WO2006098131A1 - 磁気光学デバイス及びその製造方法 - Google Patents

磁気光学デバイス及びその製造方法 Download PDF

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Hiromitsu Umezawa
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    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/12—Function characteristic spatial light modulator

Definitions

  • FIG. 1 is an explanatory diagram showing an example of a magneto-optical device according to the present invention.
  • a magneto-optical crystal 34 is embedded in a recess 32 formed at each pixel location on the surface of the non-magnetic substrate 30, and the magneto-optic is formed by a partition wall 36 that is integrated with the non-magnetic substrate at the inter-pixel gap. This is a structure in which the crystals 34 are magnetically separated and the entire surface is flattened.
  • Each magneto-optic crystal 34 independent of each other is a pixel.
  • the nonmagnetic substrate at the pixel location is dug deeper than the thickness of the magnetic film on which the epitaxial growth is performed in advance.
  • a structure in which a partition wall integrated with the nonmagnetic substrate is incorporated in the gap portion between pixels can be manufactured.
  • a magnetic film grows also on the nonmagnetic substrate at the gap position, and a convex structure similar to that of the underlying nonmagnetic substrate is formed after the growth.
  • this convex portion can be removed by polishing, etc. after flattening with a flat plate material, the magnetic film (magneto-optic crystal) at the pixel location is finally completely separated magnetically.
  • a two-dimensional magnetic pixel array having a flat surface can be produced. Even when etching is performed after flattening with a flat material, the flat material is finally removed, so that the magnetic properties of the flat material force pixel are not adversely affected.
  • Figure 3 is an SEM photograph of the surface of the prototype.
  • A shows the state immediately after growing the magnetic film.
  • B represents a state in which the magnetic film above the gap position is completely removed by polishing and etching. It can be seen that the surface of the photograph is flattened.
  • the Bi-substituted iron garnet single crystal thin film formed by the liquid phase epitaxial method has a large coercive force> 40000AZm), and requires a large driving current for the magnetization reversal of the pixel. Therefore, after epitaxial growth of the magnetic film (after planarizing the surface in step (f) in Fig. 3), heat treatment is performed at 900 ° C to 1150 ° C in an oxidizing atmosphere. By this, each The magnetic field required for reversing the magnetic field of the pixel can be reduced, and the drive current can also be reduced.
  • Figure 4 shows how the switching field of the pixel is reduced by heat treatment in the atmosphere.

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Abstract

【課題】各ピクセルの磁気光学結晶が磁気的に完全に分離され、且つ表面全体を平坦化する。 【解決手段】非磁性基板と、その非磁性基板表面の各ピクセル箇所に形成されている凹部に埋設された磁気光学結晶と、前記非磁性基板と一体であって、前記ピクセル間のギャップ位置で前記磁気光学結晶同士を磁気的に分離する仕切り壁と、を備えた磁気光学デバイスであって、その磁気光学デバイスの表面全体が平坦化されている。製造方法としては、非磁性基板表面の各ピクセル形成箇所を予め掘り下げることで周囲のピクセル間ギャップ部が残って仕切り壁となるように加工するピクセル箇所の掘り下げ工程、その非磁性基板上のほぼ全面に磁気光学結晶を成膜する磁性膜成膜工程、ギャップ部上に成長した磁性膜による凸部を除去して平坦化する表面平坦化工程を具備している。

Description

明 細 書
磁気光学デバイス及びその製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、ファラデー効果を利用する磁気光学デバイス及びその製造方法に関す る。
背景技術
[0002] 磁性膜を用いる磁気光学デバイスとしては、光通信分野では光アイソレータゃ光ス イッチなどがあり、光情報処理分野では磁気光学空間光変調器 (MOSLM)などが ある。磁気光学空間光変調器は、光の振幅、位相、偏光状態を、磁性膜のファラデ 一効果を利用して空間的に変調する磁気光学デバイスであり、近年、ホログラム記録 、各種ディスプレイなどへの応用が期待されている。
[0003] このような磁気光学空間光変調器は、光を並列処理するために、磁性膜の磁化方 向を独立に制御可能な多数のピクセル (画素）を 2次元アレイ状に配列した構成とな つている。その動作について、図 5により説明する。第 1の偏光子 10を透過して直線 偏光となった入射光は、磁気光学空間光変調器の各ピクセル 12に入射する。入射 光は、例えば、 SGGG (Substituted Gadolinium Gallium Garnet)基板などの透明基 板 14及び磁性膜 16を透過し、金属膜 18で反射され、再び磁性膜 16及び透明基板 14を透過して出射する。このとき、磁性膜 16のファラデー効果によって、各ピクセル 1 2を透過し反射して戻る光の偏光方向は所定の角度だけ回転する。ここで、上段のピ クセルに正方向の磁界（+H)が印加されたとき + Θ (例えば +45度）のファラデー
F
回転が生じるとすると、下段のピクセルに負方向の磁界（一 H)が印加されたときには - Θ (例えば— 45度）のファラデー回転が生じる。これらの反射光は第 2の偏光子 2
F
0に達する力 その偏光透過面が +45度に設定されていると、 +45度ファラデー回 転した上段の光は透過（ON)するが、—45度ファラデー回転した下段の光は遮断（ OFF)される。このようにして、各ピクセルに印加する磁界の向きを制御することによ つて、各ピクセルによる反射光のオン'オフを制御できる。
[0004] 磁気光学空間光変調器において、各ピクセルは 1個 1個完全に独立した個別の素 子ではなぐ実際には、 LPE (Liquid Phase Epitaxy)法などによって基板上の全面に 磁性膜を育成し、その磁性膜を多数のピクセルに磁気的に区画した集積構造が採 用されている。これは、各ピクセルは非常に小さく且つ正確に密に配列されている必 要があるためである。従って、各ピクセルの磁ィ匕反転に際しては、任意のピクセルが 隣接する他のピクセルに影響を及ぼさないような構造にする必要がある。
[0005] 各々のピクセルを磁気的に確実に分離する方法としては、基板表面に成膜した磁 性膜のピクセル間位置にギャップを掘り込む方法が一般的である。具体的には、ドラ ィエッチングあるいはウエットエッチングによって溝を形成する。しかし、このような分 離構造は、表面に凹凸が生じるため、磁気光学空間光変調器として利用する際には 、多層化が困難となる (駆動ラインの配線が困難となる)点で問題が大きい。つまり、こ のような凹凸が駆動ラインの抵抗値を増加し、甚だしい場合には断線を引き起こしか ねない。
[0006] このような凹凸のある表面を平坦ィ匕するために、ポリマーなどの平坦ィ匕材料で覆うこ とも考えられる力 この種の平坦ィ匕材料はベータ時に熱収縮するためにピクセルの磁 気的な性質が変化する (具体的には保磁力が増大する)恐れがあり、採用し難い。
[0007] その他、例えば、特許文献 1には、磁性ガーネット材料上の各ピクセル箇所に Si等 の酸ィ匕可能な膜パターンを形成し、全体を熱処理することにより、 Si膜直下の磁性ガ 一ネット材料を還元して変質させ、ピクセル単位で磁ィ匕反転が可能となるようにする 技術が開示されている。しかし、 Siのような酸ィ匕可能な膜を用いて磁性ガーネット材 料全体を熱処理すると、熱拡散のため Si膜周辺も還元してしまうため、各ピクセルの 輪郭が不明瞭となり、ピクセルサイズにもばらつきが生じる。そのためピクセル間距離 を大きく取らなければならない。ピクセル間ギャップ長が大きくなると、単位面積当たり の情報量が少なくなつてしまうため、大量の情報を高速で処理する用途には不向きと なる。
特許文献 1 :米国特許第 5, 473, 466号公報
発明の開示
[0008] 本発明が解決しょうとする課題は、各ピクセルの磁気光学結晶が磁気的に完全に 分離され、且つ表面全体が平坦な構造の磁気光学デバイス及びその製造方法を提 供することである。
[0009] 本発明の一態様は、非磁性基板と、その非磁性基板表面の各ピクセル箇所に形成 されている凹部に埋設された磁気光学結晶と、前記非磁性基板と一体であって、前 記ピクセル間のギャップ位置で前記磁気光学結晶同士を磁気的に分離する仕切り 壁と、を備えた磁気光学デバイスであって、その磁気光学デバイスの表面全体が平 坦化されている。
[0010] この磁気光学デバイスは、例えばピクセルとなる磁気光学結晶が多数、 2次元ァレ ィ状に密に配列されている磁気光学空間光変調器などである。非磁性基板としては SGGGあるいは GGG (Gadolinium Gallium Garnet)単結晶基板を用いることができる 。磁気光学結晶は典型的には希土類鉄ガーネット単結晶を採用しうる。
[0011] また本発明の他の態様は、非磁性基板表面の各ピクセル形成箇所を予め掘り下げ ることで周囲のピクセル間ギャップ部が残って仕切り壁となるように加工するピクセル 箇所の掘り下げ工程と、その非磁性基板上のほぼ全面に磁気光学結晶を成膜する 磁性膜成膜工程と、ギャップ部上に成長した磁性膜による凸部を除去して平坦ィ匕す る表面平坦ィ匕工程とを具備し、非磁性基板表面に形成されている凹部に磁気光学 結晶が埋設され、それら磁気光学結晶同士が非磁性基板と一体の仕切り壁により磁 気的に分離されるようにした磁気光学デバイスの製造方法である。
[0012] 例えば、非磁性基板として SGGGあるいは GGG単結晶基板を用い、磁気光学結 晶として希土類鉄ガーネット単結晶を用い、液相ェピタキシャル法あるいはスパッタ 法で成膜することができる。磁性膜をェピタキシャル成長させた後、酸化雰囲気下 90 0°C〜1150°Cで熱処理することにより保磁力を低減することができる。
図面の簡単な説明
[0013] [図 1]本発明に係る磁気光学デバイスの一例を示す説明図。
[図 2]本発明に係る磁気光学デバイスの製造工程の一例を示す説明図。
[図 3]試作品の表面の SEM写真。
[図 4]熱処理による磁気特性の変化を示すグラフ。
[図 5]磁気光学空間光変調器の動作説明図。
符号の説明 [0014] 30 非磁性基板、 32 凹部、 34 磁気光学結晶、 36 仕切り壁
発明の詳細な説明
[0015] 図 1は、本発明に係る磁気光学デバイスの一例を示す説明図である。非磁性基板 3 0の表面の各ピクセル箇所に形成されている凹部 32に磁気光学結晶 34が埋設され 、ピクセル間ギャップの位置で、非磁性基板と一体となっている仕切り壁 36によって 前記磁気光学結晶 34同士が磁気的に分離され、且つ表面全体が平坦化されている 構造である。互いに独立した各磁気光学結晶 34が、それぞれピクセル (画素）となる
[0016] このような構造は、非磁性基板 (例えば SGGGあるいは GGG単結晶基板)表面の 各ピクセル形成箇所を予め必要とする磁性膜 (磁気光学結晶）の厚みよりも掘り下げ ることで周囲のピクセル間ギャップ部が残って仕切り壁となるように加工するピクセル 箇所の掘り下げ工程、その非磁性基板上のほぼ全面に磁気光学結晶（例えば希土 類鉄ガーネット単結晶）を成膜する磁性膜成膜工程、ギャップ部上に成長した磁性 膜による凸部を除去して平坦ィ匕する表面平坦ィ匕工程、の 3工程を経ることで作製でき る。
[0017] まず、ピクセル箇所の非磁性基板を予めェピタキシャル成長させる磁性膜の厚さよ りも深く掘り込んでおく。このような形状の非磁性基板表面に液相ェピタキシャル成長 させることで、ピクセル間ギャップ部に非磁性基板と一体の仕切り壁が組み込まれる 構造が作製できる。このとき、ギャップ位置の非磁性基板上にも磁性膜が成長し、育 成後にも下地の非磁性基板と同様の凸構造が生じる。しかし、この凸部は、平坦ィ匕 材料により平坦にした後にエッチングする力 研磨などにより取り去ることができるの で、最終的にピクセル箇所の磁性膜 (磁気光学結晶）同士が磁気的に完全に分離さ れ、且つ表面がフラットな 2次元の磁性ピクセルアレイを作製することができる。なお、 平坦ィ匕材料により平坦にした後にエッチングする場合でも、最終的には平坦ィ匕材料 も取り去るので、平坦ィ匕材料力ピクセルに対して磁気的性質に悪影響を及ぼすこと はない。
[0018] 本発明に係る磁気光学デバイスの製造工程の一実施例を図 2に示す。これは、磁 気光学空間光変調器の製造に適用した例であり、次の工程力もなる。 [0019] (a)表面が（111)方位の SGGG基板 40上に、フォトリソグラフィー技術を使用してフ オトレジスト 42により正方格子状のパターユングを行う。フォトレジストが付着していな V、多数の矩形微細領域が、それぞれピクセル形成箇所となる。
[0020] (b)イオンミリングを用いて SGGG基板 40の各ピクセル形成箇所に、 1. O /z mの段差 が形成されるように多数の矩形の凹部 44を掘り込む。
[0021] (c)表面に残っているフォトレジストを除去する。これによつて、ピクセル形成箇所が 1 . O /z mだけ掘り込まれ、ピクセル間ギャップ位置が逆に 1. 0 mだけ突出した表面 構造の SGGG基板 40が得られる。ピクセル間ギャップ位置で突出した部分力 仕切 り壁 48となる。
[0022] (d)このように表面カ卩ェした SGGG基板 40の上に、 Bi置換鉄ガーネット薄膜 50を液 相ェピタキシャル法により育成する。育成膜厚は 3. 0 mとした。このときの表面は、 下地の SGGG基板と同様の凸部 51を有する構造を呈し、その段差も 1. O /z mであつ た。
[0023] (e)その後、表面を研磨することにより、磁性膜に現れている凸部を削りフラットな表 面を作製する。
[0024] (f)更に、イオンミリングを用いて表面全体を削り、ギャップ位置上の磁性膜が除去さ れたところで終了する。これによつて、 SGGG基板 40の凹部 44にピクセルとなる Bi置 換鉄ガーネット単結晶 52が埋設され、ピクセル間ギャップに基板と一体となって!/、る 仕切り壁 48が設けられて、ピクセル間の完全な磁気的分離が達成されて!ヽる。
[0025] 図 3は、試作品の表面の SEM写真である。 Aは、磁性膜を育成した直後の状態を 示している。磁性膜表面には、下地基板の凹凸が反映し、： mの段差が現れてい る。それに対して Bは、研磨とエッチングによりギャップ位置の上方の磁性膜が完全 に除去されて 、る状態を表して 、る。写真力も表面が平坦ィ匕されて 、ることが分かる
[0026] 液相ェピタキシャル法で成膜した状態の Bi置換鉄ガーネット単結晶薄膜は、そのま までは保磁力が大き >40000AZm)、ピクセルの磁化反転に大きな駆動電流を 必要とする。そこで、磁性膜をェピタキシャル成長させた後（図 3の (f)の工程で表面 を平坦化した後）、酸化雰囲気下 900°C〜1150°Cで熱処理する。これによつて、各 ピクセルの磁ィ匕反転に要する磁界を低減することができ、駆動電流も下げることがで きる。大気中熱処理によりピクセルの反転磁界が低減する様子を図 4に示す。

Claims

請求の範囲
[1] 非磁性基板と、
その非磁性基板表面の各ピクセル箇所に形成されている凹部に埋設された磁気光 学結晶と、
前記非磁性基板と一体であって、前記ピクセル間のギャップ位置で前記磁気光学 結晶同士を磁気的に分離する仕切り壁と、を備えた磁気光学デバイスであって、 その磁気光学デバイスの表面全体が平坦ィ匕されている。
[2] 請求項 1記載の磁気光学デバイスであって、当該磁気光学デバイスが、ピクセルと なる磁気光学結晶が多数、 2次元アレイ状に密に配列されている磁気光学空間光変 調器である。
[3] 非磁性基板が SGGGあるいは GGG単結晶基板であり、磁気光学結晶が希土類鉄 ガーネット単結晶である請求項 1記載の磁気光学デバイス。
[4] 非磁性基板が SGGGあるいは GGG単結晶基板であり、磁気光学結晶が希土類鉄 ガーネット単結晶である請求項 2記載の磁気光学デバイス。
[5] 非磁性基板表面の各ピクセル形成箇所を予め掘り下げることで周囲のピクセル間 ギャップ部が残って仕切り壁となるように加工するピクセル箇所の掘り下げ工程と、 その非磁性基板上のほぼ全面に磁気光学結晶を成膜する磁性膜成膜工程と、 ギャップ部上に成長した磁性膜による凸部を除去して平坦ィ匕する表面平坦ィ匕工程 と
を具備し、非磁性基板表面に形成されている凹部に磁気光学結晶が埋設され、それ ら磁気光学結晶同士が非磁性基板と一体の仕切り壁により磁気的に分離されるよう にした磁気光学デバイスの製造方法。
[6] 非磁性基板が SGGGあるいは GGG単結晶基板であり、磁気光学結晶が希土類鉄 ガーネット単結晶であって、液相ェピタキシャル法ある ヽはスパッタ法で成膜する請 求項 5記載の磁気光学デバイスの製造方法。
[7] 磁性膜を成膜した後、酸化雰囲気下 900°C〜1150°Cで熱処理することにより、磁 気光学結晶の保磁力を低減する請求項 5記載の磁気光学デバイスの製造方法。
[8] 磁性膜を成膜した後、酸化雰囲気下 900°C〜1150°Cで熱処理することにより、 磁気光学結晶の保磁力を低減する請求項 6記載の磁気光学デバイスの製造方法。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7306141B1 (en) * 2001-08-13 2007-12-11 Jpmorgan Chase Bank, N.A. System and method for funding a collective account by use of an electronic tag
JP5001807B2 (ja) * 2007-12-06 2012-08-15 日本放送協会 空間光変調器
US9170440B2 (en) 2008-07-01 2015-10-27 Duke University Polymer optical isolator
US8009942B2 (en) * 2008-07-01 2011-08-30 Duke University Optical isolator
JP5305386B2 (ja) * 2008-12-22 2013-10-02 Ｆｄｋ株式会社 磁気光学光変調器
CN101458403B (zh) * 2009-01-04 2012-01-25 上海舜宇海逸光电技术有限公司 磁光晶体及其制备方法以及磁光晶体的应用装置
JP5388057B2 (ja) * 2009-06-11 2014-01-15 国立大学法人豊橋技術科学大学 磁気光学空間光変調器
JP2010286675A (ja) * 2009-06-11 2010-12-24 Fdk Corp 磁気光学空間光変調器
JP5388058B2 (ja) * 2009-06-11 2014-01-15 国立大学法人豊橋技術科学大学 磁気光学空間光変調器
JP5550141B2 (ja) * 2010-07-27 2014-07-16 Ｆｄｋ株式会社 磁気光学式欠陥検出方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003315756A (ja) * 2002-02-21 2003-11-06 Japan Science & Technology Corp 空間光変調器
JP2004294579A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Japan Science & Technology Agency 空間光変調器及びその空間光変調器の製造方法
JP2005221841A (ja) * 2004-02-06 2005-08-18 Fdk Corp 磁気光学式空間光変調器

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5473466A (en) 1994-06-02 1995-12-05 Tanielian; Aram A. Magneto-optical display and method of forming such display

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003315756A (ja) * 2002-02-21 2003-11-06 Japan Science & Technology Corp 空間光変調器
JP2004294579A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Japan Science & Technology Agency 空間光変調器及びその空間光変調器の製造方法
JP2005221841A (ja) * 2004-02-06 2005-08-18 Fdk Corp 磁気光学式空間光変調器

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Publication number Publication date
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