JP5550141B2 - 磁気光学式欠陥検出方法 - Google Patents
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Description
H1=Hc+Hbase
となり、欠陥部のある部分に対向するピクセルに印加する磁界H2は、
H2=Hc+Hdef
となる。よって、
Hbase>Hdef
より、
H1>H2
となる。その結果、図6に示すように、欠陥部のない部分では、外部コイル20による印加磁界の強度Hcが比較的低くても、合成時間は反転磁界Hsw以上となるので対向するピクセルの磁化方向が反転するが、係る外部コイル20による印加磁界が低い場合には欠陥部のある部分に対向するピクセルに印加される合成磁界は反転磁界Hswに達せず磁化方向も反転しない。
被検査物1として、表面に直径1mmの穴をあけたフェライト基板を用いた。図7は、この被検査物1に、表面に対して垂直方向に磁化した場合の表面での漏洩磁束密度の垂直成分を計算した結果である。欠陥部のない周囲部に比べ、欠陥部では漏洩磁束密度が小さくなることが確認できる。
2 欠陥部
10 磁気光学素子
11 透明単結晶基板
12 磁気ガーネット膜
12a ピクセル
12b 溝(ピクセル間ギャップ)
13 金属反射膜
20 外部コイル
Claims (3)
- 被検査物に磁界を印加して、その表面の欠陥部に生じた漏洩磁界を、被検査物に近接させた磁気光学素子に透過させた光の磁気光学効果により検出する磁気光学式欠陥検出方法において、
前記磁気光学素子が複数のピクセルに分離され、基板上にアレイ化されており個々のピクセル内で一つの磁区を形成している磁気光学膜を用い、
前記磁気光学膜は、膜面に対して垂直方向に磁化容易軸を有し、磁界印加手段により前記個々のピクセルの磁化方向を揃え、
次いで、前記被検査物表面の直交方向に掃引磁界を印加することを特徴とする磁気光学式欠陥検出方法。 - 前記磁界印加手段は電磁石であり、その電磁石により前記掃引磁界を印加することを特徴とする請求項1に記載の磁気光学式欠陥検出方法。
- 前記磁気光学膜がビスマス置換鉄ガーネットから構成されることを特徴とする請求項1または2に記載の磁気光学式欠陥検出方法。
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