JP2006303266A - 半導体装置のリペア方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 周囲の電子部品に悪影響を及ぼすおそれを無くし、半導体装置を基板から能率良く剥がせるようにする。
【解決手段】 半導体装置14のパッケージ上面よりも大きい良伝熱性の伝熱板22を熱硬化性樹脂24を用いてパッケージ上面の全面に密着させて接着し、伝熱板24にヒータツール30を押圧することにより伝熱板24および半導体装置14を加熱し、アンダーフィル18を軟化させかつはんだを溶融させると共に熱硬化性樹脂24を硬化させた状態で、引き剥がし具26を半導体装置14のパッケージ上面より外側へ突出した伝熱板24の突出部28に係合させて伝熱板24を半導体装置14と一体にしてプリント配線板12から剥がす。
【選択図】 図2

Description

本発明はICチップなどの半導体装置をプリント配線板に実装した後で、その半導体装置を取外すためのリペア方法に関するものである。
近年携帯機器などに搭載されるIC(半導体集積回路、半導体装置)は1チップ化が進み、ICの数は少なくなるものの、ICが高機能化するのに伴ってICの単価が高価になってきている。
またICがプリント配線板(基板)に実装された後の基板テストでICが不良であることが判明することがある。この場合にはこの不良なICを搭載した基板を廃棄するよりも、この不良なICを交換することにより基板をリペア再生することがコストアップ防止のために重要となっている。また正常なICであれば廃棄せずに再利用できる。
高機能のICではBGA(Ball Grid Array)のパッケージ構造を持つものが多く、この場合はICと基板とははんだボールで電気接続され、ICは樹脂(アンダーフィル)で固定される。すなわち基板のIC固定位置に(未硬化の)アンダーフィルを供給し、はんだボールを予め固定したICをその上に押圧し加熱することによりはんだボールを溶融させ、その後アンダーフィルを硬化させてICを固定するものである。また、はんだボールによって接続した後で、ICと基板との間に液状のアンダーフィルを注入し硬化させることもある。
ここに用いるアンダーフィルには、通常熱硬化性樹脂が用いられるが、ICを剥がすことを考慮する場合には熱可塑性樹脂からなるリペアラブルアンダーフィルを用いている。
特開2002−57453 特許第2809207号 特開平8−17973 特開平5−109838
特許文献1,2,3にはノズルで囲んだICに熱風を吹きつけて加熱することによりはんだボール(およびアンダーフィル)を軟化させる加熱方式のリペア方法が示されている。ここにICは吸着ヘッドをIC上面に密着させて真空吸引による負圧によりICを基板から引き剥がしている。このため吸着ヘッドには熱風の通路となるノズル負圧吸着面とが設けられている。
特許文献4には、基板上にベアチップを第1の熱硬化性接着剤で固定した場合に、ベアチップの上面(背面)に第2の熱硬化性接着剤を介してヒートスティックを当接させることにより、第2の熱硬化性接着剤を硬化させる一方、第1の熱硬化性接着剤を加熱劣化させることにより、ベアチップを基板から引き剥がす(リペアする)方法が示されている。
特許文献1,2,3に示されたものは熱風を用いるため、周辺の電子部品のはんだ付け部も加熱されるおそれが生じる。このため取外し対象以外の部品まで外れたり熱による障害を発生させるおそれが生じ、作業が難しいという問題がある。
なお熱風に代えてヒータツール(加熱体)をICに密着させることによりICをヒータツールからの伝熱によって加熱することも考えられる。しかしICを吸着によって基板から引き剥がす場合には、ヒータツールを貫通してICとの密着面に開口する吸気通路をヒータツールに形成しておく必要がある。このためヒータツールのIC密着面積が吸気通路の開口面積分だけ減少することになる。密着面積が減るとヒータツールからICへの熱伝達が悪くなる。そこで吸気通路の開口面積をできるだけ小さくしてヒータツールとICとの密着面積を大きくすると、ICの吸引力が減少し、ICを引き剥がす力が不足することになる。このためナイフなどの工具をICと基板との接着部分に差し込んでこじ開けるといった補助的な作業が必要になり、周囲の部品や基板を損傷するおそれが生じる。
一方特許文献4に示されたものは、ヒータツール(ヒートシンク)とIC上面との接触面積は、IC上面より少ないため伝熱効率が下がるという問題がある。また基板から剥がしたICはヒータツール(ヒートシンク)側に固着されたままであるから、ヒータツールをそのままでは使用できずICを剥がし、また場合によってはヒータツールに残っている付着物(第2の熱硬化性樹脂)を除去してからでなければ再使用できないという問題もある。
この発明はこのような事情に鑑みなされたものであり、ヒータツールからの熱伝達により半導体装置を加熱することにより周囲の電子部品に悪影響を及ぼすおそれを無くし、半導体装置への伝熱効率を向上させることができ、半導体装置を基板から剥がし易く能率良く剥がせるようにした半導体装置のリペア方法を提供することを目的とする。
この発明によればこの目的は、プリント配線板に加熱によりリペア可能なアンダーフィルを用いて固定された半導体装置を加熱することにより取外す半導体装置のリペア方法において、1)前記半導体装置のパッケージ上面よりも大きい良伝熱性の伝熱板を熱硬化性樹脂を用いて前記パッケージ上面の全面に密着させて接着し、2)前記伝熱板にヒータツールを押圧することにより前記伝熱板および前記半導体装置を加熱し、3)前記アンダーフィルを軟化させかつはんだを溶融させると共に前記熱硬化性樹脂を硬化させた状態で、引き剥がし具を前記半導体装置のパッケージ上面より外側へ突出した前記伝熱板の突出部に係合させて前記伝熱板を前記半導体装置と一体にしてプリント配線板から剥がす、ことを特徴とする半導体装置のリペア方法、によって達成できる。
本発明によれば熱風を用いることなくヒータツールの熱を伝熱板を介して半導体装置に伝えるから、周囲の電子部品に熱による悪影響を及ぼすおそれがない。また伝熱板は半導体装置のパッケージ上面の全面に密着しているから、ヒータツールの熱はこの伝熱板で半導体装置のパッケージ上面全面から半導体装置に伝えられることになり、伝熱効率が向上する。
伝熱板は半導体装置のパッケージ上面より大きく引き剥がし具は伝熱板の半導体装置上面から突出した突出部に係合して伝熱板と半導体装置とを一体として基板から剥がすことになるので、剥がし易く能率良く剥がすことができる。
半導体装置はBGAのパッケージを持つものとすることができ、この場合はボールはんだにより半導体装置と基板とが電気接続される(請求項2)。伝熱板は銅板とするのがよい。この伝熱板は周縁が半導体装置上面の全周に亘って外側へ突出するように大きくするのが望ましい。
伝熱板は上方(すなわち基板に垂直な方向)から見て半導体装置の少なくとも対称位置に少なくとも一対の突出部を設け、これらの突出部を引き剥がし具で掴んで剥がすようにしてもよい(請求項3)。
引き剥がし具は基板に対して垂直に伝熱板および半導体装置を基板から引き剥がすものであってもよいが(請求項4)、伝熱板を基板に対して傾けながら剥がすようにしてもよい(請求項5)。
伝熱板は十分に厚く曲がらない剛性を持つものとしてもよいが、可撓性を持つ薄板であってもよい(請求項6)。この場合には引き剥がし具が伝熱板を引き上げる際の衝撃を薄板自身の弾性で吸収でき、半導体装置やプリント配線板を衝撃から保護することができる。また引き剥がし具が伝熱板に係合する位置は、上方から見て半導体装置の中心に対して非対称な位置とすれば、半導体装置に不均一な引き剥がし力が加わることになり、小さい力で引き剥がしが可能になる(請求項7)。
ヒータツールはパルスヒート方式により加熱温度と加熱時間(温度プロファイル)を制御するのが望ましい。パルスヒート方式は、ヒータツールの電気発熱体に供給する電流を例えばパルス幅制御(PWM)することにより発熱量を制御するものであり、この方式によれば急速加熱と正確な温度コントロールとが容易になり、周辺部品への熱影響を少なくすることができる。例えば温度プロファイルは、予備加熱を270℃で9秒とし、その後の本加熱を470℃で7秒とすることができる。ここに温度は設定温度すなわちヒータツール温度である。例えばヒータツールの伝熱板接触部の温度である。
図1は本発明の一実施例を模式的に示す側断面図、図2は半導体装置の剥離時を模式的に示す断面図である。図3は引き剥がし具の動作例を示す図、図4は同じく他の動作例を示す図、図5は引き剥がし具の配置例を示す図、図6は温度プロファイルの一例を示す図である。
図1において符号10はワーク保持台、12はワークとなるプリント配線板である。ヒータ保持台10はヒータを内蔵して表面に保持されるプリント配線板(基板)12を一定温度に予備加熱してリペア作業時間の短縮を可能にする。プリント配線板12には半導体装置(以下ICチップともいう)14が表面実装されている。半導体装置14は表面実装型パッケージのものであり、例えばBGA(ボール・グリッド・アレイ)のパッケージを持つICチップである。
この半導体装置14はプリント配線板12の表面(上面)にはんだボール16とアンダーフィル18を用いて実装されている。ここに半導体装置14の下面にははんだボール16が予め形成され、プリント配線板12の表面には半導体装置14の搭載位置にアンダーフィル18を供給しておき、半導体装置14のはんだボール16をプリント配線板12の電極部に位置合わせして押し付け、若干はんだボール16を押しつぶした状態で(また加熱によりはんだボール16を溶融させた状態で)ICチップ周辺をアンダーフィル18で固めてある。
ここに用いるアンダーフィル18は加熱によりリペア可能な樹脂であり、例えば熱可塑性樹脂である。このようなアンダーフィルの一例は、ヘンケルジャパン社より供給される「ヘンケルロックタイト」(商品名)である。プリント配線板12には、このICチップ14の周囲に他の電子部品20が実装されている。
このようにICチップ14や他の電子部品20が実装されたプリント配線板12をテストした結果、不具合があることが判明した場合にはICチップ14を取外し、不具合の無い部品の再利用を行う。
ICチップ14の取外し(リペア)のためには、まずICチップ14の上面に伝熱板22を熱硬化型樹脂24によって固着する。伝熱板22は銅板などの熱伝導性が良い材料で作られ十分な剛性と厚さを持つ。すなわち図3〜5に示す引き離し具26がこの伝熱板22の周縁部を掴んでICチップ14をプリント配線板12から引き剥がす際に加わる力Fに対して十分に耐え得る剛性を持つ厚さにする。
この伝熱板22の少なくとも対称な2ヶ所はICチップ14の上面より外側へ突出し、これらの突出部28,28に引き剥がし具26が係合する。30はヒータツールである。このヒータツール30は適切な電気抵抗を持つ金属で作られここに電流を通すことにより発熱する。ヒータツール30の平坦な下面は伝熱板22の上面に押圧されて密着する。32はこのヒータツール26の下面付近の温度を検出する熱電対などの温度センサである。
34はコントローラであり、この温度センサ32の出力に基づいてヒータツール30の下面の温度をパルスヒート方式によりコントロールする。すなわち図6に示すように予備加熱温度270℃で9秒間加熱した後、直ちに本加熱に入り、温度470℃で7秒間加熱する。前記アンダーフィル18の軟化温度T1は本加熱温度より低く、熱硬化樹脂24の硬化温度T2は本加熱温度より低い。すなわち、T1<470℃、T2<470℃である。
引き剥がし具26は本加熱の終了時点付近で伝熱板22を引き揚げる。この時ヒータツール30は伝熱板22に密着したまま伝熱板22と一体に引き上げることも可能であるが、ヒータツール30は伝熱板22から離して上方へ退避させ、直ちに(短時間後に)伝熱板22を引き上げるようにしてもよい。本加熱によりアンダーフィル18は軟化する一方熱硬化樹脂24は硬化しているから、引き剥がし具26によって伝熱板22に上向きの力F(図1,2)が加わると、アンダーフィル18が剥離する。この時はんだボール16も本加熱の加熱温度では十分に溶融しているから、はんだボール16も切断される。図2はこの状態を示している。
プリント配線板12から剥離したICチップ14は、伝熱板28に固着したまま適宜テストを行うこともできるが、適当な方法で伝熱板28を分離して伝熱板28を再利用してもよい。また剥がしたICチップ14に不具合が無ければ再利用してもよい。
引き剥がし具26,26は伝熱板22を垂直に(プリント配線板12に垂直に)引き上げる方向に力Fを均等に加えるものとすることができる。図3の引き剥がし具26,26は、伝熱板22の突出部28,28を両側から挟んで掴み、この掴んだ状態でヒータツール30と共に上方に同じ速度で上昇する。
図4の引き剥がし具26,26は、伝熱板22の突出部28,28を両側から挟んで掴み、この掴んだ状態のままヒータツール30と共に全体を一体にして傾ける。この場合にはICチップ14とプリント配線板12との接合部をこじ開けるように剥がすことになるので、小さい力で能率良く剥がすことが可能になる。
引き剥がし具26,26の位置は図5に示すように、平面視で伝熱板22の対称位置に係合する位置とする。図5の(A)は長方形の伝熱板22の短辺の中央付近に係合する。図5の(B)は伝熱板22の対角位置に係合する。図5の(C)は伝熱板22の長辺の中央付近に係合するものである。
図7は他の実施例を示す断面図である。同図(A)は引き剥がし前を、同図(B)は引き剥がし中の状態を示す。この実施例は前記図3〜5の引き剥がし具26,26の一方26を伝熱板22の側縁に外側から係合させる一方、他方26Aをナイフ状にして支点26Bを中心にして回動可能にしたものである。すなわち引き剥がし具26Aの支点26Bを伝熱板22の外側方に位置させると共に、その回動端(先端)を図7(A)に示すように、伝熱板22の側縁下面に下方から係合可能としたものである。
ヒータツール30による加熱によりはんだボール16およびアンダーフィル18が軟化した状態で引き剥がし具26Aを図7(A)で時計方向に回動させれば、図7(B)のように伝熱板22およびICチップ14は反時計方向に傾き、ICチップ14は右側(引き剥がし具26A側)から静かに剥がれていく。なお図7では前記図1〜4と同一部分に同一符号を付したのでその説明は繰り返さない。
図8は他の実施例を示す図である。この実施例は、伝熱板22Aの一方の突出部28Aを側面視でクランク状に折曲したものである。この場合、引き剥がし具26Cの下端に設けた爪26Dをこの突出部28Aに係合させて引き剥がし具26Cを上方へ引き上げる。なお他方の突出部28は図3〜4,7と同様に(クランク状ではなく)平板状であり、外側縁に引き剥がし具26が外側から押圧されて係合する。
この実施例によれば伝熱板22Aはクランク状の突出部28A側から上方へ引き揚げられ、ICチップ14をプリント配線板12に対して傾けながら引き剥がすことができる。また特にICチップ14の近傍に他の背の高い部品20Aがある場合に、この部品20Aとの干渉を避けつつ剥がすことが可能になる。
図9は他の実施例を示す図、図10は引き剥がし具の移動方向の一例を示す平面図である。この実施例は、伝熱板22Bの両端に図8で説明したクランク状の突出部28A、28Aを設け、図8の引き剥がし具26C、26Cをこれら突出部28A、28Aに係合させるものである。
この場合引き剥がし具26C、26Cは、伝熱板22Bに対して外側から接近・離隔するように揺動させることにより突出部28A、28Aに係脱させることができる。しかし図10に示すように引き剥がし具26C、26Cを伝熱板22Bの突出部28A、28Aが形成された辺(短辺)に対して平行移動させることによって、突出部28A、28Aに係脱させてもよい。
図11は他の実施例を示す側断面図である。この実施例は、伝熱板として可撓性の薄板22Cを用いたものである。この薄板22Cは、例えば厚さ0.1mmの鋼板や銅板が適する。
この場合引き剥がし具26Dは図11(A)に示すように、薄板22Cの突出部28Cを掴んで引き上げるクランプとすることができる。引き剥がし具26Dはクランプに代えて図11(B)に示すように、釣り針状のフックとしてもよい。この場合はフックの先を突出部28Cに設けた係合孔に係合させるものである。
このような薄板22Cを用いた場合は、引き剥がし具26Dが上昇した時にICチップ14に加わる衝撃が薄板22Cの弾性によって吸収される。このためICチップ14とプリント配線板12との間に加わる衝撃が緩和され、これらを保護することができる。
図12は引き剥がし動作例を示す平面図である。以上の各実施例では、引き剥がし具で伝熱板22あるいは薄板22Cを引き剥がす時に、プリント配線板12に垂直な方向(上方)に力を加えている。しかしこれに代えて、図12(A)に示すようにICチップ14の中心付近を通る垂直軸34回りに僅かな回転や回転方向の振動を加えたり、同図(B)に示すように僅かな水平方向の移動あるいは水平方向の振動を加えてもよい。
このような回転、移動、振動を加えることにより、ICチップ14とプリント配線板12との固着部分に水平方向の剪断力を加えることができ、一層剥がれ易くすることが可能になる。
本発明の一実施例を模式的に示す側断面図 同じく引き剥がし動作を示す図 本発明の一実施例の側断面図 同じく引き剥がし例を示す図 引き剥がし具の配置例を示す平面図 温度プロファイルの一例を示す図 他の実施例を示す側断面図 他の実施例を示す側断面図 他の実施例を示す側断面図 引き剥がし具の他の実施例を示す平面図 他の実施例を示す側断面図 引き剥がし動作例を示す平面図
符号の説明
10 ワーク保持台
12 プリント配線板(基板)
14 半導体装置(ICチップ)
16 はんだボール
18 アンダーフィル
22、22A、22B 伝熱板
22C 薄板(伝熱板)
24 熱硬化性樹脂
26、26A、26C、28D 引き剥がし具
28、28A、28C 突出部
30 ヒータツール
32 温度センサ
34 コントローラ

Claims (7)

  1. プリント配線板に加熱によりリペア可能なアンダーフィルを用いて固定された半導体装置を加熱することにより取外す半導体装置のリペア方法において、
    1)前記半導体装置のパッケージ上面よりも大きい良伝熱性の伝熱板を熱硬化性樹脂を用いて前記パッケージ上面の全面に密着させて接着し、
    2)前記伝熱板にヒータツールを押圧することにより前記伝熱板および前記半導体装置を加熱し、
    3)前記アンダーフィルを軟化させかつはんだを溶融させると共に前記熱硬化性樹脂を硬化させた状態で、引き剥がし具を前記半導体装置のパッケージ上面より外側へ突出した前記伝熱板の突出部に係合させて前記伝熱板を前記半導体装置と一体にしてプリント配線板から剥がす、
    ことを特徴とする半導体装置のリペア方法。
  2. 半導体装置ははんだボールによってプリント配線板に電気接続されアンダーフィルで固定されている請求項1の半導体装置のリペア方法。
  3. 伝熱板は上方から見て半導体装置の少なくとも対称位置に突出部を持ち、引き剥がし具はこれら対称位置の突出部に係合して伝熱板および半導体装置をプリント配線板から引き剥がす請求項1の半導体装置のリペア方法。
  4. 引き剥がし具は伝熱板を上方に引き揚げる請求項1の半導体装置のリペア方法。
  5. 引き剥がし具は、伝熱板の突出部の対称位置の一方を他方よりも速く引き揚げて伝熱板を傾けながらプリント配線板から引き剥がす請求項3の半導体装置のリペア方法。
  6. 伝熱板は可撓性の薄板である請求項1〜5のいずれかの半導体装置のリペア方法。
  7. 引き剥がし具は、上方から見て半導体装置の非対称な位置で伝熱板の突出部に係合して伝熱板および半導体装置をプリント配線板から引き剥がす請求項1の半導体装置のリペア方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016119336A (ja) * 2014-12-18 2016-06-30 富士通株式会社 半導体部品分離方法
US10269762B2 (en) * 2015-10-29 2019-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Rework process and tool design for semiconductor package
US11563232B2 (en) 2017-10-24 2023-01-24 Lg Energy Solution, Ltd. Lamination apparatus and method for secondary battery

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016119336A (ja) * 2014-12-18 2016-06-30 富士通株式会社 半導体部品分離方法
US10269762B2 (en) * 2015-10-29 2019-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Rework process and tool design for semiconductor package
US11563232B2 (en) 2017-10-24 2023-01-24 Lg Energy Solution, Ltd. Lamination apparatus and method for secondary battery

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