 and 146 is fixed to the lower ends of the rotating shafts 124 and 144, respectively. The other end side of each interlocking plate 126, 146 overlaps with a gap as shown in FIG. 11 (b), and through holes 127, 147 are formed in these overlapping portions, respectively. Engagement pins 132 erected on the base member 130 are loosely fitted in the respective through holes 127 and 147.
  • Each interlocking plate 126, 146 is engaged with the other end of a tension spring (not shown) whose one end is locked to the lower surface of the stage body 24.
  • the interlocking plates 126 and 146 are urged in the direction indicated by arrows 128 and 148 in FIG. 11 (a) by the spring force of the tension spring.
  • the base member 130 on which the engaging pin 132 is erected is piled up by the spring force of the tension spring in the direction indicated by the arrow 138 and the direction indicated by the arrows 128 and 148 by driving an actuator such as an expansion cylinder (not shown).
  • each interlocking plate 126, 146 is rotated so as to be releasable.
  • the base member 130 moves in the direction indicated by the arrow 138, and the interlocking plates 126 and 146 are straightened as indicated by the broken lines. Overlapping the line, the clamp arm 26 is in an open state in which the tip side of the clamp arm 26 is separated from the wafer 2 as indicated by the solid line.
  • Example 1 In the heat stages 21 and 22, the temperature when the wafer 2 is not placed is set to 70 to 90 ° C, and when the wafer 2 is placed, the temperature is raised to 100 to 130 ° C. To do.
  • the material of the leaf spring 27 provided on the heat stages 21, 22 may be SUS304, the positioning pin 28, the clamp arm 26 may be another material having force conductivity, such as carbon steel such as S50C.
  • the wafer 2 is positioned by the orientation flat side coming into contact with the two positioning pins 28 when the clamp arm 26 is closed. At this time, it is designed so that the positioning pin 28 that is in contact with the orientation flat side of the wafer 2 by the urging of the clamp arm 26 does not substantially incline or move, that is, the leaf spring 27 does not move. , So that positioning can be performed accurately.
  • the positioning pin 28 is tilted or moved up and down.
  • At least the contact surface 26s of the clamp arm 26 is conductive, and the contact surface 26s is grounded. While the wafer 2 is placed on the heat stages 21 and 22, the clamp arm 26 is closed, and the contact surface 26 s of the clamp arm 26 is in contact with the ground electrode formed near the outer edge of the wafer 2. As a result, it is possible to remove charges generated when the wafer 2 at room temperature having pyroelectricity is placed on the heat stages 21 and 2 and heated or lowered.
  • Example 3 If the wafer processing apparatus is a pyroelectric material and has a process of causing a temperature change in the material, the stage configuration of Example 1 or 2 can be used other than the bump forming apparatus. Can be adopted.
  • an apparatus having a stage for measuring the characteristics of a wafer during or after aging (b) an apparatus having a stage for thermocompression bonding a chip at a high temperature at the wafer level, and (c) at the wafer level.
  • the stage configuration of Example 1 or 2 can be adopted in an apparatus having a stage that ultrasonically joins a chip together with thermocompression bonding at a high temperature.

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Description

明 細 書
位置決めステージ、それを用いたバンプ形成装置およびバンプ形成方法 技術分野
[0001] 本発明は位置決めステージ、それを用いたバンプ形成装置およびバンプ形成方法 に関する。
背景技術
[0002] 電子部品の製造工程において、ウェハを位置決めする位置決めステージが用いら れている。
[0003] 例えば図 1に示すように、支持腕 65の先端のウェハ受け部 66でウェハ 1を支持し、 ウェハ 1の外縁の外側に位置決めローラ 67が位置する状態で、規制腕 72を支持腕 65に対して移動させ、ばねの付勢力を利用して位置決めローラ 67と位置規制ローラ 74により適正な荷重でウェハ 1を挟持する（例えば、特許文献 1参照)。
[0004] また、例えば焦電性を有する圧電基板のように温度変化に伴!ヽ電荷を発生する場 合には、バンプ形成装置などの位置決めステージに載置されたウェハに除電用接触 部材を当接し、電荷を除去する必要がある。例えば図 2に示すように、除電用部材 14 16にすり鉢状の穴 14166を設け、除電用接触部材 14121の一端の球 14115にァ ース線 14109を取り付け、他端の球 14105をスプリング 14162で押圧し、除電用接 触部材 14121をウェハ表面に接触させることによって、表面の帯電をアースする（例 えば、特許文献 2参照)。
特許文献 1 :特開平 10— 163214号（図 11)
特許文献 2：特開 2000— 210664号（図 20)
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] 例えばバンプ形成工程などにおいて、ステージに載置されて位置決めされたゥェ ハを加熱すると、ウェハが破損することがある。これは、位置決めされ、拘束された状 態にあるウェハが加熱により熱膨張することで、発生する内部応力が強度を超えるこ とが原因と考えられる。 [0006] また、温度変化に伴!、ウェハに電荷が発生する場合、ウェハの位置決めと除電を 別々に行うと、工程や設備が複雑になり、生産効率の向上が困難である。
[0007] 本発明は、力かる実情に鑑み、位置決めされたウェハに無理な力が作用することを 防止することができる、位置決めステージ、それを用いたバンプ形成装置およびバン プ形成方法を提供しょうとするものである。
課題を解決するための手段
[0008] 本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した位置決めステージを 提供する。
[0009] 位置決めステージは、ウェハを載置するウェハ載置面と、前記ウェハ載置面に載 置されたウェハに隣接し、前記ウェハ載置面に対して略直角に延在する位置決め部 材と、前記ウェハ載置面に載置されたウェハに当接して該ウェハを前記位置決め部 材側に弾力的に付勢する付勢部材とを備えたタイプのものである。前記付勢部材は 、前記ウェハ載置面に対して斜めに略対向する当接面を有し、該当接面が、前記ゥ ェハ載置面に載置されたウェハの外縁近傍に当接し、該ウェハを前記ウェハ載置面 に対して斜め方向に付勢する。
[0010] 上記構成によれば、付勢部材の当接面は、大略、位置決め部材に向けて、ウェハ 載置面に載置されたウェハの外縁近傍を付勢する。当接面はウェハ載置面に対して 斜めであるので、ウェハには、ウェハ載置面に平行な分力と、ウェハ載置面に垂直 でウェハ載置面向きの分力とが作用する。後者の分力によって、ウェハはウェハ載 置面側に押し付けられる。これによつて、ウェハがウェハ載置面力 浮き上がらない ようにしつつ、ウェハを位置決め部材に付勢することができ、単純にウェハ載置面に 沿って平行な力のみを加えてウェハを位置決め部材に付勢する場合と比べると、ゥ ェハには無理な力が作用しないようにすることができる。
[0011] 好ましくは、前記付勢部材は、少なくとも当接面が導電性を有する。
[0012] 上記構成によれば、ウェハが帯電する場合に、ウェハの外縁近傍に導電性の付勢 部材の当接面を接触させ、ウェハの電荷を付勢部材の当接面力 除去することがで きる。
[0013] また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した位置決めステ ージを提供する。
[0014] 位置決めステージは、ウェハを載置するウェハ載置面と、前記ウェハ載置面に載 置されたウェハに隣接し、前記ウェハ載置面に対して略直角に延在する位置決め部 材とを備えたタイプのものである。位置決めステージは、前記位置決め部材を、前記 ウェハ載置面に載置されたウェハに当接して該ウェハを所定位置に位置決めする位 置決め位置に保持する弾性変形部材とを有する。前記弾性変形部材は、前記位置 決め部材に、前記ウェハ載置面に載置されたウェハとは略反対方向に所定の大きさ を越える付勢力が作用したとき、前記位置決め部材を前記位置決め位置から前記ゥ ェハ載置面に載置されたウェハとは略反対方向に退避させるように弾性変形する。
[0015] 上記構成によれば、ウェハに当接する位置決め部材は、弾性変形部材の弹性変 形によって位置決め位置力 退避するので、ウェハには、位置決め部材から所定の 大きさを越える力が作用しないようにすることができる。これにより、位置決めされたゥ ェハに無理な力が作用することを防止することができる。
[0016] なお、上記の弾性変形部材としては、板ばねやバイメタル構造などを用いることが できる。バイメタル構造を用いた場合、位置決めステージの加熱による温度変化で弹 性変形部材自体が自発的に変形し、応力の発生を未然に防止することができる。
[0017] また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成したバンプ形成装 置を提供する。
[0018] バンプ形成装置は、少なくとも 2台の前述したいずれかの構成の位置決めステージ
(以下、単に「ステージ」という。）と、前記各ステージの前記ウェハ載置面に載置され たウェハを加熱する加熱手段と、前記各ステージを、ボンディング装置に対向するバ ンプ形成位置と該バンプ形成位置カゝら退避した退避位置との間を一体的に移動させ るステージ移動手段とを備える。前記ステージ移動手段により前記各ステージを前記 バンプ形成位置に順次移動させ、前記バンプ形成位置にある前記ステージの前記ゥ ェハ載置面に載置されたウェハに対して前記ボンディング装置によりバンプを形成 する一方、前記退避位置にある他の前記ステージの前記ウェハ載置面力 バンプが 形成されたウェハを取り除き、次にバンプを形成するウェハを該ステージの前記ゥェ ハ載置面に載置して前記加熱手段により加熱する。 [0019] 上記構成において、加熱手段はそれぞれのステージの内部に設けても、外部に設 けてもよい。
[0020] 上記構成によれば、位置決めされたウェハに無理な力が作用することを防止するこ とができる上、一方のステージでバンプ形成中に、他方のステージでウェハの着脱や ウェハの加熱などを行うことができるので、生産効率の向上が容易である。
[0021] また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成したバンプ形成方 法を提供する。
[0022] バンプ形成方法は、少なくとも 2台の前述したいずれかの構成の位置決めステージ
(以下、単に「ステージ」という。）を用い、前記各ステージの前記ウェハ載置面に載置 されたウェハに、順次、バンプを形成するタイプの方法である。バンプ形成方法は、 少なくとも 1台の一方の前記ステージを、ボンディング装置に対向するバンプ形成位 置に配置する一方、少なくとも 1台の他方の前記ステージを、前記バンプ形成位置か ら退避した退避位置に配置する第 1のステップと、前記一方の前記ステージを前記退 避位置に配置する一方、前記他方の前記ステージを前記バンプ形成位置に配置す る第 2のステップとを、前記各ステージを一体的に移動させながら繰り返す。前記第 1 及び第 2のステップにお 、て、前記ボンディング位置に配置された前記ステージの前 記ウェハ載置面に載置されたウェハに対して、前記ボンディング装置によりバンプを 形成する一方、前記退避位置に配置された前記ステージの前記ウェハ載置面から バンプが形成されたウェハを取り除き、次にバンプを形成するウェハを該ステージの 前記ウェハ載置面に載置して加熱する。
[0023] 上記方法によれば、位置決めされたウェハに無理な力が作用することを防止するこ とができる上、一方のステージでバンプ形成中に、他方のステージでウェハの着脱や ウェハの加熱などを行うことができるので、生産効率の向上が容易である。 発明の効果
[0024] 本発明の位置決めステージ、それを用いたバンプ形成装置およびバンプ形成方法 によれば、位置決めされたウェハに無理な力が作用することを防止することができる
図面の簡単な説明 [0025] [図 1]ウェハの位置決め機構の説明図である。（従来例）
[図 2]除電機構の説明図である。（従来例）
[図 3]バンプ形成装置の平面構成図である。（実施例）
[図 4]ステージ移動装置の構成図である。（実施例）
[図 5]バンプ形成装置の動作の説明図である。（実施例）
[図 6]ウェハの受け渡し動作の説明図である。（実施例）
[図 7]ウェハの受け渡し動作の説明図である。（実施例）
[図 8]ウェハの受け渡し動作の説明図である。（実施例）
[図 9]ウェハの受け渡し動作の説明図である。（実施例）
[図 10]ステージの構成を示す断面図である。（実施例）
[図 11]ステージの構成を示す (a)平面図、（b)断面図である。（実施例）
符号の説明
[0026] 2 ウェハ
10 バンプ形成装置
20 ステージ移動装置 (ステージ移動手段）
21, 22 ヒートステージ (位置決めステージ）
24 ステージ本体
24a 上面（ウェハ載置面）
26 クランプアーム (付勢部材）
26s 当接面
27 板ばね (弾性変形部材）
28 位置決めピン (位置決め部材）
発明を実施するための最良の形態
[0027] 以下、本発明の実施の形態として実施例について、図 3〜図 11を参照しながら説 明する。
[0028] 図 3の平面構成図に示すように、バンプ形成装置 10は、 2台のヒートステージ 21, 2
2に載置されたウェハ 2に対して交互に、バンプを形成する。
[0029] ウェハ 2は、例えば表面波フィルタ（SAWフィルタ）を形成するための LiTaO (タン タル酸リチウム）や LiNbO (ニオブ酸リチウム)等の焦電性を有する圧電体である。ゥ
3
ェハ 2には、外縁近傍にアース電極が形成されている。
[0030] 図 3に示すような装置構成において、 2台のヒートステージ 21, 22は、ステージ移動 装置 20によって左右 (X方向）に一体的に移動し、各ヒートステージ 21, 22が、ボン デイング装置のボンディングヘッド 40の直下に位置するバンプ形成位置に交互に配 置される。ボンディングヘッド 40は、バンプ形成位置のヒートステージ 21, 22上に載 置されたウェハ 2に、バンプを形成する。ステージ移動装置 20の両側には、供給用 のウェハマガジン 12と、収納用のウェハマガジン 14とが配置されている。
[0031] ステージ移動装置 20は、図 4に示すように、左右 (X方向）に移動する 1台の移動テ 一ブル 23の上に、ヒートステージ 21, 22が固定されている。移動テーブル 23は、不 図示のモータなどのァクチユエータによって駆動され、左右の 2位置間を移動する。ヒ ートステージ 21, 22は、移動テーブル 23の移動によって、一体的に移動する。
[0032] 移動テーブル 23が図において左側に位置するとき、ヒートステージ 21, 22は、実 線で示したように、右側のヒートステージ 22がボンディングヘッド 40の直下に位置す るバンプ形成位置に配置される。左側のヒートステージ 21は、バンプ形成位置以外 の位置、すなわち退避位置に配置される。
[0033] 移動テーブル 23が図において右側に位置するとき、左側のヒートステージ 21は、 ボンディングヘッド 40の直下に位置するバンプ形成位置に配置される。右側のヒート ステージ 22は、鎖線 22aで示したように、バンプ形成位置以外の位置、すなわち退 避位置に配置される。
[0034] 各ヒートステージ 21, 22には、ヒーター（図示せず）が内蔵され、載置されたウェハ 2を、載置されたウェハ 2にバンプを形成する前に所定温度まで加熱するようになつ ている。
[0035] 図 3に示すように、ウェハ 2は、ステージ移動装置 20及びウェハマガジン 12, 14に 沿って移動する搬送装置 30によって搬送される。
[0036] 搬送装置 30は、符号 30a, 30dで示すようにウェハマガジン 12, 14に対向する位 置で、後述するアーム 32 (図 6〜図 9参照）が前後 (Y方向）に進退し、ウェハマガジ ン 12, 14に対してウエノヽ 2の受け渡しを行う。 [0037] 移動テーブル 23、すなわちヒートステージ 21, 22が実線で示した左側に位置する とき、符号 30bで示したように、退避位置にある左側のヒートステージ 21に対向し、ヒ ートステージ 21に対してウェハ 2の受け渡しを行う。移動テーブル 23、すなわちヒート ステージ 21, 22が右側に位置するとき、符号 30cで示したように、退避位置にある右 側のヒートステージ 22に対向し、ヒートステージ 22に対してウェハ 2の受け渡しを行う
[0038] 搬送装置 30は、上記動作により、周期をずらして供給用のウェハマガジン 12からス テージ 21, 22にウェハ 2を搬送し、あるいは、ステージ 21, 22から収納用のウェハマ ガジン 14にウェハ 2を搬送する。
[0039] 次に、バンプ形成装置 10を用いてウェハ 2にバンプを形成する工程全体について 、図 5を参照しながら説明する。
[0040] 図 5 (a)に示すように、ステージ移動装置 20により、ヒートステージ 21, 22が左側に 位置しているとき、搬送装置 30は、供給用のウェハマガジン 12に対向する位置 30a において、矢印 L1で示すように、複数枚のウェハ 2が横詰めされた供給用のウェハ マガジン 12から、 1枚のウェハ 2のみを取り出す。次いで、矢印 L2で示すように、左 側のヒートステージ 21に対向する位置 30bまでウェハ 2を搬送し、矢印 L3で示すよう に、左側のヒートステージ 21にウェハ 2を載置し、所定位置に位置決めする。そして、 左側のヒートステージ 21に載置されたウェハ 2を、所定温度（ 110〜 130°C)まで昇 温する。
[0041] 次いで、図 5 (b)に示すように、ステージ移動装置 20により、ヒートステージ 21, 22 は一体的に右側に移動し、左側のヒートステージ 21に載置され所定温度（110〜13 0°C)に予熱されたウェハ 2は、ボンディング装置のボンディングヘッド 40の直下のバ ンプ形成位置で、ボンディングヘッド 40によってバンプが形成される。
[0042] すなわち、画像認識装置とウェハ 2上にある基準マークを利用して、ウェハ 2上の図 形の座標とボンディングヘッド 40の X— Yテーブルの座標との校正をとり、所定温度（ 110〜 130°C)まで昇温したウェハ 2に、ボンディングヘッド 40により Auワイヤを用 ヽ て Auボールを形成する。形成されたボールをヒートステージ 21の所定温度の熱と超 音波振動を併用して、ウエノ、 2の A1電極にバンプボンド (金属結合)する。このバンプ 形成作業を、、ウェハ 2全体に渡って行う。
[0043] この間、搬送装置 30は、右側のヒートステージ 22に対向する位置 30cに移動し、矢 印 R4で示すように、右側のヒートステージ 22から、バンプが形成されたウエノ、 2を取り 出す。そして、バンプが形成されたウェハ 2を、矢印 R5で示すように、収納用のゥェ ハマガジン 14に対向する位置 30dまで搬送して、矢印 R6で示すように、収納用のゥ ェハマガジン 14に収納する。次いで、供給用のウェハマガジン 12に対向する位置 3 Oaにおいて、矢印 R1で示すように、供給用のウェハマガジン 12からウェハ 2を取り 出す。次いで、矢印 R2で示すように、右のヒートステージ 22に対向する位置 30cまで ウエノ、 2を搬送し、矢印 R3で示すように、右側のヒートステージ 22にウェハ 2を載置 する。右側のヒートステージ 22に載置されたウェハ 2は、所定温度まで加熱される。
[0044] 左側のヒートステージ 21に載置されたウエノ、 2全体に対するバンプ形成が終了する と、図 5 (c)に示すように、ステージ移動装置 20により、ヒートステージ 21, 22は一体 的に左側に移動する。左側のヒートステージ 21は、後述するステージ本体 24の空気 孔 24t (図 10参照)から空気を噴出させ、載置されたウェハ 2を所定の降下温度（70 〜90°C)に降温する。ウェハ 2が所定の降下温度 (例えば、 80°C)に達したら、クラン プアーム 26 (図 6〜図 10参照）が開き、ウェハ 2を収納用ウェハマガジン 14まで搬送 する。すなわち、搬送装置 30は、左側のヒートステージ 21に対向する位置 30bに移 動し、矢印 L4で示すように、左側のヒートステージ 21から、バンプが形成されたゥェ ノ、 2を取り出す。そして、バンプが形成されたウェハ 2を、矢印 L5で示すように、収納 用のウェハマガジン 14に対向する位置 30dまで搬送して、矢印 L6で示すように、収 納用のウェハマガジン 14に横詰め状態に収納する。
[0045] この間、右側のヒートステージ 22に載置されたウェハ 2は、ボンディング装置のボン デイングヘッド 40によって、バンプが形成される。
[0046] ヒートステージ 21, 22の移動に同期して、ヒートステージ 21, 22を交互に用い、周 期をずらして同様の動作を行うことによって、バンプを効率よく形成することができる。
[0047] 以下、ヒートステージ 21, 22及び搬送装置 30について、図 6〜図 11を参照しなが ら、さらに詳しく説明する。
[0048] 図 6〜図 9に示すように、ヒートステージ 21, 22は、ウェハ 2を載置するステージ本 体 24の上面 24aから、複数の持ち上げピン 25が出没するようになっている。また、ス テージ本体 24の上面 24aよりも上側には、上面 24aから突出している 2本の位置決 めピン 28と、一対のクランプアーム 26とが配設されて!/、る。
[0049] 搬送装置 30は、本体 31がウェハマガジン 12, 14 (図 5参照）又はヒートステージ 21 , 22に対向する位置 30a〜30d (図 5参照）にあるとき、ウェハ 2が載置されるアーム 3 2が、ウェハマガジン 12, 14 (図 5参照）又はヒートステージ 21, 22側に、本体 31から 前進、または後退するようになっている。
[0050] 次に、搬送装置 30から、ヒートステージ 21, 22のステージ本体 24の上面 24aへの ウェハ 2を載置するときの動作について、図 6〜図 9を参照しながら説明する。
[0051] 搬送装置 30のアーム 32は、ウェハ 2を載置した状態で、図 6において矢印 32aで 示すように、ヒートステージ 21, 22に向けて前進する。このとき、一対のクランプア一 ム 26は開いた状態である。すなわち、各クランプアーム 26の先端側は、ヒートステー ジ 21, 22のステージ本体 24の上面 24aのウェハ 2を載置すべき位置から退避してい る。
[0052] 搬送装置 30のアーム 32は、ウェハ 2をステージ本体 24の上方（詳しくは、持ち上げ ピン 25の上方）まで搬送したら、図 7において矢印 32bで示すように下降し、ウェハ 2 の支持を、持ち上げピン 25と交代する。すなわち、ウェハ 2は、持ち上げピン 25の上 端で支持されるようになる。
[0053] 次いで、図 8において矢印 32cで示すように、搬送装置 30のアーム 32は下降した 状態のまま、本体 31側に後退する。
[0054] 次いで、図 9において矢印 25aで示すように、ウェハ 2を支持している持ち上げピン 25が下降し、ウェハ 2はステージ本体 24の上面 24aに載置される。次いで、クランプ アーム 26が、矢印 26aで示すように回動して閉じた状態となり、クランプアーム 26の 先端側がウェハ 2の片側（図において左側）に当接してウェハ 2を、位置決めピン 28 側に付勢する。これによつて、ウェハ 2の反対側（図において右側）は、位置決めピン 28に当接し、位置決めされる。このとき、ウェハ 2は、クランプアーム 26と位置決めピ ン 28との間に挟持される。
[0055] ここで、クランプアーム 26とウェハ 2との当接箇所は、位置決めピン 28とは略反対 側、すなわちウエノ、 2をオリフラ部のない円形と見なした場合の中心よりも左側で、ク ランプアーム 26が回動して閉じた状態において右側 (位置決めピン 28側）に付勢す る力が発生する箇所であればよい。
[0056] 次に、ヒートステージ 21, 22の構造について、図 10の断面図を参照しながら、さら に説明する。
[0057] ウェハ 2は、ウェハ 2の中心とステージ本体 24の中心とが略一致する位置に位置決 めされ、ウェハ 2及びステージ本体 24は、それぞれの中心から外に向けて熱膨張す る。そのため、位置決めピン 28を固定構造にしておくと、ステージ本体 24とウェハ 2と の熱膨張率の違いによる変位量の差が吸収されず、結果的にウェハ 2がピンと接触 している部分に無理な力が作用してウェハ 2が割れるなどの損傷が生じることがある。
[0058] そこで、位置決めピン 28を板ばね 27で支持し、ステージ本体 24とウェハ 2との熱膨 張率の違いによる変位量の差を板ばね 27が弹性的に変形することによって吸収し、 ウェハ 2に無理な力が作用することを防止している。
[0059] 板ばね 27は、ヒートステージ 21, 22のステージ本体 24の下面 24bに配置されてい る。板ばね 27の一端 27a側は、ねじ 29によって、ステージ本体 24の下面 24bに固定 されている。板ばね 27の他端 27b側には、位置決めピン 28の基端側が固定されて いる。位置決めピン 28は、ステージ本体 24に形成された貫通穴 24sに遊嵌し、ステ ージ本体 24の上面 24aから上方に突出するようになって!/、る。
[0060] 位置決めピン 28の先端側に、図において右向きに所定の大きさを越える力が作用 すると、図において鎖線で示すように、板ばね 27が大略円弧状に下側に湾曲し、位 置決めピン 28は図において右側に移動する。これによつて、ステージ本体 24とゥェ ハ 2との熱膨張率の違いによる変位量の差を吸収し、位置決めピン 28によってゥェ ノ、 2に無理な力が作用することを防止することができる。
[0061] 一方、ウェハ 2を付勢するクランプアーム 26について、詳しくは後述するように、ば ねの力を利用してウェハ 2を付勢する構成とすることで、クランプアーム 26によってゥ ェハ 2に無理な力が作用することを防止している。
[0062] クランプアーム 26の先端側のウェハ 2の外縁に接する当接面 26sは、ステージ本体 24の上面 24aに対して所定の角度 0 (0° < 0 < 90° M頃き、ステージ本体 24の上 面 24aに略対向するようになって 、る。
[0063] クランプアーム 26は、少なくとも当接面 26sが導電性を有し、当接面 26sはアースさ れている。クランプアーム 26が閉じると、クランプアーム 26の当接面 26sが、ウェハ 2 の外縁近傍に形成されたアース電極に接触し、焦電性を有する常温のウェハ 2がヒ 一トステージ 21, 22に載置されて 、る間に温度変化により発生した電荷を除電する 。当接面 26sは斜めに形成されているので、ウェハ 2のアース電極に確実に接触し、 ウェハ 2から確実に除電することができる。
[0064] クランプアーム 26が閉じると、当接面 26sは、大略、位置決めピン 28に向けて平行 移動し、ウェハ 2の外縁近傍に当接する。このとき、ウェハ 2には、ステージ本体 24の 上面 24aに平行な分力と、ステージ本体 24の上面 24aに垂直で下向きの分力とが作 用する。後者の下向きの分力によって、ウェハ 2はステージ本体 24の上面 24aに押し 付けられるので、位置決めピン 28が鎖線のように傾いても、ウェハ 2がステージ本体 24の上面 24aから浮き上がらな 、ようにすることができる。
[0065] ステージ本体 24は、空気孔 24tが形成されている。空気孔 24tから吸引することに より、上面 24aに載置されたウェハ 2の下面 2bを吸着し、保持する。また、空気孔 24t 力も上面 24aとウェハ 2の下面 2bとの間に空気を流し、位置決め時にウェハ 2を上面 24aから浮力せて移動させやすくしたり、バンプ形成後のウェハ 2を冷却したりする。
[0066] 次に、クランプアーム 26の開閉機構 120, 140について、図 11を参照しながら説明 する。図 11 (a)は平面図である。図 11 (b)は、図 11 (a)の線 B— Bに沿って切断した 断面図である。
[0067] 一対のクランプアーム 26の開閉機構 120, 140は、各クランプアーム 26の基端側 力 ヒートステージ 21, 22のステージ本体 24を貫通し回転自在に支持されている回 転軸 124, 144の上端に、それぞれ、固定されている。各回転軸 124, 144の下端に は、連動板 126, 146の一端側力 それぞれ固定されている。各連動板 126, 146の 他端側は、図 11 (b)に示すように隙間を設けて重なり合い、この重なり合った部分に は、それぞれ貫通穴 127, 147が形成されている。各貫通穴 127, 147には、ベース 部材 130に立設された係合ピン 132が遊嵌するようになっている。各連動板 126, 14 6には、一端がステージ本体 24の下面に係止された不図示の引張ばねの他端が係 止され、引張ばねのばね力によって、図 11 (a)〖こおいて矢印 128, 148で示す方向 に、各連動板 126, 146を付勢するようになっている。係合ピン 132が立設されたベ 一ス部材 130は、不図示の伸縮シリンダ等のァクチユエータの駆動により、矢印 138 で示す方向に、矢印 128, 148で示す方向の引張ばねのばね力に杭して、各連動 板 126, 146を、解除可能に回動させるようになつている。
[0068] ウェハ 2をヒートステージ 21, 22のステージ本体 24の上面 24aに着脱するときには 、ベース部材 130が矢印 138で示す方向に移動し、各連動板 126, 146は破線で示 したように一直線上に重なり、クランプアーム 26は、実線で示したように、クランプア ーム 26の先端側がウェハ 2から離れた開状態となる。
[0069] ウェハ 2をヒートステージ 21, 22のステージ本体 24の上面 24aに保持するときには 、ベース部材 130を移動させるァクチユエータの駆動が解除され、矢印 128, 148で 示す方向の引張ばねのばね力によって、各連動板 126, 146は、鎖線で示したよう に回動する。この連動板 126, 146の回動によりクランプアーム 26が回動し、クランプ アーム 26の先端側がウェハ 2の外縁に接する閉状態となる。
[0070] (実施例 1) ヒートステージ 21, 22は、ウェハ 2が載っていないときの温度を 70〜9 0°Cに設定し、ウェハ 2が載つているときには 100〜 130°Cまで昇温する。
[0071] ヒートステージ 21, 22に設ける板ばね 27の材質は SUS304、位置決めピン 28ゃク ランプアーム 26の材質は S50Cなどの炭素鋼である力 導電性を有する他の材料で あってもよい。
[0072] ウェハ 2は、ヒートステージ 21, 22のステージ本体 24の上面 24aにおいて、クラン プアーム 26が閉じることによって、オリフラ辺が 2本の位置決めピン 28に当接し、位 置決めされる。このとき、クランプアーム 26の付勢で、ウェハ 2のオリフラ辺に当接した 位置決めピン 28が、実質的に、傾いたり移動したりしないように、すなわち板ばね 27 が橈まな ヽように設計し、位置決めを正確に行えるようにする。
[0073] このような設計を行わずに、クランプアーム 26が閉じ、ウェハ 2のオリフラ辺が位置 決めピン 28に当接し、ウェハ 2を位置決めするときに、位置決めピン 28が傾いたり、 上下に移動したりしないように、例えば板ばね 27をシリンダ等でロックし、ステージの 温度上昇時にはロックを解除するようにしてもょ 、。 [0074] クランプアーム 26は、少なくとも当接面 26sが導電性を有し、当接面 26sはアースさ れている。ウェハ 2がヒートステージ 21, 22に載置されている間、クランプアーム 26が 閉じ、クランプアーム 26の当接面 26sが、ウェハ 2の外縁近傍に形成されたアース電 極に接触する。これによつて、焦電性を有する常温のウェハ 2がヒートステージ 21, 2 2に載置されて昇温 ·降温することなどにより発生した電荷を除電することができる。
[0075] ウェハ 2の構成が焦電電荷の発生し難 、ものである場合、バンプ形成後にウェハ 2 を降温する際に、導電性の持ち上げピン 25でウェハ 2の下面を突き上げてステージ 本体 24の上面 24aから離し、降温時間の短縮を優先させてもよ!、。
[0076] (実施例 2) 板ばね 27の代わりに、上下に熱膨張率の異なる金属材料を貼り合わ せたバイメタル構造の弾性変形部材を用いる。
[0077] これによつて、ウェハ 2の昇温時に、バイメタル構造の弾性変形部材自体が自発的 に湾曲変形し、位置決めピン 26がウェハ 2から退避する方向に移動させ、ウェハ 2に 無理な力が作用しな 、ようにすることができる。
[0078] (実施例 3) 焦電性材料であって、材料に温度変化を生じさせる工程を有するゥェ ハ加工装置であれば、バンプ形成装置以外でも、実施例 1または 2のステージ構成 を採用できる。
[0079] 例えば、（a)エージング中又はエージング後にウェハの特性を測定するステージを 有する装置、 (b)ウェハレベルでチップを高温下で熱圧着するステージを有する装 置、（c)ウェハレベルでチップを高温下での熱圧着を併用し超音波接合するステー ジを有する装置などで、実施例 1または 2のステージ構成を採用できる。
[0080] (まとめ） 以上に説明したように、クランプアーム 26や位置決めピン 28にばね性を 持たせることで、ステージ本体 24とウェハ 2との熱膨張による変位量の差を吸収して ウェハ 2が割れるなどの損傷を防止することができる。また、当接面 26sが斜めになつ たクランプアーム 26を用いることで、ウェハ 2が焦電性を有する場合の除電信頼性が 格段に向上する。
[0081] なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなぐ種々の変更を加え て実施することが可能である。

Claims

請求の範囲
[1] ウェハを載置するウェハ載置面と、
前記ウェハ載置面に載置されたウェハに隣接し、前記ウェハ載置面に対して略直 角に延在する位置決め部材と、
前記ウェハ載置面に載置されたウェハに当接して該ウェハを前記位置決め部材側 に弾力的に付勢する付勢部材とを備えた位置決めステージにおいて、
前記付勢部材は、前記ウェハ載置面に対して斜めに略対向する当接面を有し、該 当接面が、前記ウェハ載置面に載置されたウェハの外縁近傍に当接し、該ウェハを 前記ウェハ載置面に対して斜め方向に付勢することを特徴とする位置決めステージ
[2] 前記付勢部材は、少なくとも当接面が導電性を有することを特徴とする、請求項 1に 記載の位置決めステージ。
[3] ウェハを載置するウェハ載置面と、
前記ウェハ載置面に載置されたウェハに隣接し、前記ウェハ載置面に対して略直 角に延在する位置決め部材とを備えた位置決めステージにお 、て、
前記位置決め部材を、前記ウェハ載置面に載置されたウェハに当接して該ウェハ を所定位置に位置決めする位置決め位置に保持する弾性変形部材とを有し、 前記弾性変形部材は、前記位置決め部材に、前記ウェハ載置面に載置されたゥェ ハとは略反対方向に所定の大きさを越える付勢力が作用したとき、前記位置決め部 材を前記位置決め位置力 前記ウェハ載置面に載置されたウェハとは略反対方向 に退避させるように弾性変形することを特徴とする位置決めステージ。
[4] 少なくとも 2台の請求項 1、 2又は 3に記載の位置決めステージ (以下、単に「ステ一 ジ」という。）と、
前記各ステージの前記ウェハ載置面に載置されたウェハを加熱する加熱手段と、 前記各ステージを、ボンディング装置に対向するバンプ形成位置と該バンプ形成 位置カゝら退避した退避位置との間を移動させるステージ移動手段とを備え、 前記ステージ移動手段により前記各ステージを前記バンプ形成位置に順次移動さ せ、前記バンプ形成位置にある前記ステージの前記ウェハ載置面に載置されたゥェ ハに対して、前記ボンディング装置によりバンプを形成する一方、前記退避位置にあ る他の前記ステージの前記ウェハ載置面力もバンプが形成されたウェハを取り除き、 次にバンプを形成するウェハを該ステージの前記ウェハ載置面に載置して前記加熱 手段により加熱することを特徴とする、バンプ形成装置。
少なくとも 2台の請求項 1、 2又は 3に記載の位置決めステージ (以下、単に「ステ一 ジ」という。）を用い、前記各ステージの前記ウェハ載置面に載置されたウェハに、順 次、バンプを形成するバンプ形成方法であって、
少なくとも 1台の一方の前記ステージを、ボンディング装置に対向するバンプ形成 位置に配置する一方、少なくとも 1台の他方の前記ステージを、前記バンプ形成位置 から退避した退避位置に配置する第 1のステップと、
前記一方の前記ステージを前記退避位置に配置する一方、前記他方の前記ステ ージを前記バンプ形成位置に配置する第 2のステップとを、
前記各ステージを移動させながら繰り返し、
前記第 1及び第 2のステップにおいて、
前記ボンディング位置に配置された前記ステージの前記ウェハ載置面に載置され たウェハに対して、前記ボンディング装置によりバンプを形成する一方、
前記退避位置に配置された前記ステージの前記ウェハ載置面からバンプが形成さ れたウェハを取り除き、次にバンプを形成するウェハを該ステージの前記ウェハ載置 面に載置して加熱することを特徴とするバンプ形成方法。
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